KR20110105980A - 고경도 및 내산화성을 갖는 다층막 절삭공구 - Google Patents
고경도 및 내산화성을 갖는 다층막 절삭공구 Download PDFInfo
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Abstract
Description
도 2는 본 발명의 다른 일례에 의한 절삭공구의 단면을 모식적으로 표현한 것이다.
모재 | 하지층 (CVD) (0.5~1㎛) |
제1코팅층 (MTCVD) (8~10㎛) |
제 2 코팅층 (PVD) | |||
1단계 (1~3㎛) |
2단계 (2~4㎛) |
3단계 (0.5~3㎛) |
||||
실시예 1 | 94WC -0.5WTiC -5.5Co |
TiN | Ti(B,C,N) | TiAlN | AlTiSiN/TiAlN /AlTiN | AlTi(Si,Y)N |
실시예 2 | Ti(C,O,N) | |||||
실시예 3 | Ti(B,C,O,N) | |||||
비교예 1 | Ti(C,N) | TiAlN 단층 | ||||
비교예 2 | Ti(C,N) | AlTiN 단층 | ||||
비교예 3 | Ti(B,C,N) | AlTiN 단층 | ||||
비교예 4 | Ti(C,N) | TiAlN | AlTiSiN/TiAlN | AlTi(Si,Y)N | ||
비교예 5 | Ti(B,C,N) | TiAlN | AlTiSiN/TiAlN /AlTiN |
|||
비교예 6 | Ti(C,N) | CVD방법 Al2O3/TiN |
CVD층 박막조성 분석 (EDX+GDOES, wt%) |
PVD(CVD)층 박막조성 분석 (EDX+GDOES, at.%) |
||||||||||
Ti | B | C | N | O | Al | Ti | Si | Y | N | O | |
실시예 1 | 54.5 | 1.2 | 20.9 | 23.4 | 31.5 | 17.2 | 1.8 | 0.2 | 49.3 | ||
실시예 2 | 50.2 | 16.2 | 23.1 | 10.5 | 30.4 | 18.1 | 1.5 | 0.1 | 49.1 | ||
실시예 3 | 50.5 | 1.4 | 16.9 | 21.9 | 9.3 | 31.2 | 18.2 | 1.7 | 0.3 | 48.6 | |
비교예 1 | 53.6 | 22.9 | 23.5 | 24.4 | 23.5 | - | - | 52.1 | |||
비교예 2 | 52.7 | 21.4 | 25.9 | 29.4 | 19.5 | - | - | 51.1 | |||
비교예 3 | 54.2 | 1.3 | 20.8 | 23.7 | 28.2 | 20.4 | - | - | 51.4 | ||
비교예 4 | 52.4 | 23.2 | 25.4 | 30.3 | 18.2 | 1.6 | 0.2 | 48.9 | |||
비교예 5 | 54.1 | 1.2 | 21.6 | 23.1 | 30.4 | 19 | 1.7 | 48.9 | |||
비교예 6 | 53.1 | 22.6 | 24.3 | 52.1 | 1.3 | 0.8 | 45.8 |
박막두께(㎛) | 우선결정방위(XRD) | 상온 박막경도(GPa) |
열화경도(GPa) 900℃, 30min |
|||||
CVD층 | PVD층 | CVD층 CVD+MTCVD |
PVD층 (CVD층) |
CVD층 CVD+MTCVD |
PVD층 (CVD층) |
CVD층 CVD+MTCVD |
PVD층 (CVD층) |
|
실시예 1 | 10.2 | 3.5 | (311) | (200) | 28 | 39 | 27 | 39 |
실시예 2 | 10.3 | 3.2 | (220) | (200) | 26 | 41 | 26 | 38 |
실시예 3 | 10.6 | 3.1 | (311) | (200) | 27 | 40 | 26 | 39 |
비교예 1 | 10.1 | 3.3 | (220) | (200) | 23 | 30 | 23 | 24 |
비교예 2 | 10.8 | 3.4 | (220) | (200) | 22 | 36 | 21 | 29 |
비교예 3 | 10.5 | 3.1 | (311) | (200) | 28 | 36 | 26 | 28 |
비교예 4 | 10.4 | 3.2 | (220) | (200) | 22 | 40 | 22 | 38 |
비교예 5 | 10.3 | 3.4 | (311) | (200) | 28 | 38 | 27 | 37 |
비교예 6 | 10.7 | 3.5 | (220) | (220) | 22 | 30 | 21 | 30 |
공구수명 | |||
내마모성 (시험예 3) |
내산화성+고온경도 (시험예 4) |
내결손성 (시험예 5) |
|
실시예 1 | 33분 | 18분 | 152초 |
실시예 2 | 31분 | 19분 | 148초 |
실시예 3 | 30분 | 19분 | 155초 |
비교예 1 | 17분 | 7분 | |
비교예 2 | 18분 | 8분 | |
비교예 3 | 20분 | 12분 | |
비교예 4 | 25분 | 15분 | |
비교예 5 | 23분 | 14분 | |
비교예 6 | 29분 | 6분 | 37초 |
100: 제 1 코팅층 200: 제 2 코팅층
210: 제 1 단계층 220: 제 2 단계층
221: 단위층 A 222: 단위층 B
223: 단위층 C 230: 제 3 단계층
300: 모재 400: 하지층
Claims (12)
- 절삭공구용 모재(300);
화학적 기상 증착법(chemical vapor deposition; CVD)에 의하여 상기 모재에 형성된 제 1 코팅층(100); 및
물리적 기상 증착법(physical vapor deposition; PVD)에 의하여 상기 제 1 코팅층에 형성된 제 2 코팅층(200);을 포함하며,
여기서, 상기 제2 코팅층(200)은, 제 1 단계층(210), 제 2 단계층(220) 및 제 3 단계층(230);을 포함하고,
상기 제 1 단계층(210)은 TikAl1 - kN의 조성을 가지며, 여기서 0.3 ≤ k ≤ 0.7 이며,
상기 제 2 단계층(220)은
AlaTibSi1 -a- bN의 조성을 가지며, 0.3≤a≤0.7, 0.3≤b≤0.7 및 0<1-a-b≤0.1 인 단위층 A(221);
TimAl1 -mN의 조성을 가지며, 0.3≤m≤0.7인 단위층 B(222); 및
AlxTi1 - xN의 조성을 가지며, 0.3≤x≤0.7인 단위층 C(223);를 포함하되,
상기 단위층 A(221), 단위층 B(222) 및 단위층 C(223)는 각각 적어도 1회 이상 교대로 적층되어 있으며,
상기 제 3 단계층(230)은,
알루미늄(Al), 티타늄(Ti) 및 질소(N)를 포함하며; 또한
실리콘(Si) 및 이트륨(Y) 중 적어도 하나를 더 포함하고,
그 조성은 AldTie(Si, Y)1-d- eN이고, 0.3≤d≤0.7, 0.3≤e≤0.7, 0<1-d-e≤0.1
인 것을 특징으로 하는 절삭공구. - 제 1항에 있어서, 상기 절삭공구용 모재는 초경합금, 써멧 및 세라믹으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나에 의하여 형성된 것임을 특징으로 하는 절삭공구.
- 제 1항에 있어서, 상기 제 1 코팅층을 형성하는 화학적 기상 증착법은 중온 화학적 기상 증착법(moderate temperature chemical vapor deposition; MTCVD)인 것을 특징으로 하는 절삭공구.
- 제 1항에 있어서, 상기 제 1 코팅층의 두께는 3 내지 10㎛인 것을 특징으로 하는 절삭공구.
- 제 1항에 있어서, 상기 제 1 코팅층은,
티타늄(Ti), 탄소(C) 및 질소(N)를 포함하며, 또한
붕소(B) 및 산소(O) 중 적어도 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 절삭공구. - 제 5항에 있어서, 상기 티타늄(Ti)의 함량은 40 내지 90 중량%인 것을 특징으로 하는 절삭공구.
- 제 5항에 있어서, 상기 붕소(B)의 함량은 0 내지 2 중량% 인 것을 특징으로 하는 절삭공구.
- 제 1항에 있어서, 상기 제 1 단계층, 제 2 단계층 및 제 3 단계층의 두께는 서로 같거나 다를 수 있으며, 각각의 두께범위는 0.1 내지 5㎛인 것을 특징으로 하는 절삭공구.
- 제 1항에 있어서, 상기 모재(300)와 상기 제 1 코팅층(100) 사이에 형성된 하지층(400)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 절삭공구.
- 절삭공구용 모재(300)를 준비하는 단계;
상기 모재에 화학적 기상 증착법(chemical vapor deposition; CVD) 방법에 의하여 제 1 코팅층(100)을 형성하는 단계; 및
상기 제 1 코팅층 위에, 물리적 기상 증착법(physical vapor deposition; PVD) 방법에 의하여 제 2 코팅층(200)을 형성하는 단계;를 포함하며,
여기서, 상기 제 2 코팅층(200)을 형성하는 단계는, 제 1 단계층(210)을 형성하는 단계; 제 2 단계층(220)을 형성하는 단계; 및 제 3 단계층(230)을 형성하는 단계;를 포함하며,
상기 제 1 단계층(210)은 TikAl1 - kN의 조성을 가지며, 여기서 0.3 ≤ k ≤ 0.7이며,
상기 제 2 단계층(220)을 형성하는 단계는
AlaTibSi1 -a- bN의 조성을 가지며, 여기서 0.3≤a≤0.7, 0.3≤b≤0.7 및 0<1-a-b≤0.1 인 단위층 A(221)를 형성하는 단계;
TimAl1 -mN의 조성을 가지며, 여기서 0.3≤m≤0.7인 단위층 B(222)를 형성하는 단계; 및
AlxTi1 - xN의 조성을 가지며, 여기서 0.3≤x≤0.7인 단위층 C(223)를 형성하는 단계;를 포함하되,
상기 단위층 A(221)를 형성하는 단계, 상기 단위층 B(222)를 형성하는 단계 및 상기 단위층 C(223)를 형성하는 단계는 각각 적어도 1회 이상 교대로 실시되며,
상기 제 3 단계층은,
알루미늄(Al), 티타늄(Ti) 및 질소(N)를 포함하며, 또한
실리콘(Si) 및 이트륨(Y) 중 적어도 하나를 더 포함하며,
그 조성은 AldTie(Si, Y)1-d- eN 이며, 0.3≤d≤0.7, 0.3≤e≤0.7, 0<1-d-e≤0.1
인 것을 특징으로 하는 절삭공구의 제조방법. - 제 10항에 있어서, 상기 제 1 코팅층을 형성하는 화학적 기상 증착법은 중온 화학적 기상 증착법(moderate temperature chemical vapor deposition; MTCVD)인 것을 특징으로 하는 절삭공구의 제조방법.
- 제 10항에 있어서, 상기 제 1 코팅층(100)을 형성하는 단계 이전에 하지층(400)을 형성하는 단계를 실시하는 것을 특징으로 하는 절삭공구의 제조방법.
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