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KR20150049669A - Light emitting apparatus - Google Patents

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KR20150049669A
KR20150049669A KR1020130130501A KR20130130501A KR20150049669A KR 20150049669 A KR20150049669 A KR 20150049669A KR 1020130130501 A KR1020130130501 A KR 1020130130501A KR 20130130501 A KR20130130501 A KR 20130130501A KR 20150049669 A KR20150049669 A KR 20150049669A
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light emitting
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light
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optical lens
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Inventor
김광호
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

A light emitting apparatus, according to an embodiment of the present invention, comprises: a body having a cavity; a plurality of lead frames disposed inside the cavity and coupled to the body; an light emitting chip which is disposed on at least one from the lead frames disposed inside the cavity; a light emitting device which includes a transparent resin layer covering the light emitting chip; a circuit substrate which has a protective layer protecting a plurality of pads under the light emitting device and the pad; an adsorption layer which is disposed around the light emitting device on the protective layer of the circuit substrate; a reflection sheet which has a hole into which the light emitting device is inserted and is disposed around the adsorption layer; and an optical lens which is disposed on the light emitting device.

Description

발광 장치{LIGHT EMITTING APPARATUS}[0001] LIGHT EMITTING APPARATUS [0002]

본 발명은 발광 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting device.

발광 소자, 예컨대 발광 다이오드(Light Emitting Device)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종으로, 기존의 형광등, 백열등을 대체하여 차세대 광원으로서 각광받고 있다.BACKGROUND ART A light emitting device, for example, a light emitting device (Light Emitting Device) is a type of semiconductor device that converts electrical energy into light, and has been widely recognized as a next generation light source in place of existing fluorescent lamps and incandescent lamps.

발광 다이오드는 반도체 소자를 이용하여 빛을 생성하므로, 텅스텐을 가열하여 빛을 생성하는 백열등이나, 또는 고압 방전을 통해 생성된 자외선을 형광체에 충돌시켜 빛을 생성하는 형광등에 비해 매우 낮은 전력만을 소모한다.Since the light emitting diode generates light by using a semiconductor element, the light emitting diode consumes very low power as compared with an incandescent lamp that generates light by heating tungsten, or a fluorescent lamp that generates ultraviolet light by impinging ultraviolet rays generated through high-pressure discharge on a phosphor .

또한, 발광 다이오드는 반도체 소자의 전위 갭을 이용하여 빛을 생성하므로 기존의 광원에 비해 수명이 길고 응답특성이 빠르며, 친환경적 특징을 갖는다.In addition, since the light emitting diode generates light using the potential gap of the semiconductor device, it has a longer lifetime, faster response characteristics, and an environment-friendly characteristic as compared with the conventional light source.

이에 따라, 기존의 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 발광 다이오드는 실내외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가하고 있다. Accordingly, much research has been conducted to replace an existing light source with a light emitting diode, and a light emitting diode is increasingly used as a light source for various lamps used for indoor and outdoor use, lighting devices such as a liquid crystal display, an electric signboard, and a streetlight.

실시 예는 광학 렌즈로부터 반사된 광의 노이즈를 제거한 발광 모듈을 제공한다.The embodiment provides a light emitting module in which the noise of the light reflected from the optical lens is removed.

실시 예는 광학 렌즈로부터 소정 영역으로 반사된 광을 흡수하여 광의 균일도를 개선시킨 발광 모듈을 제공한다. Embodiments provide a light emitting module that absorbs light reflected from an optical lens to a predetermined region to improve uniformity of light.

실시 예는 광학 렌즈 및 발광 소자의 아래에 배치된 회로 기판의 상면 중 반사 시트의 홀 내에 흡수층을 갖는 발광 모듈을 제공한다.An embodiment provides a light emitting module having an optical lens and an absorption layer in a hole of a reflection sheet in an upper surface of a circuit board disposed below the light emitting element.

실시 예에 따른 발광 장치는, 캐비티를 갖는 몸체; 상기 캐비티 내에 배치되며 상기 몸체와 결합된 복수의 리드 프레임; 상기 캐비티 내에 배치된 복수의 리드 프레임 중 적어도 하나의 위에 배치된 발광 칩; 및 상기 발광 칩을 덮는 투광성 수지층을 포함하는 발광 소자; 및 상기 발광 소자의 아래에 복수의 패드 및 상기 패드를 보호하는 보호층을 갖는 회로 기판; 상기 회로 기판의 보호층의 상면 중에서 상기 발광 소자의 둘레에 배치된 흡수층; 상기 발광 소자가 삽입되는 홀을 갖고 상기 흡수층의 둘레에 배치된 반사 시트; 및 상기 발광 소자의 위에 배치된 광학 렌즈를 포함한다.A light emitting device according to an embodiment includes: a body having a cavity; A plurality of lead frames disposed in the cavity and coupled with the body; A light emitting chip disposed on at least one of the plurality of lead frames disposed in the cavity; And a light-transmitting resin layer covering the light-emitting chip; A circuit board having a plurality of pads under the light emitting device and a protective layer for protecting the pads; An absorbing layer disposed on the periphery of the light emitting element in an upper surface of the protective layer of the circuit board; A reflective sheet having a hole into which the light emitting element is inserted and disposed around the absorbent layer; And an optical lens disposed on the light emitting element.

실시 예는 광학 렌즈로부터 반사된 광에 의한 노이즈를 줄일 수 있다.The embodiment can reduce the noise due to the light reflected from the optical lens.

실시 예는 광학 렌즈로부터 반사된 광의 일부를 흡수하여 광의 균일도 측면에서의 노이즈를 제거할 수 있다.The embodiment can absorb a part of the light reflected from the optical lens to remove noise in terms of uniformity of light.

실시 예는 회로 기판의 흡수층에 의해 광학 렌즈로부터 반사된 광을 흡수하여, 광의 균일도를 개선시켜 줄 수 있다. The embodiment can absorb the light reflected from the optical lens by the absorption layer of the circuit board, thereby improving the uniformity of the light.

실시 예는 광학 렌즈를 갖는 발광 모듈의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다. The embodiment can improve the reliability of the light emitting module having the optical lens.

실시 예는 광학 렌즈와 같은 광학 부재의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.Embodiments can improve the reliability of an optical member such as an optical lens.

실시 예는 발광 모듈을 갖는 조명 시스템의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다. Embodiments can improve the reliability of an illumination system having a light emitting module.

도 1은 실시 예에 따른 발광 장치의 사시도이다.
도 2는 도 1의 발광부의 측 단면도이다.
도 3은 도 2의 발광부의 발광소자의 평면도이다.
도 4는 도 2의 발광부의 발광소자를 나타낸 측 단면도이다.
도 5는 도 2의 발광부의 발광소자에 광학렌즈의 보스가 결합된 예를 나타낸 도면이다.
도 6은 도 1의 발광 장치에서의 광 분포도이다.
도 7내지 도 12는 도 1의 발광 장치에서 회로 기판의 흡수층의 변형 예를 나타낸 도면이다.
도 13은 실시 예 및 비교 예의 발광 장치에서 광의 휘도 균일도를 나타낸 그래프이다.
도 14의 (A)(B)는 비교 예의 발광 장치에 있어서, 광의 조도 분포 및 광의 중심 밝기를 나타낸 도면이다.
도 15의 (A)(B)는 실시 예의 발광 장치에 있어서, 흡수층의 제1변형예에서의 광의 조도 분포 및 광의 중심 밝기를 나타낸 도면이다.
도 16의 (A)(B)은 실시 예의 발광 장치에 있어서, 흡수층의 제2변형예에서의 광의 조도 분포 및 광의 중심 밝기를 나타낸 도면이이다.
도 17의 (A)(B)는 실시 예의 발광 장치에 있어서, 흡수층의 제3변형예에서의 광의 조도 분포 및 광의 중심 밝기를 나타낸 도면이다.
도 18의 (A)(B)는 실시 예의 발광 장치에 있어서, 흡수층의 제4변형예에서의 광의 조도 분포 및 광의 중심 밝기를 나타낸 도면이다.
도 19는 실시 예 및 비교 예의 발광 장치에 있어서, 광학 렌즈의 너비에 따른 휘도 분포를 나타낸 도면이다.
도 20은 실시 예에 따른 발광소자의 발광 칩을 나타낸 도면이다.
도 21은 실시 예에 따른 발광소자의 발광 칩의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 22는 실시 예에 따른 발광 장치를 갖는 표시 장치를 나타낸 도면이다.
도 23은 실시 예에 따른 발광 장치를 갖는 표시 장치의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 24는 실시 예에 따른 발광 장치를 갖는 조명 장치를 나타낸 사시도이다.1 is a perspective view of a light emitting device according to an embodiment.
2 is a side cross-sectional view of the light emitting portion of Fig.
3 is a plan view of the light emitting element of the light emitting portion of FIG.
4 is a side sectional view showing the light emitting element of the light emitting portion of FIG.
5 is a view showing an example in which a boss of an optical lens is coupled to a light emitting element of the light emitting portion of FIG.
6 is a light distribution diagram in the light emitting device of FIG.
Figs. 7 to 12 are views showing modifications of the absorption layer of the circuit board in the light emitting device of Fig. 1. Fig.
13 is a graph showing the luminance uniformity of light in the light emitting devices of Examples and Comparative Examples.
14A and 14B are diagrams showing the light intensity distribution and the center brightness of light in the light emitting device of the comparative example.
Figs. 15A and 15B are views showing the illuminance distribution of light and the center brightness of light in the first modification of the absorbing layer in the light emitting device of the embodiment. Fig.
16A and 16B are diagrams showing the illuminance distribution of light and the center brightness of light in the second modification of the absorbing layer in the light emitting device of the embodiment.
17A and 17B are views showing the illuminance distribution of light and the center brightness of light in the third modification of the absorbing layer in the light emitting device of the embodiment.
18A and 18B are views showing the illuminance distribution of light and the center brightness of light in the fourth modification of the absorbing layer in the light emitting device of the embodiment.
Fig. 19 is a diagram showing the luminance distribution according to the width of the optical lens in the light emitting devices of Examples and Comparative Examples. Fig.
20 is a view illustrating a light emitting chip of a light emitting device according to an embodiment.
21 is a view showing another example of the light emitting chip of the light emitting device according to the embodiment.
22 is a diagram showing a display device having a light emitting device according to the embodiment.
23 is a view showing another example of a display device having a light emitting device according to the embodiment.
24 is a perspective view showing a lighting apparatus having a light emitting device according to an embodiment.

이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings, in which: FIG. In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), area, pattern or structure may be referred to as being "on" or "under / under" Quot; on "and" under "as used herein are intended to refer to all that is" directly "or" indirectly " . In addition, the criteria for the top / bottom or bottom / bottom of each layer are described with reference to the drawings.

도면에서 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 또한 동일한 참조번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예에 따른 발광 장치를 설명한다.In the drawings, dimensions are exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of illustration. Also, the size of each component does not entirely reflect the actual size. The same reference numerals denote the same elements throughout the description of the drawings. Hereinafter, a light emitting device according to an embodiment will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 실시 예에 따른 발광 장치의 사시도이며, 도 2는 도 1의 발광부의 측 단면도이고, 도 3은 도 2의 발광부의 발광소자의 평면도이며, 도 4는 도 2의 발광부의 발광소자를 나타낸 측 단면도이고, 도 5는 도 2의 발광부의 발광소자에 광학렌즈의 보스가 결합된 예를 나타낸 도면이며, 도 6은 도 1의 발광 장치에서의 광 분포도이다.
2 is a plan view of the light emitting device of FIG. 2, FIG. 4 is a cross-sectional view of the light emitting device of FIG. 2, and FIG. Fig. 5 is a view showing an example in which a boss of an optical lens is coupled to a light emitting element of the light emitting portion of Fig. 2, and Fig. 6 is a light distribution diagram of the light emitting device of Fig.

도 1 내지 도 6을 참조하면, 발광 장치는 하나 또는 복수의 발광 소자(110); 상기 발광 소자(110) 위에 배치된 광학 렌즈(161); 및 상기 발광 소자(110)의 아래에 배치된 회로 기판(201)을 포함한다. 상기 발광 소자(110) 및 상기 광학 렌즈(161)는 발광부로 정의할 수 있으며, 상기 발광 장치는 광원 모듈 또는 발광 모듈로 정의될 수 있다.1 to 6, the light emitting device includes one or a plurality of light emitting devices 110; An optical lens 161 disposed on the light emitting device 110; And a circuit board 201 disposed under the light emitting device 110. [ The light emitting device 110 and the optical lens 161 may be defined as a light emitting portion, and the light emitting device may be defined as a light source module or a light emitting module.

상기 발광 소자(110)는 도 2 내지 도 4와 같이, 캐비티(142)를 갖는 몸체(141), 상기 캐비티(142) 내에서 서로 반대측 방향으로 연장된 복수의 리드 프레임(121,131); 상기 캐비티(142) 내에 배치된 복수의 리드 프레임(121,131) 중 적어도 하나의 위에 배치된 발광 칩(145); 상기 캐비티(142) 내에 투광성 수지층(151)을 포함한다. 상기 발광 소자(110)는 상기 투광성 수지층(151) 위에 렌즈부(155)가 결합되거나 부착될 수 있다. 상기 렌즈부(155)는 상기 발광 소자(110)로부터 제거될 수 있다.2 to 4, the light emitting device 110 includes a body 141 having a cavity 142, a plurality of lead frames 121 and 131 extending in directions opposite to each other in the cavity 142, A light emitting chip (145) disposed on at least one of a plurality of lead frames (121, 131) disposed in the cavity (142); And a translucent resin layer 151 is included in the cavity 142. The light emitting device 110 may have a lens unit 155 coupled to or attached to the light transmitting resin layer 151. The lens unit 155 may be removed from the light emitting device 110.

상기 발광 소자(110)에서 제1방향(X)은 길이(X1)로 설명하고, 상기 제1방향(X)과 수직인 제2방향(Y)은 너비(Y1)로 설명하며, 상기 발광 칩(145)의 상면에 수직한 방향(Z)은 상기 발광 칩(145)의 상면에 대한 법선 방향으로 설명할 수 있다. A first direction X is described as a length X1 in the light emitting device 110 and a second direction Y perpendicular to the first direction X is described as a width Y1, The direction Z perpendicular to the upper surface of the light emitting chip 145 can be described as a direction normal to the upper surface of the light emitting chip 145.

상기 몸체(141)는 복수의 리드 프레임(121,131)과 결합되고 상기 복수의 리드 프레임(121,131)을 지지하게 된다. 상기 몸체(141)는 절연 재질, 전도성 재질, 투과 재질, 반사 재질 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 설명의 편의를 위해 절연 재질로 설명하기로 하며, 상기 절연 재질은 반사성 재질 또는 투과성 재질을 포함할 수 있으며, 상기 반사성 재질은 상기 발광 칩(145)으로부터 방출된 파장에 대해, 반사율이 투과율보다 더 높은 물질 예컨대, 70% 이상의 반사율을 갖는 재질로 형성될 수 있다. 상기 몸체(141)는 반사율이 70% 이상인 경우, 비 투광성의 재질로 정의될 수 있다. 상기 몸체(141)가 투과성 재질인 경우, 반사율보다 투과율이 더 높은 예컨대, 발광 칩(145)으로부터 방출된 파장에 대해, 투과율이 반사율보다 높은 물질 예컨대, 70% 이상의 투과율을 갖는 재질로 형성될 수 있다.The body 141 is coupled with a plurality of lead frames 121 and 131 to support the plurality of lead frames 121 and 131. The body 141 may include at least one of an insulating material, a conductive material, a permeable material, and a reflective material. For convenience of explanation, the body 141 will be described as an insulating material. The insulating material includes a reflective material or a permeable material. And the reflective material may be formed of a material having a reflectivity higher than that of the light emitted from the light emitting chip 145, for example, a material having a reflectance of 70% or more. When the reflectance of the body 141 is 70% or more, the body 141 may be defined as a non-transparent material. When the body 141 is made of a transmissive material, it may be formed of a material having a transmittance higher than that of the reflectance, for example, a transmittance of 70% or more, with respect to the wavelength emitted from the light emitting chip 145, have.

