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KR20150111865A - Resistance measuring apparatus, substrate test apparatus, test method and method of maintaining jig for test - Google Patents

Resistance measuring apparatus, substrate test apparatus, test method and method of maintaining jig for test Download PDF

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Publication number
KR20150111865A
KR20150111865A KR1020150040630A KR20150040630A KR20150111865A KR 20150111865 A KR20150111865 A KR 20150111865A KR 1020150040630 A KR1020150040630 A KR 1020150040630A KR 20150040630 A KR20150040630 A KR 20150040630A KR 20150111865 A KR20150111865 A KR 20150111865A
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KR
South Korea
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voltage
probes
current
conductor
probe
Prior art date
Application number
KR1020150040630A
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Korean (ko)
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KR102247989B1 (en
Inventor
무네히로 야마시타
Original Assignee
니혼덴산리드가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by 니혼덴산리드가부시키가이샤 filed Critical 니혼덴산리드가부시키가이샤
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Publication of KR102247989B1 publication Critical patent/KR102247989B1/en

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Abstract

The present invention provides a resistance measurement apparatus, a substrate test apparatus, a test method and a maintenance method of a test jig which can judge quality a probe easily. According to the present invention, a first voltage (Vp) measured by voltage probes (Pv1, Pv2) is obtained when current probes (Pc1 Pc2) are contacted to a conductor pattern (M) and a first current (Ip) is made to flow in the conductor pattern (M) by the current probes. A second voltage (Vm) measured by the voltage probes (Pv1, Pv2) is obtained when a second current (Im) in a reverse direction to the first current (Ip) is made to flow in the conductor pattern (M) by the current probes (Pc1, Pc2). And a third voltage (Vo) measured by the voltage probes (Pv1, Pv2) is obtained, under the state that a current does not flow in the conductor pattern (M) by the current probes (Pc1, Pc2). Then, the quality of the probe is judged on the basis of the first voltage (Vp), the second voltage (Vm) and the third voltage (Vo).

Description

저항 측정 장치, 기판 검사 장치, 검사 방법, 및 검사용 지그의 메인터넌스 방법{RESISTANCE MEASURING APPARATUS, SUBSTRATE TEST APPARATUS, TEST METHOD AND METHOD OF MAINTAINING JIG FOR TEST}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a resistance measuring apparatus, a substrate inspection apparatus, an inspection method, and a maintenance method of a jig for inspection. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0002]

본 발명은, 저항 측정을 실시하는 저항 측정 장치, 이 저항 측정 장치를 사용한 기판 검사 장치, 이들 장치에 사용되는 프로브에 관련된 검사 방법, 및 검사용 지그의 메인터넌스 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a resistance measurement device for performing resistance measurement, a substrate inspection device using the resistance measurement device, an inspection method related to a probe used in these devices, and a maintenance method of the inspection jig.

종래부터, 프린트 배선 기판 등의 기판에 형성된 배선 패턴을 검사하기 위해, 배선 패턴의 저항값을 측정하는 것이 실시되고 있다. 배선 패턴의 검사로는, 단선의 유무의 검사는 물론이거니와, 배선 패턴의 폭이 가늘어지거나, 두께가 얇아지거나 하고 있는 단선에 이르지 않은 불량도 검출할 필요가 있다. 이와 같은 단선에 이르지 않은 불량을 검출하기 위해서는, 고정밀도의 저항 측정을 실시할 필요가 있다. 이와 같은 고정밀도의 저항 측정 방법으로서, 4 단자 측정법을 사용한 기판 검사 장치가 알려져 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 참조).BACKGROUND ART Conventionally, in order to inspect a wiring pattern formed on a substrate such as a printed wiring board, a resistance value of the wiring pattern is measured. As for the inspection of the wiring pattern, it is necessary to detect not only the presence or absence of disconnection, but also defects that do not reach the disconnection that the width of the wiring pattern becomes narrow or the thickness becomes thin. In order to detect defects not reaching such disconnection, it is necessary to conduct resistance measurement with high accuracy. As such a high-precision resistance measuring method, a substrate inspecting apparatus using a four-terminal measuring method is known (see, for example, Patent Document 1).

4 단자 측정법에서는, 저항 측정 지점에 저항 측정용 전류를 흐르게 하기 위한 2 개의 전류 프로브와, 저항 측정 지점의 전압을 측정하기 위한 2 개의 전압 프로브가 사용된다. 이로써, 저항 측정용 전류가 전압 프로브에 흐르지 않으므로, 전압 프로브 자체의 저항에 의한 전압 강하가 저감되어, 고정밀도의 저항 측정이 가능해진다.In the 4-terminal measurement method, two current probes are used to flow a current for resistance measurement at the resistance measurement point, and two voltage probes are used to measure the voltage at the resistance measurement point. Thereby, since the resistance measurement current does not flow through the voltage probe, the voltage drop due to the resistance of the voltage probe itself is reduced, and high-precision resistance measurement becomes possible.

일본 공개특허공보 2012-013590호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2012-013590

그런데, 시간의 경과와 함께, 상기 서술한 전압 프로브의 프로브 침이나, 프로브 침을 전압계에 접속시키기 위한 전극 등에 산화막이 형성되는 경우가 있다. 프로브 침이나 전극 등에 산화막이 형성되면, 정류 작용과 저항 성분이 발생한다. 그 때문에, 산화막이 형성된 전압 프로브를 사용하여 저항 측정을 실시하면, 저항값의 측정 정밀도가 저하된다. 그리고, 정밀도가 저하된 저항 측정값에 기초하여 기판 검사를 실시하면, 기판의 검사 정밀도가 저하된다. 그 때문에, 산화막이 형성된 전압 프로브는, 클리닝에 의해 산화막을 제거할 필요가 있다.However, with the lapse of time, an oxide film may be formed on the probe tip of the above-described voltage probe or on an electrode for connecting the probe tip to a voltmeter. When an oxide film is formed on a probe needle or an electrode, a rectifying action and a resistance component are generated. Therefore, when resistance measurement is performed using a voltage probe having an oxide film formed thereon, the measurement accuracy of the resistance value is lowered. If the substrate inspection is carried out based on the resistance measurement value of which the accuracy is lowered, the inspection accuracy of the substrate is lowered. Therefore, in the voltage probe having the oxide film formed thereon, it is necessary to remove the oxide film by cleaning.

또, 전압 프로브에 발생하는 오차 요인으로는, 산화막 외에 제벡 효과에 의해 발생하는 기전력이 있다. 이 제벡 효과에 의한 기전력과 산화막에 의한 정류 작용은, 모두 극성을 갖고 있기 때문에 이들을 구별하는 것이 어렵다. 그 때문에, 전압 프로브에 산화막이 형성되는 불량이 발생하고 있는 것을 검지하는 것이 어렵다는 문제가 있었다.As an error factor generated in the voltage probe, there is an electromotive force generated by the Seebeck effect in addition to the oxide film. The electromotive force due to the Seebeck effect and the rectification action due to the oxide film are all polarities, and it is difficult to distinguish them. Therefore, there has been a problem that it is difficult to detect that a defect in which an oxide film is formed in the voltage probe occurs.

본 발명의 목적은, 프로브의 양부를 판정하는 것이 용이한 저항 측정 장치, 이 저항 측정 장치를 사용한 기판 검사 장치, 프로브에 관련된 검사 방법, 및 검사용 지그의 메인터넌스 방법을 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a resistance measuring apparatus which can easily determine both sides of a probe, a substrate inspection apparatus using the resistance measurement apparatus, an inspection method relating to the probe, and a maintenance method of the inspection jig.

본 발명에 관련된 저항 측정 장치는, 도체의 저항값을 측정하기 위한 저항 측정 장치로서, 상기 도체에 접촉시키기 위한 제 1 및 제 2 프로브와, 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 상기 도체에 소정의 제 1 전류를 흐르게 하였을 때에 상기 도체에 발생하는 제 1 전압을 취득하는 제 1 전압 취득부와, 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 상기 도체에 상기 제 1 전류와는 역방향의 제 2 전류를 흐르게 하였을 때에 상기 도체에 발생하는 제 2 전압을 취득하는 제 2 전압 취득부와, 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 상기 도체에 전류를 흐르게 하지 않는 상태에서, 상기 도체에 발생하는 제 3 전압을 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 취득하는 제 3 전압 취득부와, 상기 제 1, 제 2 및 제 3 전압에 기초하여 상기 제 1 및 제 2 프로브에 관한 양부를 판정하는 판정부를 구비한다.A resistance measuring apparatus according to the present invention is a resistance measuring apparatus for measuring a resistance value of a conductor, comprising: first and second probes for making contact with the conductor; and first and second probes A first voltage acquiring unit that acquires a first voltage generated in the conductor when the first current is caused to flow, and a second voltage acquiring unit that acquires a first voltage in a direction opposite to the first current A second voltage acquisition unit for acquiring a second voltage generated in the conductor when the first and second probes do not allow a current to flow through the conductor by the first and second probes, A third voltage acquisition unit that acquires the first and second probes, and a determination unit that determines both sides of the first and second probes based on the first, second, and third voltages.

