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KR20120138838A - Glass substrate production method - Google Patents

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KR20120138838A
KR20120138838A KR1020127031388A KR20127031388A KR20120138838A KR 20120138838 A KR20120138838 A KR 20120138838A KR 1020127031388 A KR1020127031388 A KR 1020127031388A KR 20127031388 A KR20127031388 A KR 20127031388A KR 20120138838 A KR20120138838 A KR 20120138838A
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glass
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데쯔오 기미지마
노리유끼 히오끼
신고 후지모또
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아반스트레이트 가부시키가이샤
아반스트레이트 타이완 인크
아반스트레이트코리아 주식회사
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Abstract

PURPOSE: A manufacturing method of glass substrates is provided to maintain the viscosity or convection of molten glasses by controlling joule heat based on the resistivity. CONSTITUTION: A manufacturing method of glass substrates comprises the following step: manufacturing molten glass by melting the raw material of the glass. The dissolution processing comprises the following steps: generating Joule heating by spilling current to the molten glass by arranging the molten glass between a pair of electrodes(114) and applying the voltage; calculating resistivity of the molten glass by measuring the current and voltage value; and controlling the Joule heating based on the calculated resistivity. The pair of electrodes is used as pairs. In each pair of the electrodes, the domain in which current flows is set up. In the resistivity calculation step, the resistivity is calculated from each domain. In the Joule heat modulating step, the Joule heat is controlled at each domain. [Reference numerals] (116) Control unit; (118) Computer

Description

글래스 기판의 제조 방법{GLASS SUBSTRATE PRODUCTION METHOD}Glass substrate manufacturing method {GLASS SUBSTRATE PRODUCTION METHOD}

본 발명은, 글래스 기판의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for producing a glass substrate.

액정 디스플레이나 플라즈마 디스플레이 등의 플랫 패널 디스플레이(이하 FPD라 함)에 이용하는 글래스 기판은, 예를 들면 두께가 0.5?0.7㎜이고, 사이즈가 300×400㎜?2850×3050㎜의 것이 주류이다.Glass substrates used for flat panel displays (hereinafter referred to as FPDs), such as liquid crystal displays and plasma displays, have a thickness of, for example, 0.5 to 0.7 mm and a size of 300 x 400 mm to 2850 x 3050 mm.

FPD용 글래스 기판의 제조 방법으로서, 오버플로우 다운드로법이 알려져 있다. 오버플로우 다운드로법에서는, 성형로에서, 용융 글래스의 성형체의 상부로부터 용융 글래스를 넘치게 함으로써 용융 글래스로부터 시트 글래스가 성형되고, 성형된 시트 글래스가 서냉되고, 절단된다. 그 후, 절단된 시트 글래스는, 또한, 고객의 사양에 맞추어 소정 사이즈로 절단되고, 세정, 단면 연마 등이 행해져, FDP용 글래스 기판으로서 출하된다.The overflow down draw method is known as a manufacturing method of the glass substrate for FPD. In the overflow down draw method, in the forming furnace, the sheet glass is molded from the molten glass by overflowing the molten glass from the upper part of the molded body of the molten glass, and the molded sheet glass is slowly cooled and cut. Thereafter, the cut sheet glass is further cut to a predetermined size in accordance with the specification of the customer, washed, polished in one side, and shipped as a glass substrate for FDP.

FPD용 글래스 기판 중, 특히 액정 표시 장치용 글래스 기판은, 그 표면에 반도체 소자가 형성되기 때문에, 알칼리 금속 성분을 전혀 함유하지 않거나 또는 함유되어 있어도 반도체 소자 등에 영향을 미치지 않을 정도의 미량인 것이 바람직하다.Of the glass substrates for FPD, in particular, the glass substrates for liquid crystal display devices have a semiconductor element formed on the surface thereof, and therefore it is preferable that the glass substrates for liquid crystal display devices contain a small amount of alkali metal components that do not contain at all or do not affect the semiconductor elements or the like. Do.

또한, 글래스 기판 중에 기포가 존재하면 표시 결점의 원인으로 되기 때문에, 기포가 존재하는 글래스 기판은, FPD용 글래스 기판으로서 이용할 수는 없다. 이 때문에, 기포가 글래스 기판에 잔존하지 않는 것이 요구되고 있다.In addition, the presence of bubbles in the glass substrate causes display defects. Therefore, the glass substrate with bubbles cannot be used as a glass substrate for FPD. For this reason, it is calculated | required that a bubble does not remain in a glass substrate.

또한, 글래스 기판에 글래스 조성의 불균일(글래스 조성이 균일하지 않은 것)이 존재하면, 예를 들면 맥리라 불리는 줄무늬 형상의 결함이 발생한다. 이 맥리는, 글래스 조성의 불균질에 기인하는 용융 글래스의 점도의 차이로부터, 성형 시의 용융 글래스의 표면에 미세한 표면 요철을 형성하고, 이 표면 요철이 글래스 기판에도 잔존한다. 이 때문에, 이 글래스 기판을 액정 패널용의 글래스 기판으로서, 액정 패널에 내장하였을 때, 셀 갭에 오차가 발생하거나, 혹은, 표시 불균일을 일으키는 원인으로 된다. 이 때문에, 글래스 기판의 제조 단계에서 맥리 등의 글래스 조성의 불균일을 일으키지 않도록 할 필요가 있다.In addition, when a glass composition nonuniformity (a glass composition is not uniform) exists in a glass substrate, the stripe-shaped defect called a stiffness arises, for example. This stria forms fine surface irregularities on the surface of the molten glass at the time of molding from the difference in the viscosity of the molten glass due to the heterogeneity of the glass composition, and the surface irregularities also remain on the glass substrate. For this reason, when this glass substrate is incorporated into a liquid crystal panel as a glass substrate for liquid crystal panels, an error may arise in a cell gap or it may cause display nonuniformity. For this reason, it is necessary to prevent the nonuniformity of glass composition, such as a stria, from occurring at the manufacturing stage of a glass substrate.

상기와 같은 글래스 기판을 제조할 때에, 종래부터 용융 글래스에 대한 통전 가열이 행해지고 있다.When manufacturing such a glass substrate, the electricity supply heating with respect to molten glass is performed conventionally.

이와 같은 통전 가열의 일례로서, 복수의 전극쌍을 사용하는 글래스 용융로의 고주파 통전 가열이 알려져 있다. 예를 들면, 일본 특허 출원 공개 평04-367519호 공보에서는, 각 전극쌍이 각각 따로따로의 전원에 접속되고, 또한 각 전원이 개별로 제어됨으로써, 복수쌍의 전극이 전극쌍마다 제어되는 기술이 개시되어 있다. 이와 같은 통전 가열을 이용한 용해조에서, 용융 글래스의 점도나 대류를 원하는 상태로 하기 위해서, 예를 들면 일본 특허 출원 공개 평03-103328호 공보에 기재되어 있는 바와 같이, 종래는 열전대를 통하여 용융 글래스의 온도를 측정하고 있었다.As an example of such energization heating, the high frequency energization heating of the glass melting furnace using a some electrode pair is known. For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 04-367519 discloses a technique in which each electrode pair is connected to a separate power source, and each power source is individually controlled, so that a plurality of pairs of electrodes are controlled for each electrode pair. It is. In the dissolution tank using such energization heating, in order to make the viscosity and convection of a molten glass into a desired state, as described in Unexamined-Japanese-Patent No. 03-103328, for example, conventionally, the melting glass is made through a thermocouple. The temperature was measured.

[특허문헌][Patent Literature]

특허문헌 1 : 일본 특허 출원 공개 평04-367519호 공보 Patent Document 1: Japanese Patent Application Laid-Open No. 04-367519

특허문헌 2 : 일본 특허 출원 공개 평03-103328호 공보 Patent Document 2: Japanese Patent Application Laid-open No. 03-103328

열전대는 예를 들면 용해조 내에서 고온에 노출되기 때문에, 비교적 단시간에 열화되어, 정확한 온도를 측정할 수 없는 경우가 있다. 또한, 글래스 원료를 용해시키는 장치의 구조상, 열전대의 설치가 가능한 개소가 제한되기 때문에, 열전대에 의해 온도를 측정할 수 있는 개소는 한정된다.Since a thermocouple is exposed to high temperature in a melting tank, for example, it may deteriorate in a comparatively short time, and an accurate temperature may not be measured. Moreover, since the location which can install a thermocouple is limited by the structure of the apparatus which melt | dissolves a glass raw material, the location which can measure temperature with a thermocouple is limited.

따라서, 본 발명은, 용융 글래스의 통전 가열에 있어서의 상기의 과제를 해결하여, 용융 글래스의 점도나 대류를 원하는 상태로 유지할 수 있는 글래스 기판의 제조 방법을 제공한다.Therefore, this invention solves the said subject in the electricity supply heating of molten glass, and provides the manufacturing method of the glass substrate which can maintain the viscosity and convection of molten glass in a desired state.

본 발명의 일 양태인 글래스 기판의 제조 방법은, 글래스의 원료를 용해하여 용융 글래스를 생성하는 용해 공정을 포함한다. 상기 용해 공정은, 한 쌍의 전극 사이에 상기 용융 글래스를 배치하고 전압을 걸어, 상기 용융 글래스에 전류를 흘려 줄열을 발생시키는 공정과, 상기 전류의 값과 상기 전압의 값을 측정하여 상기 용융 글래스의 비저항을 산출하는 공정과, 상기 산출한 비저항에 기초하여, 상기 줄열을 제어하는 공정을 포함한다.The manufacturing method of the glass substrate which is one aspect of this invention includes the melting process which melt | dissolves the raw material of glass and produces | generates molten glass. In the melting step, the molten glass is disposed between a pair of electrodes, a voltage is applied, a step of passing a current through the molten glass to generate joule heat, and the value of the current and the voltage are measured to measure the molten glass. And a step of controlling the Joule heat based on the calculated specific resistance.

상기의 줄열을 제어하는 공정은, 다음 공정을 포함하고 있어도 된다.The process of controlling said joule heat may include the following process.

(1) 상기 용융 글래스의 점도나 대류가 원하는 상태로 되어 있을 때에, 상기 전류의 값과 상기 전압의 값을 측정하여 상기 용융 글래스의 비저항을 산출하고, 산출한 비저항을 비저항의 목표값으로서 설정하는 공정.(1) When the viscosity and convection of the molten glass are in a desired state, the specific resistance of the molten glass is calculated by measuring the value of the current and the value of the voltage, and the calculated specific resistance is set as the target value of the specific resistance. fair.

(2) 상기 산출한 비저항과 상기 비저항의 목표값을 비교하는 공정.(2) A step of comparing the calculated specific resistance with a target value of the specific resistance.

(3) 상기 산출한 비저항과 상기 비저항의 목표값의 차가, 소정 범위 내의 값으로 되도록, 상기 전류의 값을 유지 또는 증감시키는 공정.(3) A step of holding or increasing the value of the current so that the difference between the calculated specific resistance and the target value of the specific resistance becomes a value within a predetermined range.

상기 (1)의 공정에서는, 열전대 등의 온도 측정 수단을 이용하여 상기 용융 글래스의 온도를 측정하고, 용융 글래스의 점도나 대류를 원하는 상태로 해도 된다.In the process of said (1), you may measure the temperature of the said molten glass using temperature measuring means, such as a thermocouple, and may make the viscosity and convection of a molten glass into a desired state.

용융 글래스의 비저항의 값을 산출하고, 그 비저항의 값에 기초하여 용융 글래스에 발생시키는 줄열을 제어함으로써, 용융 글래스의 점도나 대류를 원하는 상태로 유지할 수 있어, 종래의 열전대 등의 온도 측정 수단을 이용하는 경우의 문제를 해결할 수 있다.By calculating the value of the specific resistance of the molten glass and controlling the Joule heat generated in the molten glass based on the value of the specific resistance, the viscosity and convection of the molten glass can be maintained in a desired state, and a conventional temperature measuring means such as a thermocouple can be used. The problem of using can be solved.

도 1은 본 실시 형태의 글래스 기판의 제조 방법의 공정의 일례를 도시하는 도면이다.
도 2는 용해부터 절단까지의 공정을 행하는 장치의 일례를 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 3은 용해 공정에서 이용하는 용해조의 일례를 설명하는 사시도이다.
도 4는 용해조에서의 글래스 원료의 투입을 설명하는 평면도이다.
도 5의 (a) 및 (b)는 각 전극쌍간의 전류가 흐르는 영역의 설명도이다.
도 6은 비저항을 산출하여 줄열을 제어하는 공정의 일례를 도시하는 도면이다.
도 7은 비저항으로부터 온도를 산출하여 줄열을 제어하는 공정의 일례를 도시하는 도면이다.
도 8은 용해조 내부의 용융 글래스의 대류를 설명하는 모식적인 단면도이다.
도 9는 종래의 용해조 내부의 용융 글래스의 대류를 설명하는 도면이다.
1 is a diagram illustrating an example of a process of a method of manufacturing a glass substrate of the present embodiment.
It is sectional drawing which shows typically an example of the apparatus which performs the process from melt | dissolution to cutting | disconnection.
3 is a perspective view illustrating an example of a dissolution tank used in a dissolution step.
4 is a plan view illustrating the introduction of glass raw materials in a dissolution tank.
5A and 5B are explanatory diagrams of regions in which current flows between respective electrode pairs.
FIG. 6 is a diagram illustrating an example of a process of controlling Joule's heat by calculating a specific resistance.
It is a figure which shows an example of the process of controlling a joule heat by calculating temperature from a specific resistance.
It is typical sectional drawing explaining the convection of the molten glass inside a melting tank.
It is a figure explaining the convection of the molten glass in the conventional dissolution tank.

이하, 본 실시 형태의 글래스 기판의 제조 방법에 대하여 설명한다. 도 1은 본 발명의 글래스 기판의 제조 방법의 공정의 일례를 도시하는 도면이다.Hereinafter, the manufacturing method of the glass substrate of this embodiment is demonstrated. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a figure which shows an example of the process of the manufacturing method of the glass substrate of this invention.

글래스 기판의 제조 방법은, 용해 공정(ST1)과, 청징 공정(ST2)과, 균질화 공정(ST3)과, 공급 공정(ST4)과, 성형 공정(ST5)과, 서냉 공정(ST6)과, 절단 공정(ST7)을 주로 갖는다. 이 밖에, 연삭 공정, 연마 공정, 세정 공정, 검사 공정, 곤포 공정 등을 갖고, 곤포 공정에서 적층된 복수의 글래스 기판은, 납입처의 업자에게 반송된다.The glass substrate manufacturing method includes a melting step (ST1), a clarification step (ST2), a homogenization step (ST3), a supply step (ST4), a molding step (ST5), a slow cooling step (ST6), and a cutting process. It mainly has a process (ST7). In addition, a plurality of glass substrates having a grinding step, a polishing step, a washing step, an inspection step, a packing step, and the like, and laminated at the packing step are conveyed to a supplier at a delivery destination.

