[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

KR20160147482A - 가스 혼합부를 갖는 반도체 소자 제조 설비 - Google Patents

가스 혼합부를 갖는 반도체 소자 제조 설비 Download PDF

Info

Publication number
KR20160147482A
KR20160147482A KR1020150084278A KR20150084278A KR20160147482A KR 20160147482 A KR20160147482 A KR 20160147482A KR 1020150084278 A KR1020150084278 A KR 1020150084278A KR 20150084278 A KR20150084278 A KR 20150084278A KR 20160147482 A KR20160147482 A KR 20160147482A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
gas mixing
mixing portion
supply pipe
gas supply
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
KR1020150084278A
Other languages
English (en)
Inventor
김동영
최용순
김홍근
이종명
최병덕
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020150084278A priority Critical patent/KR20160147482A/ko
Priority to US15/048,995 priority patent/US20160362785A1/en
Publication of KR20160147482A publication Critical patent/KR20160147482A/ko
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07 e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/54—Providing fillings in containers, e.g. gas fillings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45512—Premixing before introduction in the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45565—Shower nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)

Abstract

가스 공급부, 및 반응 챔버를 포함하고, 상기 가스 공급부는 상부 가스 혼합부, 상기 상부 가스 혼합부의 아래에 배치된 중간 가스 혼합부, 상기 중간 가스 혼합부의 아래에 배치된 하부 가스 혼합부, 상기 상부 가스 혼합부의 상부에 배치되어 상기 상부 가스 혼합부 내에 제1 가스를 공급하는 제1 가스 공급관, 상기 상부 가스 혼합부의 측면의 상단부에 배치되어 상기 상부 가스 혼합부 내에 제2 가스를 공급하는 제2 가스 공급관, 및 상기 중간 가스 혼합부의 측면 상에 배치되어 상기 중간 가스 혼합부 내에 제3 가스를 공급하는 제3 가스 공급관을 포함하는 반도체 소자 제조 설비가 설명된다.

