KR20120013795A - Light-emitting element package - Google Patents
Light-emitting element package Download PDFInfo
- Publication number
- KR20120013795A KR20120013795A KR1020100076020A KR20100076020A KR20120013795A KR 20120013795 A KR20120013795 A KR 20120013795A KR 1020100076020 A KR1020100076020 A KR 1020100076020A KR 20100076020 A KR20100076020 A KR 20100076020A KR 20120013795 A KR20120013795 A KR 20120013795A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting device
- light
- inclined surface
- cavity
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 abstract description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 abstract 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 5
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- -1 for example Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000006089 photosensitive glass Substances 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910017107 AlOx Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N Beryllium oxide Chemical compound O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920012310 Polyamide 9T (PA9T) Polymers 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004313 glare Effects 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
Description
실시 예는 발광소자 패키지에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 패키지 몸체의 미성형을 방지하기 용이한 구조를 갖는 발광소자 패키지에 관한 것이다.Embodiments relate to a light emitting device package, and more particularly, to a light emitting device package having a structure that is easy to prevent the unmolding of the package body.
LED(Light Emitting Diode; 발광 다이오드)는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기 신호를 적외선, 가시광선 또는 빛의 형태로 변환시키는 소자로, 가정용 가전제품, 리모콘, 전광판, 표시기, 각종 자동화 기기 등에 사용되고, 점차 LED의 사용 영역이 넓어지고 있는 추세이다.LED (Light Emitting Diode) is a device that converts electrical signals into infrared, visible light or light using the characteristics of compound semiconductors. It is used in household appliances, remote controls, display boards, The use area of LED is becoming wider.
보통, 소형화된 LED는 PCB(Printed Circuit Board) 기판에 직접 장착하기 위해서 표면실장소자(Surface Mount Device)형으로 만들어지고 있고, 이에 따라 표시소자로 사용되고 있는 LED 램프도 표면실장소자 형으로 개발되고 있다. 이러한 표면실장소자는 기존의 단순한 점등 램프를 대체할 수 있으며, 이것은 다양한 칼라를 내는 점등표시기용, 문자표시기 및 영상표시기 등으로 사용된다.In general, miniaturized LEDs are made of a surface mounting device for mounting directly on a PCB (Printed Circuit Board) substrate, and an LED lamp used as a display device is also being developed as a surface mounting device type . Such a surface mount device can replace a conventional simple lighting lamp, which is used for a lighting indicator for various colors, a character indicator, an image indicator, and the like.
이와 같이, LED의 사용 영역이 넓어지면서, 생활에 사용되는 전등, 구조 신호용 전등 등에 요구되는 휘도가 높아지는 바, LED의 발광휘도를 증가시키는 것이 중요하다.In this way, as the usage area of the LED becomes wider, the luminance required for electric light used for living, electric light for rescue signals, and the like increases, and therefore, it is important to increase the luminance of the LED.
실시 예의 목적은, 패키지 몸체의 미성형을 방지하기 용이한 구조를 갖는 발광소자 패키지를 제공함에 있다.An object of the embodiment is to provide a light emitting device package having a structure that is easy to prevent the unmolding of the package body.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 발광소자 및 상기 발광소자가 배치되는 캐비티가 형성된 몸체를 포함하고, 상기 캐비티의 내측벽은, 상기 캐비티의 하부면을 기준으로 제1 각도로 형성된 제1 경사면 및 상기 하부면과 상기 제1 경사면 사이에 형성되며, 상기 제1 경사면과 제2 각도를 이루며 상기 하부면과 제3 각도를 갖는 제2 경사면을 포함하며, 상기 제2 경사면의 높이는, 상기 발광소자의 높이보다 낮다.The light emitting device package according to the embodiment includes a light emitting device and a body having a cavity in which the light emitting device is disposed, and an inner wall of the cavity includes: a first inclined surface formed at a first angle with respect to a lower surface of the cavity; A second inclined surface formed between the lower surface and the first inclined surface and having a second angle with the first inclined surface and having a third angle with the lower surface, wherein the height of the second inclined surface is greater than that of the light emitting device. Lower than height
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 패키지 몸체 성형시, 내측벽 중 제2 경사면의 높이를 발광소자의 높이보다 낮게, 캐비티의 하부면과 80°내지 90°를 갖도록 하여, 패키지 몸체를 이루는 사출물의 미성형을 방지할 수 있으며 기밀성 및 신뢰성이 향상되는 이점이 있다.In the light emitting device package according to the embodiment, when the package body is molded, the height of the second inclined surface of the inner wall is lower than the height of the light emitting device, so that the lower surface of the cavity has an angle of 80 ° to 90 °, the injection molding forming the package body It is possible to prevent unmolding and to improve airtightness and reliability.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 내측벽 중 제1 경사면의 제1 경사각에 따라 광 추출시 지향각을 넓힐 수 있는 이점이 있다.In addition, the light emitting device package according to the embodiment has the advantage of widening the directivity angle at the time of light extraction according to the first inclination angle of the first inclined surface of the inner wall.
도 1은 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 절단면을 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1에 나타낸 'A' 블록에 대한 제1 실시 예를 나타낸 확대도이다.
도 3은 도 1에 나타낸 'A'블록에 대한 제2 실시 예를 나타낸 확대도이다.
도 4는 도 1에 나타낸 패키지 몸체 및 캐비티를 나타낸 단면도이다.
도 5는 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 조명장치를 나타낸 사시도이다.
도 6은 도 4에 나타낸 조명장치의 A-A' 단면을 나타낸 단면도이다.
도 7은 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 백라이트 장치에 대한 제1 실시 예를 나타낸 사시도이다.
도 8은 실시 예에 따른 발광소자 어레이를 포함하는 백라이트 장치에 대한 제2 실시 예를 나타낸 사시도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a cut surface of a light emitting device package according to an embodiment.
FIG. 2 is an enlarged view illustrating a first embodiment of an 'A' block shown in FIG. 1.
FIG. 3 is an enlarged view illustrating a second embodiment of the 'A' block shown in FIG. 1.
4 is a cross-sectional view showing the package body and the cavity shown in FIG.
5 is a perspective view illustrating a lighting device including a light emitting device package according to an embodiment.
FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a cross section taken along line AA ′ of the lighting apparatus illustrated in FIG. 4.
7 is a perspective view illustrating a first embodiment of a backlight device including a light emitting device package according to the embodiment.
8 is a perspective view illustrating a second embodiment of a backlight device including a light emitting device array according to the embodiment.
실시 에 대한 설명에 앞서, 본 명세서에서 언급하는 각 층(막), 영역, 패턴, 또는 구조물들의 기판, 각 층(막) 영역, 패드, 또는 패턴들의 "위(on)", "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와, "아래(under)"는 직접(directly)", 또는 "다른 층을 개재하여(indirectly)" 형성되는 모든것을 포함한다. 또한, 각 층의 위, 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.Prior to the description of the implementation, the substrate, each layer region, pad, or pattern of each layer (film), region, pattern, or structure referred to herein is "on", "under". "On" and "under" include all that is formed "directly" or "indirectly" through another layer, In addition, the reference | standard about the upper or lower of each layer is demonstrated based on drawing.
도면에서, 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의, 및 명확성을 위하여 과장되거나, 생략되거나, 또는 개략적으로 도시되었다. 따라서, 각 구성요소의 크기는 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.In the drawings, the thickness or size of each layer is exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of description. Thus, the size of each component does not fully reflect its actual size.
또한, 본 명세서에서 발광소자 패키지의 구조를 설명하는 과정에서 언급하는 각도와 방향은 도면에 기재된 것을 기준으로 한다. 명세서에서 발광소자 패키지를 이루는 구조에 대한 설명에서, 각도에 대한 기준점과 위치관계를 명확히 언급하지 않은 경우, 관련 도면을 참조하도록 한다.In addition, angles and directions mentioned in the process of describing the structure of the light emitting device package herein are based on those described in the drawings. In the description of the structure constituting the light emitting device package in the specification, when the reference point and the positional relationship with respect to the angle is not clearly mentioned, reference is made to related drawings.
도 1은 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 절단면을 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a cut surface of a light emitting device package according to an embodiment.
도 1을 참조하면, 발광소자 패키지(100)는 캐비티(s)가 형성된 패키지 몸체(110), 패키지 몸체(110) 내에 배치되는 제1, 2 리드프레임(120, 130) 및 캐비티(s) 내에서 제1 리드프레임(120) 상에 배치되는 발광소자(140)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, the light emitting device package 100 includes a
패키지 몸체(110)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 알루미늄 나이트라이드(AlN), AlOx, 액정폴리머(PSG, photo sensitive glass), 폴리아미드9T(PA9T), 신지오택틱폴리스티렌(SPS), 금속 재질, 사파이어(Al2O3), 베릴륨 옥사이드(BeO), 세라믹 및 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. The
패키지 몸체(110)의 상면 형상은 발광소자(140)의 용도 및 설계에 따라 삼각형, 사각형, 다각형 및 원형 등 다양한 형상을 가질 수 있다.The top shape of the
캐비티(s)의 단면 형상은 컵 형상, 오목한 용기 형상 등으로 형성될 수 있으며, 캐비티(s)의 내 측면은 하부에 대해 경사진 내측면이 될 수 있다. The cross-sectional shape of the cavity s may be formed in a cup shape, a concave container shape, and the like, and an inner side surface of the cavity s may be an inner side surface inclined with respect to the lower portion.
