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KR20130103390A - Cooling method for component in chamber, computer-readable storage medium that stores the cooling program for component in chamber - Google Patents

Cooling method for component in chamber, computer-readable storage medium that stores the cooling program for component in chamber Download PDF

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KR20130103390A
KR20130103390A KR1020130023847A KR20130023847A KR20130103390A KR 20130103390 A KR20130103390 A KR 20130103390A KR 1020130023847 A KR1020130023847 A KR 1020130023847A KR 20130023847 A KR20130023847 A KR 20130023847A KR 20130103390 A KR20130103390 A KR 20130103390A
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KR
South Korea
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chamber
component
processing chamber
temperature
cooling
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Korean (ko)
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Inventor
세이지 다나카
아키히코 시무라
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Publication date
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Abstract

PURPOSE: A method for cooling a component in a chamber and a computer readable storage medium with a component cooling program in the chamber are provided to rapidly cool the component in the chamber by suppressing an atmospheric temperature rise around the component in the chamber. CONSTITUTION: A stage (12) is arranged on the lower side of the inside of a chamber (11). The chamber includes a base (11a) comprising a lower side and a cover (11b) comprising an upper side. A shower head (13) is arranged on the upper side of the inside of the chamber to face the stage. The shower head includes a buffer space (23) and a plurality of gas holes (24) which connect the buffer space to a processing space. An exhaust device (14) exhausts the chamber and is formed by serially connecting a turbo molecular pump (26) to a dry pump (27). [Reference numerals] (18) Heater unit; (20) Temperature sensor unit

Description

처리실내 부품의 냉각 방법, 처리실내 부품 냉각 프로그램을 저장한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체{COOLING METHOD FOR COMPONENT IN CHAMBER, COMPUTER-READABLE STORAGE MEDIUM THAT STORES THE COOLING PROGRAM FOR COMPONENT IN CHAMBER}COOLING METHOD FOR COMPONENT IN CHAMBER, COMPUTER-READABLE STORAGE MEDIUM THAT STORES THE COOLING PROGRAM FOR COMPONENT IN CHAMBER}

본 발명은 처리실내 부품의 냉각 방법, 처리실내 부품 냉각 프로그램 및 기억 매체에 관한 것이다.The present invention relates to a method of cooling an in-process component, an in-process component cooling program, and a storage medium.

기판에 원하는 플라즈마 처리, 예를 들어 드라이 에칭 처리를 실시하는 기판 처리 장치에서는, 감압된 챔버(처리실) 내에 배치된 스테이지(적재대)에 기판을 적재하여 챔버 내에서 처리 가스로부터 발생한 플라즈마에 기판을 노출시킨다. 따라서, 플라즈마 처리 중에 기판은 플라즈마로부터 수열(受熱)하여 온도가 상승하고, 기판을 적재하는 스테이지도 플라즈마로부터의 직접 입열, 혹은 기판으로부터의 열의 전달에 의해 온도가 상승한다.In a substrate processing apparatus which performs a desired plasma treatment, for example, a dry etching process, on a substrate, the substrate is placed in a stage (loading stage) disposed in a reduced pressure chamber (process chamber), and the substrate is placed in a plasma generated from the processing gas in the chamber. Expose Therefore, the substrate heats up from the plasma during the plasma treatment, and the temperature rises, and the stage on which the substrate is loaded also rises by direct heat input from the plasma or transfer of heat from the substrate.

또한, 최근 들어, 기판을 고온으로 하여 플라즈마 처리를 실시하는 방법이 개발되고 있고, 이것에 대응하여 스테이지는 히터를 내장하고, 상기 히터는 스테이지를 260℃까지 가열하는 경우가 있다.Moreover, in recent years, the method of performing a plasma process by making a board | substrate high temperature is developed, and a corresponding stage has a built-in heater, and this heater may heat a stage to 260 degreeC.

그런데, 일반적으로 플라즈마 처리를 반복하면, 처리 가스나 기판 상의 처리 대상물(예를 들어, 산화막)의 성분에 기인하여 발생하는 반응 생성물이 챔버내 부품, 예를 들어 스테이지나 샤워 헤드에 퇴적되기 때문에, 퇴적된 반응 생성물을 제거하기 위해서, 정기적으로 챔버내 부품의 세정을 행할 필요가 있다. 또한, 플라즈마 중의 양이온에 의한 스퍼터링 등에 의해 챔버내 부품이 소모되기 때문에, 정기적으로 챔버내 부품의 교환을 행할 필요가 있다.By the way, in general, when the plasma treatment is repeated, reaction products generated due to the components of the processing gas or the object to be treated (for example, the oxide film) on the substrate are deposited on components in the chamber, for example, a stage or a shower head. In order to remove the deposited reaction products, it is necessary to periodically clean the components in the chamber. In addition, since components in the chamber are consumed by sputtering or the like by cations in the plasma, it is necessary to periodically replace the components in the chamber.

기판 처리 장치의 챔버내 부품의 세정이나 교환, 즉, 유지 보수를 행하기 위해서는, 작업자가 챔버 내로부터 챔버내 부품을 취출할 필요가 있지만, 상술한 바와 같이 챔버내 부품은 고온으로 되기 때문에, 작업자의 안전을 고려하여 유지 보수 전에 챔버내 부품을 냉각할 필요가 있다.In order to perform cleaning or replacement of the components in the chamber of the substrate processing apparatus, that is, maintenance, it is necessary for the operator to take out the components in the chamber from within the chamber. It is necessary to cool the components in the chamber before maintenance in consideration of safety.

예를 들어, 특허문헌 1에 개시되는 적재대 구조에서는, 적재대에 냉매를 흘리기 위한 냉매 통로가 내부에 형성되어 있고, 적재대를 냉각할 때, 냉매 통로에 냉매를 흘림으로써 비교적 빠르게 냉각할 수 있다.For example, in the mounting table structure disclosed in Patent Literature 1, a coolant passage for flowing coolant in the mounting table is formed therein, and when cooling the mounting table, cooling can be performed relatively quickly by flowing a coolant in the cooling medium passage. have.

그런데, 최근 들어, 상술한 기판을 고온으로 하여 플라즈마 처리를 실시하는 것에 관하여, 기판을 처리할 때의 시퀀스를 연구함으로써 히터 등의 가열 수단만으로 온도를 제어하는 것이 가능하기 때문에, 냉매 통로를 내부에 갖지 않은 스테이지를 구비하는 기판 처리 장치가 증가하고 있다. 이러한 기판 처리 장치에서는, 스테이지를 냉각할 때, 챔버 내에 대기를 도입한 후에 소정 시간 방치한다. 이 경우, 스테이지의 열이 도입된 대기에 전달됨으로써 스테이지의 온도가 저하한다.By the way, in recent years, regarding the plasma processing at the high temperature of the above-mentioned substrate, by studying the sequence when the substrate is processed, it is possible to control the temperature only by heating means such as a heater. The substrate processing apparatus provided with the stage which does not have is increasing. In such a substrate processing apparatus, when cooling a stage, it is left to stand for a predetermined time after introducing air into the chamber. In this case, the temperature of the stage is lowered by being transferred to the atmosphere into which the heat of the stage is introduced.

일본 특허 공개 제2010-219354호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2010-219354

그러나, 도입된 대기에 스테이지의 열을 전달하는 방법에서는 시간의 경과와 함께 도입된 대기가 열의 전달에 의해 온도가 상승하기 때문에, 스테이지의 열 전달 효율이 저하하여 스테이지의 냉각에 장시간을 필요로 한다.However, in the method of transferring the heat of the stage to the introduced atmosphere, since the temperature of the air introduced with the passage of time increases due to the transfer of heat, the heat transfer efficiency of the stage decreases and the cooling of the stage requires a long time. .

스테이지의 냉각을 촉진하기 위해서는, 스테이지의 내부에 냉매 통로를 형성하는 것도 생각할 수 있지만, 기판 처리 장치의 구성이 복잡해짐과 함께 비용이 상승한다. 특히, 유지 보수의 빈도는 그다지 높지 않기 때문에, 유지 보수 전의 냉각을 위해서만 냉매 통로를 형성하는 것은 비용 대 효과가 나쁘다.In order to promote the cooling of the stage, it is conceivable to form a refrigerant passage inside the stage, but the cost of the substrate processing apparatus becomes complicated and the cost increases. In particular, since the frequency of maintenance is not so high, forming a refrigerant passage only for cooling before maintenance has a bad cost-effectiveness.

본 발명의 목적은, 기판 처리 장치의 구성을 복잡하게 하지 않고 처리실내 부품을 빠르게 냉각할 수 있는 처리실내 부품의 냉각 방법, 처리실내 부품 냉각 프로그램 및 기억 매체를 제공하는 데에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method of cooling an in-process component, an in-process component cooling program, and a storage medium capable of rapidly cooling the in-process component without complicating the configuration of the substrate processing apparatus.

상기 목적을 달성하기 위해서, 청구항 1에 기재된 처리실내 부품의 냉각 방법은, 기판에 소정의 처리를 실시하는 기판 처리 장치의 처리실 내에 배치된 처리실내 부품의 냉각 방법으로서, 상기 처리실내의 압력을 대기압으로 조정하는 압력 조정 스텝과, 상기 처리실의 측벽부의 적어도 일부를 개방하여 상기 처리실내 및 대기를 연통시키는 처리실내 개방 스텝과, 상기 처리실내를 배기하는 배기 장치를 사용하여 상기 처리실내에 상기 대기의 흐름을 형성하는 기류 형성 스텝과, 상기 처리실내 부품의 온도가 소정의 온도 이하인지 여부를 판정하는 온도 판정 스텝과, 상기 온도 판정 스텝에 있어서 상기 처리실내 부품의 온도가 소정의 온도 이하라고 판정된 경우, 상기 배기 장치의 작동을 정지하여 상기 대기의 흐름을 정지시키는 기류 정지 스텝을 갖는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the said objective, the cooling method of the component in a process chamber of Claim 1 is a cooling method of the component in a process chamber arrange | positioned in the process chamber of the substrate processing apparatus which performs a predetermined process to a board | substrate, The pressure in the said process chamber is atmospheric pressure. The pressure adjusting step of adjusting the pressure of the gas chamber, an internal chamber opening step of opening at least a portion of the side wall portion of the processing chamber to communicate the interior of the processing chamber and the atmosphere, and an exhaust device that exhausts the interior of the processing chamber. An air flow forming step for forming a flow; a temperature determination step for determining whether a temperature of the component in the processing chamber is equal to or lower than a predetermined temperature; and in the temperature determination step, the temperature of the component in the processing chamber is determined to be equal to or less than a predetermined temperature. And, in the case of stopping the operation of the exhaust device, to stop the flow of air. .

청구항 2에 기재된 처리실내 부품의 냉각 방법은, 청구항 1에 기재된 처리실내 부품의 냉각 방법에 있어서, 상기 처리실내 개방 스텝에서는, 상기 처리실의 측벽부를 전체 둘레에 걸쳐서 연속적으로 개방하는 것을 특징으로 한다.The cooling method of the component in a process chamber of Claim 2 is the cooling method of the component in a process chamber of Claim 1 WHEREIN: In the said process chamber opening step, the side wall part of the said process chamber is continuously opened over the perimeter, It is characterized by the above-mentioned.

청구항 3에 기재된 처리실내 부품의 냉각 방법은, 청구항 2에 기재된 처리실내 부품의 냉각 방법에 있어서, 상기 처리실은 분할 가능하게 구성된 덮개부 및 기부(基部)를 포함하여 이루어지고, 상기 처리실내 개방 스텝에 있어서 상기 덮개부는 상기 기부로부터 이격되고, 상기 덮개부의 상기 기부로부터의 이격 거리는 40㎜ 이상 또한 100㎜ 이하인 것을 특징으로 한다.The cooling method of the component in a process chamber of Claim 3 WHEREIN: The cooling method of the component in a process chamber of Claim 2 WHEREIN: The said process chamber consists of the lid part and base part which were comprised so that it could be divided | segmented, and said process chamber opening step The cover part is spaced apart from the base, and the separation distance from the base of the cover part is 40 mm or more and 100 mm or less.

청구항 4에 기재된 처리실내 부품의 냉각 방법은, 청구항 3에 기재된 처리실내 부품의 냉각 방법에 있어서, 상기 덮개부의 상기 기부로부터의 이격은, 상기 덮개부만의 이동, 상기 기부만의 이동, 또는 상기 덮개부 및 상기 기부의 이동에 의해 실현되는 것을 특징으로 한다.The cooling method of the component in a process chamber of Claim 4, The cooling method of the component in a process chamber of Claim 3 WHEREIN: The separation from the said base of the said cover part is a movement of the said cover part only, the movement of the said base part only, or the said It is characterized by the movement of a cover part and the said base.

청구항 5에 기재된 처리실내 부품의 냉각 방법은, 청구항 1 내지 4 중 어느 한 항에 기재된 처리실내 부품의 냉각 방법에 있어서, 상기 처리실내 부품은, 상기 기판을 적재하고 또한 가열 기구를 갖는 고온 적재대인 것을 특징으로 한다.The cooling method of the process chamber component of Claim 5 WHEREIN: In the cooling method of the process chamber component of any one of Claims 1-4, The said process chamber component is a high temperature mounting table which loads the said board | substrate and has a heating mechanism. It is characterized by.

상기 목적을 달성하기 위해서, 청구항 6에 기재된 처리실내 부품 냉각 프로그램은, 기판에 소정의 처리를 실시하는 기판 처리 장치의 처리실 내에 배치된 처리실내 부품의 냉각 방법으로서, 상기 처리실내의 압력을 대기압으로 조정하는 압력 조정 스텝과, 상기 처리실의 측벽부의 적어도 일부를 개방하여 상기 처리실내 및 대기를 연통시키는 처리실내 개방 스텝과, 상기 처리실내를 배기하는 배기 장치를 사용하여 상기 처리실내에 상기 대기의 흐름을 형성하는 기류 형성 스텝과, 상기 처리실내 부품의 온도가 소정의 온도 이하인지 여부를 판정하는 온도 판정 스텝과, 상기 온도 판정 스텝에 있어서 상기 처리실내 부품의 온도가 소정의 온도 이하라고 판정된 경우, 상기 배기 장치의 작동을 정지하여 상기 대기의 흐름을 정지시키는 기류 정지 스텝을 갖는 처리실내 부품의 냉각 방법을 컴퓨터에 실행시키는 처리실내 부품 냉각 프로그램으로서, 상기 처리실내 개방 스텝을 실행하는 처리실내 개방 모듈과, 상기 기류 형성 스텝을 실행하는 기류 형성 모듈과, 상기 온도 판정 스텝을 실행하는 온도 판정 모듈과, 상기 기류 정지 스텝을 실행하는 기류 정지 모듈을 적어도 갖는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the in-process component cooling program according to claim 6 is a cooling method of an in-process component disposed in a processing chamber of a substrate processing apparatus that performs a predetermined processing on a substrate, wherein the pressure in the processing chamber is changed to atmospheric pressure. The flow of the atmosphere in the processing chamber using a pressure adjusting step for adjusting, an opening in the processing chamber for opening at least a portion of the side wall portion of the processing chamber to communicate with the processing chamber and the atmosphere, and an exhaust device for evacuating the processing chamber. Air flow forming step of forming a temperature, a temperature determination step of determining whether the temperature of the component in the processing chamber is lower than or equal to a predetermined temperature, and when the temperature of the processing chamber component is determined to be lower than or equal to the predetermined temperature in the temperature determination step. And an airflow stop step of stopping the flow of the atmosphere by stopping the operation of the exhaust device. An in-process component cooling program for causing a computer to execute a method for cooling an in-process component to have a computer, comprising: an in-process module for executing the in-process opening step; At least the temperature determination module to perform and an airflow stop module which performs the said airflow stop step are characterized by the above-mentioned.

청구항 7에 기재된 처리실내 부품 냉각 프로그램은, 청구항 6에 기재된 처리실내 부품 냉각 프로그램에 있어서, 상기 기류 형성 모듈은, 상기 처리실내 개방 모듈이 상기 처리실내 개방 스텝을 실행하고 있는 사이, 또는 실행한 후에, 상기 처리실내 개방 모듈로부터 호출되어 상기 기류 형성 스텝을 실행하는 것을 특징으로 한다.The in-process component cooling program according to claim 7 is the in-process component cooling program according to claim 6, wherein the air flow forming module is performed during or after the in-process opening module performs the in-process opening step. And calling from the open module in the processing chamber to execute the airflow forming step.

상기 목적을 달성하기 위해서, 청구항 8에 기재된 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체는, 청구항 6 또는 7에 기재된 처리실내 부품 냉각 프로그램을 저장하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the computer-readable storage medium according to claim 8 stores the in-process component cooling program according to claim 6 or 7.

본 발명에 따르면, 처리실내의 압력이 대기압으로 조정된 후, 처리실의 측벽부의 적어도 일부가 개방되어 처리실내 및 대기가 연통되고, 처리실내에 대기의 흐름이 형성되어 처리실내 부품의 열이 전달된 대기가 교체되기 때문에, 처리실내 부품의 주위의 대기 온도의 상승이 억제되어 처리실내 부품의 열 전달 효율의 저하가 억제된다. 그 결과, 처리실내 부품을 빠르게 냉각할 수 있다. 또한, 처리실내 부품의 냉각 촉진을 위하여 처리실내 부품의 내부에 냉매 통로를 형성할 필요가 없기 때문에, 기판 처리 장치의 구성을 복잡하게 하는 경우가 없다.According to the present invention, after the pressure in the processing chamber is adjusted to atmospheric pressure, at least a part of the side wall portion of the processing chamber is opened to communicate with the processing chamber and the atmosphere, and an air flow is formed in the processing chamber to transfer heat of the components in the processing chamber. Since the atmosphere is replaced, the increase in the ambient temperature around the components in the processing chamber is suppressed, and the decrease in the heat transfer efficiency of the components in the processing chamber is suppressed. As a result, the components in the processing chamber can be cooled quickly. In addition, since it is not necessary to form a refrigerant passage inside the processing chamber parts for promoting the cooling of the processing chamber parts, the structure of the substrate processing apparatus is not complicated.

도 1은 본 발명의 실시 형태에 따른 처리실내 부품의 냉각 방법을 실행하는 기판 처리 장치의 구성을 개략적으로 도시하는 단면도.
도 2는 도 1에 있어서의 챔버의 분할 모습을 설명하기 위한 도면으로서, 도 2의 (A)는 챔버가 분할된 경우를 도시하는 단면도이고, 도 2의 (B)는 챔버가 분할된 경우를 도시하는 사시도.
도 3은 도 1의 기판 처리 장치가 실행하는 처리실내 부품의 냉각 방법으로서의 스테이지의 냉각 처리의 흐름도.
도 4는 본 실시 형태에 따른 처리실내 부품의 냉각 방법을 실행하는 기판 처리 장치의 제1 변형예의 구성을 개략적으로 도시하는 단면도.
도 5는 도 4에 있어서의 연통 구멍이 개방된 경우를 도시하는 단면도.
도 6은 본 실시 형태에 따른 처리실내 부품의 냉각 방법을 실행하는 기판 처리 장치의 제2 변형예의 구성을 개략적으로 도시하는 사시도.
도 7은 본 실시 형태에 따른 처리실내 부품의 냉각 방법을 실행하는 기판 처리 장치의 제3 변형예의 구성을 개략적으로 도시하는 사시도.
도 8은 본 실시 형태에 따른 처리실내 부품의 냉각 방법을 실행하는 기판 처리 장치의 제4 변형예의 구성을 개략적으로 도시하는 사시도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is sectional drawing which shows schematically the structure of the substrate processing apparatus which performs the cooling method of the component in a process chamber which concerns on embodiment of this invention.
FIG. 2 is a view for explaining the divided state of the chamber in FIG. 1, FIG. 2A is a cross-sectional view showing a case where the chamber is divided, and FIG. 2B is a case where the chamber is divided. The perspective view shown.
3 is a flowchart of a cooling process of a stage as a cooling method of components in a processing chamber executed by the substrate processing apparatus of FIG. 1.
4 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a first modification of the substrate processing apparatus that performs the method for cooling the component in the processing chamber according to the present embodiment.
FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a case where the communication hole in FIG. 4 is opened. FIG.
FIG. 6 is a perspective view schematically showing a configuration of a second modification of the substrate processing apparatus that performs the method for cooling the component in the processing chamber according to the present embodiment. FIG.
FIG. 7 is a perspective view schematically showing a configuration of a third modification of the substrate processing apparatus that performs the method for cooling the component in the processing chamber according to the present embodiment. FIG.
8 is a perspective view schematically showing a configuration of a fourth modification of the substrate processing apparatus that performs the method for cooling the component in the processing chamber according to the present embodiment.

이하, 본 발명의 실시 형태에 대하여 도면을 참조하면서 설명한다.BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

도 1은, 본 실시 형태에 따른 처리실내 부품의 냉각 방법을 실행하는 기판 처리 장치의 구성을 개략적으로 도시하는 단면도이다. 본 기판 처리 장치(10)는 예를 들어 클래스 1000 내지 10000의 클린 룸 내에 배치되고, 또한, 예를 들어 제4.5세대 이후의 FPD(Flat Panel Display)용 유리 기판(이하, 간단히 「기판」이라고 함) G에 원하는 플라즈마 처리, 예를 들어 드라이 에칭 처리를 실시한다.FIG. 1: is sectional drawing which shows schematically the structure of the substrate processing apparatus which performs the cooling method of the component in a process chamber which concerns on this embodiment. This substrate processing apparatus 10 is arrange | positioned, for example in the clean room of class 1000-10000, and is for example, the glass substrate for flat panel displays (FPD) of the 4.5th generation or later (henceforth simply a "substrate"). ) G is subjected to a desired plasma treatment, for example, a dry etching treatment.

도 1에 있어서, 기판 처리 장치(10)는 사각형의 챔버(처리실)(11)와, 챔버(11) 내의 하부에 배치된 스테이지(12)(처리실내 부품, 고온 적재대)와, 스테이지(12)에 대향하여 챔버(11) 내의 상부에 배치된 샤워 헤드(13)와, 챔버(11) 내를 배기하는 배기계(14)(배기 장치)를 구비한다.In FIG. 1, the substrate processing apparatus 10 includes a rectangular chamber (process chamber) 11, a stage 12 (process chamber component, a high temperature mounting table) disposed below the chamber 11, and a stage 12. ) And a shower head 13 disposed above the chamber 11 and an exhaust system 14 (exhaust system) for exhausting the inside of the chamber 11.

챔버(11)는 상하로 분할 가능하게 구성되고, 하부를 구성하는 기부(11a)와 상부를 구성하는 덮개부(11b)를 갖는다. 덮개부(11b)는 리프터(도시 생략)에 의해 기부(11a)로부터 이격 가능하게 구성된다. 또한, 챔버(11)는 예를 들어 제4.5세대 이후의 기판이어도 여유를 갖고 수용 가능한 크기를 갖고, 예를 들어 길이는 1.5m, 폭은 1.5m, 높이는 1.2m, 바람직하게는 길이는 1.4m, 폭은 1.3m, 높이는 1.0m이다.The chamber 11 is comprised so that it can be divided up and down, and has the base part 11a which comprises a lower part, and the cover part 11b which comprises an upper part. The lid portion 11b is configured to be spaced apart from the base 11a by a lifter (not shown). In addition, the chamber 11 has a size that can be accommodated and accommodated even after the 4.5th generation substrate, for example, the length is 1.5m, the width is 1.5m, the height is 1.2m, preferably the length is 1.4m The width is 1.3m and the height is 1.0m.

스테이지(12)는 지주부(15)에 의해 지지된 평판 형상 부재를 포함하여 이루어지고, 내부에 히터(16)(가열 기구)를 갖고, 기판 G를 적재한다. 히터(16)는 급전로(17)를 통해 히터 유닛(18)에 접속되고, 히터 유닛(18)은 히터(16)에의 급전량을 제어하여 히터(16)에 의해 가열되는 스테이지(12)의 온도를 조정한다. 또한, 스테이지(12)는 상기 스테이지(12)의 온도를 측정하는 온도 센서(19)를 갖고, 온도 센서(19)는 온도 센서 유닛(20)에 접속된다. 온도 센서 유닛(20)은 온도 센서(19)로부터의 신호에 기초하여 스테이지(12)의 온도를 측정한다. 또한, 스테이지(12)에는 정합기(21)를 통해 고주파 전원(22)이 접속되고, 고주파 전원(22)은 스테이지(12)에 고주파 전력을 공급한다. 스테이지(12)는 도시하지 않은 접지 라인에 의해 접지된 샤워 헤드(13)를 대향 전극으로 하여 스테이지(12) 및 샤워 헤드(13) 사이의 처리 공간 S에 고주파 전력을 인가하여 전계를 발생시킨다. 이 전계에 의해, 샤워 헤드(13)로부터 공급된 처리 가스를 플라즈마화하고, 용량 결합 플라즈마를 발생시킨다.The stage 12 includes a flat member supported by the support 15, has a heater 16 (heating mechanism) therein, and loads the substrate G therein. The heater 16 is connected to the heater unit 18 via the feed path 17, and the heater unit 18 controls the amount of feed to the heater 16 to heat the stage 12 of the stage 12. Adjust the temperature. In addition, the stage 12 has a temperature sensor 19 for measuring the temperature of the stage 12, and the temperature sensor 19 is connected to the temperature sensor unit 20. The temperature sensor unit 20 measures the temperature of the stage 12 based on the signal from the temperature sensor 19. In addition, the high frequency power supply 22 is connected to the stage 12 via the matching unit 21, and the high frequency power supply 22 supplies the high frequency power to the stage 12. The stage 12 generates an electric field by applying high frequency power to the processing space S between the stage 12 and the shower head 13 using the shower head 13 grounded by a ground line (not shown) as a counter electrode. By this electric field, the processing gas supplied from the shower head 13 is converted into plasma, and a capacitively coupled plasma is generated.

샤워 헤드(13)는 스테이지(12)와 거의 동일한 크기의 판상 부재로 이루어지고, 내부에 버퍼실(23)과, 상기 버퍼실(23) 및 처리 공간 S를 연통하는 다수의 가스 구멍(24)을 갖는다. 버퍼실(23)에는 외부로부터의 처리 가스 공급관(25)이 접속되고, 그 처리 가스 공급관(25)이 버퍼실(23)에 공급한 처리 가스는 각 가스 구멍(24)을 통해 처리 공간 S에 도입된다.The shower head 13 is formed of a plate-like member having substantially the same size as the stage 12, and has a plurality of gas holes 24 communicating therewith with the buffer chamber 23, the buffer chamber 23, and the processing space S. Has The processing gas supply pipe 25 from the outside is connected to the buffer chamber 23, and the processing gas supplied from the processing gas supply pipe 25 to the buffer chamber 23 is supplied to the processing space S through the respective gas holes 24. Is introduced.

배기계(14)는 터보 분자 펌프(Turbo Molecular Pump)(이하, 「TMP」라고 함)(26) 및 드라이 펌프(Dry Pump)(이하, 「DP」라고 함)(27)가 직렬로 접속되어 구성되고, 처리실내 및 TMP(26)를 접속하는 배기 유로(28a)와, TMP(26) 및 DP(27)를 접속하는 배기 유로(28b)와, TMP(26)를 바이패스하여 처리실내 및 DP(27)를 직접 접속하는 배기 유로(28c)를 갖는다. 배기 유로(28a, 28b, 28c)는 각각을 차단 가능한 밸브 V1, V2, V3을 갖는다.The exhaust system 14 is configured by connecting a turbo molecular pump (hereinafter referred to as "TMP") 26 and a dry pump (hereinafter referred to as "DP") 27 in series. And bypass the exhaust passage 28a for connecting the chamber and the TMP 26, the exhaust passage 28b for connecting the TMP 26 and the DP 27, and the TMP 26 to bypass the chamber and the DP. It has the exhaust flow path 28c which connects 27 directly. The exhaust flow paths 28a, 28b, and 28c have valves V1, V2, and V3 which can each block.

도 2는, 도 1에 있어서의 챔버의 분할 모습을 설명하기 위한 도면으로서, 도 2의 (A)는 챔버가 분할된 경우를 도시하는 단면도이고, 도 2의 (B)는 챔버가 분할된 경우를 도시하는 사시도이다.FIG. 2 is a view for explaining the divided state of the chamber in FIG. 1, wherein FIG. 2A is a sectional view showing a case where the chamber is divided, and FIG. 2B is a case where the chamber is divided. It is a perspective view which shows.

도 2의 (A) 및 도 2의 (B)에 있어서, 기부(11a) 및 덮개부(11b)의 이음매(11c)는 챔버(11)의 측벽부의 전체 둘레에 걸쳐서 형성되고, 리프터에 의해 덮개부(11b)가 기부(11a)로부터 이격될 때, 챔버(11)의 측벽부의 전체 둘레에 걸쳐서 개방부(11d)가 형성된다. 이때, 개방부(11d)를 통해 챔버(11) 내 및 클린 룸의 대기가 연통된다. 기부(11a)의 측벽의 이음매(11c)까지의 높이는 전체 둘레에 걸쳐서 동일하고, 개방부(11d)의 내벽 측단부로부터 스테이지(12)까지의 거리는 전체 둘레에 걸쳐서 대략 동일, 예를 들어 200㎜ 정도이다.2 (A) and 2 (B), the base 11a and the joint 11c of the lid portion 11b are formed over the entire circumference of the side wall portion of the chamber 11 and covered by the lifter. When the portion 11b is spaced apart from the base 11a, an open portion 11d is formed over the entire circumference of the side wall portion of the chamber 11. At this time, the atmosphere in the chamber 11 and the clean room communicate with each other through the opening 11d. The height to the joint 11c of the side wall of the base 11a is the same over the entire circumference, and the distance from the inner wall side end of the opening 11d to the stage 12 is approximately the same over the entire circumference, for example 200 mm It is enough.

리프터는 덮개부(11b)의 기부(11a)로부터의 이격 거리를 자유롭게 설정 가능하고, 개방부(11d)의 개구값 L을 임의의 값으로 설정할 수 있다. 또한, 리프터는 기부(11a)의 상방으로부터 덮개부(11b)를 완전히 제거할 수도 있다.The lifter can freely set the separation distance from the base 11a of the cover part 11b, and can set the opening value L of the opening part 11d to arbitrary values. In addition, the lifter may completely remove the lid portion 11b from above the base 11a.

기판 처리 장치(10)에서는, 샤워 헤드(13)로부터 처리 공간 S에 도입된 처리 가스가, 처리 공간 S에 발생한 전계에 의해 여기되어 플라즈마로 된다. 플라즈마 중의 양이온은 기판 G를 향하여 인입되어 기판 G에 대하여 물리적으로 에칭 처리를 실시하고, 또한, 플라즈마 중의 라디칼은 기판 G에 도달하여 기판 G에 대하여 화학적으로 에칭 처리를 실시한다. 또한, 드라이 에칭 처리 중, 특히 화학적 에칭을 촉진하기 위하여 히터(16)는 스테이지(12)를 예를 들어 260℃까지 가열한다.In the substrate processing apparatus 10, the processing gas introduced into the processing space S from the shower head 13 is excited by an electric field generated in the processing space S and becomes a plasma. The cations in the plasma are drawn toward the substrate G to physically etch the substrate G, and the radicals in the plasma reach the substrate G and chemically etch the substrate G. In addition, during the dry etching process, in particular, the heater 16 heats the stage 12 to, for example, 260 ° C. in order to promote chemical etching.

기판 처리 장치(10)의 각 구성 부품, 예를 들어 리프터, 히터 유닛(18), 온도 센서 유닛(20), TMP(26), DP(27)나 밸브 V1, V2, V3은 기판 처리 장치(10)가 구비하는 제어부(도시 생략)에 접속되고, 제어부의 CPU가 소정의 처리에 대응하는 프로그램에 따라서 각 구성 부품의 동작을 제어한다.Each component of the substrate processing apparatus 10, for example, the lifter, the heater unit 18, the temperature sensor unit 20, the TMP 26, the DP 27, or the valves V1, V2, V3 may be a substrate processing apparatus ( 10 is connected to a control unit (not shown), and the CPU of the control unit controls the operation of each component in accordance with a program corresponding to a predetermined process.

도 3은, 도 1의 기판 처리 장치가 실행하는 처리실내 부품의 냉각 방법으로서의 스테이지의 냉각 처리의 흐름도이다. 본 처리는, 스테이지(12)의 세정이나 교환 등의 유지 보수를 실행하기 전에, 기판 처리 장치(10)의 제어부의 CPU가 스테이지 냉각 프로그램(처리실내 부품 냉각 프로그램)에 따라서 실행한다.3 is a flowchart of a cooling process of a stage as a cooling method of components in a processing chamber executed by the substrate processing apparatus of FIG. 1. This process is performed by the CPU of the control part of the substrate processing apparatus 10 according to a stage cooling program (in-process component cooling program) before performing maintenance, such as cleaning of the stage 12, or replacement.

도 3에 있어서, 우선, 히터 유닛(18)이 히터(16)에의 급전을 정지하여 히터(16)에 의한 스테이지(12)의 가열을 중지하고(스텝 S31), 밸브 V1, V2, V3이 폐쇄되어 각 배기 유로(28a, 28b, 28c)를 차단함으로써 배기계(14)에 의한 챔버(11) 내의 배기를 중단하고(스텝 S32), 또한, 퍼지 가스 공급관(도시 생략), 또는, 처리 가스 공급관(25) 등으로부터 챔버(11) 내에 클린 룸으로부터 대기를 도입하여 챔버(11) 내의 압력을 대기압으로 조정한다(스텝 S33)(압력 조정 스텝). 도입된 대기에는 고온의 스테이지(12)로부터 열이 전달되고, 스테이지(12) 근방의 대기(도 2의 (A)에 있어서 파선으로 나타냄)의 온도가 상승한다.In FIG. 3, first, the heater unit 18 stops feeding to the heater 16 to stop heating of the stage 12 by the heater 16 (step S31), and the valves V1, V2, and V3 are closed. By interrupting each of the exhaust flow paths 28a, 28b, and 28c, the exhaust in the chamber 11 by the exhaust system 14 is stopped (step S32), and the purge gas supply pipe (not shown) or the process gas supply pipe ( 25, etc., the atmosphere is introduced into the chamber 11 from the clean room and the pressure in the chamber 11 is adjusted to atmospheric pressure (step S33) (pressure adjustment step). Heat is transferred from the hot stage 12 to the introduced atmosphere, and the temperature of the atmosphere near the stage 12 (indicated by broken lines in FIG. 2A) increases.

계속해서, 리프터에 의해 기부(11a)로부터 덮개부(11b)를 이격시켜서 챔버(11)의 측벽부의 전체 둘레에 걸쳐서 개방부(11d)를 형성하고, 또한, 개방부(11d)의 개구값 L을, 예를 들어 40㎜ 이상 또한 100㎜ 이하, 바람직하게는 60㎜ 이상 또한 80㎜ 이하로 조정하고(스텝 S34)(처리실내 개방 스텝), 밸브 V3이 개방되어 DP(27)가 배기 유로(28c)를 통해 챔버(11) 내의 배기를 개시한다(스텝 S35)(기류 형성 스텝). 이때, 챔버(11) 내에 있어서 기류(도 2의 (A)에 있어서 화살표로 나타냄)가 형성되어 고온의 스테이지(12)로부터 열이 전달된 대기는 DP(27)에 의해 챔버(11) 내로부터 배출되고, 클린 룸으로부터 개방부(11d)를 통해 새로운 대기가 챔버(11) 내로 유입되고, 그 새로운 대기에 스테이지(12)로부터 열이 전달된다. DP(27)에 의한 챔버(11) 내의 대기의 배출이 계속되는 사이, 새로운 대기의 유입, 그 유입된 대기에의 스테이지(12)로부터의 열의 전달 및 열이 전달된 대기의 배출이 반복된다. 즉, 스테이지(12)의 열이 전달된 대기가 교체되어, 스테이지(12)의 열이 계속해서 빼앗기므로, 스테이지(12)의 온도가 빠르게 저하한다.Subsequently, the cover 11b is spaced apart from the base 11a by a lifter to form the opening 11d over the entire circumference of the side wall of the chamber 11, and the opening value L of the opening 11d. , For example, 40 mm or more and 100 mm or less, preferably 60 mm or more and 80 mm or less (step S34) (opening step in the processing chamber), and the valve V3 is opened so that the DP 27 opens the exhaust passage ( The exhaust in the chamber 11 is started via 28c (step S35) (air flow forming step). At this time, an air flow (indicated by an arrow in FIG. 2A) is formed in the chamber 11, and the atmosphere in which heat is transferred from the high-temperature stage 12 is discharged from the chamber 11 by the DP 27. Exhausted, fresh air is introduced into the chamber 11 through the opening 11d from the clean room, and heat is transferred from the stage 12 to the new air. While the discharge of the atmosphere in the chamber 11 by the DP 27 continues, the introduction of new atmosphere, the transfer of heat from the stage 12 to the introduced atmosphere, and the discharge of the transferred heat are repeated. That is, since the atmosphere to which the heat of the stage 12 has been transferred is replaced and the heat of the stage 12 continues to be taken away, the temperature of the stage 12 decreases rapidly.

계속해서, 온도 센서 유닛(20)이 온도 센서(19)에 의해 측정된 스테이지(12)의 온도가, 예를 들어 60℃ 이하로 되었는지 여부를 판별한다(스텝 S36)(온도 판정 스텝). 판별 기준을 60℃로 한 것은, 60℃ 이하이면 작업자는 스테이지(12)에 닿아도 화상을 입지 않기 때문이다.Then, the temperature sensor unit 20 determines whether the temperature of the stage 12 measured by the temperature sensor 19 became 60 degrees C or less, for example (step S36) (temperature determination step). The discrimination criterion is set to 60 ° C because the operator does not get burned even if it touches the stage 12 if it is 60 ° C or less.

스텝 S36의 판별 결과, 스테이지(12)의 온도가 60℃ 이하에 도달해 있지 않은 경우(스텝 S36에서 "NO"), 스텝 S35로 복귀되어, 스테이지(12)의 열이 전달된 대기의 교체를 계속한다. 한편, 스테이지(12)의 온도가 60℃ 이하에 도달해 있는 경우(스텝 S36에서 "YES"), 밸브 V3을 폐쇄하여 챔버(11) 내의 기류를 정지시켜, 스테이지(12)의 열이 전달된 대기의 교체를 정지한다(스텝 S37)(기류 정지 스텝).As a result of the determination of step S36, when the temperature of the stage 12 does not reach 60 degrees C or less (NO in step S36), it returns to step S35 and replace | exchanges the atmosphere to which the heat of the stage 12 was transmitted. Continue. On the other hand, when the temperature of the stage 12 reaches 60 degrees C or less ("YES" in step S36), the valve V3 is closed and the airflow in the chamber 11 is stopped, and the heat of the stage 12 is transmitted. The replacement of the atmosphere is stopped (step S37) (air flow stop step).

계속해서, 리프터가 기부(11a)의 상방으로부터 덮개부(11b)를 완전히 제거하고, 스테이지(12)를 포함한 챔버(11) 내의 부품을 클린 룸의 대기에 개방하고(스텝 S38), 본 처리를 종료한다.Subsequently, the lifter completely removes the lid portion 11b from above the base 11a, opens the components in the chamber 11 including the stage 12 to the atmosphere of the clean room (step S38), and performs the present process. Quit.

또한, 상술한 스테이지의 냉각 처리를 실행하는 스테이지 냉각 프로그램은, 챔버(11) 내의 압력을 대기압으로 조정하는 압력 조정 모듈과, 기부(11a)로부터 덮개부(11b)를 이격시키는 처리실내 개방 모듈과, 밸브 V3을 개방하여 챔버(11) 내에 기류를 형성하는 기류 형성 모듈과, 스테이지(12)의 온도가 60℃ 이하로 되었는지 여부를 판별하는 온도 판정 모듈과, 밸브 V3을 폐쇄하여 챔버(11) 내의 기류를 정지시키는 기류 정지 모듈을 갖고, 원칙적으로 이 순서로 각 모듈은 대응하는 처리를 실행하는데, 예를 들어 처리실내 개방 모듈이 기부(11a)로부터 덮개부(11b)를 이격시키고 있는 사이, 기류 형성 모듈이 처리실내 개방 모듈로부터 호출되어, 밸브 V3을 개방하여 챔버(11) 내에 기류를 형성해도 된다.Moreover, the stage cooling program which performs the cooling process of the above-mentioned stage includes the pressure regulation module which adjusts the pressure in the chamber 11 to atmospheric pressure, the module inside the process chamber which separates the cover part 11b from the base 11a, , An airflow forming module for opening the valve V3 to form airflow in the chamber 11, a temperature determining module for determining whether the temperature of the stage 12 is 60 ° C. or lower, and the chamber 11 by closing the valve V3. It has an airflow stop module which stops the airflow in the inside, and in principle, each module performs a corresponding process, for example, while the module inside the processing chamber is spaced apart from the base portion 11a by the cover portion 11b. The airflow forming module may be called from the open chamber in the processing chamber to open the valve V3 to form airflow in the chamber 11.

도 3의 스테이지의 냉각 처리에 의하면, 챔버(11) 내의 압력이 대기압으로 조정된 후, 기부(11a)로부터 덮개부(11b)가 이격되고, 개방부(11d)가 형성되어 챔버(11) 내 및 클린 룸의 대기가 연통되고, 챔버(11) 내에 기류가 형성되어 스테이지(12)의 열이 전달된 대기가 교체되기 때문에, 스테이지(12)의 주위의 대기 온도의 상승이 억제되어 스테이지(12)의 열 전달 효율의 저하가 억제된다. 그 결과, 스테이지(12)를 빠르게 냉각할 수 있다. 또한, 스테이지(12)의 냉각 촉진을 위하여 스테이지(12)의 내부에 냉매 통로를 형성할 필요가 없기 때문에, 기판 처리 장치(10)의 구성을 복잡하게 하는 일이 없다.According to the cooling process of the stage of FIG. 3, after the pressure in the chamber 11 is adjusted to atmospheric pressure, the lid part 11b is spaced apart from the base 11a, and the opening part 11d is formed, and the inside of the chamber 11 is formed. And the atmosphere of the clean room communicates with each other, and an air flow is formed in the chamber 11, and the atmosphere in which the heat of the stage 12 is transferred is replaced, so that an increase in the ambient temperature around the stage 12 is suppressed and the stage 12 The fall of heat transfer efficiency of) is suppressed. As a result, the stage 12 can be cooled rapidly. In addition, since it is not necessary to form the refrigerant passage inside the stage 12 for promoting the cooling of the stage 12, the configuration of the substrate processing apparatus 10 is not complicated.

도 3의 스테이지의 냉각 처리에서는, 챔버(11)의 측벽부의 전체 둘레에 걸쳐서 개방부(11d)를 형성하는, 즉, 연속적으로 개방하므로, 챔버(11)의 측벽부의 전체 둘레로부터 대기가 유입되어, 챔버(11) 내의 기류가 치우치는 것을 방지할 수 있고, 따라서, 스테이지(12)가 치우쳐서 냉각되는 것을 방지할 수 있다.In the cooling treatment of the stage of FIG. 3, since the opening 11d is formed over the entire circumference of the side wall of the chamber 11, that is, the opening is continuously opened, the atmosphere is introduced from the entire circumference of the side wall of the chamber 11. As a result, the airflow in the chamber 11 can be prevented from being biased, and therefore, the stage 12 can be prevented from being biasedly cooled.

또한, 도 3의 스테이지의 냉각 처리에서는, 개방부(11d)가 형성되었을 때의 개구값 L이 40㎜ 이상 또한 100㎜ 이하이므로, 유입되는 대기의 유량을 확보할 수 있어, 대기의 교체를 촉진할 수 있고, 따라서, 스테이지(12)의 열 전달 효율이 저하하는 것을 확실하게 방지할 수 있다. 또한, 챔버(11) 내로 유입되는 대기의 유속의 저하를 방지할 수 있고, 따라서, 챔버(11) 내에 있어서의 기류의 형성을 확실하게 행할 수 있다. 또한, 개구값 L이 100㎜ 이하이면 작업자의 팔이 용이하게 진입할 수 없기 때문에, 작업자가 고온의 스테이지(12)에 닿아서 화상을 입을 위험성을 경감할 수 있음과 함께, 개구값 L이 그다지 크지 않기 때문에, 스테이지(12)로부터의 복사열이 챔버(11)의 외부 부품이나 장치에 도달하기 어려워져, 챔버(11)의 외부 부품이나 장치가 열에 의해 고장, 열화되는 것을 방지할 수 있다.Moreover, in the cooling process of the stage of FIG. 3, since the opening value L when the opening part 11d is formed is 40 mm or more and 100 mm or less, the flow volume of the air which flows in can be ensured, and the replacement | exchange of air | atmosphere is promoted. Therefore, the fall of the heat transfer efficiency of the stage 12 can be reliably prevented. Moreover, the fall of the flow velocity of the air which flows into the chamber 11 can be prevented, and the formation of the airflow in the chamber 11 can therefore be reliably performed. In addition, when the opening value L is 100 mm or less, the arm of the worker cannot enter easily, and thus, the risk of the worker coming into contact with the hot stage 12 and getting burned can be reduced, and the opening value L is not so high. Since it is not large, it is difficult for the radiant heat from the stage 12 to reach the external components and apparatus of the chamber 11, and it can prevent that the external components and apparatus of the chamber 11 fail and deteriorate by heat.

또한, 도 3의 스테이지의 냉각 처리에서는, 챔버(11)의 측벽부의 전체 둘레에 걸쳐서 개방부(11d)가 형성되기 전에 챔버(11) 내의 압력이 대기압으로 조정되기 때문에, 개방부(11d)가 형성되었을 때, 외부의 클린 룸과 챔버(11) 내에서 압력차가 발생하지 않아, 대기가 챔버(11) 내로 급격하게 유입되는 일이 없다. 그 결과, 챔버(11) 내의 저부 등에 퇴적되어 있는 파티클 등이 말려 올라가는 일이 없고, 따라서, 파티클이 스테이지(12)에 다량으로 부착되는 것을 방지할 수 있다.In addition, in the cooling process of the stage of FIG. 3, since the pressure in the chamber 11 is adjusted to atmospheric pressure before the opening part 11d is formed over the whole periphery of the side wall part of the chamber 11, the opening part 11d is When formed, a pressure difference does not occur in the external clean room and the chamber 11, and the atmosphere does not rapidly enter the chamber 11. As a result, the particles or the like deposited on the bottom of the chamber 11 and the like do not roll up, and therefore, the particles can be prevented from adhering to the stage 12 in a large amount.

또한, 스테이지(12)의 냉각을 위한 대기의 교체 시, 클린 룸의 대기 중의 파티클 등이 다소 챔버(11) 내로 진입하여, 스테이지(12)에 부착될 우려도 있지만, 스테이지(12)의 냉각을 위한 대기의 교체 실행 후, 유지 보수 시에 스테이지(12)는 세정 또는 교환되기 때문에, 스테이지(12)에 부착된 파티클은 제거된다. 따라서, 유지 보수 후의 드라이 에칭 처리에 있어서 파티클이 스테이지(12)로부터 기판 G에 전사될 우려는 없다. 또한, 가령, 파티클이 스테이지(12)로부터 기판 G에 전사되었다고 해도, 기판 G에 형성되는 배선의 폭은, 예를 들어 최소라도 3㎛ 정도이기 때문에, 크기가 1㎛ 이하인 파티클이 부착되어도 기판 G로 제조되는 FPD의 문제의 원인으로는 되지 않는다.In addition, when the atmosphere for cooling the stage 12 is replaced, particles or the like in the atmosphere of the clean room may enter the chamber 11 and adhere to the stage 12, but the cooling of the stage 12 may be prevented. After performing the replacement of the waiting for air, since the stage 12 is cleaned or exchanged during maintenance, the particles attached to the stage 12 are removed. Therefore, there is no fear that the particles may be transferred from the stage 12 to the substrate G in the dry etching treatment after maintenance. For example, even if particles are transferred from the stage 12 to the substrate G, the width of the wiring formed on the substrate G is, for example, at least about 3 μm, so that even if particles having a size of 1 μm or less are attached, the substrate G It does not cause a problem of the FPD manufactured by.

상술한 도 3의 스테이지의 냉각 처리를 실행하는 기판 처리 장치는, 도 1에 도시하는 바와 같은 대형의 FPD용 기판 G에 원하는 플라즈마 처리를 실시하는 기판 처리 장치(10)에 한정되지 않고, 반도체 디바이스용 웨이퍼 W에 원하는 플라즈마 처리를 실시하는 기판 처리 장치이어도 된다.The substrate processing apparatus which performs the cooling process of the stage of FIG. 3 mentioned above is not limited to the substrate processing apparatus 10 which performs a desired plasma process on the large sized FPD board | substrate G as shown in FIG. The substrate processing apparatus which performs a desired plasma process to the wafer W for a use may be sufficient.

도 4는, 본 실시 형태에 따른 처리실내 부품의 냉각 방법을 실행하는 기판 처리 장치의 제1 변형예의 구성을 개략적으로 도시하는 단면도이다. 본 기판 처리 장치(30)는 예를 들어 클래스 1000 내지 10000의 클린 룸 내에 배치되고, 또한, 예를 들어 반경이 300㎜ 내지 450㎜인 웨이퍼 W에 드라이 에칭 처리를 실시한다. 또한, 기판 처리 장치(30)의 구성은, 기판 처리 장치(10)의 구성과 기본적으로 동일하고, 각 부의 크기나 명칭 등이 상이할 뿐이기 때문에, 이하 동일한 기능, 명칭을 갖는 구성 부품의 설명은 생략한다.4 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a first modification of the substrate processing apparatus that performs the method for cooling the component in the processing chamber according to the present embodiment. This substrate processing apparatus 30 is arrange | positioned in the clean room of class 1000-10000, for example, and performs dry-etching process on the wafer W whose radius is 300 mm-450 mm, for example. In addition, since the structure of the board | substrate processing apparatus 30 is basically the same as the structure of the board | substrate processing apparatus 10, and only the size, a name, etc. of each part differ, description of the component which has the same function and name is below. Is omitted.

도 4에 있어서, 기판 처리 장치(30)는 원통 형상의 챔버(31)(처리실)와, 챔버(31) 내의 하부에 배치된 서셉터(32)(처리실내 부품, 고온 적재대)와, 서셉터(32)에 대향하여 챔버(31) 내의 상부에 배치된 샤워 헤드(13)와, 챔버(31) 내를 배기하는 배기계(14)(배기 장치)를 구비한다.In FIG. 4, the substrate processing apparatus 30 includes a cylindrical chamber 31 (process chamber), a susceptor 32 (process chamber component, a high temperature mounting table) disposed below the chamber 31, and a stand. It is provided with the shower head 13 arrange | positioned at the upper part in the chamber 31 facing the acceptor 32, and the exhaust system 14 (exhaust apparatus) which exhausts the inside of the chamber 31. As shown in FIG.

챔버(31)는 측벽부를 따라 슬라이드 가능한 게이트 밸브(33)와, 챔버(31) 내 및 클린 룸의 대기를 연통시키는 연통 구멍(34)을 갖고, 게이트 밸브(33)는 슬라이드함으로써 연통 구멍(34)을 개폐한다.The chamber 31 has a gate valve 33 slidable along the side wall, and a communication hole 34 for communicating the atmosphere in the chamber 31 and the clean room, and the gate valve 33 slides through the communication hole 34 by sliding. Open and close the).

서셉터(32)는 원기둥 형상의 도전성 부재를 포함하여 이루어지고, 표면이 모두 절연체로 덮임과 함께, 급전로(17)를 통해 히터 유닛(18)에 접속되고, 히터(16)(가열 기구)를 내부에 갖는다. 히터 유닛(18)은 히터(16)에 의해 가열되는 서셉터(32)의 온도를 조정한다. 또한, 서셉터(32)는 온도 센서(19)를 갖고, 온도 센서 유닛(20)은 온도 센서(19)로부터의 신호에 기초하여 서셉터(32)의 온도를 측정한다. 또한, 서셉터(32)에는 정합기(21)를 통해 고주파 전원(22)이 접속되어 있고, 서셉터(32)에 공급된 고주파 전력은, 서셉터(32) 및 샤워 헤드(13) 사이의 처리 공간 S에 있어서 전계를 발생시킨다. 서셉터(32)의 상부에는 웨이퍼 W를 정전 흡착하는 정전 척(도시 생략)이 형성되고, 정전 흡착된 웨이퍼 W의 주위를 둘러싸도록 환상의 포커스 링(35)이 배치된다.The susceptor 32 includes a columnar conductive member, is entirely covered with an insulator, and is connected to the heater unit 18 through the feed path 17, and is provided with a heater 16 (heating mechanism). Has inside. The heater unit 18 adjusts the temperature of the susceptor 32 heated by the heater 16. The susceptor 32 also has a temperature sensor 19, and the temperature sensor unit 20 measures the temperature of the susceptor 32 based on the signal from the temperature sensor 19. In addition, the high frequency power supply 22 is connected to the susceptor 32 via the matching unit 21, and the high frequency power supplied to the susceptor 32 is formed between the susceptor 32 and the shower head 13. An electric field is generated in the processing space S. An electrostatic chuck (not shown) for electrostatically adsorbing the wafer W is formed on the susceptor 32, and an annular focus ring 35 is disposed to surround the electrostatically adsorbed wafer W.

도 5는, 도 4에 있어서의 연통 구멍이 개방된 경우를 도시하는 단면도이다.5 is a cross-sectional view illustrating a case where the communication hole in FIG. 4 is opened.

도 5에 있어서, 연통 구멍(34)은 측벽부의 일부에 형성되고, 개방된 경우, 챔버(31) 내 및 클린 룸의 대기가 연통된다. 게이트 밸브(33)는 슬라이드량을 자유롭게 설정 가능하고, 연통 구멍(34)의 개방값 L1을 임의의 값으로 설정할 수 있다.In Fig. 5, the communication hole 34 is formed in a part of the side wall portion, and when opened, the atmosphere in the chamber 31 and in the clean room communicate with each other. Gate valve 33 can be set freely and the amount of slide can be set to an open value L 1 of the communication hole 34 to an arbitrary value.

기판 처리 장치(30)에서는, 드라이 에칭 처리 중, 특히 화학적 에칭을 촉진하기 위하여 히터(16)는 서셉터(32)를 예를 들어 260℃까지 가열한다.In the substrate processing apparatus 30, the heater 16 heats the susceptor 32 to, for example, 260 ° C. during the dry etching process, particularly to promote chemical etching.

또한, 기판 처리 장치(30)도 본 실시 형태에 따른 처리실내 부품의 냉각 방법을 실행한다. 구체적으로는, 배기계(14)에 의한 챔버(31) 내의 배기를 중단하고, 또한, 챔버(31) 내의 압력을 대기압으로 조정하면, 고온의 서셉터(32) 근방의 대기(도 5에 있어서 파선으로 나타냄)의 온도가 상승하지만, 게이트 밸브(33)가 연통 구멍(34)을 개방하여 그 연통 구멍(34)의 개방값 L1을, 예를 들어 40㎜ 이상 또한 100㎜ 이하, 바람직하게는 60㎜ 이상 또한 80㎜ 이하로 조정하고, 챔버(31) 내의 배기를 개시하면, 챔버(31) 내에 있어서 기류(도 5에 있어서 화살표로 나타냄)가 형성되어 서셉터(32)의 열이 전달된 대기가 교체된다. 또한, 서셉터(32)의 온도가 60℃ 이하에 도달한 경우, 챔버(31) 내의 기류를 정지시켜, 서셉터(32)의 열이 전달된 대기의 교체를 정지한다.In addition, the substrate processing apparatus 30 also performs the cooling method of the component in a process chamber which concerns on this embodiment. Specifically, when the exhaust in the chamber 31 by the exhaust system 14 is stopped and the pressure in the chamber 31 is adjusted to atmospheric pressure, the atmosphere near the high temperature susceptor 32 (dashed line in FIG. 5). ), The gate valve 33 opens the communication hole 34 so that the open value L 1 of the communication hole 34 is, for example, 40 mm or more and 100 mm or less, preferably When it adjusts to 60 mm or more and 80 mm or less and starts exhausting in the chamber 31, the airflow (shown by the arrow in FIG. 5) is formed in the chamber 31, and the heat of the susceptor 32 was transmitted. The atmosphere is replaced. In addition, when the temperature of the susceptor 32 reaches 60 degrees C or less, the airflow in the chamber 31 is stopped, and the replacement | exchange of the atmosphere to which the heat of the susceptor 32 was transmitted is stopped.

즉, 기판 처리 장치(30)가 본 실시 형태에 따른 처리실내 부품의 냉각 방법을 실행할 때에도, 챔버(31) 내에 있어서 기류가 형성되어 서셉터(32)의 열이 계속해서 빼앗기므로, 서셉터(32)의 온도가 빠르게 저하한다. 따라서, 본 실시 형태에 따른 처리실내 부품의 냉각 방법을 실행할 때, 챔버(31)의 측벽부가 전체 둘레에 걸쳐서 연속적으로 개방될 필요는 없고, 적어도 일부, 예를 들어 연통 구멍(34)이 개방되어 있으면 된다.That is, even when the substrate processing apparatus 30 executes the cooling method of the components in the processing chamber according to the present embodiment, airflow is formed in the chamber 31 and the heat of the susceptor 32 is continuously taken away. The temperature of 32 drops rapidly. Therefore, when performing the method for cooling the components in the processing chamber according to the present embodiment, the side wall portion of the chamber 31 need not be opened continuously over its entire circumference, and at least a portion thereof, for example, the communication hole 34 is opened, All you need is

단, 챔버의 측벽을 전체 둘레에 걸쳐서 연속적으로 개방하지 않는 경우, 도 6에 도시하는 바와 같이, 사각형의 챔버(36)이면, 각 측면에 게이트 밸브(37)로 개폐 가능한 연통 구멍(38)을 형성하고, 각 연통 구멍(38)으로부터 챔버(36) 내로 유입된 대기에 의해 형성된 기류를 등방적으로 스테이지에 도달시키는 것이 바람직하고, 또한, 도 7에 도시하는 바와 같이, 원통형의 챔버(39)이면, 측면에 있어서 둘레 방향으로 등간격으로 게이트 밸브(40)에 의해 개폐 가능한 연통 구멍(41)을 형성하고, 각 연통 구멍(41)으로부터 챔버(39) 내로 유입된 대기에 의해 형성된 기류를 등방적으로 서셉터에 도달시키는 것이 바람직하다. 이에 의해, 스테이지나 서셉터가 치우쳐서 냉각되는 것을 방지할 수 있다.However, when the side wall of the chamber is not continuously opened over its entire circumference, as shown in FIG. 6, in the rectangular chamber 36, a communication hole 38 which can be opened and closed by the gate valve 37 is provided on each side. It is preferable that the air flow formed by the atmosphere introduced into the chamber 36 from each communication hole 38 is isotropically reached to the stage, and further, as shown in FIG. On the back side, the communication hole 41 which can be opened and closed by the gate valve 40 at equal intervals in the circumferential direction is formed on the side surface, and the airflow formed by the atmosphere introduced into the chamber 39 from each communication hole 41 isotropically It is desirable to reach the susceptor. Thereby, it can prevent that a stage and susceptor are biased and cooled.

또한, 도 6의 챔버(36)나 도 7의 챔버(39)에 있어서, 각 연통 구멍(38)이나 각 연통 구멍(41)으로부터 스테이지나 서셉터에 등방적으로 기류가 도달하지 않는 경우에는, 각 연통 구멍(38)이나 각 연통 구멍(41)의 개방값을 개별로 조정하여 각 연통 구멍(38)이나 각 연통 구멍(41)으로부터 유입되는 대기의 양을 조정하는 것이 바람직하다.In addition, in the chamber 36 of FIG. 6 or the chamber 39 of FIG. 7, when the airflow does not uniformly reach the stage or susceptor from each communication hole 38 or each communication hole 41, It is preferable to adjust the opening value of each communication hole 38 or each communication hole 41 individually to adjust the amount of air flowing in from each communication hole 38 or each communication hole 41.

또한, 도 8에 도시하는 바와 같이, 챔버(42)를 상부가 개방된 하우징(43)과, 그 하우징(43)의 상부에 적재되는 덮개(44)에 의해 구성하고, 상기 덮개(44)를 하우징(43)으로부터, 예를 들어 40㎜ 이상 또한 100㎜ 이하 정도 이격시켜서 챔버(42) 내에 기류를 형성해도 된다.In addition, as shown in FIG. 8, the chamber 42 is comprised by the housing 43 which the upper part opened, and the cover 44 mounted on the upper part of the housing 43, and the said cover 44 is comprised. For example, the airflow may be formed in the chamber 42 by being spaced apart from the housing 43 by about 40 mm or more and about 100 mm or less.

이상, 본 발명에 대해서, 상기 실시 형태를 사용하여 설명했지만, 본 발명은 상기 실시 형태에 한정되는 것이 아니다. 예를 들어, 상기 실시 형태에 따른 처리실내 부품의 냉각 방법에서는, 스테이지(12)나 서셉터(32)가 냉각되었지만, 냉각되는 챔버내 부품은 이들에 한정되지 않고, 예를 들어 샤워 헤드이어도 되고, 또한, 유도 결합 플라즈마 장치에 있어서는, 유도 결합을 위한 코일 안테나와 처리실 사이를 격리하는 유전체창, 또한, 마이크로파를 이용한 플라즈마 장치에 있어서는 마이크로파를 도입하는 유전체창이어도 된다.As mentioned above, although this invention was demonstrated using the said embodiment, this invention is not limited to the said embodiment. For example, in the method of cooling the components in the processing chamber according to the above embodiment, the stage 12 and the susceptor 32 are cooled, but the components in the chamber to be cooled are not limited to these, but may be, for example, a shower head. Further, in an inductively coupled plasma apparatus, a dielectric window may be isolated between the coil antenna and the processing chamber for inductive coupling, and in a plasma apparatus using microwaves, a dielectric window may be introduced.

또한, 상술한 기판 처리 장치(10)에서는, 챔버(11)에 있어서 덮개부(11b)만이 이동하여 기부(11a)로부터 이격되었지만, 기부(11a)만이 이동하여 덮개부(11b)로부터 이격되어도 되고, 혹은, 기부(11a) 및 덮개부(11b)가 함께 이동하여 서로 이격되어도 된다.In the substrate processing apparatus 10 described above, only the lid portion 11b moves in the chamber 11 and is spaced apart from the base portion 11a. However, only the base portion 11a may be moved and separated from the lid portion 11b. Alternatively, the base 11a and the lid portion 11b may move together and be spaced apart from each other.

또한, 상기 실시 형태에 따른 처리실내 부품의 냉각 방법을 실현 가능한 기판 처리 장치가 실행하는 플라즈마 처리도 드라이 에칭 처리에 한정되지 않고, 예를 들어 성막 처리이어도 되고, 당해 기판 처리 장치는 플라즈마 처리가 아니라 어닐 처리 등의 고온 처리를 실행하는 것이어도 된다.In addition, the plasma processing performed by the substrate processing apparatus capable of realizing the method of cooling the components in the processing chamber according to the embodiment is not limited to the dry etching process, for example, a film forming process may be used, and the substrate processing apparatus is not a plasma process. The high temperature treatment such as the annealing treatment may be performed.

본 발명의 목적은, 상술한 실시 형태의 기능을 실현하는 소프트웨어의 프로그램을 기록한 기억 매체를, 컴퓨터 등에 공급하고, 컴퓨터의 CPU가 기억 매체에 저장된 프로그램, 예를 들어 상술한 스테이지 냉각 프로그램을 판독하여 실행함으로써도 달성된다.An object of the present invention is to supply a storage medium on which a program of software for realizing the functions of the above-described embodiments is supplied to a computer, and the CPU of the computer reads a program stored in the storage medium, for example, the stage cooling program described above. It is also achieved by implementation.

이 경우, 기억 매체로부터 판독된 프로그램 자체가 상술한 실시 형태의 기능을 실현하게 되고, 프로그램 및 그 프로그램을 기억한 기억 매체는 본 발명을 구성하게 된다.In this case, the program itself read from the storage medium realizes the functions of the above-described embodiments, and the program and the storage medium storing the program constitute the present invention.

또한, 프로그램을 공급하기 위한 기억 매체로서는, 예를 들어 RAM, NV-RAM, 플로피(등록 상표) 디스크, 하드 디스크, 광자기 디스크, CD-ROM, CD-R, CD-RW, DVD(DVD-ROM, DVD- RAM, DVD-RW, DVD+RW) 등의 광 디스크, 자기 테이프, 불휘발성의 메모리 카드, 다른 ROM 등의 상기 프로그램을 기억할 수 있는 것이면 된다. 또는, 상기 프로그램은, 인터넷, 상용 네트워크, 혹은 로컬 에리어 네트워크 등에 접속되는 도시하지 않은 다른 컴퓨터나 데이터베이스 등으로부터 다운로드함으로써 컴퓨터에 공급되어도 된다.As a storage medium for supplying a program, for example, RAM, NV-RAM, floppy (registered trademark) disk, hard disk, magneto-optical disk, CD-ROM, CD-R, CD-RW, DVD (DVD- The above program may be stored such as an optical disk such as a ROM, a DVD-RAM, a DVD-RW, a DVD + RW), a magnetic tape, a nonvolatile memory card, and another ROM. Alternatively, the program may be supplied to a computer by downloading it from another computer or database (not shown) connected to the Internet, a commercial network, a local area network, or the like.

또한, 컴퓨터의 CPU가 판독한 프로그램을 실행함으로써, 상기 실시 형태의 기능이 실현될 뿐만 아니라, 그 프로그램의 지시에 기초하여, CPU 상에서 가동하고 있는 OS(오퍼레이팅 시스템) 등이 실제 처리의 일부 또는 전부를 행하고, 그 처리에 의해 상술한 실시 형태의 기능이 실현되는 경우도 포함된다.In addition, by executing the program read by the CPU of the computer, not only the functions of the above embodiments are realized, but also the OS (operating system) or the like running on the CPU based on the instruction of the program, part or all of the actual processing. It also includes a case where the function of the above-described embodiment is realized by the processing.

또한, 기억 매체로부터 판독된 프로그램이, 컴퓨터에 삽입된 기능 확장 보드나 컴퓨터에 접속된 기능 확장 유닛에 구비되는 메모리에 기입된 후, 그 프로그램의 지시에 기초하여, 그 기능 확장 보드나 기능 확장 유닛에 구비되는 CPU 등이 실제 처리의 일부 또는 전부를 행하고, 그 처리에 의해 상술한 실시 형태의 기능이 실현되는 경우도 포함된다.Also, after the program read from the storage medium is written into a memory included in the function expansion board inserted into the computer or the function expansion unit connected to the computer, the function expansion board or the function expansion unit based on the instruction of the program. This includes a case where a CPU or the like provided part or all of the actual processing, and the above-described functions are realized by the processing.

상기 프로그램의 형태는, 오브젝트 코드, 인터프리터에 의해 실행되는 프로그램, OS에 공급되는 스크립트 데이터 등의 형태로 이루어져도 된다.The program may be in the form of an object code, a program executed by an interpreter, script data supplied to an OS, or the like.

(실시예)(Example)

우선, 기판 처리 장치(10)에 있어서 드라이 에칭 처리를 실행할 때, 히터(16)에 의해 스테이지(12)를 260℃까지 가열하고, 그 후, 도 3의 스테이지의 냉각 처리를 실행하고, 스테이지(12)가 60℃까지 냉각되는 시간을 측정한 바, 16시간밖에 필요로 하지 않았다(실시예). 또한, 실시예에 있어서 개방부(11d)의 개구값 L은 45㎜로 설정되었다.First, when performing a dry etching process in the substrate processing apparatus 10, the stage 12 is heated to 260 degreeC by the heater 16, Then, the cooling process of the stage of FIG. 3 is performed, and a stage ( When 12) was cooled down to 60 degreeC, only 16 hours were needed (Example). In addition, in the Example, the opening value L of the opening part 11d was set to 45 mm.

한편, 실시예와 마찬가지로, 기판 처리 장치(10)에 있어서 히터(16)에 의해 스테이지(12)를 260℃까지 가열하고, 그 후, 챔버(11) 내로 대기를 도입한 후, 챔버(11) 내의 배기를 행하지 않고, 또한 기부(11a)로부터 덮개부(11b)를 이격시키지 않고 챔버(11)를 방치한 바, 스테이지(12)가 60℃까지 냉각되는 시간을 측정한 바, 48시간이나 필요로 하였다(비교예).On the other hand, similarly to the embodiment, in the substrate processing apparatus 10, the stage 12 is heated to 260 ° C. by the heater 16, and thereafter, after introducing the atmosphere into the chamber 11, the chamber 11 is opened. When the chamber 11 was left without exhausting the inside and leaving the lid portion 11b away from the base 11a, the time for which the stage 12 was cooled to 60 ° C was measured. (Comparative example)

따라서, 도 3의 스테이지의 냉각 처리를 실행함으로써, 챔버(11)를 방치한 경우에 비하여 3배의 속도로 스테이지(12)를 냉각할 수 있는 것을 알았다.Therefore, it was found that by performing the cooling treatment of the stage of FIG. 3, the stage 12 can be cooled at a speed three times higher than when the chamber 11 is left unattended.

G : 기판
L : 개구값
L1 : 개방값
S : 처리 공간
V3 : 밸브
W : 웨이퍼
10, 30 : 기판 처리 장치
11, 31, 36, 39, 42 : 챔버
11a : 기부
11b : 덮개부
11d : 개방부
12 : 스테이지
14 : 배기계
16 : 히터
19 : 온도 센서
27 : DP
32 : 서셉터
33, 37, 40 : 게이트 밸브
34, 38, 41 : 연통 구멍G: substrate
L: opening value
L1: Open value
S: processing space
V3: Valve
W: Wafer
10, 30: substrate processing apparatus
11, 31, 36, 39, 42: chamber
11a: Donation
11b: cover part
11d: opening
12: stage
14 exhaust system
16: heater
19: Temperature sensor
27: DP
32: susceptor
33, 37, 40: gate valve
34, 38, 41: communication hole

Claims (7)

기판에 소정의 처리를 실시하는 기판 처리 장치의 처리실 내에 배치된 처리실내 부품의 냉각 방법으로서,
상기 처리실내의 압력을 대기압으로 조정하는 압력 조정 스텝과,
상기 처리실의 측벽부의 적어도 일부를 개방하여 상기 처리실내 및 대기를 연통시키는 처리실내 개방 스텝과,
상기 처리실내를 배기하는 배기 장치를 사용하여 상기 처리실내에 상기 대기의 흐름을 형성하는 기류 형성 스텝과,
상기 처리실내 부품의 온도가 소정의 온도 이하인지 여부를 판정하는 온도 판정 스텝과,
상기 온도 판정 스텝에 있어서 상기 처리실내 부품의 온도가 소정의 온도 이하라고 판정된 경우, 상기 배기 장치의 작동을 정지하여 상기 대기의 흐름을 정지시키는 기류 정지 스텝을 갖는 것을 특징으로 하는, 처리실내 부품의 냉각 방법.A cooling method of components in a processing chamber disposed in a processing chamber of a substrate processing apparatus that performs a predetermined process on a substrate,
A pressure adjusting step of adjusting the pressure in the processing chamber to atmospheric pressure;
A process chamber opening step of opening at least a portion of the side wall portion of the process chamber to communicate the process chamber with the atmosphere;
An airflow formation step of forming the flow of the atmosphere in the processing chamber by using an exhaust device that exhausts the processing chamber;
A temperature determination step of determining whether or not the temperature of the component in the processing chamber is equal to or less than a predetermined temperature;
In the temperature determination step, when it is determined that the temperature of the component in the processing chamber is equal to or less than a predetermined temperature, the processing chamber component has an airflow stop step of stopping the operation of the exhaust device to stop the flow of the atmosphere. Cooling method. 제1항에 있어서,
상기 처리실내 개방 스텝에서는, 상기 처리실의 측벽부를 전체 둘레에 걸쳐서 연속적으로 개방하는 것을 특징으로 하는, 처리실내 부품의 냉각 방법.The method of claim 1,
The said process chamber opening step WHEREIN: The cooling method of the component in a process chamber characterized by continuously opening the side wall part of the said process chamber over the perimeter. 제2항에 있어서,
상기 처리실은 분할 가능하게 구성된 덮개부 및 기부를 포함하여 이루어지고,
상기 처리실내 개방 스텝에 있어서 상기 덮개부는 상기 기부로부터 이격되고,
상기 덮개부의 상기 기부로부터의 이격 거리는 40㎜ 이상 또한 100㎜ 이하인 것을 특징으로 하는, 처리실내 부품의 냉각 방법.The method of claim 2,
The treatment chamber comprises a cover portion and a base configured to be divided,
In the processing chamber opening step, the cover part is spaced apart from the base,
The separation distance from the said base of the said cover part is 40 mm or more and 100 mm or less, The cooling method of the components in a process chamber. 제3항에 있어서,
상기 덮개부의 상기 기부로부터의 이격은, 상기 덮개부만의 이동, 상기 기부만의 이동, 또는 상기 덮개부 및 상기 기부의 이동에 의해 실현되는 것을 특징으로 하는, 처리실내 부품의 냉각 방법.The method of claim 3,
The separation from the base of the lid part is realized by movement of only the lid part, movement of only the base part, or movement of the lid part and the base part. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 처리실내 부품은, 상기 기판을 적재하고 또한 가열 기구를 갖는 고온 적재대인 것을 특징으로 하는, 처리실내 부품의 냉각 방법.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
The said process chamber component is a high temperature mounting table which mounts the said board | substrate and has a heating mechanism, The cooling method of the component in a process chamber. 기판에 소정의 처리를 실시하는 기판 처리 장치의 처리실 내에 배치된 처리실내 부품의 냉각 방법으로서, 상기 처리실내의 압력을 대기압으로 조정하는 압력 조정 스텝과, 상기 처리실의 측벽부의 적어도 일부를 개방하여 상기 처리실내 및 대기를 연통시키는 처리실내 개방 스텝과, 상기 처리실내를 배기하는 배기 장치를 사용하여 상기 처리실내에 상기 대기의 흐름을 형성하는 기류 형성 스텝과, 상기 처리실내 부품의 온도가 소정의 온도 이하인지 여부를 판정하는 온도 판정 스텝과, 상기 온도 판정 스텝에 있어서 상기 처리실내 부품의 온도가 소정의 온도 이하라고 판정된 경우, 상기 배기 장치의 작동을 정지하여 상기 대기의 흐름을 정지시키는 기류 정지 스텝을 갖는 처리실내 부품의 냉각 방법을 컴퓨터에 실행시키는 처리실내 부품 냉각 프로그램을 저장한 컴퓨터 판독 가능한 기억매체로서,
상기 처리실내 개방 스텝을 실행하는 처리실내 개방 모듈과,
상기 기류 형성 스텝을 실행하는 기류 형성 모듈과,
상기 온도 판정 스텝을 실행하는 온도 판정 모듈과,
상기 기류 정지 스텝을 실행하는 기류 정지 모듈을 적어도 갖는 것을 특징으로 하는, 처리실내 부품 냉각 프로그램을 저장한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체.A cooling method of components in a processing chamber disposed in a processing chamber of a substrate processing apparatus that performs a predetermined process on a substrate, the method comprising: a pressure adjusting step of adjusting the pressure in the processing chamber to atmospheric pressure; A process chamber opening step for communicating the process chamber and the atmosphere, an air flow forming step for forming the flow of the atmosphere in the process chamber using an exhaust device for evacuating the process chamber, and a temperature of the component in the process chamber is a predetermined temperature. A temperature determination step of determining whether or not the temperature is equal to or less than that; and in the temperature determination step, when it is determined that the temperature of the component inside the processing chamber is equal to or lower than a predetermined temperature, an air flow stop to stop the operation of the exhaust device to stop the flow of the atmosphere. In-process component cooling pro A computer-readable storage medium storing the ram,
An in-process opening module for executing the in-process opening step;
An airflow forming module that executes the airflow forming step;
A temperature determination module for executing the temperature determination step;
And at least an airflow stop module for executing the airflow stop step. 제6항에 있어서,
상기 기류 형성 모듈은, 상기 처리실내 개방 모듈이 상기 처리실내 개방 스텝을 실행하고 있는 사이, 또는 실행한 후에, 상기 처리실내 개방 모듈로부터 호출되어 상기 기류 형성 스텝을 실행하는 것을 특징으로 하는, 처리실내 부품 냉각 프로그램을 저장한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체.
The method according to claim 6,
The airflow forming module is called from the processing chamber opening module to execute the airflow forming step while the processing chamber opening module executes the processing chamber opening step or after the processing chamber opening module executes the processing step. Computer-readable storage medium that stores the parts cooling program.
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