KR20140060560A - 방사선 소스 및 리소그래피 장치 - Google Patents
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- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 112
- 239000000446 fuel Substances 0.000 claims abstract description 79
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 36
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70025—Production of exposure light, i.e. light sources by lasers
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/08059—Constructional details of the reflector, e.g. shape
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—Production of X-ray radiation generated from plasma the plasma being generated from a material in a liquid or gas state
- H05G2/006—Production of X-ray radiation generated from plasma the plasma being generated from a material in a liquid or gas state details of the ejection system, e.g. constructional details of the nozzle
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- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/008—Production of X-ray radiation generated from plasma involving an energy-carrying beam in the process of plasma generation
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/08004—Construction or shape of optical resonators or components thereof incorporating a dispersive element, e.g. a prism for wavelength selection
- H01S3/08009—Construction or shape of optical resonators or components thereof incorporating a dispersive element, e.g. a prism for wavelength selection using a diffraction grating
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/08018—Mode suppression
- H01S3/0804—Transverse or lateral modes
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/105—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the mutual position or the reflecting properties of the reflectors of the cavity, e.g. by controlling the cavity length
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- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/11—Mode locking; Q-switching; Other giant-pulse techniques, e.g. cavity dumping
- H01S3/1123—Q-switching
- H01S3/121—Q-switching using intracavity mechanical devices
- H01S3/123—Q-switching using intracavity mechanical devices using rotating mirrors
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Abstract
방사선 소스가 플라즈마 형성 위치를 향해 궤적을 따라 연료 액적(400)들의 스트림을 지향하도록 구성된 노즐, 및 플라즈마 형성 위치에서의 연료 액적들을 플라즈마로 전환하기 위해 플라즈마 형성 위치로 레이저 방사선을 지향하도록 구성된 레이저를 포함한다. 레이저는 증폭기(310, 320), 및 증폭기를 통과하는 방사선에 대한 분기 빔 경로를 정의하도록 구성된 광학 요소(500)를 포함한다.
Description
본 출원은 2012년 9월 2일에 출원된 미국 가출원 61/530,741의 이익을 주장하며, 이는 본 명세서에서 그 전문이 인용참조된다.
본 발명은 방사선 소스 및 리소그래피 장치에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판 상에, 통상적으로는 기판의 타겟부 상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조 시에 사용될 수 있다. 그 경우, 대안적으로 마스크 또는 레티클이라 칭하는 패터닝 디바이스가 IC의 개별층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼) 상의 (예를 들어, 다이의 부분, 한 개 또는 수 개의 다이를 포함하는) 타겟부 상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는, 통상적으로 기판 상에 제공된 방사선-감응재(레지스트)층 상으로의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다.
리소그래피는 IC, 및 다른 디바이스 및/또는 구조체의 제조 시 핵심 단계들 중 하나로서 폭넓게 인식된다. 하지만, 리소그래피를 이용하여 구성되는 피처들의 치수들이 더 작아짐에 따라, 리소그래피는 소형 IC 또는 다른 디바이스들 및/또는 구조체들이 제조될 수 있게 하는데 더 결정적인 인자(critical factor)가 되고 있다.
패턴 프린팅의 한계들의 이론적 추산은 수학식 1에 나타낸 바와 같은 분해능에 대한 레일리 기준(Rayleigh criterion)에 의해 설명될 수 있다:
이때, λ는 사용되는 방사선의 파장이고, NA는 패턴을 프린트하는 데 사용되는 투영 시스템의 개구수(numerical aperture)이며, k1은 레일리 상수라고도 칭하는 공정 의존성 조정 인자(process dependent adjustment factor)이고, CD는 프린트된 피처의 피처 크기(또는 임계 치수)이다. 수학식 1에 따르면, 피처들의 프린트가능한 최소 크기의 감소는 세 가지 방식으로: 즉, 노광 파장 λ를 단축함으로써, 개구수 NA를 증가시킴으로써, 또는 k1의 값을 감소시킴으로써 얻어질 수 있다.
노광 파장을 단축하고, 이에 따라 프린트가능한 최소 크기를 감소시키기 위해, 극자외(EUV) 방사선 소스를 사용하는 것이 제안되었다. EUV 방사선은 5 내지 20 nm의 범위, 예를 들어 13 내지 14 nm의 범위, 예를 들어 6.7 nm 또는 6.8 nm와 같이 5 내지 10 nm의 범위 내의 파장을 갖는 전자기 방사선이다. 가능한 소스들로는, 예를 들어 레이저-생성 플라즈마 소스, 방전 플라즈마 소스, 또는 전자 저장 링에 의해 제공되는 싱크로트론 방사선(synchrotron radiation)에 기초한 소스들을 포함한다.
EUV 방사선은 플라즈마를 이용하여 생성될 수 있다. EUV 방사선을 생성하는 방사선 시스템은 플라즈마를 제공하도록 연료를 여기(excite)시키는 레이저, 및 플라즈마를 수용하는 소스 컬렉터 모듈을 포함할 수 있다. 플라즈마는, 예를 들어 Xe 가스 또는 Li 증기와 같은 적절한 가스 또는 증기의 스트림, 또는 적절한 재료(예컨대, 주석)의 액적(droplet)들과 같은 연료에 레이저 빔을 지향함으로써 생성될 수 있다. 결과적인 플라즈마는 출력 방사선(output radiation), 예를 들어 EUV 방사선을 방출하고, 이는 방사선 컬렉터를 이용하여 수집된다. 방사선 컬렉터는 거울로 이루어진 수직 입사 방사선 컬렉터(mirrored normal incidence radiation collector)일 수 있으며, 이는 방사선을 수용하고 방사선을 빔으로 포커스한다. 소스 컬렉터 모듈은 플라즈마를 지지하기 위해 진공 환경을 제공하도록 배치된 포위 구조체(enclosing structure) 또는 챔버를 포함할 수 있다. 이러한 방사선 시스템은 전형적으로 레이저 생성 플라즈마(LPP) 소스라고 칭해진다.
펄스 레이저 빔(pulsed laser beam)으로 일련의 이동하는 액적들을 정확하고 일관성있게 타격하는 것은 어려울 수 있다. 예를 들어, 몇몇 고-용량 EUV 방사선 소스들은 약 20 내지 50 ㎛의 직경을 갖고 약 50 내지 100 m/s의 속도로 이동하는 액적들의 조사(irradiation)를 필요로 할 수 있다.
