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KR20120116595A - 발광다이오드 패키지의 제조 방법 - Google Patents

발광다이오드 패키지의 제조 방법 Download PDF

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KR20120116595A
KR20120116595A KR1020110034120A KR20110034120A KR20120116595A KR 20120116595 A KR20120116595 A KR 20120116595A KR 1020110034120 A KR1020110034120 A KR 1020110034120A KR 20110034120 A KR20110034120 A KR 20110034120A KR 20120116595 A KR20120116595 A KR 20120116595A
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KR
South Korea
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light emitting
emitting diode
lead frame
frame base
forming
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KR1020110034120A
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김홍현
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
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Publication date
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Abstract

본 발명은 공정을 단순화시키며 방열 효과를 증대시키기 위해, 리드 프레임 베이스를 제공하는 단계, 상기 리드 프레임 베이스 상에 다수의 발광다이오드 칩 본딩 영역들을 노출하는 리플렉터를 형성하는 단계, 상기 리드 프레임 베이스로부터 서로 분리되는 제 1 및 제 2 전극을 구비한 리드프레임 회로층을 형성하는 단계, 상기 각 칩 본딩 영역에 상기 제 1 및 제 2 전극과 전기적으로 연결되도록 발광 다이오드 칩을 실장하는 단계, 및 상기 실장된 발광 다이오드 칩을 밀봉하는 밀봉부재를 형성하는 단계를 포함하는 발광 다이오드 패키지의 제조 방법에 관한 것이다.

Description

발광다이오드 패키지의 제조 방법{Method for fabrication light emitting diode package}
본 발명은 발광다이오드 패키지의 제조 방법에 관한 것으로, 방열 효과를 증대시키며 공정을 단순화시킬 수 있는 발광다이오드 패키지의 제조 방법에 관한 것이다.
발광 다이오드 패키지는 친환경적이며 긴 수명을 가짐에 따라 형광등과 같은 일반 조명등의 대체 광원으로 사용되고 있는 추세이다. 또한, 발광 다이오드 패키지는 디스플레이, 자동차 및 전자부품등에 널리 적용되고 있다.
이와 같은 발광 다이오드 패키지를 형성하기 위해, 먼저 마더 리드 프레임 상에 캐비티를 갖는 리플렉터를 다수개 형성한다. 이후, 각 캐비티 내부의 마더 리드 프레임 상에 발광다이오드 칩을 실장한 후, 발광다이오드 칩을 커버하도록 밀봉부재를 형성함으로써, 다수의 발광다이오드를 구비한 마더 리드 프레임이 제조될 수 있다. 이후, 발광다이오드를 단위별로 분리하는 트리밍 또는 쏘잉 공정을 수행한 후, 발광다이오드 패키지를 형성할 수 있다.
이후, 발광 다이오드 패키지는 외부 구동회로부와 연결되기 위하여, 발광다이오드 패키지는 인쇄회로기판을 더 포함할 수 있다.
발광 다이오드 패키지를 형성하기 위하여, 많은 공정을 거침에 따라, 발광다이오드 패키지의 생산 단가가 증가되는 문제점이 있었다. 또한, 발광다이오드를 실장한 인쇄회로기판은 절연층을 구비함에 따라, 발광다이오드에서 발생된 열을 외부로 효과적으로 방출하지 못하여, 결국 발광다이오드 패키지의 수명이 단축되는 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명은 발광 다이오드 패키지에서 발생될 수 있는 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로서, 구체적으로 리드 프레임 베이스상에 리플렉터를 형성한 후 리드 프레임 베이스로부터 회로 및 전극을 형성함으로써 공정을 단순화시키며, 방열 효과를 증대시킬 수 있는 발광다이오드 패키지의 제조 방법을 제공함에 그 목적이 있다.
본 발명에 따른 해결 수단의 발광 다이오드 패키지의 제조 방법을 제공한다. 상기 제조 방법은 리드 프레임 베이스를 제공하는 단계; 상기 리드 프레임 베이스 상에 다수의 발광다이오드 칩 본딩 영역들을 노출하는 리플렉터를 형성하는 단계; 상기 리드 프레임 베이스로부터 서로 분리되는 제 1 및 제 2 전극을 구비한 리드프레임 회로층을 형성하는 단계; 상기 각 칩 본딩 영역에 상기 제 1 및 제 2 전극과 전기적으로 연결되도록 발광 다이오드 칩을 실장하는 단계; 및 상기 실장된 발광 다이오드 칩을 밀봉하는 밀봉부재를 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 리드 프레임 회로층을 형성하는 단계에서 상기 발광다이오드 칩을 직렬, 병렬 또는 이들의 혼합으로 서로 전기적으로 연결하는 회로 배선을 더 형성할 수 있다.
또한, 상기 리드 프레임 베이스는 금속 플레이트로 이루어질 수 있다. 여기서, 상기 리드 프레임 회로층은 상기 리드 프레임 베이스의 에칭을 통해 형성할 수 있다.
또한, 상기 리드 프레임 베이스는 서로 전기적으로 단락되는 제 1 및 제 2 전극 또는 회로배선들 사이를 서로 연결하는 펀칭부를 구비할 수 있다. 여기서, 상기 리드 프레임 회로층의 형성은 상기 펀칭부의 펀칭을 통해 수행될 수 있다. 또한, 상기 리플렉터는 상기 펀칭부를 노출하도록 형성할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 제조 방법은 리드 프레임 베이스 상에 리플렉터를 형성한 후, 리드 프레임의 에칭 또는 펀칭을 통해 회로 및 전극들을 형성함에 따라, 공정을 단순화시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 제조 방법은 리드 프레임 자체가 회로를 구비함에 따라, 별도의 인쇄회로기판을 구비할 경우보다 방열 효과를 증대시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 리드 프레임의 평면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 발광다이오드 패키지의 단면도이다.
도 4 내지 도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 제조 방법을 보여주기 위한 단면도들이다.
도 8 내지 도 10은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 제조 방법을 보여주기 위한 단면도들이다.
본 발명의 실시예들은 발광다이오드 패키지의 도면을 참고하여 상세하게 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되어지는 것이다.
따라서, 본 발명은 이하 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 장치의 크기 및 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 리드 프레임의 평면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 발광다이오드 패키지의 단면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 리드 프레임 회로층(110), 리플렉터(120), 발광다이오드 칩(130) 및 밀봉부재(150)를 포함할 수 있다.
리드 프레임 회로층(110)은 다수의 칩 본딩 영역들을 포함할 수 있다. 여기서, 칩 본딩 영역은 후술될 리플렉터를 통해 정의될 수 있다. 즉, 칩 본딩 영역은 리플렉터의 캐비티에 의해 노출된 영역일 수 있다. 리드 프레임 회로층(110)은 각 칩 본딩 영역에 배치되며 서로 분리된 제 1 및 제 2 전극(111, 112)을 포함할 수 있다.
또한, 리드 프레임 회로층(110)은 칩 본딩 영역에 실장된 발광다이오드 칩(130)을 직렬로 연결하는 제 1 및 제 2 회로 배선(113ㅁ, 113b)을 포함할 수 있다. 여기서, 제 1 회로 배선(113a)은 제 1 전극(111)들을 서로 전기적으로 연결할 수 있으며, 제 2 회로 배선(113b)은 제 2 전극(112)들을 서로 전기적으로 연결할 수 있다.
이에 더하여, 도면에는 구체적으로 도시하지 않았으나, 리드 프레임 회로층(110)은 발광다이오드 칩(130)과 다른 전자부품, 예컨대 저항 및 캐패시터등을 서로 전기적으로 연결하는 미세 회로 배선을 더 포함할 수 있다.
또한, 리드 프레임 회로층(110)은 외부 전원부와 연결되는 제 1 및 제 2 단자 전극(114, 115)을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 발광다이오드 칩(130)들이 직렬로 연결되는 것으로 설명 및 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 예컨대 발광다이오드 칩(130)들은 회로 배선을 통해 병렬로 연결되거나, 직렬과 병렬의 혼합으로 연결될 수 있다.
리드 프레임 회로층(110)상에 리플렉터(120)가 배치되어 있다. 리플렉터(120)는 리드 프레임 회로층(110)의 칩 본딩 영역을 노출하는 캐비티를 구비할 수 있다. 리플렉터(120)는 발광다이오드 칩(130)에서 발생된 광을 일정한 방향으로 반사시키는 역할을 할 수 있다. 또한, 리플렉터(120)는 리드 프레임 회로층(110)을 구성하는 전극들 및 회로배선을 서로 연결하여 고정하거나 지지하는 역할을 할 수 있다.
리플렉터(120)는 수지를 포함한 조성물로 형성될 수 있다. 여기서, 리플렉터(120)는 광 반사성을 향상시키기 위해, 상기 조성물은 광반사 안료를 포함하거나, 리플렉터(120)의 표면에 광반사물질이 코팅되어 있을 수 있다. 그러나, 본 발명의 실시예에서, 리플렉터(120)의 재질을 한정하는 것은 아니다.
캐비티 내부의 칩 본딩 영역에 발광다이오드 칩(130)이 실장되어 있다. 발광다이오드 칩(130)은 리드 프레임 회로층(110)의 회로 배선에 의해 직렬, 병렬 또는 이들의 혼합으로 다수개로 연결되어 있을 수 있다.
발광 다이오드 칩(130)은 리드 프레임 회로층(110)의 제 1 및 제 2 전극(111, 112)과 와이어(140)를 통해 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 여기서, 발광다이오드 칩(130)은 제 1 및 제 2 칩 전극이 같은 일면 상에 배치되는 수평형 발광다이오드 칩일 수 있다. 본 발명의 실시예에서, 발광 다이오드 칩의 형태를 한정하는 것은 아니며, 발광 다이오드 칩은 제 1 및 제 2 칩 전극이 상하면에 각각 배치되는 수직형 발광 다이오드 칩이거나, 솔더를 이용하여 실장되는 플립칩형 발광 다이오드 칩일 수도 있다.
또한, 본 발명의 실시예에서, 하나의 발광 다이오드 칩이 캐비티 내부에 배치되는 것으로 설명 및 도시하였으나 이에 한정되는 것은 아니며, 캐비티 내부에 직렬 또는 병렬로 연결된 2개 또는 2개 이상의 발광다이오드 칩이 실장될 수도 있다.
밀봉부재(150)는 리플렉터(120)의 캐비티 내부에 충진되어, 발광다이오드 칩(130)을 외부로부터 밀봉시킬 수 있다. 여기서, 밀봉부재(150)는 광 효율을 증대시키기 위해 캐비티로부터 반구형으로 돌출되도록 형성될 수 있다. 예컨대, 밀봉부재(150)의 돌출부는 볼록 렌즈의 형태를 가질 수 있다.
밀봉부재는 투명성 수지, 예컨대 에폭시 수지 또는 실리콘 수지로 형성될 수 있다. 이에 더하여, 밀봉부재를 형성하는 조성물은 발광다이오드 칩으로부터 방출된 광의 파장을 전환시키는 형광체 및 상기 광을 확산시키는 확산제 중 적어도 어느 하나를 더 포함할 수 있다.
따라서, 본 발명의 실시예에서와 같이, 발광 다이오드 패키지는 리드 프레임 자체가 회로배선 및 전극들을 구비함에 따라, 별도의 인쇄회로기판을 구비하지 않아도 되므로, 발광다이오드 패키지의 단가를 낮출 수 있다. 또한, 발광 다이오드 칩은 금속으로 이루어진 리드 프레임 회로층에 실장됨에 따라, 종래 절연층을 구비한 인쇄회로기판과 대비하여 방열 면적을 증대시킬 수 있으며 효과적으로 열을 방열시킬 수 있다.
