KR20160062675A - 신규 니켈-비스베타케토이미네이트 전구체 및 이를 이용한 니켈 함유 필름 증착방법 - Google Patents
신규 니켈-비스베타케토이미네이트 전구체 및 이를 이용한 니켈 함유 필름 증착방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20160062675A KR20160062675A KR1020150126237A KR20150126237A KR20160062675A KR 20160062675 A KR20160062675 A KR 20160062675A KR 1020150126237 A KR1020150126237 A KR 1020150126237A KR 20150126237 A KR20150126237 A KR 20150126237A KR 20160062675 A KR20160062675 A KR 20160062675A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- nickel
- precursor
- deposition
- reactor
- film
- Prior art date
Links
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 141
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 67
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title description 24
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 90
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 28
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 22
- -1 heptafluoro-isopropyl group Chemical group 0.000 claims description 12
- 125000002733 (C1-C6) fluoroalkyl group Chemical group 0.000 claims description 11
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 11
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 claims description 8
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 5
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 claims 2
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 37
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 29
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 29
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 28
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 27
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 21
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical compound C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 6
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 5
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 5
- 238000004455 differential thermal analysis Methods 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 5
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N N-Butyllithium Chemical compound [Li]CCCC MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910021334 nickel silicide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 4
- 238000002411 thermogravimetry Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- AMKGKYQBASDDJB-UHFFFAOYSA-N 9$l^{2}-borabicyclo[3.3.1]nonane Chemical compound C1CCC2CCCC1[B]2 AMKGKYQBASDDJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 3
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N diethylzinc Chemical compound CC[Zn]CC HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N dimethylzinc Chemical compound C[Zn]C AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N nickel silicide Chemical compound [Ni]=[Si]=[Ni] RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 3
- HKOOXMFOFWEVGF-UHFFFAOYSA-N phenylhydrazine Chemical compound NNC1=CC=CC=C1 HKOOXMFOFWEVGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229940067157 phenylhydrazine Drugs 0.000 description 3
- PARWUHTVGZSQPD-UHFFFAOYSA-N phenylsilane Chemical compound [SiH3]C1=CC=CC=C1 PARWUHTVGZSQPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- DNXIASIHZYFFRO-UHFFFAOYSA-N pyrazoline Chemical compound C1CN=NC1 DNXIASIHZYFFRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 3
- 125000004169 (C1-C6) alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910019001 CoSi Inorganic materials 0.000 description 2
- 206010010144 Completed suicide Diseases 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N Ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1 YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910008484 TiSi Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N dodecane Chemical compound CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004050 hot filament vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PEUPIGGLJVUNEU-UHFFFAOYSA-N nickel silicon Chemical compound [Si].[Ni] PEUPIGGLJVUNEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N oxalonitrile Chemical compound N#CC#N JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 2
- UNPREBJLBYFPHM-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,2,3,3,3-heptafluoropropan-2-amine Chemical compound FC(F)(F)C(F)(N)C(F)(F)F UNPREBJLBYFPHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 description 1
- 229910018999 CoSi2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021586 Nickel(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MVTWZSMEZREVOF-IWQZZHSRSA-N O=C(C(F)(F)F)/C=C(\NC(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)F)/F Chemical compound O=C(C(F)(F)F)/C=C(\NC(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)F)/F MVTWZSMEZREVOF-IWQZZHSRSA-N 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical compound Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000029087 digestion Effects 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- JJWLVOIRVHMVIS-UHFFFAOYSA-N isopropylamine Chemical compound CC(C)N JJWLVOIRVHMVIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N mesitylene Substances CC1=CC(C)=CC(C)=C1 AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001827 mesitylenyl group Chemical group [H]C1=C(C(*)=C(C([H])=C1C([H])([H])[H])C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- VMWYVTOHEQQZHQ-UHFFFAOYSA-N methylidynenickel Chemical compound [Ni]#[C] VMWYVTOHEQQZHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L nickel dichloride Chemical compound Cl[Ni]Cl QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005289 physical deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007736 thin film deposition technique Methods 0.000 description 1
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F15/00—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic Table
- C07F15/04—Nickel compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/513—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using plasma jets
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
본 발명은 신규한 니켈 전구체 및 니켈 함유 필름 증착방법을 제공한다. 증착방법은 내부에 하나 이상의 기판이 배치되어 있는 반응기 안으로, 니켈 함유 전구체를 도입시키는 단계; 및 니켈 함유 전구체의 적어도 일부를 하나 이상의 기판상에 증착시켜 니켈 함유 필름을 형성시키는 단계를 포함하는 기판 상에 니켈 함유 필름을 증착시키는 방법에 관한 것이다. 또한 상기 방법은 열적 안정성 및 니켈 함유 필름을 온화한 조건에서 높은 수율로 얻을 수 있는 신규한 니켈-비스베타케토이미네이트 전구체에 특징이 있다.
Description
본 발명은 기상 증착 공정을 통해 하나 이상의 기판 상에 니켈 함유 필름을 증착하기 위한 전구체로서 니켈-비스베타케토이미네이트 전구체와 이를 이용한 필름 증착 제조방법에 관한 것이다.
화학적 증착(CVD) 및 원자층 증착(ALD)은 증착 공정 동안 파라미터의 미세한 조정을 통해 등각(conformal) 필름 (금속, 산화물, 질화물 등)을 형성할 수 있기 때문에, 반도체 소자를 위한 박층 필름 증착 기술로 적용되어 왔다. 이와 더불어 반도체 산업분야에서 다양한 용도로 화학기상 증착(CVD) 및 원자층 증착(ALD)을 이용하여 박형 금속 필름의 성장을 위한 휘발성 금속 전구체의 개발 또한 끊임없이 지속되었다. CVD 및 ALD는 원자 스케일에서 증착을 제어하기 위해 사용하는 주요 가스상 화학 공정이고 박형으로 컨포멀(conformal) 코팅을 형성한다. 일반적으로 CVD 공정에서는 원하는 증착물을 제조하기 위해, 기판 표면 상에서 반응하거나 분해되는 하나 이상의 휘발성 전구체를 웨이퍼상에 노출시킨다. ALD 공정은 불활성 기체 퍼징(purging)과는 별도로, 교대로 도포되는 전구체의 포화 표면 반응을 이용한다.
통상 CVD 공정은 둘 이상의 반응물 사이의 기상 반응을 수반한다. 상기 반응물은 반응 공간 또는 기판에 동시에 제공될 수 있고, 상기 기판 또는 반응 공간을 기체 반응물들 사이의 반응을 촉진시키기 위해 가열한다. CVD 증착은 상기 반응물이 상기 반응 공간에 제공될 때 형성되고, 상기 반응물은 박막이 원하는 두께로 증착될 때까지 투여된다.
ALD 타입 공정은 제어 가능하고 자기-제한적인 표면 반응을 하는 전구체 화학 물질을 사용한다. 상기 전구체는 순차적으로 반응 챔버 내에 공급됨으로써 반응이 기체상에서 일어나는 것을 방지한다. 예를 들면 반응물 펄스 사이에서 잉여 반응물 또는 반응 부산물은 반응 챔버로부터 제거하여, 반응 챔버 내에서 기상의 반응물들을 서로 분리한다. 간단히, 반응 챔버 내에 기판을 로딩한 후, 대개는 감소된 압력 하에서 적절한 증착 온도로 가열한다. 증착 온도는 전구체의 열분해 온도보다 낮은 온도로 유지되지만, 반응물의 응축을 방지하고 원하는 표면 반응을 시키기 위하여 활성화 에너지를 제공하기에 충분히 높은 온도로 유지된다. 임의의 주어진 ALD 반응에 대한 적절한 온도 범위는 표면 종결(surface termination)과 관련된 반응물의 종류에 의존한다. 제 1 반응물이 기상 펄스의 형태로 챔버 내부로 도입되고, 3차원 구조물을 포함하는 기판의 표면과 접촉된다. 상기 기판 표면에 전구체의 층이 자기-제한적인 방식으로 하나의 모노레이어보다 더 많이 흡착되지 않도록 조건들을 선택하여 조절한다. 과잉의 제 1 반응물과 반응 부산물들은, 대개 질소나 아르곤과 같은 비활성 기체의 펄스를 이용하여 상기 반응 챔버로부터 제거된다. 상기 반응 챔버를 정화한다는 것은 상기 반응 챔버를 진공 펌프로 비워내거나(evacuate) 상기 반응 챔버내부의 가스를 아르곤 또는 질소와 같은 비활성 기체로 대체하는 등의 방법을 통해 기상 전구체나 기상 부산물들이 상기 반응 챔버로부터 제거됨을 의미한다. 정화 시간은 대개 약 0.05 초 내지 약 20 초, 바람직하게는 약 1 초 내지 약 10 초, 그리고 더욱 바람직하게는 약 1 초 내지 약 2 초이다. 그러나, 극히 높은 종횡비의 구조물 또는 복잡한 표면 형태를 갖는 다른 구조물 위에 층들을 퇴적시키는 것이 필요할 때에는 필요에 따라 시간을 조절할 수도 있다. 적절한 펄스 시간은 특정 환경에 기초하여 통상의 기술자에 의하여 용이하게 변경될 수 있다. 상기 챔버 내부로 제 2 가스 반응물이 펄스되어, 표면 위에 결합되어 있는 상기 제 1 반응물과 반응하는데, 과잉의 제 2 반응물과 상기 표면 반응의 기체 부산물들은 비활성 기체를 이용하여 상기 반응 챔버 밖으로 제거되는 것이 바람직하다. 펄스 단계와 정화 단계는 상기 기판 위에 원하는 두께의 박막이 형성될 때까지 반복된다.
필름 성장은 주로 전구체의 화학적 반응에 의해 제어되고, 따라서 그의 성질 및 반응 과정을 예측하여 최적 전구체를 개발하는 것이 중요하다. 특정 유형의 필름에 대해 특정 응용에 기초하여 필요한 성질을 달성하기 위한 전구체가 개발되어 왔다. 전구체들은 CVD 및 ALD 공정을 위한 분자로써 이를 사용하기 전에, 그의 몇 가지 고유 특성을 고려하여야 한다. 첫째, 기체 상의 전구체를 함유 용기로부터 반응 챔버 내로 용이하게 수송하기 위해서 액체 형태이거나 충분한 증기 압력을 지녀야 한다. 둘째, 저장 조건 및 수송 조건에서 장기간의 열적 안정성이 요구된다. 기체상에서의 열적 안정성은 불순물이 필름에 유입되는 것을 방지하기 위해 필요한 특성이다. 셋째, 반응 기체, 예컨대 암모니아 또는 산소에 대한 강한 반응성을 가진 전구체를 샘플 기판 상에서 필요한 필름으로 용이하게 전환시킬 수 있다. 전구체 설계의 단계에서 전구체에 대해 고려해야 하는 또 다른 중요한 요건은, 통상적으로 증착 공정 동안 리간드로부터 유래하는 불순물을 필름에서 제거하는 것이다.
트랜지스터 제조시에, 폴리규소의 전도성을 개선하기 위해 규화물층을 사용할 수 있는데, 예를 들어 규화 니켈 및 코발트(NiSi, CoSi2)를 트랜지스터의 소스 및 드레인에서 콘택부(contact)로써 사용하여 전도성을 개선할 수 있다. 이러한 금속 규화물을 형성하기 위한 공정은 폴리규소 상에 박형 순금속층을 증착하는 것부터 시작된다. 이어 금속 및 폴리규소의 일부는 함께 합금되어 금속 규화물층을 형성한다. 물리적 증착 방법은 통상적으로 순수한 코발트층의 증착에 사용되었다. 그러나, 디바이스의 크기가 감소함에 따라, 물리적 증착 방법은 더 이상 등각성 측면에서 요건을 충족시키지 못하게 되었다.
규소화물 공정은 상기 소자가 축소됨에 따라 접촉 저항을 낮추기 위해 상보성 금속-산화물-반도체(CMOS)에서 필수로 여겨진다. TiSi2 및 CoSi2가 접촉 소재로서 광범위하게 연구되어 왔으나, 이들 소재는 65nm 이하의 테크놀로지 노드에서 심각한 문제를 갖는 것으로 보고되었다. 게다가 TiSi2의 시트 저항은 축소와 함께 급격히 증가하고, 이를 좁은 라인 효과(narrow line effect)라 한다. 비록 CoSi2가 좁은 라인 효과를 보이지 않지만, Si의 더 큰 소모량은 감소된 접합(junction) 깊이 때문에 규소화물을 형성할 때 심각한 문제가 되고 있다.
한편, NiSi는 좁은 라인 효과가 없고, 낮은 규소 소모량, 및 낮은 저항률 때문에 접촉 소재로서 큰 가능성을 보였다. NiSi는 자가-정렬된(self-aligned) 규소화물 공정을 통해 형성될 수 있다. 그러나, 물리적 증착 (PVD)은, 높은 종횡비 접합 홀(contact hole)에서 열등한 스텝 커버리지(step coverage) 때문에 나노규모 증착에 부적절하다. 따라서 원자층 증착 (ALD)이 그의 3D 구조물에서 우수한 등각성(conformality) 및 원자 두께 제어가능성 때문에 상기 목적을 위한 최적의 증착 방법이라 할 수 있다. 현재까지, 비록 니켈 ALD 상에 몇 가지 연구가 수행되고 있지만, 이들은 복잡한 공정, 높은 불순물 함량, 또는 낮은 성장률과 같은 문제점을 나타내고 있다.
니켈 함유 필름(순수 니켈, 산화니켈 또는 규소화니켈)의 CVD 또는 ALD 모드에서의 증착은 적절한 전구체의 이용 가능성이 낮기 때문에 문제가 되어 왔다(높은 C, N 또는 O 함량). 현재 이용 가능한 니켈 전구체는 너무 안정적이어서 저온에서 증착시킬 수가 없는 문제가 있다.
따라서 산소 무함유 공정에서의 CVD 또는 ALD에 적절한 니켈 함유 전구체에 대한 필요성이 늘 대두되어 왔다. 이를 위하여 니켈 함유 전구체가 지녀야 할 성질은: i) 액체 형태 또는 낮은 용융점 고체; ii) 높은 휘발성; iii) 핸들링과 수송 과정에서의 분해를 피하기 위해 충분한 열적 안정성; 및 iv) CVD/ALD 공정 과정의 적절한 반응성. 동시에, 저온에서 증착을 허용하기 위해, 열적 안정성이 너무 높아서도 안된다는 점이다.
본 발명은 화학기상 증착 혹은 원자층 증착 공정 조건에서 니켈 박막을 증착시키기 위한 최적의 전구체로써, 상기 문제점을 해결할 수 있는 특성을 지닌 니켈-비스베타케토이미네이트를 제공하고, 이를 이용한 니켈 증착 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 기판 상에 니켈 함유 필름의 증착 방법에 있어서, 하나 이상의 니켈 함유 전구체를 내부에 하나 이상의 기판이 배치되어 있는 반응기 내로 도입시키는 단계, 니켈 함유 전구체의 적어도 일부를 하나 이상의 기판 상에 증착시켜 니켈 함유 필름을 형성시키는 단계를 포함하고, 하나 이상의 상기 니켈 함유 전구체는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 중 하나를 갖는 증착방법을 제공한다.
<화학식 1>
(상기 화학식 1에서, R1은 선형, 분지형 또는 고리형 C1-C6 플루오르알킬로 이루어진 군으로 부터 선택되고, R2는 할로겐 또는 선형 C1-C6 플루오르알킬이고 R3는 할로겐 또는 선형 C1-C6 플루오르알킬이며, R2와 R3는 서로 상이하다.)
또한 상기 방법은 베타케토이미네이트를 부틸리튬과 반응하여 생성시키는 단계를 더 포함하는 방법을 제공한다.
또한, 상기 방법은 약 20℃ 내지 약 600℃의 온도에서 수행되며, 바람직하게는 약 100℃ 내지 약 400℃의 온도에서 수행된다. 또한 상기 방법은 약 0.1 Pa 내지 약 105 Pa의 압력에서, 바람직하게는 약 2.5 Pa 내지 약 103 Pa의 압력에서 수행된다.
또 다른 구체적인 예에서, 상기 증착 방법은 화학적 증착(CVD), 원자층 증착(ALD), 플라즈마 CVD, 플라즈마 ALD, 펄스 CVD, 저압 CVD, 대기압 이하의 CVD, 대기압 CVD, 핫-와이어 CVD, 핫-와이어 ALD 및 초임계 유체 증착으로 이루어진 군으로부터 선택되며, 바람직하게는 화학적 증착 또는 원자층 증착 방법으로 이루어진다. 보다 더 바람직하게는 반응기가 플라즈마 증강 화학 증착용인 것을 사용하는데 적합하다.
상기 방법에는 반응 기체를 니켈 전구체의 도입과 동시에 또는 교대로 반응기 내에 도입할 수 있는데, 상기 반응 기체는 환원제로서 N2, H2; SiH4; Si2H6; Si3H8; NH3; (CH3)2SiH2; (C2H5)2SiH2; (CH3)SiH3; (C2H5)SiH3; 페닐 실란; N2H4;N(SiH3)3; N(CH3)H2; N(C2H5)H2; N(CH3)2H; N(C2H5)2H; N(CH3)3; N(C2H5)3; (SiMe3)2NH; (CH3)HNNH2; (CH3)2NNH2; 페닐히드라진; B2H6; 9-보라비시클로[3,3,1]노난; 디히드로벤젠푸란; 피라졸린; 트리메틸알루미늄; 디메틸아연; 디에틸아연; 그의 라디칼 종; 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
상기 반응기체가 산화제인 경우 산화제는 O2; O3; H2O; H2O2; NO; NO2; N2O; 카르복실산; 그의 라디칼 종; 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
니켈 함유 필름은 니켈 (Ni), 규소화니켈 (NiSi), 질화니켈 (NiN), 탄화니켈 (NiC), 탄소질소화니켈 (NiNC), 및 산화니켈 (NiO)로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
또 다른 측면에서 본 발명은 규소화 니켈 필름을 증착시키는 ALD 방법을 제공한다. 니켈-비스베타케토이미네이트 전구체가 하나 이상의 기판이 배치된 반응기 내에 도입되어, 니켈-비스베타케토이미네이트 전구체의 적어도 일부가 하나 이상의 기판 상에 증착되어 니켈 함유층을 형성하는데, 이때 하나 이상의 규소 함유 전구체가 상기 반응기 내에 도입될 수 있다. 규소 함유 전구체의 적어도 일부는 니켈 함유 층 상에 증착되어 규소화니켈 필름을 형성한다. 이는 5 nm 내지 100 nm의 두께를 갖는 규소화니켈 필름을 증착시키기 위해 상기 방법을 반복할 수 있다.
상기 규소 함유 전구체는 실란; 클로로실란; 디클로로실란; 트리클로로실란; N(SiH3)3; 화학식 SixHyX2x+2-y(여기서, X = F, Cl, Br, 또는 I이고, x=2-3이고, y=1-8이다)를 갖는 실란; 또는 화학식 SiR1 x(NR2 2)4-x(여기서, x=0-3이고, 각각의 R1은 독립적으로 H 또는 C1-C6 알킬기이고, 각각의 R2는 독립적으로 C1-C6 알킬기이다)를 갖는 아미노실란; 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다. 또한 반응 기체를 니켈-비스베타케토이미네이트 전구체의 도입과 동시에 또는 교대로 상기 반응기 내에 도입하고, 반응 기체를 규소 함유 전구체의 도입과 동시에 또는 교대로 상기 반응기 내에 도입하는 방법을 제공한다.
반응 기체는 N2, H2; SiH4; Si2H6; Si3H8; NH3; (CH3)2SiH2; (C2H5)2SiH2; (CH3)SiH3; (C2H5)SiH3; 페닐 실란; N2H4; N(SiH3)3; N(CH3)H2; N(C2H5)H2; N(CH3)2H; N(C2H5)2H; N(CH3)3; N(C2H5)3; (SiMe3)2NH; (CH3)HNNH2; (CH3)2NNH2; 페닐히드라진; B2H6; 9-보라비시클로[3,3,1]노난; 디히드로벤젠푸란; 피라졸린; 트리메틸알루미늄; 디메틸아연; 디에틸아연; 그의 라디칼 종; 및 이들의 혼합물로부터 선택할 수 있다.
또한 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 니켈 전구체를 제공한다.
<화학식 1>
(상기 화학식 1에서, R1은 선형, 분지형 또는 고리형 C1-C6 플루오르알킬로 이루어진 군으로 부터 선택되고, R2는 할로겐 또는 선형 C1-C6 플루오르알킬이고 R3는 할로겐 또는 선형 C1-C6 플루오르알킬이며, R2와 R3는 서로 상이하다.)
바람직한 니켈 전구체는 R1이 프로필기, iso-프로필(iso-propyl)기, iso-부틸, t-부틸기, 1,1,1,3,3,3-헥사플루오르-iso-프로필기 또는 1,1,1-트리플루오르-iso-프로필기, 헵타플루오르-iso-프로필기인 화합물이다.
또한, 상기 니켈 전구체는 R1이 프로필기, iso-프로필(iso-propyl)기, iso-부틸, t-부틸기, 1,1,1,3,3,3-헥사플루오르-iso-프로필기 또는 1,1,1-트리플루오르-iso-프로필기, 헵타플루오르-iso-프로필기이고, R2는 할로겐 또는 선형 C1-C6 플루오르알킬이고 R3는 할로겐 또는 선형 C1-C6 플루오르알킬이며 R2 및 R3이 서로 상이하고 상기 할로겐이 플루오르인 화합물이 바람직하다. 보다 바람직한 경우는 R1이 1,1,1,3,3,3-헥사플루오르-iso-프로필기 또는 1,1,1-트리플루오르-iso-프로필기, 헵타플루오르-iso-프로필기인 화합물이다. 이 전구체의 적절한 열적 안정성 때문에 더욱 저온에서 니켈 함유 필름을 증착시킬 수 있고, 상기 전구체는 목표 온도에서 제어된 두께 및 조성을 갖는 필름의 증착을 위해 사용될 수 있다.
상기 개시된 니켈-비스베타케토이미네이트 전구체는 선행 기술에서 개시된 니켈-함유 전구체보다 낮은 온도에서 니켈-함유 필름의 증착이 가능하다. 산소 무함유 반응 기체를 사용하여 250℃ 미만의, 바람직하게는 150℃ 미만의 온도에서 CVD 또는 ALD (열적 또는 플라즈마 모드)로 순수한 Ni 필름의 증착을 가능하게 한다. 본 발명의 니켈-비스베타케토이미네이트 전구체는 손쉽게 합성이 가능하고, 높은 수율로 생산성을 높일 수 있게 한다. 상기 니켈-비스베타케토이미네이트 전구체는 얇은 니켈 함유 필름의 증착을 위해 사용될 수 있고, 여기서 니켈 함유 필름은 니켈 (Ni), 규소화니켈 (NiSi), 질화니켈 (NiN), 탄화니켈 (NiC), 탄소질소화니켈 (NiNC), 산화니켈 (NiO), 또는 임의의 다른 니켈 함유 필름이다.
도 1은 플루오르화된 니켈-비스베타케토이미네이트의 열중량 분석에 관한 그래프이다.
도 2는 플루오르화된 니켈-비스베타케토이미네이트의 증기압 분석에 관한 그래프이다.
