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KR20160053243A - 디스플레이 장치 - Google Patents

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KR20160053243A
KR20160053243A KR1020140150633A KR20140150633A KR20160053243A KR 20160053243 A KR20160053243 A KR 20160053243A KR 1020140150633 A KR1020140150633 A KR 1020140150633A KR 20140150633 A KR20140150633 A KR 20140150633A KR 20160053243 A KR20160053243 A KR 20160053243A
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KR
South Korea
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wiring
connection wiring
electrode
insulating layer
layer
Prior art date
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KR1020140150633A
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권도현
김태현
심동환
심수연
이민정
이성은
이정규
조승환
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삼성디스플레이 주식회사
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Publication date
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Abstract

본 발명의 일 실시예는 복수의 화소들을 통해 화상이 표시되는 표시영역 및 상기 표시영역 주변의 비표시영역을 포함하는 기판; 상기 표시영역에 형성되고, 상기 화소들 각각에 전기적 신호를 전달하는 제1 배선 및 제2 배선; 기판의 비표시영역에 형성되고, 상기 제1 배선 및 상기 제2 배선에 각각 연결되며, 교차하도록 서로 다른 방향을 향해 연장되는 제1 연결배선 및 제2 연결배선; 및 상기 기판 상에 형성되며, 상기 표시영역에 대응되는 제1 부분 및 상기 제1 연결배선과 상기 제2 연결배선이 교차하는 영역에 대응되는 제2 부분을 구비하는 절연층;을 포함하며, 상기 제1 부분과 상기 제2 부분의 두께는 서로 다른, 디스플레이 장치를 개시한다.

Description

디스플레이 장치{Display apparatus}
본 발명의 실시예들은 디스플레이 장치에 관한 것이다.
근래에 디스플레이 장치는 그 용도가 다양해지고 있다. 또한, 디스플레이 장치의 두께가 얇아지고 무게가 가벼워 그 사용의 범위가 광범위해지고 있는 추세이다.
특히, 근래에 디스플레이 장치는 휴대가 가능한 박형의 평판 형태의 표시 장치로 대체되는 추세이다.
디스플레이 장치는 사용자가 인식할 수 있도록 하나 이상의 가시 광선을 구현하는 표시 영역을 포함한다. 또한, 이러한 표시 영역에는 가시 광선을 구현하기 위하여 필요한 하나 이상의 배선이 형성될 수 있다.
디스플레이 장치는 표시 영역외에 다양한 목적을 위하여 비표시 영역, 즉 사용자가 볼 때 가시 광선을 구현하지 않는 영역을 포함한다. 이러한 비표시 영역에는 표시 영역으로 연결되는 복수의 배선들이 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예들은 디스플레이 장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시예는 복수의 화소들을 통해 화상이 표시되는 표시영역 및 상기 표시영역 주변의 비표시영역을 포함하는 기판; 상기 표시영역에 형성되고, 상기 화소들 각각에 전기적 신호를 전달하는 제1 배선 및 제2 배선; 기판의 비표시영역에 형성되고, 상기 제1 배선 및 상기 제2 배선에 각각 연결되며, 교차하도록 서로 다른 방향을 향해 연장되는 제1 연결배선 및 제2 연결배선; 및 상기 기판 상에 형성되며, 상기 표시영역에 대응되는 제1 부분 및 상기 제1 연결배선과 상기 제2 연결배선이 교차하는 영역에 대응되는 제2 부분을 구비하는 절연층;을 포함하며, 상기 제1 부분과 상기 제2 부분의 두께는 서로 다른, 디스플레이 장치를 제공한다.
본 실시예에서, 상기 제1 연결배선과 상기 제2 연결배선은 서로 다른 층에 위치하고, 상기 절연층의 상기 제2 부분은 상기 제1 연결배선과 상기 제2 연결배선 사이에 개재될 수 있다.
본 실시예에서, 상기 표시영역에 위치하며 순차적으로 적층된 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 스토리지 커패시터를 포함하고, 상기 절연층의 상기 제1 부분은 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 개재될 수 있다.