앞선 내용을 고려하여, EUV 방사선 소스에서 선택된 위치에 레이저 빔을 효과적으로 전달하고 포커스하는 시스템들 및 방법들이 제안되었다.
US7491954는 광학적 이득 매질(optical gain medium), 및 연료 재료의 액적 상으로 광학적 이득 매질에 의해 발생된 방사선을 지향하도록 배치되는 렌즈를 포함하는 EUV 방사선 소스를 설명한다. 광학적 이득 매질 및 렌즈는, 연료 재료의 액적이 사전설정된 위치에 있을 때 광학적 이득 매질이 레이저 방사선을 발생시키고, 이에 따라 연료 재료의 액적이 EUV 방사선 방출 플라즈마를 생성하게 하도록 배치된다. 광학적 이득 매질은 사전설정된 위치에서의 연료 재료의 액적의 존재에 의해 유발(trigger)되므로, 광학적 이득 매질의 작동을 유발하는 데 시드 레이저(seed laser)가 필요하지 않다.
US7491954에서 설명된 시스템의 타입과 연계된 문제점은, 광선들이 자신에게 반사되도록 연료 재료의 액적들에 의해 반사되는 광자들에 의하여 레이징 과정(lasing process)이 시작하기 때문에, 증강 모드(mode that builds-up)가 초기 트리거 과정(trigger process)에 크게 의존하고 그 주위에 국한된다는 것이다. 이는 이어서 다음의 문제점들을 포함한다: 공동(cavity)이 국부적으로만 사용되어, 이득 매질에서의 포화 효과들이 얻을 수 있는 절대 파워(absolute power)를 제한하고; 레이저가 다시 발사되는 초기 유발점에 의해 연료 재료의 이동하는 액적이 플라잉(fly)되어, 다음 반사가 최적에 못 미치며, 이는 바람직하지 않은 비대칭 모드의 전개를 초래할 수 있다.
알려진 방사선 소스들에 비해 신규하고 창의적인 방사선 소스 및 리소그래피 장치를 제공하는 것이 바람직하다.
본 발명의 제 1 실시형태에 따르면, 플라즈마 형성 위치를 향해 궤적을 따라 연료 액적들의 스트림을 지향하도록 구성된 노즐, 및 플라즈마 형성 위치에서의 연료 액적들을 플라즈마로 전환하기 위해 플라즈마 형성 위치로 레이저 방사선을 지향하도록 구성된 레이저를 포함한 방사선 소스가 제공되고, 상기 레이저는 증폭기 및 증폭기를 통과하는 방사선에 대한 분기 빔 경로(divergent beam path)를 정의하도록 구성된 광학 요소를 포함한다.
레이저는 증폭기로부터 방출된 광자들이 연료 액적에 의해 분기 빔 경로를 따라 반사되는 경우에 레이저 방사선의 펄스를 발생시키도록 구성될 수 있다. 레이저는 연료 액적들에 의해 반사된 광자들을 반사시키도록 배치된 공동 거울(cavity mirror)을 포함할 수 있으며, 광학 요소는 증폭기와 공동 거울 사이에 제공될 수 있다.
증폭기는 복수의 증폭기 챔버들을 포함할 수 있다. 광학 요소는 공동 거울과 공동 거울에 가장 가까운 증폭기 챔버 사이에 제공될 수 있다.
제 1 실시예에서, 광학 요소는 위상 격자(phase grating)를 포함한다.
제 2 실시예에서, 광학 요소는 산란 플레이트(scatter plate)를 포함한다.
방사선 소스는 연료 액적들로부터 형성된 플라즈마에 의해 발생되는 방사선을 수집하고 포커스하도록 구성된 컬렉터 거울(collector mirror)을 더 포함할 수 있다.
연료 액적들의 전환에 의해 생성된 플라즈마는 바람직하게는 EUV 방사선 방출 플라즈마이다.
레이저 방사선은 약 9 ㎛ 내지 약 11 ㎛의 파장을 가질 수 있다.
노즐은 단일 액적으로서 연료 액적들을 방출하도록 구성될 수 있다. 대안적으로, 노즐은 이후 액적들로 합쳐지는 연료 클라우드들(clouds of fuel)로서 연료 액적들을 방출하도록 구성될 수 있다.
연료 액적들은 Xe, Li 또는 Sn을 포함하거나, 이들로 구성될 수 있다.
레이저는 바람직하게는 CO2 레이저이다.
본 발명의 제 2 실시형태에 따르면, 본 발명의 앞선 실시형태의 방사선 소스를 포함한 리소그래피 장치가 제공되고, 이는 방사선 빔을 컨디셔닝(condition)하도록 구성된 조명 시스템, 패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여할 수 있는 패터닝 디바이스를 지지하도록 구성된 지지체, 기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블, 및 기판의 타겟부 상으로 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템을 더 포함한다.
본 발명의 제 3 실시형태에 따르면, 노즐로부터 궤적을 따라 플라즈마 형성 위치를 향해 연료 액적들의 스트림을 방출하는 단계, 및 플라즈마 형성 위치에서의 연료 액적들을 플라즈마로 전환하도록 플라즈마 형성 위치로 레이저 방사선을 지향하기 위해 레이저를 이용하는 단계를 포함한 방법이 제공되고, 상기 레이저는 증폭기 및 광학 요소를 포함하며, 상기 방법은 증폭기를 통과하는 방사선에 대한 분기 빔 경로를 정의하기 위해 광학 요소를 이용하는 단계를 더 포함한다.
첨부된 도면들을 참조하여, 본 발명의 다양한 실시예들의 구조 및 작동뿐만 아니라, 본 발명의 또 다른 특징들 및 장점들이 아래에서 상세하게 설명된다. 본 발명은 본 명세서에서 설명되는 특정한 실시예들에 제한되지 않는다는 것에 유의한다. 이러한 실시예들은 본 명세서에서 단지 예시적인 목적으로만 제시된다. 당업자라면, 본 명세서에 포함되는 정보(teaching)들에 기초하여 추가적인 실시예들을 분명히 알 것이다.