또한, 캐비티(s)의 전면 형상은 원형, 사각형, 다각형, 타원형 등의 형상일 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.In addition, the front shape of the cavity s may be a shape such as a circle, a rectangle, a polygon, an oval, and the like, but is not limited thereto.
이때, 패키지 몸체(110)의 하부면에는 제1, 2 리드프레임(120, 120)이 배치되며, 제1, 2 리드프레임(120, 130)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P), 알루미늄(Al), 인듐(In), 팔라듐(Pd), 코발트(Co), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 하프늄(Hf), 루테늄(Ru), 철(Fe) 중에서 하나 이상의 물질 또는 합금을 포함할 수 있다.At this time, the first and
또한, 제1, 2 리드프레임(120, 130)은 단층 또는 다층 구조를 가지도록 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.In addition, the first and
패키지 몸체(110), 즉 캐비티(s)의 내측벽은 경사면을 이룰수 있으며, 상기 경사면의 각도에 따라 발광소자(140)에서 방출되는 광의 반사각이 달라질 수 있으며, 이에 따라 외부로 방출되는 광의 지향각을 조절할 수 있다. 광의 지향각이 줄어들수록 발광소자(140)에서 외부로 방출되는 광의 집중성은 증가하는 반면, 광의 지향각이 클수록 발광소자(140)에서 외부로 방출되는 광의 집중성은 감소한다.The
여기서, 캐비티(s)의 내측벽에 대한 자세한 설명은 하기에서 후술하기로 한다.Here, a detailed description of the inner wall of the cavity (s) will be described later.
그리고, 발광소자 패키지(100)는 캐비티(s)를 밀봉하는 봉지재(150)을 포함할 수 있으며, 봉지재(150)는 이중몰딩구조 또는 삼중몰딩구조로 형성될 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.In addition, the light emitting device package 100 may include an encapsulant 150 that seals the cavity s, and the
또한, 봉지재(150)는 필름형으로 형성될 수 있으며, 형광체 및 광확산재 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 또한 형광체 및 광확산재를 포함하지 않는 투광성재질이 사용될 수 있으며 이에 한정을 두지 않는다.In addition, the encapsulant 150 may be formed in a film shape, may include at least one of a phosphor and a light diffusing material, and a translucent material that does not include the phosphor and the light diffusing material may be used. Do not.
도 2는 도 1에 나타낸 'A' 블록에 대한 제1 실시 예를 나타낸 확대도이고, 도 3은 도 1에 나타낸 'A'블록에 대한 제2 실시 예를 나타낸 확대도이다.FIG. 2 is an enlarged view of a first embodiment of the 'A' block shown in FIG. 1, and FIG. 3 is an enlarged view of a second embodiment of the 'A' block shown in FIG. 1.
도 2 및 도 3은 도 1에 나타낸 구성과 동일 구성이므로, 중복되는 부분에 대하여 설명을 생략하거나, 또는 간략하게 설명한다.2 and 3 have the same configuration as that shown in FIG. 1, and therefore descriptions of overlapping portions will be omitted or briefly described.
