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KR20160116121A - 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 표시 장치 - Google Patents

박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 표시 장치 Download PDF

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KR20160116121A
KR20160116121A KR1020150041812A KR20150041812A KR20160116121A KR 20160116121 A KR20160116121 A KR 20160116121A KR 1020150041812 A KR1020150041812 A KR 1020150041812A KR 20150041812 A KR20150041812 A KR 20150041812A KR 20160116121 A KR20160116121 A KR 20160116121A
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KR
South Korea
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insulating substrate
thin film
concave portion
film transistor
display device
Prior art date
Application number
KR1020150041812A
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English (en)
Inventor
유키노리 아사카와
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
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Priority to US15/060,307 priority patent/US9853058B2/en
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Abstract

본 발명은 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 표시 장치에 관한 것이다. 본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 표시 장치는 상면과 하면을 갖는 절연 기판, 상기 절연 기판의 상면 위에 위치하며, 복수의 개구부를 정의하는 차광 부재 그리고 상기 절연 기판의 상면 위에 위치하는 박막 트랜지스터를 포함하고, 상기 절연 기판은 상기 절연 기판의 하면에 상기 개구부와 대응하는 부분에 형성되는 적어도 하나의 오목부를 포함한다.

Description

박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 표시 장치{THIN FILM TRNASISTOR ARRAY PANEL AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME}
본 발명은 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.
현재 널리 사용되는 표시 장치로서 액정 표시 장치(liquid crystal display), 유기 발광 표시 장치(organic light emitting display), 전기 영동 표시 장치(electrophoretic display) 등이 있다.
표시 장치는 복수의 화소와 복수의 구동 신호선이 형성된 박막 트랜지스터 표시판을 포함한다.
최근 표시 장치의 경량 및 박형화의 요구가 지속적으로 증가하고 있고, 이에 의해 2㎜ 이하의 얇은 두께를 갖는 플라스틱 플렉시블(flexible)같은 박형 기판이 개발되어 사용되고 있다.
다만, 플라스틱 기판의 경우 유리 기판과 다르게, 그 물질의 특성상 위상 지연(retardation)이 증가하여 시인성이 감소하게 된다. 따라서 플라스틱 기판을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 표시 장치는 화질이 저하되는 문제점이 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 시인성을 증가하여 화질이 개선된 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판은 상면과 하면을 갖는 절연 기판, 상기 절연 기판의 상면 위에 위치하며, 복수의 개구부를 정의하는 차광 부재 그리고 상기 절연 기판의 상면 위에 위치하는 박막 트랜지스터를 포함하고, 상기 절연 기판은 상기 절연 기판의 하면에 상기 개구부와 대응하는 부분에 형성되는 적어도 하나의 오목부를 포함한다.
상기 오목부는 바닥면과 상기 바닥면의 둘레를 따라 형성되어 있는 측면을 포함할 수 있다.
상기 측면은 상기 바닥면에 대하여 실질적으로 수직을 이룰 수 있다.
상기 측면은 상기 바닥면에 대하여 105° 내지 150°를 이룰 수 있다.
상기 오목부는 그 단면이 호, 정현파, 반원 또는 반타원 모양일 수 있다.
상기 절연 기판은 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리카보네이트 중 어느 하나를 포함하여 이루어질 수 있다.
상기 절연기판의 두께는 2um 내지 50um일 수 있다.
상기 오목부의 높이는 상기 절연 기판 두께의 2/3 이하일 수 있다.
상기 절연 기판의 하부면 아래에 형성되는 보호 필름을 더 포함할 수 있다.
상기 박막 트랜지스터는 게이트 전극, 상기 게이트 전극 위에 형성되는 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막 위에 형성되는 반도체, 상기 반도체 위에 형성되는 한 쌍의 저항성 접촉 부재 그리고 상기 저항성 접촉 부재 위에 형성되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함할 수 있다.
