[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

KR20160052625A - 유기 전계 발광 소자의 제작 방법 및 제작된 유기 전계 발광 소자 - Google Patents

유기 전계 발광 소자의 제작 방법 및 제작된 유기 전계 발광 소자 Download PDF

Info

Publication number
KR20160052625A
KR20160052625A KR1020167008560A KR20167008560A KR20160052625A KR 20160052625 A KR20160052625 A KR 20160052625A KR 1020167008560 A KR1020167008560 A KR 1020167008560A KR 20167008560 A KR20167008560 A KR 20167008560A KR 20160052625 A KR20160052625 A KR 20160052625A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
electrode
substrate
organic
forming
Prior art date
Application number
KR1020167008560A
Other languages
English (en)
Inventor
바이썅 한
Original Assignee
센젠 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 센젠 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 filed Critical 센젠 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드
Publication of KR20160052625A publication Critical patent/KR20160052625A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
    • H01L27/3248—
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
    • H01L27/3246—
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/45—Ohmic electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
    • H01L29/495—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET the conductor material next to the insulator being a simple metal, e.g. W, Mo
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
    • H01L51/0023—
    • H01L51/56—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/621—Providing a shape to conductive layers, e.g. patterning or selective deposition
    • H01L2227/323—
    • H01L2251/308—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
    • H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
    • H10K2102/103—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising indium oxides, e.g. ITO
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

유기 전계 발광 소자의 제작 방법 및 제작된 유기 전계 발광 소자에 있어서，상기 방법은 단계 1: 기판(20)을 제공하는 단계；단계 2: 기판(20) 위에 제1전극(21)을 형성하는 단계；단계 3: 제1전극(21)과 기판(20) 위에 게이트 절연층(22)을 형성하는 단계；단계 4: 게이트 절연층(22) 위에 제2금속층(224) 및 투명 도전층(222)을 포함하는 제2전극(23)을 형성하는 단계；단계 5: 제2전극(23)과 게이트 절연층(22) 위에 산화물 반도체층(24)을 형성하는 단계; 단계 6: 산화물 반도체층(24)과 제2전극(23) 위에 유기 평탄화층(25)을 형성하는 단계; 단계 7: 유기 평탄화층(25)을 마스크로 사용하여 제2전극(23)의 제2금속층(224)을 식각하고, 투명 도전층(222)을 노출시켜 투명 전극(26)을 형성하는 단계를 포함한다.