Description

가스 혼합부를 갖는 반도체 소자 제조 설비{Apparatus for manufacturing Semiconductor Devices Having a Gas Mixing Part}
본 발명은 가스 혼합부를 갖는 반도체 소자 제조 설비에 관한 것이다.
반도체 소자의 디자인 룰이 점차 축소되고 회로 패턴들이 미세해짐에 따라, 웨이퍼 상에 다양한 물질층들을 균일하게(uniformly) 형성하는 것이 매우 중요한 문제로 대두되었다. 상기 다양한 물질층들을 균일하게(uniformly) 형성하기 위하여, 균등하게 잘 섞인 혼합 가스가 반응 챔버 내로 제공되어야 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 반도체 소자 제조 설비를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 가스들을 균일하게 혼합할 수 있는 가스 공급부를 포함하는 반도체 소자 제조 설비를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 가스들을 조절하여 분배할 수 있는 샤워 헤드를 가진 반도체 소자 제조 설비를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다양한 과제들은 이상에서 언급한 과제들에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당 업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 의한 반도체 소자 제조 설비는 가스 공급부, 및 반응 챔버를 포함한다. 상기 가스 공급부는 상부 가스 혼합부, 상기 상부 가스 혼합부의 아래에 배치된 중간 가스 혼합부, 상기 중간 가스 혼합부의 아래에 배치된 하부 가스 혼합부, 상기 상부 가스 혼합부의 상부에 배치되어 상기 상부 가스 혼합부 내에 제1 가스를 공급하는 제1 가스 공급관, 상기 상부 가스 혼합부의 측면의 상단부에 배치되어 상기 상부 가스 혼합부 내에 제2 가스를 공급하는 제2 가스 공급관, 및 상기 중간 가스 혼합부의 측면 상에 배치되어 상기 중간 가스 혼합부 내에 제3 가스를 공급하는 제3 가스 공급관을 포함할 수 있다.
상기 상부 가스 혼합부는 상부의 직경이 약 2 내지 4cm이고 하부의 직경이 약 0.5 내지 1.5cm인 역 원추형 관 형태를 가질 수 있다.
상기 중간 가스 혼합부는 상기 상부 가스 혼합부 및 상기 하부 가스 혼합부보다 좁도록 직경이 약 0.5 내지 2cm인 원형 관 형태를 가질 수 있다.
상기 중간 가스 혼합부는 나선형 모양을 가질 수 있다.
상기 하부 가스 혼합부는 상부의 직경이 약 0.5 내지 1.5cm이고 하부의 직경이 약 2 내지 4cm인 원추형 관 형태를 가질 수 있다.
상기 하부 가스 혼합부는 내부를 다수 개의 공간으로 분리하는 격벽 플레이트들을 포함할 수 있다. 상기 격벽 플레이트들은 상기 분리된 다수 개의 공간들을 공간적으로 연결하는 개구부들을 포함할 수 있다.
상기 하부 가스 혼합부는 나선형 핀 블레이드를 포함할 수 있다.
상기 제1 가스 공급관은 상기 제1 가스를 상기 상부 가스 혼합부의 내부로 강하게 주입하는 모터 팬, 피스톤, 또는 로터리 펌프 중 하나를 포함할 수 있다.
상기 제1 가스는 세정 가스를 포함할 수 있고, 상기 제2 가스는 질화제 가스 또는 산화제 가스를 포함할 수 있고, 및 상기 제3 가스는 실리콘 소스 가스를 포함할 수 있다.
상기 반도체 제조 설비는 상기 가스 공급부와 연결되고 상기 반응 챔버의 상부에 배치된 샤워 헤드를 더 포함할 수 있다. 상기 샤워 헤드는 하부에 다수 개의 가스 분배 홀들을 가진 하우징, 및 상기 하우징 내부의 공간을 조절하기 위하여 상승 및 하강할 수 있는 스페이싱 플레이트를 포함할 수 있다.
본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 의한 반도체 소자 제조 설비는 가스 공급부, 샤워 헤드, 및 반응 챔버를 포함할 수 있다. 상기 가스 공급부는 상부 가스 혼합부, 상기 상부 가스 혼합부의 하부와 연결된 중간 가스 혼합부, 상기 중간 가스 혼합부의 하부와 연결되고 원추형 관 형태를 갖는 하부 가스 혼합부, 상기 상부 가스 혼합부의 상부와 연결된 제1 가스 공급관, 상기 상부 가스 혼합부의 측부와 연결된 제2 가스 공급관, 및 상기 중간 가스 혼합부의 측부와 연결된 제3 가스 공급관을 포함할 수 있다. 상기 제1 가스 공급관, 상기 제2 가스 공급관, 및 상기 제3 가스 공급관은 상기 중간 가스 혼합부보다 좁은 직경을 갖는 원형 관 형태를 가질 수 있다.
상기 상부 가스 혼합부는 상기 중간 가스 혼합부보다 두껍도록 상부의 직경이 약 2 내지 4cm이고 하부의 직경이 약 0.5 내지 1.5cm인 역 원추형 관 형태를 가질 수 있다.
상기 중간 가스 혼합부는 상기 상부 가스 혼합부의 평균 직경 및 상기 하부 가스 혼합부의 평균 직경보다 작은 평균 직경의 원형 관 형태를 가질 수 있다.
상기 제1 가스 공급관은 모터 팬, 피스톤, 또는 로터리 펌프 중 하나를 포함할 수 있다.
상기 제3 가스 혼합부는 내부에 가스 흐름을 조절하기 위한 격벽 플레이트 또는 핀 블레이드를 포함할 수 있다.
본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 의한 반도체 소자 제조 설비는 가스 공급부, 샤워 헤드, 및 반응 챔버를 포함할 수 있다. 상기 가스 공급부는 상부가 넓고 하부가 좁은 역 원추형 관 형태를 갖는 상부 가스 혼합부, 상기 상부 가스 혼합부의 상기 하부와 연결되고 원형 관 형태를 갖는 중간 가스 혼합부, 상기 중간 가스 혼합부의 하부와 연결되고 상부가 좁고 하부가 넓은 원추형 관 형태를 갖는 하부 가스 혼합부, 상기 상부 가스 혼합부 내에 제1 가스를 공급하고 상기 상부 가스 혼합부의 평균 직경보다 작은 직경을 갖는 제1 가스 공급관, 상기 상부 가스 혼합부 내에 제2 가스를 공급하고 상기 상부 가스 혼합부의 평균 직경보다 작은 직경을 갖는 제2 가스 공급관, 상기 중간 가스 혼합부 내에 제3 가스를 공급하고 상기 상부 가스 혼합부의 평균 직경보다 작은 직경을 갖는 제3 가스 공급관을 포함할 수 있다.
상기 제1 가스 공급관은 상기 상부 가스 혼합부의 상부에 배치되고, 세정 가스 및 퍼지 가스를 공급할 수 있다.
상기 제2 가스 공급관은 상기 상부 가스 혼합부의 측면의 상단부에 배치되고, 질화제 가스 또는 산화제 가스, 및 퍼지 가스를 공급할 수 있다.
상기 제3 가스 공급관은 상기 중간 가스 혼합부의 측부에 배치되고 상기 중간 가스 혼합부 내에 실리콘 소스 가스 및 퍼지 가스를 공급할 수 있다.
상기 하부 가스 혼합부는 내부에 와류형 가스 흐름을 유도하도록 지그재그, 트위스트, 또는 룰렛 모양으로 배열된 개구부들을 가진 격벽 플레이트들 또는 나선형 모양의 핀 블레이드를 포함할 수 있다.
기타 실시 예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 기술적 사상에 의한 반도체 소자 제조 설비치는 균일하게 혼합된 가스를 이용하여 반도체 소자를 제조할 수 있으므로, 상기 반도체 소자의 패턴들이 균일할 수 있다.
본 발명의 기술적 사상에 의한 반도체 소자 제조 설비는 제1 가스를 강하게 강제적으로 주입할 수 있으므로 제2 가스가 역류하지 않고 상기 제1 가스 및 상기 제2 가스가 잘 혼합될 수 있다.
본 발명의 기술적 사상에 의한 반도체 소자 제조 설비는 벤츄리관 형태의 가스 혼합부를 포함하므로 가스 혼합이 더욱 균일해질 수 있다.
본 발명의 기술적 사상에 의한 반도체 소자 제조 설비는 가스 흐름 속도를 늦추고 가스 흐름 모양을 조절할 수 있으므로 가스 혼합이 더욱 균일해질 수 있다.
도 1은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 의한 반도체 소자 제조 설비를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2a 및 2b는 본 발명의 기술적 사상의 다양한 실시예들에 의한 가스 공급부들을 개략적으로 도시한 도면들이다.
도 3a 내지 3c는 본 발명의 기술적 사상의 실시예들에 의한 상기 하부 가스 혼합부의 내부를 개략적으로 도시한 도면들이다.
도 4a 및 4b는 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 의한 상기 샤워 헤드를 개략적으로 도시한 도면들이다.
도 5a 및 5b는 상기 샤워 헤드(400)의 동작을 개략적으로 도시한 도면들이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시 예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다(comprises)' 및/또는 '포함하는(comprising)'은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
