KR20120099549A

KR20120099549A - Light emitting device package, fabrication method for light emitting device package and lighting system

Info

Publication number: KR20120099549A
Application number: KR1020110009074A
Authority: KR
Inventors: 조범철
Original assignee: 엘지이노텍 주식회사
Priority date: 2011-01-28
Filing date: 2011-01-28
Publication date: 2012-09-11

Abstract

실시 예에 따른 발광 소자 패키지는, 복수의 홀을 갖는 몸체; 상기 몸체의 표면에 절연층; 상기 몸체 위에 서로 이격된 복수의 전극층; 상기 복수의 전극층 중 적어도 하나 위에 배치된 발광 소자를 포함하며, 상기 복수의 전극층은 단층의 금속층으로 형성된다.The light emitting device package according to the embodiment includes a body having a plurality of holes; An insulating layer on the surface of the body; A plurality of electrode layers spaced apart from each other on the body; A light emitting device is disposed on at least one of the plurality of electrode layers, and the plurality of electrode layers is formed of a single metal layer.

Description

LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE, FABRICATION METHOD FOR LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND LIGHTING SYSTEM}

실시 예는 발광 소자 패키지 및 그 제조방법, 조명 시스템에 관한 것이다.Embodiments relate to a light emitting device package, a method of manufacturing the same, and an illumination system.

발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류를 빛으로 변환시키는 반도체 발광 소자이다. 최근 발광 다이오드는 휘도가 점차 증가하게 되어 디스플레이용 광원, 자동차용 광원 및 조명용 광원으로 사용이 증가하고 있으며, 형광 물질을 이용하거나 다양한 색의 발광 다이오드를 조합함으로써 효율이 우수한 백색 광을 발광하는 발광 다이오드도 구현이 가능하다.Light emitting diodes (LEDs) are semiconductor light emitting devices that convert current into light. Recently, light emitting diodes (LEDs) have been increasingly used as a light source for displays, a light source for automobiles, and a light source for illumination. Recently, light emitting diodes Can also be implemented.

실시 예는 새로운 구조의 발광 소자 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package having a new structure.

실시 예는 단층의 전극층을 갖는 발광 소자 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package having a single electrode layer.

실시 예는 몸체 내에 배치된 복수의 홀을 통해 발광 소자로부터 발생된 열을 방열할 수 있도록 한 발광 소자 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package capable of dissipating heat generated from the light emitting device through a plurality of holes disposed in the body.

실시 예는 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 조명 시스템의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.The embodiment can improve the reliability of the light emitting device package and the lighting system having the same.

실시 예에 따른 발광 소자 패키지 제조방법은, 몸체 상에 복수의 개구부를 갖는 마스크층을 형성하는 단계; 상기 개구부를 에칭하여 상기 몸체 내에 복수의 구멍을 형성하는 단계; 상기 마스크층을 제거하고, 상기 몸체의 표면에 절연층을 형성하는 단계; 상기 절연층 위에 금속 페이스트를 이용하여 단층의 전극층을 형성하는 단계; 상기 전극층 위에 발광 소자를 탑재하는 단계를 포함한다.In another embodiment, a light emitting device package manufacturing method includes: forming a mask layer having a plurality of openings on a body; Etching the opening to form a plurality of holes in the body; Removing the mask layer and forming an insulating layer on a surface of the body; Forming a single layer electrode layer on the insulating layer by using a metal paste; Mounting a light emitting device on the electrode layer;

실시 예는 발광 소자 패키지의 표면에서의 열 저항을 감소시켜 주어, 방열 효율을 개선시켜 줄 수 있다.The embodiment can reduce the thermal resistance on the surface of the light emitting device package, thereby improving heat dissipation efficiency.

실시 예는 발광 소자 패키지를 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.The embodiment can improve the reliability of the light emitting device package.

도 1은 제1실시 예에 따른 발광소자 패키지의 사시도이다.
도 2는 도 1의 A-A 측 단면도이다.
도 3은 도 2의 부분 확대도이다.
도 4는 제2실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 측 단면도이다.
도 5 내지 도 17은 도1의 발광 소자 패키지의 제조 과정을 나타낸 도면이다.
도 18은 제3실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 측 단면도이다.
도 19 및 도 20은 실시 예에 따른 스크린 프린팅 방식에 의한 전극층의 표면 이미지를 나타낸 도면이다.
도 21은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 구비한 표시 장치를 나타낸 도면이다.
도 22는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 구비한 다른 표시 장치를 나타낸 도면이다.
도 23은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 구비한 조명 장치를 나타낸 도면이다. 1 is a perspective view of a light emitting device package according to a first embodiment.
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the AA side of FIG. 1.
3 is a partially enlarged view of FIG. 2.
4 is a side cross-sectional view of a light emitting device package according to the second embodiment.
5 to 17 are diagrams illustrating a manufacturing process of the light emitting device package of FIG. 1.
18 is a side cross-sectional view of a light emitting device package according to the third embodiment.
19 and 20 are views illustrating a surface image of an electrode layer by a screen printing method according to an embodiment.
21 is a diagram illustrating a display device including a light emitting device package according to an exemplary embodiment.
22 is a diagram illustrating another display device including a light emitting device package according to an exemplary embodiment.
23 is a view showing a lighting device having a light emitting device package according to the embodiment.

실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of an embodiment, each layer (film), region, pattern, or structure is formed “on” or “under” a substrate, each layer (film), region, pad, or pattern. In the case where it is described as "to", "on" and "under" include both "directly" or "indirectly" formed. Also, the criteria for top, bottom, or bottom of each layer will be described with reference to the drawings.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. In addition, the size of each component does not necessarily reflect the actual size.

도 1은 제1실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸 사시도이며, 도 2는 도 1의 A-A 측 단면도이다.1 is a perspective view illustrating a light emitting device package according to a first embodiment, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line A-A of FIG.

도 1 및 도 2를 참조하면, 발광 소자 패키지(100)는 몸체(110), 홀(111,112), 절연층(121), 복수의 전극층(131,133), 발광소자(141) 및 렌즈(151) 를 포함한다.1 and 2, the light emitting device package 100 includes a body 110, holes 111 and 112, an insulating layer 121, a plurality of electrode layers 131 and 133, a light emitting device 141, and a lens 151. Include.

상기 몸체(110)는 전도성 재질을 포함하며, 예컨대 실리콘(Si) 계열의 재질을 이용할 수 있다. 상기 몸체(110)는 실리콘(Si) 이외의 다른 재료 예컨대, 수지 재질, 반도체 재질, 금속 재질 또는 세라믹 재질의 기판 등을 이용할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The body 110 may include a conductive material, for example, a silicon (Si) based material. The body 110 may use a material other than silicon (Si), for example, a resin material, a semiconductor material, a metal material, or a ceramic material substrate, but is not limited thereto.

상기 몸체(110)는 열 전도율이 높고 에너지 밴드 갭(예: 1.2eV)이 넓어 고온에서 안정적으로 사용될 수 있다.The body 110 has a high thermal conductivity and a wide energy band gap (eg, 1.2 eV), so that the body 110 can be stably used at a high temperature.

상기 몸체(110) 내에는 복수의 홀(111,112)이 형성되며, 상기 복수의 홀(111,112)은 상기 발광 소자(141)의 너비 이상으로 서로 이격된다. 상기 복수의 홀(111,112)은 상기 발광 소자(141)를 기준으로 서로 반대측에 배치되며, 상기 발광 소자(141)의 일측에 배치된 제1홀(111)과 상기 발광 소자(141)의 타측에 배치된 제2홀(112)은 하나 또는 복수로 형성될 수 있다.A plurality of holes 111 and 112 are formed in the body 110, and the plurality of holes 111 and 112 are spaced apart from each other by more than a width of the light emitting element 141. The plurality of holes 111 and 112 may be disposed on opposite sides of the light emitting element 141, and may be disposed at the first hole 111 disposed at one side of the light emitting element 141 and the other side of the light emitting element 141. One or more second holes 112 may be formed.

상기 제1홀(111) 및 제2홀(112)의 폭은 상기 몸체(110)의 센터 측 부근에서 가장 좁고, 몸체(110)의 상측 및 하측 방향으로 갈수록 더 넓게 형성될 수 있다. The width of the first hole 111 and the second hole 112 is the narrowest in the vicinity of the center side of the body 110, it may be formed wider toward the upper and lower direction of the body (110).

