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KR20110093330A - Large screen display device using a tiling technology and a fabricating method thereof - Google Patents

Large screen display device using a tiling technology and a fabricating method thereof Download PDF

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KR20110093330A
KR20110093330A KR1020100013302A KR20100013302A KR20110093330A KR 20110093330 A KR20110093330 A KR 20110093330A KR 1020100013302 A KR1020100013302 A KR 1020100013302A KR 20100013302 A KR20100013302 A KR 20100013302A KR 20110093330 A KR20110093330 A KR 20110093330A
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이춘래
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디스플레이솔루션스(주)
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Abstract

PURPOSE: A large screen display device using a tiling technique and manufacturing method thereof are provided to optimize the arrangement, the junction, and wire connection between panels by improving a tiling technique and to minimize a junction part. CONSTITUTION: A large screen display device using a tiling technique includes as follows. A plurality of panels(100A~100F) are jointed to each other through a stepped junction surface and includes a color array substrate(CFA) including a color filter and an TFT array substrate(TFTA) including signal wires. A plurality of ICs drives the signal wires by connected to the panels. A signal redistribution circuit distributes an input image signal suitable to a pixel composition of the jointed panels. Each of the junction surfaces of the panels is formed as a stepped surface to enable the TFT array substrate to be more projected than the color array substrate. The TFT array substrate of neighboring panels and the color filter array substrate is arranged on the same surface.

Description

타일링 기술을 이용한 대화면 표시장치와 그 제조 방법{LARGE SCREEN DISPLAY DEVICE USING A TILING TECHNOLOGY AND A FABRICATING METHOD THEREOF}LARGE SCREEN DISPLAY DEVICE USING A TILING TECHNOLOGY AND A FABRICATING METHOD THEREOF}

본 발명은 타일링 기술을 이용하여 작은 표시패널을 접합함으로써 80˝ 이상의 대화면으로 구현되는 표시장치와 그 제조 방법에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a display device and a method of manufacturing the same, which are realized with a large screen of 80 ns or larger by bonding small display panels using tiling techniques.

음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들(Flat Panel Display, FPD)이 개발되고 있다. 이러한 평판 표시장치는 액정표시장치(Liquid Crystal Display : 이하 "LCD"라 한다), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display : FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel : PDP) 및 전계발광소자(Electroluminescence Device) 등이 있다. 이러한 평판표시장치는 그 구동 방식에 따라 PM(Passive Matrix) 표시장치와 AM(Active Matrix) 표시장치로 나뉘어진다. 전계발광소자는 발광층의 재료에 따라 무기 전계발광소자와 유기발광다이오드소자(Organic Light Emitting Diode, OLED)로 나뉘어진다. Various flat panel displays (FPDs) are being developed to reduce weight and volume, which are disadvantages of cathode ray tubes. Such flat panel displays include liquid crystal displays (hereinafter referred to as "LCDs"), field emission displays (FEDs), plasma display panels (PDPs), and electroluminescence devices (electroluminescence devices). ). The flat panel display device is divided into a PM (Passive Matrix) display device and an AM (Active Matrix) display device according to its driving method. The electroluminescent device is divided into an inorganic electroluminescent device and an organic light emitting diode device (OLED) according to the material of the light emitting layer.

AM TFT LCD는 각 픽셀마다 스위칭 소자로서 TFT(Thin Film Transistor)가 형성된다. AM TFT LCD는 음극선관(Cathode Ray Tube, CRT)에 비하여 소형화가 가능하여 휴대용 정보기기, 사무기기, 컴퓨터 등에서 표시기에 응용됨은 물론, 텔레비젼에도 응용되어 빠르게 음극선관을 대체하고 있다. In the TFT TFT LCD, a thin film transistor (TFT) is formed as a switching element for each pixel. AM TFT LCD can be miniaturized compared to Cathode Ray Tube (CRT), which is applied to display in portable information equipment, office equipment, computer, etc., and is also rapidly replacing cathode ray tube in TV.

AM TFT LCD의 모듈 메이커는 공정 기술의 괄목할만한 발달에 힘입어 60˝ 크기의 TV용 대형 패널을 생산할 수 있게 되었다. 이러한 대화면 기술의 발달에도 불구하고, 현재의 공정기술로는 80˝ 이상의 대화면 표시장치를 구현할 수 없었다. Module makers of AM TFT LCDs are able to produce large 60-inch TV panels thanks to the remarkable development of process technology. Despite the development of such a large screen technology, it is not possible to implement a large screen display device of 80 kHz or more with the current process technology.

회의실의 상황판, 관공서의 게시판 및 학교의 전자 칠판 등의 수요에 접합한 표시장치는 100˝ 이상의 대화면으로 구현되어야 하나 현재의 공정 기술로는 대응하지 못하고 있다. 전면 또는 후면 투사(Rear/ Front Projection) 기술을 이용하여 대화면을 구현할 수 있지만, 투사기에는 고가의 제논 램프가 필요하고 제논 램프의 짧은 수명과 비용 문제로 인하여 대화면 표시장치의 시장 수요에 효과적으로 대응하지 못하고 있다. The display device bonded to the demands of the board of the conference room, the bulletin board of the government office, and the electronic board of the school should be implemented with a large screen of 100 ˝ or more, but the current process technology cannot cope with it. Although large screens can be implemented using front or rear projection technology, the projector requires expensive xenon lamps and the short lifetime and cost of the xenon lamps make it difficult to respond effectively to the market demands of large screen displays. have.

