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KR20150026362A - 방사선 검출기, 상기 방사선 검출기의 제조 방법, 및 상기 방사선 검출기를 포함하는 방사선 영상 시스템 - Google Patents

방사선 검출기, 상기 방사선 검출기의 제조 방법, 및 상기 방사선 검출기를 포함하는 방사선 영상 시스템 Download PDF

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KR20150026362A
KR20150026362A KR1020130105095A KR20130105095A KR20150026362A KR 20150026362 A KR20150026362 A KR 20150026362A KR 1020130105095 A KR1020130105095 A KR 1020130105095A KR 20130105095 A KR20130105095 A KR 20130105095A KR 20150026362 A KR20150026362 A KR 20150026362A
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KR
South Korea
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photoconductive layer
substrate
radiation detector
radiation
photosensitive
Prior art date
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Abandoned
Application number
KR1020130105095A
Other languages
English (en)
Inventor
이승협
김선일
김영
김창정
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
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Priority to CN201410396055.9A priority patent/CN104425529A/zh
Priority to EP14181618.1A priority patent/EP2843711B1/en
Priority to US14/474,214 priority patent/US9952337B2/en
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Abstract

방사선 검출기, 상기 방사선 검출기의 제조 방법, 및 상기 방사선 검출기를 포함하는 방사선 영상 시스템을 개시한다. 개시된 방사선 검출기는, 다수의 미세한 감광성 입자들을 포함하는 제 1 광전도층; 및 상기 제 1 광전도층 위에 배치된 것으로, 결정 성장된 감광성 재료들의 다수의 결정을 포함하는 제 2 광전도층;을 포함하며, 상기 제 1 광전도층의 감광성 입자들은 상기 제 2 광전도층의 다수의 결정들 사이에 채워질 수 있다.

Description

방사선 검출기, 상기 방사선 검출기의 제조 방법, 및 상기 방사선 검출기를 포함하는 방사선 영상 시스템 {Radiation detector, method of manufacturing the radiation detector, and radiation imaging system including the radiation detector}
개시된 실시예들은 방사선 검출기, 상기 방사선 검출기의 제조 방법, 및 상기 방사선 검출기를 포함하는 방사선 영상 시스템에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 이중막 구조의 광전도층을 포함하는 방사선 검출기와 그의 제조 방법, 그리고 상기 방사선 검출기를 포함하는 방사선 영상 시스템에 관한 것이다.
엑스레이 촬영기와 같은 방사선 영상 분야에서는 통상적으로 감광성 필름에, 예를 들어, 엑스레이(X-ray)와 같은 방사선을 노광시킨 후, 노광된 감광성 필름을 현상하여 영상을 생성하였다. 최근에는 일반적인 디지털 카메라와 마찬가지로, 전기광학적인 검출기로 방사선을 감지하고 검출기로부터의 전기적 신호를 처리하여 영상을 생성하는, 예컨대, 디지털 엑스레이 촬영기와 같은 방사선 영상 시스템이 제안되고 있다.
방사선 영상 시스템에서 사용되는 검출기는 엑스레이와 같은 고에너지 방사선을 감지하여야 하기 때문에, 비교적 낮은 에너지를 갖는 가시광선 영역의 광을 감지하는 일반적인 디지털 카메라의 반도체 이미지 센서(예컨대, CMOS 또는 CCD 이미지 센서)를 사용하기 어렵다. 또한, 방사선 영상 시스템에서 사용되는 검출기는 일반적으로 대면적으로 제조되는데, 반도체 이미지 센서를 대면적으로 제조하기에는 비용상의 어려움이 있다.
이에 따라, 고에너지 방사선을 감지하기 위한 다양한 검출기들이 제안되고 있다. 예를 들어, 방사선을 감지하기 위한 검출기는 중금속을 포함하는 감광성 재료로 이루어진 광전도층을 기판 위에 형성함으로써 제조될 수 있다.
이중막 구조의 광전도층을 포함하는 방사선 검출기 및 상기 방사선 검출기를 제조하는 방법을 제공한다.
또한, 상기 방사선 검출기를 포함하는 방사선 영상 시스템을 제공한다.
