[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

KR20140092068A - Positive-type photosensitive resin composition and cured film prepared therefrom - Google Patents

Positive-type photosensitive resin composition and cured film prepared therefrom Download PDF

Info

Publication number
KR20140092068A
KR20140092068A KR1020130004348A KR20130004348A KR20140092068A KR 20140092068 A KR20140092068 A KR 20140092068A KR 1020130004348 A KR1020130004348 A KR 1020130004348A KR 20130004348 A KR20130004348 A KR 20130004348A KR 20140092068 A KR20140092068 A KR 20140092068A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
weight
unsaturated monomer
formula
photosensitive resin
resin composition
Prior art date
Application number
KR1020130004348A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102183741B1 (en
Inventor
박석봉
최경식
권오영
이학주
Original Assignee
롬엔드하스전자재료코리아유한회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 filed Critical 롬엔드하스전자재료코리아유한회사
Priority to KR1020130004348A priority Critical patent/KR102183741B1/en
Publication of KR20140092068A publication Critical patent/KR20140092068A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102183741B1 publication Critical patent/KR102183741B1/en

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0045Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/09Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/11Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2014Contact or film exposure of light sensitive plates such as lithographic plates or circuit boards, e.g. in a vacuum frame
    • G03F7/2016Contact mask being integral part of the photosensitive element and subject to destructive removal during post-exposure processing
    • G03F7/202Masking pattern being obtained by thermal means, e.g. laser ablation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

The present invention relates to a positive type photosensitive resin composition which comprises: copolymers (1) including an organization unit (1-1) induced from an unsaturated monomer containing a carboxyl group, an organization unit (1-2) induced from an unsaturated monomer containing a phenolic hydroxyl group, an organization unit (1-3) induced from an unsaturated monomer containing a lactone group and an organization unit (1-4) induced from an unsaturated monomer different from the organization unit (1-1) through the organization unit (1-3); and a photoresist (2), and to a cured film manufactured thereby. The positive type photosensitive resin composition of the present invention has excellent sensitivity and high normalized thickness after post cure and provides high pattern formability, thereby being usefully applied in manufacture of an insulation film for a liquid crystal display.

Description

포지티브형 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 경화막 {POSITIVE-TYPE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION AND CURED FILM PREPARED THEREFROM}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a positive-working photosensitive resin composition and a cured film prepared therefrom. BACKGROUND OF THE INVENTION < RTI ID =

본 발명은 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 경화막에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 액정표시장치(liquid crystal display; LCD)의 박막 트랜지스터(thin film transistor; TFT) 어레이의 층간 절연막 재료로서 유용하게 사용될 수 있는 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 경화막에 관한 것이다.
The present invention relates to a positive photosensitive resin composition and a cured film prepared therefrom, and more particularly, to a positive photosensitive resin composition useful as an interlayer insulating film material of a thin film transistor (TFT) array of a liquid crystal display And a cured film prepared from the positive photosensitive resin composition.

액정표시장치에 사용되는 TFT 기판은, TFT 소자와 화소 전극을 형성하는 투명 도전막 사이에, TFT 어레이 소자를 보호하기 위한 층간 절연막을 가지며, 절연막에는 TFT 어레이의 드레인 전극과 투명 도전막에 의해 형성되는 배선을 접속하기 위한 컨택 홀(contact hole)이 형성되는데, 이를 위해 절연막은 높은 광투과도, 화학적 안정성 및 우수한 층간 부착력을 가질 것이 요구된다.A TFT substrate used for a liquid crystal display device has an interlayer insulating film for protecting TFT array elements between a TFT element and a transparent conductive film forming a pixel electrode and is formed by a drain electrode of a TFT array and a transparent conductive film A contact hole for connecting the wiring to be formed is formed. For this purpose, the insulating film is required to have high light transmittance, chemical stability, and excellent interlayer adhesion.

이러한 층간 절연막의 소재로 포지티브(positive)형과 네가티브(negative)형 감광성 수지 조성물이 사용된다.Positive type and negative type photosensitive resin compositions are used as the material of the interlayer insulating film.

알칼리 가용성 수지와 1,2-퀴논디아지드 화합물을 포함하는 종래의 포지티브형 감광성 조성물의 노광, 현상후의 후경화(hard bake)시, 그리고 자외선과 같은 단파장 흡수시 열분해되어 착색현상을 일으키거나 불순물을 발생시켜 액정표시장치에서 잔상이 유발되는 문제가 있었다. When a conventional positive photosensitive composition comprising an alkali-soluble resin and a 1,2-quinonediazide compound is subjected to hard bake after exposure, development, and short wavelength absorption such as ultraviolet rays, it is thermally decomposed to cause a coloring phenomenon, There is a problem that a residual image is generated in the liquid crystal display device.

이에 따라, 보다 개선된 물성을 갖는 포지티브형 감광성 수지 조성물에 대한 연구가 다양하게 수행된 바 있다(한국공개특허 제10-2004-0078554호, 한국특허 제10-0758867호, 및 일본공개특허 제2004-286968호 참조). 그러나, 이러한 감광성 수지 조성물은 비교적 높은 투명성을 달성하였지만, 감도면에 있어서 만족스러운 것은 아니었다.
Accordingly, various studies have been made on a positive photosensitive resin composition having improved physical properties (Korean Patent Laid-Open Nos. 10-2004-0078554, Korean Patent 10-0758867, and Japanese Laid-Open Patent Application No. 2004 -286968). However, such a photosensitive resin composition achieves relatively high transparency, but is not satisfactory in terms of sensitivity.

한국공개특허 제10-2004-0078554호Korean Patent Publication No. 10-2004-0078554 한국특허 제10-0758867호Korean Patent No. 10-0758867 일본공개특허 제2004-286968호Japanese Patent Laid-Open No. 2004-286968

따라서, 본 발명의 목적은 우수한 감도 및 후경화 후 높은 잔막률을 가질 뿐만 아니라 높은 패턴 형성성을 제공할 수 있는 포지티브형 감광성 수지 조성물, 및 이로부터 제조된 경화막을 제공하는 것이다.
Accordingly, an object of the present invention is to provide a positive photosensitive resin composition capable of providing a high pattern-forming property as well as having a high sensitivity and a high residual film ratio after post-curing, and a cured film prepared therefrom.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 In order to achieve the above object,

(1) (1-1) 카복실기 함유 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위, (1-2) 페놀성 수산기를 포함하는 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위, (1-3) 락톤기를 포함하는 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위, 및 (1-4) 상기 구성단위 (1-1) 내지 (1-3)과 상이한 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위를 포함하는 공중합체; 및(1) (1) a copolymer comprising a constituent unit derived from a carboxyl group-containing unsaturated monomer, (1-2) a constituent unit derived from an unsaturated monomer containing a phenolic hydroxyl group, (1-3) (1-4) a copolymer comprising a constituent unit derived from an unsaturated monomer different from the constituent units (1-1) to (1-3); And

(2) 감광제(photoactive compound)(2) Photosensitive compound

를 포함하는 감광성 수지 조성물을 제공한다.
The present invention provides a photosensitive resin composition.

본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은 우수한 감도 및 후경화 후의 높은 잔막률을 가질 뿐만 아니라 높은 패턴 형성성을 제공할 수 있어 액정표시장치용 절연막으로 사용될 수 있는 경화막의 제조에 유용하게 사용될 수 있다.
The positive photosensitive resin composition of the present invention can provide a high pattern forming property as well as an excellent sensitivity and a high residual film ratio after curing and can be usefully used in the production of a cured film which can be used as an insulating film for liquid crystal display devices.

본 발명에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물은 (1) (1-1) 카복실기 함유 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위, (1-2) 페놀성 수산기를 포함하는 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위, (1-3) 락톤기를 포함하는 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위, 및 (1-4) 상기 구성단위 (1-1) 내지 (1-3)과 상이한 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위를 포함하는 공중합체; 및 (2) 감광제(photoactive compound)를 포함하며, 필요에 따라, (3) 에폭시계 화합물; (4) 페놀성 화합물; (5) 용매; 및 (6) 기타 성분으로서 (6-1) 계면활성제 및/또는 (6-2) 실란 커플링제를 추가로 포함할 수 있다.
The positive photosensitive resin composition according to the present invention comprises (1) a structural unit derived from a carboxyl group-containing unsaturated monomer, (1-2) a structural unit derived from an unsaturated monomer containing a phenolic hydroxyl group, (1) -3) a copolymer comprising a constituent unit derived from an unsaturated monomer containing a lactone group and (1-4) a constituent unit derived from an unsaturated monomer different from the above constituent units (1-1) to (1-3); And (2) a photoactive compound, and if necessary, (3) an epoxy compound; (4) phenolic compounds; (5) a solvent; And (6) as further components, (6-1) a surfactant and / or (6-2) a silane coupling agent.

이하, 본 발명의 구성 성분에 대하여 구체적으로 설명한다.
Hereinafter, the constituent components of the present invention will be described in detail.

(1) 공중합체(1) Copolymer

상기 공중합체는 (1-1) 카복실기 함유 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위, (1-2) 페놀성 수산기를 포함하는 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위, (1-3) 락톤기를 포함하는 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위, 및 (1-4) 상기 구성단위 (1-1) 내지 (1-3)과 상이한 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위를 포함하며, 필요에 따라 (1-5) 에폭시기를 1개 이상 포함하는 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위를 추가로 포함할 수 있다.
(1) a constituent unit derived from a carboxyl group-containing unsaturated monomer, (1-2) a constituent unit derived from an unsaturated monomer containing a phenolic hydroxyl group, (1-3) an unsaturated monomer containing a lactone group (1-4) a structural unit derived from an unsaturated monomer different from the above-mentioned structural units (1-1) to (1-3), and optionally (1-5) Or more of the constituent units derived from the unsaturated monomer.

(1-1) 카복실기 함유 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위(1-1) a structural unit derived from a carboxyl group-containing unsaturated monomer

상기 카복실기 함유 불포화 단량체는 불포화 모노카복실산, 불포화 디카복실산 및 불포화 트리카복실산 등과 같이 분자 중에 1개 이상의 카복실기를 갖는 불포화 다가 카복실산 등의 불포화 카복실산을 예시할 수 있다. 상기 불포화 모노카복실산으로서는, 예컨대 (메트)아크릴산, 크로톤산, α-클로로아크릴산, 신남산 등을 들 수 있다. 이중에서 현상성의 면에서 (메트)아크릴산이 바람직하고, 메타크릴산이 중합적인 측면에서 보다 바람직하다.The carboxyl group-containing unsaturated monomer may be an unsaturated carboxylic acid such as an unsaturated polycarboxylic acid having at least one carboxyl group in the molecule such as an unsaturated monocarboxylic acid, an unsaturated dicarboxylic acid, and an unsaturated tricarboxylic acid. Examples of the unsaturated monocarboxylic acid include (meth) acrylic acid, crotonic acid,? -Chloroacrylic acid, cinnamic acid and the like. Of these, (meth) acrylic acid is preferable in terms of developability, and methacrylic acid is more preferable in terms of polymerization.

상기 (1-1) 카복실기 함유 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위의 함량은 공중합체 총 중량에 대하여 5 내지 50 중량%, 바람직하게는 16 내지 35 중량%일 수 있다. 상기 범위이면 노광 감도가 향상되며 양호한 현상성을 유지할 수 있다.
The content of the constituent unit derived from the (1-1) carboxyl group-containing unsaturated monomer may be from 5 to 50% by weight, preferably from 16 to 35% by weight, based on the total weight of the copolymer. Within this range, the exposure sensitivity is improved and good developability can be maintained.