도 3 내지 5는 플루오르화된 니켈-비스베타케토이미네이트의 0.1 Torr, 1 Torr, 10 Torr에서 증기압을 보이는 온도를 나타낸다.
도 2는 플루오르화된 니켈-비스베타케토이미네이트의 증기압 분석에 관한 그래프이다.
도 3 내지 5는 플루오르화된 니켈-비스베타케토이미네이트의 0.1 Torr, 1 Torr, 10 Torr에서 증기압을 보이는 온도를 나타낸다.
이하, 본 발명의 실시예를 참조하여 상세하게 설명한다. 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
증착 방법은 반도체, 광전지, LCD-TFT, 또는 평면 패널형 소자의 제조에 유용하게 사용되고 있다. 니켈 함유 필름은 상기 개시된 니켈-비스베타케토이미네이트 전구체를 하나 이상의 기판이 배치된 반응기 내에 도입함으로써 증착되어 니켈 함유 필름을 형성할 수 있다. 공지된 증착 방법으로 상기 개시된 니켈-비스베타케토이미네이트 전구체를 사용하여 얇은 니켈-함유 필름을 증착시킬 수 있는데, 적절한 증착 방법의 예는 종래의 화학적 증착(CVD) 또는 원자층 증착(ALD), 또는 플라즈마와 같은 기술을 사용하는 증기 코팅과 관련된 다른 유형의 증착 [플라즈마 강화 화학적 증착(PECVD) 또는 플라즈마 강화 원자층 증착(PEALD)], 조정된 도입 스킴(tuned introduction scheme) [펄스화 화학적 증착(PCVD)], 조정된 반응 압력 [저압 화학적 증착(LPCVD), 대기압 이하 CVD(SACVD), 대기압 CVD(APCVD)], 핫-와이어 화학적 증착(HWCVD, catCVD)으로 알려져 있다.
상기 개시된 니켈-비스베타케토이미네이트 전구체는 순수한 형태로 또는 적절한 용매, 예컨대 에틸 벤젠, 크실렌, 메시틸렌, 데칸, 도데칸과의 혼합물로 공급될 수 있고, 용매 내에 다양한 농도로 존재할 수 있다.
상기 니켈-비스베타케토이미네이트 전구체 또는 혼합물은 튜빙 또는 유동 계량기에 의해 증기 형태로 반응기 내에 도입되는데, 이러한 증기 형태는 종래의 증기화 단계, 예로 직접 증기화, 증류, 버블링, 또는 서블리메이터(sublimator)를 사용하여 순수한 전구체 또는 혼합물을 증기화하여 제조된다. 순수한 전구체 또는 혼합물을 액체 상태로 증기화기에 공급하고, 여기서 반응기 내에 도입되기 전에 증기화된다. 반면 순수한 전구체 또는 혼합물은 이러한 전구체 또는 혼합물을 함유하는 용기 내에 캐리어 기체를 통과시키거나 캐리어 기체를 전구체 또는 혼합물 내로 버블링함으로써 증기화될 수 있다. 상기 캐리어 기체는 비제한적으로 Ar, He, N2, 및 이들의 혼합물을 포함할 수 있다. 캐리어 기체 버블링은 또한 순수한 전구체 또는 혼합물 내에 존재하는 임의의 용해된 산소를 제거할 수 있다. 캐리어 기체 및 전구체를 증기로서 반응기 내에 도입한다. 필요에 따라, 상기 전구체/혼합물의 용기는, 전구체 또는 혼합물이 액체 상으로 있게 하고 충분한 증기 압력을 갖게하는 온도까지 가열될 수 있다. 상기 용기는 예를 들면 약 0℃ 내지 약 150℃의 범위의 온도에서 유지될 수 있다.
반응기는 증착 방법을 수행하는 장치 내의 임의의 밀폐장치 또는 챔버일 수 있으며, 예컨대 제한 없이, 평행-판 유형 반응기, 냉벽 유형 반응기, 고온-벽 유형 반응기, 단일-웨이퍼 반응기, 다중-웨이퍼 반응기, 또는 전구체가 반응하여 층을 형성하게 하는 적절한 조건 하에 다른 유형의 증착 시스템일 수 있다.
반응기는, 그 위로 니켈 함유 필름이 증착될 하나 이상의 기판을 함유한다. 상기 하나 이상의 기판은 반도체, 태양전지(photovoltaic), 평면 패널 또는 LCD-TFT 장치 제작에서 사용된 임의의 적합한 기판일 수 있다. 적합한 기판의 예에는 실리콘, 실리카, 실리콘 니트라이드, 실리콘 옥시 니트라이드, 탄소 도핑된 실리카, 티타늄, 티타늄 니트라이드, 하프늄 니트라이드 및 보라이드, 탄탈룸, 탄탈룸 니트라이드, 텅스텐, 또는 그 조합물이 포함되며 이에 제한되지는 않는다. 실리콘 기판은 증착 전에 HF 헹굼제(rinse)를 사용하여 임의적으로 세정될 수 있다. 또한, 텅스텐 또는 귀금속(예를 들어, 백금, 팔라듐, 로듐, 루테늄 또는 금)을 포함하는 기판이 사용될 수 있다. 기판에는, 이전 제작 단계에서 부터 존재할 수 있는 하나 이상의 추가적인 물질 층이 함유될 수 있다. 유전성 및 전도성 층이 그 예이다.
반응기 안의 온도 및 압력은 니켈-비스베타케토이미네이트 전구체의 적어도 일부를 기판 상에 증착시키기 위해 적절한 조건에서 유지된다. 예를 들어, 반응기 내 압력은 증착 조건에 따라, 약 0.1 Pa 내지 약 105 Pa, 더욱 바람직하게는 약 2.5 Pa 내지 약 103 Pa 에서 유지하고, 반응기 내의 온도는 약 20℃ 내지 약 600℃, 바람직하게는 약 100℃ 내지 약 400℃로 유지한다.
기판을 가열하기 위해 사용된 장치는 이미 알려져 있다. 충분한 성장 속도로 필요한 물리적 상태 및 조성을 갖는 필름을 수득하기 위해 반응기 벽을 충분한 온도까지 가열한다. 반응기 벽이 가열될 수 있는 비제한적인 예시적 온도 범위는 약 20℃ 내지 약 600℃이다. 플라즈마 침착 공정이 사용되면, 침착 온도는 약 20℃ 내지 약 350℃의 범위일 수 있다. 대안으로, 열적 공정이 수행된다면, 침착 온도는 대략 200℃ 내지 대략 600℃의 범위가 될 수 있다.
상기 전구체와 더불어, 반응 기체가 반응기 내에 동시에 투입될 수 있다. 반응 기체는 산화제, 예컨대 O2; O3; H2O; H2O2; 산소 함유 라디칼 예컨대 O 또는 OH; NO; NO2; N2O; 카르복실산, 예컨대 포름산, 아세트산, 프로피온산; NO, NO2, 또는 카르복실산의 라디칼 종; 및 이들의 혼합물 중 하나일 수 있다. 바람직하게는, 산화제는 O2, O3, H2O, H2O2, 그의 산소 함유 라디칼, 예컨대 O 또는 OH, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된다.
또 다른 양태로서, 반응 기체는 환원제, 예컨대 H2, NH3, SiH4, Si2H6, Si3H8, (CH3)2SiH2, (C2H5)2SiH2, (CH3)SiH3, (C2H5)SiH3, 페닐 실란, N2H4, N(SiH3)3, N(CH3)H2, N(C2H5)H2, N(CH3)2H, N(C2H5)2H, N(CH3)3, N(C2H5)3, (SiMe3)2NH, (CH3)HNNH2, (CH3)2NNH2, 페닐 히드라진, N-함유 분자, B2H6, 9-보라비시클로[3,3,1]노난, 디히드로벤젠푸란, 피라졸린, 트리메틸알루미늄, 디메틸아연, 디에틸아연, 그의 라디칼 종 및 이들의 혼합물 중 하나일 수 있다.
바람직하게는, 환원제는 H2, NH3, SiH4, Si2H6, Si3H8, SiH2Me2, SiH2Et2, N(SiH3)3, 그의 수소 라디칼, 또는 이들의 혼합물이다.
플라즈마로 여기된 라디칼의 예로써 수소 라디칼도 포함된다. 플라즈마로 여기된 라디칼은 반응기 내에(이때, 웨이퍼는 두 개의 전극 사이에 위치함), 또는 반응기로부터 멀리 위치한 플라즈마에 의해서 생성될 수 있다. 증착 방법이 화학 증착인 경우에, 개시된 전구체 및 환원 기체는 실질적으로 동시에 반응 챔버 내로 도입될 수 있다. 증착 방법이 원자 층 증착인 경우에, 개시된 전구체 및 환원 기체는 순차적으로 도입될 수 있고, 어떤 경우에는 전구체와 환원 기체 사이에 도입된 불활성 기체 퍼지가 존재할 수 있다.
필름에 어떠한 성분의 증착이 필요하느냐에 따라, 2차 전구체가 반응기 내에 도입될 수 있다. 2차 전구체는 또 다른 원소 공급원으로써, 규소, 구리, 프라세오디뮴, 망간, 루테늄, 티타늄, 탄탈륨, 비스무쓰, 지르코늄, 하프늄, 납, 니오븀, 마그네슘, 알루미늄, 란타늄, 또는 이들의 혼합물 등을 포함한다. 2차 전구체가 사용될 때, 기판 상에 증착되어 생성된 필름은 2개 이상의 상이한 원소를 함유할 수 있다.
상기 니켈 전구체 및 임의의 반응물 또는 전구체는 순차적으로(ALD의 경우) 또는 동시에(CVD의 경우) 반응 챔버 내로 도입될 수 있다. 반응 챔버는, 전구체의 도입과 반응물의 도입 사이에 불활성 기체로 퍼지될 수 있다. 대안적으로, 반응물 및 전구체가 함께 혼합되어 반응물/전구체 혼합물을 형성시킨 다음, 혼합물 형태로 반응기로 도입될 수 있다. 또 다른 대안으로, 어느 하나의 개시된 전구체 또는 임의적인 반응물 또는 전구체가 반응 챔버 내로 도입될 수 있는 반면, 제2 성분(어느 하나의 개시된 전구체 또는 임의의 반응물 또는 전구체)은 반응 챔버 내로 펄스된다(펄스된 CVD).
증기화 된 전구체 및 반응 기체를 반응기 내로 순차적으로 또는 동시에(펄스된 CVD) 펄스화 할 수 있다. 각각의 전구체 펄스는 약 0.01 초 내지 약 10 초, 바람직하게 약 0.3 초 내지 약 3 초, 보다 바람직하게는 약 0.5 초 내지 약 2 초의 범위의 기간 동안 지속될 수 있다. 또 다른 실시양태에서, 반응 기체 또한 반응기 내에 펄스화 될 수 있다. 이러한 실시양태에서, 각각 기체의 펄스는 약 0.01 초 내지 약 10 초, 또는 약 0.3 초 내지 약 3 초, 바람직하게 약 0.5 초 내지 약 2 초의 범위내에서 지속될 수 있다.
구체적인 공정 조건에 따라, 다양하게 시간을 조절하여 증착할 수 있다. 일반적으로, 증착은 필요한 성질의 필름을 제조하기 위해 필요에 따라 반복 실시할 수 있다. 일반적인 필름 두께는 특정 증착 공정에 따라 수 옹스트롬 내지 수백 마이크론까지 다양화할 수 있다.
상기 기술한 공정으로부터 생성된 니켈-함유 필름은 순수한 니켈 (Ni), 질화니켈 (NiN), 탄화니켈 (NiC), 탄소질소화니켈 (NiCN), 규소화니켈 (NikSil), 또는 산화니켈 (NinOm) 필름(여기서, k, l, m, 및 n은 1 이상 6 이하의 범위의 정수이다)을 포함할 수 있다.
이하에서, 본 발명의 전구체에 포함되는 화학식 1로 표시되는 화합물의 합성예 및 이를 이용한 필름형성 제조예에 관하여 실시예를 들어 구체적으로 설명하지만, 본 발명의 하기 실시예로 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1] : 플루오르화된 리간드 합성
질소하에, 50mL 반응 플라스크에 환류 콘덴서를 설치하고 플라스크에 1,1,1,5-테트라플루오르-2,4-펜탄디온 실릴에놀에테르 10 mmole과 1,1,1-트리플루오르-iso-프로필아민 10 mmole을 넣는다. 혼합물을 35분 동안 환류시킨 후 감압하에 증류시켜 상기 화학식의 리간드를 수율 91%로 얻었다.
[실시예 2] : 플루오르화된 리간드 합성
질소하에, 50mL 반응 플라스크에 환류 콘덴서를 설치하고 플라스크에 1,1,1,5-테트라플루오르-2,4-펜타디온 실릴에놀에테르 10 mmole과 헵타플루오르-iso-프로필아민 10 mmole을 넣는다. 혼합물을 35분 동안 환류시킨 후 감압하에 증류시켜 상기 화학식의 리간드를 수율 91%로 얻었다.
[실시예 3] : 니켈-비스베타케토이미네이트의 합성
아세틸아세톤 30mL, 이소프로필아민 25mL, 파라톨루엔설포닉산 0.28g를 혼합하고 24시간동안 140-160℃로 중탕하여 베타케토이미네이트를 33g 얻었다 (수율 80%). 영하 78℃에서 상기 합성된 베타케토이미네이트 24.4mL에 부틸리튬을 적가한 용액을 염화니켈용액과 혼합한 후에 12시간 동안 반응시켜서 비교물질로 상기 화학식 니켈-비스베타케토이미네이트를 18g 얻었다(수율 72%).
[실시예 4] : 플루오르화된 니켈-비스베타케토이미네이트의 합성
상기 실시예 3과 동일한 방법으로 실시예 1 또는 2과 같은 방법으로 제조된 플루오르화된 리간드인 베타케토이미네이트를 첨가하여 니켈 함유 전구체를 얻었다.
[실시예 5] : 플루오르화된 니켈-비스베타케토이미네이트의 열중량 분석
플루오르화된 니켈-비스베타케토이미네이트의 대기 TGA 및 시차 열분석 (DTA)이 각각 표시된다, TGA 결과는 그래프의 상위 왼쪽 부분에서 출발하여 아래 오른쪽을 향하고 DTA 결과는 그래프의 가운데에서 왼쪽에서 출발한다.
플루오르화된 니켈-비스베타케토이미네이트는 대기 TGA 조건에서 잔사를 거의 생성하지 않았다.
[실시예 6] : 플루오르화된 니켈-비스베타케토이미네이트의 증기압 분석
니켈-비스베타케토이미네이트는 139℃에서 0.1 Torr, 160℃에서 1 Torr, 165℃에서 10 Torr의 증기압을 나타내고, 넓은 온도범위에서 온도에 비례하는 안정된 증기압을 생성한다.
[ 실시예 7] : 플루오르화된 니켈-비스베타케토이미네이트를 사용하는 Ni 박막필름의 증착
니켈-비스베타케토이미네이트는 실시예 4에서 개시된 바와 같이 합성되었다.
필름을 증착시켜 형성시키기 위한 한 가지 방식을 하기 실시예를 대표하여 기재한다.
니켈 분자는 캐니스터 내에 위치하고, 니켈 분자 증기는 충분한 증기를 제공하기 위해 가열된 캐니스터 내에 질소를 유동시킴으로써 반응로로 수송되었다. 수소가 ALD 스킴으로 웨이퍼의 표면에 증착된 니켈 전구체의 부분과 반응하기 위해 증착 시스템 내에 투입되어 Ni 필름이 형성되었다. 분석 결과 ALD 모드에 전형적인 포화 상태는 니켈 분자 증기의 투입 시간을 연장할 때 형성된다는 것을 알 수 있었다.
도1에서 나타나듯이, 니켈-비스베타케토이미네이트의 대기 TGA 및 시차 열분석 (DTA)을 각각 볼 수 있는데, TGA 결과는 그래프의 상위 왼쪽 부분에서 출발하여 아래 오른쪽을 향하고 DTA 결과는 그래프의 가운데에서 왼쪽에서 출발하였다. 이로부터 니켈-비스베타케토이미네이트 전구체가 대기 TGA 조건에서 잔사를 거의 생성하지 않았다는 것을 알 수 있었다.
또한 니켈-비스베타케토이미네이트 전구체는 139℃에서 0.1 Torr, 160℃에서 1 Torr, 165℃에서 10 Torr의 증기압을 나타내어, 넓은 온도범위에서 온도에 비례하는 안정된 증기압을 생성한다는 성질이 있다는 것을 확인 할 수 있었다(도 2 내지 5 참고).
이상의 설명은 본 발명을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로, 본 발명에 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가지는 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 명세서에 개시된 실시예들은 본 발명을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 사상과 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위내에 있는 모든 기술은 본 발명의 권리범위에 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
Claims (7)
- 하기 화학식 1로 표시되는 니켈 함유 전구체
<화학식 1>
(상기 화학식 1에서, R1은 선형, 분지형 또는 고리형 C1-C6 플루오르알킬로 이루어진 군으로 부터 선택되고, R2는 할로겐 또는 선형 C1-C6 플루오르알킬이고 R3는 할로겐 또는 선형 C1-C6 플루오르알킬이며, R2와 R3는 서로 상이하다.) - 제 1항에 있어서,
상기 화학식 1의 R1이 1,1,1,3,3,3-헥사플루오르-iso-프로필기 또는 1,1,1-트리플루오르-iso-프로필기, 헵타플루오르-iso-프로필기인 니켈 함유 전구체
- 제 2항에 있어서, 상기 R2는 플루오르이고 R3는 선형 C1-C6 플루오르알킬인 니켈 함유 전구체
- 제 2항에 있어서, 상기 R2는 선형 C1-C6 플루오르알킬이고 R3는 플루오르인 니켈 함유 전구체
- 제 1항에 있어서, 상기 화학식 1의 R1이 헵타플루오르-iso-프로필기이고, R2 및 R3이 서로 상이하게 플루오르기 또는 트리플루오르메틸기인 니켈 함유 전구체
- 하기 화학식 1로 표시되는 니켈 함유 전구체를 내부에 하나 이상의 기판이 배치되어 있는 반응기 내로 도입시키는 단계, 니켈 함유 전구체의 적어도 일부를 하나 이상의 기판 상에 증착시켜 니켈 함유 필름을 형성시키는 단계를 포함하는 니켈 함유 필름 증착방법
<화학식 1>
(상기 화학식 1에서, R1은 선형, 분지형 또는 고리형 C1-C6 플루오르알킬로 이루어진 군으로 부터 선택되고, R2는 할로겐 또는 선형 C1-C6 플루오르알킬이고 R3는 할로겐 또는 선형 C1-C6 플루오르알킬이며, R2와 R3는 서로 상이하다.)
- 제 6항에 있어서, 상기 화학식 1의 R1이 헵타플루오르-iso-프로필기이고, R2 및 R3이 서로 상이하게 플루오르기 또는 트리플루오르메틸기인 것을 특징으로 하는 증착방법
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20140164951 | 2014-11-25 | ||
| KR1020140164951 | 2014-11-25 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20160062675A true KR20160062675A (ko) | 2016-06-02 |
Family
ID=56135778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020150126237A KR20160062675A (ko) | 2014-11-25 | 2015-09-07 | 신규 니켈-비스베타케토이미네이트 전구체 및 이를 이용한 니켈 함유 필름 증착방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20160062675A (ko) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20070074516A (ko) | 2004-12-30 | 2007-07-12 | 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드 | 휘발성 금속 베타-케토이미네이트 및 금속베타-디이미네이트 착물 |
| KR20130062421A (ko) | 2011-11-15 | 2013-06-13 | 주식회사 엔에스피에스 | 인스턴스 무료통화 서비스 처리 시스템 및 방법 |
| KR20140085461A (ko) | 2011-09-27 | 2014-07-07 | 레르 리키드 쏘시에떼 아노님 뿌르 레？드 에렉스뿔라따시옹 데 프로세데 조르즈 클로드 | 니켈 비스 디아자부타디엔 전구체, 그들의 합성, 및 니켈 함유 필름 침착을 위한 그들의 용도 |
-
2015
- 2015-09-07 KR KR1020150126237A patent/KR20160062675A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20070074516A (ko) | 2004-12-30 | 2007-07-12 | 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드 | 휘발성 금속 베타-케토이미네이트 및 금속베타-디이미네이트 착물 |
| KR20140085461A (ko) | 2011-09-27 | 2014-07-07 | 레르 리키드 쏘시에떼 아노님 뿌르 레？드 에렉스뿔라따시옹 데 프로세데 조르즈 클로드 | 니켈 비스 디아자부타디엔 전구체, 그들의 합성, 및 니켈 함유 필름 침착을 위한 그들의 용도 |
| KR20130062421A (ko) | 2011-11-15 | 2013-06-13 | 주식회사 엔에스피에스 | 인스턴스 무료통화 서비스 처리 시스템 및 방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6596737B2 (ja) | アミドイミン配位子を含む金属複合体 | |
| US9206507B2 (en) | Nickel bis diazabutadiene precursors, their synthesis, and their use for nickel containing films depositions | |
| KR101659725B1 (ko) | 휘발성 디하이드로피라지닐 및 디하이드로피라진 금속 착화합물 | |
| US10106887B2 (en) | Group 5 transition metal-containing compounds for vapor deposition of group 5 transition metal-containing films | |
| US9416443B2 (en) | Method for the deposition of a ruthenium containing film using arene diazadiene ruthenium(0) precursors | |
| US20140235054A1 (en) | Tungsten diazabutadiene precursors, their synthesis, and their use for tungsten containing film depositions | |
| TWI846016B (zh) | 含有環戊二烯配位基之金屬錯合物以及形成含金屬之膜之方法 | |
| US9121093B2 (en) | Bis-ketoiminate copper precursors for deposition of copper-containing films and methods thereof | |
| JP6193260B2 (ja) | ニッケル含有膜堆積用ニッケルアリルアミジナート前駆体 | |
| US10309010B2 (en) | Cobalt-containing compounds, their synthesis, and use in cobalt-containing film deposition | |
| EP3510038B1 (en) | Metal complexes containing allyl ligands | |
| US8686138B2 (en) | Heteroleptic pyrrolecarbaldimine precursors | |
| WO2013015947A2 (en) | Heteroleptic (allyl)(pyrroles-2-aldiminate) metal-containing precursors, their synthesis and vapor deposition thereof to deposit metal-containing films | |
| KR20110041498A (ko) | 기재 상에 탄탈-함유 층의 형성 방법 | |
| KR102209476B1 (ko) | 코발트-함유 화합물, 이의 합성, 및 코발트-함유 필름 침착에서의 용도 | |
| KR20210058370A (ko) | 텅스텐 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용한 텅스텐 함유 박막 및 이의 제조방법 | |
| US20140106071A1 (en) | Group 5 cyclopentadienyl transition metal-containing precursors for deposition of group 5 transition metal-cointaining films | |
| KR20210058289A (ko) | 텅스텐 전구체, 이의 제조방법 및 이를 이용한 텅스텐 함유 박막 및 이의 제조방법 | |
| KR20160062675A (ko) | 신규 니켈-비스베타케토이미네이트 전구체 및 이를 이용한 니켈 함유 필름 증착방법 | |
| US9738971B2 (en) | Vapor deposition methods to form group 8-containing films | |
| TW202402774A (zh) | 供化學氣相沉積(cvd)及原子層沉積(ald)應用之具有磷基配位體之金屬羰基錯合物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal |