KR20150111865A - Resistance measuring apparatus, substrate test apparatus, test method and method of maintaining jig for test - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은, 저항 측정을 실시하는 저항 측정 장치, 이 저항 측정 장치를 사용한 기판 검사 장치, 이들 장치에 사용되는 프로브에 관련된 검사 방법, 및 검사용 지그의 메인터넌스 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a resistance measurement device for performing resistance measurement, a substrate inspection device using the resistance measurement device, an inspection method related to a probe used in these devices, and a maintenance method of the inspection jig.
종래부터, 프린트 배선 기판 등의 기판에 형성된 배선 패턴을 검사하기 위해, 배선 패턴의 저항값을 측정하는 것이 실시되고 있다. 배선 패턴의 검사로는, 단선의 유무의 검사는 물론이거니와, 배선 패턴의 폭이 가늘어지거나, 두께가 얇아지거나 하고 있는 단선에 이르지 않은 불량도 검출할 필요가 있다. 이와 같은 단선에 이르지 않은 불량을 검출하기 위해서는, 고정밀도의 저항 측정을 실시할 필요가 있다. 이와 같은 고정밀도의 저항 측정 방법으로서, 4 단자 측정법을 사용한 기판 검사 장치가 알려져 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 참조).BACKGROUND ART Conventionally, in order to inspect a wiring pattern formed on a substrate such as a printed wiring board, a resistance value of the wiring pattern is measured. As for the inspection of the wiring pattern, it is necessary to detect not only the presence or absence of disconnection, but also defects that do not reach the disconnection that the width of the wiring pattern becomes narrow or the thickness becomes thin. In order to detect defects not reaching such disconnection, it is necessary to conduct resistance measurement with high accuracy. As such a high-precision resistance measuring method, a substrate inspecting apparatus using a four-terminal measuring method is known (see, for example, Patent Document 1).
4 단자 측정법에서는, 저항 측정 지점에 저항 측정용 전류를 흐르게 하기 위한 2 개의 전류 프로브와, 저항 측정 지점의 전압을 측정하기 위한 2 개의 전압 프로브가 사용된다. 이로써, 저항 측정용 전류가 전압 프로브에 흐르지 않으므로, 전압 프로브 자체의 저항에 의한 전압 강하가 저감되어, 고정밀도의 저항 측정이 가능해진다.In the 4-terminal measurement method, two current probes are used to flow a current for resistance measurement at the resistance measurement point, and two voltage probes are used to measure the voltage at the resistance measurement point. Thereby, since the resistance measurement current does not flow through the voltage probe, the voltage drop due to the resistance of the voltage probe itself is reduced, and high-precision resistance measurement becomes possible.
그런데, 시간의 경과와 함께, 상기 서술한 전압 프로브의 프로브 침이나, 프로브 침을 전압계에 접속시키기 위한 전극 등에 산화막이 형성되는 경우가 있다. 프로브 침이나 전극 등에 산화막이 형성되면, 정류 작용과 저항 성분이 발생한다. 그 때문에, 산화막이 형성된 전압 프로브를 사용하여 저항 측정을 실시하면, 저항값의 측정 정밀도가 저하된다. 그리고, 정밀도가 저하된 저항 측정값에 기초하여 기판 검사를 실시하면, 기판의 검사 정밀도가 저하된다. 그 때문에, 산화막이 형성된 전압 프로브는, 클리닝에 의해 산화막을 제거할 필요가 있다.However, with the lapse of time, an oxide film may be formed on the probe tip of the above-described voltage probe or on an electrode for connecting the probe tip to a voltmeter. When an oxide film is formed on a probe needle or an electrode, a rectifying action and a resistance component are generated. Therefore, when resistance measurement is performed using a voltage probe having an oxide film formed thereon, the measurement accuracy of the resistance value is lowered. If the substrate inspection is carried out based on the resistance measurement value of which the accuracy is lowered, the inspection accuracy of the substrate is lowered. Therefore, in the voltage probe having the oxide film formed thereon, it is necessary to remove the oxide film by cleaning.
또, 전압 프로브에 발생하는 오차 요인으로는, 산화막 외에 제벡 효과에 의해 발생하는 기전력이 있다. 이 제벡 효과에 의한 기전력과 산화막에 의한 정류 작용은, 모두 극성을 갖고 있기 때문에 이들을 구별하는 것이 어렵다. 그 때문에, 전압 프로브에 산화막이 형성되는 불량이 발생하고 있는 것을 검지하는 것이 어렵다는 문제가 있었다.As an error factor generated in the voltage probe, there is an electromotive force generated by the Seebeck effect in addition to the oxide film. The electromotive force due to the Seebeck effect and the rectification action due to the oxide film are all polarities, and it is difficult to distinguish them. Therefore, there has been a problem that it is difficult to detect that a defect in which an oxide film is formed in the voltage probe occurs.
본 발명의 목적은, 프로브의 양부를 판정하는 것이 용이한 저항 측정 장치, 이 저항 측정 장치를 사용한 기판 검사 장치, 프로브에 관련된 검사 방법, 및 검사용 지그의 메인터넌스 방법을 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a resistance measuring apparatus which can easily determine both sides of a probe, a substrate inspection apparatus using the resistance measurement apparatus, an inspection method relating to the probe, and a maintenance method of the inspection jig.
본 발명에 관련된 저항 측정 장치는, 도체의 저항값을 측정하기 위한 저항 측정 장치로서, 상기 도체에 접촉시키기 위한 제 1 및 제 2 프로브와, 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 상기 도체에 소정의 제 1 전류를 흐르게 하였을 때에 상기 도체에 발생하는 제 1 전압을 취득하는 제 1 전압 취득부와, 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 상기 도체에 상기 제 1 전류와는 역방향의 제 2 전류를 흐르게 하였을 때에 상기 도체에 발생하는 제 2 전압을 취득하는 제 2 전압 취득부와, 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 상기 도체에 전류를 흐르게 하지 않는 상태에서, 상기 도체에 발생하는 제 3 전압을 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 취득하는 제 3 전압 취득부와, 상기 제 1, 제 2 및 제 3 전압에 기초하여 상기 제 1 및 제 2 프로브에 관한 양부를 판정하는 판정부를 구비한다.A resistance measuring apparatus according to the present invention is a resistance measuring apparatus for measuring a resistance value of a conductor, comprising: first and second probes for making contact with the conductor; and first and second probes A first voltage acquiring unit that acquires a first voltage generated in the conductor when the first current is caused to flow, and a second voltage acquiring unit that acquires a first voltage in a direction opposite to the first current A second voltage acquisition unit for acquiring a second voltage generated in the conductor when the first and second probes do not allow a current to flow through the conductor by the first and second probes, A third voltage acquisition unit that acquires the first and second probes, and a determination unit that determines both sides of the first and second probes based on the first, second, and third voltages.
