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KR20130057366A - Sputtering apparatus - Google Patents

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Publication number
KR20130057366A
KR20130057366A KR1020110123227A KR20110123227A KR20130057366A KR 20130057366 A KR20130057366 A KR 20130057366A KR 1020110123227 A KR1020110123227 A KR 1020110123227A KR 20110123227 A KR20110123227 A KR 20110123227A KR 20130057366 A KR20130057366 A KR 20130057366A
Authority
KR
South Korea
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ion source
ion
target
housing
process chamber
Prior art date
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Ceased
Application number
KR1020110123227A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
윤종원
Original Assignee
엘아이지에이디피 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘아이지에이디피 주식회사 filed Critical 엘아이지에이디피 주식회사
Priority to KR1020110123227A priority Critical patent/KR20130057366A/en
Publication of KR20130057366A publication Critical patent/KR20130057366A/en
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/46—Sputtering by ion beam produced by an external ion source
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    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
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    • H01J37/345—Magnet arrangements in particular for cathodic sputtering apparatus

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Abstract

챔버 내부에 플라즈마를 형성하는 종래의 스퍼터링 방식에 의하여 증착된 박막보다 균질한 박막을 확보할 수 있는 스퍼터링 장치가 필요하다. 이러한 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 스퍼터링 장치는, 공정챔버와, 공정챔버의 내부에 설치되는 타겟과, 타겟을 향하여 이온빔을 조사하는 이온소스와, 이온소스에 의한 이온빔이 타겟에 충돌하여 발생되는 입자가 증착되도록 기판이 적재되는 기판 스테이지를 포함한다. There is a need for a sputtering apparatus capable of securing a homogeneous thin film than a thin film deposited by a conventional sputtering method of forming a plasma inside a chamber. The sputtering apparatus according to the present invention for solving this problem is generated by a process chamber, a target installed inside the process chamber, an ion source for irradiating an ion beam toward the target, and an ion beam by the ion source collides with the target. And a substrate stage on which the substrate is loaded such that particles to be deposited are deposited.

Description

스퍼터링 장치 {SPUTTERING APPARATUS}[0001] SPUTTERING APPARATUS [0002]

본 발명은 박막증착장치에 관한 것으로서, 보다 자세하게는 스퍼터링 방식에 의한 박막증착장치에 관한 것이다.The present invention relates to a thin film deposition apparatus, and more particularly, to a thin film deposition apparatus by a sputtering method.

한국특허공개번호 10-2007-0074020와 같은 종래의 스퍼터링 방식에 의하여 박막 증착을 수행하는 경우, 챔버 내부에 일반적으로 플라즈마를 형성한다. 이때, 증착물질인 타겟으로부터 떨어져 나온 입자는 기판에 도달하는 과정에서 플라즈마 입자와 충돌할 가능성이 있다. 그런데, 플라즈마의 압력(농도)이 높을수록 입자간의 충돌 가능성이 높아진다. 타겟으로부터 떨어져 나온 입자가 플라즈마 입자와 충돌하게 되면 입자의 운동에너지가 감소하게 된다. 그리고, 입자의 운동에너지가 감소할수록 고순도의 박막을 확보하기가 어렵다는 문제가 있다. 즉, 일반적으로 챔버 내부의 공정 압력이 낮을수록 고품질 박막을 증착할 수 있게 된다. 그러나, 입자의 운동에너지를 증가시키기 위하여 챔버 내부의 공정 압력을 지나치게 낮추는 경우에는 플라즈마 형성이 어렵거나 스퍼터링 효율이 낮아진다는 문제가 있다. When thin film deposition is performed by a conventional sputtering method such as Korean Patent Publication No. 10-2007-0074020, plasma is generally formed in a chamber. In this case, particles that are separated from the target, which is a deposition material, may collide with the plasma particles in the process of reaching the substrate. However, the higher the pressure (concentration) of the plasma, the higher the possibility of collision between particles. When particles falling off the target collide with the plasma particles, the kinetic energy of the particles decreases. In addition, as the kinetic energy of the particles decreases, it is difficult to secure a thin film of high purity. That is, generally, the lower the process pressure inside the chamber, the higher quality thin film can be deposited. However, when the process pressure inside the chamber is excessively lowered to increase the kinetic energy of the particles, plasma formation is difficult or the sputtering efficiency is low.

