[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

KR20130037043A - 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛 - Google Patents

발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛 Download PDF

Info

Publication number
KR20130037043A
KR20130037043A KR1020110101362A KR20110101362A KR20130037043A KR 20130037043 A KR20130037043 A KR 20130037043A KR 1020110101362 A KR1020110101362 A KR 1020110101362A KR 20110101362 A KR20110101362 A KR 20110101362A KR 20130037043 A KR20130037043 A KR 20130037043A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
cavity
disposed
device package
emitting device
Prior art date
Application number
KR1020110101362A
Other languages
English (en)
Inventor
정지은
이은선
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020110101362A priority Critical patent/KR20130037043A/ko
Publication of KR20130037043A publication Critical patent/KR20130037043A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

실시 예에 따른 발광 소자 패키지는, 바닥과 상기 바닥에 대해 경사진 제1측면 및 제2측면을 갖는 캐비티를 포함하는 몸체; 상기 캐비티의 제1측면에 배치된 제1측면부를 갖는 제1금속층; 상기 캐비티의 제2측면에 배치된 제2측면부를 갖는 제2금속층; 상기 제1금속층의 제1측면부 상에 배치된 제1발광 칩; 상기 제2금속층의 제2측면부 상에 배치된 제2발광 칩; 및 상기 캐비티에 배치된 몰딩 부재를 포함한다.

Description

발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛{LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND LIGHT UNIT HAVING THE SAME}
실시 예는 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛에 관한 것이다.
발광 소자, 예컨대 발광 다이오드(Light Emitting Device)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종으로, 기존의 형광등, 백열등을 대체하여 차세대 광원으로서 각광받고 있다.
발광 다이오드는 반도체 소자를 이용하여 빛을 생성하므로, 텅스텐을 가열하여 빛을 생성하는 백열등이나, 또는 고압 방전을 통해 생성된 자외선을 형광체에 충돌시켜 빛을 생성하는 형광등에 비해 매우 낮은 전력만을 소모한다.
또한, 발광 다이오드는 반도체 소자의 전위 갭을 이용하여 빛을 생성하므로 기존의 광원에 비해 수명이 길고 응답특성이 빠르며, 친환경적 특징을 갖는다.
이에 따라, 기존의 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 발광 다이오드는 실내외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가하고 있다.
실시 예는 새로운 구조의 발광 소자 패키지를 제공한다.
실시 예는 몸체의 캐비티의 적어도 한 측면에 발광 칩을 갖는 발광 소자 패키지를 제공한다.
상기 몸체의 캐비티의 적어도 한 측면을 몸체의 측면에 대해 평행하지 않고 틸트되게 배치하고, 상기 캐비티의 적어도 한 측면에 발광 칩을 배치한 발광 소자 패키지를 제공한다.
실시 예는 몸체의 캐비티의 서로 대향되는 측면 각각에, 중심이 서로 어긋나게 배치된 복수의 발광 칩을 배치한 발광 소자 패키지를 제공한다.
실시 예는 몸체의 캐비티의 서로 대향되는 측면 각각에 복수의 발광 칩이 배열된 발광 소자 패키지를 제공한다.
실시 예에 따른 발광 소자 패키지는, 바닥과 상기 바닥에 대해 경사진 제1측면 및 제2측면을 갖는 캐비티를 포함하는 몸체; 상기 캐비티의 제1측면에 배치된 제1측면부를 갖는 제1금속층; 상기 캐비티의 제2측면에 배치된 제2측면부를 갖는 제2금속층; 상기 제1금속층의 제1측면부 상에 배치된 제1발광 칩; 상기 제2금속층의 제2측면부 상에 배치된 제2발광 칩; 및 상기 캐비티에 배치된 몰딩 부재를 포함한다.
실시 예는 새로운 구조의 발광 소자 패키지를 제공한다.
실시 예는 몸체의 캐비티 측면에 배치된 발광 칩을 이용하여 몰딩 부재의 전 영역에 광을 균일한 광도로 방출시켜 줄 수 있도록 한 발광 소자 패키지를 제공한다.
실시 예는 캐비티 내의 복수의 발광 칩 간의 간격을 줄일 수 있다.
실시 예는 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛의 신뢰성이 개선될 수 있다.
도 1은 제1실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸 측 단면도이다.
도 2는 도 1의 발광 소자 패키지의 평면도이다.
도 3은 제2실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸 평면도이다.
도 4는 제3실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸 평면도이다.
도 5는 제4실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸 평면도이다.
도 6은 실시 예에 따른 발광 칩을 나타낸 도면이다.
도 7은 도 1의 발광 소자 패키지를 갖는 표시 장치를 나타낸 도면이다.
도 8은 도 1의 발광 소자 패키지를 갖는 표시 장치의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 9는 도 1의 발광 소자 패키지를 갖는 조명 장치를 나타낸 도면이다.
이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 또한 동일한 참조번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예들에 따른 발광 소자 패키지를 설명한다.
도 1은 제1실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸 측 단면도이며, 도 2는 도 1의 발광 소자 패키지의 평면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 발광 소자 패키지(30)는 캐비티(35)를 갖는 몸체(31); 상기 캐비티(35)의 측면(35-2,35-3)에 배치된 발광 칩(61,62); 상기 캐비티(35) 및 상기 몸체(31)의 표면에 배치된 제1금속층(41); 상기 캐비티(35) 및 상기 몸체(31)의 표면에 배치된 제2금속층(51); 상기 캐비티(35)에 배치된 몰딩 부재(71)를 포함한다.