용해 공정(ST1)은 용해조에서 행해진다. 용해 공정에서는, 용해조에 축적된 용융 글래스의 액면의 복수의 개소에 글래스 원료를 간헐적으로 분산시켜 투입함으로써, 액면을 포함하는 표층의 온도가 균일화된 용융 글래스를 만든다. 또한, 용해조의 내벽 중, 평면에서 보아 직사각형의 용해조의 길이 방향에 있어서 대향하는 내벽의 한쪽의 저부(底部)에 형성된 유출구로부터 후속 공정을 향하여 용융 글래스를 흘린다.Melting process (ST1) is performed in a dissolution tank. In the melting step, the glass raw material is intermittently dispersed in a plurality of locations on the liquid surface of the molten glass accumulated in the melting tank to produce molten glass with a uniform temperature of the surface layer including the liquid surface. Moreover, molten glass flows toward a subsequent process from the outflow port formed in the bottom part of the inner wall which opposes in the longitudinal direction of the rectangular dissolution tank among the inner wall of a dissolution tank.

여기서, 표층의 하방에 위치하는 하층의 용융 글래스의 온도를 용해조의 길이 방향에 있어서 균일하게 하여, 용해조의 길이 방향에 있어서의 용융 글래스의 온도차를 가능한 한 작게 한다. 그를 위해서, 용융 글래스의 하층을 가열하기 위한 열량은, 용해조의 길이 방향의 중앙부보다도 용해조의 길이 방향의 양단부쪽이 많아지도록 한다. 그 이유는, 용융 글래스의 열이, 용해조의 길이 방향의 양단부에서, 중앙부보다도 빼앗기기 쉽기 때문이다. 이에 의해, 용해조의 길이 방향의 용융 글래스의 온도 분포에 기인한 대류가, 하층의 용융 글래스에서 발생하지 않도록 하여, 용융 글래스의 하층에서의 온도 분포를 균일화시키면서, 용융 글래스를 유출구로부터 후속 공정으로 흘린다.Here, the temperature of the molten glass of the lower layer located below the surface layer is made uniform in the longitudinal direction of a melting tank, and the temperature difference of the molten glass in the longitudinal direction of a melting tank is made as small as possible. For that purpose, the amount of heat for heating the lower layer of the molten glass is such that both ends of the dissolution tank in the longitudinal direction of the dissolution tank are larger than the central portion of the dissolution tank in the longitudinal direction. This is because the heat of the molten glass is more likely to be taken away from the center portion at both ends in the longitudinal direction of the melting tank. As a result, convection caused by the temperature distribution of the molten glass in the longitudinal direction of the melting tank is prevented from occurring in the lower molten glass, and the molten glass is flowed from the outlet to the subsequent step while the temperature distribution in the lower layer of the molten glass is uniform. .

본 실시 형태에서, 용융 글래스의 「표층」이란, 액면으로부터 용해조의 저부를 향한 깊이의 5% 이하의 범위 내의 액면을 포함하는 영역을 나타내고, 용융 글래스의 「하층」이란, 표층 이외의 영역을 나타낸다. 또한, 유출구가 형성되는 「저부」란, 상기 하층의 일부로서, 용해조의 저면(底面)에 가까운 영역을 표현한다. 본 실시 형태에서, 「저부」란, 용해조의 깊이 방향에 있어서 저면으로부터의 깊이가, 액면과 용해조의 저부 사이의 깊이의 1/2 이하인 영역을 말한다.In this embodiment, the "surface layer" of the molten glass shows the area | region containing the liquid surface within 5% or less of the range from the liquid level toward the bottom of the melting tank, and the "lower layer" of the molten glass shows the area | regions other than a surface layer. . In addition, the "bottom part" in which the outlet port is formed represents a region near the bottom face of the dissolution tank as part of the lower layer. In this embodiment, a "bottom part" means the area | region whose depth from the bottom face in the depth direction of a dissolution tank is 1/2 or less of the depth between a liquid level and the bottom part of a dissolution tank.

글래스 원료는, 용해조의 용융 글래스의 액면의 80% 이상에 걸쳐서 전면적으로 투입된다. 글래스 원료의 투입 방법은, 글래스 원료를 수용한 버킷을 반전시켜 용융 글래스에 글래스 원료를 분산 투입하는 방식을 이용해도 된다. 또한, 글래스 원료의 투입 방법은, 벨트 컨베이어를 이용하여 글래스 원료를 반송하여 분산 투입하는 방식, 혹은 대략 전체면에 일시에 투입하는 방식이어도 된다. 또한, 글래스 원료의 투입 방법은, 스크류 피더에 의해 글래스 원료를 분산 투입하는 방식, 혹은 대략 전체면에 일시에 투입하는 방식이어도 된다. 후술하는 실시 형태에서는, 글래스 원료는 버킷을 이용하는 투입 방법에 의해 투입된다.The glass raw material is thrown into the whole surface over 80% or more of the liquid level of the molten glass of a melting tank. As a method of adding the glass raw material, a method of dispersing and injecting the glass raw material into the molten glass may be used by inverting the bucket containing the glass raw material. In addition, the method of injecting a glass raw material may be the method of conveying and disperse | distributing a glass raw material using a belt conveyor, or the method of putting into a whole surface at once. In addition, the method of injecting a glass raw material may be the method of disperse | distributing a glass raw material with a screw feeder, or the method of putting into a whole surface at once. In embodiment mentioned later, a glass raw material is thrown in by the input method using a bucket.

용해조의 전극간에 전압을 걸어 용융 글래스에 전류를 흘리면, 용융 글래스는 줄열을 발생한다. 이 줄열을 증가시키면 용융 글래스의 온도는 상승하고, 감소시키면 용융 글래스의 온도는 하강할 수 있다. 이 용융 글래스의 통전에 의한 가열 외에, 버너의 화염에 의한 열을 보조적으로 이용하여 글래스 원료를 용해할 수도 있다.When a current is applied to the molten glass by applying a voltage between the electrodes of the melting tank, the molten glass generates Joule heat. Increasing this joule heat may increase the temperature of the molten glass, and decreasing it may lower the temperature of the molten glass. In addition to the heating by the energization of the molten glass, the glass raw material may be dissolved by using the heat of the burner's flame as an auxiliary.

글래스 원료에는 청징제가 첨가된다. 청징제로서, SnO2, As2O3, Sb2O3 등이 알려져 있지만, 특별히 제한되지 않는다. 그러나, 환경 부하 저감의 관점에서, 청징제로서 SnO2(산화주석)를 이용하는 것이 바람직하다.A clarifier is added to a glass raw material. As the clarifier, SnO 2 , As 2 O 3 , Sb 2 O 3, and the like are known, but are not particularly limited. However, from the viewpoint of reducing the environmental load, it is preferable to use SnO 2 (tin oxide) as a clarifier.

청징 공정(ST2)은, 적어도 청징조에서 행해진다. 청징 공정에서는, 청징조 내의 용융 글래스가 승온된다. 이 과정에서, 청징제는, 환원 반응에 의해 산소를 방출하고, 후에 환원제로서 작용하는 물질로 된다. 용융 글래스 중에 포함되는 O2, CO2 혹은 SO2를 포함한 기포는, 청징제의 환원 반응에 의해 발생한 O2를 흡수하여 성장하고, 용융 글래스의 액면에 부상하여 소멸된다. 청징 공정은, 백금 또는 백금 합금제의 용기의 내부에서 행한다.The clarification process ST2 is performed at least in a clarification tank. In the clarification process, the molten glass in a clarification tank is heated up. In this process, the clarifier becomes a substance which releases oxygen by a reduction reaction and later acts as a reducing agent. Bubbles containing O 2 , CO 2 or SO 2 contained in the molten glass absorb and grow O 2 generated by the reduction reaction of the clarifier, and float on the liquid level of the molten glass to disappear. The clarification process is performed inside a container made of platinum or platinum alloy.

그 후, 청징 공정에서는, 용융 글래스의 온도를 저하시킨다. 이 과정에서, 청징제의 환원 반응에 의해 얻어진 환원제가 산화 반응을 한다. 이에 의해, 용융 글래스에 잔존하는 기포 중의 O2 등의 가스 성분이 용융 글래스 중에 재흡수되어, 기포가 소멸된다.Thereafter, in the clarification step, the temperature of the molten glass is lowered. In this process, the reducing agent obtained by the reduction reaction of the clarifier undergoes an oxidation reaction. Thereby, the gas components of O 2 and the like in the air bubbles remaining in the molten glass is re-uptake in the molten glass, the bubble disappears.

청징제에 의한 산화 반응 및 환원 반응은, 용융 글래스의 온도를 제어함으로써 행해진다. 청징 공정은, 감압 분위기를 청징조에 만들고, 용융 글래스에 존재하는 기포를 감압 분위기에서 성장시켜 탈포시키는 감압 탈포 방식을 이용할 수도 있다. 이 경우, 청징제를 이용하지 않는 점에서 유효하다. 후술하는 실시 형태에서는, 산화주석을 청징제로서 이용한다.Oxidation reaction and reduction reaction by a clarifier are performed by controlling the temperature of a molten glass. The clarification process can also use the pressure reduction degassing system which makes a pressure reduction atmosphere in a clarification tank, grows the bubble which exists in a molten glass in a pressure reduction atmosphere, and degasses. In this case, it is effective at not using a clarifier. In embodiment mentioned later, tin oxide is used as a clarifier.

균질화 공정(ST3)에서는, 청징조로부터 연장되는 배관을 통하여 공급된 교반조 내의 용융 글래스를, 스터러를 이용하여 교반함으로써, 글래스 성분의 균질화를 행한다. 이에 의해, 맥리 등의 원인인 글래스의 조성 불균일을 저감할 수 있다. 또한, 교반조는 1개 설치해도, 2개 설치해도 된다.In homogenization process ST3, the glass component is homogenized by stirring the molten glass in the stirring tank supplied through the piping extended from the clarification tank using a stirrer. Thereby, the composition nonuniformity of the glass which is a cause of stria etc. can be reduced. In addition, you may install one stirring tank or two.

공급 공정(ST4)에서는, 교반조로부터 연장되는 배관을 통하여 용융 글래스가 성형 장치에 공급된다.In supply process ST4, molten glass is supplied to a shaping | molding apparatus through the piping extended from a stirring tank.

성형 장치에서는, 성형 공정(ST5) 및 서냉 공정(ST6)이 행해진다.In the shaping | molding apparatus, shaping | molding process ST5 and slow cooling process ST6 are performed.

성형 공정(ST5)에서는, 용융 글래스를 시트 글래스로 성형하고, 시트 글래스의 흐름을 만든다. 성형은 오버플로우 다운드로법 혹은 플로트법을 이용할 수 있다. 후술하는 본 실시 형태에서는 오버 다운로드법이 이용된다.In the molding step ST5, the molten glass is molded into sheet glass to create a flow of the sheet glass. Molding can use the overflow downdraw method or the float method. In the present embodiment described later, the over download method is used.

서냉 공정(ST6)에서는, 성형되어 흐르는 시트 글래스가 원하는 두께로 되고, 내부 왜곡이 발생하지 않도록, 또한, 휨이 발생하지 않도록 냉각된다.In slow cooling process ST6, the sheet glass shape | molded and flows becomes desired thickness, and it cools so that internal distortion does not generate | occur | produce and a curvature does not generate | occur | produce.

절단 공정(ST7)에서는, 절단 장치에서, 성형 장치로부터 공급된 시트 글래스를 소정 길이로 절단함으로써, 판 형상의 글래스판을 얻는다. 절단된 글래스판은 또한, 소정 사이즈로 절단되어, 목표 사이즈의 글래스 기판이 만들어진다. 이 후, 글래스 기판의 단면의 연삭, 연마가 행해지고, 글래스 기판의 세정이 행해지고, 또한, 기포나 맥리 등의 이상 결함의 유무가 검사된 후, 검사 합격품의 글래스판이 최종 제품으로서 곤포된다.In cutting process ST7, in a cutting device, the sheet glass supplied from the shaping | molding apparatus is cut | disconnected to predetermined length, and a plate-shaped glass plate is obtained. The cut glass plate is also cut to a predetermined size to produce a glass substrate of a target size. After that, the end surface of the glass substrate is ground and polished, the glass substrate is washed, and the presence or absence of abnormal defects such as bubbles and stria is inspected, and then the glass plate of the inspection passed product is packed as a final product.

도 2는 본 실시 형태에서의 용해 공정(ST1)?절단 공정(ST7)을 행하는 장치의 일례를 모식적으로 도시하는 도면이다. 그 장치는, 도 2에 도시한 바와 같이, 주로 용해 장치(100)와, 성형 장치(200)와, 절단 장치(300)를 갖는다. 용해 장치(100)는, 용해조(101)와, 청징조(102)와, 교반조(103)와, 글래스 공급관(104, 105, 106)을 갖는다.FIG. 2: is a figure which shows typically an example of the apparatus which performs the melting process (ST1)-the cutting process (ST7) in this embodiment. As shown in FIG. 2, the apparatus mainly includes a melting apparatus 100, a molding apparatus 200, and a cutting device 300. The dissolution apparatus 100 has a dissolution tank 101, a clarification tank 102, a stirring tank 103, and glass supply pipes 104, 105, and 106.

도 2에 도시한 예의 용해 장치(101)에서는, 글래스 원료의 투입이 버킷(101d)을 이용하여 행해진다. 청징조(102)에서는, 용융 글래스 MG의 온도를 조정하여, 청징제의 산화 환원 반응을 이용하여 용융 글래스 MG의 청징이 행해진다. 또한, 교반조(103)에서는, 스터러(103a)에 의해 용융 글래스 MG가 교반되어 균질화된다. 성형 장치(200)에서는, 성형체(210)를 이용한 오버플로우 다운드로법에 의해, 용융 글래스 MG로부터 시트 글래스 SG가 성형된다.In the melting apparatus 101 of the example shown in FIG. 2, the injection of a glass raw material is performed using the bucket 101d. In the clarification tank 102, the temperature of molten glass MG is adjusted, and clarification of molten glass MG is performed using the redox reaction of a clarifier. In the stirring vessel 103, the molten glass MG is stirred and homogenized by the stirrer 103a. In the shaping | molding apparatus 200, sheet glass SG is shape | molded from molten glass MG by the overflow down draw method using the molded object 210. FIG.

도 3은 본 실시 형태의 용해조(101)의 개략 구성을 설명하는 사시도이다.3 is a perspective view illustrating a schematic configuration of the dissolution tank 101 of the present embodiment.

본 실시 형태에서, 용해조(101)는 액면을 포함하는 표층의 온도가 균일화된 용융 글래스를 만들도록 설계되어 있다. 글래스 원료는, 용해조(101)에 축적된 용융 글래스 MG의 액면(101c)에 대하여 전면적으로 투입된다. 평면에서 보아 직사각형의 용해조(101)의 길이 방향에 있어서 대향하는 한 쌍의 내벽 중 한쪽의 내벽의 저부에, 유출구(104a)가 형성되어 있다. 용해조(101)는, 유출구(104a)로부터 후속 공정을 향하여 용융 글래스 MG를 흘린다.In this embodiment, the dissolution tank 101 is designed to make molten glass with the temperature of the surface layer containing a liquid level uniform. The glass raw material is thrown into the whole surface of the liquid surface 101c of the molten glass MG accumulated in the dissolution tank 101. The outlet port 104a is formed in the bottom of one inner wall of a pair of inner walls which oppose in the longitudinal direction of the rectangular dissolution tank 101 in plan view. The dissolution tank 101 flows molten glass MG from the outlet 104a toward the next process.

용해조(101)는, 내화 벽돌 등의 내화물에 의해 구성된 내벽(110)을 갖는다. 용해조(101)는 내벽(110)으로 둘러싸인 내부 공간을 갖는다. 용해조(101)의 내부 공간은, 액조(101a)와, 상부 공간(101b)으로 나누어진다. 액조(101a)는, 내부 공간에 투입된 글래스 원료가 용해되어 생긴 용융 글래스 MG를, 가열하면서 수용한다. 상부 공간(101b)은, 용융 글래스 MG 상에 형성되며, 글래스 원료가 투입되는 기상이다.The dissolution tank 101 has an inner wall 110 made of refractory materials such as refractory bricks. The dissolution tank 101 has an inner space surrounded by the inner wall 110. The internal space of the dissolution tank 101 is divided into the liquid tank 101a and the upper space 101b. The liquid tank 101a accommodates the molten glass MG which the glass raw material thrown in the internal space melt | dissolved, heating. The upper space 101b is formed on the molten glass MG, and is a gaseous phase into which the glass raw material is injected.

용해조(101)의 길이 방향에 평행한 상부 공간(101b)의 내벽(110)에는, 연료와 산소 등을 혼합한 연소 가스가 연소하여 화염을 발하는 버너(112)가 설치된다. 버너(112)는 화염에 의해 상부 공간(101b)의 내화물을 가열하여 내벽(110)을 고온으로 한다. 글래스 원료는, 고온으로 된 내벽(110)의 복사열 및 고온으로 된 기상의 분위기에 의해 가열된다.In the inner wall 110 of the upper space 101b parallel to the longitudinal direction of the dissolution tank 101, a burner 112 is provided in which a combustion gas which mixes fuel and oxygen burns and emits a flame. The burner 112 heats the refractory of the upper space 101b with a flame to make the inner wall 110 high temperature. The glass raw material is heated by the radiant heat of the inner wall 110 at a high temperature and the gaseous atmosphere at a high temperature.

용해조(101)의 유출구(104a)가 형성된 내벽(110)과 반대측의 내벽(110)에는, 상부 공간(101b)으로 통하는 원료 투입창(101f)이 형성되어 있다. 이 원료 투입창(101f)을 통하여, 도 4에 도시한 글래스 원료를 수용한 버킷(101d)이 상부 공간(101b)에 출입한다. 버킷(101d)은, 컴퓨터(118)로부터의 지시에 따라서 용융 글래스 MG의 액면(101c) 상을 전후 좌우로 이동한다. 컴퓨터(118)는, 제어 유닛(116)을 통하여 버킷(101d)을 작동시키도록, 도시하지 않은 버킷 동작 기구에 지시를 보낸다.In the inner wall 110 on the opposite side to the inner wall 110 where the outlet 104a of the dissolution tank 101 is formed, a raw material input window 101f which leads to the upper space 101b is formed. Through this raw material input window 101f, the bucket 101d containing the glass raw material shown in FIG. 4 enters and exits the upper space 101b. The bucket 101d moves back and forth left and right on the liquid surface 101c of the molten glass MG in accordance with an instruction from the computer 118. The computer 118 sends an instruction to a bucket operating mechanism (not shown) to operate the bucket 101d via the control unit 116.

도 4는 용해조(101)에서의 글래스 원료의 투입을 설명하는 평면도이다.4 is a plan view illustrating the introduction of the glass raw material in the dissolution tank 101.

도 4에 도시한 바와 같이, 글래스 원료는, 용해조(101)에 축적된 용융 글래스 MG의 액면에 대하여 전면적으로 투입된다. 이에 의해, 액면을 포함하는 표층의 온도가 균일화된 용융 글래스 MG가 만들어진다.As shown in FIG. 4, the glass raw material is thrown in the whole surface with respect to the liquid level of the molten glass MG accumulate | stored in the dissolution tank 101. As shown in FIG. Thereby, molten glass MG with which the temperature of the surface layer containing a liquid level was made uniform is produced.

용해조(101)는 버킷 동작 기구를 구비한다. 버킷 동작 기구는, 컴퓨터(118)의 지시에 의해, 버킷(101d)이 글래스 원료를 수용한 상태에서, 버킷(101d)을 목표로 하는 구역으로 이동시켜, 버킷(101d)의 상하를 반전시킨다. 버킷(101d)이 글래스 원료를 투입하는 구역 및 투입하는 시간 간격은, 용융 글래스 MG의 액면(101c)에 글래스 원료가 없어지지 않도록, 미리 정해져 있다. 따라서, 용해조(101) 내부에서는, 용융 글래스 MG의 액면의 대략 전체면에 투입되므로, 항상 용융 글래스 MG의 액면(101c)을 글래스 원료가 덮고 있다.The dissolution tank 101 is provided with a bucket operation mechanism. The bucket operating mechanism moves to the area | region which aims at the bucket 101d, and inverts the top and bottom of the bucket 101d by the instruction | instruction of the computer 118, in the state in which the bucket 101d accommodated the glass raw material. The area | region where the bucket 101d throws in glass raw material, and the time interval which it throws in are predetermined so that the glass raw material may not disappear in the liquid surface 101c of molten glass MG. Therefore, in the dissolution tank 101, since it throws into the substantially whole surface of the liquid surface of molten glass MG, the glass raw material always covers the liquid surface 101c of molten glass MG.

이와 같이, 글래스 원료가 항시 액면(101c)을 덮도록 글래스 원료를 용해조(101)에 투입하는 이유 중 하나는, 용융 글래스 MG의 열이 액면(101c)을 통하여 기상인 상부 공간(101b)에 방사되지 않도록 하기 위해서이다. 이에 의해, 용융 글래스 MG의 액면을 포함하는 표층의 온도를 균일화하고, 그 온도를 일정하게 유지하여, 그 수평 방향의 온도 분포를 평탄화한다. 또 하나의 이유는, 글래스 원료 중, SiO2(실리카) 등의 용해성이 낮은(용해 온도가 높은) 원료를 효율적으로 용해시켜, SiO2 등의 원료가 다 녹지 않고 남는 것을 방지하기 위해서이다.As described above, one of the reasons for introducing the glass raw material into the dissolution tank 101 so that the glass raw material always covers the liquid surface 101c is that the heat of the molten glass MG is radiated to the upper space 101b in the gas phase through the liquid surface 101c. This is to prevent it. Thereby, the temperature of the surface layer containing the liquid surface of molten glass MG is equalized, the temperature is kept constant, and the temperature distribution of the horizontal direction is planarized. Another reason is to efficiently dissolve a low solubility (high melting temperature) raw material such as SiO 2 (silica) in the glass raw material and prevent the raw material such as SiO 2 from being left without melting.

SiO2 등의 용해 온도가 높은 원료는, 다른 성분, 예를 들면 B2O3(산화붕소) 등의 원료와 혼합된 상태에서는, 단독으로 용해시킨 경우의 용해 온도보다도 낮은 온도에서 용해될 수 있다. 이와 같은 원료의 성질을 살리기 위해서, 용융 글래스 MG의 액면(101c) 상에 글래스 원료가 항상 존재하여 액면(101c)을 덮도록, 글래스 원료를 간헐적으로 분산시켜 투입한다. 이에 의해, B2O3 등의 원료가, 녹기 어려운 SiO2 등의 원료와 함께 용해되므로, SiO2 등의 원료가 다 녹지 않고 남는 것을 방지할 수 있다.A raw material having a high dissolution temperature such as SiO 2 may be dissolved at a temperature lower than the dissolution temperature in the case where it is dissolved alone in a mixed state with another component, for example, a raw material such as B 2 O 3 (boron oxide). . In order to utilize the properties of such a raw material, the glass raw material is intermittently dispersed and injected so that the glass raw material always exists on the liquid surface 101c of the molten glass MG and covers the liquid surface 101c. As a result, the raw material such as B 2 O 3, because the dissolution with a material such as SiO 2 is difficult to melt, it is possible to prevent the raw material, such as SiO 2 are left without greenery.

이에 대하여, 글래스 원료가, 용융 글래스의 액면의 일부의 영역에만 투입되는 경우, 녹기 어려운 SiO2 등의 원료 성분이 다 녹지 않고 남아, 용융 글래스의 대류에 의해, 글래스 원료의 투입 위치로부터 멀리 떨어진 액면에 이질 원료로서 부유하는 경우가 있다. 이와 같은 이질 원료는, 용융 글래스의 대류의 상태에 따라서, 용융 글래스의 하층으로 이동하여 용해조의 유출구로부터 유출되어, 후속 공정으로 흐르는 경우가 있어, 맥리 등의 글래스 조성의 불균일의 원인으로 되기 쉽다.On the other hand, when the glass raw material is introduced only to a part of the liquid level of the molten glass, raw material components such as SiO 2 which are difficult to melt remain without melting, and the liquid level far from the injection position of the glass raw material is caused by convection of the molten glass. May float as a foreign material. Such heterogeneous raw materials may move to the lower layer of the molten glass, flow out from the outlet of the melting tank, and flow to the subsequent process depending on the convective state of the molten glass, and may be the cause of nonuniformity of glass composition such as striae.

본 실시 형태에서는, 용해조(101)에서, 글래스 원료를, 용융 글래스 MG의 액면에 대하여 전면적으로 투입한다. 따라서, 용융 글래스 MG의 액면을 포함하는 표층에서의 온도가 균일화된다. 또한, SiO2 등의 원료 성분이 다 녹지 않고 남는 것을 방지할 수도 있다.In this embodiment, the glass raw material is thrown into the melting tank 101 with respect to the liquid level of molten glass MG. Therefore, the temperature in the surface layer containing the liquid level of molten glass MG becomes uniform. In addition, it is also possible to prevent the raw material components such as SiO 2 from being left without melting.

용해조(101)의 길이 방향으로 연장되며, 서로 대향하는 액조(101a)의 내벽(110a, 110b)에, 산화주석 혹은 몰리브덴 등의 내열성을 갖는 도전성 재료로 구성되며, 서로 대향하는 한 쌍의 전극(114)이 3쌍 설치되어 있다. 본 실시 형태에서, 용해조(101)는 3쌍의 전극(114)을 구비하고 있지만, 용해조의 크기에 따라서는 한 쌍의 전극(114)만을 이용해도 된다. 복수쌍의 전극(114)을 이용하는 경우는, 2쌍 또는 4쌍 이상의 전극(114)을 이용해도 된다.A pair of electrodes extending from the longitudinal direction of the dissolution tank 101 and formed of a conductive material having heat resistance such as tin oxide or molybdenum on the inner walls 110a and 110b of the liquid tank 101a facing each other. 114 pairs are provided. In the present embodiment, the dissolution tank 101 includes three pairs of electrodes 114, but depending on the size of the dissolution tank, only the pair of electrodes 114 may be used. In the case of using the plurality of pairs of electrodes 114, two or four or more pairs of electrodes 114 may be used.

3쌍의 전극(114)은, 내벽(110a, 110b) 중, 용융 글래스 MG의 하층에 대응하는 영역에 설치되어 있다. 3쌍의 전극(114)은 모두, 내벽(110a, 110b)의 외측으로부터 내측까지, 내벽(110a, 110b)을 관통하여 연장되어 있다. 도 3에서, 각 쌍의 전극(114)은, 전방측의 전극(114)이 도시되고, 안쪽의 전극(114)은 도시되어 있지 않다. 각 쌍의 전극(114)은, 각 쌍의 전극(114) 사이에 배치된 용융 글래스 MG를 사이에 두고 서로 대향하도록, 내측벽(110a, 110b)에 설치되어 있다.The three pairs of electrodes 114 are provided in the region corresponding to the lower layer of the molten glass MG among the inner walls 110a and 110b. The three pairs of electrodes 114 extend through the inner walls 110a and 110b from the outer side to the inner side of the inner walls 110a and 110b. In FIG. 3, each pair of electrodes 114 has an electrode 114 on the front side and an electrode 114 on the inner side not shown. Each pair of electrodes 114 is provided on the inner walls 110a and 110b so as to face each other with the molten glass MG disposed between the pairs of electrodes 114 interposed therebetween.

각 쌍의 전극(114)은, 각 쌍의 전극(114) 사이에 배치된 용융 글래스 MG에 전압을 걸어 전류를 흘린다. 용융 글래스 MG에 전류를 흘림으로써, 용융 글래스 MG에 줄열을 발생시켜, 용융 글래스 MG를 가열한다. 용해조(101)에서는, 용융 글래스 MG는 예를 들면 1500℃ 이상으로 가열된다. 가열된 용융 글래스 MG는, 글래스 공급관(104)을 통하여 청징조(102)에 보내진다.Each pair of electrodes 114 is energized by applying a voltage to the molten glass MG disposed between the pair of electrodes 114. By flowing an electric current through the molten glass MG, Joule heat is generated in the molten glass MG, and the molten glass MG is heated. In the dissolution tank 101, the molten glass MG is heated to 1500 degreeC or more, for example. The heated molten glass MG is sent to the clarification tank 102 via the glass supply pipe 104.

도 3에 도시한 용해조(101)에서는, 버너(112)가 상부 공간(101b)에 설치되어 있지만, 버너(112)는 필수적인 것은 아니다. 예를 들면, 1500℃에서의 비저항이 180Ωㆍ㎝ 이상의, 비저항이 비교적 큰 용융 글래스에서, 버너(112)를 보조적으로 이용함으로써 글래스 원료를 효율적으로 용해시킬 수 있다.Although the burner 112 is provided in the upper space 101b in the dissolution tank 101 shown in FIG. 3, the burner 112 is not essential. For example, the glass raw material can be efficiently melt | dissolved by using burner 112 auxiliary | assistant in the molten glass with a specific resistance of 180 ohm * cm or more and comparatively large resistivity at 1500 degreeC.

글래스 원료를 연속적으로 용해시켜 용융 글래스 MG를 만들 때에는, 버너(112)를 이용하지 않고 글래스 원료를 용해시키는 것도 가능하다. 예를 들면, 용융 글래스 MG의 액면(101c)을 전면적으로 글래스 원료로 덮음으로써, 용융 글래스 MG의 액면(101c)으로부터의 열 방사를 방지하여, 용융 글래스 MG의 온도의 저하를 억제하여, 하층의 용융 글래스 MG가 발하는 줄열에 의해 글래스 원료를 용해시킬 수 있다.When the molten glass MG is made by continuously dissolving the glass raw material, it is also possible to dissolve the glass raw material without using the burner 112. For example, by covering the liquid surface 101c of the molten glass MG with the glass raw material on the whole surface, heat radiation from the liquid surface 101c of the molten glass MG is prevented, and the fall of the temperature of the molten glass MG is suppressed, and The glass raw material can be dissolved by Joule heat emitted from the molten glass MG.

각 쌍의 전극(114)은, 각각 제어 유닛(116)에 접속되어 있다. 하층에서의 용융 글래스 MG의 온도 분포를 균일화하기 위해서, 제어 유닛(116)은, 전극(114)의 각각에 공급하는 전력을, 대향하는 한 쌍의 전극(114)마다 제어할 수 있도록 구성되어 있다. 각 쌍의 전극(114)에는, 제어 유닛(116)에 의해 단층의 교류 전압이 가해진다.Each pair of electrodes 114 is connected to the control unit 116, respectively. In order to equalize the temperature distribution of the molten glass MG in the lower layer, the control unit 116 is configured to be able to control the power supplied to each of the electrodes 114 for each pair of opposed electrodes 114. . To each pair of electrodes 114, a single layer AC voltage is applied by the control unit 116.