(1-2) 페놀성 수산기를 포함하는 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위(1-2) a structural unit derived from an unsaturated monomer containing a phenolic hydroxyl group

상기 페놀성 수산기를 포함하는 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위는 하기 화학식 1로 나타낼 수 있다:The constituent unit derived from the unsaturated monomer containing the phenolic hydroxyl group may be represented by the following general formula (1)

Figure pat00001
Figure pat00001

상기 식에서, In this formula,

R1은 수소, C1-C6 알킬, 할로겐 또는 시아노이고;R 1 is hydrogen, C 1 -C 6 alkyl, halogen or cyano;

R2는 C1-C6 알킬이고, a는 0 내지 4의 정수이며, a가 2 이상의 정수인 경우 복수의 R2는 서로 동일하거나 상이할 수 있고;R 2 is C 1 -C 6 alkyl, a is an integer of 0 to 4, and when a is an integer of 2 or more, a plurality of R 2 s may be the same or different;

b는 1 내지 5의 정수이고, a와 b의 합은 1 내지 5의 정수이며;b is an integer from 1 to 5, the sum of a and b is an integer from 1 to 5;

Y는 단일결합 또는 C1-C6 알킬렌이고;Y is a single bond or C 1 -C 6 alkylene;

상기 알킬 및 알킬렌은 하나 이상의 할로겐, 니트로, C1-C6 알콕시 또는 C6-C12 아릴로 치환될 수 있다. The alkyl and alkylene may be substituted with one or more halogen, nitro, C 1 -C 6 alkoxy or C 6 -C 12 aryl.

페놀성 수산기를 포함하는 불포화 단량체의 구체적인 예로는 p-히드록시페닐(메트)아크릴레이트, m-히드록시페닐(메트)아크릴레이트, p-히드록시페닐메틸(메트)아크릴레이트, p-히드록시페닐메틸-α-클로로아크릴레이트, m-히드록시페닐메틸(메트)아크릴레이트, 2-(p-히드록시페닐)에틸(메트)아크릴레이트, 2-(p-히드록시페닐)에틸-α-트리플루오로메틸아크릴레이트, 2-(p-히드록시페닐)에틸-α-클로로아크릴레이트, 2-(p-히드록시페닐)에틸-α-브로모아크릴레이트, 2-(p-히드록시페닐)에틸-α-시아노아크릴레이트, 2-(m-히드록시페닐)에틸(메트)아크릴레이트, 2-(3,5-디히드록시페닐)에틸(메트)아크릴레이트, 2-(3,5-디메틸-4-히드록시페닐)에틸(메트)아크릴레이트, 1-(p-히드록시페닐)-1-메틸에틸(메트)아크릴레이트, 1-(m-히드록시페닐)-1-메틸에틸(메트)아크릴레이트, 1-(3,5-디히드록시페닐)-1-메틸에틸(메트)아크릴레이트 및 이들의 혼합물을 들 수 있다. Specific examples of the unsaturated monomer containing a phenolic hydroxyl group include p-hydroxyphenyl (meth) acrylate, m-hydroxyphenyl (meth) acrylate, p-hydroxyphenylmethyl (meth) (Meth) acrylate, 2- (p-hydroxyphenyl) ethyl- (meth) acrylate, 2- 2- (p-hydroxyphenyl) ethyl- alpha -chloroacrylate, 2- (p-hydroxyphenyl) ethyl- alpha -bromoacrylate, 2- 2- (3-hydroxyphenyl) ethyl (meth) acrylate, 2- (3,5-dihydroxyphenyl) ethyl (meth) acrylate, 2- (Meth) acrylate, 1- (m-hydroxyphenyl) ethyl (meth) acrylate, 1- Ethyl (meth) acrylate, 1- ( 3,5-dihydroxyphenyl) -1-methylethyl (meth) acrylate, and mixtures thereof.

상기 (1-2) 페놀성 수산기를 포함하는 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위의 함량은 공중합체 총 중량에 대하여 5 내지 40 중량%, 바람직하게는 5 내지 30 중량%일 수 있다. 상기 범위이면 높은 패턴 형성성을 구현할 수 있다.
The content of the constituent unit derived from the (1-2) unsaturated monomer containing a phenolic hydroxyl group may be 5 to 40% by weight, preferably 5 to 30% by weight based on the total weight of the copolymer. Within this range, a high pattern forming property can be realized.

(1-3) 락톤기를 포함하는 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위(1-3) a structural unit derived from an unsaturated monomer containing a lactone group

상기 락톤기를 포함하는 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위는 하기 화학식 2로 나타낼 수 있다:The constitutional unit derived from the unsaturated monomer containing the lactone group may be represented by the following general formula (2)

Figure pat00002
Figure pat00002

상기 식에서, In this formula,

R3은 수소, C1-C6 알킬, 할로겐 또는 시아노이고;R 3 is hydrogen, C 1 -C 6 alkyl, halogen or cyano;

R4는 C1-C6 알킬이고, m은 0 내지 11의 정수이며, m이 2 이상의 정수인 경우 복수의 R4는 서로 동일하거나 상이할 수 있고;R 4 is C 1 -C 6 alkyl, m is an integer of 0 to 11, and m is an integer of 2 or more, the plurality of R 4 may be the same or different from each other;

n은 0 내지 4의 정수이고, m≤2n+3이며;n is an integer from 0 to 4, m? 2n + 3;

X는 단일결합 또는 C1-C6 알킬렌이고;X is a single bond or C 1 -C 6 alkylene;

상기 알킬 및 알킬렌은 하나 이상의 할로겐, 니트로, C1-C6 알콕시 또는 C6-C12 아릴로 치환될 수 있다.The alkyl and alkylene may be substituted with one or more halogen, nitro, C 1 -C 6 alkoxy or C 6 -C 12 aryl.

락톤기를 포함하는 불포화 단량체의 구체적인 예로는 α-(메트)아크릴로일옥시-γ-부티로락톤, α-(2-트리플루오로메틸)아크릴로일옥시-γ-부티로락톤, α-(2-클로로)아크릴로일옥시-γ-부티로락톤, α-(2-브로모)아크릴로일옥시-γ-부티로락톤, α-(2-시아노)아크릴로일옥시-γ-부티로락톤, α-(메트)아크릴로일옥시-α-메틸-γ-부티로락톤, α-(메트)아크릴로일옥시-α-에틸-γ-부티로락톤, α-(메트)아크릴로일옥시-β,β-디메틸-γ-부티로락톤, α-(2-클로로)아크릴로일옥시-β,β-디메틸-γ-부티로락톤, β-(메트)아크릴로일옥시-γ-부티로락톤, β-(메트)아크릴로일옥시-β-메틸-γ-부티로락톤, α-(1-(메트)아크릴로일옥시-1-메틸)에틸-γ-부티로락톤, β-(메트)아크릴로일옥시-δ-발레로락톤, β-(메트)아크릴로일옥시-β-메틸-δ-발레로락톤 및 이들의 혼합물을 들 수 있다. Specific examples of the unsaturated monomer containing a lactone group include? - (meth) acryloyloxy-? -Butyrolactone,? - (2-trifluoromethyl) acryloyloxy-? -Butyrolactone, (2-chloro) acryloyloxy- gamma -butyrolactone, alpha - (2-bromo) acryloyloxy- gamma -butyrolactone, alpha - (2-cyano) acryloyloxy- (Meth) acryloyloxy-? -Methyl-? -Butyrolactone,? - (meth) acryloyloxy-? -Ethyl-? -Butyrolactone,? - (2-chloro) acryloyloxy- beta, beta -dimethyl- gamma -butyrolactone, beta - (meth) acryloyloxy-gamma -butyrolactone, -Butyrolactone,? - (meth) acryloyloxy-? -Methyl-? -Butyrolactone,? - (1- (meth) acryloyloxy- ? - (meth) acryloyloxy-? -valerolactone,? - (meth) acryloyloxy-? -methyl-? - valerolactone, and mixtures thereof.

상기 (1-3) 락톤기를 포함하는 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위의 함량은 공중합체 총 중량에 대하여 1 내지 20 중량%, 바람직하게는 1 내지 15 중량%일 수 있다. 상기 범위이면 현상액에 대한 현상성과 노광 감도가 향상될 수 있다.
The content of the constituent unit derived from the (1-3) unsaturated monomer containing a lactone group may be 1 to 20% by weight, preferably 1 to 15% by weight based on the total weight of the copolymer. Within this range, the developing performance and exposure sensitivity for a developing solution can be improved.

(1-4) 상기 구성단위 (1-1) 내지 (1-3)과 상이한 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위(1-4) Structural units derived from unsaturated monomers different from the above-mentioned constituent units (1-1) to (1-3)

상기 구성단위 (1-1) 내지 (1-3)과 상이한 불포화 단량체의 구체적인 예로는 방향족환 함유 에틸렌성 불포화 단량체, N-치환 말레이미드 단량체, 기타 에틸렌성 불포화 단량체를 들 수 있다. Specific examples of the unsaturated monomers differing from the structural units (1-1) to (1-3) include aromatic ring-containing ethylenically unsaturated monomers, N-substituted maleimide monomers and other ethylenically unsaturated monomers.

상기 방향족환 함유 에틸렌성 불포화 단량체의 구체적인 예로는 페닐(메트)아크릴레이트, 벤질(메트)아크릴레이트, 2-페녹시에틸(메트)아크릴레이트, 페녹시디에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, p-노닐페녹시폴리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, p-노닐페녹시폴리프로필렌글리콜(메트)아크릴레이트, 트리브로모페닐(메트)아크릴레이트; 스티렌; 메틸스티렌, 디메틸스티렌, 트리메틸스티렌, 에틸스티렌, 디에틸스티렌, 트리에틸스티렌, 프로필스티렌, 부틸스티렌, 헥실스티렌, 헵틸스티렌, 옥틸스티렌과 같은 알킬 치환기를 갖는 스티렌; 플루오로스티렌, 클로로스티렌, 브로모스티렌, 요오드스티렌과 같은 할로겐을 갖는 스티렌; 메톡시스티렌, 에톡시스티렌, 프로폭시스티렌과 같은 알콕시 치환기를 갖는 스티렌; 아세틸스티렌, 비닐톨루엔, 디비닐벤젠, (o,m,p)-비닐벤질메틸에테르, (o,m,p)-비닐벤질글리시딜에테르로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 적어도 1종 이상을 들 수 있고, 특히, 중합성 측면에서 바람직하게는 스티렌을 들 수 있고, 잔막률 측면에서 바람직하게는 벤질(메트)아크릴레이트 또는 페닐(메트)아크릴레이트를 들 수 있다. Specific examples of the aromatic ring-containing ethylenic unsaturated monomer include phenyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, 2-phenoxyethyl (meth) acrylate, phenoxydiethylene glycol (meth) acrylate, Phenoxypolyethylene glycol (meth) acrylate, p-nonylphenoxypolypropylene glycol (meth) acrylate, tribromophenyl (meth) acrylate; Styrene; Styrene having alkyl substituents such as methylstyrene, dimethylstyrene, trimethylstyrene, ethylstyrene, diethylstyrene, triethylstyrene, propylstyrene, butylstyrene, hexylstyrene, heptylstyrene and octylstyrene; Styrene having a halogen such as fluorostyrene, chlorostyrene, bromostyrene, and iodostyrene; Styrene having an alkoxy substituent such as methoxystyrene, ethoxystyrene, propoxystyrene; At least one selected from the group consisting of acetyl styrene, vinyl toluene, divinyl benzene, (o, m, p) -vinylbenzyl methyl ether and (o, m, p) -vinyl benzyl glycidyl ether In particular, styrene is preferable from the viewpoint of polymerizability, and benzyl (meth) acrylate or phenyl (meth) acrylate is preferable in view of the residual film ratio.

상기 N-치환 말레이미드 단량체의 예로는 N-메틸말레이미드, N-에틸말레이미드, N-프로필말레이미드, N-이소프로필말레이미드, N-부틸말레이미드, N-이소부틸말레이미드, N-t-부틸말레이미드, N-시클로헥실말레이미드, N-벤질말레이미드, N-페닐말레이미드, N-클로로페닐말레이미드, N-메틸페닐말레이미드, N-브로모페닐말레이미드, N-메톡시페닐말레이미드, N-카복시페닐말레이미드, N-니트로페닐말레이미드, N-나프틸말레이미드 또는 그 혼합물을 들 수 있고, 바람직하게는 잔막률 향상 측면에서 N-페닐말레이미드, N-시클로헥실말레이미드 또는 그 혼합물을 들 수 있고, 보다 바람직하게는 N-페닐말레이미드를 들 수 있다.Examples of the N-substituted maleimide monomer include N-methylmaleimide, N-ethylmaleimide, N-propylmaleimide, N-isopropylmaleimide, N-butylmaleimide, N-isobutylmaleimide, Butyl maleimide, N-cyclohexyl maleimide, N-benzyl maleimide, N-phenyl maleimide, N-chlorophenyl maleimide, N-methylphenyl maleimide, N-bromophenyl maleimide, Carboxyphenylmaleimide, N-nitrophenylmaleimide, N-naphthylmaleimide, or a mixture thereof, and it is preferable to use N-phenylmaleimide, N-cyclohexylmaleimide, Or a mixture thereof, and more preferably N-phenylmaleimide.

