KR20120001778A

KR20120001778A - 광전 소자를 위한 박막 봉지부와 그 제조 방법 및 광전 소자

Info

Publication number: KR20120001778A
Application number: KR1020117025037A
Authority: KR
Inventors: 디크 베커; 토마스 도버틴; 에르윈 랑; 티로 레우스츠
Original assignee: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
Priority date: 2009-03-24
Filing date: 2010-03-22
Publication date: 2012-01-04
Also published as: DE102009024411A1; CN102362369A; EP2412040A1; KR101722277B1; EP2412040B1; JP6073130B2; EP2472629A1; CN102362369B; JP2012521623A; US9444062B2; WO2010108894A1; US20120132953A1

Abstract

광전 소자를 위한 박막 봉지부(1)가 개시된다. 박막 봉지부(1)는 원자층 증착을 이용하여 증착된 제1 ALD층(3) 및 원자층 증착을 이용하여 증착된 제2 ALD층(4)을 구비한 층시퀀스(2)를 포함한다. 또한, 박막 봉지부의 제조 방법 및 이러한 박막 봉지부를 포함한 광전 소자가 기술된다.

Description

광전 소자를 위한 박막 봉지부와 그 제조 방법 및 광전 소자{THIN-LAYER ENCAPSULATION FOR AN OPTOELECTRONIC COMPONENT, METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF, AND OPTOELECTRONIC COMPONENT}

본 특허 출원은 독일 특허 출원 10 2009 014543.5 및 10 2009 024411.5의 우선권을 청구하고, 그 공개 내용은 참조로 포함된다.

본 출원은 광전 소자를 위한 박막 봉지부, 그 제조 방법 및 광전 소자에 관한 것이다.

광전 소자 및 특히 예를 들면 유기 발광다이오드(OLED)와 같이 유기 기능 물질을 함유한 이러한 소자는 무엇보다도 습기 및 산소에 민감하다. 습기 및 산소로부터의 보호를 위해 OLED는 예를 들면 일반적으로 비용을 들여 소자상에 접착된 유리 캐비티로 봉지된다.

또한, 습기 및 산소에 대해 소자를 밀폐시키는 박막층들을 포함한 박막 봉지부가 공지되어 있다. 이러한 박막 봉지부는 예를 들면 출원 DE 10 2008 031405, DE 10 2008 048472, DE 10 2008 019900에 기술되어 있다. 상기 문헌에 기술된 박막 봉지부는 특히, 가시광에 대해 낮은 광학적 투과도를 가진다는 단점이 있다.

본 발명의 과제는 광전 소자를 위한 개선된 박막 봉지부를 제공하는 것이다. 특히, 박막 봉지부는 가시광에 대해 양호한 광학적 투과도를 가져야 한다. 또한, 본 출원의 과제는 박막 봉지부의 제조 방법 및 이러한 박막 봉지부를 포함한 광전 소자를 제공하는 것이다.

상기 과제는 특허청구범위 제1항의 특징을 포함한 박막 봉지부, 특허청구범위 제11항의 특징을 포함한 광전 소자 및 특허청구범위 제15항에 따른 방법에 의하여 해결된다.

본 발명의 유리한 실시예 및 발전예는 각각의 종속항에 제공된다.

본원에서 "박막 봉지부"란, 대기 물질, 특히 습기 및 산소에 대한 장벽을 형성하기에 적합한 장치를 의미한다. 바꾸어 말하면, 박막 봉지부는 물 또는 산소와 같은 대기 물질이 기껏해야 매우 낮은 비율로 투과할 수 있도록 형성된다. 상기 장벽 효과는 박막 봉지부에서 실질적으로 얇은 층들로 발생하며, 상기 층들은 박막 봉지부의 일부분이다. 박막 봉지부의 층들은 일반적으로 수 100 nm이하의 두께를 가진다.

일 실시예에 따르면, 박막 봉지부는 박막 봉지부의 장벽 효과 역할을 하는 얇은 층들로 구성된다.

가시광 투과도가 양호한 광전 소자를 위한 박막 봉지부는 특히:

원자층 증착을 이용하여 증착된 제1 ALD층, 및

마찬가지로 원자층 증착을 이용하여 증착된 제2 ALD층을 구비한 층시퀀스를 포함한다.

이 부분에서, 상기 층시퀀스가 2개의 ALD층에 한정되지 않음을 밝혀둔다. 오히려, 층시퀀스는 부가적 ALD층들을 포함할 수 있다. 마찬가지로, 층시퀀스는 원자층 증착과 상이한 방법으로 생성된 부가적 층들을 포함할 수 있다.

ALD층들만을 포함하는 층시퀀스는 본원에서 "나노라미네이트"라고도 한다.

"원자층 증착"("atomic layer deposition", ALD)은 본원에서, 코팅되어야 할 표면이 제공되어 있는 일 용적(volume)에 제1가스형 시작 화합물이 공급되어, 제1가스형 화합물이 표면상에 흡수될 수 있는 방법을 가리킨다. 표면이 제1시작 화합물로 바람직하게는 완전히 또는 거의 완전히 덮인 후에, 여전히 가스형이거나/가스형이고 표면상에 흡수되지 않은 채로 존재하는, 제1시작 화합물의 부분은 일반적으로 다시 상기 용적으로부터 제거되고, 제2시작 화합물이 공급된다. 제2시작 화합물은, 상기 제2시작 화합물과 상기 표면에 흡수된 제1시작 화합물이 고체 ALD층을 형성하면서 화학적으로 반응하도록 제공된다.

이 부분에서, 원자층 증착의 경우 2개를 초과한 시작 화합물이 사용될 수 있음을 밝혀둔다.

원자층 증착 시, 일반적으로, 코팅될 표면이 실온을 초과한 온도로 가열되는 것이 유리하다. 이를 통해, 고체 ALD층을 형성하기 위한 반응이 열에 의해 개시될 수 있다. 코팅될 표면의 온도는 일반적으로 시작 화합물에 의존한다.

플라즈마를 미포함한 원자층 증착("plasma-less atomic layer depopsition", PLALD)은 본원에서, 이하에 기술되는 바와 같은 플라즈마가 발생하지 않고 고체층의 형성을 위해 시작 화합물들의 반응이 코팅될 표면의 온도에 의해서만 개시되는 ALD 방법을 가리킨다.

PLALD 방법의 경우에, 코팅될 표면의 온도는 일반적으로 60℃이상과 120℃이하이다.

플라즈마 보조 원자층 증착("plasma enhanced atomic layer deposition", PEALD)은 본원에서, 플라즈마 생성과 동시에 제2시작 화합물이 공급됨으로써, 제2시작 화합물이 여기될 수 있는 ALD 방법을 가리킨다. 이를 통해, - 플라즈마 미포함 ALD 방법에 비해 - 코팅될 표면이 가열되면서 도달해야할 온도는 낮아지고, 그럼에도 불구하고 플라즈마 생성에 의해 반응은 시작 화합물들 사이의 반응이 개시될 수 있다. 바람직하게는, PEALD 방법에서 코팅될 표면의 온도는 120℃이하, 더욱 바람직하게는 80℃이하이다.

특히, 시작 화합물들 간의 반응의 개시가 봉지될 소자를 손상시킬 수 있는 표면 온도를 필요로 하는 경우에 PEALD 방법이 유리할 수 있다.

박막 봉지부에서 제1 ALD층은 특히 바람직하게는 제2 ALD층과 직접 접촉한다. 이는, 제1 ALD층과 제2 ALD층이 공통의 경계면을 가지는 것을 의미한다.

또한, 제1 ALD층은 물질과 관련하여 특히 바람직하게는 제2ALD층과 상이하다. 이러한 방식으로, 박막 봉지부의 광학적 특성은 상기 봉지부의 가시광 투과도를 증가시키는 방식으로 맞춰질 수 있다.

제1 및/또는 제2ALD층을 위한 적합한 물질은 알루미늄산화물, 아연산화물, 지르코늄산화물, 티타늄산화물, 하프늄산화물, 란타늄산화물이다.