하나의 소자(elements)가 다른 소자와 '접속된(connected to)' 또는 '커플링된(coupled to)' 이라고 지칭되는 것은, 다른 소자와 직접 연결 또는 커플링된 경우 또는 중간에 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 하나의 소자가 다른 소자와 '직접 접속된(directly connected to)' 또는 '직접 커플링된(directly coupled to)'으로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자를 개재하지 않은 것을 나타낸다. '및/또는'은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
공간적으로 상대적인 용어인 '아래(below)', '아래(beneath)', '하부(lower)', '위(above)', '상부(upper)' 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작 시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 '아래(below)' 또는 '아래(beneath)'로 기술된 소자는 다른 소자의 '위(above)'에 놓여질 수 있다.
또한, 본 명세서에서 기술하는 실시 예들은 본 발명의 이상적인 예시도인 단면도 및/또는 평면도들을 참고하여 설명될 것이다. 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 예를 들면, 직각으로 도시된 식각 영역은 라운드지거나 소정 곡률을 가지는 형태일 수 있다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이며 발명의 범주를 제한하기 위한 것이 아니다.
명세서 전문에 걸쳐 동일한 참조 부호는 동일한 구성 요소를 지칭한다. 따라서, 동일한 참조 부호 또는 유사한 참조 부호들은 해당 도면에서 언급 또는 설명되지 않았더라도, 다른 도면을 참조하여 설명될 수 있다. 또한, 참조 부호가 표시되지 않았더라도, 다른 도면들을 참조하여 설명될 수 있다.
도 1은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 의한 반도체 소자 제조 설비를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 의한 반도체 소자 제조 설비는 반응 챔버(100), 상기 반응 챔버(100)의 상부에 배치된 가스 공급부(200), 및 상기 반응 챔버(100)의 하부에 배치된 가스 배출부(500)를 포함할 수 있다.
상기 반응 챔버(100)는 웨이퍼(W)를 지지하는 서셉터(110), 상기 서셉터(110)를 가열하는 가열부(120), 및 상기 가스 공급부(200)와 연결된 샤워 헤드(400)를 포함할 수 있다. 상기 반응 챔버(100)의 내부에는 플라즈마가 형성될 수 있다. 상기 서셉터(110)의 상면 상에 상기 웨이퍼(W)가 놓일 수 있다. 상기 가열부(120)는 할로겐 램프 또는 가열 코일을 포함할 수 있다. 상기 가열부(120)는 상기 반응 챔버(100)의 하부의 외부에 배치될 수도 있다. 예를 들어, 상기 가열부(120)는 상기 반응 챔버(100)와 분리될 수 있는 모듈 형태를 가질 수 있다.
상기 가스 공급부(200)는 상기 반응 챔버(100)의 내부로 소스 가스들, 반응성 가스들, 세정 가스들 및 퍼지 가스들을 공급할 수 있다. 상기 가스 공급부(200)에 관한 상세한 설명은 후술될 것이다.
상기 가스 배출부(500)는 상기 반응 챔버(100)의 내부와 연결된 가스 배출관(510) 및 상기 가스 배출관(510)과 연결되어 상기 반응 챔버(100)의 내부의 가스들 및 에어를 배출하는 배출 펌프(520)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 배출 펌프(520)는 터보 펌프 및 로터리 펌프를 포함할 수 있다.
도 2a 및 2b는 본 발명의 기술적 사상의 다양한 실시예들에 의한 가스 공급부(200)들을 개략적으로 도시한 도면들이다.
도 2a를 참조하면, 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 의한 가스 공급부(200A)는 제1 가스 공급관(210), 제2 가스 공급관(220), 제3 가스 공급관(230), 상부 가스 혼합부(250), 중간 가스 혼합부(260A), 및 하부 가스 혼합부(270)를 포함할 수 있다.
상기 제1 가스 공급관(210)은 상기 상부 가스 혼합부(250)의 상부의 중심에 수직하게 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 가스 공급관(210)은 제1 가스를 상기 상부 가스 혼합부(250)의 상부로부터 내부로 수직하게 공급할 수 있다. 상기 제1 가스 공급관(210)은 상기 상부 가스 혼합부(250)의 최소 직경보다 작은 직경을 가진 원형 관 형태를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 가스 공급관(210)은 약 0.5 내지 1.5cm의 직경을 가질 수 있다. 상기 제1 가스 공급관(210)은 상기 반응 챔버(100)의 내부를 세정하기 위한 세정 가스들 및/또는 상기 가스 공급부(200), 상기 샤워 헤드(400), 및 상기 반응 챔버(100)의 내부에 잔존하는 소스 가스들 및 반응성 가스들을 배출시키기 위한 퍼지 가스들을 공급할 수 있다. 상기 세정 가스들은 NF3 가스 같은 할라이드 가스들을 포함할 수 있고, 상기 퍼지 가스들은 N2 가스 또는 Ar 가스 같은 불활성 가스를 포함할 수 있다.
상기 제1 가스 공급관(210)은 푸슁 부(215)를 포함할 수 있다. 상기 푸슁 부(215)는 상기 제1 가스를 상기 상부 가스 혼합부(250)의 내부로 보다 강하게 강제적으로 주입할 수 있다. 상기 푸슁 부(215)는 모터 팬(a motor fan), 피스톤(a piston), 또는 로터리 펌프를 포함할 수 있다.
제2 가스 공급관(220)은 상기 상부 가스 혼합부(250)의 측면의 상부에 수평적으로 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 가스 공급관(220)은 제2 가스를 상기 상부 가스 혼합부(250)의 측면으로부터 내부로 수평적으로 공급할 수 있다. 상기 제2 가스 공급관(220)은 상기 상부 가스 혼합부(250)의 최소 직경보다 작은 직경을 가진 원형 관 형태를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 가스 공급관(220)은 약 0.5 내지 1.5cm의 직경을 가질 수 있고, 및 약 1.5 내지 3cm의 길이를 가질 수 있다. 상기 제2 가스 공급관(220)은 반응성 가스들 및/또는 상기 가스 공급부(200), 상기 샤워 헤드(400), 및 상기 반응 챔버(100)의 내부에 잔존하는 상기 소스 가스들 및/또는 상기 반응성 가스들을 배출시키기 위한 퍼지 가스들을 공급할 수 있다. 상기 반응성 가스들은 NH3, N2O, NO, O2, H2O, 또는 O3 가스 같은 질화제(nitriding agent) 또는 산화제(oxidizing agents)를 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 상기 제2 가스 공급관(220)은 상기 상부 가스 혼합부(250)의 측면의 최상부와 연결될 수 있다. 예를 들어, 상기 상부 가스 혼합부(250)의 상면과 상기 제2 가스 공급관(220)의 상면이 수평적으로 공면일 수 있다. (co-planar) 따라서, 상기 제2 가스 공급관(220)으로부터 상기 상부 가스 혼합부(250)로 주입된 상기 제2 가스들은 상기 상부 가스 혼합부(250) 내에서 역류하거나 잔류하지 않을 수 있다.
제3 가스 공급관(230)은 상기 중간 가스 혼합부(260A)의 측면에 수평적으로 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제3 가스 공급관(230)은 제3 가스를 상기 중간 가스 혼합부(260A)의 내부로 공급할 수 있다. 상기 제3 가스 공급관(230)은 상기 상부 가스 혼합부(250) 및/또는 상기 중간 가스 혼합부(260A)의 최소 직경보다 작은 직경을 가진 원형 관 형태를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제3 가스 공급관(230)은 약 0.5 내지 1.5cm의 직경을 가질 수 있다. 상기 제3 가스 공급관은 소스 가스들 및/또는 상기 가스 공급부(200), 상기 샤워 헤드(400), 및 상기 반응 챔버(100)의 내부에 잔존하는 상기 소스 가스들 및/또는 상기 반응성 가스들을 배출시키기 위한 퍼지 가스들을 공급할 수 있다. 상기 소스 가스들은 실란(SiH4) 또는 다이클로로 실란(SiH4Cl2) 같이 실리콘을 포함하는 실리콘 소스 가스들을 포함할 수 있다.