상기 몸체(141)는 수지 계열의 절연 물질 예컨대, 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), 에폭시 계의 물질, 실리콘 계의 물질과 같은 수지 재질로 형성될 수 있다. 상기 실리콘 또는 에폭시는 백색 계열의 수지를 포함한다. 상기 몸체(141)는 열 경화성 수지, 또는 고내열성, 고 내광성 재질로 형성될 수 있다. 또한 상기 몸체(141) 내에는 산무수물, 산화 방지제, 이형재, 광 반사재, 무기 충전재, 경화 촉매, 광 안정제, 윤활제, 이산화티탄 중에서 선택적으로 첨가될 수 있다. 함유하고 있다. 상기 몸체(141)는 에폭시 수지, 변성 에폭시 수지, 실리콘 수지, 변성 실리콘 수지, 아크릴 수지, 우레탄 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종에 의해 성형될 수 있다. 예를 들면, 트리글리시딜이소시아누레이트, 수소화 비스페놀 A 디글리시딜에테르 등으로 이루어지는 에폭시 수지와, 헥사히드로 무수 프탈산, 3-메틸헥사히드로 무수 프탈산4-메틸헥사히드로 무수프탈산 등으로 이루어지는 산무수물을, 에폭시 수지에 경화 촉진제로서 DBU(1,8-Diazabicyclo(5,4,0)undecene-7), 조촉매로서 에틸렌 그리콜, 산화티탄 안료, 글래스 섬유를 첨가하고, 가열에 의해 부분적으로 경화 반응시켜 B 스테이지화한 고형상 에폭시 수지 조성물을 사용할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The body 141 may be formed of a resin material such as a resin-based insulating material such as polyphthalamide (PPA), an epoxy-based material, or a silicon-based material. The silicone or epoxy comprises a white-based resin. The body 141 may be formed of a thermosetting resin or a material having high heat resistance and high light resistance. In the body 141, an acid anhydride, an antioxidant, a release agent, a light reflector, an inorganic filler, a curing catalyst, a light stabilizer, a lubricant, and titanium dioxide may be selectively added. . The body 141 may be formed of at least one member selected from the group consisting of an epoxy resin, a modified epoxy resin, a silicone resin, a modified silicone resin, an acrylic resin, and a urethane resin. For example, an epoxy resin comprising triglycidylisocyanurate, hydrogenated bisphenol A diglycidyl ether and the like and an acid comprising hexahydrophthalic anhydride, 3-methylhexahydrophthalic anhydride, 4-methylhexahydrophthalic anhydride and the like DBU (1,8-Diazabicyclo (5,4,0) undecene-7) as a curing accelerator in an epoxy resin, ethylene glycol, titanium oxide pigment and glass fiber as a cocatalyst were added, A solid epoxy resin composition that has been cured and B-staged can be used. However, the present invention is not limited thereto.

또한 상기 몸체(141) 내에 차광성 물질 또는 확산제를 혼합하여 투과하는 광을 저감시켜 줄 수 있다. 또한 상기 몸체(141)는 소정의 기능을 갖게 하기 위해서, 열 경화성 수지에 확산제, 안료, 형광 물질, 반사성 물질, 차광성 물질, 광 안정제, 윤활제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 적절히 혼합하여도 된다. In addition, a light shielding material or a diffusing agent may be mixed in the body 141 to reduce light transmitted through the body 141. In order to have a predetermined function, the body 141 may be formed by appropriately mixing at least one member selected from the group consisting of a diffusing agent, a pigment, a fluorescent substance, a reflective substance, a light blocking substance, a light stabilizer, .

상기 몸체(141)는 에폭시 또는 실리콘과 같은 수지 재질에 금속 산화물 또는 금속 질화물이 첨가될 수 있다. 상기 금속 산화물은 TiO2, SiO2, Al2O3, ZrO3, Y2O3중 적어도 하나를 포함하며, 상기 금속 질화물은 AlN을 포함하며, 상기 몸체(141) 내에 5wt% 이상의 비율로 첨가될 수 있다. 이러한 금속 산화물과 금속 질화물과 같은 불순물의 첨가 비율은 광 반사 효율에 따라 달라질 수 있다.The body 141 may include a metal oxide or a metal nitride in a resin material such as epoxy or silicon. Wherein the metal oxide includes at least one of TiO 2 , SiO 2 , Al 2 O 3, ZrO 3 , and Y 2 O 3 , the metal nitride includes AlN, and the metal oxide is added in a proportion of 5 wt% . The addition ratio of the impurities such as the metal oxide and the metal nitride may vary depending on the light reflection efficiency.

상기 몸체(141)의 상면은 플랫하거나 러프한 면으로 형성될 수 있으며, 이러한 상면을 통해 입사되는 광을 반사시켜 줄 수 있다. The upper surface of the body 141 may be formed as a flat or rough surface, and the incident light may be reflected through the upper surface.

상기 몸체(141)는 탑뷰 형상이 원형 또는 다각형 형상을 포함하며, 다각형 형상인 경우 모서리 부분이 곡면이거나 각진 면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The body 141 includes a circular or polygonal top view, and if it is a polygonal shape, the corner may be curved or angled, but the present invention is not limited thereto.

상기 몸체(141)는 다각형 형상인 경우, 서로 반대측에 배치된 제1 및 제2측면(11,12)과, 상기 제1 및 제2측면(11,12)에 인접하며 서로 반대측에 배치된 제3 및 제4측면(13,14)을 포함하며, 상기 제1 및 제2측면(11,12) 사이의 간격은 상기 발광 소자(110)의 길이(X1)와 같거나 짧을 수 있고, 제3 및 제4측면(13,14) 사이의 간격은 상기 발광 소자(110)의 너비(Y1)와 같거나 짧을 수 있다. 상기 제1 및 제2측면(11,12)의 길이는 상기 제3 및 제4측면(13,14)의 길이와 같거나 다를 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The body 141 has first and second side faces 11 and 12 disposed on opposite sides of the body 141 and a second side face 11 and 12 adjacent to the first and second side faces 11 and 12, 3 and the fourth side surfaces 13 and 14 and the interval between the first and second side surfaces 11 and 12 may be equal to or shorter than the length X1 of the light emitting device 110, And the fourth side surfaces 13 and 14 may be equal to or shorter than the width Y1 of the light emitting device 110. [ The lengths of the first and second side surfaces 11 and 12 may be equal to or different from the lengths of the third and fourth side surfaces 13 and 14, but are not limited thereto.

상기 몸체(141)의 캐비티(142)를 보면, 탑뷰 형상이 원 형 또는 다각형 형상이거나, 다각형 형상인 경우 코너 부분이 곡면으로 형성될 수 있으며, 이러한 캐비티(142)의 형상에 대해 한정하지는 않는다. 또한 상기 캐비티(142)의 둘레 면은 리드 프레임(121,131)의 상면에 대해 경사지거나 수직하게 형성될 수 있다.The shape of the cavity 142 of the body 141 is not limited to the shape of the cavity 142. The shape of the cavity 142 of the body 141 may be circular, polygonal, or polygonal. The circumferential surface of the cavity 142 may be inclined or perpendicular to the upper surface of the lead frames 121 and 131.

상기 캐비티(142)의 바닥에는 복수의 리드 프레임 예컨대, 제1 및 제2리드 프레임(121,131)이 배치되며, 상기 제1리드 프레임(121)은 상기 캐비티(142)의 바닥에서 상기 몸체(141)의 제1측면(11), 제3 및 제4측면(13,14) 방향으로 연장되고 상기 몸체(141)와 결합된다. A plurality of lead frames such as first and second lead frames 121 and 131 are disposed on the bottom of the cavity 142. The first lead frame 121 is connected to the body 141 at the bottom of the cavity 142, Third and fourth sides 13 and 14 of the body 141 and is coupled with the body 141. [

상기 제2리드 프레임(131)은 상기 캐비티(142)의 바닥에서 상기 몸체(141)의 제2측면(12), 제3 및 제4측면(13,14) 방향으로 연장되고, 상기 몸체(141)와 결합된다.The second lead frame 131 extends from the bottom of the cavity 142 in the direction of the second side 12, third and fourth sides 13 and 14 of the body 141, ).

상기 제1 및 제2리드 프레임(121,131) 중 적어도 하나에는 상면 또는 하면으로부터 리세스된 리세스 및 결합 홀(123) 중 적어도 하나를 포함하며, 상기 리세스 및 결합 홀(123)에는 몸체(141)의 일부(143)가 결합된다. 이에 따라 상기 몸체(141)와 상기 제1 및 제2리드 프레임(121,131)과의 결합력이 강화될 수 있다.At least one of the first and second lead frames 121 and 131 includes at least one of a recess and a coupling hole 123 recessed from an upper surface or a lower surface, (143) are coupled to each other. Accordingly, the coupling force between the body 141 and the first and second lead frames 121 and 131 can be enhanced.

상기 제1리드 프레임(121)과 제2리드 프레임(131)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나 또는 2이상의 합금을 포함하며, 또한 단층 또는 서로 다른 금속층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1 및 제2 리드 프레임(121,131)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나 또는 두 물질 이상의 합금을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2리드 프레임(121,131)은 어느 한 층이 합금인 경우, 구리(Cu)와 적어도 한 종류의 금속 합금으로서, 예컨대 구리-아연 합금, 구리-철 합금, 구리- 크롬 합금, 구리-은-철과 같은 합금을 포함한다. 상기 제1 및 제2리드 프레임(121,131)의 두께는 0.1mm~1.5mm일 수 있으며, 예컨대 0.1mm~0.5mm 범위를 포함한다. The first lead frame 121 and the second lead frame 131 may be formed of a metal material such as titanium, copper, nickel, gold, chromium, tantalum, At least one or more alloys of tin (Ta), platinum (Pt), tin (Sn), silver (Ag) and phosphorus (P) and may also be formed as a single layer or a different metal layer, I do not. The first and second lead frames 121 and 131 may be made of a metal material such as titanium, copper, nickel, gold, chromium, tantalum, And may include at least one of platinum (Pt), tin (Sn), silver (Ag), and phosphorus (P) The first and second lead frames 121 and 131 may be made of copper (Cu) and at least one kind of metal alloy such as a copper-zinc alloy, a copper-iron alloy, a copper-chromium alloy, And - alloys such as silver and iron. The thickness of the first and second lead frames 121 and 131 may be 0.1 mm to 1.5 mm, for example, 0.1 mm to 0.5 mm.

상기 제1리드 프레임(121)은 상기 몸체(141)의 제1측면(11) 아래에 노출될 수 있으며, 상기 제2리드 프레임(131)은 상기 몸체(141)의 제2측면(12) 아래로 노출될 수 있다. 상기 제1 및 제2리드 프레임(121,131)은 상기 몸체(141)의 제3 및 제4측면(13,14) 아래에 노출되거나, 노출되지 않을 수 있다. 상기 제1 및 제2리드 프레임(121,131)의 하면은 발광 소자(110)의 하면에 노출될 수 있으며, 상기 몸체(141)의 하면과 동일 평면 상에 배치될 수 있다.The first lead frame 121 may be exposed under the first side 11 of the body 141 and the second lead frame 131 may be exposed under the second side 12 of the body 141. [ Lt; / RTI > The first and second lead frames 121 and 131 may be exposed under the third and fourth sides 13 and 14 of the body 141 or may not be exposed. The lower surfaces of the first and second lead frames 121 and 131 may be exposed on the lower surface of the light emitting device 110 and may be disposed on the same plane as the lower surface of the body 141.

상기 제1 및 제2리드 프레임(121,131) 사이에는 간극부(115)가 배치되며, 상기 간극부(115)는 상기 몸체(141)의 재질로 형성될 수 있다. 상기 간극부(115)는 상부 너비보다 하부 너비가 넓을 수 있거나, 하부 너비보다 상부 너비가 넓을 수 있다. 상기 간극부(115)는 상기 제1리드 프레임(121) 및 상기 제2리드 프레임(131)과 물리적으로 결합되며, 서로 이격된 상기 제1리드 프레임(121)과 상기 제2리드 프레임(131)을 지지하게 된다.
A gap portion 115 may be disposed between the first and second lead frames 121 and 131 and the gap portion 115 may be formed of the material of the body 141. The gap portion 115 may have a lower width than the upper width, or may have a larger upper width than the lower width. The gap portion 115 is physically coupled to the first lead frame 121 and the second lead frame 131 and includes the first lead frame 121 and the second lead frame 131 spaced apart from each other, .

상기 발광 칩(145)은 상기 캐비티(142) 내에 배치된 제1 및 제2리드 프레임(121,131) 중 적어도 하나의 위에 배치될 수 있으며, 상기 제1 및 제2리드 프레임(121,131)과 전기적으로 연결된다. 상기 발광 칩(145)은 예컨대, 제1리드 프레임(121) 상에 전도성 접착제로 접착되어 연결되고, 제2리드 프레임(131)과 와이어(147)로 연결될 수 있다. 다른 예로서, 상기 발광 칩(145)은 제 1및 제2리드 프레임(121,131)과 연결 부재 예컨대, 와이어로 연결될 수 있다.The light emitting chip 145 may be disposed on at least one of the first and second lead frames 121 and 131 disposed in the cavity 142 and may be electrically connected to the first and second lead frames 121 and 131 do. The light emitting chip 145 may be connected to the first lead frame 121 by a conductive adhesive agent and may be connected to the second lead frame 131 by a wire 147. As another example, the light emitting chip 145 may be connected to the first and second lead frames 121 and 131 by a connection member, for example, a wire.

상기 발광 칩(145)은 화합물 반도체를 갖는 LED 칩 예컨대, UV(Ultraviolet) LED 칩, 청색 LED 칩, 녹색 LED 칩, 백색 LED 칩, 적색 LED 칩 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 발광 칩(145)은 II족-VI족 화합물 반도체이거나, III족-V족 화합물 반도체를 포함할 수 있으며, 내부의 활성층은 이중 접합 구조, 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 단일 양자 우물, 다중 양자 우물(MQW), 양자 선, 양자 점 구조 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 상기 활성층은 우물층/장벽층이 교대로 배치되며, 상기 우물층/장벽층의 주기는 예컨대, InGaN/GaN, GaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, 또는 InAlGaN/InAlGaN의 적층 구조를 이용하여 2~30주기로 형성될 수 있다. 또한 상기 활성층은 ZnS, ZnSe, SiC, GaP, GaAlAs, AlN, InN, AlInGaP과 같은 계열의 반도체를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 활성층의 발광 파장은 자외선 대역의 광부터 가시광선 대역의 광 중에서 선택적으로 발광할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 칩(145)의 두께는 80㎛-500㎛ 범위 예컨대, 80㎛-150㎛ 범위로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The light emitting chip 145 may include at least one of an LED chip having a compound semiconductor such as an ultraviolet (UV) LED chip, a blue LED chip, a green LED chip, a white LED chip, and a red LED chip. The light emitting chip 145 may be a group II-VI compound semiconductor or a group III-V compound semiconductor, and the active layer may include a double junction structure, a single well structure, a multi-well structure, a single quantum well, A quantum well (MQW), a quantum wire, and a quantum dot structure. The active layer may be formed by alternately arranging a well layer / a barrier layer, and the period of the well layer / barrier layer may be, for example, a periodic structure of InGaN / GaN, GaN / AlGaN, InGaN / InGaN, or InAlGaN / InAlGaN And may be formed in 2 to 30 cycles. The active layer may include a semiconductor such as ZnS, ZnSe, SiC, GaP, GaAlAs, AlN, InN, and AlInGaP. However, the present invention is not limited thereto. The emission wavelength of the active layer can selectively emit light from light in the ultraviolet band to light in the visible light band, but the present invention is not limited thereto. The thickness of the light emitting chip 145 may be in the range of 80 탆 to 500 탆, for example, in the range of 80 탆 -150 탆, but is not limited thereto.

상기 캐비티(142) 내에는 투광성 수지층(151)이 배치되며, 상기 투광성 수지층(151)은 상기 발광 칩(145)을 커버하게 된다. 상기 투광성 수지층(151)의 둘레는 상기 캐비티(142)의 둘레에 접착되고, 하부는 상기 제1 및 제2리드 프레임(121,131) 상에 접착될 수 있다. 상기 투광성 수지층(151)의 상면은 평탄한 수평 면이거나, 오목한 면이거나, 볼록한 면으로 형성될 수 있다. A light transmitting resin layer 151 is disposed in the cavity 142 and the light transmitting chip layer 151 covers the light emitting chip 145. The periphery of the transparent resin layer 151 may be adhered to the periphery of the cavity 142 and the bottom may be adhered to the first and second lead frames 121 and 131. The upper surface of the light transmitting resin layer 151 may be a flat horizontal surface, a concave surface, or a convex surface.

상기 투광성 수지층(151)은 실리콘 또는 에폭시와 같은 수지 재질로 형성될 수 있으며, 상기 발광 칩(145)에서 방출된 파장 예컨대, 청색 파장에 대해 투과율이 70% 이상 예컨대, 90% 이상의 재질로 형성될 수 있다. 상기 투광성 수지층(151)의 굴절률은 2.0 이하 예컨대, 1.6 이하이며, 상기 몸체(141)의 굴절률보다 낮을 수 있다. The light transmitting resin layer 151 may be formed of a resin material such as silicone or epoxy and may be formed of a material having a transmittance of 70% or more, for example, 90% or more with respect to a wavelength of light emitted from the light emitting chip 145, . The refractive index of the transparent resin layer 151 is 2.0 or less, for example, 1.6 or less, and may be lower than the refractive index of the body 141.

