KR20140056034A - 열처리 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 반응관의 노구를 밀폐할 때, 반응관의 보톰 플랜지와 덮개가 직접 맞닿는 것을 방지하고, 또한 밀봉 시일을 손상시키는 것을 방지하는 열처리 장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시 형태에 따른 열처리 장치는, 하방에 노구를 갖는 동시에 보톰 플랜지를 갖는 원통 형상의 석영제 반응관과, 상기 반응관의 보톰 플랜지를 보유 지지하는 플랜지 보유 지지 부재와, 금속제 덮개와 상기 금속제 덮개에 의해 지지되고 상기 반응관의 노구를 밀폐하는 석영제 덮개를 갖는 덮개를 구비한다. 상기 석영제 덮개는 상기 금속제 덮개에 지지 링에 의해 고정되고, 상기 지지 링은 상기 플랜지 보유 지지 부재의 하면에 맞닿아, 상기 석영제 덮개와 상기 보톰 플랜지 사이에 간극을 형성하고, 상기 보톰 플랜지와 상기 석영제 덮개 사이의 간극의 반경 방향 바깥쪽으로, 밀봉 시일을 설치한다.
본 발명의 일 실시 형태에 따른 열처리 장치는, 하방에 노구를 갖는 동시에 보톰 플랜지를 갖는 원통 형상의 석영제 반응관과, 상기 반응관의 보톰 플랜지를 보유 지지하는 플랜지 보유 지지 부재와, 금속제 덮개와 상기 금속제 덮개에 의해 지지되고 상기 반응관의 노구를 밀폐하는 석영제 덮개를 갖는 덮개를 구비한다. 상기 석영제 덮개는 상기 금속제 덮개에 지지 링에 의해 고정되고, 상기 지지 링은 상기 플랜지 보유 지지 부재의 하면에 맞닿아, 상기 석영제 덮개와 상기 보톰 플랜지 사이에 간극을 형성하고, 상기 보톰 플랜지와 상기 석영제 덮개 사이의 간극의 반경 방향 바깥쪽으로, 밀봉 시일을 설치한다.
Description
본 발명은, 열처리 장치에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조에 있어서는, 피처리체, 예를 들어 반도체 웨이퍼에 예를 들어 산화, 확산, CVD, 어닐닝 등의 각종 열처리를 실시하는 공정이 있고, 이들 공정을 실행하기 위한 열처리 장치의 하나로서 다수매의 웨이퍼를 한번에 열처리하는 것이 가능한 종형 열처리 장치가 사용되고 있다.
일반적으로, 종래의 종형 열처리 장치는, 열처리로의 반응관과, 반응관의 노구를 개폐하도록 승강 가능하게 설치된 덮개를 구비하고, 이 덮개에 의해 반응관의 노구를 밀폐하고 있다.
일반적으로 반응관은 석영제로 되어 있고, 또한 덮개는 금속제로 되어 있다. 그리고 석영제의 반응관을 금속제의 덮개로 밀폐할 때, 반응관에 맞닿는 O링을 덮개 상에 돌출하여 설치하고 반응관과 덮개 사이에 간극을 형성한 구조의 것이 알려져 있다(특허문헌 1 참조).
혹은, 덮개가 반응관측에 위치하는 석영제의 내측 덮개부와, 내측 덮개부를 지지하는 금속제의 외측 덮개부로 이루어지고, 석영제의 반응관을 석영제의 내측 덮개부에 의해 밀폐할 때, 반응관에 맞닿는 O링을 석영제의 내측 덮개부에 설치하는 동시에, 반응관과 덮개가 맞닿는 구조의 것도 알려져 있다(특허문헌 2 참조).
종래의 종형 열처리 장치에 있어서는, 상술한 바와 같이 반응관의 노구를 덮개에 의해 밀폐하는 경우, 반응관의 보톰 플랜지를 덮개에 의해 밀폐하고 있다.
그러나 반응관 및 덮개 중, 적어도 반응관은 석영제로 되어 있으므로, 반응관의 보톰 플랜지에 덮개가 맞닿은 경우, 경년 변화에 수반하여 맞닿을 때에 석영 분말이 발생하고, 이 석영 분말이 반응관 내에 진입해 버리는 경우가 있다.
또한 반응관과 덮개가 맞닿지 않도록 반응관과 덮개 사이에 간극을 형성하면, 클리닝 가스 등의 부식성 가스가 들어가, 금속제 부품을 부식시키는 문제가 있다. 또한, 부식성 가스가 간극에 들어가지 않도록 불활성 가스 공급부를 마련해도, 밀봉 시일의 찌부러짐량의 조정 미스 등에 의해 충분한 간극이 확보되지 않는 경우에는, 부식성 가스의 역확산이 일어나 금속제 부품을 부식시킬 우려가 있다.
본 발명은, 반응관의 노구를 덮개에 의해 밀폐할 때, 반응관과 덮개가 직접 맞닿는 것을 확실하게 방지할 수 있고, 또한, 밀봉 시일을 손상시키는 일이 없는 열처리 장치를 제공한다.
