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KR20160085138A - Conductive structure, Touch panel and method for manufacturing the same - Google Patents

Conductive structure, Touch panel and method for manufacturing the same Download PDF

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KR20160085138A
KR20160085138A KR1020150002142A KR20150002142A KR20160085138A KR 20160085138 A KR20160085138 A KR 20160085138A KR 1020150002142 A KR1020150002142 A KR 1020150002142A KR 20150002142 A KR20150002142 A KR 20150002142A KR 20160085138 A KR20160085138 A KR 20160085138A
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conductive layer
conductive
blackening layer
blackening
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김경각
송병길
신충환
정광희
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엘에스엠트론 주식회사
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Abstract

The present invention relates to a conductive structure and a manufacturing method thereof. Especially, the conductive structure according to an embodiment of the present invention may include: a base material; a conductive layer formed using a copper as a material; and a blackened layer including a copper oxynitride. By the conductive structure and the manufacturing method according to the embodiment of the present invention, since the method can manufacture the conductive structure including the conductive layer capable of replacing a prior ITO electrode, the method can manufacture the conductive structure with lower costs and lower resistance than ITO, and especially, can improve concealment of the conductive layer since the conductive structure includes the blackened layer.

Description

전도성 구조체 및 이의 제조방법 {Conductive structure, Touch panel and method for manufacturing the same}[0001] The present invention relates to a conductive structure and a manufacturing method thereof,

본 출원은 전도성 구조체 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 전도층의 은폐성을 향상할 수 있는 전도성 구조체 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a conductive structure and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a conductive structure capable of improving concealability of a conductive layer and a method of manufacturing the same.

투명전극은 각종 디스플레이의 전극, 태양전지 등의 광전 변환 소자 및 터치 패널 등에 다양하게 사용되고 있으며, 유리, 투명필름 등의 투명 기판 위에 투명 도전성 박막을 형성하여 제조된다. 현재 주로 사용되고 있는 투명 도전성 재료는 주석(Sn)이 도핑된 인듐산화물(ITO, Indium Tin Oxide)로서, 투명도가 우수하고 낮은 비저항(1×10^-4 ~ 1×10^-4 Ωcm)을 갖는 것으로 알려져 있다. Transparent electrodes are widely used for various display electrodes, photoelectric conversion elements such as solar cells, and touch panels, and they are manufactured by forming a transparent conductive thin film on a transparent substrate such as a glass or a transparent film. Indium tin oxide (ITO) doped with tin (Sn) is used as the transparent conductive material mainly used at present. It has excellent transparency and low resistivity (1 × 10 -4 to 1 × 10 -4 Ωcm) .

투명 도전성 박막을 제조하는 방법은 스퍼터링(sputtering), 화학기상증착(chemical vapor deposition, CVD), 이온빔 증착(ion beam deposition), 펄스 레이저 증착(pulsed laser deposition) 등의 진공 증착 방법과 스프레이 코팅(spray coating), 스핀 코팅(spin coating), 딥코팅(dip coating)과 같은 습식방법 등의 다양한 방법이 있다. 이러한 방법들 중 스퍼터링과 같은 진공 증착 방식이 더 선호되고 있으며, 진공 증착 방식은 플라즈마를 이용하기 때문에 높은 입자 에너지를 가진 막을 성장시킬 수 있어, 다른 방식보다 높은 밀도를 가지는 양질의 막을 얻을 수 있다. 또한, 추가적인 열처리 없이 낮은 온도에서도 양질의 박막을 성장시킬 수 있다는 장점도 있다. Methods for producing the transparent conductive thin film include a vacuum deposition method such as sputtering, chemical vapor deposition (CVD), ion beam deposition, and pulsed laser deposition, and a vacuum deposition method such as spray coating and wet methods such as spin coating, dip coating, and the like. Among these methods, a vacuum deposition method such as sputtering is more preferred, and since a vacuum deposition method uses a plasma, a film having a high particle energy can be grown, and a high quality film having a higher density than other methods can be obtained. It also has the advantage of being able to grow high-quality thin films even at low temperatures without additional heat treatment.

최근, 평면 디스플레이 시장이 커지면서 ITO에 대한 수요가 급속하게 증가하고 있지만, 인듐의 높은 가격으로 인하여 수급 불안정 및 인체에의 유해성 때문에, ITO를 대체할 수 있는 저가의 투명 도전성 재료의 개발이 요구되고 있는 실정이다.
Recently, the demand for ITO is rapidly increasing due to the increase in the flat panel display market. However, because of the high price of indium, due to unstable supply and demand and harmful to the human body, development of low-cost transparent conductive material capable of replacing ITO is required It is true.

한국 공개특허공보 10-2010-0007605 (2010.01.22)Korean Patent Publication No. 10-2010-0007605 (Jan. 22, 2010)

본 출원은 전도층의 은폐성을 향상할 수 있는 전도성 구조체 및 이의 제조방법을 제공하고자 한다.
The present application is intended to provide a conductive structure capable of improving the hiding property of a conductive layer and a method of manufacturing the same.

본 발명의 일 실시예에 의한 전도성 구조체는, 기재; 상기 기재의 상부면에 형성되어 구리를 재료로 이용하여 형성한 전도층; 및 상기 전도층의 상부면에 형성되어 구리 산질화물을 포함하는 흑화층을 포함할 수 있다. A conductive structure according to an embodiment of the present invention includes: a substrate; A conductive layer formed on the upper surface of the substrate and formed using copper as a material; And a blackening layer formed on the upper surface of the conductive layer and including copper oxynitride.

여기서 상기 흑화층은, CuOxNy (1.1 ≤ x ≤ 1.5, 0.01 ≤ y ≤ 0.02)를 만족하는 구리 산질화물을 포함할 수 있으며, 상기 흑화층은 전반사율이 0% 이상 10% 이하이고, 상기 흑화층의 상단에서 측정한 색차가 L < 40, -15 ≤ a* < 0, -25 ≤ b* < 0을 만족하는 것일 수 있다. 또한, 상기 흑화층은 두께가 15 nm 이상 50nm 이하일 수 있다.
The blackening layer may include copper oxynitride satisfying CuO x N y (1.1 ≦ x ≦ 1.5, 0.01 ≦ y ≦ 0.02), and the blackening layer has a total reflectance of 0% or more and 10% or less, -15? A * < 0, -25? B * < 0. The blackening layer may have a thickness of 15 nm or more and 50 nm or less.