도 4 내지 도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 제조 방법을 보여주기 위한 단면도들이다.
도 4를 참조하면, 발광 다이오드 패키지를 형성하기 위해, 먼저 리드 프레임 베이스(110a)를 제공한다. 리드 프레임 베이스(110a)는 금속 플레이트로 이루어질 수 있다. 여기서, 금속 플레이트는 구리로 이루어질 수 있으나, 본 발명의 실시예에서 금속 플레이트의 재질을 한정하는 것은 아니다. 예컨대, 금속 플레이트는 구리 합금, 철, 철 합금, 니켈 및 니켈 합금 등으로 형성될 수도 있다.
또한, 본 발명의 실시예에서, 리드 프레임 베이스(110a)는 금속 플레이트로 이루어진 것으로 설명하였으나, 리드 프레임 베이스(110a)는 미세 회로 배선을 포함할 수도 있다. 여기서, 미세 회로 배선은 발광다이오드 칩(130)과 전자부품을 서로 전기적으로 연결하는 역할을 할 수 있다.
도 5를 참조하면, 리드 프레임 베이스(110a)를 제공한 후, 리드 프레임 베이스(110a) 상에 리플렉터(120)를 형성한다.
리플렉터(120)는 칩 본딩영역을 노출하는 캐비티를 갖는 격벽 형상을 가질 수 있다.
리플렉터(120)는 몰딩 공정을 통해 형성할 수 있다. 다른 실시예로 리플렉터(120)는 리드 프레임 베이스(110a) 상에 수지를 도포한 후, 노광 및 현상 공정을 통해 형성할 수 있다. 또 다른 실시예로, 리플렉터(120)는 접착 부재를 이용하여 리드 프레임 베이스(110a)상에 부착하여 형성될 수 있다.
도 6을 참조하면, 리플렉터(120)를 형성한 후, 리드 프레임 베이스(110a)의 에칭을 통해 칩 본딩 영역에서 서로 분리된 제 1 및 제 2 전극(111, 112)을 포함하는 리드 프레임 회로층(110)을 형성한다. 즉, 리드 프레임 베이스(110a)를 선택적으로 에칭하여 리드 프레임 회로층(110)을 형성할 수 있다.
리드 프레임 회로층(110)을 형성하기 위해, 먼저 리드 프레임 베이스(110a)상에 일정한 패턴 형상을 갖는 포토레지스트 패턴을 형성한 후, 포토레지스트 패턴을 에칭 마스크로 사용하여 리드 프레임 베이스(110a)를 에칭하여 서로 분리된 제 1 및 제 2 전극(111, 112)을 형성할 수 있다.
여기서, 제 1 및 제 2 전극(111, 112)을 형성하는 공정에서, 발광다이오드 칩(130)을 직렬, 병렬 및 이들을 혼합적으로 연결하기 위한 회로 배선이 더 형성될 수 있다.
리플렉터(120)는 리드 프레임 회로층(110)을 형성하는 공정중이나 이후에 리드 프레임 회로층(110)을 구성하는 제 1 및 제 2 전극(111, 112), 회로배선등을 고정하거나 연결하는 역할을 할 수 있다.
도 7을 참조하면, 리플렉터(120)를 형성한 후, 리플렉터(120)의 캐비티에 배치된 각 본딩 칩 영역에 발광다이오드 칩(130)을 실장한다.
발광다이오드 칩(130)을 실장하기 위해, 발광다이오드 칩(130)의 열압착 또는 초음파 접착을 통해 칩 본딩 영역에 고정시킬 수 있다.
이후, 발광다이오드 칩(130)의 제 1 및 제 2 칩 전극과 리드 프레임 회로층(110)의 제 1 및 제 2 전극(111, 112)은 각각 와이어(140)를 통해 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 발광다이오드 칩(130)을 실장하기 위한 다른 방법으로, 발광다이오드 칩(130)이 플립칩형 발광다이오드 칩일 경우, 발광다이오드 칩(130)은 칩 본딩 영역에 플립칩 본딩 방법을 통해 고정되며 전기적 접속을 이룰 수도 있다.
이후, 발광다이오드 칩(130)을 실장한 후, 캐비티 내부의 발광다이오드 칩(130)을 덮도록 밀봉부재(150)를 형성한다. 여기서, 밀봉부재(150)는 캐비티 내부에 투명 수지를 포함한 조성물을 디스펜싱하여 형성하거나, 몰딩법을 통해 형성될 수 있다. 이때, 밀봉부재(150)는 광효율을 향상시키기 위해 반구형으로 돌출되어 렌즈 형상으로 제조될 수 있다. 그러나, 본 발명의 실시예에서, 밀봉부재(150)의 형태를 한정하는 것은 아니다.
따라서, 본 발명의 실시예에서와 같이, 발광다이오드 패키지의 제조 방법은 리드 프레임 베이스(110a) 상에 리플렉터(120)를 형성한 후, 리드 프레임 베이스(110a)의 에칭을 통해 회로 및 전극들을 형성함에 따라, 종래와 대비하여 발광다이오드를 개별적으로 분리하기 위한 트리밍 공정 또는 쏘잉 공정과 인쇄회로기판 상에 단위 발광다이오드를 마운팅하는 마운팅 공정을 생략할 수 있다.
또한, 리드 프레임 베이스(110a)를 통해 회로 및 전극을 형성함에 따라, 종래 인쇄회로기판을 이용할 경우와 대비하여 회로 및 전극의 두께를 증가시킬 수 있을 뿐만 아니라 절연재를 구비하지 않으므로, 발광다이오드 칩(130)으로부터 발생된 열을 효과적으로 방출할 수 있다.
도 8 내지 도 10은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 제조 방법을 설명하기 위해 도시한 단면도들이다. 여기서, 리드 프레임 베이스의 형태 및 펀칭 공정을 제외하고, 앞서 설명한 제 2 실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 제조 방법과 동일한 공정을 포함할 수 있다. 이에 따라, 제 2 실시예와 반복된 설명은 생략하기로 한다.
도 8을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 발광다이오드 패키지를 제조하기 위해, 먼저 리드 프레임 베이스(210)를 제공한다.
리드 프레임 베이스(210)는 칩 본딩 영역에서 서로 분리된 제 1 및 제 2 전극(211, 212)과 발광다이오드 칩(230)을 직렬, 병렬 또는 이들의 혼합으로 연결하기 위한 회로 배선(213a)을 구비할 수 있다.
여기서, 리드 프레임 베이스(210)는 서로 전기적으로 단락되어야 할 구성, 예컨대 제 1 및 제 2 전극(211, 212) 또는 회로 배선(213a)들을 서로 연결하는 펀칭부(210a)를 구비할 수 있다. 즉, 펀칭부(210a)는 후속 공정동안 서로 전기적으로 단락되어야 할 구성들을 서로 연결 및 고정하는 역할을 할 수 있다.
도 9를 참조하면, 리드 프레임 베이스(210)를 제공한 후, 리드 프레임 베이스(210)상에 리플렉터(220)를 형성한다. 여기서, 리플렉터(220)는 칩 본딩 영역을 노출하는 캐비티를 포함한다.
이에 더하여, 후속 공정에서 펀칭 공정을 용이하게 수행하기 위해, 리드 프레임 베이스(210)의 펀칭부(210a)를 노출하도록 형성한다.
이후, 펀칭부(210a)를 펀칭하여, 펀칭부(210a)에 의해 전기적으로 연결된 구성, 예컨대 제 1 및 제 2 전극(211, 212) 또는 회로배선(213a)들을 서로 전기적으로 분리한다. 여기서, 펀칭 공정을 실시한 후에 서로 전기적으로 단락된 제 1 및 제 2 전극(211, 212) 또는 회로 배선(213a)들은 리플렉터(220)에 의해 서로 연결되며 고정될 수 있다.