Description

유기 전계 발광 소자의 제작 방법 및 제작된 유기 전계 발광 소자{METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DEVICE, AND MANUFACTURED ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DEVICE}
본 발명은 평면 디스플레이 분야에 관한 것으로，특히 유기 전계 발광 소자의 제작 방법 및 제작된 유기 전계 발광 소자에 관한 것이다.
평면 디스플레이 장치는 얇은 몸체, 저전력 소모, 무방사선 등 다양한 장점이 있어 광범위하게 응용되고 있다. 종래의 평면 디스플레이 장치는 주로 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display, LCD) 및 유기 발광 다이오드(Orgarnic Light Emitting Diode, OLED)라고도 불리는 유기 전계 발광 소자(Organic Electroluminescence Device, OELD)를 포함한다.
종래의 액정 디스플레이는 일반적으로 백라이트형 액정 디스플레이로서, 하우징, 하우징 내에 설치되는 액정 디스플레이 패널 및 하우징 내에 설치되는 백라이트 모듈(Backlight Module)을 포함한다. 액정 디스플레이 패널의 작동 원리는 두 장의 평행한 유리 기판에 액정분자를 설치하고, 두 장의 유리 기판에 구동 전압을 인가하여 액정 분자의 회전을 제어함으로써, 백라이트 모듈의 빛을 굴절시켜 화면을 생성하는 것이다.
도 1을 참조하면，종래 액정 디스플레이 패널은 일반적으로 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, TFT) 기판(302); 박막 트랜지스터 기판(302)과 마주보여 접합 설치되는 컬러 필터(Color Filter，CF) 기판(304); 및 박막 트랜지스터 기판(302)과 컬러 필터 기판(304) 사이에 설치되는 액정층(306)을 포함하며，박막 트랜지스터 기판(302)이 액정층(306) 내의 액정 분자를 회동시킴으로써 상응하는 화면을 디스플레이한다.
유기 전계 발광 소자는 자가 발광, 고휘도, 광시야각, 고대비도, 휨성, 저전력 소모 등의 특성으로 인해 널리 주목받고 있으며, 또한 차세대 디스플레이 방식으로서 점점 종래의 액정 디스플레이 장치를 대체하기 시작했으며, 핸드폰 스크린, 컴퓨터 모니터, 풀컬러 텔레비전 등의 분야에 광범위하게 응용되고 있다. 유기 전계 발광 소자는 종래의 액정 디스플레이와 달리, 배광원이 필요 없고, 유리기판에 매우 얇은 유기 소재 코팅층을 직접 설치하기만 하면, 전류가 통과할 때 이러한 유기 소재 코팅층이 발광하게 된다.
종래의 유기 전계 발광 소자는 구동 방식에 따라, 수동 매트릭스형 유기 발광 다이오드(Passive-matrix organic light emitting diode, PMOLED) 및 능동 매트릭스형 유기 발광 다이오드(Active-matrix organic light emitting diode, AMOLED)를 포함한다. 그 중, 종래 능동 매트릭스형 유기 발광 다이오드의 단면 구조도인 도 2을 참조하면, 기판(100); 기판(100) 위에 형성되는 게이트(101); 게이트(101) 위에 형성되는 게이트 절연층(102), 게이트 절연층(102) 위에 형성되는 소스/드레인(103); 소스/드레인(103) 위에 형성되는 산화물 반도체층(104); 산화물 반도체층(104) 위에 형성되는 제1유기 평탄화층(105); 제1유기 평탄화층(105) 위에 형성되는 투명 전극(106); 및 제1유기 평탄화층(105)과 투명 전극(106) 위에 형성되는 제2유기 평탄화층(107)을 포함하며, 이 중, 상기 투명 전극(106)은 유기 발광 다이오드의 양극으로서, 통로를 통해 상기 소스/드레인(103) 위에 전기적으로 연결되고，상기 투명 전극(106) 상에는 유기 발광층(미도시) 및 음극(미도시)이 증착되어 있으며，밀봉 커버(미도시)로 밀봉함으로써 능동 매트릭스형 유기 발광 다이오드가 제조될 수 있으며，이의 생산 공정은 일반적으로 8~9 차례의 포토마스크 공정이 요구되어 비교적 복잡하고, 원가가 상대적으로 높은 편이다.