본 발명의 다른 실시예에 의한 전도성 구조체는, 기재; 상기 기재의 상부면 상에 구리로 형성되는 상부 전도층; 상기 상부 전도층 상에 구리 산질화물을 포함하여 형성되는 상부 흑화층; 상기 기재의 하부면 상에 구리로 형성되는 하부 전도층; 및 상기 하부 전도층 상에 구리 산질화물을 포함하여 형성되는 하부 흑화층을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 상부 흑화층 및 하부 흑화층은 CuOxNy (1.1 ≤ x ≤ 1.5, 0.01 ≤ y ≤ 0.02)를 만족하는 구리 산질화물을 포함할 수 있다.
According to another aspect of the present invention, there is provided a conductive structure comprising: a substrate; An upper conductive layer formed of copper on the upper surface of the substrate; An upper blackening layer formed on the upper conductive layer to include copper oxynitride; A lower conductive layer formed of copper on the lower surface of the substrate; And a lower blackening layer formed of copper oxynitride on the lower conductive layer. Here, the upper blackening layer and the lower blackening layer may include copper oxynitride which satisfies CuO x N y (1.1 ≦ x ≦ 1.5, 0.01 ≦ y ≦ 0.02).

본 발명의 일 실시예에 의한 전도성 구조체의 제조방법은, 기재 상에 구리를 재료로 하는 전도층을 형성하는 단계; 및 상기 전도층 상에 CuOxNy (1.1 ≤ x ≤ 1.5, 0.01 ≤ y ≤ 0.02)를 만족하는 구리 산질화물을 포함하는 흑화층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
A method of manufacturing a conductive structure according to an embodiment of the present invention includes: forming a conductive layer made of copper on a substrate; And forming a blackening layer including copper oxynitride on the conductive layer which satisfies CuO x N y (1.1 ≦ x ≦ 1.5, 0.01 ≦ y ≦ 0.02).

본 발명의 다른 실시예에 의한 전도성 구조체의 제조방법은, 기재의 상부면에 구리를 재료로 하는 상부 전도층을 형성하는 단계; 상기 상부 전도층 상에 CuOxNy (1.1 ≤ x ≤ 1.5, 0.01 ≤ y ≤ 0.02)를 만족하는 구리 산질화물을 포함하는 상부 흑화층을 형성하는 단계; 상기 기재의 하부면에 구리를 재료로 하는 하부 전도층을 형성하는 단계; 상기 하부 전도층 상에 상기 구리 산질화물을 포함하는 하부 흑화층을 포함하는 단계를 포함할 수 있다.
According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a conductive structure, comprising: forming an upper conductive layer of copper on an upper surface of a substrate; Forming an upper blackening layer on the upper conductive layer, the upper blackening layer comprising copper oxynitride satisfying CuOxNy (1.1? X? 1.5, 0.01? Y? 0.02); Forming a lower conductive layer of copper on the lower surface of the substrate; And a lower blackening layer including the copper oxynitride on the lower conductive layer.

한편, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 상술한 전도성 구조체를 포함하는 터치 스크린 패널, 디스플레이 장치 등이 존재할 수 있다.
Meanwhile, according to an embodiment of the present invention, there may be a touch screen panel, a display device, or the like including the above-described conductive structure.

덧붙여 상기한 과제의 해결수단은, 본 발명의 특징을 모두 열거한 것이 아니다. 본 발명의 다양한 특징과 그에 따른 장점과 효과는 아래의 구체적인 실시형태를 참조하여 보다 상세하게 이해될 수 있을 것이다.
In addition, the means for solving the above-mentioned problems are not all enumerating the features of the present invention. The various features of the present invention and the advantages and effects thereof will be more fully understood by reference to the following specific embodiments.

본 발명의 일 실시예에 의한 전도성 구조체 및 이의 제조방법에 의하면, 종래의 ITO 전극을 대체할 수 있는 전도층을 포함하는 전도성 구조체를 제조할 수 있다. 따라서, ITO 대비 낮은 저항과 낮은 비용으로 전도성 구조체를 제조하는 것이 가능하며, 특히 흑화층을 포함하므로 전도층의 은폐성을 향상시킬 수 있다.
According to an embodiment of the present invention, a conductive structure including a conductive layer that can replace the conventional ITO electrode can be manufactured. Accordingly, it is possible to manufacture a conductive structure with a low resistance and a low cost as compared with ITO. In particular, since it includes a blackening layer, the concealing ability of the conductive layer can be improved.

도1은 본 발명의 일 실시예에 의한 전도성 구조체를 나타내는 개략도이다.
도2은 본 발명의 다른 실시예에 의한 전도성 구조체를 나타내는 개략도이다.
도3 및 도4는 본 발명의 일 실시예 및 다른 실시예에 의한 전도성 구조체의 제조방법을 나타내는 순서도이다.
1 is a schematic view showing a conductive structure according to an embodiment of the present invention.
2 is a schematic view showing a conductive structure according to another embodiment of the present invention.
3 and 4 are flowcharts illustrating a method of manufacturing a conductive structure according to an embodiment of the present invention and another embodiment.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 다만, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, in order that those skilled in the art can easily carry out the present invention. In the following detailed description of the preferred embodiments of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear. In the drawings, like reference numerals are used throughout the drawings.

덧붙여, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 '연결'되어 있다고 할 때, 이는 '직접적으로 연결'되어 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 '간접적으로 연결'되어 있는 경우도 포함한다. 또한, 어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다.
In addition, in the entire specification, when a part is referred to as being 'connected' to another part, it may be referred to as 'indirectly connected' not only with 'directly connected' . Also, to "include" an element means that it may include other elements, rather than excluding other elements, unless specifically stated otherwise.

본 명세서에서, 디스플레이 장치란 TV나 컴퓨터용 모니터 등을 통틀어 일컫는 말로서, 화상을 형성하는 디스플레이 소자 및 디스플레이 소자를 지지하는 케이스 등을 포함할 수 있다. In this specification, a display device refers to a television, a computer monitor, or the like, and may include a display device that forms an image and a case that supports the display device.

상기 디스플레이 소자로는 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP), 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display, LCD), 전기영동 디스플레이(Electrophoretic Display), 음극선관(cathode-Ray Tube, CRT) 및 OLED 디스플레이 등을 예로 들 수 있다. 디스플레이 소자에는 화상 구현을 위한 RGB 화소 패턴 및 추가적인 광학 필터가 구비되어 있을 수 있다. Examples of the display device include a plasma display panel (PDP), a liquid crystal display (LCD), an electrophoretic display, a cathode-ray tube (CRT), and an OLED display . The display element may be provided with an RGB pixel pattern for image implementation and an additional optical filter.

한편, 디스플레이 장치와 관련하여, 스마트폰 및 태블릿 PC, IPTV 등의 보급이 가속화됨에 따라, 키보드나 리모컨 등 별도의 입력장치 없이 사람의 손이 직접 입력 장치가 되는 터치 기능에 대한 필요성이 점점 커지고 있다. 또한, 특정 포인트 인식뿐만 아니라 다중 인식(multi-touch) 기능에 대한 요구도 증대하고 있다. Meanwhile, as the spread of smart phones, tablet PCs, IPTV, and the like is accelerated with respect to display devices, there is a growing need for a touch function in which a human hand becomes a direct input device without a separate input device such as a keyboard or a remote control . In addition, there is a growing demand for multi-touch functionality as well as specific point recognition.