상기 투광성 수지층(151) 내에는 불순물이 첨가되지 않는 층이거나, 불순물이 첨가된 층으로 형성될 수 있다. 여기서, 상기 불순물은 필러(filler), 확산제, 안료, 형광체, 반사체 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 투광성 수지층(151)에 혼합되는 형광체는 상기 발광 칩(145)으로부터 방출된 광을 흡수하여 다른 파장의 광으로 변환하게 된다. 상기 형광체는 황색 형광체, 녹색 형광체, 청색 형광체, 적색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 예를 들면, Eu, Ce 등의 란타노이드계 원소에 의해 주로 활성화되는 질화물계 형광체·산질화물계 형광체·사이어론계 형광체, Eu 등의 란타노이드계, Mn 등의 천이금속계의 원소에 의해 주로 활성화되는 알칼리 토류 할로겐 아파타이트 형광체, 알칼리 토류 금속 붕산 할로겐 형광체, 알칼리 토류 금속 알루민산염 형광체, 알칼리 토류 규산염, 알칼리 토류 황화물, 알칼리 토류 티오갈레이트, 알칼리 토류 질화규소, 게르마늄산염, 또는, Ce 등의 란타노이드계 원소에 의해 주로 활성화되는 희토류 알루민산염, 희토류 규산염 또는 Eu 등의 란타노이드계 원소에 의해 주로 활성화되는 유기 및 유기 착체 등으로부터 선택되는 적어도 어느 하나 이상일 수 있다. 구체적인 예로서, 상기의 형광체를 사용할 수 있지만, 이것에 한정되지 않는다.The light-transmitting resin layer 151 may be a layer not doped with impurities or a layer doped with impurities. Here, the impurities may include at least one of a filler, a diffusing agent, a pigment, a phosphor, and a reflector. The phosphor mixed in the light-transmitting resin layer 151 absorbs the light emitted from the light emitting chip 145 and converts the light into light having a different wavelength. The phosphor may include at least one of a yellow phosphor, a green phosphor, a blue phosphor, and a red phosphor. For example, the phosphor may be a nitride-based phosphor, an oxynitride-based phosphor, or the like, which is mainly activated by lanthanoid- Alkaline earth metal borate halogen phosphors, alkaline earth metal aluminate phosphors, alkaline earth silicate, alkaline earth metal silicate phosphors, alkaline earth metal silicate phosphors, alkaline earth metal silicate phosphors, alkaline earth metal silicate phosphors, A rare earth aluminate, a rare earth silicate or a lanthanoid-based element such as Eu, which is mainly activated by a lanthanoid element such as Ce, etc., which is mainly activated by a rare earth aluminate, a rare earth aluminate, Organic and organic complexes, and the like. The. As a specific example, the above-mentioned phosphors can be used, but the present invention is not limited thereto.

상기 캐비티(142) 및 투광성 수지층(151) 상에는 렌즈부(155)를 포함하며, 상기 렌즈부(155)는 상기 캐비티(142)의 너비보다 넓은 직경 또는 너비를 갖고 상기 몸체(141)의 상면(148) 상에 접착될 수 있다. 상기 렌즈부(155)는 상기 투광성 수지층(151)을 통해 입사된 광을 굴절시켜 원하는 방향으로 변환하게 된다. 상기 렌즈부(155)는 실리콘, 에폭시와 같은 수지 재질이거나, 플라스틱 재질 또는 유리 재질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 렌즈부(155)는 굴절률이 1.4 내지 1.7 범위의 투명 재료를 이용할 수 있으며, 예컨대, 굴절률이 1.49인 폴리메타크릴산메틸(PMMA), 굴절률이 1.59인 폴리카보네이트(PC), 에폭시 수지(EP)의 투명 수지 재료나 투명한 글래스(Glass)에 의해 형성될 수 있다. 또한 렌즈부(155)는 상기 투광성 수지층(151) 또는 광학 렌즈(161)의 재질과 동일한 재질일 수 있으며, 이에 따라 발광 칩(145)으로부터 방출된 광은 손실 없이 상기 렌즈부(155)로 입사될 수 있다.The lens unit 155 has a diameter or width wider than the width of the cavity 142 and is formed on the upper surface of the body 141. The lens unit 155 is disposed on the cavity 142 and the light- (148). ≪ / RTI > The lens unit 155 refracts the light incident through the transparent resin layer 151 and converts the light into a desired direction. The lens unit 155 may be made of a resin material such as silicon or epoxy, or a plastic material or a glass material. For example, the lens unit 155 may use a transparent material having a refractive index in a range of 1.4 to 1.7. For example, a polymethyl methacrylate (PMMA) having a refractive index of 1.49, a polycarbonate (PC) having a refractive index of 1.59, It may be formed of a transparent resin material of an epoxy resin (EP) or a transparent glass. The lens unit 155 may be made of the same material as that of the transparent resin layer 151 or the optical lens 161 so that the light emitted from the light emitting chip 145 is transmitted to the lens unit 155 Can be entered.

상기 렌즈부(155)의 하면은 상기 투광성 수지층(151)의 상면과 접착될 수 있고, 상면은 반구 형상 또는 곡면 형상을 포함할 수 있다. 상기 렌즈부(155)의 상면이 상기 발광 칩(145)의 반대측 방향으로 돌출됨으로써, 입사되는 광을 상기 광학 렌즈(161)의 입사 면으로 출사시켜 줄 수 있다. The lower surface of the lens portion 155 may be adhered to the upper surface of the translucent resin layer 151, and the upper surface may have a hemispherical shape or a curved surface. The upper surface of the lens portion 155 protrudes in a direction opposite to the light emitting chip 145 so that incident light can be emitted to the incident surface of the optical lens 161.

상기 발광 소자(110) 상에는 광학 렌즈(161)가 배치되며, 상기 광학 렌즈(161)는 상기 발광 소자(110)와 틸트 방지 구조를 갖고 결합될 수 있다. 상기 광학 렌즈(161)는 상기 발광 소자(110)로부터 부착 또는 분리될 수 있다. 다른 예로서, 상기 광학 렌즈(161)은 회로 기판(201) 상에 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.An optical lens 161 is disposed on the light emitting device 110 and the optical lens 161 can be coupled to the light emitting device 110 with a tilt preventing structure. The optical lens 161 may be attached or detached from the light emitting device 110. As another example, the optical lens 161 may be coupled onto the circuit board 201, but is not limited thereto.

상기 광학 렌즈(161)는 외부 윤곽선이 원 기둥 형상이거나, 다각 기둥 형상이거나, 반구형 형상을 포함할 수 있으며, 또는 하부 직경과 상부 직경이 다른 형상일 수 있다. The optical lens 161 may have a circular outer shape, a polygonal column shape, a hemispherical shape, or a shape having a different bottom diameter and a different top diameter.

도 1 및 도 2와 같이, 상기 광학 렌즈(161)는 상기 발광 소자(110)에 대응되는 입사면(164), 상기 입사면(164)으로부터 입사된 광을 반사하는 전 반사면(163), 상기 전 반사면(163)에 의해 반사된 광과 상기 입사면(164)으로 입사된 광을 출사하는 출사면(162)을 포함한다.1 and 2, the optical lens 161 includes an incident surface 164 corresponding to the light emitting device 110, a totally reflecting surface 163 reflecting the light incident from the incident surface 164, And an exit surface (162) for emitting the light reflected by the total reflection surface (163) and the light incident on the incident surface (164).

상기 광학 렌즈(161)의 입사면(164)은 수평한 면이거나, 상기 발광 칩(145)의 반대측 방향으로 예컨대, 법선 방향 또는 광 축 방향으로 볼록한 면으로 형성될 수 있다. 상기 입사면(164)이 볼록한 면인 경우, 광의 입사 효율은 증가될 수 있다. 상기 볼록한 면은 상기 입사면(164)의 중심이 가장 깊게 형성될 수 있으며, 상기 복수의 보스(61-64)들 사이의 간격에 대응되는 영역에 원 형상 또는 다각형 형상으로 형성될 수 있다.The incident surface 164 of the optical lens 161 may be a horizontal surface or may be formed as a convex surface in the direction opposite to the light emitting chip 145 in the normal direction or the optical axis direction. When the incident surface 164 is a convex surface, the incident efficiency of light can be increased. The convex surface may be formed deepest at the center of the incident surface 164 and may be formed in a circular or polygonal shape in an area corresponding to the interval between the plurality of bosses 61-64.

상기 전 반사면(163)은 상기 광학 렌즈(161)의 상부에서 상기 발광 칩(145) 방향으로 오목한 오목부(163A)의 둘레에 형성될 수 있으며, 상기 전 반사면(163)은 곡면 또는 평탄한 면을 포함하거나, 적어도 하나의 변곡점을 갖는 면을 포함한다. 상기 오목부(163A)는 탑뷰에서 볼 때, 회전 대칭 형상으로 형성될 수 있으며, 상기 발광 칩(145)과 대응되는 영역이 가장 깊게 즉, 상기 발광 칩(145)에 가장 인접한 지점이 될 수 있다. The total reflection surface 163 may be formed around the concave portion 163A concaved in the direction of the light emitting chip 145 from the top of the optical lens 161. The total reflection surface 163 may be curved or flat Plane, or a surface having at least one inflection point. The concave portion 163A may be formed in a rotationally symmetrical shape when viewed from the top view and the region corresponding to the light emitting chip 145 may be the deepest portion closest to the light emitting chip 145 .

상기 광 출사면(162)은 상기 광학 렌즈(161)의 둘레에 배치된 면으로서, 경사진 면 또는 곡면을 포함할 수 있다. 상기 광 출사면(162)은 상기 전 반사면(163)에 의해 반사된 광이나 상기 입사면(164)으로 투과된 광을 출사하게 된다. The light exit surface 162 is a surface disposed around the optical lens 161 and may include an inclined surface or a curved surface. The light exit surface 162 emits the light reflected by the total reflection surface 163 or the light transmitted through the incident surface 164.

상기 렌즈부(155)와 상기 광학 렌즈(161)의 입사면(164) 사이의 영역(150)은 에어 영역이며, 그 에어 영역의 간격은 1mm 이상일 수 있으며, 이러한 간격은 상기 광학 렌즈(161)의 입사면(164)에서의 입사 효율에 따라 달라질 수 있다.An area 150 between the lens part 155 and the incident surface 164 of the optical lens 161 is an air area and the interval of the air area may be 1 mm or more, The incidence efficiency at the incidence plane 164 of the light source can be varied.

상기 발광 소자(110)와 상기 광학 렌즈(161)는 서로 대응되는 구조물의 결합에 의한 틸트 방지 구조를 포함할 수 있다. 상기 틸트 방지 구조는 예컨대, 광학 렌즈(161)로부터 돌출된 보스의 개수, 위치, 형상과 같은 요소를 이용하여 구현될 수 있다. 이하, 틸트 방지 구조는 보스의 개수, 위치 또는 형상에 의해 구현된 예들을 설명하기로 한다.The light emitting device 110 and the optical lens 161 may include a tilt preventing structure by coupling structures corresponding to each other. The tilt preventing structure may be implemented using elements such as the number, position, and shape of the boss protruding from the optical lens 161, for example. Hereinafter, examples in which the tilt preventing structure is implemented by the number, position, or shape of the boss will be described.

상기 광학 렌즈(161)는 발광 소자(110)에 결합되는 제1 내지 제4보스(61,62,63,64)를 포함하며, 상기 제1내지 제4보스(61,62,63,64) 중 적어도 하나는 다른 형상 예컨대, 적어도 2개는 다른 보스들과 다른 형상으로 형성될 수 있다. 상기 제1 및 제3보스(61,63)는 동일한 형상이며, 상기 제2 및 제4보스(62,64)는 동일한 형상을 갖고 상기 제1 및 제3보스(61,63)의 형상과 다른 형상일 수 있다. The optical lens 161 includes first to fourth bosses 61, 62, 63, and 64 coupled to the light emitting device 110. The first to fourth bosses 61, 62, 63, At least one of them may be formed in a different shape, for example, at least two different shapes than the other bosses. The first and third bosses 61 and 63 have the same shape and the second and fourth bosses 62 and 64 have the same shape and are different from the shapes of the first and third bosses 61 and 63 Lt; / RTI >

상기 제1 및 제3보스(61,63)는 바텀 뷰(Bottom view) 형상이, 원 형상이거나 구면 또는 곡면을 갖는 형상을 포함하며, 예컨대 외 형상이 원 기둥 또는 타원 기둥을 포함할 수 있다. 상기 제2 및 제4보스(62,64)는 바텀 뷰 형상이, 적어도 하나의 각진 면을 포함하거나, 다각 형상을 포함할 수 있으며, 예컨대 외 형상이 삼각형 이상의 다각형 기둥 또는 부채꼴 기둥 형상을 포함한다. The first and third bosses 61 and 63 may have a bottom view shape, a circular shape, a shape having a spherical or curved surface, and the outer shape may include a circular column or an elliptical column. The second and fourth bosses 62 and 64 may include at least one angled surface, or may include a polygonal shape, for example, the bottom view shape may include a polygonal column or a fan-shaped column shape having an outer shape of triangle or greater .

상기 발광 소자(110)의 외곽 영역에는 제1 내지 제4결합부(41,42,43,44)에 형성되며, 상기 각 보스(61,62,63,64)는 상기 각 결합부(41,42,43,44) 상에 배치된다. 상기 제1 및 제3보스(61,63)의 외주면은 상기 제1 및 제3결합부(41,43)의 내 측면(21,23)과 접촉되며, 상기 제2 및 제4보스(62,64)의 외주면은 상기 제2 및 제4결합부(42,44)의 내 측면(22,24)과 접촉될 수 있다. The bosses 61, 62, 63 and 64 are formed on the outer peripheral region of the light emitting device 110 in the first to fourth coupling portions 41, 42, 43, 44). The outer circumferential surfaces of the first and third bosses 61 and 63 are in contact with the inner surfaces 21 and 23 of the first and third engaging portions 41 and 43 and the second and fourth bosses 62 and 63, 64 may be in contact with the inner surfaces 22, 24 of the second and fourth engagement portions 42, 44.

상기 보스(61,62,63,64)의 높이는 상기 광학 렌즈(161)와 상기 몸체(141)의 상면 사이의 간격보다 클 수 있으며, 예컨대 3.5mm 이상으로 형성될 수 있다. 또한 상기 보스(61,62,63,64)의 높이는 상기 렌즈부(155)가 제거되면, 2mm 이상으로 형성될 수 있다.The height of the bosses 61, 62, 63, and 64 may be greater than the distance between the optical lens 161 and the upper surface of the body 141, for example, 3.5 mm or more. The height of the bosses 61, 62, 63, and 64 may be 2 mm or more when the lens unit 155 is removed.

도 3 및 도 5와 같이, 상기 각 결합부(41,42,43,44)는 상기 몸체(141)의 상면(148)에 대해 단차진 구조를 포함하며 예컨대, 상기 몸체(141)의 상면보다 낮게 리세스된 영역이 형성될 수 있다. 다른 예로서, 상기 각 결합부(41,42,43,44)는 상기 몸체(141)로부터 노출된 리드 프레임(121,131)의 외측 상면에 형성될 수 있다. 상기 각 결합부(41,42,43,44)에서 리세스된 영역의 깊이(B1)는 리세스된 영역의 최대 너비로서, 상기 각 보스(61,62,63,64)의 직경 또는 너비(B2)의 30~80% 범위로 형성될 수 있다.3 and 5, each of the engaging portions 41, 42, 43 and 44 includes a stepped structure with respect to the upper surface 148 of the body 141, A lower recessed region can be formed. As another example, each of the engaging portions 41, 42, 43, and 44 may be formed on the outer upper surface of the lead frames 121 and 131 exposed from the body 141. The depth B1 of the recessed region in each of the engaging portions 41, 42, 43 and 44 is the maximum width of the recessed region, and the diameter or width of each of the bosses 61, 62, B2) in the range of 30 to 80%.

상기 각 결합부(41,42,43,44)의 바닥에는 상기 몸체(141)의 일부가 배치될 수 있으며, 상기 결합부(41,42,43,44)의 깊이(T2)는 상기 몸체(141)의 두께(T1)의 1/2 이상으로 형성될 수 있으며, 상기 리드 프레임(121,131)의 상면 일부가 노출되거나, 노출되지 않는 깊이로 형성될 수 있다. 상기 결합부(41,42,43,44)는 상기 몸체(141)의 각 모서리 부분이 상기 발광 칩(145) 방향으로 리세스된 영역이며, 예를 들면 제1 내지 제4측면(11,12,13,14) 중 인접한 두 측면 사이의 모서리 부분이 발광 칩(145) 방향으로 리세스된 영역이다.A depth of the coupling portions 41, 42, 43, and 44 may be equal to a depth T2 of the coupling portions 41, 42, 43, 141 of the lead frames 121 and 131. The lead frame 121 and the lead frames 121 and 131 may be partially exposed or not exposed. The engaging portions 41, 42, 43, and 44 are regions where each corner of the body 141 is recessed toward the light emitting chip 145. For example, the first to fourth sides 11 and 12 , 13 and 14 are recessed in the direction of the light emitting chip 145.

상기 결합부(41,42,43,44)는 발광 칩(145)을 지나는 제1대각선 방향에 배치된 제1 및 제2결합부(41,42)와, 상기 발광 칩(145)을 지나는 제2대각선 방향에 배치된 제3 및 제4결합부(43,44)를 포함한다. 상기 제1 내지 제4결합부(41,42,43,44) 중 적어도 하나의 내 측면 또는 적어도 2개의 내 측면은 다른 내 측면과 변곡점의 개수가 다를 수 있다. 또한 상기 제1 및 제3결합부(41,43)의 내 측면(21,23)은 동일한 윤곽선을 갖고, 상기 제2 및 제4결합부(42,44)의 내 측면(22,24)은 상기 제1 및 제3결합부(41,43)의 내 측면(21,23)의 윤곽선과 다른 윤곽선을 가질 수 있다. The engaging portions 41, 42, 43 and 44 include first and second engaging portions 41 and 42 disposed in a first diagonal direction passing through the light emitting chip 145, And third and fourth engaging portions 43 and 44 arranged in two diagonal directions. The inner surface or at least two inner surfaces of at least one of the first to fourth engaging portions 41, 42, 43, and 44 may have different inner side surfaces and different inflection points. The inner surfaces 21 and 23 of the first and third engagement portions 41 and 43 have the same outline and the inner surfaces 22 and 24 of the second and fourth engagement portions 42 and 44 And may have contour lines different from contours of the inner surfaces 21 and 23 of the first and third engaging portions 41 and 43.

상기 제1 및 제3결합부(41,43)의 내 측면(21,23)은 곡면 또는 구면이거나, 변곡점을 갖지 않는 평면으로 형성될 수 있다. 상기 제2 및 제4결합부(42,44)의 내 측면(22,24)은 적어도 하나의 변곡점을 갖는 각진 면으로 형성될 수 있다. 상기 제1 내지 제4결합부(41,42,43,44)의 내 측면(21,22,23,24)은 상기 몸체(141)의 상면(148)과 상기 제1 내지 제4결합부(41,42,43,44)의 바닥 사이에 연결된 면으로서, 상기 몸체(141)의 상면(148)에 대해 수직한 면으로 형성되거나, 경사진 면으로 형성될 수 있다. The inner surfaces 21 and 23 of the first and third engaging portions 41 and 43 may be curved or spherical, or may be formed in a plane having no inflection point. The inner surfaces 22 and 24 of the second and fourth engagement portions 42 and 44 may be formed as angled surfaces having at least one inflection point. The inner surfaces 21, 22, 23 and 24 of the first to fourth engaging portions 41, 42, 43 and 44 are formed on the upper surface 148 of the body 141 and the first to fourth engaging portions 41, 42, 43, and 44, and may be formed as a surface perpendicular to the upper surface 148 of the body 141, or may be formed as an inclined surface.

도 5와 같이, 상기 제1 및 제3결합부(41,43) 간의 간격(B3)은 상기 제1 및 제3보스(61,63) 간의 간격과 같거나 작을 수 있으며, 상기 제2 및 제4결합부(42,44) 간의 간격(B4)은 상기 제2 및 제4보스(62,64) 간의 간격과 같거나 작을 수 있다. 상기 간격(B3)과 상기 간격(B4)은 서로 동일하거나 다를 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.5, the interval B3 between the first and third engagement portions 41 and 43 may be equal to or less than the interval between the first and third bosses 61 and 63, 4 can be equal to or less than the spacing between the second and fourth bosses 62, The interval B3 and the interval B4 may be equal to or different from each other, but are not limited thereto.

상기 각 보스(61,62,63,64)의 직경 또는 너비(B2)는 0.8mm 이상 예컨대, 1mm 내지 2mm 범위로 형성될 수 있으며, 이러한 보스(61,62,63,64)의 너비(B2)가 상기 범위보다 크면 광 효율이 저하될 수 있고, 보스(61,62,63,64)의 너비(B2)가 상기 범위보다 작으면 보스 형성에 어려움이 있고 틸트 방지 기능을 수행하지 못하는 문제가 있다. 상기 보스(61,62,63,64)들은 광학 렌즈(161)의 다리 역할을 한다.The diameter or width B2 of each of the bosses 61, 62, 63 and 64 may be in a range of 0.8 mm or more, for example, in a range of 1 mm to 2 mm, and the width B2 of the bosses 61, 62, 63, ) Is greater than the above range, the light efficiency may be deteriorated. If the width B2 of the bosses 61, 62, 63 and 64 is smaller than the above range, it is difficult to form the boss and the tilt- have. The bosses 61, 62, 63, and 64 serve as legs of the optical lens 161.

도 2를 참조하면, 상기 광학 렌즈(161)의 각 보스(61,62,63,64)는 상기 각 결합부(41,42,43,44) 상에 접착제(111)로 접착될 수 있으며, 상기 접착제(111)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 접착제이거나, 양면 테이프일 수 있다. 2, each of the bosses 61, 62, 63 and 64 of the optical lens 161 may be adhered to each of the engaging portions 41, 42, 43 and 44 with an adhesive 111, The adhesive 111 may be an adhesive such as silicon or epoxy, or may be a double-sided tape.

또한 도 1 및 도 3을 참조하면, 제1리드 프레임(121)의 외곽부(122) 및 제2리드 프레임(131)의 외곽부(132)가 몸체(141)의 측면보다 외측으로 노출될 수 있으며, 상기 외곽부(122,132)에 광학 렌즈(161)의 보스(61,62,63,64)의 외측 돌기(1)가 대응되고 결합될 수 있다. 여기서, 상기 각 보스(61,62A,63,64A)들은 하 방향으로 돌출된 돌기(1)를 포함하며, 상기 돌기(1)들은 상기 제1 및 제2리드 프레임(121,131)의 외곽부(122,132) 상에 배치되고, 접착제로 접착될 수 있다. 상기 광학 렌즈(161)의 보스(61,62,63,64)는 리드 프레임(121,131) 및 상기 몸체(141) 상에 접착될 수 있다.1 and 3, the outer frame portion 122 of the first lead frame 121 and the outer frame portion 132 of the second lead frame 131 may be exposed to the outside of the side surface of the body 141 And the outer protrusions 1 of the bosses 61, 62, 63, 64 of the optical lens 161 can be correspondingly coupled to the outer frame parts 122, Each of the bosses 61, 62A, 63 and 64A includes a protrusion 1 protruding downward, and the protrusions 1 are connected to the outer portions 122 and 132 of the first and second lead frames 121 and 131 ), And can be adhered with an adhesive. The bosses 61, 62, 63, and 64 of the optical lens 161 may be adhered to the lead frames 121 and 131 and the body 141.

상기 광학 렌즈(161)의 각 보스(61,62,63,64)가 상기 발광 소자(110)의 결합부(41,42,43,44) 각각에 결합되고, 접착됨으로써, 상기 광학 렌즈(161)가 틸트되는 것을 방지할 수 있다. 즉, 광학 렌즈(161)의 각 보스(61,62,63,64)가 상기 발광 소자(110)의 결합부(41,42,43,44)에 결합됨으로써, 상기 광학 렌즈(161)가 틸트되는 것을 30㎛ 이내로 관리할 수 있다. 이에 따라 상기 광학 렌즈(161)로부터 방출되는 광의 지향각 분포가 달라지는 것을 최소화시켜 줄 수 있어, 발광 장치의 광학적인 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다. 또한 발광 장치(100)로부터 방출된 화상의 균일도가 안정화될 수 있다. 또한 상기 몸체(141)의 각 결합부(41,42,43,44)의 표면이 사출에 의해 형성됨으로써, 상기 각 결합부(41,42,43,44)의 표면에 대한 평탄도는 개선될 수 있다.
The bosses 61, 62, 63 and 64 of the optical lens 161 are bonded to and bonded to the joining portions 41, 42, 43 and 44 of the light emitting element 110, Can be prevented from being tilted. That is, each of the bosses 61, 62, 63, 64 of the optical lens 161 is coupled to the coupling portions 41, 42, 43, 44 of the light emitting element 110, Can be controlled within 30 탆. Accordingly, it is possible to minimize the variation in the directivity angle distribution of the light emitted from the optical lens 161, thereby improving the optical reliability of the light emitting device. And the uniformity of the image emitted from the light emitting device 100 can be stabilized. Further, since the surfaces of the engaging portions 41, 42, 43 and 44 of the body 141 are formed by injection, the flatness of the surfaces of the engaging portions 41, 42, 43 and 44 is improved .

도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 광학 렌즈(161)의 입사면(164)의 직경 또는 너비(X2)는 상기 발광 소자(110)의 제1 방향의 길이(X1) 및 및 제2방향의 너비(Y1)보다 크게 형성될 수 있다. 이는 발광 소자(110)로부터 방출된 광은 광학 렌즈(161)의 입사면(164)을 통해 효과적으로 입사될 수 있다. 또한 상기 복수의 보스(61,62,63,64)들은 상기 광학 렌즈(161)의 입사면(164)의 영역 내에 배치되거나, 적어도 하나의 일부가 상기 광학 렌즈(161)의 외주 면보다 외측에 배치될 수 있다. 이러한 보스(61,62,63,64)들의 위치는 광학 렌즈(161)의 입사면(164)의 크기에 따라 변경될 수 있다. 또한 상기 보스(61,62,63,64) 및 결합부(41,42,43,44)의 형상이나 위치는 변경될 수 있다. 2 and 3, the diameter or width X2 of the incident surface 164 of the optical lens 161 is determined by the length X1 of the light emitting element 110 in the first direction, May be formed larger than the width Y1. This allows the light emitted from the light emitting element 110 to be effectively incident through the incident surface 164 of the optical lens 161. The plurality of bosses 61, 62, 63, and 64 may be disposed within the region of the incident surface 164 of the optical lens 161, or at least one portion may be disposed outside the outer circumferential surface of the optical lens 161 . The positions of the bosses 61, 62, 63, and 64 may be changed according to the size of the incident surface 164 of the optical lens 161. The shape and position of the bosses 61, 62, 63, 64 and the engaging portions 41, 42, 43, 44 may be changed.

실시 예는 상기 복수의 보스(61,62,63,64)와 상기 광학 렌즈(161)의 입사면(164)으로부터 돌출된 예로 설명하였으나, 복수의 보스(61,62,63,64)가 광학 렌즈(161)의 입사면(164)에 접착된 구조로 결합될 수 있다. 이때 복수의 보스(61,62,63,64)들의 위치 고정을 위해 서로를 연결해 주는 연결 구조물을 더 포함할 수 있다. 또한 상기 광학 렌즈(161)의 입사면(164)에는 광의 입사 효율을 위해 요철 패턴을 포함할 수 있다.
The embodiment has been described as an example in which the plurality of bosses 61, 62, 63 and 64 are projected from the incident surface 164 of the optical lens 161, but a plurality of bosses 61, 62, May be bonded to the incident surface (164) of the lens (161). In this case, the connection structure may further include a connection structure for connecting the plurality of bosses 61, 62, 63, 64 to each other to fix the position thereof. In addition, the incident surface 164 of the optical lens 161 may include a concavo-convex pattern for light incidence efficiency.

상기 회로 기판(201)은 회로패턴을 포함할 수 있다. 상기 회로 기판(201)은 수지 재질의 PCB, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 중 적어도 하나를 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자(110)는 상기 회로 기판(201) 상에 하나 또는 복수로 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The circuit board 201 may include a circuit pattern. The circuit board 201 may include at least one of a resin-made PCB, a metal core PCB (MCPCB), and a flexible PCB (FPCB), but the present invention is not limited thereto. The light emitting devices 110 may be disposed on the circuit board 201 in one or more than one, but the present invention is not limited thereto.

상기 회로 기판(201)은 금속층(51), 보호층(52) 및 복수의 패드(53,54)를 포함한다. The circuit board 201 includes a metal layer 51, a protective layer 52, and a plurality of pads 53 and 54.

상기 금속층(51)은 방열 층으로서, 열 전도성이 높은 금속 예컨대, Cu 또는 Cu-합금을 포함하며, 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.The metal layer 51 is a heat dissipation layer, and includes a metal having high thermal conductivity, such as Cu or Cu-alloy, and may be formed as a single layer or a multilayer structure.

상기 보호층(52)은 상기 금속층(51) 상에 배치되며, 레지스트 재질 예컨대, 백색 또는 녹색의 레지스트 재질로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 보호층(52)은 반사층으로 기능할 수 있으며, 예컨대 흡수율보다 반사율이 더 높은 재질로 형성될 수 있다. 상기 보호층(52)은 절연성 재질로 형성되어, 상기 금속층(51)과 상기 복수의 패드(53,54) 사이를 절연시켜 줄 수 있다.The protective layer 52 is disposed on the metal layer 51 and may be formed of a resist material such as a white or green resist material, but is not limited thereto. The protective layer 52 may function as a reflective layer, and may be formed of a material having a reflectance higher than that of the absorption layer, for example. The protective layer 52 may be formed of an insulating material so as to isolate the metal layer 51 from the plurality of pads 53 and 54.

상기 복수의 패드(53,54)는 상기 회로 기판(201)의 상면에 배치되며, 상기 보호층(52) 내에 임베디드될 수 있다. 상기 복수의 패드(53,54)는 제1패드(53) 및 제2패드(54)를 포함하며, 제1패드(53)는 상기 발광 소자(110)의 제1리드 프레임(121)과 본딩 부재로 접착되며, 상기 제1리드 프레임(121)과 전기적으로 연결된다. 제2패드(54)는 상기 발광 소자(110)의 제2리드 프레임(131)과 본딩 부재로 접착되며, 상기 제2리드 프레임(131)과 전기적으로 연결된다. The plurality of pads 53 and 54 are disposed on the upper surface of the circuit board 201 and may be embedded in the protective layer 52. The plurality of pads 53 and 54 may include a first pad 53 and a second pad 54. The first pad 53 may be bonded to the first lead frame 121 of the light emitting device 110, And is electrically connected to the first lead frame 121. [0041] The second pad 54 is bonded to the second lead frame 131 of the light emitting element 110 by a bonding member and is electrically connected to the second lead frame 131.

상기 회로 기판(201)의 보호층(52) 상에는 흡수층(221)이 형성될 수 있으며, 상기 흡수층(221)은 상기 보호층(52)의 상면에서 상기 복수의 패드(53,54)의 둘레에 형성될 수 있다. 상기 흡수층(221)은 오픈 영역(57)을 포함하며, 상기 오픈 영역(57)에는 상기 복수의 패드(53,54)가 노출될 수 있다. 상기 흡수층(221)은 상기 발광 소자(110)의 둘레에 배치되고, 상기 광학 렌즈(161)의 입사 면(164)과 수직 방향으로 오버랩되게 배치될 수 있다. 상기 흡수층(221)과 상기 광학 렌즈(161)의 입사면(164) 사이의 거리(A2)는 상기 광학 렌즈(161)의 입사면(164)과 상기 패드(13,14) 사이의 거리보다 가깝게 배치될 수 있다. 또한 상기 광학 렌즈(161)는 상기 반사 시트(121)와 수직 방향으로 오버랩되지 않게 배치된다. An absorbing layer 221 may be formed on the protective layer 52 of the circuit board 201 and the absorbing layer 221 may be formed on the upper surface of the protective layer 52 around the plurality of pads 53 and 54 . The absorbent layer 221 may include an open area 57 and the plurality of pads 53 and 54 may be exposed in the open area 57. The absorption layer 221 may be disposed around the light emitting device 110 and may overlap the incident surface 164 of the optical lens 161 in the vertical direction. The distance A2 between the absorption layer 221 and the incident surface 164 of the optical lens 161 is set to be smaller than the distance between the incident surface 164 of the optical lens 161 and the pads 13 and 14 . Further, the optical lens 161 is disposed so as not to overlap with the reflective sheet 121 in the vertical direction.

상기 흡수층(221)의 상면은 상기 발광 소자(110)의 상면 예컨대, 상기 리드 프레임(121,131)의 상면보다 낮게 배치된다. 이러한 흡수층(221)이 상기 발광 소자(110)의 둘레에 배치되고, 상기 광학 렌즈(161)로부터 반사된 광을 흡수하게 된다. 즉, 상기 흡수층(221)은 상기 광학 렌즈(161)의 아래에서 상기 광학 렌즈(161)로부터 반사된 비 정상적인 광 예컨대, 노이즈 광을 흡수하게 된다.The upper surface of the absorbing layer 221 is disposed on the upper surface of the light emitting device 110, for example, lower than the upper surface of the lead frames 121 and 131. The absorption layer 221 is disposed around the light emitting element 110 and absorbs the light reflected from the optical lens 161. That is, the absorption layer 221 absorbs unnatural light, for example, noise light reflected from the optical lens 161 under the optical lens 161.

상기 흡수층(221)은 흡수 패턴 또는 반사도가 낮은 층으로 정의되거나, 상기 흡수율이 반사율보다 더 높은 재질로 정의될 수 있다. 상기 흡수층(221)은 상기 보호층(52)과 다른 컬러를 갖는 재질로 형성될 수 있다. 상기 흡수층(221)은 예컨대, 검정색으로 형성될 수 있으며, 그 재질은 솔더 레지스트 재질로 형성될 수 있다. 여기서, 상기 보호층(52)은 제1컬러를 갖는 솔더 레지스트 재질이고, 상기 흡수층(221)은 제2컬러를 갖는 솔더 레지스트 재질로 형성될 수 있다. 상기 제1컬러와 제2컬러는 서로 다른 컬러로서, 예컨대 제1컬러는 제2컬러에 비해 반사도가 더 높은 색상으로 형성될 수 있으며, 상기 제2컬러는 상기 제1컬러에 비해 흡수율이 더 높은 색상으로 형성될 수 있다. 예컨대, 제1컬러는 백색이며, 상기 제2컬러는 검정색으로 형성될 수 있다. 상기 보호층(52) 및 상기 흡수층(221)은 컬러를 제외한 경우, 솔더 레지스트 재질을 포함할 수 있다. The absorption layer 221 may be defined as a layer having a low absorption pattern or low reflectance, or the absorption rate may be defined as a material higher than the reflectance. The absorption layer 221 may be formed of a material having a color different from that of the protective layer 52. The absorbing layer 221 may be formed of, for example, black, and the material thereof may be formed of a solder resist material. Here, the protection layer 52 may be a solder resist material having a first color, and the absorption layer 221 may be formed of a solder resist material having a second color. The first color and the second color may be different colors, for example, the first color may be formed in a color having a higher reflectivity than the second color, and the second color may have a higher absorption ratio than the first color Color. For example, the first color may be white and the second color may be black. The protective layer 52 and the absorber layer 221 may include a solder resist material when color is excluded.

상기 흡수층(221)의 외부 윤곽선은 곡선 형상 또는 각진 라인으로 형성될 수 있으며, 다른 형상으로도 형성될 수 있다. 상기 흡수층(221)의 외부 윤곽선은 탑뷰 형상이 원 형상 또는 다각형 형상일 수 있다. 상기 흡수층(221)은 상기 발광 소자(110)의 리드 프레임(121,131)의 두께보다 얇은 두께로 형성될 수 있으며, 20~30㎛ 범위로 형성될 수 있다.The outer contour of the absorbent layer 221 may be formed in a curved or angled line, or may be formed in other shapes. The outer contour of the absorbent layer 221 may have a circular or polygonal top view. The absorption layer 221 may be formed to have a thickness smaller than that of the lead frames 121 and 131 of the light emitting device 110 and may be formed in a range of 20 to 30 μm.

상기 회로 기판(201) 상에는 반사 시트(211)가 배치되며, 상기 반사 시트(211)는 상기 각 발광 소자(110)에 대응되는 홀(212)을 포함한다. 상기 회로 기판(201) 상에 복수의 발광 소자(110)가 탑재된 경우, 상기 반사 시트(211)에는 복수의 홀(212)이 형성되며, 상기 각 홀(212)에는 상기 발광 소자(110)가 삽입될 수 있다. 상기 홀(212)은 원 형상 또는 다각형 형상으로 형성될 수 있으며, 또한 상기 홀(212)의 외부 윤곽선은 상기 흡수층(221)의 외부 윤곽선과 동일한 형상으로 형성될 수 있다. A reflective sheet 211 is disposed on the circuit board 201 and the reflective sheet 211 includes holes 212 corresponding to the light emitting elements 110. When a plurality of light emitting devices 110 are mounted on the circuit board 201, a plurality of holes 212 are formed in the reflective sheet 211, and the light emitting devices 110 are formed in the holes 212. [ Can be inserted. The hole 212 may be formed in a circular or polygonal shape and the outer contour of the hole 212 may be formed in the same shape as the outer contour of the absorbent layer 221.

상기 홀(212)의 깊이는 상기 반사 시트(211)의 두께로 형성될 수 있으며, 상기 회로 기판(201)의 상면이 노출될 수 있다. 상기 반사 시트(211)의 홀(212)에는 상기 복수의 패드(53,54) 및 흡수층(221)이 노출된다. 상기 발광 소자(110)가 상기 복수의 패드(53,54) 상에 배치됨으로써, 상기 흡수층(221)은 상기 반사 시트(211)의 홀(212)을 통해 노출될 수 있다. 상기 반사 시트(211)는 상기 흡수층(221)의 둘레에 배치되고, 상기 광학 렌즈(161)로부터 반사된 광을 반사시켜 준다. 이러한 광의 반사를 통해 광 손실을 줄일 수 있다.The depth of the hole 212 may be the thickness of the reflective sheet 211 and the top surface of the circuit board 201 may be exposed. The plurality of pads 53 and 54 and the absorbent layer 221 are exposed in the holes 212 of the reflective sheet 211. The light absorbing layer 221 may be exposed through the hole 212 of the reflective sheet 211 by disposing the light emitting element 110 on the plurality of pads 53 and 54. [ The reflective sheet 211 is disposed around the absorbing layer 221 and reflects the light reflected from the optical lens 161. The light loss can be reduced through reflection of such light.

상기 광학 렌즈(161)의 입사면(164) 또는 하면 면적은 상기 홀(212)의 면적보다 작을 수 있으며, 상기 흡수층(221)의 면적 즉, 원 내에 채워지는 유효 영역의 면적은 상기 반사 시트(211)의 홀(212)의 면적보다 작을 수 있다. The incident surface 164 or the bottom surface area of the optical lens 161 may be smaller than the area of the hole 212 and the area of the absorption layer 221, that is, the area of the effective area filled in the circle, 211 may be smaller than the area of the hole 212 of the second electrode 211.

상기 흡수층(221)의 직경 즉, 너비(D1)는 상기 광학 렌즈(161)의 입사면(164)의 너비(X2)보다 길게 형성될 수 있으며, 상기 광학 렌즈(161)의 입사면 너비(X2)의 108%~115% 범위로 길게 형성될 수 있다. 상기 흡수층(221)의 직경 또는 너비(D1)가 상기 범위를 초과한 경우 광도가 감소될 수 있고, 상기 범위보다 작은 경우 광의 균일도 개선 효과가 작을 수 있다. 상기 흡수층(221)의 외곽 선과 상기 광학 렌즈(161)의 입사면(164)의 윤곽선 사이의 간격(A1)은 입사면(164)의 너비(X2)의 4%~7.5% 범위로 형성될 수 있다.The diameter D1 of the absorbing layer 221 may be longer than the width X2 of the incident surface 164 of the optical lens 161 and the width of the incident surface of the optical lens 161 X2 ) To about 108% to about 115% of the total thickness of the substrate. If the diameter or the width D1 of the absorbing layer 221 exceeds the above range, the brightness can be reduced. If the diameter or the width D1 is smaller than the above range, the uniformity improvement effect of the light can be small. The interval A1 between the contour line of the absorbing layer 221 and the contour of the incident surface 164 of the optical lens 161 can be formed in the range of 4% to 7.5% of the width X2 of the incident surface 164 have.

상기 광학 렌즈(161)의 하면 면적이 A이고, 상기 홀(212)의 면적이 B이며, 상기 흡수층(221)의 상면 면적이 C이고, 반사도가 D인 경우, B>A의 조건을 만족하며, 상기 B=Aⅹ(1+a), a>0의 식으로 표현할 수 있다. 상기 a는 상기 발광 소자를 탑재하기 위한 공정(예: SMT)을 위한 디센터(Decenter) 공차일 수 있다. The condition of B> A is satisfied when the bottom surface area of the optical lens 161 is A, the area of the hole 212 is B, the top surface area of the absorption layer 221 is C, and the reflectivity is D , B = A x (1 + a), a> 0. The a may be a decenter tolerance for a process (e.g., SMT) for mounting the light emitting device.

상기 흡수층(221)의 상면 면적 즉, 유효 영역의 상면 면적은 C<B의 조건을 만족하며, C=Bⅹ(1-b), 1>b>0의 식으로 표현될 수 있다. 상기 b는 홀의 경계를 나타내기 위한 상수이다. 이러한 흡수층(221)의 유효 영역에서 상기 흡수층(221)의 반사도는 다음과 같이 구해질 수 있다. D(%)=1.24ⅹC2-1.11ⅹC+0.99의 조건을 만족한다. 상기 1.24 및 1.11은 상기 반사도 D와 흡수층(221)의 면적 C의 관계를 나타내는 계수이며, 예컨대 상기 흡수층(221)의 면적에 따른 반사도를 구하여 얻은 값이 될 수 있다. 상기 0.99는 상기 반사도 D를 구하기 위한 흡수층(221)의 면적 C과의 관계를 나타내는 상수이다. The upper surface area of the absorption layer 221, that is, the upper surface area of the effective area satisfies the condition of C <B, and can be expressed by an equation of C = B x (1-b), 1>b> And b is a constant for indicating the boundary of the hole. The reflectivity of the absorbing layer 221 in the effective region of the absorbing layer 221 can be determined as follows. D (%) = 1.24 × C 2 -1.11 × C + 0.99. 1.24 and 1.11 are coefficients representing the relationship between the reflectivity D and the area C of the absorbent layer 221, and may be values obtained by, for example, obtaining the reflectivity according to the area of the absorbent layer 221. 0.99 is a constant indicating the relationship with the area C of the absorption layer 221 for obtaining the reflectivity D. [

다른 예로서, 상기 흡수층(221)의 유효 영역에서의 반사도 D(%)=C/Bⅹ(0.4±0.1)ⅹ100로 구해질 수 있으며, 상기 0.4는 반사도 D를 구하기 위한 계수이며, 0.1은 오차 값이다. As another example, the reflectance D (%) in the effective region of the absorption layer 221 can be obtained as: C / B x (0.4 0.1) x 100 where 0.4 is a coefficient for obtaining the reflectivity D, 0.1 is an error value to be.

도 6과 같이, 상기 발광 소자(110)로부터 방출된 광은 광학 렌즈(161)에 의해 반사되거나 투과된다. 이때 상기 광학 렌즈(161)로부터 반사된 광의 일부는 흡수층(221)에 의해 흡수되고, 반사시트(211)에 의해 반사된다. 상기 흡수층(221)은 광의 균일도를 저해하는 노이즈 광을 흡수하게 되므로, 광학 시스템의 광 균일도를 개선시켜 줄 수 있다.As shown in FIG. 6, the light emitted from the light emitting device 110 is reflected or transmitted by the optical lens 161. At this time, a part of the light reflected from the optical lens 161 is absorbed by the absorption layer 221 and is reflected by the reflection sheet 211. Since the absorption layer 221 absorbs noise light which hinders the uniformity of light, the light uniformity of the optical system can be improved.

상기 흡수층(221)의 반사도를 낮추어, 상기 광학 렌즈(161)를 투과한 광이 상기 확산 플레이트와 같은 광학 부재(191)에 노이즈로 작용되는 것을 방지할 수 있다. 즉, 광학 렌즈(161)의 내부 및 입사 면(164)에 의해 전 반사된 광은 반사되어 상기 광학 렌즈(161)로 재 입사되거나 확산 플레이트와 같은 광학 부재(191)로 입사될 수 있다. 이때 정해진 영역을 벗어나 입사된 광은 광학 렌즈(161)를 투과한 후, 노이즈로 작용하게 된다. 실시 예는 노이즈로 작용되는 광의 영역 분포를 검출한 후, 해당 영역에 흡수층(221)을 배치하고, 정해진 영역을 벗어나는 광을 흡수층(221)이 흡수하여, 중심부 휘도 분포에서의 노이즈를 줄여줄 수 있다. 상기 광학 부재(191)는 확산 플레이트, 도광판, 편광 플레이트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
It is possible to prevent the light transmitted through the optical lens 161 from acting as noise to the optical member 191 such as the diffusion plate by lowering the reflectance of the absorption layer 221. [ That is, the light reflected by the inside of the optical lens 161 and the incident surface 164 may be reflected and re-incident on the optical lens 161 or may be incident on the optical member 191 such as a diffusion plate. At this time, the incident light deviates from the predetermined area and transmits through the optical lens 161, and then acts as noise. In the embodiment, the absorption region 221 is disposed in the region after detecting the region distribution of the light that acts as noise, and the absorption layer 221 absorbs light deviating from the predetermined region, thereby reducing the noise in the central luminance distribution have. The optical member 191 may include at least one of a diffusion plate, a light guide plate, and a polarizing plate.

도 7 내지 도 12는 실시 예에 따른 회로 기판의 흡수층의 변형된 패턴을 나타낸 도면이다.7 to 12 are views showing a deformed pattern of the absorbing layer of the circuit board according to the embodiment.

도 7내지 도 9를 참조하면, 흡수층(221)은 복수의 패드(53,54) 둘레에 원 형상으로 형성될 수 있다. 상기 흡수층(221)의 직경(D1)은 8mm~15mm 범위의 패턴이며, 검정색 솔더 레지스트로 형성된다. 상기 흡수층의 두께는 50㎛ 이하 예컨대, 30㎛ 이하로 형성될 수 있으며, 흡수율을 위해 20㎛~30㎛ 범위로 형성될 수 있다.7 to 9, the absorbent layer 221 may be formed in a circular shape around the plurality of pads 53 and 54. The diameter D1 of the absorbing layer 221 is in the range of 8 mm to 15 mm and is formed of a black solder resist. The thickness of the absorbing layer may be 50 탆 or less, for example, 30 탆 or less, and may be 20 탆 to 30 탆 for absorption.

도 7을 참조하면, 흡수층(221)은 전 영역이 균일한 두께로 형성되거나, 복수의 도트 구조물이 이루어진 패턴으로 형성될 수 있으며, 상기 균일한 두께는 20㎛~30㎛ 범위의 두께로 형성될 수 있으며, 상기 도트형 형상의 패턴은 솔더 레지스터 내에 0.1~100㎛의 직경을 갖는 불순물들이 더 첨가될 수 있다. 상기 흡수층(221)의 오픈 영역(207)은 X축 방향의 너비와 Y축 방향의 너비가 같거나 다를 수 있다. 7, the absorption layer 221 may be formed in a uniform thickness or in a pattern of a plurality of dot structures, and the uniform thickness may be formed in a thickness ranging from 20 to 30 μm And the pattern of the dotted shape may be further doped with impurities having a diameter of 0.1 to 100 mu m in the solder resist. The width of the open region 207 of the absorbent layer 221 may be the same or different from the width of the X-axis direction and the width of the Y-axis direction.

도 8을 참조하면, 흡수층(222)은 외곽 라인을 연결하는 외곽선분이 원 형태를 형성하는 방사형 패턴으로 형성될 수 있다. 상기 방사형 패턴의 직경은 8mm~20mm 범위의 패턴이며, 그 두께는 20~30㎛ 범위로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 8, the absorbent layer 222 may be formed in a radial pattern in which the outline lines connecting the outer lines form a circular shape. The diameter of the radial pattern ranges from 8 mm to 20 mm, and the thickness of the radial pattern ranges from 20 to 30 μm.

상기 방사형 패턴은 복수의 돌기들(71) 원의 중심에서 외측 방향으로 방사 형으로 배열된다. 상기 방사형 형상의 각 돌기들(71)은 동일한 길이 및 동일한 너비로 형성될 수 있으며, 또한 각 돌기들(71) 중 원의 중심에 인접한 내측 영역들은 서로 연결될 수 있고, 원의 중심에서 멀어질수록 돌기들(71) 사이의 영역(72)가 점차 멀어지게 된다. The radial pattern is radially arranged in the outward direction from the center of the plurality of projections (71). Each of the protrusions 71 of the radial shape may be formed to have the same length and the same width and inner regions adjacent to the center of the circle among the protrusions 71 may be connected to each other, The area 72 between the protrusions 71 is gradually distanced.

또한 상기 복수의 돌기들(71)은 동일한 두께로 형성될 수 있으며, 외측으로 갈수록 점차 두꺼워지거나, 점차 얇은 두께로 형성될 수 있다.
In addition, the plurality of protrusions 71 may be formed to have the same thickness, and the protrusions 71 may be gradually thickened toward the outside, or may be formed to have a gradually thinner thickness.

도 9를 참조하면, 흡수층(223)은 발광 소자의 센터를 중심으로 상기 제1패드(203)의 둘레에 반구 형상을 갖는 제1영역(73)과, 제2패드(205)의 둘레에 반구 형상을 갖는 제2영역(74)을 포함하며, 상기 제1영역(73)과 제2영역(74) 사이의 영역은 오목한 영역(75,76)이 형성되며, 상기 오목한 영역(75,76)은 상기 오픈 영역(57) 방향으로 오목하게 배치되고 서로 대응되게 형성될 수 있다.
9, the absorbing layer 223 includes a first region 73 having a hemispherical shape around the first pad 203 with a center of the light emitting element as a center, Wherein a region between the first region 73 and the second region 74 is formed with a concave region 75 and 76 and the concave region 75 and 76 are formed with a concave region 75 and 76, May be concavely disposed in the direction of the open area 57 and may be formed to correspond to each other.

도 10을 참조하면, 흡수층(224)은 사각형 형상으로 형성될 수 있다. 이러한 흡수층(224)이 사각형 형상인 경우, 상기 광학 렌즈의 입사면은 사각형 형상일 수 있다. 여기서, 상기 사각형 형상은 적어도 하나의 모서리 부분이 모따기 처리된 구조도 포함할 수 있다.
Referring to FIG. 10, the absorption layer 224 may be formed in a rectangular shape. When the absorption layer 224 has a rectangular shape, the incident surface of the optical lens may have a rectangular shape. Here, the rectangular shape may include a structure in which at least one corner portion is chamfered.

도 11을 참조하면, 흡수층(225)은 타원 형상으로 형성될 수 있으며, 상기 타원 형상은 제1축 방향(X)의 너비(D3)가 제2축 방향(Y)의 너비(D2)보다 긴 경우이다. 이러한 흡수층(225)은 발광 소자의 직사각형 형상 예컨대, X축 방향의 길이가 Y축 방향의 길이보다 더 길게 형성될 때 적용될 수 있다.
11, the absorbent layer 225 may be formed in an elliptical shape, and the elliptical shape may be formed such that the width D3 of the first axial direction X is longer than the width D2 of the second axial direction Y . The absorption layer 225 may be applied when the light emitting device has a rectangular shape, for example, the length in the X-axis direction is longer than the length in the Y-axis direction.

도 12를 참조하면, 흡수층(226)은 내부의 제1영역(77) 및 외부의 제2영역(78)을 포함하며, 상기 제1영역(77)은 상기 제1 및 제2패드(53,54)의 둘레에 배치되며, 상기 제2영역(78)은 상기 제1영역(77)의 둘레에 배치된다. 상기 제1영역(77)과 상기 제2영역(78)은 서로 다른 물질일 수 있으며, 예컨대 제2영역(78)의 광 흡수율이 제1영역(77)의 광 흡수율보다 더 높을 수 있다. 상기 제1영역(77)의 직경 또는 너비(D4)는 상기 제1영역(77)의 직경(D1)의 40~60% 범위로 형성될 수 있다. 12, the absorbent layer 226 includes an inner first region 77 and an outer second region 78, wherein the first region 77 includes the first and second pads 53, 54, and the second region 78 is disposed around the first region 77. For example, the light absorptance of the second region 78 may be higher than the light absorptance of the first region 77. For example, the first region 77 and the second region 78 may be made of different materials. The diameter or the width D4 of the first region 77 may be in a range of 40 to 60% of the diameter D1 of the first region 77.

상기 제1영역(77)과 상기 제2영역(78)의 재질의 컬러가 다를 수 있으며, 예컨대 상기 제2영역(78)은 검정색 솔더 레지스트 재질이고, 상기 제1영역(77)은 회색 솔더 레지스트 재질일 수 있다. 반대로 상기 발광 소자에 인접할수록 점차 어두운 색으로 형성될 수 있다.
The second region 78 may be made of a black solder resist material and the first region 77 may be formed of a gray solder resist material. May be a material. On the contrary, the light emitting device can be formed into a gradually darker color adjacent to the light emitting device.

도 13은 실시 예들의 흡수층의 직경에 따른 휘도 균일도를 나타낸 도면이다. 비교 예는 흡수층의 패턴이 없는 구조이며, 실시 예들(S1-S5)은 흡수층의 직경 변경에 따른 휘도 균일도를 나타낸 그래프이다. 가로 축은 기준(0)부터의 거리를 나타내는 mm 단위이며, 세로 축은 광학 부재에서 측정한 광도의 균일도를 나타낸다. 13 is a view showing luminance uniformity according to the diameter of the absorption layer in the embodiments. The comparative example is a structure having no pattern of the absorbing layer, and Examples (S1-S5) are graphs showing the luminance uniformity according to the diameter change of the absorbing layer. The horizontal axis represents the distance from the reference (0) in mm, and the vertical axis represents the uniformity of the light intensity measured by the optical member.

비교 예는 회로 기판 상에 흡수층이 없는 구조이며, 발광 소자의 중심을 기준으로 8mm의 영역에서 80% 이하의 흡수율을 나타낸다.The comparative example has a structure in which there is no absorbing layer on the circuit board, and exhibits an absorptance of 80% or less in a region of 8 mm with respect to the center of the light emitting element.

실시 예1(S1)은 8mm의 직경을 갖는 흡수층이며, 0~8mm의 영역에서 100% 흡수율을 나타낸다. 실시 예2(S2)는 15mm의 직경을 갖는 흡수층이며, 8~15mm의 영역에서 100% 흡수율을 나타낸다. 실시 예3(S3)는 15mm의 직경을 갖는 흡수층이며, 0~15mm의 영역에서 100% 흡수율을 나타낸다. 실시 예4(S4)는 20mm의 직경을 갖는 흡수층이며, 15~20mm 영역에서 100% 흡수율을 나타낸다. 실시 예(S5)는 15mm의 직경을 갖는 흡수층이며, 50% 흡수율을 나타낸다.Example 1 (S1) is an absorbent layer having a diameter of 8 mm and exhibits a 100% absorptivity in the region of 0 to 8 mm. Example 2 (S2) is an absorbing layer having a diameter of 15 mm and exhibits a 100% absorptivity in a region of 8 to 15 mm. Example 3 (S3) is an absorbing layer having a diameter of 15 mm and exhibits a 100% absorptivity in the region of 0 to 15 mm. Example 4 (S4) is an absorbent layer having a diameter of 20 mm and exhibits a 100% absorptivity in the region of 15 to 20 mm. Example S5 is an absorbent layer having a diameter of 15 mm and exhibits a 50% absorption rate.

여기서, 실시 예1-4(S1-S4)는 도 7과 같이 흡수층의 전 영역을 채워 형성한 영역에서의 흡수율이며, 실시 예5(S5)는 흡수층의 전 영역을 도 7과 같이 채우지 않고 보호층을 40% 이상 노출시킨 구조를 나타낸다.
7 is a diagram showing the absorption rate in the region formed by filling the entire region of the absorption layer, and Example 5 (S5) Lt; RTI ID = 0.0 &gt; 40% &lt; / RTI &gt;

도 14 내지 도 18의 (A)(B)은 비교 예와 실시 예의 흡수층의 변형예들의 광의 조도 분포 및 광의 중심 밝기를 나타낸 도면이다.Figs. 14 to 18 (A) and 18 (B) are diagrams showing the light intensity distribution and the center brightness of light in the modified examples of the absorbent layer of the comparative example and the example.

도 14는 흡수층이 없는 비교 예에서의 광의 조도 분포 및 광의 중심 밝기를 나타내며, 발광소자의 둘레인 0~8mm 영역에서 80%의 광 흡수를 나타내고 있다. 여기서, 발광 소자의 중심부에서의 핫 스팟(hot spot)에 의해 전 영역에서의 광 균일도를 저하시키게 된다.Fig. 14 shows the illuminance distribution of light and the center brightness of light in the comparative example without the absorbing layer, showing 80% light absorption in the 0 to 8 mm region around the light emitting element. Here, the light uniformity in the entire region is lowered by the hot spot at the center of the light emitting element.

도 15 내지 도 16은 도 7과 같은 흡수층이 형성된 구조이며, 도 15는 8mm 직경을 갖는 흡수층에서 100%의 흡수율을 나타내고 있으며, (A)의 광의 조도 분포 및 (B)의 광의 중심 밝기와 같이, 발광 소자의 중심부에서의 핫 스팟이 비교 예에 비해 감소된다. 이에 따라 전체적으로 광의 균일도는 개선될 수 있다.Fig. 15 to Fig. 16 show a structure in which the absorption layer as shown in Fig. 7 is formed. Fig. 15 shows the absorption ratio of 100% in the absorption layer having a diameter of 8 mm, and the luminous intensity distribution of (A) , The hot spot at the center of the light emitting element is reduced as compared with the comparative example. Thus, the uniformity of light as a whole can be improved.

도 16의 (A)(B)은 15mm 직경을 갖는 흡수층에서의 광의 조도 분포 및 광의 중심 밝기를 나타낸 도면으로서, 0~15mm의 영역에서 100%의 흡수율을 나타냄을 알 수 있다.16A and 16B are diagrams showing the illuminance distribution of light and the center brightness of light in the absorbing layer having a diameter of 15 mm, and it can be seen that the absorbance is 100% in the region of 0 to 15 mm.

도 17의 (A)(B)은 15mm 직경을 갖는 흡수층에서의 광의 조도 분포 및 광의 중심 밝기를 나타낸 도면으로서, 8mm~15mm의 영역에서 100%의 흡수율을 나타냄을 알 수 있다. 이러한 흡수율에 의해 광의 균일도는 개선될 수 있다.17A and 17B show the illuminance distribution of light and the central brightness of light in the absorbing layer having a diameter of 15 mm, and it is seen that the absorbance is 100% in the region of 8 mm to 15 mm. The uniformity of light can be improved by this absorption ratio.

그리고, 흡수층의 직경이 20mm를 초과하는 경우, 20mm 초과 영역에서는 흡수층을 적용하더라도 중심 휘도를 낮추는 데에는 영향이 없다. When the diameter of the absorbing layer exceeds 20 mm, even when the absorbing layer is applied in the region exceeding 20 mm, there is no influence on lowering the central brightness.

도 18의 (A)(B)는 15mm 직경을 갖는 흡수층에서의 광의 조도 분포 및 광의 중심 밝기를 나타낸 도면으로서, 0~15mm의 영역에서 50%의 흡수율을 나타내고 있으며, 이러한 흡수층은 패턴에 의해 전 영역이 채워지지 않고 보호층의 영역이 50% 이상 노출된 영역일 수 있다. 18A and 18B show the illuminance distribution of light and the center brightness of light in an absorbing layer having a diameter of 15 mm and show an absorption rate of 50% in a region of 0 to 15 mm. The area of the protective layer is not filled and the area of the protective layer is exposed to 50% or more.

도 19는 회로 기판 상에 흡수층이 있는 실시 예와, 흡수층이 없는 비교 예에서의 광학 렌즈의 직경이 10mm (Lens A) 및 11mm (Lens B)에서의 휘도 균일도를 나타낸 도면이다. 여기서, 가로 축은 거리(fixel)이며, 세로 축은 휘도를 나타낸다. 실시 예의 휘도 분포가 비교 예의 휘도 분포보다 균일도 측면에서 개선됨을 알 수 있다. 휘도 분포는 실시 예의 분포도(R1,R3)가 비교 예의 분포도(R2,R4)이 비해 넓게 나타남을 알 수 있다.
19 is a diagram showing an embodiment in which an absorbing layer is provided on a circuit board and a luminance uniformity in the case where the diameter of the optical lens is 10 mm (Lens A) and 11 mm (Lens B) in a comparative example without an absorbing layer. Here, the horizontal axis is the distance (fixel) and the vertical axis is the luminance. It can be seen that the luminance distribution of the embodiment is improved in terms of uniformity compared with the luminance distribution of the comparative example. It can be seen that the luminance distributions (R1 and R3) of the embodiment are wider than the distribution diagrams (R2 and R4) of the comparative example.

실시 예에 따른 발광 칩은 도 20 및 도 21의 예를 참조하여, 설명하기로 한다. The light emitting chip according to the embodiment will be described with reference to the examples of Figs. 20 and 21. Fig.

도 20은 실시 예에 따른 발광 칩을 나타낸 도면이다. 20 is a view showing a light emitting chip according to an embodiment.

도 20을 참조하면, 실시 예에 따른 발광 칩은 기판(311), 버퍼층(312), 발광 구조물(310), 제1전극(316) 및 제2전극(317)을 포함한다. 상기 기판(311)은 투광성 또는 비 투광성 재질의 기판을 포함하며, 또한 전도성 또는 절연성 기판을 포함한다.Referring to FIG. 20, a light emitting chip according to an embodiment includes a substrate 311, a buffer layer 312, a light emitting structure 310, a first electrode 316, and a second electrode 317. The substrate 311 includes a substrate of a light-transmitting or non-light-transmitting material, and also includes a conductive or insulating substrate.

상기 버퍼층(312)은 기판(311)과 상기 발광 구조물(310)의 물질과의 격자 상수 차이를 줄여주게 되며, 질화물 반도체로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층(312)과 상기 발광 구조물(310)사이에는 도펀트가 도핑되지 않는 질화물 반도체층을 더 형성하여 결정 품질을 개선시켜 줄 수 있다. The buffer layer 312 reduces the lattice constant difference between the substrate 311 and the material of the light emitting structure 310, and may be formed of a nitride semiconductor. A nitride semiconductor layer not doped with a dopant may be further formed between the buffer layer 312 and the light emitting structure 310 to improve crystal quality.

상기 발광 구조물(310)은 제1도전형 반도체층(313), 활성층(314) 및 제2도전형 반도체층(315)를 포함한다. The light emitting structure 310 includes a first conductive semiconductor layer 313, an active layer 314, and a second conductive semiconductor layer 315.

상기 제1도전형 반도체층(313)은 제1도전형 도펀트가 도핑된 III족-V족 화합물 반도체로 구현되며, 상기 제1도전형 반도체층(313)은 n형 반도체층이며, 상기 제1도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함한다. The first conductivity type semiconductor layer 313 is an n-type semiconductor layer. The first conductivity type semiconductor layer 313 is formed of a Group III-V compound semiconductor doped with a first conductivity type dopant, The conductive dopant is an n-type dopant including Si, Ge, Sn, Se, and Te.

상기 제1도전형 반도체층(313)과 상기 활성층(314) 사이에는 제1클래드층이 형성될 수 있다. 상기 제1클래드층은 GaN계 반도체로 형성될 수 있으며, 그 밴드 갭은 상기 활성층(314)의 밴드 갭 이상으로 형성될 수 있다. 이러한 제1클래드층은 제1도전형으로 형성되며, 캐리어를 구속시켜 주는 역할을 한다. A first clad layer may be formed between the first conductive semiconductor layer 313 and the active layer 314. [ The first clad layer may be formed of a GaN-based semiconductor, and the band gap of the first clad layer may be greater than a bandgap of the active layer 314. The first cladding layer is formed in the first conductivity type and serves to constrain carriers.

상기 활성층(314)은 상기 제1도전형 반도체층(313) 위에 배치되며, 단일 양자 우물, 다중 양자 우물(MQW), 양자 선(quantum wire) 구조 또는 양자 점(quantum dot) 구조를 선택적으로 포함한다. 상기 활성층(314)은 우물층과 장벽층의 주기를 포함한다. 상기 우물층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함하며, 상기 장벽층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함할 수 있다. 상기 우물층/장벽층의 주기는 예컨대, InGaN/GaN, GaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, InAlGaN/InAlGaN의 적층 구조를 이용하여 1주기 이상으로 형성될 수 있다. 상기 장벽층은 상기 우물층의 밴드 갭보다 높은 밴드 갭을 가지는 반도체 물질로 형성될 수 있다. The active layer 314 is disposed on the first conductive semiconductor layer 313 and selectively includes a single quantum well, a multiple quantum well (MQW), a quantum wire structure, or a quantum dot structure. do. The active layer 314 includes a well layer and a barrier layer period. The well layer comprises a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x + y≤1), and wherein the barrier layer is In x Al y And Ga 1-xy N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? 1). The period of the well layer / barrier layer may be one or more cycles using a lamination structure of, for example, InGaN / GaN, GaN / AlGaN, InGaN / AlGaN, InGaN / InGaN, and InAlGaN / InAlGaN. The barrier layer may be formed of a semiconductor material having a band gap higher than a band gap of the well layer.

상기 활성층(314) 위에는 제2도전형 반도체층(315)이 형성된다. 상기 제2도전형 반도체층(315)은 제2도전형 도펀트가 도핑된 반도체 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN와 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(315)이 p형 반도체층이고, 상기 제2도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba을 포함할 수 있다. A second conductive semiconductor layer 315 is formed on the active layer 314. The second conductive semiconductor layer 315 may be formed of any one of compound semiconductors such as GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, and AlInN doped with a second conductive dopant. The second conductivity type semiconductor layer 315 may be a p-type semiconductor layer, and the second conductivity type dopant may include Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba as a p-type dopant.

상기 제2도전형 반도체층(315)은 초격자 구조를 포함할 수 있으며, 상기 초격자 구조는 InGaN/GaN 초격자 구조 또는 AlGaN/GaN 초격자 구조를 포함할 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(315)의 초격자 구조는 비 정상적으로 전압에 포함된 전류를 확산시켜 주어, 활성층(314)을 보호할 수 있다.The second conductive semiconductor layer 315 may include a superlattice structure, and the superlattice structure may include an InGaN / GaN superlattice structure or an AlGaN / GaN superlattice structure. The superlattice structure of the second conductivity type semiconductor layer 315 may protect the active layer 314 by diffusing a current contained in the voltage abnormally.

또한 상기 발광 구조물(310)의 도전형을 반대로 배치할 수 있으며, 예컨대 제1도전형 반도체층(313)은 P형 반도체층, 상기 제2도전형 반도체층(315)은 n형 반도체층으로 배치할 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(315) 위에는 상기 제2도전형과 반대의 극성을 갖는 제1도전형의 반도체층이 더 배치될 수도 있다. The first conductivity type semiconductor layer 313 may be a p-type semiconductor layer, and the second conductivity type semiconductor layer 315 may be an n-type semiconductor layer. can do. A first conductive semiconductor layer having a polarity opposite to that of the second conductive type may be further disposed on the second conductive type semiconductor layer 315.

상기 발광 구조물(310)은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다. 여기서, 상기 p는 p형 반도체층이며, 상기 n은 n형 반도체층이며, 상기 -은 p형 반도체층과 n형 반도체층이 직접 접촉되거나 간접 접촉된 구조를 포함한다. 이하, 설명의 편의를 위해, 발광 구조물(310)의 최 상층은 제2도전형 반도체층(315)으로 설명하기로 한다.The light emitting structure 310 may have any one of an n-p junction structure, a p-n junction structure, an n-p-n junction structure, and a p-n-p junction structure. Here, p is a p-type semiconductor layer, and n is an n-type semiconductor layer, and the - includes a structure in which the p-type semiconductor layer and the n-type semiconductor layer are in direct contact or indirect contact. Hereinafter, for convenience of explanation, the uppermost layer of the light emitting structure 310 will be described as the second conductive type semiconductor layer 315.

상기 제1도전형 반도체층(313) 상에는 제1전극(316)이 배치되고, 상기 제2도전형 반도체층(315) 상에는 전류 확산층을 갖는 제2전극(317)을 포함한다.
A first electrode 316 is disposed on the first conductive type semiconductor layer 313 and a second electrode 317 having a current diffusion layer is disposed on the second conductive type semiconductor layer 315.

도 21는 실시 예에 따른 발광 칩의 다른 예를 나타낸 도면이다. 도 21를 설명함에 있어서, 도 28과 동일한 부분은 생략하며 간략하게 설명하기로 한다.21 is a view showing another example of the light emitting chip according to the embodiment. In describing Fig. 21, the same parts as those in Fig. 28 will be omitted and briefly explained.

도 21를 참조하면, 실시 예에 따른 발광 칩은 발광 구조물(310) 아래에 오믹 접촉층(321)이 형성되며, 상기 오믹 접촉층(321) 아래에 반사층(324)이 형성되며, 상기 반사층(324) 아래에 지지부재(325)가 형성되며, 상기 반사층(324)과 상기 발광 구조물(310)의 둘레에 보호층(323)이 형성될 수 있다.21, an ohmic contact layer 321 is formed under the light emitting structure 310, a reflective layer 324 is formed under the ohmic contact layer 321, and the reflective layer A supporting member 325 is formed under the light emitting structure 310 and a protective layer 323 is formed around the reflective layer 324 and the light emitting structure 310.

이러한 발광 칩은 제2도전형 반도체층(315) 아래에 오믹 접촉층(321) 및 보호층(323), 반사층(324) 및 지지부재(325)를 형성한 다음, 성장 기판을 제거하여 형성될 수 있다. The light emitting chip is formed by forming an ohmic contact layer 321, a protective layer 323, a reflective layer 324, and a supporting member 325 under the second conductive type semiconductor layer 315, .

상기 오믹 접촉층(321)은 발광 구조물(310)의 하층 예컨대 제2도전형 반도체층(315)에 오믹 접촉되며, 그 재료는 금속 산화물, 금속 질화물, 절연물질, 전도성 물질 중에서 선택될 수 있으며, 예컨대 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 구성된 물질 중에서 형성될 수 있다. 또한 상기 금속 물질과 IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성할 수 있으며, 예컨대, IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni 등으로 적층할 수 있다. 상기 오믹 접촉층(321) 내부는 전극(316)과 대응되도록 전류를 블록킹하는 층이 더 형성될 수 있다.The ohmic contact layer 321 is in ohmic contact with a lower layer of the light emitting structure 310, for example, the second conductive semiconductor layer 315. The material of the ohmic contact layer 321 may be selected from among metal oxides, metal nitrides, For example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc oxide (IZTO), indium aluminum zinc oxide (IAZO), indium gallium zinc oxide (IGZO), indium gallium tin oxide (IGTO) zinc oxide, ATO (antimony tin oxide), GZO (gallium zinc oxide), Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf, As shown in FIG. In addition, the metal material and the light transmitting conductive material such as IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, and ATO can be used in a multilayer structure. For example, IZO / Ni, AZO / Ag, IZO / / Ag / Ni or the like. The ohmic contact layer 321 may further include a current blocking layer to correspond to the electrode 316.

상기 보호층(323)은 금속 산화물 또는 절연 물질 중에서 선택될 수 있으며, 예컨대 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2 에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 보호층(323)은 스퍼터링 방법 또는 증착 방법 등을 이용하여 형성할 수 있으며, 반사층(324)과 같은 금속이 발광 구조물(310)의 층들을 쇼트시키는 것을 방지할 수 있다.The protective layer 323 may be selected from the group consisting of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), indium aluminum zinc oxide (IAZO) (indium gallium zinc oxide), IGTO (indium gallium tin oxide), AZO (aluminum zinc oxide), ATO (antimony tin oxide), GZO (gallium zinc oxide), SiO 2, SiO x, SiO x N y, Si 3 N 4 , Al 2 O 3 , and TiO 2 . The protective layer 323 may be formed using a sputtering method, a deposition method, or the like, and metal such as the reflective layer 324 may prevent the layers of the light emitting structure 310 from being short-circuited.

상기 반사층(324)은 금속 예컨대, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 구성된 물질로 형성될 수 있다. 상기 반사층(324)은 상기 발광 구조물(310)의 폭보다 크게 형성될 수 있으며, 이는 광 반사 효율을 개선시켜 줄 수 있다. 상기의 반사층(324)과 상기 지지부재(325) 사이에 접합을 위한 금속층과, 열 확산을 위한 금속층이 더 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The reflective layer 324 may be formed of a material selected from the group consisting of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf and combinations thereof. The reflective layer 324 may be formed to have a width larger than the width of the light emitting structure 310, which may improve the light reflection efficiency. A metal layer for bonding and a metal layer for thermal diffusion may be further disposed between the reflective layer 324 and the support member 325, but the present invention is not limited thereto.

상기 지지부재(325)는 베이스 기판으로서, 구리(Cu), 금(Au), 니켈(Ni), 몰리브데늄(Mo), 구리-텅스텐(Cu-W)와 같은 금속이거나 캐리어 웨이퍼(예: Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC)으로 구현될 수 있다. 상기 지지부재(325)와 상기 반사층(324) 사이에는 접합층이 더 형성될 수 있으며, 상기 접합층은 두 층을 서로 접합시켜 줄 수 있다. 상기의 개시된 발광 칩은 일 예이며, 상기에 개시된 특징으로 한정하지는 않는다. 상기의 발광 칩은 상기의 발광 소자의 실시 예에 선택적으로 적용될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
The support member 325 may be a base substrate made of a metal such as copper (Cu), gold (Au), nickel (Ni), molybdenum (Mo), copper-tungsten (Cu- Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC). A bonding layer may be further formed between the supporting member 325 and the reflective layer 324, and the bonding layer may bond the two layers together. The above-described light emitting chip is merely an example, and is not limited to the features disclosed above. The light emitting chip may be selectively applied to the light emitting device, but the present invention is not limited thereto.

<조명 시스템><Lighting system>

실시예에 따른 광원 모듈은 조명 시스템에 적용될 수 있다. 상기 조명 시스템은 실시 예에 따른 광원 모듈을 포함하며, 도 22 및 도 23에 도시된 표시 장치, 도 24에 도시된 조명 장치를 포함하고, 조명등, 신호등, 차량 전조등, 전광판 등이 포함될 수 있다.The light source module according to the embodiment can be applied to the illumination system. The lighting system includes the light source module according to the embodiment, and includes the display device shown in Figs. 22 and 23, the lighting device shown in Fig. 24, and may include an illumination lamp, a traffic light, a vehicle headlight,

도 22는 실시 예에 따른 발광 장치를 갖는 표시 장치의 분해 사시도이다. 22 is an exploded perspective view of a display device having a light emitting device according to an embodiment.

도 30을 참조하면, 실시예에 따른 표시 장치(1000)는 도광판(1041)과, 상기 도광판(1041)에 빛을 제공하는 광원 모듈(200)와, 상기 도광판(1041) 아래에 반사 부재(1022)와, 상기 도광판(1041) 위에 광학 시트(1051)와, 상기 광학 시트(1051) 위에 표시 패널(1061)과, 상기 도광판(1041), 광원 모듈(1031) 및 반사 부재(1022)를 수납하는 바텀 커버(1011)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.30, a display device 1000 according to an embodiment includes a light guide plate 1041, a light source module 200 that provides light to the light guide plate 1041, and a reflective member 1022 An optical sheet 1051 on the light guide plate 1041 and a display panel 1061 on the optical sheet 1051 and the light guide plate 1041 and the light source module 1031 and the reflection member 1022 But is not limited to, a bottom cover 1011.

상기 바텀 커버(1011), 반사 부재(1022), 도광판(1041), 광학 시트(1051)는 라이트 유닛(1050)으로 정의될 수 있다.The bottom cover 1011, the reflecting member 1022, the light guide plate 1041 and the optical sheet 1051 can be defined as a light unit 1050.

상기 도광판(1041)은 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1041)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다. The light guide plate 1041 serves to diffuse light into a surface light source. The light guide plate 1041 may be made of a transparent material such as acrylic resin such as polymethyl methacrylate (PET), polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), cycloolefin copolymer (COC), and polyethylene naphthalate Resin. &Lt; / RTI &gt;

상기 광원 모듈(1031)은 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 표시 장치의 광원으로써 작용하게 된다.The light source module 1031 provides light to at least one side of the light guide plate 1041, and ultimately acts as a light source of the display device.

상기 광원 모듈(1031)은 상기 바텀 커버(1011) 내에 복수로 배치될 수 있으며, 상기 도광판(1041)의 일 측면에서 직접 또는 간접적으로 광을 제공할 수 있다. 상기 광원 모듈(1031)은 실시 예에 따른 발광 소자(200), 상기 발광 소자 아래에 흡수층이 배치된 회로 기판(1033)을 포함하며, 상기 발광 소자(200)는 상기 회로 기판(1033) 상에 소정 간격으로 어레이될 수 있다. 상기 회로 기판(1033)는 기판이거나, 방열 플레이트일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light source module 1031 may be disposed in the bottom cover 1011 to provide light directly or indirectly from one side of the light guide plate 1041. The light source module 1031 includes a light emitting device 200 according to an embodiment and a circuit board 1033 on which an absorbing layer is disposed under the light emitting device and the light emitting device 200 is mounted on the circuit board 1033 And can be arrayed at predetermined intervals. The circuit board 1033 may be a substrate or a heat dissipation plate, but is not limited thereto.

상기 회로 기판(1033)은 회로패턴(미도시)을 포함하는 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 다만, 상기 기판은 일반 PCB 뿐 아니라, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자(200)는 상기 바텀 커버(1011)의 측면 또는 방열 플레이트 상에 탑재될 수 있다. 여기서, 상기 방열 플레이트의 일부는 상기 바텀 커버(1011)의 상면에 접촉될 수 있다.The circuit board 1033 may be a printed circuit board (PCB) including a circuit pattern (not shown). However, the substrate may include not only a general PCB but also a metal core PCB (MCPCB), a flexible PCB (FPCB), and the like, but the present invention is not limited thereto. The light emitting device 200 may be mounted on a side surface of the bottom cover 1011 or on a heat dissipation plate. Here, a part of the heat radiating plate may be in contact with the upper surface of the bottom cover 1011.

그리고, 상기 복수의 발광 소자(200)는 상기 회로 기판(1033) 상에 빛이 방출되는 출사면이 상기 도광판(1041)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자(200) 상에는 실시 예에 따른 광학 렌즈(161)가 구비하고 있어서, 발광 소자 간의 간격이 이격될 수 있어, 발광 소자의 수량을 줄일 수 있다. 상기 발광 소자(200)는 도광판(1041)의 일측 면인 입광부에 광을 직접 또는 간접적으로 제공할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The plurality of light emitting devices 200 may be mounted on the circuit board 1033 such that the light emitting surface of the plurality of light emitting devices 200 is spaced apart from the light guiding plate 1041 by a predetermined distance. Since the optical lens 161 according to the embodiment is provided on the light emitting device 200, the light emitting devices can be spaced apart from each other, thereby reducing the number of light emitting devices. The light emitting device 200 may directly or indirectly provide light to the light-incident portion, which is one surface of the light guide plate 1041, but is not limited thereto.

상기 도광판(1041) 아래에는 상기 반사 부재(1022)가 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 도광판(1041)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 위로 향하게 함으로써, 상기 라이트 유닛(1050)의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 바텀 커버(1011)의 상면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The reflective member 1022 may be disposed under the light guide plate 1041. The reflection member 1022 reflects the light incident on the lower surface of the light guide plate 1041 so as to face upward, thereby improving the brightness of the light unit 1050. The reflective member 1022 may be formed of, for example, PET, PC, or PVC resin, but is not limited thereto. The reflective member 1022 may be an upper surface of the bottom cover 1011, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011)는 상기 도광판(1041), 광원 모듈(1031) 및 반사 부재(1022) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 상기 바텀 커버(1011)는 상면이 개구된 박스(box) 형상을 갖는 수납부(1012)가 구비될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 바텀 커버(1011)는 탑 커버와 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1011 may house the light guide plate 1041, the light source module 1031, the reflective member 1022, and the like. To this end, the bottom cover 1011 may be provided with a housing portion 1012 having a box-like shape with an opened upper surface, but the present invention is not limited thereto. The bottom cover 1011 may be coupled to the top cover, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 또한 상기 바텀 커버(1011)는 열 전도성이 좋은 금속 또는 비 금속 재료를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1011 may be formed of a metal material or a resin material, and may be manufactured using a process such as press molding or extrusion molding. In addition, the bottom cover 1011 may include a metal or a non-metal material having good thermal conductivity, but the present invention is not limited thereto.

상기 표시 패널(1061)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 재질의 제 1 및 제 2기판, 그리고 제 1 및 제 2기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 상기 표시 패널(1061)의 적어도 일면에는 편광판이 부착될 수 있으며, 이러한 편광판의 부착 구조로 한정하지는 않는다. 상기 표시 패널(1061)은 광학 시트(1051)를 통과한 광에 의해 정보를 표시하게 된다. 이러한 표시 장치(1000)는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비젼 등에 적용될 수 있다. The display panel 1061 is, for example, an LCD panel, including first and second transparent substrates facing each other, and a liquid crystal layer interposed between the first and second substrates. A polarizing plate may be attached to at least one surface of the display panel 1061, but the present invention is not limited thereto. The display panel 1061 displays information by light passing through the optical sheet 1051. Such a display device 1000 can be applied to various types of portable terminals, monitors of notebook computers, monitors of laptop computers, televisions, and the like.

상기 광학 시트(1051)는 상기 표시 패널(1061)과 상기 도광판(1041) 사이에 배치되며, 적어도 한 장의 투광성 시트를 포함한다. 상기 광학 시트(1051)는 예컨대 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등과 같은 시트 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 또는/및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. 또한 상기 표시 패널(1061) 위에는 보호 시트가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The optical sheet 1051 is disposed between the display panel 1061 and the light guide plate 1041 and includes at least one light-transmitting sheet. The optical sheet 1051 may include at least one of a sheet such as a diffusion sheet, a horizontal and vertical prism sheet, and a brightness enhancement sheet. The diffusion sheet diffuses incident light, and the horizontal and / or vertical prism sheet condenses incident light into a display area. The brightness enhancing sheet improves the brightness by reusing the lost light. A protective sheet may be disposed on the display panel 1061, but the present invention is not limited thereto.

여기서, 상기 광원 모듈(1031)의 광 경로 상에는 광학 시트부재로서, 상기 도광판(1041), 및 광학 시트(1051)를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Here, the optical path of the light source module 1031 may include the light guide plate 1041 and the optical sheet 1051 as an optical sheet member, but the present invention is not limited thereto.

도 23은 실시 예에 따른 발광 소자를 갖는 표시 장치를 나타낸 도면이다. 23 is a diagram showing a display device having a light emitting element according to the embodiment.

도 23을 참조하면, 표시 장치(1100)는 바텀 커버(1152), 상기의 실시 예(들)에 개시된 발광 장치(1124)가 어레이된 회로 기판(1120), 광학 시트부재(1154), 및 표시 패널(1155)을 포함한다. 23, the display device 1100 includes a bottom cover 1152, a circuit board 1120 with an array of light emitting devices 1124 disclosed in the above embodiment (s), an optical sheet member 1154, Panel 1155 as shown in FIG.

상기 회로 기판(1120)와 상기 발광 소자(200)는 광원 모듈(1060)로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152), 적어도 하나의 광원 모듈(1060), 광학 시트부재(1154)는 라이트 유닛(1150)으로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152)에는 수납부(1153)를 구비할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기의 광원 모듈(1060)은 회로 기판(1120) 및 상기 회로 기판(1120) 위에 배열된 복수의 발광 소자(200)를 포함한다. 상기 발광 소자(200) 상에는 실시 예에 따른 광학 렌즈가 배치되며, 상기 회로 기판(1120) 상에는 실시 예에 따른 흡수층이 배치된다.The circuit board 1120 and the light emitting device 200 may be defined as a light source module 1060. The bottom cover 1152, at least one light source module 1060, and the optical sheet member 1154 may be defined as a light unit 1150. The bottom cover 1152 may include a receiving portion 1153, but the present invention is not limited thereto. The light source module 1060 includes a circuit board 1120 and a plurality of light emitting devices 200 arranged on the circuit board 1120. An optical lens according to an embodiment is disposed on the light emitting device 200, and an absorption layer according to an embodiment is disposed on the circuit substrate 1120.

여기서, 상기 광학 시트부재(1154)는 도광판, 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 도광판은 PC 재질 또는 PMMA(poly methyl methacrylate) 재질로 이루어질 수 있으며, 이러한 도광판은 제거될 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. Here, the optical sheet member 1154 may include at least one of a light guide plate, a diffusion sheet, a horizontal and vertical prism sheet, and a brightness enhancement sheet. The light guide plate may be made of a PC material or a PMMA (poly methyl methacrylate) material, and such a light guide plate may be removed. The diffusion sheet diffuses incident light, and the horizontal and vertical prism sheets condense incident light into a display area. The brightness enhancing sheet enhances brightness by reusing the lost light.

상기 광학 시트부재(1154)는 상기 광원 모듈(1060) 위에 배치되며, 상기 광원 모듈(1060)로부터 방출된 광을 면 광원하거나, 확산, 집광 등을 수행하게 된다.
The optical sheet member 1154 is disposed on the light source module 1060 and performs surface light source, diffusion, and light condensation on the light emitted from the light source module 1060.

도 24은 실시 예에 따른 조명소자를 갖는 조명장치의 분해 사시도이다.24 is an exploded perspective view of a lighting device having a lighting device according to an embodiment.

도 24을 참조하면, 실시 예에 따른 조명 장치는 커버(2100), 광원 모듈(2200), 방열체(2400), 전원 제공부(2600), 내부 케이스(2700), 소켓(2800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(2300)와 홀더(2500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)은 실시 예에 따른 발광 장치를 포함할 수 있다.24, the lighting apparatus according to the embodiment includes a cover 2100, a light source module 2200, a heat discharger 2400, a power supply unit 2600, an inner case 2700, and a socket 2800 . Further, the illumination device according to the embodiment may further include at least one of the member 2300 and the holder 2500. The light source module 2200 may include a light emitting device according to an embodiment.

예컨대, 상기 커버(2100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상을 가지며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상으로 제공될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)과 광학적으로 결합될 수 있다. 예를 들어, 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)로부터 제공되는 빛을 확산, 산란 또는 여기 시킬 수 있다. 상기 커버(2100)는 일종의 광학 회로 기판일 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.For example, the cover 2100 may have a shape of a bulb or a hemisphere, and may be provided in a shape in which the hollow is hollow and a part is opened. The cover 2100 may be optically coupled to the light source module 2200. For example, the cover 2100 may diffuse, scatter, or excite light provided from the light source module 2200. The cover 2100 may be a kind of optical circuit board. The cover 2100 may be coupled to the heat discharging body 2400. The cover 2100 may have an engaging portion that engages with the heat discharging body 2400.

상기 커버(2100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 유백색의 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 상기 커버(2100)의 내면의 표면 거칠기는 상기 커버(2100)의 외면의 표면 거칠기보다 크게 형성될 수 있다. 이는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 빛이 충분히 산란 및 확산되어 외부로 방출시키기 위함이다. The inner surface of the cover 2100 may be coated with a milky white paint. Milky white paints may contain a diffusing agent to diffuse light. The surface roughness of the inner surface of the cover 2100 may be larger than the surface roughness of the outer surface of the cover 2100. This is for sufficiently diffusing and diffusing the light from the light source module 2200 and emitting it to the outside.

상기 커버(2100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(2100)는 외부에서 상기 광원 모듈(2200)이 보이도록 투명할 수 있고, 불투명할 수 있다. 상기 커버(2100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.The cover 2100 may be made of glass, plastic, polypropylene (PP), polyethylene (PE), polycarbonate (PC), or the like. Here, polycarbonate is excellent in light resistance, heat resistance and strength. The cover 2100 may be transparent so that the light source module 2200 is visible from the outside, and may be opaque. The cover 2100 may be formed by blow molding.

상기 광원 모듈(2200)은 상기 방열체(2400)의 일 면에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열은 상기 방열체(2400)로 전도된다. 상기 광원 모듈(2200)은 발광 장치(2210), 연결 플레이트(2230), 커넥터(2250)를 포함할 수 있다.The light source module 2200 may be disposed on one side of the heat discharging body 2400. Accordingly, heat from the light source module 2200 is conducted to the heat discharger 2400. The light source module 2200 may include a light emitting device 2210, a connection plate 2230, and a connector 2250.

상기 부재(2300)는 상기 방열체(2400)의 상면 위에 배치되고, 복수의 발광 장치(2210)들과 커넥터(2250)이 삽입되는 가이드홈(2310)들을 갖는다. 상기 가이드홈(2310)은 상기 발광 장치(2210)의 기판 및 커넥터(2250)와 대응된다.The member 2300 is disposed on the upper surface of the heat discharging body 2400 and has guide grooves 2310 through which a plurality of light emitting devices 2210 and a connector 2250 are inserted. The guide groove 2310 corresponds to the substrate of the light emitting device 2210 and the connector 2250.

상기 부재(2300)의 표면은 빛 반사 물질로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 예를 들면, 상기 부재(2300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 상기 부재(2300)는 상기 커버(2100)의 내면에 반사되어 상기 광원 모듈(2200)측 방향으로 되돌아오는 빛을 다시 상기 커버(2100) 방향으로 반사한다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.The surface of the member 2300 may be coated or coated with a light reflecting material. For example, the surface of the member 2300 may be coated or coated with a white paint. The member 2300 reflects the light reflected by the inner surface of the cover 2100 toward the cover 2100 in the direction toward the light source module 2200. Therefore, the light efficiency of the illumination device according to the embodiment can be improved.

상기 부재(2300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)의 연결 플레이트(2230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 방열체(2400)와 상기 연결 플레이트(2230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 상기 부재(2300)는 절연 물질로 구성되어 상기 연결 플레이트(2230)와 상기 방열체(2400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 상기 방열체(2400)는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열과 상기 전원 제공부(2600)로부터의 열을 전달받아 방열한다.The member 2300 may be made of an insulating material, for example. The connection plate 2230 of the light source module 2200 may include an electrically conductive material. Therefore, electrical contact can be made between the heat discharging body 2400 and the connecting plate 2230. The member 2300 may be formed of an insulating material to prevent an electrical short circuit between the connection plate 2230 and the heat discharging body 2400. The heat discharger 2400 receives heat from the light source module 2200 and heat from the power supply unit 2600 to dissipate heat.

상기 홀더(2500)는 내부 케이스(2700)의 절연부(2710)의 수납홈(2719)을 막는다. 따라서, 상기 내부 케이스(2700)의 상기 절연부(2710)에 수납되는 상기 전원 제공부(2600)는 밀폐된다. 상기 홀더(2500)는 가이드 돌출부(2510)를 갖는다. 상기 가이드 돌출부(2510)는 상기 전원 제공부(2600)의 돌출부(2610)가 관통하는 홀을 구비할 수 있다.The holder 2500 blocks the receiving groove 2719 of the insulating portion 2710 of the inner case 2700. Therefore, the power supply unit 2600 housed in the insulating portion 2710 of the inner case 2700 is sealed. The holder 2500 has a guide protrusion 2510. The guide protrusion 2510 may have a hole through which the protrusion 2610 of the power supply unit 2600 passes.

상기 전원 제공부(2600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 상기 광원 모듈(2200)로 제공한다. 상기 전원 제공부(2600)는 상기 내부 케이스(2700)의 수납홈(2719)에 수납되고, 상기 홀더(2500)에 의해 상기 내부 케이스(2700)의 내부에 밀폐된다.The power supply unit 2600 processes or converts an electrical signal provided from the outside and provides the electrical signal to the light source module 2200. The power supply unit 2600 is housed in the receiving groove 2719 of the inner case 2700 and is sealed inside the inner case 2700 by the holder 2500.

상기 전원 제공부(2600)는 돌출부(2610), 가이드부(2630), 베이스(2650), 연장부(2670)를 포함할 수 있다.The power supply unit 2600 may include a protrusion 2610, a guide 2630, a base 2650, and an extension 2670.

상기 가이드부(2630)는 상기 베이스(2650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 가이드부(2630)는 상기 홀더(2500)에 삽입될 수 있다. 상기 베이스(2650)의 일 면 위에 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 상기 광원 모듈(2200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 광원 모듈(2200)을 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The guide portion 2630 has a shape protruding outward from one side of the base 2650. The guide portion 2630 may be inserted into the holder 2500. A plurality of components may be disposed on one side of the base 2650. The plurality of components include, for example, a DC converter for converting AC power supplied from an external power source into DC power, a driving chip for controlling driving of the light source module 2200, an ESD (ElectroStatic discharge) protective device, and the like, but the present invention is not limited thereto.

상기 연장부(2670)는 상기 베이스(2650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750) 내부에 삽입되고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받는다. 예컨대, 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750)의 폭과 같거나 작게 제공될 수 있다. 상기 연장부(2670)에는 "+ 전선"과 "- 전선"의 각 일 단이 전기적으로 연결되고, "+ 전선"과 "- 전선"의 다른 일 단은 소켓(2800)에 전기적으로 연결될 수 있다.The extension portion 2670 has a shape protruding outward from the other side of the base 2650. The extension portion 2670 is inserted into the connection portion 2750 of the inner case 2700 and receives an external electrical signal. For example, the extension portion 2670 may be provided to be equal to or smaller than the width of the connection portion 2750 of the inner case 2700. One end of each of the positive wire and the negative wire is electrically connected to the extension portion 2670 and the other end of the positive wire and the negative wire are electrically connected to the socket 2800 .

상기 내부 케이스(2700)는 내부에 상기 전원 제공부(2600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는 몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 상기 전원 제공부(2600)가 상기 내부 케이스(2700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.
The inner case 2700 may include a molding part together with the power supply part 2600. The molding part is a hardened portion of the molding liquid so that the power supply unit 2600 can be fixed inside the inner case 2700.

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of illustration, It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

41,42,43,44: 결합부 51: 금속층
52: 보호층 53,53: 패드
61,62,63,64: 보스 110: 발광 소자
121,131: 리드 프레임 141: 몸체
151: 투광성 수지층 145: 발광 칩
155: 렌즈부 161: 광학 렌즈
191: 광학 부재 201: 회로 기판
211: 반사 시트 221-226: 흡수층41, 42, 43, 44: coupling portion 51: metal layer
52: protection layer 53, 53: pad
61, 62, 63, 64: boss 110:
121, 131: lead frame 141: body
151: Transparent resin layer 145: Light emitting chip
155: lens unit 161: optical lens
191: Optical member 201: Circuit board
211: reflective sheet 221-226: absorbing layer

Claims (12)

캐비티를 갖는 몸체; 상기 캐비티 내에 배치되며 상기 몸체와 결합된 복수의 리드 프레임; 상기 캐비티 내에 배치된 복수의 리드 프레임 중 적어도 하나의 위에 배치된 발광 칩; 및 상기 발광 칩을 덮는 투광성 수지층을 포함하는 발광 소자; 및
상기 발광 소자의 아래에 복수의 패드 및 상기 패드를 보호하는 보호층을 갖는 회로 기판;
상기 회로 기판의 보호층의 상면 중에서 상기 발광 소자의 둘레에 배치된 흡수층;
상기 발광 소자가 삽입되는 홀을 갖고 상기 흡수층의 둘레에 배치된 반사 시트; 및
상기 발광 소자의 위에 배치된 광학 렌즈를 포함하는 발광 장치. A body having a cavity; A plurality of lead frames disposed in the cavity and coupled with the body; A light emitting chip disposed on at least one of the plurality of lead frames disposed in the cavity; And a light-transmitting resin layer covering the light-emitting chip; And
A circuit board having a plurality of pads under the light emitting device and a protective layer for protecting the pads;
An absorbing layer disposed on the periphery of the light emitting element in an upper surface of the protective layer of the circuit board;
A reflective sheet having a hole into which the light emitting element is inserted and disposed around the absorbent layer; And
And an optical lens disposed on the light emitting element. 제1항에 있어서, 상기 반사 시트의 홀의 너비는 상기 광학 렌즈의 입사면 및 상기 흡수층의 너비 보다 넓은 발광 장치.The light emitting device according to claim 1, wherein the width of the hole of the reflective sheet is larger than the width of the light absorbing layer and the incident surface of the optical lens. 제2항에 있어서, 상기 광학 렌즈는 입사면 및 상기 입사 면으로부터 상기 회로 기판의 상면 방향으로 돌출된 복수의 보스를 포함하는 발광 장치.3. The light emitting device according to claim 2, wherein the optical lens includes an incident surface and a plurality of bosses protruding from the incident surface toward the top surface of the circuit board. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광학 렌즈의 길이가 A이고, 상기 홀의 너비가 B이고, 상기 흡수층의 너비가 C이고, 상기 흡수층에 의한 반사도가 D일 때,
상기 반사도 D(%)=1.24ⅹC2-1.11ⅹC+0.99의 조건을 만족하는 발광 장치.The optical element according to any one of claims 1 to 3, wherein when the length of the optical lens is A, the width of the hole is B, the width of the absorbing layer is C, and the reflectivity by the absorbing layer is D,
And the reflectance D (%) = 1.24 × C 2 -1.11 × C + 0.99. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광학 렌즈의 길이가 A이고, 상기 홀의 너비가 B이고, 상기 흡수층의 너비가 C이고, 상기 흡수층에 의한 반사도가 D일 때,
상기 반사도 D는 C/Bⅹ(0.4±0.1)를 만족하는 발광 장치.The optical element according to any one of claims 1 to 3, wherein when the length of the optical lens is A, the width of the hole is B, the width of the absorbing layer is C, and the reflectivity by the absorbing layer is D,
And the reflectivity D satisfies C / B x (0.4 +/- 0.1). 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 흡수층의 너비는 8mm 내지 20mm 범위를 갖는 발광 장치.The light emitting device according to any one of claims 1 to 3, wherein the width of the absorbing layer is in the range of 8 mm to 20 mm. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 흡수층의 외곽 윤곽선은 원 형상을 포함하는 발광 장치.The light emitting device according to any one of claims 1 to 3, wherein the outer contour of the absorbing layer comprises a circular shape. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 흡수층은 검정색 솔더 레지스트 재질을 포함하는 발광 장치.The light emitting device according to any one of claims 1 to 3, wherein the absorber layer comprises a black solder resist material. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 흡수층 및 상기 보호층은 솔더 레지스트 재질을 포함하며,
상기 흡수층은 상기 보호층보다 낮은 흡수율을 갖고,
상기 보호층은 상기 흡수층보다 높은 반사율을 갖는 발광 장치.4. The semiconductor device according to any one of claims 1 to 3, wherein the absorption layer and the protection layer comprise a solder resist material,
Wherein the absorbing layer has a lower absorption rate than the protective layer,
Wherein the protective layer has a higher reflectance than the absorption layer. 제7항에 있어서, 상기 흡수층은 상기 발광 소자를 중심으로 외측 방향으로 복수의 돌기가 방사형 형상으로 배열되는 발광 장치.8. The light emitting device according to claim 7, wherein the absorption layer has a plurality of projections arranged radially outward in the light emitting element. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 흡수층의 두께는 상기 리드 프레임의 두께보다 얇은 발광 장치.The light emitting device according to any one of claims 1 to 3, wherein the thickness of the absorbing layer is thinner than the thickness of the lead frame. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 광학 렌즈 상에 확산 플레이트를 갖는 광학 부재를 더 포함하는 발광 장치.The light emitting device according to claim 1 or 2, further comprising an optical member having a diffusion plate on the optical lens.
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