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KR20140006134A - Method for manufacturing organic light emitting diode and display including the organic light emitting diode - Google Patents

Method for manufacturing organic light emitting diode and display including the organic light emitting diode Download PDF

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Publication number
KR20140006134A
KR20140006134A KR1020120068201A KR20120068201A KR20140006134A KR 20140006134 A KR20140006134 A KR 20140006134A KR 1020120068201 A KR1020120068201 A KR 1020120068201A KR 20120068201 A KR20120068201 A KR 20120068201A KR 20140006134 A KR20140006134 A KR 20140006134A
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KR
South Korea
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substituted
unsubstituted
light emitting
formula
group
Prior art date
Application number
KR1020120068201A
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Korean (ko)
Inventor
박종욱
박영일
김범진
김승호
Original Assignee
가톨릭대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
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Abstract

A method for manufacturing an organic light emitting element includes a step of preparing a first electrode, a step of depositing a hole injection layer including a material for an organic photoelectron element including one or more compounds displayed on a first electrode as chemical formula 1 using a solution process, a step of depositing a hole transfer layer on the hole injection layer, a step of depositing a light emitting layer on the hole transfer layer, a step of depositing an electron transfer layer on the light emitting layer, and a step of forming a second electrode on the electron transfer layer. [Chemical formula A-1].

Description

유기발광소자의 제조 방법 및 이에 따른 유기발광소자를 포함하는 표시장치{METHOD FOR MANUFACTURING ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE AND DISPLAY INCLUDING THE ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE}A manufacturing method of an organic light emitting device and a display device including the organic light emitting device according to the present invention TECHNICAL FIELD AND DISPLAY INCLUDING THE ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE}

수명, 효율, 전기화학적 안정성 및 열적 안정성이 우수한 유기광전자소자를 제공할 수 있는 유기발광소자의 제조 방법 및 이에 따른 유기발광소자를 포함하는 표시장치에 관한 것이다.
The present invention relates to a method of manufacturing an organic light emitting device capable of providing an organic optoelectronic device having excellent lifetime, efficiency, electrochemical stability, and thermal stability, and a display device including the organic light emitting device.

유기광전자소자(organic optoelectric device)라 함은 정공 또는 전자를 이용한 전극과 유기물 사이에서의 전하 교류를 필요로 하는 소자를 의미한다.An organic optoelectronic device refers to a device that requires charge exchange between an electrode and an organic material using holes or electrons.

유기광전자소자는 동작 원리에 따라 하기와 같이 크게 두 가지로 나눌 수 있다. 첫째는 외부의 광원으로부터 소자로 유입된 광자에 의하여 유기물층에서 엑시톤(exciton)이 형성되고 이 엑시톤이 전자와 정공으로 분리되고, 이 전자와 정공이 각각 다른 전극으로 전달되어 전류원(전압원)으로 사용되는 형태의 전자소자이다.Organic optoelectronic devices can be roughly classified into two types according to the operating principle as described below. First, an exciton is formed in an organic material layer by a photon introduced into an element from an external light source. The exciton is separated into an electron and a hole, and the electrons and holes are transferred to different electrodes to be used as a current source Type electronic device.

둘째는 2 개 이상의 전극에 전압 또는 전류를 가하여 전극과 계면을 이루는 유기물 반도체에 정공 또는 전자를 주입하고, 주입된 전자와 정공에 의하여 동작하는 형태의 전자소자이다.The second type is an electronic device in which holes or electrons are injected into an organic semiconductor forming an interface with an electrode by applying a voltage or current to two or more electrodes and operated by injected electrons and holes.

유기광전자소자의 예로는 유기광전소자, 유기발광소자, 유기태양전지, 유기감광체 드럼(organic photo conductor drum), 유기트랜지스터 등이 있으며, 이들은 모두 소자의 구동을 위하여 정공의 주입 또는 수송 물질, 전자의 주입 또는 수송 물질, 또는 발광 물질을 필요로 한다.Examples of organic optoelectronic devices include organic optoelectronic devices, organic light-emitting devices, organic solar cells, organic photo conductor drums, and organic transistors, all of which are used for the injection or transport of holes, An injection or transport material, or a luminescent material.

특히, 유기발광소자(organic light emitting diode, OLED)는 최근 평판 디스플레이(flat panel display)의 수요가 증가함에 따라 주목받고 있다. 일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다.In particular, organic light emitting diodes (OLEDs) have been attracting attention in recent years as the demand for flat panel displays increases. In general, organic light emission phenomenon refers to a phenomenon in which an organic material is used to convert electric energy into light energy.

이러한 유기발광소자는 유기발광재료에 전류를 가하여 전기에너지를 빛으로 전환시키는 소자로서 통상 양극(anode)과 음극(cathode) 사이에 기능성 유기물 층이 삽입된 구조로 이루어져 있다. 여기서 유기물층은 유기발광소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등으로 이루어질 수 있다.Such an organic light emitting device is a device that converts electric energy into light by applying an electric current to an organic light emitting material, and is usually composed of a structure in which a functional organic layer is interposed between an anode and a cathode. Here, in order to enhance the efficiency and stability of the organic light emitting device, the organic material layer may have a multi-layered structure composed of different materials and may include a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer.

이러한 유기발광소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공(hole)이, 음극에서는 전자(electron)가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만나 재결합(recombination)에 의해 에너지가 높은 여기자를 형성하게 된다. 이때 형성된 여기자가 다시 바닥상태(ground state)로 이동하면서 특정한 파장을 갖는 빛이 발생하게 된다.When the voltage is applied between the two electrodes in the structure of the organic light emitting device, holes are injected into the organic material layer in the anode and electrons in the cathode, and the injected holes and the electrons meet and recombine by recombination. High energy excitons are formed. At this time, the exciton formed again moves to the ground state, and light having a specific wavelength is generated.

최근에는, 형광 발광물질뿐 아니라 인광 발광물질도 유기발광소자의 발광물질로 사용될 수 있음이 알려졌으며, 이러한 인광 발광은 바닥상태(ground state)에서 여기상태(excited state)로 전자가 전이한 후, 계간 전이(intersystem crossing)를 통해 단일항 여기자가 삼중항 여기자로 비발광 전이된 다음, 삼중항 여기자가 바닥상태로 전이하면서 발광하는 메카니즘으로 이루어진다.In recent years, it is known that not only fluorescent light emitting materials but also phosphorescent emitting materials can be used as light emitting materials for organic light emitting devices. Such phosphorescence emission is a phenomenon in which electrons are transferred from a ground state to an excited state, The mechanism consists of a non-luminescent transition of a singlet exciton to a triplet exciton through intersystem crossing, followed by a luminescence of the triplet exciton transitioning to the ground state.

상기한 바와 같이 유기발광소자에서 유기물층으로 사용되는 재료는 기능에 따라, 발광 재료와 전하 수송 재료, 예컨대 정공주입 재료, 정공수송 재료, 전자수송 재료, 전자주입 재료 등으로 분류될 수 있다.As described above, a material used as an organic material layer in an organic light emitting device can be classified into a light emitting material and a charge transporting material such as a hole injecting material, a hole transporting material, an electron transporting material, and an electron injecting material depending on functions.

또한, 발광 재료는 발광색에 따라 청색, 녹색, 적색 발광재료와 보다 나은 천연색을 구현하기 위해 필요한 노란색 및 주황색 발광 재료로 구분될 수 있다.Further, the light emitting material can be classified into blue, green, and red light emitting materials and yellow and orange light emitting materials required to realize better natural color depending on the luminescent color.

한편, 발광 재료로서 하나의 물질만 사용하는 경우 분자간 상호 작용에 의하여 최대 발광 파장이 장파장으로 이동하고 색순도가 떨어지거나 발광 감쇄 효과로 소자의 효율이 감소되는 문제가 발생하므로, 색순도의 증가와 에너지 전이를 통한 발광 효율과 안정성을 증가시키기 위하여 발광 재료로서 호스트/도판트 계를 사용할 수 있다.On the other hand, when only one material is used as a light emitting material, there arises a problem that the maximum light emission wavelength shifts to a long wavelength due to intermolecular interaction, the color purity decreases, or the efficiency of the device decreases due to the light emission attenuating effect. A host / dopant system can be used as a light emitting material in order to increase the light emitting efficiency and stability through the light emitting layer.

유기발광소자가 전술한 우수한 특징들을 충분히 발휘하기 위해서는 소자 내 유기물층을 이루는 물질, 예컨대 정공주입 물질, 정공수송 물질, 발광 물질, 전자수송 물질, 전자주입 물질, 발광 재료 중 호스트 및/또는 도판트 등이 안정하고 효율적인 재료에 의하여 뒷받침되는 것이 선행되어야 하며, 아직까지 안정하고 효율적인 유기발광소자용 유기물층 재료의 개발이 충분히 이루어지지 않은 상태이며, 따라서 새로운 재료의 개발이 계속 요구되고 있다. 이와 같은 재료 개발의 필요성은 전술한 다른 유기광전자소자에서도 마찬가지이다.In order for the organic luminescent device to fully exhibit the above-described excellent characteristics, a host material and / or a dopant such as a hole injecting material, a hole transporting material, a luminescent material, an electron transporting material, an electron injecting material, The organic material layer for organic light emitting devices has not been sufficiently developed yet. Therefore, development of new materials has been continuously required. The necessity of developing such a material is the same in other organic optoelectronic devices described above.

또한, 저분자 유기발광소자는 진공 증착법에 의해 박막의 형태로 소자를 제조하므로 효율 및 수명성능이 좋으며, 고분자 유기 발광 소자는 잉크젯(Inkjet) 또는 스핀코팅(spin coating)법을 사용하여 초기 투자비가 적고 대면적화가 유리한 장점이 있다.In addition, the low-molecular organic light-emitting device has good efficiency and long life performance because it is manufactured in the form of a thin film by a vacuum deposition method. The polymer organic light-emitting device uses an inkjet or spin coating method, There is an advantage that the large area is advantageous.

저분자 유기발광소자 및 고분자 유기발광소자는 모두 자체발광, 고속응답, 광시야각, 초박형, 고화질, 내구성, 넓은 구동온도범위 등의 장점을 가지고 있어 차세대 디스플레이로 주목을 받고 있다. 특히 기존의 LCD(liquid crystal display)와 비교하여 자체발광형으로서 어두운 곳이나 외부의 빛이 들어와도 시안성이 좋으며, 백라이트가 필요 없어 LCD의 1/3수준으로 두께 및 무게를 줄일 수 있다.Low molecular organic light emitting devices and polymer organic light emitting devices are attracting attention as next generation displays because they have advantages such as self-emission, fast response, wide viewing angle, ultra-thin, high image quality, durability and wide driving temperature range. Compared to conventional liquid crystal displays (LCDs), it is self-luminous and has good visibility even when dark or external light enters. It can reduce thickness and weight to 1/3 of that of LCD without backlight.

또한, 응답속도가 LCD에 비해 1000배 이상 빠른 마이크로 초 단위여서 잔상이 없는 완벽한 동영상을 구현할 수 있다. 따라서, 최근 본격적인 멀티미디어 시대에 맞춰 최적의 디스플레이로 각광받을 것으로 기대되며, 이러한 장점을 바탕으로 1980년대 후반 최초 개발 이후 효율 80배, 수명 100배 이상에 이르는 급격한 기술발전을 이루어 왔고, 최근에는 40인치 유기발광소자 패널이 발표되는 등 대형화가 급속히 진행되고 있다. In addition, the response speed is 1000 times faster than that of LCD, so it is possible to realize perfect video without residual image. Therefore, it is anticipated that it will be seen as an optimal display in accordance with the multimedia age in recent years. Based on these advantages, after the first development in the late 1980s, the technology has been rapidly developed 80 times and lifespan 100 times. And organic light-emitting device panels have been announced, and the size of the organic light-emitting device panel is rapidly increasing.

대형화를 위해서는 발광 효율의 증대 및 소자의 수명 향상이 수반되어야 한다. 이때, 소자의 발광 효율은 발광층 내의 정공과 전자의 결합이 원활히 이루어져야 한다. 그러나, 일반적으로 유기물의 전자 이동도는 정공 이동도에 비해 느리므로, 발광층 내의 정공과 전자의 결합이 효율적으로 이루어지기 위해서는, 효율적인 전자 수송층을 사용하여 음극으로부터의 전자 주입 및 이동도를 높이는 동시에, 정공의 이동을 차단할 수 있어야 한다.In order to increase the size, it is necessary to increase the luminous efficiency and the lifetime of the device. At this time, the luminous efficiency of the device should be such that the holes and electrons in the light emitting layer are smoothly coupled. However, since the electron mobility of an organic material is generally slower than the hole mobility, in order to efficiently bond holes and electrons in the light-emitting layer, an efficient electron transport layer is used to increase electron injection and mobility from the cathode, It should be able to block the movement of holes.

또한, 수명 향상을 위해서는 소자의 구동시 발생하는 줄열(Joule heat)로 인해 재료가 결정화되는 것을 방지하여야 한다. 따라서, 전자의 주입 및 이동성이 우수하며, 전기화학적 안정성이 높은 유기 재료에 대한 개발이 필요하다.
Further, in order to improve the lifetime, crystallization of the material should be prevented due to joule heat generated when the device is driven. Therefore, there is a need for development of an organic material having excellent electron injection and mobility and high electrochemical stability.

정공 주입 및 수송 역할 또는 전자 주입 및 수송역할을 할 수 있고, 적절한 도펀트와 함께 발광 호스트로서의 역할을 할 수 있는 유기광전자소자용 재료를 제공한다.Provided are an organic optoelectronic device material that can play a role of hole injection and transport or electron injection and transport, and can act as a light emitting host with an appropriate dopant.

수명, 효율, 구동전압, 전기화학적 안정성 및 열적 안정성이 우수한 유기발광소자 및 이를 포함하는 표시장치를 제공하고자 한다.
Life, efficiency, driving voltage, electrochemical stability, and thermal stability, and a display device including the organic light emitting device.

본 발명의 일 구현예에서는, 제1 전극을 준비하는 단계; 상기 제1 전극 상에 하기 화학식 1로 표시되는 적어도 하나의 화합물을 포함하는 유기광전자소자용 재료를 포함하는 정공주입층을 용액 공정을 이용하여 증착하는 단계; 상기 정공주입층 상에 정공수송층을 증착하는 단계; 상기 정공수송층 상에 발광층을 증착하는 단계; 상기 발광층 상에 전자 수송층을 증착하는 단계; 및 상기 전자수송층 상에 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 유기발광소자의 제조 방법을 제공한다. In one embodiment of the present invention, preparing a first electrode; Depositing a hole injection layer including a material for an organic optoelectronic device including at least one compound represented by Chemical Formula 1 on the first electrode by using a solution process; Depositing a hole transport layer on the hole injection layer; Depositing a light emitting layer on the hole transport layer; Depositing an electron transport layer on the light emitting layer; It provides a method of manufacturing an organic light emitting device comprising a; forming a second electrode on the electron transport layer.

[화학식 1][Formula 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

상기 화학식 1에서, X1 및 X2는 독립적으로 -O- 또는 -S- 이고, Ar1 및 Ar2는 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기이고, R1 내지 R4는 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이고, R5 내지 R8은 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이다. In Formula 1, X 1 and X 2 are independently -O- or -S-, Ar 1 and Ar 2 are independently a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group or a substituted or unsubstituted C2 to C30 hetero Is an aryl group, R 1 to R 4 are independently a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, a substituted or unsubstituted C5 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 To C30 heteroaryl group or a combination thereof, R 5 to R 8 are independently hydrogen, deuterium, substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, substituted or unsubstituted C5 to C30 cycloalkyl group, substituted or unsubstituted C6 To C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group, or a combination thereof.

상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 2로 표시될 수 있다. The compound represented by Chemical Formula 1 may be represented by the following Chemical Formula 2.

[화학식 2](2)

Figure pat00002
Figure pat00002

상기 화학식 2에서, X1 및 X2는 독립적으로 -O- 또는 -S- 이고, Ar1 및 Ar2는 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기이고, R1 내지 R4는 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이고, R5 내지 R8은 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이다. In Formula 2, X 1 and X 2 are independently -O- or -S-, Ar 1 and Ar 2 are independently a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group or a substituted or unsubstituted C2 to C30 hetero Is an aryl group, R 1 to R 4 are independently a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, a substituted or unsubstituted C5 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 To C30 heteroaryl group or a combination thereof, R 5 to R 8 are independently hydrogen, deuterium, substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, substituted or unsubstituted C5 to C30 cycloalkyl group, substituted or unsubstituted C6 To C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group, or a combination thereof.

상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 3으로 표시될 수 있다. The compound represented by Chemical Formula 1 may be represented by the following Chemical Formula 3.

[화학식 3](3)

Figure pat00003
Figure pat00003

상기 화학식 3에서, X1 및 X2는 독립적으로 -O- 또는 -S- 이고, Ar1 및 Ar2는 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기이고, R1 내지 R4는 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이고, R5 내지 R8은 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이다. In Formula 3, X 1 and X 2 are independently -O- or -S-, Ar 1 and Ar 2 are independently a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group or a substituted or unsubstituted C2 to C30 hetero Is an aryl group, R 1 to R 4 are independently a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, a substituted or unsubstituted C5 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 To C30 heteroaryl group or a combination thereof, R 5 to R 8 are independently hydrogen, deuterium, substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, substituted or unsubstituted C5 to C30 cycloalkyl group, substituted or unsubstituted C6 To C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group, or a combination thereof.

상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 4로 표시될 수 있다. The compound represented by Chemical Formula 1 may be represented by the following Chemical Formula 4.

[화학식 4][Chemical Formula 4]

Figure pat00004
Figure pat00004

상기 화학식 4에서, X1 및 X2는 독립적으로 -O- 또는 -S- 이고, R1 내지 R4는 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이고, R5 내지 R8은 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이고, R9 및 R10는 독립적으로 수소, 중수소 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기다. In Formula 4, X 1 and X 2 are independently —O— or —S—, R 1 to R 4 are independently a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, a substituted or unsubstituted C5 to C30 cycloalkyl group , A substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group or a combination thereof, R 5 to R 8 is independently hydrogen, deuterium, substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group , A substituted or unsubstituted C5 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group, or a combination thereof, R 9 and R 10 are independently hydrogen, Deuterium or a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group.

상기 X1 및 X2는 -S-일 수 있다. X 1 and X 2 may be -S-.

상기 X1 및 X2는 -O-일 수 있다. X 1 and X 2 may be -O-.

상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 A-1 내지 A-6 중 어느 하나로 표시될 수 있다. The compound represented by Chemical Formula 1 may be represented by any one of the following Chemical Formulas A-1 to A-6.

[화학식 A-1] [화학식 A-2][Formula A-1] [Formula A-2]

Figure pat00005
Figure pat00006
Figure pat00005
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[화학식 A-3] [화학식 A-4][Formula A-3] [Formula A-4]

Figure pat00007
Figure pat00007

[화학식 A-5] [화학식 A-6][Formula A-5] [Formula A-6]

Figure pat00008

Figure pat00008

상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 B-1 내지 B-6 중 어느 하나로 표시될 수 있다. The compound represented by Chemical Formula 1 may be represented by any one of the following Chemical Formulas B-1 to B-6.

[화학식 B-1] [화학식 B-2][Formula B-1] [Formula B-2]

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[화학식 B-3] [화학식 B-4][Formula B-3] [Formula B-4]

Figure pat00011
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[화학식 B-5] [화학식 B-6][Formula B-5] [Formula B-6]

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상기 제1 전극은 투명 전극일 수 있다. The first electrode may be a transparent electrode.

본 발명의 다른 일 구현예에서는, 전술한 본 발명의 일 구현예에 따른 제보 방법에 의해 제조된 유기발광소자를 포함하는 표시장치를 제공한다.
In another embodiment of the present invention, there is provided a display device including the organic light emitting device manufactured by the reporting method according to the embodiment of the present invention described above.

높은 정공 또는 전자 수송성, 막 안정성 열적 안정성 및 높은 3중항 여기에너지를 가지는 유기광전자소자용 재료를 제공할 수 있다.It is possible to provide a material for an organic optoelectronic device having high hole or electron transporting properties, film stability, thermal stability, and high triplet excitation energy.

이러한 재료는 발광층의 정공 주입/수송 재료, 호스트 재료, 또는 전자 주입/수송 재료로 이용될 수 있다. 이를 이용한 유기광전자소자는 우수한 전기화학적 및 열적 안정성을 가지게 되어 수명 특성이 우수하고, 낮은 구동전압에서도 높은 발광효율을 가질 수 있다.
Such a material can be used as a hole injection / transport material, a host material, or an electron injection / transport material for the light emitting layer. The organic optoelectronic device using the organic electroluminescent device has excellent electrochemical and thermal stability, and has excellent lifetime characteristics and high luminous efficiency even at a low driving voltage.

도 1 내지 도 5는 본 발명의 일 구현예에 따른 유기광전자소자용 화합물을 이용하여 제조될 수 있는 유기발광소자에 대한 다양한 구현예들을 나타내는 단면도이다.
도 6은 상기 실시예 1 및 비교예 1 내지 3에 따른 유기발광소자의 수명 측정 데이터이다.
도 7은 실시예 2, 3 및 비교예 1에 따른 유기발광소자의 수명 특성 평가 데이터이다.
도 8은 상기 실시예 1에 따른 유기발광소자의 전기 광학 특성 평가 데이터이다.
도 9는 상기 실시예 1에 따른 유기발광소자의 표면 주사전자현미경(Scanning Electron Microscope, SEM) 사진이다.
도 10은 상기 실시예 1에 따른 유기발광소자의 표면 원자전자현미경(Atomic Force Microscope, AFM) 사진이다.
도 11는 상기 비교예 1에 따른 유기발광소자의 표면 주사전자현미경 사진이다.
도 12는 상기 비교예 1에 따른 유기발광소자의 표면 원자전자현미경 사진이다.
도 13은 실시예 1에 따른 유기발광소자 및 비교예 4에 따른 유기발광소자의 수명 특성 비교 데이터이다.1 to 5 are cross-sectional views illustrating various embodiments of an organic light emitting device that can be manufactured using a compound for an organic optoelectronic device according to an embodiment of the present invention.
6 is life measurement data of organic light emitting diodes according to Example 1 and Comparative Examples 1 to 3. FIG.
FIG. 7 is life characteristics evaluation data of organic light emitting diodes according to Examples 2 and 3 and Comparative Example 1. FIG.
8 is an electro-optical characteristic evaluation data of the organic light emitting device according to Example 1.
9 is a surface scanning electron microscope (Scanning Electron Microscope, SEM) photograph of the organic light emitting device according to Example 1.
FIG. 10 is an Atomic Force Microscope (AFM) photograph of the organic light emitting diode according to Example 1. FIG.
11 is a scanning electron micrograph of the surface of the organic light emitting diode according to Comparative Example 1.
12 is a surface atomic electron micrograph of the organic light emitting device according to Comparative Example 1.
13 is a comparison of life characteristics of the organic light emitting diode according to Example 1 and the organic light emitting diode according to Comparative Example 4.

이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구범위의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail. However, it should be understood that the present invention is not limited thereto, and the present invention is only defined by the scope of the following claims.

본 명세서에서 "치환"이란 별도의 정의가 없는 한, 치환기 또는 화합물 중의 적어도 하나의 수소가 중수소, 할로겐기, 히드록시기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기, C1 내지 C30 알킬기, C1 내지 C10 알킬실릴기, C3 내지 C30 시클로알킬기, C6 내지 C30 아릴기, C1 내지 C20 알콕시기, 플루오로기, 트리플루오로메틸기 등의 C1 내지 C10 트리플루오로알킬기 또는 시아노기로 치환된 것을 의미한다.As used herein, unless otherwise defined, at least one of the substituents or at least one hydrogen in the compound is substituted with one or more substituents selected from the group consisting of deuterium, a halogen group, a hydroxy group, an amino group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 amine group, a nitro group, C1 to C10 alkyl groups such as a C3 to C40 silyl group, a C1 to C30 alkyl group, a C1 to C10 alkylsilyl group, a C3 to C30 cycloalkyl group, a C6 to C30 aryl group, a C1 to C20 alkoxy group, a fluoro group, A trifluoroalkyl group or a cyano group.

또한 상기 치환된 할로겐기, 히드록시기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기, C1 내지 C30 알킬기, C1 내지 C10 알킬실릴기, C3 내지 C30 시클로알킬기, C6 내지 C30 아릴기, C1 내지 C20 알콕시기, 플루오로기, 트리플루오로메틸기 등의 C1 내지 C10 트리플루오로알킬기 또는 시아노기 중 인접한 두 개의 치환기가 융합되어 고리를 형성할 수도 있다. In addition, the substituted halogen, hydroxy, amino, substituted or unsubstituted C1 to C20 amine group, nitro group, substituted or unsubstituted C3 to C40 silyl group, C1 to C30 alkyl group, C1 to C10 alkylsilyl group, C3 to Two adjacent substituents among C1 to C10 trifluoroalkyl groups or cyano groups, such as a C30 cycloalkyl group, a C6 to C30 aryl group, a C1 to C20 alkoxy group, a fluoro group, and a trifluoromethyl group, may be fused to form a ring. .

본 명세서에서 "헤테로"란 별도의 정의가 없는 한, 하나의 작용기 내에 N, O, S 및 P로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 1 내지 3개 함유하고, 나머지는 탄소인 것을 의미한다.Means one to three heteroatoms selected from the group consisting of N, O, S and P in one functional group, and the remainder is carbon, unless otherwise defined.

본 명세서에서 "이들의 조합"이란 별도의 정의가 없는 한, 둘 이상의 치환기가 연결기로 결합되어 있거나, 둘 이상의 치환기가 축합하여 결합되어 있는 것을 의미한다. In the present specification, the term "combination thereof" means that two or more substituents are bonded to each other via a linking group or two or more substituents are condensed and bonded.

본 명세서에서 "알킬(alkyl)기"이란 별도의 정의가 없는 한, 지방족 탄화수소기를 의미한다. As used herein, unless otherwise defined, an "alkyl group" means an aliphatic hydrocarbon group.

"알케닐렌(alkenylene)기"는 적어도 두 개의 탄소원자가 적어도 하나의 탄소-탄소 이중 결합으로 이루어진 작용기를 의미하며, "알키닐렌(alkynylene)기" 는 적어도 두 개의 탄소원자가 적어도 하나의 탄소-탄소 삼중 결합으로 이루어진 작용기를 의미한다. 포화이든 불포화이든 간에 알킬기는 분지형, 직쇄형 또는 환형일 수 있다. "Alkynylene group" means a functional group in which at least two carbon atoms are composed of at least one carbon-carbon double bond, and "alkynylene group" means that at least two carbon atoms have at least one carbon- Quot; means a functional group formed by bonding. The alkyl group, whether saturated or unsaturated, can be branched, straight chain or cyclic.

알킬기는 C1 내지 C20인 알킬기일 수 있다. 보다 구체적으로 알킬기는 C1 내지 C10 알킬기 또는 C1 내지 C6 알킬기일 수도 있다.The alkyl group may be an alkyl group of C1 to C20. More specifically, the alkyl group may be a C1 to C10 alkyl group or a C1 to C6 alkyl group.

예를 들어, C1 내지 C4 알킬기는 알킬쇄에 1 내지 4 개의 탄소원자, 즉, 알킬쇄는 메틸, 에틸, 프로필, 이소-프로필, n-부틸, 이소-부틸, sec-부틸 및 t-부틸로 이루어진 군에서 선택됨을 나타낸다.For example, the C1 to C4 alkyl groups may have 1 to 4 carbon atoms in the alkyl chain, i.e., the alkyl chain may be optionally substituted with one or more substituents selected from the group consisting of methyl, ethyl, propyl, iso-propyl, n-butyl, Indicating that they are selected from the group.

구체적인 예를 들어 상기 알킬기는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, t-부틸기, 펜틸기, 헥실기, 에테닐기, 프로페닐기, 부테닐기, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기 등을 의미한다.Specific examples of the alkyl group include a methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, isobutyl group, t-butyl group, pentyl group, hexyl group, ethenyl group, Butyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, and the like.

"방향족기"는 고리 형태인 작용기의 모든 원소가 p-오비탈을 가지고 있으며, 이들 p-오비탈이 공액(conjugation)을 형성하고 있는 작용기를 의미한다. 구체적인 예로 아릴기와 헤테로아릴기가 있다. "Aromatic group" means a functional group in which all elements of the ring-form functional group have p-orbital, and these p-orbital forms a conjugation. Specific examples thereof include an aryl group and a heteroaryl group.

"아릴(aryl)기"는 모노시클릭 또는 융합 고리 폴리시클릭(즉, 탄소원자들의 인접한 쌍들을 나눠 가지는 고리) 작용기를 포함한다. An "aryl group" includes a monocyclic or fused ring polycyclic (i. E., A ring that divides adjacent pairs of carbon atoms) functional groups.

"헤테로아릴(heteroaryl)기"는 아릴기 내에 N, O, S 및 P로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 1 내지 3개 함유하고, 나머지는 탄소인 것을 의미한다. 상기 헤테로아릴기가 융합고리인 경우, 각각의 고리마다 상기 헤테로 원자를 1 내지 3개 포함할 수 있다. "Heteroaryl group" means that the aryl group contains 1 to 3 heteroatoms selected from the group consisting of N, O, S and P, and the remainder is carbon. When the heteroaryl group is a fused ring, it may contain 1 to 3 heteroatoms in each ring.

본 명세서에서, 정공 특성이란, HOMO 준위를 따라 전도 특성을 가져 양극에서 형성된 정공의 발광층으로의 주입 및 발광층에서의 이동을 용이하게 하는 특성을 의미한다. In the present specification, the hole property means a property of facilitating the injection into the light emitting layer and the movement in the light emitting layer of the hole formed in the anode due to conduction characteristics along the HOMO level.

또한 전자 특성이란, LUMO 준위를 따라 전도 특성을 가져 음극에서 형성된 전자의 발광층으로의 주입 및 발광층에서의 이동을 용이하게 하는 특성을 의미한다.
Further, the electron characteristic means a property of facilitating the injection of electrons formed in the anode into the luminescent layer and the movement in the luminescent layer due to conduction characteristics along the LUMO level.

본 발명의 일 구현예에 따른 유기광전자소자용 재료는 적어도 하나의 페녹티아진 (phenothiazine) 또는 페녹사진 (phenoxazine)을 포함하는 코어에 아민기가 추가적으로 결합된 구조의 화합물을 포함할 수 있다. The organic optoelectronic device material according to the embodiment of the present invention may include a compound having a structure in which an amine group is additionally bonded to a core including at least one phenoxthiazine or phenoxazine.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 제1 전극을 준비하는 단계; 상기 제1 전극 상에 하기 화학식 1로 표시되는 적어도 하나의 화합물을 포함하는 유기광전자소자용 재료를 포함하는 정공주입층을 용액 공정을 이용하여 증착하는 단계; 상기 정공주입층 상에 정공수송층을 증착하는 단계; 상기 정공수송층 상에 발광층을 증착하는 단계; 상기 발광층 상에 전자 수송층을 증착하는 단계; 및 상기 전자수송층 상에 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 유기발광소자의 제조 방법을 제공한다. According to one embodiment of the invention, preparing a first electrode; Depositing a hole injection layer including a material for an organic optoelectronic device including at least one compound represented by Chemical Formula 1 on the first electrode by using a solution process; Depositing a hole transport layer on the hole injection layer; Depositing a light emitting layer on the hole transport layer; Depositing an electron transport layer on the light emitting layer; It provides a method of manufacturing an organic light emitting device comprising a; forming a second electrode on the electron transport layer.

[화학식 1][Formula 1]

Figure pat00013
Figure pat00013

상기 화학식 1에서, X1 및 X2는 독립적으로 -O- 또는 -S- 이고, Ar1 및 Ar2는 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기이고, R1 내지 R4는 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이고, R5 내지 R8은 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이다.In Formula 1, X 1 and X 2 are independently -O- or -S-, Ar 1 and Ar 2 are independently a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group or a substituted or unsubstituted C2 to C30 hetero Is an aryl group, R 1 to R 4 are independently a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, a substituted or unsubstituted C5 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 To C30 heteroaryl group or a combination thereof, R 5 to R 8 are independently hydrogen, deuterium, substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, substituted or unsubstituted C5 to C30 cycloalkyl group, substituted or unsubstituted C6 To C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group, or a combination thereof.

상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 비교적 특성이 우수한 페녹티아진 (phenothiazine) 또는 페녹사진 (phenoxazine)을 포함하는 화합물이다. Compound represented by the formula (1) is a compound containing phenoxthiazine (phenothiazine) or phenoxazine (relatively excellent properties).

또한, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 정공 특성이 우수한 아민기가 상기 화합물의 양쪽 말단에 치환되어 있는 구조이기 때문에 유기광전자 소자의 정공 주입층 또는 정공 수송층에 적합하게 이용될 수 있다. In addition, the compound represented by Formula 1 may be suitably used in the hole injection layer or the hole transport layer of the organic optoelectronic device because the amine group having excellent hole properties is substituted at both ends of the compound.

상기 화합물은 코어 부분과 코어 부분에 치환된 치환기에 다양한 또 다른 치환기를 도입함으로써 다양한 에너지 밴드 갭을 갖는 화합물이 될 수 있다. The compound may be a compound having various energy band gaps by introducing various other substituents into the core moiety and the substituents substituted in the core moiety.

치환기에 따라 적절한 에너지 준위를 가지는 화합물을 유기광전자소자에 사용함으로써, 효율 및 구동전압 면에서 우수한 효과를 가지고, 전기화학적 및 열적 안정성이 뛰어난 유기광전자소자를 제공할 수 있으며, 이러한 유기광전자소자는 구동시 수명 특성이 우수하다.By using a compound having an appropriate energy level according to the substituent in the organic optoelectronic device, it is possible to provide an organic optoelectronic device having an excellent effect in terms of efficiency and driving voltage, and excellent in electrochemical and thermal stability. Excellent service life characteristics

또한 상기 치환기의 적절한 치환에 의해 발광; 정공 또는 전자 특성; 막 안정성; 열적 안정성; 또는 높은 3중항 여기에너지(T1)을 가지는 유기광전자소자용 재료를 제조할 수 있다.Luminescence by appropriate substitution of the above substituents; Hole or electronic properties; Membrane stability; Thermal stability; Alternatively, an organic optoelectronic device material having a high triplet excitation energy (T1) can be produced.

상기 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 2로 표시될 수 있다. The compound represented by Chemical Formula 1 may be represented by the following Chemical Formula 2.

[화학식 2](2)

Figure pat00014
Figure pat00014

상기 화학식 2에서, X1 및 X2는 독립적으로 -O- 또는 -S- 이고, Ar1 및 Ar2는 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기이고, R1 내지 R4는 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이고, R5 내지 R8은 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이다.In Formula 2, X 1 and X 2 are independently -O- or -S-, Ar 1 and Ar 2 are independently a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group or a substituted or unsubstituted C2 to C30 hetero Is an aryl group, R 1 to R 4 are independently a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, a substituted or unsubstituted C5 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 To C30 heteroaryl group or a combination thereof, R 5 to R 8 are independently hydrogen, deuterium, substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, substituted or unsubstituted C5 to C30 cycloalkyl group, substituted or unsubstituted C6 To C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group, or a combination thereof.

상기 페녹티아진 (phenothiazine) 또는 페녹사진 (phenoxazine)에서 선택되는 두 개의 코어의 결합 위치가 상기 화학식 2로 표시되는 화합물과 같은 위치인 경우, 화합물의 합성이 용이하며, 화합물의 구조적 비틀림으로 인해 용매에 대한 용해도가 우수할 수 있다. 또한, 구조적 비틀림으로 인해 비결정질 구조를 가질 수 있다. When the binding position of two cores selected from the phenoxthiazine or phenoxazine is the same position as the compound represented by Formula 2, the synthesis of the compound is easy and the solvent is due to the structural twist of the compound. Solubility in may be good. In addition, structural torsion may have an amorphous structure.

상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 3으로 표시될 수 있다. The compound represented by Chemical Formula 1 may be represented by the following Chemical Formula 3.

[화학식 3](3)

Figure pat00015
Figure pat00015

상기 화학식 3에서, X1 및 X2는 독립적으로 -O- 또는 -S- 이고, Ar1 및 Ar2는 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기이고, R1 내지 R4는 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이고, R5 내지 R8은 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이다.In Formula 3, X 1 and X 2 are independently -O- or -S-, Ar 1 and Ar 2 are independently a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group or a substituted or unsubstituted C2 to C30 hetero Is an aryl group, R 1 to R 4 are independently a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, a substituted or unsubstituted C5 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 To C30 heteroaryl group or a combination thereof, R 5 to R 8 are independently hydrogen, deuterium, substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, substituted or unsubstituted C5 to C30 cycloalkyl group, substituted or unsubstituted C6 To C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group, or a combination thereof.

상기 화학식 3으로 표시되는 화합물의 경우, 전술한 화학식 1 또는 2로 표시되는 화합물에서 치환기인 아민의 결합 위치가 한정된 구조이다. In the case of the compound represented by Chemical Formula 3, the bonding position of the amine which is a substituent in the compound represented by Chemical Formula 1 or 2 is limited.

상기 화학식 3의 경우, 화합물의 합성이 용이하며, 화합물의 구조적 비틀림으로 인해 용매에 대한 용해도가 우수할 수 있다. 또한, 구조적 비틀림으로 인해 비결정질 구조를 가질 수 있다.In the case of Formula 3, the synthesis of the compound is easy, and due to the structural twist of the compound may be excellent in solubility in the solvent. In addition, structural torsion may have an amorphous structure.

상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 4로 표시될 수 있다. The compound represented by Chemical Formula 1 may be represented by the following Chemical Formula 4.

[화학식 4][Chemical Formula 4]

Figure pat00016
Figure pat00016

상기 화학식 4에서, X1 및 X2는 독립적으로 -O- 또는 -S- 이고, R1 내지 R4는 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이고, R5 내지 R8은 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이고, R9 및 R10는 독립적으로 수소, 중수소 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기다.In Formula 4, X 1 and X 2 are independently —O— or —S—, R 1 to R 4 are independently a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, a substituted or unsubstituted C5 to C30 cycloalkyl group , A substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group or a combination thereof, R 5 to R 8 is independently hydrogen, deuterium, substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group , A substituted or unsubstituted C5 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group, or a combination thereof, R 9 and R 10 are independently hydrogen, Deuterium or a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group.

상기 화학식 4로 표시되는 화합물과 같이 페녹티아진 (phenothiazine) 또는 페녹사진 (phenoxazine)의 질소에 치환 또는 비치환된 페닐기가 결합된 경우, 화합물의 판상 구조를 깨뜨려 분자가 필름 상태에서 비결정질 특성을 가질 수 있다. When a substituted or unsubstituted phenyl group is bonded to nitrogen of phenoxthiazine or phenoxazine, such as the compound represented by Formula 4, the molecule may have amorphous properties in the film state by breaking the plate-like structure of the compound. Can be.

상기 X1 및 X2는 -S-일 수 있다. X 1 and X 2 may be -S-.

상기 X1 및 X2는 -O-일 수 있다. X 1 and X 2 may be -O-.

상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 A-1 내지 A-6 중 어느 하나로 표시될 수 있다. 다만, 이에 제한되지는 않는다.The compound represented by Chemical Formula 1 may be represented by any one of the following Chemical Formulas A-1 to A-6. However, the present invention is not limited thereto.

[화학식 A-1] [화학식 A-2][Formula A-1] [Formula A-2]

Figure pat00017
Figure pat00018
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Figure pat00018

[화학식 A-3] [화학식 A-4][Formula A-3] [Formula A-4]

Figure pat00019
Figure pat00019

[화학식 A-5] [화학식 A-6][Formula A-5] [Formula A-6]

Figure pat00020

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상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 B-1 내지 B-6 중 어느 하나로 표시될 수 있다. 다만, 이에 제한되지는 않는다.The compound represented by Chemical Formula 1 may be represented by any one of the following Chemical Formulas B-1 to B-6. However, the present invention is not limited thereto.

[화학식 B-1] [화학식 B-2][Formula B-1] [Formula B-2]

Figure pat00021
Figure pat00022
Figure pat00021
Figure pat00022

[화학식 B-3] [화학식 B-4][Formula B-3] [Formula B-4]

Figure pat00023
Figure pat00023

[화학식 B-5] [화학식 B-6][Formula B-5] [Formula B-6]

Figure pat00024

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상기 유기광전자소자용 재료는 광활성 및 전기적인 활성을 갖고 있으므로, 비선형 광학소재, 전극 재료, 변색재료, 광 스위치, 센서, 모듈, 웨이브 가이드, 유기 트렌지스터, 레이저, 광 흡수체, 유전체 및 분리막(membrane) 등의 재료로도 매우 유용하게 적용될 수 있다. Since the organic optoelectronic device has photoactive and electrical activity, nonlinear optical materials, electrode materials, discoloration materials, optical switches, sensors, modules, waveguides, organic transistors, lasers, light absorbers, dielectrics, and membranes It can also be very usefully applied to such materials.

본 발명의 일 구현예에 따른 유기광전자소자용 재료는 유기박막층에 사용되어 유기광전자소자의 수명 특성, 효율 특성, 전기화학적 안정성 및 열적 안정성을 향상시키며, 구동전압을 낮출 수 있다. The organic optoelectronic device material according to the embodiment of the present invention is used in the organic thin film layer to improve the life characteristics, efficiency characteristics, electrochemical stability and thermal stability of the organic optoelectronic device, it is possible to lower the driving voltage.

이에 따라 본 발명의 일 구현예는 상기 유기광전자소자용 재료를 포함하는 유기광전자소자를 제공한다. 이 때, 상기 유기광전자소자라 함은 유기광전소자, 유기발광소자, 유기 태양 전지, 유기 트랜지스터, 유기 감광체 드럼, 유기 메모리 소자 등을 의미한다. 특히, 유기 태양 전지의 경우에는 본 발명의 일 구현예에 따른 유기광전자소자용 재료가 전극이나 전극 버퍼층에 포함되어 양자 효율을 증가시키며, 유기 트랜지스터의 경우에는 게이트, 소스-드레인 전극 등에서 전극 물질로 사용될 수 있다.Accordingly, one embodiment of the present invention provides an organic optoelectronic device comprising the material for the organic optoelectronic device. Here, the organic photoelectrode refers to an organic photoelectric device, an organic light emitting device, an organic solar cell, an organic transistor, an organic photoconductor drum, an organic memory device, or the like. In particular, in the case of an organic solar cell, the material for an organic optoelectronic device according to an embodiment of the present invention is included in an electrode or an electrode buffer layer to increase quantum efficiency. Can be used.

본 발명의 다른 일 구현예는 양극, 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 개재되는 적어도 한 층 이상의 유기박막층을 포함하는 유기발광소자에 있어서, 상기 유기박막층 중 적어도 어느 한 층은 본 발명의 일 구현예에 따른 유기광전자소자용 재료를 포함하는 유기발광소자를 제공한다.Another embodiment of the present invention is an organic light emitting device comprising an anode, a cathode and at least one organic thin film layer interposed between the anode and the cathode, at least any one of the organic thin film layer is an embodiment of the present invention It provides an organic light emitting device comprising a material for an organic optoelectronic device according to.

상기 유기광전자소자용 재료를 포함할 수 있는 유기박막층으로는 발광층, 정공수송층, 정공주입층, 전자수송층, 전자주입층, 정공차단층 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 층을 포함할 수 있는 바, 이 중에서 적어도 어느 하나의 층은 본 발명에 따른 유기광전자소자용 재료를 포함한다. 특히, 정공수송층 또는 정공주입층에 본 발명의 일 구현예에 따른 유기광전자소자용 화합물을 포함할 수 있다. 또한, 상기 유기광전자소자용 화합물이 발광층 내에 포함되는 경우 상기 유기광전자소자용 재료는 인광 또는 형광호스트로서 포함될 수 있고, 특히, 형광 청색 도펀트 재료로서 포함될 수 있다.The organic thin film layer which may include the organic optoelectronic device material may include a layer selected from the group consisting of a light emitting layer, a hole transport layer, a hole injection layer, an electron transport layer, an electron injection layer, a hole blocking layer, and a combination thereof. At least one of the layers includes the material for an organic optoelectronic device according to the present invention. In particular, the hole transport layer or the hole injection layer may include the compound for organic optoelectronic devices according to an embodiment of the present invention. In addition, when the compound for an organic optoelectronic device is included in a light emitting layer, the material for an organic optoelectronic device may be included as a phosphorescent or fluorescent host, and in particular, may be included as a fluorescent blue dopant material.

도 1 내지 도 5는 본 발명의 일 구현예에 따른 유기광전자소자용 재료를 포함하는 유기발광소자의 단면도이다.1 to 5 are sectional views of an organic light emitting device including a material for an organic optoelectronic device according to an embodiment of the present invention.

도 1 내지 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 구현예에 따른 유기발광소자(100, 200, 300, 400 및 500)는 양극(120), 음극(110) 및 이 양극과 음극 사이에 개재된 적어도 1층의 유기박막층(105)을 포함하는 구조를 갖는다.1 to 5, organic light emitting devices 100, 200, 300, 400, and 500 according to an embodiment of the present invention include a cathode 120, a cathode 110, And a structure including at least one organic thin film layer (105).

상기 양극(120, 제1 전극)은 양극 물질을 포함하며, 이 양극 물질로는 통상 유기박막층으로 정공주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 상기 양극 물질의 구체적인 예로는 니켈, 백금, 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금을 들 수 있고, 아연산화물, 인듐산화물, 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO)과 같은 금속 산화물을 들 수 있고, ZnO와 Al 또는 SnO2와 Sb와 같은 금속과 산화물의 조합을 들 수 있고, 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](polyehtylenedioxythiophene: PEDT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 바람직하게는 상기 양극으로 ITO(indium tin oxide)를 포함하는 투명전극을 사용할 수 있다.The anode 120 and the first electrode include a cathode material, and a material having a large work function is preferable as the anode material so that hole injection can be smoothly injected into the organic thin film layer. Specific examples of the positive electrode material include metals such as nickel, platinum, vanadium, chromium, copper, zinc, and gold or alloys thereof, and include zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO). And metal oxides such as ZnO and Al, or combinations of metals and oxides such as SnO 2 and Sb, and poly (3-methylthiophene), poly [3,4- (ethylene-1, 2-dioxy) thiophene] (conductive polymers such as polyehtylenedioxythiophene (PEDT), polypyrrole and polyaniline, etc.), but is not limited thereto. Preferably, a transparent electrode including indium tin oxide (ITO) may be used as the anode.

상기 음극(110, 제2 전극)은 음극 물질을 포함하여, 이 음극 물질로는 통상 유기박막층으로 전자주입이 용이하도록 일 함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석, 납, 세슘, 바륨 등과 같은 금속 또는 이들의 합금을 들 수 있고, LiF/Al, LiO2/Al, LiF/Ca, LiF/Al 및 BaF2/Ca과 같은 다층 구조 물질 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 바람직하게는 상기 음극으로 알루미늄 등과 같은 금속전극을 사용할 수 있다.The negative electrode 110 and the second electrode include a negative electrode material, and the negative electrode material is generally a material having a small work function to facilitate electron injection into the organic thin film layer. Specific examples of the negative electrode material include metals such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin, lead, cesium, barium and the like, , LiO 2 / Al, LiF / Ca, LiF / Al, and BaF 2 / Ca. However, the present invention is not limited thereto. Preferably, a metal electrode such as aluminum may be used as the cathode.

먼저 도 1을 참조하면, 도 1은 유기박막층(105)으로서 발광층(130)만이 존재하는 유기발광소자(100)를 나타낸 것으로, 상기 유기박막층(105)은 발광층(130)만으로 존재할 수 있다.1 illustrates an organic light emitting device 100 in which only a light emitting layer 130 is present as an organic thin film layer 105. The organic thin film layer 105 may exist only in the light emitting layer 130. FIG.

도 2를 참조하면, 도 2는 유기박막층(105)으로서 전자수송층을 포함하는 발광층(230)과 정공수송층(140)이 존재하는 2층형 유기발광소자(200)를 나타낸 것으로, 도 2에 나타난 바와 같이, 유기박막층(105)은 발광층(230) 및 정공 수송층(140)을 포함하는 2층형일 수 있다. 이 경우 발광층(130)은 전자 수송층의 기능을 하며, 정공 수송층(140)은 ITO와 같은 투명전극과의 접합성 및 정공수송성을 향상시키는 기능을 한다.2 illustrates a two-layer organic light emitting device 200 having a light emitting layer 230 including an electron transporting layer and a hole transporting layer 140 as an organic thin film layer 105. As shown in FIG. 2, Similarly, the organic thin film layer 105 may be of a two-layer type including a light emitting layer 230 and a hole transporting layer 140. In this case, the light emitting layer 130 functions as an electron transporting layer, and the hole transporting layer 140 functions to improve the bonding property with a transparent electrode such as ITO and the hole transporting property.

도 3을 참조하면, 도 3은 유기박막층(105)으로서 전자수송층(150), 발광층(130) 및 정공수송층(140)이 존재하는 3층형 유기발광소자(300)로서, 상기 유기박막층(105)에서 발광층(130)은 독립된 형태로 되어 있고, 전자수송성이나 정공수송성이 우수한 막(전자수송층(150) 및 정공수송층(140))을 별도의 층으로 쌓은 형태를 나타내고 있다.3 is a three-layer organic light emitting device 300 in which an electron transport layer 150, a light emitting layer 130 and a hole transport layer 140 are present as an organic thin film layer 105. The organic thin film layer 105, The emissive layer 130 is in the form of an independent layer and has a form in which a film having excellent electron transportability and hole transportability (the electron transport layer 150 and the hole transport layer 140) is stacked as a separate layer.

도 4를 참조하면, 도 4는 유기박막층(105)으로서 전자주입층(160), 발광층(130), 정공수송층(140) 및 정공주입층(170)이 존재하는 4층형 유기발광소자(400)로서, 상기 정공주입층(170)은 양극으로 사용되는 ITO와의 접합성을 향상시킬 수 있다.4, a four-layer organic light emitting device 400 having an electron injection layer 160, a light emitting layer 130, a hole transport layer 140, and a hole injection layer 170 as organic thin film layers 105, And the hole injection layer 170 can improve the bonding property with ITO used as the anode.

도 5를 참조하면, 도 5는 유기박막층(105)으로서 전자주입층(160), 전자수송층(150), 발광층(130), 정공수송층(140) 및 정공주입층(170)과 같은 각기 다른 기능을 하는 5개의 층이 존재하는 5층형 유기발광소자(500)를 나타내고 있으며, 상기 유기발광소자(500)는 전자주입층(160)을 별도로 형성하여 저전압화에 효과적이다.5, the organic thin film layer 105 has different functions such as an electron injection layer 160, an electron transport layer 150, a light emitting layer 130, a hole transport layer 140, and a hole injection layer 170 Layer organic light emitting device 500. The organic light emitting device 500 is effective for lowering the voltage by forming the electron injection layer 160 separately.

상기 도 1 내지 도 5에서 상기 유기박막층(105)을 이루는 전자 수송층(150), 전자 주입층(160), 발광층(130, 230), 정공 수송층(140), 정공 주입층(170) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나는 상기 유기광전자소자용 화합물을 포함한다. 이 때 상기 유기광전자소자용 화합물은 상기 전자 수송층(150) 또는 전자주입층(160)을 포함하는 전자수송층(150)에 사용될 수 있으며, 그중에서도 전자수송층에 포함될 경우 정공 차단층(도시하지 않음)을 별도로 형성할 필요가 없어 보다 단순화된 구조의 유기발광소자를 제공할 수 있어 바람직하다.1 to 5, the electron transport layer 150, the electron injection layer 160, the light emitting layers 130 and 230, the hole transport layer 140, the hole injection layer 170, and the organic thin film layer 105, And combinations thereof include compounds for the organic optoelectronic devices. At this time, the compound for an organic optoelectronic device can be used for the electron transport layer 150 or the electron transport layer 150 including the electron injection layer 160, and when included in the electron transport layer, a hole blocking layer (not shown) It is not necessary to form them separately, and an organic light emitting device having a more simplified structure can be provided.

또한, 상기 유기광전자소자용 화합물이 발광층(130, 230) 내에 포함되는 경우 상기 유기광전자소자용 재료는 인광 또는 형광호스트로서 포함될 수 있으며, 또는 형광 청색 도펀트로서 포함될 수 있다.In addition, when the compound for an organic optoelectronic device is included in the light emitting layers 130 and 230, the material for the organic optoelectronic device may be included as a phosphorescent or fluorescent host, or may be included as a fluorescent blue dopant.

상기에서 설명한 유기발광소자는, 기판에 양극을 형성한 후, 스핀코팅(spin coating), 침지법(dipping), 유동코팅법(flow coating)과 같은 용액 공정(또는 습식성막법) 등으로 유기박막층을 형성한 후, 그 위에 음극을 형성하여 제조할 수 있다. In the organic light emitting device described above, the organic thin film layer is formed by a solution process (or a wet film method) such as spin coating, dipping, flow coating after forming an anode on a substrate. After forming, it can be prepared by forming a cathode thereon.

상기 유기박막층을 형성하는 다양한 방법에 있어서, 상기 본 발명의 일 구현예에 따른 2종의 화합물은 동시 또는 순차적으로 유기박막층으로 형성될 수 있다. In various methods of forming the organic thin film layer, the two compounds according to the embodiment of the present invention may be formed of the organic thin film layer simultaneously or sequentially.

구체적인 예를 들어, 상기 화학식 A-1로 표시되는 화합물 및 화학식 B-1로 표시되는 화합물을 혼합하여 혼합물을 제조한 후, 상기 혼합물을 전술한 유기박막층을 형성하는 방법을 이용하여 상기 양극 상에 증착할 수 있다. For example, after preparing a mixture by mixing the compound represented by Formula A-1 and the compound represented by Formula B-1, the mixture is formed on the anode by using the method of forming the organic thin film layer described above. Can be deposited.

또한, 상기 화학식 A-1로 표시되는 화합물 및 화학식 B-1로 표시되는 화합물을 별도로 준비하여 동시 또는 순차적으로 상기 양극 상에 증착할 수 있다. In addition, the compound represented by Formula A-1 and the compound represented by Formula B-1 may be separately prepared and deposited on the anode simultaneously or sequentially.

상기 증착 방법은 목적하는 효과에 따라 선택될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. The deposition method may be selected according to the desired effect, but is not limited thereto.

본 발명의 또 다른 일 구현예에 따르면, 상기 유기발광소자를 포함하는 표시장치를 제공한다.According to another embodiment of the present invention, there is provided a display device including the organic light emitting device.

이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예들을 제시한다. 다만, 하기에 기재된 실시예들은 본 발명을 구체적으로 예시하거나 설명하기 위한 것에 불과하며, 이로서 본 발명이 제한되어서는 아니된다.
Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described. However, the embodiments described below are only intended to illustrate or explain the present invention, and thus the present invention should not be limited thereto.

(유기광전자소자용 화합물의 제조)(Preparation of compound for organic optoelectronic device)

합성예Synthetic example 1: 화합물 A-3의 제조 1: Preparation of Compound A-3

[반응식 1][Reaction Scheme 1]

Figure pat00025
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제1단계; 중간체 생성물(1)의 합성First step; Synthesis of Intermediate Product (1)

페노티아진(phenothiazine) 3 g (15 mmol), 소디움 터셔리부톡사이드(sodium tert-butoxide) 4.27 g (45mmol) 및 트리(디벤질리덴아세톤) 디팔라듐(tris(dibenzylideneacetone) dipalladium) 0.255 g (0.3 mmol) 을 질소 조건에서 첨가하고 톨루엔 150 ml에 현탁 시킨 후 트리-t-부틸포스핀(tri-t-butylphosphine) 1 ml 와 1-브로모-t-부틸-벤젠(1-bromo-t-butyl-benzen) 2.88 ml (16.5 mmol)을 넣고 110℃에서 1시간 환류 교반한다. 반응 종료 후 상기 반응액에 12 M HCl 3.7 ml 를 증류수 50 ml에 희석하여 첨가하고, 증류수와 클로로폼으로 추출하고, MgSO4에 여과한 후 감압 농축한다. 클로로폼과 메탄올을 이용해 재침전을 하고 숏컬럼하여 중간체 생성물 (1) 4.47g (수율: 90%)을 수득하였다.
3 g (15 mmol) of phenothiazine, 4.27 g (45 mmol) of sodium tert-butoxide and 0.255 g (0.3) of triben (dibenzylideneacetone) dipalladium (tris) mmol) was added under nitrogen and suspended in 150 ml of toluene, followed by 1 ml of tri-t-butylphosphine and 1-bromo-t-butyl-benzene (1-bromo-t-butyl). -benzen) 2.88 ml (16.5 mmol) was added thereto, and the mixture was stirred under reflux at 110 ° C for 1 hour. After completion of the reaction, 3.7 ml of 12 M HCl was added to the reaction solution in 50 ml of distilled water, extracted with distilled water and chloroform, filtered over MgSO 4 , and concentrated under reduced pressure. Reprecipitation was carried out using chloroform and methanol and shotcolumn to obtain 4.47 g (yield: 90%) of the intermediate product (1).

제2단계; 중간체 생성물(2)의 합성A second step; Synthesis of Intermediate Product (2)

제 1단계에서 합성한 중간체 생성물 (1) 3 g (9 mmol)과 n-브로모석신이미드(n-bromosuccinimide) 1.4 g (8 mmol)을 사염화탄소 250 ml에 현탁하고 질소 분위기에서 0℃를 유지하면서 교반한다. 반응 종류 후 상기 반응액을 클로로폼 : 헥세인 = 19 : 1 (v/v) 으로 실리카겔 컬럼 하여 중간체 생성물 (2) 2.0g (수율 : 54%) 을 수득하였다.
3 g (9 mmol) of the intermediate product (1) synthesized in the first step and 1.4 g (8 mmol) of n-bromosuccinimide were suspended in 250 ml of carbon tetrachloride and maintained at 0 ° C. in a nitrogen atmosphere. Stir while. After the reaction, the reaction solution was subjected to silica gel column with chloroform: hexane = 19: 1 (v / v) to give 2.0 g (yield: 54%) of the intermediate product (2).