본 발명은, 하방에 노구를 갖는 동시에 보톰 플랜지를 갖는 원통 형상의 석영제 반응관과, 상기 반응관의 보톰 플랜지를 보유 지지하는 플랜지 보유 지지 부재와, 금속제 덮개와 상기 금속제 덮개에 의해 지지되고 상기 반응관의 노구를 밀폐하는 석영제 덮개를 갖는 덮개를 구비하고, 상기 석영제 덮개는 상기 금속제 덮개에 지지 링에 의해 고정되고, 상기 지지 링은 상기 플랜지 보유 지지 부재의 하면에 맞닿아, 상기 석영제 덮개와 상기 보톰 플랜지 사이에 간극을 형성하고, 상기 보톰 플랜지와 상기 석영제 덮개 사이의 간극의 반경 방향 바깥쪽으로, 밀봉 시일을 설치한 것을 특징으로 하는 열처리 장치이다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 밀봉 시일은 종단면이 Q자 형상이며, 상기 지지 링 상에 장착되는 커버링에 의해 고정되는 립 부분을 가진다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 지지 링은 금속제로 이루어지고, 상기 지지 링 내에는, 상기 밀봉 시일을 냉각하기 위한 냉각수로가 형성된다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 석영제 덮개는 상면에, 상기 밀봉 시일의 반경 방향 안쪽으로, 상기 석영제 덮개의 상면을 따라 반경 방향 중앙부로부터 반경 방향 바깥쪽으로 이행하는 열을 차단하기 위한 원주 홈이 형성된다.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 지지 링과 상기 플랜지 보유 지지 부재의 하면 사이에는, 완충재가 개재된다.
이상과 같이, 본 발명의 열처리 장치에 따르면, 지지 링이 플랜지 보유 지지 부재의 하면에 맞닿아 석영제 덮개와 보톰 플랜지 사이에 간극을 형성하고, 보톰 플랜지와 석영제 덮개 사이의 간극의 반경 방향 바깥쪽으로 밀봉 시일을 설치하였으므로, 반응관의 노구를 석영제 덮개에 의해 밀폐할 때, 반응관과 석영제 덮개가 직접 맞닿는 일은 없다. 또한 보톰 플랜지와 석영제 덮개 사이의 간극의 반경 방향 바깥쪽으로 밀봉 시일을 설치하였으므로, 반응관의 노구를 석영제 덮개에 의해 확실하게 밀폐할 수 있는 동시에, 노구부를 형성하는 금속제 부품을 부식시킬 우려가 없다.
도 1은 본 발명의 실시 형태를 나타내는 열처리 장치의 종단면도.
도 2는 플랜지 보유 지지 부재에 의해 보유 지지된 반응관의 보톰 플랜지의 일 실시예를 도시하는 확대 단면도.
도 3은 플랜지 보유 지지 부재에 의해 보유 지지된 반응관의 보톰 플랜지의 다른 실시예를 도시하는 확대 단면도.
도 2는 플랜지 보유 지지 부재에 의해 보유 지지된 반응관의 보톰 플랜지의 일 실시예를 도시하는 확대 단면도.
도 3은 플랜지 보유 지지 부재에 의해 보유 지지된 반응관의 보톰 플랜지의 다른 실시예를 도시하는 확대 단면도.
이하, 본 발명의 실시 형태에 따른 열처리 장치를 도 1 내지 도 3에 기초하여 상세하게 설명한다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 열처리 장치(1)는 종형 열처리 장치이며, 피처리체, 예를 들어 반도체 웨이퍼(W)를 수용하여 소정의 처리, 예를 들어 산화 처리를 실시하기 위한 종형의 열처리로(2)를 구비하고, 이 열처리로(2)는, 하부가 노구(3)로서 개방된 세로로 긴 처리 용기, 예를 들어 석영제의 원통 형상의 반응관(4)과, 이 반응관(4)의 노구(3)를 개폐하는 승강 가능한 원 형상의 덮개(5)와, 상기 반응관(4)의 주위에 설치되고, 반응관(4) 내를 소정의 온도, 예를 들어 300 내지 1200℃로 가열 제어 가능한 발열 저항체를 포함하는 히터(6)를 구비하고 있다.
반응관(4)은, 1중관으로 이루어져 있다. 이 반응관(4)의 하단부에는 외향의 플랜지부(보톰 플랜지)(4a)가 형성되고, 이 보톰 플랜지(4a)는 플랜지 보유 지지 부재(7)를 통해 베이스 플레이트(8)의 하부에 보유 지지되어 있다. 이 경우, 베이스 플레이트(8)의 하방으로 반응관(4)이 관통되고, 또한, 베이스 플레이트(8) 상에 상기 히터(6)가 설치되어 있다.
반응관(4)의 보톰 플랜지(4a)에는 반응관(4) 내에 처리 가스나 퍼지용의 불활성 가스를 도입하는 복수의 가스 도입관(9)이 설치된다. 여기에서는, 설명의 편의상, 복수의 가스 도입관(9)은 하나로 보이도록 나타나고 있다. 이들 가스 도입관(9)에는 가스 공급계(도시되지 않음)의 배관이 접속되어 있다. 또한, 반응관(4)의 정상부는 점차 직경 축소되고, 이 정상부에는 배기구(10)가 형성되어 있고, 이 배기구(10)에는 반응관(4) 내를 감압 제어 가능한 진공 펌프나 압력 제어 밸브 등을 갖는 배기계의 배관이 접속되어 있다(도시 생략). 또한, 베이스 플레이트(8) 및 플랜지 보유 지지 부재(7)는, 모두 금속제, 예를 들어 SUS제로 이루어져 있고, 이 중 플랜지 보유 지지 부재(7)에 의해 반응관(4)의 보톰 플랜지(4a)가 보유 지지된다.