본 실시예에서, 상기 제2 부분의 두께는 상기 제1 부분의 두께 보다 클 수 있다.
본 실시예에서, 상기 제1 연결배선과 상기 제2 연결배선은 각각 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극과 동일층에 동일물질로 형성될 수 있다.
본 실시예에서, 상기 화소들 각각은 데이터 신호를 전달하는 데이터선, 구동 전압을 전달하는 구동 전압선, 및 초기화 전압을 전달하는 초기화 전압선과 전기적으로 연결되며, 상기 제1 배선은 상기 데이터선, 상기 구동 전압선, 및 상기 초기화 전압선 중 어느 하나이며, 상기 제2 배선은 상기 데이터선, 상기 구동 전압선, 및 상기 초기화 전압선 중 나머지 하나일 수 있다.
본 실시예에서, 상기 제1 배선과 상기 제1 연결배선은 서로 다른 층에 위치하며, 콘택홀을 통해 전기적으로 연결될 수 있다.
본 실시예에서, 상기 제1 배선과 상기 제1 연결배선은 동일 층에 위치할 수 있다.
본 실시예에서, 상기 제2 배선과 상기 제2 연결배선은 서로 다른 층에 위치하며 콘택홀을 통해 전기적으로 연결될 수 있다.
본 실시예에서, 상기 절연층의 상기 제2 부분의 두께는 2000Å이거나 그 보다 클 수 있다.
본 실시예에서, 상기 절연층의 상기 제1 부분의 두께는 1200Å이거나 그 보다 작을 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.
본 발명의 실시예들은 배선간 쇼트를 방지한 디스플레이 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 2는 도 1의 S를 확대한 평면도이다.
도 3은 도 2의 Ⅲa-Ⅲa선 및 Ⅲb-Ⅲb 선을 따라 취한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예로서 도 1의 S를 확대한 평면도이다.
도 5는 도 4의 Ⅴa-Ⅴa선 및 Ⅴb-Ⅴb 선을 따라 취한 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치는 기판(101)상에 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)을 포함한다.
기판(10)은 광투광성을 가지며, 유리재, 또는 플라스틱재로 형성될 수 있다. 플라스틱재는 PET(Polyethylen terephthalate), PEN(Polyethylen naphthalate), 폴리이미드(Polyimide) 와 같은 다양한 재료로 형성될 수 있다.
표시 영역(DA)은 화상을 구현하도록 복수의 화소들(P)을 구비한다. 각 화소(P)는 복수의 박막트랜지스터(T1 내지 T7) 및 스토리지 커패시터(storage capacitor, Cst)를 포함할 수 있다. 그리고, 화소(P)는 박막트랜지스터(T1 내지 T7) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 통해 구동 전압을 전달받아 발광하는 표시소자, 예컨대 유기 발광 소자(organic light emitting diode, OLED)를 포함할 수 있다.
일 실시예로서, 복수의 박막트랜지스터는 구동 박막트랜지스터(T1), 및 데이터 전달 박막트랜지스터(T2), 보상 박막트랜지스터(T3), 제1 초기화 박막트랜지스터(T4), 제1 발광 제어 박막트랜지스터(T5), 제2 발광 제어 박막트랜지스터(T6) 및 제2 초기화 박막트랜지스터(T7)를 포함하는 복수의 스위칭 박막트랜지스터들을 포함할 수 있다.
화소(P)는 제1 방향을 따라 연장되는 제1 주사선(SLn), 제2 주사선(SLn-1) 및 발광 제어선(ELn)을 포함할 수 있고, 제2 방향을 따라 연장되는 데이터선(DLn), 구동 전압선(PL), 및 초기화 전압선(VL)을 포함할 수 있다.