본 명세서에 통합되며 명세서의 일부분을 형성하는 첨부된 도면들은 본 발명을 예시하며, 또한 설명과 함께 본 발명의 원리들을 설명하고 당업자가 본 발명을 수행하고 사용할 수 있게 하는 역할을 한다:
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시하는 도면;
도 2는 LPP 소스 컬렉터 모듈을 포함하여, 도 1의 장치를 더 상세히 도시하는 도면;
도 3은 종래 기술에 따른 방사선 소스를 개략적으로 도시하는 도면;
도 4는 도 3의 방사선 소스의 작동 단계들을 개략적으로 도시하는 도면;
도 5는 본 발명의 일 실시형태의 제 1 실시예에 따른 방사선 소스를 개략적으로 도시하는 도면; 및
도 6은 본 발명의 일 실시형태의 제 2 실시예에 따른 방사선 소스를 개략적으로 도시하는 도면이다.
동일한 참조 기호들이 대응하는 요소들을 전부 식별하는 도면들에 관련하여 아래에서 설명되는 상세한 설명으로부터 본 발명의 특징들 및 장점들이 더 분명해질 것이다. 도면들에서 동일한 참조 번호들은 일반적으로 동일하거나 기능적으로 유사한, 및/또는 구조적으로 유사한 요소들을 나타낸다. 요소가 처음 나타나는 도면은 대응하는 참조 번호의 맨 앞자리 수(들)에 의해 나타내어진다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시하는 도면;
도 2는 LPP 소스 컬렉터 모듈을 포함하여, 도 1의 장치를 더 상세히 도시하는 도면;
도 3은 종래 기술에 따른 방사선 소스를 개략적으로 도시하는 도면;
도 4는 도 3의 방사선 소스의 작동 단계들을 개략적으로 도시하는 도면;
도 5는 본 발명의 일 실시형태의 제 1 실시예에 따른 방사선 소스를 개략적으로 도시하는 도면; 및
도 6은 본 발명의 일 실시형태의 제 2 실시예에 따른 방사선 소스를 개략적으로 도시하는 도면이다.
동일한 참조 기호들이 대응하는 요소들을 전부 식별하는 도면들에 관련하여 아래에서 설명되는 상세한 설명으로부터 본 발명의 특징들 및 장점들이 더 분명해질 것이다. 도면들에서 동일한 참조 번호들은 일반적으로 동일하거나 기능적으로 유사한, 및/또는 구조적으로 유사한 요소들을 나타낸다. 요소가 처음 나타나는 도면은 대응하는 참조 번호의 맨 앞자리 수(들)에 의해 나타내어진다.
본 명세서는 본 발명의 특징들을 통합하는 1 이상의 실시예들을 개시한다. 개시된 실시예(들)는 단지 본 발명을 예시한다. 개시된 실시예(들)에 본 발명의 범위가 제한되지는 않는다. 본 발명은 본 명세서에 첨부된 청구항들에 의해 정의된다.
본 명세서에서, "하나의 실시예", "일 실시예", "예시적인 실시예" 등으로 설명된 실시예(들) 및 이러한 언급들은, 설명된 실시예(들)가 특정한 특징, 구조 또는 특성을 포함할 수 있지만, 모든 실시예가 특정한 특징, 구조 또는 특성을 반드시 포함하는 것은 아닐 수 있음을 나타낸다. 또한, 이러한 어구들이 반드시 동일한 실시예를 칭하는 것은 아니다. 또한, 특정한 특징, 구조 또는 특성이 일 실시예와 관련하여 설명되는 경우, 다른 실시예들과 관련하여 이러한 특징, 구조 또는 특성을 초래하는 것은 명확하게 설명되든지 그렇지 않든지 당업자의 지식 내에 있음을 이해한다.
본 발명의 실시예들은 하드웨어, 펌웨어, 소프트웨어 또는 여하한의 그 조합으로 구현될 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예들은 기계-판독가능한 매체 상에 저장된 명령어들로서 구현될 수 있으며, 이는 1 이상의 프로세서에 의해 판독되고 실행될 수 있다. 기계-판독가능한 매체는 기계[예를 들어, 연산 디바이스(computing device)]에 의해 판독가능한 형태로 정보를 저장하거나 전송하는 여하한의 메카니즘을 포함할 수 있다. 예를 들어, 기계-판독가능한 매체는 ROM(read only memory); RAM(random access memory); 자기 디스크 저장 매체; 광학 저장 매체; 플래시 메모리 디바이스들; 전기, 광학, 음향, 또는 다른 형태의 전파 신호들(예를 들어, 반송파, 적외선 신호, 디지털 신호 등), 및 이와 유사한 것을 포함할 수 있다. 또한, 펌웨어, 소프트웨어, 루틴(routine), 및 명령어들은 본 명세서에서 소정 동작을 수행하는 것으로서 설명될 수 있다. 하지만, 이러한 설명들은 단지 편의를 위한 것이며, 이러한 동작은 사실상 연산 디바이스, 프로세서, 제어기, 또는 펌웨어, 소프트웨어, 루틴, 명령어 등을 실행하는 다른 디바이스에서 비롯된 것임을 이해하여야 한다.
하지만, 이러한 실시예들을 더 상세히 설명하기 전에, 본 발명의 실시예들이 구현될 수 있는 예시적인 환경을 제시하는 것이 유익하다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치(100)를 개략적으로 도시한다. 리소그래피 장치는 본 발명의 일 실시예에 따른 EUV 방사선 소스를 포함한다. 상기 장치는 방사선 빔(B)(예를 들어, EUV 방사선)을 컨디셔닝하도록 구성된 조명 시스템(일루미네이터)(IL); 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크 또는 레티클)(MA)를 지지하도록 구성되고, 패터닝 디바이스를 정확히 위치시키도록 구성된 제 1 위치설정기(PM)에 연결된 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT); 기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구성되고, 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제 2 위치설정기(PW)에 연결된 기판 테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT); 및 기판(W)의 (예를 들어, 1 이상의 다이를 포함하는) 타겟부(C) 상으로 패터닝 디바이스(MA)에 의해 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 투영하도록 구성된 투영 시스템(예를 들어, 반사 투영 시스템)(PS)을 포함한다.
조명 시스템은 방사선을 지향, 성형 또는 제어하기 위하여, 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 또는 다른 형태의 광학 구성요소들, 또는 여하한의 그 조합과 같은 다양한 형태의 광학 구성요소들을 포함할 수 있다.
지지 구조체(MT)는 패터닝 디바이스의 방위, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경에서 유지되는지의 여부와 같은 다른 조건들에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스(MA)를 유지한다. 지지 구조체는 패터닝 디바이스를 유지하기 위해 기계적, 진공, 정전기, 또는 다른 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 지지 구조체는, 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 이동가능할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 지지 구조체는, 패터닝 디바이스가 예를 들어 투영 시스템에 대해 원하는 위치에 있을 것을 보장할 수 있다.
"패터닝 디바이스"라는 용어는, 기판의 타겟부에 패턴을 생성하기 위해서 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는데 사용될 수 있는 여하한의 디바이스를 언급하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적 회로와 같이 타겟부에 생성될 디바이스 내의 특정 기능 층에 해당할 것이다.
패터닝 디바이스는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝 디바이스의 예로는 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이 및 프로그램가능한 LCD 패널들을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리(binary)형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형과 같은 마스크 타입들, 및 다양한 하이브리드(hybrid) 마스크 타입들을 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일 예시는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 거울들은 거울 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다.
조명 시스템과 같이 투영 시스템은, 사용되는 노광 방사선에 대하여, 또는 진공의 사용과 같은 다른 인자들에 대하여 적절하다면, 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 또는 다른 타입의 광학 구성요소들, 또는 여하한의 그 조합과 같은 다양한 타입의 광학 구성요소들을 포함할 수 있다. 다른 가스들은 너무 많은 방사선을 흡수할 수 있기 때문에, EUV 방사선에 대해 진공을 사용하는 것이 바람직할 수 있다. 그러므로, 진공 벽 및 진공 펌프들의 도움으로 전체 빔 경로에 진공 환경이 제공될 수 있다.
본 명세서에 도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 반사 마스크를 채택하는) 반사형으로 구성된다.
리소그래피 장치는 2 개(듀얼 스테이지) 이상의 기판 테이블(및/또는 2 이상의 마스크 테이블)을 갖는 형태로 구성될 수 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가 테이블이 병행하여 사용될 수 있으며, 또는 1 이상의 테이블이 노광에 사용되고 있는 동안 1 이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.
도 1을 참조하면, 일루미네이터(IL)는 소스 컬렉터 모듈(SO)로부터 극자외(EUV) 방사선 빔을 수용한다. EUV 방사선을 생성하는 방법들은 EUV 범위 내의 1 이상의 방출선을 갖는 적어도 1 이상의 원소, 예를 들어 크세논, 리튬 또는 주석을 갖는 재료를 플라즈마 상태로 전환하는 단계를 포함하며, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. 흔히 레이저 생성 플라즈마("LPP")라고 칭하는 이러한 한 방법에서, 요구되는 플라즈마는 요구되는 선-방출 원소를 갖는 재료의 액적과 같은 연료를 레이저 빔으로 조사함으로써 생성될 수 있다. 소스 컬렉터 모듈(SO)은 연료를 여기시키는 레이저 빔을 제공하는 레이저(도 1에 나타내지 않음)를 포함한 EUV 방사선 소스의 일부분일 수 있다. 결과적인 플라즈마는 출력 방사선, 예를 들어 EUV 방사선을 방출하며, 이는 소스 컬렉터 모듈에 배치된 방사선 컬렉터를 이용하여 수집된다.
예를 들어, CO2 레이저가 연료 여기를 위한 레이저 빔을 제공하는 데 사용되는 경우, 상기 레이저 및 소스 컬렉터 모듈은 별도의 개체일 수 있다. 이러한 경우, 방사선 빔은 예를 들어 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스팬더(beam expander)를 포함하는 빔 전달 시스템의 도움으로, 레이저로부터 소스 컬렉터 모듈로 통과된다. 상기 레이저 및 연료 공급기는 EUV 방사선 소스를 포함하는 것으로 간주될 수 있다.
상기 일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도 세기 분포를 조정하는 조정기를 포함할 수 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필 평면 내의 세기 분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 패싯 필드(facetted field) 및 퓨필 거울 디바이스들과 같이, 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수도 있다. 일루미네이터는 방사선 빔의 단면에 원하는 균일성(uniformity) 및 세기 분포를 갖기 위해, 방사선 빔을 컨디셔닝하는 데 사용될 수 있다.
상기 방사선 빔(B)은 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 상에 유지되어 있는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 상에 입사되며, 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된다. 상기 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)로부터 반사된 후, 상기 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과하며, 이는 기판(W)의 타겟부(C) 상으로 상기 빔을 포커스한다. 제 2 위치설정기(PW) 및 위치 감지 시스템(PS2)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 리니어 인코더, 또는 용량성 센서를 이용함)의 도움으로, 기판 테이블(WT)은 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로 내에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정기(PM) 및 또 다른 위치 감지 시스템(PS1)은 방사선 빔(B)의 경로에 대해 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 정확히 위치시키는 데 사용될 수 있다. 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬 마크들(M1 및 M2) 및 기판 정렬 마크들(P1 및 P2)을 이용하여 정렬될 수 있다.
도시된 장치는 다음 모드들 중 적어도 1 이상에서 사용될 수 있다:
1. 스텝 모드에서, 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 및 기판 테이블(WT)은 기본적으로 정지 상태로 유지되는 한편, 방사선 빔에 부여되는 전체 패턴은 한번에 타겟부(C) 상으로 투영된다[즉, 단일 정적 노광(single static exposure)]. 그 후, 기판 테이블(WT)은 상이한 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 X 및/또는 Y 방향으로 시프트된다.
2. 스캔 모드에서, 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 및 기판 테이블(WT)은 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다[즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)]. 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 확대(축소) 및 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다.
3. 또 다른 모드에서, 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT)는 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안 기판 테이블(WT)이 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스화된 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채택되며, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 기판 테이블(WT)이 각각 이동한 후, 또는 스캔 중에 계속되는 방사선 펄스 사이사이에 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 상술된 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 사용 모드들이 채택될 수도 있다.
도 2는 소스 컬렉터 모듈(SO), 조명 시스템(IL), 및 투영 시스템(PS)을 포함하는 리소그래피 장치(100)를 더 상세히 나타낸다. 소스 컬렉터 모듈(SO)은, 소스 컬렉터 모듈의 포위 구조체(220) 내에 진공 환경이 유지될 수 있도록 구성되고 배치된다.
레이저(LA)가 레이저 빔(205)을 통해, 연료 공급기(200)로부터 제공되는 크세논(Xe), 주석(Sn) 또는 리튬(Li)과 같은 연료에 레이저 에너지를 축적(deposit)하도록 배치된다. 이는 플라즈마 형성 위치(211)에서 수십 eV의 전자 온도를 갖는 고이온화 플라즈마(highly ionized plasma: 210)를 생성한다. 이 이온들의 하방천이(de-excitation) 및 재결합(recombination) 동안 발생되는 강력한 방사선은 플라즈마로부터 방출되어, 근수직 입사 방사선 컬렉터(near normal incidence radiation collector: CO)에 의해 수집되고 포커스된다. 레이저(LA) 및 연료 공급기(200)가 함께 EUV 방사선 소스를 구성하는 것으로 간주될 수 있다. EUV 방사선 소스는 레이저 생성 플라즈마(LPP) 소스라고 칭해질 수 있다.
제 2 레이저(도시되지 않음)가 제공될 수 있으며, 상기 제 2 레이저는 레이저 빔(205)이 그 위에 입사하기 전에 연료를 예열하도록 구성된다. 이 접근법을 이용하는 LPP 소스는 DLP(dual laser pulsing) 소스라고 칭해질 수 있다.
방사선 컬렉터(CO)에 의해 반사되는 방사선은 가상 소스점(virtual source point: IF)에 포커스된다. 가상 소스점(IF)은 통상적으로 중간 포커스라고 칭해지며, 소스 컬렉터 모듈(SO)은 중간 포커스(IF)가 포위 구조체(220)에서의 개구부(opening: 221)에, 또는 그 부근에 위치되도록 배치된다. 가상 소스점(IF)은 방사선 방출 플라즈마(210)의 이미지이다.
후속하여, 방사선은 조명 시스템(IL)을 가로지르며, 이는 패터닝 디바이스(MA)에서의 방사선 세기의 원하는 균일성뿐 아니라, 패터닝 디바이스(MA)에서의 방사선 빔(21)의 원하는 각도 분포를 제공하도록 배치된 패싯 필드 거울 디바이스(22) 및 패싯 퓨필 거울 디바이스(24)를 포함할 수 있다. 지지 구조체(MT)에 의해 유지된 패터닝 디바이스(MA)에서의 방사선 빔(21)의 반사 시, 패터닝된 빔(26)이 형성되고, 패터닝된 빔(26)은 투영 시스템(PS)에 의하여 반사 요소들(28, 30)을 통해 웨이퍼 스테이지 또는 기판 테이블(WT)에 의해 유지된 기판(W) 상에 이미징된다.
연료 액적들의 스트림은, 예를 들어 19 미크론의 직경, 예를 들어 100 m/s의 속도, 예를 들어 1 mm의 간격(separation)을 갖는 연료 액적들을 포함한다. 이 예시적인 속도 및 간격은 100 kHz의 주파수와 대응한다. 그러므로, 이 특정 예시에서 19 미크론의 직경을 갖는 연료 액적들은 100 kHz의 주파수로 플라즈마 형성 위치에 전달된다. 이는 레이저 빔(205)(도 2 참조)에 의한 플라즈마로의 연료 액적들의 전환을 통한 EUV 방사선의 효율적인 발생의 관점에서 바람직할 수 있다.
이 예시적인 실시예에서, 연료 액적 크기 및 연료 액적 주파수는 서로 관련되고, 둘 다 액적들이 배출되는 노즐의 직경과 관련될 것이다. 노즐의 직경은, 예를 들어 3 미크론 또는 그 이상일 수 있다. 노즐의 직경은 원하는 직경(및 이에 따라, 연료 재료의 원하는 부피)을 갖는 연료 액적들을 제공하도록 선택될 수 있다. 약 20 미크론의 직경을 갖는 연료 액적들을 제공하는 것이 바람직할 수 있다. 이 직경의 연료 액적들은, 레이저 빔(205)이 연료 액적들을 놓칠 위험이 매우 작도록 충분히 크고, 연료의 대부분이 레이저 빔에 의해 플라즈마로 전환되어 증발되지 않은 연료 재료로 인한 오염이 적도록 충분히 작다. 노즐은, 예를 들어 10 미크론까지의 직경을 가질 수 있다.
노즐은 예를 들어, 레일리 분리(Rayleigh break-up)를 통해 원하는 직경을 갖는 연료 액적들을 발생시키는 직경을 가질 수 있다. 대안적으로, 노즐은 이후 함께 합쳐져서 원하는 직경을 갖는 연료 액적들을 형성하는 더 작은 연료 액적들을 발생시키는 직경을 가질 수 있다.
도 3은 도 2에 나타낸 레이저 방사선(205)을 발생시키는 레이저(LA)로서 사용될 수 있는 종래 레이저를 개략적으로 도시한다. 도 3의 종래 레이저(LA)는 2 개의 증폭기 챔버들(310 및 320)을 갖는 증폭기(300)를 포함한다. 증폭기 챔버들(310, 320)은 각각 빔 경로(330)를 따라 위치된 광학적 이득 매질을 포함할 수 있다. 또한, 레이저(LA)는 파장 선택 공동 거울(340), 예를 들어 리트로 격자(Littrow grating)를 포함하고, 이는 다시 반대 방향으로 빔 경로(330) 상의 위치로부터 공동 거울(340) 상에 입사하는 방사선을 반사시키도록 구성되고 배치된다. 공동 거울(340)은, 예를 들어 리트로 격자, 평면 거울, 곡면 거울, 위상-공액 거울(phase-conjugate mirror) 또는 코너 리플렉터(corner reflector)일 수 있다.
도 4를 참조하면, 연료 액적(400)이 플라즈마 형성 위치에 도달하는 경우, 증폭기 챔버들(310, 320)에서 광학적 이득 매질로부터 자발적으로 방출된 광자들(410)이 액적(400)에 의해 산란된다. 이 산란 광자들 중 일부(420)는 다시 증폭기(300)로 지향된다. 이 광자들(420)은 증폭기(300)에 의해 증폭되고, 공동 거울(340)에 의해 반사(430)된 후, 다시 증폭기(300)에 의해 증폭되어 레이저 방사선 빔(205)을 생성하며, 이는 그 후 EUV 방사선-방출 플라즈마를 생성하도록 연료 액적(400)과 상호작용할 수 있다.
레이저 빔(205)은 약 9 ㎛ 내지 약 11 ㎛의 파장을 가질 수 있다. 약 10.6 ㎛의 파장이 사용될 수 있는데, 이는 그 파장의 방사선이 EUV 방사선-방출 플라즈마를 생성함에 있어서 특히 효과적인 것으로 입증되었기 때문이다. 증폭기 챔버들(310, 320)의 광학적 이득 매질은, 예를 들어 헬륨 가스, 질소 가스, 및 CO2 가스의 혼합물, 또는 가스들의 여하한의 다른 적절한 조합을 포함할 수 있다.
도 3 및 도 4에 도시된 종래 레이저와 연계된 문제점은 증강 모드가 초기 트리거 과정에 크게 의존하고 그 주위에 국한된다는 것이며, 이는 공동이 국부적으로만 사용되게 한다[도 4의 좁은 타원형 부분(440) 참조]. 이는 이득 매질의 포화를 유도하고, 이는 얻을 수 있는 절대 파워를 제한한다. 추가적으로, 레이저가 다시 발사되는 초기 유발점에 의해 연료 재료의 이동하는 액적이 플라잉되어, 다음 반사가 최적에 못 미치며, 이는 바람직하지 않은 비대칭 모드의 전개를 초래할 수 있다.
앞서 언급된 문제점들은 본 발명의 일 실시형태의 일 실시예에 따른 방사선 소스(LA)를 이용함으로써 설명될 수 있다. 도 5에 제 1 실시예가 도시되고, 도 6에 제 2 실시예가 도시된다.
도 5는 도 3 및 도 4에 나타낸 종래 방사선 소스(LA)와 유사한 전반적인 구성을 갖지만, '이득' 증폭기 챔버(310)와 공동 거울(340) 사이에 위상 격자(500) 형태의 광학 요소가 제공되는 방사선 소스(LA)를 나타낸다. 위상 격자(500)는 연료 액적(400)으로부터의 입사 광선들(420)이 그들의 선형 경로(도시되지 않음)로부터 공동 거울(340)을 향해 분기(510)하게 하도록 구성된다. 그 후, 분기된 광선들(510)은 공동 거울(340)에 의해 반사되어, 다시 위상 격자(500)를 향하는 선형 경로(520)를 따르며, 격자 상에서 이들은 선형 경로로부터 더 분기되어 증폭기(300)를 통해 복수의 분기 경로들(450, 460)을 따른다. 광선들이 증폭기를 통해 분기 경로를 따르게 하는 위상 격자(500)의 결과로서, 레이저 빔은 효과적으로 넓어져서 증폭기(300)의 챔버들(310, 320) 중 1 이상에서 더 큰 부피의 이득 매질을 사용한다[도 5의 넓어진 타원형(440')으로서 개략적으로 도시됨]. 이 방식으로, 도 5에 도시된 본 발명의 일 실시형태의 제 1 실시예에 따른 레이저(LA)는 초기 레이저 트리거 임펄스에 덜 의존하며, 더 높은 출력의 더 안정적인 빔을 제공한다. 또한, 위상 격자의 사용은 격자 피치 및 레이저(LA) 내의 다른 구성요소들로부터의 간격을 제어함으로써 넓어진 빔을 최적화할 기회를 제공한다. 빔의 분기가 소정 레벨의 파워 손실을 유도할 수 있지만, 이는 적어도 챔버(310) 하나에서 더 큰 부피의 이득 매질을 이용함으로써 얻어지는 매우 증가된 파워 이득에 의해 충분히 보상될 것으로 예상된다.
도 6은 도 5에 나타낸 방사선 소스(LA)와 유사한 구성을 갖지만, 위상 격자(500)가 산란 플레이트(600) 형태의 광학 요소로 대체된 방사선 소스(LA)를 나타낸다. 산란 플레이트(600)는 또다시 '이득' 증폭기 챔버(310)와 공동 거울(340) 사이에 제공된다. 산란 플레이트(600)는 연료 액적(400)으로부터의 입사 광선들(420)이 그들의 선형 경로(도시되지 않음)로부터 공동 거울(340)을 향해, 위상 격자(500)보다 더 많이 분기(510)하게 하도록 구성된다. 또한, 산란 플레이트(600)는 다시 산란 플레이트(600)를 향해 이동하는 반사된 광선들(520)이 그들의 선형 경로로부터 위상 격자보다 더 많이 분기하게 하여, 광선들이 증폭기(300)를 통해 더 많은 수의 분기 경로들(450, 460, 610)을 따르게 되는 것으로 의도된다. 결과로서, 레이저 빔은 또다시 효과적으로 넓어져서 증폭기(300)의 챔버들(310, 320) 중 1 이상에서 더 큰 부피의 이득 매질을 사용하고[도 6의 넓어진 타원형(440")으로서 개략적으로 도시됨], 이는 도 5에 나타낸 실시예에 관하여 앞서 설명된 것과 유사한 장점들을 제공한다.
본 발명의 앞서 설명된 실시예들에서, 연료 액적들의 속도는 100 m/s이다. 연료 액적들은 여하한의 원하는 속도로 제공될 수 있다. 연료 액적들이 높은 속도를 갖는 것이 바람직할 수 있다. 이는 속도가 높을수록 (플라즈마 형성 위치로의 연료 액적 전달의 주어진 주파수에 대한) 연료 액적들 간의 분리 간격이 더 크기 때문이다. 보다 큰 간격이 바람직한데, 이는 앞선 연료 액적에 의해 발생된 플라즈마가 다음 연료 액적과 상호작용하여, 예를 들어 그 연료 액적의 궤적 변경을 야기할 위험을 감소시키기 때문이다. 플라즈마 형성 위치로 전달되는 액적들 간의 1 mm 이상의 간격이 바람직할 수 있다(하지만, 여하한의 간격이 사용될 수 있음).
액적 형성의 타이밍은 압전 액추에이터에 의한 노즐의 작동에 의해 제어될 수 있다. 그러므로, 액적 형성의 타이밍은 압전 액추에이터에 공급되는 구동 신호의 위상을 조정함으로써 조정될 수 있다. 연료 액적들의 속도 및/또는 액적 형성의 타이밍을 조정하기 위해, 제어기가 구성될 수 있다.
연료 액적 속도, 연료 액적 크기, 연료 액적 간격, 저장부 내의 연료 압력, 압전 액추에이터에 의해 적용된 변조 주파수(frequency of modulation), 노즐의 직경, 및 개구부들의 폭의 값들은 단지 예시들이다. 여하한의 다른 적절한 값들이 사용될 수 있다.
본 발명의 앞서 설명된 실시예들에서, 연료 액적들은 액체 주석이다. 하지만, 연료 액적들은 (예를 들어, 액체 형태인) 1 이상의 다른 재료들로부터 형성될 수 있다.
소스에 의해 발생된 방사선은, 예를 들어 EUV 방사선일 수 있다. 예를 들어, EUV 방사선은 5 내지 20 nm의 범위, 예를 들어 13 내지 14 nm의 범위, 예를 들어 6.7 nm 또는 6.8 nm와 같이 5 내지 10 nm의 범위 내의 파장을 가질 수 있다.
본 명세서에서는, IC 제조에 있어서 리소그래피 장치의 특정 사용예에 대하여 언급되지만, 본 명세서에 서술된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 안내 및 검출 패턴, 평판 디스플레이(flat-panel display), 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드, LED, 태양 전지, 포토닉 디바이스(photonic device) 등의 제조와 같이 다른 적용예들을 가질 수도 있음을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용예와 관련하여, 본 명세서의 "웨이퍼" 또는 "다이"라는 용어의 어떠한 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수도 있음을 이해할 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트 층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 메트롤로지 툴 및/또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판 처리 툴과 다른 기판 처리 툴에 본 명세서의 기재내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러번 처리된 층들을 포함한 기판을 칭할 수도 있다.
본 명세서가 허용하는 "렌즈"라는 용어는, 굴절, 반사, 자기, 전자기 및 정전기 광학 구성요소들을 포함하는 다양한 형태의 광학 구성요소들 중 어느 하나 또는 그 조합으로 언급될 수 있다.
이상, 본 발명의 특정 실시예가 설명되었지만, 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 상기 서술내용은 예시를 위한 것이지, 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 당업자라면 아래에 설명되는 청구항들의 범위를 벗어나지 않고 서술된 본 발명에 대한 변형예가 행해질 수 있다는 것을 분명히 알 것이다.
요약 및 초록 부분(Summary and Abstract sectons)이 아닌, 발명의 상세한 설명 부분(Detailed Description section)이 청구항을 해석하는 데 사용되도록 의도된다는 것을 이해하여야 한다. 요약 및 초록 부분은 1 이상을 설명할 수 있지만, 발명자(들)에 의해 의도된 본 발명의 모든 예시적인 실시예를 설명하지는 않으며, 이에 따라 어떠한 방식으로도 본 발명 및 첨부된 청구항을 제한하도록 의도되지 않는다.
이상, 본 발명은 명시된 기능들 및 그 관계들의 구현을 예시하는 기능 구성 요소(functional building block)들의 도움으로 설명되었다. 본 명세서에서, 이 기능 구성 요소들의 경계들은 설명의 편의를 위해 임의로 정의되었다. 명시된 기능들 및 그 관계들이 적절히 수행되는 한, 대안적인 경계들이 정의될 수 있다.
특정 실시예들의 앞선 설명은 당업계의 지식을 적용함으로써, 다양한 적용들을 위해 본 발명의 일반적인 개념을 벗어나지 않고 지나친 실험 없이 이러한 특정 실시예들을 쉽게 변형하고, 및/또는 응용할 수 있는 본 발명의 일반적인 성질을 전부 드러낼 것이다. 그러므로, 이러한 응용예 및 변형예들은 본 명세서에 나타낸 개시내용 및 안내에 기초하여, 기재된 실시예들의 균등물의 의미 및 범위 내에 있도록 의도된다. 본 명세서에서, 어구 또는 전문 용어는 설명을 위한 것이며 제한하려는 것이 아니므로, 당업자라면 본 명세서의 전문 용어 또는 어구가 개시내용 및 안내를 고려하여 해석되어야 한다는 것을 이해하여야 한다.
본 발명의 범위와 폭은 상술된 예시적인 실시예들 중 어느 것에 의해서도 제한되지 않아야 하며, 다음의 청구항 및 그 균등물에 따라서만 정의되어야 한다.
Claims (15)
- 방사선 소스에 있어서:
플라즈마 형성 위치를 향해 궤적을 따라 연료 액적(fuel droplet)들의 스트림을 지향하도록 구성된 노즐; 및
상기 플라즈마 형성 위치에서의 연료 액적들을 플라즈마로 전환하기 위해, 상기 플라즈마 형성 위치로 레이저 방사선, 예를 들어 약 9 ㎛ 내지 약 11 ㎛의 파장을 갖는 방사선을 지향하도록 구성된 레이저
를 포함하고, 상기 레이저는 증폭기 및 상기 증폭기를 통과하는 방사선에 대한 분기 빔 경로(divergent beam path)를 정의하도록 구성된 광학 요소를 포함하는 방사선 소스. - 제 1 항에 있어서,
상기 레이저는 상기 증폭기로부터 방출된 광자들이 연료 액적에 의해 상기 분기 빔 경로를 따라 반사되는 경우에 레이저 방사선의 펄스를 발생시키도록 구성되는 방사선 소스. - 제 2 항에 있어서,
상기 레이저는 연료 액적들에 의해 반사된 광자들을 반사시키도록 배치된 공동 거울(cavity mirror)을 포함하며, 상기 광학 요소는 상기 증폭기와 상기 공동 거울 사이에 제공되는 방사선 소스. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 증폭기는 복수의 증폭기 챔버들을 포함하는 방사선 소스. - 제 4 항에 있어서,
상기 광학 요소는 상기 공동 거울과 상기 공동 거울에 가장 가까운 증폭기 챔버 사이에 제공되는 방사선 소스. - 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 광학 요소는 위상 격자(phase grating)를 포함하는 방사선 소스. - 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 광학 요소는 산란 플레이트(scatter plate)를 포함하는 방사선 소스. - 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 방사선 소스는 상기 연료 액적들로부터 형성된 플라즈마에 의해 발생되는 방사선을 수집하고 포커스하도록 구성된 컬렉터 거울(collector mirror)을 더 포함하는 방사선 소스. - 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 연료 액적들의 전환에 의해 생성된 플라즈마는 EUV 방사선 방출 플라즈마인 방사선 소스. - 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 노즐은 단일 액적들로서 연료 액적들을 방출하도록 구성되는 방사선 소스. - 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 노즐은 추후에 액적들로 합쳐지는 연료 클라우드들(clouds of fuel)로서 연료 액적들을 방출하도록 구성되는 방사선 소스. - 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 연료 액적들은 Xe, Li 또는 Sn을 포함하거나, Xe, Li 또는 Sn으로 구성되는 방사선 소스. - 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 레이저는 CO2 레이저인 방사선 소스. - 리소그래피 장치에 있어서:
제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 따른 방사선 소스;
방사선 빔을 컨디셔닝(condition)하도록 구성된 조명 시스템;
패터닝된 방사선 빔을 형성하기 위해, 상기 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여할 수 있는 패터닝 디바이스를 지지하도록 구성된 지지체;
기판을 유지하도록 구성된 기판 테이블; 및
상기 기판의 타겟부 상으로 상기 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 투영 시스템
을 포함하는 리소그래피 장치. - 노즐로부터 궤적을 따라 플라즈마 형성 위치를 향해 연료 액적들의 스트림을 방출하는 단계,
상기 플라즈마 형성 위치에서의 연료 액적들을 플라즈마로 전환하도록 상기 플라즈마 형성 위치로 레이저 방사선을 지향하기 위해 레이저를 이용하는 단계 -상기 레이저는 증폭기 및 광학 요소를 포함함- , 및
상기 증폭기를 통과하는 방사선에 대한 분기 빔 경로를 정의하기 위해 상기 광학 요소를 이용하는 단계
를 포함하는 방법.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201161530741P | 2011-09-02 | 2011-09-02 | |
| US61/530,741 | 2011-09-02 | ||
| PCT/EP2012/064789 WO2013029897A1 (en) | 2011-09-02 | 2012-07-27 | Radiation source and lithographic apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20140060560A true KR20140060560A (ko) | 2014-05-20 |
Family
ID=46601807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020147008693A KR20140060560A (ko) | 2011-09-02 | 2012-07-27 | 방사선 소스 및 리소그래피 장치 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20140218706A1 (ko) |
| JP (1) | JP2014527273A (ko) |
| KR (1) | KR20140060560A (ko) |
| CN (1) | CN103748968A (ko) |
| TW (1) | TW201313075A (ko) |
| WO (1) | WO2013029897A1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160066366A (ko) * | 2014-12-02 | 2016-06-10 | 주식회사 포스코 | 주조장치 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018512723A (ja) | 2015-02-19 | 2018-05-17 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | 放射源 |
| TWI739755B (zh) * | 2015-08-12 | 2021-09-21 | 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 | 極紫外線光源中之目標擴張率控制 |
| US9820368B2 (en) | 2015-08-12 | 2017-11-14 | Asml Netherlands B.V. | Target expansion rate control in an extreme ultraviolet light source |
| US10806016B2 (en) * | 2017-07-25 | 2020-10-13 | Kla Corporation | High power broadband illumination source |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5349602A (en) * | 1993-03-15 | 1994-09-20 | Sdl, Inc. | Broad-area MOPA device with leaky waveguide beam expander |
| US7916388B2 (en) * | 2007-12-20 | 2011-03-29 | Cymer, Inc. | Drive laser for EUV light source |
| US7491954B2 (en) * | 2006-10-13 | 2009-02-17 | Cymer, Inc. | Drive laser delivery systems for EUV light source |
| DE102005030753B4 (de) * | 2005-06-29 | 2018-04-12 | Hottinger Baldwin Messtechnik Gmbh | Optischer Dehnungsmessstreifen |
| US20070184487A1 (en) * | 2005-07-12 | 2007-08-09 | Baynes Brian M | Compositions and methods for design of non-immunogenic proteins |
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| US7728954B2 (en) * | 2006-06-06 | 2010-06-01 | Asml Netherlands B.V. | Reflective loop system producing incoherent radiation |
| DE102009010693A1 (de) * | 2009-02-26 | 2010-09-02 | Limo Patentverwaltung Gmbh & Co. Kg | Vorrichtung zur Homogenisierung von Laserstrahlung |
| US8304752B2 (en) * | 2009-04-10 | 2012-11-06 | Cymer, Inc. | EUV light producing system and method utilizing an alignment laser |
| NL2004837A (en) * | 2009-07-09 | 2011-01-10 | Asml Netherlands Bv | Radiation system and lithographic apparatus. |
| WO2011018295A1 (en) * | 2009-08-14 | 2011-02-17 | Asml Netherlands B.V. | Euv radiation system and lithographic apparatus |
| CN102696283B (zh) * | 2010-01-07 | 2015-07-08 | Asml荷兰有限公司 | 包括液滴加速器的euv辐射源以及光刻设备 |
| NL2006073A (en) * | 2010-02-12 | 2011-08-15 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and method. |
-
2012
- 2012-07-27 US US14/241,370 patent/US20140218706A1/en not_active Abandoned
- 2012-07-27 WO PCT/EP2012/064789 patent/WO2013029897A1/en active Application Filing
- 2012-07-27 JP JP2014527558A patent/JP2014527273A/ja active Pending
- 2012-07-27 CN CN201280040912.0A patent/CN103748968A/zh active Pending
- 2012-07-27 KR KR1020147008693A patent/KR20140060560A/ko not_active Application Discontinuation
- 2012-08-16 TW TW101129780A patent/TW201313075A/zh unknown
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|---|---|---|---|---|
| KR20160066366A (ko) * | 2014-12-02 | 2016-06-10 | 주식회사 포스코 | 주조장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103748968A (zh) | 2014-04-23 |
| JP2014527273A (ja) | 2014-10-09 |
| WO2013029897A1 (en) | 2013-03-07 |
| TW201313075A (zh) | 2013-03-16 |
| US20140218706A1 (en) | 2014-08-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |