KR20110105354A - 유기 발광 표시 장치 - Google Patents
유기 발광 표시 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20110105354A KR20110105354A KR1020110023871A KR20110023871A KR20110105354A KR 20110105354 A KR20110105354 A KR 20110105354A KR 1020110023871 A KR1020110023871 A KR 1020110023871A KR 20110023871 A KR20110023871 A KR 20110023871A KR 20110105354 A KR20110105354 A KR 20110105354A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light emitting
- organic light
- thin film
- film transistor
- insulator
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
- H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
- H10K59/179—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
- H10K59/179—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
- H10K59/1795—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
본 발명의 일 실시예는 기판 본체 상에 형성되는 배선을 저저항 구조로 형성하는 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 유기 발광 표시 장치는, 기판 본체, 상기 기판 본체 상에 형성되는 구동 회로부, 상기 구동 회로부 상에 형성되는 유기 발광 소자, 및 상기 유기 발광 소자를 덮고 상기 기판 본체에 부착되는 전면 기판을 포함하며, 상기 구동 회로부는 배선을 포함하고, 상기 배선은, 상기 기판 본체의 평면과 평행하게 형성되는 평면부와, 상기 평면부에서 상기 기판 본체의 두께 방향으로 연결되는 연결부를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 유기 발광 표시 장치는, 기판 본체, 상기 기판 본체 상에 형성되는 구동 회로부, 상기 구동 회로부 상에 형성되는 유기 발광 소자, 및 상기 유기 발광 소자를 덮고 상기 기판 본체에 부착되는 전면 기판을 포함하며, 상기 구동 회로부는 배선을 포함하고, 상기 배선은, 상기 기판 본체의 평면과 평행하게 형성되는 평면부와, 상기 평면부에서 상기 기판 본체의 두께 방향으로 연결되는 연결부를 포함한다.
Description
본 발명의 실시예는 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 본체 상에 형성되는 배선을 저저항 구조로 형성한 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode display)는 빛을 방출하는 유기 발광 소자를 가지고 화상을 표시하는 자발광형 표시 장치이다. 유기 발광층의 내부에서 전자와 정공이 결합하여 생성된 여기자(exciton)가 여기상태로부터 기저상태로 떨어질 때 발생하는 에너지에 의해 빛이 발생되며, 이를 이용하여 유기 발광 표시 장치는 화상을 표시한다.
유기 발광 표시 장치는 기본 구성으로 스위칭 박막 트랜지스터와 구동 박막 트랜지스터 및 축전 소자를 포함한다. 구동 박막 트랜지스터의 구동 소스 전극에 공통 드레인 전압(Vdd)이 인가되고, 구동 드레인 전극에 공통 소스 전압(Vss)이 인가되며, 스위칭 박막 트랜지스터를 통하여 구동 게이트 전극에 인가되는 데이터 전압(Vdata)의 크기에 의하여, 유기 발광 소자에 흐르는 전류가 제어한다.
유기 발광 표시 장치가 균일한 빛을 발광하기 위하여, 공통 드레인 전압(Vdd)이 일정한 전압으로 인가되어야 한다. 그러나 공통 드레인 전압(Vdd, 이하, "공통 전압"이라 한다)을 인가하는 공통 드레인 전원 라인(이하, "공통 전원 라인"이라 한다)이 길어지면서 배선 저항이 증가하고, 이로 인하여 전압 강하(IR drop)가 발생된다.
이와 같이 공통 전원 라인의 위치에 따라 공통 전압이 서로 다르게 되므로 동일한 데이터 전압이 인가되어도 구동 박막 트랜지스터에서 같은 양의 전류가 흐를 수 없게 된다. 전류량에 의하여 발광 정도가 결정되는 유기 발광 소자는 같은 휘도로 발광할 수 없게 된다.
따라서 유기 발광 표시 장치가 대형화될수록 전압 강하에 대한 고려가 더욱 요구된다. 그 해결책으로 하나로 저저항 배선을 들 수 있지만, 저저항 배선은 저저항 물질 개발 및 공정 개발을 필요로 한다.
본 발명의 실시예들은 배선을 저저항 구조로 형성하는 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 유기 발광 표시 장치는, 기판 본체, 상기 기판 본체 상에 형성되는 구동 회로부, 상기 구동 회로부 상에 형성되는 유기 발광 소자, 및 상기 유기 발광 소자를 덮고 상기 기판 본체에 부착되는 전면 기판을 포함하며, 상기 구동 회로부는 배선을 포함하고, 상기 배선은, 상기 기판 본체의 평면과 평행하게 형성되는 평면부와, 상기 평면부에서 상기 기판 본체의 두께 방향으로 연결되는 연결부를 포함한다.
상기 구동 회로부는, 서로 절연 교차하는 게이트 라인과 데이터 라인에 연결되는 스위칭 박막 트랜지스터, 상기 게이트 라인 및 상기 데이터 라인과 절연되는 공통 전원 라인과 상기 스위칭 박막 트랜지스터에 연결되는 축전 소자, 및 상기 스위칭 박막 트랜지스터와 상기 축전 소자, 상기 공통 전원 라인 및 상기 유기 발광 소자에 연결되는 구동 박막 트랜지스터를 포함할 수 있다.
상기 배선은 상기 공통 전원 라인일 수 있다.
상기 연결부는, 상기 축전 소자의 양 축전판들을 서로 절연하는 층간 절연층과, 상기 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극을 절연하는 게이트 인슐레이터층에 상기 두께 방향으로 형성된 홀의 내측면에 형성될 수 있다.
상기 홀은, 상기 층간 절연층 및 상기 게이트 인슐레이터층에 복수로 형성되고, 상기 연결부는 상기 홀의 내측면 각각에 형성되어 서로 연결될 수 있다.
상기 평면부는, 상기 층간 절연층 상에 형성되는 제1 평면부와, 상기 제1 평면부에 상기 연결부로 연결되어, 상기 홀 내에서 상기 기판 본체의 내표면에 형성되는 제2 평면부를 포함할 수 있다.
상기 연결부는, 상기 축전 소자의 양 축전판들을 서로 절연하는 층간 절연층에 형성되는 제1 홈의 내측면에 형성될 수 있다.
상기 층간 절연층의 제1 홈을 형성하는 제1 대응부는, 상기 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극을 절연하는 게이트 인슐레이터층에 형성되는 제2 홈의 내표면에 형성될 수 있다.
상기 게이트 인슐레이터층의 제2 홈을 형성하는 제2 대응부는, 상기 기판 본체의 내표면 상의 버퍼층에 형성된 제3 홈의 내측면과 상기 기판 본체의 내표면에 형성될 수 있다.
상기 제1 홈은 상기 층간 절연층에 복수로 형성되고, 상기 제2 홈은 상기 게이트 인슐레이터층에 복수로 형성되며, 상기 제3 홈은 상기 버퍼층에 복수로 형성되고, 상기 연결부는 상기 제1 홈의 내측면 각각에 형성되어 서로 연결될 수 있다.
상기 평면부는, 상기 층간 절연층 상에 형성되는 제1 평면부와, 상기 제1 평면부에 상기 연결부로 연결되어 상기 제1 홈의 내표면 상에 형성되는 제2 평면부를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 유기 발광 표시 장치는, 실질적으로 평탄한 제1 부분 및 상기 제1 부분과 다른 높이를 갖는 제2 부분을 갖는 하부 구조물; 상기 하부 구조물 위에 위치하고 적어도 하나의 배선을 포함하는 구동 회로부; 상기 구동 회로부 위에 위치하는 유기 발광부; 및 상기 유기 발광부 위에 위치하는 상부 구조물을 포함하고, 상기 적어도 하나의 배선은 상기 제1 부분 및 상기 제2 부분 위에 연속적으로 위치하여 단차를 가질 수 있다.
상기 구동 회로부는, 서로 절연 교차하는 게이트 라인과 데이터 라인에 연결되는 스위칭 박막 트랜지스터, 상기 게이트 라인 및 상기 데이터 라인과 절연되는 공통 전원 라인과 상기 스위칭 박막 트랜지스터에 연결되는 축전 소자, 및 상기 스위칭 박막 트랜지스터와 상기 축전 소자, 상기 공통 전원 라인 및 상기 유기 발광부에 연결되는 구동 박막 트랜지스터를 포함할 수 있다.
상기 배선은 상기 공통 전원 라인일 수 있다.
상기 제1 부분은 상기 제1 절연체와 대응하고, 상기 제2 부분은 상기 제2 절연체와 대응할 수 있다.
상기 하부 구조물은, 제1 절연체; 및 상기 제1 절연체 위에 위치하는 제2 절연체를 포함할 수 있다. 또한, 상기 하부 구조물은 단일 구조물일 수 있다.
상기 제1 절연체는 유리 기판을 포함할 수 있고, 단일 구조물일 수 있다.
상기 제2 절연체는 단일 구조물일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 공통 전원 라인을 평면부와 연결부로 형성하여 공통 전원 라인의 선폭을 증대시켜 공통 전압의 저항을 줄이므로 공통 전원 라인 상에서 공통 전압의 강하를 방지하는 효과가 있다. 따라서 공통 전압에 저전압을 적용할 수 있고, 이로 인하여 소비전력이 감소될 수 있다. 또한 유기 발광 소자의 휘도 편차가 감소될 수 있다.
동일 저항을 가지는 공통 전압을 형성하고자 할 때, 연결부에 의하여, 공통 전원 라인의 폭을 줄일 수 있으므로 개구율 증가 및 설계 공간을 확보하는 효과가 있다.
도1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소 회로를 나타낸 배치도이다.
도2는 도1의 Ⅳ-Ⅳ선에 따른 단면을 나타낸 단면도이다.
도3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도2는 도1의 Ⅳ-Ⅳ선에 따른 단면을 나타낸 단면도이다.
도3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 또한, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다. 그리고 여러 실시예들에 있어서, 제1 실시예 이외의 실시예들에서는 제1 실시예와 다른 구성을 중심으로 설명한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
도1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소 회로를 나타낸 배치도이고, 도2는 도1의 Ⅳ-Ⅳ선에 따른 단면을 나타낸 단면도이다. 도1 및 도2를 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(101)는 기판 본체(111), 구동 회로부(DC), 유기 발광 소자(70) 및 전면기판(200)을 포함한다.기판 본체(111)는 유리, 석영 및 세라믹 등으로 만들어진 절연성 기판으로 형성되거나, 플라스틱 등으로 만들어진 플렉서블(flexible) 기판으로 형성될 수 있다. 또한, 기판 본체(111)는 스테인리스강 등으로 만들어진 금속성 기판으로 형성될 수도 있다.구동 회로부(DC) 및 유기 발광 소자(70)는 기판 본체(111) 상에 형성된다. 구동 회로부(DC)는 박막 트랜지스터(10, 20)를 포함하며, 유기 발광 소자(70)를 구동한다. 유기 발광 소자(70)는 구동 회로부(DC)로부터 전달받은 구동 신호에 따라 빛을 방출한다.
전면기판(200)은 유기 발광 소자(70) 위에서 기판 본체(111)에 접합되어, 구동 회로부(DC) 및 유기 발광 소자(70)를 외부로부터 보호한다.
유기 발광 표시 장치(101)의 내부 구조에 대해 상세히 설명한다. 도1 및 도2에, 하나의 화소에 두 개의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)(10, 20)와 하나의 축전 소자(capacitor)(80)를 구비하는 2Tr-1Cap 구조의 능동 구동(active matrix, AM)형 유기 발광 표시 장치(101)가 도시되어 있다.
그러나 본 발명의 제1 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 유기 발광 표시 장치(101)는 하나의 화소에 셋 이상의 박막 트랜지스터와 둘 이상의 축전 소자를 구비할 수 있으며, 별도의 배선이 더 형성되어 다양한 구조를 갖도록 형성할 수도 있다. 여기서, 화소는 화상을 표시하는 최소 단위를 말하며, 각 화소 영역들 마다 배치된다. 유기 발광 표시 장치(101)는 복수의 화소들을 통해 화상을 표시한다.
도1 및 도2에 도시한 바와 같이, 기판 본체(111) 상에는 하나의 화소마다 각각 스위칭 박막 트랜지스터(10), 구동 박막 트랜지스터(20), 축전 소자(80), 그리고 유기 발광 소자(organic light emitting diode, OLED)(70) 등이 형성된다.
여기서, 스위칭 박막 트랜지스터(10), 구동 박막 트랜지스터(20) 및 축전 소자(80)를 포함하는 구성을 구동 회로부(DC)라 한다. 그리고 기판 본체(111)와 구동 회로부(DC) 및 유기 발광 소자(70) 사이에는 버퍼층(120)이 더 형성될 수 있다(도3 참조). 버퍼층(120)은 질화 규소(SiNx)의 단일막 또는 질화 규소(SiNx)와 산화 규소(SiO2)가 적층된 이중막 구조로 형성될 수 있다. 버퍼층(120)은 불순 원소 또는 수분과 같이 불필요한 성분의 침투를 방지하면서 동시에 표면을 평탄화하는 역할을 한다. 하지만, 버퍼층(120)은 반드시 필요한 구성은 아니며, 기판 본체(111)의 종류 및 공정 조건에 따라 생략될 수도 있다(도2 참조).
또한, 기판 본체(111) 상에는 적어도 하나의 배선이 형성된다. 즉, 기판 본체(111) 상에는 일 방향을 따라 배치되는 게이트 라인(151)과, 게이트 라인(151)과 절연 교차되는 데이터 라인(171) 및 공통 전원 라인(172)이 더 형성된다(도1 참조). 공통 전원 라인은 데이터 라인과 교차되는 구조로 형성될 수 있다(미도시). 하나의 화소는 게이트 라인(151), 데이터 라인(171) 및 공통 전원 라인(172)을 경계로 정의될 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
유기 발광 소자(70)는 제1 전극(710)과, 제1 전극(710) 상에 형성된 유기 발광층(720)과 및 유기 발광층(720) 상에 형성된 제2 전극(730)을 포함한다. 제1 전극(710) 및 제2 전극(730)으로부터 각각 정공과 전자가 유기 발광층(720) 내부로 주입된다. 주입된 정공과 전자가 결합한 엑시톤(exiton)이 여기상태에서 기저상태로 떨어질 때 발광이 이루어진다.
축전 소자(80)는 층간 절연막(160)을 사이에 두고 배치된 한 쌍의 축전판들(158, 178)을 포함한다. 여기서, 층간 절연막(160)은 유전체로 형성된다. 축전 소자(80)에서 축전된 전하와 양 축전판들(158, 178) 사이의 전압에 의해 축전용량이 결정된다.
스위칭 박막 트랜지스터(10)는 스위칭 반도체층(131), 스위칭 게이트 전극(152), 스위칭 소스 전극(173) 및 스위칭 드레인 전극(174)을 포함한다. 구동 박막 트랜지스터(20)는 구동 반도체층(132), 구동 게이트 전극(155), 구동 소스 전극(176) 및 구동 드레인 전극(177)을 포함한다.
스위칭 박막 트랜지스터(10)는 발광시키고자 하는 화소를 선택하는 스위칭 소자로 사용된다. 스위칭 게이트 전극(152)은 게이트 라인(151)에 연결된다. 스위칭 소스 전극(173)은 데이터 라인(171)에 연결된다. 스위칭 드레인 전극(174)은 스위칭 소스 전극(173)으로부터 이격 배치되며 어느 한 축전판(158)에 연결된다.
구동 박막 트랜지스터(20)는 선택된 화소 내의 유기 발광 소자(70)의 유기 발광층(720)을 발광시키기 위한 구동 전원을 제1 전극(710)에 인가한다. 구동 게이트 전극(155)은 스위칭 드레인 전극(174)과 연결된 축전판(158)에 연결된다. 구동 소스 전극(176) 및 다른 한 축전판(178)은 각각 공통 전원 라인(172)에 연결된다. 구동 드레인 전극(177)은 컨택홀(contact hole)을 통해 유기 발광 소자(70)의 제1 전극(710)과 연결된다.
이와 같은 구조에 의하여, 스위칭 박막 트랜지스터(10)는 게이트 라인(151)에 인가되는 게이트 전압에 의해 작동하여 데이터 라인(171)에 인가되는 데이터 전압을 구동 박막 트랜지스터(20)로 전달하는 역할을 한다. 공통 전원 라인(172)으로부터 구동 박막 트랜지스터(20)에 인가되는 공통 전압과 스위칭 박막 트랜지스터(10)로부터 전달된 데이터 전압의 차에 해당하는 전압이 축전 소자(80)에 저장되고, 축전 소자(80)에 저장된 전압에 대응하는 전류가 구동 박막 트랜지스터(20)를 통해 유기 발광 소자(70)로 흘러 유기 발광 소자(70)가 발광하게 된다.
또한, 박막 트랜지스터들(10, 20) 및 유기 발광 소자(70)의 구조는 도1 및 도2에서 나타난 바에 한정되는 것은 아니다. 즉, 박막 트랜지스터들(10, 20) 및 유기 발광 소자(70)의 구조는 해당 기술 분야의 종사자가 용이하게 실시할 수 있는 범위 내에서 다양하게 변경될 수 있다.
공통 전원 라인(172)은 구동 박막 트랜지스터(20)의 구동 소스 전극(176)에 연결되어, 구동 박막 트랜지스터(20)를 통하여 유기 발광 소자(70)의 제1 전극(710)에 공통 전압을 인가한다. 제1 실시예에서, 공통 전원 라인(172)은 공통 전압의 저항을 줄여서 유기 발광 소자들(70)에 균일한 전류를 공급하도록 구성된다.
예를 들면, 공통 전원 라인(172)은 기판 본체(111)의 평면과 평행하게 형성되는 평면부(721)와, 평면부(721)에서 기판 본체(111)의 두께 방향(도2의 상하 방향)으로 연결되는 연결부(722)를 포함한다. 또한 평면부(721)와 연결부(722)는 공통 전원 라인(172)의 길이 방향을 따라 이어지는 패턴을 형성한다. 즉 연결부(722)는 평면부(721)의 폭이 동일할 때, 공통 전원 라인(172)의 전체 선폭을 증대시킨다.
층간 절연층(160)과 게이트 인슐레이터층(130)에 두께 방향을 따라 홀(H)이 일체로 형성된다. 홀(H)은 층간 절연층(160)가 게이트 인슐레이터층(130)에 공통 전원 라인(172)의 길이 방향을 따라 이어지는 패턴을 형성한다. 홀(H) 패턴은 구동 반도체층(132)을 구동 소스 전극(176) 및 구동 드레인 전극(177)에 연결하기 위하여, 층간 절연층(160)에 컨텍홀을 형성하는 공정으로 형성될 수 있으므로 추가 공정을 필요로 하지 않는다. 게이트 인슐레이터층(130)은 구동 반도체층(132)과 기판 본체(111)의 내표면에 형성되어, 구동 반도체층(132)과 게이트 전극(155)을 서로 절연한다.
평면부(721)는 층간 절연층(160) 상에 형성되는 제1 평면부(723)와, 홀(H) 내에서 기판 본체(111)의 내표면에 형성되는 제2 평면부(724)를 포함한다. 연결부(722)는 홀(H)의 내측면에 형성되어, 제1, 제2 평면부(723, 724)를 서로 연결함으로써, 공통 전원 라인(172)의 전체 선폭을 형성한다.
즉 공통 전원 라인(172)은 제1, 제2 평면부(723, 724)의 선폭에 연결부(722)의 선폭을 더 형성하게 된다. 또한 홀(H)은 층간 절연층(160)과 게이트 인슐레이터층(12)에 복수로 형성되고, 연결부(722)는 홀들(H)의 내측면 각각에 형성되어, 제1, 제2 평면부(723, 724)를 통하여 서로 연결된다. 공통 전원 라인(172)을 형성하도록 기설정된 범위 내에서, 홀들(H)의 개수가 증가할수록 연결부(722)의 개수가 증가하여, 공통 전원 라인(172)의 선폭이 증대되어 공통 전압의 저항이 감소될 수 있다.
제1 실시예에서는 배선으로서 공통 전원 라인을 예로 들어 설명하였으나, 기판 본체 상에 배치되는 배선 중 공통 전원 라인이 아닌 것도 필요에 따라 공통 전원 라인처럼 형성하여 저항을 감소시킬 수 있다.
이하에서 제2 실시예를 제1 실시예와 비교하여 설명한다. 서로 동일한 구성에 대한 설명을 생략하고 서로 다른 구성에 대하여 설명한다.
도3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다. 제2 실시예의 유기 발광 표시 장치(102)는 기판 본체(111)와 게이트 인슐레이터층(130) 사이에 버퍼층(120)을 더 구비하고 있다. 이 경우, 기판 본체(111)에 버퍼층(120)을 형성하고, 공통 전원 라인(272)의 연결부(722)와 제2 평면부(724)가 형성될 부분을 패터닝 함으로써 가능하다.
연결부(722)는 층간 절연층(160)에 형성되는 제1 홈(G1)의 내측면에 형성된다. 층간 절연층(160)은 제1 홈(G1)을 형성하는 제1 대응부(R1)를 구비하며, 제1 대응부(R1)는 게이트 인슐레이터층(130)에 형성되는 제2 홈(G2)의 내표면에 형성된다. 게이트 인슐레이터층(130)은 제2 홈(G2)을 형성하는 제2 대응부(R2)를 구비하며, 제2 대응부(R2)는 기판 본체(111)의 내표면 상의 버퍼층(120)에 형성된 제3 홈(G3)의 내측면과 기판 본체(111)의 내표면에 형성된다.
또한, 제1 홈(G1)은 층간 절연층(160)에 복수로 형성되고, 제2 홈(G2)은 게이트 인슐레이터층(130)에 복수로 형성되며, 제3 홈(G3)은 버퍼층(120)에 복수로 형성된다. 그리고 연결부(722)는 제1 홈(G1)의 내측면 각각에 형성되어 평면부(721)에 연결된다. 평면부(721)는 제1, 제2 평면부(723, 724)를 포함한다.
제1 평면부(723)은 층간 절연층(160) 상에 형성되고, 제2 평면부(724)는 제1 홈(G1)의 내표면 상에 형성된다. 제1, 제2 평면부(723, 724)는 연결부(722)에 의하서 서로 연결된다. 즉 연결부(722)는 공통 전원 라인(272)을 형성하도록 기설정된 범위 내에서, 공통 전원 라인(722)의 전체 선폭을 증대시켜, 공통 전압의 저항을 감소시킨다. 제1, 제2 평면부(723, 724)의 폭은 공통 전원 라인(272)을 형성하도록 기설정된 범위와 동일하다.
한편, 기판 본체는 여러 층으로 이루어진 절연체일 수도 있고 단일층으로 이루어진 절연체일 수도 있다. 기판 본체가 단일층으로 이루어진 절연체이고 기판 본체와 구동 회로부 사이에 다른 절연체가 배치될 수도 있다.
구동 회로부 아래에 절연체가 두 개 배치되는 경우 이를 제1 절연체 및 제2 절연체로 지칭할 수 있다. 이 경우 제1 절연체 위에 제2 절연체가 배치되고 제2 절연체 위에 구동 회로부가 배치될 수 있다.
구동 회로부 아래에 배치되는 구성 요소를 하부 구조물이라고 통칭하고 유기 발광 소자 위에 배치되는 구성 요소를 상부 구조물이라고 통칭할 수도 있다. 이 경우 하부 구조물은 제1 부분과 제2 부분을 포함하는데, 제1 부분은 실질적으로 평탄하고 제2 부분은 제1 부분과 높이가 다르다. 적어도 하나의 배선이 제1 부분 및 제2 부분 위에 연속적으로 위치하여 단차를 갖는다.
구동 회로부 아래에 제1 절연체와 제2 절연체가 배치되는 경우 하부 구조물의 제1 부분은 제1 절연체에 대응하고 제2 부분은 제2 절연체에 대응한다.
상기에서, 제1 절연체는 유리 기판으로 이루어질 수 있다.
다른 한편, 기판 본체, 층간 절연층, 게이트 절연층, 버퍼층은 각각 단일 구조물일 수 있고 이 경우 하프톤 마스크로 패터닝할 수 있다.
본 발명을 앞서 기재한 바에 따라 바람직한 실시예를 통해 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며 다음에 기재하는 특허청구범위의 개념과 범위를 벗어나지 않는 한, 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것을 본 발명이 속하는 기술 분야에 종사하는 자들은 쉽게 이해할 것이다.
10 : 스위칭 박막 트랜지스터 20 : 구동 박막 트랜지스터
70 : 유기 발광 소자 80 : 축전 소자
111 : 기판 본체 120 : 버퍼층
131 : 스위칭 반도체층 132 : 구동 반도체층
151 : 게이트 라인 152 : 스위칭 게이트 전극
155 : 구동 게이트 전극 158, 178 : 축전판
160 : 층간 절연막 171 : 데이터 라인
172, 272 : 공통 전원 라인 173 : 스위칭 소스 전극
174 : 스위칭 드레인 전극 176 : 구동 소스 전극
177 : 구동 드레인 전극 710 : 제1 전극
720 : 유기 발광층 721 : 평면부
722 : 연결부 723, 724 : 제1, 제2 평면부
730 : 제2 전극 DC : 구동 회로부
G1, G2, G3 : 제1, 제2, 제3 홈 H : 홀
R1, R2, R3 : 제1, 제2, 제3 대응부
70 : 유기 발광 소자 80 : 축전 소자
111 : 기판 본체 120 : 버퍼층
131 : 스위칭 반도체층 132 : 구동 반도체층
151 : 게이트 라인 152 : 스위칭 게이트 전극
155 : 구동 게이트 전극 158, 178 : 축전판
160 : 층간 절연막 171 : 데이터 라인
172, 272 : 공통 전원 라인 173 : 스위칭 소스 전극
174 : 스위칭 드레인 전극 176 : 구동 소스 전극
177 : 구동 드레인 전극 710 : 제1 전극
720 : 유기 발광층 721 : 평면부
722 : 연결부 723, 724 : 제1, 제2 평면부
730 : 제2 전극 DC : 구동 회로부
G1, G2, G3 : 제1, 제2, 제3 홈 H : 홀
R1, R2, R3 : 제1, 제2, 제3 대응부
Claims (20)
- 기판 본체;
상기 기판 본체 상에 형성되는 구동 회로부;
상기 구동 회로부 상에 형성되는 유기 발광 소자; 및
상기 유기 발광 소자를 덮고 상기 기판 본체에 부착되는 전면 기판을 포함하며,
상기 구동 회로부는 배선을 포함하고,
상기 배선은,
상기 기판 본체의 평면과 평행하게 형성되는 평면부와,
상기 평면부에서 상기 기판 본체의 두께 방향으로 연결되는 연결부를 포함하는 유기 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 구동 회로부는,
서로 절연 교차하는 게이트 라인과 데이터 라인에 연결되는 스위칭 박막 트랜지스터,
상기 게이트 라인 및 상기 데이터 라인과 절연되는 공통 전원 라인과 상기 스위칭 박막 트랜지스터에 연결되는 축전 소자, 및
상기 스위칭 박막 트랜지스터와 상기 축전 소자, 상기 공통 전원 라인 및 상기 유기 발광 소자에 연결되는 구동 박막 트랜지스터
를 포함하는 유기 발광 표시 장치. - 제2항에 있어서,
상기 배선은 상기 공통 전원 라인인 유기 발광 표시 장치. - 제2 항 또는 제3항에 있어서,
상기 연결부는,
상기 축전 소자의 양 축전판들을 서로 절연하는 층간 절연층과, 상기 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극을 절연하는 게이트 인슐레이터층에 상기 두께 방향으로 형성된 홀의 내측면에 형성되는 유기 발광 표시 장치. - 제4 항에 있어서,
상기 홀은,
상기 층간 절연층 및 상기 게이트 인슐레이터층에 복수로 형성되고,
상기 연결부는 상기 홀의 내측면 각각에 형성되어 서로 연결되는 유기 발광 표시 장치. - 제4 항에 있어서,
상기 평면부는,
상기 층간 절연층 상에 형성되는 제1 평면부와,
상기 제1 평면부에 상기 연결부로 연결되어, 상기 홀 내에서 상기 기판 본체의 내표면에 형성되는 제2 평면부를 포함하는 유기 발광 표시 장치. - 제2 항 또는 제3항에 있어서,
상기 연결부는,
상기 축전 소자의 양 축전판들을 서로 절연하는 층간 절연층에 형성되는 제1 홈의 내측면에 형성되는 유기 발광 표시 장치. - 제7 항에 있어서,
상기 층간 절연층의 제1 홈을 형성하는 제1 대응부는,
상기 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극을 절연하는 게이트 인슐레이터층에 형성되는 제2 홈의 내표면에 형성되는 유기 발광 표시 장치. - 제8 항에 있어서,
상기 게이트 인슐레이터층의 제2 홈을 형성하는 제2 대응부는,
상기 기판 본체의 내표면 상의 버퍼층에 형성된 제3 홈의 내측면과 상기 기판 본체의 내표면에 형성되는 유기 발광 표시 장치. - 제9 항에 있어서,
상기 제1 홈은 상기 층간 절연층에 복수로 형성되고,
상기 제2 홈은 상기 게이트 인슐레이터층에 복수로 형성되며,
상기 제3 홈은 상기 버퍼층에 복수로 형성되고,
상기 연결부는 상기 제1 홈의 내측면 각각에 형성되어 서로 연결되는 유기 발광 표시 장치. - 제7 항에 있어서,
상기 평면부는,
상기 층간 절연층 상에 형성되는 제1 평면부와,
상기 제1 평면부에 상기 연결부로 연결되어 상기 제1 홈의 내표면 상에 형성되는 제2 평면부를 포함하는 유기 발광 표시 장치. - 실질적으로 평탄한 제1 부분 및 상기 제1 부분과 다른 높이를 갖는 제2 부분을 갖는 하부 구조물;
상기 하부 구조물 위에 위치하고 적어도 하나의 배선을 포함하는 구동 회로부;
상기 구동 회로부 위에 위치하는 유기 발광부; 및
상기 유기 발광부 위에 위치하는 상부 구조물을 포함하고,
상기 적어도 하나의 배선은 상기 제1 부분 및 상기 제2 부분 위에 연속적으로 위치하여 단차를 갖는 유기 발광 표시 장치. - 제 12 항에 있어서,
상기 구동 회로부는,
서로 절연 교차하는 게이트 라인과 데이터 라인에 연결되는 스위칭 박막 트랜지스터,
상기 게이트 라인 및 상기 데이터 라인과 절연되는 공통 전원 라인과 상기 스위칭 박막 트랜지스터에 연결되는 축전 소자, 및
상기 스위칭 박막 트랜지스터와 상기 축전 소자, 상기 공통 전원 라인 및 상기 유기 발광부에 연결되는 구동 박막 트랜지스터를 포함하는 유기 발광 표시 장치. - 제13항에 있어서,
상기 배선은 상기 공통 전원 라인인 유기 발광 표시 장치. - 제 12 항 내지 제14항에 있어서,
상기 하부 구조물은,
제1 절연체; 및
상기 제1 절연체 위에 위치하는 제2 절연체를 포함하는 유기 발광 표시 장치. - 제 15 항에 있어서,
상기 제1 절연체는 유리 기판을 포함하는 유기발광표시장치. - 제 15 항에 있어서,
상기 제1 절연체는 단일 구조물인 유기발광표시장치. - 제 15 항에 있어서,
상기 제2 절연체는 단일 구조물인 유기발광표시장치. - 제 15 항에 있어서,
상기 제1 부분은 상기 제1 절연체와 대응하고,
상기 제2 부분은 상기 제2 절연체와 대응하는 유기발광표시장치. - 제 12 항 내지 제14항에 있어서,
상기 하부 구조물은 단일 구조물인 유기발광표시장치.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/051,753 US9013461B2 (en) | 2010-03-18 | 2011-03-18 | Organic light emitting diode display |
US14/687,983 US9595574B2 (en) | 2010-03-18 | 2015-04-16 | Organic light emitting diode display |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100024422 | 2010-03-18 | ||
KR20100024422 | 2010-03-18 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20110105354A true KR20110105354A (ko) | 2011-09-26 |
Family
ID=44955744
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020110023871A KR20110105354A (ko) | 2010-03-18 | 2011-03-17 | 유기 발광 표시 장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20110105354A (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140140967A (ko) * | 2013-05-30 | 2014-12-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
-
2011
- 2011-03-17 KR KR1020110023871A patent/KR20110105354A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140140967A (ko) * | 2013-05-30 | 2014-12-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20220181360A1 (en) | Thin-film transistor array substrate with connection node and display device including the same | |
CN110364549B (zh) | 显示设备 | |
KR102649144B1 (ko) | 디스플레이 장치 | |
KR101084240B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
KR101924996B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
KR101975000B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
US8004178B2 (en) | Organic light emitting diode display with a power line in a non-pixel region | |
KR101391244B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
KR102300026B1 (ko) | 표시 장치 | |
US8823010B2 (en) | Thin-film transistor array substrate and display device including the same | |
US9595574B2 (en) | Organic light emitting diode display | |
KR102560393B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
KR102607270B1 (ko) | 표시 장치 | |
KR20120044657A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
KR102688600B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
KR101949675B1 (ko) | 유기발광 표시장치 및 이의 제조방법 | |
US20120169699A1 (en) | Organic luminescent display device and method of manufacturing the same | |
KR102269099B1 (ko) | 평판 표시장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 | |
KR20110105354A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
US20140111725A1 (en) | Display device | |
JP2009059640A (ja) | 有機el表示装置 | |
KR20060053462A (ko) | 유기전계 발광표시장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
N231 | Notification of change of applicant | ||
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E601 | Decision to refuse application |