본 발명의 목적은 제조 공정이 간단하고, 생산 원가를 효과적으로 절감할 수 있는 유기 전계 발광 소자의 제작 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 제조 공정이 간단하고, 두께가 얇으며, 생산 원가가 비교적 낮은 유기 전계 발광 소자를 제공하는 것이다.
상기 목적을 실현하기 위하여 본 발명은,
단계 1: 기판을 제공하는 단계；
단계 2: 기판 위에 제1금속층을 형성하고，상기 제1금속층을 패턴화하여 제1전극을 형성하는 단계；
단계 3: 제1전극과 기판 위에 게이트 절연층을 형성하는 단계；
단계 4: 게이트 절연층 위에 투명 도전층과 제2금속층을 순차적으로 형성하고, 상기 제2금속층과 투명 도전층을 패턴화하여, 제2금속층 및 제2금속층 하부에 위치하는 투명 도전층을 포함하는 제2전극을 형성하는 단계；
단계 5: 제2전극과 게이트 절연층 위에 산화물 반도체층을 형성하고，상기 산화물 반도체층을 패턴화하는 단계;
단계 6: 산화물 반도체층과 제2전극 위에 유기 평탄화층을 형성하고, 상기 유기 평탄화층을 패턴화하는 단계;
단계 7: 유기 평탄화층을 마스크로 사용하여 제2전극의 제2금속층을 식각하고, 투명 도전층을 노출시켜 투명 전극을 형성하는 단계;
를 포함하는 유기 전계 발광 소자의 제작 방법을 제공한다.
상기 유기 전계 발광 소자의 제작 방법은,
단계 8: 유기 평탄화층 위에 스페이서층을 형성하는 단계;
단계 9: 투명 전극 위에 유기 기능층과 음극을 증착하는 단계;
단계 10: 밀봉 커버를 제공하여, 밀봉하는 단계;를 더 포함한다.
상기 단계 1은 기판을 제공하여 세척한 후, 기판 위에 버퍼층을 형성하는 것을 포함한다.
상기 단계 2에서，상기 제1금속층은 상기 버퍼층 위에 형성된다.
상기 제1금속층과 제2금속층은 알루미늄 및 몰리브덴 중의 적어도 하나를 포함하고; 상기 투명 도전층은 산화 인듐 주석 및 은 중의 적어도 하나를 포함하며; 상기 기판과 밀봉 커버는 모두 유리 기판이다.
상기 유기 기능층은 투명 전극 위에 형성되는 정공 수송층, 정공 수송층 위에 형성되는 유기 발광층, 및 유기 발광층 위에 형성되는 전자 수송층을 포함한다.
본 발명은,
단계 1: 기판을 제공하는 단계；
단계 2: 기판 위에 제1금속층을 형성하고，상기 제1금속층을 패턴화하여 제1전극을 형성하는 단계；
단계 3: 제1전극과 기판 위에 게이트 절연층을 형성하는 단계；
단계 4: 게이트 절연층 위에 투명 도전층과 제2금속층을 순차적으로 형성하고, 상기 제2금속층과 투명 도전층을 패턴화하여, 제2금속층 및 제2금속층 하부에 위치하는 투명 도전층을 포함하는 제2전극을 형성하는 단계；
단계 5: 제2전극과 게이트 절연층 위에 산화물 반도체층을 형성하고，상기 산화물 반도체층을 패턴화하는 단계;
단계 6: 산화물 반도체층과 제2전극 위에 유기 평탄화층을 형성하고, 상기 유기 평탄화층을 패턴화하는 단계;
단계 7: 유기 평탄화층을 마스크로 사용하여 제2전극의 제2금속층을 식각하고, 투명 도전층을 노출시켜 투명 전극을 형성하는 단계;를 포함하며,
단계 8: 유기 평탄화층 위에 스페이서층을 형성하는 단계;
단계 9: 투명 전극 위에 유기 기능층과 음극을 증착하는 단계;
단계 10: 밀봉 커버를 제공하여, 밀봉하는 단계;
를 더 포함하는 유기 전계 발광 소자의 제작 방법을 더 제공한다.