상기 몸체(110)의 표면에는 절연층(121)이 형성되며, 상기 절연층(121)은 5000Å~ 5㎛의 두께로 형성될 수 있으며, 그 재질은 실리콘 열 산화막(Si0₂, Si_xO_y 등), 알루미늄 옥사이드(AlOx), 실리콘 질화막(Si₃N₄, Si_xN_y, SiO_xN_y 등), 알루미나(AlN), 사파이어(Al₂O₃)등으로 이루어진 군에서 적어도 하나가 선택되어 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The insulating layer 121 is formed on the surface of the body 110, the insulating layer 121 may be formed to a thickness of 5000 ~ 5㎛, the material is a silicon thermal oxide film (Si0 ₂ , Si _x O _y Etc.), aluminum oxide (AlOx), silicon nitride film (Si ₃ N ₄ , Si _x N _y , SiO _x N _y) Etc.), alumina (AlN), sapphire (Al ₂ O ₃ ) At least one selected from the group consisting of and the like may be formed, but is not limited thereto.

상기 절연층(121)은 상기 몸체(110)의 표면과 전극층(131,133) 및 본딩부(135,137) 사이에 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The insulating layer 121 may be disposed between the surface of the body 110, the electrode layers 131 and 133, and the bonding parts 135 and 137, but is not limited thereto.

상기 절연층(121)은 상기 제1홀(111) 및 제2홀(112)의 내부에 배치되어, 전극층(131,133)과 몸체(110) 사이를 각각 절연시켜 줄 수 있다.The insulating layer 121 may be disposed in the first hole 111 and the second hole 112 to insulate the electrode layers 131 and 133 from the body 110, respectively.

상기 절연층(121) 위에는 제1전극층(131) 및 제2전극층(133)이 형성된다. 상기 제1전극층(131)과 상기 제2전극층(133)은 상기 몸체(110)의 상면에서 제1분리부(115)의해 서로 이격되며, 전기적으로 오픈된다.The first electrode layer 131 and the second electrode layer 133 are formed on the insulating layer 121. The first electrode layer 131 and the second electrode layer 133 are spaced apart from each other by the first separator 115 on the upper surface of the body 110 and are electrically opened.

상기 제1전극층(131)의 일부는 상기 제1홀(111)을 통해 몸체(110)의 하면에 배치된 제1본딩부(135)에 연장되며, 상기 제2전극층(133)의 일부는 상기 제2홀(112)을 통해 상기 몸체(110)의 하면에 배치된 제2본딩부(137)로 연장된다. 상기 제1전극층(131)과 상기 제1본딩부(135)은 일체로 연결되며, 상기 제2전극층(133)과 상기 제2본딩부(137)는 일체로 연결된다.A part of the first electrode layer 131 extends through the first hole 111 to the first bonding part 135 disposed on the bottom surface of the body 110, and a part of the second electrode layer 133 is It extends to the second bonding portion 137 disposed on the lower surface of the body 110 through the second hole 112. The first electrode layer 131 and the first bonding part 135 are integrally connected, and the second electrode layer 133 and the second bonding part 137 are integrally connected.

상기 제1전극층(131)과 상기 제2전극층(133)은 가시광선의 파장 대역에서 반사율이 80% 이상인 금속을 사용하여 단층 금속층으로 형성될 수 있으며, 단층의 금속층은 알루미늄(Al) 또는/및 은(Ag)를 포함할 수 있다. 상기 알루미늄 및 은의 반사율은 400nm 이상의 파장 대역에서 90% 이상의 반사율을 가지고 있다. 상기 전극층(131,133)은 알루미늄 또는 은과 함께 다른 금속 물질과의 합금으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first electrode layer 131 and the second electrode layer 133 may be formed of a single layer metal layer using a metal having a reflectance of 80% or more in a visible light wavelength band, and the single metal layer may be aluminum (Al) and / or silver. (Ag). The reflectance of the aluminum and silver has a reflectance of 90% or more in the wavelength band of 400nm or more. The electrode layers 131 and 133 may be formed of an alloy of another metal material together with aluminum or silver, but is not limited thereto.

상기 제1전극층(131) 및 제2전극층(133)의 두께는 1㎛ ~ 30㎛ 범위로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The thickness of the first electrode layer 131 and the second electrode layer 133 may be formed in a range of 1 μm to 30 μm, but is not limited thereto.

상기 제1홀(111)은 몸체(110) 상면의 제1전극층(131)과 몸체(110) 하면의 제1본딩부(135)을 서로 연결해 주는 비아 전극으로 사용되며, 상기 제2홀(112)은 몸체(110) 상면의 제1전극층(131)과 몸체(110) 하면의 제2본딩부(137)을 서로 연결해 주는 비아 전극으로 사용될 수 있다. 상기 제1홀(111) 및 제2홀(112)은 상기 몸체(110)의 센터보다 상기 몸체(110)의 양 측면에 더 근접하게 배치된다. 상기 발광 소자(141)로부터 발생된 열은 상기 제1 및 제2전극층(131,133), 제1 및 제2홀(111,112)을 통해 몸체(110)의 하면에 배치된 본딩부(135,137)로 전달될 수 있다. 이에 따라 방열 효율은 개선시켜 줄 수 있다.The first hole 111 is used as a via electrode connecting the first electrode layer 131 of the upper surface of the body 110 and the first bonding portion 135 of the lower surface of the body 110 to each other, and the second hole 112. ) May be used as a via electrode connecting the first electrode layer 131 of the upper surface of the body 110 and the second bonding portion 137 of the lower surface of the body 110 to each other. The first hole 111 and the second hole 112 are disposed closer to both side surfaces of the body 110 than the center of the body 110. Heat generated from the light emitting element 141 may be transferred to the bonding parts 135 and 137 disposed on the bottom surface of the body 110 through the first and second electrode layers 131 and 133 and the first and second holes 111 and 112. Can be. Accordingly, the heat dissipation efficiency can be improved.

상기 제1홀(111) 및 제2홀(112) 중 적어도 하나에는 각 전극층이 채워지거나, 각 홀의 표면만 채워질 수 있다. 상기 제1홀(111) 및 제2홀(112)의 표면에 적층이 형성된 경우, 상기 제1 및 제2홀(111,112) 중 적어도 하나에는 보이드(void)가 형성될 수 있으며, 상기 보이드는 각 홀(111,112)을 통해 각각의 전극층과 본딩부의 연결을 오픈시키지 않는 크기로 형성될 수 있다. At least one of the first hole 111 and the second hole 112 may be filled with each electrode layer, or only the surface of each hole may be filled. When the stack is formed on the surfaces of the first hole 111 and the second hole 112, a void may be formed in at least one of the first and second holes 111 and 112, and the void The holes 111 and 112 may be formed to have a size that does not open the connection between the respective electrode layers and the bonding portion.

상기 몸체(110)의 하면에는 제1본딩부(135), 제2본딩부(137) 및 방열부(139)가 배치되며, 상기 방열부(139)는 상기 제1본딩부(135)와 상기 제2본딩부(137) 사이에 배치되며, 상기 전극층(131,133)의 재질과 동일한 재질로 형성될 수 있다. 상기 방열부(139)는 상기 몸체(110) 하면의 영역 중에서 상기 발광 소자(141)와 수직 방향으로 오버랩될 수 있는 영역에 상기 발광 소자(141)의 면적보다 더 넓은 면적으로 형성될 수 있다.A first bonding part 135, a second bonding part 137, and a heat dissipation part 139 are disposed on the bottom surface of the body 110, and the heat dissipation part 139 is formed by the first bonding part 135 and the It is disposed between the second bonding portion 137, and may be formed of the same material as the material of the electrode layers (131, 133). The heat dissipation unit 139 may be formed to have a larger area than the area of the light emitting element 141 in an area of the lower surface of the body 110 that may overlap with the light emitting element 141 in a vertical direction.

상기 몸체(110) 위에는 제1분리부(115)를 제외한 전 영역에 상기 제1전극층(131)과 제2전극층(133)이 배치되며, 광을 효율적으로 반사시켜 줄 수 있다. 상기 제1분리부(115)는 상기 제1전극층(131) 및 제2전극층(133)을 구조적으로 분리시켜 주며, 그 형상은 예컨대 라인 형상으로 형성될 수 있다.The first electrode layer 131 and the second electrode layer 133 may be disposed on the entire body of the body 110 except for the first separator 115, and may efficiently reflect light. The first separator 115 structurally separates the first electrode layer 131 and the second electrode layer 133, and the shape of the first separator 115 may be formed in a line shape.