또, 본 발명에 관련된 검사 방법은, 도체에 접촉되기 위한 제 1 및 제 2 프로브에 관한 불량을 검사하기 위한 검사 방법으로서, 상기 도체에 상기 제 1 및 제 2 프로브를 접촉시키고, 상기 도체에 소정의 제 1 전류를 흐르게 하였을 때에 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 측정되는 제 1 전압을 취득하는 제 1 전압 취득 공정과, 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 상기 도체에 상기 제 1 전류와는 역방향의 제 2 전류를 흐르게 하였을 때에 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 측정되는 제 2 전압을 취득하는 제 2 전압 취득 공정과, 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 상기 도체에 전류를 흐르게 하지 않는 상태에서, 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 측정되는 제 3 전압을 취득하는 제 3 전압 취득 공정과, 상기 제 1, 제 2 및 제 3 전압에 기초하여 상기 제 1 및 제 2 전압 프로브에 관한 양부를 판정하는 판정 공정을 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided an inspection method for inspecting defects with respect to first and second probes to be brought into contact with a conductor, the method comprising: bringing the first and second probes into contact with the conductor, A first voltage acquisition step of acquiring a first voltage measured by the first and second probes when the first current of the first and second probes is caused to flow, A second voltage acquiring step of acquiring a second voltage measured by the first and second probes when a second current in a reverse direction is caused to flow through the first and second probes; A third voltage acquisition step of acquiring a third voltage measured by the first and second probes in a state where the first and second voltage probes are connected to the first and second voltage probes based on the first, And a determination step of determining a positive part with respect to each of the plurality of parts.

또, 본 발명에 관련된 검사용 지그의 메인터넌스 방법은, 도체에 접촉되기 위한 제 1 및 제 2 프로브를 포함하는 검사용 지그의 메인터넌스 방법으로서, 상기 도체에 상기 제 1 및 제 2 프로브를 접촉시키고, 상기 도체에 소정의 제 1 전류를 흐르게 하였을 때에 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 측정되는 제 1 전압을 취득하는 제 1 전압 취득 공정과, 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 상기 도체에 상기 제 1 전류와는 역방향의 제 2 전류를 흐르게 하였을 때에 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 측정되는 제 2 전압을 취득하는 제 2 전압 취득 공정과, 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 상기 도체에 전류를 흐르게 하지 않는 상태에서, 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 측정되는 제 3 전압을 취득하는 제 3 전압 취득 공정과, 상기 제 1, 제 2 및 제 3 전압에 기초하여 상기 검사용 지그의 클리닝의 필요 여부를 판정하는 판정 공정을 포함한다.A maintenance method of the inspection jig according to the present invention is a maintenance method of an inspection jig including first and second probes to be brought into contact with a conductor, wherein the first and second probes are brought into contact with the conductor, A first voltage acquiring step of acquiring a first voltage measured by the first and second probes when a predetermined first current flows through the conductor; and a second voltage acquiring step of acquiring, by the first and second probes, A second voltage acquisition step of acquiring a second voltage measured by the first and second probes when a second current flowing in a direction opposite to the first current flows through the first and second probes; A third voltage acquisition step of acquiring a third voltage measured by the first and second probes in a state in which the first and second probes do not flow, It includes a determining step for determining the necessity of the use of the cleaning jig.

이들 저항 측정 장치, 검사 방법, 및 검사용 지그의 메인터넌스 방법에 의하면, 저항을 측정하고자 하는 도체에 제 1 전류를 흐르게 하였을 때에 도체에 발생하는 제 1 전압과, 도체에 제 1 전류와는 역방향의 제 2 전류를 흐르게 하였을 때에 도체에 발생하는 제 2 전압과, 도체에 전류를 흐르게 하지 않는 상태에서 도체에 발생하는 제 3 전압이 제 1 및 제 2 프로브를 사용하여 취득된다. 이 제 1, 제 2 및 제 3 전압은, 제 1 및 제 2 프로브에 산화막이 형성되어 있지 않으면, 제 1 전압과 제 3 전압 사이의 관계와, 제 2 전압과 제 3 전압 사이의 관계가 대칭적인 특성을 나타낸다. 한편, 제 1 및 제 2 프로브에 산화막이 형성되어 불량 상태가 되면, 산화막의 정류 작용에 의해 제 1 전압과 제 3 전압 사이의 관계와, 제 2 전압과 제 3 전압 사이의 관계의 대칭성이 흐트러진다. 따라서, 제 1, 제 2 및 제 3 전압에 기초하여 제 1 및 제 2 프로브에 관한 양부를 용이하게 판정할 수 있다. 또, 제 1 및 제 2 프로브에 산화막이 형성되어 불량 상태가 된 경우, 제 1 및 제 2 프로브를 포함하는 검사용 지그를 클리닝할 필요가 있는 것으로 생각된다. 그래서, 판정부는, 제 1, 제 2 및 제 3 전압에 기초하여 검사용 지그의 클리닝의 필요 여부를 판정할 수 있다.According to the resistance measuring apparatus, the inspection method, and the maintenance method of the inspection jig, the first voltage generated in the conductor when the first current is caused to flow through the conductor to be measured and the second voltage generated in the conductor in the reverse direction A second voltage generated in the conductor when the second current flows and a third voltage generated in the conductor in a state in which no current flows in the conductor are acquired using the first and second probes. The first, second, and third voltages are set so that the relationship between the first voltage and the third voltage and the relationship between the second voltage and the third voltage are symmetric with each other when the oxide film is not formed on the first and second probes Respectively. On the other hand, when the oxide film is formed on the first and second probes and is in a defective state, the relationship between the first voltage and the third voltage and the symmetry of the relationship between the second voltage and the third voltage are disturbed by the rectifying action of the oxide film All. Therefore, the first and second probes can be easily determined based on the first, second, and third voltages. In addition, when the oxide film is formed on the first and second probes and becomes in a defective state, it is considered necessary to clean the inspection jig including the first and second probes. Thus, the judging section can judge whether cleaning of the inspection jig is necessary based on the first, second and third voltages.

또, 상기 제 1 프로브는, 상기 도체에 전류를 흐르게 하기 위한 제 1 전류 프로브와, 상기 전류에 의해 상기 도체에 발생한 전압을 검출하기 위한 제 1 전압 프로브를 포함하고, 상기 제 2 프로브는, 상기 도체에 전류를 흐르게 하기 위한 제 2 전류 프로브와, 상기 전류에 의해 상기 도체에 발생한 전압을 검출하기 위한 제 2 전압 프로브를 포함하고, 상기 제 1 전압 취득부는, 상기 제 1 및 제 2 전류 프로브 사이에 상기 제 1 전류를 흐르게 하였을 때에 상기 제 1 및 제 2 전압 프로브에 의해 측정되는 상기 제 1 전압을 취득하고, 상기 제 2 전압 취득부는, 상기 제 1 및 제 2 전류 프로브 사이에 상기 제 1 전류와는 역방향의 제 2 전류를 흐르게 하였을 때에 상기 제 1 및 제 2 전압 프로브에 의해 측정되는 상기 제 2 전압을 취득하고, 상기 제 3 전압 취득부는, 상기 제 1 및 제 2 전류 프로브 사이에 전류를 흐르게 하지 않은 상태에서, 상기 제 1 및 제 2 전압 프로브에 의해 측정되는 상기 제 3 전압을 취득하는 것이 바람직하다.The first probe includes a first current probe for causing a current to flow through the conductor and a first voltage probe for detecting a voltage generated in the conductor by the current, And a second voltage probe for detecting a voltage generated in the conductor by the current, wherein the first voltage acquiring unit includes: a first voltage probe for receiving a current between the first and second current probes Wherein the first voltage obtaining unit obtains the first voltage measured by the first and second voltage probes when the first current flows through the first and second current probes, Acquires the second voltage measured by the first and second voltage probes when the second current flows in a direction opposite to the first voltage, In the first and the non-flowing a current between two current probe state, it is desirable to obtain a third voltage that is measured by the first and second voltage probe.

이 구성에 의하면, 제 1 및 제 2 전류 프로브와, 제 1 및 제 2 전압 프로브를 구비하고, 4 단자 측정법에 의한 저항 측정이 가능한 저항 측정 장치에 있어서, 제 1 및 제 2 전압 프로브에 관한 양부를 용이하게 판정할 수 있다.According to this configuration, in the resistance measuring apparatus including the first and second current probes, the first and second voltage probes, and the resistance measurement by the four-terminal measuring method, Can be easily determined.

또, 상기 판정부는, 상기 전류와 상기 전압을 파라미터로 하는 이차원 평면 상에서, 상기 제 1 전류 및 상기 제 1 전압에 의해 나타내는 제 1 점과, 상기 제 2 전류 및 상기 제 2 전압에 의해 나타내는 제 2 점과, 전류값 제로 및 상기 제 3 전압에 의해 나타내는 제 3 점이 대략 직선 상에 배치되지 않을 때, 상기 제 1 및 제 2 프로브에 관한 불량이 있는 것으로 판정하는 것이 바람직하다.It is preferable that the judging section judges on the two-dimensional plane using the current and the voltage as the first point indicated by the first current and the first voltage and the second point indicated by the second current and the second voltage, It is preferable to determine that there is a defect with respect to the first and second probes when a point, a current value of zero, and a third point indicated by the third voltage are not arranged substantially on a straight line.

