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KR20160009845A - Shift register and display device using the same - Google Patents

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KR20160009845A
KR20160009845A KR1020140090214A KR20140090214A KR20160009845A KR 20160009845 A KR20160009845 A KR 20160009845A KR 1020140090214 A KR1020140090214 A KR 1020140090214A KR 20140090214 A KR20140090214 A KR 20140090214A KR 20160009845 A KR20160009845 A KR 20160009845A
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장용호
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

The present invention relates to a shift register for enhancing reliability by outputting a complex waveform having different period with simple circuit and a display device using the same. The shift register comprises clusters, and each of the clusters includes output stages for outputting respectively output signals and one carry stage for outputting a carry signal. Each of the output stages and the carry stage comprise an output unit for outputting a clock or a first low voltage according to logic of a first node and a second node and a first node control unit for setting the first node to set state or resetting the first node to reset state according to a carry signal outputted from previous cluster or a set signal supplied from an external device, and a carry signal outputted from next cluster or a reset signal supplied from an external device. At least one of the output stages includes a second node control unit for controlling its second node contrary to a first node of any one of the output stages. Second nodes of two or more stages in each of the clusters are connected each other.

Description

쉬프트 레지스터 및 그를 이용한 표시 장치{SHIFT REGISTER AND DISPLAY DEVICE USING THE SAME}[0001] SHIFT REGISTER AND DISPLAY DEVICE USING THE SAME [0002]

본 발명은 쉬프트 레지스터에 관한 것으로, 특히 단순한 구성으로 서로 다른 주기의 복합 파형을 출력함으로써 신뢰성을 향상시킬 수 있는 쉬프트 레지스터 및 그를 이용한 표시 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a shift register, and more particularly, to a shift register capable of improving reliability by outputting composite waveforms having different periods with a simple structure and a display using the shift register.

최근 표시 장치로 각광 받고 있는 평판 표시 장치로는 액정을 이용한 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display; LCD), 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode; OLED)를 이용한 OLED 표시 장치, 전기영동 입자를 이용한 전기영동 표시 장치(ElectroPhoretic Display; EPD) 등이 대표적이다.2. Description of the Related Art [0002] Flat panel display devices that have recently become popular as display devices include liquid crystal displays (LCDs) using liquid crystals, OLED display devices using organic light emitting diodes (OLEDs) Display devices (ElectroPhoretic Display; EPD), and the like.

평판 표시 장치는 각 픽셀이 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; TFT)에 의해 독립적으로 구동되는 픽셀 어레이를 통해 영상을 표시하는 표시 패널과, 표시 패널을 구동하는 패널 드라이버와, 패널 드라이버를 제어하는 타이밍 컨트롤러 등을 포함한다. 패널 드라이버는 표시 패널의 게이트 라인들을 구동하는 게이트 드라이버와, 표시 패널의 데이터 라인들을 구동하는 데이터 드라이버를 포함한다.A flat panel display device includes a display panel for displaying an image through a pixel array in which each pixel is independently driven by a thin film transistor (TFT), a panel driver for driving the display panel, a timing controller And the like. The panel driver includes a gate driver for driving the gate lines of the display panel and a data driver for driving the data lines of the display panel.

최근 게이트 드라이버는 픽셀 어레이의 TFT 어레이와 함께 형성되어 패널에 내장된 게이트-인-패널(Gate In Panel; GIP) 방식을 주로 이용하고 있다. 게이트 드라이버는 쉬프트 레지스터를 이용하여 게이트 라인들을 각각 구동하는 스캔 펄스들을 출력한다.Recently, a gate driver is formed together with a TFT array of a pixel array to mainly use a gate-in-panel (GIP) method built in a panel. The gate driver outputs scan pulses for driving the gate lines using a shift register.

각 게이트 라인에는 다른 스캔 펄스와 동일 주기를 갖고 출력 타이밍이 다른 스캔 펄스가 공급되는 것이 일반적이지만, OLED 표시 장치 등과 같이 각 픽셀 회로의 제어가 복잡한 경우 각 게이트 라인에 서로 다른 주기를 갖는 스캔 펄스들이 조합된 복합 파형이 필요한 경우가 있다.In general, each gate line is supplied with a scan pulse having the same period as another scan pulse and having a different output timing. However, when control of each pixel circuit is complicated, such as an OLED display device, scan pulses having different periods Combined composite waveforms may be required.

각 게이트 라인에 펄스폭이나 타이밍이 서로 다른 복수의 스캔 펄스를 출력하기 위하여 각 게이트 라인에 복수의 스테이지 출력을 멀티플렉싱하여 출력하는 구조가 고려될 수 있으나, 이 경우 쉬프트 레지스터의 구성이 너무 복잡해지므로 신뢰성이 저하되고 회로 크기가 증가하여 표시 장치의 내장 드라이버로 구현하기 어려운 문제점이 있다.A structure may be considered in which a plurality of stage outputs are multiplexed and output to each gate line in order to output a plurality of scan pulses having different pulse widths or timings to each gate line. In this case, however, since the structure of the shift register becomes too complicated, There is a problem that it is difficult to realize a built-in driver of a display device due to an increase in circuit size.

이를 해결하기 위하여, 복합 파형의 스캔 펄스를 단순한 회로 구성으로 출력할 수 있는 쉬프트 레지스터가 요구되고 있다.To solve this problem, there is a demand for a shift register capable of outputting a scan pulse of a composite waveform in a simple circuit configuration.

본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 단순한 구성으로 서로 다른 주기의 복합 파형을 출력함으로써 신뢰성을 향상시킬 수 있는 쉬프트 레지스터 및 그를 이용한 표시 장치를 제공하는 것이다.  SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve the above problems, and it is an object of the present invention to provide a shift register capable of improving reliability by outputting composite waveforms of different periods with a simple structure and a display device using the shift register will be.

상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 쉬프트 레지스터는 다수의 클러스터를 포함하고, 상기 다수의 클러스터 각각은 다수의 출력 신호를 각각 출력하는 다수의 출력 스테이지와, 캐리 신호를 출력하는 하나의 캐리 스테이지를 포함한다. 상기 다수의 출력 스테이지와 상기 캐리 스테이지 각각은 제1 노드와 제2 노드의 논리 상태에 따라 클럭 또는 제1 저전압을 출력으로 발생시키는 출력부와, 이전단 클러스터로부터 출력된 캐리 신호이거나 외부로부터 공급된 세트 신호와, 다음단 클러스터로부터 출력된 캐리 신호이거나 외부로부터 공급된 리셋 신호에 따라 상기 제1 노드를 세트 상태로 세트시키거나, 리셋 상태로 리셋시키는 제1 노드 제어부를 포함한다. 상기 다수의 출력 스테이지 중 적어도 어느 하나의 스테이지는 상기 다수의 출력 스테이지 중 어느 한 스테이지의 제1 노드와 상반되게 자신의 제2 노드를 제어하는 제2 노드 제어부를 포함하고, 상기 각 클러스터에 속한 스테이지들 중 적어도 2개의 스테이지에 속한 제2 노드는 서로 연결된 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a shift register including a plurality of clusters, each of the plurality of clusters including a plurality of output stages for outputting a plurality of output signals, Lt; / RTI > stage. Each of the plurality of output stages and the carry stage generating an output as a clock or a first undervoltage according to a logic state of a first node and a second node; And a first node controller for setting the first node to a set state or resetting the first node to a reset state according to a set signal, a carry signal output from the next stage cluster, or a reset signal supplied from the outside. Wherein at least one of the plurality of output stages includes a second node control unit controlling a second node of the plurality of output stages in opposition to a first node of any one of the plurality of output stages, The second nodes belonging to at least two stages of the stages are connected to each other.

상기 제1 노드 제어부는 상기 세트 신호의 제어에 따라 제1 고전압을 상기 제1 노드로 공급하는 세트 트랜지스터와, 상기 리셋 신호의 제어에 따라 제2 저전압을 상기 제1 노드로 공급하는 제1 리셋 트랜지스터를 포함하거나, 상기 세트 트랜지스터 및 제1 리셋 트랜지스터와 함께, 상기 제2 노드의 제어에 따라 제3 저전압을 상기 제1 노드로 공급하는 리셋부를 추가로 포함한다.Wherein the first node controller includes a set transistor for supplying a first high voltage to the first node under the control of the set signal and a second reset transistor for supplying a second low voltage to the first node in accordance with the control of the reset signal, Or a reset section for supplying a third low voltage to the first node under the control of the second node together with the set transistor and the first reset transistor.

상기 리셋부는 상기 제2 노드의 제어에 따라 상기 제3 저전압을 상기 제1 노드로 공급하는 제2 리셋 트랜지스터를 포함하거나, 상기 제2 리셋 트랜지스터와 함께, 상기 제2 리셋 트랜지스터와 직렬 연결되어 상기 제2 노드의 제어에 따라 상기 제3 저전압을 상기 제2 리셋 트랜지스터로 공급하는 제3 리셋 트랜지스터와, 상기 제1 노드의 제어에 따라 상기 제2 및 제3 리셋 트랜지스터 사이의 접속점에 상기 고전압을 공급하는 제4 리셋 트랜지스터를 포함한다.Wherein the reset unit includes a second reset transistor for supplying the third low voltage to the first node under the control of the second node, or the second reset transistor is connected in series with the second reset transistor, A third reset transistor for supplying the third low voltage to the second reset transistor under the control of the second node, and a second reset transistor for supplying the high voltage to the connection point between the second and third reset transistors under the control of the first node And a fourth reset transistor.

상기 제2 노드 제어부는 상기 제2 노드가 상기 다수의 출력 스테이지 중 어느 하나의 제1 노드와 상반된 논리 상태가 되도록, 상기 제1 노드의 제어에 따라 제2 고전압 또는 제4 저전압을 상기 제2 노드로 공급하는 인버터를 포함하거나, 상기 인버터와 함께, 상기 세트 신호의 제어에 따라 상기 제4 저전압을 상기 제2 노드로 공급하는 리셋 트랜지스터를 포함한다.Wherein the second node control unit controls the second node such that the second node is in a logical state opposite to the first node of any one of the plurality of output stages, And a reset transistor which, together with the inverter, supplies the fourth low voltage to the second node under the control of the set signal.

상기 각 클러스터에 속한 출력 스테이지들 및 캐리 스테이지의 상기 제1 노드는 서로 분리되는 반면, 상기 제2 노드는 서로 연결된다.The output nodes belonging to each cluster and the first node of the carry stage are separated from each other, while the second nodes are connected to each other.

상기 제2 노드 제어부는 상기 각 클러스터에 속한 출력 스테이지들 및 캐리 스테이지 중 어느 하나의 출력 스테이지에 구비된다.And the second node control unit is provided in one of the output stages belonging to each cluster and the carry stage.

상기 각 클러스터에 속한 출력 스테이지들 및 캐리 스테이지에 공급되는 세트 신호는 서로 동일하거나 서로 다르고, 상기 각 클러스터에 속한 출력 스테이지들 및 캐리 스테이지에 공급되는 리셋 신호는 서로 동일하거나 서로 다르다.The output stages belonging to each cluster and the set signals supplied to the carry stage are the same or different from each other, and the output stages belonging to each cluster and the reset signal supplied to the carry stage are the same or different from each other.

상기 제1 및 제2 고전압은 서로 동일하거나 서로 다르고, 상기 제1 내지 제4 저전압은 서로 동일하거나 서로 다르며, 상기 각 클러스터에 속한 출력 스테이지의 출력부에 공급되는 제1 저전압과, 그 클러스터에 속한 캐리 스테이지의 출력부에 공급되는 제1 저전압은 서로 동일하거나 다르다.Wherein the first and second high voltages are equal to or different from each other, the first to fourth low voltages are equal to or different from each other, and the first low voltage supplied to the output portion of the output stage belonging to each cluster, The first undervoltage supplied to the output portion of the carry stage is equal to or different from each other.

상기 각 클러스터가 m(m은 자연수)개의 출력 스테이지를 포함할 때, 상기 클럭은 적어도 m상의 순환 클럭을 포함하고, 상기 m개의 출력 스테이지에 상기 m상 클럭이 각각 공급되고, 상기 캐리 스테이지에는 상기 m상 클럭 중 어느 하나와 동일한 클럭이 공급되거나, 상기 m상과 다른 위상의 캐리 클럭이 공급된다.Wherein when each of the clusters includes m (m is a natural number) output stages, the clock includes at least an m-phase circulating clock, the m-phase clocks are supplied to the m output stages, a clock identical to any one of the m-phase clocks is supplied, or a carry clock having a phase different from that of the m-phase is supplied.

상기 m상 클럭 각각은 제1 구간 및 제2 구간을 포함하는 클럭 출력 구간이 반복되며, 각 클럭 출력 구간에서 복수의 펄스를 포함하거나, 상기 각 클럭 출력 구간에서 상기 m상 클럭은 서로 다른 펄스폭을 갖는다.Wherein each of the m-phase clocks includes a plurality of pulses in a clock output period, the clock output interval including a first period and a second period is repeated, and the m-phase clocks in the respective clock output periods have different pulse widths Respectively.

상기 m상 클럭은 상기 제1 구간에서 서로 오버랩하는 제1 펄스를 각각 포함하고, 상기 제2 구간에서 서로 오버랩하지 않거나 인접한 클럭과 일부 오버랩하는 제2 펄스를 각각 포함하여, 상기 각 클러스터에 속한 다수의 출력 스테이지 각각은 그 클러스터에 대응하는 클럭 출력 구간에서 상기 제1 및 제2 펄스를 포함하는 서로 다른 클럭을 출력한다. 상기 각 클러스터에 속한 캐리 스테이지는 상기 클럭 출력 구간에서 상기 제1 및 제2 펄스와 오버랩하지 않는 캐리 클럭을 출력한다.Wherein the m-phase clock includes a first pulse that overlaps with each other in the first period, and a second pulse that does not overlap with each other in the second period or partially overlaps with an adjacent clock, Each output stage outputs a different clock including the first and second pulses in a clock output period corresponding to the cluster. The carry stage belonging to each cluster outputs a carry clock that does not overlap with the first and second pulses in the clock output period.

본 발명에 따른 표시 장치는 상기 쉬프트 레지스터를 이용하여 표시 패널의 게이트 라인을 구동한다.The display device according to the present invention drives the gate line of the display panel using the shift register.

본 발명에 따른 쉬프트 레지스터는 서로 다른 주기의 복합 파형을 출력하면서도 기본 쉬프트 레지스터를 바탕으로 구성된 단순한 구조를 가지므로 신뢰성을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 OLED 표시 장치 등과 같이 복합 파형을 필요로 하는 표시 장치에 내장 드라이버로 구현되기에 적합하다.Since the shift register according to the present invention has a simple structure based on a basic shift register while outputting complex waveforms having different periods, it is possible to improve the reliability, and also to provide a display device requiring a complex waveform such as an OLED display It is suitable to be implemented as a built-in driver.

본 발명에 따른 쉬프트 레지스터를 이용한 표시 장치는 쉬프트 레지스터를 표시 패널에 내장되는 GIP형 게이트 드라이버로 적용하여 표시 패널의 게이트 라인들을 복합 파형으로 구동할 수 있으며, 회로 구성이 단순하므로 네로우 베젤 구현에도 적합하다.The display device using the shift register according to the present invention can drive the gate lines of the display panel into a composite waveform by applying the shift register to the GIP type gate driver incorporated in the display panel and the circuit configuration is simple, Suitable.