제1 주사선(SLn)은 데이터 전달 박막트랜지스터(T2) 및 보상 박막트랜지스터(T3)에 제1 주사 신호를 전달할 수 있고, 제2 주사선(SLn-1)은 제1 초기화 박막트랜지스터(T4) 및 제2 초기화 박막트랜지스터(T7)에 제2 주사 신호를 전달할 수 있으며, 발광 제어선(ELn)은 제1 발광 제어 박막트랜지스터(T5) 및 제2 발광 제어 박막트랜지스터(T6)에 발광 제어 신호를 전달할 수 있다. 데이터선(DLn)은 화소(P)에 데이터 신호를 전달할 수 있고, 구동 전압선(PL)은 화소(P)에 제1 전원전압을 전달할 수 있으며, 초기화 전압선(VL)은 구동 박막트랜지스터(T1)를 초기화하는 초기화 전압을 전달할 수 있다.
본 실시예에서는 박막트랜지스터가 7개인 경우를 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정하지 않으며, 다른 실시예에서 박막트랜지스터의 개수는 변경될 수 있다.
본 실시예에서는 주사선이 2개인 경우를 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정하지 않으며, 다른 실시예에서 주사선의 개수는 변경될 수 있다.
본 실시예에서는, 화소(P) 각각이 데이터선(DLn), 구동 전압선(PL), 및 초기화 전압선(VL)을 포함하여 이들과 전기적으로 연결된 경우를 도시하였으나, 본 발명은 이에 한정하지 않는다. 일부 실시예에서, 구동 전압선(PL) 또는/및 초기화 전압선(VL)은 이웃하는 화소들(P)간에 공유될 수 있다.
비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)에 인접하도록 배치된다. 일 실시예로서 도 1에 도시한 것과 같이 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 또 다른 실시예로서 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)의 일 측에 인접하도록 배치될 수 있다.
비표시 영역(NDA)은 패드부(18), 전압제공선(미도시) 및 연결 영역(POA)을 포함할 수 있다.
패드부(18)에는 드라이버 IC(미도시)가 실장될 수 있다. 드라이버 IC는 COG(chip on glass) 타입으로, 드라이버 IC(미도시)의 일측은 기판(10) 상에 형성된 패드부(18)와 전기적으로 접속하는 접속 단자(미도시)를 포함할 수 있다.
연결 영역(POA)은 비표시 영역(NDA) 중 표시 영역(DA)과 접한 영역들 중 일 영역이다. 연결 영역(POA)에는, 패드부(18)와 표시 영역(DA)을 연결하여 패드부(18)에 장착된 드라이버 IC로부터 신호를 전달하는 팬아웃배선들, 및 전압제공선(미도시)과 표시 영역(DA)을 연결하여 전압을 제공하는 인입배선들이 구비될 수 있다.
도 2는 도 1의 S 부분을 확대한 도면이다.
표시 영역(DA)에는 제2 방향을 향해 길게 연장된 제1 배선(110) 및 제2 배선(120)이 위치하며, 연결 영역(POA)에는 제1 배선(110)과 연결된 제1 연결배선(210) 및 제2 배선(120)과 연결된 제2 연결배선(220)이 위치한다.
제1 배선(110)과 제2 배선(120)은 동일층에 동일물질로 형성될 수 있다. 제2 배선(110)은 데이터선(DLn), 초기화 전압선(VL) 및 구동 전압선(PL) 중 어느 하나이며 제2 배선(120)은 나머지 하나일 수 있다. 일 실시예로, 제1 배선(110)은 데이터선(DLn)이고 제2 배선(120)은 초기화 전압선(VL) 일 수 있다. 또 다른 실시예로, 제1 배선(110)은 초기화 전압선(VL) 이고 제2 배선(120)은 구동 전압선(PL)일 수 있다. 또 다른 실시예로, 제1 배선(110)은 구동 전압선(PL)이고 제2 배선(120)은 데이터선(DLn)일 수 있다.
제1 연결배선(210)은 제1 배선(110)과 다른 층에 위치하며, 콘택홀(Cnt)을 통해 제1 배선(110)과 연결될 수 있다. 일 실시예로, 제1 배선(110)이 데이터선(DLn)인 경우, 제1 연결배선(210)은 드라이버 IC의 데이터 구동부(미도시)로부터 제1 배선(110)으로 데이터 신호를 전달하는 팬아웃배선일 수 있다. 또 따른 실시예로, 제1 배선(110)이 초기화 전압선(VL)인 경우, 제1 연결배선(210)은 초기화 전압제공선(미도시)로부터 제1 배선(110)으로 초기화 전압을 인가하기 위한 인입배선일 수 있다. 또 다른 실시예로, 제1 배선(110)이 구동 전압선(PL)인 경우, 제1 연결배선(210)은 구동 전압제공선(미도시)로부터 제1 배선(110)으로 구동 전압을 인가하기 위한 인입배선일 수 있다.
제2 연결배선(220)은 제2 배선(120)과 다른 층에 위치하며, 콘택홀(Cnt)을 통해 제2 배선(120)과 연결될 수 있다. 일 실시예로, 제2 배선(120)이 초기화 전압선(VL)인 경우, 제2 연결배선(220)은 초기화 전압제공선(미도시)로부터 제2 배선(120)으로 초기화 전압을 인가하기 위한 인입배선일 수 있다. 또 다른 실시예로, 제2 배선(120)이 구동 전압선(PL)인 경우, 제2 연결배선(220)은 구동 전압제공선(미도시)로부터 제2 배선(120)으로 구동전압을 인가하기 위한 인입배선일 수 있다. 또 다른 실시예로, 제2 배선(120)이 데이터선(DLn)인 경우, 제2 연결배선(220)은 드라이버 IC의 데이터 구동부(미도시)로부터 제2 배선(120)으로 데이터 신호를 전달하는 팬아웃배선일 수 있다.
제1 연결배선(210)과 제2 연결배선(220)은 다른 층에 위치하고, 서로 다른 방향을 향해 연장된다. 따라서, 비표시 영역(DA)에는 제1,2 연결배선(210, 220)이 교차하는 복수의 교차영역(A)이 형성된다.
도 3은 도 2의 Ⅲa-Ⅲa선 및 Ⅲb-Ⅲb 선을 따라 취한 단면도이다.
도 3의 Ⅲa-Ⅲa선에 따른 단면도를 참조하면, 기판(10) 상에는 버퍼층(11)이 형성되고, 버퍼층(11) 상에 활성층들(21, 22)이 형성된다. 버퍼층(11)은 평활한 면을 형성하고 불순 원소가 침투하는 것을 차단한다. 버퍼층(11)은 실리콘질화물(SiNx) 및/또는 실리콘산화물(SiOx)과 같은 무기물로 단층 또는 복수층으로 형성될 수 있다.
활성층들(21, 22)은 비정질 실리콘으로 형성되거나 다결정 실리콘층으로 형성되거나, G-I-Z-O층 [(In2O3)a(Ga2O3)b(ZnO)c층](a, b, c는 각각 a=0, b=0, c＞0의 조건을 만족시키는 실수)와 같은 산화물 반도체로 형성될 수 있다.
활성층들(21, 22)중 불순물이 도핑된 영역은 소스전극 및 드레인 전극에 상응한다. 불순물은 박막트랜지스터의 종류에 따라 달라지며, N형 불순물 또는 P형 불순물이 가능하다. 도 3에는 불순물이 도핑되지 않은 구동 박막트랜지스터(T1, 도 1 참조)의 활성층(21)의 일부와 제2 발광 제어 박막트랜지스터(T6, 도 1 참조)의 활성층(22)의 일부(22c), 및 불순물이 도핑된 제2 발광 제어 박막트랜지스터(T6)의 소스전극(22s)과 드레인전극(22d)이 도시되었다.
활성층들(21, 22) 상에는 게이트 절연막인 제1 절연층(12)이 형성되고, 제1 절연층 상에 스토리지 커패시터(Cst)의 제1 전극(31) 및 게이트 전극(23)이 형성될 수 있다.
