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KR20130009899A - Light emitting device - Google Patents

Light emitting device Download PDF

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Publication number
KR20130009899A
KR20130009899A KR1020110062905A KR20110062905A KR20130009899A KR 20130009899 A KR20130009899 A KR 20130009899A KR 1020110062905 A KR1020110062905 A KR 1020110062905A KR 20110062905 A KR20110062905 A KR 20110062905A KR 20130009899 A KR20130009899 A KR 20130009899A
Authority
KR
South Korea
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light emitting
layer
semiconductor layer
emitting device
electrode pad
Prior art date
Application number
KR1020110062905A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101824885B1 (en
Inventor
송다정
정환희
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020110062905A priority Critical patent/KR101824885B1/en
Publication of KR20130009899A publication Critical patent/KR20130009899A/en
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Abstract

PURPOSE: A light emitting device is provided to stably form a wire in a wire bonding on an electrode pad by forming the electrode pad higher than the upper side of a light emitting structure. CONSTITUTION: A bonding layer(160) is formed on a support substrate(110). An electrode layer(120) is formed on the bonding layer. A light emitting structure(130) is formed on the electrode layer. The light emitting structure includes a first conductive semiconductor layer(131), a second conductive semiconductor layer(133), and an active layer(132). An electrode pad(140) is formed on the light emitting structure in contact with the surface of a concave part.

Description

발광소자{ Light emitting device}Light emitting device

실시예는 발광소자에 관한 것이다.An embodiment relates to a light emitting element.

형광등은 흑점 현상, 짧은 수명 등으로 잦은 교체와 형광물질 사용으로 친환경을 지향하는 미래 조명시장의 흐름에 반하므로 점차 타 광원으로 대치되고 있는 추세이다.Fluorescent lamps are increasingly being replaced by other light sources because they are against the trend of the future lighting market aiming to be environmentally friendly due to frequent replacement and the use of fluorescent materials.

이에 타 광원으로 가장 주목받고 있는 것은 LED(Light Emitting Diode)로써, LED는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기 신호를 적외선, 가시광선, 또는 빛의 형태로 변환시키는 소자로, 반도체의 빠른 처리 속도와 낮은 전력 소모 등의 장점과 함께, 환경 친화적이면서도 에너지 절약 효과가 높아서 차세대 광원으로 꼽히고 있다. 따라서, 기존의 형광등을 대체하기 위한 LED의 활용은 활발히 진행 중에 있다.The most popular light source is LED (Light Emitting Diode), which converts electrical signals into infrared, visible, or light using the characteristics of compound semiconductors. In addition to its advantages, such as power consumption, it is also considered as the next-generation light source due to its environmentally friendly and high energy saving effect. Therefore, the use of LED to replace the existing fluorescent lamp is actively in progress.

현재, LED와 같은 반도체 발광 소자는 텔레비전, 모니터, 노트북, 휴대폰, 및 기타 디스플레이장치를 구비하는 다양한 장치에 적용되고 있으며, 특히 기존의 CCFL을 대체하여 백 라이트 유닛으로도 널리 사용되고 있다.Currently, semiconductor light emitting devices such as LEDs are applied to various devices including televisions, monitors, notebooks, mobile phones, and other display devices, and in particular, are widely used as backlight units in place of existing CCFLs.

최근에는 발광소자를 조명광원으로 이용하기 위해서 고휘도화가 요구되고 있으며, 이러한 고휘도화를 달성하기 위해 광손실을 방지하여 광추출 효율을 증가시킬 수 있는 발광소자를 제작하기 위한 연구가 진행 중에 있다.Recently, in order to use the light emitting device as an illumination light source, high brightness is required, and in order to achieve such high brightness, research is being conducted to manufacture a light emitting device that can increase light extraction efficiency by preventing light loss.

실시예는 광손실을 방지하여 광추출효율을 증가시킬 수 있는 발광소자를 제공함에 있다.Embodiments provide a light emitting device capable of preventing light loss and increasing light extraction efficiency.

실시예에 따른 발광소자는 지지기판, 상기 지지기판 상에 위치하고, 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 활성층을 포함하는 발광구조물 및 상기 발광구조물 상에 위치하는 전극패드를 포함하고, 상기 발광구조물의 상면은 오목부를 포함하고, 상기 전극패드는 상기 오목부의 표면과 접할 수 있다.The light emitting device according to the embodiment is disposed on a supporting substrate, the supporting substrate, and an active layer between the first conductive semiconductor layer, the second conductive semiconductor layer, and the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer. And a light emitting structure including an electrode pad positioned on the light emitting structure, wherein an upper surface of the light emitting structure includes a recess, and the electrode pad may contact a surface of the recess.

실시예에 따른 발광소자는 전극패드의 구조를 개선하여 광손실을 방지하여 광추출효율을 증가시킬 수 있다.The light emitting device according to the embodiment may improve light extraction efficiency by preventing light loss by improving the structure of the electrode pad.

도 1은 실시예에 따른 발광소자의 단면을 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1의 A부분을 확대한 확대도이다.
도 3은 실시예에 따른 발광소자의 단면을 나타내는 단면도이다.
도 4 내지 도 7은 실시예에 따른 발광소자의 제조공정을 나타내는 도이다.
도 8은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도이다.
도 9a는 실시예에 따른 발광소자 모듈을 포함하는 조명장치를 도시한 사시도이며, 도 9b는 도 9a의 조명장치의 C-C'단면을 도시한 단면도이다.
도 10 및 도 11은 실시예에 따른 발광소자 모듈을 포함하는 백라이트 유닛을 도시한 분해 사시도이다.1 is a cross-sectional view showing a cross section of a light emitting device according to the embodiment.
2 is an enlarged view illustrating an enlarged portion A of FIG. 1.
3 is a cross-sectional view showing a cross section of a light emitting device according to the embodiment.
4 to 7 are views showing a manufacturing process of the light emitting device according to the embodiment.
8 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to the embodiment.
9A is a perspective view illustrating a lighting device including a light emitting device module according to an embodiment, and FIG. 9B is a cross-sectional view illustrating a cross-sectional view taken along line C-C 'of the lighting device of FIG. 9A.
10 and 11 are exploded perspective views illustrating a backlight unit including a light emitting device module according to an embodiment.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention, and methods of achieving the same will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. To fully disclose the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.

공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작 시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)"또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.The terms spatially relative, "below", "beneath", "lower", "above", "upper" May be used to readily describe a device or a relationship of components to other devices or components. Spatially relative terms should be understood to include, in addition to the orientation shown in the drawings, terms that include different orientations of the device during use or operation. For example, when flipping a device shown in the figure, a device described as "below" or "beneath" of another device may be placed "above" of another device. Thus, the exemplary term "below" can include both downward and upward directions. The device can also be oriented in other directions, so that spatially relative terms can be interpreted according to orientation.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. In the present specification, the singular form includes plural forms unless otherwise specified in the specification. It is noted that the terms "comprises" and / or "comprising" used in the specification are intended to be inclusive in a manner similar to the components, steps, operations, and / Or additions.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms (including technical and scientific terms) used in the present specification may be used in a sense that can be commonly understood by those skilled in the art. Also, commonly used predefined terms are not ideally or excessively interpreted unless explicitly defined otherwise.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기와 면적은 실제크기나 면적을 전적으로 반영하는 것은 아니다. The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. Also, the size and area of each component do not entirely reflect actual size or area.

또한, 실시예에서 발광소자의 구조를 설명하는 과정에서 언급하는 각도와 방향은 도면에 기재된 것을 기준으로 한다. 명세서에서 발광소자를 이루는 구조에 대한 설명에서, 각도에 대한 기준점과 위치관계를 명확히 언급하지 않은 경우, 관련 도면을 참조하도록 한다.Further, the angle and direction mentioned in the description of the structure of the light emitting device in the embodiment are based on those shown in the drawings. In the description of the structure of the light emitting device in the specification, reference points and positional relationship with respect to angles are not explicitly referred to, refer to the related drawings.

도 1은 실시예에 따른 수직형 발광소자의 단면을 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a cross section of a vertical light emitting device according to the embodiment.

도 1을 참조하면, 실시예에 따른 발광소자(100)는 지지기판(110), 결합층(160), 제1 도전형 반도체층(131), 활성층(132), 제2 도전형 반도체층(133)을 포함하는 발광구조물(130), 전극패드(140), 전극층(120), 패시베이션층(150)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, the light emitting device 100 according to the embodiment may include a support substrate 110, a coupling layer 160, a first conductive semiconductor layer 131, an active layer 132, and a second conductive semiconductor layer ( The light emitting structure 130 including the 133, the electrode pad 140, the electrode layer 120, and the passivation layer 150 may be included.

지지기판(110)은 발광구조물(130)을 지지하며 열전도성이 우수한 물질, 또는 전도성 물질을 포함할 수 있으며, 예를 들어, 금(Au), 니켈(Ni), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 탄탈(Ta), 은(Ag), 백금(Pt), 크롬(Cr), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), GaAs, ZnO, GaN, Ga2O3 또는 SiC, SiGe, CuW 중에서 선택된 어느 하나의 물질 또는 이들의 합금을 포함할 수 있으며, 서로 다른 둘 이상의 물질을 적층하여 형성할 수 있다.The support substrate 110 may include a material that supports the light emitting structure 130 and has excellent thermal conductivity, or a conductive material. For example, gold (Au), nickel (Ni), tungsten (W), and molybdenum ( Mo, copper (Cu), aluminum (Al), tantalum (Ta), silver (Ag), platinum (Pt), chromium (Cr), silicon (Si), germanium (Ge), GaAs, ZnO, GaN, Ga It may include any one material selected from 2 O 3 or SiC, SiGe, CuW or alloys thereof, and may be formed by stacking two or more different materials.