상기 기타 에틸렌성 불포화 단량체의 구체적인 예로는 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트, 디메틸아미노에틸(메트)아크릴레이트, 이소부틸(메트)아크릴레이트, t-부틸(메트)아크릴레이트, 시클로헥실(메트)아크릴레이트, 에틸헥실(메트)아크릴레이트, 테트라히드로퍼프릴(메트)아크릴레이트, 히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 2-히드록시-3-클로로프로필(메트)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메트)아크릴레이트, 디메틸아미노에틸(메트)아크릴레이트, 글리세롤(메트)아크릴레이트, 메틸 α-히드록시메틸아크릴레이트, 에틸 α-히드록시메틸아크릴레이트, 프로필 α-히드록시메틸아크릴레이트, 부틸 α-히드록시메틸아크릴레이트, 2-메톡시에틸(메트)아크릴레이트, 3-메톡시부틸(메트)아크릴레이트, 에톡시디에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 메톡시트리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 메톡시트리프로필렌글리콜(메트)아크릴레이트, 폴리(에틸렌글리콜)메틸에테르(메트)아크릴레이트, 테트라플루오로프로필(메트)아크릴레이트, 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로이소프로필(메트)아크릴레이트, 옥타플루오로펜틸(메트)아크릴레이트, 헵타데카플루오로데실(메트)아크릴레이트, 이소보닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐옥시에틸(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시에틸(메트)아크릴레이트를 포함하는 불포화 카복실산 에스테르류; N-비닐피롤리돈, N-비닐카바졸 및 N-비닐모폴린과 같은 N-비닐을 포함하는 N-비닐 삼차아민류; 비닐메틸에테르 및 비닐에틸에테르를 포함하는 불포화 에테르류를 들 수 있다.Specific examples of the other ethylenic unsaturated monomer include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, dimethylaminoethyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) Hydroxypropyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, ethylhexyl (meth) acrylate, tetrahydroperfuryl (Meth) acrylate, glycerol (meth) acrylate, methyl? -Hydroxy (meth) acrylate, 2-hydroxy-3-chloropropyl (Meth) acrylates such as methyl acrylate, ethyl? -Hydroxymethyl acrylate, propyl? -Hydroxymethylacrylate, butyl? -Hydroxymethylacrylate, 2-methoxyethyl (Meth) acrylate, methoxytriethylene glycol (meth) acrylate, methoxytriethylene glycol (meth) acrylate, poly (ethylene glycol) methyl ether (Meth) acrylate, tetrafluoropropyl (meth) acrylate, 1,1,1,3,3,3-hexafluoroisopropyl (meth) acrylate, octafluoropentyl (meth) acrylate, heptadecafluorodecyl (Meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate, dicyclopentenyl (meth) acrylate, dicyclopentenyl (meth) acrylate, Unsaturated carboxylic acid esters including acrylate; N-vinyl tertiary amines including N-vinyl, such as N-vinylpyrrolidone, N-vinylcarbazole and N-vinylmorpholine; And unsaturated ethers including vinyl methyl ether and vinyl ethyl ether.

상기 (1-1) 내지 (1-3)과 상이한 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위 (1-4)의 함량은 공중합체 총 중량에 대하여 15 내지 70 중량%, 바람직하게는 20 내지 50 중량%일 수 있다. 상기 범위이면 패턴 형성성이 우수하다.
The content of the constituent unit (1-4) derived from the unsaturated monomer different from the above (1-1) to (1-3) is 15 to 70% by weight, preferably 20 to 50% by weight based on the total weight of the copolymer . Within this range, the pattern forming property is excellent.

(1-5) 에폭시기를 1개 이상 포함하는 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위(1-5) Structural unit derived from an unsaturated monomer containing at least one epoxy group

본 발명에서 구성단위 (1-5)는 에폭시기를 1개 이상 포함하는 불포화 단량체로부터 유도되며, 에폭시기를 1개 이상 포함하는 불포화 단량체의 구체적인 예로는 글리시딜(메트)아크릴레이트, 4-히드록시부틸아크릴레이트글리시딜에테르, 3,4-에폭시부틸(메트)아크릴레이트, 4,5-에폭시펜틸(메트)아크릴레이트, 5,6-에폭시헥실(메트)아크릴레이트, 6,7-에폭시헵틸(메트)아크릴레이트, 2,3-에폭시시클로펜틸(메트)아크릴레이트, 3,4-에폭시시클로헥실(메트)아크릴레이트, α-에틸글리시딜아크릴레이트, α-n-프로필글리시딜아크릴레이트, α-n-부틸글리시딜아크릴레이트, N-(4-(2,3-에폭시프로폭시)-3,5-디메틸벤질)아크릴아미드, N-(4-2,3-에폭시프로폭시)-3,5-디메틸페닐프로필)아크릴아미드, 알릴글리시딜에테르, 2-메틸알릴글리시딜에테르 및 이들의 혼합물을 들 수 있으며, 바람직하게는 상온 보관안정성 및 용해성의 면에서 글리시딜(메트)아크릴레이트, 4-히드록시부틸아크릴레이트글리시딜에테르 및 이들의 혼합물을 들 수 있다. In the present invention, the constituent unit (1-5) is derived from an unsaturated monomer containing at least one epoxy group, and specific examples of the unsaturated monomer containing at least one epoxy group include glycidyl (meth) acrylate, 4-hydroxy Butyl acrylate glycidyl ether, 3,4-epoxybutyl (meth) acrylate, 4,5-epoxypentyl (meth) acrylate, 5,6-epoxyhexyl (meth) acrylate, (Meth) acrylate, 2,3-epoxycyclopentyl (meth) acrylate, 3,4-epoxycyclohexyl (meth) acrylate, -ethylglycidyl acrylate, (4- (2,3-epoxypropoxy) -3,5-dimethylbenzyl) acrylamide, N- (4-2,3-epoxypropoxy ) -3,5-dimethylphenylpropyl) acrylamide, allyl glycidyl ether, 2-methylallyl glycidyl ether, and mixtures thereof. It said, and preferably there may be mentioned glycidyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl acrylate glycidyl ether and mixtures thereof in terms of the room temperature storage stability and solubility.

상기 (1-5) 에폭시기를 1개 이상 포함하는 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위의 함량은 공중합체 총 중량에 대하여 0 내지 50 중량%, 바람직하게는 1 내지 40 중량%, 더욱 바람직하게는 10 내지 35 중량%일 수 있다. 상기 범위이면 조성물의 저장안정성이 유지되고, 후경화후 잔막률 향상에 유리하다.
The content of the constituent unit derived from the unsaturated monomer containing at least one of (1-5) epoxy groups is 0 to 50% by weight, preferably 1 to 40% by weight, more preferably 10 to 30% by weight, 35% by weight. Within this range, the storage stability of the composition is maintained and it is advantageous to improve the residual film ratio after the post-curing.

본 발명에서, (메트)아크릴이란 아크릴 및/또는 메타크릴을, (메트)아크릴레이트란 아크릴레이트 및/또는 메타크릴레이트를 말한다. In the present invention, (meth) acryl is acrylic and / or methacrylic, and (meth) acrylate is acrylate and / or methacrylate.

또한, 본 발명에 사용되는 공중합체는 500 내지 50,000, 바람직하게는 1,000 내지 50,000, 더욱 바람직하게는 3,000 내지 30,000의 중량평균분자량을 가질 수 있다. 상기 범위의 중량평균분자량을 가지는 경우 기판에의 부착성이 향상되며, 우수한 물리적 성질 및 내화학성을 가진다. 상기 중량평균분자량은 겔 투과 크로마토그래피(gel permeation chromatography; GPC, 테트라히드로퓨란을 용출용매로 함)로 측정한 폴리스티렌 환산의 중량평균분자량을 말한다.In addition, the copolymer used in the present invention may have a weight average molecular weight of 500 to 50,000, preferably 1,000 to 50,000, more preferably 3,000 to 30,000. When the weight average molecular weight is in the above range, adhesion to a substrate is improved, and excellent physical properties and chemical resistance are obtained. The weight average molecular weight refers to the weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography (GPC, tetrahydrofuran as an elution solvent).

본 발명에 사용되는 공중합체는 공지의 방법으로 합성될 수 있다.The copolymer used in the present invention can be synthesized by a known method.

상기 공중합체의 함량은 잔부량의 용매를 제외한 감광성 수지 조성물 전체 중량에 대하여 50 내지 95 중량%, 바람직하게는 60 내지 85 중량%일 수 있다. 상기의 범위이면 현상후의 패턴 현상이 양호하고, 잔막률 및 내화학성 등의 특성이 향상된다.
The content of the copolymer may be 50 to 95% by weight, preferably 60 to 85% by weight based on the total weight of the photosensitive resin composition excluding the remaining amount of the solvent. Within the above range, pattern development after development is favorable, and characteristics such as residual film ratio and chemical resistance are improved.

(2) 감광제(2) Photosensitizer

본 발명의 감광성 수지 조성물은 상기 감광제로서 g, h, i-선(ray)에 감응하는 퀴논디아지드계 감광제를 포함할 수 있으며, 상기 퀴논디아지드계 감광제는 방사선의 조사에 의해 카복실산을 발생하는 1,2-퀴논디아지드 화합물이고, 페놀성 화합물 또는 알코올성 화합물(이하, 「모핵」이라 함)과 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산할라이드의 축합물을 사용할 수 있다.The photosensitive resin composition of the present invention may contain a quinonediazide-based photosensitizer sensitive to g, h, i-ray as the photosensitizer, and the quinonediazide-based photosensitizer may be a compound which generates a carboxylic acid A condensation product of a 1,2-quinonediazide compound and a phenolic compound or an alcoholic compound (hereinafter referred to as " parent compound ") and 1,2-naphthoquinonediazidesulfonic acid halide can be used.

상기 모핵으로서는, 예를 들면 트리히드록시벤조페논, 테트라히드록시벤조페논, 펜타히드록시벤조페논, 헥사히드록시벤조페논 또는 (폴리히드록시페닐)알칸 등일 수 있다.Examples of the above-mentioned mother nucleus may be trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, pentahydroxybenzophenone, hexahydroxybenzophenone, or (polyhydroxyphenyl) alkane.