열처리로(2)의 하방은, 덮개(5) 상에 배치된 후술하는 열처리용 보트(이하, 간단히 '보트'라고도 한다)(16)를 반응관(4) 내에 반입(로드)하거나, 반응관(4)으로부터 반출(언로드)하거나, 혹은 보트(16)에 대한 웨이퍼(W)의 이동 탑재를 행하기 위한 작업 영역(로딩 에어리어)(12)으로 되어 있다. 이 작업 영역(12)에는 보트(16)의 반입, 반출을 행하도록 덮개(5)를 승강시키기 위한 승강 기구(13)가 설치되어 있다.
덮개(5)는, 예를 들어 SUS제의 금속제 덮개(5C)와, 금속제 덮개(5C)에 의해 지지되고 반응관(4)의 노구(3)를 밀폐하는 석영제 덮개(5B)를 갖고 있다. 금속제 덮개(5C)와 석영제 덮개(5B)를 갖는 덮개(5)는 전체적으로 복수의 완충 기구(14)를 통해 보유 지지판(15) 상에 보유 지지되어 있다. 여기에서는, 설명의 편의상, 복수의 완충 기구(14)는 하나로 보이도록 나타나고 있다. 이 보유 지지판(15)은 상기 승강 기구(13)에 연결되어 있다. 그리고 덮개(5)의 석영제 덮개(5B)는 노구(3)를 밀폐한다. 덮개(5)의 하부 중앙부에는 보트(16)를 회전시키기 위한 회전축부(27)를 갖는 회전 기구(26)가 설치되어 있다.
또한, 반응관(4)의 노구(3)를 덮개(5)에 의해 밀폐하는 구조에 대해서는 후술한다.
또한 보트(16)는, 예를 들어 석영제의 보트로 이루어지고, 대구경, 예를 들어 직경 300㎜의 다수, 예를 들어 75 내지 100매 정도의 웨이퍼(W)를 수평 상태에서 상하 방향으로 간격을 두고 다단으로 지지하는 보트 본체(17)와, 이 보트 본체(17)를 지지하는 외발의 다리부(18)를 갖고, 이들 보트 본체(17)와 다리부(18)는 일체로 형성되어 있다. 그리고 보트(16)의 외발의 다리부(18)는, 웨이퍼(W)를 원주 방향으로 회전시키기 위한 회전축부(27)에 연결되어 있다.
상기 보트 본체(17)는, 바닥판(22)과 천장판(23) 사이에 복수의 지주(24)를 개재 설치하여 이루어지고, 지주(24)는 바닥판(22) 및 천장판(23)과 예를 들어 용접 등에 의해 일체적으로 접합되어 있다. 지주(24)는, 웨이퍼(W)를 둘러싸도록 원주 방향으로 소정의 간격으로 배치된다. 도 1의 보트(16)에 있어서, 지주(24)가 설치되지 않은 좌측이 도시하지 않은 이동 탑재 기구에 의해 웨이퍼(W)의 출입을 행하기 위한 개구로 되어 있다. 지주(24)의 각각에는 다수의 웨이퍼(W)를 다단으로 보유 지지하기 위한 홈부(25)가 형성되어 있다. 다리부(18)는 소정의 굵기, 예를 들어 외경 30 내지 50㎜ 정도 및 소정의 높이, 예를 들어 하방 플랜지(19)를 포함한 높이가 250 내지 350㎜ 정도로 되어 있다.
회전 기구(26)는, 상술한 바와 같이, 회전축부(27)와, 덮개(5)의 하부 중앙부에 일체적으로 설치되어 회전축부(27)를 회전 가능하게 지지하는 통 형상의 하우징(28)을 갖고 있다. 이 하우징(28)의 하측 외주에는 회전 기구(26)의 축심부에 회전축을 일체적으로 갖는 바닥이 있는 통 형상의 회전통체(도시하지 않음)가 회전 가능하게 설치되고, 회전통체의 저부 중앙으로부터 기립한 회전축이, 하우징(28) 내를 밀봉 수단, 예를 들어 O링 또는 자성 유체 시일을 통해 기밀하게 관통하고 있다.
회전통체에는 회전 구동 수단인 모터가 벨트를 통해 연결되고(도시 생략), 이에 의해 회전축이 회전 구동되도록 되어 있다. 덮개(5)의 석영제 덮개(5B)의 중앙부에는 회전축부(27)가 관통하는 축 구멍부(34)가 형성되어 있다.
또한 도 1에 도시하는 바와 같이, 덮개(5)의 석영제 덮개(5B) 상에는 노구 보온 수단인 노구 가열 기구(62)가 고정되어 있다. 이 노구 가열 기구(62)는, 석영제 덮개(5B)의 상면 상에 원주 방향으로 일정 간격으로 세워 설치된 복수의 지주(64)와, 이들 지주(64)의 상단부에 수평으로 걸쳐 설치된 판 형상의 발열 저항체(65)와, 이 발열 저항체(65)의 하방에 적절한 간격으로 지주(64)에 걸쳐 설치된 복수, 예를 들어 2매의 차열판(66)으로 주로 구성되어 있다.