제3단계; 중간체 생성물(3)의 합성A third step; Synthesis of Intermediate Product (3)

제 2단계에서 합성한 중간체 생성물 (2) 3 g (7.3 mmol)을 질소 조건에서 테트라하이드로퓨란(tetrahydrofuran, THF) 250ml 에 현탁 시킨 후 -78℃에서 n-BuLi 9.2 ml (15 mmol) 을 천천히 넣는다. -78℃에서 30분 교반 후 2-이소프로폭시-4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보롤란(2-isopropoxy-4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane) 3 ml (15 mmol) 을 첨가한다. 반응 종료 후 상기 반응액을 증류수와 디에틸에테르로 추출하고, MgSO4에 여과한 후 감압 농축한다. 테트라하이드로퓨란 및 아세토니트릴(acetonitrile, AN)으로 재침전 한 후 고체를 다시 아세토니트릴로 2회 씻어내어 중간체 생성물 (3) 2.27g (수율: 68%) 을 수득하였다.
3 g (7.3 mmol) of the intermediate product (2) synthesized in the second step was suspended in 250 ml of tetrahydrofuran (THF) under nitrogen, and then slowly added 9.2 ml (15 mmol) of n-BuLi at -78 ° C. . 2-isopropoxy-4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan (2-isopropoxy-4,4,5,5-tetramethyl- after 30 minutes stirring at -78 ° C) 1,3,2-dioxaborolane) 3 ml (15 mmol) are added. After completion of the reaction, the reaction solution was extracted with distilled water and diethyl ether, filtered through MgSO 4 and concentrated under reduced pressure. After reprecipitation with tetrahydrofuran and acetonitrile (AN), the solid was washed again with acetonitrile twice to give 2.27 g (yield: 68%) of intermediate product (3).

제4단계; 중간체 생성물(4)의 합성Step 4; Synthesis of Intermediate Product (4)

제 2단계에서 합성한 중간체 생성물 (2) 1.5 g (3.7 mmol), 제 3단계에서 합성한 중간체 생성물 (3) 1.12 g (2.7 mmol) 및 팔라듐(II) 아세테이트(palladium(Ⅱ)acetate) 0.18 g (0.82 mmol), 트리스(2-메틸페닐)포스핀(tris(2-methylphenyl)phosphine) 0.25 g (0.8 mmol)을 질소 조건에서 첨가하고 1,2-디메톡시에텐(1,2-dimethoxyethene) 20 ml에 현탁한다. 그 후 K2CO3 1.70g (12.5 mmol) 을 증류수와 디메틸에테르 1 : 1 (20 ml : 20 ml) 혼합용액에 녹여 상기 반응액에 첨가하여 환류 교반한다. 반응 종료 후 증류수와 디에틸에테르 로 추출하고, MgSO4에 여과한 후 감압 농축한다. 클로로폼과 아세토니트릴로 재침전 한 후 고체를 다시 아세토니트릴로 2회 씻어내어 중간체 생성물 (4) 1.55g (수율: 87%) 을 수득하였다.
1.5 g (3.7 mmol) of the intermediate product (2) synthesized in the second step, 1.12 g (2.7 mmol) of the intermediate product (3) synthesized in the third step and 0.18 g of palladium (II) acetate. (0.82 mmol), 0.25 g (0.8 mmol) of tris (2-methylphenyl) phosphine were added under nitrogen, and 1,2-dimethoxyethene 20 Suspension in ml. Thereafter, 1.70 g (12.5 mmol) of K 2 CO 3 is dissolved in a mixed solution of distilled water and dimethyl ether 1: 1 (20 ml: 20 ml), added to the reaction solution, and the mixture is stirred under reflux. After completion of the reaction, the mixture was extracted with distilled water and diethyl ether, filtered through MgSO 4 , and concentrated under reduced pressure. After reprecipitation with chloroform and acetonitrile, the solid was washed again with acetonitrile twice to give 1.55 g (yield: 87%) of the intermediate product (4).

제5단계; 중간체 생성물(5)의 합성Step 5; Synthesis of Intermediate Product (5)

제4단계에서 합성한 중간체 생성물 (4) 1 g (1.5 mmol)과 n-브로모석신이미드(n-bromosuccinimide) 0.32 g (1.8 mmol)을 사염화탄소 100 ml와 아세트산 10ml 에서 교반한다. 반응 종류 후 상기 반응액을 클로로폼 : 헥세인 = 19 : 1 (v/v) 으로 실리카겔 컬럼 하여 중간체 생성물 (5) 1.0g (수율: 84%) 을 수득하였다
1 g (1.5 mmol) of the intermediate product (4) synthesized in the fourth step and 0.32 g (1.8 mmol) of n-bromosuccinimide are stirred in 100 ml of carbon tetrachloride and 10 ml of acetic acid. After the reaction, the reaction solution was subjected to silica gel column with chloroform: hexane = 19: 1 (v / v) to give 1.0 g (yield: 84%) of the intermediate product (5).

제6단계: 화학식 A-3의 화합물 합성Step 6: Synthesis of Compound of Formula A-3

제5단계에서 합성한 중간체 생성물 (5) 0.5 g (0.6 mmol), 바이펜-4-일-나프탈렌-1-일-아민(biphen-4-yl-naphthalen-1-yl-amine) 0.43g (1.4 mmol) 및 소디움 터셔리-부톡사이드(sodium tert-butoxide) 0.42 g (4.3 mmol), 트리스(디벤질리덴아세톤) 디팔라듐(tris(dibenzylideneacetone) dipalladium) 0.04 g (0.04 mmol) 을 질소 조건에서 첨가하고 톨루엔 100 ml 에 현탁 시킨 후 트리-t-부틸포스핀(tri-t-butylphosphine) 1 ml 를 넣고 질소조건에서 110℃를 유지하면서 4시간 환류 교반한다. 반응 종료 후 12M HCl 0.36 ml 를 증류수 30 ml 에 희석하여 첨가하고, 증류수와 클로로폼으로 추출하고, MgSO4에 여과한 후 감압 농축한다. THF와 에탄올로 재침전 한 후 고체를 벤젠으로 숏컬럼하여 화학식 A-3의 화합물 0.46g (수율: 61%)을 수득하였다.
0.5 g (0.6 mmol) of the intermediate product (5) synthesized in Step 5, 0.43 g of biphen-4-yl-naphthalen-1-yl-amine ( 1.4 mmol) and 0.42 g (4.3 mmol) of sodium tert-butoxide, 0.04 g (0.04 mmol) of tris (dibenzylideneacetone) dipalladium (tris (dibenzylideneacetone) dipalladium) were added under nitrogen. After suspension in 100 ml of toluene, 1 ml of tri-t-butylphosphine was added thereto, and the mixture was stirred under reflux for 4 hours while maintaining at 110 ° C. under nitrogen. After the reaction was completed, 0.36 ml of 12M HCl was added to 30 ml of distilled water, extracted with distilled water and chloroform, filtered over MgSO 4 , and concentrated under reduced pressure. After reprecipitation with THF and ethanol, the solid was short-column with benzene to obtain 0.46 g of compound of formula A-3 (yield: 61%).

합성예Synthetic example 2: 화합물 B-3의 제조 2: Preparation of Compound B-3

[반응식 2][Reaction Scheme 2]

Figure pat00026
Figure pat00026

제1단계; 중간체 생성물(1)의 합성First step; Synthesis of Intermediate Product (1)

페노옥사진(phenoxaine) 5 g (26 mmol), 소디움 터셔리-부톡사이드(sodium tert-butoxide) 7.86 g (79mmol) 및 트리스(디벤질리덴아세톤) 디팔라듐(tris(dibenzylideneacetone) dipalladium) 0.73 g (0.8 mmol) 을 질소 조건에서 첨가하고 톨루엔 250ml 에 현탁 시킨 후 트리-t-부틸포스핀(tri-t-butylphosphine) 5 ml 와 1-브로모-t-부틸-벤젠(1-bromo-t-butyl-benzene) 5 ml을 넣고 110℃에서 3시간 환류 교반한다. 5 g (26 mmol) of phenoxaine, 7.86 g (79 mmol) of sodium tert-butoxide and 0.73 g of dibenzylideneacetone dipalladium (tris) 0.8 mmol) was added under nitrogen and suspended in 250 ml of toluene, followed by 5 ml of tri-t-butylphosphine and 1-bromo-t-butyl-benzene (1-bromo-t-butyl). add 5 ml of benzene and stir at reflux for 3 hours at 110 ° C.

반응 종료 후 상기 반응액에 12 M HCl 6.8 ml 를 증류수 100 ml에 희석하여 첨가하고, 증류수와 클로로폼으로 추출하고, MgSO4에 여과한 후 감압 농축한다. THF와 메탄올을 이용해 재침전하여 중간체 생성물 (1) 7.71g (수율: 94%)을 수득하였다.
After completion of the reaction, 6.8 ml of 12 M HCl was added to the reaction solution in 100 ml of distilled water, extracted with distilled water and chloroform, filtered over MgSO 4 , and concentrated under reduced pressure. Reprecipitation with THF and methanol gave 7.71 g (yield: 94%) of intermediate product (1).

제2단계; 중간체 생성물(2)의 합성A second step; Synthesis of Intermediate Product (2)

제 1단계에서 합성한 중간체 생성물 (1) 3 g (9 mmol)과 n-브로모석신이미드(n-bromosuccinimide) 1.4 g (8 mmol)을 사염화탄소 200 ml에 현탁하고 질소 분위기에서 40℃ 내지 50℃를 유지하면서 환류 교반한다. 반응 종료 후 상기 반응액을 분리하여 n-브로모석신이미드(n-bromosuccinimide)를 제거한 후 디에틸에테르와 헥세인을 이용해 재침전하여 중간체 생성물 (2) 3.55g (수율: 73%) 을 수득하였다.
3 g (9 mmol) of the intermediate product (1) synthesized in the first step and 1.4 g (8 mmol) of n-bromosuccinimide were suspended in 200 ml of carbon tetrachloride and 40 ° C. to 50 ° C. in a nitrogen atmosphere. It is stirred at reflux while maintaining the ℃. After the reaction was completed, the reaction solution was separated to remove n-bromosuccinimide and reprecipitated with diethyl ether and hexane to give 3.55 g (yield: 73%) of the intermediate product (2). .

제3단계; 중간체 생성물(3)의 합성A third step; Synthesis of Intermediate Product (3)

제 2단계에서 합성한 중간체 생성물 (2) 3 g (7.6 mmol)을 질소 조건에서 THF 150ml 에 현탁 시킨 후 -78℃에서 n-BuLi 9.5 ml (15 mmol) 을 천천히 넣는다. -78℃에서 30분 교반 후 2-이소프로폭시-4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보롤란(2-isopropoxy-4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane) 3 ml (15 mmol) 을 첨가한다. 3 g (7.6 mmol) of the intermediate product (2) synthesized in the second step was suspended in 150 ml of THF under nitrogen, and 9.5 ml (15 mmol) of n-BuLi was slowly added at -78 ° C. 2-isopropoxy-4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan (2-isopropoxy-4,4,5,5-tetramethyl- after 30 minutes stirring at -78 ° C) 1,3,2-dioxaborolane) 3 ml (15 mmol) are added.

반응 종료 후 상기 반응액을 증류수와 디에틸에테르로 추출하고, MgSO4에 여과한 후 감압 농축한다. 헥세인으로 고체를 씻어내어 중간체 생성물 (3) 2.25g (수율: 67%)을 수득하였다.
After completion of the reaction, the reaction solution was extracted with distilled water and diethyl ether, filtered through MgSO 4 and concentrated under reduced pressure. The solid was washed with hexane to give 2.25 g (yield 67%) of intermediate product (3).

제4단계; 중간체 생성물(4)의 합성Step 4; Synthesis of Intermediate Product (4)

제 2단계에서 합성한 중간체 생성물 (2) 1 g (2.5 mmol), 제 3단계에서 합성한 중간체 생성물 (3) 1.12 g (2.5 mmol) 및 팔라듐(II) 아세테이트(palladium(Ⅱ)acetate) 0.17 g (0.83 mmol), 트리스(2-메틸페닐)포스핀(tris(2-methylphenyl)phosphine) 0.30 g (0.7 mmol)을 질소 조건에서 첨가하고 1,2-디메톡시에텐(1,2-dimethoxyethene) 20 ml에 현탁한다. 1 g (2.5 mmol) of the intermediate product (2) synthesized in the second step, 1.12 g (2.5 mmol) of the intermediate product (3) synthesized in the third step, and 0.17 g of palladium (II) acetate. (0.83 mmol), 0.30 g (0.7 mmol) of tris (2-methylphenyl) phosphine were added under nitrogen, and 1,2-dimethoxyethene 20 Suspension in ml.

그 후 K2CO3 1.70g (12.5 mmol) 을 증류수와 디메틸에테르 1 : 1 (20 ml : 20 ml) 혼합용액에 녹여 상기 반응액에 첨가하여 환류 교반한다. 반응 종료 후 증류수와 디에틸에테르로 추출하고, MgSO4에 여과한 후 감압 농축한다. THF와 에탄올을 이용해 재침전 한 후 고체를 다시 에탄올로 2회 씻어내어 중간체 생성물 (4) 1.34g (수율: 85%) 을 수득하였다.
Thereafter, 1.70 g (12.5 mmol) of K 2 CO 3 is dissolved in a mixed solution of distilled water and dimethyl ether 1: 1 (20 ml: 20 ml), added to the reaction solution, and the mixture is stirred under reflux. After completion of the reaction, the mixture was extracted with distilled water and diethyl ether, filtered through MgSO 4 , and concentrated under reduced pressure. After reprecipitation with THF and ethanol, the solid was washed again with ethanol twice to give 1.34 g (yield: 85%) of intermediate product (4).

제5단계; 중간체 생성물(5)의 합성Step 5; Synthesis of Intermediate Product (5)

제 4단계에서 합성한 중간체 생성물 (4) 4 g (6.36 mmol), NBS 2.5 g (6.99 mmol) 을 아세트산 100 ml 와 클로로폼 200 ml 에 현탁한 후 1시간 교반한다. 반응 종료 후 증류수와 클로로폼으로 추출하고, MgSO4에 여과한 후 감압 농축한다. THF와 메탄올을 이용해 재침전하여 중간체 생성물 (5) 2.95g (수율: 59%)을 수득하였다4 g (6.36 mmol) of the intermediate product (4) synthesized in the fourth step and 2.5 g (6.99 mmol) of NBS are suspended in 100 ml of acetic acid and 200 ml of chloroform, followed by stirring for 1 hour. After completion of the reaction, the mixture was extracted with distilled water and chloroform, filtered through MgSO 4 , and concentrated under reduced pressure. Reprecipitation with THF and methanol gave 2.95 g (yield: 59%) of the intermediate product (5).

..

제6단계: 화학식 B-3의 화합물 합성Step 6: Synthesis of Compound of Formula B-3

제 5단계에서 합성한 중간체 생성물 (5) 0.5 g (0.6 mmol), 바이펜-4-일-나프탈렌-1-일-아민(biphen-4-yl-naphthalen-1-yl-amine) 0.41g (1.4 mmol) 및 소디움 터셔리-부톡사이드(sodium tert-butoxide) 0.40 g (4.1 mmol), 트리스(디벤질리덴아세톤) 디팔라듐(tris(dibenzylideneacetone) dipalladium) 0.04 g (0.04 mmol) 을 질소 조건에서 첨가하고 톨루엔 100 ml 에 현탁 시킨 후 트리-t-부틸포스핀(tri-t-butylphosphine) 1 ml 를 넣고 질소조건에서 110℃를 유지하면서 4시간 환류 교반한다. 0.5 g (0.6 mmol) of the intermediate product (5) synthesized in the fifth step, 0.41 g of biphen-4-yl-naphthalen-1-yl-amine ( 1.4 mmol) and 0.40 g (4.1 mmol) of sodium tert-butoxide and 0.04 g (0.04 mmol) of tris (dibenzylideneacetone) dipalladium (tris (dibenzylideneacetone) dipalladium) were added under nitrogen. After suspension in 100 ml of toluene, 1 ml of tri-t-butylphosphine was added thereto, and the mixture was stirred under reflux for 4 hours while maintaining at 110 ° C. under nitrogen.

반응 종료 후 12M HCl 0.34 ml 를 증류수 30 ml 에 희석하여 첨가하고, 증류수와 클로로폼으로 추출하고, MgSO4에 여과한 후 감압 농축한다. THF와 에탄올로 재침전 한 후 다시 한 번 THF와 아세토니트릴로 재침전 한 후 벤젠 : 헥세인 = 2 : 3 (v/v) 으로 실리카겔 컬럼 하여 화학식 B-3의 화합물 0.31g (수율: 43%) 을 수득하였다.
After completion of the reaction, 0.34 ml of 12M HCl was added to 30 ml of distilled water, extracted with distilled water and chloroform, filtered over MgSO 4 , and concentrated under reduced pressure. After reprecipitation with THF and ethanol, once again after reprecipitation with THF and acetonitrile, 0.31 g of the compound of formula B-3 was obtained by silica gel column with benzene: hexane = 2: 3 (v / v) (yield: 43% ) Was obtained.

합성예Synthetic example 3: 화합물 B-1의 제조 3: Preparation of Compound B-1

[반응식 3]Scheme 3

Figure pat00027
Figure pat00027

제1단계; 중간체 생성물(1)의 합성First step; Synthesis of Intermediate Product (1)

페노옥사진(phenoxaine) 5 g (26 mmol), 소디움 터셔리-부톡사이드(sodium tert-butoxide) 7.86 g (79mmol) 및 트리스(디벤질리덴아세톤) 디팔라듐(tris(dibenzylideneacetone) dipalladium) 0.73 g (0.8 mmol) 을 질소 조건에서 첨가하고 톨루엔 250ml 에 현탁 시킨 후 트리-t-부틸포스핀(tri-t-butylphosphine) 5 ml 와 1-브로모-t-부틸-벤젠(1-bromo-t-butyl-benzene) 5 ml을 넣고 110℃에서 3시간 환류 교반한다. 5 g (26 mmol) of phenoxaine, 7.86 g (79 mmol) of sodium tert-butoxide and 0.73 g of dibenzylideneacetone dipalladium (tris) 0.8 mmol) was added under nitrogen and suspended in 250 ml of toluene, followed by 5 ml of tri-t-butylphosphine and 1-bromo-t-butyl-benzene. add 5 ml of benzene and stir at reflux for 3 hours at 110 ° C.

반응 종료 후 상기 반응액에 12 M HCl 6.8 ml 를 증류수 100 ml에 희석하여 첨가하고, 증류수와 클로로폼으로 추출하고, MgSO4에 여과한 후 감압 농축한다. THF와 메탄올을 이용해 재침전하여 중간체 생성물 (1) 7.71g (수율: 94%)을 수득하였다.
After completion of the reaction, 6.8 ml of 12 M HCl was added to the reaction solution in 100 ml of distilled water, extracted with distilled water and chloroform, filtered over MgSO 4 , and concentrated under reduced pressure. Reprecipitation with THF and methanol gave 7.71 g (yield: 94%) of intermediate product (1).

제2단계; 중간체 생성물(2)의 합성A second step; Synthesis of Intermediate Product (2)

제 1단계에서 합성한 중간체 생성물 (1) 3 g (9 mmol)과 n-브로모석신이미드(n-bromosuccinimide) 1.4 g (8 mmol)을 사염화탄소 200 ml에 현탁하고 질소 분위기에서 40℃ 내지 50℃를 유지하면서 환류 교반한다. 반응 종료 후 상기 반응액을 분리하여 n-브로모석신이미드(n-bromosuccinimide)를 제거한 후 디에틸에테르와 헥세인을 이용해 재침전하여 중간체 생성물 (2) 3.55g (수율: 73%) 을 수득하였다.
3 g (9 mmol) of the intermediate product (1) synthesized in the first step and 1.4 g (8 mmol) of n-bromosuccinimide were suspended in 200 ml of carbon tetrachloride and 40 ° C. to 50 ° C. in a nitrogen atmosphere. It is stirred at reflux while maintaining the ℃. After the reaction was completed, the reaction solution was separated to remove n-bromosuccinimide and reprecipitated with diethyl ether and hexane to give 3.55 g (yield: 73%) of the intermediate product (2). .

제3단계; 중간체 생성물(3)의 합성A third step; Synthesis of Intermediate Product (3)

제 2단계에서 합성한 중간체 생성물 (2) 3 g (7.6 mmol)을 질소 조건에서 THF 150ml 에 현탁 시킨 후 -78℃에서 n-BuLi 9.5 ml (15 mmol) 을 천천히 넣는다. -78℃에서 30분 교반 후 2-이소프로폭시-4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보롤란(2-isopropoxy-4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane) 3 ml (15 mmol) 을 첨가한다. 3 g (7.6 mmol) of the intermediate product (2) synthesized in the second step was suspended in 150 ml of THF under nitrogen, and 9.5 ml (15 mmol) of n-BuLi was slowly added at -78 ° C. 2-isopropoxy-4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan (2-isopropoxy-4,4,5,5-tetramethyl- after 30 minutes stirring at -78 ° C) 1,3,2-dioxaborolane) 3 ml (15 mmol) are added.

반응 종료 후 상기 반응액을 증류수와 디에틸에테르로 추출하고, MgSO4에 여과한 후 감압 농축한다. 헥세인으로 고체를 씻어내어 중간체 생성물 (3) 2.25g (수율: 67%)을 수득하였다.
After completion of the reaction, the reaction solution was extracted with distilled water and diethyl ether, filtered through MgSO 4 and concentrated under reduced pressure. The solid was washed with hexane to give 2.25 g (yield 67%) of intermediate product (3).

제4단계; 중간체 생성물(4)의 합성Step 4; Synthesis of Intermediate Product (4)

제 2단계에서 합성한 중간체 생성물 (2) 1 g (2.5 mmol), 제 3단계에서 합성한 중간체 생성물 (3) 1.12 g (2.5 mmol) 및 팔라듐(II) 아세테이트(palladium(Ⅱ)acetate) 0.17 g (0.83 mmol), 트리스(2-메틸페닐)포스핀(tris(2-methylphenyl)phosphine) 0.30 g (0.7 mmol)을 질소 조건에서 첨가하고 1,2-디메톡시에텐(1,2-dimethoxyethene) 20 ml에 현탁한다. 1 g (2.5 mmol) of the intermediate product (2) synthesized in the second step, 1.12 g (2.5 mmol) of the intermediate product (3) synthesized in the third step, and 0.17 g of palladium (II) acetate. (0.83 mmol), 0.30 g (0.7 mmol) of tris (2-methylphenyl) phosphine were added under nitrogen, and 1,2-dimethoxyethene 20 Suspension in ml.

그 후 K2CO3 1.70g (12.5 mmol) 을 증류수와 디메틸에테르 1 : 1 (20 ml : 20 ml) 혼합용액에 녹여 상기 반응액에 첨가하여 환류 교반한다. 반응 종료 후 증류수와 디에틸에테르로 추출하고, MgSO4에 여과한 후 감압 농축한다. THF와 에탄올을 이용해 재침전 한 후 고체를 다시 에탄올로 2회 씻어내어 중간체 생성물 (4) 1.34g (수율: 85%) 을 수득하였다.
Thereafter, 1.70 g (12.5 mmol) of K 2 CO 3 is dissolved in a mixed solution of distilled water and dimethyl ether 1: 1 (20 ml: 20 ml), added to the reaction solution, and the mixture is stirred under reflux. After completion of the reaction, the mixture was extracted with distilled water and diethyl ether, filtered through MgSO 4 , and concentrated under reduced pressure. After reprecipitation with THF and ethanol, the solid was washed again with ethanol twice to give 1.34 g (yield: 85%) of intermediate product (4).

제5단계; 중간체 생성물(5)의 합성Step 5; Synthesis of Intermediate Product (5)

제 4단계에서 합성한 중간체 생성물 (4) 4 g (6.36 mmol), NBS 2.5 g (6.99 mmol) 을 아세트산 100 ml 와 클로로폼 200 ml 에 현탁한 후 1시간 교반한다. 반응 종료 후 증류수와 클로로폼으로 추출하고, MgSO4에 여과한 후 감압 농축한다. THF와 메탄올을 이용해 재침전하여 중간체 생성물 (5) 2.95g (수율: 59%)을 수득하였다4 g (6.36 mmol) of the intermediate product (4) synthesized in the fourth step and 2.5 g (6.99 mmol) of NBS are suspended in 100 ml of acetic acid and 200 ml of chloroform, followed by stirring for 1 hour. After completion of the reaction, the mixture was extracted with distilled water and chloroform, filtered through MgSO 4 , and concentrated under reduced pressure. Reprecipitation with THF and methanol gave 2.95 g (yield: 59%) of the intermediate product (5).

..

제6단계: 화학식 B-3의 화합물 합성Step 6: Synthesis of Compound of Formula B-3

제 5단계에서 합성한 중간체 생성물 (5) 0.5 g (0.6 mmol), 나프탈렌-1-일-페닐-아민(Naphthalen-1-yl-phenyl-amine) 0.31g (1.4 mmol) 및 소디움 터셔리-부톡사이드(sodium tert-butoxide) 0.40 g (4.1 mmol), 트리스(디벤질리덴아세톤) 디팔라듐(tris(dibenzylideneacetone) dipalladium) 0.04 g (0.04 mmol) 을 질소 조건에서 첨가하고 톨루엔 100 ml 에 현탁 시킨 후 트리-t-부틸포스핀(tri-t-butylphosphine) 1 ml 를 넣고 질소조건에서 110℃를 유지하면서 4시간 환류 교반한다. 0.5 g (0.6 mmol) of the intermediate product (5) synthesized in the fifth step, 0.31 g (1.4 mmol) of sodium phthalen-1-yl-phenyl-amine and sodium tert-butoxide 0.40 g (4.1 mmol) of sodium tert-butoxide, 0.04 g (0.04 mmol) of tris (dibenzylideneacetone) dipalladium were added under nitrogen, suspended in 100 ml of toluene, and then 1 ml of -t-butylphosphine (tri-t-butylphosphine) was added thereto, and the mixture was stirred under reflux for 4 hours while maintaining 110 ° C under nitrogen.

반응 종료 후 12M HCl 0.34 ml 를 증류수 30 ml 에 희석하여 첨가하고, 증류수와 클로로폼으로 추출하고, MgSO4에 여과한 후 감압 농축한다. THF와 에탄올로 재침전 한 후 다시 한 번 THF와 아세토니트릴로 재침전 한 후 벤젠 : 헥세인 = 2 : 3 (v/v) 으로 실리카겔 컬럼 하여 화학식 B-3의 화합물 0.40g (수율: 63%) 을 수득하였다.
After completion of the reaction, 0.34 ml of 12M HCl was added to 30 ml of distilled water, extracted with distilled water and chloroform, filtered over MgSO 4 , and concentrated under reduced pressure. After reprecipitation with THF and ethanol, once again after reprecipitation with THF and acetonitrile, 0.40 g of the compound of Chemical Formula B-3 was purified by silica gel column with benzene: hexane = 2: 3 (v / v) (yield: 63% ) Was obtained.

(유기발광소자의 제조)(Production of organic light emitting device)

실시예Example 1: 화합물 B-1을 정공  1: hole with compound B-1 주입층Injection layer 재료로 이용한 유기발광소자의 제조( Fabrication of Organic Light Emitting Diode Using 용액법Solution method ))

유기발광소자 구조는 ITO/ 화합물 B-1 (60 nm) / NPB(15 nm) / Alq3 (70 nm)/ LiF (1 nm) / Al (200nm) 으로 제작하였다. The organic light emitting device structure was prepared by ITO / Compound B-1 (60 nm) / NPB (15 nm) / Alq3 (70 nm) / LiF (1 nm) / Al (200 nm).

세척된 ITO기판에 화합물 B-1을 공기 중에서 60nm 두께로 스핀 코팅 방식을 통하여 코팅하여 준다. Compound B-1 is coated on the washed ITO substrate by spin coating to a thickness of 60 nm in air.

코팅 한 뒤 공기 중에서 130℃ 오븐에서 5분간 예열한 뒤 글로브 박스(glove box)(N2)에서 200℃ 핫플레이트(hot plate)에 5분간 소성한다. After coating, it was preheated for 5 minutes in an oven at 130 ° C. in air and then fired for 5 minutes on a 200 ° C. hot plate in a glove box (N 2 ).

정공수송층(hole transporting layer)(N, N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidine, NPB)과 발광층(emitting layer) / 전자수송층(Electron-transporting layer)(Tris(8-hydroxy-quinolinato)aluminium, Alq3)는 증착 방법(10-6Torr 이하의 압력)을 통하여 각각 15 nm 와 70 nm 두께로 제작하였다. LiF(1 nm) 와 Al은 차례로 증착 방법(10-6Torr 이하의 압력)을 통하여 전자수송층 상에 형성하였다.
Hole transporting layer (N, N'-Bis (naphthalen-1-yl) -N, N'-bis (phenyl) -benzidine, NPB) and emitting layer / electron-transporting layer ) (Tris (8-hydroxy-quinolinato) aluminium, Alq3) was fabricated to a thickness of 15 nm and 70 nm, respectively, by the deposition method (pressure below 10-6 Torr). LiF (1 nm) and Al were sequentially formed on the electron transport layer through the deposition method (pressure below 10-6 Torr).

실시예Example 2:  2: PEDOTPEDOT :: PSSPSS 상에 화합물 B- Compound B- on Phase 1를1 버퍼층으로To the buffer layer 이용한 유기발광소자의 제조 (정공  Fabrication of Organic Light Emitting Diode Using 주입층Injection layer 내 화합물 B-1 1중량% 포함,  1 wt% of Compound B-1, 용액법Solution method ))

유기발광소자 구조는 ITO/ PEDOT:PSS (40 nm) / 화합물 B-1 (60 nm) / NPB(15 nm) / Alq3 (70 nm)/ LiF (1 nm) / Al (200nm)으로 제작하였다. The organic light emitting device was fabricated with ITO / PEDOT: PSS (40 nm) / Compound B-1 (60 nm) / NPB (15 nm) / Alq3 (70 nm) / LiF (1 nm) / Al (200 nm).

세척된 ITO기판에 PEDOT:PSS(Baytron P VP CH8000, H. C. Starck GmbH)을 공기 중에서 40nm 두께로 스핀 코팅 방식을 통하여 코팅하여 준다. 코팅 한 뒤 공기 중에서 110℃ 오븐에서 5분간 예열한 뒤 글로브 박스(glove box)(N2)에서 200℃ 핫플레이트(hot plate)에 5분간 소성한다. PEDOT: PSS (Baytron P VP CH8000, HC Starck GmbH) was coated on the cleaned ITO substrate by spin coating to a thickness of 40 nm in air. After coating it was preheated for 5 minutes in an oven at 110 ℃ in air and then fired for 5 minutes on a 200 ℃ hot plate in a glove box (N 2 ).

화합물 B-1의 경우, 용매는 클로로벤젠 을 사용하였으며 스핀 코팅 방식으로 글로브 박스(glove box)(N2)에서 60 nm 두께로 제작하였고 130℃(hot plate)에서 30분간 소성하였다. 정공수송층(hole transporting layer)(N, N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidine, NPB)와 발광층(emitting layer) / 전자수송층(electron-transporting layer)(Tris(8-hydroxy-quinolinato)aluminium, Alq3)는 증착 방법(10-6Torr 이하의 압력)을 통하여 각각 15 nm 와 70 nm 두께로 제작하였다. LiF(1 nm) 와 Al은 차례로 증착 방법(10-6Torr 이하의 압력)을 통하여 전자수송층 상에 형성하였다.In the case of compound B-1, chlorobenzene was used as a solvent, and was prepared in a glove box (N 2 ) by spin coating to a thickness of 60 nm, and calcined at 130 ° C. (hot plate) for 30 minutes. Hole transporting layer (N, N'-Bis (naphthalen-1-yl) -N, N'-bis (phenyl) -benzidine, NPB) and emitting layer / electron-transporting layer ) (Tris (8-hydroxy-quinolinato) aluminium, Alq3) was fabricated to a thickness of 15 nm and 70 nm, respectively, by the deposition method (pressure below 10-6 Torr). LiF (1 nm) and Al were sequentially formed on the electron transport layer through the deposition method (pressure below 10-6 Torr).

이 때 상기 정공 주입층 내 화합물 B-1의 함량은 1중량%이다. At this time, the content of the compound B-1 in the hole injection layer is 1% by weight.

또한 상기 PEDOT:PSS의 구조는 하기와 같다.In addition, the structure of the PEDOT: PSS is as follows.

[PEDOT:PSS][PEDOT: PSS]

Figure pat00028

Figure pat00028

실시예Example 3:  3: PEDOTPEDOT :: PSSPSS 상에 화합물 B- Compound B- on Phase 1를1 버퍼층으로To the buffer layer 이용한 유기발광소자의 제조 (정공  Fabrication of Organic Light Emitting Diode Using 주입층Injection layer 내 화합물 B-1 0.5중량% 포함,  Contains 0.5% by weight of compound B-1, 용액법Solution method ))

유기발광소자 구조는 ITO/ PEDOT:PSS (40 nm) / 화합물 B-1 (40 nm) / NPB(15 nm) / Alq3 (70 nm)/ LiF (1 nm) / Al (200nm)으로 제작하였다. The organic light emitting device was fabricated with ITO / PEDOT: PSS (40 nm) / Compound B-1 (40 nm) / NPB (15 nm) / Alq3 (70 nm) / LiF (1 nm) / Al (200 nm).

세척된 ITO기판에 PEDOT:PSS(Baytron P VP CH8000, H. C. Starck GmbH)을 공기 중에서 40nm 두께로 스핀 코팅 방식을 통하여 코팅하여 준다. 코팅 한 뒤 공기 중에서 110℃ 오븐에서 5분간 예열한 뒤 글로브 박스(glove box)(N2)에서 200℃ 핫플레이트(hot plate)에 5분간 소성한다. PEDOT: PSS (Baytron P VP CH8000, HC Starck GmbH) was coated on the cleaned ITO substrate by spin coating to a thickness of 40 nm in air. After coating it was preheated for 5 minutes in an oven at 110 ℃ in air and then fired for 5 minutes on a 200 ℃ hot plate in a glove box (N 2 ).

화합물 B-1의 경우, 용매는 클로로벤젠 을 사용하였으며 스핀 코팅 방식으로 글로브 박스(glove box)(N2)에서 40 nm 두께로 제작하였고 130℃(hot plate)에서 30분간 소성하였다. 정공수송층(hole transporting layer)(N, N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidine, NPB)와 발광층(emitting layer) / 전자수송층(electron-transporting layer)(Tris(8-hydroxy-quinolinato)aluminium, Alq3)는 증착 방법(10-6Torr 이하의 압력)을 통하여 각각 15 nm 와 70 nm 두께로 제작하였다. LiF(1 nm) 와 Al은 차례로 증착 방법(10-6Torr 이하의 압력)을 통하여 전자수송층 상에 형성하였다.In the case of compound B-1, chlorobenzene was used as a solvent, and was made to have a thickness of 40 nm in a glove box (N 2 ) by spin coating and fired at 130 ° C. (hot plate) for 30 minutes. Hole transporting layer (N, N'-Bis (naphthalen-1-yl) -N, N'-bis (phenyl) -benzidine, NPB) and emitting layer / electron-transporting layer ) (Tris (8-hydroxy-quinolinato) aluminium, Alq3) was fabricated to a thickness of 15 nm and 70 nm, respectively, by the deposition method (pressure below 10-6 Torr). LiF (1 nm) and Al were sequentially formed on the electron transport layer through the deposition method (pressure below 10-6 Torr).

이 때 상기 정공 주입층 내 화합물 B-1의 함량은 0.5중량%이다.
At this time, the content of the compound B-1 in the hole injection layer is 0.5% by weight.

비교예Comparative Example 1:  One: PEDOTPEDOT :: PSSPSS 를 정공 Holes 주입층Injection layer 재료로 이용한 유기발광소자의 제조 Fabrication of Organic Light Emitting Diode Using Materials

상기 실시예 1에서, 정공 주입층의 재료로 이용한 화합물 B-1을 대신하여 PEDOT:PSS을 이용한 점을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
In Example 1, an organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using PEDOT: PSS instead of the compound B-1 used as a material for the hole injection layer.

비교예Comparative Example 2:  2: PlexcorePlexcore OCOC 1100 ( 1100 ( ardrichardrich )를 정공 Hole) 주입층Injection layer 재료로 이용한 유기발광소자의 제조 Fabrication of Organic Light Emitting Diode Using Materials

상기 실시예 1에서, 정공 주입층의 재료로 이용한 화합물 B-1을 대신하여 Plexcore OC 1100을 이용한 점을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다. In Example 1, an organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using the Plexcore OC 1100 instead of the compound B-1 used as the material for the hole injection layer.

상기 Plexcore OC 1100의 구조는 하기와 같다. The structure of the Plexcore OC 1100 is as follows.

[Plexcore OC 1100][Plexcore OC 1100]

Figure pat00029

Figure pat00029

비교예Comparative Example 3:  3: PlexcorePlexcore OCOC 1200 ( 1200 ( ardrichardrich )를 정공 Hole) 주입층Injection layer 재료로 이용한 유기발광소자의 제조 Fabrication of Organic Light Emitting Diode Using Materials

상기 실시예 1에서, 정공 주입층의 재료로 이용한 화합물 B-1을 대신하여 Plexcore OC 1200을 이용한 점을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다. In Example 1, an organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using Plexcore OC 1200 in place of Compound B-1 used as a material for the hole injection layer.

상기 Plexcore OC 1200의 구조는 하기와 같다. The structure of the Plexcore OC 1200 is as follows.

[Plexcore OC 1200][Plexcore OC 1200]

Figure pat00030

Figure pat00030

비교예Comparative Example 4: 화합물 B-1을 정공  4: hole Compound B-1 주입층Injection layer 재료로 이용한 유기발광소자의 제조(기상 증착) Fabrication of Organic Light Emitting Diode Using Materials

유기발광소자 구조는 ITO/ 화합물 B-1 (60 nm) / NPB(15 nm) / Alq3 (70 nm)/ LiF (1 nm) / Al (200nm) 으로 제작하였다. The organic light emitting device structure was prepared by ITO / Compound B-1 (60 nm) / NPB (15 nm) / Alq3 (70 nm) / LiF (1 nm) / Al (200 nm).

화합물 B-1을 정공주입층(hole injection layer) 사용하였다. 정공수송층(hole transporting layer)(N, N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidine, NPB)과 발광층(emitting layer) / 전자수송층(Electron-transporting layer)(Tris(8-hydroxy-quinolinato)aluminium, Alq3)는 증착 방법(10-6Torr 이하의 압력)을 통하여 각각 60nm, 15 nm 와 70 nm 두께로 제작하였다. LiF(1 nm) 와 Al은 차례로 증착 방법(10-6Torr 이하의 압력)을 통하여 전자수송층 상에 형성하였다.
Compound B-1 was used as a hole injection layer. Hole transporting layer (N, N'-Bis (naphthalen-1-yl) -N, N'-bis (phenyl) -benzidine, NPB) and emitting layer / electron-transporting layer ) (Tris (8-hydroxy-quinolinato) aluminium, Alq3) was fabricated to a thickness of 60 nm, 15 nm and 70 nm, respectively, by the deposition method (pressure below 10 -6 Torr). LiF (1 nm) and Al were sequentially formed on the electron transport layer through the deposition method (pressure below 10 -6 Torr).

(유기발광소자의 성능 측정)(Performance Measurement of Organic Light Emitting Device)

상기 실시예 1 및 비교예 1 내지 3에서 제조된 각각의 유기발광소자에 대하여 전압에 따른 전류밀도 변화, 휘도변화 및 발광효율을 측정하였다. 구체적인 측정방법은 하기과 같다
For each organic light emitting device manufactured in Example 1 and Comparative Examples 1 to 3, the current density change, luminance change, and luminous efficiency according to voltage were measured. The specific measuring method is as follows.

(1) 전압변화에 따른 전류밀도의 변화 측정(1) Measurement of change in current density with voltage change

제조된 유기발광소자에 대해, 전압을 0 V 부터 10 V까지 상승시키면서 전류-전압계(Keithley 2400)를 이용하여 단위소자에 흐르는 전류값을 측정하고, 측정된 전류값을 면적으로 나누어 결과를 얻었다.
For the organic light emitting device manufactured, the current value flowing through the unit device was measured using a current-voltmeter (Keithley 2400) while increasing the voltage from 0 V to 10 V, and the measured current value was divided by the area to obtain a result.

(2) 전압변화에 따른 휘도변화 측정(2) Measurement of luminance change according to voltage change

제조된 유기발광소자에 대해, 전압을 0 V 부터 10 V까지 상승시키면서 휘도계(Minolta Cs-1000A)를 이용하여 그 때의 휘도를 측정하여 결과를 얻었다.
The resulting organic light emitting device was measured by using a luminance meter (Minolta Cs-1000A) while increasing the voltage from 0 V to 10 V to obtain a result.

(3) 발광효율 측정(3) Measurement of luminous efficiency

상기(1) 및 (2)로부터 측정된 휘도와 전류밀도 및 전압을 이용하여 동일 전류밀도(10 mA/cm2)의 전류 효율(cd/A) 을 계산하였다.
The current efficiency (cd / A) at the same current density (10 mA / cm 2 ) was calculated using the luminance, current density and voltage measured from the above (1) and (2).

(4) 수명 특성 평가(4) Life characteristics evaluation

제조된 유기발광소자에 휘도 감소에 대한 수명을 Polaronix OLEDs Lifetime Test System of Mcscience company를 통하여 측정하였다. 초기 휘도는 5000 nit 에서 측정되었으며 휘도가 50% 감소할 때까지의 시간을 측정하였다. 또한 1000nit 에서의 유기발광소자의 수명은가속 실험으로 측정하였다. 가속 조건은 하기 수학식 1과 같다.The lifetime for luminance reduction in the manufactured organic light emitting device was measured through Polaronix OLEDs Lifetime Test System of Mcscience company. Initial luminance was measured at 5000 nit and the time until the luminance decreased by 50%. In addition, the lifetime of the organic light emitting device at 1000 nit was measured by an acceleration test. The acceleration condition is shown in Equation 1 below.

[수학식 1][Equation 1]

Figure pat00031
Figure pat00031

L1L1 : 조건 1의 초기 휘도: Initial luminance of condition 1

L2L2 : 조건 2의 초기 휘도: Initial luminance under condition 2

T1T1 : 조건 1의 휘도 50% 감소 시간: Luminance 50% reduction time under condition 1

T2T2 : 조건 2의 휘도 50% 감소 시간: Luminance 50% reduction time under condition 2

n: 가속 계수(n: acceleration factor ( accelerationacceleration factorfactor ))

위 공식에 의해 By the above formula 유도되어진Induced 실험실에서 사용되고 있는  Being used in the laboratory PolaronixPolaronix OLEDsOLEDs Lifetime  Lifetime TestTest SystemSystem ofof McscienceMcscience companycompany 의 가속 계수는 1.The acceleration factor of is 1. 68 임68 Im

하기 표 1은 상기 실시예 1 및 비교예 1 내지 3의 소자 평가 결과이다. Table 1 shows the device evaluation results of Example 1 and Comparative Examples 1 to 3.

@ 10mA/cm2 @ 10 mA / cm 2 턴온 전압(turn on voltage, V)Turn on voltage (V) 구동 전압
(V) Driving voltage
(V) 전류효율
(Cd/A) Current efficiency
(Cd / A) 전력효율
(lm/W) Power efficiency
(lm / W) 50% 수명시간(h)
(5000nit) 50% life time (h)
(5000nit) 50% 수명시간(h)
(1000nit) 50% life time (h)
(1000nit) 실시예 1Example 1 4.14 4.14 8.51 8.51 4.00 4.00 1.65 1.65 112.5 112.5 16801680 비교예 1Comparative Example 1 2.71 2.71 5.65 5.65 4.18 4.18 2.42 2.42 1.5 1.5 22.922.9 비교예 2Comparative Example 2 2.88 2.88 6.11 6.11 3.49 3.49 1.97 1.97 15.9 15.9 237237 비교예 3Comparative Example 3 2.98 2.98 6.50 6.50 3.49 3.49 1.86 1.86 22.3 22.3 330330

상기 표 1에서 알 수 있듯이, 실시예 1에 따른 유기발광소자가 비교예 1 내지 3에 따른 유기발광소자에 비해 효율 및 수명특성 측면에서 우수한 것을 볼 수 있다. As can be seen in Table 1, it can be seen that the organic light emitting device according to Example 1 is superior in terms of efficiency and life characteristics compared to the organic light emitting device according to Comparative Examples 1 to 3.

도 6은 상기 실시예 1 및 비교예 1 내지 3에 따른 유기발광소자의 수명 측정 데이터이다. 6 is life measurement data of organic light emitting diodes according to Example 1 and Comparative Examples 1 to 3. FIG.

도 6을 참고하면, 상기 실시예 1의 유기발광소자의 경우 기존의 정공 주입 재료보다 약 75배 정도 수명 특성이 우수함을 알 수 있다.
Referring to FIG. 6, it can be seen that the organic light emitting diode of Example 1 has about 75 times better life characteristics than the conventional hole injection material.

도 7은 실시예 2, 3 및 비교예 1에 따른 유기발광소자의 수명 특성 평가 데이터이다. FIG. 7 is life characteristics evaluation data of organic light emitting diodes according to Examples 2 and 3 and Comparative Example 1. FIG.

도 7에서 알 수 있듯이, 상기 본 발명의 일 구현예에 따른 화합물 B-1을 포함하는 실시예 2 및 3의 유기발광소자의 수명 특성이 비교예 1보다 우수함을 알 수 있다. As can be seen in Figure 7, it can be seen that the life characteristics of the organic light emitting diodes of Examples 2 and 3 including the compound B-1 according to an embodiment of the present invention is superior to Comparative Example 1.

따라서, 본 발명의 일 구현예에 따른 화합물 B-1을 단독뿐만 아니라 기존 재료와의 혼합으로 유기발광소자의 재료로서 이용하는 경우, 소자의 특성을 개선시킬 수 있음을 알 수 있다.
Therefore, it can be seen that when the compound B-1 according to the embodiment of the present invention is used as a material of the organic light emitting device by mixing with an existing material as well as alone, it can be seen that the characteristics of the device can be improved.

도 8은 상기 실시예 1에 따른 유기발광소자의 전기 광학 특성 평가 데이터이다. 8 is an electro-optical characteristic evaluation data of the organic light emitting device according to Example 1.

측정 조건은 다음과 같다. The measurement conditions are as follows.

CV 측정은 AUTOLAB/PG-STAT128N 모델 시스템을 사용하여 측정하였으며 스캔 레이트(scan rate)는 100 mV/s로 측정하였다. CV measurements were measured using the AUTOLAB / PG-STAT128N model system and the scan rate was measured at 100 mV / s.

합성된 물질 샘플을 진한 농도로 용매에 녹인 후 세척된 ITO 기판의 ITO면에 용액을 떨어뜨려 후막을 제작하여(면적 1cm*1cm) 전해질(Working Electrolyte)로 사용한다. 용매는 아크릴로니트릴(acetonitrile, AN) 을 사용하였으며, 전해질은 0.1 M 농도의 테트라부틸암모늄 퍼클로레이트(tetrabutylammonium perchlorate, TBAP)을 사용하였다. A sample of the synthesized material was dissolved in a solvent at a high concentration, and then a solution was dropped on the ITO surface of the washed ITO substrate to prepare a thick film (area 1 cm * 1 cm) to be used as a working electrolyte. Acrylonitrile (AN) was used as a solvent, and tetrabutylammonium perchlorate (TBAP) was used at a concentration of 0.1 M.

기준전극(reference electrode)은 Ag/AgNO3 를 사용하였으며, 상대 전극(counter electrode)으로는 Pt 와이어(wire)를 사용하였다. Ag / AgNO 3 was used as a reference electrode and Pt wire was used as a counter electrode.

모든 전기적 특성은 ferrocene/ferrocenium (Fc/Fc+) 를 기준으로 계산되었다.All electrical properties were calculated based on ferrocene / ferrocenium (Fc / Fc +).

도 8에서 알 수 있듯이, 상기 실시예 1에 따른 유기발광소자는 전기 광학적으로 안정한 것을 볼 수 있다.
As can be seen in Figure 8, it can be seen that the organic light emitting device according to the first embodiment is electro-optically stable.

도 9는 상기 실시예 1에 따른 유기발광소자의 표면 주사전자현미경(Scanning Electron Microscope, SEM) 사진이고, 도 10은 상기 실시예 1에 따른 유기발광소자의 표면 원자전자현미경(Atomic Force Microscope, AFM) 사진이다. FIG. 9 is a scanning electron microscope (SEM) photograph of the organic light emitting device according to Example 1, and FIG. 10 is an atomic force microscope of the organic light emitting device according to the first embodiment (Atomic Force Microscope, AFM). ) Photo.

도 11는 상기 비교예 1에 따른 유기발광소자의 표면 주사전자현미경 사진이고, 도 12는 상기 비교예 1에 따른 유기발광소자의 표면 원자전자현미경 사진이다. FIG. 11 is a surface scanning electron micrograph of the organic light emitting device according to Comparative Example 1, and FIG. 12 is a surface atomic electron micrograph of the organic light emitting device according to Comparative Example 1. FIG.

또한, 상기 표면 특성 평가 결과는 하기 표 2와 같다. In addition, the surface property evaluation results are shown in Table 2 below.

구분division 표면 거칠기(Ra, nm)Surface roughness (Ra, nm) 평균 제곱 오차(RMS, nm)Mean Squared Error (RMS, nm) 실시예 1Example 1 0.180.18 0.230.23 비교예 1Comparative Example 1 0.320.32 0.40.4

상기 도 9 내지 12 및 상기 표 2의 결과에서 알 수 있듯이, 본 발명의 실시예 1에서 사용한 정공 주입 재료는 스핀 코팅 공정에 의한 필름 제작 시 기존의 재료에 비해 뛰어난 박막 상태를 보이는 것을 알 수 있다.
As can be seen from the results of FIGS. 9 to 12 and Table 2, it can be seen that the hole injection material used in Example 1 of the present invention exhibits excellent thin film state compared to conventional materials when the film is produced by the spin coating process. .

도 13은 용액 공정(스핀 코팅)을 이용한 실시예 1에 따른 유기발광소자 및 기상 증착을 이용한 비교예 4에 따른 유기발광소자의 수명 특성 비교 데이터이다. 13 is a comparison of life characteristics of the organic light emitting diode according to Comparative Example 4 using the organic light emitting device according to Example 1 and vapor deposition using a solution process (spin coating).

도 13에서 알 수 있듯이, 용액 공정에 따른 실시예 1의 유기발광소자의 수명 특성이 비교예 4에 비해 우수함을 알 수 있다. 즉, 용액 공정을 이용한 본 발명의 실시예의 소자가 보다 안정적인 것으로 확인되었다. 이는 용액 공정의 경우, 표면의 분산 형태(morphology)가 매끄럽기 때문인 것으로 생각된다.
As can be seen in Figure 13, it can be seen that the life characteristics of the organic light emitting device of Example 1 according to the solution process is superior to Comparative Example 4. That is, it was confirmed that the device of the embodiment of the present invention using the solution process is more stable. This is believed to be due to the smooth morphology of the surface of the solution process.

본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the present invention as defined by the following claims. As will be understood by those skilled in the art. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive.

100: 유기발광소자 110: 음극
120: 양극 105: 유기박막층
130: 발광층 140: 정공 수송층
150: 전자수송층 160: 전자주입층
170: 정공주입층 230: 발광층 + 전자수송층100: organic light emitting element 110: cathode
120: anode 105: organic thin film layer
130: light emitting layer 140: hole transport layer
150: electron transport layer 160: electron injection layer
170: hole injection layer 230: light emitting layer + electron transport layer

Claims (10)

제1 전극을 준비하는 단계;
상기 제1 전극 상에 하기 화학식 1로 표시되는 적어도 하나의 화합물을 포함하는 유기광전자소자용 재료를 포함하는 정공주입층을 용액 공정을 이용하여 증착하는 단계;
상기 정공주입층 상에 정공수송층을 증착하는 단계;
상기 정공수송층 상에 발광층을 증착하는 단계;
상기 발광층 상에 전자 수송층을 증착하는 단계; 및
상기 전자수송층 상에 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 유기발광소자의 제조 방법:
[화학식 1]
Figure pat00032

상기 화학식 1에서,
X1 및 X2는 독립적으로 -O- 또는 -S- 이고,
Ar1 및 Ar2는 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기이고,
R1 내지 R4는 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이고,
R5 내지 R8은 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이다.
Preparing a first electrode;
Depositing a hole injection layer including a material for an organic optoelectronic device including at least one compound represented by Chemical Formula 1 on the first electrode by using a solution process;
Depositing a hole transport layer on the hole injection layer;
Depositing a light emitting layer on the hole transport layer;
Depositing an electron transport layer on the light emitting layer; And
Forming a second electrode on the electron transport layer; Method of manufacturing an organic light emitting device comprising:
[Chemical Formula 1]
Figure pat00032

In Formula 1,
X 1 and X 2 are independently -O- or -S-,
Ar 1 and Ar 2 are independently a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group or a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group,
R 1 to R 4 are independently a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, a substituted or unsubstituted C5 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl Groups or a combination thereof,
R 5 to R 8 are independently hydrogen, deuterium, substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, substituted or unsubstituted C5 to C30 cycloalkyl group, substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, substituted or unsubstituted C2 To C30 heteroaryl group or a combination thereof.
제1항에 있어서,
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 2로 표시되는 것인 유기발광소자의 제조 방법:
[화학식 2]
Figure pat00033

상기 화학식 2에서,
X1 및 X2는 독립적으로 -O- 또는 -S- 이고,
Ar1 및 Ar2는 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기이고,
R1 내지 R4는 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이고,
R5 내지 R8은 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이다.
The method of claim 1,
The compound represented by Formula 1 is a method for producing an organic light emitting device is represented by the following formula (2):
(2)
Figure pat00033

In Formula 2,
X 1 and X 2 are independently -O- or -S-,
Ar 1 and Ar 2 are independently a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group or a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group,
R 1 to R 4 are independently a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, a substituted or unsubstituted C5 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl Groups or a combination thereof,
R 5 to R 8 are independently hydrogen, deuterium, substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, substituted or unsubstituted C5 to C30 cycloalkyl group, substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, substituted or unsubstituted C2 To C30 heteroaryl group or a combination thereof.
제1항에 있어서,
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 3으로 표시되는 것인 유기발광소자의 제조 방법:
[화학식 3]
Figure pat00034

상기 화학식 3에서,
X1 및 X2는 독립적으로 -O- 또는 -S- 이고,
Ar1 및 Ar2는 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기이고,
R1 내지 R4는 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이고,
R5 내지 R8은 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이다.
The method of claim 1,
The compound represented by Formula 1 is a method for producing an organic light emitting device is represented by the following formula (3):
(3)
Figure pat00034

In Formula 3,
X 1 and X 2 are independently -O- or -S-,
Ar 1 and Ar 2 are independently a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group or a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group,
R 1 to R 4 are independently a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, a substituted or unsubstituted C5 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl Groups or a combination thereof,
R 5 to R 8 are independently hydrogen, deuterium, substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, substituted or unsubstituted C5 to C30 cycloalkyl group, substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, substituted or unsubstituted C2 To C30 heteroaryl group or a combination thereof.
제1항에 있어서,
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 4로 표시되는 것인 유기발광소자의 제조 방법:
[화학식 4]
Figure pat00035

상기 화학식 4에서,
X1 및 X2는 독립적으로 -O- 또는 -S- 이고,
R1 내지 R4는 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이고,
R5 내지 R8은 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이고,
R9 및 R10는 독립적으로 수소, 중수소 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기다.
The method of claim 1,
The compound represented by Formula 1 is a method for producing an organic light emitting device is represented by the following formula (4):
[Chemical Formula 4]
Figure pat00035

In Formula 4,
X 1 and X 2 are independently -O- or -S-,
R 1 to R 4 are independently a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, a substituted or unsubstituted C5 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl Groups or a combination thereof,
R 5 to R 8 are independently hydrogen, deuterium, substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, substituted or unsubstituted C5 to C30 cycloalkyl group, substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, substituted or unsubstituted C2 To C30 heteroaryl group or a combination thereof,
R 9 and R 10 are independently hydrogen, deuterium or a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group.
제1항에 있어서,
상기 X1 및 X2는 -S-인 것인 유기발광소자의 제조 방법.
The method of claim 1,
Wherein X 1 And X 2 Is -S- The manufacturing method of the organic light emitting device.
제1항에 있어서,
상기 X1 및 X2는 -O-인 것인 유기발광소자의 제조 방법.
The method of claim 1,
Wherein X 1 And X 2 Is -O- The manufacturing method of the organic light emitting device.
제1항에 있어서,
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 A-1 내지 A-6 중 어느 하나로 표시되는 것인 유기발광소자의 제조 방법.
[화학식 A-1] [화학식 A-2]
Figure pat00036
Figure pat00037

[화학식 A-3] [화학식 A-4]
Figure pat00038

[화학식 A-5] [화학식 A-6]
Figure pat00039

The method of claim 1,
The compound represented by Formula 1 is a method for producing an organic light emitting device is represented by any one of the following formula A-1 to A-6.
[Formula A-1] [Formula A-2]
Figure pat00036
Figure pat00037

[Chemical formula A-3] [Chemical formula A-4]
Figure pat00038

[Chemical formula A-5] [Chemical formula A-6]
Figure pat00039

 제1항에 있어서,
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 B-1 내지 B-6 중 어느 하나로 표시되는 것인 유기발광소자의 제조 방법.
[화학식 B-1] [화학식 B-2]
Figure pat00040
Figure pat00041

[화학식 B-3] [화학식 B-4]
Figure pat00042

[화학식 B-5] [화학식 B-6]
Figure pat00043

The method of claim 1,
Compound represented by the formula (1) is a method for producing an organic light emitting device is represented by any one of the formulas B-1 to B-6.
[Formula B-1] [Formula B-2]
Figure pat00040
Figure pat00041

[Formula B-3] [Formula B-4]
Figure pat00042

[Formula B-5] [Formula B-6]
Figure pat00043

 제1 항에 있어서,
상기 제1 전극은 투명 전극인 것인 유기발광소자의 제조 방법.
The method according to claim 1,
The first electrode is a transparent electrode manufacturing method of the organic light emitting device.
제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 제조 방법에 따라 제조된 유기발광소자를 포함하는 표시장치.A display device comprising an organic light emitting device manufactured according to the manufacturing method according to any one of claims 1 to 9.
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