일 실시예에 따른 방사선 검출기는, 다수의 미세한 감광성 입자들을 포함하는 제 1 광전도층; 및 상기 제 1 광전도층 위에 배치된 것으로, 결정 성장된 감광성 재료들의 다수의 결정들을 포함하는 제 2 광전도층;을 포함할 수 있으며, 여기서 상기 제 1 광전도층의 감광성 입자들의 적어도 일부가 상기 제 2 광전도층의 다수의 결정들 사이에 채워질 수 있다.
상기 방사선 검출기는 제 1 기판, 및 상기 제 1 기판 상에 배치된 다수의 화소 전극들의 어레이를 더 포함하며, 상기 제 1 광전도층은 상기 다수의 화소 전극들을 덮도록 상기 기판 상에 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 제 1 광전도층은 다수의 미세한 감광성 입자들이 혼합된 용매를 포함하는 페이스트를 상기 제 1 기판 상에 프린팅하여 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 제 1 기판은 절연성 재료로 이루어질 수 있다.
상기 방사선 검출기는 상기 제 2 광전도층 상에 배치된 공통 전극을 더 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 제 2 광전도층은 기화된 감광성 재료를 제 2 기판 상에 결정 성장시킴으로써 형성될 수 있다.
상기 제 2 기판 상에 형성된 상기 제 2 광전도층은 결정들 사이에 다수의 공극이 형성되어 있는 상부면과 상기 제 2 기판에 접하는 평탄한 바닥면을 포함할 수 있다.
상기 제 2 광전도층은 상기 다수의 공극이 형성되어 있는 상부면이 상기 제 1 광전도층과 접하도록 배치될 수 있다.
예를 들어, 상기 제 2 기판은 전도성 재료로 이루어질 수 있다.
예를 들어, 상기 제 1 광전도층의 감광성 입자 및 제 2 광전도층의 결정은 HgI2 또는 Se를 포함할 수 있다.
또한, 다른 실시예에 따른 방사선 영상 시스템은, 방사선을 방출하는 방사선 방출기; 상기 방사선 방출기에서 방출된 방사선을 검출하여 전기적 신호를 출력하는 것으로, 상술한 구조를 갖는 방사선 검출기; 및 상기 방사선 검출기로부터의 전기적 신호로부터 영상을 생성하는 영상 처리부;를 포함할 수 있다.
한편, 또 다른 실시예에 따른 방사선 영상 시스템의 제조 방법은, 감광성 입자들이 혼합된 용매를 포함하는 페이스트를 제 1 기판 상에 프린팅하여 제 1 광전도층을 형성하는 단계; 제 2 기판 상에 감광성 재료를 결정 성장시켜 제 2 광전도층을 형성하는 단계; 상기 제 1 기판 상에 프린팅된 제 1 광전도층 위에 상기 결정 성장된 제 2 광전도층을 압착시키는 단계; 및 건조 공정을 통해 상기 제 1 광전도층 내의 용매를 제거하는 단계;를 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 제 1 광전도층을 형성하는 단계는, 상기 제 1 기판 상에 다수의 화소 전극들의 어레이를 형성하는 단계; 및 상기 다수의 화소 전극들을 덮도록 상기 제 1 기판 위에 상기 페이스트를 프린팅하는 단계;를 포함할 수 있다.
상기 제 2 광전도층을 형성하는 단계는 기화된 감광성 재료를 제 2 기판 상에 결정 성장시키는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제 2 기판 상에 형성된 상기 제 2 광전도층은 결정들 사이에 다수의 공극이 형성되어 있는 상부면과 상기 제 2 기판에 접하는 평탄한 바닥면을 포함할 수 있다.
상기 제 1 광전도층 위에 상기 제 2 광전도층을 압착시키는 단계는, 상기 다수의 공극이 형성되어 있는 상부면이 상기 제 1 광전도층과 접하도록 상기 제 2 광전도층을 배치시킴으로써, 상기 제 1 광전도층의 감광성 입자들의 적어도 일부가 상기 제 2 광전도층의 다수의 결정들 사이의 공극에 채워지도록 하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제 2 기판은 공통 전극의 역할을 하는 전도성 재료로 이루어질 수 있다.
상기 방사선 검출기의 제조 방법은, 상기 제 2 기판을 상기 제 2 광전도층으로부터 제거하는 단계; 및 상기 제 2 기판에 접하던 상기 제 2 광전도층의 평탄한 바닥면에 공통 전극을 형성하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
개시된 실시예에 따른 방사선 검출기는 다수의 미세한 감광성 입자들을 구비하는 제 1 광전도층과 결정 성장된 감광성 재료들의 다수의 결정을 구비하는 제 2 광전도층을 포함하기 때문에, 광전도층의 우수한 균일도와 높은 전자 이동도를 동시에 달성할 수 있다. 따라서, 개시된 실시예에 따르면, 우수한 감도와 선명도를 갖는 대면적의 방사선 검출기를 제공할 수 있다.
도 1a 내지 도 1e는 일 실시예에 따른 이중막 구조의 광전도층을 형성하는 방법을 개략적으로 보인다.
도 2는 도 1a 내지 도 1e에 도시된 방법으로 형성된 이중막 구조의 광전도층의 단면 사진을 예시적으로 보인다.
도 3a 내지 도 3c는 일 실시예에 따른 방사선 검출기를 제조하는 방법을 개략적으로 보인다.
도 4는 도 3c에 도시된 방사선 검출기의 동작을 설명하는 개략적인 단면도이다.
도 5는 도 3c에 도시된 방사선 검출기를 포함하는 방사선 영상 시스템의 개략적인 구조를 보인다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여, 방사선 검출기, 상기 방사선 검출기의 제조 방법, 및 상기 방사선 검출기를 포함하는 방사선 영상 시스템에 대해 상세하게 설명한다. 이하의 도면들에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭하며, 도면상에서 각 구성요소의 크기는 설명의 명료성과 편의상 과장되어 있을 수 있다.
도 1a 내지 도 1e는 일 실시예에 따른 이중막 구조의 광전도층을 형성하는 방법을 개략적으로 도시하고 있다.
먼저, 도 1a를 참조하면, 고에너지 방사선을 감지하기에 적합한 다수의 미세한 감광성 입자들을 용매 및 바인더와 혼합하여 형성된 페이스트(12a)를 준비한다. 감광성 입자들은 예를 들어, HgI2, Se 등으로 이루어질 수 있으며, 감광성 입자들의 직경은 대략적으로 1㎛ 내지 10㎛일 수 있다. 또한, 예컨대 PVB(polyvinylbutyral)를 바인더로서 사용하고, DGME(diethylene glycol monobutyl ether)와 같이 점도를 갖는 물질을 용매로서 사용할 수 있다.
그런 후, 기판(11) 위에 페이스트(12a)를 배치시키고, 스퀴지(squeegee)(30)로 페이스트(12a)를 밀어서 기판(11)의 표면 위에 페이스트(12a)를 일정한 두께로 넓게 도포시킬 수 있다. 그러면, 도 1b에 도시된 바와 같이, 일정한 두께를 갖는 제 1 광전도층(photoconductor layer)(12)이 기판(11) 위에 형성될 수 있다.
이와 같이 다수의 미세한 감광성 입자들이 포함된 페이스트(12a)를 기판(11) 위에 프린팅하는 방식을 PIB(particle in paste) 공정이라고 부른다. 일반적으로, PIB 방식으로 형성된 제 1 광전도층(12)은 우수한 균일도를 갖는다. 그러나, 매우 작은 감광성 입자들로 형성되어 있기 때문에, 입사 방사선에 의해 형성된 전자와 정공의 이동 경로가 복잡하고 이동도(mobility)가 낮아질 수 있다. 이로 인해, PIB 방식으로 형성된 제 1 광전도층(12)은 낮은 감도를 갖기 쉽다.
따라서, 제 1 광전도층(12)의 비교적 낮은 감도를 보완하기 위하여, 도 1c에 도시된 바와 같이, 별도의 제 2 광전도층(22)을 형성할 수 있다. 예를 들어, 제 2 광전도층(22)은 감광성 재료를 기화시킨 후 제 1 광전도층(12)의 기판(11)과 다른 별도의 기판(21) 위에 상기 기화된 감광성 재료를 결정 성장시킴으로써 형성될 수 있다. 이와 같은 결정 성장 방식은 PVD(physcial vapor deposition) 공정을 이용하여 수행될 수 있다. 일반적으로, 결정 성장 방식으로 형성된 제 2 광전도층(22)은 결정 구조를 갖기 때문에 전자와 정공의 이동도가 높은 장점이 있지만, PIB 방식으로 형성된 제 1 광전도층(12)에 비해 두께의 균일도가 낮고 결정들 사이에 공극이 발생하여 영상의 선명도가 낮아질 수도 있다.
본 실시예에 따르면, 이러한 제 1 광전도층(12)과 제 2 광전도층(22)의 특성을 상호 보완하기 위하여, 도 1d에 도시된 바와 같이, 제 2 광전도층(22)을 제 1 광전도층(12) 위에 배치시킨다. 이때, 다수의 공극들이 형성되어 있는 제 2 광전도층(22)의 상부면이 제 1 광전도층(12)과 접하고 평탄한 바닥면(즉, 기판(21)과 접하는 면)이 위쪽을 향하도록, 제 2 광전도층(22)을 뒤집어서 제 1 광전도층(12) 위에 배치시킬 수 있다. 도 1d에는 기판(21)으로부터 제 2 광전도층(22)을 박리시킨 것으로 도시되어 있으나, 이는 단지 일 예에 불과하며, 기판(21)을 떼어내지 않고 제 2 광전도층(22)을 제 1 광전도층(12) 위에 배치시킬 수도 있다. 기판(21)을 떼어내지 않는 경우, 도 1d에서 기판(21)이 제 2 광전도층(22)의 위쪽에 배치될 것이다.
제 2 광전도층(22)을 제 1 광전도층(12) 위에 배치시킨 후에는, 도 1e에 도시된 바와 같이, 제 2 광전도층(22)의 다수의 공극들 내에 제 1 광전도층(12)의 감광성 입자들이 채워질 수 있도록 제 1 광전도층(12)을 향해 제 2 광전도층(22)을 가압할 수 있다. 이렇게 제 2 광전도층(22)을 제 1 광전도층(12)에 압착한 후에는 건조 공정을 통해 제 1 광전도층(12) 내에 남아 있는 용매를 제거할 수 있다. 예를 들어, 건조 공정은 오븐 내에서 약 80도의 온도로 수행될 수 있다. 이러한 방식으로 이중막 구조의 광전도층을 완성할 수 있다.
도 2는 도 1a 내지 도 1e에 도시된 방법으로 형성된 이중막 구조의 광전도층의 단면 사진을 예시적으로 도시하고 있다. 도 2를 참조하면, 기판(11) 위에 제 1 광전도층(12)과 제 2 광전도층(22)이 차례로 배치되어 있으며, 제 1 광전도층(12)의 일부분이 제 2 광전도층(22)의 결정들 사이에 거의 빈틈 없이 채워져 있다는 것을 알 수 있다. 그리고, 제 2 광전도층(22)의 외부 표면(22s)은 매우 평탄하게 형성되어 있다. 이는, 도 2에 도시된 제 2 광전도층(22)의 외부 표면(22s)이 실제로는 기판(21)과 접하며 결정 성장이 시작되는 바닥면이기 때문이다.
도 2의 단면 사진을 통해 알 수 있듯이, 도 1a 내지 도 1e에 도시된 방법으로 형성된 이중막 구조의 광전도층은, 상하부 표면이 모두 평탄하고, 일정한 두께를 가지며, 감광성 재료들이 비교적 균일하게 분포될 수 있다. 또한, 상기 이중막 구조의 광전도층은 제 2 광전도층(22)의 결정 구조들로 인해 높은 전자와 정공의 이동도를 가질 수 있다. 따라서, 우수한 균일도와 높은 이동도를 동시에 달성할 수 있으므로, 높은 감도와 우수한 영상 선명도를 갖는 대면적의 방사선 검출기의 제조를 가능하게 할 수 있다.
도 3a 내지 도 3c는 위와 같은 이중막 구조의 광전도층의 형성 방법을 이용하여 방사선 검출기를 제조하는 방법을 개략적으로 도시하고 있다.
먼저, 도 3a를 참조하면, 기판(11) 위에 다수의 화소 전극(15)들을 형성한 후, 예컨대 도 1a 및 도 1b에 도시된 PIB 방식에 따라, 상기 다수의 화소 전극(15)들을 덮도록 기판(11) 위에 제 1 광전도층(12)을 프린팅한다. 예를 들어, 다수의 화소 전극(15)들은 기판(11)의 전체 표면에 걸쳐 일정한 간격으로 2차원 어레이의 형태로 배열될 수 있다. 이 경우, 기판(11)은 절연성 재료로 이루어질 수 있다.
그리고 도 3b를 참조하면, 예컨대 도 1c 및 도 1d에 도시된 방식에 따라, 기판(21) 위에 감광성 재료를 PVD나 CVD 방식으로 결정 성장시켜 제 2 광전도층(22)을 형성한 후, 결정 성장된 제 2 광전도층(22)을 제 1 광전도층(12) 위에 압착할 수 있다. 그러면, 제 1 광전도층(12)의 감광성 입자들이 제 2 광전도층(22)의 다수의 공극들 내에 채워질 수 있다.
여기서, 제 2 광전도층(22)의 평탄한 표면(22s)에는 공통 전극(25)이 부착될 수 있다. 예를 들어, 제 2 광전도층(22)의 성장용 기판(21)을 공통 전극(25)으로서 사용할 수 있다. 이 경우, 기판(21)은 공통 전극(25)의 역할을 할 수 있도록, 예컨대 금속과 같은 도전성 재료로 이루어질 수 있다. 기판(21)이 도전성 재료로 이루어지는 경우, 제 2 광전도층(22)에 기판(21)이 부착되어 있는 상태 그대로 제 2 광전도층(22)을 제 1 광전도층(12) 위에 압착할 수 있다.
또는, 기판(21)으로서 절연성 재료를 사용할 수도 있다. 기판(21)이 절연성 재료로 이루어지는 경우에는, 기판(21)을 제 2 광전도층(22)으로부터 박리시킨 다음, 제 2 광전도층(22)의 평탄한 표면(22s)(즉, 기판(21)이 부착되어 있던 표면)에 공통 전극(25)을 부착하고, 제 2 광전도층(22)을 제 1 광전도층(12) 위에 압착할 수 있다. 또는, 제 2 광전도층(22)에 공통 전극(25)을 부착하는 과정과 제 2 광전도층(22)을 제 1 광전도층(12) 위에 압착하는 과정의 순서가 바뀔 수도 있다. 예를 들어, 제 2 광전도층(22)을 제 1 광전도층(12) 위에 먼저 압착한 다음에, 제 2 광전도층(22)의 평탄한 표면(22s)에 공통 전극(25)을 부착할 수도 있다.
마지막으로, 건조 공정을 통해 제 1 광전도층(12) 내에 남아 있는 용매를 제거하면, 도 3c에 도시된 것과 같은 방사선 검출기(20)가 완성될 수 있다. 기판(21)과 별개인 공통 전극(25)을 사용하는 경우, 건조 공정의 순서는 다양하게 선택될 수 있다. 예를 들어, 제 2 광전도층(22)을 제 1 광전도층(12) 위에 압착하고 건조 공정을 수행한 다음에, 제 2 광전도층(22)의 평탄한 표면(22s) 위에 공통 전극(25)을 부착하는 것도 가능하다. 또는, 제 2 광전도층(22)을 제 1 광전도층(12) 위에 압착한 상태에서 제 2 광전도층(22)의 평탄한 표면(22s) 위에 공통 전극(25)을 부착한 후, 건조 공정을 수행할 수도 있다.
도 3c를 참조하면, 본 실시예에 따른 방사선 검출기(20)는, 기판(11), 상기 기판(11) 상에 형성된 다수의 화소 전극(15)들의 어레이, 상기 화소 전극(15)들을 덮도록 기판(11) 상에 형성되며 다수의 미세한 감광성 입자들을 포함하는 제 1 광전도층(12), 상기 제 1 광전도층(12) 위에 배치되며 결정 성장된 감광성 재료들의 다수의 결정을 포함하는 제 2 광전도층(22), 및 상기 제 2 광전도층(22) 상에 배치된 공통 전극(25)을 포함할 수 있다. 여기서, 제 1 광전도층(12)의 감광성 입자들의 적어도 일부가 제 2 광전도층(22)의 다수의 결정들 사이에 채워질 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이, 본 실시예에 따른 방사선 검출기(20)은 높은 감도와 우수한 영상 선명도를 가질 수 있다.
도 4는 도 3c에 도시된 방사선 검출기(20)의 동작을 설명하는 개략적인 단면도이다. 도 4에서, 예시적으로 공통 전극(25)이 음극이고 화소 전극(15)이 양극이라고 가정한다. 예컨대, 엑스레이와 같은 고에너지를 갖는 방사선(5)이 방사선 검출기(20)에 입사하면, 방사선(5)의 입사 영역 내에 있는 제 1 광전도층(12)이나 제 2 광전도층(22)에서 전자와 정공이 발생하게 된다. 방사선(5)이 흡수되는 위치에 따라 제 1 광전도층(12)과 제 2 광전도층(22) 중에서 어느 하나의 층 또는 두 층 모두에서 전자와 정공이 발생할 수 있다. 전자와 정공은 공통 전극(25)과 화소 전극(15) 사이에 형성된 전기장을 따라 서로 반대 방향으로 이동하게 된다. 예를 들어, 공통 전극(25)이 음극이고 화소 전극(15)이 양극이면, 정공은 공통 전극(25)으로 이동하고 전자는 가장 가까운 화소 전극(15)으로 이동할 수 있다. 따라서, 어느 하나의 화소 전극(15)에서 전자가 검출되면(즉, 전류가 증가하게 되면) 그 화소 전극(15)의 위치로 방사선(5)이 입사하였다는 것을 알 수 있다.
도 5는 도 3c에 도시된 방사선 검출기를 포함하는 방사선 영상 시스템의 개략적인 구조를 도시하고 있다. 도 5를 참조하면, 일 실시예에 따른 방사선 영상 시스템은, 예컨대, 엑스레이와 같은 고에너지 방사선을 방출하는 방사선 방출기(40), 도 3c에 도시된 방사선 검출기(20), 및 영상을 생성하는 영상 처리부(50)를 포함할 수 있다. 방사선 검출기(20)는 방사선 방출기(40)로부터 방출된 고에너지 방사선을 검출하여 전기적 신호를 출력한다. 도시되지는 않았지만, 방사선 방출기(40)와 방사선 검출기(20) 사이에는 샘플이 배치될 수 있다. 방사선 검출기(20)는 샘플을 투과하거나 샘플에 의해 회절 또는 굴절된 방사선을 검출하고, 그 결과를 전기적으로 출력한다. 영상 처리부(50)는 방사선 검출기(20)로부터 출력된 전기적 신호를 이용하여 시각적으로 인식할 수 있는 영상을 형성할 수 있다.
지금까지, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 방사선 검출기, 상기 방사선 검출기의 제조 방법, 및 상기 방사선 검출기를 포함하는 방사선 영상 시스템에 대한 예시적인 실시예가 설명되고 첨부된 도면에 도시되었다. 그러나, 이러한 실시예는 단지 본 발명을 예시하기 위한 것이고 이를 제한하지 않는다는 점이 이해되어야 할 것이다. 그리고 본 발명은 도시되고 설명된 설명에 국한되지 않는다는 점이 이해되어야 할 것이다. 이는 다양한 다른 변형이 본 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 일어날 수 있기 때문이다.
11, 21.....기판 12a.....페이스트
12.....제 1 광전도층 15.....화소 전극
20.....방사선 검출기 22.....제 2 광전도층
25.....공통 전극 30.....스퀴지
40.....방사선 방출기 50.....영상 신호 처리부

Claims (20)

  1. 다수의 미세한 감광성 입자들을 포함하는 제 1 광전도층; 및
    상기 제 1 광전도층 위에 배치된 것으로, 결정 성장된 감광성 재료들의 다수의 결정들을 포함하는 제 2 광전도층;을 포함하며,
    상기 제 1 광전도층의 감광성 입자들의 적어도 일부가 상기 제 2 광전도층의 다수의 결정들 사이에 채워져 있는 방사선 검출기.
  2. 제 1 항에 있어서,
    제 1 기판, 및 상기 제 1 기판 상에 배치된 다수의 화소 전극들의 어레이를 더 포함하며, 상기 제 1 광전도층은 상기 다수의 화소 전극들을 덮도록 상기 기판 상에 형성되어 있는 방사선 검출기.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 광전도층은 다수의 미세한 감광성 입자들이 혼합된 용매를 포함하는 페이스트를 상기 제 1 기판 상에 프린팅하여 형성되는 방사선 검출기.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 기판은 절연성 재료로 이루어지는 방사선 검출기.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 광전도층 상에 배치된 공통 전극을 더 포함하는 방사선 검출기.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 광전도층은 기화된 감광성 재료를 제 2 기판 상에 결정 성장시킴으로써 형성되는 방사선 검출기.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 2 기판 상에 형성된 상기 제 2 광전도층은 결정들 사이에 다수의 공극이 형성되어 있는 상부면과 상기 제 2 기판에 접하는 평탄한 바닥면을 포함하는 방사선 검출기.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 2 광전도층은 상기 다수의 공극이 형성되어 있는 상부면이 상기 제 1 광전도층과 접하도록 배치되어 있는 방사선 검출기.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 2 기판은 전도성 재료로 이루어지는 방사선 검출기.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 광전도층의 감광성 입자 및 제 2 광전도층의 결정은 HgI2 또는 Se를 포함하는 방사선 검출기.
  11. 방사선을 방출하는 방사선 방출기;
    상기 방사선 방출기에서 방출된 방사선을 검출하여 전기적 신호를 출력하는, 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 따른 방사선 검출기; 및
    상기 방사선 검출기로부터의 전기적 신호로부터 영상을 생성하는 영상 처리부;를 포함하는 방사선 영상 시스템.
  12. 감광성 입자들이 혼합된 용매를 포함하는 페이스트를 제 1 기판 상에 프린팅하여 제 1 광전도층을 형성하는 단계;
    제 2 기판 상에 감광성 재료를 결정 성장시켜 제 2 광전도층을 형성하는 단계;
    상기 제 1 기판 상에 프린팅된 제 1 광전도층 위에 상기 결정 성장된 제 2 광전도층을 압착시키는 단계; 및
    건조 공정을 통해 상기 제 1 광전도층 내의 용매를 제거하는 단계;를 포함하는 방사선 검출기 제조 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 제 1 광전도층을 형성하는 단계는:
    상기 제 1 기판 상에 다수의 화소 전극들의 어레이를 형성하는 단계; 및
    상기 다수의 화소 전극들을 덮도록 상기 제 1 기판 위에 상기 페이스트를 프린팅하는 단계;를 포함하는 방사선 검출기 제조 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 1 기판은 절연성 재료로 이루어지는 방사선 검출기 제조 방법.
  15. 제 12 항에 있어서,
    상기 제 2 광전도층을 형성하는 단계는 기화된 감광성 재료를 제 2 기판 상에 결정 성장시키는 단계를 포함하는 방사선 검출기 제조 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 제 2 기판 상에 형성된 상기 제 2 광전도층은 결정들 사이에 다수의 공극이 형성되어 있는 상부면과 상기 제 2 기판에 접하는 평탄한 바닥면을 포함하는 방사선 검출기 제조 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 제 1 광전도층 위에 상기 제 2 광전도층을 압착시키는 단계는, 상기 다수의 공극이 형성되어 있는 상부면이 상기 제 1 광전도층과 접하도록 상기 제 2 광전도층을 배치시킴으로써, 상기 제 1 광전도층의 감광성 입자들의 적어도 일부가 상기 제 2 광전도층의 다수의 결정들 사이의 공극에 채워지도록 하는 단계를 포함하는 방사선 검출기 제조 방법.
  18. 제 15 항에 있어서,
    상기 제 2 기판은 공통 전극의 역할을 하는 전도성 재료로 이루어지는 방사선 검출기 제조 방법.
  19. 제 12 항에 있어서,
    상기 제 2 기판을 상기 제 2 광전도층으로부터 제거하는 단계; 및
    상기 제 2 기판에 접하던 상기 제 2 광전도층의 평탄한 바닥면에 공통 전극을 형성하는 단계;를 더 포함하는 방사선 검출기 제조 방법.
  20. 제 12 항에 있어서,
    상기 제 1 광전도층의 감광성 입자 및 제 2 광전도층의 감광성 재료는 HgI2 또는 Se를 포함하는 방사선 검출기 제조 방법.
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