이 구성에 의하면, 제 1, 제 2 및 제 3 전압은, 제 1 및 제 2 프로브에 산화막이 형성되어 있지 않으면, 전류와 전압을 파라미터로 하는 이차원 평면 상에서 직선 상에 배치된다. 한편, 제 1 및 제 2 프로브에 산화막이 형성되어 불량 상태가 되면, 산화막의 정류 작용에 의해 제 1, 제 2 및 제 3 점은 직선 상에 배치되지 않게 된다. 그래서, 판정부는, 제 1, 제 2 및 제 3 점이 대략 직선 상에 배치되지 않을 때, 용이하게 제 1 및 제 2 프로브에 관한 불량이 있는 것으로 판정할 수 있다.According to this configuration, the first, second, and third voltages are arranged on a straight line on a two-dimensional plane using the current and the voltage as parameters when the oxide film is not formed on the first and second probes. On the other hand, when the oxide film is formed on the first and second probes and becomes in a defective state, the first, second, and third points are not arranged on a straight line by the rectifying action of the oxide film. Thus, when the first, second, and third points are not arranged substantially in a straight line, the determination unit can easily determine that there is a defect with respect to the first and second probes.

또, 상기 제 1 전류와 상기 제 2 전류는, 전류값의 절대값이 서로 동등한 것이 바람직하다.It is preferable that the first current and the second current have the same absolute value of the current value.

이 구성에 의하면, 판정부에 의한 제 1 및 제 2 프로브에 관한 양부의 판정 처리를 간소화하는 것이 용이해진다.According to this configuration, it is easy to simplify the determination processing of the both sides of the first and second probes by the determination section.

또, 상기 판정부는, 상기 제 1 전압과 상기 제 3 전압의 차이인 제 1 차분값과, 상기 제 2 전압과 상기 제 3 전압의 차이인 제 2 차분값의 차이가 미리 설정된 판정 임계값을 초과하였을 때, 상기 제 1 및 제 2 프로브에 관한 불량이 있는 것으로 판정해도 된다.The determination unit may determine that the difference between the first difference value that is the difference between the first voltage and the third voltage and the second difference value that is the difference between the second voltage and the third voltage exceeds the preset determination threshold value , It may be determined that there is a defect with respect to the first and second probes.

이 구성에 의하면, 제 1 전류와 제 2 전류는, 절대값이 서로 동등하고 방향이 반대인 전류가 된다. 이 경우, 제 1, 제 2 및 제 3 점이 직선 상에 배치되어 있으면, 제 1 차분값과 제 2 차분값은 동등해진다. 따라서, 제 1 차분값과 제 2 차분값의 차이가 미리 설정된 판정 임계값을 초과하여 커졌을 때, 용이하게 제 1 및 제 2 프로브에 관한 불량이 있는 것으로 판정할 수 있다.According to this configuration, the first current and the second current become currents whose absolute values are equal to each other and whose directions are opposite to each other. In this case, if the first, second and third points are arranged on a straight line, the first difference value and the second difference value become equal. Therefore, when the difference between the first difference value and the second difference value becomes larger than a predetermined determination threshold value, it can be easily judged that there is a defect with respect to the first and second probes.

또, 본 발명에 관련된 기판 검사 장치는, 상기 서술한 저항 측정 장치와, 기판에 형성된 배선 패턴을 상기 도체로 하여 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 측정된 전압에 기초하여, 상기 기판의 검사를 실시하는 기판 검사부를 구비한다.The substrate inspecting apparatus according to the present invention is characterized in that the resistance measuring apparatus described above and a wiring pattern formed on the substrate are used as conductors to inspect the substrate on the basis of the voltages measured by the first and second probes And a substrate inspecting unit for performing the inspection.

이 구성에 의하면, 기판 검사에 사용하는 프로브의 양부를 용이하게 판정할 수 있다.According to this configuration, it is possible to easily determine whether or not the probe used in the substrate inspection is correct.

이와 같은 구성의 저항 측정 장치, 기판 검사 장치, 및 검사 방법은, 프로브의 양부를 용이하게 판정할 수 있다.The resistance measuring apparatus, the substrate inspecting apparatus, and the inspecting method having such a configuration can easily judge the probes.

도 1 은, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 저항 측정 장치를 구비한 기판 검사 장치의 구성의 일례를 나타내는 블록도.
도 2 는, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 검사 방법을 사용한 기판 검사 장치의 동작의 일례를 나타내는 플로우 차트.
도 3 은, 전압 프로브에 발생하는 산화막을 설명하기 위한 등가 회로도.
도 4 는, 검사 방법을 설명하기 위한 타이밍 차트. (a) 는 전압 프로브 (P) 가 양품 (산화막이 형성되어 있지 않다) 인 경우를 나타내고, (b) 는 전압 프로브가 불량 (산화막이 형성되어 있다) 인 경우를 나타내고 있다.
도 5 는, 판정부에 의한 판정 방법을 설명하기 위한 설명도. (a) 는 전압 프로브 (P) 가 양품 (산화막이 형성되어 있지 않다) 인 경우를 나타내고, (b) 는 전압 프로브가 불량 (산화막이 형성되어 있다) 인 경우를 나타내고 있다.
도 6 은, 기판 검사 장치의 다른 예를 나타내는 블록도.
BRIEF DESCRIPTION OF DRAWINGS FIG. 1 is a block diagram showing an example of the configuration of a substrate inspection apparatus provided with a resistance measurement apparatus according to an embodiment of the present invention; FIG.
2 is a flowchart showing an example of the operation of the substrate inspection apparatus using the inspection method according to one embodiment of the present invention.
3 is an equivalent circuit diagram for explaining an oxide film generated in a voltage probe.
4 is a timing chart for explaining an inspection method; (a) shows a case where the voltage probe P is good (no oxide film is formed), and (b) shows a case where the voltage probe is defective (an oxide film is formed).
5 is an explanatory diagram for explaining a determination method by a determination unit; (a) shows a case where the voltage probe P is good (no oxide film is formed), and (b) shows a case where the voltage probe is defective (an oxide film is formed).
6 is a block diagram showing another example of the substrate inspection apparatus.

이하, 본 발명에 관련된 실시형태를 도면에 기초하여 설명한다. 또한, 각 도면에 있어서 동일한 부호를 부여한 구성은 동일한 구성인 것을 나타내고, 그 설명을 생략한다. 도 1 은, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 저항 측정 장치를 구비한 기판 검사 장치의 구성의 일례를 나타내는 블록도이다.Best Mode for Carrying Out the Invention Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings, the same reference numerals denote the same components, and a description thereof will be omitted. 1 is a block diagram showing an example of the configuration of a substrate inspection apparatus provided with a resistance measurement apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1 에 나타내는 기판 검사 장치 (1) 는, 정전류원 (2), 전류계 (3), 전압계 (4), 전류 프로브 (Pc1 (제 1 전류 프로브)), 전류 프로브 (Pc2 (제 2 전류 프로브)), 전압 프로브 (Pv1 (제 1 전압 프로브)), 전압 프로브 (Pv2 (제 2 전압 프로브)), 스위치 (A1, A2, B1, B2, C1, C2) 및 제어부 (5) 를 구비하고 있다. 기판 검사 장치 (1) 는, 4 단자 측정법에 의해 저항 측정을 실시하도록 되어 있다.The substrate inspecting apparatus 1 shown in Fig. 1 includes a constant current source 2, an ammeter 3, a voltmeter 4, a current probe Pc1 (first current probe), a current probe Pc2 (second current probe) A voltage probe (Pv1 (first voltage probe)), a voltage probe (Pv2 (second voltage probe)), switches A1, A2, B1, B2, C1 and C2 and a control section 5. The substrate inspection apparatus 1 is configured to perform resistance measurement by a four-terminal measurement method.

전류 프로브 (Pc1) 는, 프로브 침 (11), 접속 전극 (12) 및 케이블 (13) 을 구비하고 있다. 전류 프로브 (Pc2) 는, 프로브 침 (21), 접속 전극 (22) 및 케이블 (23) 을 구비하고 있다. 전압 프로브 (Pv1) 는, 프로브 침 (31), 접속 전극 (32) 및 케이블 (33) 을 구비하고 있다. 전압 프로브 (Pv2) 는, 프로브 침 (41), 접속 전극 (42) 및 케이블 (43) 을 구비하고 있다. 전류 프로브 (Pc1, Pc2) 및 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 는, 예를 들어 기판 검사 장치 (1) 나 저항 측정 장치에 대해 탈착 가능한 검사용 지그로서 구성되어 있다.The current probe Pc1 includes a probe needle 11, a connection electrode 12, and a cable 13. The current probe Pc2 includes a probe needle 21, a connection electrode 22, and a cable 23. The voltage probe Pv1 is provided with a probe needle 31, a connecting electrode 32, and a cable 33. The voltage probe Pv2 includes a probe needle 41, a connection electrode 42, and a cable 43. The current probes Pc1 and Pc2 and the voltage probes Pv1 and Pv2 are constituted as inspection jigs which can be detached from the substrate inspection apparatus 1 or the resistance measurement apparatus, for example.