상기 몸체(31)는 수지 계열의 인쇄회로기판(PCB), 실리콘(silicon) 또는 실리콘 카바이드(silicon carbide: SiC)와 같은 실리콘 계열, 질화 알루미늄(aluminum nitride; AlN)과 같은 세라믹 계열, 폴리프탈아마이드(polyphthalamide: PPA)와 같은 수지 계열, 고분자액정(Liquid Crystal Polymer), 바닥에 금속층을 갖는 PCB(MCPCB: Metal core PCB) 중에서 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 이러한 재질로 한정하지는 않는다.
상기 몸체(31) 내에는 캐비티(35)가 형성되며, 상기 캐비티(35)는 상부가 개방된 오목한 형상을 포함한다. 상기 캐비티(35)는 소자 탑측에서 볼 때, 원 형상, 타원 형상, 다각형 형상 등으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 캐비티(35)의 바닥(35-1)은 플랫하게 형성될 수 있으며, 측면(35-2,35-3,35-4,35-5) 중 적어도 하나는 상기 바닥(35-1)에 대해 경사지거나 곡면 형태로 형성될 수 있다.
상기 캐비티(35)의 깊이(T1)는 상기 몸체(31)의 상면으로부터 200㎛ 이상 500㎛ 미만으로 형성될 수 있다. 상기 캐비티(35)의 깊이(T1)는 발광 칩(61,62)에 연결된 와이어(65)가 상기 몰딩 부재(71)의 상면 방향과 수평한 방향이거나, 상기 몰딩 부재(71)의 하면 방향으로 배치됨으로써, 상기 캐비티(35)의 깊이(T1)를 상기 발광 칩을 캐비티 바닥에 배치한 패키지 구조에 비해 낮게 형성할 수 있다. 이는 발광 소자 패키지(30)의 두께를 낮추어 줄 수 있고, 상기 발광 소자 패키지(30)를 갖는 발광 모듈의 두께도 낮추어 줄 수 있다.
상기 캐비티(35)의 제1측면(35-2)과 제2측면(35-3)은 서로 대향되며, 상기 바닥(35-1)에 대해 경사지게 배치된다. 상기 제1측면(35-2)의 경사 각도(θ1)와 상기 제2측면(35-3)의 경사 각도(θ2)는 동일하거나 다를 수 있으며, 예컨대 10도 이상 70도 미만의 범위로 형성될 수 있다.
상기 몸체(31)의 표면에는 복수의 금속층(41,51)이 형성되며, 상기 복수의 금속층41,51)은 서로 이격된 제1금속층(41)과 제2금속층(51)을 포함한다.
상기 제1금속층(41)은 상기 캐비티(35)의 바닥(35-1)에서 제1영역에 배치된 제1바닥부(42), 상기 캐비티(35)의 제1측면(35-2)에 배치된 제1측면부(43), 상기 몸체(31)의 상면에 배치된 제1연결부(44), 상기 몸체(31)의 제1측면(S1)에 배치된 제2연결부(46), 및 상기 몸체(31)의 하면 아래에 배치된 제1리드부(46)를 포함한다. 상기 제1바닥부(42)는 상기 캐비티(35)의 바닥 제1영역에 배치되며, 그 단부는 제2금속층(51)과 이격된다. 상기 제1바닥부(42)의 단부는 스텝 구조나 변곡점을 갖는 구조로 배치될 수 있다. 상기 제1바닥부(42)의 일부는 상기 캐비티(35)의 제1측면(35-2)보다는 제2측면(35-3)에 더 가깝게 배치될 수 있으며, 이는 제2와이어(66)의 길이를 줄여줄 수 있다.
상기 제1금속층(41)의 제1측면부(43)는 상기 제1바닥부(42)에 연결되며 상기 캐비티(35)의 제1측면(35-2) 상에 배치되며, 제1발광 칩(61)이 배치된다. 상기 제1측면부(43)의 경사 각도는 10도 이상 70도 미만의 각도로 형성될 수 있다. 상기 제1연결부(44)는 상기 제1측면부(43)에 연결되며 상기 몸체(31)의 상면에 배치되거나 상기 몸체(31)를 관통하여 배치될 수 있다. 상기 제2연결부(45)는 상기 제1연결부(44)에 연결되며 상기 몸체(31)의 제1측면(S1)에 배치되거나 몸체(31) 내부에 배치될 수 있다. 상기 제1리드부(46)는 상기 제2연결부(45)에 연결되며 상기 몸체(31)의 하면의 제1영역에 배치될 수 있다.
상기 제2금속층(51)은 상기 캐비티(35)의 바닥(35-1)에서 제2영역에 배치된 제2바닥부(52), 상기 캐비티(35)의 제2측면(35-3)에 배치된 제2측면부(53), 상기 몸체(31)의 상면에 배치된 제3연결부(54), 상기 몸체(31)의 제2측면(S2)에 배치된 제4연결부(55), 및 상기 몸체(31)의 하면 아래에 배치된 제2리드부(56)를 포함한다. 상기 제2바닥부(52)는 상기 캐비티(35)의 바닥(35-1) 제2영역에 배치되며, 그 단부는 제1금속층(41)과 이격된다. 상기 제2바닥부(52)의 단부는 스텝 구조나 변곡점을 갖는 구조로 배치될 수 있다. 상기 제2바닥부(52)의 일부는 상기 캐비티(35)의 제2측면(35-3)보다는 제1측면(35-2)에 더 가깝게 배치될 수 있으며, 이는 제1와이어(65)의 길이를 줄여줄 수 있다.
상기 제2측면부(53)는 상기 제2바닥부(52)에 연결되며 상기 캐비티(35)의 제2측면(35-3) 상에 배치되며, 제2발광 칩(62)이 배치된다. 상기 제2측면부(53)의 경사 각도는 10도 이상 70도 미만의 각도로 형성될 수 있다. 상기 제3연결부(54)는 상기 제2측면부(53)에 연결되며 상기 몸체(31)의 상면에 배치되거나 상기 몸체(31)를 관통하여 배치될 수 있다. 상기 제4연결부(55)는 상기 제3연결부(54)에 연결되며 상기 몸체(31)의 제2측면(S2)에 배치되거나 몸체(31) 내부에 배치될 수 있다. 상기 제2리드부(56)는 상기 제4연결부(55)에 연결되며 상기 몸체(31)의 하면의 제2영역에 배치될 수 있다.
상기 제1금속층(41)과 상기 제2금속층(51)은 리드 프레임과 같이 소정 두께를 갖는 금속 플레이트로 제공될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1금속층(41)과 상기 제2금속층(51)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1금속층(41)과 제2금속층(51)은 단층 또는 다층 구조를 가지도록 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 캐비티(35)의 제1측면(35-2) 상에 형성된 제1금속층(41)의 제1측면부(53)에는 제1발광 칩(61)이 배치되며, 상기 캐비티(35)의 제2측면(35-3) 상에 형성된 제2금속층(51)의 제2측면부(53)에는 제2발광 칩(62)이 배치된다.
상기 제1발광 칩(61)과 상기 제2발광 칩(62)은 서로 동일한 컬러 또는 서로 다른 컬러의 광을 방출할 수 있다. 상기 제1발광 칩(61)과 상기 제2발광 칩(62)은 적색, 녹색, 청색, 백색 등의 빛을 방출하는 가시광선 대역 또는 자외선(Ultra Violet) 대역을 발광하는 다이오드로 구현될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 발광 칩(61,62)은 칩 내의 두 전극이 평행하게 배치된 수평형 칩, 또는 칩 내의 두 전극이 서로 반대 측면에 배치된 수직형 칩으로 구현될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 수평형 칩은 적어도 2개의 와이어에 연결될 수 있고, 수직형 칩은 적어도 1개의 와이어에 연결될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 2와 같이, 상기 제1발광 칩(61)은 제1금속층(41)과 전기적으로 연결되며, 제2금속층(51)의 일부 예컨대, 제2바닥부(52)와 제1와이어(65)로 연결된다. 제2발광 칩(62)은 제2금속층(51)과 전기적으로 연결되며, 제1금속층(41)의 일부 예컨대, 제1바닥부(42)와 제2와이어(66)로 연결된다.
상기 제1발광 칩(61)과 제2발광 칩(62)의 중심은 상기 몸체(31)의 상면으로부터 제2간격(T2)으로 이격되며, 상기 제2간격(T2)은 상기 캐비티(35)의 깊이(T1)의 1/2 ~ 1/3 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1발광 칩(61)과 상기 제2발광 칩(62)은 중심이 같은 선상에 배치될 수 있다.
상기 제1발광 칩(61)과 상기 제2발광 칩(62)은 상기 캐비티(35) 내에서 상기 캐비티(35)의 제1측면(35-2)과 제2측면(35-3)과 동일한 각도로 경사지게 배치됨으로써, 상기 제1발광 칩(61)과 상기 제2발광 칩(62)으로부터 방출된 대부분의 광은 상기 캐비티(35) 내의 전 영역에서 반사되고 확산된 후 방출될 수 있다.
상기 캐비티(35)에는 몰딩 부재(71)가 형성되며, 상기 몰딩 부재(71)는 에폭시 또는 실리콘과 같은 투광성의 수지 재질을 포함할 수 있다. 또한 상기 몰딩 부재(71)에는 형광체 또는/및 확산제가 선택적으로 첨가될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 몰딩 부재(71) 위에는 렌즈가 형성될 수 있으며, 상기 렌즈는 오목한 렌즈 형상, 볼록한 렌즈 형상, 일정 부분이 오목하고 다른 부분이 볼록한 형상의 렌즈를 포함할 수 있다. 상기 형광체는 예를 들면, YAG 계열, 실리케이트(Silicate)계열, 또는 TAG 계열의 형광 물질을 포함할 수 있다.
상기 몰딩 부재(71)의 상면은 플랫하거나, 중심부가 오목하거나, 중심부가 볼록한 구조 중 적어도 하나로 형성될 수 있다.
상기 제1실시 예는 제1발광 칩(61)과 제2발광 칩(62)가 캐비티(35)의 측면(35-2,35-3) 상에 형성된 금속층(41,51) 상에 배치됨으로써, 캐비티(35) 내에서의 반사 광량을 증대시켜 주어, 상기 몰딩 부재(71)의 표면을 통해 균일한 광도를 갖는 광을 방출할 수 있으며, 혼색성을 개선시켜 줄 수 있다. 이러한 캐비티(35) 내에서 상기 제1발광 칩(61)과 제2발광 칩(62) 사이의 간격을 캐비티(35)의 바닥(35-1)보다 더 이격시켜 줌으로써, 발열원을 최대로 이격시켜 주어 발광 소자 패키지의 열에 대한 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.
도 3은 제2실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸 평면도이다.
도 3을 참조하면, 발광 소자 패키지는 몸체(31)의 캐비티(35)의 제1측면(35-2) 상에 배치된 제1발광 칩(61)과, 캐비티(35)의 제2측면(35-3) 상에 배치된 제2발광 칩(62)은 중심이 서로 어긋나게 배치될 수 있다.
상기 제1발광 칩(61)은 상기 캐비티(35)의 제1측면(35-2)의 중심으로부터 캐비티(35)의 제2측면(35-3)에 더 가깝게 배치되며, 상기 제2발광 칩(62)은 캐비티(35)의 제2측면(35-3)의 중심으로부터 캐비티(35)의 제4측면()에 더 가깝게 배치된다.
상기 제1발광 칩(61)의 중심과 상기 캐비티(35)의 제1측면(35-2)의 중심 사이의 간격(T3)은 상기 캐비티(35)의 바닥의 1/2 이하일 수 있다. 상기 제2발광 칩(62)의 중심과 상기 캐비티(35)의 제2측면(35-3)의 중심 사이의 간격(T4)은 상기 캐비티(35)의 바닥의 1/2 이하일 수 있다. 상기 간격 T3 및 T4는 서로 동일하거나 다를 수 있다.
도 4는 제3실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 평면도이다.
도 4를 참조하면, 발광 소자 패키지는 몸체(31)의 캐비티(35)의 제1측면(35-2)과 제2측면(35-3)이 서로 평행하게 배치되며, 캐비티(35)의 제3측면(35-4)과 제4측면(35-5)이 서로 평행하게 배치될 수 있다. 상기 캐비티(35)의 제1측면(35-2)은 몸체(31)의 제1측면(S1)과 평행하고 틸트된 구조로 배치되며, 상기 캐비티(35)의 제2측면(35-3)은 몸체(31)의 제2측면(S2)과 평행하지 않고 틸트된 구조로 배치된다. 상기 캐비티(35)의 제1측면(35-2)과 제2측면(35-3)의 틸트된 각도는 상기 몸체(31)의 제1측면(S1)과 제2측면(S2)을 기준으로 1°~15° 범위 내로 형성될 수 있다. 상기 몸체(31)의 제1측면(S1)과 제2측면(S2)은 서로 반대측 면일 수 있다. 상기 캐비티(35)의 제3측면(35-4)과 제4측면(35-5)은 상기 몸체(31)의 제3측면(S3)과 제4측면(S4)에 평행하거나 평행하지 않게 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 캐비티(35)의 제1측면(35-2)과 상기 몸체(31)의 제1측면(S1) 사이의 간격은 상기 몸체(31)의 제3측면(S3) 방향으로 갈수록 점차 좁아지거나, 제4측면(S4) 방향으로 갈수록 점차 넓어지게 된다.
상기 캐비티(35)의 제2측면(35-3)과 상기 몸체(31)의 제2측면(S1) 사이의 간격은 상기 몸체(31)의 제3측면(S3) 방향으로 갈수록 점차 넓어지거나, 제4측면(S4) 방향으로 갈수록 점차 좁아지게 된다.
도 5는 제4실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 평면도이다.
도 5를 참조하면, 발광 소자 패키지는 캐비티(135)를 갖는 몸체(131), 제1금속층(141), 제2금속층(151), 복수의 제1발광 칩(161), 및 복수의 제2발광 칩(162)을 포함한다.
상기 몸체(131)는 캐비티(135)를 포함하며, 상기 캐비티(135)는 제3측면(135-4)과 제4측면(135-5)의 길이가 제1측면(135-2)과 제2측면(135-3)의 길이보다 더 길게 형성된다. 상기 캐비티(135)는 제3측면(135-4)과 제4측면(135-5)은 캐비티(135)의 바닥(135-1)에 대해 경사지게 배치될 수 있다.
상기 캐비티(135)의 제3측면(135-4) 상에는 제1금속층(141)이 배치되며, 상기 제1금속층(141) 사이는 제1발광 칩(161)이 소정 간격(T6)으로 어레이되고, 상기 캐비티(135)의 제4측면(135-5) 상에는 제2발광 칩(162)이 소정 간격(T5)으로 어레이된다.
상기 제1발광 칩(161)과 제2발광 칩(162)은 서로 어긋나게 배열된다. 이에 따라 상기 제1발광 칩(161)과 제2발광 칩(162)으로부터 방출된 광 간의 간섭을 줄일 수 있다.
발광 소자 패키지는 길이가 너비(W1)보다 더 길며, 상기 너비(W1)는 몸체(131)의 제3측면(S3)과 제4측면(S4) 사이의 간격이며, 길이는 상기 너비(W1)와 직교하는 방향이 될 수 있다. 캐비티(135)의 장축 방향인 제3측면(135-4)과 제4측면(135-5)에 발광 칩(161,162)을 배열함으로써, 발광 칩(161,162)의 개수에 비해 발광 소자 패키지의 너비(W1)를 줄여줄 수 있다.
상기 발광 소자 패키지의 제1금속층(141)과 제2금속층(151)은 도 2의 예를 참조하기로 하며, 캐비티(135)의 바닥(135-1), 상기 캐비티(135)의 제3측면(135-4) 및 제4측면(135-5) 상에 배치되고, 상기 몸체(131)의 제3측면(135-4) 및 제4측면(135-5)을 따라 몸체(131)의 하면까지 연장될 수 있다. 상기 각 발광 칩(161,162)과 제1 및 제2금속층(141,151)과의 연결 방식은 와이어뿐만 아니라, 패턴이나 플립 방식 등으로 다양하게 배치될 수 있어, 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
도 6은 실시 예에 따른 발광 칩을 나타낸 측 단면도이다.
도 6을 참조하면, 발광 소자(61,62)는 제1전극(281), 제1도전형 반도체층(217), 활성층(219), 제2도전형 클래드층(221), 및 제2도전형 반도체층(223), 제2도전형 반도체층(223) 아래에 전류 블록킹층(261), 채널층(263) 및 제2전극(270)을 포함한다.
상기 제1도전형 반도체층(217)은 제1도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 화합물 반도체로 구현되며, 예컨대 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층(217)이 N형 반도체층인 경우, 상기 제1도전형의 도펀트는 N형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함한다.
상기 제1도전형 반도체층(217)과 상기 활성층(219) 사이에는 제1도전형 클래드층(미도시)이 형성될 수 있다. 상기 제1도전형 클래드층은 GaN계 반도체로 형성될 수 있으며, 그 밴드 갭은 상기 활성층(219)의 장벽층의 밴드 갭 이상으로 형성될 수 있다. 이러한 제1도전형 클래드층은 캐리어를 구속시켜 주는 역할을 한다.
상기 제1도전형 반도체층(217) 아래에는 활성층(219)이 형성된다. 상기 활성층(219)은 단일 양자 우물, 다중 양자 우물(MQW), 양자 선, 양자 점 구조 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 상기 활성층(219)은 양자 우물층과 양자 장벽층이 교대로 배치되며, 상기 양자 우물층과 상기 양자 장벽층의 페어는 2~30주기로 형성될 수 있다. 상기 양자 우물층은 예컨대, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 상기 양자 장벽층은 상기 양자 우물층의 밴드 갭보다 더 넓은 밴드 갭을 갖는 반도체층으로 예컨대, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 상기 양자 우물층과 양자 장벽층의 페어는 예컨대, InGaN/GaN, AlGaN/GaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN 중 적어도 하나를 포함한다.
상기 양자 우물층의 두께는 1.5~5nm 범위 내에 형성될 수 있으며, 예컨대 2~4nm 범위 내에서 형성될 수 있다. 상기 양자 장벽층의 두께는 상기 양자 우물층의 두께보다 더 두껍고 5~30nm의 범위 내에 형성될 수 있으며, 예컨대 5~7nm 범위 내에서 형성될 수 있다. 상기 양자 장벽층 내에는 n형 도펀트를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 활성층(219) 아래에는 제2도전형 클래드층(221)이 형성되며, 상기 제2도전형 클래드층(221)은 상기 활성층(219)의 양자 장벽층의 밴드 갭보다 더 높은 밴드 갭을 가지며, III-V족 화합물 반도체 예컨대, GaN 계 반도체로 형성될 수 있다.
상기 제2도전형 클래드층(221) 아래에는 제2도전형 반도체층(223)이 형성되며, 상기 제2도전형 반도체층(223)은 제2도전형의 도펀트를 포함한다. 상기 제2도전형 반도체층(223)은 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 등과 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(223)이 P형 반도체층인 경우, 상기 제2도전형 도펀트는 P형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있다.
발광 구조물(250)의 층들의 전도성 타입은 반대로 형성될 수 있으며, 예컨대 상기 제2도전형의 반도체층들(221,223)은 N형 반도체층, 상기 제1도전형 반도체층(217)은 P형 반도체층으로 구현될 수 있다. 또한 상기 제2도전형 반도체층(223) 아래에는 상기 제2도전형과 반대의 극성을 갖는 제3도전형 반도체층인 n형 반도체층이 더 형성할 수도 있다. 상기 반도체 발광소자(151,152)는 상기 제1도전형 반도체층(217), 활성층(219) 및 상기 제2도전형 반도체층(223)을 발광 구조물(250)로 정의될 수 있으며, 상기 발광 구조물(250)은 N-P 접합 구조, P-N 접합 구조, N-P-N 접합 구조, P-N-P 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다. 상기 N-P 및 P-N 접합은 2개의 층 사이에 활성층이 배치되며, N-P-N 접합 또는 P-N-P 접합은 3개의 층 사이에 적어도 하나의 활성층을 포함하게 된다.
상기 전류 블록킹층(261)은 SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 상기 채널층(263) 사이에 적어도 하나가 형성될 수 있다.
상기 전류 블록킹층(261)은 상기 발광 구조물(217) 위에 배치된 제1전극(281)과 상기 발광 구조물(250)의 두께 방향으로 대응되게 배치된다. 상기 전류 블록킹층(261)은 상기 제2전극(270)으로부터 공급되는 전류를 차단하여, 다른 경로로 확산시켜 줄 수 있다.
상기 채널층(263)은 상기 제2도전형 반도체층(223)의 하면 에지를 따라 형성되며, 링 형상, 루프 형상 또는 프레임 형상으로 형성될 수 있다. 상기 채널층(263)은 ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 채널층(263)의 내측부는 상기 제2도전형 반도체층(223) 아래에 배치되고, 외측부는 상기 발광 구조물(250)의 측면보다 더 외측에 배치된다.
상기 제2도전형 반도체층(223) 아래에 제2전극(270)이 형성될 수 있다. 상기 제2전극(270)은 복수의 전도층(265,267,269)을 포함할 수 있다.
상기 제2전극(270)은 오믹 접촉층(265), 반사층(267), 및 접합층(269)을 포함한다. 상기 오믹 접촉층(265)은 ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등과 같은 저 전도성 물질이거나 Ni, Ag의 금속을 이용할 수 있다. 상기 오믹 접촉층(265) 아래에 반사층(267)이 형성되며, 상기 반사층(267)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 그 조합으로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질로 이루어진 적어도 하나의 층을 포함하는 구조로 형성될 수 있다. 상기 반사층(267)은 상기 제2도전형 반도체층(223) 아래에 접촉될 수 있으며, 금속으로 오믹 접촉하거나 ITO와 같은 저 전도 물질로 오믹 접촉할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 반사층(267) 아래에는 접합층(269)이 형성되며, 상기 접합층(269)은 베리어 금속 또는 본딩 금속으로 사용될 수 있으며, 그 물질은 예를 들어, Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag 및 Ta와 선택적인 합금 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 접합층(269) 아래에는 지지 부재(273)가 형성되며, 상기 지지 부재(273)는 전도성 부재로 형성될 수 있으며, 그 물질은 구리(Cu-copper), 금(Au-gold), 니켈(Ni-nickel), 몰리브덴(Mo), 구리-텅스텐(Cu-W), 캐리어 웨이퍼(예: Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC 등)와 같은 전도성 물질로 형성될 수 있다. 상기 지지부재(273)는 다른 예로서, 전도성 시트로 구현될 수 있다.
상기 제1도전형 반도체층(217)의 상면에는 러프니스와 같은 광 추출 구조(217A)로 형성될 수 있다. 상기 발광 구조물(250)의 측벽보다 외측에는 상기 채널층(263)의 외측부가 노출되며, 상기 채널층(263)의 내측부는 상기 제2도전형 반도체층(223)의 하면에 접촉될 수 있다.
이에 따라 발광 구조물(250) 위에 제1전극(281) 및 아래에 지지 부재(273)를 갖는 수직형 전극 구조를 갖는 발광 소자(15,152)가 제조될 수 있다.
<조명 시스템>
상기에 개시된 실시 예(들)의 발광 소자는 발광 칩을 패키징한 구조로서, 보드 상에 복수개 배치하여 발광 모듈이나 라이트 유닛 등과 같은 조명 시스템에 제공될 수 있다. 상기의 실시 예 중 선택된 발광 소자를 조명 시스템에 적용될 수 있다.
실시예에 따른 발광 소자는 라이트 유닛에 적용될 수 있다. 상기 라이트 유닛은 복수의 발광 소자가 어레이된 구조를 포함하며, 도 7 및 도 8에 도시된 표시 장치, 도 9에 도시된 조명 장치를 포함하고, 조명등, 신호등, 차량 전조등, 전광판 등이 포함될 수 있다.
도 7은 실시 예에 따른 표시 장치의 분해 사시도이다.
도 7을 참조하면, 실시예에 따른 표시 장치(1000)는 도광판(1041)과, 상기 도광판(1041)에 빛을 제공하는 발광 모듈(1031)과, 상기 도광판(1041) 아래에 반사부재(1022)와, 상기 도광판(1041) 위에 광학 시트(1051)와, 상기 광학 시트(1051) 위에 표시 패널(1061)과, 상기 도광판(1041), 발광 모듈(1031) 및 반사부재(1022)를 수납하는 바텀 커버(1011)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 바텀 커버(1011), 반사부재(1022), 도광판(1041), 광학 시트(1051)는 라이트 유닛(1050)으로 정의될 수 있다.
상기 도광판(1041)은 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1041)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다.
상기 발광모듈(1031)은 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 표시 장치의 광원으로써 작용하게 된다.
상기 발광모듈(1031)은 바텀커버(1011) 내에 적어도 하나가 배치되며, 상기 도광판(1041)의 일 측면에서 직접 또는 간접적으로 광을 제공할 수 있다. 상기 발광 모듈(1031)은 기판(1033)과 상기에 개시된 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(30)를 포함하며, 상기 발광 소자 패키지(30)는 상기 기판(1033) 상에 소정 간격으로 어레이될 수 있다.
상기 기판(1033)은 회로패턴(미도시)을 포함하는 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 다만, 상기 기판(1033)은 일반 PCB 뿐 아니라, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자 패키지(30)는 상기 바텀 커버(1011)의 측면 또는 방열 플레이트 상에 탑재될 경우, 상기 기판(1033)은 제거될 수 있다. 여기서, 상기 방열 플레이트의 일부는 상기 바텀 커버(1011)의 상면에 접촉될 수 있다.
그리고, 상기 다수의 발광 소자 패키지(30)는 상기 기판(1033) 상에 빛이 방출되는 출사면이 상기 도광판(1041)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자 패키지(30)는 상기 도광판(1041)의 일측면인 입광부에 광을 직접 또는 간접적으로 제공할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 도광판(1041) 아래에는 상기 반사(1022)가 배치될 수 있다. 상기 반사부재(1022)는 상기 도광판(1041)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 위로 향하게 함으로써, 상기 라이트 유닛(1050)의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사부재(1022)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사부재(1022)는 상기 바텀 커버(1011)의 상면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 바텀 커버(1011)는 상기 도광판(1041), 발광모듈(1031) 및 반사부재(1022) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 상기 바텀 커버(1011)는 상면이 개구된 박스(box) 형상을 갖는 수납부(1012)가 구비될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 바텀 커버(1011)는 탑 커버와 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 바텀 커버(1011)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 또한 상기 바텀 커버(1011)는 열 전도성이 좋은 금속 또는 비 금속 재료를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 표시 패널(1061)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 재질의 제 1 및 제 2기판, 그리고 제 1 및 제 2기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 상기 표시 패널(1061)의 적어도 일면에는 편광판이 부착될 수 있으며, 이러한 편광판의 부착 구조로 한정하지는 않는다. 상기 표시 패널(1061)은 광학 시트(1051)를 통과한 광에 의해 정보를 표시하게 된다. 이러한 표시 장치(1000)는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비젼 등에 적용될 수 있다.
상기 광학 시트(1051)는 상기 표시 패널(1061)과 상기 도광판(1041) 사이에 배치되며, 적어도 한 장의 투광성 시트를 포함한다. 상기 광학 시트(1051)는 예컨대 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등과 같은 시트 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 또는/및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. 또한 상기 표시 패널(1061) 위에는 보호 시트가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
여기서, 상기 발광 모듈(1031)의 광 경로 상에는 광학 부재로서, 상기 도광판(1041), 및 광학 시트(1051)를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 8은 실시 예에 따른 표시 장치를 나타낸 도면이다.
도 8을 참조하면, 표시 장치(1100)는 바텀 커버(1152), 상기에 개시된 발광 소자 패키지(30)가 어레이된 기판(1120), 광학 부재(1154), 및 표시 패널(1155)을 포함한다.
상기 기판(1120)과 상기 발광 소자 패키지(30)는 발광 모듈(1060)로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152), 적어도 하나의 발광 모듈(1060), 광학 부재(1154)는 라이트 유닛으로 정의될 수 있다.
상기 바텀 커버(1152)에는 수납부(1153)를 구비할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
여기서, 상기 광학 부재(1154)는 렌즈, 도광판, 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 도광판은 PC 재질 또는 PMMA(Poly methy methacrylate) 재질로 이루어질 수 있으며, 이러한 도광판은 제거될 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다.
상기 광학 부재(1154)는 상기 발광 모듈(1060) 위에 배치되며, 상기 발광 모듈(1060)로부터 방출된 광을 면 광원하거나, 확산, 집광 등을 수행하게 된다.
도 9는 실시 예에 따른 조명 장치의 사시도이다.
도 9를 참조하면, 조명 장치(1500)는 케이스(1510)와, 상기 케이스(1510)에 설치된 발광모듈(1530)과, 상기 케이스(1510)에 설치되며 외부 전원으로부터 전원을 제공받는 연결 단자(1520)를 포함할 수 있다.
상기 케이스(1510)는 방열 특성이 양호한 재질로 형성되는 것이 바람직하며, 예를 들어 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있다.
상기 발광 모듈(1530)은 기판(1532)과, 상기 기판(1532)에 탑재되는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(30)를 포함할 수 있다. 상기 발광 소자 패키지(30)는 복수개가 매트릭스 형태 또는 소정 간격으로 이격되어 어레이될 수 있다.
상기 기판(1532)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있으며, 예를 들어, 일반 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB, FR-4 기판 등을 포함할 수 있다.
또한, 상기 기판(1532)은 빛을 효율적으로 반사하는 재질로 형성되거나, 표면이 빛이 효율적으로 반사되는 컬러, 예를 들어 백색, 은색 등의 코팅층될 수 있다.
상기 기판(1532) 상에는 적어도 하나의 발광 소자 패키지(30)가 탑재될 수 있다. 상기 발광 소자 패키지(30) 각각은 적어도 하나의 LED(LED: Light Emitting Diode) 칩을 포함할 수 있다. 상기 LED 칩은 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 유색 빛을 각각 발광하는 유색 발광 다이오드 및 자외선(UV, UltraViolet)을 발광하는 UV 발광 다이오드를 포함할 수 있다.
상기 발광모듈(1530)은 색감 및 휘도를 얻기 위해 다양한 발광 소자 패키지(30)의 조합을 가지도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 고 연색성(CRI)을 확보하기 위해 백색 발광 다이오드, 적색 발광 다이오드 및 녹색 발광 다이오드를 조합하여 배치할 수 있다.
상기 연결 단자(1520)는 상기 발광모듈(1530)과 전기적으로 연결되어 전원을 공급할 수 있다. 상기 연결 단자(1520)는 소켓 방식으로 외부 전원에 돌려 끼워져 결합되지만, 이에 대해 한정하지는 않는다. 예를 들어, 상기 연결 단자(1520)는 핀(pin) 형태로 형성되어 외부 전원에 삽입되거나, 배선에 의해 외부 전원에 연결될 수도 있는 것이다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
30: 발광 소자 패키지 31,131: 몸체
35,135: 캐비티 41,51: 금속층
61,62: 발광 칩 71: 몰딩 부재

Claims (12)

  1. 바닥과 상기 바닥에 대해 경사진 제1측면 및 제2측면을 갖는 캐비티를 포함하는 몸체;
    상기 캐비티의 제1측면에 배치된 제1측면부를 갖는 제1금속층;
    상기 캐비티의 제2측면에 배치된 제2측면부를 갖는 제2금속층;
    상기 제1금속층의 제1측면부 상에 배치된 제1발광 칩;
    상기 제2금속층의 제2측면부 상에 배치된 제2발광 칩; 및
    상기 캐비티에 배치된 몰딩 부재를 포함하는 발광 소자 패키지.
  2. 제1항에 있어서, 상기 캐비티의 제1측면과 제2측면은 서로 대향되는 발광 소자 패키지.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1금속층은 상기 캐비티의 바닥의 제1영역에 배치된 제1바닥부 및 상기 제2금속층은 상기 캐비티의 바닥의 제2영역에 배치된 제2바닥부를 포함하는 발광 소자 패키지.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1발광 칩과 상기 제2발광 칩은 중심이 같은 선상에 배치되는 발광 소자 패키지.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1발광 칩과 상기 제2발광 칩은 중심이 서로 어긋나게 배치되는 발광 소자 패키지.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제1발광 칩은 상기 캐비티의 제1측면과 제2측면에 인접하며 서로 대향되는 제3측면 및 제4측면 중 제3측면에 더 가깝게 배치되며,
    상기 제2발광 칩은 상기 캐비티의 제4측면에 더 가깝게 배치되는 발광 소자 패키지.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1발광 칩과 상기 제2발광 칩의 중심은 상기 캐비티의 깊이의 1/2 ~ 1/3 깊이에 배치되는 발광 소자 패키지.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 몸체의 제1측면과 인접한 상기 캐비티의 제1측면 사이의 간격은 상기 몸체의 서로 대응되는 제3측면 및 제4측면 방향 중 어느 한 방향으로 갈수록 더 넓어지게 형성된 발광 소자 패키지.
  9. 제8항에 있어서, 상기 몸체의 제2측면과 인접한 상기 캐비티의 제2측면 사이의 간격은 상기 몸체의 제3측면과 제4측면 방향 중 어느 한 방향으로 갈수록 더 좁아지게 형성된 발광 소자 패키지.
  10. 제8항에 있어서, 상기 캐비티의 제1측면과 제2측면은 서로 평행하게 배치되는 발광 소자 패키지.
  11. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1발광 칩 및 상기 제2발광 칩은 서로 어긋나게 배열되는 발광 소자 패키지.
  12. 제3항에 있어서, 상기 제1금속층의 제1바닥부의 일부는 상기 캐비티의 제1측면보다 제2측면에 더 가깝게 배치되며, 상기 제2금속층의 제2바닥부는 상기 캐비티의 제2측면보다 제1측면에 더 가깝게 배치되며,
    상기 제1발광 칩은 상기 제1금속층의 제1바닥부의 일부에 제1와이어로 연결되며,
    상기 제2발광 칩은 상기 제2금속층의 제2바닥부의 일부에 제1와이어로 연결되는 발광 소자 패키지.
KR1020110101362A 2011-10-05 2011-10-05 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛 KR20130037043A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110101362A KR20130037043A (ko) 2011-10-05 2011-10-05 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110101362A KR20130037043A (ko) 2011-10-05 2011-10-05 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20130037043A true KR20130037043A (ko) 2013-04-15

Family

ID=48438168

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110101362A KR20130037043A (ko) 2011-10-05 2011-10-05 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20130037043A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10559734B2 (en) Light emitting device package and light unit including the same
US8519427B2 (en) Light emitting device and lighting system
TWI453959B (zh) 發光裝置
US9620693B2 (en) Light emitting device and lighting system having the same
US9249957B2 (en) Light emitting device and lighting system including the same
KR20130014256A (ko) 발광 소자 패키지 및 이를 이용한 조명 시스템
KR102075561B1 (ko) 발광 소자, 발광 모듈 및 조명 시스템
KR20150016698A (ko) 발광소자
KR101873585B1 (ko) 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 조명 시스템
KR20130006809A (ko) 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛
KR20130074562A (ko) 발광 모듈
KR102053287B1 (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
KR20130053168A (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 발광 모듈
KR20130088555A (ko) 발광 소자 패키지
KR101946831B1 (ko) 발광 소자 패키지
KR20130014263A (ko) 발광 소자
KR101905506B1 (ko) 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 조명 시스템
KR20130037043A (ko) 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛
KR101886068B1 (ko) 발광 소자 패키지
KR101896691B1 (ko) 발광 소자 및 조명 시스템
KR20160093370A (ko) 발광 소자 패키지 및 조명 장치
KR20130051755A (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치
KR20130037044A (ko) 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛
KR20140059440A (ko) 발광 소자 패키지
KR20120044112A (ko) 발광 소자 패키지 및 조명 시스템

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid