KR20110119909A - Method for manufacturing led package - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 발광다이오드 패키지 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 발광 다이오드 칩의 발광면에 형광체를 균일하게 코팅하기 위한 발광 다이오드 패키지 제조 방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a light emitting diode package manufacturing method, and more particularly to a light emitting diode package manufacturing method for uniformly coating a phosphor on the light emitting surface of the light emitting diode chip.
발광 다이오드(light emission diode; LED)는 반도체의 p-n 접합 구조를 이용하여 주입된 소수 캐리어(전자 또는 정공)를 만들고 이들의 재결합에 의하여 소정의 빛을 발산하는 소자를 지칭하며, GaAsP 등을 이용한 적색 발광 다이오드, GaP 등을 이용한 녹색 발광 다이오드, InGaN/AlGaN 더블 헤테로(double hetero) 구조를 이용한 청색 발광 다이오드 등이 있다.A light emitting diode (LED) refers to a device that makes a small number of carriers (electrons or holes) injected using a pn junction structure of a semiconductor and emits a predetermined light by recombination thereof, and red using GaAsP or the like. Green light emitting diodes using light emitting diodes, GaP and the like, and blue light emitting diodes using InGaN / AlGaN double hetero structure.
발광 다이오드는 소비 전력이 적고 수명이 길며, 협소한 공간에 설치 가능하고, 또한 진동에 강한 특성을 제공한다. 이러한 발광 다이오드는 표시 소자 및 백라이트로 이용되고 있으며, 최근 일반 조명 용도로 이를 적용하기 위해 활발한 연구가 진행중이다. 최근에는 단일 색성분 예를 들어, 적색, 청색, 또는 녹색 발광 다이오드 외에 백색 발광 다이오드들이 출시되고 있다. 백색 발광 다이오드는 자동차용 및 조명용 제품에 응용되면서, 그 수요가 급속히 증가할 것으로 예상된다.The light emitting diode has a low power consumption, a long service life, can be installed in a narrow space, and provides a strong vibration resistance characteristic. Such light emitting diodes are used as display devices and backlights, and active research is being conducted to apply them to general lighting applications. Recently, white light emitting diodes have been introduced in addition to single color components, for example, red, blue, or green light emitting diodes. As white light emitting diodes are applied to automotive and lighting products, the demand is expected to increase rapidly.
발광 다이오드 기술에서 백색을 구현하는 방식은 크게 두 가지로 구분 가능하다. White light emitting diode technology can be divided into two ways.
첫 번째는 적색, 녹색, 청색 발광 다이오드 칩을 인접하게 설치하고, 각 소자의 발광을 혼색시켜 백색을 구현하는 방식이다. 그러나, 각 발광 다이오드 칩은 열적 또는 시간적 특성이 상이하기 때문에 사용 환경에 따라 색조가 변하고 특히, 색얼룩이 발생하는 등 균일한 혼색을 구현하지 못하는 문제점이 있다.First, red, green, and blue light emitting diode chips are installed adjacent to each other, and the light emission of each device is mixed to realize white color. However, since each LED chip has different thermal or temporal characteristics, there is a problem in that the color tone is changed according to the use environment, and in particular, color uniformity is not realized.
두 번째는 형광체를 발광 다이오드 칩에 배치시켜, 발광 다이오드 칩의 1차 발광의 일부와 형광체에 의해 파장 변환된 2차 발광이 혼색되어 백색을 구현하는 방식이다. 예를 들어 청색으로 발광하는 발광 다이오드 칩 상에 그 광의 일부를 여기원으로서 황록색 또는 황색 발광하는 형광체를 분포시켜 발광 다이오드 칩의 청색 발광과 형광체의 황록색 또는 황색 발광에 의해 백색을 얻을 수 있다. 현재 이와 같이 청색 발광 다이오드 칩과 형광체를 이용하여 백색광을 구현하는 방법이 보편화 되어 있다.
Secondly, the phosphor is disposed on the light emitting diode chip, so that a part of the first light emission of the light emitting diode chip and the secondary light emission wavelength-converted by the phosphor are mixed to realize white color. For example, a phosphor emitting yellow green or yellow light as a source of excitation as part of an excitation source on a light emitting diode chip emitting blue light can be distributed to obtain white color by blue light emission of the light emitting diode chip and yellow green light or yellow light emission of the phosphor. Currently, a method of implementing white light using a blue light emitting diode chip and a phosphor has been popularized.
도 1은 이러한 제조방법에 따라 제조된 발광 다이오드 패키지의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a light emitting diode package manufactured according to this manufacturing method.
도면을 참조하면, 발광 다이오드 패키지(1000)는 리드 프레임(100)과, 리드 프레임(100) 내에 형성된 캐비티(200) 저면에 실장된 발광 다이오드 칩(300)을 포함하여 구성된다. Referring to the drawings, the
일반적인 발광 다이오드 패키지(1000) 제조 방법은 발광 다이오드 칩(300)을 캐비티(200) 저면에 실장한 후, 발광 다이오드 칩(300) 상면의 전극패드와 전극(500)을 와이어(400)로 본딩하고, 형광체(700)를 캐비티(200) 내부에 도포하게 된다.In the general method of manufacturing the
이때에 형광체(700)는 직접 도포되지 않고, 수지가 포함된 봉지재(600)로 주입된다. 수지는 발광 다이오드 칩(300)으로부터 발생되는 광에 직접적으로 영향을 미치지 않도록 하면서, 발광 다이오드 칩(300)을 보호하도록 하며, 형광체(600)는 발광 다이오드 칩(300)으로부터 발생되는 광을 흡수하여 흡수된 광과 상이한 파장의 광을 발생시킨다. 그리고 수지가 경화되면 발광 다이오드 패키지(1000)가 완성된다.At this time, the
이러한 발광 다이오드 패키지(1000) 제조방법은 아래와 같은 문제점이 발생된다.The method of manufacturing the light
먼저, 수지 내에 분산되어 있던 형광체(700)가 수지의 경화 과정에서 중력에 의해 바닥으로 침전된다. 이 때, 도 1에서와 같이 발광 다이오드 칩(300)의 측면에는 형광체(700)가 완전히 도포되지 않을 수 있다. 이로 인하여 발광 다이오드 칩(300)의 측면에서 나오는 광은 형광체(700)를 이용하여 변환되기 어려워 발광 다이오드 패키기(10000)를 통하여 발광되는 광의 색이 균일하지 못하게 된다. 또한, 형광체(700)의 뭉침 현상으로 인해 균일한 코팅이 이루어지지 않으며, 형광체(700) 도포시 와이어(400) 본딩의 간섭으로 인해 형광체(700)의 불균일한 혼합 현상이 발생되어 광변환에 영향을 미치게 된다.First, the
그리고 발광 다이오드 칩(300)의 측면에서 나오는 광의 파장을 변환하기 위해 발광 다이오드 칩(300)의 상면에 더 많은 양의 형광체(700)를 도포할 경우 과도하게 많은 형광체(700)로 인해 휘도가 감소하게 되어 광효율이 떨어지는 문제점이 발생한다. In addition, when a larger amount of the
상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 일본공개특허 제 2010-010261호에서 형광체를 발광 다이오드 칩에 도포시킨 후 와이어 본딩하는 발광 다이오드 패키지 제조 방법에 관한 기술이 제안된 바 있다.In order to solve the above problems, Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2010-010261 has proposed a method of manufacturing a light emitting diode package by applying a phosphor to a light emitting diode chip and then wire bonding it.
도 2a은 상기 종래 기술에 따라 스크린 인쇄를 통해 발광 다이오드 칩에 형광체를 도포한 상태의 패키지 단면도이며, 도 2b는 형광체 코팅막 생성후 전극패드(300a)면에 빛샘 방지를 위한 반사성 수지를 도포한 상태의 부분 단면도이다.2A is a cross-sectional view of a package in which a phosphor is applied to a light emitting diode chip through screen printing according to the related art, and FIG. 2B is a state in which a reflective resin is applied to the surface of the
도면을 참조하면, 상기 종래 기술은 스크린 인쇄 기법으로 발광 다이오드 칩(300) 상면에 전극 패드(300a) 부분만 스크린(900) 처리하고 전극패드(300a)를 제외한 나머지 발광면에는 형광체(700)가 코팅되는 기술이다.Referring to the drawings, the prior art processes the
이와 같은 스크린 인쇄 기법을 사용할 경우, 도면에 도시된 바와 같이 발광 다이오드 칩(300) 측면에는 형광체(700) 코팅층이 형성되기 어려우며, 정밀도가 떨어져 전극패드(300a) 부분에서도 빛샘이 발생하여 광변환이 원활하게 이루어지지 않게 된다. 또한, 도 2b에 도시된 바와 같이 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 전극패드(300a) 상부에 광반사 수지(910)을 도포하여 빛샘을 억제하고 있으나, 광반사 수지(910) 도포에 따른 공정의 증가로 인해 수율이 떨어지는 문제점이 발생된다.When using such a screen printing technique, as shown in the figure, it is difficult to form the
다른 방법으로 패키지 제조 과정에서 발광 다이오드 칩(300)을 와이어 본딩하기 전에 형광체(700)를 미리 발광 다이오드 칩(300)에 균일하게 도포한 후 포토리소그래피 공정을 통해 발광 다이오드 칩(300) 상부에 전극패드(300a)와 대응되도록 마스킹하여 전극패드(300a) 부분의 형광체(700) 코팅막을 식각하여 본딩 패드를 마련하는 기술이 제안된 바 있다. 그러나 상기와 같은 방법은 공정 자체가 복잡하여 수율이 현저하게 떨어져 현장 적용이 곤란한 문제점이 발생된다.
Alternatively, before the wire bonding of the light
따라서, 이러한 종래 발광 다이오드 패키지 제조 방법의 문제점을 해결하기 위한 요구가 높아지고 있는 실정이다.
Therefore, there is an increasing demand for solving the problems of the conventional LED package manufacturing method.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 발광 다이오드 칩에 균일한 형광체 코팅층을 형성하기 위한 발광다이오드 패키지 제조 방법을 제공함에 있다.
The present invention has been made to solve the above problems, an object of the present invention is to provide a light emitting diode package manufacturing method for forming a uniform phosphor coating layer on a light emitting diode chip.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일측면에 따르면, 상면에 전극 패드가 형성된 발광 다이오드 칩을 제 1 전극 및 제 2 전극이 설치된 리드프레임 상에 실장하는 단계, 발광 다이오드 칩에 형광체를 도포하여 형광체막을 형성하는 단계, 발광 다이오드 칩 상면에 형성된 전극 패드와 대응되는 부분의 형광체막을 레이저 식각으로 제거하여 전극패드를 노출하는 단계, 제 1 전극 및 제 2 전극과 전극 패드면 간을 와이어로 본딩하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지 제조 방법이 제공된다.According to an aspect of the present invention for achieving the above object, the step of mounting a light emitting diode chip having an electrode pad on the upper surface on a lead frame provided with a first electrode and a second electrode, applying a phosphor to the light emitting diode chip Forming a phosphor film, exposing the electrode pad by laser etching a portion of the phosphor film corresponding to the electrode pad formed on the upper surface of the light emitting diode chip, and bonding the wire between the first electrode, the second electrode, and the electrode pad surface. Provided is a method of manufacturing a light emitting diode package comprising the steps of:
여기서 상기 형광체는 발광 다이오드 칩의 상면과 측면 전체에 도포된다.Here, the phosphor is applied to the entire upper and side surfaces of the light emitting diode chip.
또한, 상기 형광체의 도포는 스프레이 분사 방식으로 이루어질 수 있다.In addition, the coating of the phosphor may be made by a spray injection method.
그리고 상기 발광 다이오드 칩 상면에 형성된 전극 패드와 대응되는 부분의 형광체막을 레이저 식각으로 제거하여 노출된 전극패드는 플라즈마 전처리된다.
The exposed electrode pads are laser pretreated by removing the phosphor film corresponding to the electrode pads formed on the upper surface of the light emitting diode chip by laser etching.
상기와 같은 본 발명에 따르면, 형광체가 코팅된 발광 다이오드 칩에 레이저 식각으로 전극패드를 노출하여 식각의 정밀도가 높아 추가적인 빛샘 방지를 위한 공정 없이 패키지를 통해 방출되는 광의 색이 균일하게 되어, 수율이 높은 효과가 있다.According to the present invention as described above, the electrode pad is exposed to the phosphor-coated light emitting diode chip by laser etching, so the etching precision is high, so that the color of light emitted through the package is uniform without a process for preventing additional light leakage, resulting in a high yield. It is highly effective.
또한, 발광 다이오드 칩에 형광체를 코팅한 후 와이어 본딩을 실시하여 발광 다이오드 칩에 균일한 형광체 코팅층이 형성되는 효과가 있다.
In addition, after the phosphor is coated on the LED chip, wire bonding may be performed to form a uniform phosphor coating layer on the LED chip.
도 1은 일반적인 제조방법에 따라 제조된 발광 다이오드 패키지의 단면도이다.
도 2a은 본 제안 기술에 따라 스크린 인쇄를 통해 발광 다이오드 칩에 형광체를 도포한 상태의 패키지 단면도이다.
도 2b는 형광체 코팅막 생성후 전극패드면에 빛샘 방지를 위한 반사성 수지를 도포한 상태의 부분 단면도이다.
도 3a ~ 도 3d는 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지의 제조 공정도이다.
도 4는 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지의 청색 누락 개선 효과를 나타낸 도면이다.1 is a cross-sectional view of a light emitting diode package manufactured according to a general manufacturing method.
2A is a cross-sectional view of a package in which a phosphor is coated on a light emitting diode chip through screen printing according to the proposed technology.
2B is a partial cross-sectional view of a state in which a reflective resin for preventing light leakage is applied to an electrode pad surface after generating a phosphor coating film.
3A to 3D are manufacturing process diagrams of the LED package according to the present invention.
4 is a view showing a blue missing improvement effect of the LED package according to the present invention.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 일 실시예를 상세하게 설명하기로 한다.Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 3a ~ 도 3d는 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지의 제조 공정도이다.3A to 3D are manufacturing process diagrams of the LED package according to the present invention.
본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지의 제조 방법은 상면에 전극패드가 형성된 발광 다이오드 칩(20)을 제 1 전극(30a) 및 제 2 전극(30b)이 설치된 리드프레임(10) 상에 실장하는 단계, 발광 다이오드 칩(20)에 형광체(40)를 도포하여 형광체(40)막을 형성하는 단계, 발광 다이오드 칩(20) 상면에 형성된 전극패드와 대응되는 부분의 형광체(40)막을 레이저 식각으로 제거하여 전극패드(20a)를 노출하는 단계, 제 1 전극(30a) 및 제 2 전극(30b)과 전극패드면 간을 와이어(50)로 본딩하는 단계를 포함하여 이루어진다.
Method of manufacturing a light emitting diode package according to the present invention comprises the steps of mounting a light
아래에서는 도면을 참조하여 더욱 자세히 설명하도록 한다.Hereinafter, with reference to the drawings will be described in more detail.
도 3a는 발광 다이오드 패키지를 마련하는 단계로, 먼저 제 1 전극(30a) 및 제 2 전극(30b)이 설치된 리드프레임(10) 상에 발광 다이오드 칩(20)을 실장한다.3A illustrates a step of preparing a light emitting diode package. First, a light
그리고 도 3b에서와 같이 발광 다이오드 칩(20)의 발광면에 수지가 포함된 형광체(40)를 도포하여 형광체(40) 코팅막을 형성한다. As shown in FIG. 3B, the
형광체(40)는 발광 다이오드 칩(20)의 상면과 측면 전체에 도포된다. 이때 형광체(40)는 스프레이 분사 방식으로 발광 다이오드 칩(20) 발광면에 도포될 수 있다. 스프레이 분사 방식은 소정의 분무기 즉, 스프레이를 사용하여 작은 입자 형태로 발광 다이오드 칩(20)의 발광면에 분사된다. 분무되는 입자에는 형광체(40), 수지 및 휘발성의 희석제가 포함되며, 분무된 입자의 희석제가 순간적으로 증발하여 형광체(40) 코팅막이 형성되어 공정 시간을 단축할 수 있으며, 또한 적은 양의 형광체(40)만으로도 발광 다이오드 칩(20)의 발광면에 균일하게 분포되어 형광체(40)의 사용량을 줄일 수 있다.The
여기에 사용되는 스프레이는 에어 젯 스프레이일 수 있으며, 분사각도를 조절하여 발광 다이오드 칩(20)의 측면과 모서리 부분에서도 충분히 입자가 도포되도록 하며 또한, 분사시간을 조절하여 일정한 두께의 형광체(40) 코팅막을 형성한다.The spray used herein may be an air jet spray, and the spray angle is adjusted to sufficiently apply particles to the side and edge portions of the light emitting
도 3c는 레이저 가공을 통해 형광체(40) 코팅막을 제거하여 전극패드(20a)가 노출된 상태의 도면이다. 레이저 가공을 통한 식각은 종래의 스크린 인쇄에 의한 형광체(40) 코팅방법보다 코팅면이 정밀하게 제거되어 전극패드(20a)와 형광체(40) 간의 간극이 발생되지 않아 전극패드(20a)면을 통한 빛샘 발생이 거의 없게 된다.3C is a diagram illustrating a state in which the
레이저 가공을 위한 시스템으로는 "LASERTEC"사의 "DML80fc" 시스템 및 "KLS246"의 레이저 타입이 사용될 수 있으며, 본 시스템은 4배의 빔 확대율, 100배의 대물렌즈 배율, 0.4 ~ 0.6 mm의 내경을 갖는 노즐, 0.3 ~ 0.5 mm의 노즐 유극 및 3.0 ~ 4.0 mm의 초점 길이를 갖는다.The system for laser processing can be used "LASERTEC" 's "DML80fc" system and "KLS246" laser type. This system has 4 times beam magnification, 100 times magnification of magnification and 0.4 ~ 0.6 mm inner diameter. Having a nozzle, a nozzle clearance of 0.3 to 0.5 mm and a focal length of 3.0 to 4.0 mm.
그리고 전극패드(20a)를 와이어(50) 본딩하기 전에, 전처리 과정으로 전극패드 금속 표면의 오염을 방지하여 양호한 전기적 접합을 행하기 위해 플라즈마로 전극패드를 전처리한다. And before bonding the
그리고 도 3d에서와 같이 전극패드와 제 1 전극(30a) 및 제 2 전극(30b) 간을 와이어(50)로 본딩하여 발광 다이오드 칩(20)에 일정한 전압을 인가한다.
As shown in FIG. 3D, a constant voltage is applied to the
아래에서는 본 발명에 따른 실시예와 종래 기술의 실시예 실험을 통한 효과를 비교분석하기로 한다.In the following, the effect according to the embodiment of the present invention and the experiment of the prior art will be compared and analyzed.
도 4는 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지의 청색 누락 개선 효과를 나타낸 도면이다.4 is a view showing a blue missing improvement effect of the LED package according to the present invention.
실시예 1은 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지, 비교예 1은 종래 기술로 스크린 인쇄를 통해 형광체 코팅층을 형성한 후, 와이어 본딩 후 본딩 부분을 광반사 수지로 코팅한 발광 다이오드 패키지, 비교예 2는 종래 기술로 스크린 인쇄를 통해 형광체 코팅층을 형성한 후, 와이어 본딩된 상태의 발광 다이오드 패키지의 발광면에서 방출되는 빛의 색도를 측정한 것이다.Example 1 is a light emitting diode package according to the present invention, Comparative Example 1 is a conventional light emitting diode package after forming a phosphor coating layer through screen printing, and then coated the bonding portion with a light reflecting resin after wire bonding, Comparative Example 2 After forming the phosphor coating layer through screen printing according to the prior art, the chromaticity of the light emitted from the light emitting surface of the LED package in the wire bonded state is measured.
그외 실시예 1, 비교예 1 및 비교예 2에서 형광체의 성분 및 도포 두께와 발광 다이오드 패키지의 구성은 동일한 상태에서 색도를 측정하였다. 발광 다이오드 칩으로는 한 변의 길이가 980미크론 m의 청색 발광 다이오드를 실장하였으며, 황색 형광체를 함유하는 형광체 코팅층을 200미크론 m의 두께로 형성하였다. 형광체 코팅층은 실리콘계 열경화성 수지에 대하여 27wt%의 YAG계 형광체와, 점도 조정을 위해 13wt%의 퓸드 실리카를 혼합한 형광체 분산액을 사용하였다.
In Example 1, Comparative Example 1, and Comparative Example 2, the chromaticity of the components and the coating thickness of the phosphor and the configuration of the LED package were measured in the same state. Light emitting diode As a chip, a blue light emitting diode having a length of 980 microns m was mounted, and a phosphor coating layer containing a yellow phosphor was formed to a thickness of 200 microns m. As the phosphor coating layer, a phosphor dispersion obtained by mixing 27 wt% of YAG-based phosphors with respect to silicon-based thermosetting resins and 13 wt% of fumed silica for viscosity adjustment was used.
실험 결과 실시예 1은 비교예 2와 같은 청색 누락부가 발생되지 않았으며 색도 그래프가 비교예 2와 유사한 형태로 나타났음을 알 수 있으며 이는 비교예 1과 같이 빛샘 감소를 위한 광반사 수지 코팅 공정이 없더라도 빛샘 감소의 측면에서 비교예 1과 거의 대등한 효과를 나타냄을 의미한다.
As a result, in Example 1, no blue missing parts were generated as in Comparative Example 2, and the chromaticity graph was similar to that of Comparative Example 2. In terms of light leakage reduction, it means that the effect is almost equivalent to that of Comparative Example 1.
상기와 같이 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지 제조방법은 스프레이 분사방식으로 형광체 코팅 후 와이어 본딩을 실시하여 발광 다이오드 칩의 발광면에 균일한 형광체 코팅막이 형성되며, 전극패드면 상부 형광체 코팅막을 레이저로 정밀하게 제거하여 전극패드로부터 빛샘 발생이 억제된다.
As described above, in the method of manufacturing the LED package according to the present invention, a uniform phosphor coating film is formed on the light emitting surface of the LED chip by coating the phosphor by spray spraying and then wire bonding. By removing it, light leakage from the electrode pad is suppressed.
비록 본 발명이 상기 언급된 바람직한 실시예와 관련하여 설명되어졌지만, 발명의 요지와 범위로부터 벗어남이 없이 다양한 수정이나 변형을 하는 것이 가능하다. 따라서 첨부된 특허등록청구의 범위는 본 발명의 요지에서 속하는 이러한 수정이나 변형을 포함할 것이다.
Although the present invention has been described in connection with the above-mentioned preferred embodiments, it is possible to make various modifications or variations without departing from the spirit and scope of the invention. Accordingly, the scope of the appended claims should include all such modifications and changes as fall within the scope of the present invention.
10 : 리드프레임 20 : 발광 다이오드 칩
20a : 전극패드 30a : 제 1 전극
30b : 제 2 전극 40 : 형광체
50 : 와이어 10: lead frame 20: light emitting diode chip
20a:
30b: second electrode 40: phosphor
50: wire
Claims (4)
발광 다이오드 칩에 형광체를 도포하여 형광체막을 형성하는 단계;
발광 다이오드 칩 상면에 형성된 전극 패드와 대응되는 부분의 형광체막을 레이저 식각으로 제거하여 전극패드를 노출하는 단계;
제 1 전극 및 제 2 전극과 전극 패드면 간을 와이어로 본딩하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지 제조 방법.
Mounting a light emitting diode chip having electrode pads formed on an upper surface thereof on a lead frame provided with a first electrode and a second electrode;
Forming a phosphor film by applying a phosphor to a light emitting diode chip;
Exposing the electrode pads by laser etching the phosphor film of the portion corresponding to the electrode pads formed on the upper surface of the LED chip;
A method of manufacturing a light emitting diode package, the method comprising: bonding a wire between a first electrode and a second electrode and an electrode pad surface.
상기 형광체는 발광 다이오드 칩의 상면과 측면 전체에 도포되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지 제조 방법.
The method of claim 1,
The phosphor is coated on the entire upper surface and side of the light emitting diode chip manufacturing method of the LED package.
상기 형광체의 도포는 스프레이 분사 방식으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지 제조 방법.
The method of claim 1,
The method of manufacturing a light emitting diode package, characterized in that the coating of the phosphor is made by a spray injection method.
상기 발광 다이오드 칩 상면에 형성된 전극 패드와 대응되는 부분의 형광체막을 레이저 식각으로 제거하여 노출된 전극패드는 플라즈마 전처리되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지 제조 방법.The method of claim 1,
A method of manufacturing a light emitting diode package according to claim 1, wherein the exposed electrode pads are plasma pretreated by removing the phosphor film corresponding to the electrode pads formed on the upper surface of the light emitting diode chip by laser etching.
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