상기 단계 1은 기판을 제공하여 세척한 후, 기판 위에 버퍼층을 형성하는 것을 포함한다.
상기 단계 2에서，상기 제1금속층은 상기 버퍼층 위에 형성된다.
상기 제1금속층과 제2금속층은 알루미늄 및 몰리브덴 중의 적어도 하나를 포함하고; 상기 투명 도전층은 산화 인듐 주석 및 은 중의 적어도 하나를 포함하며; 상기 기판과 밀봉 커버는 모두 유리 기판이다.
상기 유기 기능층은 투명 전극 위에 형성되는 정공 수송층, 정공 수송층 위에 형성되는 유기 발광층, 및 유기 발광층 위에 형성되는 전자 수송층을 포함한다.
본 발명은, 기판; 기판 위에 형성되는 제1전극; 제1전극과 기판 위에 형성되는 게이트 절연층; 게이트 절연층 위에 형성되는 제2전극; 제2전극과 게이트 절연층 위에 형성되는 산화물 반도체층; 산화물 반도체층과 제2전극 위에 형성되는 유기 평탄화층; 및 게이트 절연층 위에 위치하는 투명 전극;을 포함하며, 상기 제2전극은 제2금속층 및 제2금속층 하부에 위치하는 투명 도전층을 포함하고, 상기 투명 전극은 투명 도전층으로 형성되는 것인 유기 전계 발광 소자를 더 제공한다.
상기 유기 전계 발광 소자는 기판과 제1전극 사이에 형성되는 버퍼층; 유기 평탄화층 위에 형성되는 스페이서층; 투명 전극 위에 형성되는 유기 기능층; 유기 기능층 위에 형성되는 음극; 및 기판에 접합 설치되는 밀봉 커버;를 더 포함한다.
상기 유기 기능층은 투명 전극 위에 형성되는 정공 수송층, 정공 수송층 위에 형성되는 유기 발광층, 및 유기 발광층 위에 형성되는 전자 수송층을 포함한다.
상기 제1전극과 제2금속층은 알루미늄 및 몰리브덴 중의 적어도 하나를 포함하고; 상기 투명 전극은 산화 인듐 주석 및 은 중의 적어도 하나를 포함하며; 상기 기판과 밀봉 커버는 모두 유리 기판이다.
본 발명의 유익한 효과는 다음과 같다： 본 발명의 유기 전계 발광 소자의 제작 방법 및 제작된 유기 전계 발광 소자는，제2금속층과 투명 도전층을 통해 제2전극을 형성하여, 제2전극 노선의 저항을 효과적으로 감소시키고, 유기 전계 발광 소자의 품질을 향상시키며; 또한 유기 평탄화층을 마스크로 사용하여 제2전극의 제2금속층을 식각하고 투명 도전층을 노출시켜 투명 전극을 형성하여, 종래의 제조 공정에 비해, 본 발명의 생산 방법은 제조 공정을 효과적으로 간소화하고, 생산 원가를 절감할 뿐만 아니라, 제2평탄화층을 형성할 필요가 없으므로, 유기 전계 발광 소자의 두께를 효과적으로 줄여 슬림화 구현에 유리하다.
이하 첨부도면을 결합하여, 본 발명의 구체적인 실시형태에 대한 상세한 묘사를 통해, 본 발명의 기술방안 및 기타 유익한 효과가 자명해질 것이다.
도면 중,
도 1은 종래 액정 디스플레이 패널의 구조도이다;
도 2는 종래 능동 매트릭스형 유기 발광 다이오드의 단면 구조도이다;
도 3은 본 발명의 유기 전계 발광 소자의 제작 방법의 흐름도이다;
도 4 내지 도 9는 본 발명의 유기 전계 발광 소자의 제작 방법의 공정도이다;
도 10은 본 발명의 유기 전계 발광 소자의 화소 배치도이다.
본 발명의 특징 및 기술내용을 더욱 구체적으로 이해할 수 있도록, 이하 본 발명과 관련된 상세한 설명과 첨부도면을 참조하기 바라며, 단 첨부도면은 단지 참고 및 설명용으로만 제공되는 것일 뿐, 결코 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다.
본 발명이 채택한 기술수단 및 그 효과를 더욱 구체적으로 논하기 위하여, 이하 본 발명의 바람직한 실시예 및 그 첨부도면을 결합하여 상세히 묘사한다.
도 3 내지 도 9를 참조하면, 본 발명은 하기의 단계를 포함하는 유기 전계 발광 소자의 제작 방법을 제공한다:
단계 1: 기판(20)을 제공하는 단계.
상기 기판(20)은 투명 기판이며, 유리 기판, 플라스틱 기판 등일 수 있으나, 본 실시예에서，상기 기판(20)은 유리 기판이다.
