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KR20140059573A - 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 검사 방법 - Google Patents

유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 검사 방법 Download PDF

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KR20140059573A
KR20140059573A KR1020120126158A KR20120126158A KR20140059573A KR 20140059573 A KR20140059573 A KR 20140059573A KR 1020120126158 A KR1020120126158 A KR 1020120126158A KR 20120126158 A KR20120126158 A KR 20120126158A KR 20140059573 A KR20140059573 A KR 20140059573A
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KR
South Korea
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line
scan line
sub
inspection
conductive
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Inventor
김광해
김동규
정관욱
권오섭
김무진
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
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Publication date
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Abstract

본 발명은 복수의 부화소, 상기 부화소들에 연결되고 서로 병렬로 연결된 적어도 두 개의 도전 라인을 구비하는 복수의 도전 라인부 및 상기 서로 병렬로 연결된 도전 라인 중 적어도 하나의 도전 라인의 일단 및 양단에 인접하도록 배치된 검사용 박막 트랜지스터를 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 검사 방법을 제공한다.

Description

유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 검사 방법{Organic light emitting display apparatus and method for inspecting the organic light emitting display apparatus}
본 발명은 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 검사 방법에 관한 것으로 더 상세하게는 전기적 불량을 용이하게 검사하는 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 검사 방법에 관한 것이다.
근래에 표시 장치는 휴대가 가능한 박형의 평판 표시 장치로 대체되는 추세이다. 평판 표시 장치 중에서도 유기 발광 표시 장치는 자발광형 표시 장치로서 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답속도가 빠르다는 장점을 가져서 차세대 디스플레이 장치로 주목받고 있다.
유기 발광 표시 장치는 중간층, 제1 전극 및 제2 전극을 구비한다. 중간층은 유기 발광층을 구비하고, 제1 전극 및 제2 전극에 전압을 가하면 유기 발광층에서 가시광선을 발생하게 된다.
한편, 유기 발광 표시 장치를 구동하기 위하여 다양한 종류의 도전 라인들이 구비된다. 이러한 도전 라인들 중 서로 다른 층에 서로 중첩되면서 배치되는 도전 라인들이 존재하는데, 이러한 도전 라인들 중 중첩된 영역에서 쇼트 불량이 발생하면 이를 리페어할 필요가 있다.
그러나 이러한 중첩된 도전 라인들의 쇼트 불량 위치를 검사하기가 용이하지 않고, 특히 도전 라인들의 형태가 복잡해지고 개수가 많아짐에 따라 검사하는데 한계가 있다.
본 발명은 전기적 불량을 용이하게 검사하는 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 검사 방법을 제공할 수 있다.
본 발명은 복수의 부화소, 상기 부화소들에 연결되고 서로 병렬로 연결된 적어도 두 개의 도전 라인을 구비하는 복수의 도전 라인부 및 상기 서로 병렬로 연결된 도전 라인 중 적어도 하나의 도전 라인의 일단 및 양단에 인접하도록 배치된 검사용 박막 트랜지스터를 포함하는 유기 발광 표시 장치를 개시한다.
본 발명에 있어서 상기 도전 라인부는 스캔 라인인 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 스캔 라인은 상기 스캔 라인에서 분기되어 서로 병렬로 연결된 제1 스캔 라인 및 제2 스캔 라인을 구비할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 제1 스캔 라인과 연결된 부화소와 상기 제2 스캔 라인에 연결된 부화소들은 서로 다른 색을 구현할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 제1 스캔 라인과 상기 제2 스캔 라인 중 어느 하나는 일 색을 구현하는 부화소들 및 이와 다른 색을 구현하는 부화소에 연결될 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 도전 라인부는 상기 부화소에 동시에 제어 신호를 공급하는 발광 제어 라인인 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 발광 제어 라인은 공통 라인 및 상기 공통 라인에 연결되어 서로 병렬로 연결된 병렬 제어 라인을 구비할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 검사 박막 트랜지스터는 상기 부화소들의 외곽에 배치될 