또, 본 발명에 관련된 검사 방법은, 도체에 접촉되기 위한 제 1 및 제 2 프로브에 관한 불량을 검사하기 위한 검사 방법으로서, 상기 도체에 상기 제 1 및 제 2 프로브를 접촉시키고, 상기 도체에 소정의 제 1 전류를 흐르게 하였을 때에 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 측정되는 제 1 전압을 취득하는 제 1 전압 취득 공정과, 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 상기 도체에 상기 제 1 전류와는 역방향의 제 2 전류를 흐르게 하였을 때에 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 측정되는 제 2 전압을 취득하는 제 2 전압 취득 공정과, 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 상기 도체에 전류를 흐르게 하지 않는 상태에서, 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 측정되는 제 3 전압을 취득하는 제 3 전압 취득 공정과, 상기 제 1, 제 2 및 제 3 전압에 기초하여 상기 제 1 및 제 2 전압 프로브에 관한 양부를 판정하는 판정 공정을 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided an inspection method for inspecting defects with respect to first and second probes to be brought into contact with a conductor, the method comprising: bringing the first and second probes into contact with the conductor, A first voltage acquisition step of acquiring a first voltage measured by the first and second probes when the first current of the first and second probes is caused to flow, A second voltage acquiring step of acquiring a second voltage measured by the first and second probes when a second current in a reverse direction is caused to flow through the first and second probes; A third voltage acquisition step of acquiring a third voltage measured by the first and second probes in a state where the first and second voltage probes are connected to the first and second voltage probes based on the first, And a determination step of determining a positive part with respect to each of the plurality of parts.
또, 본 발명에 관련된 검사용 지그의 메인터넌스 방법은, 도체에 접촉되기 위한 제 1 및 제 2 프로브를 포함하는 검사용 지그의 메인터넌스 방법으로서, 상기 도체에 상기 제 1 및 제 2 프로브를 접촉시키고, 상기 도체에 소정의 제 1 전류를 흐르게 하였을 때에 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 측정되는 제 1 전압을 취득하는 제 1 전압 취득 공정과, 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 상기 도체에 상기 제 1 전류와는 역방향의 제 2 전류를 흐르게 하였을 때에 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 측정되는 제 2 전압을 취득하는 제 2 전압 취득 공정과, 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 상기 도체에 전류를 흐르게 하지 않는 상태에서, 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 측정되는 제 3 전압을 취득하는 제 3 전압 취득 공정과, 상기 제 1, 제 2 및 제 3 전압에 기초하여 상기 검사용 지그의 클리닝의 필요 여부를 판정하는 판정 공정을 포함한다.A maintenance method of the inspection jig according to the present invention is a maintenance method of an inspection jig including first and second probes to be brought into contact with a conductor, wherein the first and second probes are brought into contact with the conductor, A first voltage acquiring step of acquiring a first voltage measured by the first and second probes when a predetermined first current flows through the conductor; and a second voltage acquiring step of acquiring, by the first and second probes, A second voltage acquisition step of acquiring a second voltage measured by the first and second probes when a second current flowing in a direction opposite to the first current flows through the first and second probes; A third voltage acquisition step of acquiring a third voltage measured by the first and second probes in a state in which the first and second probes do not flow, It includes a determining step for determining the necessity of the use of the cleaning jig.
이들 저항 측정 장치, 검사 방법, 및 검사용 지그의 메인터넌스 방법에 의하면, 저항을 측정하고자 하는 도체에 제 1 전류를 흐르게 하였을 때에 도체에 발생하는 제 1 전압과, 도체에 제 1 전류와는 역방향의 제 2 전류를 흐르게 하였을 때에 도체에 발생하는 제 2 전압과, 도체에 전류를 흐르게 하지 않는 상태에서 도체에 발생하는 제 3 전압이 제 1 및 제 2 프로브를 사용하여 취득된다. 이 제 1, 제 2 및 제 3 전압은, 제 1 및 제 2 프로브에 산화막이 형성되어 있지 않으면, 제 1 전압과 제 3 전압 사이의 관계와, 제 2 전압과 제 3 전압 사이의 관계가 대칭적인 특성을 나타낸다. 한편, 제 1 및 제 2 프로브에 산화막이 형성되어 불량 상태가 되면, 산화막의 정류 작용에 의해 제 1 전압과 제 3 전압 사이의 관계와, 제 2 전압과 제 3 전압 사이의 관계의 대칭성이 흐트러진다. 따라서, 제 1, 제 2 및 제 3 전압에 기초하여 제 1 및 제 2 프로브에 관한 양부를 용이하게 판정할 수 있다. 또, 제 1 및 제 2 프로브에 산화막이 형성되어 불량 상태가 된 경우, 제 1 및 제 2 프로브를 포함하는 검사용 지그를 클리닝할 필요가 있는 것으로 생각된다. 그래서, 판정부는, 제 1, 제 2 및 제 3 전압에 기초하여 검사용 지그의 클리닝의 필요 여부를 판정할 수 있다.According to the resistance measuring apparatus, the inspection method, and the maintenance method of the inspection jig, the first voltage generated in the conductor when the first current is caused to flow through the conductor to be measured and the second voltage generated in the conductor in the reverse direction A second voltage generated in the conductor when the second current flows and a third voltage generated in the conductor in a state in which no current flows in the conductor are acquired using the first and second probes. The first, second, and third voltages are set so that the relationship between the first voltage and the third voltage and the relationship between the second voltage and the third voltage are symmetric with each other when the oxide film is not formed on the first and second probes Respectively. On the other hand, when the oxide film is formed on the first and second probes and is in a defective state, the relationship between the first voltage and the third voltage and the symmetry of the relationship between the second voltage and the third voltage are disturbed by the rectifying action of the oxide film All. Therefore, the first and second probes can be easily determined based on the first, second, and third voltages. In addition, when the oxide film is formed on the first and second probes and becomes in a defective state, it is considered necessary to clean the inspection jig including the first and second probes. Thus, the judging section can judge whether cleaning of the inspection jig is necessary based on the first, second and third voltages.
또, 상기 제 1 프로브는, 상기 도체에 전류를 흐르게 하기 위한 제 1 전류 프로브와, 상기 전류에 의해 상기 도체에 발생한 전압을 검출하기 위한 제 1 전압 프로브를 포함하고, 상기 제 2 프로브는, 상기 도체에 전류를 흐르게 하기 위한 제 2 전류 프로브와, 상기 전류에 의해 상기 도체에 발생한 전압을 검출하기 위한 제 2 전압 프로브를 포함하고, 상기 제 1 전압 취득부는, 상기 제 1 및 제 2 전류 프로브 사이에 상기 제 1 전류를 흐르게 하였을 때에 상기 제 1 및 제 2 전압 프로브에 의해 측정되는 상기 제 1 전압을 취득하고, 상기 제 2 전압 취득부는, 상기 제 1 및 제 2 전류 프로브 사이에 상기 제 1 전류와는 역방향의 제 2 전류를 흐르게 하였을 때에 상기 제 1 및 제 2 전압 프로브에 의해 측정되는 상기 제 2 전압을 취득하고, 상기 제 3 전압 취득부는, 상기 제 1 및 제 2 전류 프로브 사이에 전류를 흐르게 하지 않은 상태에서, 상기 제 1 및 제 2 전압 프로브에 의해 측정되는 상기 제 3 전압을 취득하는 것이 바람직하다.The first probe includes a first current probe for causing a current to flow through the conductor and a first voltage probe for detecting a voltage generated in the conductor by the current, And a second voltage probe for detecting a voltage generated in the conductor by the current, wherein the first voltage acquiring unit includes: a first voltage probe for receiving a current between the first and second current probes Wherein the first voltage obtaining unit obtains the first voltage measured by the first and second voltage probes when the first current flows through the first and second current probes, Acquires the second voltage measured by the first and second voltage probes when the second current flows in a direction opposite to the first voltage, In the first and the non-flowing a current between two current probe state, it is desirable to obtain a third voltage that is measured by the first and second voltage probe.
이 구성에 의하면, 제 1 및 제 2 전류 프로브와, 제 1 및 제 2 전압 프로브를 구비하고, 4 단자 측정법에 의한 저항 측정이 가능한 저항 측정 장치에 있어서, 제 1 및 제 2 전압 프로브에 관한 양부를 용이하게 판정할 수 있다.According to this configuration, in the resistance measuring apparatus including the first and second current probes, the first and second voltage probes, and the resistance measurement by the four-terminal measuring method, Can be easily determined.
또, 상기 판정부는, 상기 전류와 상기 전압을 파라미터로 하는 이차원 평면 상에서, 상기 제 1 전류 및 상기 제 1 전압에 의해 나타내는 제 1 점과, 상기 제 2 전류 및 상기 제 2 전압에 의해 나타내는 제 2 점과, 전류값 제로 및 상기 제 3 전압에 의해 나타내는 제 3 점이 대략 직선 상에 배치되지 않을 때, 상기 제 1 및 제 2 프로브에 관한 불량이 있는 것으로 판정하는 것이 바람직하다.It is preferable that the judging section judges on the two-dimensional plane using the current and the voltage as the first point indicated by the first current and the first voltage and the second point indicated by the second current and the second voltage, It is preferable to determine that there is a defect with respect to the first and second probes when a point, a current value of zero, and a third point indicated by the third voltage are not arranged substantially on a straight line.
이 구성에 의하면, 제 1, 제 2 및 제 3 전압은, 제 1 및 제 2 프로브에 산화막이 형성되어 있지 않으면, 전류와 전압을 파라미터로 하는 이차원 평면 상에서 직선 상에 배치된다. 한편, 제 1 및 제 2 프로브에 산화막이 형성되어 불량 상태가 되면, 산화막의 정류 작용에 의해 제 1, 제 2 및 제 3 점은 직선 상에 배치되지 않게 된다. 그래서, 판정부는, 제 1, 제 2 및 제 3 점이 대략 직선 상에 배치되지 않을 때, 용이하게 제 1 및 제 2 프로브에 관한 불량이 있는 것으로 판정할 수 있다.According to this configuration, the first, second, and third voltages are arranged on a straight line on a two-dimensional plane using the current and the voltage as parameters when the oxide film is not formed on the first and second probes. On the other hand, when the oxide film is formed on the first and second probes and becomes in a defective state, the first, second, and third points are not arranged on a straight line by the rectifying action of the oxide film. Thus, when the first, second, and third points are not arranged substantially in a straight line, the determination unit can easily determine that there is a defect with respect to the first and second probes.
또, 상기 제 1 전류와 상기 제 2 전류는, 전류값의 절대값이 서로 동등한 것이 바람직하다.It is preferable that the first current and the second current have the same absolute value of the current value.
이 구성에 의하면, 판정부에 의한 제 1 및 제 2 프로브에 관한 양부의 판정 처리를 간소화하는 것이 용이해진다.According to this configuration, it is easy to simplify the determination processing of the both sides of the first and second probes by the determination section.
또, 상기 판정부는, 상기 제 1 전압과 상기 제 3 전압의 차이인 제 1 차분값과, 상기 제 2 전압과 상기 제 3 전압의 차이인 제 2 차분값의 차이가 미리 설정된 판정 임계값을 초과하였을 때, 상기 제 1 및 제 2 프로브에 관한 불량이 있는 것으로 판정해도 된다.The determination unit may determine that the difference between the first difference value that is the difference between the first voltage and the third voltage and the second difference value that is the difference between the second voltage and the third voltage exceeds the preset determination threshold value , It may be determined that there is a defect with respect to the first and second probes.
이 구성에 의하면, 제 1 전류와 제 2 전류는, 절대값이 서로 동등하고 방향이 반대인 전류가 된다. 이 경우, 제 1, 제 2 및 제 3 점이 직선 상에 배치되어 있으면, 제 1 차분값과 제 2 차분값은 동등해진다. 따라서, 제 1 차분값과 제 2 차분값의 차이가 미리 설정된 판정 임계값을 초과하여 커졌을 때, 용이하게 제 1 및 제 2 프로브에 관한 불량이 있는 것으로 판정할 수 있다.According to this configuration, the first current and the second current become currents whose absolute values are equal to each other and whose directions are opposite to each other. In this case, if the first, second and third points are arranged on a straight line, the first difference value and the second difference value become equal. Therefore, when the difference between the first difference value and the second difference value becomes larger than a predetermined determination threshold value, it can be easily judged that there is a defect with respect to the first and second probes.
또, 본 발명에 관련된 기판 검사 장치는, 상기 서술한 저항 측정 장치와, 기판에 형성된 배선 패턴을 상기 도체로 하여 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 측정된 전압에 기초하여, 상기 기판의 검사를 실시하는 기판 검사부를 구비한다.The substrate inspecting apparatus according to the present invention is characterized in that the resistance measuring apparatus described above and a wiring pattern formed on the substrate are used as conductors to inspect the substrate on the basis of the voltages measured by the first and second probes And a substrate inspecting unit for performing the inspection.
이 구성에 의하면, 기판 검사에 사용하는 프로브의 양부를 용이하게 판정할 수 있다.According to this configuration, it is possible to easily determine whether or not the probe used in the substrate inspection is correct.
이와 같은 구성의 저항 측정 장치, 기판 검사 장치, 및 검사 방법은, 프로브의 양부를 용이하게 판정할 수 있다.The resistance measuring apparatus, the substrate inspecting apparatus, and the inspecting method having such a configuration can easily judge the probes.
도 1 은, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 저항 측정 장치를 구비한 기판 검사 장치의 구성의 일례를 나타내는 블록도.
도 2 는, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 검사 방법을 사용한 기판 검사 장치의 동작의 일례를 나타내는 플로우 차트.
도 3 은, 전압 프로브에 발생하는 산화막을 설명하기 위한 등가 회로도.
도 4 는, 검사 방법을 설명하기 위한 타이밍 차트. (a) 는 전압 프로브 (P) 가 양품 (산화막이 형성되어 있지 않다) 인 경우를 나타내고, (b) 는 전압 프로브가 불량 (산화막이 형성되어 있다) 인 경우를 나타내고 있다.
도 5 는, 판정부에 의한 판정 방법을 설명하기 위한 설명도. (a) 는 전압 프로브 (P) 가 양품 (산화막이 형성되어 있지 않다) 인 경우를 나타내고, (b) 는 전압 프로브가 불량 (산화막이 형성되어 있다) 인 경우를 나타내고 있다.
도 6 은, 기판 검사 장치의 다른 예를 나타내는 블록도.BRIEF DESCRIPTION OF DRAWINGS FIG. 1 is a block diagram showing an example of the configuration of a substrate inspection apparatus provided with a resistance measurement apparatus according to an embodiment of the present invention; FIG.
2 is a flowchart showing an example of the operation of the substrate inspection apparatus using the inspection method according to one embodiment of the present invention.
3 is an equivalent circuit diagram for explaining an oxide film generated in a voltage probe.
4 is a timing chart for explaining an inspection method; (a) shows a case where the voltage probe P is good (no oxide film is formed), and (b) shows a case where the voltage probe is defective (an oxide film is formed).
5 is an explanatory diagram for explaining a determination method by a determination unit; (a) shows a case where the voltage probe P is good (no oxide film is formed), and (b) shows a case where the voltage probe is defective (an oxide film is formed).