이와 같은 지지기판(110)은 발광소자(100)에서 발생하는 열의 방출을 용이하게 하여 발광소자(100)의 열적 안정성을 향상시킬 수 있다.The support substrate 110 may facilitate the emission of heat generated from the light emitting device 100 to improve the thermal stability of the light emitting device 100.

지지기판(110) 상에는 접착력이 우수한 금속 물질로 이루어진 결합층(160)을 포함할 수 있다. 금속물질은 예를 들어, 금(Au), 주석(Sn), 인듐(In), 은(Ag), 니켈(Ni), 니오브(Nb) 및 구리(Cu)로 구성되는 군으로부터 선택되는 물질 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다.The support substrate 110 may include a bonding layer 160 made of a metal material having excellent adhesion. The metal material is, for example, a material selected from the group consisting of gold (Au), tin (Sn), indium (In), silver (Ag), nickel (Ni), niobium (Nb) and copper (Cu) or Alloys thereof.

결합층(160) 상부에는 전도층(미도시)을 포함할 수 있다.An upper conductive layer 160 may include a conductive layer (not shown).

전도층(미도시)은 발광 소자의 제조 공정상 발생할 수 있는 기계적 손상(깨짐 또는 박리 등)을 최소화할 수 있는 효과가 있으며, 지지기판(110) 또는 결합층(160)을 구성하는 금속 물질이 발광 구조물(130)으로 확산되는 것을 방지하는 효과가 있다.The conductive layer (not shown) has an effect of minimizing mechanical damage (breaking or peeling, etc.) that may occur in the manufacturing process of the light emitting device, and the metal material constituting the support substrate 110 or the bonding layer 160 There is an effect of preventing the diffusion into the light emitting structure (130).

전도층(미도시)은 니켈(Ni-nickel), 백금(Pt), 티탄(Ti), 텅스텐(W), 바나듐(V), 철(Fe), 몰리브덴(Mo)로 구성되는 군으로부터 선택되는 물질 또는 이들이 선택적으로 포함된 합금으로 이루어질 수 있다. 실시예에 따라 전도층(미도시)은 복수의 레이어로 형성될 수도 있다. The conductive layer (not shown) is selected from the group consisting of nickel (Ni), platinum (Pt), titanium (Ti), tungsten (W), vanadium (V), iron (Fe), and molybdenum (Mo). It can be made of materials or alloys in which they are optionally included. In some embodiments, the conductive layer (not shown) may be formed of a plurality of layers.

전도층(미도시) 상으로는 전극층(120)이 형성될 수 있다.The electrode layer 120 may be formed on the conductive layer (not shown).

전극층(120) 은 금속과 투광성 전도층을 선택적으로 사용할 수 있으며, 발광구조물(130)에 전원을 제공한다. 전극층(120)은 전도성 재질을 포함하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 니켈(Ni), 백금(Pt), 루테늄(Ru), 이리듐(Ir), 로듐(Rh), 탄탈(Ta), 몰리브덴(Mo), 티탄(Ti), 은(Ag), 텅스텐(W), 구리(Cu), 크롬(Cr), 팔라듐(Pd), 바나듐(V), 코발트(Co), 니오브(Nb), 지르코늄(Zr), 산화인듐주석(ITO, Indium Tin Oxide), 알루미늄산화아연(AZO, aluminum zinc oxide), 인듐 아연 산화물(IZO, Indium Zinc Oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide) ), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 또는 Ni/IrOx/Au/ITO 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 다만 이에 한정되는 것은 아니다.The electrode layer 120 may selectively use a metal and a transparent conductive layer, and provide power to the light emitting structure 130. The electrode layer 120 may include a conductive material. For example, nickel (Ni), platinum (Pt), ruthenium (Ru), iridium (Ir), rhodium (Rh), tantalum (Ta), molybdenum (Mo), titanium (Ti), silver (Ag), tungsten (W), copper (Cu), chromium (Cr), palladium (Pd), vanadium (V), cobalt (Co), niobium (Nb), zirconium (Zr), indium tin oxide (ITO), Aluminum zinc oxide (AZO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), indium aluminum zinc oxide (IAZO), indium gallium zinc oxide (IGZO), indium gallium (IGTO) tin oxide), antimony tin oxide (ATO), gallium zinc oxide (GZO), IrO x , RuO x , RuO x / ITO, Ni / IrO x / Au, or Ni / IrO x / Au / ITO Can be. However, it is not limited thereto.

또한, 전극층(120)은 오믹 특성을 갖는 반사 전극 재료로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. In addition, the electrode layer 120 may be formed as a single layer or multiple layers of a reflective electrode material having ohmic characteristics.

전극층(120)은 오믹층(121)/반사층(122)/본딩층(미도시)의 구조이거나, 오믹층(121)/반사층(122)의 적층 구조이거나, 반사층(오믹 포함)(122)/본딩층(미도시)의 구조일 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. The electrode layer 120 is a structure of an ohmic layer 121 / reflective layer 122 / bonding layer (not shown), a laminated structure of an ohmic layer 121 / reflective layer 122, or a reflective layer (including ohmic) 122 / It may be a structure of a bonding layer (not shown), but is not limited thereto.

오믹층(121)은 발광 구조물(예컨대, 제 2도전형 반도체층(133))의 하면에 오믹 접촉되며, 층 또는 복수의 패턴으로 형성될 수 있다. 상기 오믹층(121)은 투광성 전도층과 금속을 선택적으로 사용할 수 있다. 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IZON(IZO Nitride), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Sn, In, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으며, 이러한 재료에 한정되지는 않는다. 그리고, 상기 오믹층(121)은 스퍼터링법이나 전자빔 증착법에 의하여 형성될 수 있다. 반사층(122)은 발광구조물(130)의 활성층(132)에서 발생된 광 중 일부가 지지기판(110) 방향으로 향하는 경우, 발광소자(100)의 상부 방향으로 향하도록 광을 반사시켜 발광소자(100)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.The ohmic layer 121 is in ohmic contact with a lower surface of the light emitting structure (eg, the second conductive semiconductor layer 133) and may be formed in a layer or a plurality of patterns. The ohmic layer 121 may selectively use a transparent conductive layer and a metal. For example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), indium aluminum zinc oxide (IAZO), indium gallium zinc oxide (IGZO), indium gallium tin oxide (IGTO), Aluminum zinc oxide (AZO), antimony tin oxide (ATO), gallium zinc oxide (GZO), IZO (IZO Nitride), AGZO (Al-Ga ZnO), IGZO (In-Ga ZnO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO , RuOx / ITO, Ni / IrOx / Au, and Ni / IrOx / Au / ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Sn, In, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, It may be formed including at least one of Hf, but is not limited to such materials. The ohmic layer 121 may be formed by sputtering or electron beam deposition. The reflective layer 122 reflects the light toward the upper direction of the light emitting device 100 when some of the light generated from the active layer 132 of the light emitting structure 130 is directed toward the support substrate 110. 100) light extraction efficiency can be improved.

반사층(122)은 알루미늄(Al), 은(Ag), 니켈(Ni), 백금(Pt), 로듐(Rh), 혹은 Al이나 Ag이나 Pt나 Rh를 포함하는 합금을 포함하는 금속층으로 이루어지거나, 상기 금속 물질과 IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성할 수 있다. 또한 반사층(122)은 IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni 등으로 적층할 수 있다. 또한 반사층(122)을 발광 구조물(예컨대, 제 2도전형 반도체층(133))과 오믹 접촉하는 물질로 형성할 경우, 오믹층(121)은 별도로 형성하지 않을 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The reflective layer 122 is made of a metal layer including aluminum (Al), silver (Ag), nickel (Ni), platinum (Pt), rhodium (Rh), or an alloy containing Al, Ag, Pt, or Rh, It may be formed in multiple layers using the metal material and light transmitting conductive materials such as IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, and ATO. In addition, the reflective layer 122 may be laminated with IZO / Ni, AZO / Ag, IZO / Ag / Ni, AZO / Ag / Ni, or the like. In addition, when the reflective layer 122 is formed of a material in ohmic contact with the light emitting structure (eg, the second conductive semiconductor layer 133), the ohmic layer 121 may not be separately formed, but is not limited thereto.

반사층(122)과 오믹층(121)은 폭 및 길이가 동일한 것으로 설명하지만, 폭 및 길이 중 적어도 하나가 상이할 수 있으며 이에 한정을 두지 않는다.Although the reflective layer 122 and the ohmic layer 121 are described as having the same width and length, at least one of the width and the length may be different and the present invention is not limited thereto.

본딩층(미도시)은 배리어 금속(barrier metal), 또는 본딩 금속, 예를 들어, 티탄(Ti), 금(Au), 주석(Sn), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 갈륨(Ga), 인듐(In), 비스무트(Bi), 구리(Cu), 은(Ag) 또는 탄탈(Ta) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The bonding layer (not shown) may include a barrier metal or a bonding metal such as titanium (Ti), gold (Au), tin (Sn), nickel (Ni), chromium (Cr) ), Indium (In), bismuth (Bi), copper (Cu), silver (Ag), or tantalum (Ta).

발광구조물(130)은 전극층(120)상에 위치하며, 제1 도전형 반도체층(131), 활성층(132) 및 제2 도전형 반도체층(133)을 포함할 수 있고, 제1 도전형 반도체층(131)과 제2 도전형 반도체층(133) 사이에 활성층(132)이 개재된 구성으로 이루어질 수 있다.The light emitting structure 130 is positioned on the electrode layer 120, and may include a first conductive semiconductor layer 131, an active layer 132, and a second conductive semiconductor layer 133, and may include a first conductive semiconductor. The active layer 132 may be interposed between the layer 131 and the second conductive semiconductor layer 133.

제1 도전형 반도체층(131)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0=x=1, 0=y=1, 0=x+y=1)의 조성식을 갖는 반도체 물질, 예를 들어, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN,AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP 및 InP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다. 또한, 제1 도전형 반도체층(131)이 일 예로, N형 도전형 반도체층인 경우는, N형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te 등을 포함할 수 있다.The first conductive semiconductor layer 131 is a semiconductor material having a composition formula of Al x In y Ga (1-xy) N (0 = x = 1, 0 = y = 1, 0 = x + y = 1), for example, GaN , InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP and InP may be formed of any one or more. For example, when the first conductivity type semiconductor layer 131 is an N type conductivity type semiconductor layer, the N type dopant may include Si, Ge, Sn, Se, Te, or the like.

한편, 제1 도전형 반도체층(131)의 표면 일부 영역 또는 전체 영역에 대해 소정의 식각 방법으로 광 추출효율을 향상시키기 위한 요철(170)을 형성해 줄 수 있다.Meanwhile, the uneven surface 170 may be formed on a portion of the entire surface of the first conductive semiconductor layer 131 or an entire region to improve light extraction efficiency by a predetermined etching method.

제1 도전형 반도체층(131) 아래에는 활성층(132)이 형성될 수 있다. 활성층(132)은 전자와 정공이 재결합되는 영역으로, 전자와 정공이 재결합함에 따라 낮은 에너지 준위로 천이하며, 그에 상응하는 파장을 가지는 빛을 생성할 수 있다.An active layer 132 may be formed under the first conductive semiconductor layer 131. The active layer 132 is a region where electrons and holes are recombined. The active layer 132 transitions to a low energy level as the electrons and holes recombine, and may generate light having a corresponding wavelength.

활성층(132)은 예를 들어, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체 재료를 포함하여 형성할 수 있으며, 단일 양자 우물 구조 또는 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well)로 형성될 수 있다. The active layer 132 includes a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? 1) And may be formed of a single quantum well structure or a multi quantum well (MQW) structure.

따라서, 더 많은 전자가 양자우물층의 낮은 에너지 준위로 모이게 되며, 그 결과 전자와 정공의 재결합 확률이 증가 되어 발광효과가 향상될 수 있다. 또한, 양자선(Quantum wire)구조 또는 양자점(Quantum dot)구조를 포함할 수도 있다. Therefore, more electrons are collected at the lower energy level of the quantum well layer, and as a result, the probability of recombination of electrons and holes can be increased, thereby improving the light emitting effect. It may also include a quantum wire structure or a quantum dot structure.

활성층(132) 아래에는 제2 도전형 반도체층(133)이 형성될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(133)은 p형 도전형 반도체층으로 구현되어, 활성층(132)에 정공을 주입할 수 있다. 예를 들어 p형 도전형 반도체층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.A second conductive semiconductor layer 133 may be formed under the active layer 132. The second conductive semiconductor layer 133 may be implemented as a p-type conductive semiconductor layer to inject holes into the active layer 132. For example, the p-type conductive semiconductor layer is a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x + y≤1), for example For example, it may be selected from GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, and the like, and p-type dopants such as Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba may be doped.

또한 제1 도전형 반도체층(131)상에는 제3 도전형 반도체층(미도시)을 형성할 수도 있다. 여기서 제3 도전형 반도체층은 제2 도전형 반도체층과 극성이 반대인 도전형 반도체층으로 구현될 수 있다. In addition, a third conductive semiconductor layer (not shown) may be formed on the first conductive semiconductor layer 131. The third conductive semiconductor layer may be implemented as a conductive semiconductor layer having a polarity opposite to that of the second conductive semiconductor layer.

한편, 상술한 제1 도전형 반도체층(131), 활성층(132) 및 제2 도전형 반도체층(133)은 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy), 스퍼터링(Sputtering) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Meanwhile, the above-described first conductive semiconductor layer 131, the active layer 132, and the second conductive semiconductor layer 133 may be formed by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) and chemical vapor deposition (CVD). Deposition), Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD), Molecular Beam Epitaxy (MBE), Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE), Sputtering It may be formed using, but is not limited thereto.

또한, 상술한 바와는 달리 실시예에서 제1 도전형 반도체층(131)이 p형 도전형 반도체층으로 구현되고, 제2 도전형 반도체층(133)이 n형 도전형 반도체층으로 구현될 수 있으며, 이에 한정하지 않는다.In addition, unlike the above-described embodiment, the first conductive semiconductor layer 131 may be implemented as a p-type conductive semiconductor layer, and the second conductive semiconductor layer 133 may be implemented as an n-type conductive semiconductor layer. It is not limited thereto.

또한, 발광구조물(130)의 외주면 중 일부 영역 또는 전체 영역은 외부의 충격 등으로부터 보호하고, 전기적 쇼트를 방지할 수 있도록 패시베이션층(150)이 형성될 수 있다.In addition, a passivation layer 150 may be formed to protect a portion or the entire region of the outer circumferential surface of the light emitting structure 130 from external shocks and prevent electrical short.

또한, 발광구조물(130)의 상면은 오목부(C)를 포함할 수 있으며, 전극패드(140)는 오목부(C)의 표면과 접하도록 발광구조물(130)상에 위치할 있다. 오목부(C)는 제2 도전형 반도체층(131), 활성층(132), 제1 도전형 반도체층(133)이 순차적으로 위치한 발광구조물(130)에서 제1 도전형 반도체층(131)의 일부를 식각하여, 제1 도전형 반도체층(131)의 상면에 형성될 수 있다. 전극패드(140)가 상기와 같이 형성된 오목부(C)의 표면과 접하도록 위치하고, 전극패드(140)가 반사물질을 포함하면, 활성층(132)에서 발생한 빛을 반사하여 빛의 진행방향을 발광소자의 상부 방향으로 향하게 하므로 광추출효율이 증가할 수 있다.In addition, the upper surface of the light emitting structure 130 may include a recess C, the electrode pad 140 may be located on the light emitting structure 130 to contact the surface of the recess (C). The concave portion C is formed of the first conductive semiconductor layer 131 in the light emitting structure 130 in which the second conductive semiconductor layer 131, the active layer 132, and the first conductive semiconductor layer 133 are sequentially disposed. A portion thereof may be etched to form a top surface of the first conductivity type semiconductor layer 131. When the electrode pad 140 is positioned to be in contact with the surface of the recess C formed as described above, and the electrode pad 140 includes a reflective material, the electrode pad 140 reflects the light generated from the active layer 132 and emits a light propagation direction. The light extraction efficiency can be increased because it is directed toward the upper direction of the device.

오목부(C)는 상부폭과 하부폭이 다르게 형성될 수 있으며, 하부에서 상부 방향으로 갈수록 폭이 넓어지도록 형성될 수 있다. 오목부(C)가 하부에서 상부 방향으로 갈수록 폭이 넓어지도록 형성되면, 오목부(C)의 표면과 접하는 전극패드(140)의 측면에서 광의 반사가 효과적으로 발생하며, 이에 따라 외부로 추출되는 광량이 증가한다. 따라서 발광소자의 효율이 향상될 수 있다. The concave portion C may be formed to have a different upper width and lower width, and may be formed to be wider from the lower portion to the upper direction. When the concave portion C is formed to become wider from the bottom to the upper direction, the reflection of light is effectively generated on the side of the electrode pad 140 contacting the surface of the concave portion C, and thus the amount of light extracted to the outside. This increases. Therefore, the efficiency of the light emitting device can be improved.

전극패드(140) 오목부(C)의 깊이보다 높게 형성되어 오목부(C)를 채우는 형태로 형성될 수 있다. The electrode pad 140 may be formed higher than the depth of the recess C to fill the recess C.

전극패드(140)는 전극층(120)과 마찬가지로 금속과 투광성 전도층을 선택적으로 사용할 수 있으며, 발광구조물(130)과 전기적으로 연결되어 발광구조물(130)에 전원을 제공한다. 한편, 전극패드(140)는 광 반사도가 우수한 재질로 형성될 수 있다. 특히, 활성층(132)에서 발생한 빛이 전극패드(140)의 표면에서 반사되도록 오목부(C)와 접하는 전극패드(140)의 표면은 광 반사도가 우수한 재질로 코팅 등이 될 수 있다. 광 반사도가 우수한 재질은, 예를 들면, 니켈(Ni), 티탄(Ti), 알류미늄(Al), 은(Ag), 텅스텐(W), 구리(Cu), 크롬(Cr), 바나듐(V), 금(Au) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 다만 이에 한정되는 것은 아니다. Like the electrode layer 120, the electrode pad 140 may selectively use a metal and a transparent conductive layer. The electrode pad 140 may be electrically connected to the light emitting structure 130 to provide power to the light emitting structure 130. Meanwhile, the electrode pad 140 may be formed of a material having excellent light reflectivity. In particular, the surface of the electrode pad 140 in contact with the recess C may be coated with a material having excellent light reflectivity such that the light generated from the active layer 132 is reflected from the surface of the electrode pad 140. Examples of the material having excellent light reflectivity include nickel (Ni), titanium (Ti), aluminum (Al), silver (Ag), tungsten (W), copper (Cu), chromium (Cr), and vanadium (V). , Gold (Au) may be formed of at least one. However, the present invention is not limited thereto.

전극패드(140)가 상기와 같이 형성된 오목부(C)의 표면과 접하도록 위치하고, 반사물질을 포함하면, 활성층(132)에서 발생한 빛을 반사하여 빛의 진행방향을 발광소자의 상부 방향으로 향하게 하므로 광추출효율이 증가할 수 있다.When the electrode pad 140 is positioned to be in contact with the surface of the recess C formed as described above and includes a reflective material, the electrode pad 140 reflects the light generated from the active layer 132 so that the light travels toward the upper direction of the light emitting device. Therefore, the light extraction efficiency can be increased.

도 2는 도 1의 A부분을 확대한 확대도이다.2 is an enlarged view illustrating an enlarged portion A of FIG. 1.

도 2를 참조하면, 오목부(C)의 단면형상은 사각형, 삼각형, 반원형 등 여러가지 형상일 수 있다. 특히, 오목부(C)의 단면형상은 등각 사다리꼴 일 수 있다. 따라서, 오목부(C)의 단면형상에서 윗변과 밑변이 평행하고, 평행하지 않는 나머지 두변의 길이가 같고 상기 두변과 상기 밑변이 이루는 두 각은 동일할 수 있다. 오목부(C)의 단면형상이 등각 사다리꼴이면 오목부(C)의 측면의 기울어진 정도가 동일하여 오목부(C)의 측면에서 활성층에서 발생한 빛이 반사되는 정도가 균일할 수 있다. 이 때, 평행하지 않는 두변이 연장된 두 직선이 이루는 각(d)은 30도 내지 80도일 수 있다. 각(d)이 30도 내지 80도이면, 활성층에서 발생한 빛이 전극패드(140)의 측면과 이루는 반사각으로 인해 발광소자의 상부 방향으로 반사되는 광량이 증가하며, 광추출효율이 증가할 수 있다. Referring to FIG. 2, the cross-sectional shape of the recess C may have various shapes such as a rectangle, a triangle, and a semicircle. In particular, the cross-sectional shape of the recess C may be equilateral trapezoidal. Therefore, in the cross-sectional shape of the recess C, the upper side and the bottom side are parallel, and the remaining two non-parallel sides have the same length, and two angles formed by the two sides and the bottom side may be the same. When the cross-sectional shape of the recess C is an equilateral trapezoid, the inclination degree of the side surface of the recess C is the same, and thus the degree of reflection of light generated from the active layer from the side surface of the recess C may be uniform. At this time, the angle (d) formed by two straight lines extending two non-parallel sides may be 30 degrees to 80 degrees. When the angle (d) is 30 degrees to 80 degrees, the amount of light reflected in the upper direction of the light emitting device is increased due to the reflection angle of the light generated from the active layer with the side surface of the electrode pad 140, and the light extraction efficiency may be increased. .

전극패드(140)의 높이(h2)는 오목부(C)의 깊이(h1)보다 크게 형성될 수 있다. 상기와 같이 형성하면, 전극패드(140)가 발광구조물(130)의 상면보다 높게 형성되어 전극패드(140) 상에 와이어 본딩시 와이어가 안정적으로 형성될 수 있다. The height h2 of the electrode pad 140 may be greater than the depth h1 of the recess C. When formed as described above, the electrode pad 140 is formed higher than the upper surface of the light emitting structure 130, the wire can be stably formed when the wire bonding on the electrode pad 140.

한편, 오목부(C)의 깊이(h1)가 1um보다 얕으면 오목부의 단면형상이 역삼각형인 경우, 측변이 연장된 직선이 이루는 각도(d)가 커지게 되어 오목부의 측면에서 반사된 빛이 외부로 추출되기 어려울 수 있다. 또한, 오목부의 단면형상이 역삼각형이 아닌 경우에도 빛의 방향을 발광소자의 상부방향으로 바꾸도록 반사시킬 수 있는 오목부의 표면의 면적이 감소하여 빛을 효과적으로 반사시키기 어려울 수 있다.On the other hand, when the depth h1 of the recess C is shallower than 1 μm, when the cross-sectional shape of the recess is an inverted triangle, the angle d formed by the straight line with the side edges is increased, so that the light reflected from the side of the recess is increased. It can be difficult to extract to the outside. In addition, even when the cross-sectional shape of the concave portion is not an inverted triangle, the area of the surface of the concave portion which may reflect the light direction to change to the upper direction of the light emitting device may be reduced, so that it may be difficult to effectively reflect light.

반면에, 오목부의 깊이(h1)가 5um보다 깊으면 활성층(132)까지 식각되어 활성층(132)에 손상을 줄 수 있으므로, 오목부(C)의 깊이(h1)는 1um 내지 5um로 형성될 수 있다.On the other hand, if the depth h1 of the recess is deeper than 5 μm, the active layer 132 may be etched to damage the active layer 132. Therefore, the depth h1 of the recess C may be 1 μm to 5 μm. have.

또한, 오목부(C)의 상부폭(W1)이 10um보다 작으면 와이어 본딩을 할 때 공간을 확보하기가 어려우며, 50um보다 크면 발광면을 지나치게 가리는 문제점이 있다. 따라서, 오목부(C)의 상부폭(W1)은 10um 내지 50um일 수 있다.In addition, when the upper width W1 of the recess C is smaller than 10 μm, it is difficult to secure a space when wire bonding, and when larger than 50 μm, the light emitting surface is overly covered. Therefore, the upper width W1 of the recess C may be 10 μm to 50 μm.

전극패드(140)의 상면 및 하면은 평평한 형태일 수 있다. 전극패드(140)의 상면이 평평하면 와이어 본딩의 신뢰성을 높일 수 있다.The top and bottom surfaces of the electrode pad 140 may be flat. If the top surface of the electrode pad 140 is flat, the reliability of wire bonding may be improved.

또한 전극패드(140)의 하면이 평평하면, 전극패드(140)와 제1 도전형 반도체층(131)의 결합력을 증가시킬 수 있으며, 전극패드(140)의 하면에 전류를 균일하게 분산시킬 수 있다.In addition, when the lower surface of the electrode pad 140 is flat, the bonding force between the electrode pad 140 and the first conductive semiconductor layer 131 may be increased, and current may be uniformly distributed on the lower surface of the electrode pad 140. have.

도 3은 실시예에 따른 수직형 발광소자의 단면을 나타내는 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing a cross section of a vertical light emitting device according to the embodiment.

도 3을 참조하면, 실시예에 따른 발광소자(200)는 지지기판(210)과 발광구조물(230) 사이에 전류제한층(280)을 더 포함할 수 있다. 전류제한층(280)은 전극층(220) 내에 위치할 수 있다.Referring to FIG. 3, the light emitting device 200 according to the embodiment may further include a current limiting layer 280 between the support substrate 210 and the light emitting structure 230. The current limiting layer 280 may be located in the electrode layer 220.

전류제한층(280)은 오믹층(221)과 발광 구조물(130) 사이에 형성될 수 있다. 전류확산층(280)은 금속 물질, 오믹층(221) 보다 전기 전도성이 낮은 물질, 제2 도전형 반도체층(233)과 쇼트키 접촉(Schottky contact)을 형성하는 물질, 또는 전기 절연성 물질을 이용하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 전류확산층(280)은 ZnO, SiO2, SiON, Si3N4, Al2O3 , TiO2, Ti, Al, Cr 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The current limiting layer 280 may be formed between the ohmic layer 221 and the light emitting structure 130. The current spreading layer 280 is formed of a metal material, a material having a lower electrical conductivity than the ohmic layer 221, a material forming a Schottky contact with the second conductive semiconductor layer 233, or an electrically insulating material. Can be formed. For example, the current spreading layer 280 may include at least one of ZnO, SiO 2, SiON, Si 3 N 4, Al 2 O 3, TiO 2, Ti, Al, and Cr.

전류제한층(280)은 발광구조물(130)로 흐르는 전류의 흐름을 수평방향으로 분산시킬 수 있으며, 이에 의해 과전류에 의한 발광 소자의 오작동을 방지하여 발광 소자의 안정성 및 신뢰성을 높일 수 있는 효과가 있다. The current limiting layer 280 may disperse the flow of the current flowing to the light emitting structure 130 in the horizontal direction, thereby preventing the malfunction of the light emitting device due to overcurrent, thereby increasing the stability and reliability of the light emitting device. have.

전극패드(240)는 전류제한층(280)과 수직적으로 중첩되어 위치할 수 있다. The electrode pad 240 may be vertically overlapped with the current limiting layer 280.

상기와 같이 수직적으로 중첩되어 위치하면, 전류가 전극패드(240)의 하부에만 집중되는 전류군집현상을 방지할 수 있다.When vertically overlapping as described above, it is possible to prevent the current grouping phenomenon in which the current is concentrated only on the lower portion of the electrode pad 240.

오목부의 상부폭(w1)은 전류제한층(280)의 폭(w2)보다 작게 형성될 수 있다. 오목부의 상부폭(w1)이 전류제한층(280)의 폭(w2)보다 크게 형성되면, 전극패드(240)와 제1 도전형 반도체층(231)이 접하는 영역에 집중된 전류의 일부를 분산시킬 수 없기 때문에 전류제한층(280)의 폭(w2)이 오목부의 상부폭(w1)보다 크게 형성될 수 있다.The upper width w1 of the recess may be smaller than the width w2 of the current limiting layer 280. When the upper width w1 of the concave portion is formed to be larger than the width w2 of the current limiting layer 280, a portion of the current concentrated in the region where the electrode pad 240 and the first conductive semiconductor layer 231 are in contact with each other may be dispersed. Since the width w2 of the current limiting layer 280 may be greater than the upper width w1 of the recess.

도 4 내지 도 7은 실시예에 따른 발광소자의 제조공정을 나타내는 순서도이다.4 to 7 are flowcharts illustrating a manufacturing process of a light emitting device according to an embodiment.

도 4를 참조하면, 먼저, 성장기판(101) 상에 순차적으로 버퍼층(102) 제 1도전형 반도체층(131), 활성층(132), 제2 도전형 반도체층(133)이 형성된다.Referring to FIG. 4, first, a buffer layer 102, a first conductive semiconductor layer 131, an active layer 132, and a second conductive semiconductor layer 133 are sequentially formed on the growth substrate 101.

성장기판(101)은 사파이어 기판(Al203), GaN, SiC, ZnO, Si, GaP, InP, 그리고 GaAs 등으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. The growth substrate 101 may be selected from the group consisting of sapphire substrate Al203, GaN, SiC, ZnO, Si, GaP, InP, and GaAs.

버퍼층(102)은 3족과 5족 원소가 결합된 형태이거나 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 중에서 어느 하나로 이루어질 수 있으며, 도펀트가 도핑될 수도 있다. The buffer layer 102 may be formed by combining Group 3 and Group 5 elements, or may be formed of any one of GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, and AlInN, and dopants may be doped.

이러한 성장기판(101) 또는 버퍼층(102) 위에는 언도프드 반도체(미도시)층이 형성될 수 있으며, 버퍼층(102)과 언도프드 도전형 반도체층(미도시) 중 어느 한 층 또는 두 층 모두 형성하거나 형성하지 않을 수도 있으며, 이러한 구조에 대해 한정되지는 않는다.An undoped semiconductor layer (not shown) may be formed on the growth substrate 101 or the buffer layer 102, and either or both of the buffer layer 102 and the undoped conductive semiconductor layer (not shown) are formed. It may or may not be formed and is not limited to this structure.

버퍼층(102)상에 제1 도전형 반도체층(131), 활성층(132), 제2 도전형 반도체층(133)을 순차적으로 형성할 수 있다.The first conductivity type semiconductor layer 131, the active layer 132, and the second conductivity type semiconductor layer 133 may be sequentially formed on the buffer layer 102.

제1 도전형 반도체층(131)은 챔버에 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 암모니아 가스(NH3), 질소 가스(N2) 및 실리콘(Si)과 같은 N형 불순물을 포함하는 실란 가스(SiH4)를 주입하여 형성할 수 있다.The first conductive semiconductor layer 131 injects silane gas (SiH4) containing N-type impurities such as trimethyl gallium gas (TMGa), ammonia gas (NH3), nitrogen gas (N2), and silicon (Si) into the chamber. Can be formed.

활성층(132)은 트리메틸 갈륨 가스(TMGa) 및 트리메틸 인듐 가스(TMIn)를 주입하면서 질소 분위기에서 성장시킬 수 있으며, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well), 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.The active layer 132 may be grown in a nitrogen atmosphere while injecting trimethyl gallium gas (TMGa) and trimethyl indium gas (TMIn), and a single quantum well structure, a multi quantum well structure (MQW), and a quantum line It may be formed of at least one of a wire structure or a quantum dot structure.

제2 도전형 반도체층(133)은 챔버에 960℃ 이상의 고온에서 수소를 캐리어 카스로 하여 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 트리메틸 알루미늄 가스(TMAl), 비세틸 사이클로 펜타디에닐 마그네슘(EtCp2Mg){Mg(C2H5C5H4)2} 등을 주입하여 성장시킬 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다. The second conductive semiconductor layer 133 has trimethyl gallium gas (TMGa), trimethyl aluminum gas (TMAl), bicetyl cyclopentadienyl magnesium (EtCp2Mg) {Mg ( C2H5C5H4) 2} and the like can be grown, but is not limited thereto.

이후, 제2 도전형 반도체층(133)상에 전극층(120)이 형성될 수 있다. 전극층(120)은 제2 도전형 반도체층이 접하는 면에 오믹층(121)이 형성될 수 있으며, 오믹층(121)상에 반사층(122)이 형성될 수 있다.Thereafter, the electrode layer 120 may be formed on the second conductivity-type semiconductor layer 133. The ohmic layer 121 may be formed on a surface of the electrode layer 120 that is in contact with the second conductive semiconductor layer, and the reflective layer 122 may be formed on the ohmic layer 121.

도 5를 참조하면, 결합층(160)이 배치된 지지기판(110)이 본딩 접착될 수 있는데. 결합층(160)상에는 전도층(미도시)을 형성할 수 있다. Referring to FIG. 5, the support substrate 110 on which the bonding layer 160 is disposed may be bonded and bonded. A conductive layer (not shown) may be formed on the bonding layer 160.

전도층(미도시)은 스퍼터링 증착 방법을 사용하여 형성할 수 있다. 스퍼터링 증착 방법을 사용할 경우, 이온화된 원자를 전기장에 의해 가속시켜, 전도층(미도시)의 소스 재료(source material)에 충돌시키면, 소스 재료의 원자들이 튀어나와 증착된다. 또한, 실시예에 따라 전기 화학적인 금속 증착 방법이나, 유테틱 메탈을 이용한 본딩 방법 등을 사용할 수도 있다. The conductive layer (not shown) can be formed using a sputtering deposition method. When using a sputtering deposition method, when ionized atoms are accelerated by an electric field and impinge on a source material of a conductive layer (not shown), atoms of the source material are ejected and deposited. In addition, according to the embodiment, an electrochemical metal deposition method, a bonding method using a eutectic metal, or the like may be used.

이 때, 제1 도전형 반도체층(131) 상에 배치된 성장기판(101)을 분리시킬 수 있다.In this case, the growth substrate 101 disposed on the first conductivity type semiconductor layer 131 may be separated.

이 때, 성장기판(101)은 물리적 또는/및 화학적 방법으로 제거할 수 있으며, 물리적 방법은 일 예로 LLO(laser lift off) 방식으로 제거할 수 있다.In this case, the growth substrate 101 may be removed by a physical or / and chemical method, the physical method may be removed by, for example, a laser lift off (LLO) method.

한편, 성장기판(101)의 제거 후 발광 구조물(130)의 위에 배치된 버퍼층(102)을 제거해 줄 수 있다. 이 때, 버퍼층(102)은 건식 또는 습식 식각 방법, 또는 연마 공정을 통해 제거할 수 있다.Meanwhile, after the growth substrate 101 is removed, the buffer layer 102 disposed on the light emitting structure 130 may be removed. In this case, the buffer layer 102 may be removed through a dry or wet etching method or a polishing process.

도 6을 참조하면, 제1 도전형 반도체층(131)의 일부를 식각하여 오목부(C)를 형성할 수 있다. 식각하는 깊이는 제1 도전형 반도체층(131)의 두께 내에서 조절하며, 건식 식각 방법과 습식 식각 방법을 이용할 수 있다. 또한 활성층(132)이 닿지 않는 범위 내에서 식각할 수 있다. 발광 구조물(130)의 외곽부 영역을 식각하여 경사를 가지게 할 수 있다.Referring to FIG. 6, a recess C may be formed by etching a portion of the first conductivity-type semiconductor layer 131. The etching depth is controlled within the thickness of the first conductivity type semiconductor layer 131, and may be a dry etching method or a wet etching method. In addition, the active layer 132 may be etched within a range not reached. The outer region of the light emitting structure 130 may be etched to have an inclination.

도 7을 참조하면, 제1 도전형 반도체층(131)에 형성된 오목부의 표면에 전극패드(140)가 형성될 수 있다. 전극패드(140)는 전도성 재질로 형성될 수 있으며, 활성층(132)에서 발생한 빛을 반사시키기 위하여 반사물질을 포함하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 니켈(Ni), 티탄(Ti), 알류미늄(Al), 은(Ag), 텅스텐(W), 구리(Cu), 크롬(Cr), 바나듐(V), 금(Au) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 다만 이에 한정되는 것은 아니다.Referring to FIG. 7, an electrode pad 140 may be formed on a surface of a recess formed in the first conductivity type semiconductor layer 131. The electrode pad 140 may be formed of a conductive material, and may include a reflective material to reflect light generated from the active layer 132. For example, at least one of nickel (Ni), titanium (Ti), aluminum (Al), silver (Ag), tungsten (W), copper (Cu), chromium (Cr), vanadium (V), and gold (Au) It can be formed as one. However, the present invention is not limited thereto.

또한, 발광구조물(230)의 외주면 일부 또는 전체 영역에 패시베이션층(150)이 형성될 수 있고, 패시베이션층(150)은 절연성 재질로 형성될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(131)의 상면에 광추출 효율을 증가시키기 위한 요철(170)을 형성할 수 있다.In addition, the passivation layer 150 may be formed on a portion or the entire area of the outer circumferential surface of the light emitting structure 230, and the passivation layer 150 may be formed of an insulating material. An uneven surface 170 may be formed on the upper surface of the first conductive semiconductor layer 131 to increase light extraction efficiency.

또한, 도 4 내지 도 7에 나타낸 공정 순서에서 적어도 하나의 공정은 순서가 바뀔 수 있으며 이에 한정을 두지 않는다.In addition, at least one process in the process sequence illustrated in FIGS. 4 to 7 may be changed in order, but is not limited thereto.

도 8은 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 발광소자패키지의 단면을 도시한 단면도이다.8 is a cross-sectional view showing a cross section of a light emitting device package including a light emitting device according to the embodiment.

도 8을 참조하면, 실시예에 따른 발광소자패키지(300)는 캐비티가 형성된 몸체(310), 몸체(310)의 캐비티에 실장된 광원부(320) 및 캐비티에 충진되는 봉지재(350)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 8, the light emitting device package 300 according to the embodiment includes a body 310 in which a cavity is formed, a light source unit 320 mounted in a cavity of the body 310, and an encapsulant 350 filled in the cavity. can do.

몸체(310)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 알루미늄 나이트라이드(AlN), 액정폴리머(PSG, photo sensitive glass), 폴리아미드9T(PA9T), 신지오택틱폴리스티렌(SPS), 금속 재질, 사파이어(Al2O3), 베릴륨 옥사이드(BeO), 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board), 세라믹 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 몸체(310)는 사출 성형, 에칭 공정 등에 의해 형성될 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The body 310 is made of a resin material such as polyphthalamide (PPA), silicon (Si), aluminum (Al), aluminum nitride (AlN), photosensitive glass (PSG), polyamide 9T (PA9T) ), Neo geotactic polystyrene (SPS), a metal material, sapphire (Al2O3), beryllium oxide (BeO), a printed circuit board (PCB, Printed Circuit Board), it may be formed of at least one. The body 310 may be formed by injection molding, etching, or the like, but is not limited thereto.

광원부(320)는 몸체(310)의 바닥면에 실장되며, 일 예로 광원부(320)는 도 1 내지 도 3에서 도시하고 설명한 발광소자 중 어느 하나일 수 있다. 발광소자는 예를 들어, 적색, 녹색, 청색, 백색 등의 빛을 방출하는 유색 발광 소자 또는 자외선을 방출하는 UV(Ultra Violet) 발광 소자일 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한, 발광 소자는 한 개 이상 실장될 수 있다.The light source unit 320 may be mounted on the bottom surface of the body 310. For example, the light source unit 320 may be any one of the light emitting devices illustrated and described with reference to FIGS. 1 to 3. The light emitting device may be, for example, a colored light emitting device emitting light of red, green, blue, white, or the like, or an ultraviolet (UV) light emitting device emitting ultraviolet light, but is not limited thereto. In addition, one or more light emitting elements can be mounted.

몸체(310)는 제1 전극(330) 및 제2 전극(340)을 포함할 수 있다. 제1 전극(330) 및 제2 전극(340)은 광원부(320)와 전기적으로 연결되어 광원부(320)에 전원을 공급할 수 있다.The body 310 may include a first electrode 330 and a second electrode 340. The first electrode 330 and the second electrode 340 may be electrically connected to the light source 320 to supply power to the light source 320.

또한, 제1 전극(330) 및 제2 전극(340)은 서로 전기적으로 분리되며, 광원부(320)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있고, 또한 광원부(320)에서 발생된 열을 외부로 배출시킬 수 있다.In addition, the first electrode 330 and the second electrode 340 are electrically separated from each other, and may reflect light generated from the light source unit 320 to increase light efficiency, and also generate heat generated from the light source unit 320. Can be discharged to the outside.

도 8에는 제1 전극(330)과 제2 전극(340) 모두가 와이어(360)에 의해 광원부(320)와 본딩된 것을 도시하나, 이에 한정하지 않으며, 특히 수직형 발광소자의 경우는 제1 전극(330) 및 제2 전극(340) 중 어느 하나가 와이어(360)에 의해 광원부(320)와 본딩될 수 있으며, 플립칩 방식에 의해 와이어(360) 없이 광원부(320)와 전기적으로 연결될 수도 있다.8 illustrates that both the first electrode 330 and the second electrode 340 are bonded to the light source unit 320 by the wire 360, but the present invention is not limited thereto. Any one of the electrode 330 and the second electrode 340 may be bonded to the light source unit 320 by the wire 360, or may be electrically connected to the light source unit 320 without the wire 360 by a flip chip method. have.

이러한 제1 전극(330) 및 제2 전극(340)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P), 알루미늄(Al), 인듐(In), 팔라듐(Pd), 코발트(Co), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 하프늄(Hf), 루테늄(Ru), 철(Fe) 중에서 하나 이상의 물질 또는 합금을 포함할 수 있다. 또한, 제1 전극(330) 및 제2 전극(340)은 단층 또는 다층 구조를 가지도록 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first electrode 330 and the second electrode 340 are made of a metal material, for example, titanium (Ti), copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au), chromium (Cr), and tantalum ( Ta, platinum (Pt), tin (Sn), silver (Ag), phosphorus (P), aluminum (Al), indium (In), palladium (Pd), cobalt (Co), silicon (Si), germanium ( Ge), hafnium (Hf), ruthenium (Ru), iron (Fe) may include one or more materials or alloys. In addition, the first electrode 330 and the second electrode 340 may be formed to have a single layer or a multilayer structure, but is not limited thereto.

봉지재(350)는 캐비티에 충진될 수 있으며, 형광체(미도시)를 포함할 수 있다. 봉지재(350)는 투명한 실리콘, 에폭시, 및 기타 수지 재질로 형성될 수 있으며, 캐비티 내에 충진한 후, 이를 자외선 또는 열 경화하는 방식으로 형성될 수 있다. The encapsulant 350 may be filled in the cavity, and may include a phosphor (not shown). The encapsulant 350 may be formed of transparent silicone, epoxy, and other resin materials, and may be formed by filling in a cavity and then ultraviolet or thermal curing.

형광체(미도시)는 광원부(320)에서 방출되는 광의 파장에 따라 종류가 선택되어 발광소자패키지(300)가 백색광을 구현하도록 할 수 있다.The phosphor (not shown) may be selected according to the wavelength of the light emitted from the light source unit 320 so that the light emitting device package 300 may implement white light.

봉지재(350)에 포함되어 있는 형광체(미도시)는 광원부(320)에서 방출되는 광의 파장에 따라 청색 발광 형광체, 청록색 발광 형광체, 녹색 발광 형광체, 황녹색 발광 형광체, 황색 발광 형광체, 황적색 발광 형광체, 오렌지색 발광 형광체, 및 적색 발광 형광체중 하나가 적용될 수 있다. The phosphor (not shown) included in the encapsulant 350 may be a blue light emitting phosphor, a cyan light emitting phosphor, a green light emitting phosphor, a yellow green light emitting phosphor, a yellow light emitting phosphor, or a yellow red light emitting phosphor according to a wavelength of light emitted from the light source unit 320. One of orange luminescent phosphor, and red luminescent phosphor can be applied.

즉, 형광체(미도시)는 광원부(320)에서 방출되는 제1 빛을 가지는 광에 의해 여기 되어 제2 빛을 생성할 수 있다. 예를 들어, 광원부(320)가 청색 발광 다이오드이고 형광체(미도시)가 황색 형광체인 경우, 황색 형광체는 청색 빛에 의해 여기되어 황색 빛을 방출할 수 있으며, 청색 발광 다이오드에서 발생한 청색 빛 및 청색 빛에 의해 여기 되어 발생한 황색 빛이 혼색됨에 따라 발광소자패키지(300)는 백색 빛을 제공할 수 있다. That is, the phosphor (not shown) may be excited by the light having the first light emitted from the light source unit 320 to generate the second light. For example, when the light source unit 320 is a blue light emitting diode and the phosphor (not shown) is a yellow phosphor, the yellow phosphor may be excited by blue light to emit yellow light, and blue light and blue generated from the blue light emitting diode As the yellow light generated by being excited by the light is mixed, the light emitting device package 300 may provide white light.

도 9a는 실시예에 따른 발광소자 모듈을 포함하는 조명장치를 도시한 사시도이며, 도 9b는 도 9a의 조명장치의 C-C'단면을 도시한 단면도이다.9A is a perspective view illustrating a lighting device including a light emitting device module according to an embodiment, and FIG. 9B is a cross-sectional view illustrating a cross-sectional view taken along line C-C 'of the lighting device of FIG. 9A.

즉, 도 9b는 도 9a의 조명장치(400)를 길이방향(Z)과 높이방향(X)의 면으로 자르고, 수평방향(Y)으로 바라본 단면도이다.That is, FIG. 9B is a cross-sectional view of the lighting apparatus 400 of FIG. 9A cut in the plane of the longitudinal direction Z and the height direction X, and viewed in the horizontal direction Y. FIG.

도 9a 및 도 9b를 참조하면, 조명장치(400)는 몸체(410), 몸체(410)와 체결되는 커버(430) 및 몸체(410)의 양단에 위치하는 마감캡(450)을 포함할 수 있다.9A and 9B, the lighting device 400 may include a body 410, a cover 430 fastened to the body 410, and a closing cap 450 positioned at both ends of the body 410. have.

몸체(410)의 하부면에는 발광소자 모듈(440)이 체결되며, 몸체(410)는 발광소자 패키지(444)에서 발생한 열이 몸체(410)의 상부면을 통해 외부로 방출할 수 있도록 전도성 및 열발산 효과가 우수한 금속재질로 형성될 수 있고, 이에 한정하지 아니한다.The lower surface of the body 410 is fastened to the light emitting device module 440, the body 410 is conductive and so that the heat generated from the light emitting device package 444 can be discharged to the outside through the upper surface of the body 410 The heat dissipation effect may be formed of an excellent metal material, but is not limited thereto.

특히, 발광소자 모듈(440)는 발광소자 패키지(444)를 둘러싸는 밀봉부(미도시)를 포함하여 이물질의 침투가 방지될 수 있어서 신뢰성이 향상될 수 있고, 아울러 신뢰성 있는 조명장치(400)의 구현이 가능해진다.In particular, the light emitting device module 440 may include a sealing part (not shown) surrounding the light emitting device package 444 to prevent penetration of foreign matters, thereby improving reliability, and also providing reliable lighting apparatus 400. Implementation of.

발광소자 패키지(444)는 기판(442) 상에 다색, 다열로 실장되어 모듈을 이룰 수 있으며, 동일한 간격으로 실장되거나 또는 필요에 따라서 다양한 이격 거리를 가지고 실장될 수 있어 밝기 등을 조절할 수 있다. 이러한 기판(442)으로 MCPCB(Metal Core PCB) 또는 FR4 재질의 PCB 를 사용할 수 있다.The light emitting device package 444 may be mounted on the substrate 442 in multiple colors and in multiple rows to form a module. The light emitting device package 444 may be mounted at the same interval or may be mounted at various separation distances as necessary to adjust brightness. As the substrate 442, a metal core PCB (MCPCB) or a PCB made of FR4 may be used.

커버(430)는 몸체(410)의 하부면을 감싸도록 원형의 형태로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않음은 물론이다.The cover 430 may be formed in a circular shape to surround the lower surface of the body 410, but is not limited thereto.

커버(430)는 내부의 발광소자 모듈(440)을 외부의 이물질 등으로부터 보호한다. 또한, 커버(430)는 발광소자 패키지(444)에서 발생한 광의 눈부심을 방지하고, 외부로 광을 균일하게 방출할 수 있도록 확산입자를 포함할 수 있으며, 또한 커버(430)의 내면 및 외면 중 적어도 어느 한 면에는 프리즘 패턴 등이 형성될 수 있다. 또한 커버(430)의 내면 및 외면 중 적어도 어느 한 면에는 형광체가 도포될 수도 있다. The cover 430 protects the light emitting device module 440 from the outside and the like. In addition, the cover 430 may include diffusing particles to prevent glare of the light generated from the light emitting device package 444 and to uniformly emit light to the outside, and may also include at least one of an inner surface and an outer surface of the cover 430. A prism pattern or the like may be formed on either side. In addition, a phosphor may be applied to at least one of an inner surface and an outer surface of the cover 430.

한편, 발광소자 패키지(444)에서 발생하는 광은 커버(430)를 통해 외부로 방출되므로, 커버(430)는 광투과율이 우수하여야 하며, 발광소자 패키지(444)에서 발생하는 열에 견딜 수 있도록 충분한 내열성을 구비하고 있어야 하는 바, 커버(430)는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylen?Terephthalate;?PET), 폴리카보네이트(Polycarbonate;?PC), 또는 폴리메틸 메타크릴레이트(Polymethyl Methacrylate; PMMA) 등을 포함하는 재질로 형성되는 것이 바람직하다.On the other hand, since the light generated from the light emitting device package 444 is emitted to the outside through the cover 430, the cover 430 should be excellent in the light transmittance, sufficient to withstand the heat generated in the light emitting device package 444 The cover 430 should be provided with heat resistance, and the cover 430 may include polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), polymethyl methacrylate (PMMA), or the like. It is preferably formed of a material.

마감캡(450)은 몸체(410)의 양단에 위치하며 전원장치(미도시)를 밀폐하는 용도로 사용될 수 있다. 또한 마감캡(450)에는 전원 핀(452)이 형성되어 있어, 실시예에 따른 조명장치(400)는 기존의 형광등을 제거한 단자에 별도의 장치 없이 곧바로 사용할 수 있게 된다.Closing cap 450 is located at both ends of the body 410 may be used for sealing the power supply (not shown). In addition, the closing cap 450 is a power pin 452 is formed, the lighting device 400 according to the embodiment can be used immediately without a separate device to the terminal from which the existing fluorescent lamps are removed.

도 10 및 도 11은 실시예에 따른 광학시트를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.10 and 11 are exploded perspective views of a liquid crystal display device including the optical sheet according to the embodiment.

도 10는 에지-라이트 방식으로, 액정 표시 장치(500)는 액정표시패널(510)과 액정표시패널(510)로 빛을 제공하기 위한 백라이트 유닛(570)을 포함할 수 있다.FIG. 10 illustrates an edge-light method, and the liquid crystal display 500 may include a liquid crystal display panel 510 and a backlight unit 570 for providing light to the liquid crystal display panel 510.

액정표시패널(510)은 백라이트 유닛(570)으로부터 제공되는 광을 이용하여 화상을 표시할 수 있다. 액정표시패널(510)은 액정을 사이에 두고 서로 대향하는 컬러 필터 기판(512) 및 박막 트랜지스터 기판(514)을 포함할 수 있다.The liquid crystal display panel 510 may display an image by using light provided from the backlight unit 570. The liquid crystal display panel 510 may include a color filter substrate 512 and a thin film transistor substrate 514 facing each other with a liquid crystal interposed therebetween.

컬러 필터 기판(512)은 액정표시패널(510)을 통해 디스플레이되는 화상의 색을 구현할 수 있다.The color filter substrate 512 may implement colors of an image displayed through the liquid crystal display panel 510.

박막 트랜지스터 기판(514)은 구동 필름(517)을 통해 다수의 회로부품이 실장되는 인쇄회로기판(518)과 전기적으로 접속되어 있다. 박막 트랜지스터 기판(514)은 인쇄회로기판(518)으로부터 제공되는 구동 신호에 응답하여 인쇄회로기판(518)으로부터 제공되는 구동 전압을 액정에 인가할 수 있다.The thin film transistor substrate 514 is electrically connected to the printed circuit board 518 on which a plurality of circuit components are mounted through the driving film 517. The thin film transistor substrate 514 may apply a driving voltage provided from the printed circuit board 518 to the liquid crystal in response to a driving signal provided from the printed circuit board 518.

박막 트랜지스터 기판(514)은 유리나 플라스틱 등과 같은 투명한 재질의 다른 기판상에 박막으로 형성된 박막 트랜지스터 및 화소 전극을 포함할 수 있다. The thin film transistor substrate 514 may include a thin film transistor and a pixel electrode formed of a thin film on another substrate of a transparent material such as glass or plastic.

백라이트 유닛(570)은 빛을 출력하는 발광소자 모듈(520), 발광소자 모듈(520)로부터 제공되는 빛을 면광원 형태로 변경시켜 액정표시패널(510)로 제공하는 도광판(530), 도광판(530)으로부터 제공된 빛의 휘도 분포를 균일하게 하고 수직 입사성을 향상시키는 다수의 필름(550, 566, 564) 및 도광판(530)의 후방으로 방출되는 빛을 도광판(530)으로 반사시키는 반사 시트(540)로 구성된다.The backlight unit 570 may convert the light provided from the light emitting device module 520, the light emitting device module 520 into a surface light source, and provide the light guide plate 530 to the liquid crystal display panel 510. Reflective sheet for reflecting the light emitted from the rear of the light guide plate 530 and the plurality of films 550, 566, 564 to uniform the luminance distribution of the light provided from the 530 and improve the vertical incidence ( 540.

발광소자 모듈(520)은 복수의 발광소자 패키지(524)와 복수의 발광소자 패키지(524)가 실장되어 모듈을 이룰 수 있도록 PCB기판(522)을 포함할 수 있다.The light emitting device module 520 may include a PCB substrate 522 so that a plurality of light emitting device packages 524 and a plurality of light emitting device packages 524 may be mounted to form a module.

특히, 발광소자 모듈(520)는 발광소자 패키지(524)를 둘러싸는 밀봉부(미도시)를 포함하여 이물질의 침투가 방지될 수 있어서 신뢰성이 향상될 수 있고, 아울러 신뢰성 있는 백라이트 유닛(570)의 구현이 가능해진다.In particular, the light emitting device module 520 may include a sealing part (not shown) surrounding the light emitting device package 524 to prevent foreign matter from penetrating, thereby improving reliability, and also providing reliable backlight unit 570. Implementation of.

한편, 백라이트유닛(570)은 도광판(530)으로부터 입사되는 빛을 액정 표시 패널(510) 방향으로 확산시키는 확산필름(566)과, 확산된 빛을 집광하여 수직 입사성을 향상시키는 프리즘필름(550)으로 구성될 수 있으며, 프리즘필름(550)를 보호하기 위한 보호필름(564)을 포함할 수 있다.Meanwhile, the backlight unit 570 includes a diffusion film 566 for diffusing light incident from the light guide plate 530 toward the liquid crystal display panel 510, and a prism film 550 for condensing the diffused light to improve vertical incidence. ), And may include a protective film 564 to protect the prism film 550.

도 11은 실시예에 따른 광학시트를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다. 다만, 도 10에서 도시하고 설명한 부분에 대해서는 반복하여 상세히 설명하지 않는다.11 is an exploded perspective view of a liquid crystal display device including the optical sheet according to the embodiment. However, the parts shown and described in FIG. 10 will not be repeatedly described in detail.

도 11은 직하 방식으로, 액정 표시 장치(600)는 액정표시패널(610)과 액정표시패널(610)로 빛을 제공하기 위한 백라이트 유닛(670)을 포함할 수 있다.11 is a direct view, the liquid crystal display 600 may include a liquid crystal display panel 610 and a backlight unit 670 for providing light to the liquid crystal display panel 610.

액정표시패널(610)은 도 10에서 설명한 바와 동일하므로, 상세한 설명은 생략한다.Since the liquid crystal display panel 610 is the same as that described with reference to FIG. 10, a detailed description thereof will be omitted.

백라이트 유닛(670)은 복수의 발광소자 모듈(623), 반사시트(624), 발광소자 모듈(623)과 반사시트(624)가 수납되는 하부 섀시(630), 발광소자 모듈(623)의 상부에 배치되는 확산판(640) 및 다수의 광학필름(660)을 포함할 수 있다.The backlight unit 670 may include a plurality of light emitting device modules 623, a reflective sheet 624, a lower chassis 630 in which the light emitting device modules 623 and the reflective sheet 624 are accommodated, and an upper portion of the light emitting device module 623. It may include a diffusion plate 640 and a plurality of optical film 660 disposed in the.

발광소자 모듈(623) 복수의 발광소자 패키지(622)와 복수의 발광소자 패키지(622)가 실장되어 모듈을 이룰 수 있도록 PCB기판(621)을 포함할 수 있다.LED Module 623 A plurality of light emitting device packages 622 and a plurality of light emitting device packages 622 may be mounted to include a PCB substrate 621 to form a module.

특히, 발광소자 모듈(623)는 발광소자 패키지(622)를 둘러싸는 밀봉부(미도시)를 포함하여 이물질의 침투가 방지될 수 있어서 신뢰성이 향상될 수 있고, 아울러 신뢰성 있는 백라이트 유닛(670)의 구현이 가능해진다.In particular, the light emitting device module 623 may include a sealing part (not shown) surrounding the light emitting device package 622 to prevent foreign matter from penetrating, thereby improving reliability, and also providing reliable backlight unit 670. Implementation of.

반사 시트(624)는 발광소자 패키지(622)에서 발생한 빛을 액정표시패널(610)이 위치한 방향으로 반사시켜 빛의 이용 효율을 향상시킨다.The reflective sheet 624 reflects the light generated from the light emitting device package 622 in the direction in which the liquid crystal display panel 610 is positioned to improve light utilization efficiency.

한편, 발광소자 모듈(623)에서 발생한 빛은 확산판(640)에 입사하며, 확산판(640)의 상부에는 광학 필름(660)이 배치된다. 광학 필름(660)은 확산 필름(666), 프리즘필름(650) 및 보호필름(664)를 포함하여 구성된다.On the other hand, the light generated from the light emitting device module 623 is incident on the diffusion plate 640, the optical film 660 is disposed on the diffusion plate 640. The optical film 660 includes a diffusion film 666, a prism film 650, and a protective film 664.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어서는 안될 것이다.Although the above has been illustrated and described with respect to preferred embodiments of the present invention, the present invention is not limited to the specific embodiments described above, but in the art to which the invention pertains without departing from the spirit of the invention as claimed in the claims. Various modifications can be made by those skilled in the art, and these modifications should not be individually understood from the technical spirit or the prospect of the present invention.

110: 지지기판 120: 전극층
130: 발광구조물 131: 제1 도전형 반도체층
132: 활성층 133: 제2 도전형 반도체층
140: 전극패드 150: 패시베이션층
160: 결합층 170: 요철110: support substrate 120: electrode layer
130: light emitting structure 131: first conductive semiconductor layer
132: active layer 133: second conductive semiconductor layer
140: electrode pad 150: passivation layer
160: bonding layer 170: irregularities

Claims (16)

지지기판;
상기 지지기판 상에 위치하고, 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 활성층을 포함하는 발광구조물; 및
상기 발광구조물 상에 위치하는 전극패드를 포함하고,
상기 발광구조물의 상면은 오목부를 포함하고, 상기 전극패드는 상기 오목부의 표면과 접하는 발광소자.Support substrate;
A light emitting structure on the support substrate and including a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer, and an active layer between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer; And
An electrode pad positioned on the light emitting structure;
The upper surface of the light emitting structure includes a recess, the electrode pad is in contact with the surface of the recess. 제1항에 있어서,
상기 제2 도전형 반도체층이 상기 지지기판과 접하고, 상기 제2 도전형 반도체층 상에 상기 활성층 및 상기 제1 도전형 반도체층이 순차적으로 위치하며,
상기 전극패드는 상기 제1 도전형 반도체층과 접하고, 상기 오목부는 상기 제1 도전형 반도체층의 상면에 형성된 발광소자. The method of claim 1,
The second conductive semiconductor layer is in contact with the support substrate, and the active layer and the first conductive semiconductor layer are sequentially positioned on the second conductive semiconductor layer,
The electrode pad is in contact with the first conductivity type semiconductor layer, the recess is formed on the upper surface of the first conductivity type semiconductor layer. 제1항에 있어서,
상기 오목부는 하부에서 상부 방향으로 갈수록 폭이 넓어지는 발광소자.The method of claim 1,
The concave portion is a light emitting device that is wider from the bottom toward the upper direction. 제1항에 있어서,
상기 오목부의 수직단면형상은 등각 사다리꼴이며, 상기 등각 사다리꼴의 평행하지 않은 두 변이 연장된 두 직선이 이루는 각도는 30도 내지 80도인 발광소자.The method of claim 1,
The vertical cross-sectional shape of the concave portion is a trapezoidal trapezoid, the angle formed by two straight lines extending two non-parallel sides of the conformal trapezoid is 30 to 80 degrees. 제1항에 있어서,
상기 오목부의 깊이는 1um 내지 5um인 발광소자.The method of claim 1,
The recessed portion has a depth of 1um to 5um. 제1항에 있어서,
상기 오목부의 상부폭은 10um 내지 50um인 발광소자.The method of claim 1,
The upper width of the recess is 10um to 50um light emitting device. 제1항에 있어서,
상기 지지기판과 상기 발광구조물 사이에 전류제한층을 더 포함하고,
상기 오목부는 상기 전류제한층과 수직적으로 중첩되게 위치하는 발광소자.The method of claim 1,
Further comprising a current limiting layer between the support substrate and the light emitting structure,
The concave portion is positioned to vertically overlap the current limiting layer. 제7항에 있어서,
상기 오목부의 상부폭은 전류제한층의 폭보다 작은 발광소자. The method of claim 7, wherein
The upper width of the concave portion is smaller than the width of the current limiting layer. 제1항에 있어서,
상기 전극패드는 반사물질을 포함하는 발광소자.The method of claim 1,
The electrode pad includes a light emitting device. 제1항에 있어서,
상기 전극패드와 상기 오목부가 접하는 표면에 반사물질을 포함하는 발광소자.The method of claim 1,
A light emitting device comprising a reflective material on a surface of the electrode pad and the recess. 제1항에 있어서,
상기 전극패드는 Cr, Au, Al, Ni, Cu, W 및 Ag 중 적어도 어느 하나를 포함하는 발광소자.The method of claim 1,
The electrode pad includes at least one of Cr, Au, Al, Ni, Cu, W and Ag. 제1항에 있어서,
상기 전극패드의 상면 및 하면은 평평하게 형성된 발광소자.The method of claim 1,
The upper and lower surfaces of the electrode pad is formed flat. 제1항에 있어서,
상기 전극패드의 높이는 상기 오목부의 깊이보다 큰 발광소자.The method of claim 1,
The height of the electrode pad is larger than the depth of the recess. 제1항에 있어서,
상기 발광구조물의 외주면 일부 또는 전체에 패시베이션층이 형성된 발광소자.The method of claim 1,
A light emitting device in which a passivation layer is formed on part or the entire outer circumferential surface of the light emitting structure. 제1항에 있어서,
상기 제1 도전형 반도체층의 상면은 요철을 포함하는 발광소자.The method of claim 1,
The upper surface of the first conductivity type semiconductor layer includes a light emitting device. 제1항에 있어서,
상기 지지기판과 상기 발광구조물 사이에 전극층을 더 포함하는 발광소자.


The method of claim 1,
The light emitting device further comprises an electrode layer between the support substrate and the light emitting structure.


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