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KR20140094443A - Adhesive film, dicing/die-bonding film, manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device - Google Patents

Adhesive film, dicing/die-bonding film, manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device Download PDF

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KR20140094443A
KR20140094443A KR1020140001711A KR20140001711A KR20140094443A KR 20140094443 A KR20140094443 A KR 20140094443A KR 1020140001711 A KR1020140001711 A KR 1020140001711A KR 20140001711 A KR20140001711 A KR 20140001711A KR 20140094443 A KR20140094443 A KR 20140094443A
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KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor element
adhesive film
film
semiconductor
dicing
Prior art date
Application number
KR1020140001711A
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Korean (ko)
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KR102190194B1 (en
Inventor
유이치로 시시도
사다히토 미스미
겐지 오니시
Original Assignee
닛토덴코 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 닛토덴코 가부시키가이샤 filed Critical 닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

The purpose of the present invention is to provide an adhesive film, a manufacturing method for a semiconductor device using the same, and a semiconductor device obtained by the manufacturing method. The adhesive film embeds a first semiconductor element fixated on a base material for adhesion and fixates a second semiconductor element different from the first semiconductor element to the base material for adhesion. The provided adhesive film has a tech intensity of 0.2 MPa or less at 40 deg C with respect to SUS.

Description

접착 필름, 다이싱·다이본딩 필름, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치{ADHESIVE FILM, DICING/DIE-BONDING FILM, MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to an adhesive film, a dicing / die bonding film, a method of manufacturing a semiconductor device, and a semiconductor device.

본 발명은 접착 필름, 다이싱·다이본딩 필름, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an adhesive film, a dicing / die-bonding film, a method of manufacturing a semiconductor device, and a semiconductor device.

종래, 반도체 장치의 제조 시에 있어서의 기판이나 전극 부재에의 반도체 칩의 고정에는, 은 페이스트가 사용되고 있다. 이러한 고정 처리는, 반도체 칩 또는 리드 프레임에 페이스트상 접착제를 도포 시공하고, 페이스트상 접착제를 개재하여 반도체 칩을 기판에 탑재하고, 마지막으로 페이스트상 접착제층을 경화시켜서 행하고 있다.BACKGROUND ART Conventionally, silver paste has been used for fixing a semiconductor chip to a substrate or an electrode member at the time of manufacturing a semiconductor device. This fixing treatment is performed by applying a paste-type adhesive agent to a semiconductor chip or a lead frame, placing the semiconductor chip on a substrate via a paste-type adhesive agent, and finally curing the paste-type adhesive agent layer.

그러나, 페이스트상 접착제에서는 도포 시공량이나 도포 시공 형상 등에 큰 변동을 발생하여 균일화가 곤란해지거나, 도포에 특수 장치나 장시간을 필요로 하거나 한다. 이로 인해, 다이싱 공정에서 반도체 웨이퍼를 접착 보유함과 함께, 마운트 공정에 필요한 칩 고정용 접착 필름도 부여하는 다이싱·다이본딩 필름이 제안되어 있다(특허문헌 1 참조).However, in the pasty adhesive, there is a great variation in the amount of applied coating and application form, which makes it difficult to make uniformity, or requires a special apparatus or a long time for coating. Therefore, a dicing / die-bonding film has been proposed in which a semiconductor wafer is adhered and held in a dicing step, and an adhesive film for chip fixing necessary for a mounting process is also provided (refer to Patent Document 1).

이러한 종류의 다이싱·다이본딩 필름은, 다이싱 필름 상에 다이본딩 필름(접착 필름)이 적층된 구조를 갖고 있다. 또한, 다이싱 필름은 지지 기재 상에 점착제층이 적층된 구조이다. 이 다이싱·다이본딩 필름은 다음과 같이 하여 사용된다. 즉, 접착 필름에 의한 보유 하에 반도체 웨이퍼 및 접착 필름을 다이싱한 후, 지지 기재를 연신하여 반도체 칩을 접착 필름과 함께 박리하고 이것을 개별적으로 회수한다. 또한, 반도체 칩을, 접착 필름을 개재하여, BT 기판이나 리드 프레임 등의 피착체에 접착 고정시킨다. 반도체 칩을 다단계로 적층하는 경우에는, 접착 필름을 개재하여 고정한 반도체 칩 상에, 다시 접착 필름이 부착된 반도체 칩을 접착 고정한다.This type of dicing / die bonding film has a structure in which a die bonding film (adhesive film) is laminated on a dicing film. The dicing film is a structure in which a pressure-sensitive adhesive layer is laminated on a supporting substrate. This dicing die bonding film is used as follows. That is, after dicing the semiconductor wafer and the adhesive film with the adhesive film held thereon, the supporting substrate is stretched to peel the semiconductor chip together with the adhesive film, and these are separately recovered. Further, the semiconductor chip is bonded and fixed to an adherend such as a BT substrate or a lead frame via an adhesive film. When the semiconductor chips are stacked in multiple stages, the semiconductor chips with the adhesive films are bonded and fixed onto the semiconductor chips fixed via the adhesive films.

그런데, 반도체 장치 및 그 패키지의 고기능화, 박형화, 소형화가 한층 더 요구되고 있다. 그 하나의 계책으로서, 반도체 소자를 그 두께 방향으로 복수 단으로 적층시켜서 반도체 소자의 고밀도 집적화를 도모하는 3차원 실장 기술이 개발되어 있다.However, the semiconductor device and its package have been required to be more sophisticated, thinner, and smaller. As one of such measures, a three-dimensional mounting technique has been developed in which semiconductor elements are stacked in a plurality of stages in the thickness direction thereof to achieve high-density integration of semiconductor elements.

일반적인 3차원 실장 방법으로서는, 기판 등의 접착체 상에 반도체 소자를 고정하고, 이 최하단의 반도체 소자 상에 반도체 소자를 순차 적층해 가는 수순이 채용되고 있다. 반도체 소자간 및 반도체 소자와 피착체 사이에서는, 본딩 와이어(이하, 「와이어」라고도 함)로 전기적 접속이 도모되어 있다. 또한, 반도체 소자의 고정에는 필름 형상의 접착제가 널리 사용되고 있다.As a general three-dimensional mounting method, there is employed a method in which a semiconductor element is fixed on an adhesive body such as a substrate, and semiconductor elements are sequentially layered on the semiconductor element at the bottom. Electrical connection is made between the semiconductor elements and between the semiconductor elements and the adherend by bonding wires (hereinafter also referred to as " wires "). Film-like adhesives are widely used for fixing semiconductor devices.

이러한 반도체 장치에서는, 복수의 반도체 소자의 개개의 작동의 제어나, 반도체 소자간의 통신의 제어 등을 목적으로 하여, 최상단의 반도체 소자 상에 제어용 반도체 소자(이하, 「컨트롤러」라고도 함)가 배치된다(특허문헌 2 참조).In such a semiconductor device, a control semiconductor element (hereinafter also referred to as a " controller ") is disposed on the uppermost semiconductor element for the purpose of controlling individual operations of the plurality of semiconductor elements or controlling communication between semiconductor elements (See Patent Document 2).

일본 특허 공개 제2010-074144호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2010-074144 일본 특허 공개 제2007-096071호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-096071

컨트롤러도 하단의 반도체 소자와 마찬가지로, 와이어에 의해 피착체와의 전기적 접속이 도모된다. 그러나, 반도체 소자의 적층 단수가 많아짐에 따라, 컨트롤러와 피착체의 거리가 길어지고, 전기적 접속에 필요한 와이어도 길어진다. 그 결과, 반도체 패키지의 통신 속도가 저하나 외부 요인(열이나 충격 등)에 의한 와이어의 문제가 발생하여 반도체 패키지의 품질이 떨어지거나, 와이어 본딩 공정이 복잡해져서 반도체 장치 제조의 수율이 저하하거나 하는 경우가 있다.As in the case of the semiconductor element at the lower end of the controller, electrical connection with the adherend is achieved by the wire. However, as the number of stacked semiconductor elements increases, the distance between the controller and the adherend becomes longer, and the wire necessary for electrical connection becomes longer. As a result, the quality of the semiconductor package deteriorates due to a problem of wire due to an external factor (heat, impact, etc.) due to a low communication speed of the semiconductor package, or the wire bonding process becomes complicated, There is a case.

그래서, 본원 발명자들은, 컨트롤러를 피착체에 고정함과 함께, 이 컨트롤러를 포매하면서 다른 반도체 소자를 고정 가능한 포매용 접착 필름을 개발하고, 이들에 대해 출원을 행하고 있다(본 출원의 출원 시에 있어서 미 공개).Thus, the inventors of the present invention have developed a puckering adhesive film capable of fixing a controller to an adherend and fixing other semiconductor elements while embedding the controller, and filed applications therefor (filing of the present application Unpublished).

이러한 접착 필름을 다이싱·다이본딩 필름의 접착 필름으로서 사용함으로써, 반도체 장치의 제조 효율의 향상과 반도체 장치의 고품질화가 가능하게 된다. 그러나, 컨트롤러 등의 반도체 소자를 포매하기 위하여 두꺼운 접착 필름을 사용한 경우, 다이싱을 행했음에도 불구하고 절단 부분에서 접착 시트의 재접착이 발생해버리고, 그 후의 픽업을 양호하게 행할 수 없게 되어 수율이 저하할 우려가 있다.By using such an adhesive film as an adhesive film of the dicing / die-bonding film, it becomes possible to improve the manufacturing efficiency of the semiconductor device and to improve the quality of the semiconductor device. However, in the case of using a thick adhesive film for embedding a semiconductor element such as a controller, re-bonding of the adhesive sheet occurs at the cut portion despite dicing, and subsequent pickup can not be performed satisfactorily, There is a risk of degradation.

본 발명은 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것이며, 그 목적은, 고품질의 반도체 장치를 수율 높게 제조 가능한 접착 필름 및 이것을 사용하는 반도체 장치의 제조 방법, 및 상기 제조 방법에 의해 얻어지는 반도체 장치를 제공하는 데 있다.The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide an adhesive film capable of manufacturing a high-quality semiconductor device at a high yield, a method of manufacturing a semiconductor device using the same, and a semiconductor device obtained by the method .

본원 발명자등은, 상기 종래의 문제점을 해결하고자, 접착 필름의 특성에 대해 예의 검토하였다. 그 결과, 하기 구성으로 함으로써 상기 목적을 달성할 수 있는 것을 알아내어, 본 발명을 완성시키기에 이르렀다.The present inventors have intensively studied the characteristics of the adhesive film in order to solve the above-mentioned problems of the prior art. As a result, it has been found that the above object can be achieved by the following constitution, and the present invention has been accomplished.

즉, 본 발명은 피착체 상에 고정된 제1 반도체 소자를 포매하고, 또한 상기 제1 반도체 소자와는 상이한 제2 반도체 소자를 피착체에 고정하기 위한 접착 필름(이하, 「포매용 접착 필름」이라고도 함)이고,That is, the present invention provides an adhesive film for embedding a first semiconductor element fixed on an adherend and for fixing a second semiconductor element different from the first semiconductor element to an adherend (hereinafter referred to as " , ≪ / RTI >

SUS에 대한 40℃에 있어서의 태크 강도가 0.2㎫ 이하이다.The tensile strength at 40 占 폚 against SUS is 0.2 MPa or less.

당해 접착 필름에서는, SUS에 대한 40℃에 있어서의 태크 강도를 0.2㎫ 이하로 하고 있으므로, 다이싱·다이본딩 필름의 접착 필름으로서 사용한 경우에도, 다이싱 후의 접착 필름의 재접착이 발생하기 어려워, 계속되는 픽업을 양호하게 행할 수 있다. 또한, 피착체 상의 제1 반도체 소자를 포매 가능하므로, 피착체와 제1 반도체 소자의 통신 속도를 유지하면서, 외부 요인의 영향을 저감 가능하여, 고품질의 반도체 장치를 수율 높게 제조할 수 있다. 또한, 태크 강도의 측정 방법은 실시예의 기재에 의한다.Since the adhesive strength of the adhesive film to SUS at 40 캜 is 0.2 MPa or less, re-adhesion of the adhesive film after dicing is difficult to occur even when used as an adhesive film of a dicing / die-bonding film, The subsequent pickup can be performed satisfactorily. Further, since the first semiconductor element on the adherend can be embedded, the influence of external factors can be reduced while maintaining the communication speed between the adherend and the first semiconductor element, and a high-quality semiconductor device can be manufactured with high yield. The method of measuring the tape strength is based on the description of the embodiment.

당해 접착 필름의 120℃에 있어서의 용융 점도는 100Pa·s 이상 3000Pa·s 이하인 것이 바람직하다. 이에 의해, 당해 접착 필름에 의한 제2 반도체 소자의 피착체에의 고정 시에, 제1 반도체 소자의 당해 접착 필름에의 포매를 보다 용이하게 행할 수 있다. 또한, 용융 점도의 측정 방법은 실시예의 기재에 의한다.The melt viscosity of the adhesive film at 120 캜 is preferably 100 Pa · s or more and 3000 Pas · s or less. Thus, when the second semiconductor element is fixed to the adherend by the adhesive film, the first semiconductor element can be more easily embedded in the adhesive film. The method of measuring the melt viscosity is based on the description of the examples.

열경화 전의 당해 접착 필름의 25℃에 있어서의 저장 탄성률은 10㎫ 이상 10000㎫ 이하인 것이 바람직하다. 이에 의해, 접착 필름에 적당한 경도를 부여할 수 있고, 다이싱 후의 재접착을 보다 효율적으로 방지할 수 있다. 또한, 저장 탄성률의 측정 방법은 실시예의 기재에 의한다.The storage elastic modulus of the adhesive film before heat curing at 25 캜 is preferably 10 MPa or more and 10000 MPa or less. As a result, it is possible to impart appropriate hardness to the adhesive film and to more effectively prevent re-adhesion after dicing. The method of measuring the storage elastic modulus is based on the description of the examples.

당해 접착 필름은 무기 충전제를 포함하고, 상기 무기 충전제의 함유량이 25 내지 80중량％인 것이 바람직하다. 당해 접착 필름이 소정량의 무기 충전제를 포함함으로써, 보다 높은 레벨에서의 재접착 방지에 유효한 경도나 저흡수성을 접착 필름에 부여할 수 있다.It is preferable that the adhesive film contains an inorganic filler and the content of the inorganic filler is 25 to 80% by weight. By including the predetermined amount of the inorganic filler in the adhesive film, it is possible to impart hardness and low water absorbency to the adhesive film that are effective for preventing re-adhesion at a higher level.

본 발명에는, 기재 및 상기 기재 상에 형성된 점착제층을 갖는 다이싱 필름과, 상기 점착제층 상에 적층된 당해 접착 필름을 구비하는 다이싱·다이본딩 필름도 포함된다.The present invention also includes a dicing die-bonding film comprising a dicing film having a base material and a pressure-sensitive adhesive layer formed on the base material, and the adhesive film laminated on the pressure-sensitive adhesive layer.

본 발명의 다이싱·다이본딩 필름은 당해 접착 필름을 구비하고 있으므로, 고품질의 반도체 장치를 수율 높게 제조할 수 있다.Since the dicing and die-bonding film of the present invention is provided with the adhesive film, a high-quality semiconductor device can be manufactured with a high yield.

또한, 본 발명에는,Further, in the present invention,

제1 반도체 소자가 고정된 피착체를 준비하는 피착체 준비 공정,An adherend preparing step of preparing an adherend to which the first semiconductor element is fixed,

당해 다이싱·다이본딩 필름의 접착 필름과 반도체 웨이퍼를 접합하는 접합 공정,A bonding step of bonding the adhesive film of the dicing / die-bonding film and the semiconductor wafer,

상기 반도체 웨이퍼 및 접착 필름을 다이싱하여 제2 반도체 소자를 형성하는 다이싱 공정,A dicing step of dicing the semiconductor wafer and the adhesive film to form a second semiconductor element,

상기 제2 반도체 소자를 상기 접착 필름과 함께 픽업하는 픽업 공정 및A pickup process of picking up the second semiconductor element together with the adhesive film,

상기 제2 반도체 소자와 함께 픽업한 접착 필름에 의해, 상기 피착체에 고정된 상기 제1 반도체 소자를 포매하면서 상기 제2 반도체 소자를 그 피착체에 고정하는 고정 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법도 포함된다.And a fixing step of fixing the second semiconductor element to the adherend while holding the first semiconductor element fixed to the adherend by an adhesive film picked up together with the second semiconductor element .

본 발명의 제조 방법에서는, 당해 다이싱·다이본딩 필름을 사용하여 반도체 장치를 제조하므로, 다이싱으로부터 픽업을 양호하게 행할 수 있어, 생산 효율 좋게 반도체 장치를 제조할 수 있다. 또한, 상기 접착 필름에 의해 컨트롤러 등의 제1 반도체 소자를 접착체 상에 고정하는 것이 가능하게 되므로, 전기적 접속에 필요한 와이어의 단축이 가능하게 되고, 이에 의해 반도체 패키지의 통신 속도의 저하가 방지됨과 함께, 외부 요인에 의한 와이어의 문제의 발생이 저감된 고품질의 반도체 장치를 제조할 수 있다. 또한, 당해 제조 방법에서는, 상기 접착 필름의 사용에 의해, 제1 반도체 소자의 피착체 상에서의 포매가 가능하게 되므로, 제1 반도체 소자와 피착체의 와이어 본딩이 용이해지고, 이에 의해 반도체 장치의 제조의 수율을 향상시킬 수 있다.In the manufacturing method of the present invention, since the semiconductor device is manufactured using the dicing / die-bonding film, the semiconductor device can be manufactured with good production efficiency from the dicing. Further, since the first semiconductor element such as a controller can be fixed on the adhesive body by the adhesive film, the wire necessary for electrical connection can be shortened, thereby preventing the communication speed of the semiconductor package from being lowered In addition, it is possible to manufacture a high-quality semiconductor device in which occurrence of a problem of a wire due to an external factor is reduced. In addition, in this manufacturing method, since the use of the adhesive film makes it possible to carry out bonding on the adherend of the first semiconductor element, the wire bonding of the first semiconductor element and the adherend becomes easy, Can be improved.

당해 제조 방법에서는, 상기 접착 필름은, 상기 제1 반도체 소자의 두께 T1보다 두꺼운 두께 T를 갖고, 상기 피착체와 상기 제1 반도체 소자가 와이어 본딩 접속되고, 또한 상기 두께 T와 상기 두께 T1의 차가 40㎛ 이상 260㎛ 이하인 것이 바람직하다. 또는, 상기 접착 필름은, 상기 제1 반도체 소자의 두께 T1보다 두꺼운 두께 T를 갖고, 상기 피착체와 상기 제1 반도체 소자가 플립 칩 접속되고, 또한 상기 두께 T와 상기 두께 T1의 차가 10㎛ 이상 200㎛ 이하인 것이 바람직하다. 제1 반도체 소자의 피착체와의 접속 양식에 따라, 적절하게 제1 반도체 소자를 포매할 수 있다.In this manufacturing method, the adhesive film has a thickness T that is thicker than the thickness T 1 of the first semiconductor element, and the adherend and the first semiconductor element are wire-bonded and the thickness T and the thickness T 1 Is not less than 40 μm and not more than 260 μm. Alternatively, the adhesive film may have a thickness T that is thicker than the thickness T 1 of the first semiconductor element, the adherend and the first semiconductor element are flip-chip connected, and the difference between the thickness T and the thickness T 1 is 10 Mu] m or more and 200 [micro] m or less. The first semiconductor element can be suitably embedded according to the connection style of the first semiconductor element with the adherend.

본 발명에는, 당해 반도체 장치의 제조 방법에 의해 얻어지는 반도체 장치도 포함된다.The present invention also includes a semiconductor device obtained by the method for manufacturing the semiconductor device.

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 다이싱·다이본딩 필름을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 2는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 다이싱·다이본딩 필름을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 3a는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법의 일 공정을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 3b는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법의 일 공정을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 3c는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법의 일 공정을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 3d는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법의 일 공정을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 3e는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법의 일 공정을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 3f는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법의 일 공정을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 3g는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법의 일 공정을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 3h는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법의 일 공정을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 4a는 본 발명의 다른 일 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법의 일 공정을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 4b는 본 발명의 다른 일 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법의 일 공정을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 4c는 본 발명의 다른 일 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법의 일 공정을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 4d는 본 발명의 다른 일 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법의 일 공정을 모식적으로 도시하는 단면도.1 is a cross-sectional view schematically showing a dicing and die-bonding film according to an embodiment of the present invention;
2 is a cross-sectional view schematically showing a dicing and die-bonding film according to another embodiment of the present invention.
3A is a cross-sectional view schematically showing a step of a method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
3B is a cross-sectional view schematically showing a step of a method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
3C is a cross-sectional view schematically showing a step of a method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
3D is a cross-sectional view schematically showing a step of a method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
3E is a cross-sectional view schematically showing a step of a method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3F is a cross-sectional view schematically showing a step of a method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. FIG.
3G is a sectional view schematically showing a step of a method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
3H is a cross-sectional view schematically showing a step of a method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
4A is a cross-sectional view schematically showing a step of a method of manufacturing a semiconductor device according to another embodiment of the present invention.
4B is a cross-sectional view schematically showing a step of a method of manufacturing a semiconductor device according to another embodiment of the present invention.
4C is a cross-sectional view schematically showing a step of a method of manufacturing a semiconductor device according to another embodiment of the present invention.
4D is a cross-sectional view schematically showing a step of a method of manufacturing a semiconductor device according to another embodiment of the present invention.

〔제1 실시 형태][First Embodiment]

본 발명의 일 실시 형태인 제1 실시 형태에 대해서, 도면을 참조하면서 이하에 설명한다. 단, 도면의 일부 또는 전부에 있어서, 설명에 불필요한 부분은 생략하고, 또한 설명을 용이하게 하기 위하여 확대 또는 축소하거나 하여 도시한 부분이 있다. 제1 실시 형태에서는, 도 1에 도시하는 바와 같이 기재(4) 상에 점착제층(3)이 적층되어 이루어지는 다이싱 필름(5) 상에, 접착 필름(22)이 적층된 다이싱·다이본딩 필름의 형태를 예로 하여 이하에 설명한다. 본 실시 형태에서는, 접착체와 제1 반도체 소자의 전기적 접속을 와이어 본딩 접속에 의해 도모하는 형태를 설명한다.A first embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. However, in some or all of the drawings, portions unnecessary for the description are omitted and there are portions shown enlarged or reduced in order to facilitate explanation. In the first embodiment, as shown in Fig. 1, a dicing die bonding process in which an adhesive film 22 is laminated on a dicing film 5 in which a pressure-sensitive adhesive layer 3 is laminated on a base material 4 The form of the film will be described below as an example. In this embodiment mode, the electrical connection between the adhesive agent and the first semiconductor element is achieved by wire bonding connection.

<접착 필름>&Lt; Adhesive film &

접착 필름(22)의 SUS에 대한 40℃에 있어서의 태크 강도는, 0.2㎫ 이하이고, 0.1㎫ 이하가 바람직하고, 0.05㎫ 이하가 보다 바람직하다. 상기 태크 강도의 하한은 특별히 한정되지 않지만, 0.001㎫ 이상이 바람직하고, 0.0O5㎫ 이상이 보다 바람직하다. 접착 필름의 태크 강도를 상기 범위로 함으로써, 다이싱 시에 반도체 웨이퍼를 양호하게 고정할 수 있음과 함께, 다이싱 후의 접착 필름의 재접착을 방지할 수 있다.The adhesive strength of the adhesive film 22 to SUS at 40 DEG C is 0.2 MPa or less, preferably 0.1 MPa or less, and more preferably 0.05 MPa or less. The lower limit of the tensile strength is not particularly limited, but is preferably 0.001 MPa or more, and more preferably 0.05 MPa or more. By setting the adhesive strength of the adhesive film within the above range, it is possible to fix the semiconductor wafer well during dicing, and to prevent re-adhesion of the adhesive film after dicing.

접착 필름의 구성은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 접착 필름의 단층만을 포함하는 접착 필름이나, 코어 재료의 편면 또는 양면에 접착 필름을 형성한 다층 구조의 접착 필름 등을 들 수 있다. 여기서, 상기 코어 재료로서는, 필름(예를 들어 폴리이미드 필름, 폴리에스테르 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트필름, 폴리카르보네이트 필름 등), 유리 섬유나 플라스틱제 부직 섬유로 강화된 수지 기판, 실리콘 기판 또는 유리 기판 등을 들 수 있다. 또한, 접착 필름과 다이싱 시트를 일체로 한 일체형 필름으로서 사용할 수도 있다.The constitution of the adhesive film is not particularly limited, and examples thereof include an adhesive film containing only a single layer of an adhesive film and a multi-layered adhesive film formed by forming an adhesive film on one side or both sides of the core material. The core material may be a film (for example, a polyimide film, a polyester film, a polyethylene terephthalate film, a polyethylene naphthalate film, a polycarbonate film or the like), a resin substrate reinforced with glass fiber or non- , A silicon substrate, or a glass substrate. Further, it may be used as an integral film in which an adhesive film and a dicing sheet are integrally formed.

접착 필름은 접착 기능을 갖는 층이며, 그 구성 재료로서는 열가소성 수지와 열경화성 수지를 병용한 것을 들 수 있다. 또한, 열가소성 수지 단독으로도 사용 가능하다.The adhesive film is a layer having an adhesive function, and as a constituent material thereof, a thermoplastic resin and a thermosetting resin are used in combination. Further, the thermoplastic resin can be used alone.

(열가소성 수지)(Thermoplastic resin)

상기 열가소성 수지로서는, 천연 고무, 부틸 고무, 이소프렌 고무, 클로로프렌 고무, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 에틸렌-아크릴산 에스테르 공중합체, 폴리부타디엔 수지, 폴리카르보네이트 수지, 열가소성 폴리 이미드 수지, 6-나일론이나 6,6 나일론 등의 폴리아미드 수지, 페녹시 수지, 아크릴 수지, PET나 PBT 등의 포화 폴리에스테르 수지, 폴리아미드이미드 수지 또는 불소 수지 등을 들 수 있다. 이들 열가소성 수지는 단독으로, 또는 2종류 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 이들 열가소성 수지 중, 이온성 불순물이 적고 내열성이 높고, 반도체 소자의 신뢰성을 확보할 수 있는 아크릴 수지가 특히 바람직하다.Examples of the thermoplastic resin include natural rubber, butyl rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ethylene-acrylic acid ester copolymer, polybutadiene resin, polycarbonate resin, Polyamide resins such as 6-nylon and 6,6-nylon, phenoxy resins, acrylic resins, saturated polyester resins such as PET and PBT, polyamide-imide resins and fluororesins. These thermoplastic resins may be used alone or in combination of two or more. Among these thermoplastic resins, an acrylic resin which is low in ionic impurities and high in heat resistance and can secure the reliability of a semiconductor element is particularly preferable.

상기 아크릴 수지로서는, 특별히 한정되는 것은 아니며, 탄소수 30 이하, 특히 탄소수 4 내지 18의 직쇄 또는 분지의 알킬기를 갖는 아크릴산 또는 메타크릴산의 에스테르의 1종류 또는 2종류 이상을 성분으로 하는 중합체 등을 들 수 있다. 상기 알킬기로서는, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, t-부틸기, 이소부틸기, 아밀기, 이소아밀기, 헥실기, 헵틸기, 시클로헥실기, 2-에틸헥실기, 옥틸기, 이소옥틸기, 노닐기, 이소노닐기, 데실기, 이소데실기, 운데실기, 라우릴기, 트리데실기, 테트라데실기, 스테아릴기, 옥타데실기, 또는 에이코실기 등을 들 수 있다.The acrylic resin is not particularly limited, and a polymer having one or more kinds of esters of acrylic acid or methacrylic acid having a linear or branched alkyl group having 30 or less carbon atoms, particularly 4 to 18 carbon atoms, . Examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a t-butyl group, an isobutyl group, an amyl group, an isoamyl group, a hexyl group, a heptyl group, An ethyl group, an ethyl group, an ethyl group, an ethyl group, an ethyl group, an ethyl group, an ethylhexyl group, an octyl group, an isooxyl group, a nonyl group, an isononyl group, a decyl group, an isodecyl group, an undecyl group, a lauryl group, a tridecyl group, And practical training.

또한, 상기 중합체를 형성하는 다른 단량체로서는, 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸아크릴레이트, 카르복시펜틸아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산 또는 크로톤산 등과 같은 카르복실기 함유 모노머, 무수 말레산 또는 무수 이타콘산 등과 같은 산 무수물 모노머, (메타)아크릴산 2-히드록시에틸, (메타)아크릴산 2-히드록시프로필, (메타)아크릴산 4-히드록시부틸, (메타)아크릴산 6-히드록시헥실, (메타)아크릴산 8-히드록시옥틸, (메타)아크릴산 10-히드록시데실, (메타)아크릴산 12-히드록시라우릴 또는 (4-히드록시메틸시클로헥실)-메틸아크릴레이트 등과 같은 히드록실기 함유 모노머, 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메타)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메타)아크릴아미드프로판술폰산, 술포프로필(메타)아크릴레이트 또는 (메타)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등과 같은 술폰산기 함유 모노머, 또는 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트 등과 같은 인산기 함유 모노머를 들 수 있다.The other monomer forming the polymer is not particularly limited and includes, for example, a monomer containing a carboxyl group such as acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl acrylate, carboxypentyl acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, (Meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, -Hydroxyhexyl, 8-hydroxyoctyl (meth) acrylate, 10-hydroxydecyl (meth) acrylate, 12-hydroxylauryl (meth) acrylate or (4-hydroxymethylcyclohexyl) (Meth) acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid, (meth) acrylamidopropanesulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylamide, Containing monomer such as (meth) acrylate or (meth) acryloyloxynaphthalenesulfonic acid, or a phosphoric acid group-containing monomer such as 2-hydroxyethyl acryloyl phosphate or the like.

(열경화성 수지)(Thermosetting resin)

상기 열경화성 수지로서는, 페놀 수지, 아미노 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 에폭시 수지, 폴리우레탄 수지, 실리콘 수지, 또는 열경화성 폴리이미드 수지 등을 들 수 있다. 이들 수지는, 단독으로 또는 2종류 이상 병용하여 사용할 수 있다. 특히, 반도체 소자를 부식시키는 이온성 불순물 등 함유가 적은 에폭시 수지가 바람직하다. 또한, 에폭시 수지의 경화제로서는 페놀 수지가 바람직하다.Examples of the thermosetting resin include a phenol resin, an amino resin, an unsaturated polyester resin, an epoxy resin, a polyurethane resin, a silicone resin, and a thermosetting polyimide resin. These resins may be used alone or in combination of two or more. Particularly, an epoxy resin containing less ionic impurities or the like which corrodes semiconductor elements is preferable. As the curing agent of the epoxy resin, a phenol resin is preferable.

상기 에폭시 수지는, 접착제 조성물로서 일반적으로 사용되는 것이면 특별히 한정은 없고, 예를 들어 비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 비스페놀 S형, 브롬화 비스페놀 A형, 수소 첨가 비스페놀 A형, 비스페놀 AF형, 비페닐형, 나프탈렌형, 플루오렌형, 페놀노볼락형, 오르토크레졸노볼락형, 트리스히드록시페닐메탄형, 테트라페니롤에탄형 등의 2관능 에폭시 수지나 다관능 에폭시 수지, 또는 히단토인형, 트리스글리시딜 이소시아누레이트형 또는 글리시딜아민형 등의 에폭시 수지가 사용된다. 이들은 단독으로 또는 2종류 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 이들 에폭시 수지 중 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 트리스히드록시페닐메탄형 수지 또는 테트라페니롤에탄형 에폭시 수지가 특히 바람직하다. 이들 에폭시 수지는, 경화제로서의 페놀 수지와의 반응성이 풍부하고, 내열성 등이 우수하기 때문이다.The epoxy resin is not particularly limited as long as it is generally used as an adhesive composition, and examples thereof include bisphenol A type, bisphenol F type, bisphenol S type, brominated bisphenol A type, hydrogenated bisphenol A type, bisphenol AF type, biphenyl A bifunctional epoxy resin or a polyfunctional epoxy resin such as naphthalene, fluorene, phenol novolac, orthocresol novolac, trishydroxyphenylmethane, and tetraphenylolethane, An epoxy resin such as glycidyl isocyanurate type or glycidyl amine type is used. These may be used alone or in combination of two or more. Among these epoxy resins, novolak type epoxy resins, biphenyl type epoxy resins, trishydroxyphenylmethane type resins and tetraphenylol ethane type epoxy resins are particularly preferable. These epoxy resins are rich in reactivity with a phenol resin as a curing agent and have excellent heat resistance.

또한 상기 페놀 수지는, 상기 에폭시 수지의 경화제로서 작용하는 것이며, 예를 들어 페놀노볼락 수지, 페놀 아르알킬 수지, 크레졸노볼락 수지, tert-부틸페놀노볼락 수지, 노닐페놀노볼락 수지 등의 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지, 폴리파라옥시스티렌 등의 폴리옥시스티렌 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종류 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 이들 페놀 수지 중 페놀노볼락 수지, 페놀 아르알킬 수지가 특히 바람직하다. 반도체 장치의 접속 신뢰성을 향상시킬 수 있기 때문이다.The phenol resin acts as a curing agent for the epoxy resin. For example, the phenol resin may be a phenol novolac resin, a phenol aralkyl resin, a cresol novolac resin, a tert-butylphenol novolak resin, A phenol resin, a phenol resin, a phenol resin, a phenol resin, a phenol resin, a phenol resin, and a polyoxystyrene. These may be used alone or in combination of two or more. Of these phenolic resins, phenol novolac resins and phenol aralkyl resins are particularly preferable. This is because connection reliability of the semiconductor device can be improved.

상기 에폭시 수지와 페놀 수지의 배합 비율은, 예를 들어 상기 에폭시 수지 성분 중의 에폭시기 1당량당 페놀 수지 중의 수산기가 0.5 내지 2.0당량이 되도록 배합하는 것이 적합하다. 보다 적합한 것은 0.8 내지 1.2당량이다. 즉, 양자의 배합 비율이 상기 범위를 벗어나면, 충분한 경화 반응이 진행되지 않고, 에폭시 수지 경화물의 특성이 열화되어 쉬워지기 때문이다.The mixing ratio of the epoxy resin to the phenol resin is preferably such that the hydroxyl group in the phenol resin is equivalent to 0.5 to 2.0 equivalents per equivalent of the epoxy group in the epoxy resin component. More suitable is 0.8 to 1.2 equivalents. That is, if the blending ratio of the two is out of the above range, sufficient curing reaction does not proceed and the properties of the epoxy resin cured product deteriorate and become easy.

또한, 본 실시 형태에 있어서는, 에폭시 수지, 페놀 수지 및 아크릴 수지를 포함하는 접착 필름이 특히 바람직하다. 이들 수지는, 이온성 불순물이 적고 내열성이 높으므로, 반도체 소자의 신뢰성을 확보할 수 있다. 이 경우의 배합비는, 아크릴 수지 성분 100중량부에 대하여 에폭시 수지와 페놀 수지의 혼합량이 10 내지 700중량부이다.Further, in the present embodiment, an adhesive film comprising an epoxy resin, a phenol resin and an acrylic resin is particularly preferable. These resins have low ionic impurities and high heat resistance, so that the reliability of semiconductor devices can be secured. In this case, the blending ratio of the epoxy resin and the phenol resin is 10 to 700 parts by weight based on 100 parts by weight of the acrylic resin component.

(가교제)(Crosslinking agent)

본 실시 형태의 접착 필름은, 미리 어느 정도 가교를 시켜 두기 위해서, 제작 시에, 중합체의 분자쇄 말단의 관능기 등과 반응하는 다관능성 화합물을 가교제로서 첨가시켜 두는 것이 좋다. 이에 의해, 고온 하에서의 접착 특성을 향상시켜, 내열성의 개선을 도모할 수 있다.In the adhesive film of this embodiment, it is preferable to add, as a crosslinking agent, a polyfunctional compound which reacts with the functional group at the molecular chain terminal of the polymer or the like at the time of production in order to allow the crosslinking to some extent in advance. As a result, it is possible to improve the adhesive property under high temperature and to improve the heat resistance.

상기 가교제로서는, 종래 공지된 것을 채용할 수 있다. 특히, 톨릴렌디이소시아네이트, 디페닐메탄디이소시아네이트, p-페닐렌디이소시아네이트, 1,5-나프탈렌디이소시아네이트, 다가 알코올과 디이소시아네이트의 부가물 등의 폴리이소시아네이트 화합물이 보다 바람직하다. 가교제의 첨가량으로서는, 상기한 중합체 100중량부에 대하여, 통상 0.05 내지 7중량부가 바람직하다. 가교제의 양이 7중량부보다 많으면, 접착력이 저하하므로 바람직하지 않다. 그 한편, 0.05중량부보다 적으면, 응집력이 부족하므로 바람직하지 않다. 또한, 이러한 폴리이소시아네이트 화합물과 함께, 필요에 따라, 에폭시 수지 등의 다른 다관능성 화합물을 함께 포함시키도록 해도 된다.As the crosslinking agent, conventionally known ones can be employed. Particularly, polyisocyanate compounds such as tolylene diisocyanate, diphenylmethane diisocyanate, p-phenylenediisocyanate, 1,5-naphthalene diisocyanate, and adducts of polyhydric alcohol and diisocyanate are more preferable. The amount of the crosslinking agent to be added is usually 0.05 to 7 parts by weight per 100 parts by weight of the polymer. If the amount of the cross-linking agent is more than 7 parts by weight, the adhesive strength is undesirably low. On the other hand, if it is less than 0.05 part by weight, the cohesive force is insufficient. If necessary, other polyfunctional compounds such as an epoxy resin may be included together with such a polyisocyanate compound.

(무기 충전제)(Inorganic filler)

또한, 본 실시 형태의 접착 필름에는, 그 용도에 따라서 무기 충전제를 적절히 배합할 수 있다. 무기 충전제의 배합은, 도전성의 부여나 열전도성의 향상, 탄성률의 조절 등을 가능하게 한다. 상기 무기 충전제로서는, 예를 들어 실리카, 클레이, 석고, 탄산칼슘, 황산바륨, 산화알루미나, 산화베릴륨, 탄화 규소, 질화 규소 등의 세라믹류, 알루미늄, 구리, 은, 금, 니켈, 크롬, 주석, 아연, 팔라듐, 땜납 등의 금속, 또는 합금류, 기타 카본 등을 포함하는 다양한 무기 분말을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종류 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 그 중에서도, 실리카, 특히 용융 실리카가 적절하게 사용된다. 또한, 알루미늄, 구리, 은, 금, 니켈, 크롬, 주석, 아연 등을 포함하는 도전성 미립자를 첨가하여 도전성 접착 필름으로 함으로써, 정전기의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 무기 충전제의 평균 입경은 0.1 내지 80㎛의 범위 내인 것이 바람직하다.In the adhesive film of the present embodiment, an inorganic filler can be appropriately compounded according to the use thereof. The combination of the inorganic filler makes it possible to impart conductivity, improve thermal conductivity, and control the modulus of elasticity. Examples of the inorganic filler include ceramics such as silica, clay, gypsum, calcium carbonate, barium sulfate, alumina oxide, beryllium oxide, silicon carbide and silicon nitride, aluminum, copper, silver, gold, nickel, And various inorganic powders including metals such as zinc, palladium, and solder, and alloys and other carbon. These may be used alone or in combination of two or more. Of these, silica, particularly fused silica, is suitably used. In addition, by forming the conductive adhesive film by adding conductive fine particles containing aluminum, copper, silver, gold, nickel, chromium, tin, zinc or the like, the occurrence of static electricity can be suppressed. The average particle diameter of the inorganic filler is preferably in the range of 0.1 to 80 탆.

상기 무기 충전제의 함유량은, 접착 필름을 조성하는 성분(용매를 제외함)의 합계 중량에 대하여 25 내지 80중량％로 설정하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 25 내지 70중량％이다.The content of the inorganic filler is preferably set to 25 to 80% by weight, more preferably 25 to 70% by weight based on the total weight of the components (excluding the solvent) constituting the adhesive film.

(열경화 촉매)(Thermosetting catalyst)

접착 필름의 구성 재료로서 열경화 촉매를 사용해도 된다. 그 함유량으로서는, 유기 수지 성분 100중량부에 대하여 0.01 내지 1중량부가 바람직하고, 0.05 내지 0.5중량부가 보다 바람직하다. 함유량을 상기 하한 이상으로 함으로써, 다이 본딩 시에 있어서는 미반응이었던 에폭시기끼리를, 후속 공정에 있어서 중합시키고, 당해 미반응된 에폭시기를 저감 또는 소실시킬 수 있다. 그 결과, 피착체 상에 반도체 소자를 접착 고정시켜 박리가 없는 반도체 장치의 제조가 가능하게 된다. 그 한편, 배합 비율을 상기 상한 이하로 함으로써, 경화 저해의 발생을 방지할 수 있다.A thermosetting catalyst may be used as a constituent material of the adhesive film. The content thereof is preferably 0.01 to 1 part by weight, more preferably 0.05 to 0.5 part by weight based on 100 parts by weight of the organic resin component. By setting the content to the above-mentioned lower limit or more, epoxy groups which have not been reacted at the time of die bonding can be polymerized in a subsequent step to reduce or eliminate the unreacted epoxy groups. As a result, it is possible to manufacture a semiconductor device without peeling by adhering and fixing a semiconductor element on an adherend. On the other hand, by setting the blending ratio to be not more than the upper limit, the occurrence of curing inhibition can be prevented.

상기 열경화 촉매로서는 특별히 한정되지 않고·예를 들어, 이미다졸계 화합물, 트리페닐포스핀계 화합물, 아민계 화합물, 트리페닐보란계 화합물, 트리할로겐보란계 화합물 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종류 이상을 병용하여 사용할 수 있다.The thermosetting catalyst is not particularly limited, and examples thereof include imidazole-based compounds, triphenylphosphine-based compounds, amine-based compounds, triphenylborane-based compounds, and trihalogenborane-based compounds. These may be used alone or in combination of two or more.

상기 이미다졸계 화합물로서는, 2-메틸이미다졸(상품명; 2MZ), 2-운데실이미다졸(상품명; CllZ), 2-헵타데실이미다졸(상품명; C17Z), 1?2-디메틸이미다졸(상품명; 1.2DMZ), 2-에틸-4-메틸이미다졸(상품명; 2E4MZ), 2-페닐이미다졸(상품명; 2PZ), 2-페닐-4-메틸이미다졸(상품명; 2P4MZ), 1-벤질-2-메티이미다졸(상품명; 1B2MZ), 1-벤질-2-페닐이미다졸(상품명; 1B2PZ), 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸(상품명; 2MZ-CN), 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸(상품명; CllZ-CN), 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리멜리테이트(상품명; 2PZCNS-PW), 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸·s-트리아진(상품명; 2MZ-A), 2,4-디아미노-6-[2'-운데실이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진(상품명; CllZ-A), 2,4-디아미노-6-[2'-에틸-4'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진(상품명; 2E4MZ-A), 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진이소시아누르산 부가물(상품명; 2MA-OK), 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸(상품명; 2PHZ-PW), 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸(상품명; 2P4MHZ-PW) 등을 들 수 있다(모두 시꼬꾸 가세(주)제).Examples of the imidazole compounds include 2-methylimidazole (trade name: 2MZ), 2-undecylimidazole (trade name: CllZ), 2-heptadecylimidazole (trade name: C17Z) 2-phenylimidazole (trade name: 2PZ), 2-phenyl-4-methylimidazole (trade name: 1.2MZ), 2-ethyl-4-methylimidazole ; 2P4MZ), 1-benzyl-2-methiimidazole (trade name: 1B2MZ), 1-benzyl-2-phenylimidazole (trade name: 1B2PZ), 1-cyanoethyl- 2MZ-CN), 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole (trade name: CllZ-CN), 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate (trade name: 2PZCNS- 2'-methylimidazolyl- (1 ')] - ethyl s-triazine (trade name 2MZ-A), 2,4-diamino-6- [2'- (1 ')] - ethyl-s-triazine (trade name: CllZ-A), 2,4-diamino-6- [2'-ethyl-4'-methylimidazolyl- 1 ')] - ethyl-s-triazine (trade name 2E4MZ-A), 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- Phenyl-4-methyl-imidazole (product name: 2PHZ-PW), 2-phenyl-4-methyl- 5-hydroxymethylimidazole (trade name: 2P4MHZ-PW) and the like (all available from Shikoku Chemicals Co., Ltd.).