이들의 구체적인 예로는, 예를 들면 트리히드록시벤조페논으로서 2,3,4-트리히드록시벤조페논, 2,4,6-트리히드록시벤조페논 등; 테트라히드록시벤조페논으로서, 2,2',4,4'-테트라히드록시벤조페논, 2,3,4,3'-테트라히드록시벤조페논, 2,3,4,4'-테트라히드록시벤조페논, 2,3,4,2'-테트라히드록시-4'-메틸벤조페논, 2,3,4,4'-테트라히드록시-3'-메톡시벤조페논 등; 펜타히드록시벤조페논으로서, 2,3,4,2',6'-펜타히드록시벤조페논 등; 헥사히드록시벤조페논으로서 2,4,6,3',4',5'-헥사히드록시벤조페논, 3,4,5,3',4',5'-헥사히드록시벤조페논 등; (폴리히드록시페닐)알칸으로서, 비스(2,4-디히드록시페닐)메탄, 비스(p-히드록시페닐)메탄, 트리(p-히드록시페닐)메탄, 1,1,1-트리(p-히드록시페닐)에탄, 비스(2,3,4-트리히드록시페닐)메탄, 2,2-비스(2,3,4-트리히드록시페닐)프로판, 1,1,3-트리스(2,5-디메틸-4-히드록시페닐)-3-페닐프로판, 4,4'-[1-[4-[1-[4-히드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀, 비스(2,5-디메틸-4-히드록시페닐)-2-히드록시페닐메탄, 3,3,3',3'-테트라메틸-1,1'스피로비인덴-5,6,7,5',6',7'-헥산올, 2,2,4-트리메틸-7,2',4'-트리히드록시프로판 등; 그 밖의 모핵으로서, 2-메틸-2-(2,4-디히드록시페닐)-4-(4-히드록시페닐)-7-히드록시크로멘, 2-[비스{(5-이소프로필-4-히드록시-2-메틸)페닐}메틸]벤젠, 1-[1-(3-{1-(4-히드록시페닐)-1-메틸에틸}-4,6-디히드록시페닐)-1-메틸에틸]-3-(1-(3-{1-(4-히드록시페닐)-1-메틸에틸}-4,6-디히드록시페닐)-1-메틸에틸)벤젠, 4,6-비스{1-(4-히드록시페닐)-1-메틸에틸}-1,3-디히드록시벤젠일 수 있다. Specific examples thereof include 2,3,4-trihydroxybenzophenone, 2,4,6-trihydroxybenzophenone and the like as trihydroxybenzophenone; Examples of the tetrahydroxybenzophenone include 2,2 ', 4,4'-tetrahydroxybenzophenone, 2,3,4,3'-tetrahydroxybenzophenone, 2,3,4,4'-tetrahydroxy Benzophenone, 2,3,4,2'-tetrahydroxy-4'-methylbenzophenone, 2,3,4,4'-tetrahydroxy-3'-methoxybenzophenone and the like; As the pentahydroxybenzophenone, 2,3,4,2 ', 6'-pentahydroxybenzophenone and the like; 2,4,6,3 ', 4', 5'-hexahydroxybenzophenone, 3,4,5,3 ', 4', 5'-hexahydroxybenzophenone and the like as hexahydroxybenzophenone; (P-hydroxyphenyl) methane, tri (p-hydroxyphenyl) methane, 1,1,1-tri (p-hydroxyphenyl) methane, (2,3,4-trihydroxyphenyl) methane, 2,2-bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) propane, 1,1,3-tris 4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] pyrimidin- Bisphenol, bis (2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) -2-hydroxyphenylmethane, 3,3,3 ', 3'-tetramethyl-1,1' spirobindene- , 5 ', 6', 7'-hexanol, 2,2,4-trimethyl-7,2 ', 4'-trihydroxypropane and the like; (2,4-dihydroxyphenyl) -4- (4-hydroxyphenyl) -7-hydroxychromene, 2- [bis { Methyl] benzene, 1- [1- (3- {1- (4-hydroxyphenyl) -1- methylethyl} -4,6-dihydroxyphenyl) - 1-methylethyl) benzene, 4, 6-dihydroxyphenyl) -1- Bis {1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl} -1,3-dihydroxybenzene.

또한, 상기 예시한 모핵의 에스테르 결합을 아미드 결합으로 변경한 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산아미드류, 예를 들면 2,3,4-트리히드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산아미드 등도 바람직하게 사용된다. In addition, 1,2-naphthoquinonediazidesulfonic acid amides in which the ester bond of the above-mentioned mother nucleus is changed to an amide bond, for example, 2,3,4-trihydroxybenzophenone-1,2-naphthoquinone Diazide-4-sulfonic acid amide and the like are also preferably used.

또한, 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산할라이드로는, 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산클로라이드가 바람직하고, 그 구체적인 예로는 1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산클로라이드 및 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산클로라이드를 들 수 있다. 이 중, 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산클로라이드를 사용하는 것이 바람직하다.As the 1,2-naphthoquinonediazide sulfonic acid halide, 1,2-naphthoquinonediazide sulfonic acid chloride is preferable, and specific examples thereof include 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid chloride and 1,2- 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride. Among them, 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride is preferably used.

축합 반응에 사용하는 모핵과 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산할라이드의 사용량은 모핵 1 몰에 대하여 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산할라이드 1.0 내지 6.0 몰, 바람직하게는 1.0 내지 5.0 몰일 수 있다. 축합 반응은 공지된 방법에 의해 실시할 수 있다.The amount of 1,2-naphthoquinonediazide sulfonic acid halide used in the condensation reaction and the amount of 1,2-naphthoquinonediazide sulfonic acid halide used may be 1.0 to 6.0 moles, preferably 1.0 to 5.0 moles, of 1,2-naphthoquinonediazide sulfonic acid halide per mole of the mother nucleus have. The condensation reaction can be carried out by a known method.

상기 퀴논디아지드계 감광제는 우수한 감도, 높은 잔막률 측면에서, 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물일 수 있다:The quinone diazide-based photosensitive agent may be a compound represented by the following formula (3) in terms of excellent sensitivity and high residual film ratio:

Figure pat00003
Figure pat00003

상기 식에서, In this formula,

R은 각각 독립적으로 수소, 또는 하기 화학식 3a 또는 3b의 화합물이고, 이중에서 적어도 하나는 화학식 3a 또는 3b의 화합물이다.Each R is independently hydrogen or a compound of formula 3a or 3b wherein at least one is a compound of formula 3a or 3b.

[화학식 3a][Chemical Formula 3]

Figure pat00004
Figure pat00004

[화학식 3b](3b)

Figure pat00005
Figure pat00005

상기 감광제는 공중합체 100 중량부(고형분 함량기준)에 대하여 0.5 내지 40 중량부, 바람직하게는 10 내지 30 중량부의 양으로 사용할 수 있다. 상기 범위에서 우수한 감도 및 우수한 현상성을 발휘할 수 있다.
The photosensitive agent may be used in an amount of 0.5 to 40 parts by weight, preferably 10 to 30 parts by weight based on 100 parts by weight (based on the solid content) of the copolymer. Excellent sensitivity and excellent developability can be exhibited in the above range.

(3) 에폭시계 화합물(3) Epoxy compound

본 발명에 사용되는 에폭시계 화합물은 하기 화학식 4의 반복단위를 포함하는 화합물이다:The epoxy-based compound used in the present invention is a compound containing a repeating unit represented by the following formula (4)

Figure pat00006
Figure pat00006

상기 식에서, In this formula,

R5는 수소 또는 C1-C4 알킬이고; R 5 is hydrogen or C 1 -C 4 Alkyl;

R6는 C1-C10 알킬렌, 페닐렌, C3-C10 시클로알킬렌, C3-C10 헤테로시클로알킬렌 또는 C2-C10 헤테로알킬렌이며, 상기 R6는 하나 이상의 히드록시기로 치환될 수 있다.R 6 is C 1 -C 10 alkylene, phenylene, C 3 -C 10 cycloalkylene, C 3 -C 10 heterocycloalkylene, or C 2 -C 10 heteroalkylene, wherein R 6 is at least one hydroxy group . ≪ / RTI >

본 발명에서 사용되는 "헤테로알킬렌"이라는 용어는 다른 언급이 없으면 사슬 내에 O, S, N 중에서 선택된 하나 이상의 헤테로원자를 함유하는 알킬렌을 의미한다. The term "heteroalkylene" as used herein, unless otherwise indicated, means an alkylene containing one or more heteroatoms selected from O, S, and N in the chain.

상기 화학식 4에서 R5의 구체적인 예로는 수소, 메틸, 에틸, 프로필, n-부틸, 이소부틸 및 tert-부틸 등을 들 수 있으며, 바람직하게는 수소 또는 메틸일 수 있다.Specific examples of R 5 in the above formula (4) include hydrogen, methyl, ethyl, propyl, n-butyl, isobutyl and tert-butyl, preferably hydrogen or methyl.

R6의 구체적인 예로는 메틸렌, 에틸렌, 프로필렌, 부틸렌, 펜틸렌, 헥실렌, 헵틸렌, 옥틸렌, 노닐렌, 데실렌, -C2H4-O-C2H4-, -C4H8-O-C4H8-, -C4H8-O-CH3-, -C4H8-O-C2H4-, -C2H4-O-CH3-, -C2H4-COO-C2H4-, -C4H8-COO-C4H8-, -C4H8-COO-CH3-, -C4H8-COO-C2H4-, -C2H4-COO-CH3-, -C2H4-OCONH-C2H4-, 및 -C2H4-CH(OH)-C2H4- 등을 들 수 있으며, 바람직하게는 메틸렌 또는 -C4H8-O-CH3-일 수 있다. Specific examples of R 6 include methylene, ethylene, propylene, butylene, pentylene, hexylene, heptylene, octylene, nonylene, decylene, -C 2 H 4 -OC 2 H 4 -, -C 4 H 8 -OC 4 H 8 -, -C 4 H 8 -O-CH 3 -, -C 4 H 8 -OC 2 H 4 -, -C 2 H 4 -O-CH 3 -, -C 2 H 4 -COO -C 2 H 4 -, -C 4 H 8 -COO-C 4 H 8 -, -C 4 H 8 -COO-CH 3 -, -C 4 H 8 -COO-C 2 H 4 -, -C 2 H 4 -COO-CH 3 -, -C 2 H 4 -OCONH-C 2 H 4 -, and -C 2 H 4 -CH (OH) -C 2 H 4 - and the like, preferably methylene Or -C 4 H 8 -O-CH 3 -.

본 발명에 사용되는 화학식 4의 반복단위를 포함하는 에폭시계 화합물의 중량평균분자량은 1,000 내지 9,000, 바람직하게는 1,000 내지 7,000, 더욱 바람직하게는 2,000 내지 5,000일 수 있다. 상기 범위의 중량평균분자량을 가지는 경우 부착성이 향상되며, 우수한 내화학성을 가진다. 상기 중량평균분자량은 겔 투과 크로마토그래피(gel permeation chromatography; GPC, 테트라히드로퓨란을 용출용매로 함)로 측정한 폴리스티렌 환산의 중량평균분자량을 말한다.The weight average molecular weight of the epoxy compound containing the repeating unit represented by the formula (4) used in the present invention may be 1,000 to 9,000, preferably 1,000 to 7,000, more preferably 2,000 to 5,000. When the weight average molecular weight is in the above range, the adhesion is improved and excellent chemical resistance is obtained. The weight average molecular weight refers to the weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography (GPC, tetrahydrofuran as an elution solvent).

상기 에폭시계 화합물은 알려져 있는 방법으로 합성될 수 있다.The epoxy compound can be synthesized by a known method.

상기 에폭시계 화합물은 공중합체 100 중량부(고형분 함량기준)에 대하여 0.5 내지 30 중량부, 바람직하게는 2 내지 20 중량부의 양으로 사용할 수 있다. 상기 범위이면 우수한 잔막율 및 내화학성을 구현할 수 있다.
The epoxy compound may be used in an amount of 0.5 to 30 parts by weight, preferably 2 to 20 parts by weight based on 100 parts by weight (based on the solid content) of the copolymer. Within this range, excellent residual film ratios and chemical resistance can be realized.

(4) 페놀성 화합물(4) Phenolic compound

본 발명에 사용되는 페놀성 화합물은 하기 화학식 5 또는 6의 구조를 갖는 화합물이거나 이들 둘다이다:The phenolic compound used in the present invention is a compound having the structure of the following formula 5 or 6, or both:

Figure pat00007
Figure pat00007

Figure pat00008
Figure pat00008

상기 식에서, In this formula,

R7, R8 및 R9은 각각 독립적으로 C1-C6 알킬렌 또는 C6-C12 아릴렌이고, 상기 알킬렌 및 아릴렌은 하나 이상의 할로겐, 니트로, C1-C6 알킬, C1-C6 알콕시 또는 C6-C12 아릴로 치환될 수 있다.R 7 , R 8 and R 9 are each independently C 1 -C 6 alkylene or C 6 -C 12 arylene, wherein said alkylene and arylene are optionally substituted by one or more of halogen, nitro, C 1 -C 6 alkyl, C 1 -C 6 alkoxy, or which may be substituted with C 6 -C 12 aryl.

상기 페놀성 화합물의 구체예로서는 하기 화학식 7 및 8의 화합물을 들 수 있다.Specific examples of the phenolic compound include compounds represented by the following formulas (7) and (8).