프로브 침 (11, 21, 31, 41) 은, 예를 들어 직경이 100 ㎛ ∼ 200 ㎛ 정도인 탄성 (가요성) 을 갖는 와이어상의 접촉자이다. 프로브 침 (11, 21, 31, 41) 은, 예를 들어 텅스텐, 하이스 강 (SKH), 베릴륨구리 (Be-Cu) 등의 금속과 그 밖의 도전체로 형성되어 있다.The probe needles 11, 21, 31, and 41 are wire-like contacts having, for example, elastic (flexible) diameters of about 100 μm to 200 μm. The probes 11, 21, 31 and 41 are formed of a metal such as tungsten, high-speed steel (SKH), beryllium copper (Be-Cu) and other conductors.

프로브 침 (11, 31) 의 선단부는, 도체 패턴 (M) 의 일방 단부 (M1) 에 접촉된다. 프로브 침 (21, 41) 의 선단부는, 도체 패턴 (M) 의 타방 단부 (M2) 에 접촉된다. 도 1 에 있어서는, 도체 패턴 (M) 을 개념적으로 기재하고 있다. 도체 패턴 (M) 은, 검사 대상이 되는 기판의 배선 패턴이어도 되고, 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 를 검사하기 위한 검사용 도체여도 된다.The tip ends of the probe needles 11 and 31 contact the one end portion M1 of the conductor pattern M. [ The tip ends of the probe needles 21 and 41 are brought into contact with the other end portion M2 of the conductor pattern M. [ In Fig. 1, a conductor pattern M is conceptually described. The conductor pattern M may be a wiring pattern of a substrate to be inspected or may be a conductor for inspection for inspecting the voltage probes Pv1 and Pv2.

접속 전극 (12, 22, 32, 42) 은, 프로브 침 (11, 21, 31, 41) 을 케이블 (13, 23, 33, 43) 에 접속시키기 위한 전극이다. 프로브 침 (11, 21, 31, 41) 의 후단부는, 접속 전극 (12, 22, 32, 42) 에 맞닿아 접속 전극 (12, 22, 32, 42) 과 접촉하도록 되어 있다.The connecting electrodes 12, 22, 32 and 42 are electrodes for connecting the probes 11, 21, 31 and 41 to the cables 13, 23, 33 and 43. The rear end portions of the probe needles 11, 21, 31 and 41 come in contact with the connection electrodes 12, 22, 32 and 42 to be in contact with the connection electrodes 12, 22, 32 and 42.

스위치 (A1, A2, B1, B2, C1, C2) 는, 예를 들어 트랜지스터 등의 반도체 스위치나, 릴레이 스위치 등, 여러 가지 스위칭 소자이다. 스위치 (A1, A2, B1, B2) 는, 전류 프로브 (Pc1, Pc2) 를 통하여 도체 패턴 (M) 에 흐르게 하는 전류의 방향을 전환하기 위한 전환 스위치이다. 스위치 (C1, C2) 는, 프로브 침 (31, 41) 의 전압계 (4) 에 대한 접속의 유무를 전환한다. 스위치 (A1, A2, B1, B2, C1, C2) 는, 제어부 (5) 로부터의 제어 신호에 따라 온, 오프가 된다.The switches A1, A2, B1, B2, C1, and C2 are various switching elements such as a semiconductor switch such as a transistor or a relay switch. The switches A1, A2, B1 and B2 are changeover switches for switching the direction of the current flowing in the conductor pattern M through the current probes Pc1 and Pc2. The switches C1 and C2 switch the presence or absence of connection of the probes 31 and 41 to the voltmeter 4. The switches A 1, A 2, B 1, B 2, C 1, and C 2 are turned on and off in accordance with a control signal from the control unit 5.

정전류원 (2) 은, 도체 패턴 (M) 에 일정한 전류를 흐르게 하는 정전류 회로이다. 전류계 (3) 는, 정전류원 (2) 으로부터 도체 패턴 (M) 에 공급되는 전류값을 측정한다. 정전류원 (2) 은, 예를 들어 전류계 (3) 에 의해 측정되는 전류값이 미리 설정된 측정용 전류값 (Is) 이 되도록 출력 전류를 조절함으로써, 일정한 측정용 전류값 (Is) 의 측정용 전류를 출력한다. 측정용 전류값 (Is) 은, 예를 들어 20 ㎃ 로 되어 있다.The constant current source 2 is a constant current circuit for causing a constant current to flow through the conductor pattern M. The ammeter 3 measures a current value supplied from the constant current source 2 to the conductor pattern M. [ The constant current source 2 adjusts the output current so that the current value measured by the ammeter 3 becomes a predetermined measurement current value Is to obtain a constant current value Is for measurement . The current value Is for measurement is, for example, 20 mA.

프로브 침 (11) 은, 접속 전극 (12), 케이블 (13) 및 스위치 (A1) 를 통하여 정전류원 (2) 의 일방의 출력 단자에 접속됨과 함께, 접속 전극 (12), 케이블 (13), 스위치 (B1) 및 전류계 (3) 를 통하여 정전류원 (2) 의 타방의 출력 단자에 접속되어 있다. 프로브 침 (21) 은, 접속 전극 (22), 케이블 (23) 및 스위치 (B2) 를 통하여 정전류원 (2) 의 일방의 출력 단자에 접속됨과 함께, 접속 전극 (22), 케이블 (23), 스위치 (A2) 및 전류계 (3) 를 통하여 정전류원 (2) 의 타방의 출력 단자에 접속되어 있다.The probe needle 11 is connected to one output terminal of the constant current source 2 through the connection electrode 12, the cable 13 and the switch A1 and is connected to the connection electrode 12, the cable 13, And is connected to the other output terminal of the constant current source 2 through the switch B1 and the ammeter 3. [ The probe needle 21 is connected to one output terminal of the constant current source 2 through the connection electrode 22, the cable 23 and the switch B2 and is connected to the connection electrode 22, the cable 23, And is connected to the other output terminal of the constant current source 2 through the switch A2 and the ammeter 3. [

프로브 침 (31) 은, 접속 전극 (32), 케이블 (33) 및 스위치 (C1) 를 통하여 전압계 (4) 의 일방의 입력 단자에 접속되어 있다. 프로브 침 (41) 은, 접속 전극 (42), 케이블 (43) 및 스위치 (C2) 를 통하여 전압계 (4) 의 타방의 입력 단자에 접속되어 있다.The probe needle 31 is connected to one input terminal of the voltmeter 4 through the connection electrode 32, the cable 33 and the switch C1. The probe needle 41 is connected to the other input terminal of the voltmeter 4 through the connection electrode 42, the cable 43 and the switch C2.

전압계 (4) 는, 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 에 의해 검출된 전압을 측정하고, 그 측정값을 제어부 (5) 에 출력한다.The voltmeter 4 measures the voltage detected by the voltage probes Pv1 and Pv2 and outputs the measured value to the controller 5. [

제어부 (5) 는, 예를 들어, 소정의 연산 처리를 실행하는 CPU (Central Processing Unit), 데이터를 일시적으로 기억하는 RAM (Random Access Memory), 소정의 제어 프로그램을 기억하는 ROM (Read Only Memory) 이나 HDD (Hard Disk Drive) 등의 기억부, 및 이들의 주변 회로 등으로 구성되어 있다. 그리고, 제어부 (5) 는, 예를 들어 기억부에 기억된 제어 프로그램을 실행함으로써, 제 1 전압 취득부 (51), 제 2 전압 취득부 (52), 제 3 전압 취득부 (53), 판정부 (54), 저항 산출부 (55) 및 기판 검사부 (56) 로서 기능한다.The control unit 5 includes, for example, a CPU (Central Processing Unit) for executing predetermined arithmetic processing, a RAM (Random Access Memory) for temporarily storing data, a ROM (Read Only Memory) for storing a predetermined control program, A storage unit such as a hard disk drive (HDD), and peripheral circuits thereof. The control section 5 executes the control program stored in the storage section for example so that the first voltage obtaining section 51, the second voltage obtaining section 52, the third voltage obtaining section 53, A resistance calculating section 55, and a board inspecting section 56. [0064]

제 1 전압 취득부 (51) 는, 도체 패턴 (M) 에 전류 프로브 (Pc1) 로부터 전류 프로브 (Pc2) 로 향하는 방향의 제 1 전류 (Ip) 를 흐르게 하였을 때에 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 에 의해 측정되는 제 1 전압 (Vp) 을 취득한다. 제 1 전류 (Ip) 는, 예를 들어 20 ㎃ 로 할 수 있다.The first voltage obtaining section 51 is connected to the conductor pattern M by the voltage probes Pv1 and Pv2 when the first current Ip in the direction from the current probe Pc1 to the current probe Pc2 flows And obtains the first voltage Vp to be measured. The first current Ip may be 20 mA, for example.