6 is a block diagram showing another example of the substrate inspection apparatus.
이하, 본 발명에 관련된 실시형태를 도면에 기초하여 설명한다. 또한, 각 도면에 있어서 동일한 부호를 부여한 구성은 동일한 구성인 것을 나타내고, 그 설명을 생략한다. 도 1 은, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 저항 측정 장치를 구비한 기판 검사 장치의 구성의 일례를 나타내는 블록도이다.Best Mode for Carrying Out the Invention Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings, the same reference numerals denote the same components, and a description thereof will be omitted. 1 is a block diagram showing an example of the configuration of a substrate inspection apparatus provided with a resistance measurement apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 1 에 나타내는 기판 검사 장치 (1) 는, 정전류원 (2), 전류계 (3), 전압계 (4), 전류 프로브 (Pc1 (제 1 전류 프로브)), 전류 프로브 (Pc2 (제 2 전류 프로브)), 전압 프로브 (Pv1 (제 1 전압 프로브)), 전압 프로브 (Pv2 (제 2 전압 프로브)), 스위치 (A1, A2, B1, B2, C1, C2) 및 제어부 (5) 를 구비하고 있다. 기판 검사 장치 (1) 는, 4 단자 측정법에 의해 저항 측정을 실시하도록 되어 있다.The
전류 프로브 (Pc1) 는, 프로브 침 (11), 접속 전극 (12) 및 케이블 (13) 을 구비하고 있다. 전류 프로브 (Pc2) 는, 프로브 침 (21), 접속 전극 (22) 및 케이블 (23) 을 구비하고 있다. 전압 프로브 (Pv1) 는, 프로브 침 (31), 접속 전극 (32) 및 케이블 (33) 을 구비하고 있다. 전압 프로브 (Pv2) 는, 프로브 침 (41), 접속 전극 (42) 및 케이블 (43) 을 구비하고 있다. 전류 프로브 (Pc1, Pc2) 및 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 는, 예를 들어 기판 검사 장치 (1) 나 저항 측정 장치에 대해 탈착 가능한 검사용 지그로서 구성되어 있다.The current probe Pc1 includes a
프로브 침 (11, 21, 31, 41) 은, 예를 들어 직경이 100 ㎛ ∼ 200 ㎛ 정도인 탄성 (가요성) 을 갖는 와이어상의 접촉자이다. 프로브 침 (11, 21, 31, 41) 은, 예를 들어 텅스텐, 하이스 강 (SKH), 베릴륨구리 (Be-Cu) 등의 금속과 그 밖의 도전체로 형성되어 있다.The
프로브 침 (11, 31) 의 선단부는, 도체 패턴 (M) 의 일방 단부 (M1) 에 접촉된다. 프로브 침 (21, 41) 의 선단부는, 도체 패턴 (M) 의 타방 단부 (M2) 에 접촉된다. 도 1 에 있어서는, 도체 패턴 (M) 을 개념적으로 기재하고 있다. 도체 패턴 (M) 은, 검사 대상이 되는 기판의 배선 패턴이어도 되고, 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 를 검사하기 위한 검사용 도체여도 된다.The tip ends of the
접속 전극 (12, 22, 32, 42) 은, 프로브 침 (11, 21, 31, 41) 을 케이블 (13, 23, 33, 43) 에 접속시키기 위한 전극이다. 프로브 침 (11, 21, 31, 41) 의 후단부는, 접속 전극 (12, 22, 32, 42) 에 맞닿아 접속 전극 (12, 22, 32, 42) 과 접촉하도록 되어 있다.The connecting
스위치 (A1, A2, B1, B2, C1, C2) 는, 예를 들어 트랜지스터 등의 반도체 스위치나, 릴레이 스위치 등, 여러 가지 스위칭 소자이다. 스위치 (A1, A2, B1, B2) 는, 전류 프로브 (Pc1, Pc2) 를 통하여 도체 패턴 (M) 에 흐르게 하는 전류의 방향을 전환하기 위한 전환 스위치이다. 스위치 (C1, C2) 는, 프로브 침 (31, 41) 의 전압계 (4) 에 대한 접속의 유무를 전환한다. 스위치 (A1, A2, B1, B2, C1, C2) 는, 제어부 (5) 로부터의 제어 신호에 따라 온, 오프가 된다.The switches A1, A2, B1, B2, C1, and C2 are various switching elements such as a semiconductor switch such as a transistor or a relay switch. The switches A1, A2, B1 and B2 are changeover switches for switching the direction of the current flowing in the conductor pattern M through the current probes Pc1 and Pc2. The switches C1 and C2 switch the presence or absence of connection of the
정전류원 (2) 은, 도체 패턴 (M) 에 일정한 전류를 흐르게 하는 정전류 회로이다. 전류계 (3) 는, 정전류원 (2) 으로부터 도체 패턴 (M) 에 공급되는 전류값을 측정한다. 정전류원 (2) 은, 예를 들어 전류계 (3) 에 의해 측정되는 전류값이 미리 설정된 측정용 전류값 (Is) 이 되도록 출력 전류를 조절함으로써, 일정한 측정용 전류값 (Is) 의 측정용 전류를 출력한다. 측정용 전류값 (Is) 은, 예를 들어 20 ㎃ 로 되어 있다.The constant
프로브 침 (11) 은, 접속 전극 (12), 케이블 (13) 및 스위치 (A1) 를 통하여 정전류원 (2) 의 일방의 출력 단자에 접속됨과 함께, 접속 전극 (12), 케이블 (13), 스위치 (B1) 및 전류계 (3) 를 통하여 정전류원 (2) 의 타방의 출력 단자에 접속되어 있다. 프로브 침 (21) 은, 접속 전극 (22), 케이블 (23) 및 스위치 (B2) 를 통하여 정전류원 (2) 의 일방의 출력 단자에 접속됨과 함께, 접속 전극 (22), 케이블 (23), 스위치 (A2) 및 전류계 (3) 를 통하여 정전류원 (2) 의 타방의 출력 단자에 접속되어 있다.The
프로브 침 (31) 은, 접속 전극 (32), 케이블 (33) 및 스위치 (C1) 를 통하여 전압계 (4) 의 일방의 입력 단자에 접속되어 있다. 프로브 침 (41) 은, 접속 전극 (42), 케이블 (43) 및 스위치 (C2) 를 통하여 전압계 (4) 의 타방의 입력 단자에 접속되어 있다.The
전압계 (4) 는, 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 에 의해 검출된 전압을 측정하고, 그 측정값을 제어부 (5) 에 출력한다.The
제어부 (5) 는, 예를 들어, 소정의 연산 처리를 실행하는 CPU (Central Processing Unit), 데이터를 일시적으로 기억하는 RAM (Random Access Memory), 소정의 제어 프로그램을 기억하는 ROM (Read Only Memory) 이나 HDD (Hard Disk Drive) 등의 기억부, 및 이들의 주변 회로 등으로 구성되어 있다. 그리고, 제어부 (5) 는, 예를 들어 기억부에 기억된 제어 프로그램을 실행함으로써, 제 1 전압 취득부 (51), 제 2 전압 취득부 (52), 제 3 전압 취득부 (53), 판정부 (54), 저항 산출부 (55) 및 기판 검사부 (56) 로서 기능한다.The
제 1 전압 취득부 (51) 는, 도체 패턴 (M) 에 전류 프로브 (Pc1) 로부터 전류 프로브 (Pc2) 로 향하는 방향의 제 1 전류 (Ip) 를 흐르게 하였을 때에 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 에 의해 측정되는 제 1 전압 (Vp) 을 취득한다. 제 1 전류 (Ip) 는, 예를 들어 20 ㎃ 로 할 수 있다.The first
제 2 전압 취득부 (52) 는, 도체 패턴 (M) 에 제 1 전류 (Ip) 와는 역방향의 전류 프로브 (Pc2) 로부터 전류 프로브 (Pc1) 로 향하는 방향으로, 제 2 전류 (Im) 를 흐르게 하였을 때에 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 에 의해 측정되는 제 2 전압 (Vm) 를 취득한다. 제 2 전류 (Im) 는, 예를 들어 제 1 전류 (Ip) 와 절대값이 동등하고, 극성이 반대인 -20 ㎃ 로 할 수 있다.The second
제 3 전압 취득부 (53) 는, 전류 프로브 (Pc1, Pc2) 사이에 전류를 흐르게 하지 않는 상태에서, 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 에 의해 측정되는 제 3 전압 (Vo) 을 취득한다.The third
판정부 (54) 는, 제 1 전압 (Vp) 과 제 3 전압 (Vo) 의 차이의 절대값인 제 1 차분값 (Vd1) 과, 제 2 전압 (Vm) 과 제 3 전압 (Vo) 의 차이의 절대값인 제 2 차분값 (Vd2) 의 차이인 차분값 (Vd (= Vd1 - Vd2)) 이 미리 설정된 판정 임계값 (Vth) 을 초과하였을 때, 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 에 관한 불량이 있는 것으로 판정한다.The determining
또한, 판정부 (54) 는, 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 를 포함하는 검사 지그의 클리닝의 필요 여부를 판정해도 된다.The judging
저항 산출부 (55) 는, 도체 패턴 (M) 의 저항값 (Rx) 을 제 1 전압 (Vp), 제 2 전압 (Vm), 제 1 전류 (Ip) 및 제 2 전압 (Vm) 에 기초하여 산출한다. 구체적으로는, 제 1 전류 (Ip) 와 제 2 전류 (Im) 의 절대값이 동등할 때, 그 전류값을 Ia 로 하면, 저항 산출부 (55) 는, 하기의 식 (1) 에 기초하여 저항값 (Rx) 을 산출할 수 있다.The
Rx = (Vp - Vm)/(Ia × 2) = (Vp - Vm)/(20 ㎃ × 2)…(1)Rx = (Vp - Vm) / (Ia x 2) = (Vp - Vm) / (20 mA x 2) (One)
또, 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 의 내부 저항 (Ri) 을 미리 정밀하게 측정해 두어, 저항 산출부 (55) 는 내부 저항 (Ri) 에 기초하여 저항값 (Rx) 을 보정하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 저항 산출부 (55) 는, 하기의 식 (2) 에 기초하여 저항값 (Rx) 을 산출해도 된다. 식 (2) 에 의하면, 저항값 (Rx) 의 산출 정밀도를 향상시킬 수 있다.It is preferable that the internal resistance Ri of the voltage probes Pv1 and Pv2 is precisely measured in advance and the
Rx = {(Vp - Vm)/(Ia × 2)} - Ri…(2)Rx = {(Vp - Vm) / (Ia x 2)} - Ri ... (2)
기판 검사부 (56) 는, 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 에 의해 측정된 제 1 전압 (Vp), 제 2 전압 (Vm) 에 기초하여 저항 산출부 (55) 가 산출한 저항값 (Rx) 에 기초하여, 도체 패턴 (M) 이 형성된 기판의 검사를 실시한다. 구체적으로는, 기판 검사부 (56) 는, 예를 들어, 저항값 (Rx) 과 미리 기억부에 기억된 기준값을 비교하여, 저항값 (Rx) 이 기준값을 초과하였을 때, 그 기판을 불량인 것으로 판정한다.The
다음으로, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 검사 방법 또는 검사용 지그의 메인터넌스 방법을 실행하는 기판 검사 장치 (1) 의 동작에 대해 설명한다. 도 2 는, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 검사 방법을 사용한 기판 검사 장치 (1) 의 동작의 일례를 나타내는 플로우 차트이다. 도 3 은, 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 에 발생하는 산화막을 설명하기 위한 등가 회로이다. 도 3 에 나타내는 등가 회로는, 예를 들어 프로브 침 (31) 의 프로브 후단부 (X1) 와 접속 전극 (32) 의 전극 표면 (X2) 의 접촉부에 산화막이 형성된 경우의 그 접촉 부분을 개념적으로 나타낸 등가 회로이다.Next, the operation of the
도 3 에 나타내는 바와 같이, 프로브 후단부 (X1) 와 전극 표면 (X2) 의 접촉부에 산화막이 형성되는 불량이 발생하면, 통상적인 접촉 저항 (Rc) 과, 제벡 효과에 의한 열기전력을 일으키는 전원 (Vc) 과 저항 (Rvc) 의 직렬 회로와, 산화막의 정류 작용에 의해 발생하는 다이오드 (Dc) 와 저항 (Rdc) 의 직렬 회로가 병렬로 접속된 등가 회로가 형성된다.As shown in Fig. 3, when an oxide film is formed at the contact portion between the rear end portion X1 and the electrode surface X2, the contact resistance Rc and the power source Vc) and the resistor Rvc and the series circuit of the diode Dc and the resistor Rdc generated by the rectification action of the oxide film are connected in parallel.
이와 같이, 산화막이 형성됨으로써 발생한 정류 작용은, 상기 서술한 식 (1), 식 (2) 에 의해서도 상쇄할 수 없기 때문에, 저항값 (Rx) 의 측정 정밀도가 저하된다. 또, 산화막은, 사후적으로 시간의 경과에 수반하여 형성되기 때문에, 산화막에 의해 발생한 저항 성분은, 미리 측정된 내부 저항 (Ri) 에는 포함되어 있지 않다. 따라서, 저항 산출부 (55) 는, 식 (2) 에 의해서도 산화막의 영향을 배제할 수 없다.As described above, the rectifying action caused by the formation of the oxide film can not be canceled by the above-described equations (1) and (2), and therefore the measurement accuracy of the resistance value Rx is lowered. Further, since the oxide film is formed with the elapse of time afterwards, the resistance component generated by the oxide film is not included in the internal resistance Ri measured in advance. Therefore, the
그래서, 기판 검사 장치 (1) 는, 이하의 검사 방법에 의해 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 에 산화막이 형성되는 불량이 발생하고 있는지의 여부를 검사한다. 이로써, 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 에 산화막이 형성되어 있는 것을 알면, 클리닝에 의해 산화막을 제거하는 것이 가능해진다.Thus, the
도 4 는, 이 검사 방법 및 검사용 지그의 메인터넌스 방법을 설명하기 위한 타이밍 차트이다. (a) 는 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 가 양품 (산화막이 형성되어 있지 않다) 인 경우를 나타내고, (b) 는 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 가 불량 (산화막이 형성되어 있다) 인 경우를 나타내고 있다. 실선은 프로브 침 (31) 의 전위를 나타내고, 점선은 프로브 침 (41) 의 전위를 나타내고 있다. 이하, 도 4 를 참조하면서 도 2 에 나타내는 플로우 차트에 대해 설명한다.Fig. 4 is a timing chart for explaining the inspection method and the maintenance method of the inspection jig. (a) shows a case where the voltage probes Pv1 and Pv2 are good (no oxide film is formed), (b) shows a case where the voltage probes Pv1 and Pv2 are defective (an oxide film is formed) have. The solid line indicates the potential of the
먼저, 전류 프로브 (Pc1) 와 전압 프로브 (Pv1) 가 도체 패턴 (M) 의 일방 단부 (M1) 에 접촉되고, 전류 프로브 (Pc2) 와 전압 프로브 (Pv2) 가 도체 패턴 (M) 의 타방 단부 (M2) 에 접촉되어 있다.The current probe Pc1 and the voltage probe Pv1 are brought into contact with the one end portion M1 of the conductor pattern M and the current probe Pc2 and the voltage probe Pv2 are brought into contact with the other end of the conductor pattern M M2.
그리고, 제 3 전압 취득부 (53) 는, 스위치 (A1, A2, B1, B2) 를 오프로 하여 정전류원 (2) 을 전류 프로브 (Pc1, Pc2) 로부터 떼어내고, 도체 패턴 (M) 에 전류가 흐르지 않도록 한다. 또한, 제 3 전압 취득부 (53) 는, 스위치 (C1, C2) 를 온으로 하여 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 를 전압계 (4) 에 접속시키고, 전압계 (4) 에 의해 제 3 전압 (Vo) 을 측정하게 한다 (스텝 S1 : 타이밍 T1). 이 때, 제 3 전압 (Vo) 으로서 제벡 효과에 의한 기전력이 측정되게 된다.The third
다음으로, 제 1 전압 취득부 (51) 는, 스위치 (A1, A2) 를 온, 스위치 (B1, B2) 를 오프로 하여 정전류원 (2) 을 전류 프로브 (Pc1, Pc2) 에 접속시키고, 정전류원 (2) 으로부터 전류 프로브 (Pc1, Pc2) 를 통하여 도체 패턴 (M) 에 제 1 전류 (Ip) 를 흐르게 한다 (타이밍 T2). 그리고, 제 1 전압 취득부 (51) 는, 스위치 (C1, C2) 를 온으로 하여 전압계 (4) 에 의해 제 1 전압 (Vp) 을 측정하게 한다 (스텝 S2 : 타이밍 T3).Next, the first
다음으로, 제 2 전압 취득부 (52) 는, 스위치 (A1, A2) 를 오프, 스위치 (B1, B2) 를 온으로 하여 정전류원 (2) 를 역방향으로 전류 프로브 (Pc1, Pc2) 에 접속시키고, 정전류원 (2) 으로부터 전류 프로브 (Pc1, Pc2) 를 통하여 도체 패턴 (M) 에 제 1 전류 (Ip) 와는 역방향의 제 2 전류 (Im) 를 흐르게 한다 (타이밍 T4). 그리고, 제 2 전압 취득부 (52) 는, 스위치 (C1, C2) 를 온으로 하여 전압계 (4) 에 의해 제 2 전압 (Vm) 을 측정하게 한다 (스텝 S3 : 타이밍 T5).Next, the second
다음으로, 판정부 (54) 는, 하기의 식 (3), (4), (5) 에 기초하여 차분값 (Vd) 을 산출한다 (스텝 S4).Next, the determining
Vd1 = Vp - Vo …(3)Vd1 = Vp - Vo ... (3)
Vd2 = Vo - Vm …(4)Vd2 = Vo - Vm ... (4)
Vd =|Vd1 - Vd2| …(5)Vd = | Vd1 - Vd2 | ... (5)
도 5 는, 판정부 (54) 에 의한 판정 방법을 설명하기 위한 설명도이다. (a) 는 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 가 양품 (산화막이 형성되어 있지 않다) 인 경우를 나타내고, (b) 는 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 가 불량 (산화막이 형성되어 있다) 인 경우를 나타내고 있다. 도 5 에서는, 전류 (I) 를 가로축, 전압 (V) 을 세로축으로 하는 이차원 평면 상에, 제 1 전류 (Ip) 및 제 1 전압 (Vp) 에 의해 나타내는 제 1 점 (P1) 과, 제 2 전류 (Im) 및 제 2 전압 (Vm) 에 의해 나타내는 제 2 점 (P2) 과, 전류값 제로 및 제 3 전압 (Vo) 에 의해 나타내는 제 3 점 (P3) 이 플롯되어 있다.5 is an explanatory diagram for explaining the determination method by the
전압 프로브 (Pv1, Pv2) 가 양품 (산화막이 형성되어 있지 않다) 일 때에는, 도 5(a) 에 나타내는 바와 같이, 제 1 점 (P1), 제 2 점 (P2) 및 제 3 점 (P3) 이 대략 직선 (L) 상에 배치된다. 한편, 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 가 불량 (산화막이 형성되어 있다) 일 때에는, 도 5(b) 에 나타내는 바와 같이, 제 1 점 (P1), 제 2 점 (P2) 및 제 3 점 (P3) 이 직선 상에 배치되지 않는다.When the voltage probes Pv1 and Pv2 are good (no oxide film is formed), the first point P1, the second point P2 and the third point P3, as shown in Fig. 5 (a) Is arranged on the approximate straight line L. On the other hand, when the voltage probes Pv1 and Pv2 are defective (an oxide film is formed), as shown in Fig. 5 (b), the first point P1, the second point P2 and the third point P3 ) Are not arranged on a straight line.
따라서, 판정부 (54) 는, 제 1 점 (P1), 제 2 점 (P2) 및 제 3 점 (P3) 이 대략 직선 상에 배치되는지의 여부를 확인하여, 제 1 점 (P1), 제 2 점 (P2) 및 제 3 점 (P3) 이 직선 상에 배치되지 않는 경우에 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 가, 산화막이 형성된 불량 상태인 것으로 판정할 수 있다.Therefore, the judging
여기서, 제 1 전류 (Ip) 와 제 2 전류 (Im) 의 절대값이 서로 동등한 값인 경우, 제 1 점 (P1), 제 2 점 (P2) 및 제 3 점 (P3) 이 직선 상에 배치되면, 도 5(a) 에 나타내는 바와 같이, 제 1 차분값 (Vd1) 과 제 2 차분값 (Vd2) 이 동등해진다. 제 1 차분값 (Vd1) 과 제 2 차분값 (Vd2) 이 동등하면, 식 (5) 로부터 차분값 (Vd) 은 제로가 된다.Here, when the absolute values of the first current Ip and the second current Im are equal to each other, when the first point P1, the second point P2, and the third point P3 are arranged on a straight line , The first difference value Vd1 and the second difference value Vd2 become equal as shown in Fig. 5 (a). If the first difference value Vd1 and the second difference value Vd2 are equal to each other, the differential value Vd becomes zero from the equation (5).
