KR20150084518A

KR20150084518A - Solar cell module and solar cell

Info

Publication number: KR20150084518A
Application number: KR1020140004621A
Authority: KR
Inventors: 김보중
Original assignee: 엘지전자 주식회사
Priority date: 2014-01-14
Filing date: 2014-01-14
Publication date: 2015-07-22

Abstract

The present invention relates to a solar cell module and a solar cell. According to an embodiment of the present invention, the solar cell comprises a semiconductor substrate; multiple first and second electrodes formed on the back of the semiconductor substrate while maintaining a certain interval; a first solar cell and a second solar cell containing insulation material equipped with a first sub electrode connected to the multiple first electrodes and a second sub electrode connected to the multiple second electrodes; and an inter-connector electrically connecting the first and the second solar cells. At the tip of the first the second sub electrodes for each of the first and the second solar cells, there exists at least one concave or penetration hole and part of the inter-connector is physically inserted into at least one concave or penetration hole formed at the end of the first and the second sub electrodes. According to the present invention, the solar cell applied to the solar cell module has at least one concave or penetration hole at the tip of the first and the second sub electrodes.

Description

SOLAR CELL MODULE AND SOLAR CELL [0002]

본 발명은 태양 전지 모듈 및 태양 전지에 관한 것이다.The present invention relates to a solar cell module and a solar cell.

일반적인 태양 전지는 p형과 n형처럼 서로 다른 도전성 타입(conductive type)의 반도체로 이루어진 기판(substrate) 및 에미터부(emitter), 그리고 기판과 에미터부에 각각 연결된 전극을 구비한다. 이때, 기판과 에미터부의 계면에는 p-n 접합이 형성되어 있다.A typical solar cell has a substrate made of different conductivity type semiconductors, such as p-type and n-type, an emitter, and an electrode connected to the substrate and the emitter, respectively. At this time, a p-n junction is formed at the interface between the substrate and the emitter.

특히, 태양전지의 효율을 높이기 위해 실리콘 기판의 수광면에 전극을 형성하지 않고, 실리콘 기판의 이면 만으로 n 전극 및 p 전극을 형성한 이면 전극 형 태양 전지 셀에 대한 연구 개발이 진행되고 있다. 이와 같은 이면 전극 형 태양전지 셀을 복수개 연결하여 전기적으로 접속하는 모듈화 기술도 진행되고 있다.Particularly, research and development on a back electrode type solar cell having an n-electrode and a p-electrode formed only on the back surface of a silicon substrate without forming an electrode on the light receiving surface of a silicon substrate for increasing the efficiency of the solar cell is underway. A modularization technique of connecting a plurality of such back electrode type solar cell cells and electrically connecting them is also under way.

상기 모듈과 기술에는 복수 개의 태양전지 셀을 금속 인터커넥터로 전기적으로 연결하는 방법과, 미리 배선이 형성된 배선기판을 이용해 전기적으로 연결하는 방법이 대표적이다.The module and the technique are typical of a method of electrically connecting a plurality of solar cells with a metal interconnection, and a method of electrically connecting a plurality of solar cells with a metal interconnection using a wiring board on which wiring is previously formed.

본 발명은 태양 전지 모듈 및 태양 전지를 제공하는데 그 목적이 있다.An object of the present invention is to provide a solar cell module and a solar cell.

본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 일례는 반도체 기판, 반도체 기판의 후면에 서로 이격되어 형성되는 복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극, 복수의 제1 전극에 접속되는 제1 보조 전극 및 복수의 제2 전극에 접속되는 제2 보조 전극을 구비한 절연성 부재를 포함하는 제1 태양 전지와 제2 태양 전지; 및 제1 태양 전지와 제2 태양 전지를 서로 전기적으로 연결하는 인터커넥터;를 포함하고, 각각의 제1 태양 전지 및 제2 태양 전지에서 제1, 2 보조 전극의 끝단에는 적어도 하나의 함몰홈 또는 관통홀이 형성되고, 인터커넥터의 일부분은 제1, 2 보조 전극의 끝단에 형성된 적어도 하나의 함몰홈 또는 관통홀에 물리적으로 삽입된다.An example of a solar cell module according to the present invention comprises a semiconductor substrate, a plurality of first electrodes and a plurality of second electrodes formed on the rear surface of the semiconductor substrate, the first electrodes being connected to the plurality of first electrodes, A first solar cell and a second solar cell including an insulating member having a second auxiliary electrode connected to a second electrode; And at least one concave groove or a concave groove at the ends of the first and second auxiliary electrodes in each of the first solar cell and the second solar cell or an interconnection for electrically connecting the first solar cell and the second solar cell to each other, A through hole is formed and a part of the inter connector is physically inserted into at least one depression groove or through hole formed at an end of the first and second auxiliary electrodes.

여기서, 인터커넥터는 제1, 2 보조 전극과 접속하는 부분에 적어도 하나의 함몰홈 또는 관통홀이 형성된 방향으로 인터커넥터의 면으로부터 돌출되는 적어도 하나의 돌출부를 포함할 수 있다. 여기서, 인터커넥터의 적어도 하나의 돌출부 끝단에는 홀이 형성될 수 있다.Here, the interconnector may include at least one protrusion protruding from the surface of the interconnector in a direction in which at least one depression groove or a through hole is formed in a portion connected to the first and second auxiliary electrodes. Here, a hole may be formed at an end of at least one protrusion of the interconnector.

아울러, 태양 전지 모듈은 제1 태양 전지 및 제2 태양 전지 각각의 전면에 배치되어 외부로부터 입사되는 빛을 반도체 기판이 형성된 방향으로 모아주는 렌즈를 더 구비할 수 있다.The solar cell module may further include a lens disposed on a front surface of each of the first and second solar cells and collecting light incident from the outside in a direction in which the semiconductor substrate is formed.

또한, 태양 전지 모듈은 제1, 2 태양 전지 각각에 포함되는 절연성 부재의 후면에 태양 전지로부터 발생되는 열을 배출하는 열 배출부;를 더 포함할 수 있고, 여기서, 열 배출부는 일면이 태양 전지의 후면에 부착되는 바디부;와 바디부로부터 돌출되는 복수 개의 방출부;를 포함할 수 있다.The solar cell module may further include a heat discharging portion for discharging heat generated from the solar cell to the rear surface of the insulating member included in each of the first and second solar cells, And a plurality of discharge portions protruding from the body portion.

아울러, 제1, 2 태양 전지 각각에서, 제1 보조 전극은 제1 전극과 연결되는 제1 접속부와 일단이 제1 접속부의 끝단에 연결되며, 타단이 인터커넥터와 접속되는 제1 패드부를 포함하고, 제2 보조 전극은 제2 전극과 연결되는 제2 접속부와 일단이 제2 접속부의 끝단에 연결되며, 타단이 인터커넥터와 접속되는 제2 패드부를 포함할 수 있다.In each of the first and second solar cells, the first auxiliary electrode includes a first connection portion connected to the first electrode, a first pad portion having one end connected to the end of the first connection portion and the other end connected to the interconnector The second auxiliary electrode may include a second connection portion connected to the second electrode, and a second pad portion having one end connected to the end of the second connection portion and the other end connected to the interconnector.

여기서, 제1, 2 패드부 각각에는 적어도 하나의 함몰홈 또는 관통홀이 형성되고, 인터커넥터의 적어도 하나의 돌출부가 삽입될 수 있다.At least one depression groove or a through hole is formed in each of the first and second pad portions, and at least one protrusion of the inter connecter may be inserted.

또한, 인터커넥터와 제1, 2 패드부가 서로 중첩되는 부분은 도전성 재질의 인터커넥터 연결재에 의해 서로 접속될 수 있다.In addition, the portions where the interconnector and the first and second pad portions overlap with each other can be connected to each other by an interconnecting connector made of a conductive material.

또한, 본 발명에 따른 태양 전지는 반도체 기판; 반도체 기판의 후면에 서로 이격되어 형성되는 복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극; 복수의 제1 전극에 접속되는 제1 보조 전극; 및 복수의 제2 전극에 접속되는 제2 보조 전극;을 포함하고, 제1, 2 보조 전극의 끝단에는 적어도 하나의 함몰홈 또는 관통홀이 형성될 수 있다.Further, a solar cell according to the present invention includes: a semiconductor substrate; A plurality of first electrodes and a plurality of second electrodes spaced apart from each other on the rear surface of the semiconductor substrate; A first auxiliary electrode connected to the plurality of first electrodes; And a second auxiliary electrode connected to the plurality of second electrodes, wherein at least one depression groove or a through hole may be formed at an end of the first and second auxiliary electrodes.

여기서, 제1 보조 전극은 제1 전극과 연결되는 제1 접속부와 일단이 제1 접속부의 끝단에 연결되며, 타단이 인터커넥터와 접속되는 제1 패드부를 포함하고, 제2 보조 전극은 제2 전극과 연결되는 제2 접속부와 일단이 제2 접속부의 끝단에 연결되며, 타단이 인터커넥터와 접속되는 제2 패드부를 포함할 수 있다.Here, the first auxiliary electrode includes a first connection portion connected to the first electrode, a first pad portion having one end connected to the end of the first connection portion and the other end connected to the interconnector, And a second pad portion having one end connected to an end of the second connection portion and the other end connected to the interconnector.

여기서, 제1, 2 패드부에는 적어도 하나의 함몰홈 또는 관통홀이 형성될 수 있다.Here, at least one depression groove or a through hole may be formed in the first and second pad portions.

아울러, 복수의 제1 전극과 제1 접속부 사이, 및 복수의 제2 전극과 제2 접속부 사이는 도전성 재질의 전극 연결재에 의해 서로 접속될 수 있고, 복수의 제1 전극과 제2 접속부, 및 복수의 제2 전극과 제1 접속부 사이는 절연층에 의해 서로 절연될 수 있다.In addition, a plurality of first electrodes and second connection portions, and a plurality of second connection portions can be connected to each other by a plurality of first electrodes and first connection portions, and a plurality of second electrodes and second connection portions by a conductive electrode material. The second electrode and the first connection portion of the first electrode may be insulated from each other by an insulating layer.

이와 같이 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 인터커넥터와 태양 전지가 물리적으로 서로 삽입되도록 함으로써, 태양 전지의 동작 중 발생하는 열에 의해 제1, 2 보조 전극이 열 팽창되더라도, 인터커넥터와 태양 전지 사이의 접착력이 약해지는 것을 방지할 수 있다.As described above, according to the solar cell module of the present invention, since the interconnector and the solar cell are physically inserted into each other, even if the first and second auxiliary electrodes are thermally expanded by heat generated during operation of the solar cell, It is possible to prevent the adhesive strength from becoming weak.