제 2 전압 취득부 (52) 는, 도체 패턴 (M) 에 제 1 전류 (Ip) 와는 역방향의 전류 프로브 (Pc2) 로부터 전류 프로브 (Pc1) 로 향하는 방향으로, 제 2 전류 (Im) 를 흐르게 하였을 때에 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 에 의해 측정되는 제 2 전압 (Vm) 를 취득한다. 제 2 전류 (Im) 는, 예를 들어 제 1 전류 (Ip) 와 절대값이 동등하고, 극성이 반대인 -20 ㎃ 로 할 수 있다.The second voltage obtaining section 52 has caused the second current Im to flow in the direction from the current probe Pc2 in the direction opposite to the first current Ip to the current probe Pc1 in the conductor pattern M The second voltage Vm measured by the voltage probes Pv1 and Pv2 is obtained. The second current Im can be, for example, -20 mA, which is equal in absolute value to the first current Ip and has the opposite polarity.

제 3 전압 취득부 (53) 는, 전류 프로브 (Pc1, Pc2) 사이에 전류를 흐르게 하지 않는 상태에서, 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 에 의해 측정되는 제 3 전압 (Vo) 을 취득한다.The third voltage acquisition section 53 acquires the third voltage Vo measured by the voltage probes Pv1 and Pv2 in a state in which no current flows between the current probes Pc1 and Pc2.

판정부 (54) 는, 제 1 전압 (Vp) 과 제 3 전압 (Vo) 의 차이의 절대값인 제 1 차분값 (Vd1) 과, 제 2 전압 (Vm) 과 제 3 전압 (Vo) 의 차이의 절대값인 제 2 차분값 (Vd2) 의 차이인 차분값 (Vd (= Vd1 - Vd2)) 이 미리 설정된 판정 임계값 (Vth) 을 초과하였을 때, 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 에 관한 불량이 있는 것으로 판정한다.The determining section 54 determines whether or not the difference between the first difference value Vd1 that is the absolute value of the difference between the first voltage Vp and the third voltage Vo and the difference between the second voltage Vm and the third voltage Vo (Vd (= Vd1 - Vd2), which is the difference between the second differential value Vd2 that is the absolute value of the voltage value of the voltage probe Pv2 and the voltage value of the voltage probe Pv2, exceeds the predetermined threshold value Vth .

또한, 판정부 (54) 는, 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 를 포함하는 검사 지그의 클리닝의 필요 여부를 판정해도 된다.The judging unit 54 may judge whether or not cleaning of the inspection jig including the voltage probes Pv1 and Pv2 is necessary.

저항 산출부 (55) 는, 도체 패턴 (M) 의 저항값 (Rx) 을 제 1 전압 (Vp), 제 2 전압 (Vm), 제 1 전류 (Ip) 및 제 2 전압 (Vm) 에 기초하여 산출한다. 구체적으로는, 제 1 전류 (Ip) 와 제 2 전류 (Im) 의 절대값이 동등할 때, 그 전류값을 Ia 로 하면, 저항 산출부 (55) 는, 하기의 식 (1) 에 기초하여 저항값 (Rx) 을 산출할 수 있다.The resistance calculating section 55 calculates the resistance value Rx of the conductor pattern M based on the first voltage Vp, the second voltage Vm, the first current Ip and the second voltage Vm . Specifically, when the absolute value of the first current Ip and the absolute value of the second current Im are equal to each other and the current value thereof is Ia, the resistance calculating section 55 calculates, based on the following formula (1) The resistance value Rx can be calculated.

Rx = (Vp - Vm)/(Ia × 2) = (Vp - Vm)/(20 ㎃ × 2)…(1)Rx = (Vp - Vm) / (Ia x 2) = (Vp - Vm) / (20 mA x 2) (One)

또, 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 의 내부 저항 (Ri) 을 미리 정밀하게 측정해 두어, 저항 산출부 (55) 는 내부 저항 (Ri) 에 기초하여 저항값 (Rx) 을 보정하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 저항 산출부 (55) 는, 하기의 식 (2) 에 기초하여 저항값 (Rx) 을 산출해도 된다. 식 (2) 에 의하면, 저항값 (Rx) 의 산출 정밀도를 향상시킬 수 있다.It is preferable that the internal resistance Ri of the voltage probes Pv1 and Pv2 is precisely measured in advance and the resistance calculating section 55 corrects the resistance value Rx based on the internal resistance Ri. Specifically, the resistance calculating section 55 may calculate the resistance value Rx based on the following equation (2). According to the expression (2), the calculation accuracy of the resistance value Rx can be improved.

Rx = {(Vp - Vm)/(Ia × 2)} - Ri…(2)Rx = {(Vp - Vm) / (Ia x 2)} - Ri ... (2)

기판 검사부 (56) 는, 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 에 의해 측정된 제 1 전압 (Vp), 제 2 전압 (Vm) 에 기초하여 저항 산출부 (55) 가 산출한 저항값 (Rx) 에 기초하여, 도체 패턴 (M) 이 형성된 기판의 검사를 실시한다. 구체적으로는, 기판 검사부 (56) 는, 예를 들어, 저항값 (Rx) 과 미리 기억부에 기억된 기준값을 비교하여, 저항값 (Rx) 이 기준값을 초과하였을 때, 그 기판을 불량인 것으로 판정한다.The substrate inspecting section 56 calculates the resistance value Rx based on the resistance value Rx calculated by the resistance calculating section 55 on the basis of the first voltage Vp and the second voltage Vm measured by the voltage probes Pv1 and Pv2 And the substrate on which the conductor pattern M is formed is inspected. Specifically, the substrate inspection section 56 compares, for example, the resistance value Rx with the reference value stored in advance in the storage section, and when the resistance value Rx exceeds the reference value, .

다음으로, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 검사 방법 또는 검사용 지그의 메인터넌스 방법을 실행하는 기판 검사 장치 (1) 의 동작에 대해 설명한다. 도 2 는, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 검사 방법을 사용한 기판 검사 장치 (1) 의 동작의 일례를 나타내는 플로우 차트이다. 도 3 은, 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 에 발생하는 산화막을 설명하기 위한 등가 회로이다. 도 3 에 나타내는 등가 회로는, 예를 들어 프로브 침 (31) 의 프로브 후단부 (X1) 와 접속 전극 (32) 의 전극 표면 (X2) 의 접촉부에 산화막이 형성된 경우의 그 접촉 부분을 개념적으로 나타낸 등가 회로이다.Next, the operation of the substrate inspection apparatus 1 for executing the inspection method or the maintenance method of the inspection jig according to the embodiment of the present invention will be described. 2 is a flowchart showing an example of the operation of the substrate inspection apparatus 1 using the inspection method according to the embodiment of the present invention. Fig. 3 is an equivalent circuit for explaining an oxide film generated in the voltage probes Pv1 and Pv2. The equivalent circuit shown in Fig. 3 conceptually shows the contact portion when the oxide film is formed at the contact portion between the probe rear end X1 of the probe needle 31 and the electrode surface X2 of the connection electrode 32 Equivalent circuit.

도 3 에 나타내는 바와 같이, 프로브 후단부 (X1) 와 전극 표면 (X2) 의 접촉부에 산화막이 형성되는 불량이 발생하면, 통상적인 접촉 저항 (Rc) 과, 제벡 효과에 의한 열기전력을 일으키는 전원 (Vc) 과 저항 (Rvc) 의 직렬 회로와, 산화막의 정류 작용에 의해 발생하는 다이오드 (Dc) 와 저항 (Rdc) 의 직렬 회로가 병렬로 접속된 등가 회로가 형성된다.As shown in Fig. 3, when an oxide film is formed at the contact portion between the rear end portion X1 and the electrode surface X2, the contact resistance Rc and the power source Vc) and the resistor Rvc and the series circuit of the diode Dc and the resistor Rdc generated by the rectification action of the oxide film are connected in parallel.

이와 같이, 산화막이 형성됨으로써 발생한 정류 작용은, 상기 서술한 식 (1), 식 (2) 에 의해서도 상쇄할 수 없기 때문에, 저항값 (Rx) 의 측정 정밀도가 저하된다. 또, 산화막은, 사후적으로 시간의 경과에 수반하여 형성되기 때문에, 산화막에 의해 발생한 저항 성분은, 미리 측정된 내부 저항 (Ri) 에는 포함되어 있지 않다. 따라서, 저항 산출부 (55) 는, 식 (2) 에 의해서도 산화막의 영향을 배제할 수 없다.As described above, the rectifying action caused by the formation of the oxide film can not be canceled by the above-described equations (1) and (2), and therefore the measurement accuracy of the resistance value Rx is lowered. Further, since the oxide film is formed with the elapse of time afterwards, the resistance component generated by the oxide film is not included in the internal resistance Ri measured in advance. Therefore, the resistance calculating section 55 can not eliminate the influence of the oxide film even by the equation (2).

그래서, 기판 검사 장치 (1) 는, 이하의 검사 방법에 의해 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 에 산화막이 형성되는 불량이 발생하고 있는지의 여부를 검사한다. 이로써, 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 에 산화막이 형성되어 있는 것을 알면, 클리닝에 의해 산화막을 제거하는 것이 가능해진다.Thus, the substrate inspection apparatus 1 inspects whether or not there is a defect that an oxide film is formed on the voltage probes Pv1 and Pv2 by the following inspection method. Thus, if it is known that an oxide film is formed on the voltage probes Pv1 and Pv2, it is possible to remove the oxide film by cleaning.

도 4 는, 이 검사 방법 및 검사용 지그의 메인터넌스 방법을 설명하기 위한 타이밍 차트이다. (a) 는 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 가 양품 (산화막이 형성되어 있지 않다) 인 경우를 나타내고, (b) 는 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 가 불량 (산화막이 형성되어 있다) 인 경우를 나타내고 있다. 실선은 프로브 침 (31) 의 전위를 나타내고, 점선은 프로브 침 (41) 의 전위를 나타내고 있다. 이하, 도 4 를 참조하면서 도 2 에 나타내는 플로우 차트에 대해 설명한다.Fig. 4 is a timing chart for explaining the inspection method and the maintenance method of the inspection jig. (a) shows a case where the voltage probes Pv1 and Pv2 are good (no oxide film is formed), (b) shows a case where the voltage probes Pv1 and Pv2 are defective (an oxide film is formed) have. The solid line indicates the potential of the probe needle 31 and the dotted line indicates the potential of the probe needle 41. [ Hereinafter, the flowchart shown in Fig. 2 will be described with reference to Fig.

먼저, 전류 프로브 (Pc1) 와 전압 프로브 (Pv1) 가 도체 패턴 (M) 의 일방 단부 (M1) 에 접촉되고, 전류 프로브 (Pc2) 와 전압 프로브 (Pv2) 가 도체 패턴 (M) 의 타방 단부 (M2) 에 접촉되어 있다.The current probe Pc1 and the voltage probe Pv1 are brought into contact with the one end portion M1 of the conductor pattern M and the current probe Pc2 and the voltage probe Pv2 are brought into contact with the other end of the conductor pattern M M2.

그리고, 제 3 전압 취득부 (53) 는, 스위치 (A1, A2, B1, B2) 를 오프로 하여 정전류원 (2) 을 전류 프로브 (Pc1, Pc2) 로부터 떼어내고, 도체 패턴 (M) 에 전류가 흐르지 않도록 한다. 또한, 제 3 전압 취득부 (53) 는, 스위치 (C1, C2) 를 온으로 하여 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 를 전압계 (4) 에 접속시키고, 전압계 (4) 에 의해 제 3 전압 (Vo) 을 측정하게 한다 (스텝 S1 : 타이밍 T1). 이 때, 제 3 전압 (Vo) 으로서 제벡 효과에 의한 기전력이 측정되게 된다.The third voltage obtaining section 53 removes the constant current source 2 from the current probes Pc1 and Pc2 by turning off the switches A1, A2, B1 and B2, . The third voltage acquisition unit 53 turns on the switches C1 and C2 to connect the voltage probes Pv1 and Pv2 to the voltmeter 4 and adjusts the third voltage Vo by the voltmeter 4. [ (Step S1: timing T1). At this time, the electromotive force due to the Seebeck effect is measured as the third voltage Vo.

다음으로, 제 1 전압 취득부 (51) 는, 스위치 (A1, A2) 를 온, 스위치 (B1, B2) 를 오프로 하여 정전류원 (2) 을 전류 프로브 (Pc1, Pc2) 에 접속시키고, 정전류원 (2) 으로부터 전류 프로브 (Pc1, Pc2) 를 통하여 도체 패턴 (M) 에 제 1 전류 (Ip) 를 흐르게 한다 (타이밍 T2). 그리고, 제 1 전압 취득부 (51) 는, 스위치 (C1, C2) 를 온으로 하여 전압계 (4) 에 의해 제 1 전압 (Vp) 을 측정하게 한다 (스텝 S2 : 타이밍 T3).Next, the first voltage acquiring section 51 connects the constant current source 2 to the current probes Pc1 and Pc2 with the switches A1 and A2 turned on and the switches B1 and B2 off, The first current Ip flows from the circle 2 through the current probes Pc1 and Pc2 to the conductor pattern M (timing T2). Then, the first voltage acquisition section 51 turns on the switches C1 and C2 to measure the first voltage Vp by the voltmeter 4 (step S2: timing T3).

다음으로, 제 2 전압 취득부 (52) 는, 스위치 (A1, A2) 를 오프, 스위치 (B1, B2) 를 온으로 하여 정전류원 (2) 를 역방향으로 전류 프로브 (Pc1, Pc2) 에 접속시키고, 정전류원 (2) 으로부터 전류 프로브 (Pc1, Pc2) 를 통하여 도체 패턴 (M) 에 제 1 전류 (Ip) 와는 역방향의 제 2 전류 (Im) 를 흐르게 한다 (타이밍 T4). 그리고, 제 2 전압 취득부 (52) 는, 스위치 (C1, C2) 를 온으로 하여 전압계 (4) 에 의해 제 2 전압 (Vm) 을 측정하게 한다 (스텝 S3 : 타이밍 T5).Next, the second voltage acquisition section 52 connects the constant current source 2 to the current probes Pc1 and Pc2 in the reverse direction by turning off the switches A1 and A2 and turning on the switches B1 and B2 And the second current Im in the direction opposite to the first current Ip flows from the constant current source 2 through the current probes Pc1 and Pc2 to the conductor pattern M (timing T4). Then, the second voltage acquisition section 52 turns on the switches C1 and C2 to measure the second voltage Vm by the voltmeter 4 (step S3: timing T5).

다음으로, 판정부 (54) 는, 하기의 식 (3), (4), (5) 에 기초하여 차분값 (Vd) 을 산출한다 (스텝 S4).Next, the determining section 54 calculates the difference value Vd based on the following expressions (3), (4), and (5) (step S4).

Vd1 = Vp - Vo …(3)Vd1 = Vp - Vo ... (3)

Vd2 = Vo - Vm …(4)Vd2 = Vo - Vm ... (4)

Vd =|Vd1 - Vd2| …(5)Vd = | Vd1 - Vd2 | ... (5)

도 5 는, 판정부 (54) 에 의한 판정 방법을 설명하기 위한 설명도이다. (a) 는 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 가 양품 (산화막이 형성되어 있지 않다) 인 경우를 나타내고, (b) 는 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 가 불량 (산화막이 형성되어 있다) 인 경우를 나타내고 있다. 도 5 에서는, 전류 (I) 를 가로축, 전압 (V) 을 세로축으로 하는 이차원 평면 상에, 제 1 전류 (Ip) 및 제 1 전압 (Vp) 에 의해 나타내는 제 1 점 (P1) 과, 제 2 전류 (Im) 및 제 2 전압 (Vm) 에 의해 나타내는 제 2 점 (P2) 과, 전류값 제로 및 제 3 전압 (Vo) 에 의해 나타내는 제 3 점 (P3) 이 플롯되어 있다.5 is an explanatory diagram for explaining the determination method by the determination unit 54. In FIG. (a) shows a case where the voltage probes Pv1 and Pv2 are good (no oxide film is formed), (b) shows a case where the voltage probes Pv1 and Pv2 are defective (an oxide film is formed) have. 5 shows a first point P1 represented by a first current Ip and a first voltage Vp and a second point P1 indicated by a first voltage Ip on a two-dimensional plane having a current I as a horizontal axis and a voltage V as a vertical axis, A second point P2 indicated by the current Im and the second voltage Vm and a third point P3 indicated by the current value zero and the third voltage Vo are plotted.

전압 프로브 (Pv1, Pv2) 가 양품 (산화막이 형성되어 있지 않다) 일 때에는, 도 5(a) 에 나타내는 바와 같이, 제 1 점 (P1), 제 2 점 (P2) 및 제 3 점 (P3) 이 대략 직선 (L) 상에 배치된다. 한편, 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 가 불량 (산화막이 형성되어 있다) 일 때에는, 도 5(b) 에 나타내는 바와 같이, 제 1 점 (P1), 제 2 점 (P2) 및 제 3 점 (P3) 이 직선 상에 배치되지 않는다.When the voltage probes Pv1 and Pv2 are good (no oxide film is formed), the first point P1, the second point P2 and the third point P3, as shown in Fig. 5 (a) Is arranged on the approximate straight line L. On the other hand, when the voltage probes Pv1 and Pv2 are defective (an oxide film is formed), as shown in Fig. 5 (b), the first point P1, the second point P2 and the third point P3 ) Are not arranged on a straight line.

따라서, 판정부 (54) 는, 제 1 점 (P1), 제 2 점 (P2) 및 제 3 점 (P3) 이 대략 직선 상에 배치되는지의 여부를 확인하여, 제 1 점 (P1), 제 2 점 (P2) 및 제 3 점 (P3) 이 직선 상에 배치되지 않는 경우에 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 가, 산화막이 형성된 불량 상태인 것으로 판정할 수 있다.Therefore, the judging section 54 confirms whether or not the first point P1, the second point P2 and the third point P3 are arranged on a substantially straight line, and judges whether or not the first point P1, It can be determined that the voltage probes Pv1 and Pv2 are in a defective state where the oxide film is formed when the two points P2 and P3 are not arranged on a straight line.