한국특허공개번호 10-2007-0074020Korean Patent Publication No. 10-2007-0074020

챔버 내부에 플라즈마를 형성하는 종래의 스퍼터링 방식에 의하여 증착된 박막보다 균질한 고순도의 박막을 확보할 수 있는 장치가 필요하다. There is a need for an apparatus capable of securing a thin film of high purity homogeneous to a thin film deposited by a conventional sputtering method of forming a plasma inside a chamber.

본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자가 명확하게 이해할 수 있을 것이다.Technical problems of the present invention are not limited to the above-mentioned technical problems, and other technical problems that are not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 스퍼터링 장치는, 공정챔버; 상기 공정챔버의 내부에 설치되는 타겟; 상기 타겟을 향하여 이온빔을 조사하는 이온소스; 및 상기 이온소스에 의한 이온빔이 상기 타겟에 충돌하여 발생되는 입자가 증착되도록 기판이 적재되는 기판 스테이지;를 포함한다. Sputtering apparatus according to the present invention for solving the above problems, the process chamber; A target installed inside the process chamber; An ion source for irradiating an ion beam toward the target; And a substrate stage on which a substrate is loaded such that particles generated by an ion beam by the ion source collide with the target are deposited.

또한, 상기 타겟으로부터 발생된 입자가 상기 기판으로 이동하는 경로에는 플라즈마가 존재하지 않도록 플라즈마 생성부를 포함하지 않을 수 있다. In addition, the plasma generating unit may not include the plasma so that the plasma does not exist in the path in which the particles generated from the target move to the substrate.

또한, 상기 이온소스에서 조사되는 이온빔은 상기 타겟에 대하여 경사지게 조사되도록 상기 이온소스가 상기 공정챔버 내부에 설치될 수 있다.In addition, the ion source may be installed in the process chamber so that the ion beam irradiated from the ion source is inclined with respect to the target.

또한, 상기 이온소스는 외관을 형성하고 일측에 이온배출구가 형성된 하우징; 하우징 내부에 설치되며 열전자를 방출하는 캐소드; 상기 캐소드에서 방출되는 열전자를 끌어 당기는 애노드; 및 상기 하우징 내부에 자기장을 형성하도록 상기 애노드를 둘러싸도록 설치되는 자석;을 포함할 수 있다. In addition, the ion source is a housing forming an appearance and the ion outlet is formed on one side; A cathode installed inside the housing and emitting hot electrons; An anode attracting hot electrons emitted from the cathode; And a magnet installed to surround the anode to form a magnetic field inside the housing.

또한, 상기 이온소스는 상기 하우징의 상기 이온배출구 외부에 설치되어 이온을 가속시키도록 음전압이 인가되는 가속 그리드를 더 포함할 수 있다.The ion source may further include an acceleration grid installed outside the ion outlet of the housing and to which a negative voltage is applied to accelerate the ions.

또한, 상기 이온소스는 상기 하우징의 상기 이온배출구에 설치되어 이온이 통과하여 상기 하우징 외부로 배출되며, 상기 이온배출구 쪽으로 이온을 유도하도록 음전압이 인가되는 스크린 그리드를 더 포함할 수 있다.The ion source may further include a screen grid installed at the ion discharge port of the housing and discharged to the outside of the housing through passage of ions, and to which a negative voltage is applied to induce ions toward the ion discharge port.

본 발명은 반응챔버 내부에서 플라즈마를 형성하지 않고, 이온 빔 소스를 이용하여 스퍼터링을 진행하므로 타겟에서 떨어져 나온 입자의 운동에너지가 상당 부분 유지된 상태에서 증착이 이루어진다. 이에 따라 고순도의 박막을 확보할 수 있는 효과가 있다. The present invention does not form a plasma inside the reaction chamber, and sputtering is performed using an ion beam source, so that deposition is performed while the kinetic energy of particles separated from the target is substantially maintained. Accordingly, there is an effect that can secure a high purity thin film.

본 발명의 기술적 효과는 이상에서 언급한 효과로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The technical effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and other technical effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 스퍼터링 장치의 개략적인 구성도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 스퍼터링 장치의 개략적인 구성도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 스퍼터링 장치의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 4(a)는 본 발명에 따른 스퍼터 장치에 의한 증착물의 표면조도(Roughness)를 나타내는 그림이며, 도 4(b)는 종래 스퍼터 장치에 의한 증착물의 표면조도를 나타내는 그림이다. 도 4(c)는 표면조도 분석 데이터로서 왼쪽의 표가 본 발명에 따른 스퍼터 장치에 의한 데이터이며, 오른쪽의 표가 종래 스퍼터 장치에 의한 데이터이다.1 is a schematic configuration diagram of a sputtering apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a schematic structural diagram of a sputtering apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a view for explaining the operation of the sputtering apparatus according to an embodiment of the present invention.
Figure 4 (a) is a figure showing the surface roughness (Roughness) of the deposit by the sputtering apparatus according to the present invention, Figure 4 (b) is a figure showing the surface roughness of the deposit by the conventional sputtering apparatus. 4 (c) shows surface roughness analysis data, the table on the left of which is data by a sputtering apparatus according to the present invention, and the table on the right of which is data of a conventional sputtering apparatus.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본 실시예는 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 위하여 과장되게 표현된 부분이 있을 수 있으며, 도면상에서 동일 부호로 표시된 요소는 동일 요소를 의미한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present embodiment is not limited to the embodiments disclosed below, but can be implemented in various forms, and only this embodiment makes the disclosure of the present invention complete, and the scope of the invention to those skilled in the art. It is provided for complete information. Shapes of the elements in the drawings may be exaggerated parts for a more clear description, elements denoted by the same reference numerals in the drawings means the same element.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 스퍼터링 장치의 개략적인 구성도이다. 1 is a schematic configuration diagram of a sputtering apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 스퍼터링 장치는 이온소스(10), 공정챔버(21), 진공배기구(22), 타겟(23), 스퍼터링 전극(24), 기판스테이지(25)를 포함한다. As shown in FIG. 1, the sputtering apparatus according to the present embodiment includes an ion source 10, a process chamber 21, a vacuum exhaust port 22, a target 23, a sputtering electrode 24, and a substrate stage 25. It includes.

이온소스(10)는 공정챔버(21)에 위치한 타겟(23)을 향하여 이온빔을 조사하는 장치이다. 스퍼터링되는 입자가 기판쪽으로 이동하는 것을 방해하지 않도록 이온소스(10)에서 조사되는 이온빔이 경사지게 타겟(23)에 조사되도록 이온소스(10)는 경사지게 설치된다. 이온소스(10)의 구체적인 구성은 아래에서 상세히 설명한다.The ion source 10 is a device for irradiating an ion beam toward a target 23 located in the process chamber 21. The ion source 10 is inclined so that the ion beam irradiated from the ion source 10 is inclinedly irradiated onto the target 23 so as not to prevent the sputtered particles from moving toward the substrate. Specific configuration of the ion source 10 will be described in detail below.

공정챔버(21)는 내부에서 스퍼터링에 의한 증착이 이루어지는 구성요소이다. 공정챔버(21) 내부에는 타겟(23)이 위치하며, 타겟(23)과 마주보는 위치에 증착대상인 기판(S)이 설치된다. 이온소스(10)의 내부를 제외하고 공정챔버(21) 내부에는 타겟(23)으로부터 발생된 입자가 기판(S)으로 이동하는 경로에 플라즈마가 존재하지 않도록 플라즈마를 생성하는 구성요소가 설치되지 않는다. The process chamber 21 is a component in which deposition by sputtering is performed inside. The target 23 is positioned inside the process chamber 21, and the substrate S, which is a deposition target, is disposed at a position facing the target 23. Except for the inside of the ion source 10, inside the process chamber 21, a component for generating plasma is not installed in the process chamber 21 so that the plasma does not exist in a path through which the particles generated from the target 23 move to the substrate S. .