단계 2: 기판(20) 위에 제1금속층을 형성하고, 상기 제1금속층을 패턴화하여 제1전극(21)을 형성하는 단계.
본 실시예에서，상기 제1금속층은 알루미늄 및 몰리브덴 중의 적어도 하나를 포함하며；상기 제1전극(21)은 게이트이다. 이의 형성 공정은 구체적으로, 기판(20) 위에 스퍼터링 방식으로 제1금속층을 형성하고, 제1금속층 위에 소위 말하는 포토레지스트인 감광(photo-sensitive) 물질을 형성한 후, 빛을 포토마스크를 통과시켜 포토레지스트에 조사하여 상기 포토레지스트를 노광하는 것일 수 있다. 포토마스크는 제1전극(21)의 패턴을 구비하므로, 빛을 포토마스크에 투과시켜 포토레지스트에 조사하면 포토레지스트는 선택적으로 노광되며, 또한 이를 통해 포토마스크 상의 패턴이 완벽하게 포토레지스트 상에 복사된다. 그 후, 적절한 현상액제(developer)를 이용하여 포토레지스트의 일부를 제거함으로써, 포토레지스트가 요구되는 패턴을 보여주게 된다.
단계 3: 제1전극(21)과 기판(20) 위에 게이트 절연층(22)을 형성하는 단계.
상기 게이트 절연층(22)은 단층 또는 다층 구조일 수 있으며, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 중의 하나 또는 이들의 조합을 포함한다.
단계 4: 게이트 절연층(22) 위에 투명 도전층(222)과 제2금속층(224)을 순차적으로 형성하고, 상기 제2금속층(224)과 투명 도전층(222)을 패턴화하여, 제2금속층(224) 및 제2금속층(224) 하부에 위치하는 투명 도전층(222)을 포함하는 제2전극(23)을 형성하는 단계.
본 실시예에서，상기 투명 도전층(222)은 산화 인듐 주석 및 은 중의 적어도 하나 또는 이들의 조합을 포함하고；상기 제2금속층(224)은 알루미늄 및 몰리브덴 중의 적어도 하나를 포함한다. 상기 제2전극(23)은 소스/드레인이며，제2금속층(224)과 투명 도전층(222)이 함께 상기 제2전극(23)을 형성하므로，완전히 제2금속층으로 형성되는 종래의 소스/드레인에 비해, 노선의 저항이 비교적 작고, 본 발명의 유기 전계 발광 소자의 품질을 효과적으로 향상시킬 수 있다.
단계 5: 제2전극(23)과 게이트 절연층(22) 위에 산화물 반도체층(24)을 형성하고，상기 산화물 반도체층(24)을 패턴화하는 단계.
상기 산화물 반도체층(24)의 형성 방식은 상술한 제1전극(21)의 형성 방식과 유사하므로, 상세한 설명은 생략한다.
단계 6: 산화물 반도체층(24)과 제2전극(23) 위에 유기 평탄화층(25)을 형성하고, 상기 유기 평탄화층(25)을 패턴화하는 단계.
상기 유기 평탄화층(25)은 후속 공정을 용이하게 실시할 수 있도록 모든 능동 박막 트랜지스터 픽셀 어레이의 구조를 평탄화시키는데 사용된다.
단계 7: 유기 평탄화층(25)을 마스크로 사용하여 제2전극(23)의 제2금속층(224)을 식각하고, 투명 도전층(222)을 노출시켜 투명 전극(26)을 형성하는 단계.
본 실시예에서，상기 투명 전극(26)은 본 발명의 유기 전계 발광 소자의 양극으로서，유기 기능층이 요구되는 빛을 방출하도록 촉진하고 나아가 화면의 디스플레이를 구현하기 위해 사용된다.
종래 기술에 비하여, 본 발명은 투명 전극(26)을 단독으로 제조할 필요가 없으므로, 한 차례의 포토마스크 공정을 줄이고, 또한 제2유기 평탄화층을 형성할 필요도 없으므로, 생산 공정을 더 간소화하고, 생산 원가를 효과적으로 절감한다.
나아가， 본 발명의 유기 전계 발광 소자의 제작 방법은 하기의 단계를 더 포함한다.
단계 8: 유기 평탄화층(25) 위에 스페이서(PS)층(미도시)을 형성하는 단계.
단계 9: 투명 전극(26) 위에 유기 기능층(미도시)과 음극(미도시)을 증착하는 단계.