대화면 표시장치를 구현하기 위한 한 방법으로써, 작은 패널들을 접합하는 타일링 기술이 알려져 있다. 그런데, 현재까지 알려진 타일링 기술로는 접합에 필요한 정렬, 접합 및 배선 연결기술이 최적화되지 못하여 접합 부분이 육안으로 보여 양산 기술로 확립되지 못하고 있다.
As one method for implementing a large display, a tiling technique for joining small panels is known. However, the tiling technique known to date has not been optimized for alignment, bonding, and wiring connection techniques required for bonding, so that the bonding portion is visually observed and cannot be established as a mass production technique.

본 발명의 목적은 타일링 기술을 개선하여 패널들 간의 정렬, 접합 및 배선 연결을 최적화하고 접합 부분을 최소화할 수 있는 대화면 표시장치와 그 제조 방법을 제공한다.
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a large screen display device and a method of manufacturing the same, which can improve tiling technology to optimize alignment, bonding, and wiring connection between panels, and minimize bonding.

본 발명의 일 양상으로서, 본 발명의 대화면 표시장치는 각각 신호배선들을 포함한 TFT 어레이 기판과, 컬러필터를 포함한 컬러필터 어레이 기판을 포함하고 단차진 접합면을 통해 서로 접합된 다수의 패널들; 상기 패널들에 연결되어 상기 신호배선들을 구동하는 다수의 IC들; 및 상기 접합된 패널들의 화소 구성에 맞도록 입력 영상신호를 분배하는 신호 재분배 회로를 구비한다. 상기 패널들의 접합면 각각은 상기 TFT 어레이 기판이 상기 컬러필터 어레이 기판 보다 돌출되도록 단턱면으로 형성된다. 이웃하는 상기 패널들의 TFT 어레이 기판과 컬러필터 어레이 기판은 동일 평면 상에서 교차 배열된다. In one aspect of the present invention, a large display device of the present invention comprises: a plurality of panels each including a TFT array substrate including signal wirings and a color filter array substrate including a color filter and bonded to each other through a stepped bonding surface; A plurality of ICs connected to the panels to drive the signal wires; And a signal redistribution circuit for distributing an input video signal to match the pixel configuration of the bonded panels. Each of the bonding surfaces of the panels is formed as a step surface such that the TFT array substrate protrudes from the color filter array substrate. The TFT array substrate and the color filter array substrate of the neighboring panels are arranged crosswise on the same plane.

상기 패널들은 LCD와 OLED 중 어느 하나의 표시패널을 포함한다. The panels include a display panel of any one of an LCD and an OLED.

상기 패널들은 제1 TFT 어레이 기판과 제1 컬러필터 어레이 기판을 포함하는 제1 패널; 및 제2 TFT 어레이 기판과 제2 컬러필터 어레이 기판을 포함하는 제2 패널을 구비한다. 상기 제1 TFT 어레이 기판과 상기 제2 컬러필터 어레이 기판은 동일 평면 상에서 배열되고, 상기 제1 컬러필터 어레이 기판과 상기 제2 TFT 어레이 기판은 동일 평면 상에서 배열된다. 상기 접합면에서 상기 제1 TFT 어레이 기판의 신호배선들은 이방성 도전 필름과 도전볼 중 어느 하나를 통해 뒤집어진 상기 제2 TFT 어레이 기판의 신호배선들과 일치시켜 접합시킴으로써 전기적으로 연결된다. The panels may include a first panel including a first TFT array substrate and a first color filter array substrate; And a second panel including a second TFT array substrate and a second color filter array substrate. The first TFT array substrate and the second color filter array substrate are arranged on the same plane, and the first color filter array substrate and the second TFT array substrate are arranged on the same plane. At the bonding surface, signal wirings of the first TFT array substrate are electrically connected by joining and matching the signal wirings of the second TFT array substrate which are inverted through any one of an anisotropic conductive film and a conductive ball.

상기 표시장치는 상기 패널들의 기계적인 강도를 보강하기 위하여 상기 패널들에 접합되는 강화 유리; 상기 패널들에 빛을 조사하는 다수의 백라이트 유닛을 더 구비한다. 상기 접합면의 폭은 0.5mm ~ 10mm 사이이다. The display device includes tempered glass bonded to the panels to reinforce the mechanical strength of the panels; A plurality of backlight units for irradiating light to the panels is further provided. The width of the joining surface is between 0.5 mm and 10 mm.

본 발명의 대화면 표시장치는 각각 신호배선들을 포함한 TFT 어레이 기판, 컬러필터를 포함한 컬러필터 어레이 기판, 및 상기 신호배선들을 구동하는 다수의 IC들을 포함하는 다수의 패널들을 커팅하여 상기 패널들의 측면에 단차진 절단면을 형성하는 단계; 및 상기 패널들의 단차진 절단면들이 마주보도록 접합하여 이웃하는 상기 패널들을 접합함과 동시에 상기 이웃하는 패널들의 신호배선들을 전기적으로 연결하는 단계를 포함한다.
The large display device of the present invention cuts a plurality of panels each including a TFT array substrate including signal wiring lines, a color filter array substrate including color filters, and a plurality of ICs for driving the signal wiring lines, and cuts the side panels of the panels. Forming a differential cut surface; And joining the adjacent panels so that stepped cut surfaces of the panels face each other and electrically connecting signal wirings of the neighboring panels.

본 발명은 TFT 어레이 기판이 컬러필터 어레이 기판보다 돌출되도록 패널들 각각의 절단면을 커팅하고 동일 평면 상에서 TFT 어레이 기판과 컬러필터 어레이 기판을 교차배열하여 이웃하는 패널들을 접합함으로써 패널들 간의 정렬, 접합 및 배선 연결을 최적화하고 접합 부분을 최소화할 수 있다.
The present invention provides an arrangement, bonding, and bonding between panels by cutting a cut surface of each panel so that the TFT array substrate protrudes from the color filter array substrate, and cross-aligning the TFT array substrate and the color filter array substrate on the same plane to bond neighboring panels. Optimize wiring connections and minimize joints.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 대화면 표시장치를 보여 주는 평면도이다.
도 2는 도 1에서 선 "Ⅰ-Ⅰ'"를 따라 절취한 대화면 표시장치의 단면도이다.
도 3은 도 1에서 선 "Ⅱ-Ⅱ'"를 따라 절취한 대화면 표시장치의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 대화면 표시장치에서 접합된 패널들과 백라이트 유닛을 보여 주는 사시도이다.
도 5는 LCD 패널의 일부를 보여 주는 분해 사시도이다.
도 6은 도 5에 도시된 TFT 어레이 기판의 구조를 상세히 보여 주는 단면도이다.
도 7은 패널들의 절단선을 보여 주는 평면도이다.
도 8은 접합면에서 패널들 간의 신호배선 연결을 보여 주는 사시도이다.
1 is a plan view illustrating a large screen display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view of the large-screen display device taken along the line "I-I '" in FIG.
3 is a cross-sectional view of the large-screen display device taken along the line "II-II '" in FIG.
4 is a perspective view illustrating a panel and a backlight unit bonded to each other in the large-screen display device of the present invention.
5 is an exploded perspective view showing a part of the LCD panel.
6 is a cross-sectional view showing in detail the structure of the TFT array substrate shown in FIG.
7 is a plan view showing cut lines of panels.
8 is a perspective view showing the signal wiring connection between the panels in the bonding surface.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 실질적으로 동일한 구성요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Reference will now be made in detail to the preferred embodiments of the present invention, examples of which are illustrated in the accompanying drawings. Like numbers refer to like elements throughout. In the following description, when it is determined that a detailed description of known functions or configurations related to the present invention may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

이하의 설명에서 사용되는 구성요소 명칭은 명세서 작성의 용이함을 고려하여 선택된 것으로, 실제 제품과는 상이할 수 있다. Component names used in the following description are selected in consideration of ease of specification, and may be different from the actual product.

본 발명의 실시예에 따른 표시장치는 타일링 기술을 이용하여 LCD, OLED 등과 같은 평판표시장치의 패널들을 접합한다. The display device according to the exemplary embodiment of the present invention bonds panels of a flat panel display device such as an LCD and an OLED by using a tiling technique.

도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 대화면 표시장치는 서로 접합된 다수의 패널들(100A~100F)를 포함한다. Referring to FIG. 1, a large display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes a plurality of panels 100A to 100F bonded to each other.

패널들(100A~100F) 각각은 신호배선들과 TFT들을 포함한 TFT 어레이 기판(또는, 제1 기판 TFTA)과, 컬러필터와 블랙 매트릭스가 형성된 컬러필터 어레이 기판(또는, 제2 기판 CFA)을 포함한다. 신호배선들은 데이터가 공급되는 데이터라인들과, 데이터라인들과 교차되어 스캔펄스(또는 게이트펄스)가 공급되는 게이트라인들을 포함한다. TFT 어레이 기판(TFTA)과 컬러필터 어레이 기판(CFA)은 그 실런트(Sealant)를 통해 접합된다. Each of the panels 100A to 100F includes a TFT array substrate (or first substrate TFTA) including signal wirings and TFTs, and a color filter array substrate (or second substrate CFA) on which a color filter and a black matrix are formed. do. The signal lines include data lines to which data is supplied, and gate lines to which scan pulses (or gate pulses) are supplied when the data lines intersect the data lines. The TFT array substrate TFTA and the color filter array substrate CFA are bonded through the sealant.

패널들(100A~100F)은 LCD, OLED 등의 표시패널이다. 이하에서, LCD를 중심으로 패널의 실시예를 설명하지만 패널들(100A~100F)은 LCD 패널에 한정되지 않는다는 것에 주의하여야 한다. 예컨대, OLED 패널 중 어느 한 기판에는 신호배선들과 TFT들이 형성되고, 그와 대향하는 다른 기판에는 신호배선이 형성되지 않고 컬러필터가 형성될 수 있다. The panels 100A to 100F are display panels such as LCDs and OLEDs. In the following, an embodiment of the panel will be described centering on the LCD, but it should be noted that the panels 100A to 100F are not limited to the LCD panel. For example, signal wirings and TFTs may be formed in one substrate of the OLED panel, and color filters may be formed without forming signal wirings in the other substrate facing the OLED panel.