상기 트리페닐포스핀계 화합물로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 트리페닐포스핀, 트리부틸포스핀, 트리(p-메틸페닐)포스핀, 트리(노닐페닐)포스핀, 디페닐트릴포스핀 등의 트리오르가노포스핀, 테트라페닐포스포늄브로마이드(상품명; TPP-PB), 메틸트리페닐포스포늄(상품명; TPP-MB), 메틸트리페닐포스포늄클로라이드(상품명; TPP-MC), 메톡시메틸트리페닐포스포늄(상품명; TPP-MOC), 벤질트리페닐포스포늄클로라이드(상품명; TPP-ZC) 등을 들 수 있다(모두 혹코 가가꾸사제). 또한, 상기 트리페닐포스핀계 화합물로서는, 에폭시 수지에 대하여 실질적으로 비용해성을 나타내는 것인 것이 바람직하다. 에폭시 수지에 대하여 비용해성이면, 열경화가 과도하게 진행되는 것을 억제할 수 있다. 트리페닐포스핀 구조를 갖고, 또한 에폭시 수지에 대하여 실질적으로 비용해성을 나타내는 열경화 촉매로서는, 예를 들어 메틸트리페닐포스포늄(상품명; TPP-MB) 등을 예시할 수 있다. 또한, 상기 「비용해성」이란, 트리페닐포스핀계 화합물를 포함하는 열경화 촉매가 에폭시 수지를 포함하는 용매에 대하여 불용성인 것을 의미하고, 보다 상세하게는, 온도 10 내지 40℃의 범위에 있어서 10중량％ 이상 용해되지 않는 것을 의미한다.Examples of the triphenylphosphine compound include, but are not limited to, triphenylphosphine, tributylphosphine, tri (p-methylphenyl) phosphine, tri (nonylphenyl) TPP-MB), methyltriphenylphosphonium chloride (trade name: TPP-MC), methoxymethyltriphenylphosphine (trade name: TPP-MB), trioctylphosphonium bromide (Trade name: TPP-MOC), benzyltriphenylphosphonium chloride (trade name: TPP-ZC) and the like (all manufactured by HAKKO KAGAKU CO., LTD.). The triphenylphosphine-based compound is preferably one which exhibits substantially no decomposition to the epoxy resin. If the epoxy resin is insoluble, it is possible to suppress the excessive progress of the thermosetting. Examples of the thermal curing catalyst having a triphenylphosphine structure and exhibiting substantially no solubility in the epoxy resin include methyltriphenylphosphonium (trade name: TPP-MB) and the like. Means that the thermosetting catalyst comprising a triphenylphosphine-based compound is insoluble in a solvent containing an epoxy resin. More specifically, the term &quot; insoluble in water &quot; &Lt; / RTI &gt;

상기 트리페닐보란계 화합물로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 트리(P-메틸페닐)포스핀 등을 들 수 있다. 또한, 트리페닐보란계 화합물로서는, 또한 트리페닐포스핀 구조를 갖는 것도 포함된다. 당해 트리페닐포스핀 구조 및 트리페닐보란 구조를 갖는 화합물로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트(상품명; TPP-K), 테트라페닐포스포늄테트라-P-트리보레이트(상품명; TPP-MK), 벤질트리페닐포스포늄테트라페닐보레이트(상품명; TPP-ZK), 트리페닐포스핀트리페닐보란(상품명; TPP-S) 등을 들 수 있다(모두 혹코 가가꾸사제).The triphenylborane compound is not particularly limited, and examples thereof include tri (P-methylphenyl) phosphine and the like. The triphenylborane compound also includes those having a triphenylphosphine structure. The compound having the triphenylphosphine structure and the triphenylborane structure is not particularly limited and includes, for example, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate (trade name: TPP-K), tetraphenylphosphonium tetra-P-triborate (Trade name: TPP-MK), benzyltriphenylphosphonium tetraphenylborate (trade name: TPP-ZK), triphenylphosphine triphenylborane (trade name: TPP-S) and the like.

상기 아미노계 화합물로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 모노에탄올아민트리플루오로보레이트(스텔라케미파(주)제), 디시안디아미드(나카라이테스크(주)제) 등을 들 수 있다.The amino compound is not particularly limited and includes, for example, monoethanolamine trifluoro borate (manufactured by Stella Chemipa) and dicyandiamide (manufactured by Nacalai Tesque).

상기 트리할로겐보란계 화합물로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 트리클로로보란 등을 들 수 있다.The trihalogenborane compound is not particularly limited, and examples thereof include trichloroboran.

(다른 첨가제)(Other additives)

또한, 본 실시 형태의 접착 필름에는, 상기 무기 충전제 이외에, 필요에 따라서 다른 첨가제를 적절하게 배합할 수 있다. 다른 첨가제로서는, 예를 들어 난연제, 실란 커플링제 또는 이온 트랩제 등을 들 수 있다.In addition to the inorganic filler, other additives may be appropriately added to the adhesive film of the present embodiment, if necessary. Other additives include, for example, flame retardants, silane coupling agents, and ion trap agents.

상기 난연제로서는, 예를 들어 삼산화안티몬, 오산화안티몬, 브롬화에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들은, 단독으로, 또는 2종류 이상을 병용하여 사용할 수 있다.Examples of the flame retardant include antimony trioxide, antimony pentoxide, brominated epoxy resin, and the like. These may be used alone or in combination of two or more.

상기 실란 커플링제로서는, 예를 들어 β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란 등을 들 수 있다. 이들 화합물은, 단독으로, 또는 2종류 이상을 병용하여 사용할 수 있다.Examples of the silane coupling agent include, for example,? - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane,? -Glycidoxypropyltrimethoxysilane,? -Glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, . These compounds may be used alone or in combination of two or more.

상기 이온 트랩제로서는, 예를 들어 히드로탈사이트류, 수산화 비스무트 등을 들 수 있다. 이들은, 단독으로, 또는 2종류 이상을 병용할 수 있다.Examples of the ion trap agent include hydrotalcites and bismuth hydroxide. These may be used alone or in combination of two or more.

상기 접착 필름의 120℃에 있어서의 용융 점도는, 제1 반도체 소자의 포매성을 갖는 한 특별히 한정되지 않지만, 그 하한은 100Pa·s 이상이 바람직하고, 300Pa·s 이상이 보다 바람직하고, 500Pa·s 이상이 더욱 바람직하다. 한편, 상기 용융 점도의 상한은 3000Pa·s 이하가 바람직하고, 2000Pa·s 이하가 보다 바람직하고, 1500Pa·s 이하가 더욱 바람직하다. 이에 의해, 상기 접착 필름에 의한 제2 반도체 소자의 피착체에의 고정 시에, 제1 반도체 소자의 상기 접착 필름에의 포매를 보다 용이하게 행할 수 있다.The melt viscosity of the adhesive film at 120 캜 is not particularly limited as long as it has the ability to form the first semiconductor element, but the lower limit thereof is preferably 100 Pa · s or more, more preferably 300 Pa · s or more, s or more is more preferable. On the other hand, the upper limit of the melt viscosity is preferably 3,000 Pa · s or less, more preferably 2,000 Pa · s or less, and still more preferably 1,500 Pa · s or less. Thereby, when the second semiconductor element is fixed to the adherend by the adhesive film, the first semiconductor element can be embedded in the adhesive film more easily.

열경화 전의 접착 필름의 25℃에 있어서의 저장 탄성률은, 10㎫ 이상 10000㎫ 이하가 바람직하고, 50㎫ 이상 7000㎫ 이하가 보다 바람직하고, 100㎫ 이상 5000㎫ 이하가 더욱 바람직하다. 이에 의해, 접착 필름에 적당한 경도를 부여할 수 있고, 다이싱 후의 접착 필름끼리의 재접착을 보다 효율적으로 방지할 수 있다.The storage elastic modulus of the adhesive film before heat curing at 25 캜 is preferably 10 MPa to 10000 MPa, more preferably 50 MPa to 7000 MPa, and still more preferably 100 MPa to 5000 MPa. As a result, it is possible to impart an appropriate hardness to the adhesive film, and it is possible to more effectively prevent re-adhesion of the adhesive films after dicing.

<다이싱 필름><Dicing Film>

상기 다이싱 필름으로서는, 예를 들어 기재(4) 상에 점착제층(3)을 적층한 것을 들 수 있다. 접착 필름(22)은 점착제층(3) 상에 적층된다. 또한 도 2에 도시하는 바와 같이, 반도체 웨이퍼 부착 부분(22a)(도 1 참조)에만 접착 필름(22')을 형성한 구성이어도 된다.Examples of the dicing film include those obtained by laminating a pressure-sensitive adhesive layer 3 on a substrate 4. The adhesive film (22) is laminated on the pressure-sensitive adhesive layer (3). As shown in Fig. 2, the adhesive film 22 'may be formed only on the semiconductor wafer attaching portion 22a (see Fig. 1).

(기재)(materials)

상기 기재(4)는, 다이싱·다이본딩 필름(10, 10')의 강도 모체로 되는 것이다. 예를 들어, 저밀도 폴리에틸렌, 직쇄상 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌·초 저밀도 폴리에틸렌, 랜덤공중합 폴리프로필렌, 블록공중합 폴리프로필렌, 호모폴리프롤렌, 폴리부텐, 폴리메틸펜텐 등의 폴리올레핀·에틸렌-아세트산 비닐 공중합체, 아이오노머 수지, 에틸렌-(메타)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메타)아크릴산 에스테르(랜덤, 교대) 공중합체, 에틸렌-부텐 공중합체, 에틸렌-헥센 공중합체, 폴리우레탄, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르, 폴리카르보네이트, 폴리이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 폴리아미드, 전체 방향족 폴리아미드, 폴리페닐 술피드, 아라미드(종이), 유리, 유리 섬유, 불소 수지, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 셀룰로오스계 수지, 실리콘 수지, 금속(박), 종이 등을 들 수 있다. 점착제층(3)이 자외선 경화형인 경우, 기재(4)는 자외선에 대하여 투과성을 갖는 것이 바람직하다.The base material 4 is a matrix of the dicing die-bonding films 10, 10 '. For example, polyolefins such as low density polyethylene, linear polyethylene, medium density polyethylene, high density polyethylene, ultra low density polyethylene, random copolymer polypropylene, block copolymerized polypropylene, homopolypropylene, polybutene, polymethylpentene, (Meth) acrylic acid ester (random, alternating) copolymer, an ethylene-butene copolymer, an ethylene-hexene copolymer, a polyurethane, a polyethylene terephthalate , Polyesters such as polyethylene naphthalate, polycarbonate, polyimide, polyetheretherketone, polyimide, polyetherimide, polyamide, all aromatic polyamide, polyphenylsulfide, aramid (paper) Fiber, fluororesin, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, cellulose resin, yarn Ricin resin, metal (foil), paper and the like. When the pressure-sensitive adhesive layer 3 is of the ultraviolet curable type, it is preferable that the base material 4 has transparency to ultraviolet rays.

또한 기재(4)의 재료로서는, 상기 수지의 가교체 등의 폴리머를 들 수 있다. 상기 플라스틱 필름은, 비연신으로 사용해도 되고, 필요에 따라 1축 또는 2축의 연신 처리를 실시한 것을 사용해도 된다. 연신 처리 등에 의해 열수축성을 부여한 수지 시트에 의하면, 다이싱 후에 그 기재(4)를 열수축시킴으로써 점착제층(3)과 접착 필름(22)의 접착 면적을 저하시켜서, 반도체 칩 회수의 용이화를 도모할 수 있다.As the material of the substrate 4, a polymer such as a crosslinked product of the resin may be mentioned. The above plastic film may be used in a non-stretched state, or may be subjected to a single-axis or biaxial stretching treatment if necessary. According to the resin sheet to which heat shrinkability is imparted by stretching treatment or the like, the adhesive area of the pressure-sensitive adhesive layer 3 and the adhesive film 22 is reduced by thermally shrinking the base material 4 after dicing, thereby facilitating the recovery of semiconductor chips can do.

기재(4)의 표면은, 인접하는 층과의 밀착성, 보유성 등을 높이기 위해서, 관용의 표면 처리, 예를 들어 크롬산 처리, 오존 폭로, 화염 폭로, 고압 전격 폭로, 이온화 방사선 처리 등의 화학적 또는 물리적 처리, 하도제(예를 들어, 후술하는 점착 물질)에 의한 코팅 처리를 실시할 수 있다.The surface of the base material 4 may be chemically or chemically treated such as an ordinary surface treatment such as chromic acid treatment, ozone exposure, flame exposure, high voltage exposure, ionizing radiation treatment, or the like for the purpose of enhancing adhesion, Physical treatment, and coating treatment with a primer (for example, an adhesive material described below) can be performed.

기재(4)는, 동종 또는 이종의 것을 적절하게 선택하여 사용할 수 있고, 필요에 따라 수종을 블렌드한 것을 사용할 수 있다. 또한, 기재(4)에는, 대전 방지능을 부여하기 위해서, 상기한 기재(1) 상에 금속, 합금, 이들의 산화물 등을 포함하는 두께가 30 내지 500Å 정도의 도전성 물질의 증착층을 형성할 수 있다. 기재(4)는 단층 또는 2종류 이상의 복층이어도 된다.As the base material (4), homogeneous or heterogeneous materials can be appropriately selected and used, and if necessary, a blend of some species can be used. In order to impart antistatic performance to the substrate 4, a vapor deposition layer of a conductive material having a thickness of about 30 to 500 Å, which includes a metal, an alloy, an oxide thereof, and the like, is formed on the substrate 1 . The substrate 4 may be a single layer or two or more layers.

기재(4)의 두께는, 특별히 제한되지 않고 적절하게 결정할 수 있지만, 일반적으로는 5 내지 200㎛ 정도이다.The thickness of the base material 4 is not particularly limited and can be appropriately determined, but is generally about 5 to 200 mu m.

또한, 기재(4)에는, 본 발명의 효과 등을 손상시키지 않는 범위에서, 각종 첨가제(예를 들어, 착색제, 충전제, 가소제, 노화 방지제, 산화 방지제, 계면 활성제, 난연제 등)가 포함되어 있어도 좋다.The base material 4 may contain various additives (for example, a colorant, a filler, a plasticizer, an antioxidant, an antioxidant, a surfactant, a flame retardant, etc.) within a range that does not impair the effects of the present invention .

(점착제층)(Pressure-sensitive adhesive layer)

점착제층(3)의 형성에 사용하는 점착제는, 접착 필름(3)을 박리 가능하게 제어할 수 있는 것이면 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어, 아크릴계 점착제, 고무계 점착제 등의 일반적인 감압성 접착제를 사용할 수 있다. 상기 감압성 접착제로서는, 반도체 웨이퍼나 유리 등의 오염을 싫어하는 전자 부품의 초순수나 알코올 등의 유기 용제에 의한 청정 세정성 등의 점에서, 아크릴계 폴리머를 베이스 폴리머로 하는 아크릴계 점착제가 바람직하다.The pressure-sensitive adhesive to be used for forming the pressure-sensitive adhesive layer (3) is not particularly limited as long as it can control the adhesive film (3) in a peelable manner. For example, a common pressure-sensitive adhesive such as an acrylic pressure-sensitive adhesive or a rubber pressure-sensitive adhesive may be used. As the above pressure-sensitive adhesive, an acrylic pressure-sensitive adhesive using an acrylic polymer as a base polymer is preferable from the viewpoints of ultrapure water of an electronic part that does not like to be contaminated by a semiconductor wafer or glass, cleanliness by an organic solvent such as alcohol, and the like.

상기 아크릴계 폴리머로서는, 아크릴산 에스테르를 주 모노머 성분으로서 사용한 것을 들 수 있다. 상기 아크릴산 에스테르로서는, 예를 들어 (메타)아크릴산 알킬에스테르(예를 들어, 메틸에스테르, 에틸에스테르, 프로필에스테르, 이소프로필에스테르, 부틸에스테르, 이소부틸에스테르, s-부틸에스테르, t-부틸에스테르, 펜틸에스테르, 이소펜틸에스테르, 헥실에스테르, 헵틸에스테르, 옥틸에스테르, 2-에틸헥실에스테르, 이소옥틸에스테르, 노닐에스테르, 데실에스테르, 이소데실에스테르, 운데실에스테르, 도데실에스테르, 트리데실에스테르, 테트라데실에스테르, 헥사데실에스테르, 옥타데실에스테르, 에이코실에스테르 등의 알킬기의 탄소수 1 내지 30, 특히 탄소수 4 내지 18의 직쇄상 또는 분지쇄상의 알킬에스테르 등) 및 (메타)아크릴산 시클로알킬에스테르(예를 들어, 시클로펜틸에스테르, 시클로헥실에스테르 등)의 1종류 또는 2종류 이상을 모노머 성분으로서 사용한 아크릴계 폴리머 등을 들 수 있다. 또한, (메타)아크릴산 에스테르란 아크릴산 에스테르 및/또는 메타크릴산 에스테르를 말하고, 본 발명의 (메타)는 모두 마찬가지의 의미이다.As the acrylic polymer, acrylic acid ester is used as a main monomer component. Examples of the acrylic acid esters include (meth) acrylic acid alkyl esters (e.g., methyl ester, ethyl ester, propyl ester, isopropyl ester, butyl ester, isobutyl ester, s-butyl ester, And examples thereof include esters, isopentyl esters, hexyl esters, heptyl esters, octyl esters, 2-ethylhexyl esters, isooctyl esters, nonyl esters, decyl esters, isodecyl esters, undecyl esters, dodecyl esters, tridecyl esters, , Linear or branched alkyl esters having 1 to 30 carbon atoms, particularly 4 to 18 carbon atoms, of alkyl groups such as hexadecyl ester, octadecyl ester and eicosyl ester) and (meth) acrylic acid cycloalkyl esters (for example, Cyclopentyl ester, cyclohexyl ester, and the like) There may be mentioned acrylic polymer and the like used as bots component. The (meth) acrylic acid ester refers to an acrylate ester and / or methacrylate ester, and the (meth) acrylates of the present invention have the same meaning.

상기 아크릴계 폴리머는, 응집력, 내열성 등의 개질을 목적으로 하여, 필요에 따라, 상기 (메타)아크릴산 알킬에스테르 또는 시클로알킬에스테르와 공중합 가능한 다른 모노머 성분에 대응하는 단위를 포함하고 있어도 된다. 이러한 모노머 성분으로서, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸(메타)아크릴레이트, 카르복시펜틸(메타)아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산 등의 카르복실기 함유 모노머 무수 말레산, 무수 이타콘산 등의 산 무수물 모노머(메타)아크릴산 2-히드록시에틸, (메타)아크릴산 2-히드록시프로필, (메타)아크릴산 4-히드록시부틸, (메타)아크릴산 6-히드록시헥실, (메타)아크릴산 8-히드록시옥틸, (메타)아크릴산 10-히드록시데실, (메타)아크릴산 12-히드록시라우릴, (4-히드록시메틸시클로헥실) 메틸(메타)아크릴레이트 등의 히드록실기 함유 모노머; 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메타)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메타)아크릴아미드프로판술폰산, 술포프로필(메타)아크릴레이트, (메타)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등의 술폰산기 함유 모노머; 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트 등의 인산기 함유 모노머; 아크릴아미드, 아크릴로니트릴 등을 들 수 있다. 이들 공중합 가능한 모노머 성분은, 1종류 또는 2종류 이상 사용할 수 있다. 이들 공중합 가능한 모노머의 사용량은, 전체 모노머 성분의 40중량％ 이하가 바람직하다.The acrylic polymer may contain units corresponding to other monomer components copolymerizable with the (meth) acrylic acid alkyl ester or the cycloalkyl ester, if necessary, for the purpose of modifying the cohesive force, heat resistance and the like. Examples of such monomer components include maleic anhydride monomers containing a carboxyl group such as acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl (meth) acrylate, carboxypentyl (meth) acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, crotonic acid, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, 6-hydroxyhexyl (meth) acrylate, (meth) acrylic acid, Containing monomer such as 8-hydroxyoctyl acrylate, 10-hydroxydecyl (meth) acrylate, 12-hydroxylauryl (meth) acrylate and (4-hydroxymethylcyclohexyl) methyl (meth) ; (Meth) acryloyloxynaphthalenesulfonic acid such as styrenesulfonic acid, allylsulfonic acid, 2- (meth) acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid, (meth) acrylamidepropanesulfonic acid, sulfopropyl Monomers; Monomers containing phosphoric acid groups such as 2-hydroxyethyl acryloyl phosphate; Acrylamide, acrylonitrile, and the like. These copolymerizable monomer components may be used alone or in combination of two or more. The amount of these copolymerizable monomers to be used is preferably 40% by weight or less based on the total monomer components.

또한, 상기 아크릴계 폴리머는, 가교시키기 위해서, 다관능성 모노머 등도, 필요에 따라 공중합용 모노머 성분으로서 포함할 수 있다. 이러한 다관능성 모노머로서, 예를 들어 헥산디올디(메타)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨디(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사(메타)아크릴레이트, 에폭시(메타)아크릴레이트, 폴리에스테르(메타)아크릴레이트, 우레탄(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들 다관능성 모노머도 1종류 또는 2종류 이상 사용할 수 있다. 다관능성 모노머의 사용량은, 점착 특성 등의 점에서, 전체 모노머 성분의 30중량％ 이하가 바람직하다.In order to crosslink the acryl-based polymer, a polyfunctional monomer or the like may be included as a monomer component for copolymerization, if necessary. Examples of such a polyfunctional monomer include hexanediol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di Acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate, pentaerythritol tri Polyester (meth) acrylate, and urethane (meth) acrylate. These polyfunctional monomers may be used alone or in combination of two or more. The amount of the polyfunctional monomer to be used is preferably 30% by weight or less based on the total amount of the monomer components in view of adhesion properties and the like.

상기 아크릴계 폴리머는, 단일 모노머 또는 2종류 이상의 모노머 혼합물을 중합시킴으로써 얻어진다. 중합은, 용액 중합, 유화 중합, 괴상 중합, 현탁 중합 등의 어떠한 방식으로 행할 수도 있다. 청정한 피착체에 대한 오염 방지 등의 점에서, 저분자량 물질의 함유량이 작은 쪽이 바람직하다. 이 점에서, 아크릴계 폴리머의 수 평균 분자량은, 바람직하게는 30만 이상, 더욱 바람직하게는 40만 내지 300만 정도이다.The acrylic polymer is obtained by polymerizing a single monomer or a mixture of two or more kinds of monomers. The polymerization may be carried out by any method such as solution polymerization, emulsion polymerization, bulk polymerization, suspension polymerization and the like. It is preferable that the content of the low molecular weight substance is small in view of prevention of contamination to a clean adherend. In this respect, the number average molecular weight of the acrylic polymer is preferably 300,000 or more, and more preferably about 400,000 to 3,000,000.

또한, 상기 점착제에는, 베이스 폴리머인 아크릴계 폴리머 등의 수 평균 분자량을 높이기 위해서, 외부 가교제를 적절하게 채용할 수도 있다. 외부 가교 방법의 구체적 수단으로서는, 폴리이소시아네이트 화합물, 에폭시 화합물, 아지리딘 화합물, 멜라민계 가교제 등의 소위 가교제를 첨가하고 반응시키는 방법을 들 수 있다. 외부 가교제를 사용하는 경우, 그 사용량은, 가교해야 할 베이스 폴리머와의 밸런스에 의해, 나아가서는, 점착제로서의 사용 용도에 의해 적절히 결정된다. 일반적으로는, 상기 베이스 폴리머 100중량부에 대하여 10중량부 정도 이하, 나아가서는 0.1 내지 10중량부 배합하는 것이 바람직하다. 또한, 점착제에는, 필요에 따라, 상기 성분 외에, 종래 공지된 각종 점착 부여제, 노화 방지제 등의 첨가제를 사용해도 된다.In order to increase the number-average molecular weight of the acryl-based polymer as the base polymer, an external crosslinking agent may be suitably employed in the pressure-sensitive adhesive. Specific examples of the external crosslinking method include a method in which a so-called crosslinking agent such as a polyisocyanate compound, an epoxy compound, an aziridine compound, and a melamine crosslinking agent is added and reacted. When an external crosslinking agent is used, the amount thereof to be used is appropriately determined depending on the balance with the base polymer to be crosslinked, and further, depending on the intended use as a pressure-sensitive adhesive. Generally, it is preferable that the amount is about 10 parts by weight or less, more preferably 0.1 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the base polymer. In addition to these components, additives known in the art such as various tackifiers and anti-aging agents may be used for the pressure-sensitive adhesive, if necessary.

점착제층(3)은 방사선 경화형 점착제에 의해 형성할 수 있다. 방사선 경화형 점착제는, 자외선 등의 방사선의 조사에 의해 가교도를 증대시켜서 그 점착력을 용이하게 저하시킬 수 있다. 예를 들어, 도 2에 도시하는 점착제층(3)의 부분(3a)에만 방사선 조사함으로써, 부분(3b)과의 점착력의 차를 마련할 수 있다.The pressure-sensitive adhesive layer (3) can be formed by a radiation-curable pressure-sensitive adhesive. The radiation-curable pressure-sensitive adhesive can increase the degree of crosslinking by irradiation with radiation such as ultraviolet rays, and can easily lower the adhesive force. For example, by irradiating only the portion 3a of the pressure-sensitive adhesive layer 3 shown in Fig. 2 with a radiation, a difference in adhesive force with the portion 3b can be provided.

또한, 접착 필름(22')에 맞추어, 방사선 경화형 점착제층(3)을 경화시킴으로써, 점착력이 현저하게 저하한 부분(3a)을 용이하게 형성할 수 있다. 경화하여, 점착력이 저하된 부분(3a)에 접착 필름(22')이 부착되어 있기 때문에, 부분(3a)과 접착 필름(22')의 계면은, 픽업 시에 용이하게 박리되는 성질을 갖는다. 한편, 방사선을 조사하지 않은 부분은 충분한 점착력을 갖고 있으며, 부분(3b)을 형성한다.In addition, by hardening the radiation-curing pressure-sensitive adhesive layer 3 in accordance with the adhesive film 22 ', the portion 3a in which the adhesive force has remarkably decreased can be easily formed. The interface between the portion 3a and the adhesive film 22 'is easily peeled off at the time of pick-up because the adhesive film 22' is adhered to the portion 3a where the adhesive strength is lowered. On the other hand, the portion not irradiated with radiation has a sufficient adhesive force and forms the portion 3b.

상술한 바와 같이, 도 1에 도시하는 다이싱·다이본딩 필름(10)의 점착제층(3)에 있어서, 미경화의 방사선 경화형 점착제에 의해 형성되어 있는 상기 부분(3b)은 접착 필름(22)과 점착하고, 다이싱할 때의 보유 지지력을 확보할 수 있다. 이렇게 방사선 경화형 점착제는, 반도체 칩을 기판 등의 피착체에 고정하기 위한 접착 필름(22)을 접착·박리의 밸런스 좋게 지지할 수 있다. 도 2에 도시하는 다이싱·다이본딩 필름(10')의 점착제층(3)에 있어서는, 상기 부분(3b)이 웨이퍼 링을 고정할 수 있다.As described above, in the pressure-sensitive adhesive layer 3 of the dicing and die-bonding film 10 shown in Fig. 1, the portion 3b formed by the uncured radiation-curable pressure- And it is possible to secure the holding force when dicing. The radiation-curable pressure-sensitive adhesive can support the adhesive film 22 for fixing the semiconductor chip to an adherend such as a substrate with a good balance of adhesion and peeling. In the pressure-sensitive adhesive layer 3 of the dicing and die-bonding film 10 'shown in Fig. 2, the portion 3b can fix the wafer ring.

방사선 경화형 점착제는, 탄소-탄소 이중 결합 등의 방사선 경화성의 관능기를 갖고, 또한 점착성을 나타내는 것을 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 방사선 경화형 점착제로서는, 예를 들어 상기 아크릴계 점착제, 고무계 점착제 등의 일반적인 감압성 점착제에, 방사선 경화성의 모노머 성분이나 올리고머 성분을 배합한 첨가형 방사선 경화성 점착제를 예시할 수 있다.The radiation-curable pressure-sensitive adhesive can be used without any particular limitation as long as it has a radiation-curable functional group such as a carbon-carbon double bond and exhibits adhesiveness. As the radiation-curable pressure-sensitive adhesive, for example, an addition type radiation-curing pressure-sensitive adhesive in which a radiation-curable monomer component or an oligomer component is blended with a common pressure-sensitive adhesive such as the acrylic pressure-sensitive adhesive and the rubber pressure-

배합하는 방사선 경화성의 모노머 성분으로서는, 예를 들어 우레탄 올리고머, 우레탄(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스톨 모노히드록시펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또한 방사선 경화성 올리고머 성분은 우레탄계, 폴리에테르계, 폴리에스테르계, 폴리카르보네이트계, 폴리부타디엔계 등 다양한 올리고머를 들 수 있고, 그 중량 평균 분자량이 100 내지 30000 정도의 범위의 것이 적당하다. 방사선 경화성의 모노머 성분이나 올리고머 성분의 배합량은, 상기 점착제층의 종류에 따라, 점착제층의 점착력을 저하시키는 양을, 적절하게 결정할 수 있다. 일반적으로는, 점착제를 구성하는 아크릴계 폴리머 등의 베이스 폴리머 100중량부에 대하여, 예를 들어 5 내지 500중량부, 바람직하게는 40 내지 150중량부 정도이다.(Meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, tetramethylolmethane tetra (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate and the like can be given as examples of the radiation- Acrylate, dipentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol monohydroxypenta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (metha) acrylate, 1,4-butanediol di . The radiation-curable oligomer component may be a urethane-based, polyether-based, polyester-based, polycarbonate-based or polybutadiene-based oligomer. The weight average molecular weight of the oligomer is suitably in the range of about 100 to 30000. The amount of the radiation-curable monomer component or oligomer component to be blended can be appropriately determined depending on the type of the pressure-sensitive adhesive layer, the amount by which the pressure-sensitive adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer is lowered. Generally, it is, for example, about 5 to 500 parts by weight, preferably about 40 to 150 parts by weight, based on 100 parts by weight of the base polymer such as acrylic polymer constituting the pressure-sensitive adhesive.

또한, 방사선 경화형 점착제로서는, 상기 설명한 첨가형 방사선 경화성 점착제 외에, 베이스 폴리머로서, 탄소-탄소 이중 결합을 폴리머 측쇄 또는 주쇄 중 또는 주쇄 말단에 갖는 것을 사용한 내재형 방사선 경화성 점착제를 들 수 있다. 내재형 방사선 경화성 점착제는, 저분자 성분인 올리고머 성분 등을 함유할 필요가 없고, 또는 많이 포함하지는 않기 때문에, 경시적으로 올리고머 성분 등이 점착제재 중을 이동하지 않고, 안정된 층 구조의 점착제층을 형성할 수 있기 때문에 바람직하다.As the radiation curing type pressure-sensitive adhesive, there may be mentioned an addition type radiation curable pressure-sensitive adhesive employing an addition type radiation curable pressure-sensitive adhesive having a carbon-carbon double bond at the polymer side chain, the main chain or the main chain end, as the base polymer. The intrinsic type radiation-curing pressure-sensitive adhesive does not need to contain or contain a low molecular weight oligomer component or the like, and therefore, the oligomer component or the like does not migrate over time and forms a pressure-sensitive adhesive layer having a stable layer structure It is preferable.

상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 베이스 폴리머는, 탄소-탄소 이중 결합을 갖고, 또한 점착성을 갖는 것을 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 이러한 베이스 폴리머로서는, 아크릴계 폴리머를 기본 골격으로 하는 것이 바람직하다. 아크릴계 폴리머의 기본 골격으로서는, 상기 예시한 아크릴계 폴리머를 들 수 있다.The above-mentioned base polymer having a carbon-carbon double bond may have a carbon-carbon double bond and a sticky property without particular limitation. As such a base polymer, an acrylic polymer is preferably used as a basic skeleton. Examples of the basic skeleton of the acrylic polymer include the acrylic polymer exemplified above.

상기 아크릴계 폴리머에의 탄소-탄소 이중 결합의 도입법은 특별히 제한되지 않고, 여러가지 방법을 채용할 수 있지만, 탄소-탄소 이중 결합은 폴리머 측쇄에 도입하는 것이 분자 설계가 용이하다. 예를 들어, 미리, 아크릴계 폴리머에 관능기를 갖는 모노머를 공중합한 후, 이 관능기와 반응할 수 있는 관능기 및 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물을, 탄소-탄소 이중 결합의 방사선 경화성을 유지한 상태로 축합 또는 부가 반응시키는 방법을 들 수 있다.The method for introducing a carbon-carbon double bond to the acryl-based polymer is not particularly limited, and various methods can be adopted. Molecular design is easy to introduce a carbon-carbon double bond into a polymer side chain. For example, after a monomer having a functional group is copolymerized with an acryl-based polymer in advance, a compound having a functional group capable of reacting with the functional group and a carbon-carbon double bond may be copolymerized in a state of maintaining the radiation curability of the carbon- Followed by condensation or addition reaction.

이들 관능기의 조합의 예로서는, 카르복실산기와 에폭시기, 카르복실산기와 아지리딜기, 히드록실기와 이소시아네이트기 등을 들 수 있다. 이들 관능기의 조합 중에서도 반응 추적의 용이함 때문에, 히드록실기와 이소시아네이트기의 조합이 적합하다. 또한, 이들 관능기의 조합에 의해, 상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 아크릴계 폴리머를 생성하는 조합이면, 관능기는 아크릴계 폴리머와 상기 화합물의 어느 쪽에 있어도 되지만, 상기한 바람직한 조합에서는, 아크릴계 폴리머가 히드록실기를 갖고, 상기 화합물이 이소시아네이트기를 갖는 경우가 적합하다. 이 경우, 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들어 메타크릴로일이소시아네이트, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트, m-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트 등을 들 수 있다. 또한, 아크릴계 폴리머로서는, 상기 예시한 히드록시기 함유 모노머나 2-히드록시에틸비닐에테르, 4-히드록시부틸비닐에테르, 디에틸렌글루콜모노비닐에테르의 에테르계 화합물 등을 공중합한 것이 사용된다.Examples of combinations of these functional groups include a carboxylic acid group and an epoxy group, a carboxylic acid group and an aziridyl group, and a hydroxyl group and an isocyanate group. Among these combinations of functional groups, a combination of a hydroxyl group and an isocyanate group is suitable because of the ease of reaction tracking. In the combination of these functional groups, the functional group may be either an acrylic polymer or the above compound, provided that the acrylic polymer having the carbon-carbon double bond is produced. In the above preferred combination, the acrylic polymer is preferably a hydroxyl group , And the compound has an isocyanate group. In this case, examples of the isocyanate compound having a carbon-carbon double bond include methacryloyl isocyanate, 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, m-isopropenyl- ?,? -Dimethylbenzyl isocyanate and the like have. As the acryl-based polymer, a copolymer obtained by copolymerizing the above-mentioned hydroxyl group-containing monomer, 2-hydroxyethyl vinyl ether, 4-hydroxybutyl vinyl ether and ether compound of diethylene glycol monovinyl ether is used.

상기 내재형 방사선 경화성 점착제는, 상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 베이스 폴리머(특히 아크릴계 폴리머)를 단독으로 사용할 수 있지만, 특성을 악화시키지 않을 정도로 상기 방사선 경화성의 모노머 성분이나 올리고머 성분을 배합할 수도 있다. 방사선 경화성의 올리고머 성분 등은, 통상 베이스 폴리머 100중량부에 대하여 30중량부의 범위 내이며, 바람직하게는 0 내지 10중량부의 범위이다.The above-mentioned internal radiation-curable pressure-sensitive adhesive may use the above-mentioned base polymer having a carbon-carbon double bond (in particular, an acrylic polymer) alone, but may be blended with the radiation-curable monomer component or oligomer component to such an extent that the properties are not deteriorated . The radiation-curable oligomer component and the like are usually within a range of 30 parts by weight, preferably from 0 to 10 parts by weight, based on 100 parts by weight of the base polymer.

상기 방사선 경화형 점착제에는, 자외선 등에 의해 경화시킨 경우에는 광중합 개시제를 함유시키는 것이 바람직하다. 광중합 개시제로서는, 예를 들어 4-(2-히드록시에톡시)페닐(2-히드록시-2-프로필)케톤, α-히드록시-α, α'-디메틸아세토페논, 2-메틸-2-히드록시프로피오페논, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 등의 α-케톨계 화합물; 메톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시아세토페논, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)-페닐]-2-모르폴리노프로판-1 등의 아세토페논계 화합물; 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 아니소인메틸에테르 등의 벤조인에테르계 화합물; 벤질디메틸케탈 등의 케탈계 화합물; 2-나프탈렌술포닐클로라이드 등의 방향족 술포닐클로라이드계 화합물; 1-페닐-1,2-프로판디온-2-(O-에톡시카르보닐)옥심 등의 광 활성 옥심계 화합물; 벤조페논, 벤조일벤조산, 3,3'-디메틸-4-메톡시벤조페논 등의 벤조페논계 화합물; 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2,4-디메틸티오크산톤, 이소프로필티오크산톤, 2,4-디클로로티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 2,4-디이소프로필티오크산톤 등의 티오크산톤계 화합물; 캄포퀴논; 할로겐화 케톤; 아실포스핀옥시드; 아실포스포네이트 등을 들 수 있다. 광중합 개시제의 배합량은, 점착제를 구성하는 아크릴계 폴리머 등의 베이스 폴리머 100중량부에 대하여 예를 들어 0.05 내지 20중량부 정도이다.When the radiation-curable pressure-sensitive adhesive is cured by ultraviolet rays or the like, it is preferable to include a photopolymerization initiator. Examples of the photopolymerization initiator include 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl (2-hydroxy-2-propyl) ketone,? -Hydroxy- ?,? '- dimethylacetophenone, ? -Ketol compounds such as hydroxypropiophenone, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone and the like; Methoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone, 2-methyl-1- [4- (methylthio) -1; Benzoin ether compounds such as benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, and anisoin methyl ether; Ketal compounds such as benzyl dimethyl ketal; Aromatic sulfonyl chloride-based compounds such as 2-naphthalenesulfonyl chloride; Optically active oxime compounds such as 1-phenyl-1,2-propanedione-2- (O-ethoxycarbonyl) oxime; Benzophenone compounds such as benzophenone, benzoylbenzoic acid and 3,3'-dimethyl-4-methoxybenzophenone; Thioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, isopropylthioxanthone, 2,4-dichlorothioxanthone, 2,4- Thioxanthone-based compounds such as thionone, 2,4-diisopropylthioxanthone and the like; Camphorquinone; Halogenated ketones; Acylphosphine oxide; Acylphosphonates, and the like. The blending amount of the photopolymerization initiator is, for example, about 0.05 to 20 parts by weight relative to 100 parts by weight of the base polymer such as acrylic polymer constituting the pressure-sensitive adhesive.

점착제층(3)을 방사선 경화형 점착제에 의해 형성하는 경우에는, 부분(3a)의 점착력<부분(3b)의 점착력으로 되도록 점착제층(3)의 일부를 방사선 조사하는 것이 바람직하다. 도 2의 다이싱·다이본딩 필름에서는, 예를 들어 피착체로서 SUS304판(#2000 연마)에 대한 관계에서, 부분(3a)의 점착력<부분(3b)의 점착력으로 되도록 한다.When the pressure-sensitive adhesive layer 3 is formed by a radiation-curable pressure-sensitive adhesive, it is preferable to irradiate a part of the pressure-sensitive adhesive layer 3 with the adhesive force of the portion 3a and the adhesive force of the portion 3b. In the dicing / die-bonding film of Fig. 2, for example, the adhesive force of the portion 3a < the portion 3b of the SUS304 plate (# 2000 polishing) is set as the adherend.

상기 점착제층(3)에 상기 부분(3a)을 형성하는 방법으로서는, 기재(4)에 방사선 경화형 점착제층(3)을 형성한 후, 상기 부분(3a)에 부분적으로 방사선을 조사하여 경화시키는 방법을 들 수 있다. 부분적인 방사선 조사는, 반도체 웨이퍼 부착 부분(22a)에 대응하는 점착제층(3)의 부분(3a) 이외의 부분(3b) 등에 대응하는 패턴을 형성한 포토마스크를 개재하여 행할 수 있다. 또한, 스폿적으로 자외선을 조사하여 경화시키는 방법 등을 들 수 있다. 방사선 경화형의 점착제층(3)의 형성은, 세퍼레이터 상에 형성한 것을 기재(4) 상에 전사함으로써 행할 수 있다. 부분적인 방사선 경화는 세퍼레이터 상에 형성한 방사선 경화형의 점착제층(3)에 행할 수도 있다.As a method of forming the portion 3a on the pressure-sensitive adhesive layer 3, a method of forming a radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer 3 on the base material 4 and then curing the portion 3a by irradiating the portion 3a partially with radiation . The partial irradiation of radiation may be performed through a photomask having a pattern corresponding to the portion 3b or the like other than the portion 3a of the pressure-sensitive adhesive layer 3 corresponding to the semiconductor wafer attaching portion 22a. In addition, a method of irradiating ultraviolet rays in a spot manner to cure them may be used. The radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer 3 can be formed by transferring the pressure-sensitive adhesive layer 3 formed on the separator onto the base material 4. The partial radiation curing may be performed on the radiation curable pressure sensitive adhesive layer 3 formed on the separator.

또한, 점착제층(3)을 방사선 경화형 점착제에 의해 형성하는 경우에는, 기재(4)의 적어도 한쪽 면의, 반도체 웨이퍼 부착 부분(22a)에 대응하는 부분(3a) 이외의 부분의 전부 또는 일부가 차광된 것을 사용하고, 이것에 방사선 경화형의 점착제층(3)을 형성한 후에 방사선 조사하여, 반도체 웨이퍼 부착 부분(22a)에 대응하는 부분(3a)을 경화시키고, 점착력을 저하시킨 상기 부분(3a)을 형성할 수 있다. 차광 재료로서는, 지지 필름 상에서 포토마스크로 될 수 있는 것을 인쇄나 증착 등으로 작성할 수 있다. 이러한 제조 방법에 의하면, 효율적으로 본 발명의 다이싱·다이본딩 필름(10)을 제조가능하다.When the pressure-sensitive adhesive layer 3 is formed by a radiation-curing pressure-sensitive adhesive, all or a part of at least one surface of the substrate 4 other than the portion 3a corresponding to the semiconductor wafer attaching portion 22a A radiation curable pressure sensitive adhesive layer 3 is formed thereon and then irradiated with radiation to cure the portion 3a corresponding to the semiconductor wafer attaching portion 22a and to fix the portion 3a ) Can be formed. As the light-shielding material, what can be a photomask on a support film can be formed by printing, vapor deposition or the like. According to this manufacturing method, it is possible to efficiently manufacture the dicing / die-bonding film 10 of the present invention.

또한, 방사선 조사 시에, 산소에 의한 경화 저해가 일어나는 경우에는, 방사선 경화형 점착제층(3)의 표면으로부터 어떤 방법으로 산소(공기)를 차단하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 상기 점착제층(3)의 표면을 세퍼레이터로 피복하는 방법이나, 질소 가스 분위기 중에서 자외선 등의 방사선의 조사를 행하는 방법 등을 들 수 있다.When curing inhibition by oxygen occurs at the time of irradiation with radiation, it is preferable to block oxygen (air) from the surface of the radiation-curing pressure-sensitive adhesive layer 3 by any method. For example, a method of covering the surface of the pressure-sensitive adhesive layer 3 with a separator or a method of irradiating radiation such as ultraviolet rays in a nitrogen gas atmosphere can be given.

점착제층(3)의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 칩 절단면의 절결 방지나 접착층의 고정 보유의 양립성 등의 관점에서 1 내지 50㎛ 정도인 것이 바람직하다. 바람직하게는 2 내지 30㎛, 나아가서는 바람직하게는 5 내지 25㎛이다.The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer (3) is not particularly limited, but is preferably about 1 to 50 占 퐉 from the viewpoints of prevention of cut-off on the chip cut surface and compatibility with fixing and holding of the adhesive layer. Preferably 2 to 30 占 퐉, further preferably 5 to 25 占 퐉.

또한, 점착제층(3)에는, 본 발명의 효과 등을 손상시키지 않는 범위에서, 각종 첨가제(예를 들어, 착색제, 증결제, 증량제, 충전제, 점착 부여제, 가소제, 노화 방지제, 산화 방지제, 계면 활성제, 가교제 등)가 포함되어 있어도 된다.The pressure-sensitive adhesive layer 3 may contain various additives (for example, colorants, thickeners, extenders, fillers, tackifiers, plasticizers, antioxidants, antioxidants, Active agents, crosslinking agents, etc.).

(접착 필름의 제조 방법)(Method for producing adhesive film)

본 실시 형태에 따른 접착 필름은, 예를 들어 다음과 같이 해서 제작된다. 우선, 접착 필름 형성용 접착제 조성물을 제조한다. 제조 방법으로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 접착 필름의 항에서 설명한 열경화성 수지, 열가소성 수지, 다른 첨가제 등을 용기에 투입하고, 유기 용매에 용해시키고, 균일해지도록 교반함으로써 접착제 조성물 용액으로서 얻을 수 있다.The adhesive film according to this embodiment is manufactured, for example, as follows. First, an adhesive composition for forming an adhesive film is prepared. The production method is not particularly limited, and for example, a thermosetting resin, a thermoplastic resin and other additives described in the section of the adhesive film are put into a container, dissolved in an organic solvent, and stirred to be homogeneous to obtain an adhesive composition solution have.

상기 유기 용매로서는, 접착 필름을 구성하는 성분을 균일하게 용해, 혼련 또는 분산할 수 있는 것이면 제한은 없고, 종래 공지된 것을 사용할 수 있다. 이러한 용매로서는, 예를 들어 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈, 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논 등의 케톤계 용매, 톨루엔, 크실렌 등을 들 수 있다. 건조 속도가 빠르고, 저렴하게 입수할 수 있다는 점에서 메틸에틸케톤, 시클로헥사논 등을 사용하는 것이 바람직하다.The organic solvent is not particularly limited as long as it can uniformly dissolve, knead or disperse the components constituting the adhesive film, and conventionally known solvents can be used. Examples of such a solvent include ketone solvents such as dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, acetone, methyl ethyl ketone and cyclohexanone, toluene and xylene. It is preferable to use methyl ethyl ketone, cyclohexanone or the like in view of the fact that the drying speed is fast and that it can be obtained at low cost.

상기와 같이 하여 제조한 접착제 조성물 용액을 세퍼레이터 상에 소정 두께가 되도록 도포하여 도포막을 형성한 후, 그 도포막을 소정 조건 하에서 건조시킨다. 세퍼레이터로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌, 폴리프로필렌이나, 불소계 박리제, 장쇄 알킬아크릴레이트계 박리제 등의 박리제에 의해 표면 코팅된 플라스틱 필름이나 종이 등이 사용 가능하다. 또한, 도포 방법으로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 롤 도포 시공, 스크린 도포 시공, 그라비아 도포 시공 등을 들 수 있다. 또한, 건조 조건으로서는, 예를 들어 건조 온도 70 내지 160℃, 건조 시간 1 내지 5분간의 범위 내에서 행해진다. 이에 의해, 본 실시 형태에 따른 접착 필름이 얻어진다.The adhesive composition solution thus prepared is coated on the separator to a predetermined thickness to form a coating film, and then the coating film is dried under predetermined conditions. As the separator, a plastic film or paper surface-coated with a releasing agent such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene, polypropylene, a fluorine-based releasing agent, or a long-chain alkyl acrylate-based releasing agent can be used. The coating method is not particularly limited, and examples thereof include roll coating, screen coating, gravure coating, and the like. The drying conditions are, for example, within a range of a drying temperature of 70 to 160 DEG C and a drying time of 1 to 5 minutes. Thus, the adhesive film according to the present embodiment is obtained.

(다이싱·다이본딩 필름의 제조 방법)(Manufacturing method of dicing / die bonding film)

다이싱·다이본딩 필름(10, 10')은, 예를 들어 다이싱 필름 및 접착 필름을 따로따로 제작해 두고, 마지막으로 이들을 접합함으로써 작성할 수 있다. 구체적으로는, 이하와 같은 수순에 따라서 제작할 수 있다.The dicing and die-bonding films 10 and 10 'can be produced, for example, by separately preparing a dicing film and an adhesive film, and finally joining them. Concretely, it can be produced in accordance with the following procedure.

우선, 기재(4)는, 종래 공지된 제막 방법에 의해 제막할 수 있다. 당해 제막 방법으로서는, 예를 들어 캘린더 제막법, 유기 용매 중에서의 캐스팅법, 밀폐계에서의 인플레이션 압출법, T다이 압출법, 공압출법, 드라이 라미네이트법 등을 예시할 수 있다.First, the base material 4 can be formed by a conventionally known film-forming method. Examples of the film forming method include a calendar film forming method, a casting method in an organic solvent, an inflation extrusion method in a closed system, a T die extrusion method, a co-extrusion method, a dry lamination method, and the like.

이어서, 점착제층 형성용 점착제 조성물을 제조한다. 점착제 조성물에는, 점착제층의 항에서 설명한 바와 같은 수지나 첨가물 등이 배합되어 있다. 제조한 점착제 조성물을 기재(4) 상에 도포하여 도포막을 형성한 후, 그 도포막을 소정 조건 하에서 건조시켜(필요에 따라 가열 가교시켜), 점착제층(3)을 형성한다. 도포 방법으로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 롤 도포 시공, 스크린 도포 시공, 그라비아 도포 시공 등을 들 수 있다. 또한, 건조 조건으로서는, 예를 들어 건조 온도 80 내지 150℃, 건조 시간 0.5 내지 5분간의 범위 내에서 행해진다. 또한, 세퍼레이터 상에 점착제 조성물을 도포하여 도포막을 형성한 후, 상기 건조 조건에서 도포막을 건조시켜서 점착제층(3)을 형성해도 된다. 그 후, 기재(4) 상에 점착제층(3)을 세퍼레이터와 함께 접합한다. 이에 의해, 기재(4) 및 점착제층(3)을 구비하는 다이싱 필름이 제작된다.Then, a pressure-sensitive adhesive composition for forming a pressure-sensitive adhesive layer is prepared. As the pressure-sensitive adhesive composition, resins and additives as described in the section of the pressure-sensitive adhesive layer are mixed. The pressure sensitive adhesive composition thus prepared is coated on the base material 4 to form a coating film, and then the coating film is dried under predetermined conditions (heat crosslinking if necessary) to form the pressure sensitive adhesive layer 3. The coating method is not particularly limited, and examples thereof include roll coating, screen coating, gravure coating, and the like. The drying conditions are, for example, within a range of a drying temperature of 80 to 150 ° C and a drying time of 0.5 to 5 minutes. Alternatively, the pressure-sensitive adhesive composition may be coated on the separator to form a coating film, and then the coating film may be dried under the above drying conditions to form the pressure-sensitive adhesive layer (3). Thereafter, the pressure-sensitive adhesive layer 3 is bonded to the substrate 4 together with the separator. Thus, a dicing film comprising the base material 4 and the pressure-sensitive adhesive layer 3 is produced.

계속해서, 다이싱 필름으로부터 세퍼레이터를 박리하고, 접착 필름과 점착제층이 접합면으로 되도록 하여 양자를 접합한다. 접합은, 예를 들어 압착에 의해 행할 수 있다. 이때, 라미네이트 온도는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 30 내지 50℃가 바람직하고, 35 내지 45℃가 보다 바람직하다. 또한, 선압은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 0.1 내지 20kgf/㎝가 바람직하고, 1 내지 10kgf/㎝가 보다 바람직하다. 이어서, 접착 필름 상의 세퍼레이터를 박리하고, 본 실시 형태에 따른 다이싱·다이본딩 필름이 얻어진다.Subsequently, the separator is peeled off from the dicing film, and the adhesive film and the pressure-sensitive adhesive layer are bonded to each other so as to bond them together. The bonding can be performed by, for example, compression bonding. At this time, the lamination temperature is not particularly limited, and is preferably 30 to 50 占 폚, for example, and more preferably 35 to 45 占 폚. The line pressure is not particularly limited, and is preferably 0.1 to 20 kgf / cm, more preferably 1 to 10 kgf / cm, for example. Then, the separator on the adhesive film is peeled off to obtain a dicing / die-bonding film according to the present embodiment.

<반도체 장치의 제조 방법><Method of Manufacturing Semiconductor Device>

본 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법에서는, 제1 고정 공정 및 제1 와이어 본딩 공정을 거쳐, 적어도 하나의 제1 반도체 소자가 실장(고정)된 피착체를 미리 준비해 두고(피착체 준비 공정), 이 제1 반도체 소자를, 다이싱 및 픽업을 거친 접착 필름에 의해, 상기 제1 반도체 소자를 포매하면서 상기 제1 반도체 소자와는 상이한 제2 반도체 소자를 그 피착체에 고정한다. 도 3a 내지 도 3h는, 각각 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법의 일 공정을 모식적으로 도시하는 단면도이다.In the method of manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment, an adherend on which at least one first semiconductor element is mounted (fixed) through a first fixing step and a first wire bonding step is prepared in advance (adherend preparation step) , The first semiconductor element is fixed to the adherend by an adhesive film having passed through dicing and pick-up, while the first semiconductor element is embedded and the second semiconductor element different from the first semiconductor element is embedded. 3A to 3H are cross-sectional views schematically showing one process of a manufacturing method of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

(제1 고정 공정)(First fixing step)

도 3a에 도시하는 바와 같이, 제1 고정 공정에서는, 적어도 하나의 제1 반도체 소자(11)를 피착체(1) 상에 고정한다. 제1 반도체 소자(11)는 제1 접착 필름(21)을 개재하여 피착체(1)에 고정되어 있다. 도 3a 중에서는 제1 반도체 소자(11)는, 1개만 나타나 있지만, 목적으로 하는 반도체 장치의 사양에 따라서 2개, 3개, 4개 또는 5개 이상의 복수의 제1 반도체 소자(11)를 피착체(1)에 고정해도 된다.As shown in Fig. 3A, at least one first semiconductor element 11 is fixed on the adhered object 1 in the first fixing step. The first semiconductor element 11 is fixed to the adhered body 1 via the first adhesive film 21. 3A, only one first semiconductor element 11 is shown, but a plurality of first, second, third, fourth, or five or more first semiconductor elements 11 may be provided in accordance with the specifications of the target semiconductor device. It may be fixed to the complex 1.

(제1 반도체 소자)(First semiconductor element)

제1 반도체 소자(11)로서는, 제2단째에 적층되는 반도체 소자(제2 반도체 소자(12); 도 3f 참조)보다 평면에서 보아 치수가 작은 소자이면 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 반도체 소자의 1종류인 컨트롤러나 메모리 칩이나 로직 칩을 적절하게 사용할 수 있다. 컨트롤러는 적층되어 있는 각 반도체 소자의 작동을 제어하는 점에서, 일반적으로 다수의 와이어가 접속된다. 반도체 패키지의 통신 속도는 와이어 길이의 영향을 받는 바, 본 실시 형태에서는 제1 반도체 소자(11)가 피착체(1)에 고정되어 최하단에 위치하므로, 와이어 길이를 단축할 수 있고, 이에 의해 반도체 소자의 적층수를 증가시켜도 반도체 패키지(반도체 장치)의 통신 속도의 저하를 억제할 수 있다.The first semiconductor element 11 is not particularly limited as long as it is smaller in size as viewed from the plane than the semiconductor element (second semiconductor element 12; see FIG. 3F) stacked on the second level. For example, One kind of controller, memory chip or logic chip can be used appropriately. In general, a plurality of wires are connected in that the controller controls the operation of each stacked semiconductor element. The communication speed of the semiconductor package is affected by the wire length. In this embodiment, since the first semiconductor element 11 is fixed to the adhered object 1 and located at the lowermost end, the wire length can be shortened, The decrease in the communication speed of the semiconductor package (semiconductor device) can be suppressed even if the number of stacked elements is increased.

제1 반도체 소자(11)의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 통상 100㎛ 이하인 경우가 많다. 또한, 최근의 반도체 패키지의 박형화에 수반하여 75㎛ 이하, 나아가서는 50㎛ 이하의 제1 반도체 소자(11)도 사용되고 있다.Although the thickness of the first semiconductor element 11 is not particularly limited, it is often 100 탆 or less. In addition, with the recent thinning of the semiconductor package, the first semiconductor element 11 having a thickness of 75 mu m or less, more specifically 50 mu m or less is used.

(피착체)(Adherend)

피착체(1)로서는, 기판이나 리드 프레임, 다른 반도체 소자 등을 들 수 있다. 기판으로서는, 프린트 배선 기판 등의 종래 공지된 기판을 사용할 수 있다. 또한, 상기 리드 프레임으로서는, Cu 리드 프레임, 42Alloy 리드 프레임 등의 금속 리드 프레임이나 유리에폭시, BT(비스말레이미드-트리아진), 폴리이미드 등을 포함하는 유기 기판을 사용할 수 있다. 그러나, 본 실시 형태는 이것에 한정되는 것은 아니며, 반도체 소자를 마운트하고, 반도체 소자와 전기적으로 접속하여 사용 가능한 회로 기판도 포함된다.Examples of the adherend 1 include a substrate, a lead frame, and other semiconductor elements. As the substrate, a conventionally known substrate such as a printed wiring board can be used. As the lead frame, an organic substrate including a metal lead frame such as a Cu lead frame and a 42 Alloy lead frame, a glass epoxy, BT (bismaleimide-triazine), polyimide, or the like can be used. However, the present embodiment is not limited to this, and includes a circuit board on which a semiconductor element is mounted and which can be used by being electrically connected to a semiconductor element.

(제1 접착 필름)(First adhesive film)

제1 접착 필름(21)으로서는, 상기 포매용 접착 필름을 사용해도 되고, 종래 공지된 반도체 소자 고정용 접착 필름을 사용해도 된다. 단, 포매용 접착 필름을 사용하는 경우, 제1 접착 필름(21)은 반도체 소자를 포매할 필요가 없으므로, 두께를 5㎛ 내지 60㎛ 정도로 얇게 하여 사용하면 된다.As the first adhesive film 21, the above-mentioned forming adhesive film may be used, or a conventionally known adhesive film for fixing a semiconductor element may be used. However, in the case of using a puckering adhesive film, since the first adhesive film 21 does not need to embed a semiconductor element, the thickness may be reduced to about 5 to 60 mu m.

(고정 방법)(Fixing method)

도 3a에 도시하는 바와 같이, 제1 반도체 소자(11)를 제1 접착 필름(21)을 개재하여 피착체(1)에 다이 본드한다. 제1 반도체 소자(11)를 피착체(1) 상에 고정하는 방법으로서는, 예를 들어 피착체(1) 상에 제1 접착 필름(21)을 적층한 후, 이 제1 접착 필름(21) 상에 와이어 본딩면이 상측이 되도록 하여 제1 반도체 소자(11)를 적층하는 방법을 들 수 있다. 또한, 미리 제1 접착 필름(21)이 부착된 제1 반도체 소자(11)를 피착체(1) 상에 배치하여 적층해도 된다.The first semiconductor element 11 is die-bonded to the adherend 1 via the first adhesive film 21 as shown in Fig. 3A. As a method of fixing the first semiconductor element 11 on the adhered object 1, for example, after a first adhesive film 21 is laminated on the adhered object 1, And the first semiconductor element 11 is laminated such that the wire bonding surface is on the upper side. Alternatively, the first semiconductor element 11 to which the first adhesive film 21 is attached may be arranged on the adherend 1 and laminated.

제1 접착 필름(21)은 반경화 상태이므로, 제1 접착 필름(21)의 피착체(1) 상에의 적재후, 소정 조건 하에서의 열처리를 행함으로써, 제1 접착 필름(21)을 열경화시켜서 제1 반도체 소자(11)를 피착체(1) 상에 고정시킨다. 열처리를 행할 때의 온도는, 100 내지 200℃에서 행하는 것이 바람직하고, 120℃ 내지 180℃의 범위 내에서 행하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 열처리 시간은 0.25 내지 10시간 행하는 것이 바람직하고, 0.5 내지 8시간으로 행하는 것이 보다 바람직하다.Since the first adhesive film 21 is semi-cured, the first adhesive film 21 is thermally cured by performing heat treatment under predetermined conditions after the first adhesive film 21 is mounted on the adhered object 1, So that the first semiconductor element 11 is fixed on the adhered object 1. The temperature for the heat treatment is preferably 100 to 200 占 폚, more preferably 120 to 180 占 폚. The heat treatment time is preferably 0.25 to 10 hours, more preferably 0.5 to 8 hours.

(제1 와이어 본딩 공정)(First wire bonding process)

제1 와이어 본딩 공정은, 피착체(1)의 단자부(예를 들어 이너 리드)의 선단과 제1 반도체 소자(11) 상의 전극 패드(도시하지 않음)를 본딩 와이어(31)로 전기적으로 접속하는 공정이다(도 3b 참조). 본딩 와이어(31)로서는, 예를 들어 금선·알루미늄 선 또는 동선 등이 사용된다. 와이어 본딩을 행할 때의 온도는, 80 내지 250℃, 바람직하게는 80 내지 220℃의 범위 내에서 행해진다. 또한, 그 가열 시간은 몇초 내지 수분간 행해진다. 결선은, 상기 온도 범위 내로 되도록 가열된 상태에서, 초음파에 의한 진동 에너지와 인가 가압에 의한 압착 에너지의 병용에 의해 행해진다.The first wire bonding step is a step of electrically connecting the tip of a terminal portion (e.g., an inner lead) of the adhered object 1 and an electrode pad (not shown) on the first semiconductor element 11 with a bonding wire 31 (See FIG. 3B). As the bonding wire 31, for example, a gold wire, an aluminum wire, a copper wire, or the like is used. The temperature at which wire bonding is performed is performed within a range of 80 to 250 占 폚, preferably 80 to 220 占 폚. Further, the heating time is performed for several seconds to several minutes. The connection is carried out by the combination of the vibration energy by the ultrasonic wave and the pressing energy by the applied pressure while being heated so as to be within the above temperature range.

(웨이퍼 접합 공정)(Wafer bonding step)

별도, 도 3c에 도시하는 바와 같이, 다이싱·다이본딩 필름(10)에 있어서의 포매용 접착 필름(22) 상에 반도체 웨이퍼(2)를 압착하고, 이것을 접착 보유시켜서 고정한다(접합 공정). 본 공정은, 압착 롤 등의 억압 수단에 의해 가압하면서 행한다.Separately, as shown in Fig. 3C, the semiconductor wafer 2 is pressed onto the bonding adhesive film 22 of the dicing and die bonding film 10, and the bonding is carried out and fixed (bonding step) . This step is carried out while being pressed by a pressing means such as a pressing roll.

(다이싱 공정)(Dicing step)

이어서, 도 3d에 도시하는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(2)의 다이싱을 행한다. 이에 의해, 반도체 웨이퍼(2)를 소정의 크기로 절단하여 개편화하고, 반도체 칩(12)을 제조한다(다이싱 공정). 다이싱은, 예를 들어 반도체 웨이퍼(2)의 회로면 측에서 통상법에 따라 행해진다. 또한, 본 공정에서는, 예를 들어 다이싱 필름(5)까지 절입을 행하는 풀컷이라고 불리는 절단 방식 등을 채용할 수 있다. 본 공정에서 사용하는 다이싱 장치로서는 특별히 한정되지 않고 종래 공지된 것을 사용할 수 있다. 또한, 반도체 웨이퍼는, 다이싱·다이본딩 필름(10)에 의해 접착 고정되어 있으므로, 칩 절결이나 칩 비산을 억제할 수 있음과 함께, 반도체 웨이퍼(2)의 파손도 억제할 수 있다. 또한, 포매용 접착 필름(22)을 사용하고 있으므로, 다이싱 후의 재접착을 방지할 수 있고, 다음 픽업 공정을 양호하게 행할 수 있다.Then, as shown in Fig. 3D, the semiconductor wafer 2 is diced. As a result, the semiconductor wafer 2 is cut into a predetermined size and individualized to manufacture the semiconductor chip 12 (dicing step). The dicing is performed, for example, in accordance with a conventional method on the circuit surface side of the semiconductor wafer 2. [ In this step, for example, a cutting method called a full cut in which the dicing film 5 is cut can be adopted. The dicing apparatus used in this step is not particularly limited and conventionally known dicing apparatuses can be used. Further, since the semiconductor wafer is adhered and fixed by the dicing / die-bonding film 10, chip breakage and chip scattering can be suppressed, and breakage of the semiconductor wafer 2 can be suppressed. Further, since the puckering adhesive film 22 is used, re-adhesion after dicing can be prevented, and the next pickup process can be performed satisfactorily.

(픽업 공정)(Pickup process)

도 3e에 도시하는 바와 같이, 다이싱·다이본딩 필름(10)에 접착 고정된 반도체 칩(12)을 박리하기 위해서, 포매용 접착 필름(22)과 함께 반도체 칩(12)의 픽업을 행한다(픽업 공정). 픽업의 방법으로서는 특별히 한정되지 않고, 종래 공지된 다양한 방법을 채용할 수 있다. 예를 들어, 개개의 반도체 칩(12)을 기재(4) 측으로부터 니들에 의해 밀어올리고, 밀어올려진 반도체 칩(12)을 픽업 장치에 의해 픽업하는 방법 등을 들 수 있다.The semiconductor chip 12 is picked up together with the bonding adhesive film 22 for peeling the semiconductor chip 12 adhered and fixed to the dicing and die bonding film 10 Pickup process). The pick-up method is not particularly limited, and various conventionally known methods can be employed. For example, a method of picking up the semiconductor chip 12 by pushing up the individual semiconductor chips 12 by the needles from the base material 4 side and picking up the semiconductor chips 12 by the pick-up device can be given.

여기서 픽업은, 점착제층(3)이 자외선 경화형인 경우, 상기 점착제층(3)에 자외선을 조사한 후에 행한다. 이에 의해, 점착제층(3)의 접착 필름(22)에 대한 점착력이 저하하여, 반도체 칩(12)의 박리가 용이해진다. 그 결과, 반도체 칩을 손상시키지 않고 픽업이 가능하게 된다. 자외선 조사 시의 조사 강도, 조사 시간 등의 조건은 특별히 한정되지 않고, 적절히 필요에 따라 설정하면 된다. 또한, 자외선 조사에 사용하는 광원으로서는, 고압 수은등, 마이크로파 여기형 램프, 케미컬 램프 등을 사용할 수 있다.Here, the pickup is performed after the pressure sensitive adhesive layer 3 is irradiated with ultraviolet rays when the pressure sensitive adhesive layer 3 is of the ultraviolet curing type. As a result, the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer 3 to the adhesive film 22 is lowered, and the semiconductor chip 12 is easily peeled off. As a result, the pickup can be performed without damaging the semiconductor chip. The conditions such as the irradiation intensity at the time of ultraviolet irradiation, the irradiation time, and the like are not particularly limited and may be appropriately set according to necessity. As a light source used for ultraviolet irradiation, a high-pressure mercury lamp, a microwave-excited lamp, a chemical lamp, or the like can be used.

(제2 고정 공정)(Second fixing step)

제2 고정 공정에서는, 제2 반도체 소자(12)와 함께 픽업한 포매용 접착 필름(22)에 의해, 별도 피착체(1) 상에 고정해 둔 제1 반도체 소자(11)를 포매하면서 상기 제1 반도체 소자(11)와는 상이한 제2 반도체 소자(12)를 상기 피착체(1)에 고정한다(도 3f 참조). 포매용 접착 필름(22)은, 상기 제1 반도체 소자(11)의 두께 T1보다 두꺼운 두께 T를 갖고 있다. 본 실시 형태에서는, 상기 피착체(1)와 상기 제1 반도체 소자(11)의 전기적 접속이 와이어 본딩 접속에 의해 달성된다는 점에서, 상기 두께 T와 상기 두께 T1의 차를 40㎛ 이상 260㎛ 이하로 하는 것이 바람직하다. 상기 두께 T와 상기 두께 T1의 차의 하한은 40㎛ 이상이 바람직하지만, 50㎛ 이상이 보다 바람직하고, 60㎛ 이상이 더욱 바람직하다. 또한, 상기 두께 T와 상기 두께 Tz의 차의 상한은 260㎛ 이하가 바람직하지만, 200㎛ 이하가 보다 바람직하고, 150㎛ 이하가 더욱 바람직하다. 이에 의해, 반도체 장치 전체의 박형화를 도모하면서도, 제1 반도체 소자(11)와 제2 반도체 소자(12)의 접촉을 방지하면서 제1 반도체 소자(11) 전체를 포매용 접착 필름(22)의 내부에 포매할 수 있고, 컨트롤러로서의 제1 반도체 소자(11)의 피착체(1) 상에의 고정(즉 와이어 길이가 최단으로 되는 최하단에서의 고정)을 가능하게 한다.In the second fixing step, the first semiconductor element 11 fixed on the adherend 1 is embedded by the forming adhesive film 22 picked up together with the second semiconductor element 12, A second semiconductor element 12 different from the one semiconductor element 11 is fixed to the adhered object 1 (see FIG. 3F). The porous adhesive film 22 has a thickness T that is thicker than the thickness T 1 of the first semiconductor element 11. In the present embodiment, the electrical connection between the adherend 1 and the first semiconductor element 11 is achieved by wire-bonding connection, so that the difference between the thickness T and the thickness T 1 is preferably not less than 40 μm and not more than 260 μm Or less. The lower limit of the difference between the thickness T and the thickness T 1 is preferably 40 占 퐉 or more, more preferably 50 占 퐉 or more, and still more preferably 60 占 퐉 or more. The upper limit of the difference between the thickness T and the thickness Tz is preferably 260 占 퐉 or less, more preferably 200 占 퐉 or less, and further preferably 150 占 퐉 or less. This makes it possible to prevent the contact between the first semiconductor element 11 and the second semiconductor element 12 while preventing the entire semiconductor device from being thinned, So that the first semiconductor element 11 as a controller can be fixed on the adhered object 1 (that is, fixed at the lowermost end where the wire length is the shortest).

포매용 접착 필름(22)의 두께 T는 제1 반도체 소자(11)를 포매 가능하도록 제1 반도체 소자(11)의 두께 T1 및 와이어 돌출량을 고려하여 적절히 설정하면 되지만, 그 하한은 80㎛ 이상이 바람직하고, 100Ptm 이상이 보다 바람직하고, 120㎛ 이상이 더욱 바람직하다. 한편, 두께 T의 상한은 300Ptm 이하가 바람직하고, 200㎛ 이하가 보다 바람직하고, 150㎛ 이하가 더욱 바람직하다. 이렇게 접착 필름을 비교적 두껍게 함으로써, 일반적인 컨트롤러의 두께를 거의 커버할 수 있고, 제1 반도체 소자(11)의 포매용 접착 필름(22)에의 포매를 용이하게 행할 수 있다.The thickness T of the embedding adhesive film 22 may be suitably set in consideration of the thickness T 1 of the first semiconductor element 11 and the amount of wire projection so that the first semiconductor element 11 can be embedded therein, More preferably at least 100 Ptm, and even more preferably at least 120 탆. On the other hand, the upper limit of the thickness T is preferably 300 Pm or less, more preferably 200 Pm or less, and further preferably 150 Pm or less. By making the adhesive film relatively thick, it is possible to substantially cover the thickness of a general controller, and the first semiconductor element 11 can be easily embedded in the adhesive film for covering 22.

(제2 반도체 소자)(Second semiconductor element)

제2 반도체 소자(12)로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 컨트롤러로서의 제1 반도체 소자(11)의 작동 제어를 받는 메모리 칩을 사용할 수 있다.The second semiconductor element 12 is not particularly limited, and for example, a memory chip which is under the operation control of the first semiconductor element 11 as a controller can be used.

(고정 방법)(Fixing method)

제2 반도체 소자(12)를 피착체(1) 상에 고정하는 방법으로서는, 제1 고정 공정과 마찬가지로, 예를 들어 피착체(1) 상에 포매용 접착 필름(22)을 적층한 후, 이 포매용 접착 필름(22) 상에, 와이어 본딩면이 상측이 되도록 하여 제2 반도체 소자(12)를 적층하는 방법을 들 수 있다. 또한, 미리 포매용 접착 필름(22)이 부착된 제2 반도체 소자(12)를 피착체(1)에 배치하여 적층해도 된다.As a method for fixing the second semiconductor element 12 on the adhered object 1, for example, after the adhesive film 22 for forming a pucker is laminated on the adherend 1 in the same manner as the first fixing step, A method of laminating the second semiconductor element 12 such that the wire bonding surface is on the upper side on the embedding adhesive film 22 can be mentioned. Alternatively, the second semiconductor element 12 to which the pre-bonding adhesive film 22 is attached may be disposed on the adherend 1 and laminated.

제1 반도체 소자(11)의 포매용 접착 필름(22)에의 진입 및 포매를 용이하게 하기 위해서, 다이 본드 시에는 포매용 접착 필름(22)에 대한 가열 처리를 행해도 된다. 가열 온도로서는 포매용 접착 필름(22)이 연화되고, 또한 완전히 열경화되지 않는 온도이면 되고, 80℃ 이상 150℃ 이하가 바람직하고, 100℃ 이상 130℃ 이하가 보다 바람직하다. 이때 0.1㎫ 이상 1.0㎫ 이하로 가압해도 된다.In order to facilitate entry and embedding of the first semiconductor element 11 into the adhesive film 22 for embossing, heat treatment for the embossing adhesive film 22 may be performed during die bonding. The heating temperature is not particularly limited as long as it is a temperature at which the mucoadhesive adhesive film 22 is softened and does not completely cure, preferably 80 deg. C or higher and 150 deg. C or lower, more preferably 100 deg. At this time, pressure may be increased to 0.1 MPa or more and 1.0 MPa or less.

포매용 접착 필름(22)은 반경화 상태이므로, 포매용 접착 필름(22)의 피착체(1) 상에의 재치 후, 소정 조건 하에서의 열처리를 행함으로써, 포매용 접착 필름(22)을 열경화시켜서 제2 반도체 소자(12)를 피착체(1) 상에 고정시킨다. 열처리를 행할 때의 온도는, 100 내지 200℃에서 행하는 것이 바람직하고, 120℃ 내지 180℃의 범위 내에서 행하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 열처리 시간은 0.25 내지 10시간 동안 행하는 것이 바람직하고, 0·5 내지 8시간 동안에서 행하는 것이 보다 바람직하다.The positioning adhesive film 22 is semi-cured so that the positioning adhesive film 22 is placed on the adherend 1 and subjected to a heat treatment under a predetermined condition so that the positioning adhesive film 22 is thermally cured The second semiconductor element 12 is fixed on the adhered object 1. The temperature for the heat treatment is preferably 100 to 200 占 폚, more preferably 120 to 180 占 폚. The heat treatment time is preferably 0.25 to 10 hours, more preferably 0.5 to 8 hours.

이때, 열경화 후의 포매용 접착 필름(22)의 피착체(1)에 대한 전단 접착력은, 25 내지 250℃에 있어서 0.1㎫ 이상인 것이 바람직하고, 0.2 내지 10㎫인 것이 보다 바람직하다. 포매용 접착 필름(22)의 전단 접착력을 0.1㎫ 이상으로 하면, 제2 반도체 소자(12)에 대한 와이어 본딩 공정에 있어서의 초음파 진동이나 가열에 의해, 포매용 접착 필름(22)과 제2 반도체 소자(12) 또는 피착체(1)와의 접착면에서의 전단 변형의 발생을 억제할 수 있다. 즉, 와이어 본딩 시의 초음파 진동에 의해 제2 반도체 소자(12)가 움직이는 것을 억제하고, 이에 의해 와이어 본딩의 성공율이 저하하는 것을 방지할 수 있다.At this time, the shear adhesive force of the enveloping adhesive film 22 to the adherend 1 after heat curing is preferably 0.1 MPa or more at 25 to 250 캜, and more preferably 0.2 to 10 MPa. When the shear adhesive force of the embedding adhesive film 22 is 0.1 MPa or more, the ultrasonic vibration or heating in the wire bonding process for the second semiconductor element 12 causes the hatching adhesive film 22 and the second semiconductor It is possible to suppress the occurrence of shear deformation at the bonding surface with the element 12 or the adherend 1. [ That is, it is possible to prevent the second semiconductor element 12 from moving due to the ultrasonic vibration at the time of wire bonding, thereby preventing the success rate of the wire bonding from being lowered.

(제3 고정 공정)(Third fixing step)

제3 고정 공정에서는, 상기 제2 반도체 소자(12) 상에 상기 제2 반도체 소자와 동종 또는 이종의 제3 반도체 소자(13)를 고정한다(도 3g 참조). 제3 반도체 소자(13)는, 제3 접착 필름(23)을 개재하여 제2 반도체 소자(12)에 고정되어 있다.In the third fixing step, the same or different third semiconductor element 13 as the second semiconductor element is fixed on the second semiconductor element 12 (see FIG. 3G). The third semiconductor element 13 is fixed to the second semiconductor element 12 via the third adhesive film 23. [

(제3 반도체 소자)(Third semiconductor element)

제3 반도체 소자(13)는, 제2 반도체 소자(12)와 동종의 메모리 칩이나 제2 반도체 소자(12)와 이종의 메모리 칩이어도 된다. 제3 반도체 소자(13)의 두께도 목적으로 하는 반도체 장치의 사양에 따라서 적절히 설정할 수 있다.The third semiconductor element 13 may be a memory chip of the same kind as the second semiconductor element 12 or a memory chip different from the second semiconductor element 12. [ The thickness of the third semiconductor element 13 can also be suitably set in accordance with the specifications of the intended semiconductor device.

(제3 접착 필름)(Third adhesive film)

제3 접착 필름(23)으로서는, 제1 고정 공정에 있어서의 제1 접착 필름(21)과 마찬가지의 것을 적절하게 사용할 수 있다. 제3 접착 필름(23)으로서 포매용 접착 필름(22)을 사용하는 경우에는, 다른 반도체 소자의 포매가 불필요하므로, 두께를 5㎛ 내지 60㎛ 정도로 얇게 하여 사용하면 된다.As the third adhesive film 23, the same one as that of the first adhesive film 21 in the first fixing step can be suitably used. In the case where the adhesive film 22 for forming a pouch is used as the third adhesive film 23, since it is unnecessary to form another semiconductor element, the thickness of the adhesive film 22 may be reduced to about 5 to 60 mu m.

(고정 방법)(Fixing method)

도 3g에 도시하는 바와 같이, 제3 반도체 소자(13)를 제3 접착 필름(23)을 개재하여 제2 반도체 소자(12)에 다이 본딩한다. 제3 반도체 소자(13)를 제2 반도체 소자(12) 상에 고정하는 방법으로서는, 예를 들어 제2 반도체 소자(12) 상에 제3 접착 필름(23)을 적층한 후, 이 제3 접착 필름(23) 상에, 와이어 본딩면이 상측이 되도록 하여 제3 반도체 소자(13)를 적층하는 방법을 들 수 있다. 또한, 미리 제3 접착 필름(23)이 부착된 제3 반도체 소자(13)를 제2 반도체 소자(12) 상에 배치하여 적층해도 된다. 단, 후술하는 제2 반도체 소자(12)와 제3 반도체 소자(13) 사이에서의 와이어 본딩을 위해서, 제2 반도체 소자(12)의 와이어 본딩면(상면)의 전극 패드를 피하도록 제3 반도체 소자(13)를 제2 반도체 소자(12)에 대하여 어긋나게 하여 고정하는 경우가 있다. 이 경우, 제3 접착 필름(23)을 먼저 제2 반도체 소자(12)의 상면에 부착해 두면, 제3 접착 필름(23)의 제2 반도체 소자(12)의 상면으로부터 밀려 나온 부분(소위 오버행부)이 절곡되어 제2 반도체 소자(12)의 측면이나 포매용 접착 필름(22)의 측면에 부착되어, 예기치 않은 문제가 발생할 우려가 있다. 따라서, 제3 고정 공정에서는, 미리 제3 접착 필름(23)을 제3 반도체 소자(13)에 부착해 두고, 이것을 제2 반도체 소자(12) 상에 배치하여 적층하는 것이 바람직하다.The third semiconductor element 13 is die-bonded to the second semiconductor element 12 via the third adhesive film 23, as shown in Fig. 3G. As a method of fixing the third semiconductor element 13 on the second semiconductor element 12, for example, after a third adhesive film 23 is laminated on the second semiconductor element 12, And the third semiconductor element 13 is laminated on the film 23 such that the wire bonding surface is on the upper side. Alternatively, the third semiconductor element 13 to which the third adhesive film 23 is attached may be disposed on the second semiconductor element 12 and laminated. However, in order to wire-bond between the second semiconductor element 12 and the third semiconductor element 13 to be described later, the third semiconductor element 12 is formed so as to avoid electrode pads on the wire bonding surface (upper surface) The element 13 may be fixed while being shifted relative to the second semiconductor element 12. [ In this case, if the third adhesive film 23 is first attached to the upper surface of the second semiconductor element 12, the portion of the third adhesive film 23 pushed out from the upper surface of the second semiconductor element 12 Is bent and attached to the side surface of the second semiconductor element 12 or the side surface of the adhesive film 22 for forming, which may cause an unexpected problem. Therefore, in the third fixing step, it is preferable that the third adhesive film 23 is attached to the third semiconductor element 13 in advance, and the third adhesive film 23 is placed on the second semiconductor element 12 and laminated.

제3 접착 필름(23)도 반경화 상태이므로, 제3 접착 필름(23)의 제2 반도체 소자(12) 상에의 적재 후, 소정 조건 하에서의 열처리를 행함으로써, 제3 접착 필름(23)을 열경화시켜서 제3 반도체 소자(13)를 제2 반도체 소자(12) 상에 고정시킨다. 또한, 제3 접착 필름(23)의 탄성률이나 프로세스 효율을 고려하여, 열처리를 행하지 않고 제3 반도체 소자(13)를 고정시킬 수도 있다. 열처리를 행할 때의 온도는, 100 내지 200℃에서 행하는 것이 바람직하고, 120℃ 내지 180℃의 범위 내에서 행하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 열처리 시간은 0.25 내지 10시간 동안 행하는 것이 바람직하고, 0, 5 내지 8시간 동안 행하는 것이 보다 바람직하다.The third adhesive film 23 is also semi-cured. Therefore, after the third adhesive film 23 is mounted on the second semiconductor element 12, the third adhesive film 23 is heat- And the third semiconductor element 13 is fixed on the second semiconductor element 12 by thermal curing. In addition, the third semiconductor element 13 may be fixed without heat treatment in consideration of the elasticity of the third adhesive film 23 and the process efficiency. The temperature for the heat treatment is preferably 100 to 200 占 폚, more preferably 120 to 180 占 폚. The heat treatment time is preferably 0.25 to 10 hours, more preferably 0 to 5 hours.

(제2 와이어 본딩 공정)(Second wire bonding process)

제2 와이어 본딩 공정은, 제2 반도체 소자(12) 상의 전극 패드(도시하지 않음)와 제3 반도체 소자(13) 상의 전극 패드(도시하지 않음)를 본딩 와이어(32)로 전기적으로 접속하는 공정이다(도 3h 참조). 와이어의 재료나 와이어 본딩 조건은 제1 와이어 본딩 공정과 마찬가지의 것을 적절하게 채용할 수 있다.The second wire bonding step is a step of electrically connecting an electrode pad (not shown) on the second semiconductor element 12 and an electrode pad (not shown) on the third semiconductor element 13 with a bonding wire 32 (See FIG. 3H). The same material as that of the first wire bonding process can be employed as the material of the wire or the wire bonding conditions.

(반도체 장치)(Semiconductor device)

이상의 공정에 의해, 3개의 반도체 소자가 소정의 접착 필름을 개재하여 다단 적층된 반도체 장치(100)를 제조할 수 있다. 또한, 제3 고정 공정 및 제2 와이어 본딩 공정과 마찬가지의 수순을 반복함으로써, 4개 이상의 반도체 소자가 적층된 반도체 장치를 제조할 수 있다.By the above process, the semiconductor device 100 in which three semiconductor elements are stacked in a multi-layered manner with a predetermined adhesive film interposed therebetween can be manufactured. Further, by repeating the same procedures as the third fixing step and the second wire bonding step, a semiconductor device in which four or more semiconductor elements are stacked can be manufactured.

(밀봉 공정)(Sealing step)

원하는 수의 반도체 소자를 적층한 후, 반도체 장치(100) 전체를 수지 밀봉하는 밀봉 공정을 행해도 된다. 밀봉 공정은, 밀봉 수지에 의해 반도체 장치(100)를 밀봉하는 공정이다(도시하지 않음). 본 공정은, 피착체(1)에 탑재된 반도체 소자나 본딩 와이어를 보호하기 위하여 행해진다. 본 공정은, 예를 들어 밀봉용 수지를 금형으로 성형함으로써 행한다. 밀봉 수지로서는, 예를 들어 에폭시계의 수지를 사용한다. 수지 밀봉 시의 가열 온도는, 통상 175℃에서 60 내지 90초간 행해지지만, 본 실시 형태는 이것에 한정되지 않고, 예를 들어 165 내지 185℃에서 수분간 큐어할 수 있다. 또한 본 공정에 있어서는, 수지 밀봉 시에 가압해도 된다. 이 경우, 가압하는 압력은 1 내지 15㎫인 것이 바람직하고, 3 내지 10㎫인 것이 보다 바람직하다.A sealing step of resin-sealing the entire semiconductor device 100 may be performed after stacking a desired number of semiconductor elements. The sealing step is a step of sealing the semiconductor device 100 with a sealing resin (not shown). This step is performed to protect the semiconductor element and the bonding wire mounted on the adherend 1. [ This step is carried out, for example, by molding a sealing resin into a mold. As the sealing resin, for example, an epoxy resin is used. The heating temperature at the time of resin sealing is usually 175 ° C for 60 to 90 seconds, but the present embodiment is not limited to this and can be cured for example at 165 to 185 ° C for several minutes. In this step, it is also possible to pressurize during resin sealing. In this case, the pressure to be pressurized is preferably 1 to 15 MPa, more preferably 3 to 10 MPa.

(후경화 공정)(Post-curing process)

본 실시 형태에 있어서는, 밀봉 공정 후에, 밀봉 수지를 에프터 큐어하는 후경화 공정을 행해도 된다. 본 공정에 있어서는, 상기 밀봉 공정에서 경화 부족의 밀봉 수지를 완전히 경화시킨다. 본 공정에 있어서의 가열 온도는, 밀봉 수지의 종류에 따라 상이하지만, 예를 들어 165 내지 185℃의 범위 내이며, 가열 시간은 0.5 내지 8시간 정도이다. 밀봉 공정 또는 후경화 공정을 거침으로써 반도체 패키지를 제작할 수 있다.In the present embodiment, after the sealing step, a post-curing step of post-curing the sealing resin may be performed. In this step, the encapsulating resin which is insufficiently cured in the sealing step is completely cured. The heating temperature in this step varies depending on the type of the sealing resin, and is, for example, in the range of 165 to 185 占 폚, and the heating time is about 0.5 to 8 hours. The semiconductor package can be manufactured by passing through a sealing process or a post-curing process.

[제2 실시 형태][Second Embodiment]

제1 실시 형태에서는, 제1 반도체 소자의 피착체에의 고정을 접착 필름에 의해 행하고, 양자간의 전기적 접속을 와이어 본딩에 의해 도모하고 있었지만, 제2 실시 형태에서는, 제1 반도체 소자에 설치된 돌기 전극을 사용한 플립 칩 접속에 의해 양자간의 고정 및 전기적 접속을 도모하고 있다. 따라서, 제2 실시 형태는, 제1 고정 공정에 있어서의 고정 양식만 제1 실시 형태와 상이하므로, 이하에서는 주로 상위점에 대하여 설명한다.In the first embodiment, the first semiconductor element is fixed to the adherend by an adhesive film, and electrical connection between the first semiconductor element and the adherend is achieved by wire bonding. In the second embodiment, The flip-chip connection using the flip-chip connection allows both of them to be fixed and electrically connected. Therefore, the second embodiment differs from the first embodiment only in the fixing mode in the first fixing step, and therefore the difference will be mainly described below.

(제1 고정 공정)(First fixing step)

본 실시 형태에서는, 상기 제1 고정 공정에 있어서, 제1 반도체 소자(41)를 피착체(1)에 플립 칩 접속에 의해 고정한다(도 4a 참조). 플립 칩 접속에서는, 제1 반도체 소자(41)의 회로면이 피착체(1)와 대향하는 소위 페이스 다운 실장으로 된다. 제1 반도체 소자(41)에는 범프 등의 돌기 전극(43)이 복수 설치되어 있고, 돌기 전극(43)과 피착체(1) 상의 전극(도시하지 않음)이 접속되어 있다. 또한, 피착체(1)와 제1 반도체 소자(41) 사이에는, 양자간의 열팽창률의 차의 완화나 양자간의 공간의 보호를 목적으로 하여, 언더필재(44)가 충전되어 있다.In this embodiment, in the first fixing step, the first semiconductor element 41 is fixed to the adherend 1 by flip chip bonding (see Fig. 4A). In the flip chip connection, a so-called face-down mounting in which the circuit surface of the first semiconductor element 41 faces the adhered object 1 is obtained. A plurality of protruding electrodes 43 such as bumps are provided on the first semiconductor element 41 and protruding electrodes 43 are connected to electrodes (not shown) on the adherend 1. The underfill material 44 is filled between the adherend 1 and the first semiconductor element 41 for the purpose of alleviating the difference in thermal expansion coefficient between them and protecting the space therebetween.

접속 방법으로서는 특별히 한정되지 않고, 종래 공지된 플립 칩 본더에 의해 접속할 수 있다. 예를 들어, 제1 반도체 소자(41)에 형성되어 있는 범프 등의 돌기 전극(43)을 피착체(1)의 접속 패드에 피착된 접합용 도전재(땜납 등)에 접촉시켜서 가압하면서 도전재를 용융시킴으로써, 제1 반도체 소자(41)와 피착체(1)의 전기적 도통을 확보하고, 제1 반도체 소자(41)를 피착체(1)에 고정시킬 수 있다(플립 칩 본딩). 일반적으로, 플립 칩 접속 시의 가열 조건으로서는 240 내지 300℃이고, 가압 조건으로서는 0.5 내지 490N이다.The connection method is not particularly limited, and can be connected by a conventionally known flip chip bonder. The protruding electrode 43 such as a bump formed on the first semiconductor element 41 is brought into contact with the conductive material for bonding (solder or the like) attached to the connection pad of the adhered object 1, The electrical connection between the first semiconductor element 41 and the adherend 1 can be ensured and the first semiconductor element 41 can be fixed to the adherend 1 by flip chip bonding. Generally, the heating conditions at the flip chip connection are 240 to 300 占 폚, and the pressing conditions are 0.5 to 490 N.

돌기 전극(43)으로서 범프를 형성할 때의 재질로서는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 주석-납계 금속재, 주석-은계 금속재, 주석-은-구리계 금속재, 주석-아연계 금속재, 주석-아연-비스무트계 금속재 등의 땜납류(합금)나, 금계 금속재, 구리계 금속재 등을 들 수 있다.The material for forming the bump as the protruding electrode 43 is not particularly limited and may be, for example, a tin-lead metal material, a tin-silver metal material, a tin-silver- (Alloys) such as a zinc-bismuth metal material, a gold-based metal material, and a copper-based metal material.

언더필재(44)로서는 종래 공지된 액상 또는 필름 형상의 언더필재를 사용할 수 있다.As the underfill material 44, conventionally known underfill materials in liquid or film form can be used.

(제2 고정 공정)(Second fixing step)

제2 고정 공정에서는, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 포매용 접착 필름(22)에 의해, 상기 제1 반도체 소자(41)를 포매하면서 상기 제1 반도체 소자(41)와는 상이한 제2 반도체 소자(12)를 상기 피착체(1)에 고정한다(도 4b 참조). 본 공정에 있어서의 조건은 제1 실시 형태에서의 제2 고정 공정과 마찬가지이다.In the second fixing step, as in the first embodiment, the second semiconductor element (12), which is different from the first semiconductor element (41) while embedding the first semiconductor element (41) Is fixed to the adherend 1 (see Fig. 4B). The conditions in this step are the same as those in the second fixing step in the first embodiment.

포매용 접착 필름(22)은, 상기 제1 반도체 소자(41)의 두께 T1보다 두꺼운 두께 T를 갖고 있다. 본 실시 형태에서는 상기 피착체(1)와 상기 제1 반도체 소자(41)가 플립 칩 접속된다는 점에서, 상기 두께 T와 상기 두께 T1의 차는 10㎛ 이상 200㎛ 이하가 바람직하다. 상기 두께 T와 상기 두께 T1의 차의 하한은 10㎛ 이상이 바람직하지만, 20㎛ 이상이 보다 바람직하고, 30㎛ 이상이 더욱 바람직하다. 또한, 상기 두께 T와 상기 두께 T1의 차의 상한은 200㎛ 이하가 바람직하지만, 150㎛ 이하가 보다 바람직하고, 100㎛ 이하가 더욱 바람직하다. 이와 같은 구성에 의해, 반도체 장치 전체의 박형화를 도모함과 동시에, 제1 반도체 소자(41)와 제2 반도체 소자(12)의 접촉을 방지하면서 제1 반도체 소자(41) 전체를 포매용 접착 필름(22)의 내부에 포매할 수 있고, 컨트롤러로서의 제1 반도체 소자(41)의 피착체(1) 상에의 고정(즉 통신 경로 길이가 최단으로 되는 최하단에서의 고정)을 가능하게 한다.The adhesive film 22 for forming a gap has a thickness T that is thicker than the thickness T 1 of the first semiconductor element 41. In the present embodiment, the difference between the thickness T and the thickness T 1 is preferably 10 μm or more and 200 μm or less in that the adherend 1 and the first semiconductor element 41 are flip-chip bonded. The lower limit of the difference between the thickness T and the thickness T 1 is preferably 10 占 퐉 or more, more preferably 20 占 퐉 or more, and still more preferably 30 占 퐉 or more. The upper limit of the difference between the thickness T and the thickness T 1 is preferably 200 占 퐉 or less, more preferably 150 占 퐉 or less, and further preferably 100 占 퐉 or less. With this configuration, the entire semiconductor device can be made thinner, and the entire first semiconductor element 41 can be prevented from contacting the first semiconductor element 41 and the second semiconductor element 12, 22) and enables fixing of the first semiconductor element 41 as a controller on the adhered object 1 (that is, fixing at the lowermost end where the communication path length is shortest).

포매용 접착 필름(22)의 두께 T는 제1 반도체 소자(41)를 포매 가능하도록 제1 반도체 소자(41)의 두께 T1 및 돌기 전극의 높이를 고려하여 적절히 설정하면 되지만, 그 하한은 50㎛ 이상이 바람직하고, 60㎛ 이상이 보다 바람직하고, 70㎛ 이상이 더욱 바람직하다. 한편, 두께 T의 상한은 250㎛ 이하가 바람직하고, 200㎛ 이하가 보다 바람직하고, 150㎛ 이하가 더욱 바람직하다. 이렇게 포매용 접착 필름(22)을 비교적 두껍게 함으로써, 일반적인 컨트롤러의 두께를 거의 커버할 수 있고, 제1 반도체 소자(41)의 포매용 접착 필름(22)에의 포매를 용이하게 행할 수 있다.The thickness T of the embedding adhesive film 22 may be suitably set in consideration of the thickness T 1 of the first semiconductor element 41 and the height of the protruding electrode so that the first semiconductor element 41 can be embedded, Mu m or more, more preferably 60 mu m or more, and still more preferably 70 mu m or more. On the other hand, the upper limit of the thickness T is preferably 250 탆 or less, more preferably 200 탆 or less, and further preferably 150 탆 or less. The thickness of the embedding adhesive film 22 is relatively large, so that it is possible to substantially cover the thickness of a general controller, and the embedding of the first semiconductor element 41 in the embedding adhesive film 22 can be easily performed.

계속해서 제1 실시 형태와 마찬가지로, 제2 반도체 소자(12) 상에 상기 제2 반도체 소자(12)와 동종 또는 이종의 제3 반도체 소자(13)를 고정하는 제3 고정 공정(도 4c 참조) 및 상기 제2 반도체 소자(12)와 상기 제3 반도체 소자(13)를 본딩 와이어(32)에 의해 전기적으로 접속하는 제2 와이어 본딩 공정(도 4d 참조)을 거침으로써, 컨트롤러가 최하단에 적층되고, 그 상방에 반도체 소자가 복수단 적층된 반도체 장치(200)를 제작할 수 있다.Subsequently, as in the first embodiment, a third fixing step (see FIG. 4C) for fixing the third semiconductor element 13 of the same or different type to the second semiconductor element 12 on the second semiconductor element 12, And the second wire bonding process (see FIG. 4D) for electrically connecting the second semiconductor element 12 and the third semiconductor element 13 by the bonding wire 32, the controller is stacked at the lowermost position And a semiconductor device 200 in which a plurality of semiconductor elements are stacked over the semiconductor device 200 can be manufactured.

(그 밖의 실시 형태)(Other Embodiments)

제1 실시 형태에서는, 다이싱·다이본딩 필름을 사용하는 다이싱 공정 및 픽업 공정을 거쳐서 제2 반도체 소자(12)를 제작하고 있다. 또한, 제1 반도체 소자(11)도 마찬가지로 다이싱·다이본딩 필름을 사용하여 제작해도 된다. 이 경우, 제1 반도체 소자(11)를 잘라내기 위한 반도체 웨이퍼를 별도로 준비하고, 그 후에는 상기 웨이퍼 접합 공정, 다이싱 공정, 픽업 공정을 거쳐, 제1 반도체 소자(11)를 피착체(1)에 고정하면 된다. 제3 반도체 소자(13) 및 이것에 의해 상단에 적층되는 반도체 소자도 마찬가지로 제작할 수 있다.In the first embodiment, the second semiconductor element 12 is manufactured through a dicing process using a dicing and die-bonding film and a pickup process. Also, the first semiconductor element 11 may also be manufactured using a dicing / die-bonding film. In this case, a semiconductor wafer for cutting out the first semiconductor element 11 is prepared separately, and thereafter the first semiconductor element 11 is bonded to the adherend 1 ). The third semiconductor element 13 and the semiconductor element stacked on the upper side by the third semiconductor element 13 can be similarly manufactured.

피착체 상에 반도체 소자를 3차원 실장하는 경우, 반도체 소자의 회로가 형성되는 면 측에는, 버퍼 코팅막이 형성되어 있어도 된다. 당해 버퍼 코팅막으로서는, 예를 들어 질화규소막이나 폴리이미드 수지 등의 내열 수지를 포함하는 것을 들 수 있다.When the semiconductor element is mounted on the object in a three-dimensional manner, a buffer coating film may be formed on the surface of the semiconductor element where the circuit is formed. Examples of the buffer coating film include a heat-resistant resin such as a silicon nitride film or a polyimide resin.

각 실시 형태에 있어서는, 제2 반도체 소자 이후의 반도체 소자를 적층할 때마다와이어 본딩 공정을 행하는 형태에 대하여 설명했지만, 복수의 반도체 소자를 적층시킨 후에, 일괄하여 와이어 본딩 공정을 행하는 것도 가능하다. 또한, 제1 반도체 소자에 대해서는 포매용 접착 필름에 의해 포매되므로, 일괄된 와이어 본딩의 대상으로 할 수는 없다.In each of the embodiments, the wire bonding process is performed every time the semiconductor elements after the second semiconductor element are laminated. However, it is also possible to carry out the wire bonding process collectively after stacking a plurality of semiconductor elements. Further, since the first semiconductor element is embedded by the adhesive film for forming a pucker, it can not be an object of collective wire bonding.

플립 칩 접속의 형태로서는, 제2 실시 형태에서 설명한 돌기 전극으로서의 범프에 의한 접속에 한정되지 않고, 도전성 접착제 조성물에 의한 접속이나, 범프와 도전성 접착제 조성물을 조합한 돌기 구조에 의한 접속 등도 채용할 수 있다. 또한, 본 발명에서는, 제1 반도체 소자의 회로면이 피착체와 대향하여 접속되는 페이스다운 실장으로 되는 한, 돌기 전극이나 돌기 구조 등의 접속 양식의 상이에 관계 없이 플립 칩 접속이라고 칭하는 것으로 한다. 도전성 접착제 조성물로서는, 에폭시 수지 등의 열경화성 수지에 금, 은, 구리 등의 도전성 필러를 혼합시킨 종래 공지된 도전성 페이스트 등을 사용할 수 있다. 도전성 접착제 조성물을 사용하는 경우, 피착체에의 제1 반도체 소자의 탑재 후, 80 내지 150℃에서 0.5 내지 10시간 정도 열경화 처리함으로써 제1 반도체 소자를 고정할 수 있다.The flip chip connection is not limited to the connection by the bump as the protruding electrode described in the second embodiment, but may be a connection by a conductive adhesive composition or a connection by a projection structure in which a bump and a conductive adhesive composition are combined have. Further, in the present invention, as long as the circuit surface of the first semiconductor element is a face-down mounting that is connected to and facing an adherend, it is referred to as a flip chip connection irrespective of the connection mode of the projection electrode or the projection structure. As the conductive adhesive composition, conventionally known conductive pastes prepared by mixing a conductive filler such as gold, silver, and copper with a thermosetting resin such as an epoxy resin can be used. When the conductive adhesive composition is used, the first semiconductor element can be fixed by placing the first semiconductor element on an adherend and thermally curing it at 80 to 150 DEG C for about 0.5 to 10 hours.

[실시예][Example]

이하에, 본 발명의 적합한 실시예를 예시적으로 상세하게 설명한다. 단, 이 실시예에 기재되어 있는 재료나 배합량 등은, 특별히 한정적인 기재가 없는 한은, 본 발명의 범위를 그들에만 한정한다는 취지가 아니고, 단순한 설명예에 불과하다.Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described in detail by way of example. However, the materials, blending amounts, and the like described in this embodiment are not intended to limit the scope of the present invention to them and are merely illustrative examples, unless otherwise specified.

[실시예 1 내지 8 및 비교예 1 내지 7][Examples 1 to 8 and Comparative Examples 1 to 7]

(접착 필름의 제작)(Production of adhesive film)

표 1에 나타낸 비율로 아크릴 수지, 에폭시 수지 A, 에폭시 수지 B, 페놀 수지, 실리카 및 열경화 촉매를 메틸에틸케톤에 용해하여 농도 40 내지 50중량％의 접착제 조성물 용액을 제조하였다.The acrylic resin, the epoxy resin A, the epoxy resin B, the phenol resin, the silica and the thermosetting catalyst were dissolved in methyl ethyl ketone at a ratio shown in Table 1 to prepare an adhesive composition solution having a concentration of 40 to 50% by weight.

이 접착제 조성물 용액을, 박리 라이너로 하여 실리콘 이형 처리한 두께가 50㎛인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 이형 처리 필름 상에 도포한 후, 130℃에서 2분간 건조시킴으로써, 각각 하기 표 1에 나타내는 두께를 갖는 접착 필름을 제작하였다.This adhesive composition solution was coated on a mold release film containing a polyethylene terephthalate film having a thickness of 50 占 퐉 which was subjected to silicone release treatment as a release liner and then dried at 130 占 폚 for 2 minutes to give a thickness Was prepared.

또한, 하기 표 1 중의 약호 및 성분의 상세한 것은 이하와 같다.Details of the abbreviations and components in the following Table 1 are as follows.

아크릴 수지: 나가세 켐텍스사제 SG-700ASAcrylic resin: SG-700AS manufactured by Nagase Chemtex Co.

에폭시 수지 A: 도또 가세이 가부시끼가이샤 제조 KI-3000Epoxy resin A: KI-3000 manufactured by Tohto Kasei Kabushiki Kaisha

에폭시 수지 B: 미쯔비시 가가꾸 가부시끼가이샤 제조 JER 828Epoxy resin B: JER 828 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation

페놀 수지: 메이와가세이 가부시끼가이샤 제조 MEH-7851SSPhenol resin: MEH-7851SS manufactured by Meiwa Chemical Industries, Ltd.

실리카: 아드마텍스 가부시끼가이샤 제조 SE-2050MCSilica: SE-2050MC manufactured by Admatech Kabushiki Kaisha

열경화 촉매: 혹코 가가꾸 가부시끼가이샤 제조 TPP-KThermal curing catalyst: TPP-K manufactured by HAKKO Chemical Co., Ltd.

(태크 강도의 측정)(Measurement of Tack Strength)

각 실시예 및 비교예에서 제작한 열경화 전의 각 접착 필름에 대해서, SUS판(SUS304)에 대한 40℃에 있어서의 태크 강도를, 동적 점탄성 시험 장치(T.A.인스트루먼트 가부시끼가이샤 제조)를 사용하여 압축법에 의해 측정하였다. 각 실시예 또는 비교예에서 제작한 접착 필름(길이 20㎜×폭 20㎜)을 장치에 설치하고, 측정 온도 40℃, 측정 지그 직경 8㎜φ, 하중 100g, 프레스 시간 2sec, 테스트 속도 100㎜/min에서의 태크 강도를 측정하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.For each of the adhesive films before heat curing prepared in each of the examples and the comparative examples, the tensile strength at 40 占 폚 of the SUS plate (SUS304) was compressed using a dynamic viscoelasticity tester (manufactured by TA Instruments Co., Ltd.) Method. The adhesive film (20 mm long x 20 mm wide) produced in each of the Examples and Comparative Examples was installed in the apparatus, and a measurement temperature of 40 캜, a measuring jig diameter of 8 mm, a load of 100 g, a pressing time of 2 sec, min were measured. The results are shown in Table 1.

(용융 점도의 측정)(Measurement of melt viscosity)

각 실시예 및 비교예에서 제작한 열경화 전의 각 접착 필름에 대해서, 각각 120℃에 있어서의 용융 점도를 측정하였다. 즉, 레오미터(HAAKE사제, RS-1)를 사용하여 패러렐 플레이트법에 의해 측정하였다. 각 실시예 또는 비교예에서 제작한 접착 필름에서 0.1g의 시료를 채취하고, 이것을 미리 120℃로 가열되어 있는 플레이트에 투입하였다. 이어서, 측정 개시부터 300초 후의 값을 용융 점도로 하였다. 플레이트간의 갭은 0.1㎜로 하였다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다.The melt viscosity of each adhesive film before heat curing prepared in each of the Examples and Comparative Examples was measured at 120 ° C. That is, it was measured by a parallel plate method using a rheometer (manufactured by HAAKE, RS-1). A sample of 0.1 g was taken from the adhesive film prepared in each of the examples and the comparative examples, and this was put into a plate heated at 120 캜 in advance. Then, the value after 300 seconds from the start of measurement was regarded as the melt viscosity. The gap between the plates was 0.1 mm. The results are shown in Table 1 below.

(저장 탄성률의 측정)(Measurement of storage elastic modulus)

각 실시예 및 비교예에서 제작한 열경화 전의 각 접착 필름에 대해서, 점탄성 측정 장치(레오메트릭스사제: 형식: RSA-II)를 사용해서 25℃에 있어서의 저장 탄성률을 측정하였다. 보다 상세하게는, 제작한 접착 필름을 절단하여 샘플 크기를 길이 30㎜×폭 10㎜로 하고, 측정 시료를 필름 인장 측정용 지그에 세트하고 -30 내지 280℃의 온도 영역에서 주파수 10.0㎐, 왜곡 0.025％, 승온 속도 10℃/min의 조건 하에서 측정하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.The storage elastic moduli at 25 deg. C were measured for each of the adhesive films before heat curing prepared in each of the Examples and Comparative Examples using a viscoelasticity measuring apparatus (RSA-II, manufactured by Rheometrics Co., Ltd.). More specifically, the produced adhesive film was cut to set a sample size of 30 mm in length × 10 mm in width. The measurement sample was set in a jig for film tensile measurement, and a frequency of 10.0 Hz in a temperature range of -30 to 280 ° C, 0.025%, and a temperature raising rate of 10 캜 / min. The results are shown in Table 1.

(다이싱 필름의 제작)(Preparation of dicing film)

기재로서, 두께가 50㎛인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(PET 필름)을 준비하였다.As a substrate, a polyethylene terephthalate film (PET film) having a thickness of 50 占 퐉 was prepared.

냉각관, 질소 도입관, 온도계 및 교반 장치를 구비한 반응 용기에, 아크릴산-2-에틸헥실(이하, 「2EHA」라고도 함) 86.4부, 아크릴산-2-히드록시에틸(이하, 「HEA」라고도 함) 13.6부, 과산화 벤조일 0.2부 및 톨루엔 65부를 넣고, 질소 기류 중에서 61℃에서 6시간 중합 처리를 하고, 아크릴계 폴리머 A를 얻었다.86.4 parts of 2-ethylhexyl acrylate (hereinafter also referred to as &quot; 2EHA &quot;) and 2-hydroxyethyl acrylate (hereinafter also referred to as &quot; HEA &quot;) were placed in a reaction vessel equipped with a thermometer, , 0.2 parts of benzoyl peroxide, and 65 parts of toluene were charged, and polymerization was carried out at 61 DEG C for 6 hours in a nitrogen stream to obtain an acryl-based polymer A.

아크릴계 폴리머 A에 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트(이하, 「MOI」라고도 함) 14.6부를 첨가하고, 공기 기류 중에서 50℃에서 48시간, 부가 반응 처리를 하고, 아크릴계 폴리머 A'를 얻었다.14.6 parts of 2-methacryloyloxyethyl isocyanate (hereinafter also referred to as &quot; MOI &quot;) was added to the acrylic polymer A, and an addition reaction was carried out at 50 DEG C for 48 hours in an air stream to obtain an acrylic polymer A '.

이어서, 아크릴계 폴리머 A' 100부에 대하여, 폴리이소시아네이트 화합물(상품명; 「코로네이트 L」, 닛본 폴리우레탄(주)제) 8부 및 광중합 개시제(상품명; 「일가큐어(651)」, 치바 스페셜티 케미컬즈사제) 5부를 첨가하고, 점착제 조성물 용액을 얻었다.Subsequently, 8 parts of a polyisocyanate compound (trade name: Coronate L, manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) and 10 parts of a photopolymerization initiator (trade name: Ilgacure 651) were added to 100 parts of the acrylic polymer A ' Ltd.) was added to obtain a pressure-sensitive adhesive composition solution.

준비한 상기 기재 상에, 얻어진 점착제 조성물 용액을 도포, 건조하여 두께 30㎛의 점착제층을 형성함으로써 다이싱 필름을 얻었다.The resulting pressure-sensitive adhesive composition solution was coated on the prepared substrate and dried to form a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 30 占 퐉 to obtain a dicing film.

(다이싱·다이본딩 필름의 제작)(Production of dicing / die-bonding film)

각 실시예 및 비교예에서 제작한 접착 필름을 상술한 다이싱 필름의 점착제층 상에 전사하고, 다이싱·다이본딩 필름을 얻었다. 또한, 라미네이트의 조건은 하기와 같다.The adhesive films produced in the respective Examples and Comparative Examples were transferred onto the pressure-sensitive adhesive layer of the above-mentioned dicing film to obtain a dicing / die-bonding film. The conditions of the laminate are as follows.

<라미네이트 조건>&Lt; Lamination condition >

라미네이터 장치: 롤 라미네이터Laminator equipment: Roll laminator

라미네이트 속도: 1㎜/minLamination speed: 1 mm / min

라미네이트 압력 : 0.5㎫Laminate pressure: 0.5 MPa

라미네이터 온도: 실온(23℃)Laminator temperature: room temperature (23 캜)

(컨트롤러 실장 기판의 제작)(Fabrication of controller mounting substrate)

실시예 1의 조성의 접착 필름을 두께 10㎛로 제작하고, 컨트롤러 칩용 접착 필름으로 하였다. 이것을 온도 40℃의 조건 하에서, 2㎜ 각, 두께 50㎛의 컨트롤러 칩에 부착하였다. 또한, 접착 필름을 개재하여 반도체 칩을 BGA 기판에 접착하였다. 그 때의 조건은, 온도 120℃, 압력 0.1㎫, 1초로 하였다. 또한, 컨트롤러 칩이 접착된 BGA 기판을, 건조기로 130℃, 4시간 열처리하고, 접착 필름을 열경화시켰다.The adhesive film of the composition of Example 1 was made to have a thickness of 10 mu m and used as an adhesive film for a controller chip. This was attached to a controller chip having a thickness of 50 mm and a thickness of 2 mm under the condition of a temperature of 40 占 폚. Further, the semiconductor chip was bonded to the BGA substrate via the adhesive film. The conditions at that time were a temperature of 120 占 폚, a pressure of 0.1 MPa, and 1 second. Further, the BGA substrate to which the controller chip was adhered was heat-treated at 130 DEG C for 4 hours in a dryer to thermally cure the adhesive film.

계속해서, 와이어 본더((주)신가와, 상품명 「UTC-1000」)를 사용하여 이하의 조건으로 컨트롤러 칩에 대하여 와이어 본딩을 행하였다. 이에 의해, BGA 기판에 컨트롤러 칩이 실장된 컨트롤러 실장 기판을 얻었다.Subsequently, wire bonding was performed on the controller chip using a wire bonder (Shin Kagaku Co., Ltd., trade name &quot; UTC-1000 &quot;) under the following conditions. As a result, a controller mounting board on which a controller chip is mounted on the BGA substrate was obtained.

<와이어 본딩 조건><Wire Bonding Condition>

Temp.: 175℃Temp .: 175 ° C

Au-wire: 23㎛Au-wire: 23㎛

S-LEVEL: 50㎛S-LEVEL: 50㎛

S-SPEED: 10㎜/sS-SPEED: 10 mm / s

TIME: 15㎳TIME: 15 ms

US-POWER: 100US-POWER: 100

FORCE: 20gfFORCE: 20gf

S-FORCE: 15gfS-FORCE: 15gf

와이어 피치: 100㎛Wire pitch: 100 탆

와이어 루프 하이트: 30㎛Wire loop height: 30㎛

(반도체 장치의 제작)(Fabrication of semiconductor device)

별도, 상기 다이싱·다이본딩 필름을 사용하여, 이하의 요령으로, 실제로 반도체 웨이퍼의 다이싱을 행한 후, 반도체 칩의 픽업을 거쳐서 반도체 장치를 제작함과 함께, 그 때의 픽업 성능 및 포매·고정성을 평가하였다.Separately, the dicing and die bonding film is used to dice the semiconductor wafer in the following manner. Then, the semiconductor device is manufactured through the pick-up of the semiconductor chip, and the pick- And the fixability was evaluated.

편면 범프 첨부 실리콘 웨이퍼의 회로면과 반대측의 면에, 실시예 및 비교예의 다이싱·다이본딩 필름을, 접착 필름을 접합면으로 해서 접합하였다. 편면 범프 첨부 실리콘 웨이퍼로서는, 이하의 것을 사용하였다. 또한, 접합 조건은 이하와 같다.The dicing and die bonding films of Examples and Comparative Examples were bonded to the surface of the silicon wafer with one side bump on the opposite side to the circuit surface with the adhesive film as the bonding surface. As the silicon wafer with one side bump, the following ones were used. The bonding conditions are as follows.

<편면 범프 첨부 실리콘 웨이퍼>&Lt; Silicon wafer with one side bump >

실리콘 웨이퍼의 두께: 100㎛Thickness of silicon wafer: 100 탆

저유전재료층의 재질: SiN막Material of low dielectric material layer: SiN film

저유전재료층의 두께: 0.3㎛Thickness of low dielectric material layer: 0.3 탆

범프의 높이: 60㎛Height of bump: 60 탆

범프의 피치: 150㎛Bump pitch: 150 탆

범프의 재질: 땜납Bump material: Solder

<접합 조건>&Lt; Bonding condition &

접합 장치: DR-3000II(닛토세이키(주)사제)Bonding device: DR-3000II (manufactured by Nitto Seiki Co., Ltd.)

라미네이트 속도: 0.1mn/minLamination speed: 0.1mn / min

라미네이트 압력: 0.5㎫Laminate pressure: 0.5 MPa

라미네이터 온도: 75℃Laminator temperature: 75 ℃

접합 후, 하기 조건에서 다이싱을 행하였다. 또한, 다이싱은 한 변이 10㎜인 사각형의 칩 크기로 되도록 풀컷하였다.After the bonding, dicing was performed under the following conditions. In addition, the dicing was performed in a full cut so that a chip size of a square having one side of 10 mm.

<다이싱 조건><Dicing Condition>

다이싱 장치: 상품명 「DFD-6361」디스코사제Dicing apparatus: &quot; DFD-6361 &quot;

다이싱 링: 「2-8-1」(디스코사제)Dicing ring: &quot; 2-8-1 &quot; (manufactured by DISCO Corporation)

다이싱 속도: 30㎜/secDicing speed: 30 mm / sec

다이싱 블레이드:Dicing blade:

Z1; 디스코사제 「203O-SE 27HCDD」  Z1; &Quot; 203O-SE 27HCDD &quot;

Z2; 디스코사제 「203O-SE 27HCBB」  Z2; &Quot; 203O-SE 27HCBB &quot;

다이싱 블레이드 회전수:Number of revolutions of dicing blade:

Z1; 40,000rpmZ1; 40,000rpm

Z2; 45,000rPmZ2; 45,000rpm

커트 방식: 스텝 커트Cutting method: Step cut

웨이퍼 칩 사이즈: 한 변이 10.0㎜인 사각형Wafer chip size: Square with sides of 10.0 mm

이어서, 기재 측에서 자외선을 조사하고, 점착제층을 경화시켰다. 자외선 조사에는, 자외선 조사 장치(제품명: UM810, 제조원: 닛토세이키(주)제)를 사용하여, 자외선 방사량은, 400mJ/㎠로 하였다.Subsequently, ultraviolet rays were irradiated from the substrate side, and the pressure-sensitive adhesive layer was cured. An ultraviolet ray irradiation apparatus (product name: UM810, manufactured by Nitto Seiki Co., Ltd.) was used for ultraviolet ray irradiation, and the ultraviolet radiation amount was set to 400 mJ / cm 2.

그 후, 각 다이싱 필름의 기재 측에서 니들에 의한 밀어올림 방식으로, 접착 필름과 반도체 칩의 적층체를 픽업하였다. 픽업 조건은 하기와 같다.Thereafter, the stacked body of the adhesive film and the semiconductor chip was picked up by the pushing-up method by the needles on the substrate side of each dicing film. The pickup conditions are as follows.

<픽업 조건><Pick-up conditions>

다이 본드 장치: (주)신가와제, 장치명: SPA-300Die bonding apparatus: Shin-Kwa Co., Ltd., apparatus name: SPA-300

니들 개수: 9개Number of Needles: 9

니들 밀어올림량: 350㎛(0.35㎜)Needle push-up amount: 350 mu m (0.35 mm)

니들 밀어올림 속도: 5㎜/초Needle push-up speed: 5 mm / sec

흡착 유지 시간: 80msAdsorption holding time: 80ms

(픽업 성능 평가)(Pickup performance evaluation)

100개의 적층체를 픽업하고, 픽업 불량이 1개도 발생하지 않은 경우를 「○」, 1개라도 픽업 불량이 발생한 경우를 「×」로서 평가하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.100 stacked bodies were picked up, and a case in which no pickup failure occurred also was evaluated as &quot;? &Quot;, and a case where even one pickup pickup failure occurred was evaluated as &quot; The results are shown in Table 1.

계속해서, 픽업한 적층체의 접착 필름에 의해 컨트롤러 실장 기판의 컨트롤러 칩을 포매하면서, 반도체 칩을 BGA 기판에 접착하였다. 그 때의 접착 조건은, 120℃, 압력 0.1㎫, 2초로 하였다. 또한, 반도체 칩을 접착한 BGA 기판을, 건조기로 130℃, 4시간 열처리하고, 접착 필름을 열경화시켜서, 반도체 장치를 제작하였다.Subsequently, the controller chip of the controller mounting substrate was embedded by the adhesive film of the picked-up laminate, and the semiconductor chip was bonded to the BGA substrate. The bonding conditions at that time were 120 캜 and a pressure of 0.1 MPa for 2 seconds. Further, the BGA substrate to which the semiconductor chip was bonded was heat-treated at 130 DEG C for 4 hours in a dryer, and the adhesive film was thermally cured to manufacture a semiconductor device.

(포매·고정성 평가)(Forming / Fixability Evaluation)

접착 필름의 두께 T(㎛)와 컨트롤러 칩의 두께 T1(㎛)의 차를 하기 표 1에 나타낸다. 또한, 제작한 반도체 장치를 컨트롤러 칩 고정 위치의 중심을 통과하는 위치에서 절단하고, 절단면을 광학 현미경(200배)을 사용하여 관찰하고, 컨트롤러 칩에 문제가 발생하지 않고 반도체 칩이 고정되어 있는 경우를 「○」, 컨트롤러 칩을 포매할 수 없고 접착 필름과 기판의 계면에 있어서 10％ 이상의 보이드가 확인된 경우, 또는 접착 필름의 두께가 불균일해진 경우를 「×」라고 평가하였다. 또한, 보이드는, 화상 처리 장치(가부시끼가이샤 히타치엔지니어링·앤드·서비스사제, 상품명 「FineSAT FS300III」)를 사용하여, 반도체 칩을 포매하면서 접착 필름과 기판이 완전히 접합되었다고 한 경우의 접착 필름과 기판의 접촉 면적(반도체 칩 면적은 제외함)에 대한 관찰된 보이드가 차지하는 면적의 비율(％)로서 구하였다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다.The difference between the thickness T (mu m) of the adhesive film and the thickness T 1 (mu m) of the controller chip is shown in Table 1 below. In addition, when the manufactured semiconductor device is cut at a position passing through the center of the controller chip fixing position and the cut surface is observed using an optical microscope (200 times) and the semiconductor chip is fixed without causing a problem in the controller chip Quot ;, &quot; x &quot;, a case where a controller chip could not be embedded, voids of 10% or more were found at the interface between the adhesive film and the substrate, or the thickness of the adhesive film was uneven. In addition, the voids are formed by using the adhesive film in the case where the adhesive film and the substrate are completely bonded while embedding the semiconductor chip by using an image processing apparatus (trade name: FineSAT FS300III, manufactured by Hitachi Engineering & (%) Of the area occupied by the observed voids with respect to the contact area (excluding the semiconductor chip area) of the substrate. The results are shown in Table 1 below.

Figure pat00001
Figure pat00001

실시예에 관한 접착 필름을 구비하는 다이싱·다이본딩 필름에 의하면, 다이싱후의 접착 필름의 재접착이 억제되어 있고, 양호한 픽업 성능이 발휘되었다. 또한, 실시예에 관한 접착 필름을 사용하여 제작한 반도체 장치에서는, 컨트롤러 칩의 포매 및반도체 칩의 고정이 양호하게 행해지고 있었다. 한편, 비교예 1 내지 7의 접착 필름을 구비하는 다이싱·다이본딩 필름에서는, 다이싱 후의 접착 필름의 재접착이 발생한 것에 기인하여 픽업 성능이 대폭 저하되어 있었다. 또한, 비교예 4 및 5에서 픽업된 적층체를 사용하여 제작한 반도체 장치에서는, 컨트롤러 칩을 포매할 수 없어, 보이드가 확인되었다. 이것은, 접착 필름의 용융 점도가 너무 높아, 반도체 칩의 포매가 불충분했던 것에 기인한다고 생각된다. 또한, 비교예 6 및 7에서 픽업된 적층체를 사용하여 제작한 반도체 장치에서는, 보이드 또는 포매 후의 접착 필름의 두께의 불균일이 확인되었다. 이것은, 접착 필름이 얇아 컨트롤러 칩과 반도체 칩의 갭을 충분히 충전할 수 없었던 것에 기인한다고 생각된다. 또한, 본 실시예에서는, 컨트롤러 칩과 BGA 기판의 전기적 접속을 와이어 본딩에 의해 달성하고 있기는 하지만, 플립 칩 접속에 의한 고정으로도 마찬가지의 결과가 얻어진다고 추측된다.According to the dicing / die-bonding film having the adhesive film according to the embodiment, re-adhesion of the adhesive film after dicing is suppressed, and good pickup performance is exhibited. Further, in the semiconductor device manufactured using the adhesive film according to the embodiment, the controller chip is fixed and the semiconductor chip is fixed well. On the other hand, in the dicing / die-bonding films comprising the adhesive films of Comparative Examples 1 to 7, pickup performance largely deteriorated due to re-adhesion of the adhesive film after dicing. Further, in the semiconductor device manufactured using the laminated body picked up in Comparative Examples 4 and 5, no controller chip could be formed, and voids were confirmed. This is considered to be due to the fact that the melt viscosity of the adhesive film is too high, and the punching of the semiconductor chip is insufficient. Further, in the semiconductor device manufactured using the laminate picked up in Comparative Examples 6 and 7, the thickness of the adhesive film after voiding or embedding was found to be uneven. This is thought to be attributable to the fact that the gap between the controller chip and the semiconductor chip could not be sufficiently filled because the adhesive film was thin. In the present embodiment, although the electrical connection between the controller chip and the BGA substrate is achieved by wire bonding, it is presumed that the same result can be obtained by fixing by flip chip bonding.

1 : 피착체
2 : 반도체 웨이퍼
3 : 점착제층
4 : 기재
5 : 다이싱 필름
10 : 다이싱·다이본딩 필름
11 : 제1 반도체 소자
12 : 제2 반도체 소자
13 : 제3 반도체 소자
21 : 제1 접착 필름
22 : 접착 필름
23 : 제3 접착 필름
31, 32 : 본딩 와이어
100, 200 : 반도체 장치
T : 접착 필름의 두께
T1 : 제1 반도체 소자의 두께1: adherend
2: Semiconductor wafer
3: Pressure-sensitive adhesive layer
4: substrate
5: Dicing film
10: Dicing / die bonding film
11: First semiconductor element
12: second semiconductor element
13: Third semiconductor element
21: First adhesive film
22: Adhesive film
23: Third adhesive film
31, 32: Bonding wire
100, 200: Semiconductor device
T: Thickness of the adhesive film
T 1 : Thickness of the first semiconductor element

Claims (9)

피착체 상에 고정된 제1 반도체 소자를 포매하고, 또한 상기 제1 반도체 소자와는 상이한 제2 반도체 소자를 피착체에 고정하기 위한 접착 필름이며,
SUS에 대한 40℃에 있어서의 태크 강도가 0.2㎫ 이하인 접착 필름.An adhesive film for holding a first semiconductor element fixed on an adherend and fixing a second semiconductor element different from the first semiconductor element to an adherend,
Wherein the adhesive strength to SUS at 40 占 폚 is 0.2 MPa or less. 제1항에 있어서,
120℃에 있어서의 용융 점도가 100Pa·s 이상 3000Pa·s 이하인 접착 필름.The method according to claim 1,
An adhesive film having a melt viscosity at 120 ° C of from 100 Pa · s to 3,000 Pa · s or less. 제1항에 있어서,
열경화 전의 25℃에 있어서의 저장 탄성률이 10㎫ 이상 10000㎫ 이하인 접착 필름.The method according to claim 1,
An adhesive film having a storage elastic modulus at 25 占 폚 before thermal curing of 10 MPa or more and 10,000 MPa or less. 제1항에 있어서,
무기 충전제를 포함하고,
상기 무기 충전제의 함유량이 25 내지 80중량％인 접착 필름.The method according to claim 1,
An inorganic filler,
Wherein the content of the inorganic filler is 25 to 80% by weight. 기재 및 상기 기재 상에 형성된 점착제층을 갖는 다이싱 필름과,
상기 점착제층 상에 적층된 제1항에 기재된 접착 필름을 구비하는 다이싱·다이본딩 필름.A dicing film having a substrate and a pressure-sensitive adhesive layer formed on the substrate;
A dicing die-bonding film comprising the adhesive film according to claim 1 laminated on the pressure-sensitive adhesive layer. 제1 반도체 소자가 고정된 피착체를 준비하는 피착체 준비 공정,
제5항에 기재된 다이싱·다이본딩 필름의 접착 필름과 반도체 웨이퍼를 접합하는 접합 공정,
상기 반도체 웨이퍼 및 접착 필름을 다이싱하여 제2 반도체 소자를 형성하는 다이싱 공정,
상기 제2 반도체 소자를 상기 접착 필름과 함께 픽업하는 픽업 공정, 및
상기 제2 반도체 소자와 함께 픽업한 접착 필름에 의해, 상기 피착체에 고정된 상기 제1 반도체 소자를 포매하면서 상기 제2 반도체 소자를 그 피착체에 고정하는 고정 공정
을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.An adherend preparing step of preparing an adherend to which the first semiconductor element is fixed,
A bonding step of bonding the adhesive film of the dicing die-bonding film of claim 5 to a semiconductor wafer,
A dicing step of dicing the semiconductor wafer and the adhesive film to form a second semiconductor element,
A pickup step of picking up the second semiconductor element together with the adhesive film, and
A fixing step of fixing the second semiconductor element to the adherend with the adhesive film picked up together with the second semiconductor element while embedding the first semiconductor element fixed to the adherend;
Wherein the semiconductor device is a semiconductor device. 제6항에 있어서,
상기 접착 필름은, 상기 제1 반도체 소자의 두께 T1보다 두꺼운 두께 T를 갖고,
상기 피착체와 상기 제1 반도체 소자가 와이어 본딩 접속되고, 또한 상기 두께 T와 상기 두께 T1의 차가 40㎛ 이상 260㎛ 이하인 반도체 장치의 제조 방법.The method according to claim 6,
Wherein the adhesive film has a thickness T that is thicker than a thickness T 1 of the first semiconductor element,
Wherein the adherend and the first semiconductor element are wire-bonded to each other, and a difference between the thickness T and the thickness T 1 is not less than 40 μm and not more than 260 μm. 제6항에 있어서,
상기 접착 필름은, 상기 제1 반도체 소자의 두께 T1보다 두꺼운 두께 T를 갖고,
상기 피착체와 상기 제1 반도체 소자가 플립 칩 접속되고, 또한 상기 두께 T와 상기 두께 T1의 차가 10㎛ 이상 200㎛ 이하인 반도체 장치의 제조 방법.The method according to claim 6,
Wherein the adhesive film has a thickness T that is thicker than a thickness T 1 of the first semiconductor element,
Wherein the adherend and the first semiconductor element are flip-chip bonded, and a difference between the thickness T and the thickness T 1 is 10 占 퐉 or more and 200 占 퐉 or less. 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재된 반도체 장치의 제조 방법에 의해 얻어지는 반도체 장치.A semiconductor device obtained by the method for manufacturing a semiconductor device according to any one of claims 6 to 8.
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