제어 유닛(116)은, 또한 컴퓨터(118)와 접속되어 있다. 제어 유닛(116)은, 각 쌍의 전극(114) 사이의 용융 글래스 MG에 걸리는 전압의 크기와, 각 쌍의 전극(114) 사이의 용융 글래스 MG에 흐르는 전류의 값을 측정한다. 제어 유닛(116)은 측정한 전압과 전류의 값의 정보를 출력한다. 컴퓨터(118)는 제어 유닛(116)으로부터 출력된 이들 정보를 수취한다. 컴퓨터(118)는, 이 전압과 전류의 값의 정보로부터, 각 쌍의 전극(114) 사이의 용융 글래스 MG의 비저항을 산출한다.The control unit 116 is further connected with the computer 118. The control unit 116 measures the magnitude of the voltage applied to the molten glass MG between the pair of electrodes 114 and the value of the current flowing through the molten glass MG between the pair of electrodes 114. The control unit 116 outputs information of the measured voltage and current values. Computer 118 receives these information output from control unit 116. The computer 118 calculates the specific resistance of the molten glass MG between the pair of electrodes 114 from the information of the values of the voltage and the current.

컴퓨터(118)는, 예를 들면 이하의 수학식 2에 기초하여, 각 쌍의 전극(114) 사이의 용융 글래스 MG의 비저항 ρ(Ωㆍm)를 산출한다.The computer 118 calculates, for example, the specific resistance p (Ω · m) of the molten glass MG between the pair of electrodes 114 based on the following equation (2).

Figure pct00001
Figure pct00001

수학식 2에서, E는 각 쌍의 전극(114) 사이의 용융 글래스 MG에 걸리는 전압(V), I는 각 쌍의 전극(114) 사이의 용융 글래스 MG에 흐르는 전류(A), S는 각 쌍의 전극(114) 사이에서 전류가 흐르는 용융 글래스 MG의 단면적(㎡), L은 각 쌍의 전극(114)의 사이의 거리(m)이다. 단면적 S 및 길이 L은 용해조(101)에 의해 정해지는 고유의 값이다.In Equation 2, E is the voltage (V) applied to the molten glass MG between each pair of electrodes 114, I is the current (A) flowing in the molten glass MG between each pair of electrodes 114, S is each The cross-sectional area (m 2) of the molten glass MG through which current flows between the pair of electrodes 114, L is the distance m between the pair of electrodes 114. The cross-sectional area S and the length L are intrinsic values determined by the dissolution tank 101.

도 5의 (a) 및 (b)는 각 쌍의 전극(114) 사이에서 전류가 흐르는 용융 글래스 MG의 단면적 S를 구하는 방법을 설명하는 평면도이다.5A and 5B are plan views illustrating a method for obtaining a cross-sectional area S of the molten glass MG through which current flows between each pair of electrodes 114.

도 5에 도시한 바와 같이, 각 쌍의 전극(114)은, 용융 글래스 MG의 양측에 배치된 내벽(110a, 110b)에, 용융 글래스 MG의 흐름 방향 F를 가로지르도록, 서로 대향하여 배치되어 있다. 또한, 대향하는 3쌍의 전극(114)은, 용융 글래스 MG의 흐름 방향 F에 서로 간격 W1을 두고 배치되어 있다. 여기서, 간격 W1은 인접하는 전극(114)의 서로 마주 보는 단연간의 거리이다. 흐름 방향 F는, 용해조(101)에서의 용융 글래스 MG의 전체로서의 상류로부터 하류로 향하는 흐름의 방향을 편의적으로 나타내는 것이며, 내벽(110a, 110b)과 평행하며 유출구(104a)를 향하는 방향이다. 또한, 흐름 방향 F는 용해조(101)의 길이 방향을 따르는 방향이다.As shown in FIG. 5, each pair of electrodes 114 is disposed to face each other so as to cross the flow direction F of the molten glass MG on the inner walls 110a and 110b disposed on both sides of the molten glass MG. have. In addition, the electrode 114 of the third pair of opposed are arranged at a distance W 1 from each other in the flow direction F of the molten glass MG. Here, the interval W 1 is a distance between the edges of the adjacent electrodes 114 facing each other. The flow direction F conveniently shows the direction of the flow from the upstream as the whole of the molten glass MG to the downstream in the dissolution tank 101, and is a direction parallel to the inner walls 110a and 110b and toward the outlet 104a. In addition, the flow direction F is a direction along the longitudinal direction of the dissolution tank 101.

우선, 대향하는 한 쌍의 전극(114)마다 전류가 흐르는 영역 EA를 설정한다. 통전 영역 EA의 경계 m은, 흐름 방향 F에서 인접하는 2개의 전극(114)의 중간점 C를 통과하도록 설정한다. 중간점 C는 인접하는 2개의 전극(114) 사이에 끼워진 내열 벽돌의 중심이다. 환언하면, 중간점 C는 인접하는 2개의 전극의 서로 마주 보는 단연으로부터의 거리가 동일한 점이다. 즉, 경계 m은, 내벽(110a) 상에서 인접하는 2개의 전극(114)의 사이의 중간점 C와, 내벽(110b) 상에서 인접하는 2개의 전극(114)의 중간점 C를 통과하는 연직 방향에 평행한 면이다. 이 경계 m에 의해, 용융 글래스 MG는, 각 쌍의 전극(114)에 대응하는 복수의 사각 기둥 형상의 영역 EA로 가상적으로 분리된다.First, the area EA through which current flows for each pair of electrodes 114 is set. The boundary m of the energizing region EA is set to pass through the midpoint C of two electrodes 114 adjacent in the flow direction F. The midpoint C is the center of the heat resistant brick sandwiched between two adjacent electrodes 114. In other words, the intermediate point C is a point at which distances from two adjacent electrodes face each other. That is, the boundary m is in the vertical direction passing through the midpoint C between two electrodes 114 adjacent to the inner wall 110a and the midpoint C of two electrodes 114 adjacent to the inner wall 110b. It is a parallel plane. By this boundary m, the molten glass MG is virtually separated into the area | region EA of several square pillar shape corresponding to each pair of electrode 114. As shown in FIG.

즉, 용융 글래스 MG의 통전 영역 EA의 단면적 S는, 도 5의 (b)에 도시한 바와 같이, 영역 EA의 흐름 방향 F 및 연직 방향에 평행한 단면의 면적이다. 따라서, 단면적 S는, 용해조(101)의 저면(110e)으로부터 액면(101c)까지의 높이(용융 글래스 MG의 깊이) D와, 영역 EA의 폭 W2의 곱에 의해 구해진다. 이와 같이 구한 단면적 S를 이용하여 상기의 수학식 2에 의해 각 쌍의 전극(114) 사이의 용융 글래스 MG의 비저항 ρ를 구할 수 있다.That is, the cross-sectional area S of the energization area | region EA of molten glass MG is an area of the cross section parallel to the flow direction F and the vertical direction of area | region EA, as shown to FIG. 5 (b). Thus, the cross-sectional area S is obtained by the height (the depth of the molten glass MG) D to the liquid surface (101c) from the bottom surface (110e) of the melting vessel 101, the product of the width W 2 of the area EA. Using the cross-sectional area S thus obtained, the specific resistance p of the molten glass MG between the pair of electrodes 114 can be obtained by the above equation (2).

상기의 방법에 의해 용융 글래스 MG의 비저항 ρ를 구하는 경우에는, 도 5의 (b)에 도시한 바와 같이, 통전 영역 EA의 단면적 S에 대한 전극(114)의 면적 S1은 가능한 한 큰 것이 바람직하다. 통전 영역 EA의 단면적 S와 전극(114)의 면적 S1의 비는 특별히 한정되지 않는다. 본 실시 형태에서는, 용해조(101)의 강도나 구조상의 제약으로부터, S1/S는, 예를 들면 1/3 이상 1/2 이하의 범위로 되어 있다. 이와 같이, 용융 글래스 MG의 통전 영역 EA의 단면적 S에 대한 전극의 면적 S1을 종래보다도 크게 함으로써, 보다 정확하게 용융 글래스 MG의 비저항 ρ를 산출하는 것이 가능하게 된다.When the specific resistance p of molten glass MG is calculated | required by the said method, as shown in FIG.5 (b), it is preferable that the area S1 of the electrode 114 with respect to the cross-sectional area S of the electricity supply area | region EA is as large as possible. . The ratio of the cross-sectional area S of the conduction area EA and the area S1 of the electrode 114 is not particularly limited. In this embodiment, S1 / S has a range of 1/3 or more and 1/2 or less, for example, from the strength and structural constraints of the dissolution tank 101. Thus, by making the area S1 of the electrode with respect to the cross-sectional area S of the electricity supply area | region EA of molten glass MG larger than before, it becomes possible to calculate the specific resistance (rho) of molten glass MG more correctly.

상기의 방법에 의해 구한 용융 글래스 MG의 비저항 ρ에 기초하여, 각 쌍의 전극(114)에 대응하는 각 영역 EA의 용융 글래스 MG에 발생시키는 줄열을 제어할 수 있다.Based on the specific resistance p of the molten glass MG obtained by the above method, the Joule heat generated in the molten glass MG of each region EA corresponding to each pair of electrodes 114 can be controlled.

도 6은 용융 글래스 MG의 비저항 ρ에 기초하여, 용융 글래스 MG에 발생시키는 줄열을 제어하는 공정의 일례를 설명하는 도면이다.It is a figure explaining an example of the process of controlling the joule heat which generate | occur | produces in molten glass MG based on the specific resistance (rho) of molten glass MG.

도 6에 도시한 샘플링(ST11)에서는, 도 5에 도시한 각 쌍의 전극(114)에 대응하는 각 영역 EA의 전극(114) 사이의 용융 글래스 MG에 걸리는 전압 E의 정보와, 각 영역 EA의 용융 글래스 MG에 흐르는 전류의 값 I의 정보가, 제어 유닛(116)으로부터 컴퓨터(118)에 보내진다. 컴퓨터(118)는, 제어 유닛(116)으로부터 보내진 각 영역 EA의 전압 E와 전류 I의 정보를 보존한다. 컴퓨터(118)에는, 미리, 각 영역 EA에서의, 단면적 S, 전극(114) 사이의 거리 L 및 후술하는 용융 글래스 MG의 비저항의 목표값을 보존해 둔다.In the sampling ST11 shown in FIG. 6, the information of the voltage E applied to the molten glass MG between the electrodes 114 of the respective regions EA corresponding to the pair of electrodes 114 shown in FIG. 5, and the respective regions EA Information of the value I of the current flowing through the molten glass MG is sent from the control unit 116 to the computer 118. The computer 118 stores the information of the voltage E and the current I of each area EA sent from the control unit 116. The computer 118 previously stores the cross-sectional area S, the distance L between the electrodes 114, and the target value of the specific resistance of the molten glass MG to be described later in each region EA.

도 6에 도시한 비저항의 산출(ST12)에서는, 컴퓨터(118)는, 보존한 각 영역 EA의 전압 E, 전류 I, 단면적 S 및 거리 L의 정보와, 상기의 수학식 2에 기초하여, 각 영역 EA에서의 용융 글래스 MG의 비저항 ρ를 산출한다.In the calculation of the specific resistance (ST12) shown in FIG. 6, the computer 118 calculates each of the angles based on the information of the voltage E, the current I, the cross-sectional area S, and the distance L of each of the stored regions EA and the above expression (2). The resistivity p of the molten glass MG in the area EA is calculated.

또한, 미리, 용해조(101)의 용융 글래스 MG가 원하는 용해 상태에 있을 때의 각 영역 EA의 비저항 ρ를 산출해 두고, 그 값을 비저항 ρ의 목표값으로서 컴퓨터(118)에 보존해 둘 수 있다. 비저항 ρ의 목표값을 결정하는 단계에서는, 예를 들면 종래와 같이 열전대 등의 온도 측정 수단을 이용하여 용융 글래스 MG의 원하는 용해 상태를 만들고, 그 상태에서 상기와 같이 컴퓨터(118)에 의해 비저항 ρ를 산출해도 된다. 또한, 미리, 용융 글래스 MG로부터 제조한 글래스 기판을 채취하여 도가니 등에서 용해시켜, 목표로 하는 점도 및 온도의 용해 글래스 MG에 대응하는 비저항을 구하고, 비저항 ρ의 목표값으로 해도 된다.In addition, the resistivity p of each area | region EA when the molten glass MG of the dissolution tank 101 is in the desired melt | dissolution state is computed previously, and the value can be preserve | saved in the computer 118 as a target value of specific resistance p. . In the step of determining the target value of the specific resistance p, for example, a desired melting state of the molten glass MG is made by using a temperature measuring means such as a thermocouple as in the prior art, and in that state by the computer 118 as described above. May be calculated. Moreover, the glass substrate manufactured from molten glass MG is previously taken out, it melt | dissolves in a crucible, etc., and the specific resistance corresponding to melting glass MG of a target viscosity and temperature may be calculated | required, and it may be set as the target value of specific resistance p.

도 6에 도시한 비저항의 비교(ST13)에서는, 컴퓨터(118)는, 각 영역 EA의 비저항 ρ의 목표값과, 산출한 각 영역 EA의 비저항 ρ를 비교한다.In comparison of the specific resistance (ST13) shown in FIG. 6, the computer 118 compares the target value of the specific resistance p of each area EA with the calculated specific resistance p of each area EA.

도 6에 도시한 제어량의 결정(ST14)에서는, 컴퓨터(118)는, 상기의 비저항의 비교(ST13)의 결과에 기초하여, 제어 유닛(116)에 보내는 제어량을 결정한다.In determination of the control amount (ST14) shown in FIG. 6, the computer 118 determines the control amount to be sent to the control unit 116 based on the result of the comparison of the specific resistance (ST13).

구체적으로는, 어떤 영역 EA에서, 산출한 비저항 ρ가 목표값보다도 크거나 또는 허용할 수 있는 범위보다도 큰 경우에는, 컴퓨터(118)는 그 영역 EA에서 용융 글래스 MG에 발생시키는 줄열을, 소정 양 감소시키는 지시를 내린다.Specifically, in a certain area EA, when the calculated specific resistance p is larger than the target value or larger than the allowable range, the computer 118 generates a predetermined amount of Joule heat generated in the molten glass MG in the area EA. Give instructions to reduce.

어떤 영역 EA에서, 산출한 비저항 ρ가 목표값과 동일하거나 또는 허용할 수 있는 범위 내인 경우에는, 컴퓨터(118)는 그 영역 EA에서 용융 글래스 MG에 발생시키는 줄열을 유지하는 지시를 내린다.In a certain area EA, if the calculated resistivity p is equal to or within an acceptable range, the computer 118 instructs to maintain the Joule heat generated in the molten glass MG in that area EA.

어떤 영역에서, 산출한 비저항 ρ가 목표값보다도 작거나 또는 허용할 수 있는 범위보다도 작은 경우에는, 컴퓨터(118)는 그 영역 EA에서 용융 글래스 MG에 발생시키는 줄열을, 소정 양 증가시키는 지시를 내린다.In a certain area, when the calculated specific resistance p is smaller than the target value or smaller than the allowable range, the computer 118 gives an instruction to increase the Joule heat generated in the molten glass MG in the area EA by a predetermined amount. .

