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KR20120120710A - 표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents

표시장치 및 그 제조방법 Download PDF

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KR20120120710A
KR20120120710A KR1020110038446A KR20110038446A KR20120120710A KR 20120120710 A KR20120120710 A KR 20120120710A KR 1020110038446 A KR1020110038446 A KR 1020110038446A KR 20110038446 A KR20110038446 A KR 20110038446A KR 20120120710 A KR20120120710 A KR 20120120710A
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KR
South Korea
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light
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absorbing
light emitting
light absorbing
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KR1020110038446A
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김원종
이준구
정지영
최진백
이연화
송영우
이종혁
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삼성디스플레이 주식회사
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Publication date
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Priority to TW100149760A priority patent/TWI549237B/zh
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Abstract

표시장치 및 그 제조방법이 제공된다. 본 발명에 따른 표시장치는, 하부기판, 상기 하부기판 상에 형성되고 복수의 화소를 포함하는 발광소자, 상기 발광소자의 상부에 이격 배치되고 실란트에 의해 밀봉된 상부기판, 상기 발광소자와 상기 상부기판 사이에 충전된 충전재, 상기 하부기판과 상기 상부기판 사이에 형성되어 소정의 파장대의 빛을 선택적으로 흡광하는 흡광물질을 포함한다.

Description

표시장치 및 그 제조방법{DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 색순도가 향상된 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
정보통신 산업이 급격히 발달됨에 따라 표시 장치의 사용이 급증하고 있으며, 최근들어 저전력, 경량, 박형, 고해상도의 조건을 만족할 수 있는 표시 장치가 요구되고 있다. 이러한 요구에 발맞추어 다수의 금속배선과 발광 소자를 갖춘 액정표시장치(Liquid Crystal Display)나 유기발광표시장치(Organic Light Emitting Display)와 같은 다양한 표시장치들이 개발되고 있다.
액정표시장치나 유기발광표시장치와 같은 표시장치에는 유기 화합물이 포함될 수 있는데, 이러한 유기 화합물은 수분 및/또는 산소에 노출되면 열화될 수 있다. 유기 화합물뿐만 아니라 기판 상에 형성되는 금속 배선이 반응성이 높은 금속으로 형성될 경우에도 수분 및/또는 산소에 노출되면 산화되어 불량 화소가 형성될 수 있다. 표시장치의 구성요소를 보호하기 위해 발광소자 상에 봉지수단을 구비할 수 있다.
한편, 종래의 표시장치의 경우 각 화소에서 적색(R), 녹색(G), 청색(B)에 해당하는 색상을 발광하는데, 각각의 발광 색상을 구성하는 빛의 파장이 각 색상의 고유 파장에 가까울수록 보다 정확한 색 구현이 가능하다. 예를 들어, 적색광(R)의 경우 파장의 중심 피크인 630nm 영역의 파장의 비율이 높을수록 색순도가 높은 적색을 구현할 수 있다.
따라서, 높은 색순도를 구현하기 위해, 공진 구조를 활용하여 중심 피크의 광을 강하게 형성하거나 발광소자의 광량을 제어하는 등의 다양한 방법이 개시된 바 있으나, 색순도 개선이 미비한 실정이다.
이에 본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 높은 비용증가 없이 높은 색순도를 구현할 수 있는 구성을 가지는 표시장치 및 그 제조방법을 제공하고자 하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는, 색순도가 높으면서 투과율 및 이에 따른 휘도에 영향을 미치지 않는 표시장치를 제공하고자 하는 것이다.
본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는, 하부기판, 상기 하부기판 상에 형성되고 복수의 화소를 포함하는 발광소자, 상기 발광소자의 상부에 이격 배치되고 실란트에 의해 밀봉된 상부기판, 상기 발광소자와 상기 상부기판 사이에 충전된 충전재, 상기 하부기판과 상기 상부기판 사이에 형성되어 소정의 파장대의 빛을 선택적으로 흡광하는 흡광물질을 포함한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치는, 하부기판, 상기 하부기판 상에 형성되되 각각 복수의 서브화소로 구성된 복수의 화소를 포함하는 발광소자, 상기 발광소자의 상부에 이격 배치되고 실란트에 의해 밀봉된 상부기판, 상기 발광소자와 상기 상부기판 사이에 충전된 충전재, 상기 하부기판과 상기 상부기판의 사이에 형성되어 소정의 파장대의 빛을 선택적으로 흡광하는 흡광층을 포함하되, 상기 복수의 서브화소는 각각 R, G, B 색상을 발광하는 서브화소를 포함하고, 상기 흡광층은 상기 각 서브화소에 대응되는 위치에 형성되고 상기 각 서브화소 별로 다른 파장 영역의 빛을 흡광하는 물질로 구성된다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 제조방법은, 하부기판 상에 발광소자를 형성하는 단계, 충전재를 제공하고, 소정의 파장대의 빛을 선택적으로 흡광하는 흡광물질을 혼합하는 단계, 상기 발광소자 상에 상기 충전재를 충전하는 단계, 상기 하부기판의 일부에 실란트를 도포하는 단계, 상기 실란트와 밀착되어 밀봉 흡착되는 상부기판을 제공하는 단계를 포함한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치의 제조방법은, 하부기판 상에 복수의 화소를 포함하는 발광소자를 형성하는 단계, 상기 발광소자 상에 상기 충전재를 충전하는 단계, 상기 하부기판의 일부에 실란트를 도포하는 단계, 상부기판의 일면에 소정의 파장대의 빛을 선택적으로 흡광하는 흡광층을 형성하는 단계, 상기 상부기판을 실란트와 밀착하여 밀봉하는 단계를 포함하되, 상기 흡광층을 형성하는 단계는, 흡광물질을 용매에 분산 및 용해시키는 단계, 상기 상부기판의 일면에 상기 흡광물질을 코팅하는 단계를 포함한다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면 적어도 다음과 같은 효과가 있다.
즉, 상부기판 및 하부기판 사이에 충전되는 충전재에 특정 파장의 광을 흡수하는 흡광물질을 분산시킴으로써 투명도 및 휘도는 유지하되 색순도가 향상된 표시장치를 제공할 수 있다.
또한, 기존의 발광소자를 그대로 사용하기 때문에 높은 비용증가 없이 용이하게 색순도를 향상시킬 수 있는 구성을 가지는 표시장치를 제공할 수 있다.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 개략적인 구조를 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1의 발광소자(200)의 구성을 예시적으로 나타내는 단면도이다.
도 3a 및 도 3b는 도 1의 발광소자(200)에서 발광된 빛의 각 색상별 파장 분포를 나타내는 도면이다.
도 4a는 도 1의 발광소자에서 발광된 적색광(R)이 충전재(400)를 통과한 후의 파장 분포를 나타내는 도면이다.
도 4b는 도 1의 발광소자에서 발광된 녹색광(G)이 충전재(400)를 통과한 후의 파장 분포를 나타내는 도면이다.
도 4c는 도 1의 발광소자에서 발광된 청색광(B)이 충전재(400)를 통과한 후의 파장 분포를 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치의 개략적인 구조를 나타내는 단면도이다.
도 6은 도 5의 A 영역을 확대해서 도시한 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 나타내는 순서도이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 나타내는 순서도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 도면에서 표시된 구성요소의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다.
본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 개략도인 평면도 및 단면도를 참고하여 설명될 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이고, 발명의 범주를 제한하기 위한 것은 아니다.
이하, 도 1 및 도 2를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치에 대해 설명한다. 본 실시예에 따른 표시장치는 하부기판(100), 상기 하부기판(100) 상에 형성된 발광소자(200), 상기 발광소자(200)의 상부에 이격 배치되고 실란트(300)에 의해 밀봉된 상부기판(500), 상기 발광소자(200)와 상기 상부기판(500) 사이에 충전된 충전재(400), 상기 하부기판과 상기 상부기판 사이에 형성되어 소정의 파장대의 빛을 선택적으로 흡광하는 흡광물질을 포함한다.
하부기판(100)은 SiO2를 주성분으로 하는 투명한 유리 재질로 이루어질 수 있다. 또한, 하부기판(100)은 투명한 플라스틱으로 형성될 수 있다. 하부기판(100)을 형성하는 플라스틱은 절연성 유기물을 포함할 수 있다. 상기 절연성 유기물의 예로는 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP) 또는 이들의 조합을 들 수 수 있다.
화상이 하부기판(100) 방향으로 구현되는 배면 발광형 표시장치인 경우에 하부기판(100)은 투명한 재질로 형성해야 하나, 화상이 하부기판(100)의 반대 방향으로 구현되는 전면 발광형 표시장치인 경우에는 하부기판(100)은 반드시 투명한 재질로 형성할 필요는 없다.
예를 들어, 전면 발광형 표시장치의 경우 하부기판(100)은 불투명한 금속으로 형성될 수도 있다. 금속으로 하부기판(100)을 형성할 경우 하부기판(100)은 철, 크롬, 망간, 니켈, 티타늄, 몰리브덴 및 스테인레스 스틸(SUS)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 하부기판(100)은 금속 포일로 형성할 수 있다.
발광소자(200)는 하부기판(100) 상에 형성된다. 발광소자(200)는 구동회로로부터 인가된 구동신호에 따라 각 화소의 박막 트랜지스터를 제어함으로써 빛을 방출하여 원하는 화상을 표시할 수 있다. 발광소자(200)는 앞서 설명한 바와 같이, 발광된 빛이 하부기판(100) 방향으로 진행하는 배면 발광형 표시장치와, 발광된 빛이 상부기판(500) 방향으로 진행하는 전면 발광형 표시장치로 구분될 수 있는데, 상기 모든 타입의 발광소자(200)가 본 실시예에 따른 표시장치에 적용될 수 있다.
발광소자(200)는 각 화소에 형성된 박막 트랜지스터에 의해 전계가 인가되어 구동되는 액정을 포함할 수 있으며, 또한 발광소자(200)는 각 화소에 형성된 박막 트랜지스터에 의해 전계가 형성되어 유기발광층이 자발광하는 유기발광소자일 수 있다. 이 경우에는, 발광소자(200)는 복수의 주사 라인 및 데이터 라인 사이에 매트릭스 방식으로 연결되어 각 화소를 정의하는 복수의 유기발광체를 포함할 수 있다.
패시브 매트릭스(passive matrix) 방식의 경우 주사 라인 및 데이터 라인 사이에 각 유기발광체가 매트릭스 방식으로 연결될 수 있으며, 액티브 매트릭스(active matrix) 방식의 경우 주사 라인 및 데이터 라인 사이에 각 유기발광체가 매트릭스 방식으로 연결되되 유기발광체의 동작을 제어하기 위한 박막 트랜지스터 및 신호를 유지시키기 위한 캐패시터(capacitor)가 더 포함될 수 있다.
이어서, 도 2를 참조하여 본 실시예를 구성하는 발광소자(200)가 전면 발광형 유기발광소자인 경우의 예를 설명하나 본 발명의 발광소자(200)의 종류를 한정하는 것은 아니다.
본 실시예에 따른 유기발광표시장치의 발광소자(200)는, 하부기판(100) 상에 버퍼층(202), 반도체층(204), 게이트 절연막(206), 게이트 전극(210), 제1 층간절연막(212), 소스/드레인 전극(214), 제2 층간절연막(216) 및 화소정의막(220)이 순차적으로 적층되어 구성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 구성요소들은 하부기판(100)의 전면(whole surface) 또는 일부에만 형성되어 박막 트랜지스터나 캐패시터를 형성할 수 있다.
먼저, 하부기판(100)은 앞서 설명한 바와 같이, SiO2를 주성분으로 하는 투명한 유리 재질로 이루어질 수 있으며, 투명한 플라스틱 또는 절연성 유기물을 포함할 수 있다. 화상이 기판의 반대 방향으로 구현되는 전면 발광형인 경우에 기판은 반드시 투명한 재질로 형성할 필요는 없으나, 본 실시예에 따른 유기발광표시장치는 설명의 편의를 위해 배면발광형 표시장치를 예로 들어 설명하나 이로 인해 본 발명의 권리범위가 제한되는 것은 아니다.
버퍼층(202)은 하부기판(100)의 상부에 형성된다. 하부기판(100)의 평활성과 불순물의 침투를 차단하기 위해 형성될 수 있다. 버퍼층(202)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 실리콘 산질화막(SiO2Nx)의 단일층 또는 이들의 다중층일 수 있다.
버퍼층(202) 상에는 반도체층(204)이 형성될 수 있다. 반도체층(204)은 공지의 다양한 반도체 구성 물질로 이루어진 층일 수 있다. 예를 들어, 반도체층(204)은 실리콘(Si)을 포함하여 이루어질 수 있다. 구체적으로, 반도체층(204)은 비정질 실리콘(a-Si)층 또는 폴리 실리콘(p-Si)층으로 이루어질 수 있다. 그 외에도 반도체층(204)은 게르마늄(Ge), 갈륨인(GaP), 갈륨비소(GaAs), 알루미늄비소(AlAs) 등으로 구성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 반도체층(204)은 그 일부를 P형 또는 N형 불순물로 도핑한 형태일 수 있다. 몇몇 실시예에서, 박막 트랜지스터를 구성하는 반도체층(204)은 반도체 특성을 나타낼 수 있도록 불순물이 부분적으로 도핑되고, 캐패시터를 구성하는 반도체층(204)은 도체로 형성되어 전극을 구성하도록 전체가 도핑될 수 있다.
게이트 절연막(206)은 반도체층(204) 상에 형성되어 반도체층(204)을 커버하며, 반도체층(204)과 게이트 전극(210)을 절연시킬 수 있다. 게이트 절연막(206)은 버퍼층(202)과 마찬가지로 실리콘 산화막(SiO2), 실리콘 질화막(SiNx), 실리콘 산질화막(SiO2Nx) 또는 이들의 다중층일 수 있다. 게이트 절연막(206)은 버퍼층(202)과 동일한 재질로 형성될 수 있으며, 다른 재질로 형성될 수도 있다.
게이트 전극(210)은 게이트 절연막(206) 상에 형성될 수 있다. 게이트 전극(210)은 게이트 신호를 인가하여 각 화소 별로 발광을 제어할 수 있다. 게이트 전극(210)은 알루미늄(Al), 크롬-알루미늄(Cr-Al), 몰리브덴-알루미늄(Mo-Al) 또는 알루미늄-네오디뮴(Al-Nd)과 같은 알루미늄 합금의 단일층일 수 있으며, 크롬(Cr), 티타늄(Ti) 또는 몰리브덴(Mo) 합금 위에 알루미늄 합금이 적층된 다중층일 수도 있다.
본 실시예에서는 게이트 전극(210)의 하부에 투명전극(208)을 더 포함할 수 있다. 투명전극(208)은 투명 도전성 물질 예를 들어 탄소나노튜브(Carbon Nano Tube) 또는 금속 나노 와이어(Metal Nano Wire)와 같은 물질로 구성될 수도 있으며, ITO 및/또는 IZO와 같은 금속산화물로 구성될 수도 있다.
예를 들어, 본 실시예에서 박막 트랜지스터에는 ITO로 구성된 투명전극(208)과 그 상부에 연속적으로 적층되는 몰리브덴-알루미늄-몰리브덴(Mo-Al-Mo)의 3중 구조를 가지는 게이트 전극(210)이 적층될 수 있다.
투명전극(208)은 박막 트랜지스터 영역뿐만 아니라, 캐패시터 영역 및 발광부에도 소정의 폭으로 형성될 수 있다.
게이트 전극(210) 상에는 제1 층간절연막(212)이 형성될 수 있다. 제1 층간절연막(212)은 게이트 전극(210)과 소스/드레인 전극(214)을 전기적으로 절연시키는 역할을 수행한다. 제1 층간절연막(212)은 버퍼층(202)과 마찬가지로 실리콘 산화막(SiO2), 실리콘 질화막(SiNx), 실리콘 산질화막(SiO2Nx) 또는 이들의 다중층으로 형성될 수 있다. 제1 층간절연막(212)에는 소스/드레인 전극(214)을 형성하기 위한 콘택홀이 형성될 수 있다.
소스/드레인 전극(214)은 제1 층간절연막(212) 상에 형성되며, 반도체층(204)과 콘택홀에 의해 전기적으로 연결될 수 있다. 소스/드레인 전극(214)은 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 몰리브덴텅스텐(MoW), 알루미늄(Al), 알루미늄-네오디뮴(Al-Nd), 티타늄(Ti), 질화티타늄(TiN), 구리(Cu), 몰리브덴 합금(Mo alloy), 알루미늄 합금(Al alloy), 및 구리 합금(Cu alloy) 중에서 선택되는 어느 하나로 형성될 수 있으며, 몰리브덴-알루미늄-몰리브덴(Mo-Al-Mo)의 3중층 또는 티타늄-알루미늄-티타늄(Ti-Al-Ti)의 3중층으로 형성될 수도 있다.
제2 층간절연막(216)은 소스/드레인 전극(214)의 상부에 형성될 수 있다. 제2 층간절연막(216)은 소스/드레인 전극(214)과 화소 전극(218)을 전기적으로 절연시키되 일부에 컨택홀이 형성되어 소스/드레인 전극(214)의 일부와 화소 전극(218)이 전기적으로 연결될 수 있다.
제2 층간절연막(216)은 제1 층간절연막(212)과 동일한 재질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제2 층간절연막(216)은 실리콘 산화막(SiO2), 실리콘 질화막(SiNx), 실리콘 산질화막(SiO2Nx) 또는 이들의 다중층으로 형성될 수 있다.
화소 전극(218)은 제2 층간절연막(216) 상부에 형성될 수 있으며, 제2 층간절연막(216)에 형성된 컨택홀에 의해 소스/드레인 전극(214)의 일부와 전기적으로 연결될 수 있다.