Figure pat00009
Figure pat00009

Figure pat00010
Figure pat00010

상기 페놀성 화합물은 공중합체 100 중량부(고형분 함량기준)에 대하여 0.2 내지 30 중량부, 바람직하게는 3 내지 25 중량부의 양으로 사용할 수 있다. 상기 범위이면 고감도이면서 우수한 현상성을 발휘할 수 있다.
The phenolic compound may be used in an amount of 0.2 to 30 parts by weight, preferably 3 to 25 parts by weight based on 100 parts by weight (based on the solid content) of the copolymer. Within this range, high sensitivity and excellent developability can be exhibited.

(5) 용매(5) Solvent

본 발명의 감광성 수지 조성물은 통상적인 방법에 의해 제조될 수 있으며, 바람직하게는 상기한 성분들을 용매와 혼합한 액상 조성물로 제조될 수 있다. 본 발명에 따른 감광성 수지 조성물에 있어서, 용매의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 얻어지는 감광성 수지 조성물의 도포성, 안정성 등의 관점에서, 조성물 총 중량을 기준으로 고형분 함량이 5 내지 70 중량%, 바람직하게는 10 내지 50 중량%가 되도록 용매를 포함할 수 있다. The photosensitive resin composition of the present invention may be prepared by a conventional method, and preferably, a liquid composition in which the above-mentioned components are mixed with a solvent. In the photosensitive resin composition according to the present invention, the content of the solvent is not particularly limited, but from the viewpoint of coatability and stability of the resulting photosensitive resin composition, the solid content is preferably 5 to 70% by weight based on the total weight of the composition, May be from 10 to 50% by weight.

상기에서 고형분이란 본 발명의 조성물에서 용매를 제거한 것을 의미한다.In the above, the solid content means that the solvent is removed from the composition of the present invention.

이러한 용매의 구체적인 예로는 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 등의 에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류; 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노프로필에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르 등의 프로필렌글리콜모노알킬에테르류; 프로필렌글리콜디메틸에테르, 프로필렌글리콜디에틸에테르, 프로필렌글리콜디프로필에테르, 프로필렌글리콜디부틸에테르 등의 프로필렌글리콜디알킬에테르류; 디프로필렌글리콜디메틸에테르 등의 디프로필렌글리콜디알킬에테르류; 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등의 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류; 에틸셀로솔브, 부틸셀로솔브 등의 셀로솔브류; 부틸카르비톨 등의 카르비톨류; 락트산 메틸, 락트산 에틸, 락트산 n-프로필, 락트산 이소프로필 등의 락트산 에스테르류; 아세트산 에틸, 아세트산 n-프로필, 아세트산 이소프로필, 아세트산 n-부틸, 아세트산 이소부틸, 아세트산 n-아밀, 아세트산 이소아밀, 프로피온산 이소프로필, 프로피온산 n-부틸, 프로피온산 이소부틸 등의 지방족 카복실산 에스테르류; 3-메톡시프로피온산메틸, 3-메톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산메틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 피루브산메틸, 피루브산에틸 등의 에스테르류; 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소류; 2-헵타논, 3-헵타논, 4-헵타논, 시클로헥사논 등의 케톤류; N-디메틸포름아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈 등의 아미드류; γ-부티로락톤 등의 락톤류; 및 이들의 혼합물을 들 수 있다. 이 중에서도 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 3-메톡시프로피온산 메틸이 도막성이 양호하고 안정성이 높다는 관점에서 보다 바람직하다.
Specific examples of such a solvent include ethylene glycol monoalkyl ether acetates such as ethylene glycol monomethyl ether acetate and ethylene glycol monoethyl ether acetate; Propylene glycol monoalkyl ethers such as propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether and propylene glycol monobutyl ether; Propylene glycol dialkyl ethers such as propylene glycol dimethyl ether, propylene glycol diethyl ether, propylene glycol dipropyl ether and propylene glycol dibutyl ether; Dipropylene glycol dialkyl ethers such as dipropylene glycol dimethyl ether; Propylene glycol monoalkyl ether acetates such as propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate and propylene glycol monobutyl ether acetate; Cellosolve such as ethyl cellosolve and butyl cellosolve; Carbitols such as butyl carbitol; Lactic acid esters such as methyl lactate, ethyl lactate, n-propyl lactate and isopropyl lactate; Aliphatic carboxylic acid esters such as ethyl acetate, n-propyl acetate, isopropyl acetate, n-butyl acetate, isobutyl acetate, n-amyl acetate, isoamyl acetate, isopropyl propionate, n-butyl propionate and isobutyl propionate; Esters such as methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, methyl pyruvate and ethyl pyruvate; Aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene; 2-heptanone, 3-heptanone, 4-heptanone, and cyclohexanone; Amides such as N-dimethylformamide, N-methylacetamide, N, N-dimethylacetamide and N-methylpyrrolidone; lactones such as? -butyrolactone; And mixtures thereof. Of these, propylene glycol monomethyl ether acetate and methyl 3-methoxypropionate are more preferable in view of good film stability and high stability.

(6) 기타 성분(6) Other ingredients

본 발명은 감광성 수지 조성물의 특성을 개선하기 위하여 기타 성분들을 추 가로 포함할 수 있다. 상기 기타 성분들로는 예컨대, (6-1) 계면활성제 및/또는 (6-2) 실란 커플링제 등을 들 수 있다.
The present invention may additionally include other components to improve the properties of the photosensitive resin composition. Examples of the other components include (6-1) surfactants and / or (6-2) silane coupling agents.

(6-1) 계면활성제(6-1) Surfactant

본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은 필요에 따라, 코팅성 향상 및 결점 생성 방지 효과를 위해 계면활성제를 추가로 포함할 수 있다. 상기 계면활성제의 종류는 특별히 한정되지 않으나, 바람직하게는 불소계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제, 비이온계 계면활성제 및 그 밖의 계면활성제를 들 수 있다. 상기 계면활성제의 예로는 BM-1000, BM-1100(BM CHEMIE사 제조), 메가팩 F142 D, 메가팩 F172, 메가팩 F173, 메가팩 F183, F-470, F-471, F-475, F-482, F-489(다이닛뽄잉크 가가꾸고교(주)제조), 플로라드 FC-135, 플로라드 FC-170C, 플로라드 FC-430, 플로라드 FC-431(스미또모 스리엠(주) 제조), 서프론 S-112, 서프론 S-113, 서프론 S-131, 서프론 S-141, 서프론 S-145, 서프론 S-382, 서프론 SC-101, 서프론 SC-102, 서프론 SC-103, 서프론 SC-104, 서프론 SC-105, 서프론 SC-106(아사히 가라스(주) 제조), 에프톱 EF301, 에프톱 303, 에프톱 352(신아끼따 가세이(주) 제조), SH-28 PA, SH-190, SH-193, SZ-6032, SF-8428, DC-57, DC-190(도레 실리콘(주) 제조), DC 3PA, DC7PA, SH11PA, SH21PA, SH8400, GE, FZ-2100, FZ-2110, FZ-2122, FZ-2222, FZ-2233(다우코닝도레이 실리콘사(주)제조), TSF-4440, TSF-4300, TSF-4445, TSF-4446, TSF-4460, TSF-4452(도시바 실리콘사(주)제조), 및 BYK-333(BYK사(주) 제조) 등의 불소계 및 실리콘계 계면활성제; 폴리옥시에틸렌라우릴에테르, 폴리옥시 에틸렌스테아릴에테르, 폴리옥시에틸렌올레일에테르 등의 폴리옥시에틸렌알킬에테르류, 폴리옥시에틸렌옥틸페닐에테르, 폴리옥시에틸렌노닐페닐에테르 등의 폴리옥시에틸렌아릴에테르류, 및 폴리옥시에틸렌디라우레이트, 폴리옥시에틸렌디스테아레이트 등의 폴리옥시에틸렌디알킬에스테르류 등의 비이온계 계면활성제; 및 오르가노실록산 폴리머 KP341(신에쓰 가가꾸고교(주) 제조), (메트)아크릴산계 공중합체 폴리플로우 No. 57, 95(교에이샤유지 가가꾸고교(주) 제조) 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. The positive-working photosensitive resin composition of the present invention may further contain a surfactant, if necessary, for the purpose of improving coatability and preventing defect formation. The kind of the surfactant is not particularly limited, but a fluorine surfactant, a silicone surfactant, a nonionic surfactant and other surfactants are preferable. Examples of the surfactant include BM-1000, BM-1100 (manufactured by BM CHEMIE), Megafac F142D, Megafac F172, Megafac F173, Megafac F183, F- 470, F- 471, F- F-482 and F-489 (manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.), Florad FC-135, Florad FC-170C, Florad FC-430 and Florad FC- Surflon S-112, Surflon SC-101, Surflon SC-101, Surflon S-145, Surflon S-382, , Surfron SC-103, Surfron SC-104, Surfron SC-105, Surfron SC-106 (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), Efstop EF301, SF-8428, DC-57, DC-190 (manufactured by Toray Silicone Co., Ltd.), DC 3PA, DC7PA, SH11PA, SH- FZ-2122, FZ-2222, FZ-2233 (manufactured by Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd.), TSF-4440, TSF-4300, TSF-4445, TSF -4446, TSF-4460, TSF-4452 (manufactured by Toshiba Silicone Co., Ltd.), and BYK-333 (Manufactured by BYK Co., Ltd.), and the like; Polyoxyethylene alkyl ethers such as polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether and polyoxyethylene oleyl ether, polyoxyethylene aryl ethers such as polyoxyethylene octylphenyl ether and polyoxyethylene nonylphenyl ether , And nonionic surfactants such as polyoxyethylene dialkyl esters such as polyoxyethylene dilaurate and polyoxyethylene distearate; And an organosiloxane polymer KP341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), (meth) acrylic acid-based copolymer polyflow No. 1. 57, and 95 (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.). These may be used alone or in combination of two or more.

상기 계면활성제는 공중합체 100 중량부(고형분 함량기준)에 대하여 0.001 내지 5 중량부, 바람직하게는 0.05 내지 3 중량부의 양으로 사용할 수 있다. 상기 범위에서 조성물의 코팅이 원활해진다.
The surfactant may be used in an amount of 0.001 to 5 parts by weight, preferably 0.05 to 3 parts by weight, based on 100 parts by weight (based on the solids content) of the copolymer. In this range, the coating of the composition is smooth.

(6-2) 실란 커플링제(6-2) Silane coupling agent

본 발명에 따른 감광성 수지 조성물은 도막과 기판과의 밀착성을 향상시키기 위해 실란 커플링제를 접착조제로서 추가로 포함할 수 있다. 이러한 실란 커플링제는 예를 들면, 카복실기, 메타크릴로일기, 이소시아네이트기, 에폭시기, 이미다졸기, 티올기, 아민기 등의 반응성 치환기를 가질 수 있다. 실란 커플링제의 구체적인 예로는 트리메톡시실릴벤조산, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 비닐트리메톡시실란, γ-이소시아네이토프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리에톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, N-페닐-3-아미노프로필트리에톡시실란 및 이들의 혼합물을 들 수 있다. The photosensitive resin composition according to the present invention may further include a silane coupling agent as an adhesion aid in order to improve the adhesion between the coating film and the substrate. Such a silane coupling agent may have a reactive substituent such as a carboxyl group, a methacryloyl group, an isocyanate group, an epoxy group, an imidazole group, a thiol group, or an amine group. Specific examples of the silane coupling agent include trimethoxysilylbenzoic acid,? -Methacryloxypropyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, vinyltrimethoxysilane,? -Isocyanatopropyltriethoxysilane,? - Glycidoxypropyltrimethoxysilane,? - (glycidoxypropyltriethoxysilane),? - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, N-phenyl- And mixtures thereof.

상기 실란 커플링제는 공중합체 100 중량부(고형분 함량기준)에 대하여 0.001 내지 5 중량부, 바람직하게는 0.05 내지 3 중량부의 양으로 사용할 수 있다. 상기 범위에서 기판과의 접착력이 양호해진다.The silane coupling agent may be used in an amount of 0.001 to 5 parts by weight, preferably 0.05 to 3 parts by weight based on 100 parts by weight (based on the solid content) of the copolymer. The adhesion with the substrate is improved in the above range.

이 외에도, 본 발명의 감광성 수지 조성물은 물성을 해하지 않는 범위 내에서, 용해촉진제, 증감제, 산화방지제, 광 안정제(자외선 흡수제) 등의 기타의 첨가제를 포함할 수 있다.
In addition, the photosensitive resin composition of the present invention may contain other additives such as a dissolution accelerator, a sensitizer, an antioxidant, and a light stabilizer (ultraviolet absorber) within a range that does not impair physical properties.

또한, 본 발명은 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조된 경화막을 제공한다.The present invention also provides a cured film produced using the positive photosensitive resin composition.

상기 경화막은 당 기술분야에 알려져 있는 방법, 예컨대 기재 위에 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 도포한 후 경화하는 과정을 거쳐 제조할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 경화는 기재 위에 도포된 조성물을 예컨대, 60 내지 130℃에서 60 내지 130초간 예비 경화(pre-bake)하여 용매를 제거한 후, 원하는 패턴이 형성된 포토마스크를 이용하여 노광하고 현상액(예: 테트라메틸암모늄하이드로옥사이드 용액(TMAH))으로 현상함으로써 코팅층에 패턴을 형성할 수 있다. 이후, 패턴화된 코팅층을 필요에 따라 예컨대 10분 내지 5시간 동안 150 내지 300℃에서 후경화(post-bake)하여 목적하는 경화막을 제조할 수 있다. 상기 노광은 200 내지 450 nm의 파장대에서 20 내지 100 mJ/㎠의 노광량으로 수행할 수 있다.The cured film may be manufactured by a method known in the art, for example, a method of applying the positive photosensitive resin composition onto a substrate and then curing. More specifically, the curing is performed by pre-bake the composition coated on the substrate, for example, at 60 to 130 ° C for 60 to 130 seconds to remove the solvent, expose using a photomask having a desired pattern, For example, tetramethylammonium hydroxide (TMAH) solution, to form a pattern on the coating layer. Thereafter, the patterned coating layer may be post-baked at 150 to 300 ° C for 10 minutes to 5 hours, for example, if necessary, to produce a desired cured film. The exposure can be performed at an exposure amount of 20 to 100 mJ / cm < 2 > at a wavelength range of 200 to 450 nm.

이와 같이, 본 발명에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용하여 경화막을 형성하면, 높은 패턴 형성성과 우수한 잔막률 및 화학적 안정성을 갖는 경화막을 우수한 감도로 달성할 수 있다.Thus, when a cured film is formed using the positive photosensitive resin composition according to the present invention, a cured film having high pattern formation property, excellent residual film ratio and chemical stability can be achieved with excellent sensitivity.

본 발명에 따라 제조된 경화막은 우수한 물성에 기인하여 액정표시장치의 층간 절연막으로서 유용하게 사용될 수 있다. 따라서, 본 발명은 상기 경화막으로 이루어진 절연막을 포함하는 전자부품을 제공한다.
The cured film produced according to the present invention can be usefully used as an interlayer insulating film of a liquid crystal display device due to its excellent physical properties. Accordingly, the present invention provides an electronic component including an insulating film made of the cured film.

이하, 하기 실시예에 의하여 본 발명을 좀 더 상세하게 설명하고자 한다. 단, 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것일 뿐 본 발명의 범위가 이들만으로 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the following examples. However, the following examples are intended to illustrate the present invention, but the scope of the present invention is not limited thereto.

하기 제조예에 기재된 중량평균분자량은 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의해 측정한 폴리스티렌 환산값이다.
The weight average molecular weight described in the following Production Examples is a polystyrene reduced value measured by gel permeation chromatography (GPC).

제조예 1: 공중합체 A-1의 제조Production Example 1: Preparation of Copolymer A-1

냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에 용매로서 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 200 중량부를 넣고 천천히 교반하면서 용매의 온도를 70℃로 상승시킨 후, 여기에 메타크릴산 21.5 중량부, p-히드록시페닐메틸메타크릴레이트 13 중량부, 글리시딜메타크릴레이트 22.5 중량부, 스티렌 38 중량부 및 감마부티로락톤메타크릴레이트 5 중량부를 첨가하고, 이어서 라디칼 중합개시제로서의 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 3 중량부를 5시간에 걸쳐 적가하여 중합반응을 수행하였다. 얻어진 공중합체 A-1(고형분 농도 = 30 중량%)의 중량평균분자량은 12,100이었다.
In a flask equipped with a cooling tube and a stirrer, 200 parts by weight of propylene glycol monomethyl ether acetate as a solvent was added, and the temperature of the solvent was gradually elevated to 70 ° C with stirring. Then, 21.5 parts by weight of methacrylic acid, 13 parts by weight of methacrylate, 22.5 parts by weight of glycidyl methacrylate, 38 parts by weight of styrene and 5 parts by weight of gamma-butyrolactone methacrylate were added, and then 2,2'-azobis (2, 4-dimethylvaleronitrile) were added dropwise over 5 hours to carry out the polymerization reaction. The weight average molecular weight of the obtained copolymer A-1 (solid concentration = 30% by weight) was 12,100.

제조예 2 내지 14: 공중합체 A-2 내지 A-14의 제조Production Examples 2 to 14: Preparation of Copolymers A-2 to A-14

하기 표 1과 같이 각각의 성분의 종류 및/또는 함량을 변경한 것 이외에는 제조예 1과 마찬가지의 방법으로 공중합체 A-2 내지 A-14를 제조하였다. Copolymers A-2 to A-14 were prepared in the same manner as in Preparation Example 1 except that the kind and / or content of each component was changed as shown in Table 1 below.

제조예
공중합체
Manufacturing example
Copolymer
MAAMAA HPMAHPMA CHDMMACHDMMA 4HBA4HBA GMAGMA StySty GBLMAGBLMA MwMw
A-1A-1 21.521.5 1313 00 00 22.522.5 3838 55 1210012100 A-2A-2 21.521.5 1010 00 00 22.522.5 4141 55 1235012350 A-3A-3 21.521.5 1515 00 00 22.522.5 3636 55 1222012220 A-4A-4 21.521.5 1313 00 00 22.522.5 4141 22 1210012100 A-5A-5 21.521.5 1313 00 00 22.522.5 3333 1010 1190011900 A-6A-6 19.519.5 1010 00 00 22.522.5 4343 55 1205012050 A-7A-7 19.519.5 1313 00 00 22.522.5 4040 55 1240012400 A-8A-8 19.519.5 1616 00 00 22.522.5 3737 55 1180011800 A-9A-9 19.519.5 1313 00 00 22.522.5 3838 77 1235012350 A-10A-10 19.519.5 1313 00 00 22.522.5 3535 1010 1170011700 A-11A-11 19.519.5 00 1313 00 22.522.5 4040 55 1250012500 A-12A-12 21.521.5 00 00 1515 22.522.5 3636 55 1190011900 A-13A-13 21.521.5 1313 00 00 22.522.5 4343 00 1170011700 A-14A-14 21.521.5 1313 00 55 22.522.5 3838 00 1180011800

MAA: 메타크릴산MAA: methacrylic acid

HPMA: 히드록시페닐메틸메타크릴레이트HPMA: hydroxyphenylmethyl methacrylate

CHDMMA: 시클로헥산디메탄올모노아크릴레이트CHDMMA: Cyclohexanedimethanol monoacrylate

4HBA: 4-히드록시부틸아크릴레이트4HBA: 4-hydroxybutyl acrylate

GMA: 글리시딜메타크릴레이트GMA: glycidyl methacrylate

Sty: 스티렌Sty: Styrene

GBLMA: 감마부티로락톤메타크릴레이트
GBLMA: gamma butyrolactone methacrylate

제조예 15: 에폭시계 화합물 C-1의 제조Production Example 15: Preparation of epoxy-based compound C-1

냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에 글리시딜메타크릴레이트 100 중량부와 용매로서 3-메톡시프로피온산 메틸 195 중량부를 넣고 질소를 투입한 후 천천히 교반하면서 용매의 온도를 60℃로 상승시켰다. 광중합 개시제로서의 아조비스이소부티로니트릴을 3 중량부 첨가한 후 온도를 유지하며 2시간에 걸쳐 중합 반응을 수행하여 중량평균분자량이 3,500이고, 고형분 함량이 34.5 중량%인 하기 화학식 9의 화합물 C-1을 얻었다.Cooling tube and stirrer, glycidyl methacrylate (100 parts by weight) and methyl 3-methoxypropionate (195 parts by weight) as a solvent were added to the flask. Nitrogen was added thereto, and the temperature of the solvent was raised to 60 ° C with gentle stirring. 3 parts by weight of azobisisobutyronitrile as a photopolymerization initiator was added and polymerization reaction was carried out for 2 hours while maintaining the temperature to obtain a compound C-9 having a weight average molecular weight of 3,500 and a solid content of 34.5% by weight, 1.

Figure pat00011
Figure pat00011

실시예 1Example 1

제조예 1에서 제조한 공중합체 A-1 100중량부(고형분 함량), (2) 퀴논디아지드계 감광제(MIPHOTO TPA523, 미원상사제) 22중량부(고형분 함량), (3) 제조예 15에서 제조한 에폭시계 화합물 C-1 6중량부(고형분 함량), (4) 페놀성 화합물 D-1 5.8중량부(고형분 함량), (5) 계면활성제(FZ-2122, 다우코닝도레이사 실리콘사제) 0.15중량부(고형분 함량), 및 (6) 실란 커플링제(KBE-9007, 신에츠 실리콘사제) 0.22중량부(고형분 함량)를 용매인 3-메톡시프로피온산 메틸(MMP) 340중량부와 2시간 동안 혼합하여 액상 형태인 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
(Solid content) of the copolymer A-1 prepared in Preparation Example 1, (2) 22 parts by weight (solid content) of a quinonediazide photosensitive agent (MIPHOTO TPA523, Phenol compound D-1 5.8 parts by weight (solid content), (5) surfactant (FZ-2122, manufactured by Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd.) And 340 parts by weight of methyl 3-methoxypropionate (MMP), which was a solvent, and 0.25 parts by weight (solids content) of a silane coupling agent (KBE-9007, To prepare a photosensitive resin composition in the form of a liquid.

실시예 2 내지 20Examples 2 to 20

하기 표 2와 같이 각각의 성분의 종류 및 함량(중량부)을 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
A photosensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that the kinds and contents (parts by weight) of the respective components were changed as shown in Table 2 below.

비교예 1 내지 12Comparative Examples 1 to 12

하기 표 2와 같이 각각의 성분의 종류 및 함량(중량부)을 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물을 제조하였다.A photosensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that the kinds and contents (parts by weight) of the respective components were changed as shown in Table 2 below.

공중합체Copolymer 감광제Photosensitive agent 에폭시계 화합물Epoxy compound 페놀성 화합물Phenolic compound 계면활성제Surfactants 실란 커플링제Silane coupling agent 실시예 1Example 1 A-1A-1 100100 2222 66 D-1D-1 5.85.8 0.150.15 0.220.22 실시예 2Example 2 A-1A-1 100100 2222 66 D-2D-2 17.517.5 0.150.15 0.220.22 실시예 3Example 3 A-2A-2 100100 20.520.5 66 D-1D-1 5.85.8 0.150.15 0.220.22 실시예 4Example 4 A-2A-2 100100 20.520.5 66 D-2D-2 17.517.5 0.150.15 0.220.22 실시예 5Example 5 A-3A-3 100100 2323 66 D-1D-1 5.85.8 0.150.15 0.220.22 실시예 6Example 6 A-3A-3 100100 2323 66 D-2D-2 17.517.5 0.150.15 0.220.22 실시예 7Example 7 A-4A-4 100100 2222 66 D-1D-1 5.85.8 0.150.15 0.220.22 실시예 8Example 8 A-4A-4 100100 2222 66 D-2D-2 17.517.5 0.150.15 0.220.22 실시예 9Example 9 A-5A-5 100100 2222 66 D-1D-1 5.85.8 0.150.15 0.220.22 실시예 10Example 10 A-5A-5 100100 2222 66 D-2D-2 17.517.5 0.150.15 0.220.22 실시예 11Example 11 A-6A-6 100100 20.520.5 66 D-1D-1 5.85.8 0.150.15 0.220.22 실시예 12Example 12 A-6A-6 100100 20.520.5 66 D-2D-2 17.517.5 0.150.15 0.220.22 실시예 13Example 13 A-7A-7 100100 2222 66 D-1D-1 5.85.8 0.150.15 0.220.22 실시예 14Example 14 A-7A-7 100100 2222 66 D-2D-2 17.517.5 0.150.15 0.220.22 실시예 15Example 15 A-8A-8 100100 20.520.5 66 D-1D-1 5.85.8 0.150.15 0.220.22 실시예 16Example 16 A-8A-8 100100 20.520.5 66 D-2D-2 17.517.5 0.150.15 0.220.22 실시예 17Example 17 A-9A-9 100100 2222 66 D-1D-1 5.85.8 0.150.15 0.220.22 실시예 18Example 18 A-9A-9 100100 2222 66 D-2D-2 17.517.5 0.150.15 0.220.22 실시예 19Example 19 A-10A-10 100100 2222 66 D-1D-1 5.85.8 0.150.15 0.220.22 실시예 20Example 20 A-10A-10 100100 2222 66 D-2D-2 17.517.5 0.150.15 0.220.22 비교예 1Comparative Example 1 A-11A-11 100100 2222 -- -- -- 0.150.15 0.220.22 비교예 2Comparative Example 2 A-12A-12 100100 2222 -- -- -- 0.150.15 0.220.22 비교예 3Comparative Example 3 A-13A-13 100100 2222 -- -- -- 0.150.15 0.220.22 비교예 4Comparative Example 4 A-14A-14 100100 2222 -- -- -- 0.150.15 0.220.22 비교예 5Comparative Example 5 A-11A-11 100100 2222 66 D-1D-1 5.85.8 0.150.15 0.220.22 비교예 6Comparative Example 6 A-11A-11 100100 2222 66 D-2D-2 17.517.5 0.150.15 0.220.22 비교예 7Comparative Example 7 A-12A-12 100100 2222 66 D-1D-1 5.85.8 0.150.15 0.220.22 비교예 8Comparative Example 8 A-12A-12 100100 2222 66 D-2D-2 17.517.5 0.150.15 0.220.22 비교예 9Comparative Example 9 A-13A-13 100100 2222 66 D-1D-1 5.85.8 0.150.15 0.220.22 비교예 10Comparative Example 10 A-13A-13 100100 2222 66 D-2D-2 17.517.5 0.150.15 0.220.22 비교예 11Comparative Example 11 A-14A-14 100100 2222 66 D-1D-1 5.85.8 0.150.15 0.220.22 비교예 12Comparative Example 12 A-14A-14 100100 2222 66 D-2D-2 17.517.5 0.150.15 0.220.22

(D-1: 화학식 7의 화합물, 제조사: 미원상사)(D-1: compound of formula (7), manufacturer: Mi Won Sang Company)

(D-2: 화학식 8의 화합물, 제조사: Othsuka Chemical Co., Ltd.)(D-2: compound of formula (8), manufacturer: Othsuka Chemical Co., Ltd.)

상기 실시예 1 내지 20 및 비교예 1 내지 12에서 제조된 감광성 수지 조성물로부터 막을 제조하여 그 경화막 제조시의 감도, 패턴 형성성 및 후경화후 잔막률을 측정하여 그 결과를 하기 표 3에 나타내었다.
The films were prepared from the photosensitive resin compositions prepared in Examples 1 to 20 and Comparative Examples 1 to 12, and the sensitivity, pattern forming property and post-curing residual film ratio in the production of the cured films were measured. The results are shown in Table 3 below .

1. 감도 측정1. Sensitivity measurement

[시편의 제조][Preparation of specimen]

감광성 수지 조성물을 실리콘 기판에 스핀 코팅한 후에 100℃를 유지한 고온플레이트 위에서 90초간 예비경화(pre-bake)하여 두께 4.0 ㎛의 건조막을 형성하였다. 이 막 상부에 1 내지 15 ㎛까지의 1 ㎛ 크기 차이의 정사각형 홀 패턴을 갖는 마스크를 적용한 후, 200 내지 450 nm의 파장을 내는 어라이너(aligner, 모델명 MA6)를 이용하여, 노광기준으로서 마스크와 기판사이의 간격을 25 ㎛으로 하고, 365 nm 기준으로 하여 15 mW/cm2인 자외선을 0 내지 200 mJ/㎠이 되도록 일정시간 노광하고, 2.38 중량% 테트라메틸암모늄하이드로옥사이드 수용성 현상액으로 23 ℃에서 스프레이 노즐을 통해 현상하여 각각의 시편을 제조하였다.
The photosensitive resin composition was spin-coated on a silicon substrate and pre-baked for 90 seconds on a high-temperature plate maintained at 100 캜 to form a dried film having a thickness of 4.0 탆. A mask having a square hole pattern with a size difference of 1 mu m from 1 to 15 mu m is applied to the upper portion of this film, and then an aligner (model name MA6) having a wavelength of 200 to 450 nm is used, the spacing between the substrate to 25 ㎛ with and, 365 nm reference to the 15 mW / cm 2 a predetermined time exposure such that the ultraviolet 0 to 200 mJ / ㎠, and 2.38% by weight tetramethyl ammonium hydroxide aqueous developer solution in 23 ℃ Each specimen was prepared by spraying through a spray nozzle.

[감도 측정][Sensitivity measurement]

상기 과정에 의해 마스크 크기 10 ㎛에 대해서 패터닝된 홀 패턴(hole pattern)의 CD(critical dimension: 선폭, 단위: ㎛) 10 ㎛를 구현하는 노광 에너지를 구하였다.
By the above procedure, the exposure energy for realizing a CD (critical dimension: line width, unit: 탆) of 10 탆 of a patterned hole pattern was determined for a mask size of 10 탆.

2. 패턴 형성성 평가(노광량: 70 mJ/㎠, 마스크 크기: 10 ㎛)2. Pattern Formability Evaluation (exposure dose: 70 mJ / cm 2, mask size: 10 탆)

상기 감도 측정을 위한 시편의 제조 과정에서 70 mJ/㎠의 노광량을 적용하고 마스크 크기 10 ㎛에 대해서 패터닝된 홀 패턴을 측정하여, 하기 식으로부터 패턴 형성성(%) 값을 구하였다. 패턴 형성성 값이 작을수록 우수하다고 할 수 있다.A patterning property (%) value was obtained from the following equation by measuring a patterned hole pattern with a mask size of 10 μm by applying an exposure dose of 70 mJ / cm 2 in the process of manufacturing the sample for the sensitivity measurement. The smaller the value of the pattern formability, the better.

패턴 형성성(%)=[(마스크 크기-홀 패턴의 CD)/(마스크 크기)]X100
Pattern formation property (%) = [(mask size - CD of hole pattern) / (mask size)] X100

3. 후경화후 잔막률 평가3. Evaluation of residual film ratio after post-curing

상기 시편의 제조에서 마스크를 적용하지 않고, 예비경화를 통하여 얻은 경화막을 컨백션 오븐에서 230 ℃에서 30분 동안 가열하여 후경화 후의 경화막을 얻었다. 예비경화 후의 막 두께 및 후경화 후의 막 두께를 막 두께 평가장비(상품명 Nanospec.)로 측정하여, 하기 식으로부터 후경화후 잔막률(%) 값을 구하였다. 후경화후 잔막률 값이 클수록 우수하다고 할 수 있다.In the preparation of the specimen, the cured film obtained through the preliminary curing without applying a mask was heated in a convection oven at 230 ° C for 30 minutes to obtain a post-cured cured film. The film thickness after the pre-curing and the film thickness after the post-curing were measured with a film thickness evaluating equipment (trade name Nanospec.), And the residual film percentage (%) after post-curing was calculated from the following formula. The larger the residual film ratio value after the post-curing, the better.

후경화후 잔막률(%) = (후경화후 막두께/예비경화후 막두께)X100(%) = (Film thickness after post-curing / film thickness after pre-curing) X100

  감도 [mJ/cm2]Sensitivity [mJ / cm 2 ] 패턴 형성성 [%]Pattern Formability [%] 후경화후 잔막률 [%]Residual film ratio after post-curing [%] 실시예 1Example 1 7575 33 7777 실시예 2Example 2 7575 22 7777 실시예 3Example 3 9090 1414 7979 실시예 4Example 4 9090 1111 7878 실시예 5Example 5 6565 -4-4 76.576.5 실시예 6Example 6 6565 -4-4 7676 실시예 7Example 7 8080 33 7979 실시예 8Example 8 8080 2.52.5 7979 실시예 9Example 9 7070 00 7676 실시예 10Example 10 7070 00 7676 실시예 11Example 11 110110 88 8181 실시예 12Example 12 110110 7.57.5 8181 실시예 13Example 13 100100 66 80.580.5 실시예 14Example 14 100100 66 8080 실시예 15Example 15 9090 4.54.5 7676 실시예 16Example 16 9090 44 76.576.5 실시예 17Example 17 9595 5.55.5 77.577.5 실시예 18Example 18 9595 5.55.5 7777 실시예 19Example 19 7070 00 76.576.5 실시예 20Example 20 7070 00 7676 비교예 1Comparative Example 1 160160 3030 7373 비교예 2Comparative Example 2 >200> 200 100100 7474 비교예 3Comparative Example 3 160160 3535 7373 비교예 4Comparative Example 4 160160 3535 7373 비교예 5Comparative Example 5 120120 2020 7777 비교예 6Comparative Example 6 120120 2020 7676 비교예 7Comparative Example 7 >200> 200 100100 7777 비교예 8Comparative Example 8 >200> 200 100100 7777 비교예 9Comparative Example 9 120120 2525 7676 비교예 10Comparative Example 10 120120 2020 7777 비교예 11Comparative Example 11 140140 2525 7878 비교예 12Comparative Example 12 140140 2525 77.577.5

상기 표 3의 실험결과로부터, 본 발명에 따른 실시예 1 내지 20의 감광성 수지 조성물을 사용하여 경화막을 제조하는 경우, 우수한 감도 및 패턴 형성성을 가질 뿐만 아니라 높은 후경화후 잔막률을 가짐을 알 수 있다.From the experimental results shown in Table 3, it was found that when the cured film was prepared using the photosensitive resin compositions of Examples 1 to 20 according to the present invention, not only the excellent sensitivity and pattern forming property but also the residual film ratio after high post- .

반면, 비교예 1, 2, 5, 6, 7 및 8의 감광성 수지 조성물은 공중합체(알칼리 가용성 바인더) 내에 히드록시페닐기가 없음에 기인하여 감도가 느리며 패턴 형성성 또한 좋지 못하고, 비교예 3, 4, 9, 10, 11 및 12의 감광성 수지 조성물은 공중합체(알칼리 가용성 바인더) 내에 락톤기가 없음에 기인하여 감도 및 패턴 형성성이 좋지 못함을 알 수 있다.On the other hand, the photosensitive resin compositions of Comparative Examples 1, 2, 5, 6, 7, and 8 had low sensitivity due to the absence of hydroxyphenyl groups in the copolymer (alkali soluble binder) 4, 9, 10, 11 and 12 show poor sensitivity and pattern-forming properties due to the absence of a lactone group in the copolymer (alkali-soluble binder).