도 2를 참조하면, 캐비티(s)를 형성하는 패키지 몸체(110)의 내측면은 캐비티(s)의 하부면, 즉 제1 리드프레임(120)을 기준으로 제1 각도(d1)로 경사진 제1 경사면(112) 및 제1 경사면(112)와 제2 각도(d2)로 접하며 제1 리드프레임(120)과 제3 각도(d3)로 접하는 제2 경사면(114)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2, the inner surface of the
이때, 제1 경사면(112)의 제1 각도(d1)는 제2, 3 각도(d2, d3) 보다 낮으며, 20°내지 40°인 것이 바람직하다.At this time, the first angle d1 of the first
즉, 제1 경사면(112)의 제1 각도(d1)는 발광소자 패키지(100)의 전제 사이즈에 관계되며, 제1 경사면(112)의 제1 각도(d1)가 20°보다 작으면 설계된 패키지 몸체(110)의 전체 사이즈가 커지게 되며, 40°보다 높게 되면 패키지 몸체(110)의 높이 또는 두께가 두꺼워지게 되어, 발광소자 패키지(100)를 사용하는 제품의 실장 면적 및 두께에 대한 효율이 떨어지게 된다.That is, the first angle d1 of the first
그리고, 제2 경사면(114)의 제3 각도(d3)는 80°내지 90°인 것이 바람직하며, 90°, 즉 제1 리드프레임(120)과 수직으로 접하는 것이 가장 바람직할 것이다.In addition, the third angle d3 of the second
즉, 제2 경사면(114)의 제3 각도(d3)는 패키지 몸체(110) 성형시, 성형틀에 주입되는 사출물의 성형시 미성형을 방지할 수 있도록 수직 또는 수직에 가깝게 하는 것이 바람직하기 때문이다.That is, since the third angle d3 of the second
그리고, 제2 경사면(114)의 제2 각도(d2)는 110°내지 130°인 것이 바람직하며, 이는 제1, 3 각도(d1, d3)에 의해 결정될 수 있다.In addition, the second angle d2 of the second
여기서, 제2 경사면(114)의 높이(h)는 발광소자(140)의 높이(h1)보다 낮게 형성될 수 있으며, 이때 제2 경사면(114)의 높이(h)는 발광소자(140)에 포함되며 광을 발생시키는 활성층(미도시)의 높이 보다 낮게 형성될 수 있다.Here, the height h of the second
즉, 제2 경사면(114)의 높이(h)는 2/100T(tera) 내지 6/100T(tera) 또는 발광소자(140)의 높이(h1) 대비 0.1배 내지 0.6배인 것이 바람직할 것이다.That is, the height h of the second
다시말하면, 제2 경사면(114)의 높이(h)는 발광소자(140)의 높이(h1), 즉 상기 활성층 보다 낮게 형성함으로써, 발광소자(140)에서 발생되는 광이 제1 경사면(112)에 의해 전방으로 반사시킬수 있도록 할 수 있으며, 상기 사출물의 주입 후 성형되는 과정에서 제1 리드프레임(120)과의 접합이 원활히 되어 미성형을 방지할 수 있다.In other words, the height h of the second
즉, 제2 경사면(114)의 높이(h)는 상기 사출물을 이루는 재질, 유리 섬유보다 높은 2/100T(tera) 또는 발광소자(140)의 높이(h1) 대비 0.1배 이상으로 함으로써 상기 미성형을 방지할 수 있다.That is, the height h of the second
또한, 제2 경사면(114)의 높이(h)는 발광소자(140)의 높이(h1) 대비 0.6배보다 높게 되면 광 효율이 저하된다. In addition, when the height h of the second
도 3을 참조하면, 제2 경사면(114)은 계단 형상으로 스텝을 이루며 형성될 수 있을 것이다.Referring to FIG. 3, the second
이때, 제2 경사면(114)의 높이(h)는 제1, 2 높이(h_1, h_2)를 이룰수 있으며, 이때 제1, 2 높이(h_1, h_2)는 계단 형상으로 형성될 수 있을 것이다.In this case, the height h of the second
여기서, 제1, 2 높이(h_1, h_2) 각각은 발광소자(140)의 높이(h1) 대비 대비 0.1배 내지 0.6배이거나, 또는 2/100T(tera) 내지 6/100T(tera)일 수 있으며, 도 2에서 설명한바 있다.Here, each of the first and second heights h_1 and h_2 may be 0.1 times to 0.6 times the height h1 of the
그리고, 제1, 2 높이(h_1, h_2)는 높이가 서로 상이할 수 있으나, 사출물의 두께 또는 직경보다 크게 형성되어야 할 것이다.In addition, the heights of the first and second heights h_1 and h_2 may be different from each other, but should be greater than the thickness or diameter of the injection molded product.
그리고, 제2 경사면(114)의 계단 형상에서 제2 리드프레임(120)과 평행한 면의 길이는 사출물의 두께 또는 직경보다 길게 형성되어, 사출물의 성형시 미성형을 방지하도록 하며, 면의 길이에 대하여 한정을 두지 않는다.And, the length of the surface parallel to the
도 3에서는, 계단 형상이 발광소자(140) 방향으로 되어 있으나, 내측벽 방향으로 계단 형상이 이루어질 수 있으며 이에 한정을 두지 않는다.In FIG. 3, the staircase shape is toward the
또한, 도 2 및 도 3과는 다르게, 제2 경사면(114)의 단면에 요철 또는 거칠기가 형성될 수 있으며 이에 한정을 두지 않는다.Also, unlike FIG. 2 and FIG. 3, irregularities or roughness may be formed in the cross section of the second
도 4는 도 1에 나타낸 패키지 몸체 및 캐비티를 나타낸 단면도이다.4 is a cross-sectional view showing the package body and the cavity shown in FIG.
도 4는 도 1 내지 도 3에 중복되는 부분에 대하여 설명을 생략한다.FIG. 4 omits description of the overlapping parts of FIGS. 1 to 3.
도 4를 참조하면, 캐비티(s)의 상부폭(b1)은 패키지 몸체(110)의 폭(b2) 대비 66% 내지 89%인 것이 바람직할 것이다.Referring to FIG. 4, the upper width b1 of the cavity s may be 66% to 89% of the width b2 of the
즉, 캐비티(s)의 상부폭(b1)은 캐비티(s)의 내측벽에 대한 경사각에 따라 결정되며, 이때 상부폭(b1)이 패키지 몸체(110)의 폭 대비 66% 미만이면 발광소자(140)에서 발생되는 광의 효율이 낮아지며, 패키지 몸체(110)의 폭 대비 89% 보다 크게되면 광의 효율은 증가될 수 그에 비하여 패키지 전체 사이즈가 크게되며 그에 따른 제1, 2 리드프레임(120, 130)의 길이가 늘어나게 되어 제조원가가 상승하게 된다. That is, the upper width b1 of the cavity s is determined according to the inclination angle with respect to the inner wall of the cavity s. In this case, when the upper width b1 is less than 66% of the width of the
[표 1]은 패키지 몸체(110)의 폭(b2)이 3.8mm인 경우, 내측벽의 경사각에 따른 캐비티(s)의 상부폭(b1)을 나타낸다.Table 1 shows the upper width b1 of the cavity s according to the inclination angle of the inner wall when the width b2 of the
[표 1]에는 패키지 몸체(110)의 폭(b2)을 3.8mm로 한정하였으나, 이에 한정을 두지 않는다.In Table 1, the width b2 of the
[표 1]과 같이, 내측벽 경사각은 도 2 및 도 3에 나타낸 제3 경사각(d3)이며, 제3 경사각(d3)이 20°인 경우에 캐비티(s)의 상부폭(b1)이 가장 크며, 내측벽 경사각이 20°보다 크게 되면 캐비티(s)의 상부폭(b1)이 패키지 몸체(110)의 폭(b2)에 근접하게 되거나 그 이상이 됨으로써, 내측벽에 의해 패키지 몸체(110)가 파괴되거나 휨이 발생될 수 있다.As shown in Table 1, the inner wall inclination angle is the third inclination angle d3 shown in FIGS. 2 and 3, and the upper width b1 of the cavity s is the most when the third inclination angle d3 is 20 °. When the inclination angle of the inner wall is greater than 20 °, the upper width b1 of the cavity s becomes closer to or larger than the width b2 of the
도 5는 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 조명장치를 나타낸 사시도이며, 도 6은 도 5에 나타낸 조명장치의 A-A' 단면을 나타낸 단면도이다. 5 is a perspective view showing a lighting device including a light emitting device package according to the embodiment, Figure 6 is a cross-sectional view showing a cross-section A 'A of the lighting device shown in FIG.
한편, 실시 예에 따른 조명장치의 형상을 보다 상세히 설명하기 위해, 조명장치의 길이방향(Z)과, 길이방향(Z)과 수직인 수평방향(Y), 그리고 길이방향(Z) 및 수평방향(Y)과 수직인 높이방향(X)으로 설명하기로 한다.On the other hand, in order to explain in more detail the shape of the lighting apparatus according to the embodiment, the longitudinal direction (Z) of the lighting apparatus, the horizontal direction (Y) perpendicular to the longitudinal direction (Z), and the longitudinal direction (Z) and the horizontal direction It will be described in the height direction X perpendicular to (Y).
즉, 도 6은 도 5의 조명장치(200)를 길이방향(Z)과 높이방향(X)의 면으로 자르고, 수평방향(Y)으로 바라본 단면도이다.That is, FIG. 6 is a cross-sectional view of the
도 5 및 도 6을 참조하면, 조명장치(200)는 몸체(210), 몸체(210)와 체결되는 커버(230) 및 몸체(210)의 양단에 위치하는 마감캡(250)을 포함할 수 있다.5 and 6, the
몸체(210)의 하부면에는 발광소자모듈(240)이 체결되며, 몸체(210)는 발광소자 패키지(244)에서 발생된 열이 몸체(210)의 상부면을 통해 외부로 방출할 수 있도록 전도성 및 열발산 효과가 우수한 금속재질로 형성될 수 있다.The lower surface of the
발광소자 패키지(244)는 인쇄회로기판(242) 상에 다색, 다열로 실장될 수 있으며, 동일한 간격으로 실장되거나 또는 필요에 따라 다양한 이격 거리를 가지고 실장될 수 있어 밝기 등을 조절할 수 있다. 또한, 효과적인 방열을 위해 인쇄회로기판(242)은 금속(Metal)기판일 수 있다.The light emitting
커버(230)는 몸체(210)의 하부면을 감싸도록 원형의 형태로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않음은 물론이다. The
커버(230)는 내부의 발광소자모듈(240)을 외부의 이물질 등으로부터 보호한다. 또한, 커버(230)는 후술하는 바와 같이 발광소자 패키지(244)에서 발생한 광의 눈부심을 방지하고, 외부로 광을 균일하게 방출할 수 있도록 확산입자를 포함할 수 있으며, 또한 커버(230)의 내면 및 외면 중 적어도 어느 한 면에는 프리즘 패턴 등이 형성될 수 있으며, 커버(230)의 내면 및 외면 중 적어도 어느 한 면에는 형광체가 도포될 수도 있다. The
한편, 발광소자 패키지(244)에서 발생한 광은 커버(230)를 통해 외부로 방출되므로 커버(230)는 광투과율이 우수하여야하며, 발광소 패키지자(244)에서 발생한 열에 견딜 수 있도록 충분한 내열성을 구비하고 있어야 하는바, 커버(230)는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylen Terephthalate; PET), 폴리카보네이트(Polycarbonate; PC) 또는 폴리메틸 메타크릴레이트(Polymethyl Methacrylate; PMMA) 등을 포함하는 재질로 형성되는 것이 바람직하다.On the other hand, since the light generated from the light emitting
마감캡(250)은 몸체(210)의 양단에 위치하며 전원장치(미도시)를 밀폐하는 용도로 사용될 수 있다. 또한 마감캡(250)에는 전원핀(252)이 형성되어 있어, 본 발명에 따른 조명장치(200)는 기존의 형광등을 제거한 단자에 별도의 장치 없이 곧바로 사용할 수 있게 된다.
도 7은 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 백라이트 장치에 대한 제1 실시 예를 나타낸 사시도이다.7 is a perspective view illustrating a first embodiment of a backlight device including a light emitting device package according to the embodiment.
도 7은 수직형 백라이트 장치를 나타내며, 도 7을 참조하면 백라이트 장치는 하부 수납 부재(350), 반사판(320), 복수의 발광소자모듈(340) 및 다수의 광학 시트(330)를 포함할 수 있다.7 illustrates a vertical backlight device, and referring to FIG. 7, the backlight device may include a lower
이때, 발광소자모듈(340)은 복수의 발광소자 패키지(344)와 복수의 발광소자 패키지(344)가 실장되어 어레이를 이룰 수 있도록 인쇄회로기판(342)을 포함할 수 있다.In this case, the light emitting
한편, 발광소자 패키지(344)의 바닥면에는 다수의 돌기 등이 형성될 수도 있어, 적색 광, 녹색 광 및 청색 광의 색 혼합효과를 향상시킬 수 있다.On the other hand, a plurality of protrusions and the like may be formed on the bottom surface of the light emitting
반사판(320)은 높은 광 반사율을 갖는 플레이트를 사용하여 광손실을 줄일 수 있다. 광학 시트(330)는 휘도 향상 시트(332), 프리즘 시트(334) 및 확산시트(336) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The
확산 시트(336)는 발광소자모듈(340)로부터 입사된 광을 액정 표시 패널(미도시)의 정면으로 향하게 하고, 넓은 범위에서 균일한 분포를 가지도록 광을 확산시켜 액정 표시 패널(미도시)에 조사할 수 있다. 프리즘 시트(334)는 프리즘 시트(334)로 입사되는 광들 중에서 경사지게 입사되는 광을 수직으로 출사되게 변화시키는 역할을 한다. 즉, 확산 시트(336)로부터 출사되는 광을 수직으로 변환시키기 위해 적어도 하나의 프리즘 시트(334)를 액정 표시 패널(미도시) 하부에 배치시킬 수 있다. 휘도 향상 시트(332)는 자신의 투과축과 나란한 광은 투과시키고 투과축에 수직한 광은 반사시킨다.The diffusion sheet 336 directs the light incident from the light emitting
도 8은 실시 예에 따른 발광소자 어레이를 포함하는 백라이트 장치에 대한 제2 실시 예를 나타낸 사시도이다.8 is a perspective view illustrating a second embodiment of a backlight device including a light emitting device array according to the embodiment.
도 8은 엣지형 백라이트 장치을 도시하며, 도 8을 참조하면 백라이트 장치는 하부 수납 부재(400), 빛을 출력하는 발광소자모듈(410), 발광소자모듈(410)에 인접 배치된 도광판(420) 및 다수의 광학 시트(미도시)를 포함할 수 있다. 다수의 광학 시트(미도시)는 도광판(420) 상에 위치할 수 있으며, 이는 도 8에서 나타내고 설명한 다수의 광학 시트(430)와 동일하므로 자세한 설명은 생략하기로 한다.8 illustrates an edge type backlight device. Referring to FIG. 8, the backlight device includes a lower
발광소자모듈(410)은 복수의 발광소자 패키지(414)가 인쇄회로기판(412)상에 실장되어 어레이를 이룰 수 있다. 이러한 인쇄회로기판(412)으로는 MCPCB(Metal Core PCB) 또는 FR4 재질의 PCB를 사용할 수 있다. 또한 인쇄회로기판(412)은 사각 판 형태뿐만 아니라 백라이트 어셈블리의 구조에 따라 다양한 형태로의 제작이 가능하다.In the light emitting
도광판(420)은 발광소자 패키지(414)에서 출력한 빛을 면광원 형태로 변경시켜 액정표시패널(미도시)로 제공하며, 도광판(420)으로부터 제공된 빛의 휘도 분포를 균일하게 만들고 수직 입사성을 향상시키는 다수의 광학 필름(미도시) 및 도광판(420)의 후방으로 방출되는 빛을 도광판(420)으로 반사시키는 반사 시트(미도시)가 도광판(620)의 배면에 위치할 수 있다.The
한편, 도 7에서 나타내고 설명한 수직형 백라이트 장치의 구조와 도 8에서 나타내고 설명한 엣지형 백라이트 장치의 구조는 혼합하여 사용이 가능함할 것이다.Meanwhile, the structure of the vertical backlight device shown in FIG. 7 and the edge-type backlight device shown in FIG. 8 may be mixed.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, and the like described in the above embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in each embodiment may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In addition, the above description has been made with reference to the embodiment, which is merely an example, and is not intended to limit the present invention. It will be appreciated that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified. And differences relating to such modifications and applications will have to be construed as being included in the scope of the invention defined in the appended claims.
Claims (11)
상기 발광소자가 배치되는 캐비티가 형성된 몸체;를 포함하고,
상기 캐비티의 내측벽은,
상기 캐비티의 하부면을 기준으로 제1 각도로 형성된 제1 경사면; 및
상기 하부면과 상기 제1 경사면 사이에 형성되며, 상기 제1 경사면과 제2 각도를 이루며 상기 하부면과 제3 각도를 갖는 제2 경사면;을 포함하며,
상기 제2 경사면의 높이는,
상기 발광소자의 높이보다 낮은 발광소자 패키지.A light emitting element; And
And a body having a cavity in which the light emitting device is disposed.
The inner wall of the cavity,
A first inclined surface formed at a first angle with respect to the lower surface of the cavity; And
And a second inclined surface formed between the lower surface and the first inclined surface, the second inclined surface having a second angle with the first inclined surface and having a third angle with the lower surface.
The height of the second inclined surface,
A light emitting device package lower than the height of the light emitting device.
상기 발광소자의 높이 대비 0.1배 내지 0.6배인 발광소자 패키지.The height of the second inclined surface,
A light emitting device package of 0.1 times to 0.6 times the height of the light emitting device.
2/100T(tera) 내지 6/100T(tera)인 발광소자 패키지.The height of the second inclined surface,
A light emitting device package of 2 / 100T (tera) to 6 / 100T (tera).
상기 제2, 3 각도 보다 낮은 발광소자 패키지.The method of claim 1, wherein the first angle is,
A light emitting device package lower than the second and third angles.
20°내지 40°인 발광소자 패키지.The method of claim 1, wherein the first angle is,
20 ° to 40 ° light emitting device package.