도 1은 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터의 기본 구조를 나타낸 블록도이다.
도 2는 도 1에 도시된 한 스테이지에 적용되는 출력부의 기본 구성을 나타낸 회로도이다.
도 3은 도 1에 도시된 한 클러스터의 출력부를 예를 들어 나타낸 회로도이다.
도 4는 도 3에 도시된 제3 출력 스테이지와 캐리 스테이지에 적용되는 출력부의 다른 예를 나타낸 회로도이다.
도 5는 도 1에 도시된 한 클러스터의 출력부에 대한 다른 예를 나타낸 회로도이다.
도 6은 도 1에 도시된 한 클러스터의 제1 노드 제어부를 예를 들어 나타낸 회로도이다.
도 7은 도 1에 도시된 한 클러스터의 제2 노드 제어부를 예를 들어 나타낸 회로도이다.
도 8은 도 1에 도시된 쉬프트 레지스터에서 일 실시예에 따른 스테이지를 나타낸 회로도이다.
도 9는 도 8에 도시된 인버터의 다양한 실시예를 나타낸 회로도이다.
도 10은 도 8에 도시된 스테이지의 제1 노드 제어부에 추가되는 리셋부의 다양한 예를 나타낸 회로도이다.
도 11은 도 1에 도시된 쉬프트 레지스터에서 다른 실시예에 따른 스테이지를 예를 들어 나타낸 회로도이다.
도 12는 본 발명의 실시예에 따른 쉬프트 레지스터에서 한 클러스터를 나타낸 회로도이다.
도 13은 도 12에 도시된 클러스터의 구동 파형도이다.
도 14는 도 12에 도시된 클러스터의 다른 구동 파형도이다.
도 15는 도 14에 도시된 구동 파형의 시뮬레이션 결과를 나타낸 도면이다.
도 16은 도 15에 도시된 구동 파형들 중 스캔 신호만 추출하여 나타낸 도면이다.
1 is a block diagram showing a basic structure of a shift register according to the present invention.
Fig. 2 is a circuit diagram showing a basic configuration of an output section applied to one stage shown in Fig. 1. Fig.
3 is a circuit diagram showing, for example, an output portion of one cluster shown in Fig.
FIG. 4 is a circuit diagram showing another example of the third output stage shown in FIG. 3 and the output portion applied to the carry stage.
5 is a circuit diagram showing another example of the output portion of one cluster shown in Fig.
FIG. 6 is a circuit diagram showing a first node controller of one cluster shown in FIG. 1, for example.
FIG. 7 is a circuit diagram showing a second node controller of one cluster shown in FIG. 1, for example.
8 is a circuit diagram showing a stage according to an embodiment of the shift register shown in FIG.
9 is a circuit diagram showing various embodiments of the inverter shown in Fig.
10 is a circuit diagram showing various examples of the reset unit added to the first node control unit of the stage shown in FIG.
11 is a circuit diagram showing a stage according to another embodiment in the shift register shown in FIG.
12 is a circuit diagram showing a cluster in a shift register according to an embodiment of the present invention.
13 is a driving waveform diagram of the cluster shown in Fig.
14 is another driving waveform diagram of the cluster shown in Fig.
15 is a diagram showing a simulation result of the drive waveform shown in Fig.
FIG. 16 is a diagram showing only the scan signal among the drive waveforms shown in FIG.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 쉬프트 레지스터의 기본 구조를 나타낸 블록도이다.1 is a block diagram showing a basic structure of a shift register according to an embodiment of the present invention.

도 1에 도시된 쉬프트 레지스터는 액티브 매트릭스형 표시 장치의 내장 게이트 드라이버로 사용되는 것으로, 다수의 스테이지를 포함하는 다수의 클러스터(CT1, CT2, ...)를 구비한다.The shift register shown in FIG. 1 is used as a built-in gate driver of an active matrix display device and has a plurality of clusters CT1, CT2,... Including a plurality of stages.

각 클러스터(CT)는 m(m은 3이상의 자연수)개의 게이트 라인에 m개의 스캔 신호(G1~Gm)를 각각 출력하는 m개의 출력 스테이지(ST1~STm)와, 게이트 라인을 구동하지 않고 다른 클러스터로 캐리 신호(CR)를 출력하는 하나의 캐리 스테이지(CS)를 구비한다.Each cluster CT has m output stages ST1 to STm for outputting m scan signals G1 to Gm to m (m is a natural number not less than 3) gate lines, And a carry stage CS for outputting the carry signal CR to the carry stage CS.

구체적으로, 제1 클러스터(CT1)는 제1 그룹의 m개 게이트 라인에 스캔 신호들(G1~Gm)을 각각 출력하는 제1 내지 제m 출력 스테이지(ST1~STm)와, 제1 캐리 신호(CR1)를 다음단 클러스터(CT2)로 출력하는 제1 캐리 스테이지(CS1)를 구비한다. 제2 클러스터(CT2)는 제2 그룹의 m개 게이트 라인에 스캔 신호들(Gm+1~G2m)을 각각 출력하는 제m+1 내지 제2m 출력 스테이지(STm+1~ST2m)와, 제2 캐리 신호(CR2)를 다음단 클러스터로 출력하는 제2 캐리 스테이지(CS2)를 구비한다. 여기서, 제2 캐리 신호(CR2)는 이전단 클러스터(CT1)로 출력되거나, 출력되지 않을 수 있다.Specifically, the first cluster CT1 includes first through m-th output stages ST1 through STm for outputting scan signals G1 through Gm to m gate lines of the first group, (CR1) to the next stage cluster (CT2). The second cluster CT2 includes the (m + 1) th to (2m) th output stages STm + 1 to ST2m for outputting the scan signals Gm + 1 to G2m to the m gate lines of the second group, And a second carry stage CS2 for outputting the carry signal CR2 to the next stage cluster. Here, the second carry signal CR2 may be output to the previous stage cluster CT1 or not output.

각 클러스터(CT)에 속한 출력 스테이지(ST1~STm) 및 캐리 스테이지(CS) 각각은 도 2에 도시된 바와 같이 제1 노드(이하, Q 노드)와 제2 노드(이하, QB노드)의 논리(전압) 상태에 따라 클럭(CLKn) 또는 저전위 전압(VSS)을 출력 노드로 출력하는 출력부를 포함한다.Each of the output stages ST1 to STm and the carry stage CS belonging to each cluster CT are connected to the logic of the first node (hereinafter Q node) and the second node (hereinafter, QB node) And an output section for outputting a clock (CLKn) or a low potential voltage (VSS) to the output node in accordance with the voltage (voltage) state.

저전위 전압(VSS)은 게이트 로우 전압 또는 게이트 오프 전압으로 표현될 수 있다.The low-potential voltage VSS can be expressed by a gate-low voltage or a gate-off voltage.

각 클러스터(CT)에 속한 m개의 출력 스테이지(ST1~STm)는 m개의 게이트 라인에 스캔 신호(G1~Gm)를 각각 출력한다. 각 게이트 라인에 공급되는 스캔 신호(G)는 서로 다른 주기를 갖는 복수의 스캔 펄스가 조합된 복합 파형을 갖는다.M output stages ST1 to STm belonging to each cluster CT output scan signals G1 to Gm to m gate lines, respectively. The scan signal G supplied to each gate line has a complex waveform in which a plurality of scan pulses having different periods are combined.

각 클러스터(CT)에 속한 캐리 스테이지(CS)는 게이트 라인을 구동하지 않고, 다음단 클러스터에 포함된 스테이지들의 Q 노드를 하이 상태로 세트시키는 세트 신호로 이용되거나, 이전단 클러스터에 포함된 스테이지들의 Q 노드를 로우 상태로 리셋시키는 리셋 신호로 이용된다.The carry stage CS belonging to each cluster CT does not drive the gate line and is used as a set signal to set the Q node of the stages included in the next stage cluster to a high state, And is used as a reset signal for resetting the Q node to the low state.

이하에서 해당 노드의 하이 상태를 의미하는 세트 상태는 게이트-온 상태로도 표현될 수 있고, 해당 노드의 로우 상태를 의미하는 리셋 상태는 게이트-오프 상태로도 표현될 수 있다.Hereinafter, a set state indicating a high state of the corresponding node may be expressed as a gate-on state, and a reset state indicating a low state of the node may also be expressed as a gate-off state.

각 클러스터(CT)에 속한 출력 스테이지(ST) 및 캐리 스테이지(CS)는 외부로부터의 스타트 신호(Vst) 또는 이전단 클러스터에 속한 캐리 스테이지로부터의 캐리 신호에 응답하여 Q 노드를 하이 상태로 세트시키고, 다음단 클러스터에 속한 캐리 스테이지로부터의 캐리 신호에 응답하여 Q 노드를 로우 상태로 리셋시킨다.The output stage ST and the carry stage CS belonging to each cluster CT set the Q node to the high state in response to the start signal Vst from the outside or the carry signal from the carry stage belonging to the previous stage cluster , And resets the Q node to the low state in response to the carry signal from the carry stage belonging to the next-stage cluster.

이와 달리, Q 노드를 리셋시키기 위한 리셋 신호는 외부 회로에서 별도로 공급될 수 있다. 외부 회로는 스타트 신호(Vst) 및 클럭(CLKs)을 생성하여 공급하는 타이밍 컨트롤러이거나, 내장 게이트 드라이버에 포함되고 쉬프트 레지스터의 입출력 신호를 이용하여 리셋 신호를 생성하고 공급하는 리셋 회로일 수 있다.Alternatively, the reset signal for resetting the Q node may be supplied separately from the external circuit. The external circuit may be a timing controller that generates and supplies the start signal Vst and the clocks CLKs or a reset circuit included in the built-in gate driver and generates and supplies a reset signal using the input / output signal of the shift register.

각 클러스터(CT)에 속한 출력 스테이지(ST) 및 캐리 스테이지(CS) 각각은 다수의 클럭(CLKs)을 각각 공급하는 다수의 클럭 라인 중 적어도 어느 하나와 접속된다. 각 클러스터(CT)가 m개 출력 스테이지(ST1~STm)를 포함하는 경우, 다수의 클럭(CLKs)은 m상 이상의 순환 클럭을 포함하고, 각 클러스터(CT)에 m상 이상의 클럭(CLKs)이 공급된다. 각 클러스터(CT)에 속하는 m개의 출력 스테이지(ST1~STm)에는 m상 클럭이, 즉 서로 다른 클럭이 각각 공급되고, m상 클럭은 서로 일부 구간이 오버랩할 수 있다. 각 클러스터(CT)에 속한 캐리 스테이지(CS)에는 m상 클럭과 별개인 캐리 클럭이 공급되거나, 그 클러스터(CT)에 속한 m개 출력 스테이지들(ST1~STm) 중 어느 하나와 동일한 클럭이 공급될 수 있다.Each of the output stage ST and the carry stage CS belonging to each cluster CT is connected to at least one of a plurality of clock lines supplying a plurality of clocks CLKs. When each cluster CT includes m output stages ST1 to STm, the plurality of clocks CLKs include circulating clocks of m-phase or more, and clocks CLKs of m-phase or more are included in each cluster CT . M-phase clocks, that is, different clocks are supplied to the m output stages ST1 to STm belonging to each cluster CT, and m-phase clocks may partially overlap each other. A carry clock different from the m-phase clock is supplied to the carry stage CS belonging to each cluster CT or a clock identical to any one of the m output stages ST1 to STm belonging to the cluster CT is supplied .

각 클러스터(CT)에 속하는 m개의 출력 스테이지들(ST1~STm)과 하나의 캐리 스테이지(CS) 중 적어도 2개의 스테이지는 Q 노드 및 QB 노드 중 적어도 하나를 공유할 수 있다. 각 클러스터(CT)에 속하는 m개의 출력 스테이지들(ST1~STm) 중 적어도 2개의 스테이지는 QB 노드를 공유할 수 있다. 각 클러스터(CT)에 속하는 캐리 스테이지(CS)는 m개의 출력 스테이지들 중 어느 하나와 Q 노드를 공유할 수 있다.At least two of m output stages ST1 through STm and one carry stage CS belonging to each cluster CT may share at least one of the Q node and the QB node. At least two of the m output stages (ST1 to STm) belonging to each cluster (CT) can share the QB node. A carry stage (CS) belonging to each cluster (CT) can share a Q node with any one of the m output stages.

도 2는 도 1에 도시된 각 스테이지에 적용되는 출력부의 기본 구성을 나타낸 회로도이다.2 is a circuit diagram showing a basic configuration of an output section applied to each stage shown in Fig.

도 2를 참조하면, 출력부는 Q 노드의 논리 상태에 따라 어느 하나의 클럭(CLKn)을 출력 노드로 출력하는 풀-업 트랜지스터(Tup)와, QB 노드의 논리 상태에 따라 저전위 전압(VSS)을 출력 노드로 출력하는 적어도 1개의 풀-다운 트랜지스터(Tdn)를 구비한다. 풀-업 트랜지스터(Tup)는 Q 노드가 하이 상태일 때 클럭(CLKn)을 출력 노드로 공급하고, 풀-다운 트랜지스터(Tdn)는 Q 노드와 상반되게 동작하는 QB 노드가 하이 상태일 때 저전위 전압(VSS)을 출력 노드로 공급한다.2, the output unit includes a pull-up transistor Tup for outputting one of the clocks CLKn to the output node in accordance with the logic state of the Q node, and a pull-up transistor Tup for outputting a low potential voltage VSS according to the logic state of the QB node. Down transistor (Tdn) for outputting the pull-down signal to the output node. The pull-up transistor Tup supplies the clock CLKn to the output node when the Q node is in the high state and the pull-down transistor Tdn supplies the low potential And supplies the voltage VSS to the output node.

도 3은 도 1에 도시된 각 클러스터의 제1 실시예에 따른 출력부를 나타낸 회로도이다.3 is a circuit diagram showing an output unit according to the first embodiment of each cluster shown in FIG.

도 3은 한 클러스터(CT1)가 3개의 출력 스테이지(ST1~ST3)와, 1개의 캐리 스테이지(CS1)를 포함한 경우를 예시한 것으로, 출력 스테이지(ST1~ST3) 및 캐리 스테이지(CS1)의 출력부를 나타낸 것이다.3 illustrates a case where one cluster CT1 includes three output stages ST1 to ST3 and one carry stage CS1 and outputs the outputs of the output stages ST1 to ST3 and the carry stage CS1 .

제1 내지 제3 출력 스테이지(ST1~ST3)는 제1 내지 제3 게이트 라인에 스캔 신호(G1~G3)를 각각 출력하고, 제1 캐리 스테이지(CS1)는 다음단 클러스터(CT2)로 제1 캐리 신호(CR1)를 출력한다. 제1 내지 제3 출력 스테이지(ST1~ST3)에는 3상의 제1 내지 제3 클럭(CLK1~CLK3)이 각각 공급되고, 제1 캐리 스테이지(CS1)에는 캐리 클럭(CLKc)이 공급된다.The first to third output stages ST1 to ST3 respectively output scan signals G1 to G3 to the first to third gate lines and the first carry stage CS1 outputs the first And outputs a carry signal CR1. The first to third clocks CLK1 to CLK3 of three phases are supplied to the first to third output stages ST1 to ST3 respectively and the carry clock CLKc is supplied to the first carry stage CS1.

제1 출력 스테이지(ST1)의 풀-업 트랜지스터(Tup1)는 Q1 노드가 하이 상태일 때 제1 클럭(CLK1)을 출력 노드를 통해 제1 게이트 라인의 스캔 신호(G1)로 출력하고, 제2 출력 스테이지(ST2)의 풀-업 트랜지스터(Tup2)는 Q2 노드가 하이 상태일 때 제2 클럭(CLK2)을 출력 노드를 통해 제2 게이트 라인의 스캔 신호(G2)로 출력하고, 제3 출력 스테이지(ST3)의 풀-업 트랜지스터(Tup3)는 Q3 노드가 하이 상태일 때 제3 클럭(CLK3)을 출력 노드를 통해 제3 게이트 라인의 스캔 신호(G3)로 출력하고, 캐리 스테이지(CS1)의 풀-업 트랜지스터(Tup-C)는 Qr 노드가 하이 상태일 때 캐리 클럭(CLKc)을 출력 노드를 통해 제1 캐리 신호(CR1)로 출력한다.The pull-up transistor Tup1 of the first output stage ST1 outputs the first clock CLK1 to the scan signal G1 of the first gate line through the output node when the node Q1 is in a high state, The pull-up transistor Tup2 of the output stage ST2 outputs the second clock CLK2 through the output node to the scan signal G2 of the second gate line when the node Q2 is in the high state, Up transistor Tup3 in the third stage ST3 outputs the third clock CLK3 to the scan signal G3 of the third gate line through the output node when the node Q3 is in the high state, The pull-up transistor Tup-C outputs the carry clock CLKc to the first carry signal CR1 through the output node when the Qr node is in a high state.

제1 내지 제3 출력 스테이지(ST1~ST3)의 풀-다운 트랜지스터(Tdn1~Tdn3)는 QB1~QB3 노드가 각각 하이 상태일 때 저전위 전압(VSS0)을 해당 출력 노드를 통해 스캔 신호(G1~G3)로 각각 출력한다. 캐리 스테이지(CS1)의 풀-다운 트랜지스터(Tdn-C)는 QBr 노드가 하이 상태일 때 저전위 전압(VSS1)을 해당 출력 노드를 통해 캐리 신호(CR1)로 출력한다.The pull-down transistors Tdn1 to Tdn3 of the first to third output stages ST1 to ST3 are turned on when the nodes QB1 to QB3 are respectively in a high state and the low potential voltage VSS0 is applied to the scan signals G1- G3. The pull-down transistor Tdn-C of the carry stage CS1 outputs the low potential voltage VSS1 to the carry signal CR1 through the corresponding output node when the QBr node is in a high state.

한 클러스터(CTI)에 속한 캐리 스테이지(CS1)는 그 클러스터(CT1)에 속한 출력 스테이지(ST1~ST3) 중 적어도 어느 하나와 Qr 노드 및 QBr 노드 중 적어도 하나를 공유하거나, 클럭(CLK3)을 공유할 수 있다.The carry stage CS1 belonging to one cluster (CTI) shares at least one of the Qr node and the QBr node with at least one of the output stages ST1 to ST3 belonging to the cluster CT1, or shares the clock CLK3 can do.

예를 들면, 도 3에 도시된 바와 같이 한 클러스터(CT1)에 속한 출력 스테이지(ST1~ST3)의 QB1~QB3 노드와, 캐리 스테이지(CS1)의 QBr 노드가 서로 연결될 수 있다.For example, the QB1 to QB3 nodes of the output stages ST1 to ST3 belonging to one cluster CT1 and the QBr nodes of the carry stage CS1 may be connected to each other as shown in Fig.

이와 달리, 도 4에 도시된 바와 같이 한 클러스터(CT1)에 속한 캐리 스테이지(CS1)의 Qr 노드가 인접한 출력 스테이지(ST3)의 Q3 노드를 공유하거나, 캐리 스테이지(CS1)의 QBr 노드가 인접한 출력 스테이지(ST3)의 QB3 노드를 공유하거나, 캐리 스테이지(CS1)의 풀-업 트랜지스터(Tup-C)가 인접한 출력 스테이지(ST3)의 풀-업 트랜지스터(Tup3)에 공급되는 클럭(CLK3)을 공유할 수 있다.Alternatively, as shown in FIG. 4, the Qr node of the carry stage CS1 belonging to one cluster CT1 may share the Q3 node of the adjacent output stage ST3, or the QBr node of the carry stage CS1 may be adjacent to the output The QB3 node of the stage ST3 is shared or the pull-up transistor Tup-C of the carry stage CS1 shares the clock CLK3 supplied to the pull-up transistor Tup3 of the adjacent output stage ST3 can do.

한 클러스터(CT1)에 속한 출력 스테이지(ST1~ST3)에 공급되는 저전위 전압(VSS0)과 캐리 스테이지(CS1)에 공급되는 저전위 전압(VSS1)은 서로 다르거나 같을 수 있고, 서로 같은 경우 동일한 저전위 전원 라인을 서로 공유할 수 있다. 캐리 신호(CR)가 이전단 클러스터의 리셋 신호로 이용될 때 해당 리셋 트랜지스터의 완전한 오프 상태를 위하여, 캐리 신호(CR)의 로우 전압으로 이용되는 저전위 전압(VSS1)이 스캔 신호의 로우 전압으로 이용되는 저전위 전압(VSS0) 보다 낮을 수 있다.The low potential voltage VSS0 supplied to the output stages ST1 through ST3 belonging to one cluster CT1 and the low potential voltage VSS1 supplied to the carry stage CS1 may be different or the same, The low potential power lines can be shared with each other. When the carry signal CR is used as the reset signal of the previous stage cluster, the low potential voltage VSS1 used for the low voltage of the carry signal CR is set to the low voltage of the scan signal May be lower than the low potential voltage VSS0 used.

도 5는 도 1에 도시된 한 클러스터의 출력부에 대한 다른 예를 나타낸 회로도이다.5 is a circuit diagram showing another example of the output portion of one cluster shown in Fig.

도 5를 참조하면, 한 클러스터(CT1)에 속한 출력 스테이지들(ST1~ST3) 및 캐리 스테이지(CS1)는 각각 적어도 2개의 QB 노드를 구비한다는 점에서 도 3과 차이가 있다. 각 스테이지에 구비된 적어도 2개의 QB노드는 일정 주기마다 교대로 하이 상태로 동작하고, 하이 상태로 동작하지 않는 QB 노드는 로우 상태를 유지한다.5, the output stages ST1 to ST3 belonging to one cluster CT1 and the carry stage CS1 are different from those of FIG. 3 in that they each include at least two QB nodes. At least two QB nodes provided in each stage alternately operate in a high state every predetermined period, and a QB node not operating in a high state maintains a low state.

예를 들면, 한 클러스터(CT1)에 속한 제1 출력 스테이지(ST1)의 출력부는 QB11 노드의 제어에 의해 스위칭되는 제1 풀-다운 트랜지스터(Tdn11)와, QB11 노드와 일정 주기마다 교대로 동작하는 QB12 노드의 제어에 의해 스위칭되는 제2 풀-다운 트랜지스터(Tdn12)를 구비한다. 제2 출력 스테이지(ST2)의 출력부는 QB21 노드의 제어에 의해 스위칭되는 제1 풀-다운 트랜지스터(Tdn21)와, QB21 노드와 일정 주기마다 교대로 동작하는 QB22 노드의 제어에 의해 스위칭되는 제2 풀-다운 트랜지스터(Tdn22)를 구비한다. 제3 출력 스테이지(ST3)의 출력부는 QB31 노드의 제어에 의해 스위칭되는 제1 풀-다운 트랜지스터(Tdn31)와, QB31 노드와 일정 주기마다 교대로 동작하는 QB32 노드의 제어에 의해 스위칭되는 제2 풀-다운 트랜지스터(Tdn32)를 구비한다. 캐리 스테이지(CS1)의 출력부는 QBr1 노드의 제어에 의해 스위칭되는 제1 풀-다운 트랜지스터(Tdn-C1)와, QBr1 노드와 일정 주기마다 교대로 동작하는 QBr2 노드의 제어에 의해 스위칭되는 제2 풀-다운 트랜지스터(Tdn-C2)를 구비한다.For example, the output part of the first output stage ST1 belonging to one cluster CT1 includes a first pull-down transistor Tdn11 switched by the control of the QB11 node, and a second pull- And a second pull-down transistor Tdn12 switched by control of the QB12 node. The output of the second output stage ST2 includes a first pull-down transistor Tdn21 switched by the control of the QB21 node and a second pull-down transistor Tdn21 switched by control of the QB22 node, - down transistor Tdn22. The output of the third output stage ST3 includes a first pull-down transistor Tdn31 that is switched under the control of the QB31 node and a second pull-down transistor Tdn31 that is switched by control of the QB 32 node, - down transistor Tdn32. The output of the carry stage CS1 includes a first pull-down transistor Tdn-C1 switched under the control of the QBr1 node and a second pull-down transistor Tdn-C1 switched by control of the QBr2 node, - down transistor Tdn-C2.

한 클러스터(CT1)에 속한 캐리 스테이지(CS1)의 Qr 노드가 인접한 제3 출력 스테이지(ST3)의 Q3 노드를 공유할 수 있다. 캐리 스테이지(CS1)의 풀-업 트랜지스터(Tup-C)는 인접한 제3 출력 스테이지(ST3)의 풀-업 트랜지스터(Tup3)에 공급되는 클럭(CLK3)을 공유하거나, 별개의 캐리 클럭(CLKc)을 입력할 수 있다.The Qr node of the carry stage CS1 belonging to one cluster CT1 may share the Q3 node of the adjacent third output stage ST3. The pull-up transistor Tup-C of the carry stage CS1 shares a clock CLK3 supplied to the pull-up transistor Tup3 of the adjacent third output stage ST3, or a separate carry clock CLKc, Can be input.

도 6은 도 1에 도시된 한 클러스터의 노드 제어부를 예를 들어 나타낸 회로도이다.6 is a circuit diagram showing an example of a node controller of one cluster shown in FIG.

도 6을 참조하면, 한 클러스터(CT1)에 속한 출력 스테이지들(ST1~ST3)과 캐리 스테이지(CS1) 각각은 Q1~Q3 노드 및 Qr 노드를 각각 세트 상태 또는 리셋 상태로 제어하는 노드 제어부를 구비한다. 스테이지들(ST1~ST3, CS1) 각각의 노드 제어부는 세트 신호(Vs(i), i=1, 2, 3)의 제어에 따라 고전위 전압(VD)을 이용하여 Q 노드를 하이 상태로 세트시키는 세트 트랜지스터(Ti1, i=1, 2, 3, 4)와, 리셋 신호(Vrs(i), i=1, 2, 3)의 제어에 따라 저전위 전압(VSS2)을 이용하여 Q 노드를 로우 상태로 리셋시키는 리셋 트랜지스터(Ti2, i=1, 2, 3, 4)를 포함한다. 세트 신호(Vs)는 외부 세트 신호 또는 이전단 클러스터의 캐리 신호를 이용하고, 리셋 신호(Vrs)는 외부 리셋 신호 또는 다음단 클러스터의 캐리 신호를 이용한다. 고전위 전압(VDD)는 게이트 온 전압, 게이트 하이 전압 등으로 표현될 수 있다. VSS2는 VSS1, VSS0와 같거나 높을 수 있다.6, each of the output stages ST1 to ST3 and the carry stage CS1 belonging to a cluster CT1 has a node control unit for controlling the nodes Q1 to Q3 and the node Qr to a set state or a reset state, respectively do. The node controller of each of the stages ST1 to ST3 and CS1 sets the Q node to the high state using the high potential voltage VD under the control of the set signal Vs (i), i = 1, 2, (I = 1, 2, 3, 4) and the low potential voltage VSS2 according to the control of the reset signal Vrs And a reset transistor Ti2 (i = 1, 2, 3, 4) for resetting to a low state. The set signal Vs uses the external set signal or the carry signal of the previous stage cluster, and the reset signal Vrs uses the external reset signal or the carry signal of the next stage cluster. The high-potential voltage VDD can be expressed by a gate-on voltage, a gate high voltage, or the like. VSS2 may be equal to or higher than VSS1, VSS0.

구체적으로, 출력 스테이지(ST1)의 노드 제어부는 세트 신호(Vs1)의 제어에 응답하여 고전위 전압(VD)을 Q1 노드로 공급하여 Q1 노드를 하이 상태로 세트시키는 세트 트랜지스터(T11)와, 리셋 신호(Vrs1)의 제어 응답하여 저전위 전압(VSS2)을 Q1 노드로 공급하여 Q1 노드를 로우 상태로 리셋시키는 리셋 트랜지스터(T12)를 구비한다. 출력 스테이지(ST2)의 노드 제어부는 세트 신호(Vs2)의 제어에 응답하여 고전위 전압(VD)을 Q2 노드로 공급하여 Q2 노드를 하이 상태로 세트시키는 세트 트랜지스터(T21)와, 제2 리셋 신호(Vrs2)의 제어 응답하여 저전위 전압(VSS2)을 Q2 노드로 공급하여 Q2 노드를 로우 상태로 리셋시키는 리셋 트랜지스터(T22)를 구비한다. 출력 스테이지(ST3)의 노드 제어부는 세트 신호(Vs3)의 제어에 응답하여 고전위 전압(VD)을 Q3 노드로 공급하여 Q3 노드를 하이 상태로 세트시키는 세트 트랜지스터(T31)와, 리셋 신호(Vrs3)의 제어 응답하여 저전위 전압(VSS2)을 Q3 노드로 공급하여 Q3 노드를 로우 상태로 리셋시키는 리셋 트랜지스터(T32)를 구비한다. 캐리 출력 스테이지(CS1)의 노드 제어부는 세트 신호(Vs3)의 제어에 응답하여 고전위 전압(VD)을 Qr 노드로 공급하여 Qr 노드를 하이 상태로 세트시키는 세트 트랜지스터(T41)와, 리셋 신호(Vrs3)의 제어 응답하여 저전위 전압(VSS2)을 Qr 노드로 공급하여 Qr 노드를 로우 상태로 리셋시키는 리셋 트랜지스터(T42)를 구비한다.Specifically, the node control section of the output stage ST1 responds to the control of the set signal Vs1 by providing a set transistor T11 for supplying the high potential voltage VD to the node Q1 to set the node Q1 to a high state, And a reset transistor T12 for supplying the low potential voltage VSS2 to the node Q1 in response to the control of the signal Vrs1 to reset the node Q1 to the low state. The node control section of the output stage ST2 responds to the control of the set signal Vs2 by setting the set transistor T21 to supply the high potential voltage VD to the node Q2 to set the node Q2 to the high state, And a reset transistor T22 for supplying the low potential voltage VSS2 to the node Q2 in response to the control of the reset transistor Vrs2 to reset the node Q2 to the low state. The node control section of the output stage ST3 includes a set transistor T31 for supplying the high potential voltage VD to the node Q3 in response to the control of the set signal Vs3 to set the node Q3 to the high state, And a reset transistor T32 for supplying the low potential voltage VSS2 to the node Q3 in response to the control of the reset transistor T32 to reset the node Q3 to the low state. The node control section of the carry output stage CS1 responds to the control of the set signal Vs3 by a set transistor T41 which supplies the high potential voltage VD to the node Qr to set the node Qr to a high state, And a reset transistor T42 for supplying the low potential voltage VSS2 to the Qr node in response to the control of the reset transistor T42 to reset the Qr node to the low state.

세트 신호(Vs1~Vs3)는 외부 세트 신호 또는 이전단 클러스터로부터의 캐리 신호를 이용할 수 있다. 리셋 신호(Vrs1~Vrs3)는 외부 리셋 신호 또는 다음단 클러스터로부터의 캐리 신호를 이용할 수 있다. 한 클러스터(CT1)에 속한 세트 신호(Vs1~Vs3)는 동일 신호를 이용하거나, 클러스터(CT1)에 속한 리셋 신호(Vrs1~Vrs3)는 동일 신호를 이용할 수 있다. 이 경우, 각 클러스터의 입력 라인 수를 감소시킬 수 있다.The set signals Vs1 to Vs3 may use an external set signal or a carry signal from the previous stage cluster. The reset signals Vrs1 to Vrs3 may use an external reset signal or a carry signal from the next stage cluster. The same signals can be used for the set signals Vs1 to Vs3 belonging to one cluster CT1 or the same signals can be used for the reset signals Vrs1 to Vrs3 belonging to the cluster CT1. In this case, the number of input lines in each cluster can be reduced.

