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KR20140009649A - Light emitting device, light emitting device package, and light unit - Google Patents

Light emitting device, light emitting device package, and light unit Download PDF

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KR20140009649A
KR20140009649A KR1020120075909A KR20120075909A KR20140009649A KR 20140009649 A KR20140009649 A KR 20140009649A KR 1020120075909 A KR1020120075909 A KR 1020120075909A KR 20120075909 A KR20120075909 A KR 20120075909A KR 20140009649 A KR20140009649 A KR 20140009649A
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KR
South Korea
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light emitting
electrode
semiconductor layer
layer
conductive semiconductor
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KR1020120075909A
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Inventor
문지형
정환희
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엘지이노텍 주식회사
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Publication date
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Abstract

A light emitting device according to the embodiment of the present invention includes: a light emitting structure which includes a first conductive semiconductor layer, an active layer which is formed under the first conductive semiconductor layer, and a second conductive semiconductor layer which is formed under the active layer; a first electrode which is arranged under the light emitting structure and is electrically connected to the first conductive semiconductor layer via the active layer and the second conductive semiconductor layer; a second electrode which is formed under the light emitting structure and is electrically connected to the second conductive semiconductor layer; and an insulation layer which is arranged around the first electrode which passes through the active layer and the second conductive semiconductor layer and includes a top part which is higher than the top part of the first electrode.

Description

발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛{LIGHT EMITTING DEVICE, LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE, AND LIGHT UNIT}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a light emitting device, a light emitting device package,

실시 예는 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛에 관한 것이다.Embodiments relate to a light emitting device, a light emitting device package, and a light unit.

발광소자의 하나로서 발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode)가 많이 사용되고 있다. 발광 다이오드는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기 신호를 적외선, 가시광선, 자외선과 같은 빛의 형태로 변환한다.Light emitting diodes (LEDs) are widely used as light emitting devices. Light emitting diodes convert electrical signals into light, such as infrared, visible, and ultraviolet, using the properties of compound semiconductors.

발광소자의 광 효율이 증가됨에 따라 표시장치, 조명기기를 비롯한 다양한 분야에 발광소자가 적용되고 있다.As the light efficiency of a light emitting device is increased, a light emitting device is applied to various fields including a display device and a lighting device.

실시 예는 전류가 집중되는 것을 방지하고 신뢰성을 향상시킬 수 있는 발광소자, 발광소자 패키지, 라이트 유닛을 제공한다.The embodiment provides a light emitting device, a light emitting device package, and a light unit capable of preventing current from being concentrated and improving reliability.

실시 예에 따른 발광소자는 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 아래에 활성층, 상기 활성층 아래에 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물; 상기 발광구조물 아래에 배치되며, 상기 제2 도전형 반도체층과 상기 활성층을 관통하여 상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 제1 전극; 상기 발광구조물 아래에 배치되며, 상기 제2 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 제2 전극; 상기 활성층과 상기 제2 도전형 반도체층을 관통하는 상기 제1 전극 둘레에 배치되며, 상부 면이 상기 제1 전극의 상부 면에 비하여 더 높게 배치된 절연층; 을 포함한다.The light emitting device according to the embodiment may include a light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, an active layer under the first conductive semiconductor layer, and a second conductive semiconductor layer under the active layer; A first electrode disposed under the light emitting structure and electrically connected to the first conductive semiconductor layer through the second conductive semiconductor layer and the active layer; A second electrode disposed under the light emitting structure and electrically connected to the second conductive semiconductor layer; An insulating layer disposed around the first electrode penetrating the active layer and the second conductive semiconductor layer, and having an upper surface higher than an upper surface of the first electrode; .

실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 몸체; 상기 몸체 위에 배치된 발광소자; 상기 발광소자에 전기적으로 연결된 제1 리드 전극 및 제2 리드 전극; 을 포함하고, 상기 발광소자는 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 아래에 활성층, 상기 활성층 아래에 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물; 상기 발광구조물 아래에 배치되며, 상기 제2 도전형 반도체층과 상기 활성층을 관통하여 상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 제1 전극; 상기 발광구조물 아래에 배치되며, 상기 제2 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 제2 전극; 상기 활성층과 상기 제2 도전형 반도체층을 관통하는 상기 제1 전극 둘레에 배치되며, 상부 면이 상기 제1 전극의 상부 면에 비하여 더 높게 배치된 절연층; 을 포함한다.A light emitting device package according to an embodiment includes a body; A light emitting element disposed on the body; A first lead electrode and a second lead electrode electrically connected to the light emitting element; The light emitting device includes: a light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, an active layer under the first conductive semiconductor layer, and a second conductive semiconductor layer under the active layer; A first electrode disposed under the light emitting structure and electrically connected to the first conductive semiconductor layer through the second conductive semiconductor layer and the active layer; A second electrode disposed under the light emitting structure and electrically connected to the second conductive semiconductor layer; An insulating layer disposed around the first electrode penetrating the active layer and the second conductive semiconductor layer, and having an upper surface higher than an upper surface of the first electrode; .

실시 예에 따른 라이트 유닛은, 기판; 상기 기판 위에 배치된 발광소자; 상기 발광소자로부터 제공되는 빛이 지나가는 광학 부재; 를 포함하고, 상기 발광소자는 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 아래에 활성층, 상기 활성층 아래에 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물; 상기 발광구조물 아래에 배치되며, 상기 제2 도전형 반도체층과 상기 활성층을 관통하여 상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 제1 전극; 상기 발광구조물 아래에 배치되며, 상기 제2 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 제2 전극; 상기 활성층과 상기 제2 도전형 반도체층을 관통하는 상기 제1 전극 둘레에 배치되며, 상부 면이 상기 제1 전극의 상부 면에 비하여 더 높게 배치된 절연층; 을 포함한다.A light unit according to an embodiment includes a substrate; A light emitting element disposed on the substrate; An optical member through which the light provided from the light emitting element passes; The light emitting device includes: a light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, an active layer under the first conductive semiconductor layer, and a second conductive semiconductor layer under the active layer; A first electrode disposed under the light emitting structure and electrically connected to the first conductive semiconductor layer through the second conductive semiconductor layer and the active layer; A second electrode disposed under the light emitting structure and electrically connected to the second conductive semiconductor layer; An insulating layer disposed around the first electrode penetrating the active layer and the second conductive semiconductor layer, and having an upper surface higher than an upper surface of the first electrode; .

실시 예에 따른 발광소자, 발광소자 패키지, 라이트 유닛은 전류가 집중되는 것을 방지하고 신뢰성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.The light emitting device, the light emitting device package, and the light unit according to the embodiment have an advantage of preventing current from being concentrated and improving reliability.

도 1은 실시 예에 따른 발광소자를 나타낸 도면이다.
도 2는 실시 예에 따른 발광소자에 적용된 제1 전극과 절연층의 형상을 설명하는 도면이다.
도 3은 실시 예에 따른 발광소자의 전류 확산 효과를 나타낸 도면이다.
도 4 내지 도 7은 실시 예에 따른 발광소자 제조방법을 나타낸 도면이다.
도 8은 실시 예에 따른 발광소자의 변형 예를 나타낸 도면이다.
도 9는 도 8에 도시된 발광소자의 전류 확산 효과를 나타낸 도면이다.
도 10 및 도 11은 실시 예에 따른 발광소자의 변형 예를 나타낸 도면이다.
도 12는 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 도면이다.
도 13은 실시 예에 따른 표시장치를 나타낸 도면이다.
도 14는 실시 예에 따른 표시장치의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 15는 실시 예에 따른 조명장치를 나타낸 도면이다. 1 is a view illustrating a light emitting device according to an embodiment.
2 is a view for explaining the shape of the first electrode and the insulating layer applied to the light emitting device according to the embodiment.
3 is a view showing a current spreading effect of the light emitting device according to the embodiment.
4 to 7 illustrate a method of manufacturing a light emitting device according to the embodiment.
8 is a view showing a modification of the light emitting device according to the embodiment.
9 is a diagram illustrating a current spreading effect of the light emitting device of FIG. 8.
10 and 11 illustrate modified examples of the light emitting device according to the embodiment.
12 is a view showing a light emitting device package according to an embodiment.
13 is a diagram illustrating a display device according to an exemplary embodiment.
14 is a diagram illustrating another example of a display device according to an exemplary embodiment.
15 is a view showing a lighting apparatus according to an embodiment.

실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), region, pattern or structure may be referred to as being "on" or "under" a substrate, each layer It is to be understood that the terms " on "and " under" include both " directly "or" indirectly " do. In addition, the criteria for the top / bottom or bottom / bottom of each layer are described with reference to the drawings.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시될 수 있다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.The thickness and size of each layer in the drawings may be exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. In addition, the size of each component does not necessarily reflect the actual size.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예들에 따른 발광소자, 발광소자 패키지, 라이트 유닛 및 발광소자 제조방법에 대해 상세히 설명하도록 한다.Hereinafter, a light emitting device, a light emitting device package, a light unit, and a method of manufacturing a light emitting device according to embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 실시 예에 따른 발광소자를 나타낸 도면이다.1 is a view illustrating a light emitting device according to an embodiment.

실시 예에 따른 발광소자는, 도 1에 나타낸 바와 같이, 발광구조물(10), 제1 전극(45), 제2 전극(17), 절연층(40)을 포함할 수 있다.As shown in FIG. 1, the light emitting device according to the embodiment may include a light emitting structure 10, a first electrode 45, a second electrode 17, and an insulating layer 40.

상기 발광구조물(10)은 제1 도전형 반도체층(11), 활성층(12), 제2 도전형 반도체층(13)을 포함할 수 있다. 상기 활성층(12)은 상기 제1 도전형 반도체층(11)과 상기 제2 도전형 반도체층(13) 사이에 배치될 수 있다. 상기 활성층(12)은 상기 제1 도전형 반도체층(11) 아래에 배치될 수 있으며, 상기 제2 도전형 반도체층(13)은 상기 활성층(12) 아래에 배치될 수 있다.The light emitting structure 10 may include a first conductivity type semiconductor layer 11, an active layer 12, and a second conductivity type semiconductor layer 13. The active layer 12 may be disposed between the first conductive semiconductor layer 11 and the second conductive semiconductor layer 13. The active layer 12 may be disposed under the first conductive semiconductor layer 11 and the second conductive semiconductor layer 13 may be disposed under the active layer 12.

예로서, 상기 제1 도전형 반도체층(11)이 제1 도전형 도펀트로서 n형 도펀트가 첨가된 n형 반도체층으로 형성되고, 상기 제2 도전형 반도체층(13)이 제2 도전형 도펀트로서 p형 도펀트가 첨가된 p형 반도체층으로 형성될 수 있다. 또한 상기 제1 도전형 반도체층(11)이 p형 반도체층으로 형성되고, 상기 제2 도전형 반도체층(13)이 n형 반도체층으로 형성될 수도 있다.For example, the first conductivity type semiconductor layer 11 is formed of an n-type semiconductor layer doped with an n-type dopant as a first conductivity type dopant, and the second conductivity type semiconductor layer 13 is formed of a second conductivity type dopant Type semiconductor layer to which a p-type dopant is added. The first conductivity type semiconductor layer 11 may be formed of a p-type semiconductor layer, and the second conductivity type semiconductor layer 13 may be formed of an n-type semiconductor layer.

상기 제1 도전형 반도체층(11)은 예를 들어, n형 반도체층을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(11)은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(11)은 예로서 II족-VI족 화합물 반도체 또는 III족-V족 화합물 반도체로 구현될 수 있다. The first conductive semiconductor layer 11 may include, for example, an n-type semiconductor layer. The first conductive semiconductor layer 11 may be formed of a compound semiconductor. The first conductive semiconductor layer 11 may be formed of, for example, a Group II-VI compound semiconductor or a Group III-V compound semiconductor.

예컨대, 상기 제1 도전형 반도체층(11)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 구현될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(11)은, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.For example, the first conductivity type semiconductor layer 11 may be a semiconductor having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + Material. The first conductive semiconductor layer 11 may be selected from among GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, An n-type dopant such as Se or Te can be doped.

상기 활성층(12)은 상기 제1 도전형 반도체층(11)을 통해서 주입되는 전자(또는 정공)와 상기 제2 도전형 반도체층(13)을 통해서 주입되는 정공(또는 전자)이 서로 만나서, 상기 활성층(12)의 형성 물질에 따른 에너지 밴드(Energy Band)의 밴드갭(Band Gap) 차이에 의해서 빛을 방출하는 층이다. 상기 활성층(12)은 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The active layer 12 is formed in such a manner that electrons (or holes) injected through the first conductive type semiconductor layer 11 and holes (or electrons) injected through the second conductive type semiconductor layer 13 meet with each other, And is a layer that emits light due to a band gap difference of an energy band according to a material of the active layer 12. [ The active layer 12 may be formed of any one of a single well structure, a multi-well structure, a quantum dot structure and a quantum wire structure, but is not limited thereto.

상기 활성층(12)은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 활성층(12)은 예로서 II족-VI족 또는 III족-V족 화합물 반도체로 구현될 수 있다.상기 활성층(12)은 예로서 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 구현될 수 있다. 상기 활성층(12)이 상기 다중 우물 구조로 구현된 경우, 상기 활성층(12)은 복수의 우물층과 복수의 장벽층이 적층되어 구현될 수 있으며, 예를 들어, InGaN 우물층/GaN 장벽층의 주기로 구현될 수 있다.The active layer 12 may be formed of a compound semiconductor. The active layer 12 may be implemented by way of example to the Group II -VI group or a group III -V compound semiconductor. The active layer 12 is an example of a In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x 1, 0? Y? 1, 0? X + y? 1). When the active layer 12 is implemented in the multi-well structure, the active layer 12 may be formed by stacking a plurality of well layers and a plurality of barrier layers. For example, the InGaN well layer / GaN barrier layer . ≪ / RTI >

상기 제2 도전형 반도체층(13)은 예를 들어, p형 반도체층으로 구현될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(13)은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(13)은 예로서 II족-VI족 화합물 반도체 또는 III족-V족 화합물 반도체로 구현될 수 있다. The second conductive semiconductor layer 13 may be formed of, for example, a p-type semiconductor layer. The second conductive semiconductor layer 13 may be formed of a compound semiconductor. The second conductive semiconductor layer 13 may be formed of, for example, a Group II-VI compound semiconductor or a Group III-V compound semiconductor.

예컨대, 상기 제2 도전형 반도체층(13)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 구현될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(13)은, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.For example, the second conductivity type semiconductor layer 13 may be a semiconductor having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + Material. The second conductive semiconductor layer 13 may be selected from GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, A p-type dopant such as Sr, Ba or the like may be doped.

한편, 상기 제1 도전형 반도체층(11)이 p형 반도체층을 포함하고 상기 제2 도전형 반도체층(13)이 n형 반도체층을 포함할 수도 있다. 또한, 상기 제2 도전형 반도체층(13) 아래에는 n형 또는 p형 반도체층을 포함하는 반도체층이 더 형성될 수도 있다. 이에 따라, 상기 발광구조물(10)은 np, pn, npn, pnp 접합 구조 중 적어도 어느 하나를 가질 수 있다. 또한, 상기 제1 도전형 반도체층(11) 및 상기 제2 도전형 반도체층(13) 내의 불순물의 도핑 농도는 균일 또는 불균일하게 형성될 수 있다. 즉, 상기 발광구조물(10)의 구조는 다양하게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Meanwhile, the first conductive semiconductor layer 11 may include a p-type semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer 13 may include an n-type semiconductor layer. Also, a semiconductor layer including an n-type or p-type semiconductor layer may be further formed under the second conductivity type semiconductor layer 13. Accordingly, the light emitting structure 10 may have at least one of np, pn, npn, and pnp junction structures. The doping concentration of impurities in the first conductivity type semiconductor layer 11 and the second conductivity type semiconductor layer 13 may be uniform or non-uniform. That is, the structure of the light emitting structure 10 may be variously formed, but the present invention is not limited thereto.

또한, 상기 제1 도전형 반도체층(11)과 상기 활성층(12) 사이에는 제1 도전형 InGaN/GaN 슈퍼래티스 구조 또는 InGaN/InGaN 슈퍼래티스 구조가 형성될 수도 있다. 또한, 상기 제2 도전형 반도체층(13)과 상기 활성층(12) 사이에는 제2 도전형의 AlGaN층이 형성될 수도 있다.Also, a first conductive InGaN / GaN superlattice structure or an InGaN / InGaN superlattice structure may be formed between the first conductive semiconductor layer 11 and the active layer 12. In addition, a second conductive type AlGaN layer may be formed between the second conductive type semiconductor layer 13 and the active layer 12.

실시 예에 따른 발광소자는 상기 발광구조물(10) 아래에 배치된 제1 전극(45)을 포함할 수 있다. 상기 제1 전극(45)은 상기 제2 도전형 반도체층(13)과 상기 활성층(12)을 관통하여 배치될 수 있다. 예로서 상기 제1 전극(45)은 상기 제2 도전형 반도체층(13)과 상기 활성층(12)을 관통하는 비아 홀(via hole) 구조에 비아 플러그(via plug) 형태로 제공될 수 있다. The light emitting device according to the embodiment may include a first electrode 45 disposed under the light emitting structure 10. The first electrode 45 may be disposed through the second conductive semiconductor layer 13 and the active layer 12. For example, the first electrode 45 may be provided in the form of a via plug in a via hole structure penetrating through the second conductive semiconductor layer 13 and the active layer 12.

상기 제1 전극(45)은 상기 제1 도전형 반도체층(11)에 전기적으로 접촉될 수 있다. 상기 제1 전극(45)은 상기 제1 도전형 반도체층(11) 내에 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(45)은 상기 제1 도전형 반도체층(11)에 접촉될 수 있다. 상기 제1 전극(45)은 예로서 Cr, V, W, Ti, Zn, Ni, Cu, Al, Au, Mo 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.The first electrode 45 may be in electrical contact with the first conductivity type semiconductor layer 11. The first electrode 45 may be disposed in the first conductive semiconductor layer 11. The first electrode 45 may be in contact with the first conductivity type semiconductor layer 11. For example, the first electrode 45 may include at least one of Cr, V, W, Ti, Zn, Ni, Cu, Al, Au, and Mo.

실시 예에 따른 발광소자는 상기 발광구조물(10) 아래에 배치된 제2 전극(17)을 포함할 수 있다. 상기 제2 전극(17)은 상기 제2 도전형 반도체층(13) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 전극(17)은 상기 제2 도전형 반도체층(13)에 전기적으로 연결될 수 있다.The light emitting device according to the embodiment may include a second electrode 17 disposed under the light emitting structure 10. The second electrode 17 may be disposed under the second conductive semiconductor layer 13. The second electrode 17 may be electrically connected to the second conductive semiconductor layer 13.

또한 실시 예에 따른 발광소자는 상기 제2 도전형 반도체층(13)과 상기 제2 전극(17) 사이에 배치된 오믹접촉층(15)을 포함할 수 있다. 상기 오믹접촉층(15)은 상기 발광구조물(10)과 오믹 접촉이 되도록 형성될 수 있다. 예로서, 상기 제2 전극(17)은 상기 오믹접촉층(15)을 통하여 상기 제2 도전형 반도체층(13)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 전극(17)은 상기 발광구조물(10)로부터 입사되는 빛을 반사시켜 외부로 추출되는 광량을 증가시키는 기능을 수행할 수 있다.In addition, the light emitting device according to the embodiment may include an ohmic contact layer 15 disposed between the second conductive semiconductor layer 13 and the second electrode 17. The ohmic contact layer 15 may be formed in ohmic contact with the light emitting structure 10. For example, the second electrode 17 may be electrically connected to the second conductive semiconductor layer 13 through the ohmic contact layer 15. The second electrode 17 may perform a function of increasing the amount of light extracted to the outside by reflecting light incident from the light emitting structure 10.

상기 오믹접촉층(15)은 예컨대 투명 전도성 산화막으로 형성될 수 있다. 상기 오믹접촉층(15)은 예로서 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), AGZO(Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, Pt, Ag, Ti 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다.The ohmic contact layer 15 may be formed of, for example, a transparent conductive oxide film. The ohmic contact layer 15 may be formed of, for example, ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), AZO (Aluminum Zinc Oxide), AGZO (Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO (Indium Zinc Tin Oxide) IZO (IZO Nitride), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, Pt (indium gallium zinc oxide), IGTO (indium gallium tin oxide), ATO , Ag, and Ti.

상기 제2 전극(17)은 고 반사율을 갖는 물질로 형성될 수 있다. 예컨대 상기 제2 전극(17)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Cu, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제2 전극(17)은 상기 금속 또는 합금과 ITO(Indium-Tin-Oxide), IZO(Indium-Zinc-Oxide), IZTO(Indium-Zinc-Tin-Oxide), IAZO(Indium-Aluminum-Zinc-Oxide), IGZO(Indium-Gallium-Zinc-Oxide), IGTO(Indium-Gallium-Tin-Oxide), AZO(Aluminum-Zinc-Oxide), ATO(Antimony-Tin-Oxide) 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 실시 예에서 상기 제2 전극(17)은 Ag, Al, Ag-Pd-Cu 합금, 또는 Ag-Cu 합금 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The second electrode 17 may be formed of a material having a high reflectance. For example, the second electrode 17 may be formed of a metal or an alloy including at least one of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Cu, Au, and Hf. In addition, the second electrode 17 may be formed of indium-tin-oxide (ITO), indium-zinc-oxide (IZO), indium-zinc-tin-oxide (IZTO), and indium-aluminum-IZA (IZAZ). Transmissive conductive materials such as Zinc-Oxide (IGZO), Indium-Gallium-Zinc-Oxide (IGZO), Indium-Gallium-Tin-Oxide (IGTO), Aluminum-Zinc-Oxide (AZO), and Antimony-Tin-Oxide (ATO) It can be formed into a multi-layer using. For example, in the embodiment, the second electrode 17 may include at least one of Ag, Al, Ag-Pd-Cu alloy, or Ag-Cu alloy.

실시 예에 따른 발광소자는 상기 절연층(40)을 포함할 수 있다. 상기 절연층(40)은, 도 1 및 도 2에 나타낸 바와 같이, 상기 활성층(12)과 상기 제2 도전형 반도체층(13)을 관통하는 상기 제1 전극(45) 둘레에 배치될 수 있다. The light emitting device according to the embodiment may include the insulating layer 40. 1 and 2, the insulating layer 40 may be disposed around the first electrode 45 passing through the active layer 12 and the second conductive semiconductor layer 13. .

상기 절연층(40)의 상부 면은 상기 제1 전극(45)의 상부 면에 비하여 더 높게 배치될 수 있다. 상기 절연층(40)의 상부 면은 상기 제1 도전형 반도체층(11) 내에 배치될 수 있다. 상기 절연층(40)의 상부 면은 상기 제1 전극(45)의 상부 면으로부터 중공 형상으로 돌출되어 형성될 수 있다. 상기 절연층(40)의 중공 영역에 상기 제1 도전형 반도체층(11)이 배치될 수 있다.The upper surface of the insulating layer 40 may be disposed higher than the upper surface of the first electrode 45. An upper surface of the insulating layer 40 may be disposed in the first conductivity type semiconductor layer 11. An upper surface of the insulating layer 40 may be formed to protrude in a hollow shape from the upper surface of the first electrode 45. The first conductivity type semiconductor layer 11 may be disposed in the hollow region of the insulating layer 40.