패널들(100A~100F)의 TFT 어레이 기판(TFTA)과 컬러필터 어레이 기판(CFA)은 동일 평면 상에서 교차된다. 예컨대, 도 2와 같이 대화면 표시장치의 하판은 선 선 "Ⅰ-Ⅰ'"의 단면에서 볼 때, 제1 패널(100A)의 제1 TFT 어레이 기판(TFTA), 제1 TFT 어레이 기판(TFTA)의 우측에 이웃하는 제2 패널(100B)의 제2 컬러필터 어레이 기판(CFA), 제2 컬러필터 어레이 기판(CFA)의 우측에 이웃하는 제3 패널(100C)의 제3 TFT 어레이 기판(TFTA)을 포함한다. 도 2와 같이 대화면 표시장치의 상판은 선 선 "Ⅰ-Ⅰ'"의 단면에서 볼 때, 제1 패널(100A)의 제1 컬러필터 어레이 기판(CFA), 제1 컬러필터 어레이 기판(CFA)의 우측에 이웃하는 제2 패널(100B)의 제2 TFT 어레이 기판(TFTA), 제2 TFT 어레이 기판(TFTA)의 우측에 이웃하는 제3 패널(100C)의 제3 컬러필터 어레이 기판(CFA)을 포함한다. 도 3과 같이 대화면 표시장치의 하판은 선 선 "Ⅱ-Ⅱ'"의 단면에서 볼 때, 제1 패널(100A)의 제1 TFT 어레이 기판(TFTA)과, 제1 TFT 어레이 기판(TFTA)의 아래에 이웃하는 제4 패널(100D)의 제4 컬러필터 어레이 기판(CFA)을 포함한다. 도 3과 같이 대화면 표시장치의 상판은 선 선 "Ⅱ-Ⅱ'"의 단면에서 볼 때, 제1 패널(100A)의 제1 컬러필터 어레이 기판(CFA)과, 제1 컬러필터 어레이 기판(CFA)의 아래에 이웃하는 제4 패널(100D)의 제4 TFT 어레이 기판(TFTA)을 포함한다. The TFT array substrate TFTA and the color filter array substrate CFA of the panels 100A to 100F intersect on the same plane. For example, as shown in FIG. 2, the lower plate of the large-screen display device is the first TFT array substrate TFTA and the first TFT array substrate TFTA of the first panel 100A when viewed from the cross section of the line “I-I ′”. The second color filter array substrate CFA of the second panel 100B adjacent to the right side of the third TFT array substrate TFTA of the third panel 100C adjacent to the right side of the second color filter array substrate CFA. ). As shown in FIG. 2, the upper plate of the large screen display device is the first color filter array substrate CFA and the first color filter array substrate CFA of the first panel 100A when viewed from a cross-section of the line “I-I ′”. The second TFT array substrate TFTA of the second panel 100B adjacent to the right side of the third color filter array substrate CFA of the third panel 100C adjacent to the right side of the second TFT array substrate TFTA. It includes. As shown in FIG. 3, the lower plate of the large-screen display device is formed of the first TFT array substrate TFTA of the first panel 100A and the first TFT array substrate TFTA when viewed from the cross section of the line “II-II ′”. The fourth color filter array substrate CFA of the neighboring fourth panel 100D is included below. As shown in FIG. 3, the upper plate of the large-screen display device includes a first color filter array substrate CFA and a first color filter array substrate CFA of the first panel 100A when viewed from a cross-section of the line “II-II ′”. The fourth TFT array substrate TFTA of the fourth panel 100D adjacent to each other is included below.

패널들(100A~100F) 각각은 이웃하는 패널과 접합되는 접합면(30) 위치에서 절단된다. 여기서, TFT 어레이 기판(TFTA)의 신호배선들이 노출되도록 TFT 어레이 기판(TFTA)의 가장자리 절단선은 컬러필터 어레이 기판(CFA)의 가장자리 절단선보다 더 바깥쪽에 위치한다. 따라서, 패널들(100A~100F)의 절단면은 TFT 어레이 기판(TFTA)이 컬러필터 어레이 기판(CFA) 보다 더 바깥쪽으로 돌출된 계단 형태의 단턱면을 형성한다. Each of the panels 100A-100F is cut at the location of the joint surface 30 that is joined to the neighboring panel. Here, the edge cut line of the TFT array substrate TFTA is located outside the edge cut line of the color filter array substrate CFA so that the signal lines of the TFT array substrate TFTA are exposed. Accordingly, the cut surfaces of the panels 100A to 100F form a stepped stepped surface in which the TFT array substrate TFTA protrudes outwardly than the color filter array substrate CFA.

이웃하는 패널들(100A~100F)의 TFT 어레이 기판(TFTA)들에 형성된 신호배선들은 접합면(30)에서 위 아래로 대향한다. 상판에 위치하는 TFT 어레이 기판(TFTA)의 신호배선들과 하판에 위치하는 TFT 어레이 기판(TFTA)의 신호배선들은 이방성 도전 필름(Antisotropic Conductive Film, ACF)을 사이에 두고 1:1로 접합된다. 이방성 도전 필름(ACF)은 이웃하는 패널들(100A~100F)의 TFT 어레이 기판들(TFTA)을 접착시키고 또한, 그 TFT 어레이 기판들(TFTA)의 신호배선들을 전기적으로 연결한다. 따라서, 이웃하는 패널들(100A~100F)의 TFT 어레이 기판(TFTA)에 형성된 신호배선들은 이방성 도전 필름(ACF)를 통해 서로 전기적으로 연결된다.Signal wires formed on the TFT array substrates TFTAs of the neighboring panels 100A to 100F face up and down on the bonding surface 30. The signal wires of the TFT array substrate TFTA located on the upper plate and the signal wires of the TFT array substrate TFTA located on the lower plate are 1: 1 bonded with an anisotropic conductive film (ACF) interposed therebetween. The anisotropic conductive film ACF bonds the TFT array substrates TFTA of the neighboring panels 100A to 100F and also electrically connects signal wirings of the TFT array substrates TFTA. Therefore, the signal wires formed in the TFT array substrate TFTA of the neighboring panels 100A to 100F are electrically connected to each other through the anisotropic conductive film ACF.

접합면(30)의 폭(W)은 0.5mm ~ 10mm 사이가 바람직하다. 접합면(30)의 폭이 0.5mm 미만이면 접합 공정에서 작업성이 떨어지고 그 접합면의 접착력이 떨어지고, 접합면(30)의 폭이 10mm를 초과하면 접합면(30)이 육안으로 보일 수 있다. The width W of the joining surface 30 is preferably between 0.5 mm and 10 mm. If the width of the bonding surface 30 is less than 0.5mm, the workability is poor in the bonding process and the adhesion strength of the bonding surface falls, and if the width of the bonding surface 30 exceeds 10mm, the bonding surface 30 may be visually seen. .

상판의 TFT 어레이 기판(TFTA)과 그와 이웃하는 하판의 TFT 어레이 기판(TFTA)은 전술한 바와 같이 이방성 도전 필름으로 접착되고, 동일 평면에서 이웃하는 TFT 어레이 기판(TFTA)의 측면과 컬러필터 어레이 기판(CFA)의 측면은 실런트로 접착될 수도 있다. The TFT array substrate TFTA of the upper plate and the TFT array substrate TFTA of the lower plate adjacent thereto are adhered to the anisotropic conductive film as described above, and the side and the color filter array of the adjacent TFT array substrate TFTA in the same plane. Side surfaces of the substrate CFA may be bonded with a sealant.

패널들(100A~100F)은 접합면에서 단차진 접합면들이 마주보는 즉, 형합되는 구조로 정렬 및 접합된다. 따라서, 패널들(100A~100F)이 접합되는 공정에서 단턱면들을 형합하는 구조로 인하여 정렬과 접합 공정이 용이하다. 이웃하는 패널들(100A~100F)에서 접합면에 대응하는 단턱면에는 얼라인 마크(Align mark)가 형성될 수 있다. The panels 100A to 100F are aligned and bonded in a structure in which the stepped joining surfaces face each other, that is, in the form of joining. Therefore, the alignment and bonding process are easy due to the structure of joining the stepped surfaces in the process of bonding the panels 100A to 100F. Align marks may be formed on the stepped surface corresponding to the bonding surface in the neighboring panels 100A to 100F.

본 발명의 대화면 표시장치의 상판 및/또는 하판에는 접합면을 기계적으로 보강하기 위하여 도2 및 도 3과 같이 강화유리(40)가 접착제나 실린트로 접착될 수 있다. 강화 유리(40)는 거울과 함께 패널들(100A~100F)에 접착될 수 있다. OLED의 경우에 이웃하는 패널들의 TFT 어레이 기판과 컬러필터 어레이 기판을 교차 배열하면 이웃하는 패널들 간에 휘도차이가 보일 수 있다. 거울은 패널들(100A~100F)의 휘도 편차가 있을 때 패널로부터 반사되는 빛을 반사하여 표시패널의 휘도 균일도를 보상할 수 있다. 다시 말하여, 거울을 사용하는 이유는 OLED를 패널로 선택하면, 패널들(100A~100F)을 상하로 교차 접합할 때 OLED 특유의 빛의 지향성과 패널의 전방 방향과 후방 방향의 투과율 차이로 인하여 전체 화면에 걸처 패널별로 밝기의 불 균일이 발생할 수 있는데, 거울을 후방 면에 배치하면, 전방/후방의 발광을 모두 활용 하게 됨으로써 전체적으로 밝기가 올라 가고, 휘도 균일도가 향상 되는 효과를 얻을 수 있다. In order to mechanically reinforce the bonding surface, the tempered glass 40 may be adhered to the upper and / or lower plates of the large screen display device of the present invention using an adhesive or a sealant. Tempered glass 40 may be adhered to panels 100A-100F with a mirror. In the case of an OLED, when the TFT array substrate and the color filter array substrate of neighboring panels are arranged crosswise, luminance difference between neighboring panels may be seen. The mirror may compensate for luminance uniformity of the display panel by reflecting light reflected from the panel when there is a luminance deviation of the panels 100A to 100F. In other words, the reason for using the mirror is that when the OLED is selected as the panel, when the panels 100A to 100F are cross-bonded up and down, due to the light directivity characteristic of the OLED and the difference in transmittance between the front and rear directions of the panel The unevenness of brightness may occur for each panel across the entire screen. If the mirror is placed on the rear surface, the brightness of the entire screen is increased by utilizing both front and rear light emission, and the brightness uniformity is improved.

패널들(100A~100F)이 액정표시패널인 경우에 대화면 표시장치의 하판 아래에는 도 4와 같이 다수의 백라이트 유닛들(200)이 배치될 수 있다. 백라이트 유닛들(200)의 크기는 패널 크기와 동일할 필요는 없다. 백라이트 유닛들(200) 간의 경계면은 패널 내의 표시화면에서 백라이트 유닛들 간의 경계선이 보이지 않도록 패널들(100A~100F)의 접합면 위치가 바람직하다. When the panels 100A to 100F are liquid crystal display panels, a plurality of backlight units 200 may be disposed under the lower panel of the large screen display device as shown in FIG. 4. The size of the backlight units 200 need not be the same as the panel size. The interface between the backlight units 200 is preferably a bonding surface position of the panels 100A to 100F such that the boundary lines between the backlight units are not visible on the display screen in the panel.

패널들(100A~100F)에는 신호배선들을 구동하기 위한 데이터 구동회로와 게이트 구동회로(또는 스캔 구동회로)가 전기적으로 연결된다. 데이터 구동회로는 다수의 소스 드라이브 소스 드라이브 집적회로(Integrated Circuit, 이하 "IC"라 함)(10)들을 포함한다. 소스 드라이브 IC들(10) 각각은 도시하지 않은 타이밍 콘트롤러의 제어 하에 디지털 비디오 데이터를 샘플링하고 래치하여 병렬 데이터 체계의 데이터로 변환한다. 그리고 소스 드라이브 IC들(10) 각각은 병렬 데이터 체계의 디지털 비디오 데이터를 감마기준전압들을 이용하여 아날로그 감마보상전압으로 변환하여 데이터라이들에 공급한다. 소스 드라이브 IC들(10) 각각은 COG(Chip On Glass) 공정이나 TAB(Tape Automated Bonding) 공정으로 TFT 어레이 기판(TFTA)에 접착되어 그 출력 채널들이 데이터라인들과 1:1로 연결된다. 게이트 구동회로는 다수의 게이트 드라이브 IC(20)를 포함한다. 게이트 드라이브 IC들(20)은 타이밍 콘트롤러의 제어 하에 게이트 구동전압을 순차적으로 쉬프트하는 쉬프트 레지스터를 포함하여 게이트라인들에 스캔펄스(또는 게이트펄스)를 순차적으로 공급한다. 게이트 드라이브 IC들(20)은 TAB 공정으로 TFT 어레이 기판(TFTA)에 접착되거나 GIP(Gate In Panel) 공정으로 TFT 어레이 기판(TFTA) 상에 직접 형성되어 그 출력 채널들이 게이트라인들과 1:1로 연결된다. 데이터 드라이브 IC들(10)과 게이트 드라이브 IC들(20)은 패널들(100A~100F) 각각의 절단 공정에 의해 제거되는 패널의 불필요한 부분에 부착된 IC들과 분리된다. 따라서, 패널들(100A~100F)의 접합 공정에서 패널들 각각에는 IC들이 연결되어 있다. The data driving circuit and the gate driving circuit (or the scan driving circuit) for driving the signal wires are electrically connected to the panels 100A to 100F. The data driving circuit includes a plurality of source drive source drive integrated circuits (hereinafter referred to as "ICs") 10. Each of the source drive ICs 10 samples, latches, and converts the digital video data into data of a parallel data system under the control of a timing controller (not shown). Each of the source drive ICs 10 converts the digital video data of the parallel data system into an analog gamma compensation voltage using gamma reference voltages and supplies them to the data arrays. Each of the source drive ICs 10 is bonded to a TFT array substrate (TFTA) by a chip on glass (COG) process or a tape automated bonding (TAB) process, and output channels are connected to the data lines in a 1: 1 manner. The gate driving circuit includes a plurality of gate drive ICs 20. The gate drive ICs 20 sequentially supply scan pulses (or gate pulses) to the gate lines, including a shift register that sequentially shifts the gate driving voltage under the control of the timing controller. The gate drive ICs 20 are bonded to the TFT array substrate TFTA in a TAB process or directly formed on the TFT array substrate TFTA in a GIP (Gate In Panel) process so that the output channels are 1: 1 with the gate lines. Leads to. The data drive ICs 10 and the gate drive ICs 20 are separated from the ICs attached to unnecessary portions of the panel removed by the cutting process of each of the panels 100A to 100F. Therefore, ICs are connected to each of the panels in the bonding process of the panels 100A to 100F.

본 발명의 대화면 표시장치는 상기한 구동회로들(10, 20) 이외에 신호 재분배 회로를 더 구비한다. 신호 재분배 회로는 다수의 패널을 타일링 접합한 패널들을 한 개의 TV 또는 컴퓨터 화면으로 구동시키기 위하여, TV 또는 컴퓨터 신호를 접합된 패널들의 화소 구성에 맞도록 분배하거나 재구성시키는 회로와 소프트웨어를 포함한다. 그리고 신호 재분배 회로는 재 구성된 영상신호 데이터를 소스 드라이브 IC들로 분배한다. The large display device of the present invention further includes a signal redistribution circuit in addition to the driving circuits 10 and 20 described above. The signal redistribution circuit includes circuitry and software for distributing or reconstructing the TV or computer signal to match the pixel configuration of the laminated panels, in order to drive the tiled panels of the multiple panels to one TV or computer screen. The signal redistribution circuit distributes the reconstructed video signal data to the source drive ICs.

도 5는 LCD 패널의 일부를 보여 주는 분해 사시도이다. 5 is an exploded perspective view showing a part of the LCD panel.

도 5를 참조하면, LCD 패널은 TFT 어레이 기판(TFTA), 컬러필터 어레이 기판(CFA), 및 그 기판들 사이에 형성된 액정층(LC)을 포함한다.Referring to FIG. 5, the LCD panel includes a TFT array substrate TFTA, a color filter array substrate CFA, and a liquid crystal layer LC formed between the substrates.

TFT 어레이 기판(TFTA)은 하부 유리기판(GLSL)에 형성된 신호배선들, TFT들, 화소전극(PXL), 화소전극(PXL)에 접속된 스토리지 커패시터(도시하지 않음) 등을 포함한다. 신호배선들은 데이터라인들과 게이트라인들을 포함한다. 액정셀들은 TFT를 통해 데이터전압을 충전하는 화소전극과 공통전압이 인가되는 공통전극의 전압차에 의해 구동되어 빛의 투과양을 조정하여 비디오 데이터의 화상을 표시한다. 컬러 필터 어레이 기판(CFA)은 상부 유리기판(GLSU)에 형성된 블랙매트릭스(BM), 컬러 필터(CF(R), CF(G), CF(B)) 및 오버코트층(OCL)이 형성된다. 오버코트층(OCL)은 블랙 매트릭스(BM)와 컬러 필터(CF(R), CF(G), CF(B))를 덮는 투명 수지층으로써 액정층(LC)과 접하는 컬러 필터 어레이 기판(CFA)의 내면을 평탄화한다.The TFT array substrate TFTA includes signal wirings formed on the lower glass substrate GLSL, TFTs, a pixel electrode PXL, a storage capacitor (not shown) connected to the pixel electrode PXL, and the like. Signal lines include data lines and gate lines. The liquid crystal cells are driven by the voltage difference between the pixel electrode charging the data voltage through the TFT and the common electrode to which the common voltage is applied, thereby adjusting the transmission amount of light to display an image of the video data. The color filter array substrate CFA is formed of a black matrix BM, a color filter CF (R), CF (G), CF (B)) and an overcoat layer (OCL) formed on the upper glass substrate GLSU. The overcoat layer OCL is a transparent resin layer covering the black matrix BM and the color filters CF (R), CF (G), and CF (B). The color filter array substrate CFA is in contact with the liquid crystal layer LC. Planarizes the inner surface.

액정층(LC)과 접하는 TFT 어레이 기판(TFTA)의 내면과 컬러 필터 어레이 기판(CFA)의 내면 각각에는 액정의 프리틸트각(pre-tilt angle)을 설정하기 위한 배향막이 형성된다. 공통전극(COM)은 도 6과 같이 TN(Twisted Nematic) 모드와 VA(Vertical Alignment) 모드와 같은 수직 전계 구동방식에서 컬러필터 어레이 기판(CFA)에 형성되며, IPS(In Plane Switching) 모드와 FFS(Fringe Field Switching) 모드와 같은 수평전계 구동방식에서 화소전극(PXL)과 함께 TFT 어레이 기판(TFTA)에 형성된다. TFT 어레이 기판의 외면과 컬러 필터 어레이 기판의 외면 각각에는 편광판이 부착된다. An alignment film for setting the pre-tilt angle of the liquid crystal is formed on the inner surface of the TFT array substrate TFTA and the inner surface of the color filter array substrate CFA, which are in contact with the liquid crystal layer LC. The common electrode COM is formed on the color filter array substrate CFA in a vertical electric field driving method such as twisted nematic (TN) mode and vertical alignment (VA) mode, as shown in FIG. 6, and an in plane switching (IPS) mode and an FFS. In the horizontal electric field driving method such as the (Fringe Field Switching) mode, the pixel electrode PXL is formed on the TFT array substrate TFTA. A polarizing plate is attached to each of the outer surface of the TFT array substrate and the outer surface of the color filter array substrate.

도 6은 도 5에 도시된 TFT 어레이 기판(TFTA)의 구조를 상세히 보여 주는 단면도이다. 도 6에서, TFT 어레이 기판(TFTA)과 컬러필터 어레이 기판(CFA)에 형성된 배향막과 편광판은 생략되었다.FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating in detail the structure of the TFT array substrate TFTA shown in FIG. 5. In FIG. 6, the alignment film and the polarizing plate formed on the TFT array substrate TFTA and the color filter array substrate CFA are omitted.

도 5 및 도 6을 참조하면, 하부 유리기판(GLSL) 상에는 게이트 금속으로 이루어진 TFT의 게이트전극(GE), 게이트전극(GE)과 연결된 게이트라인(GL), 및 게이트라인(GL)의 끝단에 연결된 게이트 패드(GP)를 포함한 게이트 금속 패턴들이 형성된다. 게이트 패드(GP)에는 게이트 드라이브 IC의 출력 핀이 접속된다. 게이트 금속은 알루미늄이나 알루미늄 합금을 포함할 수 있다. 게이트 절연막(GI)은 산화 실리콘(SiOx) 또는 질화 실리콘(SiNx) 등과 같은 무기 절연 물질로서, 게이트 금속 패턴을 덮도록 하부 유리기판(GLSL) 상에 형성된다 5 and 6, a gate electrode GE of a TFT made of a gate metal, a gate line GL connected to the gate electrode GE, and an end of the gate line GL on the lower glass substrate GLSL. Gate metal patterns including connected gate pads GP are formed. The output pin of the gate drive IC is connected to the gate pad GP. The gate metal may comprise aluminum or an aluminum alloy. The gate insulating layer GI is an inorganic insulating material such as silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx), and is formed on the lower glass substrate GLSL to cover the gate metal pattern.

게이트 절연막(GI) 위에는 활성층(SEM)과 오믹접촉층(OHM)을 포함한 반도체 패턴이 형성된다. TFT에서 반도체 패턴은 게이트 전극(GE)과 중첩된다. 소스/드레인 금속 패턴들은 반도체 패턴과 중첩된다. 소스/드레인 금속 패턴들은 TFT의 소스전극(SE)과 드레인전극(DE), TFT의 소스전극에 접속된 데이터라인(DL), 및 데이터라인(DL)의 끝단에 데이터패드(DP)를 포함한다. 데이터 패드(DP)에는 소스 드라이브 IC의 출력 핀이 접속된다. 소스/드레인 금속은 몰리브데늄(Mo), 크롬(Cr), 구리(Cu) 등의 금속과 그 합금 중 어느 하나를 포함한다. A semiconductor pattern including an active layer SEM and an ohmic contact layer OHM is formed on the gate insulating layer GI. In the TFT, the semiconductor pattern overlaps the gate electrode GE. Source / drain metal patterns overlap the semiconductor pattern. The source / drain metal patterns include a source electrode SE and a drain electrode DE of the TFT, a data line DL connected to the source electrode of the TFT, and a data pad DP at an end of the data line DL. . The output pin of the source drive IC is connected to the data pad DP. The source / drain metal includes any one of metals such as molybdenum (Mo), chromium (Cr), copper (Cu) and alloys thereof.