현재, 상용화된 대부분의 터치 스크린 패널(TSP, Touch Screen Panel)은 투명 전도성 ITO 박막을 기반으로 하고 있으나, 대면적 터치 스크린 패널 적용시 ITO 투명 전극의 비교적 높은 면저항(최저 150 Ω/□)으로 인한 RC 지연 때문에 터치 인식 속도가 느려지게 되고, 이를 극복하기 위한 추가적인 보상 칩(chip)을 도입해야 하는 등의 문제점이 있다. 이를 해결하기 위하여, 상기 투명 ITO 박막을 금속 박막으로 대체할 수 있으나, 금속 박막을 사용하는 경우에는 높은 반사도로 인하여 금속박막의 미세 패턴 등이 사람의 눈에 잘 인지되는 문제점이 발생할 수 있다. 또한, 금속 박막은 외부 광에 대하여 높은 반사도 및 헤이즈(haze) 값을 가지므로 눈부심 현상 등이 일어날 수 있다. Most commercially available TSPs (Touch Screen Panels) are based on transparent conductive ITO thin films. However, due to the relatively high sheet resistance (150 Ω / □) of ITO transparent electrodes when a large area touch screen panel is used The speed of the touch recognition is slowed down due to the RC delay, and an additional compensation chip is required to overcome the problem. In order to solve this problem, the transparent ITO thin film can be replaced with a metal thin film. However, when a metal thin film is used, a fine pattern of a metal thin film may be recognized by human eyes due to high reflectivity. Also, since the metal thin film has high reflectivity and haze value against external light, glare may occur.

따라서, 본 발명의 일 실시예에서는, 종래의 ITO 기반의 투명 전도성 박막층을 이용하는 터치 스크린 패널과 차별화 할 수 있고, 금속 박막 전극의 은폐성 및 외부광에 대한 반사, 회절 특성이 개선된 터치 스크린 패널에 적용할 수 있는 전도성 구조체를 제공하고자 한다.
Therefore, in one embodiment of the present invention, a touch screen panel can be distinguished from a touch screen panel using a conventional ITO-based transparent conductive thin film layer, and the shielding property of a metal thin film electrode and the reflection / To provide a conductive structure that can be applied to a semiconductor device.

도1은 본 발명의 일 실시예에 의한 전도성 구조체를 나타내는 개략도이다. 1 is a schematic view showing a conductive structure according to an embodiment of the present invention.

도1을 참조하면 본 발명의 일 실시예에 의한 전도성 구조체는 기재(100), 전도층(200) 및 흑화층(300)을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 1, a conductive structure according to an exemplary embodiment of the present invention may include a substrate 100, a conductive layer 200, and a blackening layer 300.

이하, 도1을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 의한 전도성 구조체를 설명한다.
Hereinafter, a conductive structure according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

기재(substrate, 100)는 일반적으로 전도성 구조체를 형성하기 위해 사용되는 것으로서, 상기 기재(100)의 재료는 전도성 구조체를 적용하고자 하는 분야에 따라 적절하게 선택될 수 있다. 예를들어, 기재(100)는 유리 혹은 무기 재료 기판, 플라스틱 기판 또는 필름 등일 수 있으며, 실시예에 따라 PET(Polyethylene Terephthalate), 폴리카보네이트 필름(Polycarbonate film) 등이 사용될 수 있다. 여기서, 상기 기재(100)는 25 ~ 188 ㎛의 두께를 가질 수 있다. The substrate 100 is generally used to form a conductive structure, and the material of the substrate 100 may be appropriately selected depending on the field to which the conductive structure is to be applied. For example, the substrate 100 may be a glass or inorganic substrate, a plastic substrate, a film, or the like, and may be a polyethylene terephthalate (PET) film, a polycarbonate film, or the like. Here, the substrate 100 may have a thickness of 25 to 188 탆.

기재(100)의 표면에는 전도층(200)이 형성될 수 있으며, 전도층(200)은 종래의 ITO 등의 투명전극을 대체할 수 있다. 여기서 전도층(200)은 다양한 종류의 금속과 이들의 합금 중에서 선택된 재료를 이용하여 형성할 수 있으나, 본 실시예에서는 상기 전도층(200)이 구리를 포함하는 단일막 또는 다층막인 경우를 예로 들어 설명한다. 상기 전도층(200)의 두께는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 50 nm 이상 200nm 이하로 형성하는 것이 이후, 상기 전도층(200) 상에 형성하는 전도성 패턴의 전도도 및 형성 공정의 경제성 측면에서 바람할 수 있다. 상기 전도성 패턴의 선폭은 10㎛ 이하일 수 있다.The conductive layer 200 may be formed on the surface of the substrate 100 and the conductive layer 200 may be replaced with a conventional transparent electrode such as ITO. Here, the conductive layer 200 may be formed using a material selected from a variety of metals and alloys thereof. In this embodiment, the conductive layer 200 may be a single layer or a multilayer including copper Explain. Although the thickness of the conductive layer 200 is not particularly limited, it is preferable that the conductive layer 200 is formed to have a thickness of 50 nm or more and 200 nm or less in terms of the conductivity of the conductive pattern formed on the conductive layer 200, have. The line width of the conductive pattern may be 10 탆 or less.

한편, 전도층(200)에는 기 설정된 패턴이 형성될 수 있다. 상기 패턴은 에칭 레지스트 패턴을 이용하여 형성하는 것일 수 있으며, 상기 에칭 레지스트 패턴은 인쇄법, 포토리소그래피법, 포토그래피법, 마스크를 이용한 방법 또는 열 전사 이미징(thermal transfer imaging) 등의 레이저 전사법을 비롯하여 다양한 방법을 이용하여 형성할 수 있다.
Meanwhile, a predetermined pattern may be formed on the conductive layer 200. The pattern may be formed using an etching resist pattern. The etching resist pattern may be formed by a printing method, a photolithography method, a photolithography method, a method using a mask, or a laser transfer method such as thermal transfer imaging And can be formed using various methods.

도1에 도시한 바와 같이, 전도층(200) 상에는 흑화층(300)이 형성될 수 있으며, 상기 흑화층(300)을 이용하여 상기 전도층(200)의 반사도를 낮추고 흡광특성을 개선할 수 있다. 예를들어, 터치패널의 유효화면부에 상기 전도층(200)을 구비하는 실시예에 경우에는, 전도층(200)에서의 광반사가 상기 전도층(200)의 시인성에 주요한 영향을 미칠 수 있다. 즉, 본 발명의 일 실시예에 의한 전도층(200)과 같이, ITO 대신에 구리 등의 금속으로 전도층(200)을 형성한 경우에는, 구리의 높은 반사도 등에 의하여 전도층(200)이 사용자의 눈에 쉽게 띄거나, 상기 구리에서의 반사로 인한 사용자의 눈부심 등의 문제가 발생할 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에서는, 전도층(200)의 반사도를 낮추고 흡광도 특성을 개선하기 위하여, 전도층(200)에 대응하는 면에 흑화층(300)을 구비할 수 있다. 1, a blackening layer 300 may be formed on the conductive layer 200. The blackening layer 300 may be used to lower the reflectivity of the conductive layer 200 and improve the light absorbing property have. For example, in the embodiment including the conductive layer 200 on the effective screen portion of the touch panel, the reflection of light in the conductive layer 200 may have a major influence on the visibility of the conductive layer 200 have. That is, when the conductive layer 200 is formed of a metal such as copper instead of ITO as in the conductive layer 200 according to an embodiment of the present invention, the conductive layer 200 may be formed by the high- Or the user may be glazed due to reflection on the copper. Accordingly, in an embodiment of the present invention, a blackening layer 300 may be provided on a surface corresponding to the conductive layer 200 in order to lower the reflectivity of the conductive layer 200 and improve the absorbance characteristic.

구체적으로, 상기 흑화층(300)을 전도층(200)과 같이 높은 반사도를 지니는 층과 결합하게 되면, 특정 두께 조건하에서 소멸 간섭 및 자체적인 흡광성을 가질 수 있다. 즉, 흑화층(300)에 의하여 반사되는 빛과 흑화층(300)을 거쳐서 전도층(200)에서 반사되는 빛의 양을 서로 유사하게 맞춰줌과 동시에, 특정 두께조건에서 두 빛 간의 상호 소멸간섭을 유도함으로써, 전도층(200)에 의한 반사도를 낮춰주는 효과를 구현할 수 있다. Specifically, when the blackening layer 300 is combined with a layer having a high reflectivity as the conductive layer 200, extinction interference and self-absorbing property can be obtained under a specific thickness condition. That is, the amount of light reflected by the blackening layer 300 and the amount of light reflected by the conductive layer 200 through the blackening layer 300 are adjusted to be similar to each other, and the mutual extinction interference The effect of lowering the reflectivity of the conductive layer 200 can be realized.

따라서, 상기 흑화층(300)은, 흑화층(300)이 보이는 면에서 측정한 전반사율이 10% 이하를 가지는 것을 선택할 수 있으며, 상기 흑화층(300)과 전도층(200)으로 이루어진 패턴 영역의 색상범위는, CIE Lab 색좌표를 기준으로, L < 40, -15 ≤ a* < 0, -25 ≤ b* < 0 에 포함되는 것을 선택할 수 있다. The blackening layer 300 may have a total reflectance of 10% or less as measured on the surface of the blackening layer 300. The blackening layer 300 may include a patterned region made of the blackening layer 300 and the conductive layer 200, The color range of the color coordinates can be selected to be included in L <40, -15? A * <0, -25? B * <0 based on the CIE Lab color coordinate.

여기서 전반사율은, 반사율을 측정하고자 하는 면의 반대면을 블랙 페이스트(Black Paste) 또는 테이프(tape) 등을 이용하여 반사율을 0으로 만든 후 측정하고자 하는 면의 반사도만을 측정하여 관찰한 값으로, 이 때 들어오는 광원은 주변 빛(ambient light) 조건과 가장 유사한 디퓨즈(diffuse) 광원을 선택할 수 있다. 또한, 이때 반사율을 측정하는 측정위치는 적분구 반원의 수직선에서 약 7도 기울어진 위치를 기본으로 할 수 있다. Here, the total reflectance is a value obtained by measuring only the reflectance of the surface to be measured after making the reflectance on the opposite side of the surface to be measured with black paste or tape, The incoming light source can then select a diffuse light source that most closely matches the ambient light conditions. Also, the measurement position at which the reflectance is measured may be based on a position that is inclined by about 7 degrees from the vertical line of the integral half circle.

한편, 상기 흑화층(300)은 증착법, 예컨대 스퍼터링 방법, CVD(chemical vapor deposition)법, 열증착(thermal evaporation)법, 전자빔(e-beam) 증착법 등의 방법을 이용하여 형성한 후 이를 패턴화하여 생성할 수 있다. 여기서, 흑화층(300)은 상기 전도층(200)과 동시에 또는 별도로 패턴화될 수 있으나, 전도층(200)과 흑화층(300)이 정확하게 대응되도록 하기 위해서는 동시에 형성하는 것이 바람직하다.The blackening layer 300 may be formed using a deposition method such as a sputtering method, a CVD (chemical vapor deposition) method, a thermal evaporation method, an electron beam (e-beam) . Here, the blackening layer 300 may be patterned simultaneously with or separately from the conductive layer 200, but it is preferably formed at the same time so that the conductive layer 200 and the blackening layer 300 are accurately aligned.

상기 흑화층(300)은 단일층으로 이루어지거나, 2층 이상의 복수층으로 이루어질 수도 있으며, 흑화층(300)의 색상은 어두운 청록색에 가까울 수 있다. 다만, 반드시 어두운 청록색에 가까운 색상이어야 하는 것은 아니며, 무채색(無彩色) 계열의 색상이나 색상을 지니고 있더라도 낮은 반사도를 지니는 경우라면 도입 가능하다. 이 때, 무채색 계열의 색상이라 함은 물체의 표면에 입사(入射)하는 빛이 선택 흡수되지 않고 각 성분의 파장(波長)에 대해 골고루 반사 흡수될 때에 나타나는 색을 의미한다. The blackening layer 300 may be composed of a single layer or a plurality of layers of two or more layers, and the color of the blackening layer 300 may be close to a dark cyan color. However, it is not always necessary to have a color close to dark cyan, and even if it has achromatic color or color, it can be introduced if it has low reflectance. In this case, the hue of the achromatic series means a color which appears when light incident on (incident on) the object is not selectively absorbed but is reflected and absorbed evenly with respect to the wavelength (wavelength) of each component.

한편, 상기 흑화층(300)의 재료는 흡광성 재료로서, 상술한 물리적 특성을 지니는 금속, 금속 산화물, 금속 질화물 또는 금속 산질화물로 이루어진 재료라면 특별히 제한되지 않고 사용할 수 있다. 다만, 본 실시예에서는, 전도층(200)이 구리일 때, 상기 흑화층(300)에 구리 산질화물인 CuOxNy를 포함할 수 있으며, 이때 1.1 ≤ x ≤ 1.5, 0.01 ≤ y ≤ 0.02를 만족하는 실수 x, y를 각각 선택할 수 있다. On the other hand, the material of the blackening layer 300 is not particularly limited as long as it is a material composed of a metal, a metal oxide, a metal nitride or a metal oxynitride having the physical properties described above as a light absorbing material. However, in the present embodiment, when the conductive layer 200 is copper, the blackening layer 300 may include CuO x N y, which is copper oxynitride. In this case, 1.1 ≦ x ≦ 1.5, and 0.01 ≦ y ≦ 0.02 The real numbers x and y can be selected respectively.

앞서 살핀 바와 같이, 흑화층(300)을 형성할 때에는 적어도 10% 이하의 전반사율을 가져 입사된 빛이 반사되는 것을 방지하고, CIE Lab 색좌표를 기준으로 L < 40, -15 ≤ a* < 0, -25 ≤ b* < 0 을 만족하여 사람들이 쉽게 인지하지 못하게 어두운 색상범위를 가지도록 할 필요가 있다. 여기서, 상기 반사율 및 색상범위 등의 흑화층(300)의 특성은, 상기 흑화층(300)을 형성하는 구리 산질화물에 포함되는 산소 및 질소의 비율에 따라 결정될 수 있다. 따라서, 구리 산질화물에 대한 화학식 CuOxNy에서, x 및 y 값을 조절하여 상술한 특성을 모두 만족하는 x, y값을 구할 수 있다. 구체적으로, 1.1 ≤ x ≤ 1.5이고 0.01 ≤ y ≤ 0.02을 만족하는 실수 x, y를 선택하면, 상술한 전반사율 및 색상에 대한 조건을 모두 만족하는 흑화층(300)을 얻을 수 있다.
As described above, when the blackening layer 300 is formed, it is possible to prevent the incident light from being reflected by having a total reflectance of at least 10% or less, and to prevent reflection of light with L <40, -15? A * < , -25 < b * &lt; 0, so that it is necessary to have a dark color range so that people can not easily perceive it. Here, the characteristics of the blackening layer 300 such as the reflectance and the color range can be determined according to the ratio of oxygen and nitrogen contained in the copper oxynitride forming the blackening layer 300. Therefore, in the formula CuOxNy for the copper oxynitride, x and y values can be adjusted to obtain x and y values satisfying all of the above characteristics. Concretely, if the real numbers x and y satisfying 1.1 ≦ x ≦ 1.5 and 0.01 ≦ y ≦ 0.02 are selected, the blackening layer 300 satisfying all of the above requirements for the total reflectance and hue can be obtained.

본 발명의 다른 실시예에 의한 전도성 구조체는, 도2에 도시한 바와 같이, 기재(100), 상부 전도층(210), 상부 흑화층(310), 하부 전도층(220) 및 하부 흑화층(320)을 포함할 수 있다. 즉, 도1의 전도성 구조체와 비교할 때, 기재(100)의 양면에 전도층(210, 220)과 흑화층(310, 320)을 포함하는 점에서 차이가 있다. 2, the conductive structure according to another embodiment of the present invention includes a substrate 100, an upper conductive layer 210, an upper blackening layer 310, a lower conductive layer 220, and a lower blackening layer (not shown) 320). That is, there are differences in that the conductive layers 210 and 220 and the blackening layers 310 and 320 are included on both sides of the substrate 100, as compared with the conductive structure of FIG.

상기 전도성 구조체를 터치 스크린 패널 등에 사용하는 경우에는, 상부 전도층(210)을 송신부(Tx), 하부 전도층(220)을 수신부(Rx)로 활용하는 실시예가 가능하다. 종래에는 각각의 전도성 구조체를 2개 제조하고, 상기 2개의 전도성 구조체를 각각 송신부 및 수신부로 구별한 후, 상기 송신부 및 수신부를 통하여 인가되는 사용자의 입력을 감지하였다. 이때, 사용자의 입력을 정확하게 감지하기 위하여 상기 송신부 및 수신부의 위치를 정렬하여 송신부와 수신부의 위치를 일치시킬 필요가 있었다. When the conductive structure is used for a touch screen panel or the like, the upper conductive layer 210 may be used as the transmitter Tx and the lower conductive layer 220 may be used as the receiver Rx. Conventionally, two conductive structures are manufactured, and the two conductive structures are distinguished as a transmission section and a reception section, respectively, and then the input of a user applied through the transmission section and the reception section is sensed. In this case, it is necessary to align the positions of the transmitter and the receiver so that the positions of the transmitter and the receiver match with each other in order to accurately detect the user's input.

그러나, 도2에 도시한 바와 같이, 본 실시예에 의한 전도성 구조체의 경우에는, 기재(100)의 양면에 각각 전도층(210, 220)과 흑화층(310, 320)을 포함할 수 있으므로, 기재(100)의 상부면에 위치하는 상부 전도층(210) 및 상부 흑화층(310)을 송신부, 기재(100)의 하부면에 위치하는 하부 전도층(220) 및 하부 흑화층(320)을 수신부로 설정할 수 있다. 이 경우, 상기 송신부와 수신부의 위치가 하나의 기재(100)에 고정되므로, 별도로 송신부와 수신부를 정렬할 필요가 없으며, 치수오차가 발생할 염려가 없다. However, as shown in FIG. 2, in the case of the conductive structure according to the present embodiment, the conductive layers 210 and 220 and the blackening layers 310 and 320 may be formed on both sides of the substrate 100, The upper conductive layer 210 and the upper blackening layer 310 located on the upper surface of the substrate 100 may be referred to as a transmitting portion and the lower conductive layer 220 and the lower blackening layer 320 located on the lower surface of the substrate 100 And can be set as a receiving unit. In this case, since the positions of the transmitter and the receiver are fixed to one substrate 100, there is no need to separately align the transmitter and the receiver, and there is no fear of dimensional error.

또한, 종래와 같이 별도의 전도성 구조체에 송신부 및 수신부를 형성하는 경우에는, 각각의 송신부와 수신부를 고정하는 접착과정이 더 필요하고, 각각의 전도성 구조체 생성을 위한 기재(100) 등이 추가로 더 필요하므로, 터치패널의 제작 비용이 증가하는 등의 문제점이 있었다. 반면에, 본 실시예에 의하면, 하나의 기재(100)로 송신부 및 수신부가 모두 구현가능하고, 별도의 접착과정이 생략가능하므로, 제작 비용 절약 및 제작 시간 단축 등이 가능하다. 나아가, 하나의 기재(100) 상에 송신부 및 수신부를 모두 형성할 수 있으므로, 터치스크린 패널의 두께를 감소시키는 것도 가능하다. Further, when a transmitter and a receiver are formed on a separate conductive structure as in the prior art, a bonding process of fixing each of the transmitter and the receiver is further required. Further, the substrate 100 for producing each conductive structure There is a problem that the manufacturing cost of the touch panel is increased. On the other hand, according to the present embodiment, both the transmitting part and the receiving part can be realized with one substrate 100, and a separate bonding process can be omitted, thus making it possible to save manufacturing cost and shorten the manufacturing time. Furthermore, since both the transmitting part and the receiving part can be formed on one substrate 100, it is also possible to reduce the thickness of the touch screen panel.

여기서, 상기 도2의 전도성 구조체를 터치 스크린 패널의 송신부 및 수신부로 활용하는 경우를 예로 들어 설명하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 다양한 경우에 상기 도2의 전도성 구조체가 활용될 수 있다.
2 is used as a transmitter and a receiver of a touch screen panel. However, the present invention is not limited thereto. In many cases, the conductive structure of FIG. 2 can be utilized.

도3은 본 발명의 일 실시예에 의한 전도성 구조체의 제조방법을 나타내는 순서도이다. 3 is a flowchart showing a method of manufacturing a conductive structure according to an embodiment of the present invention.