지주(64) 및 차열판(66)은, 예를 들어 석영제로 되어 있다. 발열 저항체(65) 및 차열판(66)에는 보트(16)의 하방 플랜지(19)를 포함하는 다리부(18)가 관통하는 관통 구멍(67)이 형성되어 있다. 또한, 상기 발열 저항체(65)에 전기를 공급하는 케이블을 도통하기 위한 도통관(68)이 보유 지지판(15)으로부터 덮개(5)를 기밀하게 관통한 상태에서 설치되어 있다.
다음으로 도 1 내지 도 3을 참조하여, 덮개(5)에 의해 반응관(4)의 노구(3)를 밀폐하는 구조에 대해 설명한다.
상술한 바와 같이 덮개(5)는 금속제 덮개(5C)와, 금속제 덮개(5C)에 의해 지지되고 반응관(4)의 노구(3)를 밀폐하는 석영제 덮개(5B)를 갖고 있다.
또한, 덮개(5)를 구성하는 석영제 덮개(5B)와 금속제 덮개(5C)의 장착 구조에 대해 설명한다.
석영제 덮개(5B)의 외주 상부(외주상 절반)에는 반응관(4)의 하측 개구단 외주부보다도 내측으로 오목해진 환 형상 오목부(80)가 형성되고, 또한 석영제 덮개(5B)의 외주 하부(외주 하반부)에는 플랜지부(81)가 형성되어 있다. 금속제 덮개(5C)에는, 상기 환 형상 오목부(80)에 위치하여 석영제 덮개(5B)의 플랜지부(81)를 보유 지지하는 금속제의 지지 링(70)이 설치되고, 상기 지지 링(70)의 상부에는 상기 반응관(4)의 하측 개구단 하면에 접하는 밀봉 시일(77)이 설치되어 있다. 또한 상기 지지 링(70)의 내부에는 밀봉 시일(77)을 냉각하는 냉매 통로(예를 들어 냉각수로)(70a)가 형성되어 있고, 밀봉 시일(77)을 냉각 통로(70a)를 흐르는 유수에 의해 효과적으로 냉각할 수 있다.
지지 링(70)은, 종단면이 대략 역L자 형상(수직부와 수평부를 가짐)으로 되어 있고, 플랜지부(81)를 덮도록(둘러싸도록) 환 형상(링 형상)으로 형성되어 있다. 이 지지 링(70)은, 플랜지부(81)를 보유 지지한 상태에서 금속제 덮개(5C) 상에 복수의 장착 나사(71)에 의해 착탈 가능하게 장착 고정된다. 지지 링(70) 상의 커버링(75)에는 밀봉 시일(77)을 보유 지지하는 보유 지지 홈(83)이 환 형상으로 형성되어 있다. 본 실시 형태의 종형 열처리 장치에 따르면, 덮개(5)의 부식의 문제를 해소할 수 있는 동시에 밀봉 시일(77)의 내구성 향상을 도모할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 지지 링(70)에 장착된 장착 나사(71)는, 원주 방향을 따라 복수개가 설치되고, 지지 링(70) 및 금속제 덮개(5C)를 관통하여 장착되어 있다. 그리고 지지 링(70)이 석영제 덮개(5B)를 외주측으로부터 금속제 덮개(5C)에 대하여 압박하도록 되어 있다(도 2 참조). 또한, 다른 실시예에 있어서의 장착 나사(72)는 지지 링(70) 내에 머무르고, 금속제 덮개(5C)까지 도달하고 있지 않다(도 3 참조).
또한 반응관(4)의 노구(3)를 덮개(5)에 의해 밀폐한 경우, 지지 링(70)이 장착 나사(71)(또는, 72)의 상부에 설치된 폴리이미드제의 완충재(73)를 통해 플랜지 보유 지지 부재(7)의 하면에 맞닿고, 석영제 덮개(5B)와 반응관(4)의 보톰 플랜지(4a) 사이에 간극(G)이 형성된다.
또한 밀봉 시일(77)은 종단면이 대략 Q자 형상을 하고 있고, 그 립 부분을 지지 링(70) 상의 커버링(75)으로 압박하여 고정되어 있다. 커버링(75)은 장착 나사(71)(또는, 72)에 의해 지지 링(70)에 고정되어 있다.
또한 석영제 덮개(5B)의 상면에는, 밀봉 시일(77)의 반경 방향 안쪽으로, 석영제 덮개(5B)의 중앙부로부터 석영제 덮개(5B)의 상면을 따라 반경 방향 바깥쪽으로 이행하는 열을 차단하기 위한 원주 홈(76)이 형성되어 있다.
또한 석영제 덮개(5B)의 상면에는, 원주 홈(76)의 반경 방향 바깥쪽으로, 원주 돌기(78)가 형성되고, 석영제 덮개(5B)와 반응관(4)의 보톰 플랜지(4a) 사이의 간극(G)은, 원주 돌기(78) 상에 위치하고 있다.
또한, 석영제 덮개(5B) 상에 설치된 밀봉 시일(77)에 대하여, 반응관(4) 내의 열이 석영제 덮개(5B) 상면을 따라 이행하여, 밀봉 시일(77)도 가열되게 되지만, 석영제 덮개(5B)에 원주 홈(76)을 형성함으로써, 석영제 덮개(5B)의 중앙부로부터의 열이 밀봉 시일(77)측으로 이행하는 것을 미연에 방지할 수 있다. 또한 지지 링(70)의 냉각수로(70a) 내에 냉각수를 흘림으로써, 밀봉 시일(77)의 가열을 보다 확실하게 방지할 수 있다.