도 1은 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 2a는 도 1에 도시된 태양 전지 모듈에서 태양 전지와 인터커넥터(IC)의 연결 관계를 설명하기 위한 도이다.
도 2b는 본 발명에 따른 인터커넥터(IC)의 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 3은 본 발명에 따른 인터커넥터(IC)에 구비되는 돌출부(IC-P)의 다양한 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 4는 본 발명에 따른 인터커넥터(IC)의 다양한 형태의 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 5는 도 1에 도시된 태양 전지 모듈에서 열 배출부(300)의 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 6a은 본 발명의 일례에 따른 태양 전지의 일부 사시도이다.
도 6b은 도 6a에 도시한 태양 전지를 라인 6b-6b를 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 7는 도 6a 및 도 6b에서 설명한 태양 전지에서 각각 낱개로 접속될 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)의 전극 패턴에 관한 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 8은 도 7에 도시된 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)가 서로 접속된 상태를 설명하기 위한 도이다.
도 9a는 도 8에서 9a-9a 라인의 단면을 도시한 것이다.
도 9b는 도 8에서 9b-9b 라인의 단면을 도시한 것이다.
도 9c는 도 8에서 9c-9c 라인의 단면을 도시한 것이다.1 is a view for explaining an example of a solar cell module according to the present invention.
FIG. 2A is a view for explaining a connection relationship between a solar cell and an interconnector (IC) in the solar cell module shown in FIG.
2B is a view for explaining an example of an interconnector (IC) according to the present invention.
FIG. 3 is a view for explaining various examples of protrusions (IC-P) provided in the interconnector (IC) according to the present invention.
4 is a view for explaining one example of various forms of the interconnector (IC) according to the present invention.
5 is a view for explaining an example of the heat discharging unit 300 in the solar cell module shown in FIG.
6A is a partial perspective view of a solar cell according to an example of the present invention.
6B is a cross-sectional view of the solar cell shown in FIG. 6A cut along the line 6b-6b.
FIG. 7 is a view for explaining an example of electrode patterns of the semiconductor substrate 110 and the insulating member 200 to be individually connected in the solar cell illustrated in FIGS. 6A and 6B.
8 is a view for explaining a state in which the semiconductor substrate 110 and the insulating member 200 shown in FIG. 7 are connected to each other.
9A is a cross-sectional view taken along the line 9a-9a in FIG.
9B is a cross-sectional view taken along line 9B-9B in FIG.
FIG. 9C shows a cross section of the line 9c-9c in FIG.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 다양한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 부여하였다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. In order to clearly illustrate the present invention in the drawings, portions not related to the description are omitted, and like reference numerals are given to similar portions throughout the specification.

이하에서, 전면이라 함은 직사광이 입사되는 태양 전지의 일면일 수 있으며, 후면이라 함은 직사광이 입사되지 않거나, 직사광이 아닌 반사광이 입사될 수 있는 태양 전지의 반대면일 수 있다.Hereinafter, the front surface may be a surface of a solar cell to which direct light is incident, and the rear surface may be a surface opposite to a solar cell in which direct light is not incident, or reflected light other than direct light may be incident.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명에 따른 태양 전지 모듈에 대해 설명한다.Hereinafter, a solar cell module according to the present invention will be described with reference to the drawings.

도 1은 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 일례를 설명하기 위한 도이다.1 is a view for explaining an example of a solar cell module according to the present invention.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 일례는 서로 인접하는 제1 태양 전지(CE1)와 제2 태양 전지(CE2), 인터커넥터(IC), 열 배출부(300), 렌즈(400)를 포함할 수 있다.1, an example of a solar cell module according to the present invention includes a first solar cell CE1 and a second solar cell CE2, an interconnector (IC), a heat discharging unit 300, Lens 400 as shown in FIG.

여기서, 열 배출부(300)와 렌즈(400)는 필수적인 구성 요소는 아니며, 경우에 따라 생략될 수도 있다. 그러나 구비된 경우, 태양 전지 모듈의 효율이 더 향상될 수 있으므로, 구비된 경우를 일례로 설명한다.Here, the heat discharging unit 300 and the lens 400 are not essential components, and may be omitted in some cases. However, since the efficiency of the solar cell module can be further improved, a case where the solar cell module is provided will be described as an example.

여기서, 각각의 제1 태양 전지(CE1)와 제2 태양 전지(CE2)는 외부로부터 입사된 빛을 전기로 변환하는 기능을 수행하며, 반도체 기판(110), 복수의 제1 전극(C141)과 복수의 제2 전극(C142), 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142), 및 절연성 부재(200)를 포함할 수 있다.Here, each of the first solar cell CE1 and the second solar cell CE2 functions to convert light incident from the outside into electricity and includes a semiconductor substrate 110, a plurality of first electrodes C141, A plurality of second electrodes C142, a first auxiliary electrode P141 and a second auxiliary electrode P142, and an insulating member 200.

여기서, 반도체 기판(110)은 적어도 P-N 접합을 형성하며, 웨이퍼 기판이 이용될 수 있다. 아울러, 복수의 제1 전극(C141)과 복수의 제2 전극(C142)은 반도체 기판(110)의 후면에 서로 이격되어 형성될 수 있다. Here, the semiconductor substrate 110 forms at least a P-N junction, and a wafer substrate can be used. In addition, a plurality of first electrodes C141 and a plurality of second electrodes C142 may be formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 to be spaced apart from each other.

또한, 제1, 2 보조 전극(P141, P142)은 서로 이격되고, 제1 보조 전극(P141)은 도전성 전극 연결재(ECA)를 통하여 복수의 제1 전극(C141)에 접속되며, 제2 보조 전극(P142)은 전극 연결재(ECA)를 통하여 복수의 제2 전극(C142)에 접속될 수 있다. 이와 같은 제1, 2 보조 전극(P141, P142)은 절연성 부재(200) 위에 미리 구비되고, 제1, 2 전극(C141, C142)이 반도체 기판(110)의 후면에 미리 형성된 상태에서, 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)를 각각 낱개로 접속함으로써, 제1, 2 전극(C141, C142)에 접속될 수 있다.The first and second auxiliary electrodes P141 and P142 are spaced from each other and the first auxiliary electrode P141 is connected to the plurality of first electrodes C141 through the conductive electrode connecting material ECA, (P142) may be connected to the plurality of second electrodes (C142) through the electrode connecting material (ECA). The first and second auxiliary electrodes P141 and P142 are previously provided on the insulating member 200 and the first and second electrodes C141 and C142 are formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 in advance, The first and second electrodes C141 and C142 can be connected to each other by connecting the first electrode 110 and the insulating member 200 individually.

여기서, 제1 태양 전지(CE1)에 포함된 절연성 부재(200)와 제2 태양 전지(CE2)에 포함된 절연성 부재(200)는 공간적 및 물리적으로 서로 이격될 수 있으며, 따라서, 제1 태양 전지(CE1)의 절연성 부재(200)에 구비되는 제1, 2 보조 전극(P141, P142)과 제2 태양 전지(CE2)의 절연성 부재(200)에 구비되는 제1, 2 보조 전극(P141, P142)은 공간적 및 물리적으로 서로 이격될 수 있다.Here, the insulating member 200 included in the first solar cell CE1 and the insulating member 200 included in the second solar cell CE2 can be spatially and physically separated from each other, The first and second auxiliary electrodes P141 and P142 provided on the insulating member 200 of the first solar cell CE1 and the first and second auxiliary electrodes P141 and P142 provided on the insulating member 200 of the second solar cell CE2, May be spaced and physically spaced from one another.

도 1에서는 이해의 편의상 제1, 2 전극(C141, C142) 및 제1, 2 보조 전극(P141, P142)이 제1 방향(x)으로 서로 이격되어 배치되는 것으로 도시하였지만, 실질적으로 이와 다르게 도 6a 내지 도 7c에 도시된 바와 같이 배치될 수 있다. Although the first and second electrodes C141 and C142 and the first and second auxiliary electrodes P141 and P142 are illustrated as being spaced apart from each other in the first direction x in FIG. 1 for the sake of understanding, 6a to 7c.

이와 같은 태양 전지의 구조에 대해서는, 태양 전지 모듈의 다른 구성 부분을 먼저 설명한 이후, 도 6a 내지 도 7c를 참조하여 보다 구체적으로 설명한다.The structure of such a solar cell will be described in more detail with reference to Figs. 6A to 7C after the other constituent parts of the solar cell module are described first.

인터커넥터(IC)는 도전성 금속 재질을 포함하여 형성되며, 서로 인접한 제1 태양 전지(CE1)와 제2 태양 전지(CE2)를 서로 전기적으로 연결할 수 있다. 일례로, 인터커넥터(IC)는 제1 태양 전지(CE1)의 제1 보조 전극(P141)과 제2 태양 전지(CE2)의 제2 보조 전극(P142)에 접속될 수 있다. The interconnector (IC) is formed of a conductive metal material, and the first solar cell CE1 and the second solar cell CE2 adjacent to each other can be electrically connected to each other. For example, the interconnector (IC) may be connected to the first auxiliary electrode P141 of the first solar cell CE1 and the second auxiliary electrode P142 of the second solar cell CE2.

열 배출부(300)는 제1, 2 태양 전지(CE1, CE2) 각각에 포함되는 절연성 부재(200) 각각의 후면에 배치되어, 제1, 2 태양 전지(CE1, CE2) 각각으로부터 발생되는 열을 배출할 수 있다.The heat discharging unit 300 is disposed on the rear surface of each of the insulating members 200 included in each of the first and second solar cells CE1 and CE2 to generate heat generated from each of the first and second solar cells CE1 and CE2 .

이와 같은 열 배출부(300)는 열전도성이 우수한 재질로 형성될 수 있으며, 일례로 금속 재질로 형성될 수 있다. 이와 같은 열 배출부(300)에 대한 구체적인 구조에 대해서는 도 5에서 보다 구체적으로 설명한다.The heat discharging unit 300 may be formed of a material having high thermal conductivity, for example, a metal material. The specific structure of the heat discharging unit 300 will be described in more detail with reference to FIG.

아울러, 렌즈(400)는 제1 태양 전지(CE1) 및 제2 태양 전지(CE2) 각각의 전면으로부터 일정 간격 이격되어 배치될 수 있으며, 외부로부터 입사되는 빛을 반도체 기판(110)이 형성된 방향으로 모아주는 역할을 할 수 있다. 따라서, 도 1에 도시된 바와 같이, 렌즈(400)는 빛이 입사되는 전면의 반대쪽 후면은 빛이 모아지는 구조를 갖는 복수의 요철이 형성될 수 있다. 일례로, 이와 같은 렌즈(400)는 프레넬 렌즈(Fresnel lens)가 이용될 수 있다.The lens 400 may be disposed at a predetermined distance from the front surface of each of the first solar cell CE1 and the second solar cell CE2 and may be arranged in a direction in which the semiconductor substrate 110 is formed, It can play a role of gathering. Accordingly, as shown in FIG. 1, the lens 400 may be formed with a plurality of concavities and convexities having a structure in which light is gathered on a rear surface opposite to the front surface where light is incident. For example, a Fresnel lens may be used as the lens 400. [

한편, 이와 같은 태양 전지 모듈에서 인터커넥터(IC)와 각각의 태양 전지는 서로 물리적으로 체결될 수 있다.On the other hand, in such a solar cell module, the interconnector (IC) and each solar cell can be physically coupled to each other.

즉, 도 1에 도시된 바와 같이, 각각의 제1 태양 전지(CE1) 및 제2 태양 전지(CE2)는 제1, 2 보조 전극(P141, P142)의 끝단에 적어도 하나의 함몰홈 또는 관통홀(PH)이 형성되고, 인터커넥터(IC)의 일부분(IC-P)이 제1, 2 보조 전극(P141, P142)의 끝단에 형성된 적어도 하나의 함몰홈 또는 관통홀(PH)에 물리적으로 삽입됨으로써, 인터커넥터(IC)가 각각의 태양 전지에 접속될 수 있다. 여기서, 인터커넥터(IC)의 일부분은 인터커넥터(IC)의 어느 한 평면으로부터 돌출된 부분(IC-P)이거나 굽어진 부분(IC-P)일 수 있다. 이에 대해 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.1, each of the first solar cell CE1 and the second solar cell CE2 includes at least one recessed groove or through hole (not shown) at the ends of the first and second auxiliary electrodes P141 and P142, A portion PH of the interconnection IC is physically inserted into at least one depression groove or through hole PH formed at the end of the first and second auxiliary electrodes P141 and P142, So that an interconnector (IC) can be connected to each solar cell. Here, a part of the interconnector (IC) may be a portion (IC-P) projecting from any one plane of the interconnector (IC) or a bent portion (IC-P). This will be described in more detail as follows.

도 2a는 도 1에 도시된 태양 전지 모듈에서 태양 전지와 인터커넥터(IC)의 연결 관계를 설명하기 위한 도이고, 도 2b는 본 발명에 따른 인터커넥터(IC)의 일례를 설명하기 위한 도이다.FIG. 2A is a view for explaining a connection relationship between a solar cell and an interconnector (IC) in the solar cell module shown in FIG. 1, and FIG. 2B is a view for explaining an example of an interconnector .

도 2a에 도시된 바와 같이, 각각의 제1 태양 전지(CE1) 및 제2 태양 전지(CE2)는 일례로, 제1, 2 보조 전극(P141, P142)의 끝단에 복수 개의 함몰홈 또는 관통홀(PH)이 형성될 수 있다.2A, each of the first solar cell CE1 and the second solar cell CE2 includes, for example, a plurality of recessed grooves or through holes (not shown) at the ends of the first and second auxiliary electrodes P141 and P142, (PH) may be formed.

여기서, 제1, 2 보조 전극(P141, P142)의 끝단은 도 2a에 도시된 바와 같이, 제1, 2 보조 전극(P141, P142)을 구비한 절연성 부재(200)의 전면 중에서 반도체 기판(110)과 중첩되지 않는 영역에 위치한 제1, 2 보조 전극(P141, P142)의 부분일 수 있다.2A, the ends of the first and second auxiliary electrodes P141 and P142 are electrically connected to the first and second auxiliary electrodes P141 and P142 on the semiconductor substrate 110 And the first and second auxiliary electrodes P141 and P142, which are located in the non-overlapping region.

이와 같은 복수 개의 함몰홈 또는 관통홀(PH)은 제1, 2 보조 전극(P141, P142)의 끝단에 인터커넥터(IC)의 길이 방향인 제2 방향(y)으로 일정한 간격으로 배열되어 형성될 수 있다.The plurality of depression grooves or through holes PH are formed at regular intervals in the second direction y which is the longitudinal direction of the interconnection IC at the ends of the first and second auxiliary electrodes P141 and P142 .

이와 같은 함몰홈 또는 관통홀(PH)은 제1, 2 보조 전극(P141, P142)과 절연성 부재(200)를 완전히 관통할 수도 있고, 완전히 관통하지 않을 수도 있다.The depression grooves or the through holes PH may completely or completely pass through the first and second auxiliary electrodes P141 and P142 and the insulating member 200. [

아울러, 인터커넥터(IC)는 인터커넥터(IC)의 후면(IC-f2) 중에서 제1, 2 보조 전극(P141, P142)과 접속하는 부분에 인터커넥터(IC)의 후면(IC-f2)으로부터 돌출되는 적어도 하나의 돌출부(IC-P)가 형성될 수 있다. 이와 같은 적어도 하나의 돌출부(IC-P)는 제2 방향(y)으로 배열될 수 있다.The interconnection IC is connected to the rear surface (IC-f2) of the interconnection IC (IC-f2) at a portion connected to the first and second auxiliary electrodes P141 and P142 At least one protrusion (IC-P) protruding can be formed. The at least one projection IC-P may be arranged in the second direction y.

즉, 도 2a에 도시된 바와 같이, 인터커넥터(IC)의 전체적인 평면 형상은 폭이 WIC로 일정하게 형성될 수 있으며, 인터커넥터(IC)에 형성된 돌출부(IC-P)는 제1, 2 보조 전극(P141, P142)과 접속하는 인터커넥터(IC)의 후면(IC-f2)에서 제1, 2 보조 전극(P141, P142)에 형성된 함몰홈 또는 관통홀(PH)과 중첩되는 부분에 형성될 수 있다.That is, as shown in Fig. 2A, the overall planar shape of the interconnector (IC) can be formed with a constant width WIC, and the protrusions IC-P formed on the interconnector IC are divided into first and second Formed at the portions overlapping with the recessed grooves or through holes PH formed in the first and second auxiliary electrodes P141 and P142 on the back surface (IC-f2) of the interconnection IC connected to the electrodes P141 and P142 .

도 2a에서는 인터커넥터(IC)의 돌출부(IC-P)가 인터커넥터(IC)의 후면(IC-f2)에 형성된 경우를 일례로 도시하고 설명하였지만, 인터커넥터(IC)가 제1, 2 보조 전극(P141, P142)의 후면에 접속될 경우, 돌출부(IC-P)는 인터커넥터(IC)의 전면(IC-f1)에서 제1, 2 보조 전극(P141, P142)과 접속되는 부분에 형성될 수도 있다.2A shows a case where the projecting portion IC-P of the inter connector IC is formed on the rear face IC-f2 of the interconnection IC as an example, The protruding portion IC-P is formed at a portion connected to the first and second auxiliary electrodes P141 and P142 on the front surface IC-f1 of the interconnection IC when connected to the rear surface of the electrodes P141 and P142. .

이때, 인터커넥터(IC)의 돌출부(IC-P)의 돌출 길이는 적어도 함몰홈의 함몰 깊이보다 작을 수 있다. At this time, the projecting length of the projecting portion IC-P of the interconnection IC may be smaller than the depth of recess of the recessed recess.

따라서, 도 2a에 도시된 바와 같이, 화살표 방향으로 인터커넥터(IC)의 돌출부(IC-P)를 제1, 2 보조 전극(P141, P142)의 함몰홈 또는 관통홀(PH)에 삽입하는 경우, 인터커넥터(IC)에서 제1, 2 보조 전극(P141, P142)과 중첩되는 부분 중에서 돌출부(IC-P)가 형성되지 않은 부분이 충분히 제1, 2 전극(C141, C142)에 밀착되어 접속될 수 있다. 2A, when the projecting portion IC-P of the inter connector IC is inserted into the recessed grooves or through holes PH of the first and second auxiliary electrodes P141 and P142 in the direction of the arrows The portion where the protrusion IC-P is not formed among the portions overlapping the first and second auxiliary electrodes P141 and P142 in the interconnection IC sufficiently adheres to the first and second electrodes C141 and C142 .

그러나 제1, 2 보조 전극(P141, P142)의 끝단에 함몰홈이 아니라 관통홀이 형성된 경우에는 돌출부(IC-P)의 돌출 길이는 특벌한 제한이 없다.However, when the through holes are formed at the ends of the first and second auxiliary electrodes P141 and P142 instead of the depressed grooves, there is no particular limitation on the protruding length of the projecting portion IC-P.

여기서, 비록 도시되지는 않았지만, 인터커넥터(IC)와 제1, 2 보조 전극(P141, P142) 사이는 접촉 저항과 접착력을 보다 향상시키기 위해 도전성 접착성 재질의 인터커넥터 연결재(미도시)를 통해 서로 접속될 수 있다.Although not shown in the figure, to further improve contact resistance and adhesion between the interconnector (IC) and the first and second auxiliary electrodes P141 and P142, through an interconnecting connector (not shown) of a conductive adhesive material Can be connected to each other.

이와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 렌즈(400)를 이용하여 외부로부터 입사되는 빛을 모아서 각 태양 전지로 입사시키므로, 태양 전지 모듈의 동작 중 태양 전지의 자체에서 발생하는 열이 상당히 높아질 수 있다. As described above, the solar cell module according to the present invention collects the light incident from the outside using the lens 400 and enters each solar cell, so that the heat generated by the solar cell itself during operation of the solar cell module can be significantly increased have.

이와 같은 경우, 각 태양 전지에 구비되는 제1, 2 보조 전극(P141, P142)이 태양 전지의 열 발생으로 인하여 면 방향(즉, 제1 방향(x) 및 제2 방향(y))으로 길이 팽창될 수 있다.In such a case, the first and second auxiliary electrodes P141 and P142 provided in each solar cell are arranged in the planar direction (that is, in the first direction x and the second direction y) Can be inflated.

이와 같은 경우, 각 태양 전지와 인터커넥터(IC)가 접속되는 부분의 접착력이 저하되고, 접촉 저항이 높아질 수 있고, 심한 경우, 태양 전지와 인터커넥터(IC)와의 접속이 끊어질 수 있다.In such a case, the adhesion between the solar cell and the portion to which the interconnector (IC) is connected decreases, and the contact resistance can be increased. In severe cases, the connection between the solar cell and the interconnector (IC) can be cut off.

그러나, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 각 태양 전지와 인터커넥터(IC)가 복수의 태양 전지가 서로 연결되는 제1 방향(x)과 수직한 제2 방향(y)으로 돌출부(IC-P)와 함몰홈(또는 관통홀(PH))에 의해 물리적으로 서로 맞물려 있으므로, 각 태양 전지에 구비되는 제1, 2 보조 전극(P141, P142)이 열 팽창되더라도, 인터커넥터(IC)와 제1, 2 보조 전극(P141, P142) 사이의 접착력과 접촉 저항이 약해지는 것을 방지할 수 있다.However, in the solar cell module according to the present invention, each solar cell and an interconnector (IC) are provided with a protrusion IC-P in a second direction y perpendicular to the first direction x, Even if the first and second auxiliary electrodes P141 and P142 provided in each solar cell are thermally expanded by the recessed grooves (or the through holes PH) 2 auxiliary electrodes P141 and P142 and the contact resistance can be prevented from becoming weak.