상부 가스 혼합부(250)는 역 원추형 관 형태를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 상부 가스 혼합부(250)는 직경 또는 면적이 넓은 상부 및 직경 또는 면적이 작은 하부를 가질 수 있다. 상기 상부 가스 혼합부(250) 내에서 상기 제1 가스 공급관(210)으로부터 공급된 상기 제1 가스 및 상기 제2 가스 공급관(220)으로부터 공급된 상기 제2 가스가 자연적으로 혼합되어 제1 혼합 가스가 생성될 수 있다. 상기 상부 가스 혼합부(250) 내에서 혼합된 상기 제1 가스 및 상기 제2 가스를 포함하는 상기 제1 혼합 가스는 상기 중간 가스 혼합부(260A)로 공급될 수 있다. 상기 상부 가스 혼합부(250)의 상부는 평평한 상면을 가질 수 있다. 본 실시예에서, 예시적으로 상기 상부 가스 혼합부(250)의 상부의 최대 직경이 약 2 내지 4cm 일 수 있고, 하부의 최소 직경이 약 0.5 내지 1.5cm일 수 있다.
상기 중간 가스 혼합부(260A)는 상기 상부 가스 혼합부의 하부와 연결되도록 상기 상부 가스 혼합부의 아래에 배치될 수 있다. 상기 중간 가스 혼합부(260A)는 얇은 원형 관 형태를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 중간 가스 혼합부(260A)는 벤츄리(venture) 관을 포함할 수 있다. 상기 중간 가스 혼합부(260A)의 직경은 상기 상부 가스 혼합부(250)의 최소 직경과 동일할 수 있다. 예를 들어, 상기 중간 가스 혼합부(260A)의 직경은 약 0.5 내지 2cm일 수 있다. 상기 중간 가스 혼합부(260A)의 직경이 상기 상부 가스 혼합부(250)의 평균 직경보다 작으므로, 상기 중간 가스 혼합부(260A)의 내부에서 상기 제1 혼합 가스의 유속(flow velocity)이 빨라질 수 있다. 따라서, 베르누이의 정리(Bernoulli's theorem)에 의하여 상기 제3 가스 공급부(200)로부터 상기 제3 가스가 흡입(intake)되어 상기 제1 혼합 가스와 혼합된 예비 제2 혼합 가스가 생성될 수 있다. 따라서, 상기 중간 가스 혼합부(260A)의 내부에서 상기 제1 내지 제3 가스들이 모두 혼합된 상기 예비 제2 혼합 가스가 생성될 수 있다.
하부 가스 혼합부(270)는 상기 중간 가스 혼합부(260A)의 하부와 연결되도록 상기 중간 가스 혼합부(260A)의 아래에 배치될 수 있다. 상기 하부 가스 혼합부(270)는 원추형 관 형태를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 가스 혼합부(270)는 직경 또는 면적이 좁은 상부 및 직경 또는 면적이 넓은 하부를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 가스 혼합부(270)의 상부의 최소 직경이 약 0.5 내지 1.5cm일 수 있고, 및 하부의 최대 직경이 약 2 내지 4cm일 수 있다. 상기 하부 가스 혼합부(270)의 평균 직경이 상기 중간 가스 혼합부(260A)의 직경보다 크므로, 상기 제2 혼합 가스의 유속(flow velocity)이 느려질 수 있다. 따라서, 상기 하부 가스 혼합부(270) 내에서 상기 중간 가스 혼합부(260A)로부터 공급된 상기 예비 제2 혼합 가스가 보다 균일하게 혼합된 최종 제2 혼합 가스가 생성될 수 있다.
상기 가스 공급부(200) 내에서 혼합된 가스는 상기 샤워 헤드(400)로 공급될 수 있다. 상기 가스 공급부(200)는 중간 체결부(300)(interfacial joint)에 의하여 상기 샤워 헤드(400)와 결합될 수 있다. 상기 샤워 헤드(400)에 대한 상세한 설명은 후술될 것이다.
도 2b를 참조하면, 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 의한 가스 공급부(200B)는 나선형 관 모양을 가진 중간 가스 혼합부(260B)를 포함할 수 있다. 따라서, 상기 제1 내지 제3 가스들은 보다 길어진 상기 나선형 중간 가스 혼합부(260B) 내에서 나선형 와류에 의해 상기 예비 제2 혼합 가스보다 균일하게 혼합될 수 있다.
도 3a 내지 3c는 본 발명의 기술적 사상의 실시예들에 의한 상기 하부 가스 혼합부(270)의 내부를 개략적으로 도시한 도면들이다.
도 3a 및 3b를 참조하면, 본 발명의 기술적 사상의 실시예들에 의한 상기 하부 가스 혼합부(270A, 270B)는 내부에 다수 개의 격벽 플레이트(275a-275d) (partition plates)들을 포함할 수 있다. 상기 격벽 플레이트(275a-275d)들은 상기 하부 가스 혼합부(270A, 270B)의 내부를 공간적으로 분리할 수 있다. 상기 격벽 플레이트(275a-275d)들은 각각 하나 이상의 개구부(Oa-Od)들을 가질 수 있다. 상기 개구부(Oa-Od)들은 분리된 공간들을 공간적으로 연결할 수 있다. 상기 개구부(Oa-Od)들은 중심들이 수직으로 일치하지 않을 수 있다. 예를 들어, 상기 개구부(Oa-Od)들은 상면도에서 (in a top view) 지그재그 모양, 트위스트 모양, 또는 회전하는 룰렛 모양으로 배열될 수 있다. 따라서, 상기 중간 가스 혼합부(260A)로부터 공급된 상기 혼합 가스는 상기 하부 가스 혼합부(270A, 270B) 내부에서 상기 격벽 플레이트(275a-275d)들의 상기 개구부(Oa-Od)들을 통과하면서 지그재그, 트위스트, 또는 회오리형 와류 흐름을 갖게 되므로 상기 최종 제2 혼합 가스는 더욱 균일하게 혼합될 수 있다.
도 3c를 참조하면, 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 의한 상기 하부 가스 혼합부(270C)의 내부는 나선형 핀 블레이드(276)(fin blade)를 포함할 수 있다. 상기 핀 블레이드(276)는 상기 하부 가스 혼합부(270C)의 내부에서 상기 제2 혼합 가스를 나선형으로 흐르게 할 수 있다.
도 4a 및 4b는 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 의한 상기 샤워 헤드(400)를 개략적으로 도시한 도면들이다. 상세하게, 도 4a는 상기 샤워 헤드(400)의 상부의 절개 사시도이고, 도 4b는 상기 샤워 헤드(400)의 하부의 절개 사시도이다.
도 4a 및 4b를 참조하면, 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 의한 상기 샤워 헤드(400)는 속이 빈 원반 형태의 하우징(410) 및 디스크 형태의 스페이싱 디스크(420)를 포함할 수 있다. 상기 하우징(410)의 상부의 중앙에 상기 하부 가스 혼합부(270)와 결합되기 위한 중간 체결부(300)가 배치될 수 있다. 상기 하우징(410)의 하면은 다수 개의 가스 분배 홀(H)들을 가질 수 있다.
상기 가스 공급부(200)로부터 공급된 상기 혼합 가스는 상기 하우징(410) 내의 상기 스페이싱 디스크(420) 및 상기 가스 분배 홀(H)들을 통하여 상기 반응 챔버(100)의 내부로 공급될 수 있다.
도 5a 및 5b는 상기 샤워 헤드(400)의 동작을 개략적으로 도시한 도면들이다.
도 5a 및 5b를 참조하면, 상기 스페이싱 디스크(420)는 상승 및 하강할 수 있다. 따라서, 상기 가스 공급부(200)로부터 공급된 상기 혼합 가스는 상기 하우징(410)의 내부에서 공정들의 특성에 따라 다양하게 분배 및 공급될 수 있다. 예를 들어, 상기 하우징(410)의 상기 하면의 외곽쪽으로 상기 혼합 가스가 충분히 분배되어야 할 경우, 상기 스페이싱 디스크(420)가 상승하여 상기 하우징(410) 내의 공간이 넓어질 수 있고, 및 상기 혼합 가스가 상기 하우징(410)의 외곽 쪽으로 충분히 분배될 수 있다. 또는, 상기 스페이싱 디스크(420)가 하강할 경우, 상기 혼합 가스가 상기 하우징(410)의 외곽 쪽으로 충분히 분배되지 못하므로 상기 혼합 가스는 상기 하우징(410)의 중앙에 가까운 가스 분배 홀(H)들을 통하여 상기 반응 챔버(100) 내부로 공급될 수 있다.
상기 하우징(410)의 상기 하면의 중앙에 가스 블로커(425)가 배치될 수 있다. 상기 가스 블로커(425)는 상기 스페이싱 디스크(420)를 통과한 상기 혼합 가스의 흐름을 상기 하우징(410)의 상기 하면의 상기 가스 분배 홀(H)들로 방사형으로 분배할 수 있다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100: 반응 챔버 110: 서셉터
120: 가열부 200: 가스 공급부
210: 제1 가스 공급관 215: 푸슁 부
220: 제2 가스 공급관 230: 제3 가스 공급관
250: 상부 가스 혼합부 260A, 260B: 중간 가스 혼합부
270: 하부 가스 혼합부 275a-275d: 격벽 플레이트
276: 핀 블레이드 300: 중간 체결부
400: 샤워 헤드 410: 하우징
420: 스페이싱 디스크 425: 가스 블로커
500: 가스 배출부 510: 가스 배출관
520: 배출 펌프 H: 가스 분배 홀
Oa-Od: 개구부