도3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 전도성 구조체의 제조방법은, 전도층 형성 단계(S10) 및 흑화층 형성 단계(S20)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 3, a method of fabricating a conductive structure according to an embodiment of the present invention may include a conductive layer forming step (S10) and a blackening layer forming step (S20).

이하, 도3을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 의한 전도성 구조체의 제조방법을 설명한다.
Hereinafter, a method for manufacturing a conductive structure according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

전도층 형성 단계(S10)에서는, 기재 상에 전도층을 형성할 수 있다. 상기 기재는 PET(Polyethylene Terephthalate), 폴리카보네이트 필름(Polycarbonate film) 등일 수 있으며, 25 ~ 188 ㎛의 두께를 가지는 것일 수 있다. 상기 기재 위에 형성되는 전도층은 종래의 ITO를 대체하는 것으로서, 다양한 종류의 금속과 이들의 합금 중에서 선택될 수 있다. 여기서, 구리를 재료로 선택한 경우에는, 전도층을 50 ~ 200nm의 두께로 형성할 수 있으며, 0.2 Ω/□ 이상 0.5 Ω/□ 미만의 면저항을 가지도록 구현할 수 있다. 상기 전도층에는 기 설정된 패턴이 포함될 수 있으며, 메쉬 패턴 등의 규칙적인 패턴 또는 불규칙적인 패턴 등이 형성될 수 있다. In the conductive layer forming step (S10), a conductive layer can be formed on a substrate. The substrate may be a polyethylene terephthalate (PET) film, a polycarbonate film, or the like, and may have a thickness of 25 to 188 μm. The conductive layer formed on the substrate replaces the conventional ITO, and can be selected from various kinds of metals and alloys thereof. Here, when copper is used as the material, the conductive layer may be formed to a thickness of 50 to 200 nm and may have a sheet resistance of 0.2? /? And less than 0.5? / ?. The conductive layer may include a predetermined pattern, and a regular pattern such as a mesh pattern or an irregular pattern may be formed.

흑화층 형성 단계(S20)에서는, 상기 전도층 상에 구리 산질화물을 포함하는 흑화층을 형성할 수 있다. 종래의 ITO 대신에 구리 등의 금속으로 전도층을 형성하는 경우에는, 금속의 높은 반사도 및 헤이즈 값에 의하여, 전도층이 사용자에게 보이거나 눈부심이 발생하는 등의 문제가 발생할 수 있다. 이를 해결하기 위하여, 흑화층 형성 단계(S20)에서 상기 전도층 상에 흑화층을 형성함으로써, 전도층의 반사도를 낮추고 흡광도 특성을 개선할 수 있다. In the blackening layer forming step (S20), a blackening layer containing copper oxynitride can be formed on the conductive layer. When the conductive layer is formed of a metal such as copper instead of the conventional ITO, there may arise a problem that the conductive layer is visible to the user or glare due to the high reflectivity and haze value of the metal. In order to solve this problem, by forming a blackening layer on the conductive layer in the blackening layer forming step (S20), the reflectivity of the conductive layer can be lowered and the absorbance characteristics can be improved.

따라서, 상기 흑화층 형성 단계(S20)에서 흑화층을 형성할 때에는, 적어도 10% 이하의 전반사율을 가지도록 하여 입사된 빛이 반사되는 것을 방지하고, CIE Lab 색좌표를 기준으로 L < 40, -15 ≤ a* < 0, -25 ≤ b* < 0 을 만족하도록 하여, 사람들이 쉽게 인지하지 못하는 어두운 색상범위를 가지도록 할 수 있다. Therefore, when the blackening layer is formed in the blackening layer forming step (S20), the incident light is prevented from being reflected by having a total reflectance of at least 10% or less, and L < 15 ≦ a * <0, and -25 ≦ b * <0, so that a dark color range that people can not easily recognize can be obtained.

다만, 상술한 흑화층의 특성은, 상기 흑화층을 형성하는 구리 산질화물에 포함되는 산소 및 질소의 비율에 따라 결정될 수 있다. 따라서, 구리 산질화물에 대한 화학식 CuOxNy에서, x 및 y 값을 조절하여 상술한 특성을 모두 만족하는 x, y값을 구할 수 있다. 구체적으로, 1.1 ≤ x ≤ 1.5 이고 0.01 ≤ y ≤ 0.02을 만족하는 실수 x, y를 선택하면, 상술한 전반사율 및 색상에 대한 조건을 모두 만족하는 흑화층을 얻을 수 있다.
However, the characteristics of the blackening layer described above can be determined according to the ratio of oxygen and nitrogen contained in the copper oxynitride forming the blackening layer. Therefore, in the formula CuOxNy for the copper oxynitride, x and y values can be adjusted to obtain x and y values satisfying all of the above characteristics. Concretely, if the real numbers x and y satisfying 1.1 ≦ x ≦ 1.5 and 0.01 ≦ y ≦ 0.02 are selected, a blackening layer satisfying all of the conditions for the total reflectance and hue can be obtained.

도4는 본 발명의 다른 실시예에 의한 전도성 구조체의 제조방법을 나타내는 순서도이다. 4 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a conductive structure according to another embodiment of the present invention.

도4를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 의한 전도성 구조체의 제조방법은, 상부 전도층 형성 단계(S100), 상부 흑화층 형성 단계(S200), 하부 전도층 형성 단계(S300) 및 하부 흑화층 형성 단계(S400)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 4, a method of fabricating a conductive structure according to another embodiment of the present invention includes forming an upper conductive layer (S100), an upper blackening layer forming step (S200), a lower conductive layer forming step (S300) Layer forming step S400.

이하, 도4을 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 의한 전도성 구조체의 제조방법을 설명한다.
Hereinafter, a method for manufacturing a conductive structure according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

상부 전도층 형성 단계(S100)에서는 기재의 상부면 상에 구리로 형성되는 상부 전도층을 형성할 수 있으며, 상기 상부 전도층이 형성된 후에는, 상부 흑화층 형성 단계(S200)를 통하여 상기 상부 전도층 상에 구리 산질화물을 포함하는 흑화층을 형성할 수 있다. In the upper conductive layer forming step S100, an upper conductive layer formed of copper may be formed on the upper surface of the substrate. After the upper conductive layer is formed, the upper conductive layer may be formed through the upper blackening layer forming step (S200) A blackening layer containing copper oxynitride can be formed on the layer.

이후, 하부 전도층 형성 단계(S300)에서는, 상기 기재의 하부면에 구리로 형성되는 하부 전도층을 형성할 수 있으며, 상기 하부 전도층이 형성되면, 하부 흑화층 형성 단계(S400)를 통하여 상기 하부 전도층 상에 구리 산질화물을 포함하는 흑화층을 형성할 수 있다. Then, in the lower conductive layer forming step (S300), a lower conductive layer formed of copper may be formed on the lower surface of the substrate. When the lower conductive layer is formed, a lower blackening layer forming step (S400) A blackening layer containing copper oxynitride can be formed on the lower conductive layer.