한편 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치는 상면과 하면을 갖는 절연 기판, 상기 절연 기판의 상면 위에 형성되어 있으며, 복수의 개구부를 정의하는 차광 부재, 상기 절연 기판의 상면 위에 위치하는 박막 트랜지스터 그리고 상기 개구부 내에 형성되어 있는 복수의 색필터를 포함하고, 상기 절연 기판은 상기 절연 기판의 하면에 상기 개구부와 대응하는 부분에 형성되는 적어도 하나의 오목부를 갖는다.
상기 오목부는 바닥면과 상기 바닥면의 둘레를 따라 형성되어 있는 측면을 포함할 수 있다.
상기 측면은 상기 바닥면에 대하여 실질적으로 수직을 이룰 수 있다.
상기 측면은 상기 바닥면에 대하여 105°내지 150°이룰 수 있다.
상기 오목부는 그 단면이 호, 정현파, 반원 또는 반타원 모양일 수 있다.
상기 절연 기판은 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리카보네이트 중 어느 하나를 포함하여 이루어질 수 있다.
상기 절연 기판의 두께는 2um 내지 50um일 수 있다.
상기 오목부의 높이는 상기 절연 기판 두께의 2/3 이하일 수 있다.
상기 절연 기판의 하부면 아래에 형성되는 보호 필름을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면 기판 또는 기판과 소자들 사이에 위치하는 층에서 화소 영역과 대응하는 부분을 패터닝함으로써 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 표시 장치에서 시인성을 증가시켜 화질을 개선할 수 있다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 배치도이고,
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 일부 배치도이고,
도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 일부의 구조를 도시한 평면도이고,
도 4는 도 3의 박막 트랜지스터 표시판을 Ⅳ-Ⅳ선을 잘라 도시한 단면도이고,
도 5는 도 3의 박막 트랜지스터 표시판을 Ⅳ-Ⅳ선을 잘라 도시한 단면도이고,
도 6은 도 3의 박막 트랜지스터 표시판을 Ⅳ-Ⅳ선을 잘라 도시한 단면도이고,
도 7은 도 3의 박막 트랜지스터 표시판을 Ⅳ-Ⅳ선을 잘라 도시한 단면도이다.
그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
먼저 도 1 및 도 2를 참조하여 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치의 박막 트랜지스터 표시판에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치에 포함된 박막 트랜지스터 표시판의 배치도이고, 도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치에 포함된 박막 트랜지스터 표시판의 일부 배치도이다.
먼저 도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치는 박막 트랜지스터 표시판(300)을 포함한다. 박막 트랜지스터 표시판(300)은 액정 표시 장치(liquid crystal display, LCD), 유기 발광 표시 장치(organic light emitting display, OLED), 전기 습윤 장치(electrowetting display, EWD) 등 다양한 평판 표시 장치(flat panel display, FPD)에 포함될 수 있다.
이때, 본 발명의 일실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판(300)은 하나의 기판 위에 루프층을 형성하고, 기판과 루프층 사이에 형성된 미세공간에 액정층을 주입하여 제조된 액정 표시 장치에 사용될 수 있다.
박막 트랜지스터 표시판(300)은 영상을 표시하는 표시 영역(display area)(DA)과 표시 영역(DA) 주변에 위치하는 주변 영역(peripheral area)(PA)을 포함한다.
표시 영역(DA)에는 복수의 게이트선(GL1, GL2, GL3, …) 및 복수의 데이터선(DL1, DL2, DL3, …)을 포함하는 복수의 신호선, 그리고 신호선과 연결되어 있는 복수의 화소 영역(PX)이 위치한다.
데이터선(DL1, DL2, DL3, …)은 영상 신호에 대한 데이터 전압을 전달하고 대략 열 방향으로 뻗으며 서로가 거의 평행할 수 있다. 게이트선(GL1, GL2, GL3, …)은 게이트 신호를 전달하고 대략 행 방향으로 뻗으며 서로가 거의 평행할 수 있다.
복수의 화소 영역(PX)은 대략 행렬 형태로 배열되어 있을 수 있다. 한 화소 영역(PX)는 적어도 한 데이터선(DL1, DL2, DL3, …) 및 적어도 한 게이트선(GL1, GL2, GL3, …)에 연결되어 있는 적어도 하나의 스위칭 소자(도시하지 않음) 및 이에 연결된 적어도 하나의 화소 전극(191)을 포함할 수 있다. 스위칭 소자는 박막 트랜지스터 표시판(300)에 집적되어 있는 적어도 하나의 박막 트랜지스터를 포함할 수 있다. 스위칭 소자는 게이트선(GL1, GL2, GL3,…)이 전달하는 게이트 신호에 따라 제어되어 데이터선(DL1, DL2, DL3, …)이 전달하는 데이터 전압을 화소 전극(191)에 전달할 수 있다. 화소 전극(191)에 인가된 데이터 전압에 따라 화소 영역(PX)은 해당 영상을 표시할 수 있다.
박막 트랜지스터 표시판(300)의 화소 영역(PX)은 화소의 빛이 투과하는 영역을 정의하는 복수의 개구부(OA)와 개구부(OA) 사이의 빛샘을 방지하는 광차단부(BA)로 구분될 수 있다. 이때, 박막 트랜지스터 표시판(300)은 개구부(OA)와 광차단부(BA)를 정의하기 위하여 차광 부재(도시하지 않음)가 배치될 수 있다. 차광 부재는 블랙 매트리스라고도 하며, 화소 사이의 빛샘을 방지한다. 화소 영역(PX)에 위치하는 게이트선(GL1, GL2, GL3, …), 데이터선(DL1, DL2, DL3, …) 등의 신호선과 스위칭 소자 중 적어도 일부는 화소 영역(PX)의 차광 부재에 의해 가려질 수 있다.
그러면 앞에서 설명한 도면들과 함께, 도 3 내지 도 7을 참조하여 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치의 박막 트랜지스터 표시판의 구체적인 구조에 대하여 설명한다.
도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 일부의 구조를 도시한 평면도이고, 도 4 내지 도 7은 도3의 박막 트랜지스터 표시판을 Ⅳ-Ⅳ 선을 잘라 도시한 단면도이다.
도 3 및 도 4를 참고하면, 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치의 박막 트랜지스터 표시판(300)은 투명한 플라스틱 따위로 만들어지고, 상부면과 하부면을 포함하는 절연 기판(110)을 포함할 수 있다.
절연 기판(110)은 폴리이미드(polyimide), 폴리아미드(polyamide) 또는 폴리카보네이트(polycarbonate)를 포함할 수 있다. 폴리이미드, 폴리아미드 또는 폴리카보네이트는 기계적 강도가 높고, 최대 공정 가능 온도가 대략 450℃로 다른 고분자 재료에 비해 내열성이 우수하다. 따라서 폴리이미드, 폴리아미드, 또는 폴리카보네이트로 형성된 절연 기판(110)은 박막 트랜지스터를 형성하는 과정에서 높은 열이 가해지더라도 기판으로서의 역할을 안정적으로 수행할 수 있다.
절연 기판(110)의 두께(d)는 박막 트랜지스터 표시판(300)과 이를 포함하는 표시 장치의 박형화를 위하여 50um 이하일 수 있고, 절연 기판(110)의 위에 적층되는 구조물을 지지하기 위하여 2um 이상일 수 있다.
절연 기판(110)의 하부면에는 화소의 빛이 투과하는 영역인 개구부(OA)와 마주보며 형성되는 적어도 하나의 오목부(111)를 포함할 수 있다.
일반적으로 절연 기판(110)의 투명성(transparence)은 기판의 두께(d)에 반비례하고, 위상 지연(retardation)은 기판의 두께(d)에 비례한다.
