KR20150120506A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 274
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 86
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 58
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 33
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 238000001035 drying Methods 0.000 abstract description 35
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 87
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 49
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 9
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 8
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 8
- 238000009689 gas atomisation Methods 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 6
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOBKSJJDNFUZPF-UHFFFAOYSA-N Methoxyethane Chemical compound CCOC XOBKSJJDNFUZPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005489 elastic deformation Effects 0.000 description 1
- -1 ethanol and the like Chemical class 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F26—DRYING
- F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
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- F26B11/00—Machines or apparatus for drying solid materials or objects with movement which is non-progressive
- F26B11/18—Machines or apparatus for drying solid materials or objects with movement which is non-progressive on or in moving dishes, trays, pans, or other mainly-open receptacles
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Microbiology (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Drying Of Solid Materials (AREA)
Abstract
실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)는, 기판(W)을 지지하는 테이블(4)과, 그 테이블(4) 상의 기판(W)의 표면에 휘발성 용매를 공급하는 용매 공급부(8)와, 휘발성 용매가 공급된 기판(W)에 대하여 광을 조사하여, 그 휘발성 용매가 공급된 기판(W)의 표면에 기층을 생기게 하여 휘발성 용매를 액적화시키도록 기판(W)을 가열하는 가열부로서 기능하는 조사부(10)를 구비한다. 이에 따라, 패턴의 붕괴를 억제하면서 양호한 기판 건조를 행할 수 있다.
Description
본 발명의 실시형태는, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
기판 처리 장치는, 반도체 등의 제조 공정에 있어서, 웨이퍼나 액정 기판 등의 기판의 표면에 처리액을 공급하여 그 기판 표면을 처리하고, 그 후, 기판 표면을 건조시키는 장치이다. 이 건조 공정에 있어서, 최근의 반도체의 고집적화나 고용량화에 수반되는 미세화에 의해, 예컨대 메모리셀이나 게이트 주위의 패턴이 붕괴되는 문제가 발생하고 있다. 이것은, 패턴끼리의 간격이나 구조, 처리액의 표면장력 등에 기인한다.
따라서, 전술한 패턴 붕괴를 억제하는 것을 목적으로, 표면장력이 초순수보다 작은 IPA(2-프로판올 : 이소프로필알콜)를 이용한 기판 건조가 제안되어 있고(예컨대 특허문헌 1 참조), 기판 표면 상의 초순수를 IPA로 치환하여 기판 건조를 행하는 처리 방법이 양산 공장 등에서 이용되고 있다.
그러나, 반도체의 미세화는 점점 진행되고 있어, IPA와 같이 휘발성이 높은 유기 용매를 이용한 건조라 하더라도, 웨이퍼의 미세 패턴이 액체의 표면장력 등에 의해 붕괴되어 버리는 경우가 있다.
예컨대, 액체가 건조되어 가는 과정에서 기판 표면의 건조 속도에 불균일이 생겨, 일부 패턴 사이에 액체가 남으면, 그 부분의 액체의 표면장력에 의해 패턴이 붕괴되어 버린다. 특히, 액체가 남아 있는 부분의 패턴끼리 액체의 표면장력에 의한 탄성 변형에 의해 붕괴되고, 그 액 중에 약간 녹아 있는 잔사가 응집하고, 그 후에 액체가 완전히 기화하면, 붕괴된 패턴끼리 고착하여 붕괴되어 버린다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 패턴의 붕괴를 억제하면서 양호한 기판 건조를 행할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것이다.
실시형태에 따른 기판 처리 장치는, 기판의 표면에 휘발성 용매를 공급하는 용매 공급부와, 휘발성 용매가 공급된 기판의 표면에 기층을 생기게 하여 휘발성 용매를 액적화시키도록 기판을 가열하는 가열부를 구비한다.
실시형태에 따른 기판 처리 방법은, 기판의 표면에 휘발성 용매를 공급하는 공정과, 휘발성 용매가 공급된 기판의 표면에 기층을 생기게 하여 휘발성 용매를 액적화시키도록 기판을 가열하는 공정을 갖는다.
본 발명에 의하면, 패턴의 붕괴를 억제하면서 양호한 기판 건조를 행할 수 있다.
도 1은 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 도면이다.
도 2는 제1 실시형태에 따른 기판 처리 공정의 흐름을 나타내는 플로우차트이다.
도 3은 제1 실시형태에 따른 조사부에 의한 건조를 설명하기 위한 설명도이다.
도 4는 제1 실시형태에 따른 조사부를 사용하지 않은 경우의 건조를 설명하기 위한 설명도이다.
도 5는 제2 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 도면이다.
도 6은 제3 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 도면이다.
도 7은 제4 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 도면이다.
도 8은 제4 실시형태에 따른 조사부용의 이동 기구의 개략 구성을 나타내는 평면도이다.
도 9는 제4 실시형태에 따른 조사부용의 이동 기구의 다른 일례를 나타내는 평면도이다.
도 10은 제5 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 도면이다.
도 11은 제6 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 도면이다.
도 2는 제1 실시형태에 따른 기판 처리 공정의 흐름을 나타내는 플로우차트이다.
도 3은 제1 실시형태에 따른 조사부에 의한 건조를 설명하기 위한 설명도이다.
도 4는 제1 실시형태에 따른 조사부를 사용하지 않은 경우의 건조를 설명하기 위한 설명도이다.
도 5는 제2 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 도면이다.
도 6은 제3 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 도면이다.
도 7은 제4 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 도면이다.
도 8은 제4 실시형태에 따른 조사부용의 이동 기구의 개략 구성을 나타내는 평면도이다.
도 9는 제4 실시형태에 따른 조사부용의 이동 기구의 다른 일례를 나타내는 평면도이다.
도 10은 제5 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 도면이다.
도 11은 제6 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 도면이다.
(제1 실시형태)
제1 실시형태에 관해 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명한다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)는, 처리실이 되는 처리 박스(2)와, 그 처리 박스(2) 내에 설치된 컵(3)과, 그 컵(3) 내에서 기판(W)을 수평 상태로 지지하는 테이블(4)과, 그 테이블(4)을 수평면 내에서 회전시키는 회전 기구(5)를 구비하고 있다. 또한, 기판 처리 장치(1)는, 테이블(4) 상의 기판(W)의 표면에 제1 처리액을 공급하는 제1 처리액 공급부(6)와, 테이블(4) 상의 기판(W)의 표면에 제2 처리액을 공급하는 제2 처리액 공급부(7)와, 휘발성 용매를 공급하는 용매 공급부(8)와, 가스를 공급하는 가스 공급부(9)와, 광을 조사하는 조사부(10)와, 그 조사부(10)를 이동시키는 이동 기구(11)와, 각 부를 제어하는 제어부(12)를 구비하고 있다.