제1 절연층(12)은 예를 들어, SiO2, SiNx, SiON, Al2O3, TiO2, Ta2O5, HfO2, ZrO2, BST, PZT 와 같은 무기물로 형성할 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)의 제1 전극(31) 및 게이트 전극(23)은 예를 들어, 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 가운데 선택된 하나 이상의 금속으로 단층 또는 복수층으로 형성될 수 있다. 일 실시예로, 스토리지 커패시터(Cst)의 제1 전극(31)은 활성층(21) 상에 형성될 수 있으며, 구동 박막트랜지스터(T1, 도 1 참조)의 게이트 전극으로의 기능을 동시에 수행할 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)의 제1 전극(31) 및 게이트 전극(23) 상에는 제2 절연층(13)이 형성되고, 제2 절연층(13) 상에 스토리지 커패시터(Cst)의 제2 전극(32)이 형성된다.
제2 절연층(13)은 예를 들어, SiO2, SiNx, SiON, Al2O3, TiO2, Ta2O5, HfO2, ZrO2, BST, PZT 와 같은 무기물로 형성할 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)의 제2 전극(32)은 예를 들어, 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 가운데 선택된 하나 이상의 금속으로 단층 또는 복수층으로 형성될 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)의 제2 전극(32) 상에는 층간 절연막인 제3 절연층(14)이 형성되고, 제3 절연층(14) 상에는 제1,2 배선(110, 120) 및 커버메탈(24)이 형성될 수 있다.
제3 절연층(14)은 예를 들어, SiO2, SiNx, SiON, Al2O3, TiO2, Ta2O5, HfO2, ZrO2, BST, PZT 와 같은 무기물로 형성된 단일층 또는 복수층을 포함할 수 있다.
제1,2 배선(110, 120) 및 커버메탈(24)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 니켈(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 가운데 선택된 하나 이상의 금속으로 단층 또는 복수층으로 형성될 수 있다.
제1,2 배선(110, 120)은 전술한 바와 같이 신호 또는 전압을 전달하기 위한 배선으로, 제3 절연층(14)을 사이에 두고 스토리지 커패시터(Cst) 상에 형성될 수 있다.
커버메탈(24)은 소스전극(22S) 및 드레인전극(22D)중 어느 하나를 화소전극(41)과 전기적으로 연결한다. 커버메탈(24)은 제3 절연층(14)에 형성된 비아홀을 통해 소스전극(22S) 및 드레인전극(22D)중 어느 하나와 연결되며, 화소전극(41)은 제4 절연층(15)에 형성된 비아홀을 통해 커버메탈(24)과 연결될 수 있다.
제4 절연층(15)은 평탄화막으로, 제1,2 배선(110, 120) 및 커버메탈(24)을 덮을 수 있다. 제4 절연층(15)은 유기물을 포함할 수 있다. 제4 절연층(15) 상에는 화소전극(41)이 형성되며, 화소전극(41)은 제4 절연층(15)에 형성된 비아홀을 통해 커버메탈(24)과 연결될 수 있다. 화소전극(41) 상에는 화소전극(41)의 상부를 노출시키는 개구를 포함하는 화소정의막인 제5 절연층(16)이 형성된다.
제5 절연층(16)의 개구에는 발광층을 포함하는 중간층(42)이 형성된다. 발광층은 적색, 녹색, 청색, 백색에 해당하는 빛을 방출할 수 있는 저분자 유기물 또는/및 고분자 유기물을 포함할 수 있다 중간층(42)은 발광층 이외에 정공 주입층(HIL:hole injection layer), 정공 수송층(HTL: hole transport layer), 전자 수송층(ETL: electron transport layer) 및 전자 주입층(EIL: electron injection layer) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또 다른 실시예로, 중간층(42)은 기타 다양한 기능층을 더 구비될 수 있다.
중간층(42) 상에는 대향전극(43)이 형성되며, 화소전극(41)과 대향전극(43)에서 주입된 정공과 전자가 유기 발광층에서 결합하여 생성된 엑시톤(exiton)이 여기 상태(exited state)로부터 기저 상태(ground state)로 떨어지면서 빛을 발생할 수 있다.
본 실시예에서는, 화소전극(41)과 대향전극(43) 사이에 유기물을 포함하는 발광층을 구비한 중간층이 개재되는 경우를 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 또 다른 실시예에서, 화소전극(41)과 대향전극(43) 사이에는 액정층이 개재될 수 있다.
도 2 및 도 3의 Ⅲb-Ⅲb선에 따른 단면도를 참조하면, 버퍼층(11) 및 제1 절연층(12)이 형성된 기판(10) 상에, 서로 다른 방향으로 연장된 제1,2 연결배선(210, 220)이 형성된다.
제1,2 연결배선(210, 220)은 서로 다른 층에 형성된다. 제1 연결배선(210)은 스토리지 커패시터(Cst)의 제2 전극(32)과 동일층에 동일물질로 형성되며, 제2 연결배선(220)은 스토리지 커패시터(Cst)의 제1 전극(31)과 동일층에 동일물질로 형성된다.
제1 연결배선(210) 및 제2 연결배선(220) 각각은 도 2를 참조하여 설명한 바와 같이, 콘택홀(Cnt)을 통해 제1 배선(110) 및 제2 배선(120)과 연결되며, 교차영역(A)에서 서로 중첩될 수 있다.
교차영역(A)에서는 제1 연결배선(210)의 일부와 제2 연결배선(220)의 일부가 중첩되며 이들 사이에는 제2 절연층(13)의 제2 부분(13b)이 개재된다. 제2 절연층(13)은 제1 부분(13a)이 스토리지 커패시터(Cst)의 제1,2 전극(31, 32) 사이에 개재되도록 기판의 전면(全面)에 형성된다.
스토리지 커패시터(Cst)의 제1,2 전극(31, 32) 사이에 개재된 제2 절연층(13)은 스토리지 커패시터(Cst)의 커패시턴스를 결정할 수 있다. 만약 제2 절연층(13)이 두껍게 형성된다면, 디스플레이 장치는 충분한 커패시턴스를 확보할 수 없게 된다. 충분한 커패시턴스를 확보하기 위하여 제2 절연층(13)을 얇게 형성한다면, 교차영역(A)에서 제1,2 연결배선(210, 220)을 전기적으로 절연시키는 제2 절연층(13)의 두께가 얇아 제1,2 연결배선(210, 220) 사이에 수직 방향으로의 쇼트(vertical short)가 발생할 염려가 있다.
그러나, 본 발명의 실시예들에 따르면, 부분별로 제2 절연층(13)의 두께를 다르게 함으로써 충분한 커패시턴스를 확보하면서 동시에 제1,2 연결배선(210, 220) 간의 수직 방향으로의 쇼트 발생을 방지할 수 있다. 예를 들어, 제2 절연층(13)의 제조시 하프톤 마스크를 이용하여 제2 절연층(13)의 제1 부분(13a)의 두께(t1)를 제2 절연층(13)의 제2 부분(13b)의 두께(t2)보다 얇게 형성할 수 있다. 본 발명의 일 실시예로, 제2 절연층(13)의 제1 부분(13a)의 두께(t1)는 약 1200Å이거나 그보다 작게 형성하여 충분한 커패시턴스를 확보하며, 제2 절연층(13)의 제2 부분(13b)의 두께(t2)는 약 2000Å이거나 그 보다 크게 형성하여 수직 방향으로의 쇼트를 방지할 수 있다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예로서, 도 1의 S를 확대한 평면도이다.
도 4를 참조하면, 표시 영역(DA)에는 제2 방향을 향해 길게 연장된 제1 배선(110) 및 제2 배선(120)이 위치한다. 연결 영역(POA)에는 제1 배선(110)과 연결된 제1 연결배선(210) 및 제2 배선(120)과 연결된 제2 연결배선(220)이 위치한다.