본 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판(300) 및 이를 포함한 표시 장치는 화소의 빛이 투과하는 영역인 개구부(OA)와 대응하는 절연 기판(110)의 일면에 함몰 형성된 오목부(111)를 포함함으로써, 개구부(OA)와 대응하는 절연 기판(110)의 두께를 줄일 수 있다.
즉, 사용자가 시인하는 영역의 절연 기판(110)의 두께를 줄임으로써, 절연 기판(110)의 투명성을 크게 하고, 위상 지연을 감소할 수 있어, 화질이 개선된 표시 장치를 제공할 수 있다. 이상에서 절연 기판(110)의 한 면을 패터닝하여 투과율을 높이는 것으로 설명하였으나 절연 기판(110)과 박막 트랜지스터 등을 포함하는 표시 소자 사이에 위치하는 층들을 추가로 형성할 수 있고, 이러한 층들의 한 면에 오목부를 형성하여 표시 장치의 투과율을 높일 수도 있다.
이때 오목부(111)는 다양한 방법으로 개구부(OA)와 대응하여 절연 기판(110)의 하부면에 함몰 형성 될 수 있다. 예를 들어 하이드라진(hydrazine) 기반의 알칼리(alkali) 수용액을 이용한 화학적 에칭 방법으로 오목부(111)를 형성하거나, 에칭 가스를 플라즈마(plasma)화 시켜 절연 기판(110)을 드라이 에칭하여 오목부(111)를 형성할 수도 있다. 또는 레이저를 조사함으로써 오목부(111)를 형성할 수 있으며, 임프린팅(imprinting) 방법으로 형성할 수도 있다.
오목부(111)는 바닥면(112)과 바닥면(112)의 둘레를 따라 형성되어 있는 측면(113)을 포함할 수 있다. 도 4를 참고하면, 오목부(111)의 측면(113)은 바닥면(112)에 대하여 실질적으로 수직을 이루어 오목부(111)의 단면이 직사각형 모양일 수 있다.
이때, 오목부(111)의 높이(h)는 절연 기판 두께(d)와 차이가 적을수록 절연 기판(110)의 투명성을 향상할 수 있으나, 절연 기판(110)의 위에 적층되는 구조물을 지지하기 위하여 절연 기판 두께(d)의 2/3 이하일 수 있다.
한편, 오목부(111)의 형상은 이에 한하는 것은 아니고, 다양한 실시예에 따라 변형될 수 있다. 도 5를 참고하면, 오목무(111)의 측면(113)은 바닥면(112)에 대하여 105°내지 150°를 이루어 오목부(111)의 단면이 사다리꼴 모양일 수 있다. 본 실시예에 따르면 오목부(111) 측면(113)에 별도의 코팅 공정이 필요 없게 된다.
또한 도 6 및 도 7을 참고하면, 오목부(111)의 단면은 호, 정현파, 반원 또는 반타원의 모양일 수 있다.
오목부(111)의 아래에는 보호 필름(도시하지 않음)이 위치할 수 있다. 보호 필름은 절연 기판(110)의 하부에 위치하여 박막 트랜지스터 표시판(300)과 이를 포함하는 표시장치를 보호하는 기능을 한다. 또한 절연 기판(110)의 오목부(111)가 사용자에게 시인되지 않도록 할 수 있다.
보호 필름은 다층 구조로 형성됨으로써 박막 트랜지스터 표시판(300)의 기계적 강도를 높일 수 있으며, 수분 침입을 방지하기 위한 수분 방지층(도시하지 않음)을 더 포함할 수도 있다.
절연 기판(110) 상부면 위에는 복수의 게이트선(121)이 위치한다.
게이트선(121)은 게이트 신호를 전달하고 주로 가로 방향으로 뻗을 수 있다. 게이트선(121)은 박막 트랜지스터 표시판(300)의 표시 영역(DA) 뿐만 아니라 주변 영역(PA)까지 연장되어 있을 수 있고, 표시 영역(DA)에 위치하는 복수의 게이트 전극(gate electrode)(124)을 포함할 수 있다.