Claims (10)

  1. 가스 공급부; 및
    반응 챔버를 포함하고,
    상기 가스 공급부는:
    상부 가스 혼합부;
    상기 상부 가스 혼합부의 아래에 배치된 중간 가스 혼합부;
    상기 중간 가스 혼합부의 아래에 배치된 하부 가스 혼합부;
    상기 상부 가스 혼합부의 상부에 배치되어 상기 상부 가스 혼합부 내에 제1 가스를 공급하는 제1 가스 공급관;
    상기 상부 가스 혼합부의 측면의 상단부에 배치되어 상기 상부 가스 혼합부 내에 제2 가스를 공급하는 제2 가스 공급관; 및
    상기 중간 가스 혼합부의 측면 상에 배치되어 상기 중간 가스 혼합부 내에 제3 가스를 공급하는 제3 가스 공급관을 포함하는 반도체 소자 제조 설비.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 상부 가스 혼합부는 상부의 직경이 약 2 내지 4cm이고 하부의 직경이 약 0.5 내지 1.5cm인 역 원추형 관 형태를 갖는 반도체 소자 제조 설비.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 중간 가스 혼합부는 상기 상부 가스 혼합부 및 상기 하부 가스 혼합부보다 좁도록 직경이 약 0.5 내지 2cm인 원형 관 형태를 가진 반도체 소자 제조 설비.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 중간 가스 혼합부는 나선형 모양을 가진 반도체 소자 제조 설비.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 하부 가스 혼합부는 상부의 직경이 약 0.5 내지 1.5cm이고 하부의 직경이 약 2 내지 4cm인 원추형 관 형태를 가진 반도체 소자 제조 설비.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 하부 가스 혼합부는 내부를 다수 개의 공간으로 분리하는 격벽 플레이트들을 포함하고, 및
    상기 격벽 플레이트들은 상기 분리된 다수 개의 공간들을 공간적으로 연결하는 개구부들을 포함하는 반도체 소자 제조 설비.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 하부 가스 혼합부는 나선형 핀 블레이드를 포함하는 반도체 소자 제조 설비.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 가스 공급관은 상기 제1 가스를 상기 상부 가스 혼합부의 내부로 강하게 주입하는 모터 팬, 피스톤, 또는 로터리 펌프 중 하나를 포함하는 반도체 소자 제조 설비.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1 가스는 세정 가스를 포함하고,
    상기 제2 가스는 질화제 가스 또는 산화제 가스를 포함하고, 및
    상기 제3 가스는 실리콘 소스 가스를 포함하는 반도체 소자 제조 설비.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 가스 공급부와 연결되고 상기 반응 챔버의 상부에 배치된 샤워 헤드를 더 포함하고,
    상기 샤워 헤드는 하부에 다수 개의 가스 분배 홀들을 가진 하우징; 및
    상기 하우징 내부의 공간을 조절하기 위하여 상승 및 하강할 수 있는 스페이싱 플레이트를 포함하는 반도체 소자 제조 설비.
KR1020150084278A 2015-06-15 2015-06-15 가스 혼합부를 갖는 반도체 소자 제조 설비 Withdrawn KR20160147482A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150084278A KR20160147482A (ko) 2015-06-15 2015-06-15 가스 혼합부를 갖는 반도체 소자 제조 설비
US15/048,995 US20160362785A1 (en) 2015-06-15 2016-02-19 Apparatus for manufacturing semiconductor device having a gas mixer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150084278A KR20160147482A (ko) 2015-06-15 2015-06-15 가스 혼합부를 갖는 반도체 소자 제조 설비

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20160147482A true KR20160147482A (ko) 2016-12-23

Family

ID=57516759

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150084278A Withdrawn KR20160147482A (ko) 2015-06-15 2015-06-15 가스 혼합부를 갖는 반도체 소자 제조 설비

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20160362785A1 (ko)
KR (1) KR20160147482A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102364546B1 (ko) * 2022-01-21 2022-02-17 김흥구 반도체 제조설비의 가스 공급장치

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102214350B1 (ko) * 2016-05-20 2021-02-09 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 반도체 처리를 위한 가스 분배 샤워헤드
EP3409812A1 (de) * 2017-05-31 2018-12-05 Meyer Burger (Germany) AG Gasversorgungssystem und gasversorgungsverfahren
KR102752938B1 (ko) * 2018-12-20 2025-01-10 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 개선된 가스 유동을 처리 챔버의 처리 용적에 공급하기 위한 방법 및 장치
US11549183B2 (en) * 2019-05-24 2023-01-10 Applied Materials, Inc. Showerhead with inlet mixer
US11971057B2 (en) * 2020-11-13 2024-04-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Gas transport system
USD1080812S1 (en) * 2022-08-29 2025-06-24 Applied Materials, Inc. Gas mixer
WO2024076478A1 (en) * 2022-10-06 2024-04-11 Lam Research Corporation Showerhead gas inlet mixer
WO2025029735A1 (en) * 2023-08-01 2025-02-06 Lam Research Corporation Processing tool showerhead with integrated static mixer