도 10을 참조하면, 펀칭 공정을 수행한 후, 캐비티 내부의 칩 본딩 영역에 발광다이오드 칩(230)을 실장한다. 여기서, 발광다이오드 칩(230)은 열압착 또는 초음파 접착의 다이본딩법으로 리드 프레임 회로층에 고정한 후, 와이어 본딩에 의해 전기적 접속을 이룰 수 있다. 또는, 발광다이오드 칩(230)은 플립칩 본딩법에 의해 실장될 수 있다.
이후, 캐비티 내부의 발광다이오드 칩(230)을 밀봉하기 위하여, 캐비티 내부에 밀봉부재(250)를 형성함으로써, 발광다이오드 패키지를 형성할 수 있다. 여기서, 밀봉부재(250)는 캐비티로부터 반구형으로 돌출되도록 형성될 수도 있다.
따라서, 본 발명의 실시예에서와 같이, 발광다이오드 패키지의 제조 방법은 리드 프레임 베이스(210) 상에 리플렉터(220)를 형성한 후, 회로 및 전극들을 구비한 리드 프레임 베이스(210)의 펀칭을 통해 일부 구성들을 서로 전기적으로 단락시킴에 따라, 종래에 대비하여 발광다이오드를 개별적으로 분리하기 위한 트리밍 공정 또는 쏘잉 공정과 인쇄회로기판 상에 단위 발광다이오드를 마운팅하는 마운팅 공정을 생략할 수 있다.
또한, 리드 프레임 베이스(210)를 통해 회로 및 전극을 형성함에 따라, 종래 인쇄회로기판과 대비하여, 발광다이오드 칩(230)으로부터 발생된 열을 효과적으로 방출할 수 있다.
110 : 리드 프레임 회로층 110a, 210 : 리드 프레임 베이스
111, 211 : 제 1 전극 112, 212 : 제 2 전극
113a, 113b : 제 1 및 제 2 회로배선
120, 220 : 리플렉터 130, 230 : 발광다이오드 칩
140, 240 : 와이어 150, 250 : 밀봉부재

Claims (7)

  1. 리드 프레임 베이스를 제공하는 단계;
    상기 리드 프레임 베이스 상에 다수의 발광다이오드 칩 본딩 영역들을 노출하는 리플렉터를 형성하는 단계;
    상기 리드 프레임 베이스로부터 서로 분리되는 제 1 및 제 2 전극을 구비한 리드프레임 회로층을 형성하는 단계;
    상기 각 칩 본딩 영역에 상기 제 1 및 제 2 전극과 전기적으로 연결되도록 발광 다이오드 칩을 실장하는 단계; 및
    상기 실장된 발광 다이오드 칩을 밀봉하는 밀봉부재를 형성하는 단계;
    를 포함하는 발광다이오드 패키지의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 리드 프레임 회로층을 형성하는 단계에서 상기 발광다이오드 칩을 직렬, 병렬 또는 이들의 혼합으로 서로 전기적으로 연결하는 회로 배선을 더 형성하는 발광다이오드 패키지의 제조 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 리드 프레임 베이스는 금속 플레이트로 이루어진 발광다이오드 패키지의 제조 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 리드 프레임 회로층은 상기 리드 프레임 베이스의 에칭을 통해 형성하는 발광다이오드 패키지의 제조 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 리드 프레임 베이스는 서로 전기적으로 단락되는 제 1 및 제 2 전극 또는 회로배선들 사이를 서로 연결하는 펀칭부를 구비한 발광다이오드 패키지의 제조 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 리드 프레임 회로층의 형성은 상기 펀칭부의 펀칭을 통해 수행되는 발광다이오드 패키지의 제조 방법.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 리플렉터는 상기 펀칭부를 노출하도록 형성하는 발광다이오드 패키지의 제조 방법.
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KR102165291B1 (ko) * 2020-01-07 2020-10-13 조상래 다른 색온도를 갖는 트윈 엘이디 패키지 제조방법

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