Claims (8)

(1) (1-1) 카복실기 함유 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위, (1-2) 페놀성 수산기를 포함하는 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위, (1-3) 락톤기를 포함하는 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위, 및 (1-4) 상기 구성단위 (1-1) 내지 (1-3)과 상이한 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위를 포함하는 공중합체; 및
(2) 감광제
를 포함하는 감광성 수지 조성물.
(1) (1) a copolymer comprising a constituent unit derived from a carboxyl group-containing unsaturated monomer, (1-2) a constituent unit derived from an unsaturated monomer containing a phenolic hydroxyl group, (1-3) (1-4) a copolymer comprising a constituent unit derived from an unsaturated monomer different from the constituent units (1-1) to (1-3); And
(2) Photosensitizer
.
제 1 항에 있어서,
상기 (1-2) 페놀성 수산기를 포함하는 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위가 하기 화학식 1로 표시되는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물:
[화학식 1]
Figure pat00012

상기 식에서,
R1은 수소, C1-C6 알킬, 할로겐 또는 시아노이고;
R2는 C1-C6 알킬이고, a는 0 내지 4의 정수이며, a가 2 이상의 정수인 경우 복수의 R2는 서로 동일하거나 상이할 수 있고;
b는 1 내지 5의 정수이고, a와 b의 합은 1 내지 5의 정수이며;
Y는 단일결합 또는 C1-C6 알킬렌이고;
상기 알킬 및 알킬렌은 하나 이상의 할로겐, 니트로, C1-C6 알콕시 또는 C6-C12 아릴로 치환될 수 있다.
The method according to claim 1,
The photosensitive resin composition according to the above (1-2), wherein the constitutional unit derived from the unsaturated monomer containing a phenolic hydroxyl group is represented by the following formula (1)
[Chemical Formula 1]
Figure pat00012

In this formula,
R 1 is hydrogen, C 1 -C 6 alkyl, halogen or cyano;
R 2 is C 1 -C 6 alkyl, a is an integer of 0 to 4, and when a is an integer of 2 or more, a plurality of R 2 s may be the same or different;
b is an integer from 1 to 5, the sum of a and b is an integer from 1 to 5;
Y is a single bond or C 1 -C 6 alkylene;
The alkyl and alkylene may be substituted with one or more halogen, nitro, C 1 -C 6 alkoxy or C 6 -C 12 aryl.
제 1 항에 있어서,
상기 (1-3) 락톤기를 포함하는 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위가 하기 화학식 2로 표시되는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물:
[화학식 2]
Figure pat00013

상기 식에서,
R3은 수소, C1-C6 알킬, 할로겐 또는 시아노이고;
R4는 C1-C6 알킬이고, m은 0 내지 11의 정수이며, m이 2 이상의 정수인 경우 복수의 R4는 서로 동일하거나 상이할 수 있고;
n은 0 내지 4의 정수이고, m≤2n+3이며;
X는 단일결합 또는 C1-C6 알킬렌이고;
상기 알킬 및 알킬렌은 하나 이상의 할로겐, 니트로, C1-C6 알콕시 또는 C6-C12 아릴로 치환될 수 있다.
The method according to claim 1,
Wherein the constituent unit derived from the unsaturated monomer containing the (1-3) lactone group is represented by the following formula (2): < EMI ID =
(2)
Figure pat00013

In this formula,
R 3 is hydrogen, C 1 -C 6 alkyl, halogen or cyano;
R 4 is C 1 -C 6 alkyl, m is an integer of 0 to 11, and m is an integer of 2 or more, the plurality of R 4 may be the same or different from each other;
n is an integer from 0 to 4, m? 2n + 3;
X is a single bond or C 1 -C 6 alkylene;
The alkyl and alkylene may be substituted with one or more halogen, nitro, C 1 -C 6 alkoxy or C 6 -C 12 aryl.
제 1 항에 있어서,
상기 공중합체가 공중합체 총 중량에 대하여 상기 구성단위 (1-1), (1-2), (1-3) 및 (1-4)를 각각 5 내지 50 중량%, 5 내지 40 중량%, 1 내지 20 중량% 및 15 내지 70 중량%의 양으로 포함하고, 추가로 (1-5) 에폭시기를 1개 이상 포함하는 불포화 단량체로부터 유도되는 구성단위를 0 내지 50 중량%의 양으로 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
The method according to claim 1,
(1), (1-2), (1-3) and (1-4) in an amount of 5 to 50% by weight, 5 to 40% by weight, 1 to 20% by weight and 15 to 70% by weight, and further comprising 0 to 50% by weight of a constituent unit derived from an unsaturated monomer containing at least one (1-5) epoxy group Wherein the photosensitive resin composition is a photosensitive resin composition.
제 1 항에 있어서,
상기 감광제가 하기 화학식 3의 구조를 갖는 퀴논디아지드계 감광제인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물:
[화학식 3]
Figure pat00014

상기 식에서,
R은 각각 독립적으로 수소, 또는 하기 화학식 3a 또는 3b의 화합물이고, 이중에서 적어도 하나는 화학식 3a 또는 3b의 화합물이다.
[화학식 3a]
Figure pat00015

[화학식 3b]
Figure pat00016
The method according to claim 1,
Wherein the photosensitive agent is a quinonediazide photosensitive agent having a structure represented by the following formula (3): < EMI ID =
(3)
Figure pat00014

In this formula,
Each R is independently hydrogen or a compound of formula 3a or 3b wherein at least one is a compound of formula 3a or 3b.
[Chemical Formula 3]
Figure pat00015

(3b)
Figure pat00016
제 1 항에 있어서,
상기 감광성 수지 조성물이 에폭시계 화합물, 페놀성 화합물 또는 이들 둘다를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the photosensitive resin composition further comprises an epoxy compound, a phenolic compound, or both of them.
제 6 항에 있어서,
상기 에폭시계 화합물이 하기 화학식 4의 반복단위를 포함하는 화합물인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물:
[화학식 4]
Figure pat00017

상기 식에서,
R5는 수소 또는 C1-C4 알킬이고;
R6는 C1-C10 알킬렌, 페닐렌, C3-C10 시클로알킬렌, C3-C10 헤테로시클로알킬렌 또는 C2-C10 헤테로알킬렌이며, 상기 R6는 하나 이상의 히드록시기로 치환될 수 있다.
The method according to claim 6,
Wherein the epoxy compound is a compound containing a repeating unit represented by the following formula (4): < EMI ID =
[Chemical Formula 4]
Figure pat00017

In this formula,
R 5 is hydrogen or C 1 -C 4 alkyl;
R 6 is C 1 -C 10 alkylene, phenylene, C 3 -C 10 cycloalkylene, C 3 -C 10 heterocycloalkylene, or C 2 -C 10 heteroalkylene, wherein R 6 is at least one hydroxy group . ≪ / RTI >
제 6 항에 있어서,
상기 페놀성 화합물이 하기 화학식 5 또는 6의 구조를 갖는 화합물이거나 이들 둘다인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물:
[화학식 5]
Figure pat00018

[화학식 6]
Figure pat00019

상기 식에서,
R7, R8 및 R9은 각각 독립적으로 C1-C6 알킬렌 또는 C6-C12 아릴렌이고, 상기 알킬렌 및 아릴렌은 하나 이상의 할로겐, 니트로, C1-C6 알킬, C1-C6 알콕시 또는 C6-C12 아릴로 치환될 수 있다.
The method according to claim 6,
Wherein the phenolic compound is a compound having a structure represented by the following formula (5) or (6), or both:
[Chemical Formula 5]
Figure pat00018

[Chemical Formula 6]
Figure pat00019

In this formula,
R 7 , R 8 and R 9 are each independently C 1 -C 6 alkylene or C 6 -C 12 arylene, wherein said alkylene and arylene are optionally substituted by one or more of halogen, nitro, C 1 -C 6 alkyl, C 1 -C 6 alkoxy, or which may be substituted with C 6 -C 12 aryl.
KR1020130004348A 2013-01-15 2013-01-15 Positive-type photosensitive resin composition and cured film prepared therefrom KR102183741B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130004348A KR102183741B1 (en) 2013-01-15 2013-01-15 Positive-type photosensitive resin composition and cured film prepared therefrom

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130004348A KR102183741B1 (en) 2013-01-15 2013-01-15 Positive-type photosensitive resin composition and cured film prepared therefrom

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140092068A true KR20140092068A (en) 2014-07-23
KR102183741B1 KR102183741B1 (en) 2020-11-27

Family

ID=51738919

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130004348A KR102183741B1 (en) 2013-01-15 2013-01-15 Positive-type photosensitive resin composition and cured film prepared therefrom

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102183741B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200064489A (en) * 2018-11-29 2020-06-08 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 Positive-type photosensitive resin composition and cured film using same

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040078554A (en) 2003-03-03 2004-09-10 제이에스알 가부시끼가이샤 Radiation Sensitive Resin Composition, Insulating Interlayer and Microlens, and Process for Preparing the Same
JP2004286968A (en) 2003-03-20 2004-10-14 Toray Ind Inc Positive radiation-sensitive composition
JP2004292740A (en) * 2003-03-28 2004-10-21 Toray Ind Inc Method of manufacturing resin for resist, radiation-sensitive composition and method of manufacturing resist pattern using the composition
KR20050117968A (en) * 2004-06-12 2005-12-15 주식회사 동진쎄미켐 Photosensitive resin composition
KR100758867B1 (en) 2005-03-16 2007-09-14 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 Photosensitive resin composition for interplayer insulating film
KR20090041932A (en) * 2007-10-25 2009-04-29 에이제토 엘렉토로닉 마티리알즈 가부시키가이샤 Photoresist composition for forming a spacer
KR20120077464A (en) * 2010-12-30 2012-07-10 제일모직주식회사 Positive photosensitive resin composition, photosensitive resin layer prepared by using the same, and display device including the photosensitive resin layer

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040078554A (en) 2003-03-03 2004-09-10 제이에스알 가부시끼가이샤 Radiation Sensitive Resin Composition, Insulating Interlayer and Microlens, and Process for Preparing the Same
JP2004286968A (en) 2003-03-20 2004-10-14 Toray Ind Inc Positive radiation-sensitive composition
JP2004292740A (en) * 2003-03-28 2004-10-21 Toray Ind Inc Method of manufacturing resin for resist, radiation-sensitive composition and method of manufacturing resist pattern using the composition
KR20050117968A (en) * 2004-06-12 2005-12-15 주식회사 동진쎄미켐 Photosensitive resin composition
KR100758867B1 (en) 2005-03-16 2007-09-14 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 Photosensitive resin composition for interplayer insulating film
KR20090041932A (en) * 2007-10-25 2009-04-29 에이제토 엘렉토로닉 마티리알즈 가부시키가이샤 Photoresist composition for forming a spacer
KR20120077464A (en) * 2010-12-30 2012-07-10 제일모직주식회사 Positive photosensitive resin composition, photosensitive resin layer prepared by using the same, and display device including the photosensitive resin layer

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200064489A (en) * 2018-11-29 2020-06-08 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 Positive-type photosensitive resin composition and cured film using same

Also Published As

Publication number Publication date
KR102183741B1 (en) 2020-11-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102329586B1 (en) Positive-type photosensitive resin composition and cured film prepared therefrom
JP7240847B2 (en) Photosensitive resin composition and cured film prepared therefrom
KR20170053561A (en) Photosensitive resin composition and cured film prepared therefrom
CN109478017B (en) Photosensitive resin composition and cured film prepared from same
JP2019120932A (en) Positive-type photosensitive resin composition and cured film prepared therefrom
KR102610602B1 (en) Radiation-sensitive composition, cured film and display device
US10890846B2 (en) Photosensitive resin composition and cured film prepared therefrom
US20230109843A1 (en) Photosensitive resin composition and cured film prepared therefrom
KR102183741B1 (en) Positive-type photosensitive resin composition and cured film prepared therefrom
KR102172818B1 (en) Positive-type photosensitive resin composition and cured film prepared therefrom
KR102239543B1 (en) Positive-type photosensitive resin composition and cured film prepared therefrom
KR102674721B1 (en) Positive-type photosensitive resin composition and cured film using same
KR20180037888A (en) Photosensitive resin composition and cured film prepared therefrom
KR101976210B1 (en) Positive-type photosensitive resin composition and insulating film using the same
KR102057338B1 (en) Positive-type photosensitive resin composition and cured film prepared therefrom
TWI722039B (en) Photosensitive resin composition and cured film prepared therefrom
KR102016443B1 (en) Positive-type photosensitive resin composition and cured film prepared therefrom
KR102069746B1 (en) Positive-type photosensitive resin composition and cured film prepared therefrom
KR20230102745A (en) Positive-type photosensitive resin composition and cured film prepared therefrom
KR20130110439A (en) Negative-type photosensitive resin composition and insulating film prepared therefrom

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant