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KR20130132284A - 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 처리 장치 Download PDF

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KR20130132284A
KR20130132284A KR1020130056951A KR20130056951A KR20130132284A KR 20130132284 A KR20130132284 A KR 20130132284A KR 1020130056951 A KR1020130056951 A KR 1020130056951A KR 20130056951 A KR20130056951 A KR 20130056951A KR 20130132284 A KR20130132284 A KR 20130132284A
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KR
South Korea
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substrate
unit
processing
mounting
board
Prior art date
Application number
KR1020130056951A
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English (en)
Inventor
가즈히로 니시무라
마사히토 가시야마
Original Assignee
가부시키가이샤 소쿠도
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 소쿠도 filed Critical 가부시키가이샤 소쿠도
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Abstract

재치부는, 상단 재치실 및 하단 재치실을 갖는다. 상단 재치실 및 하단 재치실에는, 재치 유닛이 각각 설치된다. 상단 재치실 및 하단 재치실에는, 도포 처리실에 대응하는 복수의 로컬 암이 각각 설치된다. 또, 상단 재치실 및 하단 재치실에는, 복수의 열처리 유닛에 각각 대응하는 복수의 로컬 암, 복수의 밀착 강화 처리 유닛에 각각 대응하는 복수의 로컬 암, 복수의 냉각 유닛에 각각 대응하는 복수의 로컬 암이 설치된다.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은, 기판에 처리를 행하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 기판, 액정 표시 장치용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, 광디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판 등의 각종 기판에 여러 가지의 처리를 행하기 위해서, 기판 처리 장치가 이용되고 있다.
예를 들면, 일본국 특허 공개 2003-324139호 공보에 기재되는 기판 처리 장치는, 복수의 처리 블록을 구비한다. 각 처리 블록에는, 복수의 열처리부, 복수의 약액 처리부 및 반송 기구가 설치된다. 각 처리 블록에 있어서, 반송 기구가 기판의 반송을 행한다.
스루풋의 향상을 위해서, 기판의 반송 시간을 단축하는 것이 요구된다. 일본국 특허 공개 2003-324139호 공보의 기판 처리 장치에 있어서, 기판의 반송 시간을 단축하기 위해서는, 반송 기구의 동작 속도를 높일 필요가 있다. 그러나, 반송 기구의 동작 속도를 높이는 데에는 한계가 있다. 특히, 기판의 치수가 큰 경우에는, 반송 기구의 부담이 커지므로, 반송 기구의 동작 속도를 높이는 것이 더욱 곤란해진다.
본 발명의 목적은, 스루풋을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
(1) 본 발명의 한 국면에 따른 기판 처리 장치는, 처리부와, 처리부에 대해 기판의 반입 및 반출을 행하기 위한 반입 반출부를 구비하고, 처리부 및 반입 반출부는, 한 방향으로 나열되도록 배치되고, 처리부는, 기판에 처리액을 이용한 액처리를 행하기 위한 액처리부와, 기판에 열처리를 행하기 위한 열처리부와, 기판을 일시적으로 올리놓기 위한 재치부와, 재치부와 액처리부 사이에서 기판을 반송하도록 구성되는 제1의 반송 기구와, 재치부와 열처리부 사이에서 기판을 반송하도록 구성되는 제2의 반송 기구를 포함하고, 한 방향에 관해서, 액처리부는 재치부의 일방측에 배치되고, 열처리부는 재치부의 타방측에 배치되고, 액처리부, 재치부 및 열처리부가 나열되도록 배치되고, 반입 반출부는, 기판을 수납하는 수납 용기가 올려지는 용기 재치부와, 용기 재치부에 올려지는 수납 용기와 처리부의 재치부 사이에서 기판을 반송하도록 구성되는 제3의 반송 기구를 포함하는 것이다.
그 기판 처리 장치에 있어서는, 처리부 및 반입 반출부가 한 방향으로 나열되도록 배치된다. 반입 반출부의 용기 재치부에 기판을 수납하는 수납 용기가 올려진다. 제3의 반송 기구에 의해 수납 용기로부터 처리부의 재치부에 미처리된 기판이 반송된다. 또, 제3의 반송 기구에 의해 처리부의 재치부로부터 반입 반출부의 수납 용기에 처리 후의 기판이 반송된다.
제1의 반송 기구에 의해, 재치부로부터 상기 한 방향에 관해서 재치부의 일방측에 배치된 액처리부에 기판이 반송된다. 액처리부에 있어서, 기판에 처리액을 이용한 액처리가 행해진다. 액처리 후의 기판은, 제1의 반송 기구에 의해 액처리부로부터 재치부에 반송된다. 또, 제2의 반송 기구에 의해, 재치부로부터 상기 한 방향에 관해서 재치부의 타방측에 배치된 열처리부에 기판이 반송된다. 열처리부에 있어서, 기판에 열처리가 행해진다. 열처리 후의 기판은, 제2의 반송 기구에 의해 열처리부로부터 재치부로 반송된다.
이와 같이, 처리부에 있어서, 액처리부와 열처리부 사이에서 재치부가 배치되고, 재치부와 액처리부 사이에 있어서의 기판의 반송 및 재치부와 열처리부 사이에 있어서의 기판의 반송이 상이한 제1 및 제2의 반송 기구에 의해 각각 행해진다. 이에 의해, 액처리부 및 열처리부로의 기판의 반송 효율이 높아진다. 그 결과, 스루풋을 향상시키는 것이 가능해진다.
(2) 재치부는, 복수의 기판을 상하로 재치 가능하게 구성되어도 된다. 이 경우, 재치부의 점유 면적을 증가시키지 않고, 복수의 기판을 보다 효율적으로 액처리부 및 열처리부로 반송할 수 있다.
(3) 액처리부는, 상하로 배치된 복수의 액처리 유닛을 포함해도 된다. 이 경우, 액처리부의 점유 면적을 증가시키지 않고, 복수의 액처리 유닛에 있어서, 복수의 기판에 동시에 액처리를 행할 수 있다. 이에 의해, 스루풋이 더욱 향상된다.
(4) 제1의 반송 기구는, 하나 또는 복수의 제1의 반송 유닛을 포함하고, 각 제1의 반송 유닛은, 복수의 액처리 유닛 중 적어도 하나에 대응하고, 대응하는 액처리 유닛과 재치부 사이에서 기판을 반송하도록 구성되어도 된다.
이 경우, 복수의 액처리 유닛과 재치부 사이에서 효율적으로 기판을 반송할 수 있다.
(5) 적어도 하나의 제1의 반송 유닛은, 상하로 이동 가능하게 구성되어도 된다. 이 경우, 제1의 반송 유닛의 수를 삭감하면서 복수의 액처리 유닛과 재치부 사이에서 기판을 반송할 수 있다. 이에 의해, 비용을 삭감할 수 있다.
(6) 열처리부는, 상하로 배치된 복수의 열처리 유닛을 포함해도 된다. 이 경우, 열처리부의 점유 면적을 증가시키지 않고, 복수의 열처리 유닛에 있어서, 복수의 기판에 동시에 열처리를 행할 수 있다. 이에 의해, 스루풋이 더욱 향상된다.
(7) 제2의 반송 기구는, 하나 또는 복수의 제2의 반송 유닛을 포함하고, 각 제2의 반송 유닛은, 복수의 열처리 유닛 중 적어도 하나에 대응하고, 대응하는 열처리 유닛과 재치부 사이에서 기판을 반송하도록 구성되어도 된다.
이 경우, 복수의 열처리 유닛과 재치부 사이에서 효율적으로 기판을 반송할 수 있다.
(8) 적어도 하나의 제2의 반송 유닛은, 상하로 이동 가능하게 구성되어도 된다. 이 경우, 제2의 반송 유닛의 수를 삭감하면서 복수의 열처리 유닛과 재치부 사이에서 기판을 반송할 수 있다. 이에 의해, 비용을 삭감할 수 있다.
(9) 기판 처리 장치는, 재치부에 올려진 기판을 상하로 이동시키도록 구성된 승강 기구를 더 구비해도 된다.
이 경우, 재치부에 올려진 기판의 높이를 제1 및 제2의 반송 기구에 의해 수취 가능한 높이로 조정할 수 있다. 이에 의해, 제1 및 제2의 반송 기구의 동작을 간략화할 수 있다.
도 1은, 본 발명의 제1의 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 모식적 평면도.
도 2는, 도포 처리부, 도포 현상 처리부 및 세정 건조 처리부의 개략 측면도.
도 3은, 열처리부 및 세정 건조 처리부의 개략 측면도.
도 4는, 재치부의 개략 측면도.
도 5는, 도포 처리부, 재치부 및 열처리부의 개략 측면도.
도 6은, 도포 현상 처리부, 재치부 및 열처리부의 개략 측면도.
도 7(a) 및 (b)는, 재치부의 개략 평면도.
도 8은, 재치부의 개략 측면도.
도 9는, 도포 처리부, 재치부 및 열처리부의 개략 측면도.
도 10은, 도포 현상 처리부, 재치부 및 열처리부의 개략 측면도.
도 11(a) 및 (b)는, 재치부의 개략 평면도이다.
이하, 본 발명의 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 대해서 도면을 이용하여 설명한다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 기판이란, 반도체 기판, 액정 표시 장치용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, 포토마스크용 유리 기판, 광디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판 및 포토마스크용 기판 등을 말한다.
(1) 제1의 실시형태
(1-1) 기판 처리 장치의 구성
도 1은, 본 발명의 제1의 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 모식적 평면도이다. 도 1 및 도 2 이후의 소정의 도면에는, 위치 관계를 명확하게 하기 위해서 서로 직교하는 X방향, Y방향 및 Z방향을 나타내는 화살표를 부여하고 있다. X방향 및 Y방향은 수평면 내에서 서로 직교하고, Z방향은 연직 방향에 상당한다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 기판 처리 장치(100)는, 인덱서 블록(11), 제1의 처리 블록(12), 제2의 처리 블록(13) 및 인터페이스 블록(14)을 구비한다. 인덱서 블록(11), 제1의 처리 블록(12), 제2의 처리 블록(13) 및 인터페이스 블록(14)은, 한 방향(X방향)으로 나열되도록 배치된다. 인터페이스 블록(14)에 인접하도록 노광 장치(15)가 배치된다. 노광 장치(15)에 있어서는, 액침법에 의해 기판(W)에 노광 처리가 행해진다.
인덱서 블록(11)은, 복수의 캐리어 재치부(111) 및 반송부(112)를 포함한다.
각 캐리어 재치부(111)에는, 복수의 기판(W)을 다단으로 수납하는 캐리어(113)가 올려진다.
반송부(112)에는, 제어부(114) 및 반송 기구(115)가 설치된다. 제어부(114)는, 기판 처리 장치(100)의 여러 가지의 구성 요소를 제어한다. 반송 기구(115)는, 기판(W)을 유지하여 반송한다.
제1의 처리 블록(12)은, 도포 처리부(121), 재치부(122) 및 열처리부(123)를 포함한다. 도포 처리부(121), 재치부(122) 및 열처리부(123)는, Y방향으로 나열되도록 설치된다. 도포 처리부(121) 및 열처리부(123)는, 재치부(122)를 사이에 두고 대향한다. Y방향에 있어서, 도포 처리부(121), 재치부(122) 및 열처리부(123)가 서로 어긋나도록 배치되어도 된다.
제2의 처리 블록(13)은, 도포 현상 처리부(131), 재치부(132) 및 열처리부(133)를 포함한다. 도포 현상 처리부(131), 재치부(132) 및 열처리부(133)는, Y방향으로 나열되도록 설치된다. 도포 현상 처리부(131) 및 열처리부(133)는, 재치부(132)를 사이에 두고 대향한다. Y방향에 있어서, 도포 현상 처리부(131), 재치부(132) 및 열처리부(133)가 서로 어긋나도록 배치되어도 된다.
재치부(122)와 재치부(132) 사이에는, 기판(W)을 유지하여 반송하는 로컬 암(L1) 및 후술하는 로컬 암(L2)(후술하는 도면 4)이 설치된다.
인터페이스 블록(14)은, 세정 건조 처리부(161, 162) 및 반송부(163)를 포함한다. 세정 건조 처리부(161, 162)는, 반송부(163)를 사이에 두고 대향하도록 설치된다. 반송부(163)에는, 노광 장치(15)에 대한 기판(W)의 반입 및 반출을 행하기 위한 반송 기구(도시하지 않음)가 설치된다. 재치부(132)와 반송부(163) 사이에는, 기판(W)을 유지하여 반송하는 로컬 암(L3) 및 후술하는 로컬 암(L4)(후술하는 도면 4)이 설치된다.
(1-2) 도포 처리부 및 도포 현상 처리부의 구성
도 2는, 도 1의 도포 처리부(121), 도포 현상 처리부(131) 및 세정 건조 처리부(161)의 개략 측면도이다.
도 2에 나타낸 바와 같이, 도포 처리부(121)에는 도포 처리실(21, 22, 23, 24)이 계층적으로 설치된다. 도포 처리실(21~24)의 각각에는 도포 처리 유닛(129)이 설치된다. 도포 현상 처리부(131)에는 현상 처리실(31, 33) 및 도포 처리실(32, 34)이 계층적으로 설치된다. 현상 처리실(31, 33)의 각각에는 현상 처리 유닛(139)이 설치되고, 각 도포 처리실(32, 34)의 각각에는 도포 처리 유닛(129)이 설치된다.
각 도포 처리 유닛(129)은, 기판(W)을 유지하는 스핀 척(25) 및 스핀 척(25)의 주위를 덮도록 설치되는 컵(27)을 구비한다. 스핀 척(25)은, 도시하지 않은 구동 장치(예를 들면, 전동 모터)에 의해 회전 구동된다.
도포 처리 유닛(129)에 있어서는, 스핀 척(25)에 의해 유지된 기판(W)에 도시하지 않은 처리액 노즐로부터 처리액이 토출됨으로써, 기판(W) 상에 처리액이 도포된다. 이에 의해, 기판(W) 상에 처리액의 막이 형성된다.
본 실시형태에 있어서는, 도포 처리실(22, 24)의 도포 처리 유닛(129)에 있어서, 기판(W) 상에 반사 방지막이 형성된다. 도포 처리실(21, 23)의 도포 처리 유닛(129)에 있어서, 기판(W) 상에 레지스트막이 형성된다. 도포 처리실(32, 34)의 도포 처리 유닛(129)에 있어서, 기판(W) 상에 레지스트 커버막이 형성된다.
현상 처리 유닛(139)은, 도포 처리 유닛(129)과 동일하게, 스핀 척(35) 및 컵(37)을 구비한다. 현상 처리 유닛(139)에 있어서는, 스핀 척(35)에 의해 유지된 기판(W)에 도시하지 않은 현상액 노즐로부터 현상액이 공급된다. 이에 의해, 기판(W) 상의 레지스트 커버막이 제거됨과 더불어, 기판(W)의 현상 처리가 행해진다.
도 2의 예에서는, 도포 처리 유닛(129)이 2세트의 스핀 척(25) 및 컵(27)을 갖고, 현상 처리 유닛(139)이 3세트의 스핀 척(35) 및 컵(37)을 갖는데, 이들 개수는 적절히 변경되어도 된다.
세정 건조 처리부(161)에는, 복수(본 예에서는 4개)의 세정 건조 처리 유닛(SD1)이 계층적으로 설치된다. 세정 건조 처리 유닛(SD1)에 있어서는, 노광 처리 전의 기판(W)의 세정 처리 및 건조 처리가 행해진다.
(1-3) 열처리부의 구성
도 3은, 도 1의 열처리부(123, 133) 및 세정 건조 처리부(162)의 개략 측면도이다.
도 3에 나타낸 바와 같이, 열처리부(123)는, 상방에 설치되는 상단 열처리부(301) 및 하방에 설치되는 하단 열처리부(302)를 갖는다. 상단 열처리부(301) 및 하단 열처리부(302)의 각각에는, 복수의 열처리 유닛(TP), 복수의 밀착 강화 처리 유닛(AHP) 및 복수의 냉각 유닛(CP)이 3열로 설치된다. 여기서, 열은, 상하 방향에 있어서의 복수의 유닛의 나열을 의미한다.
열처리 유닛(TP)에서는, 기판(W)의 열처리가 행해진다. 구체적으로는, 가열 플레이트(TH)(후술하는 도 5 및 도 6)에 의한 기판(W)의 가열 처리 및 냉각 플레이트(TC)(후술하는 도 5 및 도 6)에 의한 기판(W)의 냉각 처리가 연속적으로 행해진다. 밀착 강화 처리 유닛(AHP)에 있어서는, 기판(W)과 반사 방지막의 밀착성을 향상시키기 위한 밀착 강화 처리가 행해진다. 구체적으로는, 밀착 강화 처리 유닛(AHP)에 있어서, 기판(W)에 HMDS(헥사메틸디실라잔) 등의 밀착 강화제가 도포됨과 더불어, 기판(W)에 가열 처리가 행해진다. 냉각 유닛(CP)에 있어서는, 기판(W)의 냉각 처리가 행해진다.
열처리부(133)는, 상방에 설치되는 상단 열처리부(303) 및 하방에 설치되는 하단 열처리부(304)를 갖는다. 상단 열처리부(303) 및 하단 열처리부(304)의 각각에는, 복수의 열처리 유닛(TP), 엣지 노광부(EEW) 및 냉각 유닛(CP)이 4열로 설치된다.
엣지 노광부(EEW)에 있어서는, 기판(W)의 주연부의 노광 처리(엣지 노광 처리)가 행해진다. 이에 의해, 다음의 현상 처리시에, 기판(W)의 주연부 상의 레지스트막이 제거된다.
세정 건조 처리부(162)에는, 복수(본 예에서는 5개)의 세정 건조 처리 유닛(SD2)이 설치된다. 세정 건조 처리 유닛(SD2)에 있어서는, 노광 처리 후의 기판(W)의 세정 처리 및 건조 처리가 행해진다.
(1-4) 재치부의 구성
도 4는, 재치부(122, 132)의 개략 측면도이다. 도 5는, 도포 처리부(121), 재치부(122) 및 열처리부(123)의 개략 측면도이다. 도 6은, 도포 현상 처리부(131), 재치부(132) 및 열처리부(133)의 개략 측면도이다. 도 7은, 재치부(122, 132)의 개략 평면도이다. 또한, 도 7(a)에는 후술하는 상단 재치실(125, 135)이 나타나고, 도 7(b)에는 후술하는 하단 재치실(126, 136)이 나타난다.
도 4에 나타낸 바와 같이, 재치부(122)는, 상단 재치실(125) 및 하단 재치실(126)을 갖는다. 재치부(132)는, 상단 재치실(135) 및 하단 재치실(136)을 갖는다. 상단 재치실(125)과 상단 재치실(135) 사이에서 로컬 암(L1)이 설치되고, 하단 재치실(126)과 하단 재치실(136) 사이에 로컬 암(L2)이 설치된다. 상단 재치실(135)과 인터페이스 블록(14)의 반송부(163) 사이에 로컬 암(L3)이 설치되고, 하단 재치실(136)과 인터페이스 블록(14)의 반송부(163) 사이에 로컬 암(L4)이 설치된다.
상단 재치실(125)에는 재치 유닛(127)이 설치되고, 하단 재치실(126)에는 재치 유닛(128)이 설치된다. 또, 상단 재치실(135)에는 재치 유닛(137)이 설치되고, 하단 재치실(136)에는 재치 유닛(138)이 설치된다. 재치 유닛(127, 128, 137, 138)의 각각은, 복수단의 선반(ST) 및 승강 장치(LID)를 구비한다. 복수단의 선반(ST)의 각각에 기판(W)이 일시적으로 올려진다. 승강 장치(LID)는, 복수단의 선반(ST)을 각각 개별적으로 승강시킨다.
도 5에 나타낸 바와 같이, 도포 처리실(21, 22)은 상단 재치실(125)을 사이에 두고 상단 열처리부(301)와 대향하고, 도포 처리실(23, 24)은 하단 재치실(126)을 사이에 두고 하단 열처리부(302)와 대향한다.
상단 재치실(125)에는 도포 처리실(21)에 대응하는 로컬 암(LR) 및 도포 처리실(22)에 대응하는 로컬 암(LB)이 설치되고, 하단 재치실(126)에는 도포 처리실(23)에 대응하는 로컬 암(LR) 및 도포 처리실(24)에 대응하는 로컬 암(LB)이 설치된다. 상단 재치실(125)에 있어서, 로컬 암(LR)은 도포 처리실(21)에 이웃하도록 설치되고, 로컬 암(LB)은 도포 처리실(22)에 이웃하도록 설치된다. 하단 재치실(126)에 있어서, 로컬 암(LR)은 도포 처리실(23)에 이웃하도록 설치되고, 로컬 암(LB)은 도포 처리실(24)에 이웃하도록 설치된다.
상단 재치실(125)의 로컬 암(LR)은 재치 유닛(127)과 도포 처리실(21) 사이에서 기판(W)을 반송하고, 상단 재치실(125)의 로컬 암(LB)은 재치 유닛(127)과 도포 처리실(22) 사이에서 기판(W)을 반송한다. 하단 재치실(126)의 로컬 암(LR)은 재치 유닛(128)과 도포 처리실(23) 사이에서 기판(W)을 반송하고, 하단 재치실(126)의 로컬 암(LB)은 재치 유닛(128)과 도포 처리실(24) 사이에서 기판(W)을 반송한다.
로컬 암(LR, LB)의 각각은, 도포 처리 유닛(129)의 복수의 스핀 척(25) 중 임의의 스핀 척(25) 상에 선택적으로 기판(W)을 반송 가능하게 구성된다.
또, 상단 재치실(125) 및 하단 재치실(126)에는, 복수의 열처리 유닛(TP)에 각각 대응하는 복수의 로컬 암(LTP), 복수의 밀착 강화 처리 유닛(AHP)에 각각 대응하는 복수의 로컬 암(LAHP), 복수의 냉각 유닛(CP)에 각각 대응하는 복수의 로컬 암(LCP)이 설치된다. 상단 재치실(125) 및 하단 재치실(126)에 있어서, 각 로컬 암(LTP)은 대응하는 열처리 유닛(TP)에 이웃하도록 설치되고, 각 로컬 암(LAHP)은 대응하는 밀착 강화 처리 유닛(AHP)에 이웃하도록 설치되고, 각 로컬 암(LCP)은 대응하는 냉각 유닛(CP)에 이웃하도록 설치된다.
상단 재치실(125)의 각 로컬 암(LTP)은 재치 유닛(127)과 대응하는 열처리 유닛(TP) 사이에서 기판(W)을 반송하고, 상단 재치실(125)의 각 로컬 암(LAHP)은 재치 유닛(127)과 대응하는 밀착 강화 처리 유닛(AHP) 사이에서 기판(W)을 반송하고, 상단 재치실(125)의 각 로컬 암(LCP)은 재치 유닛(127)과 대응하는 냉각 유닛(CP) 사이에서 기판(W)을 반송한다. 하단 재치실(126)의 각 로컬 암(LTP)은 재치 유닛(128)과 대응하는 열처리 유닛(TP) 사이에서 기판(W)을 반송하고, 하단 재치실(126)의 각 로컬 암(LAHP)은 재치 유닛(128)과 대응하는 밀착 강화 처리 유닛(AHP) 사이에서 기판(W)을 반송하고, 하단 재치실(126)의 각 로컬 암(LCP)은 재치 유닛(128)과 대응하는 냉각 유닛(CP) 사이에서 기판(W)을 반송한다.
또, 각 로컬 암(LTP)은, 대응하는 열처리 유닛(TP)의 가열 플레이트(TH)와 냉각 플레이트(TC) 사이에서 기판(W)을 반송한다. 본 예에서는, 각 열처리 유닛(TP)에 있어서, 가열 플레이트(TH) 및 냉각 플레이트(TC)가 Y방향으로 나열되도록 설치되는데, 가열 플레이트(TH) 및 냉각 플레이트(TC)가 상하로 겹쳐지도록 배치되어도 된다.
상단 재치실(125)의 각 로컬 암에 의해 재치 유닛(127)으로부터 기판(W)이 수취될 때에는, 수취되어야 할 기판(W)의 높이가 그 로컬 암에 의해 수취 가능한 높이가 되도록, 재치 유닛(127)의 승강 장치(LID)(도 4)가 선반(ST)의 높이를 조정한다. 또, 로컬 암(L1)에 의해 재치 유닛(127)으로부터 기판(W)이 수취될 때에는, 수취되어야 할 기판(W)의 높이가 로컬 암(L1)에 의해 수취 가능한 높이가 되도록, 재치 유닛(127)의 승강 장치(LID)(도 4)가 선반(ST)의 높이를 조정한다.
하단 재치실(126)의 각 로컬 암에 의해 재치 유닛(128)으로부터 기판(W)이 수취될 때에는, 수취되어야 할 기판(W)의 높이가 그 로컬 암에 의해 수취 가능한 높이가 되도록, 재치 유닛(128)의 승강 장치(LID)(도 4)가 선반(ST)의 높이를 조정한다. 또, 로컬 암(L2)에 의해 재치 유닛(128)으로부터 기판(W)이 수취될 때에는, 수취되어야 할 기판(W)의 높이가 로컬 암(L2)에 의해 수취 가능한 높이가 되도록, 재치 유닛(128)의 승강 장치(LID)(도 4)가 선반(ST)의 높이를 조정한다.
도 6에 나타낸 바와 같이, 현상 처리실(31) 및 도포 처리실(32)은, 상단 재치실(135)을 사이에 두고 상단 열처리부(303)와 대향하고, 현상 처리실(33) 및 도포 처리실(34)은, 하단 재치실(136)을 사이에 두고 하단 열처리부(304)와 대향한다.
상단 재치실(135)에는 현상 처리실(31)에 대응하는 로컬 암(LD) 및 도포 처리실(32)에 대응하는 로컬 암(LC)이 설치되고, 하단 재치실(136)에는 현상 처리실(33)에 대응하는 로컬 암(LD) 및 도포 처리실(34)에 대응하는 로컬 암(LC)이 설치된다. 상단 재치실(135)에 있어서, 로컬 암(LD)은 현상 처리실(31)에 이웃하도록 설치되고, 로컬 암(LC)은 도포 처리실(32)에 이웃하도록 설치된다. 하단 재치실(136)에 있어서, 로컬 암(LD)은 현상 처리실(33)에 이웃하도록 설치되고, 로컬 암(LC)은 도포 처리실(34)에 이웃하도록 설치된다.
상단 재치실(135)의 로컬 암(LD)은 재치 유닛(137)과 현상 처리실(31) 사이에서 기판(W)을 반송하고, 상단 재치실(135)의 로컬 암(LC)은 재치 유닛(137)과 도포 처리실(32) 사이에서 기판(W)을 반송한다. 하단 재치실(136)의 로컬 암(LD)은 재치 유닛(138)과 현상 처리실(33) 사이에서 기판(W)을 반송하고, 하단 재치실(136)의 로컬 암(LC)은 재치 유닛(138)과 도포 처리실(34) 사이에서 기판(W)을 반송한다.
로컬 암(LC)은, 도포 처리 유닛(129)의 복수의 스핀 척(25) 중 임의의 스핀 척(25) 상에 선택적으로 기판(W)을 반송 가능하게 구성된다. 로컬 암(LD)은, 현상 처리 유닛(139)의 복수의 스핀 척(35) 중 임의의 스핀 척(35) 상에 선택적으로 기판(W)을 반송 가능하게 구성된다.
또, 상단 재치실(135) 및 하단 재치실(136)에는, 복수의 열처리 유닛(TP)에 각각 대응하는 복수의 로컬 암(LTP), 복수의 냉각 유닛(CP)(도 3)에 각각 대응하는 복수의 로컬 암(LCP)(도 7) 및 복수의 엣지 노광부(EEW)(도 3)에 각각 대응하는 복수의 로컬 암(LEEW)(도 7)이 설치된다. 상단 재치실(135) 및 하단 재치실(136)에 있어서, 각 로컬 암(LTP)은 대응하는 열처리 유닛(TP)에 이웃하도록 설치되고, 각 로컬 암(LCP)은 대응하는 냉각 유닛(CP)에 이웃하도록 설치되고, 각 로컬 암(LEEW)은 대응하는 엣지 노광부(EEW)에 이웃하도록 설치된다.
상단 재치실(135)의 각 로컬 암(LTP)은 재치 유닛(137)과 대응하는 열처리 유닛(TP) 사이에서 기판(W)을 반송하고, 상단 재치실(135)의 로컬 암(LCP)(도 7)은 재치 유닛(137)과 대응하는 냉각 유닛(CP)(도 3) 사이에서 기판(W)을 반송하고, 상단 재치실(135)의 로컬 암(LEEW)(도 7)은 재치 유닛(137)과 대응하는 엣지 노광부(EEW)(도 3) 사이에서 기판(W)을 반송한다. 하단 재치실(136)의 각 로컬 암(LTP)은 재치 유닛(138)과 대응하는 열처리 유닛(TP) 사이에서 기판(W)을 반송하고, 하단 재치실(136)의 로컬 암(LCP)(도 7)은 재치 유닛(138)과 대응하는 냉각 유닛(CP)(도 3) 사이에서 기판(W)을 반송하고, 하단 재치실(136)의 로컬 암(LEEW)(도 7)은 재치 유닛(138)과 대응하는 엣지 노광부(EEW)(도 3) 사이에서 기판(W)을 반송한다.
상단 재치실(135)의 각 로컬 암에 의해 재치 유닛(137)으로부터 기판(W)이 수취될 때에는, 수취되어야 할 기판(W)의 높이가 그 로컬 암에 의해 수취 가능한 높이가 되도록, 재치 유닛(137)의 승강 장치(LID)(도 4)가 선반(ST)의 높이를 조정한다. 또, 로컬 암(L1, L3)(도 4)에 의해 재치 유닛(137)으로부터 기판(W)이 수취될 때에는, 수취되어야 할 기판(W)의 높이가 로컬 암(L1, L3)에 의해 수취 가능한 높이가 되도록, 재치 유닛(137)의 승강 장치(LID)(도 4)가 선반(ST)의 높이를 조정한다.
또, 하단 재치실(136)의 로컬 암에 의해 재치 유닛(138)으로부터 기판(W)이 수취될 때에는, 수취되어야 할 기판(W)의 높이가 해당되는 로컬 암에 의해 수취 가능한 높이가 되도록, 재치 유닛(138)의 승강 장치(LID)(도 4)가 선반(ST)의 높이를 조정한다. 또, 로컬 암(L2, L4)(도 4)에 의해 재치 유닛(138)으로부터 기판(W)이 수취될 때에는, 수취되어야 할 기판(W)의 높이가 로컬 암(L2, L4)에 의해 수취 가능한 높이가 되도록, 재치 유닛(138)의 승강 장치(LID)(도 4)가 선반(ST)의 높이를 조정한다.
(1-5) 기판 처리 장치의 동작
도 1~도 7을 이용하여, 본 실시형태에 따른 기판 처리 장치(100)의 각 구성 요소의 동작에 대해서 설명한다. 이하의 설명에 있어서, 상단 재치실(125,135), 상단 열처리부(301, 303), 도포 처리실(21, 22, 32) 및 현상 처리실(31)을 상단 처리 영역이라 하고, 하단 재치실(126,136), 하단 열처리부(302, 304), 도포 처리실(23, 24, 34) 및 현상 처리실(33)을 하단 처리 영역이라 한다. 본 실시형태에서는, 상단 처리 영역에 있어서의 기판(W)의 처리와 하단 처리 영역에 있어서의 기판(W)의 처리가 병행하여 행해진다.
우선, 인덱서 블록(11)의 캐리어 재치부(111)(도 1)에, 미처리의 기판(W)이 수용된 캐리어(113)가 놓인다. 반송 기구(115)는, 캐리어(113)로부터 상단 재치실(125)(도 5)의 재치 유닛(127)의 선반(ST) 및 하단 재치실(126)(도 5)의 재치 유닛(128)의 선반(ST)에 번갈아 기판(W)을 반송한다.
이하, 상단 처리 영역의 동작에 대해서 설명하고, 하단 처리 영역의 동작의 설명을 생략한다. 하단 처리 영역의 동작은, 상단 처리 영역의 동작과 동일하다.
상단 재치실(125)(도 5)의 각 로컬 암(LAHP)은, 재치 유닛(127)의 선반(ST)으로부터 미처리의 기판(W)을 수취하여, 그 기판(W)을 대응하는 밀착 강화 처리 유닛(AHP)으로 반송한다. 각 밀착 강화 처리 유닛(AHP)에 있어서, 기판(W)의 밀착 강화 처리가 행해진다. 각 로컬 암(LAHP)은, 밀착 강화 처리 후의 기판(W)을 대응하는 밀착 강화 처리 유닛(AHP)으로부터 재치 유닛(127)의 선반(ST)으로 반송한다.
상단 재치실(125)의 각 로컬 암(LCP)은, 재치 유닛(127)의 선반(ST)으로부터 밀착 강화 처리 후의 기판(W)을 수취하여, 그 기판(W)을 대응하는 냉각 유닛(CP)으로 반송한다. 각 냉각 유닛(CP)에 있어서, 반사 방지막의 형성에 적절한 온도로 기판(W)이 냉각된다. 또한, 적정하게 반사 방지막을 형성하는 것이 가능하면, 반사 방지막의 형성 전에 기판(W)의 냉각 처리를 하지 않아도 된다. 각 로컬 암(LCP)은, 냉각 처리 후의 기판(W)을 대응하는 냉각 유닛(CP)으로부터 재치 유닛(127)의 선반(ST)으로 반송한다.
상단 재치실(125)의 로컬 암(LB)은, 재치 유닛(127)의 선반(ST)으로부터 냉각 처리 후의 기판(W)을 수취하여, 그 기판(W)을 도포 처리실(22)로 반송하고, 도포 처리 유닛(129)의 스핀 척(25) 상에 올려놓는다. 도포 처리실(22)에 있어서, 도포 처리 유닛(129)에 의해 기판(W) 상에 반사 방지막이 형성된다. 각 로컬 암(LB)은, 반사 방지막의 형성 후의 기판(W)을 도포 처리실(22)로부터 재치 유닛(127)의 선반(ST)으로 반송한다.
상단 재치실(125)의 각 로컬 암(LTP)은, 재치 유닛(127)의 선반(ST)으로부터 반사 방지막의 형성 후의 기판(W)을 수취하여, 그 기판(W)을 대응하는 열처리 유닛(TP)으로 반송한다. 각 열처리 유닛(TP)에 있어서, 반사 방지막의 형성 후의 기판(W)의 열처리가 행해진다. 각 로컬 암(LTP)은, 열처리 후의 기판(W)을 대응하는 열처리 유닛(TP)으로부터 재치 유닛(127)의 선반(ST)으로 반송한다.
상단 재치실(125)의 각 로컬 암(LCP)은, 재치 유닛(127)의 선반(ST)으로부터 열처리 후의 기판(W)을 수취하여, 그 기판(W)을 대응하는 냉각 유닛(CP)으로 반송한다. 각 냉각 유닛(CP)에 있어서, 레지스트막의 형성에 적절한 온도로 기판(W)이 냉각된다. 각 로컬 암(LCP)은, 냉각 처리 후의 기판(W)을 대응하는 냉각 유닛(CP)으로부터 재치 유닛(127)의 선반(ST)으로 반송한다.
상단 재치실(125)의 로컬 암(LR)은, 재치 유닛(127)의 선반(ST)으로부터 반사 방지막의 형성 후에 또한 냉각 처리 후의 기판(W)을 수취하여, 그 기판(W)을 도포 처리실(21)에 반송하고, 도포 처리 유닛(129)의 스핀 척(25) 상에 올려놓는다. 도포 처리실(21)에 있어서, 도포 처리 유닛(129)에 의해 기판(W) 상에 레지스트막이 형성된다. 로컬 암(LR)은, 레지스트막의 형성 후의 기판(W)을 도포 처리실(21)로부터 재치 유닛(127)의 선반(ST)으로 반송한다.
상단 재치실(125)의 각 로컬 암(LTP)은, 재치 유닛(127)의 선반(ST)으로부터 레지스트막의 형성 후의 기판(W)을 수취하여, 그 기판(W)을 대응하는 열처리 유닛(TP)으로 반송한다. 각 열처리 유닛(TP)에 있어서, 레지스트막의 형성 후의 기판(W)의 열처리가 행해진다. 각 로컬 암(LTP)은, 열처리 후의 기판(W)을 대응하는 열처리 유닛(TP)으로부터 재치 유닛(127)의 선반(ST)으로 반송한다.
로컬 암(L1)(도 4)은, 재치 유닛(127)의 선반(ST)으로부터 레지스트막의 형성 후에 또한 열처리 후의 기판(W)을 수취하여, 그 기판(W)을 재치 유닛(137)의 선반(ST)으로 반송한다.
상단 재치실(135)(도 6)의 로컬 암(LC)은, 로컬 암(L1)에 의해서 반송된 레지스트막의 형성 후에 또한 열처리 후의 기판(W)을 재치 유닛(137)의 선반(ST)으로부터 수취하여, 그 기판(W)을 도포 처리실(32)로 반송하고, 도포 처리 유닛(129)의 스핀 척(25) 상에 올려놓는다. 도포 처리실(32)에 있어서, 도포 처리 유닛(129)에 의해 기판(W) 상에 레지스트 커버막이 형성된다. 로컬 암(LC)은, 레지스트 커버막의 형성 후의 기판(W)을 도포 처리실(32)로부터 재치 유닛(137)의 선반(ST)으로 반송한다.
상단 재치실(135)의 각 로컬 암(LTP)은, 재치 유닛(137)의 선반(ST)으로부터 레지스트 커버막의 형성 후의 기판(W)을 수취하여, 그 기판(W)을 대응하는 열처리 유닛(TP)으로 반송한다. 각 열처리 유닛(TP)에 있어서, 레지스트 커버막의 형성 후의 기판(W)의 열처리가 행해진다. 각 로컬 암(LTP)은, 열처리 후의 기판(W)을 대응하는 열처리 유닛(TP)으로부터 재치 유닛(137)의 선반(ST)으로 반송한다.
상단 재치실(135)의 로컬 암(LEEW)은, 재치 유닛(137)의 선반(ST)으로부터 레지스트 커버막의 형성 후에 또한 열처리 후의 기판(W)을 수취하여, 그 기판(W)을 대응하는 엣지 노광부(EEW)로 반송한다. 엣지 노광부(EEW)에 있어서, 기판(W)의 엣지 노광 처리가 행해진다. 로컬 암(LEEW)은, 엣지 노광 처리 후의 기판(W)을 대응하는 엣지 노광부(EEW)로부터 재치 유닛(137)의 선반(ST)으로 반송한다.
로컬 암(L3)(도 4)은, 재치 유닛(137)의 선반(ST)으로부터 엣지 노광 처리 후의 기판(W)을 수취하여, 그 기판(W)을 인터페이스 블록(14)의 반송부(163)로 반송한다. 인터페이스 블록(14)의 반송부(163)로 반송된 엣지 노광 처리 후의 기판(W)은, 세정 건조 처리부(161) 중 어느 하나의 세정 건조 처리 유닛(SD1)에 있어서 세정 처리 및 건조 처리가 행해진 후, 도시하지 않은 반송 기구에 의해 노광 장치(15)(도 1)에 반입된다.
노광 장치(15)에 있어서, 액침법에 의한 노광 처리가 행해진다. 노광 처리 후의 기판(W)은, 도시하지 않은 반송 기구에 의해 노광 장치(15)로부터 반출되고, 세정 건조 처리부(162) 중 어느 하나의 세정 건조 처리 유닛(SD2)에서 세정 처리 및 건조 처리가 행해진다. 로컬 암(L3)(도 4)은, 세정 건조 처리 유닛(SD2)에 의한 세정 처리 및 건조 처리 후의 기판(W)을 재치 유닛(137)의 선반(ST)으로 반송한다.
상단 재치실(135)(도 6)의 각 로컬 암(LTP)은, 재치 유닛(137)의 선반(ST)으로부터 노광 처리 후의 기판(W)을 수취하여, 그 기판(W)을 대응하는 열처리 유닛(TP)으로 반송한다. 각 열처리 유닛(TP)에 있어서, 노광 후 베이크(PEB) 처리가 행해진다. 각 로컬 암(LTP)은, PEB 처리 후의 기판(W)을 대응하는 열처리 유닛(TP)으로부터 재치 유닛(137)의 선반(ST)으로 반송한다. 또한, 인터페이스 블록(14)에, 노광 후 베이크 처리를 행하기 위한 열처리 유닛(TP)이 설치되어도 된다. 이 경우, 각 기판(W)에 대해, 노광 처리가 행해지고 나서 노광 후 베이크 처리를 할 때까지의 시간이 단축된다. 또, 그 시간에 편차가 발생하는 것이 억제된다. 이에 의해, 보다 양호한 노광 패턴을 얻을 수 있다.
상단 재치실(135)의 각 로컬 암(LCP)은, 재치 유닛(137)의 선반(ST)으로부터 PEB 처리 후의 기판(W)을 수취하여, 그 기판(W)을 대응하는 냉각 유닛(CP)으로 반송한다. 각 냉각 유닛(CP)에 있어서, 현상 처리에 적절한 온도로 기판(W)이 냉각된다. 또한, 적정하게 현상 처리를 행하는 것이 가능하면, 현상 처리 전에 기판(W)의 냉각 처리가 행해지지 않아도 된다. 각 로컬 암(LCP)은, 냉각 처리 후의 기판(W)을 대응하는 냉각 유닛(CP)으로부터 재치 유닛(137)의 선반(ST)으로 반송한다.
상단 재치실(135)의 로컬 암(LD)은, 재치 유닛(137)의 선반(ST)으로부터 냉각 처리 후의 기판(W)을 수취하여, 그 기판(W)을 현상 처리실(31)로 반송하고, 현상 처리 유닛(139)의 스핀 척(35) 상에 올려놓는다. 현상 처리실(31)에 있어서, 현상 처리 유닛(139)에 의해 레지스트 커버막의 제거 처리 및 현상 처리가 행해진다. 로컬 암(LD)은, 현상 처리 후의 기판(W)을 현상 처리실(31)로부터 재치 유닛(137)의 선반(ST)으로 반송한다.
상단 재치실(135)의 각 로컬 암(LTP)은, 재치 유닛(137)의 선반(ST)으로부터 현상 처리 후의 기판(W)을 수취하여, 그 기판(W)을 대응하는 열처리 유닛(TP)으로 반송한다. 각 열처리 유닛(TP)에 있어서, 현상 처리 후의 기판(W)의 열처리가 행해진다. 각 로컬 암(LTP)은, 열처리 후의 기판(W)을 대응하는 열처리 유닛(TP)으로부터 재치 유닛(137)의 선반(ST)으로 반송한다.
로컬 암(L1)(도 4)은, 재치 유닛(137)의 선반(ST)으로부터 현상 처리 후에 또한 열처리 후의 기판(W)을 수취하여, 그 기판(W)을 재치 유닛(127)의 선반(ST)으로 반송한다. 반송 기구(115)(도 1)는, 재치 유닛(127)의 선반(ST)으로부터 현상 처리 후에 또한 열처리 후의 기판(W)을 수취하여, 그 기판(W)을 캐리어(113)로 반송한다.
하단 처리 영역에 있어서도, 상단 처리 영역과 동일하게 기판(W)의 처리가 행해진다. 하단 처리 영역에 있어서, 현상 처리 후에 또한 열처리 후의 기판(W)이 재치 유닛(128)의 선반(ST)으로 반송된다. 반송 기구(115)는, 재치 유닛(128)의 선반(ST)으로부터 현상 처리 후에 또한 열처리 후의 기판(W)을 수취하여, 그 기판(W)을 캐리어(113)로 반송한다. 이와 같이 하여, 각 기판(W)에 대한 일련의 처리가 종료된다.
(1-6) 효과
본 실시형태에 따른 기판 처리 장치(100)에 있어서는, 제1의 처리 블록(12)에 있어서, 로컬 암(LR, LB)에 의해 재치부(122)와 도포 처리부(121) 사이에서 기판(W)이 반송되고, 로컬 암(LTP, LAHP, LCP)에 의해 재치부(122)와 열처리부(123) 사이에서 기판(W)이 반송된다. 또, 제2의 처리 블록(13)에 있어서, 로컬 암(LD, LC)에 의해 재치부(132)와 도포 현상 처리부(131) 사이에서 기판(W)이 반송되고, 로컬 암(LTP, LCP, LEEW)에 의해 재치부(132)와 열처리부(133) 사이에서 기판(W)이 반송된다.
이와 같이, 제1의 처리 블록(12)에 있어서, 재치부(122)와 도포 처리부(121) 사이에 있어서의 기판(W)의 반송과 재치부(122)와 열처리부(123) 사이에 있어서의 기판(W)의 반송이 상이한 로컬 암에 의해 각각 행해진다. 또, 제2의 처리 블록(13)에 있어서, 재치부(132)와 도포 현상 처리부(131) 사이에 있어서의 기판(W)의 반송과 재치부(132)와 열처리부(133) 사이에 있어서의 기판(W)의 반송이 상이한 로컬 암에 의해 각각 행해진다. 이에 의해, 도포 처리부(121), 도포 현상 처리부(131) 및 열처리부(123, 133)로의 기판(W)의 반송 효율이 높아진다. 그 결과, 스루풋이 향상된다.
또, 열처리부(123, 133)로의 기판(W)의 반송과 도포 처리부(121) 및 도포 현상 처리부(131)로의 기판(W)의 반송이 상이한 로컬 암에 의해 각각 행해지므로, 열처리부(123, 133)로의 기판(W)의 반송시에 발생하는 로컬 암의 축열이, 도포 처리부(121) 및 도포 현상 처리부(131)로의 기판(W)의 반송시에 영향을 미치지 않는다. 이에 의해, 기판(W)의 도포 처리 및 현상 처리를 적정한 온도로 행할 수 있다.
또, 본 실시형태에서는, 재치부(122)의 상단 재치실(125) 및 하단 재치실(126) 및 재치부(132)의 상단 재치실(135) 및 하단 재치실(136)의 각각에 있어서, 복수의 기판(W)을 재치 유닛의 복수단의 선반(ST)에 올려놓을 수 있다. 이에 의해, 재치부(122, 132)의 점유 면적을 증가시키지 않고, 복수의 기판(W)을 효율적으로 도포 처리부(121), 도포 현상 처리부(131) 및 열처리부(123, 133)로 반송할 수 있다.
또, 본 실시형태에서는, 도포 처리부(121)가 상하로 배치된 복수의 도포 처리 유닛(129)을 포함하고, 도포 현상 처리부(131)가 상하로 배치된 복수의 도포 처리 유닛(129) 및 현상 처리 유닛(139)을 포함한다. 이에 의해, 도포 처리부(121)의 점유 면적을 증가시키지 않고, 복수의 도포 처리 유닛(129)에 있어서, 복수의 기판(W)에 동시에 도포 처리를 행할 수 있다. 또, 도포 현상 처리부(131)의 점유 면적을 증가시키지 않고, 복수의 도포 처리 유닛(129) 및 현상 처리 유닛(139)에 있어서, 복수의 기판(W)에 동시에 도포 처리 및 현상 처리를 행할 수 있다. 이에 의해, 스루풋이 더욱 향상된다.
또, 본 실시형태에서는, 복수의 도포 처리 유닛(129) 및 복수의 현상 처리 유닛(139)에 각각 대응하도록 복수의 로컬 암(LR, LB, LD, LC)이 설치된다. 이에 의해, 복수의 도포 처리 유닛(129) 및 복수의 현상 처리 유닛(139)에 대해 효율적으로 기판(W)을 반송할 수 있다.
또, 본 실시형태에서는, 열처리부(123)가 상하로 배치된 복수의 열처리 유닛(TP), 복수의 밀착 강화 처리 유닛(AHP) 및 복수의 냉각 유닛(CP)을 포함하고, 열처리부(133)가 상하로 배치된 복수의 열처리 유닛(TP), 복수의 엣지 노광부(EEW) 및 복수의 냉각 유닛(CP)을 포함한다. 이에 의해, 열처리부(123)의 점유 면적을 증가시키지 않고, 복수의 열처리 유닛(TP), 복수의 밀착 강화 처리 유닛(AHP) 및 복수의 냉각 유닛(CP)에 있어서, 복수의 기판(W)에 동시에 열처리를 행할 수 있다. 또, 열처리부(133)의 점유 면적을 증가시키지 않고, 복수의 열처리 유닛(TP), 복수의 엣지 노광부(EEW) 및 복수의 냉각 유닛(CP)에 있어서, 복수의 기판(W)에 동시에 열처리를 행할 수 있다. 이에 의해, 스루풋이 더욱 향상된다.
또, 본 실시형태에서는, 복수의 열처리 유닛(TP), 복수의 밀착 강화 처리 유닛(AHP), 복수의 냉각 유닛(CP) 및 복수의 엣지 노광부(EEW)에 각각 대응하도록 복수의 로컬 암(LTP, LAHP, LCP, LEEW)이 설치된다. 이에 의해, 복수의 열처리 유닛(TP), 복수의 밀착 강화 처리 유닛(AHP), 복수의 냉각 유닛(CP) 및 복수의 엣지 노광부(EEW)에 대해 효율적으로 기판(W)을 반송할 수 있다.
또, 본 실시형태에서는, 재치 유닛(127, 128, 137, 138)의 각각이, 복수단의 선반(ST)을 승강시키는 승강 장치(LID)를 포함한다. 이에 의해, 각 선반(ST)에 올려진 기판(W)의 높이를 각 로컬 암에 의해 수취 가능한 높이로 조정할 수 있다. 이에 의해, 각 로컬 암의 동작을 간략화할 수 있다.
또, 복수의 처리 유닛간의 반송이 공통의 반송 기구에 의해 행해지는 경우에는, 그 반송 기구의 부담이 크므로, 메인터넌스의 빈도 및 시간이 다대해진다. 또, 스루풋을 높이기 위해서 기판(W)의 반송 속도를 높게 할 필요가 있으므로, 기판(W)이 낙하할 리스크가 커진다. 이에 반해, 본 실시형태에서는, 처리 유닛마다 로컬 암이 설치되므로, 각 로컬 암의 부담이 경감되어, 메인터넌스의 빈도 및 시간을 저감할 수 있다. 또, 각 로컬 암의 동작이 단순화됨과 더불어, 기판(W)의 반송 속도를 억제할 수 있으므로, 기판(W)이 낙하할 리스크가 저감된다.
(2) 제2의 실시형태
본 발명의 제2의 실시형태에 따른 기판 처리 장치(100)에 대해서, 상기 제1의 실시형태에 따른 기판 처리 장치(100)와 상이한 점을 설명한다.
(2-1) 재치부의 구성
도 8은, 재치부(122, 132)의 개략 측면도이다. 도 9는, 도포 처리부(121), 재치부(122) 및 열처리부(123)의 개략 측면도이다. 도 10은, 도포 현상 처리부(131), 재치부(132) 및 열처리부(133)의 개략 측면도이다. 도 11은, 재치부(122, 132)의 개략 평면도이다. 또한, 도 11(a)에는 상단 재치실(125, 135)이 나타나 있고, 도 11(b)에는 하단 재치실(126, 136)이 나타나 있다.
도 8에 나타낸 바와 같이, 재치 유닛(127, 128, 137, 138)의 각각은, 승강 장치(LID)를 갖지 않는다. 그래서, 재치 유닛(127, 128, 137, 138)의 각 선반(ST)의 높이는 고정된다. 로컬 암(L1~L4)의 각각은, 상하로 이동 가능하게 구성된다.
도 9에 나타낸 바와 같이, 상단 재치실(125) 및 하단 재치실(126)의 각각에는 로컬 암(LR, LB) 대신에 로컬 암(Lx)이 설치되고, 복수의 로컬 암(LTP, LAHP, LCP) 대신에 복수의 로컬 암(Ly)이 설치된다. 도 11에 나타낸 바와 같이, 상단 재치실(125)의 각 로컬 암(Ly)은 상단 열처리부(301)의 각 열에 대응하고, 하단 재치실(126)의 각 로컬 암(Ly)은 하단 열처리부(302)의 각 열에 대응한다. 로컬 암(Lx, Ly)은 상하로 이동 가능하게 각각 구성된다.
상단 재치실(125)의 로컬 암(Lx)은, 상하로 이동하면서 재치 유닛(127)과 도포 처리실(21) 사이 및 재치 유닛(127)과 도포 처리실(22) 사이에서 기판(W)을 반송한다. 상단 재치실(125)의 각 로컬 암(Ly)은, 상하로 이동하면서 재치 유닛(127)과 상단 열처리부(301)의 대응하는 열의 각 유닛 사이에서 기판(W)을 반송한다.
하단 재치실(126)의 로컬 암(Lx)은, 상하로 이동하면서 재치 유닛(128)과 도포 처리실(23) 사이 및 재치 유닛(128)과 도포 처리실(24) 사이에서 기판(W)을 반송한다. 하단 재치실(126)의 각 로컬 암(Ly)은, 상하로 이동하면서 재치 유닛(128)과 하단 열처리부(302)의 대응하는 열의 각 유닛 사이에서 기판(W)을 반송한다.
도 10에 나타낸 바와 같이, 상단 재치실(135) 및 하단 재치실(136)의 각각에는, 로컬 암(LD, LC) 대신에 로컬 암(Lx)이 설치되고, 복수의 로컬 암(LTP, LCP, LEEW) 대신에 복수의 로컬 암(Ly)이 설치된다. 도 11에 나타낸 바와 같이, 상단 재치실(135)의 각 로컬 암(Ly)은 상단 열처리부(303)의 각 열에 대응하고, 하단 재치실(136)의 각 로컬 암(Ly)은 하단 열처리부(304)의 각 열에 대응한다.
상단 재치실(135)의 로컬 암(Lx)은, 상하로 이동하면서 재치 유닛(137)과 현상 처리실(31) 사이 및 재치 유닛(137)과 도포 처리실(32) 사이에서 기판(W)을 반송한다. 상단 재치실(135)의 각 로컬 암(Ly)은, 상하로 이동하면서 재치 유닛(137)과 상단 열처리부(303)의 대응하는 열의 각 유닛 사이에서 기판(W)을 반송한다.
하단 재치실(136)의 각 로컬 암(Lx)은, 상하로 이동하면서 재치 유닛(138)과 현상 처리실(33) 사이 및 재치 유닛(138)과 도포 처리실(34) 사이에서 기판(W)을 반송한다. 하단 재치실(136)의 각 로컬 암(Ly)은, 상하로 이동하면서 재치 유닛(138)과 하단 열처리부(304)의 대응하는 열의 각 유닛 사이에서 기판(W)을 반송한다.
이와 같이, 본 실시형태에서는, 로컬 암(Lx, Ly)이 상하로 이동 가능하므로, 각 재치 유닛의 선반(ST)을 승강시키지 않고, 각 재치 유닛과 각 처리실 사이, 각 재치 유닛과 각 열처리부의 각 유닛 사이에서 기판(W)을 반송할 수 있다. 따라서, 각 재치 유닛의 구성을 간략화할 수 있다. 또, 로컬 암의 수를 삭감할 수 있으므로, 비용의 저감이 가능해진다.
(2-2) 변형예
(2-2-1)
도 8~도 11의 예에서는, 상단 열처리부(301, 303) 및 하단 열처리부(302, 304)의 각 열에 대해 하나의 로컬 암(Ly)이 설치되는데, 이에 한정되지 않는다. 상단 열처리부(301, 303) 및 하단 열처리부(302, 304)의 각각에 대해 하나의 로컬 암(Ly)이 설치되어도 된다. 이 경우, 각 로컬 암(Ly)은, 상하로 이동 가능하고 또한 X방향으로 이동 가능하게 설치된다. 또, 상단 열처리부(301, 303) 및 하단 열처리부(302, 304)의 각 열에 대해, 2 이상의 로컬 암(Ly)이 설치되어도 된다.
(2-2-2)
도 8~도 11의 예에 있어서, 재치 유닛(127, 128, 137, 138)이 승강 기구(LID)를 갖고 있어도 된다. 이 경우, 각 로컬 암에 의해 기판(W)을 수취 가능한 높이 및 각 재치 유닛의 선반(ST)에 재치된 기판(W)의 높이의 양쪽 모두를 조정 가능해진다. 이에 의해, 각 로컬 암에 의한 각 재치 유닛으로부터의 기판(W)의 수취 및 각 재치 유닛으로의 기판(W)의 반송을 보다 효율적으로 행하는 것이 가능해진다.
(3) 또 다른 실시형태
(3-1)
상기 제1 및 제2의 실시형태에서는, 상단 재치실(125, 135) 및 하단 재치실(126, 136)에 각 처리실 및 각 열처리부의 각 유닛에 대응하는 로컬 암이 설치되는데, 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 각 처리실 내 및 각 열처리부의 각 유닛 내에 대응하는 로컬 암이 설치되어도 된다.
(3-2)
상기 제1 및 제2의 실시형태에서는, 상단 재치실(125, 135) 및 하단 재치실(126, 136)의 각각에 각각 하나의 재치 유닛(127, 128, 137, 138)이 설치되는데, 이에 한정되지 않는다. 상단 재치실(125, 135) 및 하단 재치실(126, 136)의 각각에, 2 이상의 재치 유닛이 설치되어도 된다. 또, 이 경우에, 상단 재치실(125, 135) 및 하단 재치실(126, 136)의 각각에 있어서, 복수의 재치 유닛 사이에 기판(W)을 반송하기 위한 로컬 암이 별도로 설치되어도 된다.
(3-3)
제1 및 제2의 처리 블록(12, 13)의 재치부(122, 132)와 동일하게, 인터페이스 블록(14)의 반송부(163)에 재치 유닛 및 복수의 로컬 암이 설치되어도 된다. 이 경우, 인터페이스 블록(14)에 있어서의 기판(W)의 반송 효율을 높일 수 있다.
(3-4)
상기 제1 및 제2의 실시형태는, 액침법에 의한 노광 처리를 행하는 노광 장치에 인접하도록 배치되고, 기판(W)의 성막 처리 및 현상 처리를 행하는 기판 처리 장치의 예인데, 본 발명의 실시형태는 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 액체를 이용하지 않는 건조 분위기하에서 노광 처리를 행하는 노광 장치에 인접하도록 배치되고, 기판(W)의 성막 처리 및 현상 처리를 행하는 기판 처리 장치에 본 발명이 적용되어도 된다. 또, 기판(W)의 성막 처리 및 열처리만을 행하는 기판 처리 장치, 또는 기판(W)의 현상 처리 및 열처리만을 행하는 기판 처리 장치 등에 본원 발명이 적용되어도 된다.
(4) 청구항의 각 구성 요소와 실시형태의 각 요소의 대응
이하, 청구항의 각 구성 요소와 실시형태의 각 요소의 대응의 예에 대해서 설명하는데, 본 발명은 하기의 예에 한정되지 않는다.
상기 실시형태에서는, 기판 처리 장치(100)이 기판 처리 장치의 예이며, 제1의 처리 블록(12)이 처리부의 예이며, 인덱서 블록(11)이 반입 반출부의 예이며, 도포 처리부(121)가 액처리부의 예이며, 열처리부(123)가 열처리부의 예이며, 재치부(122)가 재치부의 예이며, 로컬 암(LB, LR)이 제1의 반송 기구 및 제1의 반송 유닛의 예이며, 로컬 암(LTP, LAHP, LCP)이 제2의 반송 기구 및 제2의 반송 유닛의 예이며, 캐리어 재치부(111)가 용기 재치부의 예이며, 반송 기구(115)가 제3의 반송 기구의 예이다.
또, 도포 처리 유닛(129)이 액처리 유닛의 예이며, 열처리 유닛(TP), 밀착 강화 처리 유닛(AHP) 및 냉각 유닛(CP)가 열처리 유닛의 예이며, 승강 장치(LID)가 승강 기구의 예이다.
청구항의 각 구성 요소로서, 청구항에 기재되어 있는 구성 또는 기능을 갖는 다른 여러 가지의 요소를 이용할 수도 있다.

Claims (9)

  1. 처리부와,
    상기 처리부에 대해 기판의 반입 및 반출을 행하기 위한 반입 반출부를 구비하고,
    상기 처리부 및 상기 반입 반출부는, 한 방향으로 나열되도록 배치되고,
    상기 처리부는,
    기판에 처리액을 이용한 액처리를 행하기 위한 액처리부와,
    기판에 열처리를 행하기 위한 열처리부와,
    기판을 일시적으로 올려놓기 위한 재치부와,
    상기 재치부와 상기 액처리부 사이에서 기판을 반송하도록 구성되는 제1의 반송 기구와,
    상기 재치부와 상기 열처리부 사이에서 기판을 반송하도록 구성되는 제2의 반송 기구를 포함하고,
    상기 한 방향에 관해서, 상기 액처리부는 상기 재치부의 일방측에 배치되고, 상기 열처리부는 상기 재치부의 타방측에 배치되고, 상기 액처리부, 상기 재치부 및 상기 열처리부가 나열되도록 배치되고,
    상기 반입 반출부는,
    기판을 수납하는 수납 용기가 올려지는 용기 재치부와,
    상기 용기 재치부에 올려지는 상기 수납 용기와 상기 처리부의 상기 재치부 사이에서 기판을 반송하도록 구성되는 제3의 반송 기구를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 재치부는, 복수의 기판을 상하로 재치 가능하게 구성되는, 기판 처리 장치.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 액처리부는, 상하로 배치된 복수의 액처리 유닛을 포함하는, 기판 처리 장치.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 제1의 반송 기구는, 하나 또는 복수의 제1의 반송 유닛을 포함하고,
    각 제1의 반송 유닛은, 상기 복수의 액처리 유닛 중 적어도 하나에 대응하고, 대응하는 액처리 유닛과 상기 재치부 사이에서 기판을 반송하도록 구성되는, 기판 처리 장치.
  5. 청구항 4에 있어서,
    적어도 하나의 상기 제1의 반송 유닛은, 상하로 이동 가능하게 구성되는, 기판 처리 장치.
  6. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 열처리부는, 상하로 배치된 복수의 열처리 유닛을 포함하는, 기판 처리 장치.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 제2의 반송 기구는, 하나 또는 복수의 제2의 반송 유닛을 포함하고,
    각 제2의 반송 유닛은, 상기 복수의 열처리 유닛 중 적어도 하나에 대응하고, 대응하는 열처리 유닛과 상기 재치부 사이에서 기판을 반송하도록 구성되는, 기판 처리 장치.
  8. 청구항 7에 있어서,
    적어도 하나의 상기 제2의 반송 유닛은, 상하로 이동 가능하게 구성되는, 기판 처리 장치.
  9. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 재치부에 올려진 기판을 상하로 이동시키도록 구성된 승강 기구를 더 구비하는, 기판 처리 장치.
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