Family Cites Families (82)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2563002A (en) * 1948-10-06 1951-08-07 Standard Oil Co Mixing device
NL75390C (ko) * 1950-10-13 1900-01-01
US3047371A (en) * 1955-05-13 1962-07-31 Hoechst Ag Device for carrying out chemical reactions at high temperatures
US3098704A (en) * 1956-11-02 1963-07-23 Metallbau Semler G M B H Method and apparatus for mixing and carrying out reactions
US2985698A (en) * 1957-09-27 1961-05-23 Hoechst Ag Process for pyrolyzing hydrocarbons
FR1555656A (ko) * 1966-10-14 1969-01-31
US4204775A (en) * 1978-08-08 1980-05-27 General Dynamics Corporation Pomona Division Mixing device for simultaneously dispensing two-part liquid compounds from packaging kit
US4828768A (en) * 1983-06-10 1989-05-09 Chevron Research Company Jet scrubber and method of operation
US4861165A (en) * 1986-08-20 1989-08-29 Beloit Corporation Method of and means for hydrodynamic mixing
US4741354A (en) * 1987-04-06 1988-05-03 Spire Corporation Radial gas manifold
US4872833A (en) * 1988-05-16 1989-10-10 A. O. Smith Corporation Gas burner construction
US5312185A (en) * 1989-12-28 1994-05-17 Hisao Kojima Motionless mixer and method for manufacturing the same
US5145256A (en) * 1990-04-30 1992-09-08 Environmental Equipment Corporation Apparatus for treating effluents
GB9407257D0 (en) * 1993-04-22 1994-06-08 Ici Plc Vaporisation of liquids
US5556200A (en) * 1994-02-07 1996-09-17 Kvaerner Pulping Technologies Aktiebolag Apparatus for mixing a first fluid into a second fluid using a wedge-shaped, turbulence-inducing flow restriction in the mixing zone
JP3380091B2 (ja) * 1995-06-09 2003-02-24 株式会社荏原製作所 反応ガス噴射ヘッド及び薄膜気相成長装置
US6009827A (en) * 1995-12-06 2000-01-04 Applied Materials, Inc. Apparatus for creating strong interface between in-situ SACVD and PECVD silicon oxide films
US5902494A (en) * 1996-02-09 1999-05-11 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for reducing particle generation by limiting DC bias spike
US5812403A (en) * 1996-11-13 1998-09-22 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for cleaning surfaces in a substrate processing system
US6195504B1 (en) * 1996-11-20 2001-02-27 Ebara Corporation Liquid feed vaporization system and gas injection device
US6189482B1 (en) * 1997-02-12 2001-02-20 Applied Materials, Inc. High temperature, high flow rate chemical vapor deposition apparatus and related methods
JP3410342B2 (ja) * 1997-01-31 2003-05-26 東京エレクトロン株式会社 塗布装置
US6035803A (en) * 1997-09-29 2000-03-14 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling the deposition of a fluorinated carbon film
FR2770789B1 (fr) * 1997-11-07 2000-01-28 Gaz De France Dispositif de melange universel de deux fluides gazeux
US6045864A (en) * 1997-12-01 2000-04-04 3M Innovative Properties Company Vapor coating method
US6296711B1 (en) * 1998-04-14 2001-10-02 Cvd Systems, Inc. Film processing system
US6136725A (en) * 1998-04-14 2000-10-24 Cvd Systems, Inc. Method for chemical vapor deposition of a material on a substrate
AU3642599A (en) * 1998-04-14 1999-11-01 Cvd Systems, Inc. Film deposition system
US6120008A (en) * 1998-04-28 2000-09-19 Life International Products, Inc. Oxygenating apparatus, method for oxygenating a liquid therewith, and applications thereof
JP3470055B2 (ja) * 1999-01-22 2003-11-25 株式会社渡邊商行 Ｍｏｃｖｄ用気化器及び原料溶液の気化方法
US6176930B1 (en) * 1999-03-04 2001-01-23 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for controlling a flow of process material to a deposition chamber
KR100649852B1 (ko) * 1999-09-09 2006-11-24 동경 엘렉트론 주식회사 기화기 및 이것을 이용한 반도체 제조 시스템
JP4393677B2 (ja) * 1999-09-14 2010-01-06 株式会社堀場エステック 液体材料気化方法および装置並びに制御バルブ
US6303501B1 (en) * 2000-04-17 2001-10-16 Applied Materials, Inc. Gas mixing apparatus and method
JP2002115068A (ja) * 2000-10-11 2002-04-19 Applied Materials Inc シャワーヘッド、基板処理装置および基板製造方法
US20040028810A1 (en) * 2000-10-16 2004-02-12 Primaxx, Inc. Chemical vapor deposition reactor and method for utilizing vapor vortex
KR100419299B1 (ko) * 2001-02-28 2004-02-19 (주)케이.씨.텍 표면 세정을 위한 승화성 고체 입자 분사용 노즐
US20030019428A1 (en) * 2001-04-28 2003-01-30 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition chamber
GB0113735D0 (en) * 2001-06-05 2001-07-25 Holset Engineering Co Mixing fluid streams
US6601986B2 (en) * 2001-08-29 2003-08-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Fluid mixing apparatus
US7204886B2 (en) * 2002-11-14 2007-04-17 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for hybrid chemical processing
US7780789B2 (en) * 2001-10-26 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Vortex chamber lids for atomic layer deposition
US7017514B1 (en) * 2001-12-03 2006-03-28 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for plasma optimization in water processing
JP2003268552A (ja) * 2002-03-18 2003-09-25 Watanabe Shoko:Kk 気化器及びそれを用いた各種装置並びに気化方法
US6684719B2 (en) * 2002-05-03 2004-02-03 Caterpillar Inc Method and apparatus for mixing gases
US6905940B2 (en) * 2002-09-19 2005-06-14 Applied Materials, Inc. Method using TEOS ramp-up during TEOS/ozone CVD for improved gap-fill
US6884464B2 (en) * 2002-11-04 2005-04-26 Applied Materials, Inc. Methods for forming silicon comprising films using hexachlorodisilane in a single-wafer deposion chamber
GB2398375A (en) * 2003-02-14 2004-08-18 Alstom A mixer for two fluids having a venturi shape
JP4192008B2 (ja) * 2003-02-18 2008-12-03 株式会社渡辺商行 気化器及び気化器の洗浄方法並びに気化器を用いた装置
KR20050040969A (ko) * 2003-10-29 2005-05-04 삼성전자주식회사 확산 시스템
US20060054280A1 (en) * 2004-02-23 2006-03-16 Jang Geun-Ha Apparatus of manufacturing display substrate and showerhead assembly equipped therein
JP4698251B2 (ja) * 2004-02-24 2011-06-08 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 可動又は柔軟なシャワーヘッド取り付け
KR20040101948A (ko) * 2004-05-31 2004-12-03 (주)케이.씨.텍 표면세정용 승화성 고체입자 분사용 노즐 및 이를 이용한 세정방법
US7429410B2 (en) * 2004-09-20 2008-09-30 Applied Materials, Inc. Diffuser gravity support
US7238623B2 (en) * 2004-10-06 2007-07-03 Texas Instruments Incorporated Versatile system for self-aligning deposition equipment
RU2371246C2 (ru) * 2005-01-03 2009-10-27 Вестерн Ойл Сэндс, Инк. Сопловый реактор и способ его использования
US7927565B2 (en) * 2005-01-03 2011-04-19 Marathon Oil Canada Corporation Nozzle reactor and method of use
US7533684B1 (en) * 2005-10-19 2009-05-19 Numatics, Incorporated Dispensing valve with back flow protection
US20070128862A1 (en) * 2005-11-04 2007-06-07 Paul Ma Apparatus and process for plasma-enhanced atomic layer deposition
JP5280861B2 (ja) * 2006-01-19 2013-09-04 エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド 高温ａｌｄインレットマニホールド
US20100095882A1 (en) * 2008-10-16 2010-04-22 Tadao Hashimoto Reactor design for growing group iii nitride crystals and method of growing group iii nitride crystals
US8328410B1 (en) * 2008-03-14 2012-12-11 E I Du Pont De Nemours And Company In-line multi-chamber mixer
US20080317973A1 (en) * 2007-06-22 2008-12-25 White John M Diffuser support
CN101952019B (zh) * 2007-09-07 2014-03-12 湍流能量公司 流体的动态混合
JP5104151B2 (ja) * 2007-09-18 2012-12-19 東京エレクトロン株式会社 気化装置、成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
US9630162B1 (en) * 2007-10-09 2017-04-25 University Of Louisville Research Foundation, Inc. Reactor and method for production of nanostructures
JP2009239082A (ja) * 2008-03-27 2009-10-15 Tokyo Electron Ltd ガス供給装置、処理装置及び処理方法
US8491967B2 (en) * 2008-09-08 2013-07-23 Applied Materials, Inc. In-situ chamber treatment and deposition process
US8241410B1 (en) * 2008-10-17 2012-08-14 Alchem Environmental LLC Ancillary embodiments and modifications to a polyphasic pressurized homogenizer
US9144205B2 (en) * 2008-10-17 2015-09-29 Alchem Environmental Ip Llc Hydroponics applications and ancillary modifications to a polyphasic pressurized homogenizer
JP5614935B2 (ja) * 2009-02-03 2014-10-29 株式会社渡辺商行 気化器、この気化器を用いたｍｏｃｖｄ用気化器、これら気化器若しくはｍｏｃｖｄ用気化器に用いられるセンターロッド、及びキャリアガスの分
US8696193B2 (en) * 2009-03-06 2014-04-15 Ehrfeld Mikrotechnik Bts Gmbh Coaxial compact static mixer and use thereof
US8389066B2 (en) * 2010-04-13 2013-03-05 Vln Advanced Technologies, Inc. Apparatus and method for prepping a surface using a coating particle entrained in a pulsed waterjet or airjet
JP5236755B2 (ja) * 2011-01-14 2013-07-17 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及び成膜方法
US9574268B1 (en) * 2011-10-28 2017-02-21 Asm America, Inc. Pulsed valve manifold for atomic layer deposition
US10232324B2 (en) * 2012-07-12 2019-03-19 Applied Materials, Inc. Gas mixing apparatus
US9370757B2 (en) * 2012-08-21 2016-06-21 Uop Llc Pyrolytic reactor
US9121097B2 (en) * 2012-08-31 2015-09-01 Novellus Systems, Inc. Variable showerhead flow by varying internal baffle conductance
US9774050B2 (en) * 2013-07-18 2017-09-26 Watt Fuel Cell Corp. Apparatus and methods for mixing reformable fuels and an oxygen-containing gas and/or steam
US10683571B2 (en) * 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10113232B2 (en) * 2014-07-31 2018-10-30 Lam Research Corporation Azimuthal mixer
US9951420B2 (en) * 2014-11-10 2018-04-24 Sol Voltaics Ab Nanowire growth system having nanoparticles aerosol generator

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102364546B1 (ko) * 2022-01-21 2022-02-17 김흥구 반도체 제조설비의 가스 공급장치

Also Published As

Publication number Publication date
US20160362785A1 (en) 2016-12-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20160147482A (ko) 가스 혼합부를 갖는 반도체 소자 제조 설비
US12146219B2 (en) Flow control features of CVD chambers
US7722719B2 (en) Gas baffle and distributor for semiconductor processing chamber
CN114768578B (zh) 混气装置及半导体工艺设备
US8377213B2 (en) Slit valve having increased flow uniformity
KR20180054366A (ko) 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20160137404A (ko) 개선된 흐름 균일성을 위해 대면 플레이트 홀들을 갖는 저 볼륨 샤워헤드
JP2000260763A (ja) 半導体ウェハの処理方法及び装置
TW202120741A (zh) 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法、基板保持器具及程式
TW202415802A (zh) 氣體分配件、氣體輸送裝置及其薄膜處理裝置
JP2022543211A (ja) 半導体処理チャンバ及びそれを洗浄するための方法
CN113725061A (zh) 晶圆处理装置及方法
TW201602399A (zh) 用於在基板處理腔室中改善氣流的方法與設備
KR20240093865A (ko) 라디칼 종 전달을 위한 구멍 크기를 갖는 샤워헤드
JP3194017B2 (ja) 処理装置
CN110249073A (zh) 用于可流动cvd的扩散器设计
CN118900932A (zh) 用于衬底处理系统的喷头
JP2830585B2 (ja) 半導体製造装置
CN1648282B (zh) 等离子体增强的半导体淀积设备
KR100667676B1 (ko) 플라즈마 처리 장치의 가스분사장치
KR102744843B1 (ko) 부산물을 배출할 수 있는 웨이퍼 히터
KR20190087046A (ko) 기판처리장치
KR20160072315A (ko) 가스분사장치 및 이를 구비하는 기판처리장치
CN117947407A (zh) 气体喷射器及具有该气体喷射器的基板处理装置
TW202407127A (zh) 供應模組及包含該供應模組的基板處理裝置

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20150615

PG1501 Laying open of application
PC1203 Withdrawal of no request for examination