다음으로 이러한 구성으로 이루어지는 본 실시 형태의 열처리 장치에 있어서의 작용에 대해 설명한다.
우선 작업 영역(12) 내에 있어서, 덮개(5) 상에 배치된 보트(16) 내에 웨이퍼(W)가 이동 탑재된다. 보트(16) 내에 웨이퍼(W)가 이동 탑재된 후, 승강 기구(13)에 의해 덮개(5)가 상승하고, 다음으로 덮개(5)가 노구(3)의 하측 개구단에 맞닿아 노구(3)를 밀폐한다.
그 동안, 회전통체가 모터에 의해 회전 구동되고, 회전통체의 회전에 수반하여, 회전축부(27)가 회전하여, 보트(16)가 천천히 회전한다.
덮개(5)로 노구(3)를 밀폐할 때, 지지 링(70)에 장착된 완충재(73)가 플랜지 보유 지지 부재(7)의 하면에 맞닿고, 석영제 덮개(5B)의 원주 돌기(78)와 반응관(4)의 보톰 플랜지(4a) 사이에 간극(G)이 형성된다.
이 때문에 덮개(5)에 의해 반응관(4)의 노구(3)를 밀폐할 때에도, 석영제 덮개(5B)와 석영제의 보톰 플랜지(4a)가 직접 맞닿는 일은 없어, 석영제 덮개(5B)와 석영제의 보톰 플랜지(4a)가 맞닿은 경우에 발생하는 석영 분말의 발생을 미연에 방지할 수 있다.
또한 반응관(4) 내의 처리 가스는, 원주 돌기(78)의 반경 방향 바깥쪽으로 설치된 밀봉 시일(77)에 의해 밀봉되므로, 바깥쪽으로 유출되는 일은 없다. 또한, 부식성이 강한 클리닝 가스를 흘린 경우라도, 지지 링(70)을 부식시키는 일이 없다. 또한, 밀봉 시일(77)을 종단면이 대략 Q자 형상을 가지며 그 립 부분을 커버링(75)으로 고정하는 구조를 갖도록 하여, 석영제 덮개(5B), 즉 열영향이 적은 영역의 외측에 위치시킬 수 있는 동시에, 덮개(5)를 승강시켰을 때에 보톰 플랜지(4a)에 밀봉 시일(77)이 안정되게 접착되어 밀봉 시일(77)로부터 빠지는 일이 없다.
웨이퍼(W)가 열처리되는 동안, 반응관(4) 내의 열이 석영제 덮개(5B)의 표면을 타고 반경 방향 중앙부로부터 반경 방향 바깥쪽을 향해 이행하지만, 석영제 덮개(5B)에는 반응관(4)의 보톰 플랜지(4a)에 대향하는 원주 돌기(78)의 반경 방향 안쪽으로 원주 홈(76)이 형성되어 있으므로, 반응관(4) 내의 열이 밀봉 시일(77)측으로 이행하는 것을 방지할 수 있다. 또한 지지 링(70)의 냉각수로(70a) 내에 냉각수를 흘림으로써, 밀봉 시일(77)이 가열에 의해 열화되는 것을 미연에 방지할 수 있다.
이상과 같이 본 실시 형태에 따르면, 덮개(5)에 의해 반응관(4)의 노구(3)를 밀폐할 때, 석영제 덮개(5B)와 석영제의 반응관(4)의 보톰 플랜지(4a)가 직접 맞닿는 것을 방지할 수 있어, 석영제 덮개(5B)와 보톰 플랜지(4a)가 맞닿아 석영 분말이 발생하거나 하는 일은 없다. 또한, 전술한 바와 같이, 석영제 덮개(5B)의 표면에 원주 홈(76)을 형성하는 동시에, 지지 링(70)의 냉각수로(70a) 내에 냉각수를 흘림으로써, 밀봉 시일(77)이 가열되어 열화되는 것을 미연에 방지할 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 치환, 변경 및 변형이 가능하다는 것은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백하다 할 것이다.
1 : 열처리 장치
W : 반도체 웨이퍼(피처리체)
g : 간극
2 : 열처리로
3 : 노구
4 : 반응관
4a : 보톰 플랜지
5 : 덮개
5B : 석영제 덮개
5C : 금속제 덮개
7 : 플랜지 보유 지지 부재
16 : 열처리용 보트
17 : 보트 본체
18 : 다리부
19 : 하방 플랜지
26 : 회전 기구
27 : 회전축부
28 : 하우징
70 : 지지 링
70a : 냉각수로
71 : 장착 나사
72 : 장착 나사
73 : 완충재
75 : 커버링
76 : 원주 홈
77 : 밀봉 시일
78 : 원주 돌기
W : 반도체 웨이퍼(피처리체)
g : 간극
2 : 열처리로
3 : 노구
4 : 반응관
4a : 보톰 플랜지
5 : 덮개
5B : 석영제 덮개
5C : 금속제 덮개
7 : 플랜지 보유 지지 부재
16 : 열처리용 보트
17 : 보트 본체
18 : 다리부
19 : 하방 플랜지
26 : 회전 기구
27 : 회전축부
28 : 하우징
70 : 지지 링
70a : 냉각수로
71 : 장착 나사
72 : 장착 나사
73 : 완충재
75 : 커버링
76 : 원주 홈
77 : 밀봉 시일
78 : 원주 돌기
Claims (5)
- 하방에 노구를 갖는 동시에 보톰 플랜지를 갖는 원통 형상의 석영제 반응관과,
상기 반응관의 보톰 플랜지를 보유 지지하는 플랜지 보유 지지 부재와,
금속제 덮개와 상기 금속제 덮개에 의해 지지되고 상기 반응관의 노구를 밀폐하는 석영제 덮개를 갖는 덮개를 구비하고,
상기 석영제 덮개는 상기 금속제 덮개에 지지 링에 의해 고정되고, 상기 지지 링이 상기 플랜지 보유 지지 부재의 하면에 맞닿아, 상기 석영제 덮개와 상기 보톰 플랜지 사이에 간극을 형성하고,
상기 보톰 플랜지와 상기 석영제 덮개 사이의 간극의 반경 방향 바깥쪽으로, 밀봉 시일을 설치한, 열처리 장치. - 제1항에 있어서,
상기 밀봉 시일은 종단면이 Q자 형상이며, 상기 지지 링 상에 장착되는 커버링에 의해 고정되는 립 부분을 갖는, 열처리 장치. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 지지 링은 금속제로 이루어지고, 상기 지지 링 내에는, 상기 밀봉 시일을 냉각하기 위한 냉각수로가 형성되는, 열처리 장치. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 석영제 덮개는 상면에, 상기 밀봉 시일의 반경 방향 안쪽으로, 상기 석영제 덮개의 상면을 따라 반경 방향 중앙부로부터 반경 방향 바깥쪽으로 이행하는 열을 차단하기 위한 원주 홈이 형성되는, 열처리 장치. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 지지 링과 상기 플랜지 보유 지지 부재의 하면 사이에는, 완충재가 개재되는, 열처리 장치.
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20230017910A (ko) * | 2018-07-06 | 2023-02-06 | 조인트 스탁 컴퍼니 “익스페리멘탈 앤드 디자인 오가니제이션 “기드로프레스” 어워디드 디 오더 오브 더 레드 배너 오브 레이버 앤드 씨지에스알 오더 오브 레이버” | 관형 전기 히터 장비 유닛 |
Families Citing this family (373)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8986456B2 (en) * | 2006-10-10 | 2015-03-24 | Asm America, Inc. | Precursor delivery system |
US10378106B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming insulation film by modified PEALD |
US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
US8877655B2 (en) | 2010-05-07 | 2014-11-04 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
US8883270B2 (en) * | 2009-08-14 | 2014-11-11 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen—oxygen species |
US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
US9793148B2 (en) | 2011-06-22 | 2017-10-17 | Asm Japan K.K. | Method for positioning wafers in multiple wafer transport |
US10364496B2 (en) | 2011-06-27 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Dual section module having shared and unshared mass flow controllers |
US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US9341296B2 (en) | 2011-10-27 | 2016-05-17 | Asm America, Inc. | Heater jacket for a fluid line |
US9096931B2 (en) | 2011-10-27 | 2015-08-04 | Asm America, Inc | Deposition valve assembly and method of heating the same |
US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
US9167625B2 (en) | 2011-11-23 | 2015-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Radiation shielding for a substrate holder |
US9005539B2 (en) | 2011-11-23 | 2015-04-14 | Asm Ip Holding B.V. | Chamber sealing member |
US9202727B2 (en) * | 2012-03-02 | 2015-12-01 | ASM IP Holding | Susceptor heater shim |
US8946830B2 (en) | 2012-04-04 | 2015-02-03 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal oxide protective layer for a semiconductor device |
US9029253B2 (en) | 2012-05-02 | 2015-05-12 | Asm Ip Holding B.V. | Phase-stabilized thin films, structures and devices including the thin films, and methods of forming same |
US8728832B2 (en) | 2012-05-07 | 2014-05-20 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor device dielectric interface layer |
US8933375B2 (en) | 2012-06-27 | 2015-01-13 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor heater and method of heating a substrate |
US9558931B2 (en) | 2012-07-27 | 2017-01-31 | Asm Ip Holding B.V. | System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface |
US9117866B2 (en) | 2012-07-31 | 2015-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for calculating a wafer position in a processing chamber under process conditions |
US9659799B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
US9169975B2 (en) | 2012-08-28 | 2015-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for mass flow controller verification |
US9021985B2 (en) | 2012-09-12 | 2015-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor |
US9324811B2 (en) | 2012-09-26 | 2016-04-26 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US9640416B2 (en) | 2012-12-26 | 2017-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber |
US8894870B2 (en) | 2013-02-01 | 2014-11-25 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-step method and apparatus for etching compounds containing a metal |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US9484191B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Pulsed remote plasma method and system |
US9589770B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-03-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species |
US8993054B2 (en) | 2013-07-12 | 2015-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber |
US9018111B2 (en) | 2013-07-22 | 2015-04-28 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities |
US9793115B2 (en) | 2013-08-14 | 2017-10-17 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same |
US9396934B2 (en) | 2013-08-14 | 2016-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming films including germanium tin and structures and devices including the films |
US9240412B2 (en) | 2013-09-27 | 2016-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process |
US9556516B2 (en) | 2013-10-09 | 2017-01-31 | ASM IP Holding B.V | Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT |
US9605343B2 (en) | 2013-11-13 | 2017-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming conformal carbon films, structures conformal carbon film, and system of forming same |
US10179947B2 (en) | 2013-11-26 | 2019-01-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition |
US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
JP6258726B2 (ja) * | 2014-03-04 | 2018-01-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置 |
US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
US9447498B2 (en) | 2014-03-18 | 2016-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US9404587B2 (en) | 2014-04-24 | 2016-08-02 | ASM IP Holding B.V | Lockout tagout for semiconductor vacuum valve |
US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
US9543180B2 (en) | 2014-08-01 | 2017-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum |
US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
KR102300403B1 (ko) | 2014-11-19 | 2021-09-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
KR102263121B1 (ko) | 2014-12-22 | 2021-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
WO2016125626A1 (ja) * | 2015-02-04 | 2016-08-11 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置および反応管 |
US9478415B2 (en) | 2015-02-13 | 2016-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming film having low resistance and shallow junction depth |
US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
US9899291B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-02-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
US10043661B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-08-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
US10083836B2 (en) | 2015-07-24 | 2018-09-25 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of boron-doped titanium metal films with high work function |
US10087525B2 (en) | 2015-08-04 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Variable gap hard stop design |
US9647114B2 (en) | 2015-08-14 | 2017-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films |
US9711345B2 (en) | 2015-08-25 | 2017-07-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD |
US9960072B2 (en) | 2015-09-29 | 2018-05-01 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
US9909214B2 (en) | 2015-10-15 | 2018-03-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US10322384B2 (en) | 2015-11-09 | 2019-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Counter flow mixer for process chamber |
US9455138B1 (en) | 2015-11-10 | 2016-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas |
US9905420B2 (en) | 2015-12-01 | 2018-02-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films |
US9607837B1 (en) | 2015-12-21 | 2017-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process |
US9735024B2 (en) | 2015-12-28 | 2017-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon |
US9627221B1 (en) | 2015-12-28 | 2017-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Continuous process incorporating atomic layer etching |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
US9754779B1 (en) | 2016-02-19 | 2017-09-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10501866B2 (en) | 2016-03-09 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system |
US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
US9892913B2 (en) | 2016-03-24 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Radial and thickness control via biased multi-port injection settings |
US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10087522B2 (en) | 2016-04-21 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
KR102592471B1 (ko) | 2016-05-17 | 2023-10-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US9793135B1 (en) | 2016-07-14 | 2017-10-17 | ASM IP Holding B.V | Method of cyclic dry etching using etchant film |
US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
US10381226B2 (en) | 2016-07-27 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing substrate |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10177025B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-01-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10090316B2 (en) | 2016-09-01 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel |
US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US9916980B1 (en) | 2016-12-15 | 2018-03-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
KR102700194B1 (ko) | 2016-12-19 | 2024-08-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10283353B2 (en) | 2017-03-29 | 2019-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern |
US10103040B1 (en) | 2017-03-31 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device |
USD830981S1 (en) | 2017-04-07 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus |
KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10312055B2 (en) | 2017-07-26 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing film by PEALD using negative bias |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
US10236177B1 (en) | 2017-08-22 | 2019-03-19 | ASM IP Holding B.V.. | Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures |
USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR102401446B1 (ko) | 2017-08-31 | 2022-05-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
KR102633318B1 (ko) | 2017-11-27 | 2024-02-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 청정 소형 구역을 포함한 장치 |
KR102597978B1 (ko) | 2017-11-27 | 2023-11-06 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치 |
US10290508B1 (en) | 2017-12-05 | 2019-05-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
TWI852426B (zh) | 2018-01-19 | 2024-08-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 沈積方法 |
US11482412B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
WO2019158960A1 (en) | 2018-02-14 | 2019-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
KR102709511B1 (ko) | 2018-05-08 | 2024-09-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조 |
TWI816783B (zh) | 2018-05-11 | 2023-10-01 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
TWI840362B (zh) | 2018-06-04 | 2024-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 水氣降低的晶圓處置腔室 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
CN112292478A (zh) | 2018-06-27 | 2021-01-29 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构 |
TWI815915B (zh) | 2018-06-27 | 2023-09-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
KR102686758B1 (ko) | 2018-06-29 | 2024-07-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102707956B1 (ko) | 2018-09-11 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
US10998205B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-05-04 | Kokusai Electric Corporation | Substrate processing apparatus and manufacturing method of semiconductor device |
CN110970344B (zh) | 2018-10-01 | 2024-10-25 | Asmip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
TW202037745A (zh) | 2018-12-14 | 2020-10-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統 |
TW202405220A (zh) | 2019-01-17 | 2024-02-01 | 荷蘭商Asm Ip 私人控股有限公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
TWI756590B (zh) | 2019-01-22 | 2022-03-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理裝置 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
JP2020136678A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置 |
JP7509548B2 (ja) | 2019-02-20 | 2024-07-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置 |
US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
TWI842826B (zh) | 2019-02-22 | 2024-05-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
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US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
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USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
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USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
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JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
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US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
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TWI839544B (zh) | 2019-07-19 | 2024-04-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