진공배기구(22)는 진공펌프(미도시)와 연결되어 공정챔버(21) 내부의 공기 또는 기타 가스가 배기된다. 본 실시예는 타겟(23)과 기판(S) 사이의 공간에서 플라즈마를 생성할 필요가 없으므로 공정챔버(21) 내부를 상대적으로 저압상태(예를 들어, 10-6~10-5 Torr)로 유지할 수 있다. The vacuum exhaust port 22 is connected to a vacuum pump (not shown) to exhaust air or other gas inside the process chamber 21. Since the present embodiment does not need to generate a plasma in the space between the target 23 and the substrate S, the process chamber 21 is kept at a relatively low pressure state (for example, 10 −6 to 10 −5 Torr). I can keep it.

타겟(23)은 기판(S)에 증막을 하고자 하는 물질로 이루어진 구성요소이다. The target 23 is a component made of a material to be deposited on the substrate S.

스퍼터링 전극(24)은 표면에 (-)극성이 형성되도록 전원(미도시)과 연결된다. 이에 따라 이온소스(10)로부터 조사되는 이온에 인력이 작용할 수 있다. The sputtering electrode 24 is connected to a power supply (not shown) so that a negative polarity is formed on the surface. Accordingly, the attraction force may act on the ions irradiated from the ion source 10.

기판 스테이지(25)에는 이온소스(10)에 의한 이온빔이 타겟(23)에 충돌하여 발생되는 입자가 증착되도록 기판(S)이 적재된다. The substrate S 25 is loaded on the substrate stage 25 so that particles generated by the ion beam by the ion source 10 collide with the target 23 are deposited.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 스퍼터링 장치의 개략적인 구성도이다. 2 is a schematic structural diagram of a sputtering apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 스퍼터링 장치의 이온소스(10)는 하우징(11), 필라멘트 캐소드(12), 애노드(13), 자석(14), 가스공급부(15), 스크린 그리드(16) 및 가속 그리드(17)를 포함한다. As shown in FIG. 2, the ion source 10 of the sputtering apparatus according to the present embodiment includes a housing 11, a filament cathode 12, an anode 13, a magnet 14, a gas supply unit 15, and a screen. Grid 16 and acceleration grid 17.

하우징(11)은 이온소스(10)의 외관을 형성하고 일측에 이온배출구가 형성된다. The housing 11 forms an outer appearance of the ion source 10 and an ion outlet is formed at one side.

필라멘트 캐소드(12)에 이온소스 전원(미도시)에 의하여 전류가 공급되면 열전자가 필라멘트 캐소드(12)로부터 하우징(11) 내부로 방사된다.When a current is supplied to the filament cathode 12 by an ion source power source (not shown), hot electrons are radiated from the filament cathode 12 into the housing 11.

애노드(13)는 필라멘트 캐소드(12)로부터 방사된 열전자를 끌어 당기게 된다. 즉, 애노드(13)는 열전자의 흐름을 유도하게 된다. The anode 13 attracts hot electrons radiated from the filament cathode 12. That is, the anode 13 induces the flow of hot electrons.

자석(14)은 애노드(13)의 둘레를 감싸도록 위치하며, 자기장을 형성하여 열전자를 포획하는 동시에 로렌쯔 힘(Lorentz force)에 의하여 회전운동을 야기함에 따라 열전자의 진행경로가 길어지게 된다. 이에 따라 공급되는 가스의 이온화를 향상시킨다. 즉, 필라멘트 캐소드(12)로부터 방사된 열전자가 즉각적으로 애노드(13) 방향으로 가속되는 것을 방지하며, 자기장에 의하여 원운동을 하면서 가스와 충돌하여 이온화시키면서 애노드(13)로 흘러들어가 방전 전류를 형성한다.  The magnet 14 is positioned to surround the anode 13, and forms a magnetic field to capture hot electrons, and at the same time, cause a rotational movement by the Lorentz force, thereby increasing the path of the hot electrons. This improves the ionization of the gas supplied. That is, the hot electrons radiated from the filament cathode 12 are prevented from being accelerated in the direction of the anode 13 immediately, and flow into the anode 13 while colliding with the gas while making circular motions by the magnetic field to form a discharge current. do.

가스공급부(15)는 하우징(11) 내부로 이온화의 대상이 되는 가스를 공급하며, 아르곤(Ar)과 같은 불활성 가스가 사용될 수 있다. 아르곤(Ar)을 사용하는 경우에, 필라멘트 캐소드(12)로부터 방사된 열전자와 아르곤(Ar)가 서로 충돌하여 아르곤(Ar) (양)이온이 형성된다. The gas supply unit 15 supplies a gas to be ionized into the housing 11, and an inert gas such as argon (Ar) may be used. When argon (Ar) is used, hot electrons radiated from the filament cathode 12 and argon (Ar) collide with each other to form argon (ar) ions.

스크린 그리드(16)는 하우징(11)에서 이온배출구 쪽에 설치되며 이온이 스크린 그리드(16)를 통과하여 외부로 조사된다. 스크린 그리드(16)는 상대적으로 낮은 전위(음전압이 인가됨)를 가지기 때문에 이온들이 방향성을 가지고 스크린 그리드(16)쪽으로 모이게 된다.The screen grid 16 is installed on the ion outlet side of the housing 11 and ions are irradiated to the outside through the screen grid 16. Since the screen grid 16 has a relatively low potential (negative voltage is applied), ions are directed toward the screen grid 16 in a directional manner.

가속 그리드(17)는 하우징(11)의 외부에 설치되어 높은 음전압을 이용하여 이온을 가속시키는 구성요소이다. The acceleration grid 17 is a component installed outside the housing 11 to accelerate ions using a high negative voltage.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 스퍼터링 장치의 동작을 설명하기 위한 도면이다. 3 is a view for explaining the operation of the sputtering apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3에 도시된 바와 같이, 이온소스(10)에서 조사된 (양)이온(A)(Ar+)이 타겟(23)을 향하여 가속된다. 가속된 이온(A)은 타겟(23) 표면에 도달하여 타겟 입자(B)를 스퍼터링한다. 스퍼터링된 타겟 입자(B)는 기판(S)으로 떨어져서 증막층(C)을 형성하게 된다. 타겟(23)은 증착을 원하는 물질이 사용될 수 있으며 예를 들어, 산화아연(ZnO), 구리(Cu) 등이 사용될 수 있다. As shown in FIG. 3, (positive) ions A (Ar + ) irradiated from the ion source 10 are accelerated toward the target 23. The accelerated ions A reach the surface of the target 23 and sputter the target particles B. The sputtered target particles B fall into the substrate S to form the deposition layer C. The target 23 may be formed of a material desired to be deposited. For example, zinc oxide (ZnO), copper (Cu), or the like may be used.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 스퍼터링 장치에 의한 증착실험 결과를 설명하기 위한 도면이다. 실험은 20 나노미터 두께의 구리(Cu) 박막을 SiO2 기판에 증착하는 공정(실험실 조건)에 있어서의 표면조도(Roughness) 분석에 대한 것이다. 4 is a view for explaining the deposition test results by the sputtering apparatus according to an embodiment of the present invention. The experiment is about surface roughness analysis in the process of depositing a 20 nanometer-thick copper (Cu) thin film on a SiO2 substrate (laboratory conditions).

도 4(a)는 본 발명에 따른 스퍼터 장치에 의한 증착물의 표면조도(Roughness)를 나타내는 그림이며, 도 4(b)는 종래 스퍼터 장치에 의한 증착물의 표면조도를 나타내는 그림이다. 도 4(c)는 표면조도 분석 데이터로서 왼쪽의 표가 본 발명에 따른 스퍼터 장치에 의한 데이터이며, 오른쪽의 표가 종래 스퍼터 장치에 의한 데이터이다. Figure 4 (a) is a figure showing the surface roughness (Roughness) of the deposit by the sputtering apparatus according to the present invention, Figure 4 (b) is a figure showing the surface roughness of the deposit by the conventional sputtering apparatus. 4 (c) shows surface roughness analysis data, the table on the left of which is data by a sputtering apparatus according to the present invention, and the table on the right of which is data of a conventional sputtering apparatus.

도 4(c)에서 보듯이, 본 발명에 따른 증착물의 Rms 표면조도가 9.21 옴스트롬이고 평균 표면조도는 7.26 옴스트롬인 반면, 종래 스퍼터 장치에 의한 증착물의 Rms 표면조도는 69.2 옴스트롬이고 평균 표면조도는 55.2 옴스트롬으로서 본 발명에 의한 증착물의 표면조도가 훨씬 개선되었다는 것을 알 수 있다.As shown in Fig. 4 (c), the Rms surface roughness of the deposit according to the present invention is 9.21 Ohmstrom and the average surface roughness is 7.26 Ohmstrom, whereas the Rms surface roughness of the deposit by the conventional sputtering device is 69.2 Ohmstrom and the average surface. As the roughness is 55.2 ohms, it can be seen that the surface roughness of the deposit according to the present invention is much improved.

앞에서 설명되고, 도면에 도시된 본 발명의 일 실시예는, 본 발명의 기술적 사상을 한정하는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 발명의 보호범위는 청구범위에 기재된 사항에 의하여만 제한되고, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상을 다양한 형태로 개량 변경하는 것이 가능하다. 따라서 이러한 개량 및 변경은 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것인 한 본 발명의 보호범위에 속하게 될 것이다.
One embodiment of the invention described above and shown in the drawings should not be construed as limiting the technical idea of the present invention. The scope of protection of the present invention is limited only by the matters described in the claims, and those skilled in the art will be able to modify the technical idea of the present invention in various forms. Accordingly, such improvements and modifications will fall within the scope of the present invention as long as they are obvious to those skilled in the art.

Claims (6)

공정챔버;
상기 공정챔버의 내부에 설치되는 타겟;
상기 타겟을 향하여 이온빔을 조사하는 이온소스; 및
상기 이온소스에 의한 이온빔이 상기 타겟에 충돌하여 발생되는 입자가 증착되도록 기판이 적재되는 기판 스테이지;를 포함하는 스퍼터링 장치.
A process chamber;
A target installed inside the process chamber;
An ion source for irradiating an ion beam toward the target; And
And a substrate stage on which a substrate is mounted so that particles generated by the ion beam by the ion source collide with the target are deposited.
제1항에 있어서,
상기 이온소스 내부를 제외하고는 상기 공정챔버 내부에 플라즈마가 형성되지 않도록 상기 공정챔버 내부에 플라즈마를 생성하는 플라즈마 생성부가 마련되지 않는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
The method of claim 1,
A sputtering apparatus, characterized in that a plasma generating unit for generating a plasma is not provided inside the process chamber so that the plasma is not formed inside the process chamber except inside the ion source.
제1항에 있어서,
상기 이온소스에서 조사되는 이온빔은 상기 타겟에 대하여 경사지게 조사되도록 상기 이온소스가 상기 공정챔버 내부에 설치되는 스퍼터링 장치.
The method of claim 1,
And the ion source is installed in the process chamber so that the ion beam irradiated from the ion source is inclined with respect to the target.
제1항에 있어서, 상기 이온소스는
외관을 형성하고 일측에 이온배출구가 형성된 하우징;
하우징 내부에 설치되며 열전자를 방출하는 캐소드;
상기 캐소드에서 방출되는 열전자를 끌어 당기는 애노드; 및
상기 하우징 내부에 자기장을 형성하도록 상기 애노드를 둘러싸도록 설치되는 자석;을 포함하는 스퍼터링 장치.
The method of claim 1, wherein the ion source is
A housing having an appearance and having an ion outlet formed at one side thereof;
A cathode installed inside the housing and emitting hot electrons;
An anode attracting hot electrons emitted from the cathode; And
And a magnet installed to surround the anode to form a magnetic field inside the housing.
제4항에 있어서, 상기 이온소스는
상기 하우징의 상기 이온배출구 외부에 설치되어 이온을 가속시키도록 음전압이 인가되는 가속 그리드를 더 포함하는 스퍼터링 장치.
The method of claim 4, wherein the ion source is
And an acceleration grid installed outside the ion discharge port of the housing and to which a negative voltage is applied to accelerate the ions.
제4항에 있어서, 상기 이온소스는
상기 하우징의 상기 이온배출구에 설치되어 이온이 통과하여 상기 하우징 외부로 배출되며, 상기 이온배출구 쪽으로 이온을 유도하도록 음전압이 인가되는 스크린 그리드를 더 포함하는 스퍼터링 장치.
The method of claim 4, wherein the ion source is
And a screen grid installed at the ion discharge port of the housing to allow ions to pass through and to be discharged out of the housing and to receive a negative voltage to induce ions toward the ion discharge port.
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