상기 유기 기능층은 투명 전극(26) 위에 형성되는 정공 수송층(Hole Transport Layer, HTL), 정공 수송층 위에 형성되는 유기 발광층(Emissive Layer, EML), 및 유기 발광층 위에 형성되는 전자 수송층(Electron Transport Layer, ETL)을 포함한다.
단계 10: 밀봉 커버(미도시)를 제공하여, 밀봉하는 단계.
본 실시예에서，상기 밀봉 커버는 유리 기판이며， UV 수지 또는 유리 수지를 통해 기판(20)과 접합되고，또한 UV 경화를 통해 유기 전계 발광 소자의 밀봉을 구현한다.
언급할 만한 것으로，상기 단계 1은 기판(20)을 제공하여 세척한 후, 기판(20) 위에 버퍼층(미도시)을 형성하는 것을 더 포함할 수 있다. 상기 단계 2에서, 상기 제1금속층은 상기 버퍼층 위에 형성된다.
나아가，산화물 반도체층(24) 위에 보호층(미도시)이 더 형성될 수도 있으며，상기 보호층은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 중의 하나 또는 이들의 조합일 수 있다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 본 발명은 기판(20); 기판(20) 위에 형성되는 제1전극(21); 제1전극(21)과 기판(20) 위에 형성되는 게이트 절연층(22); 게이트 절연층(22) 위에 형성되는 제2전극(23); 제2전극(23)과 게이트 절연층(22) 위에 형성되는 산화물 반도체층(24); 산화물 반도체층(24)과 제2전극(23) 위에 형성되는 유기 평탄화층(25); 및 게이트 절연층(22) 위에 위치하는 투명 전극(26);을 포함하며, 상기 제2전극(23)은 제2금속층(224) 및 제2금속층(224) 하부에 위치하는 투명 도전층(222)을 포함하고, 상기 투명 전극(26)은 투명 도전층(222)으로 형성되는 유기 전계 발광 소자를 더 제공한다. 이 중, 상기 제1전극(21)은 게이트이며, 제2전극(23)은 소스/드레인이고，상기 게이트, 게이트 절연층(22), 소스/드레인 및 산화물 반도체층(24)은 유기 전계 발광 소자를 구동시키는 박막 트랜지스터를 형성한다.
나아가, 본 발명의 유기 전계 발광 소자는 기판(20)과 제1전극(21) 사이에 형성되는 버퍼층; 유기 평탄화층(25) 위에 형성되는 스페이서층; 투명 전극(26) 위에 형성되는 유기 기능층; 유기 기능층 위에 형성되는 음극; 및 기판(20)에 접합 설치되는 밀봉 커버;를 더 포함한다.
구체적으로，상기 유기 기능층은 투명 전극 위에 형성되는 정공 수송층, 정공 수송층 위에 형성되는 유기 발광층, 및 유기 발광층 위에 형성되는 전자 수송층을 포함한다.
본 실시예에서，상기 제1전극(21)과 제2금속층(224)은 알루미늄 및 몰리브덴 중의 적어도 하나를 포함하고；상기 투명 전극(26)은 산화 인듐 주석 및 은 중의 적어도 하나를 포함하며； 상기 기판(20)과 밀봉 커버는 모두 유리 기판이다.
결론적으로，본 발명의 유기 전계 발광 소자의 제작 방법 및 제작된 유기 전계 발광 소자는，제2금속층과 투명 도전층을 통해 제2전극을 형성하여, 제2전극 노선의 저항을 효과적으로 감소시키고, 유기 전계 발광 소자의 품질을 향상시키며; 또한 유기 평탄화층을 마스크로 사용하여 제2전극의 제2금속층을 식각하고 투명 도전층을 노출시켜 투명 전극을 형성하여, 종래 제조 공정에 비해, 본 발명의 생산 방법은 제조 공정을 효과적으로 간소화하고, 생산 원가를 절감할 뿐만 아니라, 제2평탄화층을 형성할 필요가 없으므로, 유기 전계 발광 소자의 두께를 효과적으로 줄여 슬림화 구현에 유리하다.
이상으로, 본 분야의 보통 기술자라면 본 발명의 기술방안과 기술 구상에 따라 각종 상응하는 변경과 변형을 실시할 수 있으며, 이러한 변경과 변형은 모두 본 발명의 청구항의 보호범위에 속하여야 한다.