제1 배선(110)과 제2 배선(120)은 동일층에 동일물질로 형성될 수 있다. 제2 배선(110)은 데이터선(DLn), 초기화 전압선(VL) 및 구동 전압선(PL) 중 어느 하나이며 제2 배선(120)은 나머지 하나일 수 있음은 전술한 바와 마찬가지이다.
본 실시예에 따르면, 제1 연결배선(210')은 제1 배선(110)과 동일층에 위치하고, 제2 연결배선(220)은 제2 배선(120)과 다른 층에 위치하여 콘택홀(Cnt)을 통해 제2 배선(120)과 연결될 수 있다.
제1 연결배선(210')과 제2 연결배선(220)은 다른 층에 위치하고, 서로 다른 방향을 향해 연장된다. 따라서, 비표시 영역(DA)에는 제1,2 연결배선(210', 220)이 교차하는 복수의 교차영역(A)이 형성된다.
도 5는 도 4의 Ⅴa-Ⅴa선 및 Ⅴb-Ⅴb 선을 따라 취한 단면도이다.
도 5의 Ⅴa-Ⅴa선에 따른 단면을 참조하면, 스토리지 커패시터(Cst)의 제1 전극(31)은 도 3을 참조하여 설명한 바와 같이 게이트 전극(23)과 동일층에 동일물질로 형성될 수 있고, 스토리지 커패시터(Cst)의 제2 전극(32')은 제1,2 배선(110, 120)과 동일층에 형성될 수 있다. 제1,2 배선(110, 120)과 스토리지 커패시터(Cst)의 제2 전극(32')을 동일층에 형성함으로서, 디스플레이 장치를 형성하는 마스크 공정을 감소시킬 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)의 제1 전극(31)과 제2 전극(32') 사이에는 제3 절연층(14')이 개재되어, 스토리지 커패시터(Cst)의 용량을 결정할 수 있다.
도 5의 Ⅴb-Ⅴb 선에 따른 단면을 참조하면, 제1,2 연결배선(210', 220)은 서로 다른 층에 형성된다. 제1 연결배선(210')은 스토리지 커패시터(Cst)의 제2 전극(32)과 동일층에 동일물질로 형성되며, 제2 연결배선(220)은 스토리지 커패시터(Cst)의 제1 전극(31)과 동일층에 동일물질로 형성된다.
제1 연결배선(210') 및 제2 연결배선(220) 각각은 도 4를 참조하여 설명한 바와 같이, 제1 배선(110) 및 제2 배선(120)과 연결되며, 교차영역(A)에서 서로 중첩될 수 있다.
교차영역(A)에서는 제1 연결배선(210')의 일부와 제2 연결배선(220)의 일부가 중첩되며 이들 사이에는 제3 절연층(14')이 개재된다. 제3 절연층(14)은 제1 부분(14a)이 스토리지 커패시터(Cst)의 제1,2 전극(31, 32') 사이에 개재되도록 기판의 전면(全面)에 형성된다.
스토리지 커패시터(Cst)의 제1,2 전극(31, 32') 사이에 개재된 제3 절연층(14')은 스토리지 커패시터(Cst)의 커패시턴스를 결정할 수 있다. 만약 제3 절연층(14')이 두껍게 형성된다면, 디스플레이 장치는 충분한 커패시턴스를 확보할 수 없게 된다. 충분한 커패시턴스를 확보하기 위하여 제3 절연층(14')을 얇게 형성한다면, 교차영역(A)에서 제1,2 연결배선(210', 220)을 전기적으로 절연시키는 제3 절연층(14')의 두께가 얇아 제1,2 연결배선(210, 220) 사이에 수직 방향으로의 쇼트(vertical short)가 발생할 염려가 있다.