게이트선(121) 위에는 질화규소(SiNx) 또는 산화규소(SiOx) 따위로 만들어질 수 있는 게이트 절연막(gate insulating layer)(140)이 위치한다.
표시 영역(DA)의 게이트 절연막(140) 위에는 복수의 반도체층(154)이 위치할 수 있다. 반도체층(154)은 각각 게이트 전극(124) 위에 위치한다. 반도체층(154)은 수소화 비정질 규소, 다결정 규소(polysilicon) 또는 산화물 반도체 등으로 만들어질 수 있다.
각각의 반도체층(154) 위에는 한 쌍의 저항성 접촉 부재(ohmic contact)(163, 165)가 위치할 수 있다. 저항성 접촉 부재(163, 165)는 인 따위의 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어지거나 실리사이드(silicide)로 만들어질 수 있으나 생략될 수도 있다.
저항성 접촉 부재(163, 165) 및 게이트 절연막(140) 위에는 복수의 데이터선(171)이 위치한다. 데이터선(171)은 표시 영역(DA)에 위치한다. 또한 저항성 접촉 부재(163, 165) 및 게이트 절연막(140) 위에는 표시 영역(DA)의 복수의 드레인 전극(175)이 위치할 수 있다.
데이터선(171)은 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121)과 교차한다. 각 데이터선(171)은 게이트 전극(124)을 향하여 뻗은 소스 전극(source electrode)(173)을 포함할 수 있다.
드레인 전극(175)은 게이트 전극(124)을 중심으로 소스 전극(173)과 마주할 수 있다.
게이트 전극(124), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 반도체(154)와 함께 한 화소 영역(PX)의 박막 트랜지스터(Q)를 이룰 수 있다.
데이터선(171) 위에는 보호막(passivation layer)(180)이 위치한다. 보호막(180)은 무기 절연물 또는 유기 절연물 따위로 만들어질 수 있다.
보호막(180)은 드레인 전극(175)을 드러내는 접촉 구멍(185)을 포함한다.
보호막(180) 위에는 복수의 화소 전극(191)이 위치한다.
화소 전극(191)은 접촉 구멍(185)을 통하여 드레인 전극(175)과 물리적, 전기적으로 연결되어 있으며, 드레인 전극(175)으로부터 데이터 전압을 인가 받는다.
화소 전극(191)은 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전 물질이나 알루미늄, 은, 크롬 또는 그 합금 등의 반사성 금속으로 만들어질 수 있다.
표시 영역(DA)에서 박막 트랜지스터(Q) 및 이에 연결된 화소 전극(191)은 함께 하나의 화소 영역(PX)을 이룰 수 있다.
박막 트랜지스터 표시판(300)의 화소 영역(PX)은 화소의 빛이 투과하는 영역을 정의하는 복수의 개구부(OA)와 개구부(OA) 사이의 빛샘을 방지하는 광차단부(도시하지 않음)로 구분될 수 있다. 이때, 박막 트랜지스터 표시판(300)은 개구부(OA)와 광차단부를 정의하기 위하여 차광 부재(도시하지 않음)가 배치될 수 있다. 차광 부재는 블랙 매트리스라고도 하며, 화소 사이의 빛샘을 방지한다. 화소영역(PX)에 위치하는 게이트선(GL1, GL2, GL3, …), 데이터선(DL1, DL2, DL3, …) 등의 신호선과 스위칭 소자 중 적어도 일부는 화소 영역(PX)의 차광 부재에 의해 가려질 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
110: 절연기판 111: 오목부
112: 바닥면 113: 측면
121: 게이트선 124: 게이트 전극
140: 게이트 절연막 154: 반도체
171: 데이터선 173: 소스 전극
175: 드레인 전극 180: 보호막
185: 접촉구멍 191: 화소전극
300: 박막 트랜지스터 표시판
DA: 표시 영역 PA: 주변 영역
OA: 개구부 Q: 스위칭 소자
PX: 화소 영역

Claims (19)

  1. 상면과 하면을 갖는 절연 기판;
    상기 절연 기판의 상면 위에 위치하며, 복수의 개구부를 정의하는 차광 부재; 그리고
    상기 절연 기판의 상면 위에 위치하는 박막 트랜지스터를 포함하고,
    상기 절연 기판은 상기 절연 기판의 하면에 상기 개구부와 대응하는 부분에 형성되는 적어도 하나의 오목부를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판.
  2. 제1항에서,
    상기 오목부는 바닥면과 상기 바닥면의 둘레를 따라 형성되어 있는 측면을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판.
  3. 제2항에서,
    상기 측면은 상기 바닥면에 대하여 실질적으로 수직을 이루는 박막 트랜지스터 표시판.
  4. 제2항에서,
    상기 측면은 상기 바닥면에 대하여 105° 내지 150°를 이루는 박막 트랜지스터 표시판.
  5. 제1항에서,
    상기 오목부는 그 단면이 호, 정현파, 반원 또는 반타원 모양인 박막 트랜지스터 표시판.
  6. 제1항에서,
    상기 절연 기판은 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리카보네이트 중 어느 하나를 포함하여 이루어지는 박막 트랜지스터 표시판.
  7. 제1항에서,
    상기 절연 기판의 두께는 2um 내지 50um인 박막 트랜지스터 표시판.
  8. 제7항에서,
    상기 오목부의 높이는 상기 절연 기판 두께의 2/3 이하인 박막 트랜지스터 표시판.
  9. 제1항에서,
    상기 절연 기판의 하부면 아래에 위치하는 보호 필름을 더 포함하는 박막 트랜지스터 표시판.
  10. 제1항에서,
    상기 박막 트랜지스터는,
    게이트 전극;
    상기 게이트 전극 위에 형성되는 게이트 절연막;
    상기 게이트 절연막 위에 형성되는 반도체층;
    상기 반도체 위에 형성되는 한 쌍의 저항성 접촉 부재; 그리고
    상기 저항성 접촉 부재 위에 형성되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판.
  11. 상면과 하면을 갖는 절연 기판;
    상기 절연 기판의 상면 위에 형성되어 있으며, 복수의 개구부를 정의하는 차광 부재;
    상기 절연 기판의 상면 위에 위치하는 박막 트랜지스터; 그리고
    상기 개구부 내에 형성되어 있는 복수의 색필터를 포함하고,
    상기 절연 기판은 상기 절연 기판의 하면에 상기 개구부와 대응하는 부분에 형성되는 적어도 하나의 오목부를 갖는 표시 장치.
  12. 제11항에서,
    상기 오목부는 바닥면과 상기 바닥면의 둘레를 따라 형성되어 있는 측면을 포함하는 표시 장치.
  13. 제12항에서,
    상기 측면은 상기 바닥면에 대하여 실질적으로 수직을 이루는 표시 장치.
  14. 제12항에서,
    상기 측면은 상기 바닥면에 대하여 105° 내지 150°를 이루는 표시 장치.
  15. 제11항에서,
    상기 오목부는 그 단면이 호, 정현파, 반원 또는 반타원 모양인 표시 장치.
  16. 제11항에서,
    상기 절연 기판은 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리카보네이트 중 어느 하나를 포함하여 이루어지는 표시 장치.
  17. 제11항에서,
    상기 절연 기판의 두께는 2um 내지 50um인 표시 장치.
  18. 제17항에서,
    상기 오목부의 높이는 상기 절연 기판 두께의 2/3 이하인 표시 장치.
  19. 제11항에서,
    상기 절연 기판의 하부면 아래에 형성되는 보호 필름을 더 포함하는 표시 장치.
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