Claims (15)

  1. 단계 1: 기판을 제공하는 단계；
    단계 2: 기판 위에 제1금속층을 형성하고，상기 제1금속층을 패턴화하여 제1전극을 형성하는 단계；
    단계 3: 제1전극과 기판 위에 게이트 절연층을 형성하는 단계；
    단계 4: 게이트 절연층 위에 투명 도전층과 제2금속층을 순차적으로 형성하고, 상기 제2금속층과 투명 도전층을 패턴화하여, 제2금속층 및 제2금속층 하부에 위치하는 투명 도전층을 포함하는 제2전극을 형성하는 단계；
    단계 5: 제2전극과 게이트 절연층 위에 산화물 반도체층을 형성하고，상기 산화물 반도체층을 패턴화하는 단계;
    단계 6: 산화물 반도체층과 제2전극 위에 유기 평탄화층을 형성하고, 상기 유기 평탄화층을 패턴화하는 단계;
    단계 7: 유기 평탄화층을 마스크로 사용하여 제2전극의 제2금속층을 식각하고, 투명 도전층을 노출시켜 투명 전극을 형성하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제작 방법.
  2. 제1항에 있어서，
    단계 8: 유기 평탄화층 위에 스페이서층을 형성하는 단계;
    단계 9: 투명 전극 위에 유기 기능층과 음극을 증착하는 단계;
    단계 10: 밀봉 커버를 제공하여, 밀봉하는 단계;
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제작 방법.
  3. 제1항에 있어서，
    상기 단계 1은 기판을 제공하여 세척한 후, 기판 위에 버퍼층을 형성하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제작 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 단계 2에서，상기 제1금속층은 상기 버퍼층 위에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제작 방법.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 제1금속층과 제2금속층은 알루미늄 및 몰리브덴 중의 적어도 하나를 포함하고;
    상기 투명 도전층은 산화 인듐 주석 및 은 중의 적어도 하나를 포함하며;
    상기 기판과 밀봉 커버는 모두 유리 기판인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제작 방법.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 유기 기능층은 투명 전극 위에 형성되는 정공 수송층, 정공 수송층 위에 형성되는 유기 발광층, 및 유기 발광층 위에 형성되는 전자 수송층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제작 방법.
  7. 단계 1: 기판을 제공하는 단계；
    단계 2: 기판 위에 제1금속층을 형성하고，상기 제1금속층을 패턴화하여 제1전극을 형성하는 단계；
    단계 3: 제1전극과 기판 위에 게이트 절연층을 형성하는 단계；
    단계 4: 게이트 절연층 위에 투명 도전층과 제2금속층을 순차적으로 형성하고, 상기 제2금속층과 투명 도전층을 패턴화하여, 제2금속층 및 제2금속층 하부에 위치하는 투명 도전층을 포함하는 제2전극을 형성하는 단계；
    단계 5: 제2전극과 게이트 절연층 위에 산화물 반도체층을 형성하고，상기 산화물 반도체층을 패턴화하는 단계;
    단계 6: 산화물 반도체층과 제2전극 위에 유기 평탄화층을 형성하고, 상기 유기 평탄화층을 패턴화하는 단계;
    단계 7: 유기 평탄화층을 마스크로 사용하여 제2전극의 제2금속층을 식각하고, 투명 도전층을 노출시켜 투명 전극을 형성하는 단계;를 포함하며,
    단계 8: 유기 평탄화층 위에 스페이서층을 형성하는 단계;
    단계 9: 투명 전극 위에 유기 기능층과 음극을 증착하는 단계;
    단계 10: 밀봉 커버를 제공하여, 밀봉하는 단계;
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제작 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 단계 1은 기판을 제공하여 세척한 후, 기판 위에 버퍼층을 형성하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제작 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 단계 2에서，상기 제1금속층은 상기 버퍼층 위에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제작 방법.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 제1금속층과 제2금속층은 알루미늄 및 몰리브덴 중의 적어도 하나를 포함하고;
    상기 투명 도전층은 산화 인듐 주석 및 은 중의 적어도 하나를 포함하며;
    상기 기판과 밀봉 커버는 모두 유리 기판인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제작 방법.
  11. 제7항에 있어서,
    상기 유기 기능층은 투명 전극 위에 형성되는 정공 수송층, 정공 수송층 위에 형성되는 유기 발광층, 및 유기 발광층 위에 형성되는 전자 수송층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제작 방법.
  12. 기판;
    기판 위에 형성되는 제1전극;
    제1전극과 기판 위에 형성되는 게이트 절연층;
    게이트 절연층 위에 형성되는 제2전극;
    제2전극과 게이트 절연층 위에 형성되는 산화물 반도체층;
    산화물 반도체층과 제2전극 위에 형성되는 유기 평탄화층; 및
    게이트 절연층 위에 위치하는 투명 전극;
    을 포함하며,
    상기 제2전극은 제2금속층 및 제2금속층 하부에 위치하는 투명 도전층을 포함하고,
    상기 투명 전극은 투명 도전층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  13. 제12항에 있어서,
    기판과 제1전극 사이에 형성되는 버퍼층;
    유기 평탄화층 위에 형성되는 스페이서층;
    투명 전극 위에 형성되는 유기 기능층;
    유기 기능층 위에 형성되는 음극; 및
    기판에 접합 설치되는 밀봉 커버;
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 유기 기능층은 투명 전극 위에 형성되는 정공 수송층, 정공 수송층 위에 형성되는 유기 발광층, 및 유기 발광층 위에 형성되는 전자 수송층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 제1전극과 제2금속층은 알루미늄 및 몰리브덴 중의 적어도 하나를 포함하고;
    상기 투명 전극은 산화 인듐 주석 및 은 중의 적어도 하나를 포함하며;
    상기 기판과 밀봉 커버는 모두 유리 기판인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
KR1020167008560A 2013-11-13 2013-11-26 유기 전계 발광 소자의 제작 방법 및 제작된 유기 전계 발광 소자 KR20160052625A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310566264.9 2013-11-13
CN201310566264.9A CN103560211B (zh) 2013-11-13 2013-11-13 有机电致发光器件的制作方法及制作的有机电致发光器件
PCT/CN2013/087881 WO2015070484A1 (zh) 2013-11-13 2013-11-26 有机电致发光器件的制作方法及制作的有机电致发光器件