바람직하게는, 층시퀀스의 ALD층들은 특히 얇게 형성되고, 예를 들면 상기 층들은 1원자층이상과 10 nm이하의 두께를 가진다. 일반적으로, 이는 박막 봉지부의 높은 광학적 투과도에 기여한다.

더욱 바람직하게는, 박막 봉지부는 나노라미네이트를 포함하고, 이때 제1ALD층은 알루미늄산화물을 포함하거나 알루미늄산화물로 구성되고, 제2ALD층은 아연산화물을 포함하거나 아연산화물로 구성되고, 이때 제1ALD층 및 제2ALD층은 상호 직접 접촉한다. 이와 같은 나노라미네이트는 특히 가시광에 대한 광학적 투과도가 매우 높고, 이와 동시에 양호한 장벽 효과를 가진다.

매우 바람직한 부가적 실시예에서, 박막 봉지부는 나노라미네이트를 포함하고, 나노라미네이트의 경우 제1ALD층은 알루미늄산화물을 포함하거나 알루미늄산화물로 구성되고, 제2ALD층은 티타늄산화물을 포함하거나 티타늄산화물로 구성되고, 이때 제1ALD층 및 제2ALD층은 특히 바람직하게는 상호 직접 접촉한다. 특히 바람직하게는, 나노라미네이트는 티타늄산화물을 포함하거나 티타늄산화물로 구성된 ALD층으로 마감하고, 즉 박막 봉지부의 외부면은 티타늄산화물을 포함하거나 티타늄산화물로 구성된 ALD층으로 형성된다. 이와 같은 나노라미네이트도 특히 가시광에 대해 매우 높은 광학적 투과도를 가짐과 동시에 양호한 장벽 효과를 가진다.

부가적 실시예에 따르면, 박막 봉지부의 층시퀀스는 적어도 하나의 부가적 층을 포함하고, 상기 부가적 층은 열에 의한 증발증착에 의해 증착되거나 스퍼터링 또는 플라즈마 향상 화학 기상 증착(PECVD)과 같은 플라즈마 보조 공정을 이용하여 증착되었다.

부가적 층을 위한 적합한 물질은 규소질화물, 규소산화물, 규소질산화물, 인듐주석산화물, 인듐아연산화물, 알루미늄 도핑된 아연산화물, 알루미늄산화물 및 그 혼합물과 합금물이다.

부가적 층은 예를 들면 1 nm이상과 5 ㎛이하의 두께를 가진다. 더욱 바람직하게는, 부가적 층의 두께는 1 nm이상과 400 nm이하이다.

특히 바람직한 실시예에 따르면, 부가적 층은 층시퀀스의 외부면에 배치되어 있다. 박막 봉지부의 바람직한 실시예에 따르면, 박막 봉지부는 나노라미네이트를 포함하고, 상기 나노라미네이트에는 부가적 층이 직접 접촉하면서 배치되어 있다.

가시광에 대한 높은 광학적 투과도 및 특히 양호한 밀봉적 장벽 효과를 보장하면서 특히 바람직한 박막 봉지부는 부가적 층을 포함하고, 상기 부가적 층은 플라즈마 보조 공정을 이용하여 적층되어 있으며 규소질화물을 포함하거나 규소질화물로 구성된다.

부가적으로 또는 대안적으로, 박막 봉지부의 층시퀀스는 부가적 ALD층을 포함할 수 있다. 부가적 ALD층은 예를 들면 알루미늄산화물, 아연산화물, 지르코늄산화물, 티타늄산화물, 하프늄산화물, 란타늄산화물 중 하나를 포함하거나 이러한 물질들 중 적어도 하나로 구성될 수 있다. 특히 바람직하게는, 부가적 ALD층은 티타늄산화물을 포함하거나 상기 물질로 구성된다. 또한, 부가적 ALD층은 특히 바람직하게는 박막 봉지부의 외부면을 형성한다.

박막 봉지부의 부가적 실시예에 따르면, 층시퀀스의 층들은 수회 반복하고, 바람직하게는 주기적으로 반복한다. 매우 바람직하게는, 박막 봉지부는 나노라미네이트를 포함하고, 상기 라미네이트의 ALD층은 상기 나노라미네이트내에서 수회 또는 주기적으로 반복한다. 이를 통해, 유리하게는 매우 타이트(tight)한 박막 봉지부가 얻어질 수 있다.

본원 박막 봉지부에서, 유리하게는, 개별층들의 적합한 선택에 의해, 특히 층들의 두께 및 물질과 관련하여 박막 봉지부의 광학적 특성은 적합한 방식으로 맞춰질 수 있다. 따라서, 예를 들면 층두께의 적합한 선택 및 층 물질의 적합한 선택에 의해 박막 봉지부의 투과도 및 반사도가 원하는 방식으로 맞춰질 수 있다. 유리하게는, 가령 반사 방지 효과 또는 원하는 투과도를 가진 박막 봉지부가 얻어질 수 있다.

박막 봉지부는 더욱 바람직하게는 가시광 투과도가 70%이상이다. 더욱 바람직하게는, 박막 봉지부의 가시광 투과도는 90%이상이다.

본원의 박막 봉지부는 특히 광전 소자를 위해 적합한데, 그 광학적 특성이 원하는 방식으로 맞춰질 수 있기 때문이다.

광전 소자는 특히:

기판,

상기 기판상에 적층되어 있으며 복사를 생성하거나/생성하고 복사를 수신하는 활성 영역, 및

앞서 설명한 바와 같은 박막 봉지부를 포함한다.

바람직하게는, 박막 봉지부는 활성 영역과 기판사이에 적층되어 있다. 이러한 배치는 유리하게는 특히 수신 기능의 활성 영역을 보호한다.

이러한 배치를 구현하기 위해, 일반적으로, 우선 박막 봉지부가 기판상에 적층되고, 이어서 활성 영역이 박막 봉지부의 상부에 적층된다.

본원의 박막 봉지부는 특히, 예를 들면 금속 호일 또는 플라스틱 호일과 같은 가요적 기판상에 적층되기에 적합한데, 박막 봉지부의 두께가 얇아서 상기 기판들은 상기 박막 봉지부에 의해 그 가요성을 상실하지 않기 때문이다.

부가적 바람직한 실시예에 따르면, 박막 봉지부는 활성 영역 상부에 설치되되, 활성 영역에서 생성되거나 수신된 복사는 박막 봉지부를 투과하도록 설치된다.

본원의 박막 봉지부는 특히, 유기 발광다이오드, 유기 태양전지, 태양 전지에 적용되거나 -예를 들면 트랜지스터, 다이오드 또는 유기 집적 회로와 같은 - 유기 전자 장치를 구비한 광전 소자에 적용되기에 적합하다.

광전 소자를 위한 박막 봉지부의 제조 방법에서, 제1ALD층 및 제2ALD층은 각각 원자층 증착을 이용하여 증착된다. 앞서 박막 봉지부와 관련하여 설명된 유리한 형성예는 본 방법에 대해서도 유사하게 적용된다.

본 발명의 부가적 유리한 실시예 및 발전예는 이하에서 도면과 관련하여 설명된 실시예로부터 도출된다.

도 1 내지 3은 각각 하나의 실시예에 따른 각각의 박막 봉지부의 개략적 단면도이다.
도 4 내지 6은 각각 하나의 실시예에 따른 각각의 광전 소자의 개략적 단면도이다.

실시예 및 도면에서 동일하거나 동일한 효과를 가진 구성요소는 각각 동일한 참조번호를 가진다. 도시된 요소 및 이러한 요소들간의 크기비는 척도에 맞는 것으로 볼 수 없고, 오히려 개별 요소, 특히 층 두께는 더 나은 이해를 위해 과장되어 크게 도시되어 있을 수 있다.

도 1의 실시예에 따른 박막 봉지부(1)는 원자층 증착을 이용하여 증착된 제1ALD층(3) 및 마찬가지로 원자층 증착을 이용하여 증착된 제2ALD층(4)을 구비한 층시퀀스(2)를 포함한다. 제1ALD층(3) 및 제2ALD층(4)은 특히 상호간에 직접 접촉해있다.

제1ALD층(3)은 예를 들면 알루미늄산화물을 포함하거나 그것으로 구성되는 반면, 제2ALD층(4)은 아연산화물로 구성되거나 아연산화물을 포함한다. 두 ALD층(3, 4)은 본원에서 2개의 서로 다른 물질로 구성되므로, 가시광에 대한 투과도가 증가하는데, 단일의 ALD층의 경우 투과도를 낮출 수 있는 간섭 효과가 적어도 줄어들기 때문이다. 또한, 제1ALD층(3) 및 제2ALD층(4)을 위해 2개의 서로 다른 물질을 사용하면, ALD층들(3, 4)에서 작은 확산 채널들이 더욱 양호하게 닫힐 수 있다는 이점이 있다.

ALD층들(3, 4)을 위해 적합한 부가적 물질은 예를 들면 지르코늄산화물, 티타늄산화물, 하프늄산화물 및 란타늄산화물이다.

도 1에 따른 실시예에서, 제1ALD층(3)의 두께는 약 10 nm인 반면, 제2ALD층(4)의 두께는 약 1 nm이다.

도 1의 실시예에 따른 두 ALD층들(3, 4)은 나노라미네이트(5)를 형성한다. 이러한 나노라미네이트(5)만으로도, 습기 또는 산소와 같은 대기 영향에 반해 충분한 장벽 효과를 나타내기에 적합할 수 있다.

또한, 본 출원에 따른 박막 봉지부(1)는 나노라미네이트(5)로 형성될 수 있고, 상기 나노라미네이트에서 ALD층들(3, 4)은 주기적으로 반복된다.

도 2a의 실시예에 따른 박막 봉지부(1)는 예를 들면 나노라미네이트(5)를 포함하고, 상기 나노라미네이트에서 도 1에 따른 나노라미네이트의 ALD층들(3, 4)은 주기적으로 3회 반복된다.

이때, ALD층들(3, 4)은 상호 직접 접촉하여 배치되어 있으며, 즉 상기 층들은 각각 하나의 공통의 경계면을 형성한다.

더욱 바람직한 실시예에서, 도 1의 나노라미네이트(5)의 ALD층들(3, 4)은 적어도 5회 반복한다. 이러한 점은 개관상의 이유로 미도시되었다.

나노라미네이트(5) 외에, 도 2a에 따른 박막 봉지부(1)의 층시퀀스(2)는 부가적 층(6)을 더 포함하고, 상기 부가적 층은 원자층 증착을 이용하여 적층되지 않고, 예를 들면 열에 의한 기화 또는 가령 스퍼터링이나 PECVD와 같은 플라즈마 보조 방법에 의해 적층되어 있다.

부가적 층(6)은 나노라미네이트(5)의 최외부 제1ALD층(3)과 직접 접촉하여 배치되어 있다.

도 2a의 실시예에서, 부가적 층(6)은 규소질화물을 포함하거나 규소질화물로 구성되고, 그 두께는 예를 들면 약 90 nm이다.

부가적 층(6)을 위해 규소질화물 외에 규소산화물, 규소질산화물, 인듐주석산화물, 인듐아연산화물, 알루미늄 도핑된 아연산화물, 알루미늄산화물이란 물질, 그리고 이들의 혼합물과 합금물이 적합하다.

도 2b의 실시예에 따른 박막 봉지부(1)는 제1ALD층(3)을 포함하고, 상기 제1ALD층은 도 2a의 실시예의 경우와 마찬가지로 알루미늄산화물을 포함하거나 알루미늄산화물로 구성된다. 또한, 박막 봉지부(1)는 제2ALD층(4)을 포함하고, 상기 제2ALD층은 티타늄산화물을 포함하거나 티타늄산화물로 구성된다. 제1ALD층(3)은 제2ALD층(4)상에 직접 접촉하여 적층되어 있다. 도 2b의 실시예에 따른 나노라미네이트(5)는 알루미늄산화물을 포함하거나 알루미늄산화물로 구성된 제1ALD층(3) 및 티타늄산화물을 포함하거나 티타늄산화물로 구성된 제2ALD층(4)이 3회 주기적으로 반복됨으로써 형성된다. 또한, 나노라미네이트(5)는 이러한 제1 및 제2ALD층(3, 4)이 4회 또는 가령 5회 주기적으로 반복됨으로써 형성될 수 있다.

제1ALD층(3) 및 제2ALD층(4)의 두께는 바람직하게는 일 원자층과 10 nm사이이다. 예를 들면, 알루미늄산화물을 포함하거나 알루미늄산화물로 구성된 제1ALD층(3)의 두께는 약 2 nm이다. 티타늄산화물을 포함하거나 티타늄산화물로 구성된 제2ALD층(4)의 두께는 예를 들면 약 7 nm이상과 약 9 nm이하이다.

더욱 바람직하게는, 도 2b의 실시예에 따른 박막 봉지부는 알루미늄산화물을 포함하거나 알루미늄산화물로 구성된 제1ALD층(3)과 함께 광전 소자상에 적층되도록 제공되어, 티타늄산화물을 포함하거나 티타늄산화물로 구성된 제2ALD층(4)은 박막 봉지부(1)의 외부면을 형성한다. 또한, 박막 봉지부(1)의 층시퀀스(2)는 부가적 ALD층(6')을 포함하고, 부가적 ALD층도 마찬가지로 티타늄산화물을 포함하거나 티타늄산화물로 구성되며, 박막 봉지부(1)의 외부면을 형성한다. 티타늄산화물을 포함하거나 티타늄산화물로 구성된 부가적 ALD층(6')은 예를 들면 약 8 nm의 두께를 가진다.

도 3의 실시예에 따른 박막 봉지부(1)는 도 2a에 따른 박막 봉지부(1)에 비해, 상기 박막 봉지부의 층시퀀스(2)가 제2부가적 층(7)을 포함한다는 점에서 상이하다. 제2부가적 층(7)은 제1부가적 층(6)과 다른 방향을 향해 있는 나노라미네이트(5)의 측에서 상기 나노라미네이트와 직접 접촉하면서 적층되어 있다. 제2부가적층(7)은 제1부가적층(6)과 동일한 물질을 포함할 수 있거나 다른 물질을 포함할 수 있다.

도 4의 실시예에 따른 광전 소자는 기판(8)을 포함하고, 상기 기판상에 활성 영역(9)이 적층되어 있다. 활성 영역(9)은 본원에서, 복사를 수신하거나 방출하기에 적합하다.

소자의 활성 영역(9)은 예를 들면 유기 기능 물질을 함유한다. 또는, 활성 영역(9)은 무기 활성 물질을 포함할 수 있다.

광전 소자는 예를 들면 유기 발광다이오드, 유기 태양전지 또는 태양전지를 가리킬 수 있다. 또한, 광전 소자는 - 가령 트랜지스터 다이오드 또는 유기 집적 회로와 같은 유기 전자 장치를 포함할 수 있다.

광전 소자의 활성 영역(9)상에 도 2a의 실시예에 따른 박막 봉지부(1)가 적층되어 있다. 박막 봉지부(1)는 활성 영역(9)상에 적층되되, 부가적 층(6)이 활성 영역(9)을 향해있고, 활성 영역(9)에서 생성되거나 수신된 복사는 박막 봉지부(1)를 투과한다.

도 2a의 실시예에 따른 박막 봉지부(1) 대신, 도 4에 따른 광전 소자는 도 1, 2b 및 3의 실시예에 따른 박막 봉지부(1)를 포함할 수 있다.

도 4에 따른 실시예와 달리, 도 5의 실시예에 따른 광전 소자는 기판(8)과 소자의 활성 영역(9) 사이에 배치되어 있는 박막 봉지부(1)를 포함한다. 박막 봉지부(1)의 부가적층(6)은 기판(8)을 향해있다. 활성 영역(9)은 나노라미네이트(5)상에 적층되어 있다. 도 6의 실시예에 따른 광전 소자는 2개의 박막 봉지부들(1)을 포함한다. 두 박막 봉지부들(1)은 본원에서 도 2a의 실시예에 따른 바와 동일하게 형성된다. 박막 봉지부들은 서로 다르게 형성될 수 있다.

제1박막 봉지부(1)는 도 5에 따른 소자의 경우와 마찬가지로 기판(8)과 활성 영역(9) 사이에 배치되어 있는 반면, 제2박막 봉지부(1)는 도 4의 실시예의 경우와 같이 활성 영역(9) 상부에 배치되어 있다.

본 발명은 실시예에 의거한 설명에 의하여 상기 실시예에 한정되지 않는다. 오히려 본 발명은 각각의 새로운 특징 및 특징들의 각 조합을 포괄하고, 이러한 점은 특히, 상기 특징 또는 상기 조합이 그 자체로 명백하게 특허청구범위 또는 실시예에 제공되지 않더라도, 특허청구범위에서의 특징들의 각 조합을 포괄한다.

Claims

원자층 증착을 이용하여 증착된 제1ALD층(3) 및
원자층 증착을 이용하여 증착된 제2ALD층(4)을 구비한 층시퀀스(2)를 포함하는 광전 소자를 위한 것을 특징으로 하는 박막 봉지부(1).
청구항 1에 있어서,
상기 제1ALD층(3)은 상기 제2ALD층(4)과 직접 접촉하는 것을 특징으로 하는 박막 봉지부(1).
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 제1ALD층(3)은 상기 제2ALD층(4)과는 다른 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 봉지부(1).
청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 ALD층 및/또는 상기 제2ALD층(3, 4)은 알루미늄산화물, 아연산화물, 지르코늄산화물, 티타늄산화물, 하프늄산화물, 란타늄산화물 중 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 봉지부(1).
청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
상기 층시퀀스(2)는, 스퍼터링이나 PECVD와 같은 플라즈마 보조 공정을 이용하거나 열 기화에 의해 증착된 적어도 하나의 부가적층(6, 7)을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 봉지부(1).
청구항 5에 있어서,
상기 부가적층(6, 7)은 규소질화물, 규소산화물, 규소질산화물, 인듐주석산화물, 인듐아연산화물, 알루미늄 도핑된 아연산화물, 알루미늄산화물 및 그 혼합물과 합금물 중 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 봉지부(1).
청구항 5 또는 청구항 6에 있어서,
상기 부가적층(6, 7)은 상기 층시퀀스(2)의 외측에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 박막 봉지부(1).
청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서,
상기 층시퀀스(2)의 층들은 수회, 바람직하게는 주기적으로 반복되는 것을 특징으로 하는 박막 봉지부(1).
청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 있어서,
상기 ALD층들(3, 4)의 두께는 일 원자층이상과 10 nm이하인 것을 특징으로 하는 박막 봉지부(1).
기판(8),
상기 기판(8)상에 적층되어 있으며 복사를 생성하거나/생성하고 복사를 수신하는 활성 영역(9), 및
청구항 1 내지 청구항 9 중 어느 한 항에 따른 박막 봉지부(1)를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전 소자.
청구항 10에 있어서,
상기 박막 봉지부(1)는 상기 기판(8)과 상기 활성 영역(9) 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 광전 소자.
청구항 10 또는 청구항 11에 있어서,
상기 박막 봉지부(1)는, 상기 활성 영역(9)에서 생성되거나 수신된 복사가 상기 박막 봉지부(1)를 투과하도록, 상기 활성 영역(9) 상부에 설치되는 것을 특징으로 하는 광전 소자.
청구항 10 내지 청구항 12 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판(8)은 가요적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 광전 소자.
청구항 10 내지 청구항 13 중 어느 한 항에 있어서,
상기 광전 소자는 유기 발광다이오드, 유기 태양전지, 태양전지이고, 그리고/또는 유기 전자 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전 소자.
원자층 증착을 이용하여 제1ALD층(3)을 증착하는 단계, 및
원자층 증착을 이용하여 제2ALD층(4)을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 광전 소자를 위한 박막 봉지부(1)를 제조하는 방법.