KR20140001902U - Device for the wet chemical treatment and protection of flat substrates - Google Patents
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Abstract
본 고안은 평판 기판의 액체를 이용한 처리에 관한 것이다. 특히 본 고안은 일면 습식 화학 처리와 관련해서 상기 기판의 후면 보호의 개선에 관한 것이다. 평판 기판(2)의 일면 습식 화학 처리를 위한 장치는 처리 액체(F)를 수용하기 위한 처리 컨테이너(7), 상기 처리 컨테이너(7)를 통과하는 운반 평면(8)을 따른 운반 방향으로 처리 액체(F)의 표면을 따라 기판을 수평으로 안내하는 운반 장치(4) 및, 상기 운반 평면(8) 상부에 배치되고 상기 기판(2)의 처리되지 않을 면의 방향으로 치환 가스(3)를 수직으로 배출하기 위한 적어도 하나의 수단(1)을 포함한다. The present invention relates to a treatment with a liquid of a flat substrate. In particular, the present invention relates to an improvement in backside protection of the substrate with respect to one side wet chemical treatment. The apparatus for wet chemical treatment on one side of the flat substrate 2 comprises a processing container 7 for receiving a processing liquid F, a processing liquid in a conveying direction along a transport plane 8 passing through the processing container 7. A conveying device 4 for guiding the substrate horizontally along the surface of (F) and a displacement gas 3 perpendicular to the unprocessed surface of the substrate 2 disposed above the conveying plane 8; It comprises at least one means (1) for the discharge into the.
Description
본 고안은 평판 기판의 액체를 이용한 처리에 관한 것이다. 특히, 본 고안은 일면 습식 처리와 관련해서 이러한 기판의 후면 보호의 개선에 관한 것이다.The present invention relates to a treatment with a liquid of a flat substrate. In particular, the present invention is directed to an improvement in the backside protection of such substrates with respect to one side wet treatment.
예컨대 실리콘 웨이퍼와 같은 평판 기판은 태양 전지와 같은 다수의 전기 또는 전자 부품들의 베이스를 형성한다. 상기 부품들의 제조와 관련해서 기판은 일반적으로 여러 습식 처리 단계, 예컨대 소잉, 에칭, 도핑액 처리 등을 거친다.Flat substrates, such as silicon wafers, for example, form the base of many electrical or electronic components, such as solar cells. In connection with the manufacture of the components, the substrate is generally subjected to several wet processing steps such as sawing, etching, doping liquid treatment and the like.
대개 기판의 전면 및 후면은 상이한 특성을 가져야 한다. 이를 위해 각각의 면은 상이하게 처리되고, 이는 하기에서 "일면 처리"라고 한다.Usually the front and back side of the substrate should have different characteristics. For this purpose each face is treated differently, which is referred to below as "one side treatment".
일면 처리와 관련해서 기판의 처리되지 않을 면은 다른 면의 처리로부터 보호되어야 한다. 이를 위해 선행기술에 다양한 방법들이 공지되어 있다.With respect to one side treatment, the untreated side of the substrate should be protected from the treatment of the other side. Various methods are known in the prior art for this purpose.
따라서, 처리되지 않을 면은 기판의 처리 전에 고체 보호층으로 커버될 수 있고, 상기 층은 이후에 다시 제거되어야 한다. 기판은 프로세스 매체에 완전히 잠길 수 있다. 그러나 이러한 추가 단계의 실시는 시간 및 비용이 많이 들고, 이러한 추가 단계로 인해 일시적으로 보호된 면의 손상이 야기될 수 있다.Thus, the untreated side can be covered with a solid protective layer prior to processing of the substrate, which layer must then be removed again. The substrate may be completely submerged in the process medium. However, the implementation of this additional step is time consuming and expensive, and this additional step may cause damage to the temporarily protected side.
프로세스 액체의 표면을 따라 기판을 안내하는 일면 처리는 간행물 EP 1 733 418 B1 호에 공개되어 있다. 그러나, 실제로 기판들 사이에 발생하는 가스 기포, 스플래쉬 및 특히 반응 가스가 처리되지 않을 상부면에 도달할 수 있는 것이 밝혀졌다.One-side treatment for guiding the substrate along the surface of the process liquid is disclosed in
또한, 일면 처리와 관련해서 전술한 고체 보호층 대신에 간행물 DE 10 2009 050 845 호에 공개된 바와 같이 액체 보호층을 사용하는 것이 공지되어 있다. 그러나 이러한 해결책의 단점은 액체의 사용이 비용을 발생시키고 기존의 처리 액체에 영향을 미치는 것이다(희석).It is also known to use a liquid protective layer as disclosed in publication DE 10 2009 050 845 instead of the solid protective layer described above in connection with one-side treatment. However, a disadvantage of this solution is that the use of liquids is costly and affects existing treatment liquids (dilution).
간행물 EP 12 175 872 호에는 운반 방향과 반대로 향하는 수평 공기 유동에 의해 처리 액체 상부 영역으로부터 증기 및 가스의 배출을 개선할 수 있는 방법 및 장치가 공지되어 있다. 그러나 이 경우 정해진 방향의 유동으로 인해 원치 않는 가스 또는 증기가 점차로 수송 가스에 농축되어 특히 이러한 장치의 후방 영역에서 기판 상부면의 바람직하지 않은 손상을 야기할 수 있는 것을 배제할 수 없다.In publication EP 12 175 872 a method and apparatus are known which can improve the discharge of steam and gases from the upper region of the processing liquid by horizontal air flows facing away from the conveying direction. However, it cannot be ruled out that in this case undesired gases or vapors may be gradually concentrated in the transport gas due to the flow in a given direction, which may cause undesirable damage of the substrate upper surface, especially in the rear region of such a device.
본 고안의 과제는 평판 기판의 일면 습식 화학 처리와 관련해서, 처리에 의한 손상, 특히 반응 가스로부터 상기 평판 기판의 처리되지 않을 면의 보호를 개선하는 것이다.An object of the present invention is to improve the protection of the unprocessed side of the flat substrate from damage caused by the treatment, in particular from the reactive gas, with respect to the one-side wet chemical treatment of the flat substrate.
본 고안의 다른 과제는 처리에 의한 손상으로부터 평판 기판의 처리되지 않을 면의 보호가 개선되는, 평판 기판의 일면 습식 화학 처리를 위한 연속 처리 장치를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a continuous processing apparatus for one-side wet chemical treatment of a flat substrate, in which the protection of the untreated side of the flat substrate is improved from damage caused by the treatment.
상기 과제는 청구범위 제1항에 따른 장치에 의해 해결된다. 본 고안의 다른 바람직한 실시예들은 종속 청구항, 상세한 설명 및 도면에 제시된다. The problem is solved by an apparatus according to
본 고안은 반응 가스로부터 처리되지 않는 면의 보호가 개선되는 효과가 있다.The present invention has the effect of improving the protection of the surface not treated from the reaction gas.
도 1은 연속 흐름 장치에서 본 고안에 따른 다수의 수단들(1)을 개략적으로 도시한 도면이다.1 shows schematically a number of
본 고안에 따른 장치는 평판 기판의 일면 습식 화학 처리에 이용된다. 상기 장치는 처리 액체의 수용을 위한 처리 컨테이너 및 처리 컨테이너를 통과하는 운반 평면을 따른 운반 방향으로 처리 액체의 표면을 따라 기판을 수평으로 안내하는데 이용되는 운반 장치를 포함한다. 다시 말해서, 장치는 특히 연속 처리 장치와 관련해서 평판 기판의 일면 습식 화학 처리에 적합하다.The apparatus according to the present invention is used for one side wet chemical treatment of a flat substrate. The apparatus includes a processing container for receiving a processing liquid and a conveying device used for guiding the substrate horizontally along the surface of the processing liquid in a conveying direction along a conveying plane through the processing container. In other words, the apparatus is particularly suitable for one side wet chemical treatment of flat substrates in connection with continuous processing apparatus.
평판 기판의 처리되지 않을 면(즉 기판의 상부면)과 처리 액체 상부에서 발생하는 가스 및/또는 증기(처리 액체로 인한 반응 가스, 증기)와 접촉을 방지하기 위해, 본 고안에 따른 장치는 운반 평면(및 처리 액체의 액체 레벨의)의 상부에 배치되고 기판의 처리되지 않을 면의 방향으로 치환 가스를 수직으로 배출하기 위한 적어도 하나의 수단을 포함한다. In order to prevent contact with the unprocessed side of the flat substrate (i.e., the top surface of the substrate) and the gas and / or vapors (reactant gases caused by the process liquid, vapor) from above the process liquid, the apparatus according to the present invention is carried At least one means disposed above the plane (and at the liquid level of the processing liquid) and for discharging the displacement gas vertically in the direction of the untreated side of the substrate.
다시 말해서, 장치는 기판의 측면에서 발생하는 가스 기포, 그것으로부터 누출되는 반응 가스, 반응 액체의 증기 또는 대기 중의 산소와 반응함으로써 형성되는 가스가 기판의 표면으로부터 제거되도록 기판의 표면 위에서부터 기체 상태의 유체를 배출시키는 부품을 포함한다. 이로 인해 처리되지 않을 표면은 상기 가스에 의한 손상으로부터 보호된다. 보호를 위해 반드시 액체 또는 고체를 사용할 필요가 없다. 따라서 보호에 필요한 프로세스 단계가 절감되고, 이로 인해 일면 습식 처리를 위한 시간과 비용이 절약된다.In other words, the device is in a gaseous state from above the surface of the substrate such that gas bubbles generated on the side of the substrate, reactant gases leaking therefrom, gases formed by reacting with vapors of the reaction liquid or oxygen in the atmosphere are removed from the surface of the substrate. And a component for discharging the fluid. This protects the surface that will not be treated from damage by the gas. It is not necessary to use liquids or solids for protection. This reduces the process steps required for protection, which saves time and money for one-sided wet processing.
이 경우, 치환 가스의 수직 배출 가능성이 중요하다. 이로써, 실질적으로 수평 및 특히 운반 방향과 반대로 향하는 치환 가스의 유동의 경우처럼 치환 가스에 가스 및/또는 증기가 점차로 농축되는 것이 효과적으로 저지될 수 있다. 유동을 정확히 수직으로 정렬하는 것이 구조적으로 불가능한 것은 분명하다. 따라서 수직선(perpendicular line)과의 소정의 편차, 예컨대 -30 내지 +30도, 바람직하게 -10 내지 +10도의 편차도 수직으로 정렬된 것으로 볼 수 있다.In this case, the possibility of vertical discharge of the replacement gas is important. In this way, the concentration of gas and / or vapor in the replacement gas can be effectively prevented as in the case of the flow of the replacement gas substantially horizontal and in particular in the opposite direction of conveyance. It is clear that it is structurally impossible to align the flow exactly vertically. Thus, a predetermined deviation from the perpendicular line, for example, -30 to +30 degrees, preferably -10 to +10 degrees, can also be seen as vertically aligned.
바람직하게 운반 장치는 운반 방향으로 나란히 배치된 다수의 롤러를 포함한다. 롤러의 상부 에지는, 처리 액체의 레벨과 일치하도록 처리 컨테이너 내에 배치되므로, 기판은 운반 중에 처리될 하부면만 롤러 위에 배치되고 처리 액체와 접촉한다.Preferably the conveying device comprises a plurality of rollers arranged side by side in the conveying direction. Since the upper edge of the roller is disposed in the processing container to match the level of the processing liquid, the substrate is placed on the roller only and is in contact with the processing liquid during transport.
운반 장치의 다른 실시예는, 벨트, 척 또는 소위 "유체 패드", 즉 유체에 기초한 패드이고, 이들 위에서 기판은 장치를 따라 부유 방식으로 운반될 수 있다.Another embodiment of the conveying device is a belt, chuck or so-called "fluid pad", ie a fluid based pad, on which the substrate can be conveyed in a floating manner along the device.
바람직하게 치환 가스를 수직으로 배출하기 위한 수단(하기에서 간단히 "수단"이라고도 함)은 배출구를 포함한다. 상기 배출구로부터 치환 가스는 전술한 방식으로 배출될 수 있다.Preferably the means for discharging the displacement gas vertically (also referred to simply as "means" in the following) comprises an outlet. The replacement gas from the outlet can be discharged in the manner described above.
특히 바람직하게 수단은 다수의 배출구들을 포함한다. 상기 배출구들은 패턴에 따라 또는 무작위로 수단의 하부면에 분포 배치될 수 있다. 상기 배출구들은 노즐로 구현될 수도 있고, 상기 노즐은 수단의 실제 하부면과 기판의 상부면의 간격이 큼에도 불구하고 유동을 정확하게 정렬할 수 있다.Especially preferably the means comprise a plurality of outlets. The outlets may be distributed in the lower surface of the means according to the pattern or randomly. The outlets may be embodied as nozzles, and the nozzles can accurately align the flow despite the large gap between the actual bottom face of the means and the top face of the substrate.
치환 가스의 배출을 위해 예를 들어 소결 재료로 이루어진 가스 투과성 플레이트를 사용하는 것도 가능하다.It is also possible to use a gas permeable plate made of, for example, a sintered material for the discharge of the replacement gas.
배출구(들)은 원형, 타원형 또는 슬롯 형태로 형성될 수 있다. 슬롯 형태의 배출구들(평면도에서)은 운반 방향으로 또는 운반 방향에 대해 가로방향으로 정렬될 수 있다. 상이한 형태들의 조합도 가능하다. 또한, 이로 인해 배출되는 치환 가스의 상이한 분배가 이루어질 수 있다. 예컨대 궤도의 중앙에는 가장자리 영역보다 더 높은 유량의 치환 가스가 제공되는 것이 바람직할 수 있다. 이는 간단하게 상이한 보어 크기 또는 보어 밀도(단위 면적당 배출구)에 의해 달성될 수 있다.The outlet (s) may be formed in the shape of a circle, oval or slot. The slot-shaped outlets (in plan view) can be aligned in the transport direction or transversely with respect to the transport direction. Combinations of different forms are also possible. This may also result in different distributions of the displacement gas being discharged. For example, it may be desirable to provide a higher flow rate of replacement gas than the edge region in the center of the orbit. This can be achieved simply by different bore sizes or bore densities (outlets per unit area).
다른 실시예에 따라 수단의 폭은 기판의 폭을 0 내지 10% 초과한다. 이로써, 기판 상부면의 가장자리 영역으로도 충분히 많은 치환 가스가 유입될 수 있는 것이 보장된다. 대안으로서 또는 추가로 배출구들은 특히 가장자리 영역에서 측면 틸팅 각도를 가질 수 있으므로, 상기 영역으로부터 유동하는 치환 가스는 기판의 중심으로부터 더 양호하게 분리되어 운반된다.According to another embodiment the width of the means exceeds 0-10% of the width of the substrate. This ensures that sufficient replacement gas can also enter the edge region of the substrate top surface. As an alternative or in addition the outlets may have a lateral tilting angle in particular in the edge region, the displacement gas flowing from the region is better transported away from the center of the substrate.
수단이 다수의 배출구를 포함하는 경우에, 운반 방향으로 볼 때 상기 배출구들은 세그먼트 별로 선택적으로 폐쇄될 수 있다. 즉, 수단의 폭에 걸쳐 연장된 세그먼트들은 배출구들로 형성되고, 상기 세그먼트들은 공통적으로 개방 또는 폐쇄될 수 있다. 실제로 기판이 세그먼트 아래에 배치되는 경우에, 상기 세그먼트는 치환 가스를 배출한다. 이로 인해, 2개의 기판 사이의 갭에서 처리 액체의 표면에 발생하는 치환 가스는 파동을 형성할 수 없고 및/또는 바람직하지 않은 가스를 기판의 방향으로 이동시키지 않는 것이 보장된다.In the case where the means comprise a plurality of outlets, the outlets can be selectively closed on a segment-by-view basis in the conveying direction. That is, segments extending over the width of the means are formed with outlets, which segments can be open or closed in common. In the case where the substrate is actually placed under the segment, the segment discharges a replacement gas. This ensures that the substitution gas occurring on the surface of the processing liquid in the gap between the two substrates cannot form waves and / or does not move undesirable gases in the direction of the substrate.
기판 또는 그 사이의 갭의 위치 검출을 위해 센서들, 예컨대 근접 센서가 이용될 수 있다. 상기 센서들은 세그먼트의 개방 또는 폐쇄를 제어한다.Sensors, such as proximity sensors, can be used to detect the position of the substrate or the gap therebetween. The sensors control the opening or closing of the segment.
다른 실시예에 따라 수단은 운반 방향으로 이동될 수 있다. 이로 인해 전술한 효과가 달성될 수 있다. 장치는 이를 위해 특히 바람직하게 치환 가스의 수직 배출을 위한 다수의 수단들을 포함하고, 상기 수단들은 궤도 상부에 나란히 배치된다. 기판들 사이의 갭에 수단이 배치되지 않으므로, 이 경우에도 치환 가스는 배출되지 않는다. 수단의 이동은 기판과 동시에 이루어진다.According to another embodiment the means can be moved in the conveying direction. This can achieve the above effects. The apparatus for this purpose particularly preferably comprises a plurality of means for the vertical discharge of the replacement gas, which means are arranged side by side above the orbit. Since no means are arranged in the gap between the substrates, no replacement gas is discharged even in this case. The movement of the means takes place simultaneously with the substrate.
다른 실시예에 따라 수단은 또한 예컨대 치환 가스, 처리 액체-증기 및/또는 반응 가스를 위한 흡입구들을 포함한다. 이러한 흡입구들은 바람직하게 수단의 하부의 배출구들 사이에 배치될 수 있다.According to another embodiment the means also comprises inlets for example for a replacement gas, treatment liquid-vapor and / or reaction gas. Such inlets can preferably be arranged between the outlets of the lower part of the means.
이러한 "통합된" 흡입구들에 의해 경우에 따라서 별도의 흡입구는 생략될 수 있거나 또는 상기 흡입구는 훨씬 작게 설계될 수 있다. 또한, 유해 가스는 기판으로부터 멀리 떨어져 있는 영역까지 전혀 도달할 수 없고, 이는 사용자 및 기계의 보호에도 바람직하다.With these "integrated" inlets, in some cases a separate inlet can be omitted or the inlet can be designed to be much smaller. In addition, noxious gases can reach any area far from the substrate, which is also desirable for the protection of users and machines.
대안으로서 또는 추가로 흡입구들은 수단의 측면 가장자리 영역, 측면 에지 및/또는 상부면에 배치될 수 있다. 이로 인해 수단의 하부면의 중앙 영역은 치환 가스의 배출을 위해 거의 비워져 있다. 또한, 배출구와 흡입구의 유체적 결합 또는 구조적인 분리도 이 경우에 더 간단해진다.Alternatively or additionally, the inlets can be arranged in the side edge region, the side edge and / or the upper surface of the means. As a result, the central area of the lower face of the means is almost empty for the discharge of the replacement gas. In addition, the fluidic coupling or structural separation of the outlet and the inlet is also simplified in this case.
일반적으로 연속 처리 장치는 다수의 궤도를 포함한다. 이러한 경우에, 장치는 궤도의 개수에 상응하는 개수의, 치환 가스를 수직으로 배출하기 위한 수단을 포함하는 것이 바람직하다. 물론, 수단들은 궤도마다 비연속적으로 형성될 수 있지만, 의미상 궤도마다 하나의 수단이라고 표현된다.Generally, continuous processing apparatus includes a plurality of trajectories. In this case, the device preferably comprises means for discharging the displacement gas vertically, corresponding to the number of tracks. Of course, the means may be formed discontinuously per trajectory, but are semantically expressed as one means per trajectory.
개별 수단들 사이에 바람직하게 1 내지 200 mm의 간격이 유지된다. 이로써 수단들 사이의 영역에 치환 가스와 함께 바람직하지 않은 배출 가스가 올라올 수 있고, 많은 유동량이 운반되어 배출될 수 있다.A spacing of 1 to 200 mm is preferably maintained between the individual means. This allows undesirable exhaust gases to rise with the replacement gas in the region between the means, and large amounts of flow can be carried and discharged.
치환 가스로서 특히 공기, 보호가스 및 이들의 혼합물이 고려된다.As the substitution gas, in particular air, protective gas and mixtures thereof are contemplated.
치환 가스 량은 바람직하게, 기판과 수단 사이의 갭에 최소 유동 속도 0.1 m/s가 제공되도록 조절되고, 이 경우 최대 유동 속도 15 m/s가 초과되지 않는다. 바람직하게 유동 속도는 1 m/s이다.The amount of replacement gas is preferably adjusted such that a minimum flow rate of 0.1 m / s is provided in the gap between the substrate and the means, in which case the maximum flow rate of 15 m / s is not exceeded. Preferably the flow velocity is 1 m / s.
장치의 다른 바람직한 실시예에 따라 상기 장치는 흡입 장치를 포함하거나 또는 상기 장치에 흡입 장치가 할당된다. 이러한 흡입 장치가 전술한 흡입구들을 제공하는 것보다 낫지만, 바람직하게 상기 흡입구에 연결될 수 있다. 특히 흡입 장치는 치환 가스의 수직 배출을 위한 수단(들)의 측면에서 발생하는 장입 치환 가스의 제거에 이용된다.According to another preferred embodiment of the device the device comprises an inhalation device or an inhalation device is assigned to the device. Such a suction device is better than providing the inlets described above, but can preferably be connected to the inlet. In particular, the inhalation device is used for the removal of charged replacement gas which occurs on the side of the means (s) for the vertical discharge of the replacement gas.
하기에서 본 고안에 따른 장치의 용도가 설명된다.In the following the use of the device according to the invention is described.
장치는 처리 액체 상부에 발생하는 가스 및/또는 증기와 평판 기판의 처리되지 않을 면의 접촉을 방지하는데 이용되고, 이 경우 운반 평면 상부에 배치된 수단으로부터 기판의 처리되지 않을 면의 방향으로 치환 가스가 배출된다.The apparatus is used to prevent contact of the gases and / or vapors occurring on top of the processing liquid with the untreated side of the flat substrate, in which case a displacement gas in the direction of the untreated side of the substrate from means disposed above the conveying plane. Is discharged.
장치 특징과 관련한 반복 설명을 피하기 위해 전술한 설명들이 참조된다.The foregoing descriptions are referenced to avoid repeated descriptions relating to device features.
바람직하게 치환 가스는 기판의 표면으로만 배출되고, 처리 액체의 자유 표면으로는 배출되지 않는다. 이로 인해, 2개의 기판들 사이의 갭에서 처리 액체의 표면에 발생하는 치환 가스는 파동을 형성할 수 없고 및/또는 바람직하지 않은 가스가 기판의 방향으로 이동되지 않는 것이 보장된다.Preferably the replacement gas is discharged only to the surface of the substrate and not to the free surface of the treatment liquid. This ensures that the substitution gas occurring on the surface of the processing liquid in the gap between the two substrates cannot form waves and / or that undesirable gases do not move in the direction of the substrate.
이는, 구조적으로 세그먼트 별로 선택적으로 폐쇄될 수 있는 배출구 및 운반 방향으로 수단의 이동성에 의해 달성된다(상기 참조).This is achieved by the mobility of the means in the outlet and conveying direction which can be structurally selectively closed segmentally (see above).
또한, 운반 평면 상부에 제공된 가스 및/또는 증기의 흡입은 수단에 의해 제공된 흡입구를 사용하여 이루어지는 것이 바람직하다. 이로 인해 장입되는 치환 가스가 이동해야 할 개방 경로 길이는 최소화된다(상기 참조).In addition, the inhalation of the gas and / or vapor provided above the transport plane is preferably achieved using the inlet provided by the means. This minimizes the length of the open path through which the charged replacement gas must travel (see above).
본 고안은 평판 기판의 일면 습식 화학 처리와 관련해서, 손상 특히 반응 가스로부터 평판 기판의 처리되지 않을 면의 보호를 개선한다.The present invention improves the protection of the untreated side of the flat substrate from damage, in particular from reactive gases, with respect to one side wet chemical treatment of the flat substrate.
롤러로서 형성된 운반 장치(4)에서, 3개의 궤도(5)에 평판 기판(2)이 배치된다. 상기 기판은 연속 흐름 장치에서(처리 컨테이너(7)가 도시됨) 습식 화학 처리 시 운반 평면(8)에서 도면 평면 내로 향하는 운반 방향으로 운반된다.In the conveying apparatus 4 formed as a roller, the flat substrate 2 is arranged in three
처리 액체(F)의 레벨은 본 경우에 운반 수단(4)으로서 이용되는 롤러의 상부 에지와 일치하므로, 실질적으로 기판(3)의 일면 처리가 가능해진다.Since the level of the processing liquid F coincides with the upper edge of the roller used as the conveying means 4 in this case, substantially one surface treatment of the
기판(2) 상부에 평판 기판(2)의 처리되지 않을 면의 보호를 위한 본 고안에 따른 장치(1)가 배치된다. 장치(1)의 하부면에 배치된 배출구들(6)로부터 치환 가스(3)가 유출된다. 상기 치환 가스의 유동 경로는 도 1에서 화살표로 도시된다.On top of the substrate 2 an
도시된 바와 같이, 치환 가스(3)는 기판(2)의 상부면을 향해 대략 수직으로 유동한다. 거기에서 상기 치환 가스는 방향을 전환한 후에 다시 위로 또는 측면으로, 그러나 기판 상부면과 재접촉을 피해서 유동한다. 이로 인해, 방향 전환 시 반응 가스와 접촉하는 치환 가스(3)는 기판(2)의 처리되지 않을 면을 더 이상 오염시키지 않을 수 있는 것이 보장된다.As shown, the
또한, 장입되는 치환 가스(3)는 위로 누출되고, 거기에서 흡입 장치(도시되지 않음)에 의해 연속 흐름 장치의 영역으로부터 제거된다.In addition, the charged
기판 상부면과 배출구(6) 사이의 간격(x)은 바람직하게 1 내지 20 mm이고, 특히 바람직하게 7 mm이다.The spacing x between the substrate top surface and the
1 치환 가스의 수직 배출을 위한 수단, 수단
2 기판, 평판 기판
3 치환 가스
4 운반 장치
5 궤도
6 배출구
7 처리 컨테이너
8 운반 평면
F 처리 액체Means for the vertical discharge of percolating gases
2 boards, flat board
3 substitution gas
4 conveying device
5 track
6 outlet
7 processing container
8 carrying plane
F treatment liquid
Claims (13)
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Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
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