도 6에 도시한 줄열의 제어(ST15)에서는, 제어 유닛(116)은, 컴퓨터(118)로부터 보내진 제어량의 지시에 기초하여, 각 영역 EA의 용융 글래스 MG에 발생시키는 줄열을 제어한다.In the control ST15 of Joule row shown in FIG. 6, the control unit 116 controls Joule row generated in the molten glass MG of each area EA based on the instruction of the control amount sent from the computer 118.

구체적으로는, 제어 유닛(116)은, 어떤 영역 EA의 용융 글래스 MG에 발생시키는 줄열을 감소시키는 지시를 받은 경우에는, 그 영역 EA에 대응하는 한 쌍의 전극(114) 사이의 용융 글래스 MG에 흐르는 전류의 값이, 원래의 값보다도 소정의 값만큼 작은 일정한 값으로 되도록 목표 전류값을 설정한다.Specifically, when the control unit 116 is instructed to reduce the Joule heat generated in the molten glass MG of a certain area EA, the control unit 116 is connected to the molten glass MG between the pair of electrodes 114 corresponding to the area EA. The target current value is set so that the value of the flowing current becomes a constant value which is smaller by a predetermined value than the original value.

제어 유닛(116)은, 어떤 영역 EA의 용융 글래스 MG에 발생시키는 줄열을 유지하는 지시를 받은 경우에는, 그 영역 EA에 대응하는 한 쌍의 전극(114) 사이의 용융 글래스 MG에 흐르는 전류의 값 또는 원래의 목표값을, 목표 전류값으로 설정한다.When the control unit 116 is instructed to maintain the Joule heat generated in the molten glass MG of a region EA, the value of the current flowing in the molten glass MG between the pair of electrodes 114 corresponding to the region EA is Alternatively, the original target value is set as the target current value.

제어 유닛(116)은, 어떤 영역 EA의 용융 글래스 MG에 발생시키는 줄열을 증가시키는 지시를 받은 경우에는, 그 영역 EA에 대응하는 한 쌍의 전극(114) 사이의 용융 글래스 MG에 흐르는 전류의 값이, 원래의 값보다도 소정의 값만큼 큰 일정한 값으로 되도록, 목표 전류값을 설정한다.When the control unit 116 is instructed to increase the joule heat generated in the molten glass MG of a region EA, the value of the current flowing in the molten glass MG between the pair of electrodes 114 corresponding to the region EA is The target current value is set to be a constant value which is larger by a predetermined value than the original value.

제어 유닛(116)은, 또한, 용융 글래스 MG에 흐르는 전류의 값을 목표 전류값으로 유지하도록, 각 쌍의 전극(114) 사이의 용융 글래스 MG에 걸리는 전압을 제어한다.The control unit 116 further controls the voltage applied to the molten glass MG between the pair of electrodes 114 to maintain the value of the current flowing in the molten glass MG at the target current value.

상기의 제어에 의해, 종래의 열전대 등의 온도 측정 수단을 이용하지 않고, 각 영역 EA의 용융 글래스 MG의 점도 및 온도를 원하는 상태로 유지하여, 용해조(101)의 용융 글래스 MG의 대류 및 용해의 상태를 원하는 상태로 유지할 수 있다.By the above control, the viscosity and the temperature of the molten glass MG of each area EA are maintained in a desired state without using a temperature measuring means such as a conventional thermocouple, and convection and melting of the molten glass MG of the dissolution tank 101 are performed. You can keep the state as you want.

다음으로, 상기의 산출한 비저항 ρ에 기초하여 각 영역 EA의 용융 글래스 MG에 발생시키는 줄열을 제어하는 방법의 하나로서, 산출한 각 영역 EA의 비저항 ρ로부터 또한 각 영역 EA의 용융 글래스 MG의 온도를 산출하는 방법에 대하여 설명한다.Next, as one of the methods of controlling the Joule heat generated in the molten glass MG of each area | region EA based on the above-mentioned specific resistivity p, the temperature of the molten glass MG of each area | region EA further from the calculated specific resistance p of each area | region EA. A method of calculating the will be described.

도 7은 산출한 비저항 ρ로부터 용융 글래스 MG의 온도를 구하여, 각 영역 EA의 용융 글래스에 발생시키는 줄열을 제어하는 공정을 설명하는 도면이다.FIG. 7: is a figure explaining the process which calculates | requires the temperature of molten glass MG from the computed specific resistance (rho), and controls the joule heat which generate | occur | produces in the molten glass of each area | region EA.

이 방법에서는, 우선, 예비 공정(ST21)으로서, 미리, 용해조(101)에서 만드는 용융 글래스 MG와 동일한 성분의 용융 글래스의 온도와 비저항의 관계를 구하고, 컴퓨터(118)에 기록해 둔다. 용융 글래스 MG의 온도와 비저항의 관계를 구하는 단계에서는, 용해조(101)에서, 예를 들면 종래와 같이 열전대 등의 온도 측정 수단을 이용하여 용융 글래스 MG의 온도를 측정해도 된다. 또한, 상기와 같이 컴퓨터(118)에 의해 비저항 ρ를 산출함으로써, 용융 글래스 MG의 온도와 비저항의 관계를 구할 수 있다. 또한, 미리, 용해 글래스 MG로부터 제조한 글래스 기판을 채취하여 도가니 등에서 용해시키고, 그때의 용융 글래스 MG의 온도와 비저항을 측정함으로써, 이들의 상관 관계를 얻어도 된다.In this method, first, as the preliminary step (ST21), the relationship between the temperature and the specific resistance of the molten glass of the same component as the molten glass MG made by the dissolution tank 101 is determined in advance and recorded in the computer 118. In the step of calculating the relationship between the temperature of the molten glass MG and the specific resistance, the melting glass 101 may be measured using a temperature measuring means such as a thermocouple, for example, in the conventional manner. In addition, by calculating the specific resistance p by the computer 118 as described above, the relationship between the temperature of the molten glass MG and the specific resistance can be obtained. Moreover, you may obtain these correlations by taking out the glass substrate manufactured from molten glass MG previously, melt | dissolving in a crucible, etc., and measuring the temperature and specific resistance of the molten glass MG at that time.

용융 글래스 MG의 온도는, 예를 들면 F(ρ)와 같이, 비저항 ρ의 함수로서 나타낼 수 있다. 즉, 용융 글래스 MG의 비저항 ρ와 용융 글래스 MG의 온도 T(℃)는, 하기의 수학식 1에 의해 나타내어지는 상관 관계를 갖고 있다.The temperature of the molten glass MG can be expressed as a function of the specific resistance p, for example F (p). That is, the specific resistance p of molten glass MG and the temperature T (degreeC) of molten glass MG have the correlation shown by following formula (1).

Figure pct00002
Figure pct00002

수학식 1에서, a 및 b는 글래스 조성에 의존하는 상수이다.In Equation 1, a and b are constants that depend on the glass composition.

예비 공정(ST21)에 의해, 상기 상수 a 및 b의 값이 특정된다. 상기 상수 a 및 b의 값은, 상기의 수학식 1과 함께 컴퓨터(118)에 보존된다. 또한, 예비 공정(ST21)에서는, 미리, 각 영역 EA의 용융 글래스 MG의 목표 온도를 설정하고, 그 값을 컴퓨터(118)에 보존해 둔다.By the preliminary step ST21, the values of the constants a and b are specified. The values of the constants a and b are stored in the computer 118 together with the above equation (1). In the preliminary step ST21, the target temperature of the molten glass MG of each region EA is set in advance, and the value is stored in the computer 118.

도 7에 도시한 샘플링(ST21) 및 비저항의 산출(ST23)은, 도 6에 도시한 샘플링(ST11) 및 비저항의 산출(ST12)과 마찬가지이므로, 설명은 생략한다.Since the sampling ST21 and the calculation of the specific resistance ST23 shown in FIG. 7 are the same as those of the sampling ST11 and the calculation of the specific resistance ST12 shown in FIG. 6, the description is omitted.

도 7에 도시한 온도의 산출(ST24)에서는, 컴퓨터(118)는, 산출한 각 영역 EA의 비저항 ρ와, 미리 보존해 둔 상수 a 및 b와, 상기 수학식 1에 기초하여, 각 영역 EA에서의 용융 글래스 MG의 온도 T를 산출한다.In calculation of temperature ST24 shown in FIG. 7, the computer 118 calculates the specific resistance p of each area | region EA computed, the constants a and b previously stored, and each area | region EA based on said Formula (1). The temperature T of molten glass MG in is computed.

또한, 미리, 용해조(101)의 용융 글래스 MG가 원하는 용해 상태에 있을 때의 각 영역 EA의 온도 T를 산출해 두고, 그 값을 온도 T의 목표값으로서 컴퓨터(118)에 보존해 둘 수 있다. 온도 T의 목표값을 설정하는 단계에서는, 예를 들면 종래와 같이 열전대 등의 온도 측정 수단을 이용하여 용융 글래스 MG에 원하는 용해 상태를 만들고, 그 상태에서 상기와 같이 컴퓨터(118)에 의해 온도 T를 산출해도 된다.In addition, the temperature T of each area | region EA when the molten glass MG of the dissolution tank 101 is in the desired melt | dissolution state is calculated previously, and the value can be preserve | saved in the computer 118 as a target value of temperature T. . In the step of setting the target value of the temperature T, for example, a desired dissolved state is created in the molten glass MG using a temperature measuring means such as a thermocouple as in the prior art, and in that state, the temperature T is performed by the computer 118 as described above. May be calculated.

도 7에 도시한 온도의 비교(ST25)에서는, 컴퓨터(118)는, 보존한 각 영역 EA의 온도 T의 목표값과, 산출한 각 영역 EA의 온도 T를 비교한다.In the comparison of temperature ST25 shown in FIG. 7, the computer 118 compares the target value of the temperature T of the stored area EA and the calculated temperature T of each area EA.

도 7에 도시한 제어량의 결정(ST26)에서는, 상기의 온도의 비교(ST25)의 결과에 기초하여, 제어 유닛(116)에 보내는 제어량을 결정한다.In determination ST26 of the control amount shown in FIG. 7, the control amount to be sent to the control unit 116 is determined based on the result of the comparison of the temperature ST25 described above.

구체적으로는, 어떤 영역 EA에서, 산출한 온도 T가 목표값보다도 높거나 또는 허용할 수 있는 범위보다도 높은 경우에는, 컴퓨터(118)는 그 영역 EA에서 용융 글래스 MG에 발생시키는 줄열을, 소정 양 감소시키는 지시를 내린다.Specifically, in a certain area EA, when the calculated temperature T is higher than the target value or higher than an allowable range, the computer 118 generates a predetermined amount of Joule heat generated in the molten glass MG in the area EA. Give instructions to reduce.

어떤 영역 EA에서, 산출한 온도 T가 목표값과 동일하거나 또는 허용할 수 있는 범위 내인 경우에는, 컴퓨터(118)는 그 영역 EA에서 용융 글래스 MG에 발생시키는 줄열을 유지하는 지시를 내린다.In a region EA, if the calculated temperature T is equal to or within an acceptable range, the computer 118 instructs to maintain the Joule heat generated in the molten glass MG in that region EA.

어떤 영역에서, 산출한 온도 T가 목표값보다도 낮거나 또는 허용할 수 있는 범위보다도 낮은 경우에는, 컴퓨터(118)는 그 영역 EA에서 용융 글래스 MG에 발생시키는 줄열을, 소정 양 증가시키는 지시를 내린다.In a certain region, when the calculated temperature T is lower than the target value or lower than an allowable range, the computer 118 gives an instruction to increase the Joule heat generated in the molten glass MG in the region EA by a predetermined amount. .

도 7에 도시한 줄열의 제어(ST27)는, 도 6에 도시한 줄열의 제어(ST15)와 마찬가지이므로, 설명은 생략한다.Since the control ST27 of the row of lines shown in FIG. 7 is the same as the control ST15 of the row of lines shown in FIG. 6, description thereof is omitted.

상기의 제어에 의해, 종래의 열전대 등의 온도 측정 장치를 이용하지 않고, 각 영역 EA의 용융 글래스 MG의 점도 및 온도를 원하는 상태로 하여, 용해조(101)의 용융 글래스 MG의 용해 상태를 원하는 상태로 할 수 있다.By the said control, the melt | dissolution state of the molten glass MG of the dissolution tank 101 is a desired state, making the viscosity and temperature of the molten glass MG of each area | region EA into a desired state, without using a conventional temperature measuring apparatus, such as a thermocouple. You can do

일반적으로, 흐름 방향 F에서 대향하는 내벽(110c, 110d)의 근방의 용융 글래스 MG는, 내벽(110c, 110d)으로부터 외부로의 열방사에 의해 저온으로 되기 쉽다. 이 때문에, 본 실시 형태에서는, 용해조(101)의 흐름 방향 F의 양단부에서 용융 글래스 MG에 발생시키는 열량을, 중앙부에서 용융 글래스 MG에 발생시키는 열량보다도 많게 한다. 이에 의해, 하층에서의 용융 글래스 MG의 온도차를 가능한 한 작게 하여 용융 글래스 MG의 온도를 균일화시켜, 용융 글래스 MG의 하층의 온도 분포를 평탄화한다.In general, the molten glass MG near the inner walls 110c and 110d facing each other in the flow direction F tends to become low temperature by heat radiation from the inner walls 110c and 110d to the outside. For this reason, in this embodiment, the amount of heat which the molten glass MG generate | occur | produces in the both ends of the flow direction F of the dissolution tank 101 is made more than the amount of heat which the molten glass MG produces in the center part. Thereby, the temperature difference of molten glass MG in a lower layer is made as small as possible, the temperature of molten glass MG is made uniform, and the temperature distribution of the lower layer of molten glass MG is flattened.

도 8은 본 실시 형태에서의 용해조(101) 내부의 용융 글래스의 대류를 설명하는 도면이다. 본 실시 형태에서는, 글래스 원료를, 용해조(101)에 축적된 용융 글래스 MG의 액면에 대하여 전면적으로 투입함으로써, 액면(101c)을 포함하는 표층의 온도가 균일화된 용융 글래스 MG를 만든다.FIG. 8: is a figure explaining the convection of the molten glass in the dissolution tank 101 in this embodiment. In this embodiment, the glass raw material is thrown in the whole surface with respect to the liquid level of the molten glass MG accumulate | stored in the melting tank 101, and the molten glass MG which the temperature of the surface layer containing the liquid surface 101c was made uniform is produced.

이 용융 글래스 MG를 유출구(104a)로부터 후속 공정을 향하여 흘릴 때, 하층의 용융 글래스 MG에서, 도 3에서의 용해조(104a)의 길이 방향(제1 방향)을 따른 온도 분포에 기인하는 대류가 발생하지 않도록 한다. 즉, 하층의 용융 글래스 MG의 제1 방향을 따른 온도가 균일해지도록, 하층의 용융 글래스 MG를 가열한다. 구체적으로는, 용해조(101)의 제1 방향의 양단부에서 용융 글래스 MG를 가열하기 위한 열량을, 용해조(101)의 제1 방향의 중앙부에서 용융 글래스 MG를 가열하기 위한 열량보다도 많게 하도록 조정한다.When this molten glass MG flows from the outlet 104a toward the subsequent process, convection resulting from the temperature distribution along the longitudinal direction (first direction) of the dissolution tank 104a in FIG. 3 occurs in the molten glass MG of the lower layer. Do not do it. That is, the lower molten glass MG is heated so that the temperature along the 1st direction of the lower molten glass MG becomes uniform. Specifically, the amount of heat for heating the molten glass MG at both ends of the melting tank 101 in the first direction is adjusted to be higher than the amount of heat for heating the molten glass MG at the central portion in the first direction of the melting tank 101.

용해조(101)의 길이 방향에서, 양단부의 용융 글래스 MG의 가열량을 중앙부의 그것보다도 많게 하는 것은, 길이 방향에서 대향하는 내벽(110c, 110d)으로부터 외부로 열이 방출되기 쉽기 때문이다. 이와 같은 가열량의 조정을 행하지 않으면, 상기 양단부에서의 용융 글래스 MG의 온도는 중앙부에 비해 낮아지는 경향이 있다. 이 때문에, 3쌍의 전극(114)에 공급하는 전력은, 용해조(101)의 길이 방향의 중앙부의 전극(114)에 비해, 용해조(101)의 길이 방향의 양단부에 가까운 전극(114)쪽이 많아지도록 설정하는 것이 바람직하다. 이것은, 용해조에 4쌍 이상의 전극(114)이 설치되어 있는 경우도 마찬가지이다.In the longitudinal direction of the dissolution tank 101, the heating amount of the molten glass MG at both ends is greater than that at the central portion because heat is easily released to the outside from the inner walls 110c and 110d facing in the longitudinal direction. If adjustment of such heating amount is not performed, the temperature of the molten glass MG in the said both ends will tend to become low compared with a center part. For this reason, the electric power supplied to three pairs of electrodes 114 is closer to the electrode 114 near the both ends of the longitudinal direction of the dissolution tank 101 compared with the electrode 114 of the center part of the longitudinal direction of the dissolution tank 101. It is preferable to set so that it may increase. This also applies to the case where four or more pairs of electrodes 114 are provided in the dissolution tank.

상기한 바와 같이, 본 실시 형태에서는, 산출한 각 영역 EA의 용융 글래스 MG의 비저항 ρ에 기초하여, 각 영역 EA의 용융 글래스 MG에 발생시키는 줄열을 제어한다. 그 때문에, 각 영역 EA에서 외부로 방출되는 열량이 상이한 경우라도, 비저항 ρ의 목표값 또는 온도 T의 목표값을 유지하도록, 각 영역 EA의 용융 글래스 MG에 발생시키는 줄열의 양이 조정된다.As described above, in the present embodiment, the joule heat generated in the molten glass MG of each region EA is controlled based on the calculated specific resistance p of the molten glass MG of each region EA. Therefore, even if the amount of heat emitted to the outside in each region EA is different, the amount of Joule heat generated in the molten glass MG of each region EA is adjusted to maintain the target value of the specific resistance p or the target value of the temperature T.

이에 의해, 용융 글래스 MG는, 하층에서의 용융 글래스 MG의 온도 분포에 기인한 대류를 일으키지 않고, 용융 글래스 MG의 유출구(104a)로부터의 유출로 유도된다. 도 8에 도시한 화살표와 같이, 용융 글래스 MG는, 하층의 용해조(101)의 저면에 가까운 부분에서는, 용해조(101)의 저면을 따라서 유출구(104a)를 향하여 흐른다. 용해조(101)의 저면으로부터 멀어짐에 따라서, 용해조(101)의 저면을 따르는 흐름의 영향이 작아져, 용융 글래스 MG는 표층으로부터 용해조(101)의 저면을 향하여 가라앉도록 흐른다.As a result, the molten glass MG is guided to the outflow from the outlet 104a of the molten glass MG without causing convection due to the temperature distribution of the molten glass MG in the lower layer. As shown by the arrow shown in FIG. 8, molten glass MG flows toward the outlet 104a along the bottom face of the dissolution tank 101 in the part near the bottom face of the dissolution tank 101 of a lower layer. As it moves away from the bottom of the dissolution tank 101, the influence of the flow along the bottom of the dissolution tank 101 becomes small, and the molten glass MG flows from the surface layer toward the bottom of the dissolution tank 101 to sink.

이와 같이, 본 실시 형태에서는, 하층에서 용융 글래스 MG의 온도 분포에 기인한 대류가 발생하지 않으므로, 이질 원료 등에 기인한 글래스 조성의 불균일을 억제할 수 있다. 이에 대하여, 하층에서 용융 글래스 MG의 온도 분포가 균일하지 않은 경우, 하층과 온도가 균일화한 표층 사이에는 온도차의 분포가 발생하므로, 종래와 같은 핫 스프링의 대류가 생기기 쉽다.As described above, in the present embodiment, since convection due to the temperature distribution of the molten glass MG does not occur in the lower layer, the variation in the glass composition due to the foreign material and the like can be suppressed. In contrast, when the temperature distribution of the molten glass MG is not uniform in the lower layer, the distribution of the temperature difference occurs between the lower layer and the surface layer where the temperature is uniform, so that convection of the hot spring is likely to occur.

도 9는 종래의 용해조 내부의 용융 글래스의 대류를 설명하는 도면이다. 도 9에 도시한 바와 같이, 종래의 용해조에서는, 영역 A에서, 핫 스프링이 형성되도록 용융 글래스는 부분적으로 강하게 가열되어 대류가 촉진된다. 이 때문에, 용융 글래스의 액면의 일부에 투입된 글래스 원료 중, SiO2 등의 녹기 어려운 원료 성분이 대류에 의해 이동하여, 예를 들면 실리카 리치의 이질 원료(120)가 글래스 원료의 투입 위치로부터 떨어진 곳에 저류되기 쉽다. 또한, 이 이질 원료(120)가 대류를 따라서 유출구로부터 유출될 기회가 증가하여, 맥리 등의 글래스 조성의 불균일의 원인으로 되기 쉽다.It is a figure explaining the convection of the molten glass in the conventional dissolution tank. As shown in Fig. 9, in the conventional dissolution tank, in the region A, the molten glass is partially heated so as to form a hot spring, so that convection is promoted. For this reason, in the glass raw material charged into the portion of the molten glass surface, the melt hard material components such as SiO 2 is moved by convection, e.g., a dissimilar material 120 of the silica rich is away from the input position of the glass raw material Easy to accumulate Moreover, the chance that this foreign material 120 will flow out from an outlet port along convection increases, and it becomes easy to become a cause of the nonuniformity of glass composition, such as stria.

본 실시 형태의 글래스 기판의 제조 방법은, 점성이 높은 용융 글래스, 예를 들면 용융 글래스의 102.5poise에서의 온도가 1300℃ 이상(예를 들면, 1300℃ 이상 1650℃ 이하), 보다 바람직하게는 1500℃ 이상(예를 들면, 1500℃ 이상 1650℃ 이하)인 용융 글래스이어도 적용할 수 있어, 종래의 제조 방법의 경우에 비해, 맥리 등의 글래스 조성의 불균일을 억제할 수 있는 이점이 크다.The manufacturing method of the glass substrate of this embodiment is 1300 degreeC or more (for example, 1300 degreeC or more and 1650 degrees C or less), More preferably, the viscosity of molten glass with high viscosity, for example, 10 2.5 poise of molten glass, is more preferable. Molten glass which is 1500 degrees C or more (for example, 1500 degrees C or more and 1650 degrees C or less) can also be applied, and compared with the case of the conventional manufacturing method, the advantage which can suppress the nonuniformity of glass composition, such as striae, is large.

본 실시 형태의 글래스 기판의 제조 방법은, 1500℃에서의 비저항이 180Ωㆍ㎝ 이상인 비저항이 큰 용융 글래스에서도, 핫 스프링을 강조하기 위해서 과도한 전압을 걸 필요가 없기 때문에, 내화물에 전류가 흐르는 것을 방지할 수 있다. 이 때문에, 글래스의 실투의 원인으로 되기 쉬운 ZrO2(지르코니아)가 용해조(101)의 용융 글래스 MG와 접하는 내벽으로부터 용출되는 것을 방지하면서 글래스 조성의 불균일을 억제할 수 있다. 이와 같은 비저항이 큰 용융 글래스에 대해서는, 용해조(101)에서 버너에 의한 가열을 병용해도 된다.In the method of manufacturing the glass substrate of the present embodiment, even in a molten glass having a specific resistance of 180 Ω · cm or more at 1500 ° C., it is not necessary to apply excessive voltage in order to emphasize the hot spring, thereby preventing current from flowing in the refractory. can do. Therefore, it is possible while preventing easily cause devitrification of the glass ZrO 2 (zirconia) is eluted from the inner wall in contact with the molten glass in the melting vessel MG 101, to suppress the non-uniformity of the glass composition. About the molten glass with such a large specific resistance, you may use together the heating by a burner in the melting tank 101. FIG.

본 실시 형태에서는, 각 쌍의 전극(114)이 서로 대향하고 있으므로, 용융 글래스 MG의 제1 방향을 따른 하층에서의 온도를 효과적으로 균일화시킬 수 있다.In this embodiment, since the pair of electrodes 114 face each other, the temperature in the lower layer along the first direction of the molten glass MG can be effectively uniformized.

본 실시 형태에서는, 각 쌍의 전극(114)에 공급하는 전력이, 용해조(101)의 열의 방출을 고려하여, 용해조(101)의 길이 방향의 중앙부에 비해, 양단부쪽이 많아지도록 공급되므로, 하층에서의 용융 글래스 MG의 흐름 방향 F에서의 온도 분포를 균일화하기 쉽다.In this embodiment, since the electric power supplied to each pair of electrodes 114 is supplied so that both ends may increase compared with the center part of the longitudinal direction of the dissolution tank 101 in consideration of the discharge | release of the heat of the dissolution tank 101, It is easy to uniformize the temperature distribution in the flow direction F of the molten glass MG at.

본 실시 형태에서는, 용융 글래스의 온도 분포에 기인하는 대류를 일으키지 않도록 용융 글래스 MG의 하층에서의 온도가 균일화된다. 그 때문에, 종래와 같이 용융 글래스의 온도 분포에 기인한 대류를 촉진시키기 위해서, 용해조(101)를 구성하는 내화물의 용출을 희생으로 하여 용융 글래스를 부분적으로 과도하게 고온으로 가열할 필요가 없어진다. 이에 의해, 글래스의 실투의 원인으로 되기 쉬운 ZrO2가 용해조(101)의 용융 글래스 MG와 접하는 내벽으로부터 용출되기 어려워진다. 따라서, 본 실시 형태의 제조 방법은, 내식성이 우수한 ZrO2를 성분에 포함하는 내화물에 의해 용해조(101)의 내벽이 구성되어 있는 경우에 적합하다.In this embodiment, the temperature in the lower layer of the molten glass MG is uniformized so as not to cause convection caused by the temperature distribution of the molten glass. Therefore, in order to promote convection due to the temperature distribution of the molten glass as in the prior art, the molten glass does not need to be heated to an excessively high temperature at the expense of elution of the refractory constituting the dissolution tank 101. As a result, it becomes difficult easy ZrO 2 become a cause of devitrification of the glass to elute from the inner wall in contact with the molten glass in the melting vessel MG 101. Therefore, the production method of the present embodiment is suitable for the corrosion resistance in the inner wall of the melting vessel 101 is made of a refractory material containing a fine ZrO 2 component.

이하, 글래스 조성의 관점에서, 본 실시 형태의 효과를 설명한다.Hereinafter, the effect of this embodiment is demonstrated from a viewpoint of glass composition.

본 실시 형태에서 제조하는 글래스 기판의 조성은, 알루미노실리케이트 글래스에 의해 구성되며, SiO2(실리카)를 50질량% 이상 포함할 수 있다. 이 조성을 갖는 알루미노실리케이트 글래스에, 본 실시 형태의 제조 방법을 적용함으로써, 종래에 비해 효과적으로 글래스 조성의 불균일을 억제할 수 있다. 본 실시 형태에서 제조하는 글래스 기판의 조성은, SiO2를 55질량% 이상 포함할 수 있고, 또한, SiO2를 60질량% 이상 포함할 수 있다.The composition of the glass substrate manufactured in this embodiment is constituted by the alumino-silicate glass, it may include SiO 2 (silica), 50 mass% or more. By applying the manufacturing method of this embodiment to the aluminosilicate glass which has this composition, the nonuniformity of glass composition can be suppressed more effectively than before. The composition of the glass substrate manufactured in this embodiment, may include at least 55 mass% SiO 2, and may include SiO 2 more than 60% by mass.

이들 조성을 갖는 알루미노실리케이트 글래스에 본 실시 형태의 제조 방법을 적용함으로써, 종래에 비해 보다 효과적으로 글래스 조성 불균일을 억제할 수 있다. SiO2를 50질량% 이상 포함하여, 실리카 리치의 이질 원료가 생기기 쉬운 글래스 조성이어도, 용융 글래스 MG가 온도 분포에 기인한 대류가 발생하지 않도록 용해되므로, 실리카 리치의 이질 원료가 유출구(104a)로부터 유출되는 것을 방지할 수 있다.By applying the manufacturing method of this embodiment to the aluminosilicate glass which has these compositions, glass composition nonuniformity can be suppressed more effectively compared with the former. Including SiO 2 at least 50% by weight, may be easy glass to occur dissimilar material composition of the silica-rich, since the molten glass MG is dissolved so that the convection from occurring due to a temperature distribution, from a heterogeneous material of the silica-rich outlet (104a) Can be prevented from leaking.

또한, 글래스 원료가 액면(101c)에 항상 일정한 두께분 존재하도록 투입되므로, SiO2가 다 녹지 않고 남는 것이 방지되어, 도 9에 도시한 바와 같은 SiO2에 의한 이질 원료(120)가 발생하기 어렵다.In addition, since the glass raw material is always added to the liquid surface 101c to have a constant thickness, it is prevented that SiO 2 does not melt and remains, and foreign material 120 by SiO 2 hardly occurs as shown in FIG. 9. .

SiO2를 50질량% 이상 포함하고 용융 글래스 MG의 점성이 높은 글래스 조성을 글래스 기판에 이용하여, 종래와 같이 용융 글래스의 대류를 촉진한 경우, 용해조를 구성하는 내화물에 함유하는 ZrO2(지르코니아)가 용융 글래스에 용출되어, 글래스의 실투의 원인으로 되는 경우가 있다.Include a SiO 2 more than 50% by weight and by using a glass substrate composition highly viscous glass of the molten glass MG, when the facilitating the convection of molten glass as in the prior art, the ZrO 2 (zirconia) which contains the refractory constituting the melting vessel It may elute to molten glass and may cause the devitrification of glass.

그러나, 본 실시 형태는, 용융 글래스 MG의 온도 분포에 기인하는 대류를 일으키지 않도록 하층에서의 용융 글래스 MG의 온도 분포를 균일화하므로, 종래와 같이 용융 글래스를 과도하게 고온으로 가열할 필요가 없다. 이 때문에, 용해조(101)의 내화물로부터 ZrO2(지르코니아)의 용출을 방지할 수 있다. 또한, SiO2의 글래스 조성에서의 함유율의 상한은 예를 들면 70질량%이다.However, in the present embodiment, since the temperature distribution of the molten glass MG in the lower layer is uniformized so as not to cause convection due to the temperature distribution of the molten glass MG, it is not necessary to heat the molten glass to an excessively high temperature as in the prior art. Therefore, it is possible to prevent the dissolution of ZrO 2 (zirconia) from the refractory of the melting vessel 101. Further, the content by percentage of the upper limit of the glass composition of SiO 2 is 70 mass%, for example.

또한, SiO2와 Al2O3를 합계 60질량% 이상 포함할 수 있고, 이 글래스 조성을 갖는 알루미노실리케이트 글래스를 적용한 본 실시 형태의 제조 방법은, 종래에 비해 결과적으로 글래스 조성의 불균일을 억제할 수 있다. 또한, SiO2와 Al2O3를 합계 65질량% 이상 포함할 수 있고, 또한, SiO2와 Al2O3를, 합계 70질량% 이상 포함할 수 있다.Further, it may comprise more than 60% by mass in total of SiO 2 and Al 2 O 3, the manufacturing method of this embodiment is applied to an aluminosilicate glass having the glass composition is, as compared with the conventional Consequently, to suppress the non-uniformity of the glass composition Can be. Further, it may comprise more than 65% by mass in total of SiO 2 and Al 2 O 3, it may also include the SiO 2 and Al 2 O 3, the total of 70 mass% or more.

SiO2와 Al2O3를 합계 60질량% 이상 포함하여 실리카 리치의 이질 원료(120)가 생기기 쉬운 글래스 조성이라도, 용융 글래스 MG가 온도 분포에 기인한 대류가 발생하지 않도록 용해되므로, 실리카 리치의 이질 원료가 유출구(104a)로부터 유출되는 것을 방지할 수 있다.Even the occur easy glass composition including SiO 2 and Al 2 O 3 in total more than 60% by mass of heterogeneous material (120) of the silica-rich, since the molten glass MG is dissolved so that the convection from occurring due to the temperature distribution of the silica-rich It is possible to prevent the foreign material from flowing out of the outlet 104a.

또한, 글래스 원료가 액면(101c)에 항상 일정한 두께분 존재하도록 투입되므로, SiO2가 다 녹지 않고 남는 것이 방지되어, 도 9에 도시한 바와 같은 SiO2에 의한 이질 원료(120)가 발생하기 어렵다.In addition, since the glass raw material is always added to the liquid surface 101c to have a constant thickness, it is prevented that SiO 2 does not melt and remains, and foreign material 120 by SiO 2 hardly occurs as shown in FIG. 9. .

SiO2와 Al2O3를 합계 60질량% 이상 포함하고 용융 글래스 MG의 점성이 높은 글래스 조성을 글래스 기판에 이용하여, 종래와 같이 용융 글래스의 대류를 촉진한 경우, 용해조를 구성하는 내화물에 함유하는 ZrO2(지르코니아)가 용융 글래스에 용출되어, 글래스의 실투의 원인으로 되는 경우가 있다.Including SiO 2 and Al 2 O 3 in total more than 60% by weight and by using a glass substrate composition highly viscous glass of the molten glass MG, when the facilitating the convection of molten glass as in the prior art, containing a refractory constituting the melting vessel ZrO 2 (zirconia) may be eluted to the molten glass, resulting in loss of glass.

그러나, 본 실시 형태는, 용융 글래스 MG의 온도 분포에 기인하는 대류를 일으키지 않도록 하층에서의 용융 글래스 MG의 온도 분포를 균일화하므로, 종래와 같이 용융 글래스를 부분적으로 과도하게 고온으로 가열할 필요가 없다. 이 때문에, 용해조(101)의 내화물로부터 ZrO2(지르코니아)의 용출을 방지할 수 있다. 또한, 글래스 조성에서, SiO2와 Al2O3의 합계의 함유율의 상한은, 예를 들면 95질량%이다.However, in the present embodiment, since the temperature distribution of the molten glass MG in the lower layer is uniformed so as not to cause convection caused by the temperature distribution of the molten glass MG, there is no need to heat the molten glass to partly excessively high temperature as in the prior art. . Therefore, it is possible to prevent the dissolution of ZrO 2 (zirconia) from the refractory of the melting vessel 101. Further, in the glass composition, the content by percentage of the upper limit of the sum of SiO 2 and Al 2 O 3 is, for example, 95% by weight.

또한, 글래스 기판은, 알루미노보로실리케이트 글래스로 구성되는 것이 바람직하다. B2O3(산화붕소)는, SiO2에 비해 저온에서 용해되고, 또한, SiO2의 용해 온도를 저하시킨다. 따라서, SiO2의 함유율이 높은 글래스 조성에서는, B2O3를 함유시키는 것은, 이질 원료(120)(도 9 참조)를 발생시키기 어려운 점에서 유효하다.In addition, it is preferable that a glass substrate consists of aluminoborosilicate glass. B 2 O 3 (boron oxide) is dissolved at a low temperature compared to the SiO 2, also, to lower the melting temperature of the SiO 2. Therefore, in a glass composition with a high SiO 2 content, it is effective to contain B 2 O 3 in that it is difficult to generate a foreign material 120 (see FIG. 9).

글래스 기판의 글래스 조성은 예를 들면 이하의 것을 적용할 수 있다. 이하에 나타내는 조성의 함유율 표시는 질량%이다.The glass composition of a glass substrate can apply the following, for example. The content rate indication of the composition shown below is the mass%.

SiO2 : 50?70%, SiO 2 : 50 to 70%,

B2O3 : 5?18%, B 2 O 3 : 5-18%,

Al2O3 : 0?25%, Al 2 O 3 : 0-25%,

MgO : 0?10%, MgO: 0-10%,

CaO : 0?20%, CaO: 0-20%,

SrO : 0?20%, SrO: 0-20%,

BaO : 0?10%, BaO: 0 to 10%

RO : 5?20%(단, R은 Mg, Ca, Sr 및 Ba로부터 선택되는 적어도 1종이며, 글래스 기판이 함유하는 것임)RO: 5 to 20% (wherein R is at least one selected from Mg, Ca, Sr and Ba, and the glass substrate contains)

를 함유하는 무알칼리 글래스인 것이 바람직하다.It is preferable that it is an alkali free glass containing.

또한, 글래스 기판의 조성으로서, 이하의 조성을 적용할 수 있다.In addition, the following composition can be applied as a composition of a glass substrate.

SiO2 : 50?70%, SiO 2 : 50 to 70%,

B2O3 : 1?10%, B 2 O 3 : 1-10%,

Al2O3 : 0?25%, Al 2 O 3 : 0-25%,

MgO : 0?10%, MgO: 0-10%,

CaO : 0?20%, CaO: 0-20%,

SrO : 0?20%, SrO: 0-20%,

BaO : 0?10%, BaO: 0 to 10%

RO : 5?30%(단, R은 Mg, Ca, Sr 및 Ba의 합량(合量))RO: 5-30% (wherein R is the total amount of Mg, Ca, Sr and Ba)

를 함유하는 무알칼리 글래스인 것도, 마찬가지로 바람직하다.It is also likewise preferable to be an alkali free glass containing.

또한, 본 실시 형태에서는 무알칼리 글래스로 하였지만, 글래스 기판은 알칼리 금속을 미량 포함한 알칼리 미량 함유 글래스이어도 된다. 알칼리 금속을 함유시키는 경우, R'2O의 합계가 0.10% 이상 0.5% 이하, 바람직하게는 0.20% 이상 0.5% 이하(단, R'는 Li, Na 및 K로부터 선택되는 적어도 1종이며, 글래스 기판이 함유하는 것임) 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 글래스의 용해를 용이하게 하기 위해서, 비저항을 저하시킨다고 하는 관점에서, 글래스 중의 산화철의 함유량이 0.01?0.2%인 것이 더욱 바람직하다. 또한, As2O3, Sb2O3 및 PbO를 실질적으로 포함하지 않는 것이 바람직하다.In addition, in this embodiment, although it is set as the alkali free glass, the glass substrate may be alkali trace amount containing glass containing a trace amount of alkali metal. When an alkali metal, R 'is the sum of the 2 O at least 0.10% less than 0.5%, preferably at least 0.20% less than 0.5% (however, R' is at least one selected from Li, Na and K, the glass It is preferable to include). Moreover, in order to make melting of glass easy, from a viewpoint of reducing specific resistance, it is more preferable that content of iron oxide in glass is 0.01 to 0.2%. In addition, it is preferred that As 2 O 3, Sb 2 O 3 and that is substantially free of the PbO.

본 실시 형태의 제조 방법은, 액정 표시 장치용 글래스 기판에 효과적으로 적용할 수 있다. 액정 표시 장치용 글래스 기판은, 글래스 기판에서의 열팽창을 억제하고, 또한, 글래스 기판에 형성되는 TFT(Thin Film Transistor)의 특성을 저하시키지 않기 위해서, 상술한 바와 같이, 글래스 조성에 알칼리 금속 성분(Li, Na 및 K)을 포함시키지 않거나, 포함시켜도 미량의 것이 바람직하다.The manufacturing method of this embodiment can be effectively applied to a glass substrate for a liquid crystal display device. The glass substrate for a liquid crystal display device suppresses thermal expansion in a glass substrate and also does not reduce the characteristic of TFT (Thin Film Transistor) formed in a glass substrate, As mentioned above, an alkali metal component ( A trace amount is preferable even if it does not contain Li, Na, and K).

그러나, 알칼리 금속 성분(Li, Na 및 K)을 포함시키지 않거나, 포함시켜도 미량인 경우, 용융 글래스 MG의 고온 점성이 높아지기 때문에, 강한 핫 스프링을 만들기 위해서는, 용융 글래스 MG를 부분적으로 고온으로 가열할 필요가 있다.However, when the alkali metal component (Li, Na, and K) is not included or is contained in a small amount, the high temperature viscosity of the molten glass MG becomes high, so that the molten glass MG is partially heated to a high temperature to make a strong hot spring. There is a need.

이에 대하여, 본 실시 형태에서는, 용융 글래스 MG의 액면(101c)의 대략 전체면에 글래스 원료는 투입되고, 또한, 용융 글래스 MG의 대류가 발생하지 않도록 용융 글래스 MG의 온도는 조정된다. 그 때문에, 종래와 같이, 용융 글래스의 온도 분포를 만들기 위해서 용융 글래스 MG를 부분적으로 고온으로 가열할 필요가 없어진다. 따라서, 본 실시 형태의 제조 방법은, 종래와 같이 용융 글래스의 온도를 부분적으로 과도하게 높게 하지 않는 점에서, 액정 표시 장치용 글래스 기판에 바람직하게 적용할 수 있다.On the other hand, in this embodiment, the glass raw material is thrown into the substantially whole surface of the liquid surface 101c of molten glass MG, and the temperature of molten glass MG is adjusted so that convection of molten glass MG may not generate | occur | produce. Therefore, it is not necessary to heat molten glass MG at high temperature partly in order to make temperature distribution of molten glass like conventionally. Therefore, the manufacturing method of this embodiment can be suitably applied to the glass substrate for liquid crystal display devices in the point which does not make the temperature of molten glass partially too high like the conventional one.

이 외에, 글래스 원료는, 청징제로서, SnO2(산화주석)를 0.01?0.5질량% 포함하는 것이, 환경 부하를 저감하는 한편, 효율적인 청징 효과를 발휘시키는 점에서 바람직하다. 본 실시 형태에서는, 환경 부하 저감의 관점에서, 청징제로서 SnO2를 이용하지만, SnO2의 청징 작용을 효과적으로 기능시키기 위해서는, 용해 온도를 지나치게 높게 하지 않는 것이 바람직하다.In addition, the glass raw material, as fining agents, SnO 2 and the inclusion of (tin oxide), 0.01? 0.5 mass%, is preferred from the point that exhibited a reduced environmental load On the other hand, effective refining effect. In the present embodiment, from the viewpoint of reducing the environmental load, SnO 2 is used as a clarifier, but in order to effectively function the clarification action of SnO 2 , it is preferable not to make the dissolution temperature too high.

본 실시 형태에서는, 용융 글래스 MG의 온도를 종래의 공지의 제조 방법과 같이, 핫 스프링을 강조하기 위해서 용융 글래스를 부분적으로 과도하게 가열할 필요가 없다. 그 때문에, 용해조(101)의 내화물로부터 ZrO2(지르코니아)의 용출을 방지할 수 있는 것 외에, SnO2의 청징 작용을 효과적으로 기능시킬 수 있다.In this embodiment, it is not necessary to partially heat the molten glass excessively in order to emphasize the hot spring in the temperature of the molten glass MG as in the conventionally known manufacturing method. Therefore, in addition to preventing the elution of ZrO 2 (zirconia) from the refractory of the dissolution tank 101, the clarification action of SnO 2 can be effectively functioned.

또한, 본 실시 형태에서는, 용융 글래스 MG의 하층에서의 온도를 용해조(101) 내에서 보다 효과적으로 균일화하기 위해서, 용해조(101)의 외측 측벽에는, 전극(114)이 설치되는 부분의 주위에 보온 부재가 설치되는 것이 바람직하다. 보온재로서, 예를 들면 글라스울이나 세라믹 화이버 등의 단열재를 판 형상으로 단단하게 한 판 부재 등이 이용된다. 이에 의해, 용해조(101)의 외측 측벽으로부터의 방열을 방지할 수 있어, 용융 글래스 MG의 온도를 용해조(101) 내에서 보다 효과적으로 균일하게 하여, 용융 글래스 MG의 대류를 보다 한층 더 저감할 수 있다.In addition, in this embodiment, in order to more uniformize the temperature in the lower layer of the molten glass MG in the dissolution tank 101 more effectively, the heat insulation member is provided in the outer side wall of the dissolution tank 101 around the part in which the electrode 114 is provided. Is preferably installed. As a heat insulating material, the board member etc. which hardened heat insulating materials, such as glass wool and a ceramic fiber in plate shape, are used, for example. Thereby, heat dissipation from the outer side wall of the dissolution tank 101 can be prevented, the temperature of the molten glass MG can be uniformed more effectively in the dissolution tank 101, and the convection of the molten glass MG can be further reduced. .

이상, 본 발명의 바람직한 실시 형태를 설명하였지만, 본 발명은 상기의 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에서, 구성의 부가, 생략, 치환 및 그 밖의 변경이 가능하다. 본 발명은 전술한 설명에 의해 한정되지 않고, 첨부의 클레임의 범위에 의해서만 한정된다.As mentioned above, although preferred embodiment of this invention was described, this invention is not limited to said embodiment. Additions, omissions, substitutions, and other modifications can be made without departing from the spirit of the invention. The present invention is not limited by the above description, but only by the scope of the appended claims.

또한, 상기 실시 형태는 이하의 내용을 포함하고 있다. In addition, the said embodiment contains the following content.

(1) 글래스 기판의 제조 방법으로서, 글래스 원료를 용해조에서 용해하는 용해 공정을 포함한다. 상기 용해 공정에서는, 글래스 원료를, 용해조에 축적된 용융 글래스의 액면의 대략 전체면에 투입함으로써, 액면을 포함하는 표층의 온도가 균일화된 용융 글래스를 만든다. 상기 용해조의 내측 측벽 중, 제1 방향을 향하는 내측 측벽의 저부에 형성된 유출구로부터 후속 공정을 향하여 상기 용융 글래스를 흘린다. 상기 용융 글래스를 흘릴 때, 용융 글래스의 깊이 방향에서 상기 표층보다 하방에 위치하는 상기 용융 글래스의 하층의 온도를, 상기 하층에서 상기 용융 글래스의 온도 분포에 기인한 대류가 발생하지 않도록, 상기 용해조의 상기 제1 방향의 양단부에 위치하는 용융 글래스에 제공하는 열량을 적어도 조정함으로써, 상기 하층의 용융 글래스의 상기 제1 방향을 따른 온도 분포를 균일화시키면서, 상기 용융 글래스를 상기 유출구로부터 상기 후속 공정에 흘린다.(1) The manufacturing method of a glass substrate includes the melting process which melt | dissolves a glass raw material in a dissolution tank. In the said melting process, a glass raw material is thrown into the substantially whole surface of the liquid level of the molten glass accumulate | stored in the melting tank, and the molten glass which the temperature of the surface layer containing a liquid level is uniform is made. The molten glass flows from the outlet formed in the bottom of the inner sidewall facing the first direction among the inner sidewalls of the dissolution tank toward the subsequent process. When flowing the molten glass, the temperature of the lower layer of the molten glass located below the surface layer in the depth direction of the molten glass so that convection due to the temperature distribution of the molten glass in the lower layer does not occur. By adjusting at least the amount of heat provided to the molten glass which is located at both ends of the first direction, the molten glass is flowed from the outlet to the subsequent step while equalizing the temperature distribution along the first direction of the molten glass of the lower layer. .

(2) (1)의 글래스 기판의 제조 방법에 있어서, 상기 하층에서의 상기 온도 분포를 균일화시키기 위해서, 상기 용해조의 상기 제1 방향에 평행한 내측 측벽 중, 상기 하층에 대응하는 상기 깊이 방향의 부분에, 상기 액면에 평행한 방향으로 전류를 흘려 상기 하층에 위치하는 용융 글래스를 통전 가열하는 복수쌍의 전극이 설치된다. 상기 복수쌍의 전극의 각각의 쌍은, 상기 제1 방향에 직교하는 방향을 향하여 서로 대향하고 있다.(2) In the method for manufacturing a glass substrate of (1), in order to make the temperature distribution in the lower layer uniform, the inner side wall parallel to the first direction of the dissolution tank in the depth direction corresponding to the lower layer. In the portion, a plurality of pairs of electrodes are provided to energize and heat the molten glass located in the lower layer by flowing a current in a direction parallel to the liquid level. Each pair of the plurality of pairs of electrodes faces each other in a direction orthogonal to the first direction.

(3) (2)의 글래스 기판의 제조 방법에 있어서, 상기 복수쌍의 전극에 공급하는 전력은, 상기 제1 방향의 상기 용해조의 상기 제1 방향의 중앙부에 위치하는 전극에 비해, 상기 제1 방향의 상기 용해조의 양측에 위치하는 전극쪽이 높다.(3) In the method for manufacturing a glass substrate of (2), the power supplied to the plurality of pairs of electrodes is the first in comparison with the electrode located in the center portion of the first direction of the dissolution tank in the first direction. The electrode side located in the both sides of the said dissolution tank of the direction is high.

(4) (1)?(3) 중 어느 하나의 글래스 기판의 제조 방법에 있어서, 상기 용해조의 상기 용융 글래스와 접하는 내측 측벽은, 지르코니아를 성분에 포함하는 내화물에 의해 구성되어 있다.(4) The method for producing a glass substrate according to any one of (1) to (3), wherein the inner sidewall contacting the molten glass of the dissolution tank is made of a refractory containing zirconia as a component.

(5) (1)?(3) 중 어느 하나의 글래스 기판의 제조 방법에 있어서, 상기 용융 글래스의 102.5poise에서의 온도는 1300℃ 이상이다.(5) The method for producing a glass substrate of any one of (1) to (3), wherein the temperature of the molten glass at 10 2.5 poise is 1300 ° C or higher.

(6) (1)?(3) 중 어느 하나의 글래스 기판의 제조 방법에 있어서, 상기 제조되는 글래스 기판은, 알루미노실리케이트 글래스로 구성되고, SiO2를 50질량% 이상 포함한다.(6) The method for producing a glass substrate according to any one of (1) to (3), wherein the glass substrate to be manufactured is made of aluminosilicate glass and contains 50% by mass or more of SiO 2 .

(7) (6)의 글래스 기판의 제조 방법에 있어서, 상기 제조되는 글래스 기판은, 알루미노실리케이트 글래스로 구성되고, SiO2와 Al2O3를 합계 60질량% 이상 포함한다.In the production method of the glass substrate 7 (6), a glass substrate on which the preparation is made up as an aluminosilicate glass, and the SiO 2 and Al 2 O 3 containing 60 wt% or more in total.

(8) (1)?(7) 중 어느 한 항의 글래스 기판의 제조 방법에 있어서, 상기 제조되는 글래스 기판은 무알칼리 글래스 혹은 알칼리 미량 함유 글래스로 구성된다.(8) The method for producing a glass substrate according to any one of (1) to (7), wherein the glass substrate to be produced is composed of an alkali free glass or an alkali trace amount containing glass.

(9) (1)?(8) 중 어느 한 항의 글래스 기판의 제조 방법에 있어서, 상기 용융 글래스의 1500℃에서의 비저항은 180Ωㆍ㎝ 이상이다.(9) In the method for producing a glass substrate according to any one of (1) to (8), the specific resistance of the molten glass at 1500 ° C. is 180 Ω · cm or more.

(10) (1)?(9) 중 어느 한 항의 글래스 기판의 제조 방법에 있어서, 상기 글래스 원료에는 산화주석이 청징제로서 첨가되어 있다.(10) In the method for producing a glass substrate according to any one of (1) to (9), tin oxide is added to the glass raw material as a clarifier.

(11) (2)의 글래스 기판의 제조 방법에 있어서, 상기 용해조의 외측 측벽에는, 상기 복수쌍의 전극이 설치되는 부분의 주위에 보온 부재가 설치된다.(11) In the manufacturing method of the glass substrate of (2), the heat insulation member is provided in the outer side wall of the said dissolution tank around the part in which the said several pair of electrode is provided.

100 : 용해 장치
101 : 용해조
101a : 액조
101b : 상부 공간
101c : 액면
101d : 버킷
101f : 원료 투입창
102 : 청징조
103 : 교반조
103a : 스터러
104, 105, 106 : 글래스 공급관
110 : 내벽
110a, 110b, 110c, 110d : 내벽
110e : 저면
112 : 버너
114 : 전극
116 : 제어 유닛
118 : 컴퓨터
120 : 이질 원료
200 : 성형 장치
210 : 성형체
300 : 절단 장치
100: dissolution device
101: dissolution tank
101a: liquid tank
101b: upper space
101c: face value
101d: bucket
101f: Raw material input window
102: clarification
103: stirring tank
103a: stirrer
104, 105, 106: glass supply pipe
110: inner wall
110a, 110b, 110c, 110d: inner wall
110e: Bottom
112: burner
114: electrode
116: control unit
118: computer
120: heterogeneous raw material
200: forming apparatus
210: molded body
300: cutting device

Claims (12)

글래스의 원료를 용해하여 용융 글래스를 생성하는 용해 공정을 포함하고,
상기 용해 공정은,
한 쌍의 전극 사이에 상기 용융 글래스를 배치하고 전압을 걸어, 상기 용융 글래스에 전류를 흘려 줄열을 발생시키는 공정과,
상기 전류의 값과 상기 전압의 값을 측정하여 상기 용융 글래스의 비저항을 산출하는 공정과,
상기 산출한 비저항에 기초하여, 상기 줄열을 제어하는 공정을 포함하는
글래스 기판의 제조 방법.
A melting step of melting the raw material of the glass to produce the molten glass;
The dissolution step,
Arranging the molten glass between a pair of electrodes and applying a voltage to flow a current through the molten glass to generate Joule heat;
Calculating a specific resistance of the molten glass by measuring a value of the current and a value of the voltage;
Controlling the Joule heat based on the calculated specific resistance;
Method for producing a glass substrate.
제1항에 있어서,
상기 용해 공정에서, 상기 한 쌍의 전극을 복수쌍 이용하고, 상기 한 쌍의 전극마다 상기 전류가 흐르는 영역을 설정하고,
상기 비저항을 산출하는 공정에서, 상기 영역마다 상기 비저항을 산출하고,
상기 줄열을 제어하는 공정에서, 상기 영역마다 상기 줄열을 제어하는 글래스 기판의 제조 방법.
The method of claim 1,
In the dissolution step, a plurality of pairs of the pair of electrodes are used, and a region in which the current flows for each of the pair of electrodes is set,
In the step of calculating the specific resistance, the specific resistance is calculated for each of the regions,
In the step of controlling the row of rows, the method of manufacturing a glass substrate for controlling the row of rows for each region.
제1항에 있어서,
상기 용해 공정은,
상기 용융 글래스의 온도와 상기 용융 글래스의 비저항의 상관 관계를 얻는 예비 공정을 갖고,
상기 줄열을 제어하는 공정은,
상기 용융 글래스의 목표 온도를 설정하는 공정과,
상기 상관 관계와, 상기 산출한 비저항에 기초하여 상기 용융 글래스의 온도를 산출하는 공정과,
상기 산출한 온도와 상기 목표 온도를 비교한 결과에 기초하여, 상기 용융 글래스에 발생시키는 줄열을 제어하는 공정을 포함하는 글래스 기판의 제조 방법.
The method of claim 1,
The dissolution step,
And a preliminary step of obtaining a correlation between the temperature of the molten glass and the specific resistance of the molten glass,
The step of controlling the joule heat,
Setting a target temperature of the molten glass;
Calculating a temperature of the molten glass based on the correlation and the calculated specific resistance;
And a step of controlling Joule's heat generated in the molten glass based on a result of comparing the calculated temperature with the target temperature.
제3항에 있어서,
상기 용해 공정에서, 상기 한 쌍의 전극을 복수쌍 이용하고, 상기 한 쌍의 전극마다 상기 전류가 흐르는 영역을 설정하고,
상기 비저항을 산출하는 공정에서, 상기 영역마다 상기 비저항을 산출함과 함께,
상기 온도를 산출하는 공정에서, 상기 영역마다 상기 온도를 산출하고,
상기 줄열을 제어하는 공정에서, 상기 영역마다 상기 줄열을 제어하는 글래스 기판의 제조 방법.
The method of claim 3,
In the dissolution step, a plurality of pairs of the pair of electrodes are used, and a region in which the current flows for each of the pair of electrodes is set,
In the step of calculating the specific resistance, the specific resistance is calculated for each of the regions,
In the step of calculating the temperature, the temperature is calculated for each of the regions,
In the step of controlling the row of rows, the method of manufacturing a glass substrate for controlling the row of rows for each region.
제3항 또는 제4항에 있어서,
상기 줄열을 제어하는 공정은,
상기 산출한 온도를 상기 목표 온도로 유지하도록 상기 용융 글래스에 줄열을 발생시키는 상기 전류값을 구하고, 그 전류값을 목표 전류값으로 설정하는 공정과,
상기 전류값을 상기 목표 전류값으로 유지하도록, 상기 전압을 제어하는 공정을 포함하는 글래스 기판의 제조 방법.
The method according to claim 3 or 4,
The step of controlling the joule heat,
Obtaining the current value for generating Joule's heat in the molten glass so as to maintain the calculated temperature at the target temperature, and setting the current value to a target current value;
And controlling the voltage to maintain the current value at the target current value.
제3항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 예비 공정에서,
상기 온도를 T로 하고, 상기 비저항을 ρ로 하고, 상기 상관 관계를 나타내는 식:
[수학식 1]
Figure pct00003

에서의 상수 a 및 b를 구하고,
상기 온도를 산출하는 공정에서,
상기 수학식 1에 상기 비저항 ρ를 대입하여 상기 온도 T를 산출하는 글래스 기판의 제조 방법.
6. The method according to any one of claims 3 to 5,
In the preliminary process,
The temperature is set to T, the specific resistance is set to ρ, and the expression representing the correlation:
[Equation 1]
Figure pct00003

Find the constants a and b in,
In the step of calculating the temperature,
A method of manufacturing a glass substrate which calculates the temperature T by substituting the specific resistance p in Equation 1.
제2항 또는 제4항에 있어서,
상기 한 쌍의 전극은, 상기 용융 글래스의 양측에, 상기 용융 글래스의 상류로부터 하류로의 흐름 방향을 가로지르도록 서로 대향하여 배치되고,
상기 복수쌍의 전극이, 상기 흐름 방향으로 서로 간격을 두고 배치되고,
상기 영역의 경계를, 상기 흐름 방향에서 인접하는 상기 전극의 중간점을 통과하도록 설정하는 글래스 기판의 제조 방법.
The method according to claim 2 or 4,
The pair of electrodes are arranged opposite to each other on both sides of the molten glass so as to cross the flow direction from the upstream to the downstream of the molten glass,
The plurality of pairs of electrodes are arranged at intervals from each other in the flow direction,
The boundary of the said area | region is set so that it may pass through the intermediate point of the said electrode adjacent to the said flow direction.
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 비저항을 산출하는 공정에서,
상기 전류값을 I로 하고, 상기 전압을 E로 하고, 상기 전류가 흐르는 상기 용융 글래스의 단면적을 S로 하고, 상기 한 쌍의 전극의 사이의 거리를 L로 하고, 상기 비저항을 ρ로 하여, 이들의 관계를 나타내는 식:
[수학식 2]
Figure pct00004

에 기초하여, 상기 비저항 ρ를 산출하는 글래스 기판의 제조 방법.
8. The method according to any one of claims 1 to 7,
In the step of calculating the specific resistance,
The current value is I, the voltage is E, the cross-sectional area of the molten glass through which the current flows is S, the distance between the pair of electrodes is L, the resistivity is ρ, Expressions representing these relationships:
&Quot; (2) "
Figure pct00004

Based on the above, the specific resistance ρ is calculated.
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 용해 공정에서,
상기 원료를, 상기 용융 글래스의 액면을 덮도록 분산하여 투입하는 글래스 기판의 제조 방법.
The method according to any one of claims 1 to 8,
In the dissolution process,
The manufacturing method of the glass substrate which disperse | distributes and inputs the said raw material so that the liquid surface of the said molten glass may be covered.
제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 전극은 산화주석 전극인 글래스 기판의 제조 방법.
10. The method according to any one of claims 1 to 9,
The electrode is a method of manufacturing a glass substrate is a tin oxide electrode.
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 용해 공정 후에,
상기 용융 글래스를 청징하는 공정과,
상기 용융 글래스를 글래스 기판으로 성형하는 공정을 갖고,
상기 용융 글래스를 청징하는 공정을 백금 또는 백금 합금제의 용기의 내부에서 행하는 글래스 기판의 제조 방법.
11. The method according to any one of claims 1 to 10,
After the dissolution step,
Clarifying the molten glass;
It has a process of molding the molten glass into a glass substrate,
The manufacturing method of the glass substrate which performs the process of clarifying the said molten glass in the inside of the container made from platinum or a platinum alloy.
제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 글래스 기판은 플랫 패널 디스플레이용의 글래스 기판인 글래스 기판의 제조 방법.
12. The method according to any one of claims 1 to 11,
The said glass substrate is a manufacturing method of the glass substrate which is a glass substrate for flat panel displays.
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