구체적으로, 본 발명의 일 실시예에 의한 전도성 구조체의 제조방법은, 기재의 일면에 롤투롤 스퍼터(Roll to Roll sputter)를 통한 연속공정을 적용하여, 상기 기재의 상부면에 상부 전도층 및 상부 흑화층을 형성할 수 있으며, 상기 상부 흑화층 및 상부 전도층의 형성이 완료되면, 롤의 방향을 바꾸어, 기재의 하부면에 대하여 동일한 방식으로 하부 전도층 및 하부 흑화층을 순차적으로 형성할 수 있다.
In detail, a method of manufacturing a conductive structure according to an embodiment of the present invention includes applying a continuous process to a surface of a substrate through a roll-to-roll sputter to form an upper conductive layer and an upper conductive layer When the formation of the upper blackening layer and the upper conductive layer is completed, the lower conductive layer and the lower blackening layer can be sequentially formed on the lower surface of the substrate by changing the direction of the roll have.

한편, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 상술한 전도성 구조체를 포함하는 터치 스크린 패널이 있을 수 있다. 여기서, 상기 터치 스크린 패널은 정전용량식 터치스크린 패널일 수 있으며, 본 발명의 일 실시예에 의한 전도성 구조체는 터치 감응식 전극 기판으로 사용될 수 있다. Meanwhile, according to an embodiment of the present invention, there may be a touch screen panel including the above-described conductive structure. Here, the touch screen panel may be a capacitive touch screen panel, and the conductive structure according to an embodiment of the present invention may be used as a touch sensitive electrode substrate.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 터치 스크린 패널을 포함하는 디스플레이 장치가 있을 수 있다.
According to an embodiment of the present invention, there is a display device including the touch screen panel.

이하 실시예, 비교예 및 실험예를 통하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 그러나, 이하의 실시예, 비교예 및 실험예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 이에 의하여 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples, Comparative Examples and Experimental Examples. However, the following Examples, Comparative Examples and Experimental Examples are provided for illustrating the present invention, and thus the scope of the present invention is not limited thereto.

<실시예 및 비교예>&Lt; Examples and Comparative Examples &

기재의 한 면에만 전도층과 흑화층을 형성하는 경우에는, 두께 25 ~ 188㎛의 PET 필름 상에 롤투롤 스퍼터(Roll to Roll sputter)를 통하여 연속공정으로 전도층 및 흑화층을 형성함으로써 전도성 구조체를 제조하였다. 이때, 흑화층은 15 ~ 50㎛, 전도층은 50~200nm로 형성하였으며, 흑화층을 생성할 때 구리 산질화물에 포함되는 산소와 질소의 비율을 달리하여 각각 실시예 1, 2, 3 및 비교예 1, 2의 전도성 구조체를 제조하였다. In the case of forming the conductive layer and the blackening layer only on one side of the substrate, the conductive layer and the blackening layer are formed by a continuous process through a roll-to-roll sputter on a PET film having a thickness of 25 to 188 탆, . At this time, the blackening layer was formed to be 15 to 50 탆 and the conductive layer was formed to be 50 to 200 nm, and the ratio of oxygen to nitrogen contained in the copper oxynitride was varied at the time of forming the blackening layer, Conductive structures of Examples 1 and 2 were prepared.

하기 표 1은 각각의 실시예 1, 2, 3 및 비교예 1, 2의 전도성 구조체에 대한 전반사율 및 색차에 따른 L, a*, b* 값을 나타낸 것이다.
Table 1 below shows L, a * and b * values according to the reflectance and color difference of the conductive structures of Examples 1, 2 and 3 and Comparative Examples 1 and 2, respectively.

흑화층Blackening layer CuOxNyCuOxNy 전반사율(%)Total reflectance (%) LL a*a * b*b * 실시예 1Example 1 1 : 1.1 : 0.021: 1.1: 0.02 5.645.64 28.4928.49 -3.86-3.86 -24.64-24.64 실시예 2Example 2 1 : 1.5 : 0.011: 1.5: 0.01 5.325.32 27.6427.64 -4.31-4.31 -23.95-23.95 실시예 3Example 3 1 : 1.2 : 0.011: 1.2: 0.01 5.475.47 28.1828.18 -3.94-3.94 -24.12-24.12 비교예 1Comparative Example 1 1 : 0.8 : 0.031: 0.8: 0.03 41.9141.91 70.8170.81 6.836.83 6.26.2 비교예 2Comparative Example 2 1: 1.7 : 0.011: 1.7: 0.01 8.328.32 34.6534.65 5.385.38 -24.29-24.29

실시예 1에 의하면, 흑화층을 형성하는 구리 산질화물의 구리, 산소 및 질소의 비율은 1 : 1.1 : 0.02일 수 있다. 이 경우, 전반사율 5.64%, L = 28.49, a* = -3.86, b* = -24.64이므로, 앞서 설명한 흑화층의 물리적 조건을 모두 만족할 수 있다. According to Example 1, the ratio of copper, oxygen and nitrogen in the copper oxynitride forming the blackening layer can be 1: 1.1: 0.02. In this case, since the total reflectance is 5.64%, L = 28.49, a * = -3.86, and b * = -24.64, all the physical conditions of the blackening layer described above can be satisfied.

또한, 실시예 2에 의하면, 흑화층을 형성하는 구리 산질화물의 구리, 산소 및 질소의 비율은 1 : 1.5 : 0.01일 수 있으며, 전반사율 5.32%, L = 27.64, a* = -4.31, b* = -23.95이므로, 마찬가지로 앞서 설명한 흑화층의 물리적 조건을 모두 만족할 수 있다.According to Example 2, the ratio of copper, oxygen and nitrogen in the copper oxynitride forming the blackening layer may be 1: 1.5: 0.01, and the total reflectance is 5.32%, L = 27.64, a * = -4.31, b * = -23.95, the physical conditions of the blackening layer described above can all be satisfied.

또한, 실시예 3에 의하면, 흑화층을 형성하는 구리 산질화물의 구리, 산소 및 질소의 비율은 1 : 1.2 : 0.01일 수 있으며, 전반사율 5.47%, L = 28.18, a* = -3.94, b* = -24.12이므로, 마찬가지로 앞서 설명한 흑화층의 물리적 조건을 모두 만족할 수 있다.According to Example 3, the ratio of copper, oxygen and nitrogen in the copper oxynitride forming the blackening layer may be 1: 1.2: 0.01 and the total reflectance is 5.47%, L = 28.18, a * = -3.94, b * = -24.12, the physical conditions of the blackening layer described above can all be satisfied.

반면에, 비교예 1에서는 구리 산질화물의 구리, 산소 및 질소의 비율이 1: 0.8 : 0.03으로 본 발명에서 제안하는 구리 산질화물이 가지는 구리, 산소 및 질소의 비율을 벗어난다. 이 경우, 전반사율이 41.91%로 10% 이상이고 L 값이 70.81, a*이 6.83, b*이 6.2으로 측정되므로, 전도층에서의 반사와 흑화층의 높은 명도 및 채도로 인하여, 전도층에 대한 사용자의 시인성이 높아지는 등의 문제가 발생할 수 있다. On the other hand, in Comparative Example 1, the ratio of copper, oxygen and nitrogen in the copper oxynitride is 1: 0.8: 0.03, which is out of the ratio of copper, oxygen and nitrogen of the copper oxynitride proposed in the present invention. In this case, since the total reflection ratio is 41.91%, the L value is 70.81, the a * value is 6.83, and the b * value is 6.2, the reflectance in the conductive layer and the high brightness and saturation of the blackening layer There is a problem that the visibility of the user is increased.

비교예 2에서는, 구리 산질화물의 구리, 산소 및 질소의 비율이 1: 1.7 : 0.01으로 본 발명에서 제안하는 구리 산질화물에 포함되는 구리, 산소 및 질소의 비율을 벗어난다. 여기서 전반사율이 8.32%로 양호하고, L 값 b*도 양호하지만, a*이 5.83으로 기준을 벗어난다. 따라서, 흑화층에 빨강 또는 녹색 계열이 강하게 나타날 수 있으며, 그에 따른 흑화층의 시인성이 높아질 위험이 있다.
In Comparative Example 2, the ratio of copper, oxygen, and nitrogen in the copper oxynitride is 1: 1.7: 0.01, which is outside the ratio of copper, oxygen, and nitrogen contained in the copper oxynitride proposed in the present invention. Here, the total reflectance is good at 8.32%, and the L value b * is also good, but a * is 5.83, which is out of the standard. Therefore, red or green series may strongly appear in the blackening layer, thereby increasing the visibility of the blackening layer.

본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니다. 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명에 따른 구성요소를 치환, 변형 및 변경할 수 있다는 것이 명백할 것이다.
The present invention is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings. It will be apparent to those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims.

100: 기재 200: 전도층
210: 상부 전도층 220: 하부 전도층
300: 흑화층 310: 상부 흑화층
320: 하부 흑화층
S10: 전도층 형성 단계
S20: 흑화층 형성 단계
S100: 상부 전도층 형성 단계
S200: 상부 흑화층 형성 단계
S300: 하부 전도층 형성 단계
S400: 하부 흑화층 형성 단계
100: substrate 200: conductive layer
210: upper conductive layer 220: lower conductive layer
300: blackening layer 310: upper blackening layer
320: Lower blackening layer
S10: conductive layer formation step
S20: Blackening layer formation step
S100: upper conductive layer forming step
S200: upper blackening layer forming step
S300: Lower conductive layer forming step
S400: Lower blackening layer forming step

Claims (10)

기재;
상기 기재의 상부면에 형성되어 구리를 재료로 이용하여 형성한 전도층; 및
상기 전도층의 상부면에 형성되어 구리 산질화물을 포함하는 흑화층을 포함하는 전도성 구조체.
materials;
A conductive layer formed on the upper surface of the substrate and formed using copper as a material; And
And a blackening layer formed on an upper surface of the conductive layer, the blackening layer including copper oxynitride.
제1항에 있어서, 상기 흑화층은
CuOxNy (1.1 ≤ x ≤ 1.5, 0.01 ≤ y ≤ 0.02)를 만족하는 구리 산질화물을 포함하는 전도성 구조체.
The method of claim 1, wherein the blackening layer
CuOxNy (1.1? X? 1.5, 0.01? Y? 0.02).
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 흑화층은
전반사율이 0% 이상 10% 이하이고, 상기 흑화층의 상단에서 측정한 색차가 L < 40, -15 ≤ a* < 0, -25 ≤ b* < 0을 만족하는 전도성 구조체.
The method according to claim 1 or 2, wherein the blackening layer
Wherein the total reflectance is 0% or more and 10% or less, and the color difference measured at the top of the blackening layer satisfies L < 40, -15 < a * < 0, -25 &
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 흑화층은
두께가 15 nm 이상 50nm 이하인 전도성 구조체.
The method according to claim 1 or 2, wherein the blackening layer
A conductive structure having a thickness of 15 nm or more and 50 nm or less.
기재;
상기 기재의 상부면 상에 구리로 형성되는 상부 전도층;
상기 상부 전도층 상에 구리 산질화물을 포함하여 형성되는 상부 흑화층;
상기 기재의 하부면 상에 구리로 형성되는 하부 전도층; 및
상기 하부 전도층 상에 구리 산질화물을 포함하여 형성되는 하부 흑화층을 포함하는 전도성 구조체.
materials;
An upper conductive layer formed of copper on the upper surface of the substrate;
An upper blackening layer formed on the upper conductive layer to include copper oxynitride;
A lower conductive layer formed of copper on the lower surface of the substrate; And
And a lower blackening layer formed by including copper oxynitride on the lower conductive layer.
제5항에 있어서, 상기 상부 흑화층 및 하부 흑화층은
CuOxNy (1.1 ≤ x ≤ 1.5, 0.01 ≤ y ≤ 0.02)를 만족하는 구리 산질화물을 포함하는 전도성 구조체
The method of claim 5, wherein the upper blackening layer and the lower blackening layer
CuOxNy (1.1? X? 1.5, 0.01? Y? 0.02).
기재 상에 구리를 재료로 하는 전도층을 형성하는 단계; 및
상기 전도층 상에 CuOxNy (1.1 ≤ x ≤ 1.5, 0.01 ≤ y ≤ 0.02)를 만족하는 구리 산질화물을 포함하는 흑화층을 형성하는 단계를 포함하는 전도성 구조체의 제조방법.
Forming a conductive layer made of copper on the substrate; And
Forming a blackening layer on the conductive layer, the blackening layer including copper oxynitride satisfying CuOxNy (1.1? X? 1.5, 0.01? Y? 0.02).
기재의 상부면에 구리를 재료로 하는 상부 전도층을 형성하는 단계;
상기 상부 전도층 상에 CuOxNy (1.1 ≤ x ≤ 1.5, 0.01 ≤ y ≤ 0.02)를 만족하는 구리 산질화물을 포함하는 상부 흑화층을 형성하는 단계;
상기 기재의 하부면에 구리를 재료로 하는 하부 전도층을 형성하는 단계;
상기 하부 전도층 상에 상기 구리 산질화물을 포함하는 하부 흑화층을 포함하는 단계를 포함하는 전도성 구조체의 제조방법.
Forming an upper conductive layer of copper on the upper surface of the substrate;
Forming an upper blackening layer on the upper conductive layer, the upper blackening layer comprising copper oxynitride satisfying CuOxNy (1.1? X? 1.5, 0.01? Y? 0.02);
Forming a lower conductive layer of copper on the lower surface of the substrate;
And a lower blackening layer comprising the copper oxynitride on the lower conductive layer.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 전도성 구조체를 포함하는 터치 스크린 패널.
A touch screen panel comprising the conductive structure of any one of claims 1 to 6.
제1항 내지 제6항에 중 어느 한 항의 전도성 구조체를 포함하는 디스플레이 장치. A display device comprising the conductive structure according to any one of claims 1 to 6.
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