상기 몸체(110) 아래에는 제1본딩부(135)와 방열부(139) 사이에 제2분리부(116), 제2본딩부(137)와 방열부(139) 사이에 제3분리부(117)가 배치된다. 상기 제2분리부(116) 및 제3분리부(117)는 서로 평행하게 배치될 수 있으며, 예컨대 라인 형상으로 형성될 수 있다. 상기 각 분리부(115,116,117)의 폭은 100㎛ ~ 300㎛로 형성될 수 있으며, 이는 금속층 간의 간격을 나타낼 수 있다.Under the body 110, a third separation part 116 between the first bonding part 135 and the heat dissipation part 139, and a third separation part (between the second bonding part 137 and the heat dissipation part 139). 117 is disposed. The second separator 116 and the third separator 117 may be disposed in parallel to each other, for example, may be formed in a line shape. The width of each separation unit 115, 116, 117 may be formed to 100㎛ ~ 300㎛, which may represent the gap between the metal layer.

상기 제1전극층(131) 위에는 발광 소자(141)가 탑재되고, 상기 발광 소자(141)는 제2전극층(133)과 와이어(142)로 연결된다. 상기 발광 소자(141)는 3족-5족 화합물 반도체를 포함하며, 바람직하게 In_XAl_YGa₁ _-X- _YN(0≤X≤1, 0≤Y≤, 0≤X+Y≤1)의 조성식을 갖는 활성층을 포함할 수 있으며, 가시 광선 대역의 광을 방출하거나 자외선 대역의 광을 방출할 수 있다.The light emitting device 141 is mounted on the first electrode layer 131, and the light emitting device 141 is connected to the second electrode layer 133 by a wire 142. The light emitting device 141 includes a Group III _- _V compound semiconductor, and is preferably In _X Al _Y Ga ₁ _-X _- _Y N (0≤X≤1, 0≤Y≤, 0≤X + Y≤1 It may include an active layer having a composition formula), and may emit light in the visible light band or emit light in the ultraviolet band.

상기 발광 소자(141)는 예컨대, 청색 LED 칩, 녹색 LED 칩, 적색 LED 칩, 황색 LED 칩과 같은 가시광선 대역의 광을 방출하는 LED 칩이거나, 자외선(UV) 대역의 광을 방출하는 LED 칩으로 이루어질 수 있다. 상기 발광소자(141)는 다른 예로서, 복수의 와이어, 다이 방식, 플립 방식 등과 같은 본딩 방식으로 연결될 수 있다. The light emitting device 141 may be, for example, an LED chip emitting light in a visible light band such as a blue LED chip, a green LED chip, a red LED chip, or a yellow LED chip, or an LED chip emitting light in an ultraviolet (UV) band. Can be made. As another example, the light emitting device 141 may be connected by a bonding method such as a plurality of wires, a die method, a flip method, and the like.

상기 몸체(110)(110) 위에는 렌즈(151)가 배치되며, 상기 렌즈(151)는 투광성 수지 계열이거나 유리 재질로 형성될 수 있다. 상기 투광성 수지 계열은 바람직하게 실리콘 또는 에폭시와 같은 수지 계열을 포함할 수 있다. 상기 렌즈(151)는 상기 발광 소자(141) 및 와이어(143)를 덮는 크기로 형성될 수 있다.A lens 151 is disposed on the bodies 110 and 110, and the lens 151 may be formed of a light-transmissive resin or a glass material. The light transmitting resin series may preferably include a resin series such as silicone or epoxy. The lens 151 may be formed to have a size covering the light emitting element 141 and the wire 143.

상기 렌즈(151)의 단면 형상은 반구 형상이거나, 다각형 형상을 포함하며, 상부의 적어도 한 부분이 오목한 형상을 갖는 구조로 형성될 수 있다. 상기 렌즈(151)의 표면은 요철 패턴과 같은 광 추출 구조가 더 형성될 수 있다.The cross-sectional shape of the lens 151 may be a hemispherical shape or polygonal shape, and at least one portion of the lens 151 may have a concave shape. The surface of the lens 151 may be further formed with a light extraction structure such as an uneven pattern.

상기 렌즈(151) 내에는 적어도 한 종류의 형광체가 첨가될 수 있으며, 상기 형광체는 레드 형광체, 그린 형광체, 황색 형광체 등을 선택적으로 포함할 수 있으며, 상기 형광체의 물질은 YAG, TAG, Silicate, Nitride, O_xynitride계 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.At least one kind of phosphor may be added in the lens 151, and the phosphor may selectively include a red phosphor, a green phosphor, a yellow phosphor, and the like, and the material of the phosphor is YAG, TAG, Silicate, Nitride. And at least one of O _xy nitride-based materials.

다른 예로서, 상기 형광체는 상기 발광 소자(141)의 상면에 도포되거나, 상기 렌즈(151)의 표면에 도포될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한 상기 렌즈(151)는 다층 구조로 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
As another example, the phosphor may be applied to the top surface of the light emitting element 141 or to the surface of the lens 151, but is not limited thereto. In addition, the lens 151 may be arranged in a multi-layer structure, but is not limited thereto.

상기 몸체(110)에 형성된 홀(111,112)들에 대해 도 3을 참조하기로 한다. 도 3은 제2홀(112)의 확대도이며, 제1홀(111)도 후술되는 설명을 참조하기로 한다.3 will be referred to for the holes 111 and 112 formed in the body 110. 3 is an enlarged view of the second hole 112, and the first hole 111 will also be described with reference to the following description.

도 3과 같이 상기 제2홀(112)에는 제1경사면(S1) 및 제2경사면(S2)이 형성되며, 제1경사면(S1)은 상기 몸체(110)의 상면으로부터 상기 제2홀(112)의 중심 방향까지 제 1각도(θ1)로 경사지며, 상기 제2경사면(S2)은 상기 몸체(110)의 하면으로부터 상기 제2홀(112)의 중심 방향까지 제2각도(θ2)로 경사지게 형성된다. 상기 제1각도(θ1)와 상기 제2각도(θ2)는 30~80°정도로 형성될 수 있으며, 바람직하게 54.74°로 형성될 수 있다.As shown in FIG. 3, a first inclined surface S1 and a second inclined surface S2 are formed in the second hole 112, and the first inclined surface S1 is formed from the upper surface of the body 110. Inclined at a first angle θ1 to a center direction of the center, and the second inclined surface S2 is inclined at a second angle θ2 from a lower surface of the body 110 to a central direction of the second hole 112. Is formed. The first angle θ1 and the second angle θ2 may be formed at about 30 ° to about 80 °, and preferably at about 54.74 °.

상기 제1경사면(S1)과 상기 제2경사면(S2) 사이의 경계 부분이 상기 제2홀(112)의 중심일 수 있으며, 다른 예로서 제2홀(112)의 중심보다 몸체(110) 상면에 더 가깝게 배치되거나 몸체(110) 하면에 더 가깝게 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제2홀(112)의 최소 폭(D3)은 20㎛ 이상일 수 있으며, 상기 제2홀(112) 내에서의 절연층(121) 사이의 간격(D2)은 10㎛ 이상 이격될 수 있으며, 이러한 간격은 절연층(121)에 의해 홀들이 차단되거나 막히지 않는 간격일 수 있다.The boundary portion between the first slope S1 and the second slope S2 may be the center of the second hole 112, and as another example, an upper surface of the body 110 than the center of the second hole 112. It may be disposed closer to or closer to the lower surface of the body 110, but is not limited thereto. The minimum width D3 of the second hole 112 may be 20 μm or more, and the interval D2 between the insulating layers 121 in the second hole 112 may be spaced 10 μm or more. This interval may be an interval where holes are not blocked or blocked by the insulating layer 121.

상기 제2홀(112)의 경사면 및 경사 각도에 대해 설명하였으나, 상기 제1홀(111)의 구조는 제2홀(112)의 구조와 동일하므로, 제2홀(112)의 구조를 참조하기로 한다.Although the inclination surface and the inclination angle of the second hole 112 have been described, the structure of the first hole 111 is the same as that of the second hole 112, and thus, the structure of the second hole 112 is referred to. Shall be.