그래서, 판정부 (54) 는, 차분값 (Vd) 과 미리 설정된 판정 임계값 (Vth) 을 비교하여 (스텝 S5), 차분값 (Vd) 이 판정 임계값 (Vth) 에 이르지 못하면 (스텝 S5 에서 예), 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 는 양품인 것으로 판정하고 (스텝 S6), 차분값 (Vd) 이 판정 임계값 (Vth) 이상이면 (스텝 S5 에서 아니오), 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 는 불량인 것으로 판정한다 (스텝 S7). 판정 임계값 (Vth) 은, 전압계 (4) 에 의한 전압 측정 정밀도나 정전류원 (2) 에 의한 출력 전류 정밀도를 고려하여 적절히 설정된다.If the difference value Vd does not reach the determination threshold value Vth (step S5), the
또한, 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 가 불량인 것으로 판정된 경우, 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 를 클리닝하여 산화막을 제거할 필요가 있는 것으로 생각된다. 그래서, 판정부 (54) 는, 차분값 (Vd) 과 미리 설정된 판정 임계값 (Vth) 을 비교하여 (스텝 S5), 차분값 (Vd) 이 판정 임계값 (Vth) 에 이르지 못하면 (스텝 S5 에서 예), 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 를 포함하는 검사 지그를 클리닝할 필요는 없는 것으로 판정하고 (스텝 S6), 차분값 (Vd) 이 판정 임계값 (Vth) 이상이면 (스텝 S5 에서 아니오), 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 를 클리닝할 필요가 있는 것으로 판정해도 된다.Further, when it is judged that the voltage probes Pv1 and Pv2 are defective, it is considered that it is necessary to clean the voltage probes Pv1 and Pv2 to remove the oxide film. If the difference value Vd does not reach the determination threshold value Vth (step S5), the
그리고, 판정부 (54) 는, 그 판정 결과를 도시 생략한 표시 장치에 표시함으로써, 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 가 불량인 것으로 판정된 경우, 혹은 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 를 클리닝할 필요가 있는 것으로 판정된 경우, 사용자는 그 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 를 클리닝하여 산화막을 제거할 수 있으므로, 산화막에 의한 저항 측정 정밀도의 저하나 기판 검사 정밀도의 저하를 해소하는 것이 가능해진다.The
또한, 제 1 전류 (Ip) 와 제 2 전류 (Im) 의 절대값은 서로 동등한 값이 아니어도 되며, 판정부 (54) 는, 제 1 점 (P1), 제 2 점 (P2) 및 제 3 점 (P3) 이 대략 직선 상에 배치되는지의 여부에 기초하여, 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 가, 산화막이 형성된 불량 상태인지의 여부를 판정하는 구성으로 해도 된다.The absolute value of the first current Ip and the absolute value of the second current Im may not be equal to each other and the judging
또한, 제 1 프로브로서 전류 프로브 (Pc1) 와 전압 프로브 (Pv1) 를 구비하고, 제 2 프로브로서 전류 프로브 (Pc2) 와 전압 프로브 (Pv2) 를 구비한 4 단자 측정법에 의한 저항 측정 장치의 예를 나타냈지만, 예를 들어 도 6 에 나타내는 바와 같이, 전류 프로브 (Pc1) 와 전압 프로브 (Pv1) 대신에 전류 공급과 전압 측정에 공용되는 제 1 프로브 (Pr1) 를 구비하고, 전류 프로브 (Pc2) 와 전압 프로브 (Pv2) 대신에 전류 공급과 전압 측정에 공용되는 제 2 프로브 (Pr2) 를 구비하는 구성으로 해도 된다.An example of a resistance measuring device using a four-terminal measuring method having a current probe Pc1 and a voltage probe Pv1 as a first probe and a current probe Pc2 and a voltage probe Pv2 as a second probe is shown in FIG. 6, a first probe Pr1 commonly used for current supply and voltage measurement is provided instead of the current probe Pc1 and the voltage probe Pv1, and the current probe Pc2 and the current probe Pc2 Instead of the voltage probe Pv2, the second probe Pr2 commonly used for current supply and voltage measurement may be provided.
또, 기판 검사 장치 (1, 1a) 는, 기판 검사부 (56) 를 구비하지 않고, 예를 들어 테스터 등의 저항 측정 장치로서 구성되어 있어도 된다. 또, 반드시 기판 검사 장치 (1, 1a) 나 저항 측정 장치에 제 1 전압 취득부 (51), 제 2 전압 취득부 (52), 제 3 전압 취득부 (53) 및 판정부 (54) 가 내장되는 예에 한정되지 않는다. 예를 들어, 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 나 이들 프로브를 유지하는 검사 지그를 장치 본체로부터 떼어낼 수 있게 구성하여, 장치 본체로부터 떼어낸 프로브나 검사 지그를 상기 서술한 검사 방법에 의해 검사하도록 해도 된다.The
1, 1a : 기판 검사 장치 (저항 측정 장치)
2 : 정전류원
3 : 전류계
4 : 전압계
5 : 제어부
11, 21, 31, 41 : 프로브 침
12, 22, 32, 42 : 접속 전극
13, 23, 33, 43 : 케이블
51 : 제 1 전압 취득부
52 : 제 2 전압 취득부
53 : 제 3 전압 취득부
54 : 판정부
55 : 저항 산출부
56 : 기판 검사부
A1, A2, B1, B2, C1, C2 : 스위치
Im : 제 2 전류
Ip : 제 1 전류
M : 도체 패턴 (도체)
M1 : 일방 단부
M2 : 타방 단부
P1 : 제 1 점
P2 : 제 2 점
P3 : 제 3 점
Pc1 : 전류 프로브 (제 1 전류 프로브)
Pc2 : 전류 프로브 (제 2 전류 프로브)
Pr1 : 제 1 프로브
Pr2 : 제 2 프로브
Pv1 : 전압 프로브 (제 1 전압 프로브)
Pv2 : 전압 프로브 (제 2 전압 프로브)
Rx : 저항값
Vd : 차분값
Vd1 : 제 1 차분값
Vd2 : 제 2 차분값
Vm : 제 2 전압
Vo : 제 3 전압
Vp : 제 1 전압
Vth : 판정 임계값1, 1a: substrate inspection device (resistance measurement device)
2: constant current source
3: Amperemeter
4: Voltmeter
5:
11, 21, 31, 41: probe needle
12, 22, 32, 42: connecting electrodes
13, 23, 33, 43: Cable
51: first voltage obtaining section
52: second voltage obtaining section
53: Third voltage acquisition unit
54:
55:
56: Substrate inspector
A1, A2, B1, B2, C1, C2: switches
Im: second current
Ip: first current
M: Conductor pattern (conductor)
M1: one end
M2: the other end
P1: 1st point
P2: second point
P3: Third point
Pc1: current probe (first current probe)
Pc2: Current probe (second current probe)
Pr1: First probe
Pr2: second probe
Pv1: Voltage probe (first voltage probe)
Pv2: Voltage probe (second voltage probe)
Rx: resistance value
Vd: difference value
Vd1: first differential value
Vd2: second difference value
Vm: second voltage
Vo: third voltage
Vp: first voltage
Vth: Judgment threshold value
Claims (8)
상기 도체에 접촉시키기 위한 제 1 및 제 2 프로브와,
상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 상기 도체에 소정의 제 1 전류를 흐르게 하였을 때에 상기 도체에 발생하는 제 1 전압을 취득하는 제 1 전압 취득부와,
상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 상기 도체에 상기 제 1 전류와는 역방향의 제 2 전류를 흐르게 하였을 때에 상기 도체에 발생하는 제 2 전압을 취득하는 제 2 전압 취득부와,
상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 상기 도체에 전류를 흐르게 하지 않는 상태에서, 상기 도체에 발생하는 제 3 전압을 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 취득하는 제 3 전압 취득부와,
상기 제 1, 제 2 및 제 3 전압에 기초하여 상기 제 1 및 제 2 프로브에 관한 양부를 판정하는 판정부를 구비하는, 저항 측정 장치.A resistance measuring apparatus for measuring a resistance value of a conductor,
First and second probes for contacting the conductor,
A first voltage acquiring unit that acquires a first voltage generated in the conductor when a predetermined first current flows through the conductor by the first and second probes,
A second voltage acquisition unit that acquires a second voltage generated in the conductor when the second current flows in the direction opposite to the first current to the conductor by the first and second probes,
A third voltage acquisition unit that acquires a third voltage generated in the conductor by the first and second probes in a state in which the current is not caused to flow through the conductor by the first and second probes,
And a judging section for judging both the first and second probes based on the first, second and third voltages.