도 7은 도 1에 도시된 한 클러스터의 제2 노드 제어부를 예를 들어 나타낸 회로도이다.FIG. 7 is a circuit diagram showing a second node controller of one cluster shown in FIG. 1, for example.

도 7을 참조하면, 한 클러스터(CT1)는 Q 노드의 세트 동작을 원활하게 하기 위하여 QB 노드를 로우 상태로 리셋시키는 QB 리셋부를 구비한다. QB 리셋부는 제어 신호(Vpr)에 응답하여 전원 전압(VSSn)을, 한 클러스터(CT1)에 속한 출력 스테이지들(ST1~ST3)과 캐리 스테이지(CS1)의 QB1~QB3 노드와 QBr 노드에 공통으로 공급하는 리셋 트랜지스터(Tr3)를 구비한다.Referring to FIG. 7, one cluster CT1 includes a QB reset unit for resetting the QB node to a low state to smooth the set operation of the Q node. The QB reset section responds to the control signal Vpr and supplies the power supply voltage VSSn to the nodes QB1 to QB3 and QBr nodes of the output stage ST1 to ST3 belonging to one cluster CT1 and the carry stage CS1 in common And a reset transistor Tr3 for supplying the reset transistor Tr3.

제어 신호(Vpr)는 외부 리셋 신호 또는 전단 클러스터로부터의 캐리 신호를 이용할 수 있다. 전원 전압(VSSn)은 로우 레벨을 유지하는 직류 전원의 저전위 전압(VSS3)이거나, 일정 시간마다 하이 레벨과 로우 레벨이 교대로 인가되는 교류 전원이 이용될 수 있다. 적어도 2개 이상의 클러스터가 전원 전압(VSSn)을 공유할 수 있다.The control signal Vpr can use an external reset signal or a carry signal from the front cluster. The power supply voltage VSSn may be the low potential voltage VSS3 of the DC power supply maintaining the low level or alternatively may be an AC power supply having the high level and the low level alternately applied at regular intervals. At least two clusters may share the power supply voltage VSSn.

도 8은 도 1에 도시된 쉬프트 레지스터에서 한 스테이지를 예를 들어 나타낸 회로도이다.8 is a circuit diagram showing one stage in the shift register shown in FIG.

도 8에 도시된 스테이지는 도 1에 도시된 각 클러스터(CT)의 출력 스테이지(ST1~STm)와 캐리 스테이지(CS) 각각에 적용되는 것으로, 한 스테이지는 출력부와, 출력부의 Q 노드를 제어하는 제1 노드 제어부와, 출력부의 QB 노드를 제어하는 제2 노드 제어부를 구비한다.The stage shown in Fig. 8 is applied to each of the output stages ST1 to STm and the carry stage CS of each cluster CT shown in Fig. 1, in which one stage controls the output node and the Q node of the output node And a second node control unit for controlling the QB node of the output unit.

출력부는 Q 노드의 제어에 응답하여 클럭(CLKn)을 출력 노드를 통해 출력하는 풀-업 트랜지스터(Tup)와, QB 노드의 제어에 응답하여 저전위 전압(VSS1)을 출력 노드를 통해 출력하는 풀-다운 트랜지스터(Tdn)를 포함한다. Q 노드가 세트(하이) 상태일 때, 풀-업 트랜지스터(Tup)는 클럭(CLKn)을 출력 노드를 통해 출력하고, QB 노드가 세트(하이) 상태일 때, 풀-다운 트랜지스터(Tdn)는 저전위 전압(VSS1)을 출력 노드를 통해 출력한다.The output section includes a pull-up transistor (Tup) for outputting a clock (CLKn) through an output node in response to the control of the Q node and a pull-up transistor (Tup) for outputting a low potential - down transistor Tdn. When the Q node is in the set (high) state, the pull-up transistor Tup outputs the clock CLKn through the output node, and when the QB node is in the set (high) And outputs the low potential voltage VSS1 through the output node.

제1 노드 제어부는 세트 신호(Vs)의 제어에 응답하여 고전위 전압(VD)으로 Q 노드를 하이 상태로 세트시키는 세트 트랜지스터(T1)와, 리셋 신호(Vrs)의 제어에 응답하여 저전위 전압(VSS2)으로 Q 노드를 로우 상태로 리셋시키는 리셋 트랜지스터(T2)를 포함한다.The first node control unit includes a set transistor T1 for setting the Q node to a high state to a high potential voltage VD in response to the control of the set signal Vs, And a reset transistor T2 for resetting the Q node to a low state by a reset signal VSS2.

제2 노드 제어부는 Q 노드와 상반되게 QB 노드를 제어하는 인버터(INV)를 포함한다. 인버터(INV)는 Q 노드가 세트(하이) 상태이면 저전위 전압(VL)으로 QB 노드를 로우 상태로 리셋시키고, Q 노드가 리셋(로우) 상태이면 고전위 전압(VH)으로 QB노드를 하이 상태로 세트시킨다. 인버터(INV)에 공급되는 고전위 전압(VH)은 세트 트랜지스터(T1)에 공급되는 고전위 전압(VD)과 같거나 다를 수 있다. 인버터(INV)에 공급되는 저전위 전압(VL)은 리셋 트랜지스터(T2)에 공급되는 전위 전압(VSS2), 풀-다운 트랜지스터(Tdn)에 공급되는 저전위 전압(VSS1)과 같거나 다를 수 있다.The second node control unit includes an inverter (INV) controlling the QB node in contradiction with the Q node. The inverter INV resets the QB node to a low state with the low potential voltage VL when the Q node is in the set (high) state and the QB node with the high potential voltage VH when the Q node is in the reset (low) State. The high-potential voltage VH supplied to the inverter INV may be equal to or different from the high-potential voltage VD supplied to the set transistor Tl. The low potential voltage VL supplied to the inverter INV may be equal to or different from the potential voltage VSS2 supplied to the reset transistor T2 and the low potential voltage VSS1 supplied to the pull-down transistor Tdn .

도 9는 도 8에 도시된 인버터의 다양한 실시예를 나타낸 회로도이다.9 is a circuit diagram showing various embodiments of the inverter shown in Fig.

도 9(a)에 도시된 인버터는 고전위 전압(VH)의 공급 라인과 QB 노드 사이에 다이오드 구조로 연결된 제1 트랜지스터(Ta)와, Q 노드의 제어에 응답하여 저전위 전압(VL)을 QB 노드로 공급하는 제2 트랜지스터(Tb)를 구비한다.The inverter shown in FIG. 9A includes a first transistor Ta connected in a diode structure between a supply line of a high-potential voltage (VH) and a QB node, and a first transistor (Ta) And a second transistor (Tb) for supplying the second transistor (Tb) to the QB node.

Q 노드의 로우 상태에 의해 제2 트랜지스터(Tb)가 턴-오프되면, QB 노드는 턴-온된 제1 트랜지스터(Ta)를 통해 고전위 전압(VL)으로 충전되어 세트 상태가 된다. Q 노드의 하이 상태에 의해 제2 트랜지스터(Tb)가 턴-온되면, 다이오드 구조의 제1 트랜지스터(Ta)가 턴-온된 상태라도, QB 노드는 제2 트랜지스터(Tb)를 통해 저전위 전압(VL)으로 방전되어 리셋 상태가 된다. 이를 위하여, 제2 트랜지스터(Tb)가 제1 트랜지스터(Ta) 보다 채널폭이 크게 형성된다.When the second transistor Tb is turned off by the low state of the Q node, the QB node is charged to the high-potential voltage VL through the first transistor Ta that is turned on, and is set. If the second transistor Tb is turned on by the high state of the Q node even though the first transistor Ta of the diode structure is in the turned-on state, the QB node is turned on via the second transistor Tb VL) to be reset. For this, the second transistor Tb is formed to have a larger channel width than the first transistor Ta.

도 9(b)에 도시된 인버터는 도 9(a)에 도시된 인버터와 대비하여, 제1 트랜지스터(Ta)가 다이오드 구조가 아니라 별개의 제어 신호(CL)에 의해 제어된다는 점에서 차이가 있다. 제어 신호(CL)로는 클럭이 이용될 수 있다.The inverter shown in Fig. 9 (b) differs from the inverter shown in Fig. 9 (a) in that the first transistor Ta is not controlled by a diode structure but is controlled by a separate control signal CL . As the control signal CL, a clock can be used.

도 9(c)에 도시된 인버터는 제1 트랜지스터(Ta) 내지 제4 트랜지스터(Td)를 구비한다.The inverter shown in FIG. 9 (c) includes a first transistor Ta to a fourth transistor Td.

제1 트랜지스터(Ta)는 제어 신호(CL)에 응답하여 고전위 전압(VH)을 A 노드로 공급하고, 제2 트랜지스터(Tb)는 Q 노드의 제어에 응답하여 A 노드로 저전위 전압(VL)을 공급하고, 제3 트랜지스터(Tc)는 A 노드의 제어에 응답하여 QB 노드에 고전위 전압(VH)을 공급하고, 제4 트랜지스터(Td)는 Q 노드의 제어에 응답하여 QB 노드에 저전위 전압(VL)을 공급한다.The first transistor Ta supplies the high potential voltage VH to the node A in response to the control signal CL and the second transistor Tb supplies the low potential voltage VL The third transistor Tc supplies the high potential voltage VH to the QB node in response to the control of the A node and the fourth transistor Td supplies the high voltage VH to the QB node in response to the control of the Q node. And supplies the potential voltage VL.

Q 노드가 로우 상태일 때, 제2 및 제4 트랜지스터(Tb, Td)가 턴-오프되고, A 노드는 제1 트랜지스터(Ta)가 제어 신호(CL)에 의해 턴-온되면 고전위 전압(VH)을 충전하고, 충전된 A 노드의 제어에 의해 턴-온된 제3 트랜지스터(Tc)를 통해 QB 노드는 고전위 전압(VH)을 충전하여 하이 상태로 세트된다. Q 노드가 하이 상태일 때, 제2 및 제4 트랜지스터(Tb, Td)가 턴-온되고, A 노드는 제1 트랜지스터(Ta)가 제어 신호(CL)에 의해 턴-온되더라도 제2 트랜지스터(Tb)를 통해 저전위 전압(VL)으로 방전되고, 방전된 A 노드의 제어에 의해 제3 트랜지스터(Tc)는 턴-오프되고, QB 노드는 제4 트랜지스터(Td)를 통해 저전위 전압(VL)으로 방전되어 로우 상태로 리셋된다.When the Q node is in the low state, the second and fourth transistors Tb and Td are turned off and the node A is turned on when the first transistor Ta is turned on by the control signal CL. VH), and the QB node charges the high-potential voltage (VH) through the third transistor (Tc) turned on under the control of the charged A node, and is set to the high state. The second and fourth transistors Tb and Td are turned on when the Q node is in a high state and the A node is turned on when the first transistor Ta is turned on by the control signal CL, The third transistor Tc is turned off under the control of the discharged A node and the QB node is turned on via the fourth transistor Td to the low potential voltage VL ) And is reset to the low state.

도 9(d)에 도시된 인버터는 도 9(c)에 도시된 인버터와 대비하여, 제1 트랜지스터(Ta)가 다이오드 구조라는 점에서 차이가 있다.The inverter shown in Fig. 9 (d) differs from the inverter shown in Fig. 9 (c) in that the first transistor Ta has a diode structure.

도 9(e)에 도시된 인버터는 제2 트랜지스터(Tb), 제5 트랜지스터(Te) 및 커패시터(C)를 구비한다.The inverter shown in FIG. 9 (e) includes a second transistor Tb, a fifth transistor Te, and a capacitor C.

커패시터(C)는 어느 하나의 클럭(CLKn)을 QB 노드로 공급한다. 제2 트랜지스터(Tb)는 Q 노드의 제어에 응답하여 QB 노드에 저전위 전압(VL)을 공급한다. 제5 트랜지스터(Te)는 QB 노드의 제어에 응답하여 Q 노드와 출력 노드를 연결시킨다. 클럭(CLKn)은 출력 신호(out)와 오버랩하는 클럭이다.The capacitor C supplies any one of the clocks CLKn to the QB node. The second transistor Tb supplies the low potential voltage VL to the QB node in response to the control of the Q node. The fifth transistor Te couples the Q node and the output node in response to the control of the QB node. The clock CLKn is a clock that overlaps with the output signal out.

도 9(f)에 도시된 인버터는 도 9(b)에 도시된 인버터와 비교하여, 제1 트랜지스터(Ta)의 제어 신호(CL)로서 어느 한 클럭(CLK1)이 공급되고, QB 노드와 저전위 전압(VL) 공급 라인 사이에 다른 클럭(CLK2)에 의해 제어되는 제3 트랜지스터(Tc)가 추가로 접속된다는 점에서 차이가 있다. 제3 트랜지스터(Tc)는 다른 클럭(CLK2)의 제어에 응답하여 QB 노드에 저전위 전압(VL)을 공급한다.The inverter shown in Fig. 9 (f) is different from the inverter shown in Fig. 9 (b) in that a clock CLK1 is supplied as the control signal CL of the first transistor Ta, There is a difference in that a third transistor Tc controlled by another clock CLK2 is additionally connected between the potential supply line VL. The third transistor Tc supplies the low potential voltage VL to the QB node in response to control of the other clock CLK2.

도 9(g)에 도시된 인버터는 도 9(f)에 도시된 인버터와 비교하여, 제1 트랜지스터(Ta)가 클럭(CLK1) 입력 라인에 다이오드 구조로 접속된다는 점에서 차이가 있다.The inverter shown in Fig. 9 (g) differs from the inverter shown in Fig. 9 (f) in that the first transistor Ta is connected in a diode structure to the clock (CLK1) input line.

도 9(h)에 도시된 인버터는 도 9(c)에 도시된 인버터와 비교하여, 제1 트랜지스터(Ta)의 제어 신호(CL)로서 어느 한 클럭(CLK1)이 공급되고, 제2 및 제4 트랜지스터(Tb, Td)의 제어 신호로 다른 클럭(CLK2)이 공급된다는 점에서 차이가 있다. 제1 트랜지스터(Ta)는 어느 한 클럭(CLK1)이 하이 상태일 때마다 턴-온되어 A노드를 통해 제3 트랜지스터(T3)를 턴-온시켜서 QB노드를 고전위 전압(VH)으로 충전시키고, 제2 및 제4 트랜지스터(Tb, Td)는 클럭(CLK2)이 하이 상태일 때마다 QB노드를 저전위 전압(VL)으로 방전시킨다.The inverter shown in FIG. 9H is supplied with one clock CLK1 as the control signal CL of the first transistor Ta, and the second and the third clocks CLK1 and CLK2 are supplied as compared with the inverter shown in FIG. There is a difference in that the other clock CLK2 is supplied to the control signals of the four transistors Tb and Td. The first transistor Ta is turned on every time a clock CLK1 is in a high state to turn on the third transistor T3 through the node A to charge the QB node to the high potential VH And the second and fourth transistors Tb and Td discharge the QB node to the low potential voltage VL whenever the clock CLK2 is in the high state.

도 9(i)에 도시된 인버터는 도 9(d)에 도시된 인버터와 비교하여, 제1 및 제3 트랜지스터(Ta, Tc)에 고전위 전압(VH) 대신 클럭(CLKn)이 공급된다는 점에서 차이가 있다.The inverter shown in Fig. 9 (i) is different from the inverter shown in Fig. 9 (d) in that the clock CLKn is supplied to the first and third transistors Ta and Tc in place of the high-potential voltage VH .

도 10은 도 8에 도시된 스테이지의 제1 노드 제어부에 추가되는 추가 리셋부의 다양한 예를 나타낸 회로도이다.10 is a circuit diagram showing various examples of the additional reset unit added to the first node control unit of the stage shown in FIG.

도 10(a)에 도시된 추가 리셋부는 리셋 트랜지스터(Tx)를 구비하고, 리셋 트랜지스터(Tx)는 QB 노드의 제어에 응답하여 저전위 전압(VSS2)을 Q 노드에 공급하여 Q 노드를 로우 상태로 리셋시킨다.10A has a reset transistor Tx and the reset transistor Tx supplies a low potential voltage VSS2 to the Q node in response to the control of the QB node to cause the Q node to be in a low state Lt; / RTI >

도 10(b)에 도시된 추가 리셋부는 제1 내지 제3 리셋 트랜지스터(Tx1~Tx3)를 구비한다. 제1 및 제2 리셋 트랜지스터(Tx1, Tx2)는 Q 노드와 저전위 전압(VSS2) 공급 라인 사이에 직렬 접속되고, QB 노드에 의해 공통 제어되어 저전위 전압(VSS2)을 Q 노드에 공급한다. 제3 리셋 트랜지스터(Tx3)는 Q 노드의 제어에 응답하여 제1 및 제2 리셋 트랜지스터(Tx1, Tx2) 사이의 노드에 고전위 전압(VD)을 공급한다.The additional reset portion shown in FIG. 10 (b) includes first to third reset transistors Tx1 to Tx3. The first and second reset transistors Tx1 and Tx2 are connected in series between the Q node and the low potential voltage supply line VSS2 and commonly controlled by the QB node to supply the low potential voltage VSS2 to the Q node. The third reset transistor Tx3 supplies the high potential voltage VD to the node between the first and second reset transistors Tx1 and Tx2 in response to the control of the Q node.

Q 노드가 하이 상태이고 QB 노드가 로우 상태일 때, 제1 및 제2 리셋 트랜지스터(Tx1, Tx2)는 턴-오프되어 Q 노드가 하이 상태로 플로팅을 유지하게 한다. QB 노드가 하이 상태일 때, 제1 및 제2 리셋 트랜지스터(Tx1, Tx2)는 턴-온되어 Q 노드에 저전위 전압(VSS2)을 공급함으로써 Q 노드가 리셋 상태를 유지하게 한다.When the Q node is in the high state and the QB node is in the low state, the first and second reset transistors Tx1 and Tx2 are turned off so that the Q node maintains the floating state at the high state. When the QB node is in the high state, the first and second reset transistors Tx1 and Tx2 are turned on to supply the low potential voltage VSS2 to the Q node to maintain the Q node in the reset state.

제3 리셋 트랜지스터(Tx3)는 Q 노드가 하이 상태이고, QB 노드가 로우 상태일 때 턴-온되어 고전위 전압(VD)을 제1 및 제2 리셋 트랜지스터(Tx1, Tx2)의 접속점, 즉 제1 리셋 트랜지스터(Tx1)의 소스 전극 및 제2 리셋 트랜지스터(Tx2)의 드레인 전극에 공급한다. 이에 따라, 제1 리셋 트랜지스터(Tx1)의 임계 전압이 네거티브 값으로 이동하더라도, 제1 리셋 트랜지스터(Tx1)가 턴-오프일 때 제1 리셋 트랜지스터(Tx1)의 게이트-소스 간 전압은 항상 상기 임계 전압보다 더 낮은 값을 갖게 되므로, 제1 리셋 트랜지스터(Tx1)는 완전한 턴-오프된 상태를 유지할 수 있다.The third reset transistor Tx3 is turned on when the Q node is in the high state and the QB node is in the low state to switch the high potential voltage VD to the connection point of the first and second reset transistors Tx1 and Tx2, 1 to the source electrode of the reset transistor Tx1 and the drain electrode of the second reset transistor Tx2. Accordingly, even when the threshold voltage of the first reset transistor Tx1 is shifted to the negative value, the gate-source voltage of the first reset transistor Tx1 is always kept at the threshold value when the first reset transistor Tx1 is turned off. The first reset transistor Tx1 can be kept in a completely turned-off state.

최근, 아몰퍼스 실리콘(Amorphous Silicon) 트랜지스터 보다 이동도가 높고, 폴리 실리콘(Poly-Silicon) 트랜지스터 보다 저온 공정으로 대면적 응용이 용이한 산화물 반도체(Oxide Semiconductor) 트랜지스터(이하 산화물 트랜지스터)가 표시 장치에 적용되고 있으나, 산화물 트랜지스터는 빛에 민감하여, 빛이 인가되는 시간의 경과에 따라 임계 전압(Vth)이 가변하는 약점을 갖고 있다. 그러나, 빛 인가로 인하여 제1 리셋 트랜지스터(Tx1)의 임계 전압이 네거티브 값으로 이동하더라도, 제1 리셋 트랜지스터(Tx1)가 턴-오프일 때 제3 리셋 트랜지스터(Tx3)에 의해 제1 리셋 트랜지스터(Tx1)의 소스 전압은 게이트 전압 보다 높으므로, 제1 리셋 트랜지스터(Tx1)는 완전한 턴-오프된 상태를 유지할 수 있다.2. Description of the Related Art Oxide semiconductor transistors (hereinafter, referred to as oxide transistors), which have higher mobility than amorphous silicon transistors and are easier to apply for applications in a low temperature process than poly-silicon transistors, However, the oxide transistor is sensitive to light, and has a weak point that the threshold voltage (Vth) varies depending on the passage of light. However, even if the threshold voltage of the first reset transistor Tx1 shifts to a negative value due to the application of light, the third reset transistor Tx3 is turned off by the third reset transistor Tx3 when the first reset transistor Tx1 is turned off, Tx1 is higher than the gate voltage, the first reset transistor Tx1 can be kept in a completely turned-off state.

이에 따라, Q 노드가 하이(세트) 상태일 때 누설 전류를 방지하여 하이(세트) 상태를 안정적으로 유지할 수 있다. 고전위 전압(VD) 대신 다른 직류 전압이 인가될 수 있다.Thus, leakage current can be prevented when the Q node is in the high (set) state, and the high (set) state can be stably maintained. A different direct current voltage may be applied instead of the high potential voltage VD.

도 11은 도 1에 도시된 쉬프트 레지스터에서 다른 실시예에 따른 스테이지를 예를 들어 나타낸 회로도이다.11 is a circuit diagram showing a stage according to another embodiment in the shift register shown in FIG.

도 11에 도시된 한 스테이지는, 도 8에 도시된 스테이지와 대비하여, 세트 트랜지스터(T1), 리셋 트랜지스터(T2; 제1 리셋 트랜지스터), 풀-업 트랜지스터(Tup)는 동일하고, QB 노드 및 풀-다운 트랜지스터(Tdn) 대신, QB1 및 QB2 노드에 의해 각각 제어되는 제1 및 제2 풀-다운 트랜지스터(Tdn1, Tdn2)를 구비하고, 인버터(INV) 대신 제1 및 제2 인버터(INV1, INV2)를 구비하며, QB1 및 QB2 노드에 의해 각각 제어되어 Q 노드를 리셋시키는 제2 및 제3 리셋 트랜지스터(T3, T4)를 추가로 구비한다는 점에서 차이가 있다.11 is the same as the stage shown in Fig. 8 except that the set transistor T1, the reset transistor T2 (first reset transistor) and the pull-up transistor Tup are the same, and the QB node and the pull- Down transistors Tdn1 and Tdn2 which are controlled by nodes QB1 and QB2 respectively instead of the pull-down transistors Tdn and the first and second inverters INV1 and INV2 instead of the inverter INV, INV2, and further includes second and third reset transistors T3 and T4 respectively controlled by the QB1 and QB2 nodes to reset the Q node.

QB1 및 QB2 노드는 일정 주기마다, 예를 들면 적어도 한 프레임마다 교대로 동작하고, 동작하지 않는 QB 노드는 로우를 유지한다.The QB1 and QB2 nodes alternately operate at regular intervals, for example, at least one frame, while the non-operational QB nodes maintain a low.

제1 풀-다운 트랜지스터(Tdn1)는 QB1 노드가 하이 상태일 때 턴-온되어 저전위 전압(VSS1)을 출력 노드를 통해 출력한다.The first pull-down transistor Tdn1 is turned on when the QB1 node is in the high state to output the low potential voltage VSS1 through the output node.

제2 풀-다운 트랜지스터(Tdn1)는 QB1 노드와 일정 주기마다 교대로 동작하는 QB2가 하이 상태일 때 턴-온되어 저전위 전압(VSS1)을 출력 노드를 통해 출력한다.The second pull-down transistor Tdn1 is turned on when QB2, which operates alternately with the QB1 node every predetermined period, is in the high state to output the low potential voltage VSS1 through the output node.

제1 인버터(INV1)는 Q 노드가 하이 상태일 때 저전위 전압(VL)을 이용하여 QB1 노드를 로우 상태가 되게 하고, Q 노드가 로우 상태일 때 제1 전원 전압(VH1)을 이용하여 QB1 노드를 하이 상태가 되게 한다.The first inverter INV1 causes the QB1 node to go to a low state using the low potential voltage VL when the Q node is in the high state and the QB1 node QB1 when the Q node is in the low state using the first power source voltage VH1. Makes the node high.

제2 인버터(INV2)는 Q 노드가 하이 상태일 때 저전위 전압(VL)을 이용하여 QB2 노드를 로우 상태가 되게 하고, Q 노드가 로우 상태일 때 제2 전원 전압(VH2)을 이용하여 QB2 노드를 하이 상태가 되게 한다.The second inverter INV2 causes the QB2 node to go to a low state by using the low potential voltage VL when the Q node is in the high state and the QB2 node by using the second power source voltage VH2 when the Q node is in the low state. Makes the node high.

제1 전원 전압(VH1)과 제2 전원 전압(VH2)는 일정 주기마다 교대로 하이 전압과 로우 전압을 반복하는 교류 전압이다.The first power supply voltage VH1 and the second power supply voltage VH2 are alternating voltages alternately repeating a high voltage and a low voltage every fixed period.

제2 리셋 트랜지스터(T3)는 QB1 노드가 하이 상태일 때 저전위 전압(VSS3)을 공급하여 Q 노드를 로우(리셋) 상태로 유지시킨다.The second reset transistor T3 supplies the low potential voltage VSS3 when the QB1 node is in a high state to maintain the Q node in a low (reset) state.

제3 리셋 트랜지스터(T4)는 QB2 노드가 하이 상태일 때 저전위 전압(VSS3)을 공급하여 Q 노드를 로우(리셋) 상태로 유지시킨다.The third reset transistor T4 supplies the low potential voltage VSS3 when the QB2 node is in a high state to maintain the Q node in a low (reset) state.

저전위 전압 VSS1, VSS2, VSS3, VL은 같거나 서로 다를 수 있다.The low potential voltages VSS1, VSS2, VSS3, and VL may be the same or different from each other.

저전위 전압이 서로 다른 경우, VSS2>VSS1, 또는 VSS2>VSS3 일 수 있으며, VSS3는 VL보다 크거나 같을 수 있다. 보통 VSS는 음으로 표현되므로, VSS2>VSS1 이더라도 abs(VSS2) < abs(VSS3)의 관계가 된다 (abs는 절대값). VSS1이 리셋 신호(Vrs)로 이용되는 캐리 신호의 로우 전압일 때, VSS2 보다 작으면 제1 리셋 트랜지스터(T2)가 완전한 오프 상태가 되어 제1 리셋 트랜지스터(T2)를 통한 Q 노드의 전류 누설을 방지할 수 있다. VSS3가 VSS2 보다 낮으면 제2 및 제3 리셋 트랜지스터(T3, T4)가 제1 리셋 트랜지스터(T2) 보다 더 낮은 전압으로 Q 노드를 로우(리셋) 상태로 유지시킬 수 있다. VL이 VSS3 보다 낮으면 QB1, QB2 노드에 VL이 로우 전압으로 공급될 때, 제3 및 제4 트랜지스터(T3, T4)가 완전한 오프 상태가 되어 제2 및 제3 리셋 트랜지스터(T3, T4)를 통한 Q 노드의 전류 누설을 방지할 수 있다.If the low potential voltages are different, VSS2> VSS1, or VSS2> VSS3, and VSS3 may be greater than or equal to VL. Normally, VSS is expressed as negative, so even if VSS2> VSS1, abs (VSS2) <abs (VSS3) (abs is the absolute value). When VSS1 is a low voltage of a carry signal used as a reset signal Vrs, when the voltage is lower than VSS2, the first reset transistor T2 is completely turned off and the current leakage of the Q node through the first reset transistor T2 . If VSS3 is lower than VSS2, the second and third reset transistors T3 and T4 can keep the Q node in a low (reset) state with a voltage lower than that of the first reset transistor T2. When VL is lower than VSS3, when VL is supplied to the nodes QB1 and QB2 at a low voltage, the third and fourth transistors T3 and T4 are turned off completely and the second and third reset transistors T3 and T4 are turned off It is possible to prevent leakage of the current through the Q node.

도 12는 본 발명의 실시예에 따른 쉬프트 레지스터를 대표하는 한 클러스터를 나타낸 회로도이다.12 is a circuit diagram showing a cluster representing a shift register according to an embodiment of the present invention.

도 12에 도시된 클러스터(CT)는 3개의 출력 스테이지(ST1~ST3)와 1개의 캐리 스테이지(CS)를 구비한다.The cluster CT shown in Fig. 12 has three output stages ST1 to ST3 and one carry stage CS.

출력 스테이지(ST1~ST3)와 캐리 스테이지(CS) 각각은 해당 Q노드 및 해당 QB 노드에 의해 각각 제어되는 풀-업 트랜지스터(Tup)와 풀-다운 트랜지스터(Tdn)를 구비하는 출력부(Tup, Tdn)와, 해당 Q노드를 제어하는 제1 노드 제어부(Ts, Tr1~Tr4)를 구비한다. 제1 노드 제어부(Ts, Tr1~Tr4)는 세트부인 세트 트랜지스터(Ts)와, 제1 리셋부인 제1 리셋 트랜지스터(Tr1), 제2 내지 제4 리셋 트랜지스터(Tr2~Tr4)를 포함하는 제2 리셋부(RS2)를 구비한다.Each of the output stages ST1 to ST3 and the carry stage CS includes an output unit Tup including a pull-up transistor Tup and a pull-down transistor Tdn, each of which is controlled by a corresponding Q node and a corresponding QB node, And a first node control unit (Ts, Tr1 to Tr4) for controlling the corresponding Q node. The first node control section Ts, Tr1 to Tr4 includes a set transistor Ts as a set, a first reset transistor Tr1 as a first reset section, and a second reset transistor Tr2 including a second to a fourth reset transistor Tr2 to Tr4. And a reset unit RS2.

출력 스테이지(ST1~ST3)와 캐리 스테이지(CS)의 각 출력부(Tup, Tdn)에서, 풀-업 트랜지스터(Tup)는 해당 Q 노드의 논리 상태에 따라 어느 하나의 클럭(CLK)을 해당 출력 노드를 통해 출력하고, 풀-다운 트랜지스터(Tdn)는 해당 QB 노드의 논리 상태에 따라 저전위 전압(VSS2 또는 VSS1)을 해당 출력 노드를 통해 출력한다. 캐리 스테이지(CR)의 풀-다운 트랜지스터(Tdn)에 공급되는 저전위 전압(VSS2)은 출력 스테이지(ST1~ST3) 각각의 풀-다운 트랜지스터(Tdn)에 공급되는 저전위 전압(VSS1)과 같거나 낮을 수 있다.The pull-up transistor Tup outputs one of the clocks CLK to its corresponding output (Tup, Tdn) in accordance with the logic state of the corresponding Q node at each of the output stages Tup and Tdn of the output stages ST1 to ST3 and the carry stage CS And the pull-down transistor Tdn outputs the low potential voltage VSS2 or VSS1 through the corresponding output node according to the logic state of the corresponding QB node. The low potential voltage VSS2 supplied to the pull-down transistor Tdn of the carry stage CR is equal to the low potential voltage VSS1 supplied to the pull-down transistor Tdn of each of the output stages ST1 to ST3 Or lower.

출력 스테이지(ST1~ST3)와 캐리 스테이지(CS)의 각 제1 노드 제어부(Ts, Tr1~Tr4)에서, 세트부인 세트 트랜지스터(Ts)는 세트 신호(Vs)의 논리 상태에 따라 고전위 전압(VD)을 해당 Q 노드로 공급하여 해당 Q 노드를 세트시키고, 제1 리셋부인 제1 리셋 트랜지스터(Tr1)는 리셋 신호(Vrs)의 논리 상태에 따라 저전위 전압(VSS1)을 해당 Q 노드로 공급하여 해당 Q 노드를 리셋시킨다. 출력 스테이지(ST1~ST3)와 캐리 스테이지(CS)는 동일한 세트 신호(Vs)를 입력받고, 동일한 리셋 신호(Vrs)를 입력받는다. 세트 신호(Vs)로는 외부 신호나 이전단 클러스터로부터의 캐리 신호가 이용될 수 있고, 리셋 신호(Vrs)로는 외부 신호나 다음단 클러스터로부터의 캐리 신호가 이용될 수 있다.In each of the first node control sections Ts and Tr1 to Tr4 of the output stages ST1 to ST3 and the carry stage CS, the set transistor Ts, which is a set subtracter, The first reset transistor Tr1 supplies a low potential voltage VSS1 to the corresponding Q node according to the logic state of the reset signal Vrs, Thereby resetting the corresponding Q node. The output stages ST1 to ST3 and the carry stage CS receive the same set signal Vs and receive the same reset signal Vrs. An external signal or a carry signal from the previous stage cluster may be used as the set signal Vs and an external signal or a carry signal from the next stage cluster may be used as the reset signal Vrs.

각 제1 노드 제어부(Ts, Tr1~Tr4)에서, 제2 리셋부(RS2)는 제2 내지 제4 리셋 트랜지스터(Tr2~Tr4)를 구비하며, 제2 리셋부(RS2)의 리셋 트랜지스터들(Tr2~Tr4)은 전술한 도 10(b)에 도시된 리셋 트랜지스터들(Tx1~Tx3)에 각각 대응함을 알 수 있다. 제2 및 제3 리셋 트랜지스터(Tr2, Tr3)는 해당 QB 노드의 논리 상태에 따라 저전위 전압(VSS2)을 해당 Q 노드에 공급하여 해당 Q 노드를 로우 상태로 리셋시킨다. 제4 리셋 트랜지스터(Tr4)는 해당 Q 노드의 논리 상태에 따라 고전위 전압(VD)을 제2 및 제3 리셋 트랜지스터(Tr2, Tr3) 사이에 접속된 노드에 공급한다. 해당 Q 노드가 하이 상태이고 해당 QB 노드가 로우 상태일 때, 제4 리셋 트랜지스터(Tr4)가 제2 리셋 트랜지스터(Tr2)의 소스 전극에 게이트 전극(QB 노드) 보다 높은 전압(VD)을 인가하여 제2 리셋 트랜지스터(Tr2)가 완전하게 턴-오프되게 한다.In each of the first node control units Ts and Tr1 to Tr4, the second reset unit RS2 includes the second to fourth reset transistors Tr2 to Tr4, and the reset transistors RS1 and RS2 of the second reset unit RS2 Tr2 to Tr4 correspond to the reset transistors Tx1 to Tx3 shown in Fig. 10 (b), respectively. The second and third reset transistors Tr2 and Tr3 supply the low potential voltage VSS2 to the corresponding Q node according to the logic state of the QB node to reset the corresponding Q node to the low state. The fourth reset transistor Tr4 supplies the high potential voltage VD to nodes connected between the second and third reset transistors Tr2 and Tr3 according to the logic state of the Q node. The fourth reset transistor Tr4 applies a voltage VD higher than the gate electrode (QB node) to the source electrode of the second reset transistor Tr2 when the corresponding Q node is in the high state and the corresponding QB node is in the low state Causing the second reset transistor Tr2 to be completely turned off.

또한, 도 12에 도시된 출력 스테이지(ST1~ST3) 및 캐리 스테이지(CS) 중 어느 하나의 스테이지는 어느 하나의 Q 노드와 상반되게 QB 노드(QB1~QB3, QBr)를 제어하는 인버터(INV)와, QB 노드(QB1~QB3, QBr)를 리셋시키는 제3 리셋부인 제5 리셋 트랜지스터(Tr5)를 구비하는 제2 노드 제어부(INV, Tr5)를 더 구비한다.One of the output stages ST1 to ST3 and the carry stage CS shown in FIG. 12 includes an inverter INV for controlling the QB nodes QB1 to QB3 and QBr in a manner opposite to any one of the Q nodes, And a fifth reset transistor Tr5 which is a third resetting unit for resetting the QB nodes QB1 to QB3 and QBr.

제2 노드 제어부(INV, Tr5)는 출력 스테이지(ST1~ST3) 중 어느 하나의 Q 노드와 접속되고, 한 클러스터(CT)에 속하는 출력 스테이지(ST1~ST3) 및 캐리 스테이지(CS)의 QB 노드(QB1~QB3, QBr)와 공통 접속된다. 다시 말하여, 한 클러스터(CT)에 속하는 3개의 출력 스테이지(ST1~ST3)와 캐리 스테이지(CS)는 각각의 Q 노드(Q1~Q3, Qr)는 서로 분리된 구조를 갖는 반면, 각각의 QB 노드(QB1~QB3, QBr)는 서로 연결되어 있다.The second node control unit INV and Tr5 are connected to any one of the Q stages of the output stages ST1 to ST3 and are connected to the output stages ST1 to ST3 belonging to one cluster CT and the QB nodes of the carry stage CS, (QB1 to QB3, QBr). In other words, each of the Q nodes (Q1 to Q3, Qr) of the three output stages (ST1 to ST3) and the carry stage (CS) belonging to one cluster (CT) The nodes QB1 to QB3 and QBr are connected to each other.

예를 들면, 제2 노드 제어부(INV, Tr5)는 도 12에 도시된 바와 같이 캐리 스테이지(CS)와 인접한 제3 출력 스테이지(ST3)에 위치하여, 제3 출력 스테이지(ST3)의 Q3 노드 및 QB3 노드와 접속되고, 제1 및 제2 출력 스테이지(ST1, ST2)의 QB1 노드 및 QB2 노드와 캐리 스테이지(CS)의 QBr 노드는 제3 출력 스테이지(ST3) QB3 노드에 연결된다. 그러나, 제2 노드 제어부(INV, Tr5)는 제1 출력 스테이지(ST1)의 Q1 노드 또는 제2 출력 스테이지(ST2)의 Q2 노드와 접속될 수 있다.For example, the second node control unit (INV, Tr5) is located in the third output stage (ST3) adjacent to the carry stage (CS) as shown in Fig. 12 and the Q3 node of the third output stage QB3 node and the QB1 node and the QB2 node of the first and second output stages ST1 and ST2 and the QBr node of the carry stage CS are connected to the third output stage ST3 QB3 node. However, the second node control unit INV, Tr5 may be connected to the Q1 node of the first output stage ST1 or the Q2 node of the second output stage ST2.

인버터(INV)는 제3 출력 스테이지(ST3)의 Q3 노드의 논리 상태에 따라 QB3 노드를 Q3 노드와 상반된 논리 상태가 되게 하는 것으로, 전술한 도 9(d)에 도시된 제1 내지 제4 트랜지스터(Ta~Td)를 구비한다.The inverter INV turns the QB3 node into a logic state opposite to the Q3 node according to the logic state of the Q3 node of the third output stage ST3. In this way, the first to fourth transistors &lt; RTI ID = 0.0 &gt; (Ta to Td).

Q3 노드가 하이 상태일 때, 턴-온된 제1 및 제2 트랜지스터(Ta, Tb)에 의해 A노드에 저전위 전압(VL=VSS3)이 공급되어 제3 트랜지스터(Tc)가 턴-오프되고, 턴-온된 제4 트랜지스터(Td)를 통해 QB3 노드에 저전위 전압(VL=VSS3)이 공급되므로, QB3 노드는 로우 상태로 리셋된다. Q3 노드가 로우 상태일 때, 제2 및 제4 트랜지스터(Tb, Td)가 턴-오프되고, 제1 및 제3 트랜지스터(Ta, Tc)가 턴-온되므로, 턴-온된 제3 트랜지스터(Tc)를 통해 QB3 노드에 고전위 전압(VH)이 공급되므로, QB3 노드는 하이 상태로 세트된다.When the Q3 node is in a high state, the low potential voltage (VL = VSS3) is supplied to the node A by the turned-on first and second transistors Ta and Tb to turn off the third transistor Tc, Since the low potential voltage (VL = VSS3) is supplied to the node QB3 through the turned-on fourth transistor Td, the node QB3 is reset to the low state. The second and fourth transistors Tb and Td are turned off and the first and third transistors Ta and Tc are turned on when the Q3 node is in a low state. ), The high-potential voltage (VH) is supplied to the node QB3, so that the node QB3 is set to the high state.

제3 리셋부인 제5 리셋 트랜지스터(Tr5)는 세트 신호(Vs)의 논리 상태에 따라 QB3 노드에 저전위 전압(VSS3=VL)을 공급하여, Q 노드가 세트 트랜지스터(Ts)에 의해 하이 상태로 세트될 때, QB3 노드를 로우 상태로 리셋시킨다.The fifth reset transistor Tr5 which is the third reset section supplies the low potential voltage VSS3 = VL to the node QB3 according to the logic state of the set signal Vs so that the Q node is set to the high state by the set transistor Ts When set, the QB3 node is reset to the low state.

도 12에 도시된 클러스터(CT)에서 어느 하나의 출력 스테이지(ST3)는 풀-업 트랜지스터(Tup)의 게이트 전극인 Q3 노드와, 풀-업 트랜지스터(Tup)의 소스 전극인 출력 노드 사이에 접속되어, 클럭(CLK3)의 하이 상태에 따라 Q3 노드의 전압을 부트스트랩핑시켜서 증폭시키는 제1 커패시터(C1)를 추가로 구비할 수 있다.In the cluster CT shown in Fig. 12, any one output stage ST3 is connected between the node Q3 which is the gate electrode of the pull-up transistor Tup and the output node which is the source electrode of the pull-up transistor Tup And may further include a first capacitor C1 for bootstrapping and amplifying the voltage of the node Q3 according to the high state of the clock CLK3.

또한, 어느 하나의 출력 스테이지(ST3)는 인버터(INV)에서 출력 트랜지스터인 제3 트랜지스터(Tc)의 게이트 전극인 A 노드와, 제3 트랜지스터(Tc)의 소스 전극인 인버터(INV)의 출력 노드(QB3) 사이에 접속되어, 고전위 전압(VH)에 따라 A 노드의 전압을 부트스트랩핑시켜서 증폭시키는 제2 커패시터(C2)를 추가로 구비할 수 있다. 제2 커패시터(C2)는 Q3 노드의 전압이 하이에서 로우로 천이되는 구간에서 제2 트랜지스터(Tb)을 통한 A 노드의 전압 강하를 억제한다. 따라서, 제2 커패시터(C2)가 A 노드의 전압을 상승시켜서 QB3 노드에 고전위 전압(VH)이 안정적으로 인가되므로 풀-다운 트랜지스터(Tdn)는 안정적인 로우 전압을 출력할 수 있다. 제2 커패시터(C2)에 의한 QB3 노드의 안정화는 제3 트랜지스터(Tc)의 임계 전압이 커졌을 때 더욱 효과적이다.One of the output stages ST3 is connected to the node A which is the gate electrode of the third transistor Tc which is the output transistor of the inverter INV and the output node of the inverter INV which is the source electrode of the third transistor Tc. And a second capacitor C2 connected between the second node QB2 and the second node QB3 for bootstrapping and amplifying the voltage of the node A according to the high-potential voltage VH. The second capacitor C2 suppresses the voltage drop of the node A through the second transistor Tb in a period in which the voltage of the node Q3 transitions from high to low. Therefore, the second capacitor C2 raises the voltage of the node A and the high-potential voltage VH is stably applied to the node QB3, so that the pull-down transistor Tdn can output a stable low voltage. The stabilization of the QB3 node by the second capacitor C2 is more effective when the threshold voltage of the third transistor Tc is increased.

또한, 어느 하나의 출력 스테이지(ST3)는 제2 리셋부(RS2)에서 제2 리셋 트랜지스터(Tr2)의 소스 전극과 저전위 전압(VSS2) 공급 라인 사이에 접속되어, 제4 트랜지스터(Tr4)를 통해 제2 리셋 트랜지스터(Tr2)의 소스 전극에 공급된 고전위 전압(VD)을 안정적으로 유지시키는 제3 커패시터(C3)를 추가로 구비한다.One of the output stages ST3 is connected between the source electrode of the second reset transistor Tr2 and the supply line of the low-potential voltage VSS2 in the second reset section RS2, and the fourth transistor Tr4 And a third capacitor C3 for stably maintaining the high-potential voltage VD supplied to the source electrode of the second reset transistor Tr2.

또한, 캐리 스테이지(CR)는 풀-업 트랜지스터(Tup)의 게이트 전극인 Qr 노드와, 풀-업 트랜지스터(Tup)의 소스 전극인 출력 노드 사이에 접속되어, 클럭(CLKc)의 하이 상태에 따라 Qr 노드의 전압을 부트스트랩핑시켜서 증폭시키는 제4 커패시터(C4)를 추가로 구비할 수 있다.The carry stage CR is also connected between the Qr node which is the gate electrode of the pull-up transistor Tup and the output node which is the source electrode of the pull-up transistor Tup and is driven in accordance with the high state of the clock CLKc And a fourth capacitor C4 for bootstrapping and amplifying the voltage of the Qr node.

한 클러스터(CT)에 속한 출력 스테이지(ST1~ST3)와 캐리 스테이지(CS)는 동일한 세트 신호(Vs)에 응답하는 세트 트랜지스터(Ts)에 의해 Q노드(Q1~Q3, Qr)가 모두 하이 상태로 세트된다. Q노드(Q1~Q3, Qr)의 세트 구간에서, 제1 출력 스테이지(ST1)의 풀-업 트랜지스터(Tup)은 제1 클럭(CLK1)을 스캔 신호(G1)로 출력하고, 제2 출력 스테이지(ST2)의 풀-업 트랜지스터(Tup)은 제2 클럭(CLK2)을 스캔 신호(G2)로 출력하고, 제3 출력 스테이지(ST3)의 풀-업 트랜지스터(Tup)은 제3 클럭(CLK3)을 스캔 신호(G3)로 출력하며, 캐리 스테이지(CR)의 풀-업 트랜지스터(Tup)은 캐리 클럭(CLKc)을 캐리 신호(CR)로 출력한다. Q노드(Q1~Q3, Qr)가 세트 상태일 때 제5 리셋 트랜지스터(Tr5) 및 인버터(INV)에 의해 QB 노드(QB1, QB2, QB3, QBr)는 리셋 상태가 된다.The output stages ST1 to ST3 belonging to one cluster CT and the carry stage CS are set so that the Q nodes Q1 to Q3 and Qr are all set to a high state by the set transistor Ts responding to the same set signal Vs . The pull-up transistor Tup of the first output stage ST1 outputs the first clock CLK1 as the scan signal G1 in the set period of the Q nodes Q1 to Q3 and Qr, The pull-up transistor Tup of the third output stage ST2 outputs the second clock CLK2 as the scan signal G2 and the pull-up transistor Tup of the third output stage ST3 outputs the third clock CLK3, And the pull-up transistor Tup of the carry stage CR outputs the carry clock signal CLKc as the carry signal CR. QB nodes QB1, QB2, QB3 and QBr are reset by the fifth reset transistor Tr5 and the inverter INV when the Q nodes Q1 to Q3 and Qr are in the set state.

그 다음, 한 클러스터(CT)에 속한 출력 스테이지(ST1~ST3)와 캐리 스테이지(CS)는 동일한 리셋 신호(Vrs)에 응답하는 제1 리셋 트랜지스터(Tr1)에 의해 Q 노드(Q1~Q3, Qr)가 모두 로우 상태로 리셋되고, 이에 따라 서로 연결된 QB 노드(QB1, QB2, QB3, QBr)는 인버터(INV)에 의해 하이 상태로 세트된다. QB 노드(QB1, QB2, QB3, QBr)의 세트 구간에서, 출력 스테이지(ST1~ST3)의 풀-다운 트랜지스터(Tdn)는 저전위 전압(VSS1)을 스캔 신호(G1~G3)로 각각 출력하고, 캐리 스테이지(CS)의 풀-다운 트랜지스터(Tdn)는 저전위 전압(VSS2)을 캐리 신호(CR)로 출력한다. QB 노드(QB1, QB2, QB3, QBr)가 세트 상태일 때 제2 리셋부(RS2)에 의해 Q노드(Q1~Q3, Qr)는 리셋 상태를 유지한다. 이러한 QB 노드(QB1, QB2, QB3, QBr)의 리셋 구간은 세트 신호(Vs)가 하이 상태가 되기 이전까지 유지된다.The output stages ST1 to ST3 belonging to one cluster CT and the carry stage CS are connected to the Q nodes Q1 to Q3 and Qr by the first reset transistor Tr1 responding to the same reset signal Vrs QB2, QB3, and QBr connected to each other are set to the high state by the inverter INV. The pull-down transistor Tdn of the output stages ST1 to ST3 outputs the low potential voltage VSS1 to the scan signals G1 to G3 in the set period of the QB nodes QB1, QB2, QB3 and QBr , The pull-down transistor Tdn of the carry stage CS outputs the low potential voltage VSS2 as the carry signal CR. When the QB nodes QB1, QB2, QB3 and QBr are in the set state, the Q nodes Q1 to Q3 and Qr maintain the reset state by the second reset section RS2. The reset period of the QB nodes QB1, QB2, QB3, QBr is maintained until the set signal Vs becomes a high state.

본 발명의 실시예에 따른 쉬프트 레지스터는 산화물 트랜지스터로 구성될 수 있다.The shift register according to the embodiment of the present invention may be composed of an oxide transistor.

본 발명의 실시예에 따른 쉬프트 레지스터는 도 12와 같이 간단한 구성을 가지므로 OLED 표시 장치 등과 같이 복합 파형을 필요로 하는 표시 장치에 내장 드라이버로 적용될 수 있다. 다시 말하여, 본 발명의 실시예에 따른 OLED 표시 장치는 도 12에 도시된 쉬프트 레지스터를 표시 패널에 내장되는 GIP형 게이트 드라이버로 적용하여 표시 패널의 게이트 라인들을 복합 파형으로 구동할 수 있으며, 회로 구성이 단순하므로 네로우 베젤(narrow bazel) 구현에도 적합하다.Since the shift register according to the embodiment of the present invention has a simple structure as shown in FIG. 12, it can be applied as a built-in driver to a display device requiring a complex waveform such as an OLED display. In other words, the OLED display according to the embodiment of the present invention can drive the gate lines of the display panel into a composite waveform by applying the shift register shown in FIG. 12 as a GIP type gate driver embedded in the display panel, Because of its simple configuration, it is also suitable for narrow bazel implementations.

도 13은 도 12에 도시된 쉬프트 레지스터의 구동 파형도를 예를 들어 나타낸 것으로, OLED 표시 장치를 포함한 평판 표시 장치에서 게이트 라인의 구동에 필요한 신호를 예를 들어 나타낸 것이다.FIG. 13 shows driving waveforms of the shift register shown in FIG. 12 by way of example, and shows signals necessary for driving gate lines in a flat panel display device including an OLED display device.

도 12와 같이 한 클러스터(CT)가 3개의 출력 스테이지(ST1~ST3)와 1개의 캐리 스테이지(CS)를 포함하는 경우, 클럭은 도 13과 같이 서로 다른 위상을 갖고 순환되는 3상 클럭(CLK1~CLK3)과 캐리 클럭(CLKc)을 포함한다. 3상 클럭(CLK1~CLK3)은 3개 출력 스테이지(ST1~ST3)의 풀-업 트랜지스터(Tup)에 각각 공급되고, 캐리 클럭(CLKc)은 캐리 스테이지(CS)의 풀-업 트랜지스터(Tup)에 공급된다.When one cluster CT includes three output stages ST1 to ST3 and one carry stage CS as shown in FIG. 12, the clocks are three-phase clocks CLK1 To CLK3 and a carry clock CLKc. The three-phase clocks CLK1 to CLK3 are respectively supplied to the pull-up transistors Tup of the three output stages ST1 to ST3. The carry clock CLKc is supplied to the pull-up transistor Tup of the carry stage CS. .

3상 클럭(CLK1~CLK3) 각각은 각 클러스터(CT)에 속한 출력 스테이지들(ST1~ST3)에서 각각 스캔 신호로 출력되는 구간, 즉 클럭 출력 구간(A)을 포함하고, 그 클럭 출력 구간(A)은 반복된다. 각 클럭 출력 구간(A)은 제1 구간(A1)에 속하는 제1 펄스(P1)와, 제2 구간(A2)에 속하는 제2 펄스(P2)로 이루어진 복합 파형 형태를 갖는다. 3상 클럭(CLK1~CLK3)의 한 출력 구간(A)에서, 제1 구간(A1)에 속하는 제1 펄스들(P1)은 서로 오버랩하고, 제2 구간(A2)에 속하는 제2 펄스들(P2)은 서로 오버랩하지 않거나, 인접한 제2 펄스들(P2)은 서로 부분적으로 오버랩할 수 있다. 캐리 클럭(CLKc)의 펄스들은 3상 클럭(CLK1~CLK3)과 오버랩하지 않거나 부분적으로 오버랩할 수 있다.Each of the three-phase clocks CLK1 to CLK3 includes a period output as a scan signal in the output stages ST1 to ST3 belonging to each cluster CT, that is, a clock output period A, A) is repeated. Each clock output section A has a complex waveform form consisting of a first pulse P1 belonging to the first section A1 and a second pulse P2 belonging to the second section A2. In one output period A of the three-phase clocks CLK1 to CLK3, the first pulses P1 belonging to the first period A1 overlap each other and the second pulses P1 belonging to the second period A2 P2 do not overlap each other, or the adjacent second pulses P2 may partially overlap each other. The pulses of the carry clock CLKc may not overlap or partially overlap with the three-phase clocks CLK1 to CLK3.

표시 장치의 게이트 라인들에 공급되는 스캔 신호들(G1~G9, ...)은 각각 해당 클럭 출력 구간(A)에서 3상 클럭(CLK1~CLK3) 중 어느 하나가 출력되는 것이므로, 해당 클럭 출력 구간(A)에서 제1 구간(A1)에 속하는 제1 스캔 펄스(SP1)와, 제2 구간(A2)에 속하는 제2 스캔 펄스(SP2)로 이루어진 복합 파형 형태를 갖는다. 각 클러스터(CT)에 의해 게이트 라인들이 3개씩 그룹핑되어 구동되고, 각 클럭 출력 구간(A)에서 해당 그룹의 3개 게이트 라인에 3상 클럭(CLK1~CLK3)이 각각 출력된다. 각 그룹의 클럭 출력 구간(A)은 다른 그룹의 클럭 출력 구간(A)과 오버랩하지 않는다. 각 클럭 출력 구간(A) 중 제1 구간(A1)에서 해당 그룹의 3개 게이트 라인에 제1 스캔 펄스(SP1)가 동시에 각각 공급되어 해당 그룹의 게이트 라인들이 동시에 구동된다. 각 출력 구간(A) 중 제2 구간(A2)에서 해당 그룹의 3개 게이트 라인에 제2 스캔 펄스(SP2)가 순차 공급되어 해당 그룹의 게이트 라인들이 순차 구동된다. 제2 구간(A2)에서 제2 스캔 펄스(SP2)는 도 13과 같이 해당 그룹의 다른 제2 스캔 펄스(SP2)와 서로 오버랩하지 않거나, 적어도 일부가 오버랩할 수 있으며, 제2 구간(A2)에서 동시에 구동되는 게이트 라인은 3개 미만일 수 있다.Since the scan signals G1 to G9 supplied to the gate lines of the display device are each output from the three-phase clocks CLK1 to CLK3 in the corresponding clock output period A, The first scan pulse SP1 belonging to the first section A1 in the period A and the second scan pulse SP2 belonging to the second period A2. The gate lines are grouped and driven by the respective clusters CT, and the three-phase clocks CLK1 to CLK3 are output to the three gate lines of the group in each clock output period A, respectively. The clock output interval A of each group does not overlap with the clock output interval A of the other group. The first scan pulse SP1 is simultaneously supplied to the three gate lines of the corresponding group in the first period A1 of each clock output period A so that the gate lines of the corresponding group are simultaneously driven. The second scan pulse SP2 is sequentially supplied to the three gate lines of the corresponding group in the second period A2 of each output period A so that the gate lines of the corresponding group are sequentially driven. The second scan pulse SP2 in the second period A2 may not overlap with or overlap with another second scan pulse SP2 of the corresponding group as shown in FIG. Lt; RTI ID = 0.0 &gt; 3 &lt; / RTI &gt;

예를 들면, 도 13에 도시된 첫번째 클럭 출력 구간(A)에서 도 12에 도시된 클러스터(CT)의 Q 노드(Q1, Q2, Q3, Qr)가 세트 상태가 됨으로써, 제1 출력 스테이지(ST1)의 풀-업 트랜지스터(Tup)는 제1 클럭(CLK1)을 제1 스캔 신호(G1)로 출력하고, 제2 출력 스테이지(ST2)의 풀-업 트랜지스터(Tup)는 제2 클럭(CLK2)을 제2 스캔 신호(G2)로 출력하고, 제3 출력 스테이지(ST3)의 풀-업 트랜지스터(Tup)는 제3 클럭(CLK3)을 제3 스캔 신호(G3)로 출력하며, 캐리 스테이지(CS)의 풀-업 트랜지스터(Tup)는 캐리 클럭(CLKc)을 제1 캐리 신호(도시하지 않음)로 출력한다.For example, the Q nodes (Q1, Q2, Q3, and Qr) of the cluster CT shown in FIG. 12 are set to the first clock output period A shown in FIG. 13, The pull-up transistor Tup of the second output stage ST2 outputs the first clock CLK1 as the first scan signal G1 and the pull-up transistor Tup of the second output stage ST2 outputs the second clock CLK2, The pull-up transistor Tup of the third output stage ST3 outputs the third clock CLK3 as the third scan signal G3, and the carry stage CS Pull-up transistor Tup outputs a carry clock CLKc to a first carry signal (not shown).

OLED 표시 장치를 구성하는 다수의 픽셀들 각각은 애노드 및 캐소드 사이의 유기 발광층으로 구성된 OLED 소자와, OLED 소자를 독립적으로 구동하는 픽셀 구동 회로를 구비한다. 픽셀 구동 회로는 기본적으로 스캔 펄스에 응답하여 데이터 신호를 커패시터에 충전시키는 스위칭 트랜지스터와, 커패시터에 충전된 전압에 비례하는 구동 전류를 공급하여 OLED 소자를 구동하는 구동 트랜지스터를 포함한다. 또한, 픽셀 구동 회로는 구동 트랜지스터의 게이트 및 소스 중 적어도 하나를 리셋시키는 리셋 트랜지스터나, 컨트라스트 향상을 위하여 OLED 소자의 발광 기간을 제어하는 발광 제어 트랜지스터나, 구동 전류의 편차를 유발하는 구동 트랜지스터의 임계 전압을 센싱하여 보상하는 센싱 트랜지스터 등을 추가로 포함한다. Each of the plurality of pixels constituting the OLED display device includes an OLED element composed of an organic light emitting layer between the anode and the cathode and a pixel driving circuit independently driving the OLED element. The pixel driving circuit basically includes a switching transistor for charging a capacitor with a data signal in response to a scan pulse and a driving transistor for driving the OLED element by supplying a driving current proportional to a voltage charged in the capacitor. In addition, the pixel driving circuit may include a reset transistor for resetting at least one of a gate and a source of the driving transistor, a light emission control transistor for controlling the light emission period of the OLED element for improving contrast, And a sensing transistor for sensing and compensating the voltage.

이로 인하여, OLED 표시 장치는 다수의 트랜지스터를 포함하는 픽셀 구동 회로를 구동하기 위하여, 도 13에 도시된 바와 같이 각 게이트 라인에서 서로 다른 주기를 갖는 스캔 펄스들(SP1, SP2)이 조합된 복합 파형이 필요한 경우가 있다.Accordingly, in order to drive a pixel driving circuit including a plurality of transistors, the OLED display device includes a composite waveform (e.g., a scan pulse) having scan pulses SP1 and SP2 having different periods in each gate line, May be required.

한편, 도 14와 같이, 3상 클럭(CLK1~CLK3)의 각 클럭 출력 구간(A)에서 제1 구간(A1)에 속한 펄스와 제2 구간(A2)에 속한 펄스가 연결되어 공급됨으로써, 해당 클럭 출력 구간(A)에서 게이트 라인들에 각각 공급되는 스캔 신호(G1~G9, ...)도 제1 구간(A1)에 속한 스캔펄스와 제2 구간(A2)에 속한 스캔펄스가 연결된 형태로 공급될 수 있다. 이 결과, 각 클럭 출력 구간(A)에서 해당 그룹의 게이트 라인들에 각각 공급되는 스캔 신호들(G1~G3)은 순차적으로 증가된 펄스폭을 갖을 수 있다.14, a pulse belonging to the first section A1 and a pulse belonging to the second section A2 are connected and supplied in each clock output section A of the three-phase clocks CLK1 to CLK3, The scan signals G1 to G9 supplied to the gate lines in the clock output period A are also connected to the scan pulses belonging to the first period A1 and the scan pulses belonging to the second period A2, . As a result, the scan signals G1 to G3 supplied to the gate lines of the corresponding group in the respective clock output periods A may sequentially have an increased pulse width.

도 15 및 도 16은 도 12에 도시된 쉬프트 레지스터를 이용하여 도 14에 도시된 구동 파형을 시뮬레이션한 결과를 나타낸 도면이다.FIGS. 15 and 16 are diagrams showing the results of simulation of the driving waveform shown in FIG. 14 using the shift register shown in FIG.

도 15 및 도 16를 참조하면, 도 15(a)와 같이 순차적으로 증가된 펄스폭을 갖는 3상 클럭(CLK1~CLK3)과, 2상 캐리 클럭(CLKc1, CLKc2)과, 리셋 신호(Vrs)을 이용하여 도 12에 도시된 클러스터(CT)를 3개 포함하는 쉬프트 레지스터를 구동한 결과, 도 15(b) 및 도 16과 같이 순차적으로 제1 클러스터에서 3상 클럭(CLK1~CLK3)을 각각 이용한 제1 내지 제3 스캔 신호(G1~G3)와, 제1 캐리 클럭(CLKc1)을 이용한 제1 캐리 신호(CR1)가 출력되고, 제2 클러스터에서 3상 클럭(CLK1~CLK3)을 각각 이용한 제4 내지 제6 스캔 신호(G4~G6)와, 제2 캐리 클럭(CLKc2)를 이용한 제2 캐리 신호(CR2)가 출력되며, 제3 클러스터에서 3상 클럭(CLK1~CLK3)을 각각 이용한 제7 내지 제9 스캔 신호(G7~G9)와, 제1 캐리 클럭(CLKc1)을 이용한 제3 캐리 신호(CR3)가 출력됨을 알 수 있다.15 and 16, the three-phase clocks CLK1 to CLK3, the two-phase carry clocks CLKc1 and CLKc2, and the reset signal Vrs having sequentially increased pulse widths as shown in FIG. 15 (a) The shift registers including three clusters CT shown in Fig. 12 are driven to sequentially output three-phase clocks CLK1 to CLK3 in the first cluster as shown in Figs. 15 (b) and 16 The first to third scan signals G1 to G3 and the first carry signal CR1 using the first carry clock CLKc1 are output and the three clocks CLK1 to CLK3 are used in the second cluster, The second carry signal CR2 is output using the fourth to sixth scan signals G4 to G6 and the second carry clock signal CLKc2 and the second carry signal CR2 is output using the third carry clock signal CLK1, 7 to the ninth scan signals G7 to G9 and the third carry signal CR3 using the first carry clock CLKc1 are output.

이와 같이, 본 발명에 따른 쉬프트 레지스터는 서로 다른 주기의 복합 파형을 출력하면서도 기본 쉬프트 레지스터를 바탕으로 구성된 단순한 구조를 가지므로 신뢰성을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 OLED 표시 장치 등과 같이 복합 파형을 필요로 하는 표시 장치에 내장 드라이버로 구현되기에 적합하다.As described above, the shift register according to the present invention has a simple structure based on a basic shift register while outputting composite waveforms having different periods, so that not only reliability can be improved, but also a composite waveform such as an OLED display device It is suitable to be implemented as a built-in driver in a display device.

본 발명에 따른 쉬프트 레지스터를 이용한 표시 장치는 쉬프트 레지스터를 표시 패널에 내장되는 GIP형 게이트 드라이버로 적용하여 표시 패널의 게이트 라인들을 복합 파형으로 구동할 수 있으며, 회로 구성이 단순하므로 네로우 베젤 구현에도 적합하다.The display device using the shift register according to the present invention can drive the gate lines of the display panel into a composite waveform by applying the shift register to the GIP type gate driver incorporated in the display panel and the circuit configuration is simple, Suitable.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.

CT1, CT2: 클러스터 ST1~ST3: 출력 스테이지
CS1, CS2, CS: 캐리 스테이지 CR1~ CR3, CR: 캐리 신호
G1~Gm: 스캔 신호 VSS0~VSS3, VL: 저전위 전압
VD, VH: 고전위 전압 INV: 인버터
CLKs, CLK1~CLK3, CLKc, CLKc1, CLKc2: 클럭
Vs, Vs1~Vs3: 세트 신호 Vrs, Vrs1~Vrs3: 리셋 신호
CT1 and CT2: clusters ST1 to ST3: output stage
CS1, CS2, CS: Carry stages CR1 to CR3, CR: Carry signal
G1 to Gm: scan signals VSS0 to VSS3, VL: low potential voltage
VD, VH: High potential voltage INV: Inverter
CLKs, CLK1 to CLK3, CLKc, CLKc1, CLKc2: Clock
Vs, Vs1 to Vs3: set signal Vrs, Vrs1 to Vrs3: reset signal

Claims (8)

다수의 클러스터를 포함하는 쉬프트 레지스터에 있어서,
상기 다수의 클러스터 각각은 다수의 출력 신호를 각각 출력하는 다수의 출력 스테이지와, 캐리 신호를 출력하는 하나의 캐리 스테이지를 포함하고,
상기 다수의 출력 스테이지와 상기 캐리 스테이지 각각은
제1 노드와 제2 노드의 논리 상태에 따라 클럭 또는 제1 저전압을 출력으로 발생시키는 출력부와,
이전단 클러스터로부터 출력된 캐리 신호이거나 외부로부터 공급된 세트 신호와, 다음단 클러스터로부터 출력된 캐리 신호이거나 외부로부터 공급된 리셋 신호에 따라 상기 제1 노드를 세트 상태로 세트시키거나, 리셋 상태로 리셋시키는 제1 노드 제어부를 포함하고,
상기 다수의 출력 스테이지 중 적어도 어느 하나의 스테이지는
상기 다수의 출력 스테이지 중 어느 한 스테이지의 제1 노드와 상반되게 자신의 제2 노드를 제어하는 제2 노드 제어부를 포함하고,
상기 각 클러스터에 속한 스테이지들 중 적어도 2개의 스테이지에 속한 제2 노드는 서로 연결된 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.
In a shift register including a plurality of clusters,
Each of the plurality of clusters including a plurality of output stages each outputting a plurality of output signals, and a carry stage outputting a carry signal,
Each of the plurality of output stages and the carry stages
An output for generating a clock or a first undervoltage to an output in accordance with a logic state of the first node and the second node,
The first node is set to the set state in accordance with the carry signal output from the previous stage cluster or the set signal supplied from the outside, the carry signal output from the next stage cluster, or the externally supplied reset signal, A first node control unit for controlling the first node,
Wherein at least one of the plurality of output stages
And a second node control unit controlling the second node of the first node in a manner opposite to the first node of the one of the plurality of output stages,
And the second nodes belonging to at least two of the stages belonging to each cluster are connected to each other.
청구항 1에 있어서
상기 제1 노드 제어부는
상기 세트 신호의 제어에 따라 제1 고전압을 상기 제1 노드로 공급하는 세트 트랜지스터와, 상기 리셋 신호의 제어에 따라 제2 저전압을 상기 제1 노드로 공급하는 제1 리셋 트랜지스터를 포함하거나,
상기 세트 트랜지스터 및 제1 리셋 트랜지스터와 함께, 상기 제2 노드의 제어에 따라 제3 저전압을 상기 제1 노드로 공급하는 리셋부를 추가로 포함하고,
상기 리셋부는
상기 제2 노드의 제어에 따라 상기 제3 저전압을 상기 제1 노드로 공급하는 제2 리셋 트랜지스터를 포함하거나,
상기 제2 리셋 트랜지스터와 함께, 상기 제2 리셋 트랜지스터와 직렬 연결되어 상기 제2 노드의 제어에 따라 상기 제3 저전압을 상기 제2 리셋 트랜지스터로 공급하는 제3 리셋 트랜지스터와, 상기 제1 노드의 제어에 따라 상기 제2 및 제3 리셋 트랜지스터 사이의 접속점에 상기 고전압을 공급하는 제4 리셋 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.
Claim 1
The first node control unit
A set transistor for supplying a first high voltage to the first node under the control of the set signal and a first reset transistor for supplying a second low voltage to the first node under the control of the reset signal,
And a reset section for supplying a third low voltage to the first node under the control of the second node together with the set transistor and the first reset transistor,
The reset unit
And a second reset transistor for supplying the third low voltage to the first node under the control of the second node,
A third reset transistor connected in series with the second reset transistor to supply the third low voltage to the second reset transistor under the control of the second node together with the second reset transistor, And a fourth reset transistor for supplying said high voltage to a connection point between said second and third reset transistors in accordance with said second reset transistor.
청구항 2에 있어서,
상기 제2 노드 제어부는
상기 제2 노드가 상기 다수의 출력 스테이지 중 어느 하나의 제1 노드와 상반된 논리 상태가 되도록, 상기 제1 노드의 제어에 따라 제2 고전압 또는 제4 저전압을 상기 제2 노드로 공급하는 인버터를 포함하거나,
상기 인버터와 함께, 상기 세트 신호의 제어에 따라 상기 제4 저전압을 상기 제2 노드로 공급하는 리셋 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.
The method of claim 2,
The second node controller
And an inverter to supply a second high voltage or a fourth undervoltage to the second node under the control of the first node such that the second node is in a logic state opposite to the first node of either one of the plurality of output stages do or,
And a reset transistor which, together with the inverter, supplies the fourth low voltage to the second node under the control of the set signal.
청구항 3에 있어서,
상기 각 클러스터에 속한 출력 스테이지들 및 캐리 스테이지의 상기 제1 노드는 서로 분리되는 반면, 상기 제2 노드는 서로 연결되고,
상기 제2 노드 제어부는 상기 각 클러스터에 속한 출력 스테이지들 및 캐리 스테이지 중 어느 하나의 스테이지에 구비되고,
상기 각 클러스터에 속한 출력 스테이지들 및 캐리 스테이지에 공급되는 세트 신호는 서로 동일하거나 서로 다르고,
상기 각 클러스터에 속한 출력 스테이지들 및 캐리 스테이지에 공급되는 리셋 신호는 서로 동일하거나 서로 다른 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.
The method of claim 3,
Wherein the output nodes belonging to each cluster and the first node of the carry stage are separated from each other, while the second nodes are connected to each other,
Wherein the second node controller is provided in one of the output stages and the carry stage belonging to each cluster,
The output stages belonging to each cluster and the set signals supplied to the carry stage are the same or different from each other,
Wherein the output stages belonging to each cluster and the reset signal supplied to the carry stage are the same or different from each other.
청구항 3에 있어서,
상기 제1 및 제2 고전압은 서로 동일하거나 서로 다르고,
상기 제1 내지 제4 저전압은 서로 동일하거나 서로 다르며,
상기 각 클러스터에 속한 출력 스테이지의 출력부에 공급되는 제1 저전압과, 그 클러스터에 속한 캐리 스테이지의 출력부에 공급되는 제1 저전압은 서로 동일하거나 다른 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.
The method of claim 3,
Wherein the first and second high voltages are equal to or different from each other,
The first to fourth low voltages may be the same or different from each other,
Wherein the first low voltage supplied to the output part of the output stage belonging to each cluster and the first low voltage supplied to the output part of the carry stage belonging to the cluster are the same or different from each other.
청구항 1에 있어서,
상기 각 클러스터가 m(m은 자연수)개의 출력 스테이지를 포함할 때,
상기 클럭은 적어도 m상의 순환 클럭을 포함하고,
상기 m개의 출력 스테이지에 상기 m상 클럭이 각각 공급되고,
상기 캐리 스테이지에는 상기 m상 클럭 중 어느 하나와 동일한 클럭이 공급되거나, 상기 m상과 다른 위상의 캐리 클럭이 공급되며,
상기 m상 클럭 각각은 제1 구간 및 제2 구간을 포함하는 클럭 출력 구간이 반복되며, 각 클럭 출력 구간에서 복수의 펄스를 포함하거나, 상기 각 클럭 출력 구간에서 상기 m상 클럭은 서로 다른 펄스폭을 갖는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.
The method according to claim 1,
When each of the clusters includes m (m is a natural number) output stages,
Wherein the clock comprises at least an m phase clock,
The m-phase clocks are respectively supplied to the m output stages,
Wherein the carry stage is supplied with a clock equal to either one of the m-phase clocks, or a carry clock having a phase different from that of the m-phase,
Wherein each of the m-phase clocks includes a plurality of pulses in a clock output period, the clock output interval including a first period and a second period is repeated, and the m-phase clocks in the respective clock output periods have different pulse widths And a shift register.
청구항 6에 있어서,
상기 m상 클럭은 상기 제1 구간에서 서로 오버랩하는 제1 펄스를 각각 포함하고, 상기 제2 구간에서 서로 오버랩하지 않거나 인접한 클럭과 일부 오버랩하는 제2 펄스를 각각 포함하여,
상기 각 클러스터에 속한 다수의 출력 스테이지 각각은 그 클러스터에 대응하는 클럭 출력 구간에서 상기 제1 및 제2 펄스를 포함하는 서로 다른 클럭을 출력하고,
상기 각 클러스터에 속한 캐리 스테이지는 상기 클럭 출력 구간에서 상기 제1 및 제2 펄스와 오버랩하지 않는 캐리 클럭을 출력하는 것을 특징으로 하는 쉬프트 레지스터.
The method of claim 6,
Wherein the m-phase clock includes a first pulse that overlaps with each other in the first period, and a second pulse that does not overlap with each other in the second period or partially overlaps with an adjacent clock,
Wherein each of the plurality of output stages belonging to each cluster outputs different clocks including the first and second pulses in a clock output period corresponding to the cluster,
Wherein the carry stage belonging to each cluster outputs a carry clock that does not overlap with the first and second pulses in the clock output period.
청구항 1 내지 7 중 어느 한 청구항에 있어서,
상기 쉬프트 레지스터를 이용하여 표시 패널의 게이트 라인을 구동하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
The method according to any one of claims 1 to 7,
And the gate line of the display panel is driven by using the shift register.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10504476B2 (en) 2016-08-10 2019-12-10 Samsung Display Co., Ltd. Gate driver of display device
EP3933820A4 (en) * 2019-03-01 2022-11-09 Boe Technology Group Co., Ltd. Shift register unit, gate driving circuit and control method thereof, and display device

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120011966A (en) * 2010-07-29 2012-02-09 엘지디스플레이 주식회사 Shift register
KR101222976B1 (en) * 2006-06-20 2013-01-17 엘지디스플레이 주식회사 Driving circuit for display device and method for driving the same
KR20130102863A (en) * 2012-03-08 2013-09-23 엘지디스플레이 주식회사 Gate driver and image display device including the same
KR20140032792A (en) * 2012-09-07 2014-03-17 엘지디스플레이 주식회사 Shift register
KR20140085877A (en) * 2012-12-28 2014-07-08 엘지디스플레이 주식회사 Shift register

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101222976B1 (en) * 2006-06-20 2013-01-17 엘지디스플레이 주식회사 Driving circuit for display device and method for driving the same
KR20120011966A (en) * 2010-07-29 2012-02-09 엘지디스플레이 주식회사 Shift register
KR20130102863A (en) * 2012-03-08 2013-09-23 엘지디스플레이 주식회사 Gate driver and image display device including the same
KR20140032792A (en) * 2012-09-07 2014-03-17 엘지디스플레이 주식회사 Shift register
KR20140085877A (en) * 2012-12-28 2014-07-08 엘지디스플레이 주식회사 Shift register

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10504476B2 (en) 2016-08-10 2019-12-10 Samsung Display Co., Ltd. Gate driver of display device
EP3933820A4 (en) * 2019-03-01 2022-11-09 Boe Technology Group Co., Ltd. Shift register unit, gate driving circuit and control method thereof, and display device
US11735119B2 (en) 2019-03-01 2023-08-22 Hefei Boe Joint Technology Co., Ltd. Shift register unit, gate driving circuit and control method thereof and display apparatus

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