화소 전극(218)은 후술하는 바와 같이, 공통전극(224)과 전계를 형성하고 각각 전자와 정공을 유기발광층(222)에 주입시키며, 주입된 정공과 전자가 결합한 엑시톤(exiton)이 여기상태로부터 기저상태로 떨어질 때 발광이 이루어질 수 있다.
화소정의막(220)은 제2 층간절연막(216) 상에 형성될 수 있다. 화소정의막(220)은 하부기판(100) 전체에 형성되어 박막 트랜지스터 및 캐패시터를 커버할 수 있다. 화소정의막(220)은 화소 전극(218)의 일부 또는 전체를 외부로 노출시켜 화소영역을 정의할 수 있다. 화소정의막(220)은 무기 물질 예를 들어, 실리콘 산화막(SiO2), 실리콘 질화막(SiNx), 실리콘 산질화막(SiO2Nx) 또는 이들의 다중층으로 구성될 수 있다.
유기발광층(222)은 화소 전극(218) 상에 형성될 수 있다. 본 실시예에 따른 유기발광층(222)은 정공주입층(HIL; Hole Injecting Layer), 정공수송층(HTL; Hole Transporting Layer), 발광층(EML; Emitting Layer), 전자수송층(ETL; Electron Transporting Layer) 및 전자주입층(EIL; Electron Injecting Layer)이 순서대로 적층되어 형성될 수 있다.
앞서 설명한 바와 같이, 정공주입층에서 주입된 정공(hole)과 전자주입층에서 주입된 전자(electron)가 발광층에서 결합하여 빛을 발생시키며, 전면발광형 유기발광표시장치의 경우, 발생된 빛은 도 2의 상향으로 발광되며, 상부의 공통 전극(224), 충전재(400) 및 상부기판(500)을 통과하여 외부로 향할 수 있다.
본 실시예에서 화소 전극(218)은 정공 주입 전극인 애노드 전극이며, 공통 전극(224)은 전자 주입 전극인 캐소드 전극을 구성한다. 그러나 본 실시예가 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 표시장치의 구동 방법에 따라 화소 전극(218)이 음극이 되고, 공통 전극(224)이 양극이 될 수도 있다.
또한, 본 실시예에 따른 표시장치에서 발광소자(200)가 상부기판(500) 방향으로 빛을 방출하기 위해, 화소 전극(218)으로는 반사형 전극이 사용되고 공통 전극(224)으로는 투과형 또는 반투과형 전극이 사용될 수도 있다.
유기발광층(222)은 정공이 발광층에 용이하게 도달할 수 있도록 보조 정공수송층을 더 포함할 수 있으며, 정공주입층은 정공수송층과 동일한 물질로 구성될 수 있다.
공통 전극(224)은 유기발광층(222) 상부에 증착되며, 구리(Cu) 또는 은(Ag)과 같은 금속으로 구성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 앞서 설명한 바와 같이, 공통 전극(224)은 유기발광층(222) 하부에 형성된 애노드 전극 즉, 투명 전극(218)과 전계를 형성하여 유기발광층(222)이 발광할 수 있도록 한다.
공통 전극(224)의 상부에는 내부 구성요소인 유기발광층(222) 및 공통 전극(224)을 보호하는 캡핑층(미도시)이 추가로 구비될 수 있다. 캡핑층은 공통 전극(224)을 외기로부터 보호하여 산화를 방지할 수 있다. 캡핑층의 재질에는 제한이 없으며, 캡핑층은 유기물로 구성될 수 있다.
이와 같이, 발광소자(200)는 복수의 층이 적층되어 전면 또는 배면으로 발광함으로써 화소를 구현할 수 있다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 발광소자(200)의 상부에는 충전재(400)가 포함될 수 있다. 충전재(400)는 하부기판(100)과 상부기판(500) 사이에 배치되어 하부기판(100)과 상부기판(500) 사이의 이격된 공간을 메운다. 이와 같이, 충전재(400)는 하부기판(100)과 상부기판(500) 사이의 빈 공간을 채움으로써, 표시장치의 기구 강도를 향상시킬 수 있다. 즉, 유기 발광 표시 장치(101)의 내부가 충전재(400)로 채워져, 외부의 충격에 대한 내구성이 향상될 수 있다.
충전재(400)는 광경화성 에폭시계 물질 또는 아크릴레이트계 물질 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
또한, 충전재(400)에는 발광소자(200)에 의해 발광된 빛 중 소정의 파장대의 빛을 선택적으로 흡광하는 흡광물질을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 흡광물질은 하부기판(100)과 상부기판(500) 사이의 임의의 위치에 개재될 수 있다. 즉, 흡광물질은 실제 발광영역인 하부기판(100) 상에 형성된 복수의 화소에 대응되는 위치에 선택적으로 형성될 수 있으며, 또한 흡광물질은 전면발광형 표시장치의 경우 상부기판(500)의 일면에 코팅되어 흡광층을 형성할 수도 있다. 이외에도, 흡광물질은 하부기판(100) 또는 상부기판(500) 내에 혼합 도포되어 하부기판(100) 또는 상부기판(500)과 일체로 형성될 수 있다. 또한, 흡광물질은 유기발광층(222)에 포함된 발광층과 인접하게 선택적으로 증착되어 색순도를 최대로 향상시킬 수 있다. 이하, 본 실시예에서는 흡광물질이 충전재(400)에 포함된 경우를 상정하여 설명하나, 이는 설명의 편의를 위한 것이며, 본 발명의 범위를 한정하는 것은 아니다.
발광소자(200)는 백색광을 발생시킨 후 각 서브화소 별로 다른 색상의 컬러필터를 구비하여 원하는 색을 구현하거나, 발광소자(200)의 각 서브화소에서 독립적으로 3원색을 발광하는 구조를 가질 수 있다. 이때, 발광소자(200)로부터 발생한 적색광(R), 녹색광(G) 및 청색광(B)의 색순도를 향상시키기 위해 각 발광 색상의 파장 영역을 제외한 나머지 영역의 빛을 선택적으로 흡광하는 흡광물질을 포함함으로써, 각 발광 색상의 색순도를 향상시킬 수 있다. 충전재(400) 및 흡광물질에 대해서는 도 3a 내지 도 4c를 참조하여 상세히 후술한다.
다시 도 1을 참조하면, 충진제(400)의 상부에는 상부기판(500)이 형성되며, 하부기판(100)과 상부기판(500)의 사이에는 실란트(300)에 의해 봉지된다.
실란트(300)는 하부기판(100)과 상부기판(500)의 가장자리 사이에 배치되어 하부기판(100)과 상부기판(500)을 서로 합착 밀봉시킬 수 있다. 실란트(300)는 저투습 유기물을 포함할 수 있다.
상부기판(500)은 하부기판(100)과 동일한 물질로 형성될 수 있으며, 특히 본 실시예와 같은 전면 발광형 표시장치의 경우에는 상부기판(500)은 투명한 재질로 형성되어 발광소자(200)로부터 발생한 빛을 외부로 통과시킬 수 있다.
이하, 도 3a 내지 도 4c를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 충전재(400) 및 흡광물질에 대해 설명한다. 도 3a 및 도 3b는 도 1의 발광소자(200)에서 발광된 빛의 각 색상별 파장 분포를 나타내는 도면이고, 도 4a는 도 1의 발광소자에서 발광된 적색광(R)이 충전재(400)를 통과한 후의 파장 분포를 나타내는 도면이고, 도 4b는 도 1의 발광소자에서 발광된 녹색광(G)이 충전재(400)를 통과한 후의 파장 분포를 나타내는 도면이고, 도 4c는 도 1의 발광소자에서 발광된 청색광(B)이 충전재(400)를 통과한 후의 파장 분포를 나타내는 도면이다.
도 3a 및 도 3b를 참고하면, 발광소자(200)에서 발광된 빛의 각 색상별 파장 분포 및 피크의 위치가 도시되어 있다.
발광소자(200)로부터 발광된 적색광(R)은 630nm의 파장대에서 최대 피크를 나타내며, 대부분의 적색광(R)의 파장은 610nm 내지 650nm의 범위 내에 속하게 된다.
발광소자(200)로부터 발광된 녹색광(G)은 550nm의 파장대에서 최대 피크를 나타내며, 대부분의 녹색광(G)의 파장은 530nm 내지 570nm의 범위 내에 속하게 된다.
발광소자(200)로부터 발광된 청색광(B)은 450nm의 파장대에서 최대 피크를 나타내며, 대부분의 청색광(B)의 파장은 430nm 내지 470nm의 범위 내에 속하게 된다.
이와 같이, 발광소자(200)로부터 발생 및 출사된 빛은 각 색상 별로 고유한 파장을 가지게 된다.
본 명세서에서 색순도는 발광된 빛이 각 색상별 고유한 파장에 얼마만큼 인접하는지에 대한 정도를 의미한다. 예를 들어, 적색광(R)의 고유한 파장 즉 최대 피크는 630nm이므로, 발광소자(200)에서 발생된 적색광(R)의 파장 분포가 630nm에 인접할수록 색순도가 높으며, 적색광(R)의 파장 분포가 630nm에서 멀어질수록 색순도가 낮다.
색순도가 낮을 경우 각 화소의 색상을 정확히 구현할 수 없기 때문에, 원하는 이미지를 표시할 수 없거나, 왜곡된 이미지가 표시될 수 있기 때문에, 색순도를 높일 필요가 있다.
도 3a에 도시된 바와 같이, 적색광(R), 녹색광(G) 및 청색광(B)은 최대 피크의 파장을 가지는 빛 이외에도 최대 피크로부터 멀어지는 다른 파장의 빛도 포함하고 있기 때문에, 다른 파장의 빛이 혼색되어 원하는 각 색상을 정밀하게 구현하기 어렵다.
도 3b에 도시된 바와 같이, 색순도를 악화시키는 인근 파장 영역(P1, P2, P3, P4)의 빛이 적색광(R), 녹색광(G) 및 청색광(B)과 일부 혼색될 수 있다.
따라서, 본 실시예에 따른 표시장치는 발광소자(200)에서 발생한 빛에 포함된 혼합 파장 영역(P1, P2, P3, P4)의 빛을 선택적으로 흡수할 수 있는 흡광물질을 충전재(400)에 혼합하여, 색순도를 향상시킬 수 있다.
구체적으로 도 4a를 참조하면, 발광소자(200)에서 발생된 적색광(R)의 파장 분포와, 충전재(400)를 통과한 후의 적색광(R')의 파장 분포의 변화를 비교할 수 있다. 빗금친 영역은 적색광(R)이 충전재(400)에 포함된 흡광물질을 통과하여 흡광물질에 의해 흡광된 빛의 양을 나타낸다. 즉, 570nm 내지 590nm의 파장 영역(RA)의 빛을 흡광하는 흡광물질이 적색광 고유의 파장인 630nm 이외에 나머지 영역의 파장을 흡수함으로써, 충전재(400)를 통과한 후의 적색광(R')의 색순도를 향상시킬 수 있다.
적색광(R)의 색순도와 관련된 570nm 내지 590nm 파장 영역의 빛을 흡광하는 흡광물질로는 시아닌(cyanine)계 물질, 페노티아진(phenothiazine)계 물질, 아자포르피린(Azaporphyrin)계 물질, 파이로메텐(pyrromethene)계 물질 중 하나 이상이 포함될 수 있다.
시아닌계 물질은 DODCI(3,3'-diethyloxadicarbocyanine iodide), DQOCI(1, 3'-diethyl-4,2'-quinolyoxacarbocyanide iodide), DQTCI(1,3'-diethyl-4,2'-quinolylthiacarbocyanine iodide)를 포함할 수 있다.
도 4b를 참조하면, 발광소자(200)에서 발생된 녹색광(G)의 파장 분포와, 충전재(400)를 통과한 후의 녹색광(G')의 파장 분포의 변화를 대비할 수 있다. 빗금친 영역은 녹색광(G)이 충전재(400)에 포함된 흡광물질을 통과하여 흡광물질에 의해 흡광된 빛의 양을 나타낸다. 즉, 490nm 부근의 파장 영역(GA)의 빛을 흡광하는 흡광물질이 녹색광 고유의 파장인 550nm 이외에 나머지 영역의 파장을 흡수함으로써, 충전재(400)를 통과한 후의 녹색광(G')의 색순도를 향상시킬 수 있다.
녹색광(G)의 색순도와 관련된 490nm 부근의 파장 영역대의 빛을 흡광하는 흡광물질로는 파이로메텐(pyrromethene)계 물질이 포함될 수 있다.
도 4c를 참조하면, 발광소자(200)에서 발생된 청색광(B)의 파장 분포와, 충전재(400)를 통과한 후의 청색광(B')의 파장 분포의 변화를 대비할 수 있다. 빗금친 영역은 청색광(B)이 충전재(400)에 포함된 흡광물질을 통과하여 흡광물질에 의해 흡광된 빛의 양을 나타낸다. 즉, 400nm 내지 410nm 부근의 파장 영역(BA)의 빛을 흡광하는 흡광물질이 청색광 고유의 파장인 450nm 이외에 나머지 영역의 파장을 흡수함으로써, 충전재(400)를 통과한 후의 청색광(B')의 색순도를 향상시킬 수 있다.
청색광(B)의 색순도와 관련된 410nm 부근의 파장 영역대의 빛을 흡광하는 흡광물질로는 포르피린(porphyrin)계 물질이 포함될 수 있다.
본 실시예에 따른 충전재(400)는 앞서 설명한 흡광물질 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
이와 같이, 소정의 파장대의 빛을 선택적으로 흡광하는 흡광물질을 충전재(400)에 분산시킴으로써, 발광소자(200)에서 발광된 빛이 충전재(400)를 통과하여 각 색상별 고유한 파장 영역 이외의 빛을 흡수할 수 있으며, 이로 인해 투명도 및 휘도는 유지하되 색순도가 향상된 표시장치를 제공할 수 있다. 또한, 기존의 발광소자(200)를 그대로 사용할 수 있기 때문에 높은 비용증가 없이 용이하게 색순도를 향상시킬 수 있는 구성을 가지는 표시장치를 제공할 수 있다.
이하, 도 5 및 도 6을 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치에 대해 설명한다. 도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치의 개략적인 구조를 나타내는 단면도이고, 도 6은 도 5의 A 영역을 확대해서 도시한 단면도이다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치는 하부기판(100), 상기 하부기판(100) 상에 형성되고 복수의 화소를 포함하는 발광소자(200), 상기 발광소자(200)의 상부에 이격 배치되고 실란트(300)에 의해 밀봉된 상부기판(500), 상기 발광소자(200)와 상기 상부기판(500) 사이에 충전된 충전재(400), 상기 하부기판(100)과 상기 상부기판(500)의 사이에 형성되어 소정의 파장대의 빛을 선택적으로 흡광하는 흡광층(600)을 포함하되, 상기 복수의 서브화소는 각각 R, G, B 색상을 발광하는 서브화소를 포함하고, 상기 흡광층(600)은 상기 각 서브화소에 대응되는 위치에 형성되고 상기 각 서브화소 별로 다른 파장 영역의 빛을 흡광하는 물질로 구성된다.
도 5를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시장치는 이전 실시예에서 설명한 구성과 동일하되, 흡광물질이 충전재(400)에 혼합 및 분산되지 않고 별도의 흡광층(600)을 구성하는 점에서 차이가 있다.
도 5에 도시된 예에서, 흡광층(600)은 상부기판(500)의 일면에 코팅될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며 발광소자(200)에 의해 출사된 빛이 진행하는 방향의 소정의 지점에 형성될 수 있다.
앞선 실시예에서 설명한 바와 같이, 흡광층(600)은 소정의 파장대의 빛을 선택적으로 흡광하는 흡광물질을 포함할 수 있다. 구체적으로, 흡광층(600)은 410nm의 파장 영역의 빛을 흡광하는 포르피린계 물질, 490nm의 파장 영역의 빛을 흡광하는 파이로메텐계 물질 또는 580nm의 파장 영역의 빛을 흡광하는 시아닌계 물질, 페노티아진계 물질, 아자포르피린계 물질, 파이로메텐계 물질 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
도 6을 참조하면, 제1 내지 제3 흡광층(600a, 600b, 600c)은 복수의 화소에 대응되는 위치에만 선택적으로 형성될 수 있으며, 서브화소(R, G, B)에 대응되는 위치에만 선택적으로 형성될 수 있다.
각 화소는 각각 3개의 적색, 녹색 및 청색 색상의 서브화소를 포함할 수 있으며, 흡광층(600a, 600b, 600c)은 상기 각 서브화소(R, G, B)에 대응되는 위치에 형성되되 상기 각 서브화소 별로 다른 파장 영역의 빛을 흡광하는 물질로 구성될 수 있다.
적색광(R)을 발광하는 발광소자(200a)의 상부의 대응되는 위치에 제1 흡광층(600a)이 형성되되, 제1 흡광층(600a)은 적색광의 최대 피크의 인근 파장 영역의 빛을 흡광하는 흡광물질을 포함하여 구성될 수 있으며, 제2 흡광층(600b)은 녹색광의 최대 피크의 인근 파장 영역의 빛을 흡광하는 흡광물질을 포함하여 구성될 수 있으며, 제3 흡광층(600c)은 청색광의 최대 피크의 인근 파장 영역의 빛을 흡광하는 흡광물질을 포함하여 구성될 수 있다.
각 색상의 최대 피크의 인근 파장 영역의 빛을 흡광함으로써 최대 피크의 광의 비율을 높여서 색순도를 향상시킬 수 있으며, 이로 인해 표시장치의 색재현율을 높일 수 있다.