상기 제 1 프로브는,
상기 도체에 전류를 흐르게 하기 위한 제 1 전류 프로브와,
상기 전류에 의해 상기 도체에 발생한 전압을 검출하기 위한 제 1 전압 프로브를 포함하고,
상기 제 2 프로브는,
상기 도체에 전류를 흐르게 하기 위한 제 2 전류 프로브와,
상기 전류에 의해 상기 도체에 발생한 전압을 검출하기 위한 제 2 전압 프로브를 포함하고,
상기 제 1 전압 취득부는, 상기 제 1 및 제 2 전류 프로브 사이에 상기 제 1 전류를 흐르게 하였을 때에 상기 제 1 및 제 2 전압 프로브에 의해 측정되는 상기 제 1 전압을 취득하고,
상기 제 2 전압 취득부는, 상기 제 1 및 제 2 전류 프로브 사이에 상기 제 1 전류와는 역방향의 제 2 전류를 흐르게 하였을 때에 상기 제 1 및 제 2 전압 프로브에 의해 측정되는 상기 제 2 전압을 취득하고,
상기 제 3 전압 취득부는, 상기 제 1 및 제 2 전류 프로브 사이에 전류를 흐르게 하지 않은 상태에서, 상기 제 1 및 제 2 전압 프로브에 의해 측정되는 상기 제 3 전압을 취득하는, 저항 측정 장치.The method according to claim 1,
Wherein the first probe comprises:
A first current probe for flowing a current to the conductor,
And a first voltage probe for detecting a voltage generated in the conductor by the current,
Wherein the second probe comprises:
A second current probe for passing a current through the conductor,
And a second voltage probe for detecting a voltage generated in the conductor by the current,
Wherein the first voltage acquisition unit acquires the first voltage measured by the first and second voltage probes when the first current flows between the first and second current probes,
Wherein the second voltage acquisition unit acquires the second voltage measured by the first and second voltage probes when the second current flows in a direction opposite to the first current between the first and second current probes and,
And the third voltage acquisition section acquires the third voltage measured by the first and second voltage probes in a state in which no current flows between the first and second current probes.
상기 판정부는, 상기 전류와 상기 전압을 파라미터로 하는 이차원 평면상에서, 상기 제 1 전류 및 상기 제 1 전압에 의해 나타내는 제 1 점과, 상기 제 2 전류 및 상기 제 2 전압에 의해 나타내는 제 2 점과, 전류값 제로 및 상기 제 3 전압에 의해 나타내는 제 3 점이 대략 직선 상에 배치되지 않을 때, 상기 제 1 및 제 2 프로브에 관한 불량이 있는 것으로 판정하는, 저항 측정 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the determination unit determines a first point indicated by the first current and the first voltage and a second point indicated by the second current and the second voltage on a two- , A current value of zero, and a third point indicated by the third voltage are not arranged substantially on a straight line, it is determined that there is a defect with respect to the first and second probes.
상기 제 1 전류와 상기 제 2 전류는, 전류값의 절대값이 서로 동등한, 저항 측정 장치.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the first current and the second current have the same absolute value of the current value.
상기 판정부는, 상기 제 1 전압과 상기 제 3 전압의 차이인 제 1 차분값과, 상기 제 2 전압과 상기 제 3 전압의 차이인 제 2 차분값의 차이가 미리 설정된 판정 임계값을 초과하였을 때, 상기 제 1 및 제 2 프로브에 관한 불량이 있는 것으로 판정하는, 저항 측정 장치.5. The method of claim 4,
Wherein the determination unit determines whether or not the difference between the first difference value that is the difference between the first voltage and the third voltage and the second difference value that is the difference between the second voltage and the third voltage exceeds a preset determination threshold value And judges that there is a defect with respect to the first and second probes.
기판에 형성된 배선 패턴을 상기 도체로 하여 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 측정된 전압에 기초하여, 상기 기판의 검사를 실시하는 기판 검사부를 구비한, 기판 검사 장치.A resistance measuring apparatus according to any one of claims 1 to 5,
And a board inspecting section that inspects the board based on a voltage measured by the first and second probes using the wiring pattern formed on the board as the conductor.
상기 도체에 상기 제 1 및 제 2 프로브를 접촉시키고, 상기 도체에 소정의 제 1 전류를 흐르게 하였을 때에 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 측정되는 제 1 전압을 취득하는 제 1 전압 취득 공정과,
상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 상기 도체에 상기 제 1 전류와는 역방향의 제 2 전류를 흐르게 하였을 때에 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 측정되는 제 2 전압을 취득하는 제 2 전압 취득 공정과,
상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 상기 도체에 전류를 흐르게 하지 않은 상태에서, 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 측정되는 제 3 전압을 취득하는 제 3 전압 취득 공정과,
상기 제 1, 제 2 및 제 3 전압에 기초하여 상기 제 1 및 제 2 전압 프로브에 관한 양부를 판정하는 판정 공정을 포함하는, 검사 방법.An inspection method for inspecting defects with respect to first and second probes to be brought into contact with conductors,
A first voltage acquiring step of bringing the first and second probes into contact with the conductor and acquiring a first voltage measured by the first and second probes when a predetermined first current flows through the conductor,
A second voltage acquisition step of acquiring a second voltage measured by the first and second probes when the second current flows in the direction opposite to the first current to the conductor by the first and second probes; ,
A third voltage acquisition step of acquiring a third voltage measured by the first and second probes in a state in which current is not caused to flow through the conductor by the first and second probes,
And a determination step of determining a part concerning the first and second voltage probes based on the first, second, and third voltages.
상기 도체에 상기 제 1 및 제 2 프로브를 접촉시키고, 상기 도체에 소정의 제 1 전류를 흐르게 하였을 때에 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 측정되는 제 1 전압을 취득하는 제 1 전압 취득 공정과,
상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 상기 도체에 상기 제 1 전류와는 역방향의 제 2 전류를 흐르게 하였을 때에 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 측정되는 제 2 전압을 취득하는 제 2 전압 취득 공정과,
상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 상기 도체에 전류를 흐르게 하지 않은 상태에서, 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 측정되는 제 3 전압을 취득하는 제 3 전압 취득 공정과,
상기 제 1, 제 2 및 제 3 전압에 기초하여 상기 검사용 지그의 클리닝의 필요 여부를 판정하는 판정 공정을 포함하는, 검사용 지그의 메인터넌스 방법.1. A maintenance method for a testing jig including first and second probes for contacting a conductor,
A first voltage acquiring step of bringing the first and second probes into contact with the conductor and acquiring a first voltage measured by the first and second probes when a predetermined first current flows through the conductor,
A second voltage acquisition step of acquiring a second voltage measured by the first and second probes when the second current flows in the direction opposite to the first current to the conductor by the first and second probes; ,
A third voltage acquisition step of acquiring a third voltage measured by the first and second probes in a state in which current is not caused to flow through the conductor by the first and second probes,
And a determining step of determining whether cleaning of the inspection jig is necessary based on the first, second, and third voltages.
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