이와 같은 인터커넥터(IC)는 각 태양 전지와의 접착력을 보다 강하하기 위해 돌출부(IC-P)의 형상을 다양하게 구현할 수 있다. 이에 대해 설명하면 다음과 같다.The shape of the projecting portion (IC-P) can be variously implemented in order to further lower the adhesive force with each solar cell. This is explained as follows.

도 3은 본 발명에 따른 인터커넥터(IC)에 구비되는 돌출부(IC-P)의 다양한 일례를 설명하기 위한 도이다.FIG. 3 is a view for explaining various examples of protrusions (IC-P) provided in the interconnector (IC) according to the present invention.

도 3의 (a)와 같이, 본 발명에 따른 인터커넥터(IC)의 돌출부(IC-P)는 폭이 일정할 수도 있지만, 인터커넥터(IC)의 돌출부(IC-P)가 제1, 2 보조 전극(P141, P142)의 함몰홈 또는 관통홀(PH)로부터 이탈되지 않도록 하기 위하여, 돌출부(IC-P)는 폭은 돌출부(IC-P)의 길이 방향에 따라 변화될 수 있다. As shown in FIG. 3A, the protrusion IC-P of the interconnector IC according to the present invention may have a constant width. However, The width of the projecting portion IC-P can be changed along the length direction of the projecting portion IC-P so that the projecting portion IC-P is not separated from the recessed groove or through hole PH of the auxiliary electrodes P141 and P142.

일례로, 도 3의 (b)에 도시된 바와 같이, 돌출부(IC-P)에서 끝단 부분의 폭(W1ICP)이 인터커넥터(IC)의 후면(IC-f2)에 인접한 부분의 폭(W2ICP)보다 클 수 있다.3B, the width W1ICP of the end portion of the projecting portion IC-P is smaller than the width W2ICP of the portion adjacent to the rear face IC-f2 of the inter connector IC, .

아울러, 돌출부(IC-P)가 함몰홈 또는 관통홀(PH)에 보다 용이하게 삽입되도록 하기 위하여, 도 3의 (c)에 도시된 바와 같이, 인터커넥터(IC)의 적어도 하나의 돌출부(IC-P) 끝단에는 홀(ICPH)이 형성될 수도 있다.3 (c), at least one protrusion (IC) of the interconnection IC (IC) is inserted into the recessed groove or through hole PH so that the protrusion IC- -P) may have a hole (ICPH) formed thereon.

이하에서는 이와 같은 돌출부(IC-P)를 구비하는 인터커넥터(IC)의 다양한 형태에 대해 설명한다.Hereinafter, various forms of the interconnector (IC) including such a protrusion IC-P will be described.

도 4는 본 발명에 따른 인터커넥터(IC)의 다양한 형태의 일례를 설명하기 위한 도이다.4 is a view for explaining one example of various forms of the interconnector (IC) according to the present invention.

본 발명에 따른 인터커넥터(IC)는 도 1 내지 도 2b에서 도시된 바와 같이, 제1 방향(x)으로의 폭이 일정한 형태를 가질 수도 있으나, 이외에도 본 발명에 따른 인터커넥터(IC)는 다양한 형태를 가질 수 있다.1 to 2B, the interconnector (IC) according to the present invention may have a constant width in the first direction (x). However, the interconnector And the like.

일례로, 인터커넥터(IC)는 제2 방향(y)에 따른 제1 방향(x)으로의 폭이 변화될 수 있다. 구체적으로, 도 4의 (a)에 도시된 바와 같이, 인터커넥터(IC)에서 제2 방향(y)에 따른 제1 방향(x)으로의 폭은 제1 폭(WIC1)을 갖는 부분과 제1 폭보다 큰 제2 폭(WIC2)을 갖는 부분을 가질 수 있다.In one example, the interconnector (IC) may vary in width in a first direction (x) along the second direction (y). Specifically, as shown in Fig. 4A, the width in the first direction x along the second direction y in the interconnector IC is equal to the width of the portion having the first width WIC1, And a second width WIC2 that is greater than one width.

여기서, 돌출부(IC-P)는 인터커넥터(IC)에서 제2 폭(WIC2)을 갖는 부분에 형성될 수 있다.Here, the projecting portion IC-P may be formed in the portion having the second width WIC2 in the interconnection IC.

아울러, 돌출부(IC-P)는 인터커넥터(IC)에서 제1, 2 보조 전극(P141, P142)과 접속하는 면, 일례로 후면(IC-f2)으로부터 돌출되는 형태를 가질 수도 있지만, 이와 다르게, 도 4의 (b)에 도시된 바와 같이, 돌출부(IC-P)는 인터커넥터(IC)에서 제2 폭(WIC2)을 갖는 부분의 끝단이 인터커넥터(IC)의 면 방향(x, y)과 수직한 방향(z)으로 굽어져 형성될 수도 있다.The protrusion IC-P may have a shape protruding from a surface connected to the first and second auxiliary electrodes P141 and P142, for example, the rear surface IC-f2 in the interconnection IC, The protruding portion IC-P is formed such that the end portion of the portion having the second width WIC2 in the inter connector IC is connected to the surface direction x, y of the interconnector IC In a direction (z) perpendicular to the longitudinal direction (z).

이하에서는 본 발명에 따른 태양 전지 모듈에서 열 배출부(300)에 대해 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, the heat discharging unit 300 in the solar cell module according to the present invention will be described in more detail.

도 5는 도 1에 도시된 태양 전지 모듈에서 열 배출부(300)의 일례를 설명하기 위한 도이다.5 is a view for explaining an example of the heat discharging unit 300 in the solar cell module shown in FIG.

본 발명에 따른 열 배출부(300)는 제1, 2 태양 전지(CE1, CE2) 각각의 후면에 배치될 수 있다.The heat discharging unit 300 according to the present invention may be disposed on the rear surface of each of the first and second solar cells CE1 and CE2.

이와 같은 열 배출부(300)는 도 5의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 바디부(300B)와 복수 개의 방출부(300P)를 구비할 수 있다.5 (a) and 5 (b), the heat discharging unit 300 may include a body part 300B and a plurality of discharging parts 300P.

여기서, 도 5의 (b)에 도시된 바와 같이, 바디부(300B)는 방출부(300P)가 형성되지 않는 면이 제1, 2 태양 전지(CE1, CE2) 각각의 절연성 부재(200) 후면에 부착될 수 있다.5B, the body part 300B is formed such that the surface on which the emitting part 300P is not formed is the rear surface of the insulating member 200 of each of the first and second solar cells CE1 and CE2, Lt; / RTI >

이와 같은 바디부(300B)의 제1 방향(x)으로의 길이는 태양 전지에 포함되는 절연성 부재(200)의 제1 방향(x)으로의 길이보다 길 수 있다.The length of the body portion 300B in the first direction x may be longer than the length of the insulating member 200 included in the solar cell in the first direction x.

아울러, 복수 개의 방출부(300P)는 바디부(300B)의 후면으로부터 돌출되어 형성될 수 있다.The plurality of discharge portions 300P may protrude from the rear surface of the body portion 300B.

이와 같은 열 배출부(300)는 열 전도성이 뛰어난 재질로 형성될 수 있으며, 일례로 금속으로 형성될 수 있다. 그러나, 반드시 금속에 한정되는 것은 아니고, 다른 재질이 이용될 수도 있다.The heat discharging unit 300 may be formed of a material having excellent thermal conductivity, for example, a metal. However, the material is not limited to metal, and other materials may be used.

이하에서는 이와 같은 태양 전지 모듈에 적용되는 태양 전지의 일례에 대해 설명한다. 그러나, 태양 전지가 반드시 이하에서 설명하는 구조에만 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, an example of a solar cell applied to such a solar cell module will be described. However, the solar cell is not necessarily limited to the structure described below.

도 6a 및 도 6b은 도 1에 도시된 태양 전지 모듈에 적용되는 태양 전지의 일례를 설명하기 위한 도이다.6A and 6B are views for explaining an example of a solar cell applied to the solar cell module shown in FIG.

도 6a은 본 발명의 일례에 따른 태양 전지의 일부 사시도이고, 도 6b은 도 6a에 도시한 태양 전지를 라인 6b-6b를 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 7는 도 6a 및 도 6b에서 설명한 태양 전지에서 각각 낱개로 접속될 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)의 전극 패턴에 관한 일례를 설명하기 위한 도이다. FIG. 6A is a partial perspective view of a solar cell according to an example of the present invention, FIG. 6B is a cross-sectional view cut along the line 6b-6b of the solar cell shown in FIG. 6A, FIG. 5 is a view illustrating an example of electrode patterns of the semiconductor substrate 110 and the insulating member 200 to be individually connected to each other in the battery.

여기서, 도 7의 (a)는 반도체 기판(110)의 후면에 배치되는 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)의 패턴 일례 설명하기 위한 도이고, 도 7의 (b)는 도 7의 (a)에서 7(b)-7(b) 라인에 따른 단면도이고, 도 7의 (c)는 절연성 부재(200)의 전면에 배치되는 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)의 패턴 일례을 설명하기 위한 도이고, 도 7의 (d)는 도 7의 (c)에서 7(d)-7(d) 라인에 따른 단면도이다.7A is a view for explaining an example of a pattern of the first electrode C141 and the second electrode C142 disposed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 and FIG. 7B is a sectional view taken along line 7B-7B of FIG. 7A. FIG. 7C is a sectional view of the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P141 disposed on the front surface of the insulating member 200, 7 (d) is a cross-sectional view taken along the line 7 (d) -7 (d) in FIG. 7 (c).

도 6a 및 도 6b를 참고로 하면, 본 발명에 따른 태양 전지의 일례는 반도체 기판(110), 반사 방지막(130), 에미터부(121), 후면 전계부(back surface field;BSF, 172), 복수의 제1 전극(C141), 복수의 제2 전극(C142), 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142)을 포함할 수 있다.6A and 6B, an example of a solar cell according to the present invention includes a semiconductor substrate 110, an antireflection film 130, an emitter section 121, a back surface field (BSF) 172, And may include a plurality of first electrodes C141, a plurality of second electrodes C142, a first auxiliary electrode P141, and a second auxiliary electrode P142.

여기서, 반사 방지막(130)과 후면 전계부(172)는 생략될 수도 있으며, 아울러, 반사 방지막(130)과 빛이 입사되는 반도체 기판(110) 사이에 위치하며, 반도체 기판(110)과 동일한 도전성 타입의 불순물이 반도체 기판(110)보다 높은 농도로 함유된 불순물부인 전면 전계부(미도시)를 더 구비하는 것도 가능하다.The antireflection film 130 and the backside electrical conductor 172 may be omitted and may be disposed between the antireflection film 130 and the semiconductor substrate 110 on which the light is incident, (Not shown), which is an impurity portion containing impurities of a higher concentration than that of the semiconductor substrate 110, may be further included.

이하에서는 도 6a 및 도 6b에 도시된 바와 같이 반사 방지막(130)과 후면 전계부(172)가 포함된 것을 일례로 설명한다.Hereinafter, as shown in FIGS. 6A and 6B, an anti-reflection film 130 and a rear electric field 172 are included.

반도체 기판(110)은 제1 도전성 타입, 예를 들어 n형 도전성 타입의 실리콘으로 이루어진 벌크형 반도체 기판(110)일 수 있다. 이와 같은 반도체 기판(110)은 실리콘 재질로 형성되는 웨이퍼에 제1 도전성 타입의 불순물이 도핑되어 형성될 수 있다. The semiconductor substrate 110 may be a bulk semiconductor substrate 110 made of silicon of a first conductivity type, for example, n-type conductive type. The semiconductor substrate 110 may be formed by doping a first conductivity type impurity into a wafer formed of a silicon material.

이러한 반도체 기판(110)의 상부 표면은 텍스처링되어 요철면인 텍스처링 표면(textured surface)을 가질 수 있다. 반사 방지막(130)은 반도체 기판(110)의 입사면 상부에 위치하며, 한층 또는 복수 층으로 이루어질 수 있으며, 수소화된 실리콘 질화막(SiNx:H) 등으로 이루어질 수 있다. 아울러, 추가적으로 반도체 기판(110)의 전면에 전면 전계부 등이 더 형성되는 것도 가능하다. The upper surface of the semiconductor substrate 110 may be textured to have a textured surface that is an uneven surface. The antireflection film 130 is disposed on the upper surface of the semiconductor substrate 110. The antireflection film 130 may be a single layer or a plurality of layers and may be formed of a hydrogenated silicon nitride film (SiNx: H) or the like. In addition, it is also possible that a front electric part or the like is further formed on the entire surface of the semiconductor substrate 110.

에미터부(121)는 전면과 마주보고 있는 반도체 기판(110)의 후면 내에 서로 이격되어 위치하며, 서로 나란한 방향으로 뻗어 있다. 이와 같은 에미터부(121)는 복수 개일 수 있으며, 복수의 에미터부(121)는 반도체 기판(110)의 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입일 수 있다.The emitter portions 121 are spaced apart from each other in the rear surface of the semiconductor substrate 110 facing the front surface, and extend in a direction parallel to each other. The plurality of emitter portions 121 may be a second conductive type which is opposite to the conductive type of the semiconductor substrate 110.

이와 같은 복수의 에미터부(121)는 결정질 실리콘 반도체 기판(110)의 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입인 p형의 불순물이 확산 공정을 통하여 고농도로 함유되어 형성될 수 있다.The plurality of emitter portions 121 may be formed by doping a p-type impurity of a second conductivity type opposite to the conductivity type of the crystalline silicon semiconductor substrate 110 at a high concentration through a diffusion process.

복수의 후면 전계부(172)는 반도체 기판(110)의 후면 내부에 복수 개가 위치할 수 있으며, 복수의 에미터부(121)와 나란한 방향으로 이격되어 형성되며 복수의 에미터부(121)와 동일한 방향으로 뻗어 있다. 따라서, 도 6a 및 도 6b에 도시한 것처럼, 반도체 기판(110)의 후면에서 복수의 에미터부(121)와 복수의 후면 전계부(172)는 교대로 위치한다.A plurality of rear electric field sections 172 may be disposed in the rear surface of the semiconductor substrate 110 and may be spaced apart from each other in a direction parallel to the plurality of emitter sections 121. In the same direction as the plurality of emitter sections 121, . Therefore, as shown in FIGS. 6A and 6B, a plurality of emitter portions 121 and a plurality of rear electric sections 172 are alternately arranged on the rear surface of the semiconductor substrate 110. [

복수의 후면 전계부(172)는 반도체 기판(110)과 동일한 도전성 타입의 불순물이 반도체 기판(110)보다 고농도로 함유한 불순물, 예를 들어 n++ 부이다. 이와 같은 복수의 후면 전계부(172)는 결정질 실리콘 반도체 기판(110)과 동일한 도전성 타입의 불순물(n++)이 확산 또는 증착 공정을 통하여 고농도로 함유되어 형성될 수 있다. The plurality of rear electric fields 172 are impurities, for example, n ++ parts, which contain impurities of the same conductivity type as that of the semiconductor substrate 110 at a higher concentration than the semiconductor substrate 110. The plurality of rear electric field sections 172 may be formed by doping impurity (n ++) of the same conductivity type as that of the crystalline silicon semiconductor substrate 110 through a diffusion or deposition process at a high concentration.

복수의 제1 전극(C141)은 에미터부(121)와 각각 물리적 및 전기적으로 연결되어 에미터부(121)를 따라서 서로 이격되어 연장된다. 따라서, 에미터부(121)가 제1 방향(x)으로 연장된 경우, 제1 전극(C141)도 제1 방향(x)으로 연장될 수 있고, 에미터부(121)가 제2 방향(y)으로 연장된 경우, 제1 전극(C141)도 제2 방향(y)으로 연장될 수 있다.The plurality of first electrodes C141 are physically and electrically connected to the emitter section 121 and extend apart from each other along the emitter section 121. [ The first electrode C141 may extend in the first direction x and the emitter portion 121 may extend in the second direction y when the emitter portion 121 extends in the first direction x. The first electrode C141 may extend in the second direction y.

또한, 복수의 제2 전극(C142)은 후면 전계부(172)를 통하여 반도체 기판(110)과 각각 물리적 및 전기적으로 연결되어 복수의 후면 전계부(172)를 따라서 연장된다. The plurality of second electrodes C142 are physically and electrically connected to the semiconductor substrate 110 through the rear electric section 172 and extend along the plurality of rear electric sections 172, respectively.

따라서, 후면 전계부(172)가 제1 방향(x)으로 연장된 경우, 제2 전극(C142)도 제1 방향(x)으로 연장될 수 있고, 후면 전계부(172)가 제2 방향(y)으로 연장된 경우, 제2 전극(C142)도 제2 방향(y)으로 연장될 수 있다.The second electrode C142 may extend in the first direction x and the backside electrical portion 172 may extend in the first direction x when the backside electrical portion 172 extends in the first direction x, y, the second electrode C142 may also extend in the second direction y.

여기서, 반도체 기판(110)의 후면 상에서 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)은 서로 물리적으로 이격되어, 전기적으로 격리되어 있다.Here, on the rear surface of the semiconductor substrate 110, the first electrode C141 and the second electrode C142 are physically separated from each other and electrically isolated.

따라서, 에미터부(121) 상에 형성된 제1 전극(C141)은 해당 에미터부(121)쪽으로 이동한 전하, 예를 들어, 정공을 수집하고, 후면 전계부(172) 상에 형성된 제2 전극(C142)은 해당 후면 전계부(172)쪽으로 이동한 전하, 예를 들어, 전자를 수집할 수 있다. The first electrode C141 formed on the emitter section 121 collects charges, for example, holes, which have migrated toward the emitter section 121, and the second electrode C141 formed on the rear electric section 172 C142 may collect electrons, e. G., Electrons, that have migrated toward the backside electrical portion 172. [

제1 보조 전극(P141)은 도 7의 (c)에 도시된 바와 같이, 제1 접속부(PC141)와 제1 패드부(PP141)를 포함하고, 도 6a 및 도 6b에 도시된 바와 같이, 제1 접속부(PC141)는 복수의 제1 전극(C141)과 연결되며, 제1 패드부(PP141)는 도 7의 (c)에 도시된 바와 같이, 일단이 제1 접속부(PC141)의 끝단에 연결되며, 타단이 인터커넥터(IC)와 접속될 수 있다. As shown in FIG. 7C, the first auxiliary electrode P141 includes a first connecting portion PC141 and a first pad portion PP141. As shown in FIGS. 6A and 6B, The first connection part PC141 is connected to the plurality of first electrodes C141 and the first pad part PP141 is connected at one end to the end of the first connection part PC141 as shown in FIG. And the other end can be connected to the inter-connector (IC).

이와 같은 제1 접속부(PC141)는 복수 개로 형성되어 각각이 복수 개의 제1 전극(C141)에 접속될 수도 있고, 이와 다르게 하나의 통 전극으로 형성되어, 하나의 통 전극에 복수 개의 제1 전극(C141)이 접속될 수도 있다. The first connection unit PC141 may be formed as a plurality of first connection units PC141 and may be connected to the plurality of first electrodes C141. Alternatively, the first connection units PC141 may be formed as one barrel electrode, C141 may be connected.

아울러, 제1 접속부(PC141)가 복수 개로 형성된 경우, 제1 접속부(PC141)는 복수의 제1 전극(C141)과 동일한 방향으로 형성될 수도 있고, 교차하는 방향으로 형성될 수도 있다. 이때, 이와 같은 제1 접속부(PC141)는 제1 전극(C141)과 중첩되는 부분에서 서로 전기적으로 연결될 수 있다. In addition, when a plurality of first connection parts (PC 141) are formed, the first connection part (PC 141) may be formed in the same direction as the plurality of first electrodes (C 141), or may be formed in an intersecting direction. At this time, the first connection unit (PC 141) may be electrically connected to each other at a portion overlapping with the first electrode (C 141).

제2 보조 전극(P142)은 도 7의 (c)에 도시된 바와 같이, 제2 접속부(PC142)와 제2 패드부(PP142)를 포함할 수 있다. 도 6a 및 도 6b에 도시된 바와 같이, 제2 접속부(PC142)는 복수의 제2 전극(C142)과 연결되며, 제2 패드부(PP142)는 도 7의 (c)에 도시된 바와 같이, 일단이 제2 접속부(PC142)의 끝단에 연결되며, 타단이 인터커넥터(IC)와 접속될 수 있다. The second auxiliary electrode P142 may include a second connection portion PC142 and a second pad portion PP142 as shown in FIG. 7C. 6A and 6B, the second connection unit PC 142 is connected to the plurality of second electrodes C 142, and the second pad unit PP 142 is connected to the second electrodes C 142, as shown in FIG. 7C, One end may be connected to the end of the second connection unit (PC 142), and the other end may be connected to the interconnector (IC).

이와 같은 제2 접속부(PC142)도 도시된 바와 같이, 복수 개로 형성되어 각각이 복수 개의 제2 전극(C142)에 접속될 수도 있고, 도시된 바와 다르게 하나의 통 전극으로 형성되어, 하나의 통 전극에 복수 개의 제2 전극(C142)이 접속될 수도 있다.As shown in the figure, the second connection unit PC 142 may be formed as a plurality of second connection units PC 142, each of which may be connected to the plurality of second electrodes C 142, A plurality of second electrodes C142 may be connected.

여기서, 제2 접속부(PC142)가 복수 개로 형성된 경우, 제2 접속부(PC142)는 복수의 제2 전극(C142)과 동일한 방향으로 형성될 수도 있고, 교차하는 방향으로 형성될 수도 있다. 이때, 제2 접속부(PC142)는 제2 전극(C142)과 중첩되는 부분에서 서로 전기적으로 연결될 수 있다. Here, when a plurality of second connecting portions PC 142 are formed, the second connecting portions PC 142 may be formed in the same direction as the plurality of second electrodes C 142, or may be formed in an intersecting direction. At this time, the second connection unit (PC 142) may be electrically connected to each other at a portion overlapping the second electrode (C 142).

이와 같은 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142)의 재질은 Cu, Au, Ag, Al 중 적어도 어느 하나를 포함하여 형성될 수 있다.The first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142 may be formed of at least one of Cu, Au, Ag, and Al.

아울러, 전술한 제1 보조 전극(P141)은 도전성 재질의 전극 연결재(ECA)를 통하여 제1 전극(C141)에 전기적으로 연결될 수 있으며, 제2 보조 전극(P142)은 도전성 재질의 전극 연결재(ECA)를 통하여 제2 전극(C142)에 전기적으로 연결될 수 있다.The first auxiliary electrode P141 may be electrically connected to the first electrode C141 through an electrically conductive electrode coupling material ECA and the second auxiliary electrode P142 may be electrically connected to the electrode coupling material ECA To the second electrode (C142).

이와 같은 전극 연결재(ECA)의 재질은 전도성 물질이면, 특별한 제한이 없으나, 상대적으로 낮은 온도인 130℃ ~ 250℃에서도 녹는점이 형성되는 도전성 물질이 더 바람직하고, 일례로, 솔더 페이스트(solder paste), 금속 입자를 포함하는 도전성 접착재, 탄소 나노 튜브(carbon nano tube, CNT), 탄소를 포함하는 전도성 입자, wire, needle 등이 이용될 수 있다. The material of the electrode connection material (ECA) is not particularly limited as long as it is a conductive material. However, a conductive material having a melting point at a relatively low temperature of 130 ° C to 250 ° C is more preferable. For example, Conductive adhesives including metal particles, carbon nanotubes (CNTs), conductive particles including carbon, wires, needles, and the like can be used.

또한, 전술한 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142) 사이 및 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142) 사이에는 단락을 방지하는 절연층(IL)이 위치할 수 있다. 이와 같은 절연층(IL)은 에폭시 수지일 수 있다.An insulating layer IL for preventing a short circuit may be disposed between the first electrode C141 and the second electrode C142 and between the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142 . The insulating layer IL may be an epoxy resin.

아울러, 도 6a 및 도 6b에서는 제1 전극(C141)과 제1 보조 전극(P141)의 제1 접속부(PC141)가 서로 중첩되고, 제2 전극(C142)과 제2 보조 전극(P142)의 제2 접속부(PC142)가 중첩되는 경우만 도시하고 있으나, 이와 다르게 제1 전극(C141)과 제2 접속부(PC142)가 서로 중첩될 수 있고, 제2 전극(C142)과 제1 접속부(PC141)가 서로 중첩될 수도 있다. 이와 같은 경우, 제1 전극(C141)과 제2 접속부(PC142) 사이 및 제2 전극(C142)과 제1 접속부(PC141) 사이에는 단락을 방지하기 위하여 절연층(IL)이 위치할 수 있다.6A and 6B, the first connection C141 of the first auxiliary electrode P141 overlaps the first connection C141 of the first auxiliary electrode P141 and the second connection C142 of the second auxiliary electrode P142 The first electrode C141 and the second connection unit PC 142 may overlap each other and the second electrode C142 and the first connection unit PC141 may be overlapped with each other. They may overlap each other. In this case, the insulating layer IL may be disposed between the first electrode C141 and the second connecting portion PC142 and between the second electrode C142 and the first connecting portion PC141 to prevent a short circuit.

이와 같은 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)은 반도체 제조 공정이 이용되지 않고, 전극 연결재(ECA)에 130℃ ~ 250℃ 사이의 열과 압력을 가하는 열처리 공정에 의해 형성될 수 있다. The first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142 may be formed by a heat treatment process that applies heat and pressure between 130 ° C and 250 ° C to the electrode connecting material ECA, have.

절연성 부재(200)는 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)의 후면에 배치될 수 있다. The insulating member 200 may be disposed on the rear surface of the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142.

이와 같은 절연성 부재(200)의 재질은 절연성 재질이면 특별한 제한이 없으나, 상대적으로 녹는점이 전극 연결재(ECA)보다 높은 것이 바람직할 수 있으며, 일례로, 절연성 부재(200)의 녹는점은 300℃ 이상이 되는 절연성 재질로 형성될 수 있다. 보다 구체적으로 일례로, 고온에 대해 내열성 있는 polyimide, epoxy-glass, polyester, BT(bismaleimide triazine) 레진 중 적어도 하나의 재질을 포함하여 형성될 수 있다.The melting point of the insulating member 200 is preferably not less than 300 DEG C, more preferably not less than 300 DEG C, more preferably not less than 300 DEG C, As shown in Fig. More specifically, it may be formed of at least one material selected from the group consisting of heat resistant polyimide, epoxy-glass, polyester, and BT (bismaleimide triazine) resin.

이와 같은 절연성 부재(200)는 유연한(flexible) 필름 형태로 형성되거나 유연하지 않고 단단한 플레이트(plate) 형태로 형성될 수 있다.Such an insulating member 200 may be formed in the form of a flexible film or in the form of a hard plate rather than a flexible one.

이와 같은 본 발명에 따른 태양 전지는 절연성 부재(200)의 전면에 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)이 미리 형성되고, 반도체 기판(110)의 후면에 복수의 제1 전극(C141) 및 복수의 제2 전극(C142)이 미리 형성된 상태에서, 절연성 부재(200)와 반도체 기판(110)이 각각 낱개로 접속되어 하나의 개별 소자로 형성될 수 있다. In the solar cell according to the present invention, a first auxiliary electrode P141 and a second auxiliary electrode P142 are formed in advance on the entire surface of the insulating member 200, and a plurality of first electrodes The insulating member 200 and the semiconductor substrate 110 may be connected to each other to form a single discrete element in a state in which the plurality of second electrodes C141 and the plurality of second electrodes C142 are formed in advance.

즉, 하나의 절연성 부재(200)에 부착되어 접속되는 반도체 기판(110)은 하나일 수 있고, 이와 같은 하나의 절연성 부재(200)와 하나의 반도체 기판(110)은 서로 부착되어 하나의 일체형 개별 소자로 형성되어 하나의 태양 전지 셀을 형성할 수 있다.That is, there may be one semiconductor substrate 110 attached to and connected to one insulating member 200, and one insulating member 200 and one semiconductor substrate 110 are attached to each other to form one integrated type So that one solar cell can be formed.

보다 구체적으로 설명하면, 하나의 절연성 부재(200)와 하나의 반도체 기판(110)을 서로 부착하여 하나의 일체형 개별 소자로 형성하는 공정에 의해, 하나의 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 복수의 제1 전극(C141)과 복수의 제2 전극(C142) 각각은 하나의 절연성 부재(200)의 전면에 형성된 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142)과 부착되어 전기적으로 서로 연결될 수 있다. More specifically, a plurality of (a plurality of) semiconductor elements 110 are formed on the back surface of one semiconductor substrate 110 by a process of attaching one insulating member 200 and one semiconductor substrate 110 to each other, The first electrode C141 and the plurality of second electrodes C142 are attached to the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142 formed on the front surface of one insulating member 200 and electrically connected to each other .

이와 같은 본 발명에 따른 태양 전지에서, 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142) 각각의 두께(T2)는 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142) 각각의 두께(T1)보다 클 수 있다. In the solar cell according to the present invention, the thickness T2 of each of the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142 is less than the thickness T1 of each of the first electrode C141 and the second electrode C142 ).

이와 같이, 제1 접속부(PC141)와 제2 접속부(PC142) 각각의 두께(T2)를 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142) 각각의 두께(T1)보다 크게 함으로써, 태양 전지 제조 공정 시간을 보다 단축할 수 있고, 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)을 반도체 기판(110)의 후면에 바로 형성하는 것보다 기판에 대한 열팽창 스트레스를 보다 감소시킬 수 있어, 태양 전지의 효율을 보다 향상시킬 수 있다.As described above, by making the thickness T2 of each of the first connecting portion PC141 and the second connecting portion PC142 larger than the thickness T1 of each of the first electrode C141 and the second electrode C142, It is possible to further reduce the thermal expansion stress on the substrate than to directly form the first electrode C141 and the second electrode C142 on the rear surface of the semiconductor substrate 110, The efficiency can be further improved.

여기서, 절연성 부재(200)는 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)을 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)에 접착시킬 때에, 공정을 보다 용이하게 도와주는 역할을 한다.Here, the insulating member 200 is formed by bonding the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142 to the first electrode C141 and the second electrode C142 formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 , And helps the process more easily.

즉, 반도체 제조 공정으로 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)이 형성된 반도체 기판(110)의 후면에 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)이 형성된 절연성 부재(200)의 전면을 부착시켜 접속시킬 때에, 절연성 부재(200)는 얼라인 공정이나 접착 공정을 보다 용이하게 도와줄 수 있다.That is, the insulating member 200 (200) having the first auxiliary electrode P141 and the second auxiliary electrode P142 formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 in which the first electrode C141 and the second electrode C142 are formed in the semiconductor manufacturing process , The insulating member 200 can facilitate the alignment process and the bonding process more easily.

이와 같은 구조로 제조된 본 발명에 따른 태양 전지에서 제1 보조 전극(P141)을 통하여 수집된 정공과 제2 보조 전극(P142)을 통하여 수집된 전자는 외부의 회로 장치를 통하여 외부 장치의 전력으로 이용될 수 있다.The holes collected through the first auxiliary electrode P141 and the electrons collected through the second auxiliary electrode P142 in the solar cell according to the present invention manufactured by such a structure are electrically connected to the external device through the external circuit device Can be used.

지금까지는 반도체 기판(110)이 결정질 실리콘 반도체 기판(110)이고, 에미터부(121)와 후면 전계부(172)가 확산 공정을 통하여 형성된 경우를 예로 설명하였다.The case where the semiconductor substrate 110 is the crystalline silicon semiconductor substrate 110 and the emitter section 121 and the rear electric section 172 are formed through the diffusion process has been described as an example.

그러나, 이와 다르게 비정질 실리콘 재질로 형성된 에미터부(121)와 후면 전계부(172)가 결정질 반도체 기판(110)과 접합하는 이종 접합 태양 전지나, 에미터부(121)가 반도체 기판(110)의 전면에 위치하고, 반도체 기판(110)에 형성된 복수의 비아홀을 통해 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제1 전극(C141)과 연결되는 구조의 태양 전지에서도 본 발명이 동일하게 적용될 수 있다.Alternatively, the heterojunction solar cell in which the emitter layer 121 and the rear electric layer 172 formed of an amorphous silicon material are bonded to the crystalline semiconductor substrate 110, or the emitter layer 121 is formed on the front surface of the semiconductor substrate 110 And is connected to the first electrode C141 formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 through a plurality of via holes formed in the semiconductor substrate 110, the present invention can be similarly applied.

이와 같은 구조를 갖는 태양 전지는 인터커넥터(IC)에 의해 서로 인접하는 태양 전지를 연결할 수 있으며, 이에 따라 복수 개의 태양 전지가 직렬로 연결될 수 있다.A solar cell having such a structure can connect solar cells adjacent to each other by an interconnect (IC), and thus a plurality of solar cells can be connected in series.

한편, 이와 같은 구조에서, 반도체 기판(110)의 후면에 형성되는 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)의 패턴과, 절연성 부재(200)의 전면에 형성되는 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142)의 패턴에 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.In this structure, a pattern of the first electrode C141 and the second electrode C142 formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 and a pattern of the first auxiliary electrode P141 And the second auxiliary electrode P142 will be described in more detail as follows.

도 7의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같은 하나의 반도체 기판(110)의 후면에 도 7의 (c) 및 (d)에 도시된 바와 같은 하나의 절연성 부재(200)의 전면이 부착되어 접속됨으로써, 본 발명에 따른 태양 전지는 하나의 일체형 개별 소자를 형성할 수 있다. 즉, 절연성 부재(200)와 반도체 기판(110)은 1:1로 결합 또는 부착될 수 있다.A front surface of one insulating member 200 as shown in FIGS. 7C and 7D is formed on the back surface of one semiconductor substrate 110 as shown in FIGS. 7A and 7B, By attaching and connecting, the solar cell according to the present invention can form one integrated discrete element. That is, the insulating member 200 and the semiconductor substrate 110 may be bonded or attached at a ratio of 1: 1.

이때, 도 7의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 도 6a 및 도 6b에서 설명한 태양 전지의 반도체 기판(110)의 후면에는 복수 개의 제1 전극(C141)과 복수 개의 제2 전극(C142)이 서로 이격되어 제1 방향(x)으로 길게 형성될 수 있다.7A and 7B, a plurality of first electrodes C141 and a plurality of second electrodes C141 are formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 of the solar cell illustrated in FIGS. 6A and 6B, (C142) may be spaced apart from each other and elongated in the first direction (x).

아울러, 도 7의 (c) 및 (d)에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 절연성 부재(200)의 전면에는 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)이 형성될 수 있다.7 (c) and 7 (d), a first auxiliary electrode P141 and a second auxiliary electrode P142 may be formed on the front surface of the insulating member 200 according to the present invention .

여기서, 전술한 바와 같이, 제1 보조 전극(P141)은 제1 접속부(PC141)와 제1 패드부(PP141)를 포함하고, 도 7의 (c)에 도시된 바와 같이, 제1 접속부(PC141)는 제1 방향(x)으로 길게 형성될 수 있으며, 제1 패드부(PP141)는 제2 방향(y)으로 길게 형성되며, 일단이 제1 접속부(PC141)의 끝단에 연결되며, 타단은 인터커넥터(IC)에 접속될 수 있다.Here, as described above, the first auxiliary electrode P141 includes the first connecting portion PC141 and the first pad portion PP141, and the first connecting portion PC141, May be elongated in the first direction x. The first pad portion PP141 may be elongated in the second direction y and may have one end connected to the end of the first connection portion PC141, And can be connected to an inter-connector (IC).

아울러, 제2 보조 전극(P142)도 제2 접속부(PC142)와 제2 패드부(PP142)를 포함하고, 도 7의 (c)에 도시된 바와 같이, 제2 접속부(PC142)는 제1 접속부(PC141)와 이격되어 제1 방향(x)으로 길게 형성될 수 있으며, 제2 패드부(PP142)는 제2 방향(y)으로 길게 형성되며, 일단이 제2 접속부(PC142)의 끝단에 연결되며, 타단은 인터커넥터(IC)에 접속될 수 있다.In addition, the second auxiliary electrode P142 also includes a second connecting portion PC142 and a second pad portion PP142. As shown in FIG. 7C, the second connecting portion PC142 includes a first connecting portion The second pad portion PP142 may be formed to be elongated in the second direction y and may have one end connected to the end of the second connection portion PC142, And the other end can be connected to the inter-connector (IC).

여기서, 제1 접속부(PC141)와 제2 패드부(PP142)는 서로 이격되고, 제2 접속부(PC142)와 제1 패드부(PP141)도 서로 이격될 수 있다.Here, the first connection portion PC141 and the second pad portion PP142 may be spaced from each other, and the second connection portion PC142 and the first pad portion PP141 may be spaced apart from each other.

따라서, 절연성 부재(200)의 전면에서, 제1 방향(x)의 양끝단 중 일단에는 제1 패드부(PP141)가 형성되고, 타단에는 제2 패드부(PP142)가 형성될 수 있다. Therefore, on the front surface of the insulating member 200, the first pad portion PP141 may be formed at one end of the both ends of the first direction x and the second pad portion PP142 may be formed at the other end thereof.

이와 같이 본 발명에 따른 태양 전지는 하나의 반도체 기판(110)에 하나의 절연성 부재(200)만 결합되어, 하나의 일체형 개별 소자를 형성함으로써, 태양 전지 모듈 제조 공정을 보다 용이하게 할 수 있으며, 태양 전지 모듈 제조 공정 중에 어느 하나의 태양 전지에 포함된 반도체 기판(110)이 파손되거나 결함이 발생하더라도 하나의 일체형 개별 소자로 형성되는 해당 태양 전지만 교체할 수 있고, 공정 수율을 보다 향상시킬 수 있다. As described above, in the solar cell according to the present invention, only one insulating member 200 is coupled to one semiconductor substrate 110 to form one integrated individual element, thereby making it easier to manufacture the solar cell module, Even if the semiconductor substrate 110 included in one of the solar cells is broken or defects are generated during the manufacturing process of the solar cell module, only the corresponding solar cell formed by one integrated type individual element can be replaced and the process yield can be further improved have.

아울러, 이와 같이, 하나의 일체형 개별 소자로 형성되는 태양 전지는 제조 공정시 반도체 기판(110)에 가해지는 열팽창 스트레스를 최소화할 수 있다.In addition, the solar cell formed by the single integrated device can minimize the thermal stress applied to the semiconductor substrate 110 during the manufacturing process.

여기서, 절연성 부재(200)의 면적을 반도체 기판(110)의 면적과 동일하거나 크게 함으로써, 태양 전지와 태양 전지를 서로 연결할 때에, 절연성 부재(200)의 전면에 인터커넥터(IC)가 부착될 수 있는 영역을 충분히 확보할 수 있다. 이를 위해, 절연성 부재(200)의 면적은 반도체 기판(110)의 면적보다 클 수 있다.Here, when the area of the insulating member 200 is equal to or larger than the area of the semiconductor substrate 110, an interconnector (IC) may be attached to the front surface of the insulating member 200 when the solar cell and the solar cell are connected to each other It is possible to secure a sufficient area. For this, the area of the insulating member 200 may be larger than the area of the semiconductor substrate 110.

이를 위해, 절연성 부재(200)의 제1 방향(x)으로의 길이를 반도체 기판(110)의 제1 방향(x)으로의 길이보다 길게 할 수 있다. The length of the insulating member 200 in the first direction x may be longer than the length of the semiconductor substrate 110 in the first direction x.

이와 같은 반도체 기판(110)의 후면과 절연성 부재(200)의 전면은 서로 부착되어, 제1 전극(C141)과 제1 보조 전극(P141)이 서로 연결되고, 제2 전극(C142)과 제2 보조 전극(P142)이 서로 연결될 수 있다. The rear surface of the semiconductor substrate 110 and the front surface of the insulating member 200 are adhered to each other so that the first electrode C141 and the first auxiliary electrode P141 are connected to each other and the second electrode C142 and the second The auxiliary electrode P142 may be connected to each other.

한편, 본 발명에 따른 태양 전지는 이와 같은 구조에서 제1, 2 보조 전극(P141, P142)의 끝단에 적어도 하나의 함몰홈 또는 관통홀(PH)이 형성될 수 있다.Meanwhile, in the solar cell according to the present invention, at least one recessed groove or through hole PH may be formed at the end of the first and second auxiliary electrodes P141 and P142.

여기서, 제1, 2 보조 전극(P141, P142)의 끝단은 인터커넥터(IC)가 접속되는 제1, 2 패드부(PP141, PP142)일 수 있다. 따라서, 적어도 하나의 함몰홈 또는 관통홀(PH)은 도 7의 (c)에 도시된 바와 같이, 제1, 2 패드부(PP141, PP142)에 형성될 수 있다. 이때, 함몰홈 또는 관통홀(PH)이 복수 개인 경우, 복수 개의 함몰홈 또는 관통홀(PH)은 제2 방향(y)으로 배열될 수 있다.The ends of the first and second auxiliary electrodes P141 and P142 may be first and second pad portions PP141 and PP142 to which an interconnection IC is connected. Accordingly, at least one depression groove or through hole PH may be formed in the first and second pad portions PP141 and PP142, as shown in Fig. 7C. At this time, when there are a plurality of depressed grooves or through holes PH, a plurality of depressed grooves or through holes PH may be arranged in the second direction y.

도 8은 도 7에 도시된 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)가 서로 접속된 상태를 설명하기 위한 도이고, 도 9a는 도 8에서 9a-9a 라인의 단면을 도시한 것이고, 도 9b는 도 8에서 9b-9b 라인의 단면을 도시한 것이고, 도 9c는 도 8에서 9c-9c 라인의 단면을 도시한 것이다.FIG. 8 is a view for explaining a state in which the semiconductor substrate 110 and the insulating member 200 shown in FIG. 7 are connected to each other. FIG. 9A is a cross-sectional view taken along line 9a-9a in FIG. Sectional view taken along line 9b-9b in Fig. 8, and Fig. 9c shows a cross-sectional view taken along line 9c-9c in Fig.

도 8에 도시된 바와 같이, 하나의 반도체 기판(110)이 하나의 절연성 부재(200)에 완전히 중첩되어 접속될 수 있고, 이에 따라 하나의 태양 전지 개별 소자가 형성될 수 있다.As shown in FIG. 8, one semiconductor substrate 110 can be completely overlapped and connected to one insulating member 200, so that one solar cell individual element can be formed.

이에 따라, 도 9a에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제1 전극(C141)과 절연성 부재(200)의 전면에 형성된 제1 접속부(PC141)는 서로 중첩되며, 전극 연결재(ECA)에 의해 서로 전기적으로 연결될 수 있다.9A, the first electrode C141 formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 and the first connection portion PC141 formed on the front surface of the insulating member 200 are overlapped with each other, ECA). &Lt; / RTI >

아울러, 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제2 전극(C142)과 절연성 부재(200)의 전면에 형성된 제2 접속부(PC142)도 서로 중첩되며, 전극 연결재(ECA)에 의해 서로 전기적으로 연결될 수 있다.The second electrode C142 formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110 and the second connection part PC142 formed on the front surface of the insulating member 200 are overlapped with each other and electrically connected to each other by the electrode connector ECA. have.

또한, 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142) 사이의 서로 이격된 공간에는 절연층(IL)이 채워질 수 있고, 제1 접속부(PC141)와 제2 접속부(PC142) 사이의 이격된 공간에도 절연층(IL)이 채워질 수 있다.The spacing between the first electrode C141 and the second electrode C142 may be filled with an insulating layer IL and the spacing between the first connecting portion PC141 and the second connecting portion PC 142 The insulating layer IL may be filled.

아울러, 도 9b에 도시된 바와 같이, 제2 접속부(PC142)와 제1 패드부(PP141) 사이의 이격된 공간에도 절연층(IL)이 채워질 수 있으며, 도 9c에 도시된 바와 같이, 제1 접속부(PC141)와 제2 패드부(PP142) 사이의 이격된 공간에도 절연층(IL)이 채워질 수 있다.9B, the insulating layer IL may be filled in the spaced space between the second connection portion PC 142 and the first pad portion PP141. As shown in FIG. 9C, The insulating layer IL may be filled in the spaced space between the connection portion PC141 and the second pad portion PP142.

아울러, 도 8에 도시된 바와 같이, 제1 패드부(PP141)와 제2 패드부(PP142) 각각은 반도체 기판(110)과 중첩되는 제1 영역(PP141-S1, PP142-S1)과, 반도체 기판(110)과 중첩되지 않는 제2 영역(PP141-S2, PP142-S2)을 포함할 수 있다.8, each of the first pad portion PP141 and the second pad portion PP142 includes first regions PP141-S1 and PP142-S1 overlapping the semiconductor substrate 110, And a second region PP141-S2, PP142-S2 that do not overlap with the substrate 110. [

이와 같이, 인터커넥터(IC)와 연결될 수 있는 공간을 확보하기 위하여 마련된 제1 패드부(PP141)의 제2 영역(PP141-S2) 및 제2 패드부(PP142)의 제2 영역(PP142-S2)에 인터커넥터(IC)가 연결될 수 있다. As described above, the second region PP141-S2 of the first pad portion PP141 and the second region PP142-S2 of the second pad portion PP142, which are provided for securing a space to be connected to the interconnector IC, (IC) can be connected.

따라서, 도 8, 도 9b 및 도 9c에 도시된 바와 같이, 제1, 2 패드부(PP141, PP142)에 형성된 적어도 하나의 함몰홈 또는 관통홀(PH)은 제1, 2 패드부(PP141, PP142) 각각의 제2 영역(PP141-S2, PP142-S2)에 위치할 수 있다.Therefore, as shown in FIGS. 8, 9B and 9C, at least one recessed groove or through hole PH formed in the first and second pad portions PP141 and PP142 is formed in the first and second pad portions PP141, PP142-PP142-PP142-S2, respectively.

본 발명에 따른 제1 패드부(PP141)와 제2 패드부(PP142) 각각은 제2 영역(PP141-S2, PP142-S2)을 구비함으로써, 인터커넥터(IC)를 보다 용이하게 연결할 수 있으며, 아울러, 인터커넥터(IC)를 연결할 때에, 반도체 기판(110)에 대한 열팽창 스트레스를 최소화할 수 있다.Since the first pad portion PP141 and the second pad portion PP142 according to the present invention include the second regions PP141-S2 and PP142-S2, the interconnector IC can be connected more easily, In addition, thermal expansion stress on the semiconductor substrate 110 can be minimized when the interconnector (IC) is connected.

지금까지는 반도체 기판(110)에 형성된 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)이 절연성 부재(200)에 형성된 제1 접속부(PC141) 및 제2 접속부(PC142)와 나란한 방향으로 중첩되어 연결되는 경우에 대해 설명하였으나, 이와 다르게, 반도체 기판(110)에 형성된 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)이 절연성 부재(200)에 형성된 제1 접속부(PC141) 및 제2 접속부(PC142)와 교차하는 방향으로 중첩되어 접속할 수도 있다. The first electrode C141 and the second electrode C142 formed on the semiconductor substrate 110 are overlapped in the direction parallel to the first connecting portion PC141 and the second connecting portion PC142 formed on the insulating member 200, The first electrode C141 and the second electrode C142 formed on the semiconductor substrate 110 are electrically connected to the first connection portion PC141 and the second connection portion PC142 formed on the insulating member 200, In the direction intersecting with the direction of the arrows.

또한, 도시된 바와 다르게 제1 접속부(PC141)와 제2 접속부(PC142)가 복수 개로 형성되지 않고, 하나의 통전극으로 형성될 수 있으며, 하나의 통전극에는 복수 개의 제1 전극(C141) 또는 제2 전극(C142)이 접속될 수 있다.In addition, as shown in the drawing, the first connection unit PC141 and the second connection unit PC142 may not be formed in plural, but may be formed as a single tubular electrode, and a plurality of first electrodes C141 and / And the second electrode C142 may be connected.

지금까지는 제1 패드부(PP141)와 제2 패드부(PP142)가 각각 하나로만 형성된 경우를 일례로 설명하였으나, 이와 다르게, 제1 패드부(PP141)와 제2 패드부(PP142)가 각각 복수 개로 형성될 수도 있다. 복수 개로 형성된 제1 패드부(PP141) 또는 제2 패드부(PP142) 각각에 복수 개의 제1 접속부(PC141) 또는 복수 개의 제2 접속부(PC142)가 연결될 수도 있다. Although the first pad unit PP141 and the second pad unit PP142 have been described only as one example, the first pad unit PP141 and the second pad unit PP142 may have a plurality of May be formed. A plurality of first connection portions PC141 or a plurality of second connection portions PC142 may be connected to the first pad portion PP141 or the second pad portion PP142 formed in a plurality.

따라서, 제1 패드부(PP141)와 제2 패드부는 산화 방지막(IC1-AO, IC2-AO)이 코팅된 인터커넥터(IC)의 끝단에 직접 접속될 수 있다.Therefore, the first pad portion PP141 and the second pad portion can be directly connected to the end of the interconnection IC coated with the oxidation preventing films IC1-AO and IC2-AO.

아울러, 도 6a 내지 도 9c에서는 본 발명에 따른 태양 전지에서 절연성 부재(200)가 구비된 경우를 일례로 도시하고 설명하였으나, 이와 다르게, 절연성 부재(200)는 반도체 기판(110)의 후면에 절연성 부재(200)가 접속되어, 제1, 2 전극(C141, C142)과 제1, 2 보조 전극(P141, P142)이 서로 접속된 이후 제거될 수 있고, 이와 같이, 절연성 부재(200)가 제거된 상태에서 인터커넥터(IC)가 도 1 내지 도 5에서 설명한 바와 같이 제1 보조 전극(P141) 또는 제2 보조 전극(P142)에 접속될 수 있다.6A to 9C illustrate and illustrate the case where the insulating member 200 is provided in the solar cell according to the present invention. Alternatively, the insulating member 200 may be formed on the rear surface of the semiconductor substrate 110, The member 200 may be connected and removed after the first and second electrodes C141 and C142 and the first and second auxiliary electrodes P141 and P142 are connected to each other, The interconnector IC may be connected to the first auxiliary electrode P141 or the second auxiliary electrode P142 as described in FIGS.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정, 변경 및 치환이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예 및 첨부된 도면들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예 및 첨부된 도면에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications, substitutions and substitutions are possible, without departing from the scope and spirit of the invention as disclosed in the accompanying claims. will be. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention and the accompanying drawings are intended to illustrate and not to limit the technical spirit of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments and the accompanying drawings . The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.

Claims

A semiconductor device comprising: a semiconductor substrate; a plurality of first electrodes and a plurality of second electrodes spaced apart from each other on a rear surface of the semiconductor substrate; a first auxiliary electrode connected to the plurality of first electrodes; A first solar cell and a second solar cell including an insulating member having an auxiliary electrode; And
And an interconnector electrically connecting the first solar cell and the second solar cell to each other,
In each of the first solar cell and the second solar cell, at least one recessed groove or a through hole is formed at an end of each of the first and second auxiliary electrodes,
Wherein a part of the interconnector is physically inserted into at least one depression groove or a through hole formed at an end of the first and second auxiliary electrodes.

The method according to claim 1,
Wherein the interconnector includes at least one protrusion protruding from a surface of the interconnector in a direction in which the at least one depression groove or a through hole is formed in a portion connected to the first and second auxiliary electrodes.

3. The method of claim 2,
And a hole is formed at an end of at least one protrusion of the interconnector.

The method according to claim 1,
The solar cell module
And a lens disposed on a front surface of each of the first solar cell and the second solar cell and collecting light incident from the outside in a direction in which the semiconductor substrate is formed.

The method according to claim 1,
The solar cell module
And a heat discharging unit for discharging heat generated from the solar cell to the rear surface of the insulating member included in each of the first and second solar cells.

6. The method of claim 5,
Wherein the heat discharging part has a body part having one surface attached to the rear surface of the solar cell
And a plurality of discharge portions protruding from the body portion.

3. The method of claim 2,
In each of the first and second solar cells,
The first auxiliary electrode
A first connection part connected to the first electrode;
And a first pad portion having one end connected to an end of the first connection portion and the other end connected to the interconnector,
The second auxiliary electrode
A second connection part connected to the second electrode,
And a second pad portion having one end connected to an end of the second connection portion and the other end connected to the interconnector.

8. The method of claim 7,
Wherein at least one depression groove or a through hole is formed in each of the first and second pad portions, and at least one protrusion of the inter connector is inserted.

8. The method of claim 7,
Wherein portions of the interconnector and the first and second pad portions overlapping each other are connected to each other by an interconnecting connector of a conductive material.

A semiconductor substrate;
A plurality of first electrodes and a plurality of second electrodes spaced apart from each other on the rear surface of the semiconductor substrate;
A first auxiliary electrode connected to the plurality of first electrodes; And
And a second auxiliary electrode connected to the plurality of second electrodes,
Wherein at least one depression groove or a through hole is formed at an end of each of the first and second auxiliary electrodes.

The method according to claim 1,
The first auxiliary electrode
A first connection part connected to the first electrode;
And a first pad portion having one end connected to an end of the first connection portion and the other end connected to the interconnector,
The second auxiliary electrode
A second connection part connected to the second electrode,
And a second pad portion having one end connected to an end of the second connection portion and the other end connected to the interconnector.

12. The method of claim 11,
Wherein the at least one depression groove or the through hole is formed in the first and second pads.

12. The method of claim 11,
Wherein the plurality of first electrodes and the first connecting portions and the plurality of second electrodes and the second connecting portions are connected to each other by an electrode connecting material of a conductive material.

12. The method of claim 11,
Wherein the plurality of first electrodes and the second connecting portions, and the plurality of second electrodes and the first connecting portions are insulated from each other by an insulating layer.