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 부화소는 제1 전극, 유기 발광층을 구비하는 중간층 및 제2 전극을 구비할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 제1 전극에 전기적으로 연결되고 상기 부화소의 구동을 위한 신호를 인가하고 활성층, 소스 전극 및 드레인 전극을 구비하는 박막 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 제1 전극은 상기 게이트 전극과 동일한 재료로 형성될 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 제1 전극은 투과형 도전 물질을 함유할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 검사 박막 트랜지스터는 상기 부화소의 구동과 독립적으로 구동하도록 제어될 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면 유기 발광 표시 장치를 검사하는 방법에 관한 것으로서, 복수의 부화소, 상기 부화소들에 연결되고 서로 병렬로 연결된 적어도 두 개의 도전 라인을 구비하는 복수의 도전 라인부 및 상기 서로 병렬로 연결된 도전 라인 중 적어도 하나의 도전 라인의 일단 및 양단에 인접하도록 배치된 검사용 박막 트랜지스터를 포함하는 유기 발광 표시 장치를 준비하는 단계, 급전 부재 및 수전 부재를 구비하는 검사 장치를 준비하는 단계, 순차적으로 상기 복수의 도전 라인들 각각에 상기 급전 부재 및 상기 수전 부재를 연결하여 전기적 신호를 인가하여 상기 복수의 도전 라인 각각을 모니터링하여 상기 복수의 도전 라인 중 불량이 발생한 도전 라인을 확인하는 1차 검사 단계 및 상기 불량이 발생한 도전 라인부의 검사용 박막 트랜지스터의 작동을 중지시키고 상기 급전 부재 및 상기 수전 부재를 상기 불량이 발생한 도전 라인부에 연결하여 전기적 신호를 인가하여 상기 도전 라인부의 서로 병렬로 연결된 도전 라인 중 불량이 발생한 도전 라인을 확인하는 2차 검사 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치 검사 방법을 개시한다.
본 발명에 있어서 상기 2차 검사 단계에서 상기 검사 박막 트랜지스터의 작동을 중지시켜 상기 불량이 발생한 도전 라인부의 상기 검사 박막 트랜지스터가 연결된 상기 도전 라인은 플로팅된 상태를 유지할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 제1차 검사 단계에서 상기 검사 박막 트랜지스터는 정상적으로 작동할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 도전 라인부의 불량은 쇼트 불량인 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 도전 라인부는 스캔 라인이고, 상기 불량은 상기 스캔 라인과 중첩되도록 배치된 데이터 라인과의 쇼트 불량일 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 도전 라인부는 발광 제어 라인이고, 상기 불량은 상기 발광 라인과 중첩되도록 배치된 스캔 라인 또는 전원 라인과의 쇼트 불량일 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 1차 검사 및 2차 검사를 통하여 확인된 불량이 발생한 도전 라인을 리페어 하는 방법을 더 포함할 수 있다.
본 발명에 관한 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 검사 방법은 전기적 불량을 용이하게 검사할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치를 도시한 개략적인 평면도이다.
도 2는 도 1의 Ⅱ영역의 배선 구조를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3은 도 1의 Ⅲ 영역의 배선 구조를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 4는 도 1의 유기 발광 표시 장치에 쇼트 불량이 발생한 것을 도시한 개략적인 도면이다.
도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 일 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치 검사 방법을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 9는 도 1의 유기 발광 표시 장치의 부화소의 일부 구성요소를 개략적으로 도시한 단면도이다.
이하 첨부된 도면들에 도시된 본 발명에 관한 실시예를 참조하여 본 발명의 구성 및 작용을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치를 도시한 개략적인 평면도이고, 도 2는 도 1의 Ⅱ영역의 배선 구조를 개략적으로 도시한 도면이고, 도 3은 도 1의 Ⅲ 영역의 배선 구조를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치(1)는 기판(10)상에 표시 영역(A1) 및 비표시 영역(A2)이 형성된다.
표시 영역(A1)은 영상을 표시하는 영역으로서 기판(10)의 중앙을 포함하는 영역에 형성되고, 비표시 영역(A2)은 표시 영역(A1)의 주변에 배치될 수 있다.
표시 영역(A1)에는 영상이 구현되는 복수의 부화소(SP1, SP2, SP3)가 배치된다.
복수의 부화소(SP1, SP2, SP3)는 각각의 색을 구현하는데 예를들면 부화소(SP1)는 적색, 부화소(SP2)는 녹색 및 부화소(SP3)는 청색을 각각 구현할 수 있다. 도시하지 않았으나 유기 발광 표시 장치(1)는 백색 기타 다양한 색을 구현할 수 있는 복수의 부화소를 더 구비할 수 있음은 물론이다.
각 부화소(SP1, SP2, SP3)는 일 방향으로 연장된 스캔 라인(S)과 이와 교차하는 방향으로 연장된 데이터 라인(D1, D2, D3)으로 정의될 수 있다.
부화소(SP1)에는 스캔 라인(S)의 제1 스캔 라인(S1)이 연결되고, 제1 데이터 라인(D1)이 연결된다. 부화소(SP2)에는 스캔 라인(S)의 제2 스캔 라인(S2)이 연결되고, 제2 데이터 라인(D2)이 연결된다. 부화소(SP3)에는 스캔 라인(S)의 제2 스캔 라인(S2)이 연결되고, 제3 데이터 라인(D3)이 연결된다.
제1 스캔 라인(S1) 및 제2 스캔 라인(S2)은 서로 병렬로 연결된 형태이다. 즉 제1 스캔 라인(S1) 및 제2 스캔 라인(S2)은 하나의 스캔 라인(S)에서 분기된 형태이다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고 하나의 스캔 라인(S)에서 세 개의 스캔 라인으로 분기될 수도 있다.
제1 스캔 라인(S1) 및 제2 스캔 라인(S2)은 하나의 스캔 라인(S)에서 분기된 형태이므로 제1 스캔 라인(S1) 및 제2 스캔 라인(S2)에는 동일한 신호가 인가되고 결과적으로 부화소(SP1, SP2, SP3), 특히 하나의 단위 화소를 구성하는 부화소(SP1, SP2, SP3)들에는 동일한 스캔 신호가 인가될 수 있다.
제1, 2, 3 데이터 라인(D1, D2, D3)은 비표시 영역(A2)에 구비된 데이터 구동부(미도시)가 제공하는 데이터 신호를 각 부화소(SP1, SP2, SP3)에 인가한다. 또한, 스캔 라인(S)은 비표시 영역(A2)에 구비된 스캔 구동부(미도시)가 제공하는 스캔 신호를 부화소(SP1, SP2, SP3)들 각각에 인가한다.
부화소(SP1, SP2, SP3)들 각각에는 전원 공급선(V)이 연결된다. 전원 공급선(V)은 비표시 영역(A2)에 구비된 전원 구동부(미도시)가 제공하는 전압을 각 화소(P)에 인가한다. 도시하지 않았으나 전원 공급선(V)의 전기적 저항을 낮춰 전압 강하를 방지하도록 전원 공급선(V)과 교차하고 전기적으로 연결되는 보조 전원 공급선(미도시)을 별도로 배치할 수도 있다.
또한, 부화소(SP1, SP2, SP3)에는 발광 제어 라인(GC)이 연결된다. 발광 제어 라인(GC)은 비표시 영역(A2)에 구비된 제어신호 구동부(미도시)가 제공하는 제어 신호들을 동시에 일괄적으로 정해진 소정의 전압 레벨로 각 부화소(SP1, SP2, SP3)에 인가한다. 즉 발광 제어 라인(GC)을 통하여 모든 부화소(SP1, SP2, SP3)에 일괄적으로 동시에 제어 신호를 인가한다. 이러한 신호 인가를 위하여 발광 제어 라인(GC)은 서로 병렬로 연결될 수 있다.
발광 제어 라인(GC)은 각 부화소(SP1, SP2, SP3)들의 발광 특성을 제어하는데, 예를들면 부화소(SP1, SP2, SP3)들을 구동하기 위한 문턱전압을 보상하는 기능을 수행하는데 사용될 수 있다.
도 3은 도 1의 Ⅲ 영역의 배선 구조를 개략적으로 도시한 도면이다. 도 3을 참조하면서 스캔 라인(S)에 대하여 구체적으로 설명하기로 한다.
도 3에는 하나의 스캔 라인(S)만 도시되어 있다. 또한 다른 도전 라인들 즉 데이터 라인(D1, D2, D3) 및 발광 제어 라인(GC)도 도시되어 있지 않다. 이는 설명의 용이성을 위하여 편의상 삭제한 것이다.
하나의 스캔 라인(S)은 스캔 라인(S)에서 분기된 제1 스캔 라인(S1) 및 제2 스캔 라인(S2)을 구비한다. 제1 스캔 라인(S1)에는 일 방향(X 방향)으로 배열된 부화소(SP1)들이 연결된다. 제2 스캔 라인(S2)에는 일 방향(X 방향)으로 배열된 부화소(SP2)들 및 부화소(SP3)들이 연결된다.
한편, 제1 스캔 라인(S1)에는 제1 검사 박막 트랜지스터(TR1) 및 제2 검사 박막 트랜지스터(TR2)가 형성된다. 구체적으로 제1 검사 박막 트랜지스터(TR1) 및 제2 검사 박막 트랜지스터(TR2)는 일 방향(X방향)으로 배열된 부화소(SP1)들의 외곽에 각각 배치된다.
도 3에는 제1 검사 박막 트랜지스터(TR1) 및 제2 검사 박막 트랜지스터(TR2)가 제1 스캔 라인(S1)에 형성된 것이 도시되어 있으나 제1 검사 박막 트랜지스터(TR1) 및 제2 검사 박막 트랜지스터(TR2)는 제2 스캔 라인(S2)에 형성될 수도 있다.
제1 검사 박막 트랜지스터(TR1) 및 제2 검사 박막 트랜지스터(TR2)는 유기 발광 표시 장치(1)의 전기적 특성을 검사하기 위한 것으로서, 구체적으로 스캔 라인(S)과 다른 도전 라인들과의 쇼트 불량을 검사하기 위한 것이다. 구체적인 내용은 후술한다.
도 4는 도 1의 유기 발광 표시 장치에 쇼트 불량이 발생한 것을 도시한 개략적인 도면이다.
구체적으로 스캔 라인(S)들 중 최상부에 배치된 스캔 라인(S)의 제2 스캔 라인(S2)과 데이터 라인(D)의 중첩 영역에 파티클 등의 이물로 인한 쇼트 불량(ST)이 발생한 것이 도시되어 있다. 데이터 라인(D)은 전술한 제1, 2, 3 데이터 라인(D1, D2, D3)중 어느 하나일 수 있다.
유기 발광 표시 장치(1)의 화질 특성 향상을 위해서 이러한 쇼트 불량에 대한 리페어 공정을 진행한다. 한편, 이러한 리페어 공정을 진행하기 위하여서는 쇼트 불량(ST)이 발생한 위치를 검사하기 위한 공정이 선행되어야 한다.
도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 일 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치 검사 방법을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 5a를 참조하면 급전 부재(131) 및 수전 부재(132)를 구비하는 검사 장치(130)를 준비한다. 그리고 급전 부재(131) 및 수전 부재(132)를 각 스캔 라인(S)에 순차적으로 연결한다. 그리고 나서 급전 부재(131) 및 수전 부재(132)를 이용하여 각 스캔 라인(S)에 전압을 인가하면 스캔 라인(S)에 전류가 흐르게 된다. 즉 스캔 라인(S)의 양단에는 전위차가 발생한다. 이러한 전위차를 모니터링한다.
도 5a에 도시된 화살표 방향으로 급전 부재(131) 및 수전 부재(132)를 이동하면서 순차적으로 스캔 라인(S)에 연결하여 스캔 라인(S)의 쇼트 불량(ST)을 1차적으로 검사한다. 구체적으로 각 스캔 라인(S)들의 전위차를 모니터링 시 데이터 라인(D)과 쇼트 불량(ST)이 발생하지 않는 정상적인 스캔 라인(S)들에서 측정한 값과 도 5b에 도시된 것과 같이 쇼트 불량이 발생한 스캔 라인(S)에서 측정한 값은 상이하다. 이러한 1차 검사를 통하여 쇼트 불량이 발생한 스캔 라인(S)을 확인할 수 있다.
이러한 1차 검사 시 스캔 라인(S)의 형성된 제1 검사 박막 트랜지스터(TR1) 및 제2 검사 박막 트랜지스터(TR2)가 정상적으로 작동하도록 전압을 인가함은 물론이다. 즉, 스캔 라인(S)의 제1 스캔 라인(S1) 및 제2 스캔 라인(S2)은 플로팅되지 않은 상태이다.
한편, 이러한 검사 방법을 진행하여도 리페어 공정 시 필요한 정밀한 확인이 용이하지 않을 수 있다. 즉, 스캔 라인(S)은 전술한 것과 같이 스캔 라인(S)에서 분기되어 서로 병렬로 연결된 제1 스캔 라인(S1) 및 제2 스캔 라인(S2)을 구비한다. 그러므로 검사 장치(130)을 이용한 1차 검사를 통하여 쇼트 불량(ST)이 발생한 스캔 라인(S)을 확인하여도 스캔 라인(S)의 제1 스캔 라인(S1) 및 제2 스캔 라인(S2) 중 어느 라인이 데이터 라인(D)과 쇼트 불량(ST)이 발생한 것인지 알 수 없다.
본 실시예에서는 제1 검사 박막 트랜지스터(TR1) 및 제2 검사 박막 트랜지스터(TR2)를 이용하여 2차 검사를 진행하여 제1 스캔 라인(S1) 및 제2 스캔 라인(S2) 중 어느 라인이 데이터 라인(D)과 쇼트 불량(ST)이 발생한 것인지 확인한다.
이러한 2차 검사에 대하여 구체적으로 설명하기로 한다.
먼저 제1 검사 박막 트랜지스터(TR1) 및 제2 검사 박막 트랜지스터(TR2)를 도 5c에 도시한 것과 같이 작동을 정지시킨다. 즉 제1 검사 박막 트랜지스터(TR1) 및 제2 검사 박막 트랜지스터(TR2)에 인가되는 전압을 차단한다. 이를 통하여 스캔 라인(S) 중 제1 스캔 라인(S1)은 제2 스캔 라인(S2)과 독립된 상태, 즉 플로팅(floating)된 상태가 된다.
그리고 나서 검사 장치(130)의 급전 부재(131) 및 수전 부재(132)를 스캔 라인(S)의 양단에 연결하고, 급전 부재(131) 및 수전 부재(132)를 이용하여 스캔 라인(S)에 전압을 인가하여 스캔 라인(S)의 양단에 발생한 전위차를 측정한다. 제1 스캔 라인(S1)은 플로팅된 상태이므로 실질적으로 이 때 스캔 라인(S)의 양단에 발생한 전위차는 제2 스캔 라인(S2)으로 기인한 것이다.
즉 도 5c에 도시한 것과 같이 제1 검사 박막 트랜지스터(TR1) 및 제2 검사 박막 트랜지스터(TR2)의 작동을 정지시켜 제1 스캔 라인(S1)을 플로팅시키고 측정한 전위차값, 즉 2차 검사를 통하여 측정한 값이 제1 스캔 라인(S1)을 플로팅시키지 않고 제2 스캔 라인(S2)과 병렬적으로 연결된 상태에서 측정한 전위차값, 즉 1차 검사시의 값과 동일하다면 스캔 라인(S)의 쇼트 불량(ST)은 도 5c에 도시한 것과 같이 제2 스캔 라인(S2)에 발생한 쇼트 불량(ST)이라고 유추할 수 있다.
만약, 이와 다르게 제1 검사 박막 트랜지스터(TR1) 및 제2 검사 박막 트랜지스터(TR2)의 작동을 정지시켜 제1 스캔 라인(S1)을 플로팅시키고 측정한 전위차값, 즉 2차 검사를 통하여 측정한 값이 제1 스캔 라인(S1)을 플로팅시키지 않고 제2 스캔 라인(S2)과 병렬적으로 연결된 상태에서 측정한 전위차값, 즉 제1 차 검사를 통하여 측정한과 동일하지 않다면, 쇼트 불량(ST)은 제1 스캔 라인(S1)에서 발생했음을 유추할 수 있다.
이를 통하여 병렬로 연결된 제1 스캔 라인(S1) 및 제2 스캔 라인(S2) 중 어느 라인에서 데이터 라인(D)과 쇼트 불량이 발생하였는지 용이하게 확인할 수 있다.
즉, 본 실시예에서는 검사 장치(130)를 이용하여 스캔 라인(S)을 순차적으로 검사하여 스캔 라인(S)들 중 어느 스캔 라인(S)에서 데이터 라인(D)과 쇼트 불량(ST)이 발생하였는 지 1차 검사를 통하여 1차적으로 확인 한 후, 쇼트 불량(ST)이 발생한 스캔 라인(S)의 제1 스캔 라인(S1)과 제2 스캔 라인(S2)중 어느 도전 라인에서 쇼트 불량(ST)이 발생하였는지 보다 정밀한 확인을 위하여 제1 검사 박막 트랜지스터(TR1) 및 제2 검사 박막 트랜지스터(TR2)의 동작을 정지시켜 제1 스캔 라인(S1)을 플로팅시킨 후 검사 장치(130)를 이용한 2차 검사를 통하여 쇼트 불량(ST)이 발생한 스캔 라인(S)의 제1 스캔 라인(S1)과 제2 스캔 라인(S2)중 어느 도전 라인에서 쇼트 불량이 발생하였는지 용이하게 확인할 수 있다.
제1 검사 박막 트랜지스터(TR1) 및 제2 검사 박막 트랜지스터(TR2)는 검사를 위한 것이므로 부화소(SP1, SP2, SP3)의 구동과 무관하도록 배치된다.
이러한 검사 공정을 진행하여 쇼트 불량이 발생한 스캔 라인(S)을 확인한 후 레이저 커팅 등의 공정을 포함하는 리페어 공정을 진행한다.
본 실시예에서는 병렬로 연결된 제1 스캔 라인(S1) 및 제2 스캔 라인(S2)중 어느 하나의 라인에 제1 검사 박막 트랜지스터(TR1) 및 제2 검사 박막 트랜지스터(TR2)가 배치되었으나 본 발명은 이에 한정되지 아니한다.
즉, 도 6에 도시한 것과 같이 스캔 라인(S)의 제1 스캔 라인(S1) 및 제2 스캔 라인(S2)에 모두 검사 박막 트랜지스터가 형성될 수 있다. 구체적으로 제1 스캔 라인(S1)에 제1 검사 박막 트랜지스터(TR1) 및 제2 검사 박막 트랜지스터(TR2)가 배치되고, 제2 스캔 라인(S2)에 제1 검사 박막 트랜지스터(TR1') 및 제2 검사 박막 트랜지스터(TR2')가 형성될 수 있다.
본 실시예에서는 병렬로 연결된 제1 스캔 라인(S1) 및 제2 스캔 라인(S2)중 어느 하나의 라인에 제1 검사 박막 트랜지스터(TR1) 및 제2 검사 박막 트랜지스터(TR2)가 배치되었으나 본 발명은 이에 한정되지 아니한다. 즉, 본 발명은 병렬로 연결된 다른 도전 라인에도 적용 가능하다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 도시한 도면이다. 설명의 편의를 위하여 다른 도전 라인은 생략하고 발광 제어 라인(GC)만을 도시하였다.
도 2의 발광 제어 라인(GC)은 구체적으로 도 7과 같은 형태의 구체적인 실시예를 가질 수 있다. 즉, 발광 제어 라인(GC)은 공통 라인(GCA) 및 공통 라인(GCA)을 통하여 서로 병렬로 연결된 병렬 제어 라인(GCB)을 구비할 수 있다. 발광 제어 라인(GC)의 기능 및 효과에 대하여서는 전술한 실시예와 동일하므로 구체적인 설명은 생략한다.
이 경우 도 8에 도시한 것과 같이 적어도 하나의 병렬 제어 라인(GCB)에 검사 박막 트랜지스터(TRg)가 배치될 수도 있다.
이 경우 발광 제어 라인(GC)의 병렬 제어 라인(GCB)중 어느 라인에서 다른 도전 라인, 예를들면 스캔 라인(S) 또는 전원 라인(V), 또는 도시하지 않았으나 보조 전원 라인(미도시)과 쇼트 불량(ST)이 발생하였는지 전술한 것과 같이 검사 박막 트랜지스터(TRg)의 작동을 제어하여 용이하게 확인할 수 있다.
도 9는 도 1의 유기 발광 표시 장치의 부화소의 일부 구성요소를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 9를 참조하면, 기판(10) 상에 박막 트랜지스터(Td), 캐패시터(Cst) 및 유기발광소자(EL)가 구비되어 있다. 유기발광소자(EL)은 제1 전극(114), 제2 전극(20) 및 중간층(119)을 구비하고, 캐패시터(Cst)는 제1 캐패시터 전극(312) 및 제2 캐패시터 전극(314)을 구비한다.
도시하지 않았으나 각 부화소는 추가적인 박막 트랜지스터 및 캐패시터 등을 더 구비하고, 스캔 라인(S), 데이터 라인(D), 전원 공급선(V) 및 제어 라인(GC) 등과 같은 다양한 배선들을 포함하고 있으나, 도 9에서는 일부 구성요소에 대해서만 간략히 설명한다.
기판(10)은 SiO2를 주성분으로 하는 투명한 유리 재질로 이루어질 수 있다. 기판(10)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며 투명한 플라스틱 재로 형성할 수도 있다.
기판(10) 상에 버퍼층(11)이 더 형성될 수 있다. 버퍼층(11)은 기판(10)의 상부에 평탄한 면을 제공하고 수분 및 이물이 침투하는 것을 방지한다.
버퍼층(11)상에 박막 트랜지스터(Td)의 활성층(212)이 형성된다. 활성층(212)은 아모퍼스 실리콘 또는 폴리 실리콘과 같은 무기 반도체로 형성될 수 있다. 또한 활성층(212)은 유기 반도체 또는 산화물 반도체 기타 다양한 물질로 형성될 수 있다. 활성층(212)은 소스영역(212b), 드레인영역(212a) 및 채널영역(212c)을 포함한다.
활성층(212) 상에는 게이트 절연막(13)이 형성되고, 게이트 절연막(13)상에 활성층(212)의 채널영역(212c)에 대응되는 위치에 투명도전물을 포함하는 게이트 전극 제1 층(214) 및 게이트 전극 제2 층(215)이 차례로 구비된다.
게이트 전극 제2 층(215) 상에는 층간 절연막(15)을 사이에 두고 활성층(212)의 소스영역(212b) 및 드레인영역(212a)에 각각 접속하는 소스 전극(216b) 및 드레인 전극(216a)이 형성된다.
층간 절연막(15) 상에는 소스 전극(216b) 및 드레인 전극(216a)을 덮도록 화소 정의막(18)이 구비된다.
이때, 데이터 라인(D)은 소스 전극(216b) 또는 드레인 전극(216a)과 동일한 층에 소스 전극(216b) 또는 드레인 전극(216a)과 동일한 재료를 이용하여 형성할 수 있다.
스캔 라인(S)은 게이트 전극 제1 층(214) 또는 게이트 전극 제2 층(215)과 동일한 층에 게이트 전극 제1 층(214) 또는 게이트 전극 제2 층(215)과 동일한 재료를 이용하여 형성할 수 있다.
버퍼층(11) 및 게이트 절연막(13) 상에 게이트전극 제1 층(214)과 동일한 투명도전물로 형성된 제1 전극(114)이 형성된다. 투명도전물로는 인듐틴옥사이드(indiu`m tin oxide: ITO), 인듐징크옥사이드(indium zinc oxide: IZO), 징크옥사이드(zinc oxide: ZnO), 인듐옥사이드(indium oxide: In2O3), 인듐갈륨옥사이드(indium gallium oxide: IGO), 및 알루미늄징크옥사이드(aluminum zinc oxide: AZO)을 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다.
제1 전극(114) 상에는 유기 발광층을 포함하는 중간층(119)이 형성된다.
중간층(119)의 유기발광층은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물일 수 있다. 유기 발광층이 저분자 유기물일 경우, 유기 발광층을 중심으로 홀 수송층(hole transport layer: HTL), 홀 주입층(hole injection layer: HIL), 전자 수송층(electron transport layer: ETL) 및 전자 주입층(electron injection layer: EIL) 등이 적층될 수 있다. 이외에도 필요에 따라 다양한 층들이 적층 될 수 있다.
한편, 유기 발광층이 고분자 유기물일 경우, 중간층(119)은 유기 발광층 외에 홀 수송층(HTL)이 포함될 수 있다.
중간층(119) 상에는 공통 전극으로 제2 전극(20)이 형성된다. 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 경우, 제1 전극(114)은 애노드로 사용되고, 제2 전극(20)은 캐소드로 사용된다. 물론 전극의 극성은 반대로 적용될 수 있음은 물론이다.
제2 전극(20)은 반사 물질을 포함하는 반사 전극으로 구성될 수 있다. 이때 제2 전극(20)은 Al, Mg, Li, Ca, LiF/Ca, 및 LiF/Al에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다.
기판(10) 및 버퍼층(11) 상에는, 박막 트랜지스터(Td)의 활성층(212)과 동일 재료로 형성된 캐패시터(Cst)의 제1 캐패시터 전극(312), 제1 전극(114)과 동일 재료로 형성된 투명도전물을 포함하는 캐패시터(Cst)의 제2 캐패시터 전극(314)이 형성되고, 제1 캐패시터 전극(312)과 제2 캐패시터 전극(314) 사이에 게이트 절연막(13)이 배치된다.
도 9에 도시하지 않았으나, 기판(10)의 일 면에 대향하도록 제2 전극(20)의 상부에 밀봉 부재(미도시)가 배치될 수 있다. 밀봉 부재(미도시)는 외부의 수분이나 산소 등으로부터 중간층(119)등을 보호하기 위해 형성하는 것으로 글라스 또는 플라스틱으로 형성할 수 있고, 또는 유기물과 무기물의 복수의 중첩된 구조일 수도 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
1: 유기 발광 표시 장치
S: 스캔 라인
S1: 제1 스캔 라인
S2: 제2 스캔 라인
SP1, SP2, SP3: 부화소
TR1, TR2, TRg: 검사 박막 트랜지스터
D: 데이터 라인
10: 기판
130: 검사 장치
131: 급전 부재
132: 수전 부재

Claims (20)

  1. 복수의 부화소;
    상기 부화소들에 연결되고 서로 병렬로 연결된 적어도 두 개의 도전 라인을 구비하는 복수의 도전 라인부; 및
    상기 서로 병렬로 연결된 도전 라인 중 적어도 하나의 도전 라인의 일단 및 양단에 인접하도록 배치된 검사용 박막 트랜지스터를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 도전 라인부는 스캔 라인인 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 스캔 라인은 상기 스캔 라인에서 분기되어 서로 병렬로 연결된 제1 스캔 라인 및 제2 스캔 라인을 구비하는 유기 발광 표시 장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 제1 스캔 라인과 연결된 부화소와 상기 제2 스캔 라인에 연결된 부화소들은 서로 다른 색을 구현하는 유기 발광 표시 장치.
  5. 제3 항에 있어서,
    상기 제1 스캔 라인과 상기 제2 스캔 라인 중 어느 하나는 일 색을 구현하는 부화소들 및 이와 다른 색을 구현하는 부화소에 연결된 유기 발광 표시 장치.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 도전 라인부는 상기 부화소에 동시에 제어 신호를 공급하는 발광 제어 라인인 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 발광 제어 라인은 공통 라인 및 상기 공통 라인에 연결되어 서로 병렬로 연결된 병렬 제어 라인을 구비하는 유기 발광 표시 장치.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 검사 박막 트랜지스터는 상기 부화소들의 외곽에 배치된 유기 발광 표시 장치.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 부화소는 제1 전극, 유기 발광층을 구비하는 중간층 및 제2 전극을 구비하는 유기 발광 표시 장치.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 제1 전극에 전기적으로 연결되고 상기 부화소의 구동을 위한 신호를 인가하고 활성층, 소스 전극 및 드레인 전극을 구비하는 박막 트랜지스터를 더 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 제1 전극은 상기 게이트 전극과 동일한 재료로 형성되는 유기 발광 표시 장치.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 제1 전극은 투과형 도전 물질을 함유하는 유기 발광 표시 장치.
  13. 제1 항에 있어서,
    상기 검사 박막 트랜지스터는 상기 부화소의 구동과 독립적으로 구동하도록 제어되는 유기 발광 표시 장치.
  14. 유기 발광 표시 장치를 검사하는 방법에 관한 것으로서,
    복수의 부화소, 상기 부화소들에 연결되고 서로 병렬로 연결된 적어도 두 개의 도전 라인을 구비하는 복수의 도전 라인부 및 상기 서로 병렬로 연결된 도전 라인 중 적어도 하나의 도전 라인의 일단 및 양단에 인접하도록 배치된 검사용 박막 트랜지스터를 포함하는 유기 발광 표시 장치를 준비하는 단계;
    급전 부재 및 수전 부재를 구비하는 검사 장치를 준비하는 단계;
    순차적으로 상기 복수의 도전 라인들 각각에 상기 급전 부재 및 상기 수전 부재를 연결하여 전기적 신호를 인가하여 상기 복수의 도전 라인 각각을 모니터링하여 상기 복수의 도전 라인 중 불량이 발생한 도전 라인을 확인하는 1차 검사 단계; 및
    상기 불량이 발생한 도전 라인부의 검사용 박막 트랜지스터의 작동을 중지시키고 상기 급전 부재 및 상기 수전 부재를 상기 불량이 발생한 도전 라인부에 연결하여 전기적 신호를 인가하여 상기 도전 라인부의 서로 병렬로 연결된 도전 라인 중 불량이 발생한 도전 라인을 확인하는 2차 검사 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치 검사 방법.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 2차 검사 단계에서 상기 검사 박막 트랜지스터의 작동을 중지시켜 상기 불량이 발생한 도전 라인부의 상기 검사 박막 트랜지스터가 연결된 상기 도전 라인은 플로팅된 상태를 유지하는 유기 발광 표시 장치 검사 방법.
  16. 제14 항에 있어서,
    상기 1차 검사 단계에서 상기 검사 박막 트랜지스터는 정상적으로 작동하는 유기 발광 표시 장치 검사 방법.
  17. 제14 항에 있어서,
    상기 도전 라인부의 불량은 쇼트 불량인 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치 검사 방법.
  18. 제14 항에 있어서,
    상기 도전 라인부는 스캔 라인이고, 상기 불량은 상기 스캔 라인과 중첩되도록 배치된 데이터 라인과의 쇼트 불량인 유기 발광 표시 장치 검사 방법.
  19. 제14 항에 있어서,
    상기 도전 라인부는 발광 제어 라인이고, 상기 불량은 상기 발광 제어 라인과 중첩되도록 배치된 스캔 라인 또는 전원 라인과의 쇼트 불량인 유기 발광 표시 장치 검사 방법.
  20. 제14 항에 있어서,
    상기 1차 검사 및 2차 검사를 통하여 확인된 불량이 발생한 도전 라인을 리페어 하는 방법을 더 포함하는 유기 발광 표시 장치 검사 방법.
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