컵(3)은, 원통형상으로 형성되어 있고, 테이블(4)을 주위로부터 둘러싸 내부에 수용한다. 컵(3)의 둘레벽의 상부는 직경 방향의 내측을 향해 경사져 있고, 테이블(4) 상의 기판(W)이 노출되도록 개구되어 있다. 이 컵(3)은, 회전하는 기판(W) 상으로부터 흘러내린 혹은 비산한 처리액을 수취한다. 또, 컵(3)의 바닥부에는, 수취한 처리액을 배출하기 위한 배출관(도시하지 않음)이 설치되어 있다.
테이블(4)은, 컵(3) 내의 중앙 부근에 위치 부여되고, 수평면 내에서 회전 가능하게 설치되어 있다. 이 테이블(4)은, 핀 등의 지지 부재(4a)를 복수 갖고 있고, 이들 지지 부재(4a)에 의해, 웨이퍼나 액정 기판 등의 기판(W)을 착탈 가능하게 유지한다.
회전 기구(5)는, 테이블(4)에 연결된 회전축이나 그 회전축을 회전시키는 구동원이 되는 모터(모두 도시하지 않음) 등을 갖고 있고, 모터의 구동에 의해 회전축을 통해 테이블(4)을 회전시킨다. 이 회전 기구(5)는 제어부(12)에 전기적으로 접속되어 있고, 그 구동이 제어부(12)에 의해 제어된다.
제1 처리액 공급부(6)는, 테이블(4) 상의 기판(W)의 표면에 대하여 경사 방향으로부터 제1 처리액을 토출하는 노즐(6a)을 갖고 있고, 이 노즐(6a)로부터 테이블(4) 상의 기판(W)의 표면에 제1 처리액, 예컨대 레지스트 박리 처리용의 APM(암모니아수 및 과산화수소수의 혼합액)을 공급한다. 노즐(6a)은 컵(3)의 둘레벽의 상부에 장착되어 있고, 그 각도나 토출 유속 등은 기판(W)의 표면 중심 부근에 제1 처리액이 공급되도록 조정되어 있다. 이 제1 처리액 공급부(6)는 제어부(12)에 전기적으로 접속되어 있고, 그 구동이 제어부(12)에 의해 제어된다. 또, 제1 처리액 공급부(6)는, 제1 처리액을 저류하는 탱크나 구동원이 되는 펌프, 공급량을 조정하는 조정 밸브가 되는 밸브(모두 도시하지 않음) 등을 구비하고 있다.
제2 처리액 공급부(7)는, 테이블(4) 상의 기판(W)의 표면에 대하여 경사 방향으로부터 제2 처리액을 토출하는 노즐(7a)을 갖고 있고, 이 노즐(7a)로부터 테이블(4) 상의 기판(W)의 표면에 제2 처리액, 예컨대 세정 처리용의 순수(초순수)를 공급한다. 노즐(7a)은 컵(3)의 둘레벽의 상부에 장착되어 있고, 그 각도나 토출 유속 등은 기판(W)의 표면 중심 부근에 제2 처리액이 공급되도록 조정되어 있다. 이 제2 처리액 공급부(7)는 제어부(12)에 전기적으로 접속되어 있고, 그 구동이 제어부(12)에 의해 제어된다. 또, 제2 처리액 공급부(7)는, 제2 처리액을 저류하는 탱크나 구동원이 되는 펌프, 공급량을 조정하는 조정 밸브가 되는 밸브(모두 도시하지 않음) 등을 구비하고 있다.
용매 공급부(8)는, 테이블(4) 상의 기판(W)의 표면에 대하여 경사 방향으로부터 휘발성 용매를 토출하는 노즐(8a)을 갖고 있고, 이 노즐(8a)로부터 테이블(4) 상의 기판(W)의 표면에 휘발성 용매, 예컨대 IPA를 공급한다. 노즐(8a)은 컵(3)의 둘레벽의 상부에 장착되어 있고, 그 각도나 토출 유속 등은 기판(W)의 표면 중심 부근에 휘발성 용매가 공급되도록 조정되어 있다. 이 용매 공급부(8)는 제어부(12)에 전기적으로 접속되어 있고, 그 구동이 제어부(12)에 의해 제어된다. 또, 용매 공급부(8)는, 휘발성 용매를 저류하는 탱크나 구동원이 되는 펌프, 공급량을 조정하는 조정 밸브가 되는 밸브(모두 도시하지 않음) 등을 구비하고 있다.
여기서, 휘발성 용매로는, IPA 이외에도, 예컨대 에탄올 등의 1가의 알콜류, 또한 디에틸에테르나 에틸메틸에테르 등의 에테르류 등을 이용하는 것이 가능하다. 또, 휘발성 용매는 물에 가용인 것이 바람직하다.
가스 공급부(9)는, 테이블(4) 상의 기판(W)의 표면에 대하여 경사 방향으로부터 가스를 토출하는 노즐(9a)을 갖고 있고, 이 노즐(9a)로부터 테이블(4) 상의 기판(W)의 표면에 가스, 예컨대 질소 가스를 공급하여, 기판(W)의 표면 상의 공간을 질소 가스 분위기로 한다. 노즐(9a)은 컵(3)의 둘레벽의 상부에 장착되어 있고, 그 각도나 토출 유속 등은 기판(W)의 표면 중심 부근에 가스가 공급되도록 조정되어 있다. 이 가스 공급부(9)는 제어부(12)에 전기적으로 접속되어 있고, 그 구동이 제어부(12)에 의해 제어된다. 또, 가스 공급부(9)는, 가스를 저류하는 탱크나 공급량을 조정하는 조정 밸브가 되는 밸브(모두 도시하지 않음) 등을 구비하고 있다.
여기서, 공급하는 가스로는, 질소 가스 이외의 불활성 가스, 예컨대 아르곤 가스나 이산화탄소 가스, 헬륨 가스 등을 이용하는 것이 가능하다. 이 불활성 가스가 기판(W)의 표면에 공급되기 때문에, 기판(W)의 표면 상의 산소를 제거하여, 워터마크(물얼룩)의 생성을 방지하는 것이 가능해진다. 또, 공급하는 가스는 가열된 가스인 것이 바람직하다.
조사부(10)는, 복수의 램프(10a)를 갖고 있고, 테이블(4)의 상측에 설치되며, 각 램프(10a)의 점등에 의해 테이블(4) 상의 기판(W)의 표면에 광을 조사한다. 이 조사부(10)는 이동 기구(11)에 의해 상하 방향(승강 방향)으로 이동 가능하게 구성되어 있고, 컵(3)에 근접한 조사 위치(도 1 중의 실선으로 나타낸 바와 같이, 기판(W)의 표면에 근접한 위치)와 컵(3)으로부터 미리 정해진 거리만큼 이격된 대기 위치(도 1 중의 일점쇄선으로 나타낸 바와 같이, 기판(W)의 표면으로부터 이격된 위치)로 이동한다. 조사부(10)는 제어부(12)에 전기적으로 접속되어 있고, 그 구동이 제어부(12)에 의해 제어된다.
여기서, 조사부(10)로는, 예컨대 직관 타입의 램프(10a)를 복수개 병렬로 설치한 것이나 전구 타입의 램프(10a)를 복수개 어레이형으로 설치한 것 등을 이용하는 것이 가능하다. 또한, 램프(10a)로는, 예컨대 할로겐 램프나 크세논 플래시 램프(일례로서, 400 nm∼1000 nm의 파장광을 갖는 플래시 램프) 등을 이용하는 것이 가능하다.
이 조사부(10)는, 기판(W)을 가열하는 가열부로서 기능한다. 또, 조사부(10)로는, 테이블(4) 상의 기판(W)에 대하여 전자파를 조사하는 각종 조사부를 이용하는 것이 가능하며, 광을 조사하는 램프(10a) 이외에도, 예컨대 테이블(4) 상의 기판(W)에 대하여 원적외선을 조사하는 원적 히터나 마이크로파를 조사하는 마이크로파 히터 등을 이용하는 것이 가능하다.
이동 기구(11)는, 조사부(10)를 유지하는 유지부나 그 유지부를 조사부(10)의 승강 방향으로 이동시키는 기구, 구동원이 되는 모터(모두 도시하지 않음) 등을 갖고 있고, 모터의 구동에 의해 유지부와 함께 조사부(10)를 이동시킨다. 이 이동 기구(11)는 제어부(12)에 전기적으로 접속되어 있고, 그 구동이 제어부(12)에 의해 제어된다.
제어부(12)는, 각 부를 집중적으로 제어하는 마이크로 컴퓨터와, 기판 처리에 관한 기판 처리 정보나 각종 프로그램 등을 기억하는 기억부를 구비하고 있다. 이 제어부(12)는, 기판 처리 정보나 각종 프로그램에 기초하여 회전 기구(5)나 제1 처리액 공급부(6), 제2 처리액 공급부(7), 용매 공급부(8), 가스 공급부(9), 조사부(10), 이동 기구(11) 등을 제어하여, 회전중인 테이블(4) 상의 기판(W)의 표면에 대하여, 제1 처리액 공급부(6)에 의한 제1 처리액의 공급, 제2 처리액 공급부(7)에 의한 제2 처리액의 공급, 용매 공급부(8)에 의한 휘발성 용매의 공급, 가스 공급부(9)에 의한 가스의 공급 및 조사부(10)에 의한 조사(가열) 등의 제어를 행한다.
다음으로, 전술한 기판 처리 장치(1)가 행하는 기판 처리(기판 처리 방법)에 관해 도 2를 참조하여 설명한다. 또, 테이블(4) 상에는 기판(W)이 셋팅되어 있고, 전(前)준비는 완료되어 있다. 또한, 조사부(10)는 컵(3)으로부터 미리 정해진 거리만큼 이격된 대기 위치(도 1 중의 일점쇄선 참조)에서 대기하고 있다.
도 2에 나타낸 바와 같이, 우선, 제어부(12)는 회전 기구(5)를 제어하여, 테이블(4)을 미리 정해진 회전수로 회전시키고(단계 S1), 이어서, 제1 처리액 공급부(6)를 제어하여, 회전하는 테이블(4) 상의 기판(W)의 표면에 제1 노즐(6a)로부터 제1 처리액, 즉 APM을 미리 정해진 시간 공급한다(단계 S2). 제1 처리액으로서의 APM은, 제1 노즐(6a)로부터, 회전하는 테이블(4) 상의 기판(W)의 중앙을 향해서 토출되고, 기판(W)의 회전에 의한 원심력에 의해 기판(W)의 표면 전체에 퍼져 간다. 이에 따라, 테이블(4) 상의 기판(W)의 표면은 APM에 의해 덮여서 처리되게 된다. 또, 테이블(4)의 회전수나 미리 정해진 시간 등의 처리 조건은 미리 설정되어 있지만, 조작자에 의해 임의로 변경 가능하다.
단계 S2의 후, 제어부(12)는, 제1 처리액의 공급을 정지시키고 나서, 제2 처리액 공급부(7)를 제어하여, 회전하는 테이블(4) 상의 기판(W)의 표면에 제2 노즐(7a)로부터 제2 처리액, 즉 초순수를 미리 정해진 시간 공급한다(단계 S3). 제2 처리액으로서의 초순수는, 제2 노즐(7a)로부터, 회전하는 테이블(4) 상의 기판(W)의 중앙을 향해 토출되고, 기판(W)의 회전에 의한 원심력에 의해 기판(W)의 표면 전체에 퍼져 간다. 이에 따라, 테이블(4) 상의 기판(W)의 표면은 초순수에 의해 덮여서 세정되게 된다.
단계 S3의 후, 제어부(12)는, 제2 처리액의 공급을 정지시키고 나서, 이동 기구(11)를 제어하여, 조사부(10)를 대기 위치로부터 조사 위치로 하강시키고, 또한, 가스 공급부(9)를 제어하여, 회전하는 테이블(4) 상의 기판(W)의 표면에 노즐(9a)로부터 가스, 즉 질소 가스를 미리 정해진 시간 공급한다(단계 S4). 또, 이 때 조사부(10)의 각 램프(10a)는 점등시키지 않는다. 질소 가스는, 노즐(9a)로부터, 회전하는 테이블(4) 상의 기판(W)의 중앙을 향해 토출되고, 기판(W)의 회전에 의한 기류에 의해 기판(W)의 표면 전체에 퍼져 간다. 이에 따라, 테이블(4) 상의 기판(W)의 표면과 조사부(10) 사이의 공간은 질소 분위기가 된다. 이 공간을 질소 분위기로 함으로써 산소 농도를 감소시켜, 기판(W)의 표면에서의 워터마크의 발생을 억지할 수 있다. 또, 조사부(10)가 대기 위치로부터 조사 위치로 이동함으로써, 테이블(4) 상의 기판(W)의 표면과 조사부(10) 사이의 공간은 좁아지기 때문에, 그 공간을 질소 분위기로 하는 시간을 짧게 하여, 전체 처리 시간을 단축할 수 있다.
단계 S4의 후, 제어부(12)는, 질소 가스의 공급을 정지시키고 나서, 용매 공급부(8)를 제어하여, 회전하는 테이블(4) 상의 기판(W)의 표면에 노즐(8a)로부터 휘발성 용매, 즉 IPA를 미리 정해진 시간 공급한다(단계 S5). 또, IPA의 공급은, 초순수가 건조되기 전에 행해지는 것이 바람직하다. 휘발성 용매로서의 IPA는, 노즐(8a)로부터, 회전하는 테이블(4) 상의 기판(W)의 중앙을 향해 토출되고, 기판(W)의 회전에 의한 원심력에 의해 기판(W)의 표면 전체에 퍼져 간다. 이에 따라, 테이블(4) 상의 기판(W)의 표면은 초순수로부터 IPA로 치환되게 된다. 이 때, 용매 공급부(8)의 노즐(8a)로부터 토출되는 IPA의 온도는 그 비점 미만으로 되어 있고, IPA를 확실하게 액체의 상태로서 기판(W)의 표면에 공급함으로써, 기판(W)의 표면 전역에서 초순수가 IPA로 균등하게 치환된다. 본 실시형태에 있어서, 기판(W)에 대하여 IPA는 액체의 상태로 연속적으로 공급된다.
또, IPA 공급시의 테이블(4), 즉 기판(W)의 회전수는, 기판(W)의 표면이 노출되지 않을 정도로, 휘발성 용매의 막이 기판(W)의 표면 상에서 박막이 되도록 설정되어 있다. 또한, 노즐(9a)로부터의 질소 가스의 공급에 관해, 단계 S4의 후에 질소 가스의 공급을 정지시키지 않고, 단계 S5에 있어서도 계속시키도록 해도 좋다.
단계 S5의 후, 제어부(12)는, 휘발성 용매의 공급을 정지시키고 나서, 조사부(10)를 제어하여, 조사부(10)의 각 램프(10a)를 점등하여, 회전하는 테이블(4) 상의 기판(W)을 미리 정해진 시간 가열한다(단계 S6). 이 때, 조사부(10)는, 기판(W)의 온도가 10초로 100도 이상이 되는 것을 가능하게 하는 가열을 행할 수 있다. 이 때문에, IPA가 잔류하고 있는 기판(W)의 표면을 순간적으로 건조시키는 것이 가능해진다. 또, 조사부(10)의 조사에 의한 가열은 IPA의 공급 정지후에 개시되고 있지만, 이것에 한정되지 않고, IPA의 공급 중에 가열을 개시해도 좋다.
여기서, 조사부(10)에 의한 가열 건조에서는, 패턴 붕괴를 억지하기 위해, 전술한 바와 같이 수초로 백도 이상의 고온까지 기판(W)을 가열하는 것이 중요하다. 또한, IPA를 가열하지 않고, 기판(W)만을 가열하는 것도 필요하다. 이 순간적인 고온 도달을 위해서는, 파장 400 nm∼3000 nm에 피크 강도를 갖는 조사부(10)를 이용하는 것이 바람직하다. 또한, 확실한 건조를 위해서는, 기판(W)의 최종 온도(가열에 의해 도달하는 최종 온도)는, 처리액이나 용매의 대기압에서의 비점보다 20℃ 이상 높은 가열 온도인 것이 바람직하고, 덧붙여, 최종 온도에 도달하는 시간이 10초 이내, 예컨대 수십 msec∼수초의 범위 내인 것이 바람직하다.
단계 S6의 후, 제어부(12)는 이동 기구(11)를 제어하여, 조사부(10)를 조사 위치로부터 대기 위치로 상승시키고, 이어서, 조사부(10)를 제어하여, 조사부(10)의 각 램프(10a)를 소등하여 기판(W)의 가열을 정지하고(단계 S7), 마지막으로, 회전 기구(5)를 제어하여, 기판(W)의 회전을 정지하고(단계 S8), 처리가 완료된다. 그 후, 기판(W)이 테이블(4)의 각 지지 부재(4a)로부터 제거되어 반출된다.
또, 기판(W)의 반출에 앞서, 조사부(10)가 대기 위치에 위치 부여되기 때문에, 기판(W)의 반출시에 조사부(10)가 방해되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 처리 박스(2) 내의 테이블(4)에 기판(W)이 셋팅될 때에도, 조사부(10)를 대기 위치에 위치 부여해 놓음으로써, 기판(W)의 반입시에 조사부(10)가 방해되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 기판(W)에 제1 처리액이나 제2 처리액을 공급할 때, 조사부(10)를 대기 위치에 위치 부여해 놓음으로써, 처리액이 조사부(10)에 부착되는 것을 억지할 수 있다.
전술한 조사부(10)를 이용한 건조 공정(단계 S6)에서는, 그 조사부(10)에 의한 가열에 의해, 도 3에 나타낸 바와 같이, 기판(W)의 표면 상의 패턴(P)의 주위로부터 액체(A1)가 기화하기 때문에, 기판 표면은 순간적으로 건조되게 된다. 이 때, 조사부(10)는, 액체(A1)가 공급된 기판(W)의 표면에 기층(A2)을 생기게 하여 액체(A1)를 액적화시키도록(액체(A1)의 액적을 생성하도록), 전술한 최종 온도까지 기판(W)만을 순간적으로 가열한다.
자세하게는, 기판(W)이 조사부(10)의 조사에 의해 순간적으로 가열되면, 기판(W)의 표면 상의 패턴(P)에 접촉하고 있는 액체(A1)가 다른 부분의 액체(A1)보다 빠르게 기화를 시작한다. 이에 따라, 기판(W)의 표면 상의 패턴(P)의 주위에는, 액체(A1)의 기화(비등)에 의해 가스의 층(기포의 집합), 즉 기층(A2)이 박막처럼 생성된다. 이 때문에, 인접하는 패턴(P) 사이의 액체(A1)는, 기층(A2)에 의해 기판(W)의 표면에 압출되면서 건조가 진행되게 된다.
즉, 기판(W)을 순간적으로 가열함으로써, 기판(W)의 표면 상의 패턴(P)에 접촉하고 있는 휘발성 용매의 액체(A1)가 순간적으로 기화하고, 기판(W)의 표면 상에서의 다른 부분의 휘발성 용매의 액체(A1)가 즉시 액적화한다(액적화 현상). 이렇게 하여 생성된 액적은, 기판(W)의 회전에 의한 원심력으로 기판(W) 상으로부터 비산되어, 결과적으로 기판(W)의 건조가 완료된다. 이와 같이 하여, 일부 패턴 사이에 액체(A1)가 잔류하는 것을 억제하는 것이 가능해지고, 기판(W)의 표면에서의 액체(A1)의 건조 속도는 균일해지기 때문에, 잔류한 액체(A1)에 의한 붕괴력(예컨대 표면장력 등)에 의해 패턴(P)이 붕괴하는 것을 억지할 수 있다.
한편, 조사부(10)를 사용하지 않은 경우의 건조에서는, IPA의 액체(A1)가 건조되어 가는 과정에서 액체(A1)의 건조 속도에 불균일이 생겨, 도 4에 나타낸 바와 같이, 일부 패턴(P) 사이에 액체(A1)가 남고, 그 부분의 액체(A1)에 의한 붕괴력에 의해 패턴(P)이 붕괴되어 버린다. 예컨대, 패턴(P)의 하나의 폭은 20 nm이고, 그 높이는 200 nm이다(폭에 대하여 높이가 10배이다). 이와 같이 패턴(P)이 미세한 패턴이고, 그 패턴(P) 사이의 간극에 들어간 액체(A1)는 건조되기 어려워진다. 이 때문에, 다른 부분이 건조된 후에도, 일부 패턴(P)의 사이에는 액체(A1)가 남고, 그 액체(A1)에 의한 붕괴력에 의해 패턴이 붕괴되어 버린다.
이상 설명한 바와 같이, 제1 실시형태에 의하면, 휘발성 용매(예컨대 IPA)가 공급된 기판(W)에 대하여 광을 조사하여, 그 휘발성 용매가 공급된 기판(W)의 표면에 가스의 층(기층)을 생기게 하도록 기판(W)을 가열함으로써, 기판(W) 상의 패턴에 접촉하는 휘발성 용매로부터 기화(비등)를 진행시킨다. 이 때 발생하는 가스의 층에 의해 패턴 사이에 휘발성 용매를 남기지 않고, 기판(W)의 표면을 순간적으로 건조시키는 것이 가능해진다. 이와 같이, 휘발성 용매가 패턴 사이에 남는 것을 방지하여, 잔류한 휘발성 용매에 의한 패턴 붕괴를 억지하는 것이 가능해지기 때문에, 패턴 붕괴를 억제하면서 양호한 기판 건조를 행할 수 있다.
또한, 휘발성 용매의 공급 완료후에 조사부(10)의 조사에 의한 가열을 행함으로써, 휘발성 용매의 공급량이 적더라도, 휘발성 용매를 기판(W)의 표면 전체에 확실하게 골고루 퍼지게 하는 것이 가능하여, 확실한 건조를 실현할 수 있다. 즉, 가열이 공급 중에 실행되면, 그 열에 의해 공급 중인 휘발성 용매가 기화되어 버려, 휘발성 용매가 기판의 표면 전체에 골고루 퍼지지 않는 경우가 있지만, 휘발성 용매의 공급 완료후에 가열을 행함으로써 그것을 억지하는 것이 가능해진다.
한편, 휘발성 용매의 공급량이 충분하여, 휘발성 용매가 기판의 표면 전체에 골고루 퍼질 때에는, 휘발성 용매의 공급 중에 조사부(10)의 조사에 의한 가열을 개시하도록 해도 좋다. 이 경우에는, 휘발성 용매의 공급 완료후에 가열을 개시하는 경우와 비교하여, 기판(W)의 건조 시간을 짧게 하는 것이 가능해지기 때문에, 전체 처리 시간을 단축할 수 있다.
또, 전술한 실시형태에서는, 제1 처리액으로서 APM을 이용하고 있지만, 이것에 한정되지 않고, 예컨대 SPM(황산 및 과산화수소수의 혼합액)을 이용하는 것이 가능하다. APM은 IPA와 반응하기 어렵지만, SPM은 IPA와 반응하기 쉽다. 이 SPM과 IPA의 반응을 피하기 위해, SPM 처리를 행하는 제1 스핀 처리 모듈과, 조사부(10)에 의한 가열 및 IPA 건조를 행하는 제2 스핀 처리 모듈을 별개로서 설치하는 것이 바람직하다. 이 경우에는, 제1 스핀 처리 모듈의 SPM 처리후, 건조 처리를 실행하지 않고 제2 스핀 처리 모듈에 기판(W)을 반송하여, 그 제2 스핀 처리 모듈에 의해 건조 처리를 행한다.
또한, 전술한 실시형태에서는, 기판(W)에 대한 세정액의 공급을 정지하고 나서 IPA 등의 휘발성 용매의 공급을 개시했지만, 초순수 등의 제2 처리액에 의한 세정이 끝날 시기에, 아직 그 처리액이 기판(W)에 대하여 공급되고 있을 때부터 휘발성 용매의 공급을 개시시키도록 해도 좋다.
(제2 실시형태)
제2 실시형태에 관해 도 5를 참조하여 설명한다.
제2 실시형태는 기본적으로 제1 실시형태와 동일하다. 이 때문에, 제2 실시형태에서는 제1 실시형태와의 상이점에 관해 설명하고, 제1 실시형태에서 설명한 부분과 동일 부분은 동일 부호로 나타내며, 그 설명도 생략한다.
도 5에 나타낸 바와 같이, 제2 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)에 있어서는, 제1 처리액 공급부(6)의 노즐(6a), 제2 처리액 공급부(7)의 노즐(7a), 용매 공급부(8)의 노즐(8a) 및 가스 공급부(9)의 노즐(9a)이 조사부(10) 내에 설치되어 있다. 이들 노즐(6a, 7a, 8a 및 9a)은, 테이블(4) 상의 기판(W)의 표면에 각각의 유체(제1 처리액, 제2 처리액, 휘발성 용매 또는 가스)를 공급 가능하게 형성되어 있다. 또, 각 노즐(6a, 7a, 8a 및 9a)의 재료로는, 열에 의해 변형되지 않는 재료를 이용하고 있고, 예컨대, 조사부(10)의 각 램프(10a)에 의해 가열되지 않는 석영 등의 재료를 이용하는 것이 가능하다.
이 제2 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)에서는, 각 노즐(6a, 7a, 8a 및 9a)이 테이블(4) 상의 기판(W)의 바로 위에 위치하기 때문에, 액체나 기체를 공급할 때의 유속이 느리더라도, 기판 중심에 액체나 기체를 용이하게 공급할 수 있다. 또한, 공급하는 액체의 유량을 적게 하더라도 액체에 의해 기판(W)의 표면을 피복하는 것이 가능해지기 때문에, 액체의 사용량을 삭감할 수 있다. 마찬가지로, 공급하는 기체의 유량을 적게 하더라도 기판(W)의 표면 상의 공간을, 공급한 가스 분위기로 하는 것이 가능해지기 때문에, 기체의 사용량을 삭감할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 제2 실시형태에 의하면 제1 실시형태와 동일한 효과를 얻을 수 있다. 또한, 조사부(10) 내에 각 노즐(6a, 7a, 8a 및 9a)을 설치함으로써, 액체나 기체를 공급할 때의 유속이 느린 경우에도, 기판 중심에 액체나 기체를 용이하게 공급할 수 있다. 또한, 액체나 기체의 유량을 적게 하는 것도 가능하여, 이들 액체나 기체의 사용량을 삭감할 수 있다.
(제3 실시형태)
제3 실시형태에 관해 도 6을 참조하여 설명한다.
제3 실시형태는 기본적으로 제2 실시형태와 동일하다. 이 때문에, 제3 실시형태에서는 제2 실시형태와의 상이점에 관해 설명하고, 제2 실시형태에서 설명한 부분과 동일 부분은 동일 부호로 나타내며, 그 설명도 생략한다.
도 6에 나타낸 바와 같이, 제3 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)에 있어서는, 조사부(10)가 기판(W)의 하측에, 즉, 각 지지 부재(4a) 상의 기판(W)과 테이블(4) 사이에, 그 기판(W)의 테이블(4)측의 면에 대하여 광을 조사하도록 설치되어 있다. 이 조사부(10)는, 제2 실시형태와 마찬가지로, 이동 기구(11)에 의해 승강 방향(상하 방향)으로 이동 가능하다.
이 제3 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)에서는, 조사부(10)가 각 지지 부재(4a) 상의 기판(W)과 테이블(4) 사이에 위치하기 때문에, 각 지지 부재(4a) 상의 기판(W)의 상측의 공간을 비우는 것이 가능하고, 그 공간에 다른 부재나 장치 등(예컨대 노즐(6a 또는 7a, 8a, 9a) 등)을 복잡한 구조로 하지 않더라도 용이하게 설치할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 제3 실시형태에 의하면 제2 실시형태와 동일한 효과를 얻을 수 있다. 또한, 각 지지 부재(4a) 상의 기판(W)의 하측, 예컨대 각 지지 부재(4a) 상의 기판(W)과 테이블(4) 사이에 조사부(10)를 설치함으로써, 각 지지 부재(4a) 상의 기판(W)의 상측의 공간을 비우는 것이 가능해지기 때문에, 그 공간에 다른 부재나 장치 등을 용이하게 설치할 수 있다.
(제4 실시형태)
제4 실시형태에 관해 도 7 내지 도 9를 참조하여 설명한다.
제4 실시형태는 기본적으로 제1 실시형태와 동일하다. 이 때문에, 제4 실시형태에서는 제1 실시형태와의 상이점에 관해 설명하고, 제1 실시형태에서 설명한 부분과 동일 부분은 동일 부호로 나타내며, 그 설명도 생략한다.
도 7 및 도 8에 나타낸 바와 같이, 제4 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)에 있어서는, 조사부(10A)가 라인 레이저광을 조사하는 라인 레이저이다. 이 조사부(10A)는, 그 길이 방향의 길이가 기판(W)의 직경보다 길게 형성되어 있고, 테이블(4) 상의 기판(W)의 표면을 따라서 이동 기구(11A)에 의해 이동 가능하게 구성되어 있다. 조사부(10A)는, 제1 실시형태와 마찬가지로, 휘발성 용매가 공급된 기판(W)의 표면에 가스의 층(기층)을 생기게 하도록 그 기판(W)을 가열한다.
이동 기구(11A)는, 조사부(10A)를 유지하여 이동시키는 한쌍의 이동 기구(21 및 22)(도 8 참조)와, 이동 기구(21)를 지지하는 지주(23)와, 이동 기구(22)를 지지하는 지주(24)(도 8 참조)로 구성되어 있다. 한쌍의 이동 기구(21 및 22)는, 조사부(10A)가 테이블(4) 상의 기판(W)의 상측에 위치하도록 그 조사부(10A)를 유지하고 있고, 테이블(4) 상의 기판(W)의 표면을 따라서 평행하게 이동시킨다. 이들 이동 기구(21 및 22)로는, 예컨대 서보 모터를 구동원으로 하는 이송 나사식의 이동 기구나 리니어 모터를 구동원으로 하는 리니어 모터식의 이동 기구 등을 이용하는 것이 가능하다.
이 제4 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)에 있어서, 조사부(10A)는, 가열 건조를 행하는 경우, 회전하고 있는 테이블(4) 상의 기판(W)의 표면을 따라서 평행하게 한쌍의 이동 기구(21 및 22)에 의해 이동하면서 레이저광을 조사함으로써, 기판(W)의 표면 전체에 대한 레이저광의 조사를 행한다. 이 때, 조사부(10A)는, 예컨대 기판(W)의 중심으로부터 외주로 이동한다. 이러한 가열 건조에 의해, 휘발성 용매가 공급된 기판(W)의 표면에는, 제1 실시형태와 마찬가지로 가스의 층(기층)이 생기기 때문에, 기판(W)의 표면은 순간적으로 건조되게 된다.
여기서, 라인 레이저형의 조사부(10A)에 의해 기판(W)의 표면 전체에 대하여 레이저광을 조사하는 경우의 다른 구성의 일례에 관해 설명한다.
도 9에 나타낸 바와 같이, 조사부(10A)가, 지주로서 기능하는 이동 기구(11B)의 상부에 설치되고, 그 지주인 이동 기구(11B)의 축심을 회전축으로 하여 이동 기구(11B)에 의해 기판(W)의 표면을 따라서 요동 가능(회동 가능)하게 구성되어 있다. 이 조사부(10A)는, 이동 기구(11B)에 의해 회전축을 중심으로 하여 회동하며, 회전하고 있는 테이블(4) 상의 기판(W)의 표면을 따라서 평행하게 이동(요동)하면서 레이저광을 조사함으로써, 기판(W)의 표면 전체에 대한 레이저광의 조사를 행한다.
이상 설명한 바와 같이, 제4 실시형태에 의하면 제1 실시형태와 동일한 효과를 얻을 수 있다. 또한, 라인 레이저형의 조사부(10A)를 이용함으로써, 테이블(4) 상의 기판(W)의 표면 전체를 덮는 조사부에 비하여, 조사 장치의 대형화를 방지할 수 있다.
(제5 실시형태)
제5 실시형태에 관해 도 10을 참조하여 설명한다.
제5 실시형태는 기본적으로 제1 실시형태와 동일하다. 이 때문에, 제5 실시형태에서는 제1 실시형태와의 상이점에 관해 설명하고, 제1 실시형태에서 설명한 부분과 동일 부분은 동일 부호로 나타내며, 그 설명도 생략한다.
도 10에 나타낸 바와 같이, 제5 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)에 있어서는, 처리 박스(2) 내를 감압하는 감압부(31)가 설치되어 있다. 이 감압부(31)는, 처리 박스(2) 내에 이어지는 배관(31a)과, 그 배관(31a)의 도중에 설치된 감압 펌프(31b)를 구비하고 있다. 감압 펌프(31b)는 제어부(12)에 전기적으로 접속되어 있고, 그 구동이 제어부(12)에 의해 제어된다. 이러한 감압부(31)는, 감압 펌프(31b)의 구동에 의해 처리 박스(2) 내의 기체를 배관(31a)으로부터 배기하여 그 처리 박스(2) 내를 감압하여, 진공 상태로 한다.
이 제5 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)에서는, 조사부(10)에 의한 가열 건조전, 예컨대, 휘발성 용매인 IPA의 공급후에(즉, 제1 실시형태에서의 도 2 중의 단계 S5와 단계 S6 사이에), 처리 박스(2) 내가 감압부(31)에 의해 미리 정해진 진공압까지 감압된다. 처리 박스(2) 내를 진공 상태로 하면, 조사부(10)에 의한 가열 건조가 실행된다(제1 실시형태에서의 도 2 중의 단계 S6). 이 때, 처리 박스(2) 내의 감압에 의해 IPA의 비점이 내려가고, 그 비점이 내려가는 만큼, 대기하보다 낮은 가열 온도로 전술한 액적화 현상을 생기게 하는 것이 가능해진다. 이 때문에, 취급하는 기판(W)이 고온 가열에 적합하지 않은 경우 등이라도 가열 건조를 행할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 제5 실시형태에 의하면 제1 실시형태와 동일한 효과를 얻을 수 있다. 또한, 처리 박스(2) 내를 감압 상태로 하여 조사부(10)에 의한 가열 건조를 실행함으로써, 처리 박스(2) 내의 기판(W)의 표면에 존재하는 액체의 비점을 낮추고, 그 비점이 낮아지는 만큼, 대기하보다 낮은 가열 온도로 액적화 현상을 생기게 하는 것이 가능해진다. 이 때문에, 처리 박스(2) 내를 감압 상태로 하지 않고 조사부(10)에 의한 가열 건조를 실행하는 경우에 비하여, 취급하는 기판(W)이 고온 가열에 적합하지 않은 경우 등에도, 대기하보다 낮은 가열 온도로 가열 건조를 행하여, 확실하게 패턴 붕괴를 억제하면서 양호한 기판 건조를 행할 수 있다.
(제6 실시형태)
제6 실시형태에 관해 도 11을 참조하여 설명한다.
제6 실시형태는 기본적으로 제1 실시형태와 동일하다. 이 때문에, 제6 실시형태에서는 제1 실시형태와의 상이점에 관해 설명하고, 제1 실시형태에서 설명한 부분과 동일 부분은 동일 부호로 나타내며, 그 설명도 생략한다.
제6 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)에 있어서는, 도 11에 나타낸 바와 같이, 기판(W)을 반송하는 반송부(41)가 설치되어 있다. 이 반송부(41)는 처리 박스(2) 내의 테이블(4) 상으로부터 기판(W)을 반출하여, 다수의 기판(W)을 수용하는 버퍼부(42)까지 반송한다. 또, 제6 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)는, 제1 실시형태에 따른 조사부(10)를 구비하지 않아, 제6 실시형태에 따른 기판 처리 공정에서는, 조사부(10)에 의한 가열 건조는 실행되지 않고, 기판(W)의 회전에 의한 스핀 건조가 행해진다.
반송부(41)는, 처리 박스(2)와 버퍼부(42) 사이의 기판(W)의 반송을 가능하게 하는 반송 아암(41a)과, 그 반송 아암(41a)에 부착되어 기판(W)을 지지하는 반송 아암 히터(41b)와, 반송 아암 히터(41b) 상의 기판(W)을 향해 기체(예컨대, 질소 가스 등의 불활성 가스)를 분무하는 기체 분무부(41c)와, 기판(W)으로부터 되돌아오는 기체를 흡인하여 배기하는 배기부(41d)를 구비하고 있다.
반송 아암 히터(41b)는, 기판(W)의 반송 도중에 기판(W)을 순간적으로 고온으로 가열하는 것이며, 기판(W)을 지지하고, 그 지지하고 있는 기판(W)을 가열하는 가열부로서 기능한다. 이 반송 아암 히터(41b)는, 제1 실시형태와 마찬가지로, 휘발성 용매가 공급된 기판(W)의 표면에 가스의 층(기층)을 생기게 하도록 그 기판(W)을 가열한다. 또, 처리 박스(2)로부터 취출된 기판(W)은, 처리 박스(2) 내에서는 스핀 건조만 되었기 때문에, 휘발성 용매가 완전히 건조되지 않은 상태(어느 정도 부착된 상태)로 반송 아암 히터(41b) 상에 놓이게 된다.
기체 분무부(41c) 및 배기부(41d)는, 처리 박스(2)로부터 버퍼부(42)까지의 기판(W)의 반송 경로(반송 아암(41a)에 의한 기판(W)의 반송 경로)를 따라서 설치되어 있다. 기체 분무부(41c)는, 배기부(41d)보다 기판(W)의 반송 방향의 상류측에 위치 부여되어 있다. 따라서, 배기부(41d)는 기체 분무부(41c)보다 하류측에 위치하고 있고, 기체 분무부(41)로부터 분출되어 기판(W)의 표면에 닿은 기체를 흡입하도록 설치되어 있다.
기체 분무부(41c)는, 반송 아암 히터(41b)의 가열에 의해 기판(W)의 표면에 생성되는 휘발성 용매의 액적을 불어 날려서 제거하는 것이며, 기판(W)의 반송 경로의 상측에 위치하고 있고, 반송 아암 히터(41b) 상의 기판(W)의 표면에 대하여 경사지도록 설치되어 있다. 이 기체 분무부(41c)는, 기판(W)의 반송 방향에 수직인 방향의 기판폭과 거의 동일하거나, 그것보다 큰 폭을 갖는 슬릿형의 개구부(도시하지 않음)로부터 기체를 분출한다.
배기부(41d)는, 기체 분무부(41c)에 의해 불려서 날아간 액적을 흡인하여, 반송 경로에 비산되지 않도록 하는 것이며, 기판(W)의 반송 경로의 상측에 위치하고 있고, 반송 아암 히터(41b) 상의 기판(W)의 표면에 대하여 수직이 되도록 설치되어 있다. 이 배기부(41d)는, 기판(W)의 반송 방향에 수직인 방향의 기판폭과 거의 동일하거나, 그것보다 큰 개구폭을 갖는 슬릿형의 개구부(도시하지 않음)로부터 기체를 흡입한다.
이 제6 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)에서는, 처리 박스(2)로부터 취출된 기판(W)이, 히터 오프 상태의 반송 아암 히터(41b) 상에 놓인다. 이 상태로, 반송 아암(41a)은 도 11 중의 우측으로부터 좌측으로 이동한다. 반송 아암 히터(41b)가 기체 분무부(41c)에 근접했을 때에 히터가 온이 되고, 히터의 온에 의해 기판(W)이 급속 가열된다. 이 가열에 의해 기판(W)의 표면 상에 휘발성 용매의 액적이 생성된다. 그 후, 기판(W)의 표면 상에 생성된 휘발성 용매의 액적은, 기체 분무부(41c)로부터의 기체에 의해 기판(W)의 표면 상으로부터 불려서 날아가, 배기부(41d)에 의해 흡인되어 제거되게 된다. 이에 따라, 기판(W)의 표면은 순간적으로 건조되게 된다. 또, 기판(W)의 가열시에는, 기판(W)은 한 방향으로 반송되고 있고, 회전하지는 않는다.
이상 설명한 바와 같이, 제6 실시형태에 의하면 제1 실시형태와 동일한 효과를 얻을 수 있다. 또한, 기판(W)의 반송 도중에 반송 아암 히터(41b)에 의한 가열 건조를 행함으로써, 처리 박스(2) 내에서의 가열 건조를 행하지 않더라도, 패턴 붕괴를 억제하여 양호한 기판 건조를 행하는 것이 가능해진다. 이 때문에, 처리 박스(2) 내에서의 가열 건조를 생략하여, 처리 박스(2) 내에서의 기판 처리 시간을 단축할 수 있다.
또, 제6 실시형태에 있어서는, 기체 분무부(41c) 및 배기부(41d)를 기판(W)의 반송 경로의 상측(기판(W)의 상부에 위치하도록)에 설치하고 있지만, 이것에 한정되지 않고, 예컨대, 기판(W)의 반송 경로의 옆에 기체 분무부(41c)를 설치하고, 그 반대측에 배기부(41d)를 설치하도록 해도 좋다. 이 경우에는, 반송 아암 히터(41b) 상의 기판(W)의 표면에 대하여 옆에서 기체를 분무하고, 그 반대측에서 기체를 흡인하게 된다.
또한, 반송 아암 히터(41b)에 의한 급속 가열에 의해 기판(W)의 표면 상에 생성된 휘발성 용매의 액적을, 기판(W)을 기울임으로써 기판(W)의 표면 상에서 제거하도록 해도 좋다. 이것은, 기판(W)의 반송 도중에 반송 아암 히터(41b)에 의해 기판(W)을 급속 가열한 후, 반송 아암(41a)을 예컨대 반송 방향을 따르는 축을 중심으로 회동시키고, 유지하고 있는 기판(W)을 경사지게 함으로써 실시할 수 있다. 기판(W)이 경사지게 됨으로써, 휘발성 용매의 액적은 기판(W)의 표면 상을 미끄러져 기판(W)의 표면 상에서 제거되게 된다.
이상, 본 발명의 몇가지 실시형태를 설명했지만, 이들 실시형태는 예로서 제시한 것이며, 발명의 범위를 한정하는 것은 의도하지 않는다. 예컨대, 제1 처리액, 제2 처리액, 가스, 휘발성 용매 등의 공급은, 각각의 공급 시간이 중복되지 않는 실시형태에서 설명했지만, 일부 중복되더라도 상관없다. 또한, 전술한 이들 신규 실시형태는, 그 밖의 여러가지 형태로 실시되는 것이 가능하며, 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 여러가지 생략, 치환, 변경을 행할 수 있다. 이들 실시형태나 그 변형은, 발명의 범위나 요지에 포함되며, 특허청구범위에 기재된 발명과 그 균등한 범위에 포함된다.
Claims (12)
- 기판 처리 장치에 있어서,
기판의 표면에 휘발성 용매를 공급하는 용매 공급부와,
상기 휘발성 용매가 공급된 상기 기판의 표면에 기층을 생기게 하여 상기 휘발성 용매를 액적화시키도록 상기 기판을 가열하는 가열부
를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제1항에 있어서,
상기 가열부를 상기 기판의 표면에 대하여 상하 방향으로 이동시키는 이동 기구를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제1항에 있어서,
상기 가열부를 상기 기판의 표면을 따라서 이동시키는 이동 기구를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제1항에 있어서,
상기 가열부는, 상기 휘발성 용매가 공급된 상기 기판에 대하여 전자파를 조사하는 조사부인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제1항에 있어서,
상기 용매 공급부에 의한 상기 휘발성 용매의 공급중에, 상기 가열부에 상기 기판에 대한 가열을 실행시키는 제어부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제1항에 있어서,
상기 용매 공급부에 의한 상기 휘발성 용매의 공급후에, 상기 가열부에 상기 기판에 대한 가열을 실행시키는 제어부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제1항에 있어서,
상기 기판을 평면 내에서 회전시키는 회전 기구와,
상기 회전 기구에 의한 상기 기판의 회전중에, 상기 용매 공급부에 상기 휘발성 용매의 공급을 실행시키고, 상기 가열부에 상기 기판에 대한 가열을 실행시키는 제어부
를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 기판 처리 방법에 있어서,
기판의 표면에 휘발성 용매를 공급하는 공정과,
상기 휘발성 용매가 공급된 상기 기판의 표면에 기층을 생기게 하여 상기 휘발성 용매를 액적화시키도록 상기 기판을 가열하는 공정
을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. - 제8항에 있어서,
상기 기판을 가열하는 공정에서는, 상기 휘발성 용매가 공급된 상기 기판에 대하여 전자파를 조사하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. - 제8항에 있어서,
상기 기판을 가열하는 공정에서는, 상기 휘발성 용매의 공급중에 상기 기판을 가열하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. - 제8항에 있어서,
상기 기판을 가열하는 공정에서는, 상기 휘발성 용매의 공급후에 상기 기판을 가열하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. - 제8항에 있어서,
상기 휘발성 용매를 공급하는 공정에서는, 상기 기판을 평면 내에서 회전시키면서 상기 기판의 표면에 상기 휘발성 용매를 공급하고,
상기 기판을 가열하는 공정에서는, 상기 기판을 평면 내에서 회전시키면서 상기 기판을 가열하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
Applications Claiming Priority (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2013-045532 | 2013-03-07 | ||
| JP2013045532 | 2013-03-07 | ||
| JP2013140416 | 2013-07-04 | ||
| JPJP-P-2013-140416 | 2013-07-04 | ||
| JPJP-P-2014-028314 | 2014-02-18 | ||
| JP2014028314A JP6400919B2 (ja) | 2013-03-07 | 2014-02-18 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| PCT/JP2014/055054 WO2014136670A1 (ja) | 2013-03-07 | 2014-02-28 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20150120506A true KR20150120506A (ko) | 2015-10-27 |
| KR101759414B1 KR101759414B1 (ko) | 2017-07-18 |
Family
ID=51491189
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020157025984A KR101759414B1 (ko) | 2013-03-07 | 2014-02-28 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10281210B2 (ko) |
| EP (1) | EP2966673B1 (ko) |
| JP (1) | JP6400919B2 (ko) |
| KR (1) | KR101759414B1 (ko) |
| CN (1) | CN105027268B (ko) |
| TW (1) | TWI590318B (ko) |
| WO (1) | WO2014136670A1 (ko) |
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- 2014-02-18 JP JP2014028314A patent/JP6400919B2/ja active Active
- 2014-02-28 EP EP14760514.1A patent/EP2966673B1/en not_active Not-in-force
- 2014-02-28 KR KR1020157025984A patent/KR101759414B1/ko active IP Right Grant
- 2014-02-28 WO PCT/JP2014/055054 patent/WO2014136670A1/ja active Application Filing
- 2014-02-28 US US14/773,055 patent/US10281210B2/en active Active
- 2014-02-28 CN CN201480010842.3A patent/CN105027268B/zh active Active
- 2014-03-06 TW TW103107697A patent/TWI590318B/zh active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP2966673A4 (en) | 2016-11-09 |
| JP6400919B2 (ja) | 2018-10-03 |
| CN105027268A (zh) | 2015-11-04 |
| TW201508830A (zh) | 2015-03-01 |
| KR101759414B1 (ko) | 2017-07-18 |
| EP2966673B1 (en) | 2020-10-14 |
| CN105027268B (zh) | 2017-07-11 |
| US10281210B2 (en) | 2019-05-07 |
| JP2015029041A (ja) | 2015-02-12 |
| WO2014136670A1 (ja) | 2014-09-12 |
| TWI590318B (zh) | 2017-07-01 |
| EP2966673A1 (en) | 2016-01-13 |
| US20160025409A1 (en) | 2016-01-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| AMND | Amendment | ||
| X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
| GRNT | Written decision to grant |