상기 제2홀(112)의 중심은 상기 몸체(110)의 측면으로부터 제1간격으로 이격되며, 상기 제1홀(111)도 상기와 같은 간격으로 이격될 수 있다. 상기 제1홀(111)과 상기 제2홀(112)은 상기 몸체(110)의 양 측면으로부터 100㎛ 이상 이격될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The center of the second hole 112 may be spaced apart from the side surface of the body 110 at a first interval, and the first hole 111 may be spaced at the same interval as described above. The first hole 111 and the second hole 112 may be spaced apart by 100 μm or more from both side surfaces of the body 110, but is not limited thereto.

실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 열 전도율이 높은 실리콘 웨이퍼와 같은 몸체(110)의 표면에 절연층(121)을 배치하고, 상기 절연층(121)의 표면에 고 반사율을 갖는 금속층을 단층으로 적층해 줌으로써, 방열 효율을 개선시켜 줄 수 있다. 또한 제1홀(111) 및 제2홀(112)에 비아 전극 구조가 배치됨으로써, 방열 효율을 개선시켜 줄 수 있다.
In the light emitting device package according to the embodiment, the insulating layer 121 is disposed on the surface of the body 110 such as a silicon wafer having high thermal conductivity, and a metal layer having high reflectance is stacked on the surface of the insulating layer 121 as a single layer. By doing so, it is possible to improve the heat radiation efficiency. In addition, the via electrode structures are disposed in the first and second holes 111 and 112, thereby improving heat dissipation efficiency.

도 4는 제2실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸 측 단면도이다.4 is a side cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to a second embodiment.

도 4를 참조하면, 발광 소자 패키지는 상기 발광 소자(141) 위에 형광체층(145)을 형성하고, 상기 발광 소자(141) 위를 덮는 렌즈(151)가 배치된 구조이다.Referring to FIG. 4, the light emitting device package has a structure in which a phosphor layer 145 is formed on the light emitting device 141 and a lens 151 covering the light emitting device 141 is disposed.

상기 형광체층(145)은 상기 발광 소자(141)의 상면 너비와 같은 너비로 형성되며, 그 단면 형상은 반구 형상, 다각형 형상을 포함할 수 있다.The phosphor layer 145 may be formed to have the same width as the top surface of the light emitting device 141, and the cross-sectional shape may include a hemispherical shape and a polygonal shape.

상기 형광체층(145)의 상기 렌즈(151)의 표면보다 상기 몸체(110)의 상면에 더 가깝게 배치되며, 바람직하게 상기 발광 소자(141)의 상면에 직접 접촉되며, 그 두께는 1? 이상으로 형성될 수 있다.It is disposed closer to the top surface of the body 110 than the surface of the lens 151 of the phosphor layer 145, preferably in direct contact with the top surface of the light emitting element 141, the thickness is 1? It may be formed as above.

상기 형광체층(145) 내에는 투광성 수지물 내에 황색, 청색, 녹색 형광체 중 적어도 한 종류를 첨가하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The phosphor layer 145 may be formed by adding at least one of yellow, blue, and green phosphors into the translucent resin, but is not limited thereto.

상기 발광 소자(141) 위에 형광체층(145)을 배치함으로써, 상기 렌즈(151) 내에는 별도의 형광체를 첨가하지 않을 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
By disposing the phosphor layer 145 on the light emitting element 141, a separate phosphor may not be added to the lens 151, but is not limited thereto.

도 5 내지 도 17은 도 1의 발광 소자 패키지의 제조 과정을 나타낸 도면이다.5 to 17 are diagrams illustrating a manufacturing process of the light emitting device package of FIG. 1.

도 5 및 도 6을 참조하면, 몸체(110)의 표면에 마스크층(101)을 형성하게 된다.5 and 6, the mask layer 101 is formed on the surface of the body 110.

상기 몸체(110)는 바람직하게 실리콘 재질의 웨이퍼를 이용할 수 있다. 상기 마스크층(101)은 바람직하게, SiNx으로 형성될 수 있다.The body 110 may preferably use a wafer made of silicon. The mask layer 101 may be formed of SiNx.

상기 마스크층(101) 위에는 개구부(A1,A2,A3,A4)를 갖는 마스크 패턴(102)을 형성하며, 상기 마스크 패턴(102)은 실리콘 산화막(Silicon dioxide) 또는 감광성 필름(DFR: Dry film photoresist)을 이용하여 형성될 수 있다.A mask pattern 102 having openings A1, A2, A3, and A4 is formed on the mask layer 101, and the mask pattern 102 is formed of silicon dioxide or a dry film photoresist (DFR). It can be formed using).

도 7 및 도 8을 참조하면, 상기 마스크 패턴(102)의 개구부(A1,A2,A3,A4)를 통해 상기 마스크층(101)의 일부를 제거함으로써, 상기 마스크 패턴(102)의 개구부(A1,A2,A3,A4) 내에 상기 몸체(110)의 표면이 노출된다. 이러한 공정은 광 리소그래피(photo-lithography) 기술 및 에칭(etching)을 선택적으로 이용할 수 있다. 상기 몸체(110)의 표면에는 상기 마스크 패턴(102)이 제거되며 개구부(A1,A2,A3,A4)를 갖는 마스크층(101)이 노출된다. 7 and 8, a portion of the mask layer 101 is removed through the openings A1, A2, A3, and A4 of the mask pattern 102, thereby opening the opening A1 of the mask pattern 102. The surface of the body 110 is exposed in A2, A3 and A4. This process can optionally utilize photo-lithography techniques and etching. The mask pattern 102 is removed from the surface of the body 110, and the mask layer 101 having the openings A1, A2, A3, and A4 is exposed.

도 9 및 도 10을 참조하면, 상기 마스크층(101)의 개구부를 통해 에칭 프로세스를 수행하여 복수의 홀(111,112)을 형성시켜 준다.9 and 10, a plurality of holes 111 and 112 are formed by performing an etching process through the openings of the mask layer 101.

상기 홀(111,112)은 에칭 프로세스에 의해 형성될 수 있다. 상기 에칭 프로세스는 상기 몸체(110)에 대해 벌크 에칭 방법을 사용하여 에칭될 수 있으며, 상기 벌크 에칭 방법은 습식 에칭(wet etching) 방법, 건식 에칭(dry etching) 방법, 레이저 드릴링(laser drilling) 방법 등이 이용될 수 있으며, 또한 상기 방법들 중 2가지 이상 방법들을 함께 이용할 수도 있다. 상기의 건식 에칭 방법의 대표적인 방법으로는 딥 반응성 이온 식각(deep reactive ion etching) 방법이 있다. 상기 습식에칭의 에칭 용액(Etching Solution)으로는 KOH(potassium hydroxide)를 사용할 수 있다. 이는 다른 이방성 습식 에칭 용액에 비해 에칭 속도가 빠르고 가격이 저렴하며 결정 방향성 의존특성이 우수하다.The holes 111 and 112 may be formed by an etching process. The etching process may be etched with respect to the body 110 using a bulk etching method, wherein the bulk etching method is a wet etching method, a dry etching method, a laser drilling method. Etc. may be used, and two or more of the above methods may be used together. A typical method of the dry etching method is a deep reactive ion etching method. Potassium hydroxide (KOH) may be used as the etching solution of the wet etching. Compared to other anisotropic wet etching solutions, it has a faster etching rate, lower cost, and better crystal orientation.

상기 홀들(111,112)은 상기 몸체(110)의 표면 중에서 미리 정해진 영역의 상면과 하면을 통해 에칭됨으로써, 상기 홀들(111,112)의 상부 및 하부의 너비가 가장 넓고 홀(111,112)의 중심으로 갈수록 좁은 형태로 형성될 수 있다.The holes 111 and 112 are etched through the upper and lower surfaces of a predetermined region among the surfaces of the body 110, so that the upper and lower widths of the holes 111 and 112 are widest and narrow toward the center of the holes 111 and 112. It can be formed as.

각 홀(111,112) 내에는 경사면(S1,S2)이 형성되며, 상기 경사면(S1,S2)은 상기 실리콘 웨이퍼의 결정 방향성에 의해 형성될 수 있으며, 그 에칭 각도는 바람직하게 54.74°로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Inclined surfaces S1 and S2 are formed in each of the holes 111 and 112, and the inclined surfaces S1 and S2 may be formed by the crystal orientation of the silicon wafer, and an etching angle thereof may be preferably formed at 54.74 °. It is not limited thereto.

상기 몸체(110)의 표면으로부터 상기 마스크층(101)을 제거하게 된다. 상기 마스크층(101)의 제거 방법은 습식 에칭액을 이용하여 에칭할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The mask layer 101 is removed from the surface of the body 110. The mask layer 101 may be removed by using a wet etching solution, but is not limited thereto.

도 10 및 도 11과 같이 상기 홀들(111,112)은 상기 몸체(110)의 센터보다 상기 몸체(110)의 양 측면(F1,F2)에 더 가깝게 각각 배치될 수 있으며, 도 12와 같이 몸체(110)의 센터보다 제1측면(F1)에 더 가까운 영역에 복수의 제1홀(111)을 형성시켜 주고, 몸체(110)의 센터보다 제2측면(F2)에 가까운 영역에 복수의 제2홀(112)을 형성시켜 줄 수 있다. 상기 몸체(110)의 제1측면(F1)과 제2측면(F2)은 서로 반대측 면이 될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 10 and 11, the holes 111 and 112 may be disposed closer to both side surfaces F1 and F2 of the body 110 than to the center of the body 110, and the body 110 as shown in FIG. 12. A plurality of first holes 111 are formed in an area closer to the first side surface F1 than the center of the center, and a plurality of second holes are located in an area closer to the second side surface F2 than the center of the body 110. 112 can be formed. The first side surface F1 and the second side surface F2 of the body 110 may be opposite sides to each other, but are not limited thereto.

상기 제1홀(111) 및 제2홀(112)의 형상은 라인 형상을 포함하며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
The shape of the first hole 111 and the second hole 112 includes a line shape, but is not limited thereto.

도 13을 참조하면, 몸체(110)의 표면에 절연층(121)을 형성하게 된다. 상기 절연층(121)은 증착 방법을 이용하여 형성할 수 있으며 그 물질은 실리콘 열 산화막(Si0₂, Si_xO_y 등), 알루미늄 옥사이드(AlOx), 실리콘 질화막(Si₃N₄, Si_xN_y, SiO_xN_y 등), 알루미나(AlN), 사파이어(Al₂O₃)등으로 이루어진 군에서 적어도 하나가 선택되어 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 절연층(121)의 두께는 5000Å~ 5㎛를 포함하며, 상기 홀(111,112)을 막지 않는 범위로 형성될 수 있다.
Referring to FIG. 13, an insulating layer 121 is formed on the surface of the body 110. The insulating layer 121 may be formed using a deposition method, and the material may be a silicon thermal oxide layer (Si0 ₂ , Si _x O _y). Etc.), aluminum oxide (AlOx), silicon nitride film (Si ₃ N ₄ , Si _x N _y , SiO _x N _y) Etc.), alumina (AlN), sapphire (Al ₂ O ₃ ) At least one selected from the group consisting of and the like may be formed, but is not limited thereto. The insulating layer 121 may have a thickness of 5000 μm to 5 μm and may be formed in a range that does not block the holes 111 and 112.

도 14을 참조하면, 상기 절연층(121) 위에 스크린 마스크(114)를 배치한다. 상기 스크린 마스크(114)는 제1전극층(131)과 제2전극층(133)을 분리하기 위한 영역과, 제1본딩부(135)와 방열부(139)을 분리하기 위한 영역, 제2본딩부(137)와 방열부(139)을 분리하기 위한 영역에 각각 형성된다.Referring to FIG. 14, a screen mask 114 is disposed on the insulating layer 121. The screen mask 114 is an area for separating the first electrode layer 131 and the second electrode layer 133, an area for separating the first bonding part 135 and the heat dissipation part 139, and a second bonding part. 137 and the heat dissipation unit 139 are respectively formed in the area for separating.

상기 스크린 마스크(114)는 1㎛ ~ 50㎛의 두께로 형성될 수 있으며, 전극층(131,133)의 두께 이상으로 형성될 수 있으며, 100㎛ ~ 300㎛의 너비로 형성될 수 있다.The screen mask 114 may be formed to have a thickness of 1 μm to 50 μm, may be formed to be greater than or equal to the thickness of the electrode layers 131 and 133, and may be formed to have a width of 100 μm to 300 μm.

상기 스크린 마스크(114)는 마스크 패턴을 이용하거나 포토 레지스트를 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The screen mask 114 may be formed using a mask pattern or a photo resist, but is not limited thereto.

도 14 및 도 15를 참조하면, 스크린 프린팅 방식으로 금속 페이스트(160)를 형성하게 된다. 14 and 15, the metal paste 160 is formed by screen printing.

상기 금속 페이스트(160) 예컨대, 알루미늄(Al) 또는 은(Ag) 페이스트이며, 스퀴즈(sqeeze)(161)를 이용하여 프린팅될 수 있다. 상기 금속 페이스트(160)는 알루미늄 또는 은과 함께 다른 금속 물질이 더 혼합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The metal paste 160 may be, for example, aluminum (Al) or silver (Ag) paste, and may be printed using a squeeze 161. The metal paste 160 may be mixed with other metal materials together with aluminum or silver, but is not limited thereto.

상기 스크린 프린팅 방식은 스퀴즈(161)를 이용하여 금속 페이스트(160)를 문지르면서 상기 몸체(110)의 상면과 하면으로 이동하는 방식으로 프린팅하며, 상기 홀(111,112) 내부 공간에도 상기 금속 페이스트(160)가 채워진다. 상기 금속 페이스트(160)는 스크린 마스크(114)를 제외한 영역에 형성됨으로써, 몸체(110) 상면에서 제1전극층(131) 및 제2전극층(133), 몸체(110) 하면에서 제1본딩부(135) 및 제2본딩부(137), 방열부(139)로 각각 구분될 수 있다. 상기 홀(111,112) 내에는 금속 페이트(160)가 채워져 상기 몸체(110)의 상면과 상기 몸체(110)의 하면에 배치된 금속 페이스트를 서로 연결될 수 있다.The screen printing method prints by moving to the upper and lower surfaces of the body 110 by rubbing the metal paste 160 using the squeeze 161, and the metal paste 160 in the spaces of the holes 111 and 112, respectively. ) Is filled. The metal paste 160 is formed in an area excluding the screen mask 114, and thus, the first bonding part (ie, the first electrode layer 131, the second electrode layer 133, and the bottom surface of the body 110) is formed on the upper surface of the body 110. 135, the second bonding part 137, and the heat dissipation part 139 may be divided into the two parts. The metal pate 160 may be filled in the holes 111 and 112 to connect the metal paste disposed on the upper surface of the body 110 and the lower surface of the body 110 to each other.

상기의 스크린 프린팅 방식은 증착이나 도금 방식에 대해 짧은 시간에 많은 면적을 도포할 수 있으며 전극의 제조 공정이 간단한 효과가 있다. 상기 스크린 프린팅 방식으로 상기 금속 페이스트를 형성해 줌으로써, 제1전극층(131) 및 제2전극층(133), 제1본딩부(135) 및 제2본딩부(137), 방열부(139)는 단층의 금속층으로 형성될 수 있다. The screen printing method can apply a large area in a short time to the deposition or plating method, and the electrode manufacturing process has a simple effect. By forming the metal paste by the screen printing method, the first electrode layer 131 and the second electrode layer 133, the first bonding unit 135 and the second bonding unit 137, and the heat dissipating unit 139 are formed of a single layer. It may be formed of a metal layer.

상기 단층의 금속층의 두께는 상기 절연층(121)의 표면으로부터 1㎛ ~ 30㎛의 두께로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The thickness of the metal layer of the single layer may be formed to a thickness of 1㎛ ~ 30㎛ from the surface of the insulating layer 121, but is not limited thereto.

이후, 상기 스크린 마스크를 제거하게 된다. 이에 따라 제1전극층(131) 및 제2전극층(133)은 제1분리부(115)에 의해 분리되고, 제1본딩부(135)과 방열부(139)은 제2분리부(116)에 의해 분리되며, 제2본딩부(137)와 방열부(139)는 제3분리부(117)에 의해 분리될 수 있다.Thereafter, the screen mask is removed. Accordingly, the first electrode layer 131 and the second electrode layer 133 are separated by the first separating part 115, and the first bonding part 135 and the heat dissipating part 139 are connected to the second separating part 116. The second bonding part 137 and the heat dissipation part 139 may be separated by the third separating part 117.

이후, 상기 금속 페이스트를 소성(firing)하는 공정을 수행하게 된다. 상기 소성 공정은 낮은 온도 예컨대, 300℃ ~ 600℃의 온도에서 소성하여 경화시켜 준다. 여기서, 도 19 및 도 20은 스크린 프링팅 방식에 의해 금속 페이스트가 소성된 표면 이미지이다. 도 19는 금속 페이스트를 소성 온도 450℃에서 소성한 예를 나타낸 것이며, 표면에 러프를 가지게 된다.Thereafter, a process of firing the metal paste is performed. The firing process is baked at a low temperature, for example, 300 ℃ ~ 600 ℃ to cure. 19 and 20 are surface images of a metal paste fired by a screen printing method. 19 shows an example of firing a metal paste at a firing temperature of 450 ° C. and has a rough surface.

도 20는 금속 페이스트를 소성 온도 550℃에서 소성한 것으로서, 실질적인 금속층의 표면이 될 수 있다. 여기서, 도 20의 (A)는 SEM electron beam 이미지이며, (B)는 SEM ion beam 이미지이다. 상기의 도 20과 같이, 금속 페이스트의 표면에는 불규칙한 러프로 형성되며, 이러한 러프는 광은 산란시켜 줄 수 있어, 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다.FIG. 20 shows that the metal paste is fired at a firing temperature of 550 ° C., and may be a surface of a substantially metal layer. Here, FIG. 20A illustrates an SEM electron beam image, and FIG. 20B illustrates an SEM ion beam image. As shown in FIG. 20, the surface of the metal paste is formed with irregular roughness, and the roughness can scatter light, thereby improving light extraction efficiency.

상기 스크린 마스크를 분리하지 않고 소성 공정을 수행할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The firing process may be performed without separating the screen mask, but the embodiment is not limited thereto.

도 16을 참조하면, 상기 몸체(110) 상측의 제1전극층(131) 위에 발광 소자(141)를 탑재하고, 상기 발광 소자(141)는 제2전극층(133)에 와이어(142)로 연결된다.Referring to FIG. 16, the light emitting device 141 is mounted on the first electrode layer 131 above the body 110, and the light emitting device 141 is connected to the second electrode layer 133 by a wire 142. .

상기 발광소자(141)는 상기 제1전극층(131) 및 상기 제2전극층(133)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 발광 소자(141)는 제1전극층(131)과 제2전극층(133)에 와이어(152)로 연결될 수 있다. 상기 발광 소자(141)는 상기 제1전극층(131)에 솔더 페이스트(미도시)로 접착되거나 다이 어태치 방식으로 본딩될 수 있다. 여기서, 상기 발광 소자(141)는 소정 파장의 광을 방출하게 되며, 예컨대, 청색 LED 칩, 녹색 LED 칩, 적색 LED 칩, 황색 LED 칩과 같은 가시광선 대역의 광을 방출하는 LED 칩이거나, 자외선(UV) 대역의 광을 방출하는 LED 칩으로 이루어질 수 있다. The light emitting element 141 may be electrically connected to the first electrode layer 131 and the second electrode layer 133. The light emitting device 141 may be connected to the first electrode layer 131 and the second electrode layer 133 by a wire 152. The light emitting device 141 may be bonded to the first electrode layer 131 with a solder paste (not shown) or bonded in a die attach manner. Here, the light emitting device 141 emits light of a predetermined wavelength, for example, an LED chip that emits light in a visible light band such as a blue LED chip, a green LED chip, a red LED chip, a yellow LED chip, or an ultraviolet ray. It may consist of an LED chip that emits light in the (UV) band.

상기 발광 소자(141)는 3족-5족 화합물 반도체 재료를 포함할 수 있으며, 바람직하게 In_xAl_yGa₁ _-x- _yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 상기 발광 소자(141)는 다른 예로서, 제1전극층(131) 및 제2전극층(133)에 복수의 와이어로 연결되거나, 다이 방식, 플립 방식 등과 같은 본딩 방식으로 사용할 수 있다. The light emitting device 141 is a group III -5 compound may comprise a semiconductor material, preferably _{_{_{_{_{In x Al y Ga 1 -x- y}}}}} N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x and a semiconductor material having a compositional formula of + y ≦ 1). As another example, the light emitting device 141 may be connected to the first electrode layer 131 and the second electrode layer 133 by a plurality of wires, or may be used as a bonding method such as a die method or a flip method.

상기 제1전극층(131) 또는/및 상기 제2전극층(133) 위에 복수의 발광 소자(141)가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
A plurality of light emitting devices 141 may be disposed on the first electrode layer 131 and / or the second electrode layer 133, but embodiments are not limited thereto.

도 17을 참조하면, 상기 발광 소자(141) 위에 렌즈(151)를 배치한다. 상기 렌즈(151)는 투광성 수지 재질을 포함하며, 상기 투광성 수지 재질은 실리콘 또는 에폭시와 같은 액상 재질을 디스펜싱 방법으로 상기 발광 소자(141) 위에 몰딩하거나, 별도의 렌즈(151) 형상을 제조한 후 결합할 수 있다. 상기 렌즈(151)는 유리 재질을 포함하며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Referring to FIG. 17, a lens 151 is disposed on the light emitting element 141. The lens 151 may include a translucent resin material, and the translucent resin material may be formed on the light emitting device 141 by dispensing a liquid material such as silicon or epoxy, or manufactured in a separate lens 151 shape. Can then be combined. The lens 151 includes a glass material, but is not limited thereto.

상기 렌즈(151)의 단면 형상은 반구형 또는 다각형 형상을 포함할 수 있으며, 그 내부에는 적어도 한 종류의 형광체가 첨가될 수 있으며, 상기 형광체는 레드 형광체, 그린 형광체, 황색 형광체 등을 선택적으로 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 형광체의 물질은 YAG, TAG, Silicate, Nitride, O_xynitride계 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
The cross-sectional shape of the lens 151 may include a hemispherical or polygonal shape, and at least one kind of phosphor may be added therein, and the phosphor may selectively include a red phosphor, a green phosphor, a yellow phosphor, and the like. But it is not limited thereto. The material of the fluorescent material may include YAG, TAG, Silicate, Nitride, O xy nitride -based at least one of the substances.

도 18은 제3실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸 측 단면도이다.18 is a side cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to a third embodiment.

도 18을 참조하면, 발광 소자 패키지는 몸체(110)의 중심부에 제1홀(111A)을 배치하고, 몸체(110)의 중심보다 제2측면에 가까운 위치에 제2홀(112)을 형성하게 된다. 상기 제1홀(111A)은 상기 몸체(110)의 제1측면(F1)으로부터 몸체(110)의 너비의 1/2 정도의 거리(D4)로 이격되어 몸체(110)의 중심부에 배치된다. 이에 따라 상기 제1홀(111A)을 통해 발광 소자(141)에 전원을 공급하고, 상기 발광 소자(141)로부터 발생된 열을 수직 하 방향으로 전도하여 방열시켜 줄 수 있다. Referring to FIG. 18, in the light emitting device package, the first hole 111A is disposed at the center of the body 110, and the second hole 112 is formed at a position closer to the second side surface than the center of the body 110. do. The first hole 111A is spaced apart from the first side surface F1 of the body 110 by a distance D4 about 1/2 of the width of the body 110 and disposed at the center of the body 110. Accordingly, power may be supplied to the light emitting device 141 through the first hole 111A, and heat may be radiated by conducting heat generated from the light emitting device 141 in a vertical downward direction.

실시 예의 패키지는 탑뷰 형태로 도시하고 설명하였으나, 사이드 뷰 방식으로 구현하여 상기와 같은 방열 특성, 전도성 및 반사 특성의 개선 효과가 있으며, 이러한 탑뷰 또는 사이드 뷰 방식의 발광 소자 패키지를 채용한 지시 장치, 조명 장치, 표시 장치 등에 적용될 때, 방열 효율에 의한 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.
Although the package of the embodiment has been shown and described in the form of a top view, it is implemented in a side view method has the effect of improving the heat dissipation characteristics, conductivity and reflection characteristics as described above, the indicator device employing such a top view or side view light emitting device package, When applied to a lighting device, a display device, etc., it is possible to improve the reliability by the heat radiation efficiency.

실시예에 따른 발광 소자 패키지는 라이트 유닛에 적용될 수 있다. 상기 라이트 유닛은 복수의 발광 소자 패키지가 어레이된 구조를 포함하며, 도 21 및 도 22에 도시된 표시 장치, 도 23에 도시된 조명 장치를 포함하고, 조명등, 신호등, 차량 전조등, 전광판 등이 포함될 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may be applied to the light unit. The light unit includes a structure in which a plurality of light emitting device packages are arranged, and includes a display device shown in FIGS. 21 and 22 and a lighting device shown in FIG. 23. Can be.

도 21는 실시 예에 따른 표시 장치의 분해 사시도이다. 21 is an exploded perspective view of a display device according to an exemplary embodiment.

도 21를 참조하면, 실시예에 따른 표시 장치(1000)는 도광판(1041)과, 상기 도광판(1041)에 빛을 제공하는 발광 모듈(1031)와, 상기 도광판(1041) 아래에 반사 부재(1022)와, 상기 도광판(1041) 위에 광학 시트(1051)와, 상기 광학 시트(1051) 위에 표시 패널(1061)과, 상기 도광판(1041), 발광 모듈(1031) 및 반사 부재(1022)를 수납하는 바텀 커버(1011)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.Referring to FIG. 21, the display device 1000 according to the embodiment includes a light guide plate 1041, a light emitting module 1031 that provides light to the light guide plate 1041, and a reflective member 1022 under the light guide plate 1041. ), An optical sheet 1051 on the light guide plate 1041, a display panel 1061, a light guide plate 1041, a light emitting module 1031, and a reflective member 1022 on the optical sheet 1051. The bottom cover 1011 may be included, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011), 반사시트(1022), 도광판(1041), 광학 시트(1051)는 라이트 유닛(1050)으로 정의될 수 있다.The bottom cover 1011, the reflective sheet 1022, the light guide plate 1041, and the optical sheet 1051 can be defined as a light unit 1050.

상기 도광판(1041)은 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1041)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다. The light guide plate 1041 diffuses light to serve as a surface light source. The light guide plate 1041 is made of a transparent material, for example, acrylic resin-based such as polymethyl metaacrylate (PMMA), polyethylene terephthlate (PET), polycarbonate (PC), cycloolefin copolymer (COC), and polyethylene naphthalate (PEN). It may include one of the resins.

상기 발광모듈(1031)은 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 표시 장치의 광원으로써 작용하게 된다.The light emitting module 1031 provides light to at least one side of the light guide plate 1041, and ultimately serves as a light source of the display device.

상기 발광모듈(1031)은 적어도 하나를 포함하며, 상기 도광판(1041)의 일 측면에서 직접 또는 간접적으로 광을 제공할 수 있다. 상기 발광 모듈(1031)은 기판(1033)과 상기에 개시된 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(100)를 포함하며, 상기 발광 소자 패키지(100)는 상기 기판(1033) 상에 소정 간격으로 어레이될 수 있다. The light emitting module 1031 may include at least one, and may provide light directly or indirectly at one side of the light guide plate 1041. The light emitting module 1031 may include a substrate 1033 and a light emitting device package 100 according to the above-described embodiment, and the light emitting device package 100 may be arrayed on the substrate 1033 at predetermined intervals. have.

상기 기판(1033)은 회로패턴(미도시)을 포함하는 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 다만, 상기 기판(1033)은 일반 PCB 뿐 아니라, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자 패키지(100)는 상기 바텀 커버(1011)의 측면 또는 방열 플레이트 상에 탑재될 경우, 상기 기판(1033)은 제거될 수 있다. 여기서, 상기 방열 플레이트의 일부는 상기 바텀 커버(1011)의 상면에 접촉될 수 있다.The substrate 1033 may be a printed circuit board (PCB) including a circuit pattern (not shown). However, the substrate 1033 may include not only a general PCB but also a metal core PCB (MCPCB, Metal Core PCB), a flexible PCB (FPCB, Flexible PCB) and the like, but is not limited thereto. When the light emitting device package 100 is mounted on the side surface of the bottom cover 1011 or the heat dissipation plate, the substrate 1033 may be removed. Here, a part of the heat dissipation plate may contact the upper surface of the bottom cover 1011.

그리고, 상기 다수의 발광 소자 패키지(100)는 상기 기판(1033) 상에 빛이 방출되는 출사 면이 상기 도광판(1041)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자 패키지(100)는 상기 도광판(1041)의 일측면인 입광부에 광을 직접 또는 간접적으로 제공할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.In addition, the plurality of light emitting device packages 100 may be mounted on the substrate 1033 such that an emission surface from which light is emitted is spaced apart from the light guide plate 1041 by a predetermined distance, but is not limited thereto. The light emitting device package 100 may directly or indirectly provide light to a light incident portion that is one side of the light guide plate 1041, but is not limited thereto.

상기 도광판(1041) 아래에는 상기 반사 부재(1022)가 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 도광판(1041)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 위로 향하게 함으로써, 상기 라이트 유닛(1050)의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 예를 들어, 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1041)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), PVC(Polyvinyl chloride), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다. The reflective member 1022 may be disposed under the light guide plate 1041. The reflective member 1022 may improve the luminance of the light unit 1050 by reflecting light incident to the lower surface of the light guide plate 1041 and pointing upward. The reflective member 1022 may serve to diffuse, for example, a surface light source. The light guide plate 1041 is made of a transparent material, for example, acrylic resin-based, such as polymethyl metaacrylate (PMMA), polyethylene terephthlate (PET), polycarbonate (PC), polyvinyl chloride (PVC), cycloolefin copolymer (COC) And PEN (polyethylene naphthalate) resin.

상기 반사 부재(1022)는 상기 바텀 커버(1011)의 상면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The reflective member 1022 may be an upper surface of the bottom cover 1011, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011)는 상기 도광판(1041), 발광모듈(1031) 및 반사 부재(1022) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 상기 바텀 커버(1011)는 상면이 개구된 박스(box) 형상을 갖는 수납부(1012)가 구비될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 바텀 커버(1011)는 탑 커버와 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1011 may house the light guide plate 1041, the light emitting module 1031, the reflective member 1022, and the like. To this end, the bottom cover 1011 may be provided with a housing portion 1012 having a box-like shape with an opened upper surface, but the present invention is not limited thereto. The bottom cover 1011 may be combined with the top cover, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 또한 상기 바텀 커버(1011)는 열 전도성이 좋은 금속 또는 비 금속 재료를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1011 may be formed of a metal material or a resin material, and may be manufactured using a process such as press molding or extrusion molding. In addition, the bottom cover 1011 may include a metal or a non-metal material having good thermal conductivity, but the present invention is not limited thereto.

상기 표시 패널(1061)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 재질의 제 1 및 제 2기판, 그리고 제 1 및 제 2기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 상기 표시 패널(1061)의 적어도 일면에는 편광판이 부착될 수 있으며, 이러한 편광판의 부착 구조로 한정하지는 않는다. 상기 표시 패널(1061)은 광학 시트(1051)를 통과한 광에 의해 정보를 표시하게 된다. 이러한 표시 장치(1000)는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비젼 등에 적용될 수 있다. The display panel 1061 is, for example, an LCD panel, and includes a first and second substrates of transparent materials facing each other, and a liquid crystal layer interposed between the first and second substrates. A polarizing plate may be attached to at least one surface of the display panel 1061, but the present invention is not limited thereto. The display panel 1061 displays information by light passing through the optical sheet 1051. The display device 1000 may be applied to various portable terminals, monitors of notebook computers, monitors of laptop computers, televisions, and the like.

상기 광학 시트(1051)는 상기 표시 패널(1061)과 상기 도광판(1041) 사이에 배치되며, 적어도 한 장의 투광성 시트를 포함한다. 상기 광학 시트(1051)는 예컨대 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등과 같은 시트 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 또는/및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. 또한 상기 표시 패널(1061) 위에는 보호 시트가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The optical sheet 1051 is disposed between the display panel 1061 and the light guide plate 1041 and includes at least one light transmissive sheet. The optical sheet 1051 may include at least one of a sheet such as, for example, a diffusion sheet, a horizontal and vertical prism sheet, and a brightness enhancement sheet. The diffusion sheet diffuses the incident light, the horizontal and / or vertical prism sheet focuses the incident light into the display area, and the brightness enhancement sheet reuses the lost light to improve the brightness. A protective sheet may be disposed on the display panel 1061, but the present invention is not limited thereto.

여기서, 상기 발광 모듈(1031)의 광 경로 상에는 광학 부재로서, 상기 도광판(1041), 및 광학 시트(1051)를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
Here, the light guide plate 1041 and the optical sheet 1051 may be included as an optical member on the optical path of the light emitting module 1031, but are not limited thereto.

도 22은 실시 예에 따른 표시 장치를 나타낸 도면이다. 도 22의 설명에 개시된 패키지는 도 1의 패키지를 참조하기로 한다.22 is a diagram illustrating a display device according to an exemplary embodiment. The package disclosed in the description of FIG. 22 will be referred to the package of FIG. 1.

도 22를 참조하면, 표시 장치(1100)는 바텀 커버(1152), 상기에 개시된 발광 소자 패키지(100)가 어레이된 기판(1120), 광학 부재(1154), 및 표시 패널(1155)을 포함한다. Referring to FIG. 22, the display device 1100 includes a bottom cover 1152, a substrate 1120 on which the light emitting device package 100 disclosed above is arranged, an optical member 1154, and a display panel 1155. .

상기 기판(1120)과 상기 발광 소자 패키지(100)는 발광 모듈(1060)로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152), 적어도 하나의 발광 모듈(1060, 광학 부재(1154)는 라이트 유닛으로 정의될 수 있다. The substrate 1120 and the light emitting device package 100 may be defined as a light emitting module 1060. The bottom cover 1152, at least one light emitting module 1060, and the optical member 1154 may be defined as a light unit.

상기 바텀 커버(1152)에는 수납부(1153)를 구비할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1152 may include an accommodating part 1153, but is not limited thereto.

여기서, 상기 광학 부재(1154)는 렌즈(151), 도광판, 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 도광판은 PC(Polycarbonate) 재질 또는 PMMA(Poly methy methacrylate) 재질로 이루어질 수 있으며, 이러한 도광판은 제거될 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다.
Here, the optical member 1154 may include at least one of a lens 151, a light guide plate, a diffusion sheet, horizontal and vertical prism sheets, and a brightness enhancement sheet. The light guide plate may be made of a polycarbonate (PC) material or a poly methy methacrylate (PMMA) material, and the light guide plate may be removed. The diffusion sheet diffuses the incident light, the horizontal and vertical prism sheets focus the incident light onto the display area, and the brightness enhancement sheet reuses the lost light to improve the brightness.

도 23은 실시 예에 따른 조명 장치의 사시도이다.23 is a perspective view of a lighting apparatus according to an embodiment.

도 23을 참조하면, 조명 장치(1500)는 케이스(1510)와, 상기 케이스(1510)에 설치된 발광모듈(1530)과, 상기 케이스(1510)에 설치되며 외부 전원으로부터 전원을 제공받는 연결 단자(1520)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 23, the lighting device 1500 may include a case 1510, a light emitting module 1530 installed in the case 1510, and a connection terminal installed in the case 1510 and receiving power from an external power source. 1520).

상기 케이스(1510)는 방열 특성이 양호한 재질로 형성되는 것이 바람직하며, 예를 들어 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있다.The case 1510 may be formed of a material having good heat dissipation, for example, may be formed of a metal material or a resin material.

상기 발광 모듈(1530)은 기판(1532)과, 상기 기판(1532)에 탑재되는 실시 예에 따른 발광소자 패키지(200)를 포함할 수 있다. 상기 발광 소자 패키지(200)는 복수개가 매트릭스 형태 또는 소정 간격으로 이격되어 어레이될 수 있다. The light emitting module 1530 may include a substrate 1532 and a light emitting device package 200 according to an embodiment mounted on the substrate 1532. The plurality of light emitting device packages 200 may be arranged in a matrix form or spaced apart at predetermined intervals.

상기 기판(1532)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있으며, 예를 들어, 일반 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB 등을 포함할 수 있다. The substrate 1532 may be a circuit pattern printed on an insulator, and for example, a general printed circuit board (PCB), a metal core PCB, a flexible PCB, a ceramic PCB, and the like. It may include.

또한, 상기 기판(1532)은 빛을 효율적으로 반사하는 재질로 형성되거나, 표면이 빛이 효율적으로 반사되는 컬러, 예를 들어 백색, 은색 등의 코팅층될 수 있다.In addition, the substrate 1532 may be formed of a material that reflects light efficiently, or a surface may be coated with a color, for example, white or silver, in which the light is efficiently reflected.

상기 기판(1532) 상에는 적어도 하나의 발광소자 패키지(200)가 탑재될 수 있다. 상기 발광소자 패키지(200) 각각은 적어도 하나의 LED(LED: Light Emitting Diode) 칩을 포함할 수 있다. 상기 LED 칩은 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 유색 빛을 각각 발광하는 유색 발광 다이오드 및 자외선(UV, UltraViolet)을 발광하는 UV 발광 다이오드를 포함할 수 있다.At least one light emitting device package 200 may be mounted on the substrate 1532. Each of the light emitting device packages 200 may include at least one light emitting diode (LED) chip. The LED chip may include a colored light emitting diode emitting red, green, blue or white colored light, and a UV emitting diode emitting ultraviolet (UV) light.

상기 발광모듈(1530)은 색감 및 휘도를 얻기 위해 다양한 발광소자 패키지(200)의 조합을 가지도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 고 연색성(CRI)을 확보하기 위해 백색 발광 다이오드, 적색 발광 다이오드 및 녹색 발광 다이오드를 조합하여 배치할 수 있다.The light emitting module 1530 may be arranged to have a combination of various light emitting device packages 200 to obtain color and luminance. For example, a white light emitting diode, a red light emitting diode, and a green light emitting diode may be combined to secure high color rendering (CRI).

상기 연결 단자(1520)는 상기 발광모듈(1530)과 전기적으로 연결되어 전원을 공급할 수 있다. 상기 연결 단자(1520)는 소켓 방식으로 외부 전원에 돌려 끼워져 결합되지만, 이에 대해 한정하지는 않는다. 예를 들어, 상기 연결 단자(1520)는 핀(pin) 형태로 형성되어 외부 전원에 삽입되거나, 배선에 의해 외부 전원에 연결될 수도 있는 것이다.The connection terminal 1520 may be electrically connected to the light emitting module 1530 to supply power. The connection terminal 1520 is inserted into and coupled to an external power source in a socket manner, but is not limited thereto. For example, the connection terminal 1520 may be formed in a pin shape and inserted into an external power source, or may be connected to the external power source by a wire.

이상에서 본 발명에 대하여 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
Although the present invention has been described above with reference to the embodiments, these are merely examples and are not intended to limit the present invention. It will be appreciated that various modifications and applications are not illustrated. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

100: 발광소자 패키지, 111,112:홀, 121:절연층, 131,133: 전극층, 141:발광 소자, 151:렌즈, 145:형광체층100: light emitting device package, 111, 112: hole, 121: insulating layer, 131, 133: electrode layer, 141: light emitting element, 151: lens, 145: phosphor layer

Claims

A body having a plurality of holes;
An insulating layer on the surface of the body;
A plurality of electrode layers spaced apart from each other on the body;
A light emitting device disposed on at least one of the plurality of electrode layers,
The plurality of electrode layers is a light emitting device package formed of a single metal layer.

The light emitting device package of claim 1, wherein the plurality of electrode layers comprises at least one of aluminum and silver.

The light emitting device package of claim 1, wherein the electrode layer has a thickness in a range of about 1 μm to about 30 μm.

The method of claim 1, wherein the plurality of electrode layers comprises a first electrode layer and a second electrode layer,
A first bonding part disposed under the body and connected to the first electrode layer through the first hole; And a second bonding part disposed under the body and connected to the second electrode layer through the second hole.
The first bonding portion and the second bonding portion is a light emitting device package formed of the same metal layer as the first and second electrode layer.

The light emitting device of claim 4, further comprising a heat dissipation unit disposed below the body in a direction perpendicular to the light emitting element.
The heat dissipation unit is a light emitting device package formed of the same metal layer as the electrode layer.

The light emitting device package of claim 1, further comprising a phosphor layer in contact with the light emitting device.

The light emitting device package of claim 1 or 6, further comprising a lens on the light emitting device.

The light emitting device package of claim 1, wherein the body comprises a silicon material.

Forming a mask layer having a plurality of openings on the body;
Etching the opening to form a plurality of holes in the body;
Removing the mask layer and forming an insulating layer on a surface of the body;
Forming a single layer electrode layer on the insulating layer by using a metal paste;
A light emitting device package manufacturing method comprising the step of mounting a light emitting device on the electrode layer.

The method of claim 9, wherein the electrode layer of the single layer comprises at least one of aluminum and silver, and is filled in the hole, respectively.