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20160052625A true KR20160052625A (ko) 2016-05-12

Family

ID=50014416

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020167008560A KR20160052625A (ko) 2013-11-13 2013-11-26 유기 전계 발광 소자의 제작 방법 및 제작된 유기 전계 발광 소자

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6208868B2 (ko)
KR (1) KR20160052625A (ko)
CN (1) CN103560211B (ko)
GB (2) GB2570056A (ko)
WO (1) WO2015070484A1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102605887B1 (ko) * 2018-05-08 2023-11-23 엘지디스플레이 주식회사 발광 표시 장치

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100656490B1 (ko) * 2001-11-26 2006-12-12 삼성에스디아이 주식회사 풀칼라 유기전계 발광표시소자 및 그의 제조방법
US8153184B2 (en) * 2001-11-26 2012-04-10 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic EL display device and method of manufacturing the same
JP2004071558A (ja) * 2002-07-25 2004-03-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置の作製方法
SG130013A1 (en) * 2002-07-25 2007-03-20 Semiconductor Energy Lab Method of fabricating light emitting device
JP4434563B2 (ja) * 2002-09-12 2010-03-17 パイオニア株式会社 有機ｅｌ表示装置の製造方法
TWI228782B (en) * 2004-01-19 2005-03-01 Toppoly Optoelectronics Corp Method of fabricating display panel
KR100669733B1 (ko) * 2004-10-14 2007-01-16 삼성에스디아이 주식회사 유기박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기전계 발광표시장치
JP5210594B2 (ja) * 2006-10-31 2013-06-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP5372337B2 (ja) * 2007-03-27 2013-12-18 住友化学株式会社 有機薄膜トランジスタ基板及びその製造方法、並びに、画像表示パネル及びその製造方法
US8441007B2 (en) * 2008-12-25 2013-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
JP5499529B2 (ja) * 2009-06-25 2014-05-21 大日本印刷株式会社 薄膜トランジスタ搭載基板、その製造方法及び画像表示装置
KR20110015240A (ko) * 2009-08-07 2011-02-15 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법
JP5825812B2 (ja) * 2011-03-24 2015-12-02 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2015070484A1 (zh) 2015-05-21
GB201902542D0 (en) 2019-04-10
GB2534691B (en) 2019-04-03
GB2570056A (en) 2019-07-10
GB2534691A (en) 2016-08-03
JP6208868B2 (ja) 2017-10-04
CN103560211B (zh) 2017-04-05
GB201600110D0 (en) 2016-02-17
CN103560211A (zh) 2014-02-05
JP2016537772A (ja) 2016-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6874167B2 (ja) Ｏｌｅｄ表示パネル及びその製造方法
US7786669B2 (en) Organic electro-luminescence display device and method for fabricating the same
WO2018107524A1 (zh) Tft背板及其制作方法
US8729538B2 (en) Organic light emitting diode device and method for fabricating the same
US20160079334A1 (en) Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
US9385171B2 (en) Active matrix organic light-emitting diode array substrate, manufacturing method thereof and display device including the same
US8890160B2 (en) AMOLED display and manufacturing method thereof
KR20160034415A (ko) 능동형 유기 전계 발광 소자 백플레이트 및 그 제작방법
WO2018045657A1 (zh) Amoled器件及其制作方法
WO2016095330A1 (zh) Oled显示基板及其制造方法
US10784287B2 (en) TFT substrate and manufacturing method thereof
WO2018086210A1 (zh) Tft基板及其制作方法
WO2019090837A1 (zh) 双面显示器及其制作方法
JP6373382B2 (ja) 有機発光ダイオードの陽極接続構造の製造方法
KR101689886B1 (ko) 산화물 반도체를 이용한 박막트랜지스터 기판의 제조방법
JP4103373B2 (ja) エレクトロルミネッセンス表示装置およびエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
KR20160060835A (ko) 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법
KR20160052625A (ko) 유기 전계 발광 소자의 제작 방법 및 제작된 유기 전계 발광 소자
KR20160058297A (ko) 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법
KR20080102665A (ko) 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 표시장치
US20150129842A1 (en) Method For Manufacturing Organic Electroluminescence Device And Organic Electroluminescence Device Manufactured With Same
KR100796665B1 (ko) 유기 전계 발광 표시장치
KR101231843B1 (ko) 전계 발광 소자 및 그 제조방법
KR100617115B1 (ko) 열분산형 유기 ｅｌ 디스플레이 패널
KR20050018400A (ko) 광차단막을 내포하는 기판과 그의 제조 방법 및 그를사용하는 평판 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application