KR20130102577A - Substrate heating device - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기판(9)이 표면(11)과 열 전도 접촉하도록 기판(9)을 상부에 배치하기 위한 평평한 표면(11)을 포함하는, 진공 공정 챔버 내에서 기판(9)을 지지하기 위한 서셉터에 있어서, 서셉터(1)는 적어도 3개의 인접한 구역(5, 6, 8)인 외부 구역(8), 중앙 구역(6) 및 내부 구역(5)을 포함하고, 구역(5, 6, 8)은 서로의 주변에 동심으로 배열되고 표면(11)을 따라 연장되며, 외부 구역(8)은 중앙 구역(6)을 완전히 둘러싸고, 중앙 구역(6)은 내부 구역(5)을 완전히 둘러싸며, 내부 구역(5)은 내부 구역(5)에 영향을 미치는 적어도 하나의 내부 가열 요소(13)를 포함하고, 외부 구역(8)은 외부 구역(8)에 영향을 미치는 적어도 하나의 외부 가열 요소(19)를 포함하며, 중앙 구역(6)은 내부 구역(5)의 최소 두께(12)보다 얇고, 외부 구역(8)의 최소 두께보다 얇은 최대 두께(15)를 갖고, 각 두께(12, 15, 16)는 표면(11)에 대해 수직으로 연장된다. 따라서, 본 발명은 전체 표면(11) 영역에 대해 원만한 온도 프로파일을 제공하여, 우수한 기판(9) 온도 균일성이 가능하고, 이에 따라 예를 들어, CVD 공정에 제공될 코팅의 개선된 두께(12, 15, 16) 균일성을 가능하게 한다.The present invention provides a support for supporting a substrate 9 in a vacuum process chamber, comprising a flat surface 11 for placing the substrate 9 thereon such that the substrate 9 is in thermally conductive contact with the surface 11. In the acceptor, the susceptor 1 comprises an outer zone 8, a central zone 6 and an inner zone 5, which are at least three adjacent zones 5, 6, 8, and the zones 5, 6, 8) are arranged concentrically around each other and extend along the surface 11, the outer zone 8 completely surrounds the central zone 6, the central zone 6 completely surrounds the inner zone 5, , The inner zone 5 comprises at least one internal heating element 13 affecting the inner zone 5, the outer zone 8 having at least one external heating element affecting the outer zone 8. (19), the central zone (6) having a maximum thickness (15) thinner than the minimum thickness (12) of the inner zone (5) and thinner than the minimum thickness of the outer zone (8), each two The thicknesses 12, 15, 16 extend perpendicular to the surface 11. Thus, the present invention provides a smooth temperature profile over the entire surface 11 area, which allows for excellent substrate 9 temperature uniformity, thus improving the thickness 12 of the coating to be provided, for example, in a CVD process. , 15, 16) enable uniformity.
Description
본 발명은 기판이 표면과 열 전도 접촉이 되도록 기판을 상부에 배치하기 위한 평평한 표면을 포함하는, 진공 공정 챔버 내에서 기판을 지지하기 위한 서셉터에 관한 것이다. 더 구체적으로, 본 발명은 대면적 기판 표면 상에 매우 균일한 기판 온도를 설정하는 것에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 진공 환경에서 바람직한 비원형 형상을 갖는 기판에 대한 매우 균일한 가열 시스템을 기술한다. 이 가열 시스템은 상온보다 높은 온도에서 여러 코팅 또는 기판 처리 공정에 적용될 수 있다.
The present invention relates to a susceptor for supporting a substrate in a vacuum process chamber, the flat surface comprising a flat surface for placing the substrate thereon such that the substrate is in thermally conductive contact with the surface. More specifically, the present invention relates to setting a very uniform substrate temperature on a large area substrate surface. In particular, the present invention describes a very uniform heating system for a substrate having a desired non-circular shape in a vacuum environment. This heating system can be applied to many coating or substrate processing processes at temperatures above room temperature.
박막 부착 또는 코팅 공정은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 잘 알려져 있다. 그 이후로, 부착 균일성은 특히 대면적 코팅의 제조에서, 중요한 기준이다. 오늘날의 박막 기술에서 소규모로 실현되는 층 특성은 대면적 기판에 확대될 필요가 있다. 일반적으로, 소면적에서 통합을 위한 사양이 엄격할수록, 대면적에서 균일성은 더 양호해질 필요가 있다. 전형적인 예는 여러 박막층이 서로 조정되는 IC 산업계이다. 이 조정은 전체 웨이퍼에 대해 유지될 필요가 있으며, 이는 전체 기판에 대하여 모든 중대한 특징에서 관련된 모든 층의 우수한 균일성을 요구한다.
Thin film deposition or coating processes are well known in the art. Since then, adhesion uniformity is an important criterion, especially in the manufacture of large area coatings. Small scale layer properties in today's thin film technology need to be extended to large area substrates. In general, the tighter the specification for integration at small areas, the better the uniformity at large areas needs to be. A typical example is the IC industry, where several thin film layers are coordinated with each other. This adjustment needs to be maintained for the entire wafer, which requires good uniformity of all layers involved in all critical features for the entire substrate.
유사한 예는 박막 태양전지 애플리케이션이다. 높은 효율을 가능하게 하는 전지 특징은 전체 통합 모듈에 적용될 필요가 있다. "사양 외"의 특징을 갖는 면적은 각 전지를 악화시킬 것이다. 이러한 셀은 직렬 연결에서 고저항을 야기하는 저 효율을 나타낼 것이다. 그 결과로, 품질이 나쁜 전지 특징의 영역은 완전한 태양전지 모듈의 전체 성능을 저하시킨다.
A similar example is thin film solar cell applications. Battery features that enable high efficiency need to be applied to the entire integrated module. Areas characterized by "out of specification" will make each cell worse. Such cells will exhibit low efficiency resulting in high resistance in series connections. As a result, areas of poor cell characteristics degrade the overall performance of a complete solar cell module.
CVD(chemical vapour deposition) 공정에 있어서, 온도 균일성은 가장 중요한 요소들 중 하나이다. CVD 공정 동안의 화학 반응은 부착 속도가 공정 온도에 지수의 종속을 나타내는 소위 아레니우스(Arrhenius) 거동을 나타낸다. 그 결과로, 양호한 두께 균일성을 달성하기 위해 매우 균일한 기판 온도가 요구된다.
In chemical vapor deposition (CVD) processes, temperature uniformity is one of the most important factors. Chemical reactions during the CVD process exhibit a so-called Arrhenius behavior in which the rate of adhesion exhibits an index dependence on the process temperature. As a result, very uniform substrate temperatures are required to achieve good thickness uniformity.
종래의 CVD 시스템은 균일한 기판 온도를 달성하기 위해 다양한 측정을 사용한다. 종래 기술의 시스템은 열판(hot plate) 또는 서셉터(susceptor)를 사용하고, 열판과 서셉터는 각각 기판을 수용하고 균일한 온도 분포의 면에서의 a.m. 규정이 충족될 수 있도록 기판으로 열을 전달하는 본질적으로 평평한 표면 피트를 의미한다. 표면은 적어도 가열되거나 온도 제어될 기판 영역의 크기를 갖는 판의 하나의 표면으로서 설정될 수 있다. 이러한 열판은 다른 열 입력을 갖는 여러 독립된 가열 구역을 포함할 수 있다. 일반적으로, 열판의 주변부, 즉, 엣지 및 코너는, 주변부에서 열판 및 기판의 더 높은 열 방사로 인한 열 손실을 극복하기 위해 중앙보다 더 높은 온도로 가열될 필요가 있다.
Conventional CVD systems use various measurements to achieve uniform substrate temperature. Prior art systems use a hot plate or susceptor, where the hot plate and the susceptor each receive a substrate and transfer heat to the substrate so that am regulations in terms of uniform temperature distribution can be met. That means essentially flat surface feet. The surface may be set as one surface of the plate having at least the size of the substrate area to be heated or temperature controlled. Such hotplates may include several independent heating zones with different heat inputs. In general, the periphery of the hot plate, ie the edges and corners, needs to be heated to a temperature higher than the center to overcome the heat loss due to the higher heat radiation of the hot plate and the substrate at the periphery.
가열을 위해 종래 기술에서 알려진 해결책은 열판에 전기 가열 요소를 부착하거나 저항 가열과 같은 가열 요소를 통합하는 것이다. 가열 요소 및 열판 사이에서 피팅이 우수할수록, 열판에서 온도 변화에 대한 응답이 더 빨라진다.
The solutions known in the art for heating are to attach an electric heating element to the hotplate or to incorporate a heating element such as resistive heating. The better the fitting between the heating element and the hot plate, the faster the response to temperature changes in the hot plate.
열판으로의 열 흡수를 국부적으로 제어하기 위한 여러 접근방법이 존재한다. 다른 가열 접근 방법의 개요가 US 6,962,732에 문서화되어 있다. 균일하게 가열된 기판을 생성하기 위한 가능한 해결책의 하나는 가열 구역의 각각에 부착되는 열전대(thermocouple)와 같이 다른 가열 구역을 사용하는 것이다. 각 구역의 온도는 기판 온도가 더 균일해지는 것을 가능하게 하는 특정한 값으로 설정된다. 온도 설정은 실험적으로 결정된다.
Several approaches exist for locally controlling heat absorption into the hot plate. An overview of other heating approaches is documented in US Pat. No. 6,962,732. One possible solution for producing a uniformly heated substrate is to use another heating zone, such as a thermocouple attached to each of the heating zones. The temperature in each zone is set to a specific value that allows the substrate temperature to be more uniform. The temperature setting is determined experimentally.
열판의 온도 제어의 더 정교한 방법은 열 카메라 측정에 의해 기판 온도 균일성을 관찰하는 것이다. 가열 구역은 균일한 온도 판독값이 전체 기판 상에 확인될 수 있도록 그에 맞추어 조정된다. 이러한 접근 방법은 다른 매개 변수에 영향을 미치지 않고 균일한 온도 프로파일의 생성을 가능하게 한다.
A more sophisticated method of temperature control of the hot plate is to observe the substrate temperature uniformity by thermal camera measurements. The heating zone is adjusted accordingly so that a uniform temperature reading can be seen on the entire substrate. This approach allows the creation of a uniform temperature profile without affecting other parameters.
대안으로, 열판의 온도는 열판을 사용하는 제조 공정으로부터 기인하는 층 특성을 조사한 후에 조정될 수 있다. 균일한 층 특성이 얻어질 때까지 가열 구역 온도를 변화시킨다. 이 방법은 진공 장비의 시운전에 폭넓게 사용된다. 그러나, 코팅 특성 균일성은 온도에 의한 영향뿐만 아니라 가스 흐름 및 부착 장비의 기하학적 구조에 의해서도 또한 영향을 받는다. 그래서 불균일한 흐름은 열판의 온도 조정에 의해 보상될 수 있다.
Alternatively, the temperature of the hot plate can be adjusted after examining the layer properties resulting from the manufacturing process using the hot plate. The heating zone temperature is varied until uniform layer properties are obtained. This method is widely used for commissioning vacuum equipment. However, coating property uniformity is also affected not only by temperature, but also by the gas flow and geometry of the attachment equipment. The nonuniform flow can thus be compensated by the temperature adjustment of the hot plate.
특히, 기판 코너 및 엣지가 주변의 냉각 챔버의 열 방사에 의해 더 강하게 영향받기 때문에 직사각형 기판 가열은 도전적이다. 이는 이러한 영역으로 열 입력을 증가시킴으로써 쉽게 보상될 수 있다고 기대할 것이다. 그러나, 저항 가열 요소의 더 밀집한 가열 패턴을 단순히 배선함으로써 예를 들어, 열판의 다른 부분에 비해 열판 코너 영역으로 충분한 열을 공급하기 어렵다. 이러한 가열 패턴의 변화는, 비싸고 시간 소모적인 열판의 실질적인, 즉, 기계적인 변화를 의미한다. 이 문제의 하나의 해결책은 코너 구역을 각각 가열하여 열판으로 열 방출을 전기적으로 조정하는 것일 수 있다. 이러한 접근 방법은 비실용적인 것으로 판명되었다. 실제로, 이러한 각각의 가열 구역으로 코너로 전달되는 열의 대부분은 열판의 냉각 구역으로 또한 소멸될 것이고, 따라서 전체 열판 온도 분포에 영향을 미치게 된다. 영역들을 서로에 대하여 열적으로 단열하는 것은 이 문제를 피할 수 있으나 단열 영역에서 국부적인 온도 변화로 나타날 것이다.
In particular, rectangular substrate heating is challenging because substrate corners and edges are more strongly affected by thermal radiation of the surrounding cooling chamber. It will be expected that this can be easily compensated by increasing the heat input into this area. However, it is difficult to supply sufficient heat to the hot plate corner region, for example, compared to other parts of the hot plate by simply wiring the more dense heating pattern of the resistive heating element. This change in the heating pattern means a substantial, ie mechanical change, of the expensive and time consuming hotplate. One solution to this problem may be to heat each of the corner zones to electrically regulate heat dissipation with the hot plate. This approach turned out to be impractical. In fact, most of the heat transferred to the corners to each of these heating zones will also be dissipated to the cooling zone of the hotplate, thus affecting the overall hotplate temperature distribution. Thermal insulation of the zones with respect to each other avoids this problem but will appear as a local temperature change in the insulation zone.
현재 종래 기술에서 제안된 모든 해결책은 이 근본적인 딜레마에 봉착하고 있다. 대부분의 서셉터 또는 열판 물질은 전도성 물질이고, 기판에 대해 가능한 효율적으로 가열 와이어 또는 가열 요소의 가열을 수행하여야 한다. 예를 들어, 알루미늄, 구리 또는 탄소는 서셉터 물질로 흔히 사용된다. 낮은 전도성 물질은 균일한 가열을 달성하기 위해 가열 요소의 더 밀집한 배선을 필요로 한다. 우수한 전도성 물질은 가열 와이어 위치에 의해 생성되는 국부적인 가열 최대값을 기본적으로 스미어링(smearing)한다. 그러나 이 효과는 서셉터의 엣지 및 코너에 역효과를 낳는다. 강한 가열 최대값은 기판 엣지 및 코너의 열 손실을 보상하기 위해 필요해진다. 엣지 및 코너 구역의 단순한 가열은 중앙 가열 구역의 온도를 또한 상승시킬 것이다.
Currently all solutions proposed in the prior art face this fundamental dilemma. Most susceptor or hot plate materials are conductive materials and the heating of the heating wires or heating elements should be performed on the substrate as efficiently as possible. For example, aluminum, copper or carbon are commonly used as susceptor materials. Low conductive materials require tighter wiring of heating elements to achieve uniform heating. A good conductive material basically smears the localized heating maximum produced by the heating wire position. However, this effect is counterproductive to the edges and corners of the susceptor. Strong heating maximums are needed to compensate for heat losses at the substrate edges and corners. Simple heating of the edge and corner zones will also raise the temperature of the central heating zone.
도 1 및 도 2에 나타난 바와 같이, 일 예는 이 효과를 증명할 수 있다. 4개의 독립하여 작동하고 제어되는 가열 와이어(2, 3, 4)를 포함하는 서셉터(1)가 사용된다. 모든 가열 와이어(2, 3, 4)는 하나의 열판, 즉 기판(1) 상에 장착된다. 4개의 가열 와이어(2, 3, 4)는 4개의 다른 구역(5, 6, 7)을 형성한다. 제1 구역(5)은 기판(9)의 대부분을 가열하는 중앙 구역이다. 제2 구역(6)은 제1 구역(5) 및 제2 구역(6) 사이의 온도 차이를 동일하게 하는 선택적인 중간 구역이다. 제3 구역(7)은 기판(9) 엣지를 가열한다. 이들 3 구역(5, 6, 7)에 대해, 가열 와이어(2, 3, 4)는 제2 구역(6)이 생략된 도 2에 나타난 바와 같이 열판(1) 아래에서 장착된다.
As shown in Figures 1 and 2, one example can demonstrate this effect. A
중앙 구역(5)은 엣지 구역(7)보다 더 넓은 배선(2) 간격을 갖는다. 가열 성분(4)을 갖는 테두리 가열 구역(8)이 열판(9)의 상부에 배열되나, 가열표면으로부터 함몰된다. 이는 열판(9) 상의 엣지 바(10)에 의해 고정되고 CVD 공정에 의한 오염으로부터 보호된다. 기판(9)의 엣지가 중첩되어 엣지 바(10)에 의해 가열되도록 기판(9)은 서셉터(1) 표면보다 조금 더 크다.
The
하기의 표는 오퍼레이터에 의해 설정되는 온도 및 특정한 구역(5, 6, 7, 8) 내에서 부착되는 열전대에 의해 나타나는 바와 같이 열판(9)에 의해 실제 도달되는 온도를 나타낸다.
The table below shows the temperatures set by the operator and the temperatures actually reached by the
이 표에서 알 수 있는 바와 같이, 제1 구역(5) 및 제3 구역(7)의 온도 설정의 영향으로 인해, 제2 구역(6)은 자신의 목표 온도 이상으로 과열된다. 제2 구역(6) 영역의 정확한 가열은 가열 구역(5, 6, 7, 8)의 크로스토크(cross-talk)로 인해 불가능하다.
As can be seen from this table, due to the influence of the temperature settings of the
그럼에도 불구하고, 기판(9) 엣지 온도가 너무 낮아서 균일한 성장을 허용할 수 없기 때문에, 엣지 및 테두리 구역(8) 온도를 중앙 구역(5) 온도 이상으로 충분히 증가시킬 필요가 있다.
Nevertheless, since the edge temperature of the
다른 구역(5, 6, 7, 8) 사이의 가열 크로스토크의 문제점에 대한 해결책은 열적으로 분리된 피스로부터의 서셉터(1) 제조일 것이다. 또한 독립하여 가열되는 분리된 테두리 구역(8) 프레임에 의해 둘러싸여 중앙 구역 판(5)이 설치됨을 예견할 수 있다. 그러나, 이 해결책은 여러 결점을 갖는다. 첫째로, 이는 하나 피스의 서셉터(1) 물질로부터 제조되지 않는다. 이는 다른 서셉터(1) 판 사이의 허용오차가 균일한 기판(9) 가열을 허용하기에 충분할 정도로 낮아야 하기 때문에 제조가 어렵고 비용이 증가하게 된다. 둘째로, 중앙 구역(5) 및 테두리 구역(8) 사이의 갭에서 원만한 온도 프로파일을 갖는 것이 매우 어렵다. 기판(9) 두께에 의존하여 2 구역(5, 8) 사이의 바람직한 스미어링은 중앙 구역(5) 및 테두리 구역(8)의 계면에 의한 열 손실을 보상하기에 충분하지 않을 수 있다.
The solution to the problem of heating crosstalk between the
따라서, 본 발명의 목적은 전술된 종래 기술의 문제점을 극복하기 위한 것으로, 즉, 대면적 기판 표면에 대해 매우 균일한 기판 온도를 설정하기 위한 서셉터를 제공한다.
It is therefore an object of the present invention to overcome the above mentioned problems of the prior art, ie to provide a susceptor for setting a very uniform substrate temperature for a large area substrate surface.
이 목적은 독립항에 의해 달성된다. 이로운 실시예는 종속항에서 자세하게 기술된다.
This object is achieved by the independent claim. Advantageous embodiments are described in detail in the dependent claims.
특히, 이 목적은 기판이 표면과 열 전도 접촉하도록 기판을 상부에 배치하기 위한 평평한 표면을 포함하는, 진공 공정 챔버 내에서 기판을 지지하기 위한 서셉터에 의해 달성될 수 있고, 서셉터는 적어도 3개의 인접한 구역인 외부 구역, 중앙 구역 및 내부 구역을 포함하고, 구역은 서로의 주변에 동심으로 배열되고 표면을 따라 연장되며, 외부 구역은 중앙 구역을 완전히 둘러싸고, 중앙 구역은 내부 구역을 완전히 둘러싸며, 내부 구역은 내부 구역에 영향을 미치는 적어도 하나의 내부 가열 요소를 포함하고, 외부 구역은 외부 구역에 영향을 미치는 적어도 하나의 외부 가열 요소를 포함하며, 중앙 구역은 내부 구역의 최소 두께보다 얇고, 외부 구역의 최소 두께보다 얇은 최대 두께를 갖고, 각 두께는 표면에 대해 수직으로 연장된다.
In particular, this object can be achieved by a susceptor for supporting the substrate in a vacuum process chamber, the flat surface comprising a flat surface for placing the substrate thereon such that the substrate is in thermally conductive contact with the surface, the susceptor being at least 3 Two adjacent zones: the outer zone, the central zone and the inner zone, the zones are arranged concentrically around each other and extend along the surface, the outer zone completely surrounds the central zone, the central zone completely surrounds the inner zone, The inner zone comprises at least one inner heating element affecting the inner zone, the outer zone comprises at least one outer heating element affecting the outer zone, the central zone is thinner than the minimum thickness of the inner zone, With a maximum thickness thinner than the minimum thickness of the outer zone, each thickness extends perpendicular to the surface.
놀랍게도, 외부 구역 및 내부 구역 사이의 중앙 구역이 둘러싸는 구역, 즉, 내부 구역 및 외부 구역보다 얇은 두께를 갖는 경우, 단일 조각, 예를 들어, 알루미늄, 구리 및/또는 탄소로 제조되고 적어도 3개의 다른 구역을 갖는 서셉터를 제공하는 것은, 전체 기판 표면에서 매우 균일한 기판 온도를 제공함이 발견되었고, 내부 구역 및 외부 구역은 모두 각각의 구역에서 기판에 영향을 미치기 위한 가열 요소를 포함한다. 본 발명에 따른 이러한 서셉터로, 부정적인 효과, 즉, 내부 구역의 영역에서 기판의 과열 없이 기판의 엣지 및 코너에서 강한 가열 최대값을 제공하는 것이 가능해진다. 따라서, 본 발명은 전체 표면 영역에 걸쳐 매우 균일한 기판 온도를 나타내는 원만한 온도 프로파일을 제공하는 것을 가능하게 하고 예를 들어, CVD 공정에서 제공될 코팅의 두께 균일성을 가능하게 한다. 결국, 본 발명에 따른 서셉터는 기판 코팅 품질을 개선함과 동시에 제조 비용을 감소시킨다. 요약하면, 서셉터는 종래 기술 시스템에 비해 개선된 코팅 층 특성을 제공한다.
Surprisingly, when the central zone between the outer zone and the inner zone has a thickness that is thinner than the surrounding zone, ie the inner zone and the outer zone, it is made of a single piece, for example aluminum, copper and / or carbon and at least three It has been found that providing susceptors with different zones provides a very uniform substrate temperature at the entire substrate surface, and both the inner zone and the outer zone contain heating elements to affect the substrate in each zone. With this susceptor according to the invention, it becomes possible to provide a strong heating maximum at the edges and corners of the substrate without negative effects, ie overheating of the substrate in the region of the inner zone. Thus, the present invention makes it possible to provide a smooth temperature profile that exhibits a very uniform substrate temperature over the entire surface area and, for example, the thickness uniformity of the coating to be provided in a CVD process. As a result, the susceptor according to the present invention reduces the manufacturing cost while improving the substrate coating quality. In summary, susceptors provide improved coating layer properties compared to prior art systems.
본 발명의 의미에서 "처리(Processing)"라는 용어는 기판에 작용하는 임의의 화학적, 물리적 및/또는 기계적 효과를 포함한다.
The term "processing" in the sense of the present invention includes any chemical, physical and / or mechanical effect acting on the substrate.
본 발명의 의미에서 "기판(substrate)"의 용어는 발명에 따른 진공 처리 시스템으로 처리될 부품, 부분 또는 워크피스를 포함한다. 기판은 직사각형, 정사각형 또는 원형 형상을 갖는 평탄-, 판형상 부분을 포함하지만 이에 제한되지는 않는다. 바람직하게, 기판은 박막 태양 전지를 제조하는데 적합하고 플로트 유리(float glass), 보안 유리 및/또는 석영 유리를 포함한다. 더 바람직하게, 기판은 본질적으로 제공되고, 가장 바람직하게는 얇은 유리 판과 같이 1m2 이상의 크기의 평면을 갖는 완전 평면 기판이다.
The term "substrate" in the sense of the present invention includes the part, part or workpiece to be treated with the vacuum processing system according to the invention. Substrates include, but are not limited to, flat-, plate-shaped portions having a rectangular, square or circular shape. Preferably, the substrate is suitable for making thin film solar cells and includes float glass, security glass and / or quartz glass. More preferably, the substrate is provided in essence, most preferably a fully planar substrate having a plane of at least 1 m 2 , such as a thin glass plate.
본 발명의 의미에서 "진공 처리(vacuum processing)" 또는 "진공 처리 시스템(vacuum treatment system)"이라는 용어는 주변 대기압보다 낮은 압력에서 처리되는 기판을 위한 적어도 하나의 인클로저를 포함한다.
The term "vacuum processing" or "vacuum treatment system" in the sense of the present invention includes at least one enclosure for a substrate to be treated at a pressure below ambient atmospheric pressure.
본 발명의 의미에서 "CVD", 화학 부착법(chemical vapor deposition) 및 그 종류의 용어는 가열된 기판 상에 층의 부착을 허용하는 잘 알려진 기술을 포함한다. 보통 액체 또는 기체의 전구체 물질이 처리 시스템에 공급되고, 전구체의 열반응이 층의 부착을 제공한다. 종종, DEZ(디에틸 아연:diethyl zinc)는 저압 CVD(LPCVD)를 사용하는 진공 처리 시스템에서 TCO 층의 생산을 위한 전구체 물질로 사용된다. 투명 전도 산화물(transparent conductive oxide), 즉 TCO 층을 나타내는 "TCO"이라는 용어는 투명 전도층이고 층, 코팅, 부착 및 필름이라는 용어는 CVD, LPCVD, Plasma Enhanced CVD(PECVD) 또는 Physical Vapor Deposition(PVD)인 진공 처리에서 부착된 필름에 대하여 본 발명에서 상호 교환 가능하게 사용된다.
In the sense of the present invention "CVD", chemical vapor deposition, and the term of that kind encompass well known techniques that allow the deposition of layers on heated substrates. Usually a liquid or gaseous precursor material is supplied to the treatment system, and thermal reaction of the precursor provides adhesion of the layer. Often, DEZ (diethyl zinc) is used as precursor material for the production of TCO layers in vacuum processing systems using low pressure CVD (LPCVD). The term "TCO", which stands for transparent conductive oxide, or TCO layer, is a transparent conductive layer and the terms layer, coating, adhesion and film are CVD, LPCVD, Plasma Enhanced CVD (PECVD) or Physical Vapor Deposition (PVD). It is used interchangeably in the present invention for the film attached in the vacuum treatment.
본 발명의 의미에서 "태양 전지(solar cell)" 또는 "광전지(photovoltaic cell, PV cell)"라는 용어는 광, 본질적으로 태양광을 광전지 효과에 의해 직접적으로 전기 에너지로 변환할 수 있는 전기 부품을 포함한다. 박막 태양전지에 의해 일반적으로 기판 상에 연속하여 부착되는 제1 또는 전면 전극, 하나 이상의 반도체 박막 PIN 접합 및 제2 또는 후면 전극을 포함한다. 각 PIN 접합 또는 박막 광전 변환 유닛은 p형층과 n형층 사이에 샌드위치 형으로 형성되는 i형층을 포함하며 여기에서 "p"는 양으로 도핑된 것을 나타내고, "n"은 음으로 도핑된 것을 나타낸다. 실질적으로 진성 반도체 층인 i형층은 박막 PIN 접합 두께의 대부분을 차지하며 광전 변환은 주로 이 i형층에서 일어난다. 따라서, 기판은 박막 광전지 제조에 사용되는 기판인 것이 바람직하다.
The term "solar cell" or "photovoltaic cell (PV cell)" in the sense of the present invention refers to an electrical component that can convert light, essentially sunlight, into electrical energy directly by the photovoltaic effect. Include. A first or front electrode, one or more semiconductor thin film PIN junctions, and a second or back electrode, which are generally successively attached to a substrate by a thin film solar cell. Each PIN junction or thin film photoelectric conversion unit includes an i-type layer formed sandwiched between a p-type layer and an n-type layer, where "p" indicates positively doped and "n" indicates negatively doped. The i-type layer, which is a substantially intrinsic semiconductor layer, accounts for most of the thin film PIN junction thickness and photoelectric conversion mainly occurs in this i-type layer. Therefore, it is preferable that a board | substrate is a board | substrate used for thin film photovoltaic cell manufacture.
본 발명의 의미에서 "평탄(flat)"이라는 용어는 거칠지 않은, 즉 그루브(groove) 등을 포함하지 않는 표면을 갖는 수단을 포함한다. 바람직하게 "평탄"이라는 용어는 각 표면의 표면 거칠기 등급이 N9 이하인 것을 의미한다.
The term " flat " in the sense of the present invention includes means having a surface that is not rough, i.e. does not contain grooves or the like. Preferably the term "flatness" means that the surface roughness grade of each surface is equal to or less than N9.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 내부 구역의 최소 두께는 외부 구역의 최대 두께보다 두껍다. 이러한 실시예는 외부 구역을 향하는 기판의 경계 및/또는 엣지의 각 외부 구역의 온도의 더 세부적인 제어를 가능하게 하는, 내부 구역보다 얇은 두께인 외부 구역을 갖는 전체 표면에 걸쳐 균일한 기판 온도를 유리하게 더 제공한다.
According to a preferred embodiment of the invention, the minimum thickness of the inner zone is thicker than the maximum thickness of the outer zone. This embodiment provides a uniform substrate temperature across the entire surface with a thinner outer zone than the inner zone, which allows for more granular control of the temperature of each outer zone of the edge and / or edge of the substrate towards the outer zone. Advantageously provides more.
일반적으로, 중앙 구역의 더 얇은 두께는 종래 기술에서 알려진 임의의 수단, 예를 들어 긴 홀, 슬릿 및/또는 드릴링에 의해 실현될 수 있다. 그러나, 본 발명의 특히 바람직한 실시예에 따르면, 서셉터는 중앙 구역의 더 얇은 두께를 실현하기 위해 직사각형 단면으로 적어도 하나의 리세스를 포함한다. 바람직하게, 서셉터는 내부 구역으로부터 외부 구역을 향해 서로의 뒤에서 연장되어 배열되고 바람직하게 서브 벽에 의해 다시 세분되는 2개의 직사각형 리세스를 포함한다. 더 바람직하게, 리세스는 기판이 배치될 수 있는, 즉 표면 상에 측면으로부터 비켜진 서셉터의 측면 상에 제공된다. 본 명세서에서 표면에 평행한 리세스의 폭은 바람직하게 8mm 이상 15mm 이하이고, 더 바람직하게 11mm이다.
In general, the thinner thickness of the central zone can be realized by any means known in the art, for example long holes, slits and / or drilling. However, according to a particularly preferred embodiment of the invention, the susceptor comprises at least one recess in a rectangular cross section to realize a thinner thickness of the central zone. Preferably, the susceptor comprises two rectangular recesses arranged behind each other from the inner zone towards the outer zone and preferably subdivided again by the sub-walls. More preferably, the recess is provided on the side of the susceptor on which the substrate can be placed, ie deviated from the side on the surface. In the present specification, the width of the recess parallel to the surface is preferably 8 mm or more and 15 mm or less, more preferably 11 mm.
다른 실시예에서, 표면은 내부 구역과 동일한 두께를 갖는 중간 구역을 포함하고, 중간 구역은 중간 구역에 영향을 미치는 복수의 중간 가열 요소를 포함하며, 내부 구역은 복수의 내부 가열 요소를 포함하며, 중앙 구역은 중간 구역을 완전히 둘러싸고, 중간 구역은 내부 구역을 완전히 둘러싸며, 내부 가열 요소 및 중간 가열 요소는 가열 와이어로서 제공되고, 내부 가열 와이어는 중간 와이어보다 더 큰 직경과 서로에 대한 더 큰 간격을 갖는다. 각 실시예는 중앙 구역에 인접하여 위치되는 중간 구역으로 내부 구역의 추가적인 분리에 의해 기판 온도의 더 세부적인 제어를 가능하게 한다. 또한, 이는 다른 구역 사이의 온도의 추가적인 균일을 가능하게 하고 개선된 코팅 품질을 가능하게 한다.
In another embodiment, the surface comprises an intermediate zone having the same thickness as the internal zone, the intermediate zone comprising a plurality of intermediate heating elements affecting the intermediate zone, the internal zone comprising a plurality of internal heating elements, The central zone completely surrounds the intermediate zone, the intermediate zone completely surrounds the inner zone, the inner heating element and the intermediate heating element serve as heating wires, the inner heating wire having a larger diameter than the intermediate wire and a larger distance from each other. Has Each embodiment enables more granular control of substrate temperature by further separation of the inner zone into an intermediate zone located adjacent to the central zone. In addition, this allows for further uniformity of temperature between different zones and for improved coating quality.
바람직하게, 모든 가열 요소는 서셉터 내에서 제공되는 본 발명의 특히 바람직한 실시예에서 가열 와이어로 제공된다. 추가적인 실시예에서, 가열 요소는 다른 구역의 완전한 둘레 주변에 확대되고 그리고/또는 각 구역을 완전히 덮는다.
Preferably all heating elements are provided with heating wires in a particularly preferred embodiment of the invention provided in the susceptor. In a further embodiment, the heating element extends around the complete perimeter of the other zone and / or completely covers each zone.
다른 실시예에서 중앙 구역의 두께는 1mm 이상 4mm 이하이고, 바람직하게는 2mm이며, 그리고/또는 내부 구역의 두께는 10mm 이상 20mm 이하이고, 바람직하게는 14mm이다. 이러한 두께를 갖는 서셉터의 제공은 서셉터의 표면에 걸쳐 최적화된 온도 분배로 나타나고, 가열된 기판 상으로 층의 부착을 위한 최적화된 온도로 나타난다.
In another embodiment the thickness of the central zone is at least 1 mm and no more than 4 mm, preferably 2 mm, and / or the thickness of the inner zone is at least 10 mm and 20 mm or less, preferably 14 mm. The provision of susceptors with this thickness results in an optimized temperature distribution across the surface of the susceptor, and in an optimized temperature for attachment of the layer onto the heated substrate.
특히 바람직한 실시예에서, 서셉터는 포켓 사이의 포켓 및 바로 제공되는 리세스를 갖는 중앙 구역의 더 얇은 두께를 실현하기 위해 벌집형 구조를 포함한다. 바람직하게, 표면에 평행한 포켓의 폭은 8mm 이상 15mm 이하, 바람직하게 11mm이다. 서셉터의 중앙 구역을 실현하기 위한 이러한 벌집형 구조의 제공은 상승된 온도에서 기판의 신뢰성있는 유지를 제공한다. 바는 강도를 증가시키고 바람직하게 기준 서셉터 두께로 도입된다. 다시 말해서, 이러한 벌집형 구조의 제공은 외부 구역 및 내부 구역 사이에서 덜 확연한 온도 증감률을 가능하게 한다. 추가적인 실시예에서, 외부 구역, 중앙 구역 및/또는 내부 구역은 각각 직사각형 기판이 표면 상에 위치가능하여, 이에 의해 기판의 경계 및/또는 엣지는 바람직하게 외부 구역 상에 배열되도록 직사각형 표면 형상을 포함한다.
In a particularly preferred embodiment, the susceptor comprises a honeycomb structure in order to realize a thinner thickness of the central region with pockets between the pockets and recesses provided directly therethrough. Preferably, the width of the pocket parallel to the surface is 8 mm or more and 15 mm or less, preferably 11 mm. The provision of this honeycomb structure to realize the central zone of the susceptor provides a reliable maintenance of the substrate at elevated temperatures. The bars increase strength and are preferably introduced at the reference susceptor thickness. In other words, the provision of such a honeycomb structure allows for a less pronounced rate of temperature increase and decrease between the outer and inner zones. In a further embodiment, the outer zone, central zone and / or inner zone each comprise a rectangular surface shape such that a rectangular substrate is located on the surface, whereby the boundary and / or edge of the substrate is preferably arranged on the outer zone. do.
본 발명의 목적은 전술된 서셉터 및 기판을 포함하는 서셉터 배열에 의해 추가로 달성될 수 있고, 이로 인해 표면의 크기는 기판의 크기보다 크거나 동일해진다.
The object of the present invention can be further achieved by a susceptor arrangement comprising the susceptor and the substrate described above, whereby the size of the surface is greater than or equal to the size of the substrate.
또한, 본 발명의 목적은 전술된 서셉터의 제조 방법에 의해 처리될 수 있고, 이에 따라 중앙 구역의 더 얇은 두께는 긴 홀, 슬릿 및/또는 기판이 배치될 수 있는 측면으로부터 비켜진 서셉터의 측면에 대한 구멍의 첨부에 의해 실현될 수 있다. 추가적인 실시예 및 이러한 방법의 이점은 본 발명에 따라 전술된 서셉터로부터 당업자에게 도출될 수 있다.
It is also an object of the present invention to be processed by the method of manufacturing the susceptor described above, whereby the thinner thickness of the central zone is dependent on the susceptor deviated from the side from which the long holes, slits and / or substrates can be placed. It can be realized by the attachment of holes to the sides. Further embodiments and the advantages of this method can be derived to those skilled in the art from the susceptors described above in accordance with the present invention.
본 발명의 목적은 기판 상에 필름을 부착하는 방법에 의해 달성될 수 있고, 상기 방법은 공정 챔버 내에서 전술된 서셉터를 제공하는 단계; 서셉터의 표면 상에 기판을 지지하는 단계; 기판을 가열하기 위해 내부 가열 요소 및 외부 가열 요소로 에너지를 공급하는 단계; 및 기판 상에 필름을 부착하도록 공정 챔버 내로 전구체 물질을 공급하는 단계를 포함한다.
The object of the present invention can be achieved by a method of attaching a film on a substrate, the method comprising the steps of providing the susceptor described above in a process chamber; Supporting the substrate on the surface of the susceptor; Supplying energy to the internal heating element and the external heating element to heat the substrate; And supplying a precursor material into the process chamber to attach the film on the substrate.
본 발명의 이들 측면 및 다른 측면은 하기에 기술되는 실시예로부터 명백해질 것이고 이를 참조하여 설명될 것이다.
도 1은 종래 기술에 따른 서셉터의 상면도를 나타낸다.
도 2는 종래 기술에 따른 서셉터의 측면도를 나타낸다.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 서셉터의 측면도를 나타낸다.
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 서셉터 부분의 측면도를 나타낸다.
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 서섭터로 처리되는 기판의 온도 프로파일을 나타낸다.These and other aspects of the invention will be apparent from and elucidated with reference to the examples described below.
1 shows a top view of a susceptor according to the prior art.
2 shows a side view of a susceptor according to the prior art.
3 shows a side view of a susceptor according to a preferred embodiment of the present invention.
4 shows a side view of a susceptor portion according to a preferred embodiment of the present invention.
5 shows a temperature profile of a substrate treated with a susceptor in accordance with a preferred embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 기판(9)을 지지하고 열적으로 제어하는 열판 또는 서셉터(1)의 측면도를 나타낸다. 서셉터(1)는 열 전도 접촉하여 기판(9)을 상부에 배치하기 위한, 실질적으로 평평한 평면 표면(11)을 갖고, 기판(11)에 대해 수직으로 측정되는 소정의 가변 두께(12)를 갖는다.
3 shows a side view of a hot plate or
표면(11)은 서로의 주위에 동심으로 배열되는 적어도 3개의 영역 또는 구역(5, 6, 7)을 나타낸다. 내부 구역(5)은 내부 구역(5)에 영향을 미치는 적어도 하나의 내부 가열 요소(13)를 나타내는 가장 안쪽 또는 중앙 구역이다. 외부 또는 테두리 구역(7)은 내부 구역(5)을 완전히 둘러싸고 열판(1)이 작동하는 동안 기판(9)의 엣지 및 코너(14)가 배치될 영역을 포함한다.
중앙 구역(6)은 내부 구역(5) 및 외부 구역(7) 사이에서 배열되고, 외부 구역(7)에 의해 완전히 둘러싸이고, 내부 구역(5)을 완전히 둘러싼다. 본 발명에 따르면, 중앙 구역(6)은 중앙 구역(6)과 열 전도 접촉하여 배열되는 기판(9)에 활발히 영향을 미치는 어떠한 가열 장치를 나타내지 않는다. 또한, 중앙 구역(6)에서 열판(1)의 두께(15)는 중앙 구역(6)의 적어도 두드러진 부분에서 감소되고 외부 구역(7)의 두께(16) 및 내부 구역(5)의 두께(12)만큼 낮아진다.
The
열판(1)은 바람직하게 내부 구역(5), 중앙 구역(6) 및 외부 구역(7)의 적어도 실질적인 부분, 바람직하게는 외부 구역(7)의 전체를 덮는 하나의 피스로 만들어질 수 있다. 중앙 구역(6)의 두께(15) 감소는 긴 홀 또는 리세스(23)를 형성하는 기판(9)으로부터 비켜진 측 상의 판(1)에서 배열되는 슬릿 또는 구멍에 의해 실현될 수 있다. 일 실시예에서, 열판(1)은 유리 시트와 같은 직사각형 기판(9)을 수용하기 위해 실질적으로 직사각형 형상일 수 있다.
The
열판(1)의 전체 온도 패턴에 영향을 미치지 않고 기판(9)을 국부적으로 가열하기 위해서, 박형 서셉터(1)의 국부적인 영역(6)이 도입된다. 내부 구역(5) 가열 와이어(13)는 다른 와이어 직경, 예를 들어 4mm을 갖고, 중간 구역(18)의 가열 구역 와이어(17)으로서, 예를 들어 3mm로 이격된다. 외부 가열 요소(19)는 기판(9) 지지 표면(11)으로부터 비켜진 서셉터(1)의 낮은 측면 상에 배열되고 서셉터(1) 자체에 의해 유지된다.
In order to locally heat the
도 2에 나타난 바와 같이 종래 기술에서 서셉터(1)와 도 3에 나타난 바와 같이 본 발명에 따른 본 해결책의 중요한 차이는 내부 구역(5) 및 외부 구역(7) 사이의 서셉터(1) 물질을 박형으로 하는 것이다. 열 전달 구역, 즉, 중앙 구역(6) 내에서, 내부 구역(5)의 14mm 두께(12)에 비해, 서셉터(1) 표면(11)에 대해 직각으로 고려되는 1 내지 4mm 서셉터(1) 물질 두께(15) 만이 남아있다. 본 실시예에서, 서셉터(1)의 상부 및 하부 표면(11) 사이의 거리(15)는 단지 약 2mm 두께이다. 실시예에서, 알루미늄(Al)이 약 200℃에서 동작하는 서셉터(1) 물질로 사용된다. 이러한 온도에서 동작을 위해, 도 4에 나타난 바와 같이, 벌집형 구조체(20)가 중앙 구역(6)에 사용된다.
A significant difference between the
대부분의 벌집형 구조체(20)는 11mm 폭의 포켓(21)으로 제공되는 리세스(23)로 이루어진다. 강도를 증가시키기 위해, 바(22)가 기준 서셉터(1) 두께로 도입된다. 더 원만한 온도에서의 전이가 서셉터(1)의 내부 구역(5) 및 외부 구역(7) 사이에서 필요한 경우, 포켓(21)의 깊이 또는 폭은 벌집 구조체(20)에서 다를 수 있다. 본 실시예에서, 외부 포켓(21)은 내부 포켓(21), 4mm 두께보다 더 깊은, 2mm 서셉터(1) 두께이다. 이는 외부 구역(7) 및 내부 구역(5) 사이에서 덜 확연한 온도 경사를 가능하게 한다.
이러한 디자인은 하기의 다음 표에서 알 수 있는 바와 같이, 가열 구역(5, 7)의 분리를 가능하게 한다. 가열 구역(5, 7)의 실제 온도는 열판(1)에 대한 오퍼레이터 설정값과 동일하다. 이 예에서 구역 온도는 전술된 종래 기술 예에서와 같이 또한 각각 제어된다.
This design enables the separation of the
제안된 디자인을 적용함으로서, 매우 균일한 기판(9) 온도 분배의 달성이 가능해진다. 예를 들어, 도 5는 본 발명에 따른 서셉터(1) 판 상의 3mm 유리 기판(9)의 온도 프로파일을 나타낸다. 벌집 구조체(20)에서 서셉터(1)의 상면(11) 및 하면의 거리(15)는 최소값이 2mm이다. 온도 스캔에 따르면 3K의 델타 온도가 달성가능하다. 구역(5, 6, 7)의 온도 설정은 하기에서 나타난다.
By applying the proposed design, it is possible to achieve a very
열판(1) 디자인은 기판(9)의 우수한 온도 균일성을 달성하기 위해 사용되는 임의의 열판(1)에 폭넓게 적용될 수 있다. 특히 박막 태양전지 제조와 같은 대면적 코팅 애플리케이션에 사용가능하다.
The
본 발명이 도면 및 전술한 설명으로 자세하게 도시되고 기술되었으나, 이러한 도면 및 설명은 설명적이고 예시적인 것으로 고려되고, 제한적인 것으로 고려되지는 않는다; 본 발명은 기술된 실시예에 한정되지는 않는다. 공개될 실시예의 다른 가변은 당업자에 의해 도면의 연구, 명세서 및 첨부된 청구항으로부터 청구된 발명을 실시함에 있어서 이해되고 영향받을 수 있다. 청구항에서, "포함한다"라는 용어는 다른 요소 또는 단계를 배재하는 것은 아니고, "단수로 기재된"이라는 용어가 복수를 배재하는 것은 아니다. 단지 소정의 방법이 서로 다른 종속항에서 인용될 수 있다는 사실이 이러한 방법의 조합이 유용하게 사용될 수 없음을 나타내는 것은 아니다. 청구항에서 모든 도면부호는 한정하는 범위로 고려되어서는 안 된다.
While the invention has been shown and described in detail in the drawings and foregoing description, these drawings and description are to be considered illustrative and exemplary and not restrictive; The invention is not limited to the described embodiments. Other variations of the embodiments to be disclosed can be understood and influenced by those skilled in the art in practicing the claimed invention from the study of the drawings, the specification and the appended claims. In the claims, the term comprising does not exclude other elements or steps, and the term "described in singular" does not exclude a plurality. Only the fact that certain methods may be cited in different dependent claims does not indicate that a combination of these methods may not be usefully used. All reference signs in the claims should not be considered as limiting.
1 서셉터
2 가열 와이어
3 가열 와이어
4 가열 와이어
5 제1 구역, 내부 구역
6 제2 구역, 중앙 구역
7 제3 구역
8 테두리 구역, 외부 구역
9 기판
10 엣지 바
11 표면
12 내부 구역의 두께
13 내부 가열 요소
14 엣지 및 코너
15 중앙 구역의 두께
16 외부 구역의 두께
17 중간 가열 요소
18 중간 구역
19 외부 가열 요소
20 벌집형 구조
21 포켓
22 바
23 리세스1 susceptor
2 heating wire
3 heating wire
4 heating wire
5
6
7
8 border section, exterior section
9 substrate
10 edge bars
11 surfaces
12 thickness of the inner zone
13 internal heating elements
14 edges and corners
15 thickness of the central section
16 thickness of outer zone
17 medium heating element
18 middle section
19 external heating elements
20 honeycomb structure
21 pockets
22 bar
23 recess
Claims (13)
상기 서셉터(1)는 적어도 3개의 인접한 구역(5, 6, 8)인 외부 구역(8), 중앙 구역(6) 및 내부 구역(7)을 포함하고, 상기 구역(5, 6, 8)은 서로의 주변에 동심으로 배열되고 상기 표면(11)을 따라 연장되며,
상기 외부 구역(8)은 상기 중앙 구역(6)을 완전히 둘러싸고, 상기 중앙 구역(6)은 상기 내부 구역(5)을 완전히 둘러싸며,
상기 내부 구역(5)은 상기 내부 구역(5)에 영향을 미치는 적어도 하나의 내부 가열 요소(13)를 포함하고,
상기 외부 구역(8)은 상기 외부 구역(8)에 영향을 미치는 적어도 하나의 외부 가열 요소(19)를 포함하며,
상기 중앙 구역(6)은 상기 내부 구역(5)의 최소 두께(12)보다 얇고, 상기 외부 구역(8)의 최소 두께보다 얇은 최대 두께(15)를 갖고, 각 두께(12, 15, 16)는 상기 표면(11)에 대해 수직으로 연장되는,
서셉터(1).
Susceptor for supporting the substrate 9 in a vacuum process chamber, comprising a flat surface 11 for placing the substrate 9 thereon such that the substrate 9 is in thermally conductive contact with the surface 11. To
The susceptor 1 comprises at least three adjacent zones 5, 6, 8, an outer zone 8, a central zone 6 and an inner zone 7, said zones 5, 6, 8 Are arranged concentrically around each other and extend along the surface 11,
The outer zone 8 completely surrounds the central zone 6, the central zone 6 completely surrounds the inner zone 5,
The inner zone 5 comprises at least one internal heating element 13 which affects the inner zone 5,
The outer zone 8 comprises at least one external heating element 19 that affects the outer zone 8,
The central zone 6 has a maximum thickness 15 thinner than the minimum thickness 12 of the inner zone 5 and thinner than the minimum thickness of the outer zone 8, each thickness 12, 15, 16. Extends perpendicular to the surface 11,
Susceptor (1).
상기 내부 구역(5)의 최소 두께(12)는 상기 외부 구역(8)의 최대 두께(16)보다 두꺼운,
서셉터(1).
The method of claim 1,
The minimum thickness 12 of the inner zone 5 is thicker than the maximum thickness 16 of the outer zone 8,
Susceptor (1).
상기 서셉터(1)는 상기 중앙 구역(6)의 더 얇은 두께(15)를 실현하기 위한 직사각형 단면을 갖는 적어도 하나의 리세스(23)를 포함하는,
서셉터(1).
3. The method according to claim 1 or 2,
The susceptor 1 comprises at least one recess 23 having a rectangular cross section for realizing a thinner thickness 15 of the central zone 6,
Susceptor (1).
상기 표면(11)에 평행한 상기 리세스(23)의 폭은 8mm 이상 15mm 이하이고, 바람직하게 11mm인,
서셉터(1).
The method of claim 3,
The width of the recess 23 parallel to the surface 11 is 8 mm or more and 15 mm or less, preferably 11 mm,
Susceptor (1).
상기 서셉터(1)는 상기 내부 구역(5)과 동일한 두께(12)를 갖는 중간 구역(18)을 포함하고,
상기 중간 구역(18)은 상기 중간 구역(18)에 영향을 미치는 복수의 중간 가열 요소(17)를 포함하며,
상기 내부 구역(5)은 복수의 내부 가열 요소(13)를 포함하며, 상기 중앙 구역(6)은 상기 중간 구역(18)을 완전히 둘러싸고, 상기 중간 구역(18)은 상기 내부 구역(5)을 완전히 둘러싸고 상기 내부 가열 요소(13) 및 상기 중간 가열 요소(17)는 가열 와이어로서 제공되고, 상기 내부 가열 와이어는 상기 중간 와이어보다 더 큰 직경과 서로에 대한 더 큰 간격을 갖는,
서셉터(1).
5. The method according to any one of claims 1 to 4,
The susceptor 1 comprises an intermediate zone 18 having the same thickness 12 as the inner zone 5,
The intermediate zone 18 comprises a plurality of intermediate heating elements 17 which affect the intermediate zone 18,
The inner zone 5 comprises a plurality of internal heating elements 13, the central zone 6 completely surrounding the intermediate zone 18, the intermediate zone 18 defining the inner zone 5. Fully enclosed and the inner heating element 13 and the intermediate heating element 17 are provided as heating wires, the inner heating wires having a larger diameter and larger spacing relative to each other than the intermediate wires,
Susceptor (1).
상기 가열 요소(13, 17, 19)는 상기 서셉터(1) 내에 제공되는,
서셉터(1).
The method according to any one of claims 1 to 5,
The heating elements 13, 17, 19 are provided in the susceptor 1,
Susceptor (1).
상기 중앙 구역(6)의 두께(6)는 1mm 이상 4mm 이하이고, 바람직하게는 2mm이며, 그리고/또는 상기 내부 구역(5)의 두께(12)는 10mm 이상 20mm 이하이고, 바람직하게는 14mm인,
서셉터(1).
7. The method according to any one of claims 1 to 6,
The thickness 6 of the central zone 6 is 1 mm or more and 4 mm or less, preferably 2 mm, and / or the thickness 12 of the inner zone 5 is 10 mm or more and 20 mm or less, preferably 14 mm. ,
Susceptor (1).
상기 서셉터(1)는 포켓(21) 및 상기 포켄(21) 사이의 바(22)로서 제공되는 리세스(23)를 갖는 중앙 구역(6)의 더 얇은 두께(15)를 실현하기 위한 벌집형 구조체(20)를 포함하는,
서셉터(1).
8. The method according to any one of claims 1 to 7,
The susceptor 1 is a honeycomb for realizing a thinner thickness 15 of the central zone 6 with a recess 23 provided as a bar 22 between the pocket 21 and the foken 21. Comprising a type structure 20,
Susceptor (1).
상기 표면(11)에 평행한 포켓(21)의 폭은 8mm 이상 15mm 이하, 바람직하게 11mm인,
서셉터(1).
9. The method of claim 8,
The width of the pocket 21 parallel to the surface 11 is 8 mm or more and 15 mm or less, preferably 11 mm,
Susceptor (1).
서셉터(1).
The outer zone 8, the central zone 6 and / or the inner zone 5 comprise a rectangular surface 11 shape such that the rectangular substrate 9 can be placed on the surface 11.
Susceptor (1).
상기 표면(11)의 크기는 상기 기판(9)의 크기보다 크거나 동일한,
서셉터(1) 배열.
In an array of susceptors 1 comprising a susceptor 1 and a substrate 9 according to claim 1.
The size of the surface 11 is greater than or equal to the size of the substrate 9,
Susceptor (1) array.
상기 중앙 구역(6)의 더 얇은 두께(15)는 긴 홀, 슬릿 및/또는 구멍을 상기 기판(9)이 배치될 수 있는 측으로부터 비켜진 상기 서셉터(1)의 측에 첨부함으로써 실현되는,
서셉터(1).
In the manufacturing method of the susceptor 1 according to any one of claims 1 to 10,
The thinner thickness 15 of the central zone 6 is realized by attaching long holes, slits and / or holes to the side of the susceptor 1 deviated from the side from which the substrate 9 can be placed. ,
Susceptor (1).
공정 챔버 내에서 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 서셉터(1)를 제공하는 단계;
상기 서셉터(1)의 표면(11) 상에 상기 기판(9)을 지지하는 단계;
상기 기판(9)을 가열하기 위해 내부 가열 요소(13) 및 외부 가열 요소(19)로 에너지를 공급하는 단계; 및
상기 기판(9) 상에 필름을 부착하도록 상기 공정 챔버 내로 전구체 물질을 공급하는 단계
를 포함하는,
필름 부착 방법.
In the method of attaching a film on the substrate 9,
Providing a susceptor (1) according to any of the preceding claims in a process chamber;
Supporting the substrate (9) on the surface (11) of the susceptor (1);
Supplying energy to an internal heating element (13) and an external heating element (19) to heat the substrate (9); And
Supplying a precursor material into the process chamber to attach a film on the substrate 9
/ RTI >
Film attachment method.
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