상기 제2 각도는, 110°내지 130°이며,
상기 제3 각도는, 80°내지 90°인 발광소자 패키지.The method of claim 1,
The second angle is 110 ° to 130 °,
The third angle is a light emitting device package of 80 ° to 90 °.
요철이 형성된 발광소자 패키지.According to claim 1, wherein the cross section of the inner wall,
A light emitting device package in which irregularities are formed.
계단 형상을 갖는 발광소자 패키지.According to claim 1, wherein the cross section of the inner wall,
Light emitting device package having a step shape.
상기 몸체의 폭 대비 66% 내지 89%인 발광소자 패키지. The method of claim 1, wherein the upper surface width of the cavity,
Light emitting device package of 66% to 89% of the width of the body.
10. A lighting device comprising the light emitting device package of claim 1.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100076020A KR101550938B1 (en) | 2010-08-06 | 2010-08-06 | Light-emitting element package |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100076020A KR101550938B1 (en) | 2010-08-06 | 2010-08-06 | Light-emitting element package |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020140165038A Division KR101628541B1 (en) | 2014-11-25 | 2014-11-25 | Light-emitting element package |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20120013795A true KR20120013795A (en) | 2012-02-15 |
KR101550938B1 KR101550938B1 (en) | 2015-09-07 |
Family
ID=45837208
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020100076020A KR101550938B1 (en) | 2010-08-06 | 2010-08-06 | Light-emitting element package |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101550938B1 (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016115934A (en) * | 2014-12-11 | 2016-06-23 | シチズン電子株式会社 | Light-emitting device and method of manufacturing light-emitting device |
JP2017130588A (en) * | 2016-01-21 | 2017-07-27 | 旭化成株式会社 | Ultraviolet light-emitting device |
US10121945B2 (en) | 2016-12-16 | 2018-11-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4072084B2 (en) | 2003-03-24 | 2008-04-02 | 京セラ株式会社 | Light emitting element storage package and light emitting device |
JP4070208B2 (en) * | 2003-04-21 | 2008-04-02 | 京セラ株式会社 | Light emitting element storage package and light emitting device |
KR100610650B1 (en) * | 2005-06-17 | 2006-08-09 | (주) 파이오닉스 | Light emitting diode package and manufacturing method thereof |
JP2010062427A (en) | 2008-09-05 | 2010-03-18 | Toshiba Corp | Light emitting device |
-
2010
- 2010-08-06 KR KR1020100076020A patent/KR101550938B1/en active IP Right Grant
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016115934A (en) * | 2014-12-11 | 2016-06-23 | シチズン電子株式会社 | Light-emitting device and method of manufacturing light-emitting device |
JP2017130588A (en) * | 2016-01-21 | 2017-07-27 | 旭化成株式会社 | Ultraviolet light-emitting device |
US10121945B2 (en) | 2016-12-16 | 2018-11-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101550938B1 (en) | 2015-09-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR20110125065A (en) | Light emitting device | |
KR20110125064A (en) | Light-emitting element array, backlight apparatus, and illumination apparatus | |
KR101550938B1 (en) | Light-emitting element package | |
KR20120045539A (en) | Light emitting device package | |
KR101141470B1 (en) | Light-emitting element package | |
KR101110911B1 (en) | Light-emitting element package | |
KR101628541B1 (en) | Light-emitting element package | |
KR101781043B1 (en) | Light-emitting element array | |
KR101657074B1 (en) | Light-emitting element package and Back light apparatus, Light-emitting apparatus including the same | |
KR101818752B1 (en) | Light emitting device array | |
KR20120034997A (en) | Light-emitting element package | |
KR102075522B1 (en) | Light-emitting device | |
KR101877410B1 (en) | Light-emitting device | |
KR20160108283A (en) | Light-emitting element package and Light-emitting apparatus including the same | |
KR20120057255A (en) | Light-emitting element package | |
KR20120073932A (en) | Light emitting element array | |
KR101141323B1 (en) | Light emitting element package | |
KR101929402B1 (en) | Light emitting device package | |
KR101790052B1 (en) | Light emitting device package | |
KR20120034484A (en) | Light emitting device package | |
KR101873558B1 (en) | Light emitting device array | |
KR101778151B1 (en) | Light emitting device package | |
KR101735310B1 (en) | Light Emitting Device Package | |
KR20130050146A (en) | Light emitting device package | |
KR20120071151A (en) | Light emitting package |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A107 | Divisional application of patent | ||
A201 | Request for examination | ||
A302 | Request for accelerated examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180809 Year of fee payment: 4 |