여기서, 제 1 전류 (Ip) 와 제 2 전류 (Im) 의 절대값이 서로 동등한 값인 경우, 제 1 점 (P1), 제 2 점 (P2) 및 제 3 점 (P3) 이 직선 상에 배치되면, 도 5(a) 에 나타내는 바와 같이, 제 1 차분값 (Vd1) 과 제 2 차분값 (Vd2) 이 동등해진다. 제 1 차분값 (Vd1) 과 제 2 차분값 (Vd2) 이 동등하면, 식 (5) 로부터 차분값 (Vd) 은 제로가 된다.Here, when the absolute values of the first current Ip and the second current Im are equal to each other, when the first point P1, the second point P2, and the third point P3 are arranged on a straight line , The first difference value Vd1 and the second difference value Vd2 become equal as shown in Fig. 5 (a). If the first difference value Vd1 and the second difference value Vd2 are equal to each other, the differential value Vd becomes zero from the equation (5).

그래서, 판정부 (54) 는, 차분값 (Vd) 과 미리 설정된 판정 임계값 (Vth) 을 비교하여 (스텝 S5), 차분값 (Vd) 이 판정 임계값 (Vth) 에 이르지 못하면 (스텝 S5 에서 예), 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 는 양품인 것으로 판정하고 (스텝 S6), 차분값 (Vd) 이 판정 임계값 (Vth) 이상이면 (스텝 S5 에서 아니오), 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 는 불량인 것으로 판정한다 (스텝 S7). 판정 임계값 (Vth) 은, 전압계 (4) 에 의한 전압 측정 정밀도나 정전류원 (2) 에 의한 출력 전류 정밀도를 고려하여 적절히 설정된다.If the difference value Vd does not reach the determination threshold value Vth (step S5), the determination section 54 compares the difference value Vd with a predetermined determination threshold value Vth The voltage probes Pv1 and Pv2 are determined to be good products (step S6), and if the difference value Vd is not less than the judgment threshold value Vth (NO in step S5) It is determined to be defective (step S7). The determination threshold value Vth is appropriately set in consideration of the voltage measurement accuracy by the voltmeter 4 and the output current accuracy by the constant current source 2. [

또한, 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 가 불량인 것으로 판정된 경우, 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 를 클리닝하여 산화막을 제거할 필요가 있는 것으로 생각된다. 그래서, 판정부 (54) 는, 차분값 (Vd) 과 미리 설정된 판정 임계값 (Vth) 을 비교하여 (스텝 S5), 차분값 (Vd) 이 판정 임계값 (Vth) 에 이르지 못하면 (스텝 S5 에서 예), 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 를 포함하는 검사 지그를 클리닝할 필요는 없는 것으로 판정하고 (스텝 S6), 차분값 (Vd) 이 판정 임계값 (Vth) 이상이면 (스텝 S5 에서 아니오), 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 를 클리닝할 필요가 있는 것으로 판정해도 된다.Further, when it is judged that the voltage probes Pv1 and Pv2 are defective, it is considered that it is necessary to clean the voltage probes Pv1 and Pv2 to remove the oxide film. If the difference value Vd does not reach the determination threshold value Vth (step S5), the determination section 54 compares the difference value Vd with a predetermined determination threshold value Vth (Step S6). If the difference value Vd is not less than the determination threshold Vth (NO in step S5), it is determined that the cleaning jig including the voltage probes Pv1 and Pv2 is not required to be cleaned It may be determined that it is necessary to clean the voltage probes Pv1 and Pv2.

그리고, 판정부 (54) 는, 그 판정 결과를 도시 생략한 표시 장치에 표시함으로써, 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 가 불량인 것으로 판정된 경우, 혹은 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 를 클리닝할 필요가 있는 것으로 판정된 경우, 사용자는 그 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 를 클리닝하여 산화막을 제거할 수 있으므로, 산화막에 의한 저항 측정 정밀도의 저하나 기판 검사 정밀도의 저하를 해소하는 것이 가능해진다.The determination unit 54 then displays the determination result on the display device (not shown) to determine whether the voltage probes Pv1 and Pv2 are defective or to clean the voltage probes Pv1 and Pv2 The user can clean the voltage probes Pv1 and Pv2 to remove the oxide film, thereby making it possible to solve the reduction in the resistance measurement accuracy by the oxide film and the reduction in the substrate inspection accuracy.

또한, 제 1 전류 (Ip) 와 제 2 전류 (Im) 의 절대값은 서로 동등한 값이 아니어도 되며, 판정부 (54) 는, 제 1 점 (P1), 제 2 점 (P2) 및 제 3 점 (P3) 이 대략 직선 상에 배치되는지의 여부에 기초하여, 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 가, 산화막이 형성된 불량 상태인지의 여부를 판정하는 구성으로 해도 된다.The absolute value of the first current Ip and the absolute value of the second current Im may not be equal to each other and the judging section 54 judges that the first point P1, the second point P2, It may be determined whether or not the voltage probes Pv1 and Pv2 are in a defective state in which an oxide film is formed based on whether or not the point P3 is arranged on a substantially straight line.

또한, 제 1 프로브로서 전류 프로브 (Pc1) 와 전압 프로브 (Pv1) 를 구비하고, 제 2 프로브로서 전류 프로브 (Pc2) 와 전압 프로브 (Pv2) 를 구비한 4 단자 측정법에 의한 저항 측정 장치의 예를 나타냈지만, 예를 들어 도 6 에 나타내는 바와 같이, 전류 프로브 (Pc1) 와 전압 프로브 (Pv1) 대신에 전류 공급과 전압 측정에 공용되는 제 1 프로브 (Pr1) 를 구비하고, 전류 프로브 (Pc2) 와 전압 프로브 (Pv2) 대신에 전류 공급과 전압 측정에 공용되는 제 2 프로브 (Pr2) 를 구비하는 구성으로 해도 된다.An example of a resistance measuring device using a four-terminal measuring method having a current probe Pc1 and a voltage probe Pv1 as a first probe and a current probe Pc2 and a voltage probe Pv2 as a second probe is shown in FIG. 6, a first probe Pr1 commonly used for current supply and voltage measurement is provided instead of the current probe Pc1 and the voltage probe Pv1, and the current probe Pc2 and the current probe Pc2 Instead of the voltage probe Pv2, the second probe Pr2 commonly used for current supply and voltage measurement may be provided.

또, 기판 검사 장치 (1, 1a) 는, 기판 검사부 (56) 를 구비하지 않고, 예를 들어 테스터 등의 저항 측정 장치로서 구성되어 있어도 된다. 또, 반드시 기판 검사 장치 (1, 1a) 나 저항 측정 장치에 제 1 전압 취득부 (51), 제 2 전압 취득부 (52), 제 3 전압 취득부 (53) 및 판정부 (54) 가 내장되는 예에 한정되지 않는다. 예를 들어, 전압 프로브 (Pv1, Pv2) 나 이들 프로브를 유지하는 검사 지그를 장치 본체로부터 떼어낼 수 있게 구성하여, 장치 본체로부터 떼어낸 프로브나 검사 지그를 상기 서술한 검사 방법에 의해 검사하도록 해도 된다.The substrate inspecting apparatuses 1 and 1a may not be provided with the substrate inspecting unit 56 but may be configured as a resistance measuring apparatus such as a tester. The first voltage acquisition unit 51, the second voltage acquisition unit 52, the third voltage acquisition unit 53, and the determination unit 54 are embedded in the substrate inspection apparatuses 1, 1a and the resistance measurement apparatus The present invention is not limited thereto. For example, even if the voltage probes Pv1 and Pv2 and the inspection jig holding these probes can be detached from the apparatus main body and the probes and the inspection jig separated from the apparatus main body can be inspected by the inspection method described above do.

1, 1a : 기판 검사 장치 (저항 측정 장치)
2 : 정전류원
3 : 전류계
4 : 전압계
5 : 제어부
11, 21, 31, 41 : 프로브 침
12, 22, 32, 42 : 접속 전극
13, 23, 33, 43 : 케이블
51 : 제 1 전압 취득부
52 : 제 2 전압 취득부
53 : 제 3 전압 취득부
54 : 판정부
55 : 저항 산출부
56 : 기판 검사부
A1, A2, B1, B2, C1, C2 : 스위치
Im : 제 2 전류
Ip : 제 1 전류
M : 도체 패턴 (도체)
M1 : 일방 단부
M2 : 타방 단부
P1 : 제 1 점
P2 : 제 2 점
P3 : 제 3 점
Pc1 : 전류 프로브 (제 1 전류 프로브)
Pc2 : 전류 프로브 (제 2 전류 프로브)
Pr1 : 제 1 프로브
Pr2 : 제 2 프로브
Pv1 : 전압 프로브 (제 1 전압 프로브)
Pv2 : 전압 프로브 (제 2 전압 프로브)
Rx : 저항값
Vd : 차분값
Vd1 : 제 1 차분값
Vd2 : 제 2 차분값
Vm : 제 2 전압
Vo : 제 3 전압
Vp : 제 1 전압
Vth : 판정 임계값
1, 1a: substrate inspection device (resistance measurement device)
2: constant current source
3: Amperemeter
4: Voltmeter
5:
11, 21, 31, 41: probe needle
12, 22, 32, 42: connecting electrodes
13, 23, 33, 43: Cable
51: first voltage obtaining section
52: second voltage obtaining section
53: Third voltage acquisition unit
54:
55:
56: Substrate inspector
A1, A2, B1, B2, C1, C2: switches
Im: second current
Ip: first current
M: Conductor pattern (conductor)
M1: one end
M2: the other end
P1: 1st point
P2: second point
P3: Third point
Pc1: current probe (first current probe)
Pc2: Current probe (second current probe)
Pr1: First probe
Pr2: second probe
Pv1: Voltage probe (first voltage probe)
Pv2: Voltage probe (second voltage probe)
Rx: resistance value
Vd: difference value
Vd1: first differential value
Vd2: second difference value
Vm: second voltage
Vo: third voltage
Vp: first voltage
Vth: Judgment threshold value

Claims (8)

도체의 저항값을 측정하기 위한 저항 측정 장치로서,
상기 도체에 접촉시키기 위한 제 1 및 제 2 프로브와,
상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 상기 도체에 소정의 제 1 전류를 흐르게 하였을 때에 상기 도체에 발생하는 제 1 전압을 취득하는 제 1 전압 취득부와,
상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 상기 도체에 상기 제 1 전류와는 역방향의 제 2 전류를 흐르게 하였을 때에 상기 도체에 발생하는 제 2 전압을 취득하는 제 2 전압 취득부와,
상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 상기 도체에 전류를 흐르게 하지 않는 상태에서, 상기 도체에 발생하는 제 3 전압을 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 취득하는 제 3 전압 취득부와,
상기 제 1, 제 2 및 제 3 전압에 기초하여 상기 제 1 및 제 2 프로브에 관한 양부를 판정하는 판정부를 구비하는, 저항 측정 장치.
A resistance measuring apparatus for measuring a resistance value of a conductor,
First and second probes for contacting the conductor,
A first voltage acquiring unit that acquires a first voltage generated in the conductor when a predetermined first current flows through the conductor by the first and second probes,
A second voltage acquisition unit that acquires a second voltage generated in the conductor when the second current flows in the direction opposite to the first current to the conductor by the first and second probes,
A third voltage acquisition unit that acquires a third voltage generated in the conductor by the first and second probes in a state in which the current is not caused to flow through the conductor by the first and second probes,
And a judging section for judging both the first and second probes based on the first, second and third voltages.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 프로브는,
상기 도체에 전류를 흐르게 하기 위한 제 1 전류 프로브와,
상기 전류에 의해 상기 도체에 발생한 전압을 검출하기 위한 제 1 전압 프로브를 포함하고,
상기 제 2 프로브는,
상기 도체에 전류를 흐르게 하기 위한 제 2 전류 프로브와,
상기 전류에 의해 상기 도체에 발생한 전압을 검출하기 위한 제 2 전압 프로브를 포함하고,
상기 제 1 전압 취득부는, 상기 제 1 및 제 2 전류 프로브 사이에 상기 제 1 전류를 흐르게 하였을 때에 상기 제 1 및 제 2 전압 프로브에 의해 측정되는 상기 제 1 전압을 취득하고,
상기 제 2 전압 취득부는, 상기 제 1 및 제 2 전류 프로브 사이에 상기 제 1 전류와는 역방향의 제 2 전류를 흐르게 하였을 때에 상기 제 1 및 제 2 전압 프로브에 의해 측정되는 상기 제 2 전압을 취득하고,
상기 제 3 전압 취득부는, 상기 제 1 및 제 2 전류 프로브 사이에 전류를 흐르게 하지 않은 상태에서, 상기 제 1 및 제 2 전압 프로브에 의해 측정되는 상기 제 3 전압을 취득하는, 저항 측정 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the first probe comprises:
A first current probe for flowing a current to the conductor,
And a first voltage probe for detecting a voltage generated in the conductor by the current,
Wherein the second probe comprises:
A second current probe for passing a current through the conductor,
And a second voltage probe for detecting a voltage generated in the conductor by the current,
Wherein the first voltage acquisition unit acquires the first voltage measured by the first and second voltage probes when the first current flows between the first and second current probes,
Wherein the second voltage acquisition unit acquires the second voltage measured by the first and second voltage probes when the second current flows in a direction opposite to the first current between the first and second current probes and,
And the third voltage acquisition section acquires the third voltage measured by the first and second voltage probes in a state in which no current flows between the first and second current probes.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 판정부는, 상기 전류와 상기 전압을 파라미터로 하는 이차원 평면상에서, 상기 제 1 전류 및 상기 제 1 전압에 의해 나타내는 제 1 점과, 상기 제 2 전류 및 상기 제 2 전압에 의해 나타내는 제 2 점과, 전류값 제로 및 상기 제 3 전압에 의해 나타내는 제 3 점이 대략 직선 상에 배치되지 않을 때, 상기 제 1 및 제 2 프로브에 관한 불량이 있는 것으로 판정하는, 저항 측정 장치.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the determination unit determines a first point indicated by the first current and the first voltage and a second point indicated by the second current and the second voltage on a two- , A current value of zero, and a third point indicated by the third voltage are not arranged substantially on a straight line, it is determined that there is a defect with respect to the first and second probes.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 전류와 상기 제 2 전류는, 전류값의 절대값이 서로 동등한, 저항 측정 장치.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the first current and the second current have the same absolute value of the current value.
제 4 항에 있어서,
상기 판정부는, 상기 제 1 전압과 상기 제 3 전압의 차이인 제 1 차분값과, 상기 제 2 전압과 상기 제 3 전압의 차이인 제 2 차분값의 차이가 미리 설정된 판정 임계값을 초과하였을 때, 상기 제 1 및 제 2 프로브에 관한 불량이 있는 것으로 판정하는, 저항 측정 장치.
5. The method of claim 4,
Wherein the determination unit determines whether or not the difference between the first difference value that is the difference between the first voltage and the third voltage and the second difference value that is the difference between the second voltage and the third voltage exceeds a preset determination threshold value And judges that there is a defect with respect to the first and second probes.
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 기재된 저항 측정 장치와,
기판에 형성된 배선 패턴을 상기 도체로 하여 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 측정된 전압에 기초하여, 상기 기판의 검사를 실시하는 기판 검사부를 구비한, 기판 검사 장치.
A resistance measuring apparatus according to any one of claims 1 to 5,
And a board inspecting section that inspects the board based on a voltage measured by the first and second probes using the wiring pattern formed on the board as the conductor.
도체에 접촉되기 위한 제 1 및 제 2 프로브에 관한 불량을 검사하기 위한 검사 방법으로서,
상기 도체에 상기 제 1 및 제 2 프로브를 접촉시키고, 상기 도체에 소정의 제 1 전류를 흐르게 하였을 때에 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 측정되는 제 1 전압을 취득하는 제 1 전압 취득 공정과,
상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 상기 도체에 상기 제 1 전류와는 역방향의 제 2 전류를 흐르게 하였을 때에 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 측정되는 제 2 전압을 취득하는 제 2 전압 취득 공정과,
상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 상기 도체에 전류를 흐르게 하지 않은 상태에서, 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 측정되는 제 3 전압을 취득하는 제 3 전압 취득 공정과,
상기 제 1, 제 2 및 제 3 전압에 기초하여 상기 제 1 및 제 2 전압 프로브에 관한 양부를 판정하는 판정 공정을 포함하는, 검사 방법.
An inspection method for inspecting defects with respect to first and second probes to be brought into contact with conductors,
A first voltage acquiring step of bringing the first and second probes into contact with the conductor and acquiring a first voltage measured by the first and second probes when a predetermined first current flows through the conductor,
A second voltage acquisition step of acquiring a second voltage measured by the first and second probes when the second current flows in the direction opposite to the first current to the conductor by the first and second probes; ,
A third voltage acquisition step of acquiring a third voltage measured by the first and second probes in a state in which current is not caused to flow through the conductor by the first and second probes,
And a determination step of determining a part concerning the first and second voltage probes based on the first, second, and third voltages.
도체에 접촉되기 위한 제 1 및 제 2 프로브를 포함하는 검사용 지그의 메인터넌스 방법으로서,
상기 도체에 상기 제 1 및 제 2 프로브를 접촉시키고, 상기 도체에 소정의 제 1 전류를 흐르게 하였을 때에 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 측정되는 제 1 전압을 취득하는 제 1 전압 취득 공정과,
상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 상기 도체에 상기 제 1 전류와는 역방향의 제 2 전류를 흐르게 하였을 때에 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 측정되는 제 2 전압을 취득하는 제 2 전압 취득 공정과,
상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 상기 도체에 전류를 흐르게 하지 않은 상태에서, 상기 제 1 및 제 2 프로브에 의해 측정되는 제 3 전압을 취득하는 제 3 전압 취득 공정과,
상기 제 1, 제 2 및 제 3 전압에 기초하여 상기 검사용 지그의 클리닝의 필요 여부를 판정하는 판정 공정을 포함하는, 검사용 지그의 메인터넌스 방법.
1. A maintenance method for a testing jig including first and second probes for contacting a conductor,
A first voltage acquiring step of bringing the first and second probes into contact with the conductor and acquiring a first voltage measured by the first and second probes when a predetermined first current flows through the conductor,
A second voltage acquisition step of acquiring a second voltage measured by the first and second probes when the second current flows in the direction opposite to the first current to the conductor by the first and second probes; ,
A third voltage acquisition step of acquiring a third voltage measured by the first and second probes in a state in which current is not caused to flow through the conductor by the first and second probes,
And a determining step of determining whether cleaning of the inspection jig is necessary based on the first, second, and third voltages.
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