상기 절연층(40)은 상기 제1 전극(45)과 상기 제2 전극(17)을 전기적으로 절연시킬 수 있다. 상기 절연층(40)은 상기 제1 전극(45)과 상기 제2 전극(17) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(45)의 하부 면은 상기 제2 전극(17)의 하부 면에 비하여 더 낮게 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(45)은 상기 제2 전극(17) 아래에 배치될 수 있다.The insulating layer 40 may electrically insulate the first electrode 45 from the second electrode 17. The insulating layer 40 may be disposed between the first electrode 45 and the second electrode 17. The lower surface of the first electrode 45 may be lower than the lower surface of the second electrode 17. The first electrode 45 may be disposed below the second electrode 17.

상기 절연층(40)의 상부 면은 상기 제1 전극(45)의 상부 면에 비하여 상기 제1 도전형 반도체층(11)의 1/2 내지 2/3 두께로 돌출되어 배치될 수 있다. 예컨대 상기 절연층(40)의 상부 면은 상기 제1 전극(45)의 상부 면에 비하여 수 마이크로 미터 돌출되어 배치될 수 있다. 예로서, 상기 절연층(40)은 상기 제1 전극(45)의 상부 면으로부터 중공 형상으로 2 마이크로 미터 연장되어 배치될 수 있다.An upper surface of the insulating layer 40 may be disposed to protrude to a thickness of 1/2 to 2/3 of the first conductive semiconductor layer 11 as compared with an upper surface of the first electrode 45. For example, an upper surface of the insulating layer 40 may be disposed to protrude a few micrometers from the upper surface of the first electrode 45. For example, the insulating layer 40 may be disposed to extend 2 micrometers in a hollow shape from an upper surface of the first electrode 45.

상기 절연층(40)은 예컨대 산화물 또는 질화물로 구현될 수 있다. 예를 들어, 상기 절연층(30)은 Si02, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2, AlN 등으로 이루어진 군에서 적어도 하나가 선택되어 형성될 수 있다.The insulating layer 40 may be formed of, for example, an oxide or a nitride. For example, the insulating layer 30 may be at least one of Si0 2 , Si x O y , Si 3 N 4 , Si x N y , SiO x N y , Al 2 O 3 , TiO 2 , AlN, and the like. Can be selected and formed.

실시 예에 따른 발광소자는 상기 제2 전극(17) 아래에 배치된 금속층(50)을 포함할 수 있다. 상기 금속층(50)은 상기 제2 전극(17)에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 금속층(50)은 Cu, Ni, Ti, Ti-W, Cr, W, Pt, V, Fe, Mo 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 금속층(50)은 확산장벽층의 기능을 수행할 수도 있다.The light emitting device according to the embodiment may include a metal layer 50 disposed under the second electrode 17. The metal layer 50 may be disposed in contact with the second electrode 17. The metal layer 50 may include at least one of Cu, Ni, Ti, Ti-W, Cr, W, Pt, V, Fe, and Mo materials. The metal layer 50 may function as a diffusion barrier layer.

상기 금속층(50) 아래에 상기 절연층(40)이 배치될 수 있다. 또한, 상기 절연층(40) 아래에 상기 제1 전극(45)이 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(45)과 상기 제2 전극(17) 사이에 상기 절연층(40)이 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(45)은 Cu, Ni, Ti, Ti-W, Cr, W, Pt, V, Fe, Mo 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제1 전극(45)은 확산장벽층의 기능을 수행할 수도 있다. 상기 제1 전극(45) 아래에 본딩층(60), 지지부재(70)가 배치될 수 있다. The insulating layer 40 may be disposed under the metal layer 50. In addition, the first electrode 45 may be disposed under the insulating layer 40. The insulating layer 40 may be disposed between the first electrode 45 and the second electrode 17. The first electrode 45 may include at least one of Cu, Ni, Ti, Ti-W, Cr, W, Pt, V, Fe, and Mo materials. The first electrode 45 may also function as a diffusion barrier layer. The bonding layer 60 and the support member 70 may be disposed below the first electrode 45.

상기 제1 전극(45)은 상기 본딩층(60)이 제공되는 공정에서 상기 본딩층(60)에 포함된 물질이 상기 제2 전극(17) 방향으로 확산되는 것을 방지하는 기능을 수행할 수 있다. 상기 제1 전극(45)은 상기 본딩층(60)에 포함된 주석(Sn) 등의 물질이 상기 제2 전극(17)에 영향을 미치는 것을 방지할 수 있다. The first electrode 45 may serve to prevent a material included in the bonding layer 60 from diffusing toward the second electrode 17 in a process in which the bonding layer 60 is provided. . The first electrode 45 may prevent a material such as tin (Sn) included in the bonding layer 60 from affecting the second electrode 17.

상기 본딩층(60)은 베리어 금속 또는 본딩 금속 등을 포함하며, 예를 들어, Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag, Nb, Pd 또는 Ta 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 지지부재(70)는 실시 예에 따른 발광구조물(10)을 지지하며 방열 기능을 수행할 수 있다. 상기 본딩층(60)은 시드층으로 구현될 수도 있다.The bonding layer 60 may include at least one of Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag, Nb, Pd, . The support member 70 supports the light emitting structure 10 according to the embodiment and can perform a heat dissipation function. The bonding layer 60 may be implemented as a seed layer.

상기 지지부재(70)는 예를 들어, Ti, Cr, Ni, Al, Pt, Au, W, Cu, Mo, Cu-W 또는 불순물이 주입된 반도체 기판(예: Si, Ge, GaN, GaAs, ZnO, SiC, SiGe 등) 중에서 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 상기 지지부재(70)는 예로서 절연물질로 구현될 수도 있다.The supporting member 70 may be a semiconductor substrate (for example, Si, Ge, GaN, GaAs, or the like) into which Ti, Cr, Ni, Al, Pt, Au, W, Cu, Mo, Cu- ZnO, SiC, SiGe, and the like). The support member 70 may be embodied as an insulating material, for example.

실시 예에 따른 발광소자는 상기 제2 전극(17)에 전기적으로 연결된 컨택부(80)를 포함할 수 있다. 상기 컨택부(80)는 상기 발광구조물(10) 측면에 배치될 수 있다. 상기 컨택부(80)는 상기 금속층(50) 위에 배치될 수 있다. 상기 컨택부(80)는 상기 금속층(50) 위에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 컨택부(80)는 상기 금속층(50)을 통하여 상기 제2 전극(17)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예로서, 상기 컨택부(80)는 Cr, V, W, Ti, Zn, Ni, Cu, Al, Au, Mo 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 컨택부(80)를 통하여 외부로부터 상기 제2 전극(17)에 전원이 인가될 수 있게 된다.The light emitting device according to the embodiment may include a contact portion 80 electrically connected to the second electrode 17. The contact portion 80 may be disposed on the side surface of the light emitting structure 10. The contact portion 80 may be disposed on the metal layer 50. The contact portion 80 may be disposed in contact with the metal layer 50. The contact part 80 may be electrically connected to the second electrode 17 through the metal layer 50. For example, the contact portion 80 may include at least one of Cr, V, W, Ti, Zn, Ni, Cu, Al, Au, and Mo. Power may be applied to the second electrode 17 from the outside through the contact portion 80.

상기 발광구조물(10)의 상부 면에 러프니스(roughness)가 형성될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(11)의 상부 면에 러프니스(roughness)가 형성될 수 있다. 상기 발광구조물(10)의 상부 면에 광 추출 패턴이 제공될 수 있다. 상기 발광구조물(10)의 상부 면에 요철 패턴이 제공될 수 있다. 상기 발광구조물(10)에 제공되는 광 추출 패턴은 하나의 예로서 PEC (Photo Electro Chemical) 식각 공정에 의하여 형성될 수 있다. 이에 따라 실시 예에 의하면 외부 광 추출 효과를 상승시킬 수 있게 된다.Roughness may be formed on an upper surface of the light emitting structure 10. Roughness may be formed on an upper surface of the first conductive semiconductor layer 11. A light extracting pattern may be provided on the upper surface of the light emitting structure 10. An irregular pattern may be provided on the upper surface of the light emitting structure 10. The light extracting pattern provided in the light emitting structure 10 may be formed by a PEC (Photo Electro Chemical) etching process as an example. Accordingly, according to the embodiment, the effect of extracting external light can be increased.

실시 예에 의하면, 상기 발광구조물(10)의 상부 면과 측면에 보호층(90)이 배치될 수 있다. 상기 보호층(90)은 상기 제1 도전형 반도체층(11)의 상부 면에 배치될 수 있다. 상기 보호층(90)은 상기 제1 도전형 반도체층(11)의 측면에 배치될 수 있다. 상기 보호층(90)은 상기 활성층(12)과 상기 제2 도전형 반도체층(13)의 측면에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 보호층(90)은 Si02, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2, AlN 등으로 이루어진 군에서 적어도 하나가 선택되어 형성될 수 있다.According to an embodiment, the protective layer 90 may be disposed on the upper surface and the side surface of the light emitting structure 10. The protective layer 90 may be disposed on an upper surface of the first conductivity type semiconductor layer 11. The protective layer 90 may be disposed on the side surface of the first conductivity type semiconductor layer 11. The protective layer 90 may be disposed on side surfaces of the active layer 12 and the second conductive semiconductor layer 13. For example, the protective layer 90 is at least one in the group consisting of Si0 2 , Si x O y , Si 3 N 4 , Si x N y , SiO x N y , Al 2 O 3 , TiO 2 , AlN, etc. Can be selected and formed.

실시 예에 의하면, 상기 절연층(40)의 상부 면이 상기 제1 전극(45)의 상부 면에 비하여 상부 방향으로 더 연장되어 배치될 수 있다. 이에 따라, 도 3에 나타낸 바와 같이, 상기 제1 전극(45)과 상기 제2 전극(17) 간에 전원이 인가되는 경우에 전류의 흐름이 확산될 수 있게 된다. 즉, 상기 절연층(40)의 상부 면이 상기 제1 전극(45)의 상부 면과 같은 높이로 배치되는 경우에 비하여 전류 집중을 완화시킬 수 있게 된다. According to an embodiment, the upper surface of the insulating layer 40 may be further extended in the upper direction than the upper surface of the first electrode 45. Accordingly, as shown in FIG. 3, when a power is applied between the first electrode 45 and the second electrode 17, the flow of current can be diffused. That is, compared with the case where the upper surface of the insulating layer 40 is disposed at the same height as the upper surface of the first electrode 45, current concentration can be alleviated.

실시 예에 의하면, 도 3에 나타낸 바와 같이, 전류의 흐름이 1차적으로 상기 절연층(40)의 상부 방향으로 흐르게 되며, 상기 절연층(40)의 연장 영역을 넘어 2차적으로 상기 제2 전극(17) 방향으로 흐르게 된다. 실시 예에 의하면, 전류의 흐름이 상기 제1 전극(40)을 기준으로 수직 방향으로 또한 수평 방향으로 확산되어 흐를 수 있게 된다. 이에 따라, 상기 제1 전극(40) 주위로 전류가 집중되어 흐르는 것을 방지할 수 있게 되며, 전기적인 신뢰성을 향상시킬 수 있게 된다.According to an embodiment, as shown in FIG. 3, a current flows primarily in an upper direction of the insulating layer 40, and secondly over the extension region of the insulating layer 40. It flows in the direction (17). According to the embodiment, the current flows can be diffused in the vertical direction and the horizontal direction with respect to the first electrode 40. As a result, it is possible to prevent the current from being concentrated around the first electrode 40 and improve electrical reliability.

그러면 도 4 내지 도 7을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 제조방법을 설명하기로 한다.Next, a method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment will be described with reference to FIGS. 4 to 7.

실시 예에 따른 발광소자 제조방법에 의하면, 도 4에 도시된 바와 같이, 기판(5) 위에 제1 도전형 반도체층(11), 활성층(12), 제2 도전형 반도체층(13)을 형성할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(11), 상기 활성층(12), 상기 제2 도전형 반도체층(13)은 발광구조물(10)로 정의될 수 있다.According to the light emitting device manufacturing method according to the embodiment, as shown in FIG. 4, the first conductive semiconductor layer 11, the active layer 12, and the second conductive semiconductor layer 13 are formed on the substrate 5. can do. The first conductive semiconductor layer 11, the active layer 12, and the second conductive semiconductor layer 13 may be defined as a light emitting structure 10.

상기 기판(5)은 예를 들어, 사파이어 기판(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge 중 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1 도전형 반도체층(11)과 상기 기판(5) 사이에는 버퍼층이 더 형성될 수 있다. The substrate 5 may be formed of at least one of, for example, a sapphire substrate (Al 2 O 3 ), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP and Ge. A buffer layer may be further formed between the first conductivity type semiconductor layer 11 and the substrate 5.

예로써, 상기 제1 도전형 반도체층(11)이 제1 도전형 도펀트로서 n형 도펀트가 첨가된 n형 반도체층으로 형성되고, 상기 제2 도전형 반도체층(13)이 제2 도전형 도펀트로서 p형 도펀트가 첨가된 p형 반도체층으로 형성될 수 있다. 또한 상기 제1 도전형 반도체층(11)이 p형 반도체층으로 형성되고, 상기 제2 도전형 반도체층(13)이 n형 반도체층으로 형성될 수도 있다.For example, the first conductivity type semiconductor layer 11 is formed of an n-type semiconductor layer doped with an n-type dopant as a first conductivity type dopant, and the second conductivity type semiconductor layer 13 is formed of an n- Type semiconductor layer to which a p-type dopant is added. The first conductivity type semiconductor layer 11 may be formed of a p-type semiconductor layer, and the second conductivity type semiconductor layer 13 may be formed of an n-type semiconductor layer.

상기 제1 도전형 반도체층(11)은 예를 들어, n형 반도체층을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(11)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(11)은, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, AlInN, InGaN, AlN, InN 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.The first conductive semiconductor layer 11 may include, for example, an n-type semiconductor layer. The first conductive semiconductor layer 11 is a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + . The first conductivity type semiconductor layer 11 may be selected from InAlGaN, GaN, AlGaN, AlInN, InGaN, AlN, InN and the like, and an n-type dopant such as Si, Ge, Sn, .

상기 활성층(12)은 상기 제1 도전형 반도체층(11)을 통해서 주입되는 전자(또는 정공)와 상기 제2 도전형 반도체층(13a)을 통해서 주입되는 정공(또는 전자)이 서로 만나서, 상기 활성층(12a)의 형성 물질에 따른 에너지 밴드(Energy Band)의 밴드갭(Band Gap) 차이에 의해서 빛을 방출하는 층이다. 상기 활성층(12)은 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the active layer 12, electrons (or holes) injected through the first conductive semiconductor layer 11 and holes (or electrons) injected through the second conductive semiconductor layer 13a meet each other. It is a layer that emits light due to a band gap difference of an energy band according to a material forming the active layer 12a. The active layer 12 may be formed of any one of a single well structure, a multi-well structure, a quantum dot structure and a quantum wire structure, but is not limited thereto.

상기 활성층(12)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 상기 활성층(12)이 상기 다중 우물 구조로 형성된 경우, 상기 활성층(12)은 복수의 우물층과 복수의 장벽층이 적층되어 형성될 수 있으며, 예를 들어, InGaN 우물층/GaN 장벽층의 주기로 형성될 수 있다.The active layer 12 may be formed of a semiconductor material having a compositional formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x + y≤1). When the active layer 12 is formed in the multi-well structure, the active layer 12 may be formed by stacking a plurality of well layers and a plurality of barrier layers, for example, at intervals of an InGaN well layer / GaN barrier layer. Can be formed.

상기 제2 도전형 반도체층(13)은 예를 들어, p형 반도체층으로 구현될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(13)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(13)은, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlInN, AlN, InN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.The second conductive semiconductor layer 13 may be formed of, for example, a p-type semiconductor layer. The second conductivity type semiconductor layer 13 is a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + . The second conductivity type semiconductor layer 13 may be selected from among InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlInN, AlN and InN. The p-type dopant such as Mg, Zn, Ca, .

한편, 상기 제1 도전형 반도체층(11)이 p형 반도체층을 포함하고 상기 제2 도전형 반도체층(13)이 n형 반도체층을 포함할 수도 있다. 또한, 상기 제2 도전형 반도체층(13) 위에는 n형 또는 p형 반도체층을 포함하는 반도체층이 더 형성될 수도 있으며, 이에 따라, 상기 발광구조물(10)은 np, pn, npn, pnp 접합 구조 중 적어도 어느 하나를 가질 수 있다. 또한, 상기 제1 도전형 반도체층(11) 및 상기 제2 도전형 반도체층(13) 내의 불순물의 도핑 농도는 균일 또는 불균일하게 형성될 수 있다. 즉, 상기 발광구조물(10)의 구조는 다양하게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Meanwhile, the first conductive semiconductor layer 11 may include a p-type semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer 13 may include an n-type semiconductor layer. In addition, a semiconductor layer including an n-type or p-type semiconductor layer may be further formed on the second conductive type semiconductor layer 13. Thus, the light emitting structure 10 may include np, pn, npn, Or a structure thereof. The doping concentration of impurities in the first conductivity type semiconductor layer 11 and the second conductivity type semiconductor layer 13 may be uniform or non-uniform. That is, the structure of the light emitting structure 10 may be variously formed, but the present invention is not limited thereto.

또한, 상기 제1 도전형 반도체층(11)과 상기 활성층(12) 사이에는 제1 도전형 InGaN/GaN 슈퍼래티스 구조 또는 InGaN/InGaN 슈퍼래티스 구조가 형성될 수도 있다. 또한, 상기 제2 도전형 반도체층(13)과 상기 활성층(12) 사이에는 제2 도전형의 AlGaN층이 형성될 수도 있다.Also, a first conductive InGaN / GaN superlattice structure or an InGaN / InGaN superlattice structure may be formed between the first conductive semiconductor layer 11 and the active layer 12. In addition, a second conductive type AlGaN layer may be formed between the second conductive type semiconductor layer 13 and the active layer 12.

다음으로, 도 5에 나타낸 바와 같이, 상기 발광구조물(10) 위에 오믹 접촉층(15), 제2 전극(17), 금속층(50), 절연층(40)을 형성할 수 있다. 이때, 상기 절연층(40)은 상기 제2 도전형 반도체층(13), 상기 활성층(12)을 관통하여 상기 제1 도전형 반도체층(11) 내에 연장되어 형성될 수 있다. 상기 절연층(40)은 상기 오믹 접촉층(15), 상기 제2 전극(17) 내에 형성된 비아 홀 내에 형성될 수 있다.Next, as shown in FIG. 5, an ohmic contact layer 15, a second electrode 17, a metal layer 50, and an insulating layer 40 may be formed on the light emitting structure 10. In this case, the insulating layer 40 may extend through the second conductive semiconductor layer 13 and the active layer 12 and extend into the first conductive semiconductor layer 11. The insulating layer 40 may be formed in the via hole formed in the ohmic contact layer 15 and the second electrode 17.

상기 오믹접촉층(15)은 예로서 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), AGZO(Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO(Indium Zinc Tin Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), ATO(Antimony Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IZON(IZO Nitride), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, Pt, Ag 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다.The ohmic contact layer 15 may be formed of, for example, ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), AZO (Aluminum Zinc Oxide), AGZO (Aluminum Gallium Zinc Oxide), IZTO (Indium Zinc Tin Oxide) IZO (IZO Nitride), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, Pt (indium gallium zinc oxide), IGTO (indium gallium tin oxide), ATO , Ag, and the like.

상기 제2 전극(17)은 고 반사율을 갖는 물질로 형성될 수 있다. 예컨대 상기 제2 전극(17)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Cu, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제2 전극(17)은 상기 금속 또는 합금과 ITO(Indium-Tin-Oxide), IZO(Indium-Zinc-Oxide), IZTO(Indium-Zinc-Tin-Oxide), IAZO(Indium-Aluminum-Zinc-Oxide), IGZO(Indium-Gallium-Zinc-Oxide), IGTO(Indium-Gallium-Tin-Oxide), AZO(Aluminum-Zinc-Oxide), ATO(Antimony-Tin-Oxide) 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 실시 예에서 상기 제2 전극(17)은 Ag, Al, Ag-Pd-Cu 합금, 또는 Ag-Cu 합금 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The second electrode 17 may be formed of a material having a high reflectance. For example, the second electrode 17 may be formed of a metal or an alloy including at least one of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Cu, Au, and Hf. In addition, the second electrode 17 may be formed of indium-tin-oxide (ITO), indium-zinc-oxide (IZO), indium-zinc-tin-oxide (IZTO), and indium-aluminum-IZA (IZAZ). Transmissive conductive materials such as Zinc-Oxide (IGZO), Indium-Gallium-Zinc-Oxide (IGZO), Indium-Gallium-Tin-Oxide (IGTO), Aluminum-Zinc-Oxide (AZO), and Antimony-Tin-Oxide (ATO) It can be formed into a multi-layer using. For example, in the embodiment, the second electrode 17 may include at least one of Ag, Al, Ag-Pd-Cu alloy, or Ag-Cu alloy.

상기 금속층(50)은 Cu, Ni, Ti, Ti-W, Cr, W, Pt, V, Fe, Mo 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한 상기 절연층(40)은 산화물 또는 질화물로 구현될 수 있다. 예를 들어, 상기 절연층(40)은 Si02, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2, AlN 등으로 이루어진 군에서 적어도 하나가 선택되어 형성될 수 있다. The metal layer 50 may include at least one of Cu, Ni, Ti, Ti-W, Cr, W, Pt, V, Fe, and Mo materials. In addition, the insulating layer 40 may be formed of oxide or nitride. For example, the insulating layer 40 may be formed by selecting at least one selected from the group consisting of Si0 2 , SixOy, Si 3 N 4 , SixNy, SiOxNy, Al 2 O 3 , TiO 2 , AlN, and the like.

이어서, 도 6에 나타낸 바와 같이, 상기 절연층(40) 내에 제1 전극(45)을 형성할 수 있다. 상기 제1 전극(45)은 상기 제1 도전형 반도체층(11)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 전극(45)은 상기 제1 도전형 반도체층(11)에 접촉되어 형성될 수 있다. 상기 제1 전극(45)은 상기 절연층(40) 위에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 제1 전극(45)은 Cu, Ni, Ti, Ti-W, Cr, W, Pt, V, Fe, Mo 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.Subsequently, as illustrated in FIG. 6, the first electrode 45 may be formed in the insulating layer 40. The first electrode 45 may be electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer 11. The first electrode 45 may be formed in contact with the first conductive semiconductor layer 11. The first electrode 45 may be disposed on the insulating layer 40. For example, the first electrode 45 may include at least one of Cu, Ni, Ti, Ti-W, Cr, W, Pt, V, Fe, and Mo materials.

그리고, 도 6에 나타낸 바와 같이, 상기 제1 전극(45) 위에 본딩층(60), 지지부재(70)가 형성될 수 있다.6, a bonding layer 60 and a support member 70 may be formed on the first electrode 45.

상기 본딩층(60)은 베리어 금속 또는 본딩 금속 등을 포함하며, 예를 들어, Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag, Nb, Pd 또는 Ta 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 지지부재(70)는 실시 예에 따른 발광구조물(10)을 지지하며 방열 기능을 수행할 수 있다. 상기 본딩층(60)은 시드층으로 구현될 수도 있다.The bonding layer 60 may include at least one of Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag, Nb, Pd, . The support member 70 supports the light emitting structure 10 according to the embodiment and can perform a heat dissipation function. The bonding layer 60 may be implemented as a seed layer.

상기 지지부재(70)는 예를 들어, Ti, Cr, Ni, Al, Pt, Au, W, Cu, Mo, Cu-W 또는 불순물이 주입된 반도체 기판(예: Si, Ge, GaN, GaAs, ZnO, SiC, SiGe 등) 중에서 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 또한, 상기 지지부재(70)는 절연성 물질로 구현될 수도 있다.The supporting member 70 may be a semiconductor substrate (for example, Si, Ge, GaN, GaAs, or the like) into which Ti, Cr, Ni, Al, Pt, Au, W, Cu, Mo, Cu- ZnO, SiC, SiGe, and the like). In addition, the support member 70 may be implemented with an insulating material.

다음으로 상기 제1 도전형 반도체층(11)으로부터 상기 기판(5)을 제거한다. 하나의 예로서, 상기 기판(5)은 레이저 리프트 오프(LLO: Laser Lift Off) 공정에 의해 제거될 수 있다. 레이저 리프트 오프 공정(LLO)은 상기 기판(5)의 하면에 레이저를 조사하여, 상기 기판(5)과 상기 제1 도전형 반도체층(11)을 서로 박리시키는 공정이다.Next, the substrate 5 is removed from the first conductivity type semiconductor layer 11. As one example, the substrate 5 may be removed by a laser lift off (LLO) process. The laser lift-off process LLO is a process of irradiating a lower surface of the substrate 5 to peel the substrate 5 and the first conductive semiconductor layer 11 from each other.

그리고, 도 7에 도시된 바와 같이, 아이솔레이션 에칭을 수행하여 상기 발광구조물(10)의 측면을 식각하고 상기 금속층(50)의 일부 영역이 노출될 수 있게 된다. 상기 아이솔레이션 에칭은 예를 들어, ICP(Inductively Coupled Plasma)와 같은 건식 식각에 의해 실시될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. As illustrated in FIG. 7, the side surface of the light emitting structure 10 may be etched by isolating etching, and a portion of the metal layer 50 may be exposed. The isolation etching can be performed by, for example, dry etching such as ICP (Inductively Coupled Plasma), but is not limited thereto.

상기 발광구조물(10)의 상부 면에 러프니스(roughness)가 형성될 수 있다. 상기 발광구조물(10)의 상부면에 광 추출 패턴이 제공될 수 있다. 상기 발광구조물(10)의 상부면에 요철 패턴이 제공될 수 있다. 상기 발광구조물(10)에 제공되는 광 추출 패턴은 하나의 예로서 PEC (Photo Electro Chemical) 식각 공정에 의하여 형성될 수 있다. 이에 따라 실시 예에 의하면 외부 광 추출 효과를 상승시킬 수 있게 된다.Roughness may be formed on an upper surface of the light emitting structure 10. A light extraction pattern may be provided on an upper surface of the light emitting structure 10. An uneven pattern may be provided on an upper surface of the light emitting structure 10. The light extracting pattern provided in the light emitting structure 10 may be formed by a PEC (Photo Electro Chemical) etching process as an example. Accordingly, according to the embodiment, the effect of extracting external light can be increased.

다음으로, 도 7에 나타낸 바와 같이, 상기 금속층(50) 위에 컨택부(80)가 형성될 수 있다. 상기 컨택부(80)를 통하여 외부로부터 상기 제2 전극(17)에 전원이 인가될 수 있게 된다. 예로서 상기 컨택부(80)는 Cr, V, W, Ti, Zn,Ni, Cu, Al, Au 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. Next, as shown in FIG. 7, a contact portion 80 may be formed on the metal layer 50. Power may be applied to the second electrode 17 from the outside through the contact portion 80. For example, the contact portion 80 may include at least one of Cr, V, W, Ti, Zn, Ni, Cu, Al, Au.

한편, 위에서 설명된 각 층의 형성 공정은 하나의 예시이며, 그 공정 순서는 다양하게 변형될 수 있다.On the other hand, the forming process of each layer described above is one example, and the process sequence can be variously modified.

실시 예에 의하면, 상기 절연층(40)의 상부 면이 상기 제1 전극(45)의 상부 면에 비하여 상부 방향으로 더 연장되어 배치될 수 있다. 이에 따라, 도 3에 나타낸 바와 같이, 상기 제1 전극(45)과 상기 제2 전극(17) 간에 전원이 인가되는 경우에 전류의 흐름이 확산될 수 있게 된다. 즉, 상기 절연층(40)의 상부 면이 상기 제1 전극(45)의 상부 면과 같은 높이로 배치되는 경우에 비하여 전류 집중을 완화시킬 수 있게 된다. According to an embodiment, the upper surface of the insulating layer 40 may be further extended in the upper direction than the upper surface of the first electrode 45. Accordingly, as shown in FIG. 3, when a power is applied between the first electrode 45 and the second electrode 17, the flow of current can be diffused. That is, compared with the case where the upper surface of the insulating layer 40 is disposed at the same height as the upper surface of the first electrode 45, current concentration can be alleviated.

실시 예에 의하면, 도 3에 나타낸 바와 같이, 전류의 흐름이 1차적으로 상기 절연층(40)의 상부 방향으로 흐르게 되며, 상기 절연층(40)의 연장 영역을 넘어 2차적으로 상기 제2 전극(17) 방향으로 흐르게 된다. 이에 따라, 상기 제1 전극(40) 주위로 전류가 집중되어 흐르는 것을 방지할 수 있게 되며, 전기적인 신뢰성을 향상시킬 수 있게 된다.According to an embodiment, as shown in FIG. 3, a current flows primarily in an upper direction of the insulating layer 40, and secondly over the extension region of the insulating layer 40. It flows in the direction (17). As a result, it is possible to prevent the current from being concentrated around the first electrode 40 and improve electrical reliability.

도 8은 실시 예에 따른 발광소자의 다른 예를 나타낸 도면이다. 도 8에 도시된 발광소자를 설명함에 있어서 도 1을 참조하여 설명된 부분과 중복되는 사항에 대해서는 설명을 생략하기로 한다.8 is a view showing another example of the light emitting device according to the embodiment. In the following description of the light emitting device shown in FIG. 8, a description overlapping with those described with reference to FIG. 1 will be omitted.

실시 예에 따른 발광소자는, 도 8에 도시된 바와 같이, 전류차단층(30)을 더 포함할 수 있다. 상기 전류차단층(30)은 상기 제2 반도체층(13) 하부에 배치될 수 있다. 상기 전류차단층(30)의 일부 영역은 상기 절연층(40)의 둘레에 배치되고 상기 제2 도전형 반도체층(13)과 상기 활성층(12)을 관통하여 상기 제1 도전형 반도체층(11) 내에 배치될 수 있다. 예로서, 상기 전류차단층(30)의 상부 면은 상기 제1 전극(45)의 상부 면과 같은 높이로 배치될 수 있다. The light emitting device according to the embodiment may further include a current blocking layer 30, as shown in FIG. The current blocking layer 30 may be disposed under the second semiconductor layer 13. A portion of the current blocking layer 30 is disposed around the insulating layer 40 and penetrates through the second conductive semiconductor layer 13 and the active layer 12 to form the first conductive semiconductor layer 11. ) May be disposed within. For example, the upper surface of the current blocking layer 30 may be disposed at the same height as the upper surface of the first electrode 45.

상기 전류차단층(30)은 예컨대 산화물 또는 질화물로 구현될 수 있다. 예를 들어, 상기 전류차단층(30)은 Si02, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2, AlN 등으로 이루어진 군에서 적어도 하나가 선택되어 형성될 수 있다. The current blocking layer 30 may be formed of, for example, oxide or nitride. For example, the current blocking layer 30 may be formed by selecting at least one selected from the group consisting of Si0 2 , SixOy, Si 3 N 4 , SixNy, SiOxNy, Al 2 O 3 , TiO 2 , AlN, and the like.

실시 예에 의하면, 상기 절연층(40)의 상부 면이 상기 제1 전극(45)의 상부 면에 비하여 상부 방향으로 더 연장되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 전류차단층(30)이 상기 제2 도전형 반도체층(13) 하부에 배치될 수 있다. 이에 따라, 도 9에 나타낸 바와 같이, 상기 제1 전극(45)과 상기 제2 전극(17) 간에 전원이 인가되는 경우에 전류의 흐름이 확산될 수 있게 된다. 즉, 상기 절연층(40)의 상부 면이 상기 제1 전극(45)의 상부 면과 같은 높이로 배치되는 경우에 비하여 전류 집중을 완화시킬 수 있게 된다. According to an embodiment, the upper surface of the insulating layer 40 may be further extended in the upper direction than the upper surface of the first electrode 45. In addition, the current blocking layer 30 may be disposed under the second conductive semiconductor layer 13. Accordingly, as shown in FIG. 9, when a power is applied between the first electrode 45 and the second electrode 17, the flow of current can be diffused. That is, compared with the case where the upper surface of the insulating layer 40 is disposed at the same height as the upper surface of the first electrode 45, current concentration can be alleviated.

실시 예에 의하면, 도 9에 나타낸 바와 같이, 전류의 흐름이 1차적으로 상기 절연층(40)의 상부 방향으로 흐르게 되며, 상기 절연층(40)의 연장 영역을 넘어 2차적으로 상기 제2 전극(17) 방향으로 흐르게 된다. 이에 따라, 상기 제1 전극(40) 주위로 전류가 집중되어 흐르는 것을 방지할 수 있게 되며, 전기적인 신뢰성을 향상시킬 수 있게 된다.According to an embodiment, as shown in FIG. 9, current flows primarily in the upper direction of the insulating layer 40, and secondly, beyond the extension region of the insulating layer 40, the second electrode. It flows in the direction (17). As a result, it is possible to prevent the current from being concentrated around the first electrode 40 and improve electrical reliability.

도 10은 실시 예에 따른 발광소자의 다른 예를 나타낸 도면이다. 도 10에 도시된 발광소자를 설명함에 있어서 도 1을 참조하여 설명된 부분과 중복되는 사항에 대해서는 설명을 생략하기로 한다.10 is a view showing another example of the light emitting device according to the embodiment. In the description of the light emitting device illustrated in FIG. 10, the description of the overlapped parts with reference to FIG. 1 will be omitted.

실시 예에 따른 발광소자에 의하면, 도 10에 나타낸 바와 같이, 상기 발광구조물(10) 아래에 오믹 반사전극(19)이 배치될 수 있다. 상기 오믹 반사전극(19)은 도 1에서 설명된 제1 전극(17)과 오믹접촉층(15)의 기능을 모두 수행하도록 구현될 수 있다. 이에 따라 상기 오믹 반사전극(19)은 상기 제2 도전형 반도체층(13)에 오믹 접촉되며, 상기 발광구조물(10)로부터 입사되는 빛을 반사시키는 기능을 수행할 수 있다. According to the light emitting device according to the embodiment, as shown in FIG. 10, an ohmic reflective electrode 19 may be disposed under the light emitting structure 10. The ohmic reflective electrode 19 may be implemented to perform both the first electrode 17 and the ohmic contact layer 15 described with reference to FIG. 1. Accordingly, the ohmic reflective electrode 19 may be in ohmic contact with the second conductivity-type semiconductor layer 13 and perform a function of reflecting light incident from the light emitting structure 10.

실시 예에 의하면, 상기 절연층(40)의 상부 면이 상기 제1 전극(45)의 상부 면에 비하여 상부 방향으로 더 연장되어 배치될 수 있다. 이에 따라, 도 3에 나타낸 바와 같이, 상기 제1 전극(45)과 상기 제2 전극(17) 간에 전원이 인가되는 경우에 전류의 흐름이 확산될 수 있게 된다. 즉, 상기 절연층(40)의 상부 면이 상기 제1 전극(45)의 상부 면과 같은 높이로 배치되는 경우에 비하여 전류 집중을 완화시킬 수 있게 된다. According to an embodiment, the upper surface of the insulating layer 40 may be further extended in the upper direction than the upper surface of the first electrode 45. Accordingly, as shown in FIG. 3, when a power is applied between the first electrode 45 and the second electrode 17, the flow of current can be diffused. That is, compared with the case where the upper surface of the insulating layer 40 is disposed at the same height as the upper surface of the first electrode 45, current concentration can be alleviated.

실시 예에 의하면, 도 3에 나타낸 바와 같이, 전류의 흐름이 1차적으로 상기 절연층(40)의 상부 방향으로 흐르게 되며, 상기 절연층(40)의 연장 영역을 넘어 2차적으로 상기 제2 전극(17) 방향으로 흐르게 된다. 이에 따라, 상기 제1 전극(40) 주위로 전류가 집중되어 흐르는 것을 방지할 수 있게 되며, 전기적인 신뢰성을 향상시킬 수 있게 된다.According to an embodiment, as shown in FIG. 3, a current flows primarily in an upper direction of the insulating layer 40, and secondly over the extension region of the insulating layer 40. It flows in the direction (17). As a result, it is possible to prevent the current from being concentrated around the first electrode 40 and improve electrical reliability.

도 11은 실시 예에 따른 발광소자의 다른 예를 나타낸 도면이다. 도 11에 도시된 발광소자를 설명함에 있어서 도 8을 참조하여 설명된 부분과 중복되는 사항에 대해서는 설명을 생략하기로 한다.11 is a view showing another example of the light emitting device according to the embodiment. In the description of the light emitting device illustrated in FIG. 11, the description of the overlapped parts with reference to FIG. 8 will be omitted.

실시 예에 따른 발광소자에 의하면, 도 11에 나타낸 바와 같이, 상기 발광구조물(10) 아래에 오믹 반사전극(19)이 배치될 수 있다. 상기 오믹 반사전극(19)은 도 8에서 설명된 제1 전극(17)과 오믹접촉층(15)의 기능을 모두 수행하도록 구현될 수 있다. 이에 따라 상기 오믹 반사전극(19)은 상기 제2 도전형 반도체층(13)에 오믹 접촉되며, 상기 발광구조물(10)로부터 입사되는 빛을 반사시키는 기능을 수행할 수 있다. According to the light emitting device according to the embodiment, as shown in FIG. 11, an ohmic reflective electrode 19 may be disposed under the light emitting structure 10. The ohmic reflective electrode 19 may be implemented to perform both the first electrode 17 and the ohmic contact layer 15 described with reference to FIG. 8. Accordingly, the ohmic reflective electrode 19 may be in ohmic contact with the second conductivity-type semiconductor layer 13 and perform a function of reflecting light incident from the light emitting structure 10.

실시 예에 의하면, 상기 절연층(40)의 상부 면이 상기 제1 전극(45)의 상부 면에 비하여 상부 방향으로 더 연장되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 전류차단층(30)이 상기 제2 도전형 반도체층(13) 하부에 배치될 수 있다. 이에 따라, 도 9에 나타낸 바와 같이, 상기 제1 전극(45)과 상기 제2 전극(17) 간에 전원이 인가되는 경우에 전류의 흐름이 확산될 수 있게 된다. 즉, 상기 절연층(40)의 상부 면이 상기 제1 전극(45)의 상부 면과 같은 높이로 배치되는 경우에 비하여 전류 집중을 완화시킬 수 있게 된다. According to an embodiment, the upper surface of the insulating layer 40 may be further extended in the upper direction than the upper surface of the first electrode 45. In addition, the current blocking layer 30 may be disposed under the second conductive semiconductor layer 13. Accordingly, as shown in FIG. 9, when a power is applied between the first electrode 45 and the second electrode 17, the flow of current can be diffused. That is, compared with the case where the upper surface of the insulating layer 40 is disposed at the same height as the upper surface of the first electrode 45, current concentration can be alleviated.

실시 예에 의하면, 도 9에 나타낸 바와 같이, 전류의 흐름이 1차적으로 상기 절연층(40)의 상부 방향으로 흐르게 되며, 상기 절연층(40)의 연장 영역을 넘어 2차적으로 상기 제2 전극(17) 방향으로 흐르게 된다. 이에 따라, 상기 제1 전극(40) 주위로 전류가 집중되어 흐르는 것을 방지할 수 있게 되며, 전기적인 신뢰성을 향상시킬 수 있게 된다.According to an embodiment, as shown in FIG. 9, current flows primarily in the upper direction of the insulating layer 40, and secondly, beyond the extension region of the insulating layer 40, the second electrode. It flows in the direction (17). As a result, it is possible to prevent the current from being concentrated around the first electrode 40 and improve electrical reliability.

도 12는 실시 예에 따른 발광소자가 적용된 발광소자 패키지를 나타낸 도면이다.12 is a view showing a light emitting device package to which the light emitting device according to the embodiment is applied.

도 12를 참조하면, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 몸체(120)와, 상기 몸체(120)에 배치된 제1 리드전극(131) 및 제2 리드전극(132)과, 상기 몸체(120)에 제공되어 상기 제1 리드전극(131) 및 제2 리드전극(132)과 전기적으로 연결되는 실시 예에 따른 발광소자(100)와, 상기 발광소자(100)를 포위하는 몰딩부재(140)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 12, the light emitting device package according to the embodiment may include a body 120, a first lead electrode 131 and a second lead electrode 132 disposed on the body 120, and the body 120. The light emitting device 100 according to the embodiment, which is provided to and electrically connected to the first lead electrode 131 and the second lead electrode 132, and the molding member 140 surrounding the light emitting device 100. It may include.

상기 몸체(120)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 상기 발광소자(100)의 주위에 경사면이 형성될 수 있다.The body 120 may be formed of a silicon material, a synthetic resin material, or a metal material, and the inclined surface may be formed around the light emitting device 100.

상기 제1 리드전극(131) 및 제2 리드전극(132)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광소자(100)에 전원을 제공한다. 또한, 상기 제1 리드전극(131) 및 제2 리드전극(132)은 상기 발광소자(100)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 상기 발광소자(100)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.The first lead electrode 131 and the second lead electrode 132 are electrically separated from each other to provide power to the light emitting device 100. The first lead electrode 131 and the second lead electrode 132 may increase the light efficiency by reflecting the light generated from the light emitting device 100 and the heat generated from the light emitting device 100 To the outside.

상기 발광소자(100)는 상기 몸체(120) 위에 배치되거나 상기 제1 리드전극(131) 또는 제2 리드전극(132) 위에 배치될 수 있다.The light emitting device 100 may be disposed on the body 120 or may be disposed on the first lead electrode 131 or the second lead electrode 132.

상기 발광소자(100)는 상기 제1 리드전극(131) 및 제2 리드전극(132)과 와이어 방식, 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 중 어느 하나에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다. The light emitting device 100 may be electrically connected to the first lead electrode 131 and the second lead electrode 132 by a wire, flip chip or die bonding method.

상기 몰딩부재(140)는 상기 발광소자(100)를 포위하여 상기 발광소자(100)를 보호할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부재(140)에는 형광체가 포함되어 상기 발광소자(100)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.The molding member 140 may surround the light emitting device 100 to protect the light emitting device 100. In addition, the molding member 140 may include a phosphor to change the wavelength of light emitted from the light emitting device 100.

실시 예에 따른 발광소자 또는 발광소자 패키지는 복수 개가 기판 위에 어레이될 수 있으며, 상기 발광소자 패키지의 광 경로 상에 광학 부재인 렌즈, 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광소자 패키지, 기판, 광학 부재는 라이트 유닛으로 기능할 수 있다. 상기 라이트 유닛은 탑뷰 또는 사이드 뷰 타입으로 구현되어, 휴대 단말기 및 노트북 컴퓨터 등의 표시 장치에 제공되거나, 조명장치 및 지시 장치 등에 다양하게 적용될 수 있다. 또 다른 실시 예는 상술한 실시 예들에 기재된 발광소자 또는 발광소자 패키지를 포함하는 조명 장치로 구현될 수 있다. 예를 들어, 조명 장치는 램프, 가로등, 전광판, 전조등을 포함할 수 있다.A plurality of light emitting devices or light emitting device packages according to the embodiments may be arrayed on a substrate, and a lens, a light guide plate, a prism sheet, a diffusion sheet, etc., which are optical members, may be disposed on the light path of the light emitting device package. Such a light emitting device package, a substrate, and an optical member can function as a light unit. The light unit may be implemented as a top view or a side view type and may be provided in a display device such as a portable terminal and a notebook computer, or may be variously applied to a lighting device and a pointing device. Still another embodiment may be embodied as a lighting device including the light emitting device or the light emitting device package described in the above embodiments. For example, the lighting device may include a lamp, a streetlight, an electric signboard, and a headlight.

실시 예에 따른 발광소자는 라이트 유닛에 적용될 수 있다. 상기 라이트 유닛은 복수의 발광소자가 어레이된 구조를 포함하며, 도 13 및 도 14에 도시된 표시 장치, 도 15에 도시된 조명 장치를 포함할 수 있다. The light emitting device according to the embodiment can be applied to a light unit. The light unit includes a structure in which a plurality of light emitting elements are arranged, and may include the display device shown in FIGS. 13 and 14 and the lighting device shown in FIG. 15.

도 13을 참조하면, 실시 예에 따른 표시 장치(1000)는 도광판(1041)과, 상기 도광판(1041)에 빛을 제공하는 발광 모듈(1031)과, 상기 도광판(1041) 아래에 반사 부재(1022)와, 상기 도광판(1041) 위에 광학 시트(1051)와, 상기 광학 시트(1051) 위에 표시 패널(1061)과, 상기 도광판(1041), 발광 모듈(1031) 및 반사 부재(1022)를 수납하는 바텀 커버(1011)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.Referring to FIG. 13, the display device 1000 according to the embodiment includes a light guide plate 1041, a light emitting module 1031 providing light to the light guide plate 1041, and a reflective member 1022 under the light guide plate 1041. ), An optical sheet 1051 on the light guide plate 1041, a display panel 1061, a light guide plate 1041, a light emitting module 1031, and a reflective member 1022 on the optical sheet 1051. The bottom cover 1011 may be included, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011), 반사시트(1022), 도광판(1041), 광학 시트(1051)는 라이트 유닛(1050)으로 정의될 수 있다.The bottom cover 1011, the reflective sheet 1022, the light guide plate 1041, and the optical sheet 1051 can be defined as a light unit 1050.

상기 도광판(1041)은 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1041)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다. The light guide plate 1041 serves to diffuse light into a surface light source. The light guide plate 1041 may be made of a transparent material such as acrylic resin such as polymethyl methacrylate (PET), polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), cycloolefin copolymer (COC), and polyethylene naphthalate Resin. ≪ / RTI >

상기 발광모듈(1031)은 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 표시 장치의 광원으로써 작용하게 된다.The light emitting module 1031 provides light to at least one side of the light guide plate 1041, and ultimately acts as a light source of the display device.

상기 발광모듈(1031)은 적어도 하나가 제공될 수 있으며, 상기 도광판(1041)의 일 측면에서 직접 또는 간접적으로 광을 제공할 수 있다. 상기 발광 모듈(1031)은 기판(1033)과 위에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 또는 발광소자 패키지(200)를 포함할 수 있다. 상기 발광소자 패키지(200)는 상기 기판(1033) 위에 소정 간격으로 어레이될 수 있다. At least one light emitting module 1031 may be provided, and light may be provided directly or indirectly from one side of the light guide plate 1041. The light emitting module 1031 may include a substrate 1033 and a light emitting device or a light emitting device package 200 according to the embodiment described above. The light emitting device package 200 may be arrayed on the substrate 1033 at predetermined intervals.

상기 기판(1033)은 회로패턴을 포함하는 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 다만, 상기 기판(1033)은 일반 PCB 뿐 아니라, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광소자 패키지(200)는 상기 바텀 커버(1011)의 측면 또는 방열 플레이트 위에 제공될 경우, 상기 기판(1033)은 제거될 수 있다. 여기서, 상기 방열 플레이트의 일부는 상기 바텀 커버(1011)의 상면에 접촉될 수 있다.The substrate 1033 may be a printed circuit board (PCB) including a circuit pattern. However, the substrate 1033 may include not only a general PCB, but also a metal core PCB (MCPCB), a flexible PCB (FPCB), and the like. When the light emitting device package 200 is provided on the side surface of the bottom cover 1011 or on the heat dissipation plate, the substrate 1033 may be removed. Here, a part of the heat radiating plate may be in contact with the upper surface of the bottom cover 1011.

그리고, 상기 다수의 발광소자 패키지(200)는 빛이 방출되는 출사면이 상기 도광판(1041)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광소자 패키지(200)는 상기 도광판(1041)의 일측면인 입광부에 광을 직접 또는 간접적으로 제공할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The plurality of light emitting device packages 200 may be mounted such that the light emitting surface of the light emitting device package 200 is spaced apart from the light guiding plate 1041 by a predetermined distance, but the present invention is not limited thereto. The light emitting device package 200 may directly or indirectly provide light to the light-incident portion, which is one side of the light guide plate 1041, but is not limited thereto.

상기 도광판(1041) 아래에는 상기 반사 부재(1022)가 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 도광판(1041)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 위로 향하게 함으로써, 상기 라이트 유닛(1050)의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 바텀 커버(1011)의 상면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The reflective member 1022 may be disposed under the light guide plate 1041. The reflection member 1022 reflects the light incident on the lower surface of the light guide plate 1041 so as to face upward, thereby improving the brightness of the light unit 1050. The reflective member 1022 may be formed of, for example, PET, PC, or PVC resin, but is not limited thereto. The reflective member 1022 may be an upper surface of the bottom cover 1011, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011)는 상기 도광판(1041), 발광모듈(1031) 및 반사 부재(1022) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 상기 바텀 커버(1011)는 상면이 개구된 박스(box) 형상을 갖는 수납부(1012)가 구비될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 바텀 커버(1011)는 탑 커버와 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1011 may house the light guide plate 1041, the light emitting module 1031, the reflective member 1022, and the like. To this end, the bottom cover 1011 may be provided with a housing portion 1012 having a box-like shape with an opened upper surface, but the present invention is not limited thereto. The bottom cover 1011 may be coupled to the top cover, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 또한 상기 바텀 커버(1011)는 열 전도성이 좋은 금속 또는 비 금속 재료를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1011 may be formed of a metal material or a resin material, and may be manufactured using a process such as press molding or extrusion molding. In addition, the bottom cover 1011 may include a metal or a non-metal material having good thermal conductivity, but the present invention is not limited thereto.

상기 표시 패널(1061)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 재질의 제1 및 제2 기판, 그리고 제1 및 제2 기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 상기 표시 패널(1061)의 적어도 일면에는 편광판이 부착될 수 있으며, 이러한 편광판의 부착 구조로 한정하지는 않는다. 상기 표시 패널(1061)은 광학 시트(1051)를 통과한 광에 의해 정보를 표시하게 된다. 이러한 표시 장치(1000)는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비젼 등에 적용될 수 있다. The display panel 1061 is, for example, an LCD panel, including first and second transparent substrates facing each other, and a liquid crystal layer interposed between the first and second substrates. A polarizing plate may be attached to at least one surface of the display panel 1061, but the present invention is not limited thereto. The display panel 1061 displays information by light passing through the optical sheet 1051. Such a display device 1000 can be applied to various types of portable terminals, monitors of notebook computers, monitors of laptop computers, televisions, and the like.

상기 광학 시트(1051)는 상기 표시 패널(1061)과 상기 도광판(1041) 사이에 배치되며, 적어도 한 장의 투광성 시트를 포함한다. 상기 광학 시트(1051)는 예컨대 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등과 같은 시트 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 또는/및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. 또한 상기 표시 패널(1061) 위에는 보호 시트가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The optical sheet 1051 is disposed between the display panel 1061 and the light guide plate 1041 and includes at least one light-transmitting sheet. The optical sheet 1051 may include at least one of a sheet such as a diffusion sheet, a horizontal and vertical prism sheet, and a brightness enhancement sheet. The diffusion sheet diffuses incident light, and the horizontal and / or vertical prism sheet condenses incident light into a display area. The brightness enhancing sheet improves the brightness by reusing the lost light. A protective sheet may be disposed on the display panel 1061, but the present invention is not limited thereto.

여기서, 상기 발광 모듈(1031)의 광 경로 상에는 광학 부재로서, 상기 도광판(1041) 및 광학 시트(1051)를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Here, the optical path of the light emitting module 1031 may include the light guide plate 1041 and the optical sheet 1051 as an optical member, but the present invention is not limited thereto.

도 14는 실시 예에 따른 표시 장치의 다른 예를 나타낸 도면이다. 14 is a diagram illustrating another example of a display device according to an exemplary embodiment.

도 14를 참조하면, 표시 장치(1100)는 바텀 커버(1152), 상기에 개시된 발광소자(100)가 어레이된 기판(1020), 광학 부재(1154), 및 표시 패널(1155)을 포함한다. Referring to FIG. 14, the display device 1100 includes a bottom cover 1152, a substrate 1020 on which the light emitting device 100 disclosed above is arranged, an optical member 1154, and a display panel 1155.

상기 기판(1020)과 상기 발광소자 패키지(200)는 발광 모듈(1060)로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152), 적어도 하나의 발광 모듈(1060), 광학 부재(1154)는 라이트 유닛으로 정의될 수 있다. The substrate 1020 and the light emitting device package 200 may be defined as a light emitting module 1060. The bottom cover 1152, at least one light emitting module 1060, and the optical member 1154 may be defined as a light unit.

상기 바텀 커버(1152)에는 수납부(1153)를 구비할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1152 may include a receiving portion 1153, but the present invention is not limited thereto.

여기서, 상기 광학 부재(1154)는 렌즈, 도광판, 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 도광판은 PC 재질 또는 PMMA(Poly methy methacrylate) 재질로 이루어질 수 있으며, 이러한 도광판은 제거될 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. Here, the optical member 1154 may include at least one of a lens, a light guide plate, a diffusion sheet, a horizontal and vertical prism sheet, and a brightness enhancement sheet. The light guide plate may be made of a PC material or a PMMA (poly methy methacrylate) material, and such a light guide plate may be removed. The diffusion sheet diffuses incident light, and the horizontal and vertical prism sheets condense incident light into a display area. The brightness enhancing sheet enhances brightness by reusing the lost light.

상기 광학 부재(1154)는 상기 발광 모듈(1060) 위에 배치되며, 상기 발광 모듈(1060)로부터 방출된 광을 면 광원하거나, 확산, 집광 등을 수행하게 된다.The optical member 1154 is disposed on the light emitting module 1060, and performs surface light source, diffusion, and light condensation of the light emitted from the light emitting module 1060.

도 15는 실시 예에 따른 조명장치를 나타낸 도면이다.15 is a view showing a lighting apparatus according to an embodiment.

도 15를 참조하면, 실시 예에 따른 조명 장치는 커버(2100), 광원 모듈(2200), 방열체(2400), 전원 제공부(2600), 내부 케이스(2700), 소켓(2800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(2300)와 홀더(2500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)은 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.15, the lighting apparatus according to the embodiment includes a cover 2100, a light source module 2200, a heat discharger 2400, a power supply unit 2600, an inner case 2700, and a socket 2800 . Further, the illumination device according to the embodiment may further include at least one of the member 2300 and the holder 2500. The light source module 2200 may include a light emitting device package according to an embodiment.

예컨대, 상기 커버(2100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상을 가지며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상으로 제공될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)과 광학적으로 결합될 수 있다. 예를 들어, 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)로부터 제공되는 빛을 확산, 산란 또는 여기 시킬 수 있다. 상기 커버(2100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.For example, the cover 2100 may have a shape of a bulb or a hemisphere, and may be provided in a shape in which the hollow is hollow and a part is opened. The cover 2100 may be optically coupled to the light source module 2200. For example, the cover 2100 may diffuse, scatter, or excite light provided from the light source module 2200. The cover 2100 may be a kind of optical member. The cover 2100 may be coupled to the heat discharging body 2400. The cover 2100 may have an engaging portion that engages with the heat discharging body 2400.

상기 커버(2100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 유백색의 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 상기 커버(2100)의 내면의 표면 거칠기는 상기 커버(2100)의 외면의 표면 거칠기보다 크게 형성될 수 있다. 이는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 빛이 충분히 산란 및 확산되어 외부로 방출시키기 위함이다. The inner surface of the cover 2100 may be coated with a milky white paint. Milky white paints may contain a diffusing agent to diffuse light. The surface roughness of the inner surface of the cover 2100 may be larger than the surface roughness of the outer surface of the cover 2100. This is for sufficiently diffusing and diffusing the light from the light source module 2200 and emitting it to the outside.

상기 커버(2100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(2100)는 외부에서 상기 광원 모듈(2200)이 보이도록 투명할 수 있고, 불투명할 수 있다. 상기 커버(2100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.The cover 2100 may be made of glass, plastic, polypropylene (PP), polyethylene (PE), polycarbonate (PC), or the like. Here, polycarbonate is excellent in light resistance, heat resistance and strength. The cover 2100 may be transparent so that the light source module 2200 is visible from the outside, and may be opaque. The cover 2100 may be formed by blow molding.

상기 광원 모듈(2200)은 상기 방열체(2400)의 일 면에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열은 상기 방열체(2400)로 전도된다. 상기 광원 모듈(2200)은 광원부(2210), 연결 플레이트(2230), 커넥터(2250)를 포함할 수 있다.The light source module 2200 may be disposed on one side of the heat discharging body 2400. Accordingly, heat from the light source module 2200 is conducted to the heat discharger 2400. The light source module 2200 may include a light source unit 2210, a connection plate 2230, and a connector 2250.

상기 부재(2300)는 상기 방열체(2400)의 상면 위에 배치되고, 복수의 광원부(2210)들과 커넥터(2250)이 삽입되는 가이드홈(2310)들을 갖는다. 상기 가이드홈(2310)은 상기 광원부(2210)의 기판 및 커넥터(2250)와 대응된다.The member 2300 is disposed on the upper surface of the heat discharging body 2400 and has guide grooves 2310 through which the plurality of light source portions 2210 and the connector 2250 are inserted. The guide groove 2310 corresponds to the substrate of the light source unit 2210 and the connector 2250.

상기 부재(2300)의 표면은 빛 반사 물질로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 예를 들면, 상기 부재(2300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 상기 부재(2300)는 상기 커버(2100)의 내면에 반사되어 상기 광원 모듈(2200)측 방향으로 되돌아오는 빛을 다시 상기 커버(2100) 방향으로 반사한다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.The surface of the member 2300 may be coated or coated with a light reflecting material. For example, the surface of the member 2300 may be coated or coated with a white paint. The member 2300 is reflected on the inner surface of the cover 2100 to reflect the light returned to the light source module 2200 side again toward the cover 2100. Therefore, the light efficiency of the illumination device according to the embodiment can be improved.

상기 부재(2300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)의 연결 플레이트(2230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 방열체(2400)와 상기 연결 플레이트(2230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 상기 부재(2300)는 절연 물질로 구성되어 상기 연결 플레이트(2230)와 상기 방열체(2400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 상기 방열체(2400)는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열과 상기 전원 제공부(2600)로부터의 열을 전달받아 방열한다.The member 2300 may be made of an insulating material, for example. The connection plate 2230 of the light source module 2200 may include an electrically conductive material. Therefore, electrical contact can be made between the heat discharging body 2400 and the connecting plate 2230. The member 2300 may be formed of an insulating material to prevent an electrical short circuit between the connection plate 2230 and the heat discharging body 2400. The heat discharger 2400 receives heat from the light source module 2200 and heat from the power supply unit 2600 to dissipate heat.

상기 홀더(2500)는 내부 케이스(2700)의 절연부(2710)의 수납홈(2719)을 막는다. 따라서, 상기 내부 케이스(2700)의 상기 절연부(2710)에 수납되는 상기 전원 제공부(2600)는 밀폐된다. 상기 홀더(2500)는 가이드 돌출부(2510)를 갖는다. 상기 가이드 돌출부(2510)는 상기 전원 제공부(2600)의 돌출부(2610)가 관통하는 홀을 갖는다. The holder 2500 blocks the receiving groove 2719 of the insulating portion 2710 of the inner case 2700. Therefore, the power supply unit 2600 housed in the insulating portion 2710 of the inner case 2700 is sealed. The holder 2500 has a guide protrusion 2510. The guide protrusion 2510 has a hole through which the protrusion 2610 of the power supply unit 2600 passes.

상기 전원 제공부(2600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 상기 광원 모듈(2200)로 제공한다. 상기 전원 제공부(2600)는 상기 내부 케이스(2700)의 수납홈(2719)에 수납되고, 상기 홀더(2500)에 의해 상기 내부 케이스(2700)의 내부에 밀폐된다.The power supply unit 2600 processes or converts an electrical signal provided from the outside to provide the light source module 2200. The power supply unit 2600 is housed in the receiving groove 2719 of the inner case 2700 and is sealed inside the inner case 2700 by the holder 2500.

상기 전원 제공부(2600)는 돌출부(2610), 가이드부(2630), 베이스(2650), 연장부(2670)를 포함할 수 있다.The power supply unit 2600 may include a protrusion 2610, a guide 2630, a base 2650, and an extension 2670.

상기 가이드부(2630)는 상기 베이스(2650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 가이드부(2630)는 상기 홀더(2500)에 삽입될 수 있다. 상기 베이스(2650)의 일 면 위에 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 상기 광원 모듈(2200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 광원 모듈(2200)을 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The guide portion 2630 has a shape protruding outward from one side of the base 2650. The guide portion 2630 may be inserted into the holder 2500. A plurality of components may be disposed on one side of the base 2650. The plurality of components include, for example, a DC converter for converting AC power supplied from an external power source into DC power, a driving chip for controlling driving of the light source module 2200, an ESD (ElectroStatic discharge) protective device, and the like, but the present invention is not limited thereto.

상기 연장부(2670)는 상기 베이스(2650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750) 내부에 삽입되고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받는다. 예컨대, 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750)의 폭과 같거나 작게 제공될 수 있다. 상기 연장부(2670)에는 "+ 전선"과 "- 전선"의 각 일 단이 전기적으로 연결되고, "+ 전선"과 "- 전선"의 다른 일 단은 소켓(2800)에 전기적으로 연결될 수 있다.The extension portion 2670 has a shape protruding outward from the other side of the base 2650. The extension part 2670 is inserted into the connection part 2750 of the inner case 2700 and receives an electrical signal from the outside. For example, the extension portion 2670 may be provided to be equal to or smaller than the width of the connection portion 2750 of the inner case 2700. One end of each of the positive wire and the negative wire is electrically connected to the extension portion 2670 and the other end of the positive wire and the negative wire are electrically connected to the socket 2800 .

상기 내부 케이스(2700)는 내부에 상기 전원 제공부(2600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는 몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 상기 전원 제공부(2600)가 상기 내부 케이스(2700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.The inner case 2700 may include a molding part together with the power supply part 2600. The molding part is a hardened portion of the molding liquid so that the power supply unit 2600 can be fixed inside the inner case 2700.

이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to one embodiment. Further, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons having ordinary skill in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

또한, 이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of illustration, It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

10: 발광구조물 11: 제1 도전형 반도체층
12: 활성층 13: 제2 도전형 반도체층
15: 오믹접촉층 17: 제2 전극
30: 채널층 40: 절연층
45: 제1 전극 50: 금속층
60: 본딩층 70: 지지부재
80: 컨택부 90: 보호층 10: light emitting structure 11: first conductive semiconductor layer
12: active layer 13: second conductive semiconductor layer
15: ohmic contact layer 17: second electrode
30: channel layer 40: insulating layer
45: first electrode 50: metal layer
60: bonding layer 70: support member
80: contact portion 90: protective layer

Claims (15)

제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 아래에 활성층, 상기 활성층 아래에 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물;
상기 발광구조물 아래에 배치되며, 상기 제2 도전형 반도체층과 상기 활성층을 관통하여 상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 제1 전극;
상기 발광구조물 아래에 배치되며, 상기 제2 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 제2 전극;
상기 활성층과 상기 제2 도전형 반도체층을 관통하는 상기 제1 전극 둘레에 배치되며, 상부 면이 상기 제1 전극의 상부 면에 비하여 더 높게 배치된 절연층;
을 포함하는 발광소자.A light emitting structure including a first conductive semiconductor layer, an active layer under the first conductive semiconductor layer, and a second conductive semiconductor layer under the active layer;
A first electrode disposed under the light emitting structure and electrically connected to the first conductive semiconductor layer through the second conductive semiconductor layer and the active layer;
A second electrode disposed under the light emitting structure and electrically connected to the second conductive semiconductor layer;
An insulating layer disposed around the first electrode penetrating the active layer and the second conductive semiconductor layer, and having an upper surface higher than an upper surface of the first electrode;
. 제1항에 있어서,
상기 절연층의 상부 면은 상기 제1 도전형 반도체층 내에 배치된 발광소자.The method of claim 1,
The upper surface of the insulating layer is disposed in the first conductive semiconductor layer. 제1항에 있어서,
상기 절연층의 상부 면은 상기 제1 전극의 상부 면으로부터 상기 제1 도전형 반도체층 내로 돌출되어 배치된 발광소자.The method of claim 1,
And an upper surface of the insulating layer protruding from the upper surface of the first electrode into the first conductive semiconductor layer. 제1항에 있어서,
상기 절연층의 상부 면은 상기 제1 전극의 상부 면으로부터 중공 형상으로 돌출되어 형성되고, 상기 중공 영역에 상기 제1 도전형 반도체층이 배치된 발광소자.The method of claim 1,
The upper surface of the insulating layer is formed to protrude in a hollow shape from the upper surface of the first electrode, the first conductive semiconductor layer is disposed in the hollow region. 제1항에 있어서,
상기 절연층은 상기 제1 전극과 상기 제2 전극을 전기적으로 절연시키는 발광소자.The method of claim 1,
The insulating layer is a light emitting device to electrically insulate the first electrode and the second electrode. 제1항에 있어서,
상기 제2 전극과 상기 제2 반도체층 사이에 배치된 오믹접촉층을 포함하는 발광소자.The method of claim 1,
And an ohmic contact layer disposed between the second electrode and the second semiconductor layer. 제1항에 있어서,
상기 제2 반도체층 하부에 배치된 전류차단층을 포함하는 발광소자.The method of claim 1,
A light emitting device comprising a current blocking layer disposed under the second semiconductor layer. 제7항에 있어서,
상기 전류차단층의 일부 영역은 상기 절연층의 둘레에 배치되고 상기 제2 도전형 반도체층과 상기 활성층을 관통하여 상기 제1 도전형 반도체층 내에 배치된 발광소자.The method of claim 7, wherein
A portion of the current blocking layer is disposed around the insulating layer and penetrates the second conductive semiconductor layer and the active layer and is disposed in the first conductive semiconductor layer. 제1항에 있어서,
상기 발광구조물 측면에 배치되며 상기 제2 전극과 전기적으로 연결된 컨택부를 포함하는 발광소자.The method of claim 1,
A light emitting device disposed on a side of the light emitting structure and including a contact portion electrically connected to the second electrode. 제1항에 있어서,
상기 절연층의 상부 면은 상기 제1 전극의 상부 면에 비하여 상기 제1 도전형 반도체층의 1/2 내지 2/3 두께로 돌출되어 배치된 발광소자. The method of claim 1,
The upper surface of the insulating layer is protruding to a thickness of 1/2 to 2/3 of the first conductive semiconductor layer compared to the upper surface of the first electrode. 제1항에 있어서,
상기 제1 전극의 하부 면은 상기 제2 전극의 하부 면에 비하여 더 낮게 배치된 발광소자.The method of claim 1,
The lower surface of the first electrode is disposed lower than the lower surface of the second electrode. 제1항에 있어서,
상기 제1 도전형 반도체층의 상부 면과 측면에 배치된 보호층을 포함하는 발광소자.The method of claim 1,
A light emitting device comprising a protective layer disposed on the upper surface and side surfaces of the first conductivity type semiconductor layer. 제1항에 있어서,
상기 제1 도전형 반도체층의 상부 면에 형성된 러프니스(roughness)를 포함하는 발광소자.The method of claim 1,
And a roughness formed on an upper surface of the first conductive semiconductor layer. 몸체;
상기 몸체 위에 배치되며, 제1항 내지 제13항 중의 어느 한 항에 의한 발광소자;
상기 발광소자에 전기적으로 연결된 제1 리드 전극 및 제2 리드 전극;
을 포함하는 발광소자 패키지.Body;
A light emitting element according to any one of claims 1 to 13 arranged on the body;
A first lead electrode and a second lead electrode electrically connected to the light emitting element;
Emitting device package. 기판;
상기 기판 위에 배치되며, 제1항 내지 제13항 중의 어느 한 항에 의한 발광소자;
상기 발광소자로부터 제공되는 빛이 지나가는 광학 부재;
를 포함하는 라이트 유닛.Board;
A light emitting element according to any one of claims 1 to 13 arranged on the substrate;
An optical member through which the light provided from the light emitting element passes;
.
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