CN112309843A (zh) | 2019-07-29 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
CN112323048B (zh) | 2019-08-05 | 2024-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
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US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
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US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
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TWI846953B (zh) | 2019-10-08 | 2024-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理裝置 |
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US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
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US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
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US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
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CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
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JP7527928B2 (ja) | 2019-12-02 | 2024-08-05 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板処理装置、基板処理方法 |
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JP2021097227A (ja) | 2019-12-17 | 2021-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化バナジウム層および窒化バナジウム層を含む構造体を形成する方法 |
US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
TW202142733A (zh) | 2020-01-06 | 2021-11-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 反應器系統、抬升銷、及處理方法 |
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US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
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TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
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US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
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US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
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TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
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KR20210132605A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
JP2021177545A (ja) | 2020-05-04 | 2021-11-11 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板を処理するための基板処理システム |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
TW202146699A (zh) | 2020-05-15 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統 |
KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
TW202200837A (zh) | 2020-05-22 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基材上形成薄膜之反應系統 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202212620A (zh) | 2020-06-02 | 2022-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202202649A (zh) | 2020-07-08 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202219628A (zh) | 2020-07-17 | 2022-05-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於光微影之結構與方法 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
US11725280B2 (en) | 2020-08-26 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers |
TW202229601A (zh) | 2020-08-27 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
KR20220045900A (ko) | 2020-10-06 | 2022-04-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치 |
CN114293174A (zh) | 2020-10-07 | 2022-04-08 | Asm Ip私人控股有限公司 | 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备 |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
TW202235675A (zh) | 2020-11-30 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 注入器、及基板處理設備 |
US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
TW202226899A (zh) | 2020-12-22 | 2022-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 具匹配器的電漿處理裝置 |
TW202242184A (zh) | 2020-12-22 | 2022-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法 |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
CN117542767B (zh) * | 2024-01-10 | 2024-03-26 | 合肥费舍罗热工装备有限公司 | 一种半导体立式熔接炉 |
CN118031643B (zh) * | 2024-04-12 | 2024-06-04 | 丰镇市华兴化工有限公司 | 一种低钛特种合金密闭炉的密闭开合装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH037432B2 (ko) * | 1985-02-06 | 1991-02-01 | Daiken Trade & Industry | |
JP2005203720A (ja) * | 2003-10-24 | 2005-07-28 | Tokyo Electron Ltd | 縦型熱処理装置 |
JP2008177524A (ja) | 2006-10-13 | 2008-07-31 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
JP2008199040A (ja) | 2003-10-24 | 2008-08-28 | Tokyo Electron Ltd | 縦型熱処理装置 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3260832A (en) * | 1963-10-28 | 1966-07-12 | Westinghouse Electric Corp | Oven |
JP3007432B2 (ja) * | 1991-02-19 | 2000-02-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
JP3106172B2 (ja) * | 1991-02-26 | 2000-11-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置の封止構造 |
US5578132A (en) * | 1993-07-07 | 1996-11-26 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Apparatus for heat treating semiconductors at normal pressure and low pressure |
US5904478A (en) * | 1997-03-07 | 1999-05-18 | Semitool, Inc. | Semiconductor processing furnace heating subassembly |
US6543257B1 (en) * | 1999-05-28 | 2003-04-08 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Dehydration and sintering apparatus for porous optical fiber preform |
KR101052448B1 (ko) * | 2003-03-28 | 2011-07-28 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 반도체 열처리 장치 |
US20070240644A1 (en) | 2006-03-24 | 2007-10-18 | Hiroyuki Matsuura | Vertical plasma processing apparatus for semiconductor process |
KR101333363B1 (ko) * | 2006-10-13 | 2013-11-28 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 열처리 장치 |
JP4929199B2 (ja) * | 2008-02-01 | 2012-05-09 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
JP5188326B2 (ja) * | 2008-08-28 | 2013-04-24 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、及び基板処理装置 |
-
2012
- 2012-10-31 JP JP2012240639A patent/JP5960028B2/ja active Active
-
2013
- 2013-10-28 KR KR1020130128452A patent/KR101673651B1/ko active IP Right Grant
- 2013-10-29 TW TW102139129A patent/TWI545299B/zh active
- 2013-10-30 US US14/067,318 patent/US9845991B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH037432B2 (ko) * | 1985-02-06 | 1991-02-01 | Daiken Trade & Industry | |
JP2005203720A (ja) * | 2003-10-24 | 2005-07-28 | Tokyo Electron Ltd | 縦型熱処理装置 |
JP2008199040A (ja) | 2003-10-24 | 2008-08-28 | Tokyo Electron Ltd | 縦型熱処理装置 |
JP2008177524A (ja) | 2006-10-13 | 2008-07-31 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20230017910A (ko) * | 2018-07-06 | 2023-02-06 | 조인트 스탁 컴퍼니 “익스페리멘탈 앤드 디자인 오가니제이션 “기드로프레스” 어워디드 디 오더 오브 더 레드 배너 오브 레이버 앤드 씨지에스알 오더 오브 레이버” | 관형 전기 히터 장비 유닛 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI545299B (zh) | 2016-08-11 |
US20140120487A1 (en) | 2014-05-01 |
TW201428224A (zh) | 2014-07-16 |
JP2014090145A (ja) | 2014-05-15 |
KR101673651B1 (ko) | 2016-11-07 |
JP5960028B2 (ja) | 2016-08-02 |
US9845991B2 (en) | 2017-12-19 |
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