적색광을 발광하는 서브화소에 대응되는 위치에 형성된 제1 흡광층(600a)은 580nm의 파장 영역의 빛을 흡광하는 시아닌계 물질, 페노티아진계 물질, 아자포르피린계 물질, 파이로메텐계 물질 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
녹색광을 발광하는 서브화소에 대응되는 위치에 형성된 제2 흡광층(600b)은 490nm의 파장 영역의 빛을 흡광하는 파이로메텐계 물질을 포함할 수 있다.
청색광을 발광하는 서브화소에 대응되는 위치에 형성된 제3 흡광층(600c)은 410nm의 파장 영역의 빛을 흡광하는 포르피린계 물질을 포함할 수 있다.
이하, 도 7 및 도 8을 참고하여 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치의 제조방법에 대해 설명한다. 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 나타내는 순서도이고, 도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 나타내는 순서도이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 제조방법은, 하부기판 상에 발광소자를 형성하는 단계(S110), 충전재를 제공하고, 소정의 파장대의 빛을 선택적으로 흡광하는 흡광물질을 혼합하는 단계(S120), 상기 발광소자 상에 상기 충전재를 충전하는 단계(S130), 상기 하부기판의 일부에 실란트를 도포하는 단계(S140), 상기 실란트와 밀착되어 밀봉 흡착되는 상부기판을 제공하는 단계(S150)를 포함한다.
먼저, 하부기판 상에 발광소자를 형성한다(S110). 앞서 설명한 바와 같이 발광소자는 각 화소에 형성된 박막 트랜지스터에 의해 전계가 인가되어 구동되는 액정을 포함할 수 있다. 또한 발광소자는 각 화소에 형성된 박막 트랜지스터에 의해 전계가 형성되어 유기발광층이 자발광하는 유기발광소자일 수 있다. 이 경우에는, 발광소자는 복수의 주사 라인 및 데이터 라인 사이에 매트릭스 방식으로 연결되어 각 화소를 정의하는 복수의 유기발광체를 포함할 수 있다.
발광소자는 하부기판 상에 버퍼층, 반도체층, 게이트 절연막, 게이트 전극, 제1 층간절연막, 소스/드레인 전극, 제2 층간절연막, 화소 전극, 화소정의막, 유기발광층 및 공통 전극이 순차적으로 적층되어 구성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
이어서, 충전재를 제공하고, 소정의 파장대의 빛을 선택적으로 흡광하는 흡광물질을 혼합한다(S120). 앞서 살핀 바와 같이, 흡광물질은 410nm의 파장 영역의 빛을 흡광하는 포르피린계 물질, 490nm의 파장 영역의 빛을 흡광하는 파이로메텐계 물질 또는 580nm의 파장 영역의 빛을 흡광하는 시아닌계 물질, 페노티아진계 물질, 아자포르피린계 물질, 파이로메텐계 물질 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
흡광물질을 혼합하는 단계는, 흡광물질을 용매에 분산 및 용해시킨 후 흡광물질을 충전재와 혼합할 수 있으며, 흡광물질은 충전재의 투과율에 영향을 최소화하기 위해 100nm 이하의 안료 또는 알코올과 같은 유기 용매에 용해시킬 수 있다.
이어서, 발광소자 상에 충전재를 충전한다(S130). 충전재를 발광소자 상에 충전하는 방법은 공지의 다양한 방법이 사용될 수 있으며, 인쇄법, ODF 법, 디스펜싱, 잉크젯법 등이 적용될 수 있다.
이어서, 하부기판의 일부에 실란트를 도포하고(S140), 실란트와 밀착되어 밀봉 흡착되는 상부기판을 제공하여 봉지 공정을 완료한다(S150).
본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치의 제조방법은, 하부기판 상에 복수의 화소를 포함하는 발광소자를 형성하는 단계(S210), 상기 발광소자 상에 상기 충전재를 충전하는 단계(S220), 상기 하부기판의 일부에 실란트를 도포하는 단계(S230), 상부기판의 일면에 소정의 파장대의 빛을 선택적으로 흡광하는 흡광층을 형성하는 단계(S240), 상기 상부기판을 실란트와 밀착하여 밀봉하는 단계(S250)를 포함한다.
본 실시예에 따른 표시장치의 제조방법은 이전 실시예에 따른 제조방법과 동일하되, 소정의 파장대의 빛을 선택적으로 흡광하는 흡광층을 충전재와 별도로 상부기판의 일면에 형성한다는 점에서 차이가 있다.
흡광층을 형성하는 단계(S240)는, 흡광물질을 용매에 분산 및 용해시키는 단계와, 상부기판의 일면에 흡광물질을 코팅하는 단계를 포함할 수 있다. 흡광물질을 상부기판에 코팅하여 흡광층을 형성하는 방법은 공지의 코팅 방법 예를 들어 스핀 코팅, 스프레이 코팅, 인쇄법, 디스펜싱법, 잉크젯프린팅법 등의 공정에 의해 수행될 수 있다.
또한, 흡광층을 형성하는 단계(S240)에서, 흡광물질을 복수의 화소에 대응되는 위치에 부분적으로 형성할 수 있으며, 복수의 화소는 각각 적색광, 녹색광 및 청색광을 발광하는 서브화소를 포함할 수 있다.
또한, 흡광층을 형성하는 단계(S240)에서, 흡광층은 각 서브화소에 대응되는 위치에 형성되되 각 서브화소 별로 다른 파장 영역의 빛을 흡광하는 흡광물질을 포함할 수 있다.
흡광층을 형성하는 흡광물질은 410nm의 파장 영역의 빛을 흡광하는 포르피린계 물질, 490nm의 파장 영역의 빛을 흡광하는 파이로메텐계 물질 또는 580nm의 파장 영역의 빛을 흡광하는 시아닌계 물질, 페노티아진계 물질, 아자포르피린계 물질, 파이로메텐계 물질 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100: 하부기판
200: 발광소자
300: 실란트
400: 충전재
500: 상부기판
600: 흡광층

Claims (20)

  1. 하부기판;
    상기 하부기판 상에 형성되고 복수의 화소를 포함하는 발광소자;
    상기 발광소자의 상부에 이격 배치되고 실란트에 의해 밀봉된 상부기판;
    상기 발광소자와 상기 상부기판 사이에 충전된 충전재; 및
    상기 하부기판과 상기 상부기판 사이에 형성되어 소정의 파장대의 빛을 선택적으로 흡광하는 흡광물질을 포함하는 표시장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 흡광물질은 상기 충전재에 혼합되는 표시장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 흡광물질은 상기 복수의 화소에 대응되는 위치에 형성되는 표시장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 흡광물질은 상기 상부기판의 일면에 코팅되는 표시장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 흡광물질은 410nm의 파장 영역의 빛을 흡광하는 포르피린계 물질을 포함하는 표시장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 흡광물질은 490nm의 파장 영역의 빛을 흡광하는 파이로메텐계 물질을 포함하는 표시장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 흡광물질은 580nm의 파장 영역의 빛을 흡광하는 시아닌계 물질, 페노티아진계 물질, 아자포르피린계 물질, 파이로메텐계 물질 중 하나 이상을 포함하는 표시장치.
  8. 하부기판;
    상기 하부기판 상에 형성되되 각각 복수의 서브화소로 구성된 복수의 화소를 포함하는 발광소자;
    상기 발광소자의 상부에 이격 배치되고 실란트에 의해 밀봉된 상부기판;
    상기 발광소자와 상기 상부기판 사이에 충전된 충전재; 및
    상기 하부기판과 상기 상부기판의 사이에 형성되어 소정의 파장대의 빛을 선택적으로 흡광하는 흡광층을 포함하되,
    상기 복수의 서브화소는 각각 R, G, B 색상을 발광하는 서브화소를 포함하고,
    상기 흡광층은 상기 각 서브화소에 대응되는 위치에 형성되고 상기 각 서브화소 별로 다른 파장 영역의 빛을 흡광하는 물질로 구성되는 표시장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 흡광층은 410nm의 파장 영역의 빛을 흡광하는 포르피린계 물질, 490nm의 파장 영역의 빛을 흡광하는 파이로메텐계 물질 또는 580nm의 파장 영역의 빛을 흡광하는 시아닌계 물질, 페노티아진계 물질, 아자포르피린계 물질, 파이로메텐계 물질 중 하나 이상을 포함하는 표시장치.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 R 색상을 발광하는 서브화소에 대응되는 위치에 형성된 상기 흡광층은 580nm의 파장 영역의 빛을 흡광하는 시아닌계 물질, 페노티아진계 물질, 아자포르피린계 물질, 파이로메텐계 물질 중 하나 이상을 포함하는 표시장치.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 G 색상을 발광하는 서브화소에 대응되는 위치에 형성된 상기 흡광층은 490nm의 파장 영역의 빛을 흡광하는 파이로메텐계 물질을 포함하는 표시장치.
  12. 제8항에 있어서,
    상기 B 색상을 발광하는 서브화소에 대응되는 위치에 형성된 상기 흡광층은 410nm의 파장 영역의 빛을 흡광하는 포르피린계 물질을 포함하는 표시장치.
  13. 하부기판 상에 발광소자를 형성하는 단계;
    충전재를 제공하고, 소정의 파장대의 빛을 선택적으로 흡광하는 흡광물질을 혼합하는 단계;
    상기 발광소자 상에 상기 충전재를 충전하는 단계;
    상기 하부기판의 일부에 실란트를 도포하는 단계;
    상기 실란트와 밀착되어 밀봉 흡착되는 상부기판을 제공하는 단계를 포함하는 표시장치의 제조방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 흡광물질은 410nm의 파장 영역의 빛을 흡광하는 포르피린계 물질, 490nm의 파장 영역의 빛을 흡광하는 파이로메텐계 물질 또는 580nm의 파장 영역의 빛을 흡광하는 시아닌계 물질, 페노티아진계 물질, 아자포르피린계 물질, 파이로메텐계 물질 중 하나 이상을 포함하는 표시장치의 제조방법.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 흡광물질을 혼합하는 단계는,
    상기 흡광물질을 용매에 분산 및 용해시킨 후 상기 흡광물질을 충전재와 혼합하는 표시장치의 제조방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 혼합하는 단계는, 100nm 이하의 안료 또는 유기 용매에 용해시키는 단계를 더 포함하는 표시장치의 제조방법.
  17. 하부기판 상에 복수의 화소를 포함하는 발광소자를 형성하는 단계;
    상기 발광소자 상에 상기 충전재를 충전하는 단계;
    상기 하부기판의 일부에 실란트를 도포하는 단계;
    상부기판의 일면에 소정의 파장대의 빛을 선택적으로 흡광하는 흡광층을 형성하는 단계;
    상기 상부기판을 실란트와 밀착하여 밀봉하는 단계를 포함하되,
    상기 흡광층을 형성하는 단계는,
    흡광물질을 용매에 분산 및 용해시키는 단계; 및
    상기 상부기판의 일면에 상기 흡광물질을 코팅하는 단계를 포함하는 표시장치의 제조방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 흡광층을 형성하는 단계는,
    상기 흡광물질을 상기 복수의 화소에 대응되는 위치에 부분적으로 형성하는 표시장치의 제조방법.
  19. 제17항에 있어서,
    상기 복수의 화소는 각각 R, G, B 색상의 서브화소를 포함하며,
    상기 흡광층을 형성하는 단계는,
    상기 흡광층을 각 서브화소에 대응되는 위치에 형성하되 상기 각 서브화소 별로 다른 파장 영역의 빛을 흡광하는 상기 흡광물질을 코팅하는 표시장치의 제조방법.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 흡광물질은 410nm의 파장 영역의 빛을 흡광하는 포르피린계 물질, 490nm의 파장 영역의 빛을 흡광하는 파이로메텐계 물질 또는 580nm의 파장 영역의 빛을 흡광하는 시아닌계 물질, 페노티아진계 물질, 아자포르피린계 물질, 파이로메텐계 물질 중 하나 이상을 포함하는 표시장치.
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