그러나, 본 발명의 실시예들에 따르면, 부분별로 제3 절연층(14')의 두께를 다르게 함으로써 충분한 커패시턴스를 확보하면서 동시에 제1,2 연결배선(210', 220) 간의 수직 방향으로의 쇼트 발생을 방지할 수 있다. 예를 들어, 제3 절연층(14')의 제조시 하프톤 마스크를 이용하여 제3 절연층(14')의 제1 부분(14a)의 두께(t1)를 제3 절연층(14)의 제2 부분(14b)의 두께(t2)보다 얇게 형성할 수 있다. 본 발명의 일 실시예로, 제3 절연층(14)의 제1 부분(14a)의 두께(t1)는 약 1200Å이거나 그 보다 작게 형성하여 충분한 커패시턴스를 확보하며, 제3 절연층(14)의 제2 부분(14b)의 두께(t2)는 약 2000Å이거나 그 보다 크게 형성하여 수직 방향으로의 쇼트를 방지할 수 있다.
이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
10: 기판
11: 버퍼층
12: 제1 절연층
13: 제2 절연층
14: 제3 절연층
15: 제4 절연층
16: 제5 절연층
31: 스토리지 커패시터의 제1 전극
32, 32': 스토리지 커패시터의 제2 전극
110: 제1 배선
120: 제2 배선
210, 210': 제1 연결배선
220: 제2 연결배선

Claims (11)

  1. 복수의 화소들을 통해 화상이 표시되는 표시영역 및 상기 표시영역 주변의 비표시영역을 포함하는 기판;
    상기 표시영역에 형성되고, 상기 화소들 각각에 전기적 신호를 전달하는 제1 배선 및 제2 배선;
    기판의 비표시영역에 형성되고, 상기 제1 배선 및 상기 제2 배선에 각각 연결되며, 교차하도록 서로 다른 방향을 향해 연장되는 제1 연결배선 및 제2 연결배선; 및
    상기 기판 상에 형성되며, 상기 표시영역에 대응되는 제1 부분 및 상기 제1 연결배선과 상기 제2 연결배선이 교차하는 영역에 대응되는 제2 부분을 구비하는 절연층;을 포함하며,
    상기 제1 부분과 상기 제2 부분의 두께는 서로 다른, 디스플레이 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 연결배선과 상기 제2 연결배선은 서로 다른 층에 위치하고, 상기 절연층의 상기 제2 부분은 상기 제1 연결배선과 상기 제2 연결배선 사이에 개재되는, 디스플레이 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 표시영역에 위치하며 순차적으로 적층된 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 스토리지 커패시터를 포함하고,
    상기 절연층의 상기 제1 부분은 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 개재되는, 디스플레이 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 부분의 두께는 상기 제1 부분의 두께 보다 큰, 디스플레이 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 제1 연결배선과 상기 제2 연결배선은 각각 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극과 동일층에 동일물질로 형성된, 디스플레이 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 화소들 각각은 데이터 신호를 전달하는 데이터선, 구동 전압을 전달하는 구동 전압선, 및 초기화 전압을 전달하는 초기화 전압선과 전기적으로 연결되며,
    상기 제1 배선은 상기 데이터선, 상기 구동 전압선, 및 상기 초기화 전압선 중 어느 하나이며,
    상기 제2 배선은 상기 데이터선, 상기 구동 전압선, 및 상기 초기화 전압선 중 나머지 하나인, 디스플레이 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 배선과 상기 제1 연결배선은 서로 다른 층에 위치하며, 콘택홀을 통해 전기적으로 연결된, 디스플레이 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 배선과 상기 제1 연결배선은 동일 층에 위치하는, 디스플레이 장치.
  9. 제7항 또는 제8항에 있어서,
    상기 제2 배선과 상기 제2 연결배선은 서로 다른 층에 위치하며 콘택홀을 통해 전기적으로 연결된, 디스플레이 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 절연층의 상기 제2 부분의 두께는 2000Å이거나 그 보다 큰, 디스플레이 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 절연층의 상기 제1 부분의 두께는 1200Å이거나 그 보다 작은, 디스플레이 장치.
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