보호막(PASSI)은 TFT의 드레인전극 일부, 데이터 패드(DP)의 일부, 게이트 패드(GP)의 일부를 노출시키는 콘택홀들을 포함하고 TFT와 신호배선들을 덮도록 하부 유리기판(GLSL)에 형성된다. 게이트 패드(GP)를 노출하기 위한 콘택홀은 보호막(PASSI)과 게이트 절연막(GI)을 관통하여 게이트 패드(GP)를 노출한다. 보호막 물질은 게이트 절연막 물질과 같은 무기 절연 물질이나 아크릴 등과 같은 유기 절연 물질을 포함한다. 화소전극(PXL)은 보호막(PASSI)를 관통하는 콘택홀(CTH)을 통해 TFT의 드레인 전극(DE)에 접속횐다. 데이터 패드 보호 전극(도시하지 않음)은 보호막(PASSI)을 관통하는 콘택홀(도시하지 않음)을 통해 데이터 패드(DP)에 접속된다. 게이트 패드 보호 전극(도시하지 않음)은 보호막(PASSI)을 관통하는 콘택홀(도시하지 않음)을 통해 게이트 패드(DP)에 접속된다. 화소전극(PXL), 데이터 패드 보호 전극, 및 게이트 패드 보호 전극은 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide : ITO), 틴 옥사이드(Tin Oxide : TO), 인듐 징크 옥사이드(Indium Zinc Oxide : IZO), 인듐 틴 징크 옥사이드(Indium Tin Zinc Oxide : ITZO) 등의 투명 도전 재료로 형성된다. The passivation layer PASSI includes contact holes exposing a part of the drain electrode of the TFT, a part of the data pad DP, and a part of the gate pad GP, and is formed on the lower glass substrate GLSL to cover the TFT and the signal wirings. . The contact hole for exposing the gate pad GP passes through the passivation layer PASSI and the gate insulating layer GI to expose the gate pad GP. The protective film material includes an inorganic insulating material such as a gate insulating material or an organic insulating material such as acrylic. The pixel electrode PXL is connected to the drain electrode DE of the TFT through the contact hole CTH penetrating the passivation film PASSI. The data pad protection electrode (not shown) is connected to the data pad DP through a contact hole (not shown) passing through the passivation layer PASSI. The gate pad protection electrode (not shown) is connected to the gate pad DP through a contact hole (not shown) passing through the passivation layer PASSI. The pixel electrode PXL, the data pad protection electrode, and the gate pad protection electrode include indium tin oxide (ITO), tin oxide (TO), indium zinc oxide (IZO), and indium tin. It is formed of a transparent conductive material such as indium tin zinc oxide (ITZO).

도 7은 패널들(100A~100F)의 절단선을 보여 주는 평면도이다. 7 is a plan view showing cut lines of panels 100A to 100F.

도 7을 참조하면, 패널들(100A~100F) 각각은 TFT 어레이 기판(TFTA)과 컬러필터 어레이 기판(CFA)이 실런트로 접합된 상태에서 레이저나 다이아몬드 커터로 선 "A-A'" 및/또는 선 "B-B'"을 따라 절단된다. 여기서, TFT 어레이 기판(TFTA)은 신호배선들(DL, GL)이 노출될 수 있도록 커팅 공정에서 컬러필터 어레이 기판(CFA)보다 더 크게 절된다. 패널들(100A~100F) 각각읜 단턱진 절단면에서 액정의 누출이 방지되도록 실런트 재 도포공정에서 패널 절단면에 별도의 실런트가 도포된 후에 실런트 경화 공정에서 절단면에 도포된 실런트가 경화된다. Referring to FIG. 7, each of the panels 100A to 100F has a line "A-A '" and / or a laser or diamond cutter in a state where the TFT array substrate TFTA and the color filter array substrate CFA are bonded by sealant. Or is cut along the line "B-B '". Here, the TFT array substrate TFTA is larger than the color filter array substrate CFA in the cutting process so that the signal lines DL and GL are exposed. Each of the panels 100A to 100F has a separate sealant applied to the panel cut surface in the sealant reapplication process so as to prevent leakage of liquid crystal from the stepped cut surface, and the sealant applied to the cut surface in the sealant curing process is cured.

절단선 "A-A'" 및/또는 선 "B-B'"는 데이터의 손실을 방지하기 위하여, IC들(10, 20)의 한 뱅크(Bank) 단위로 절단되어야 한다. 다시 말하여, IC의 출력 채널들과 연결되는 데이터라인이나 게이트라인이 커팅 공정에서 절단되지 않는 것이 좋다. Cut lines "A-A '" and / or lines "B-B'" should be cut in units of one bank of ICs 10 and 20 to prevent loss of data. In other words, data lines or gate lines connected to the output channels of the IC are not cut in the cutting process.

단위 패널들(100A~100F)이 커팅 공정, 실런트 재도포 공정, 실런트 경화 공정을 거쳐 패널 절단면 재가공이 완료된 후에, 절단면에서 TFT 어레이 기판(TFTA)의 신호배선들(DL, GL)이 노출되도록 그 위의 박막층을 제거하는 식각 공정이 실시된다. 식각 공정은 절단면에서 TFT 어레이 기판(TFTA)에 형성된 데이터라인(DL)을 노출하기 위하여, 절단면에서 노출된 데이터라인 영역에서 보호막(PASSI)을 습식/건식 식각한다. 또한, 식각 공정은 절단면에서 TFT 어레이 기판(TFTA)에 형성된 게이트라인(GL)을 노출하기 위하여, 절단면에서 노출된 게이트라인 영역에서 보호막(PASSI), 소스/드레인 금속, 게이트 절연막(GI) 등을 습식/건식 식각한다. The unit panels 100A to 100F are subjected to a cutting process, a sealant reapplication process, and a sealant curing process to complete the panel cutting surface rework, so that the signal wirings DL and GL of the TFT array substrate TFTA are exposed at the cutting surface. An etching process is performed to remove the thin film layer. In the etching process, the passivation layer PASSI is wet / dry etched in the data line region exposed at the cutting surface to expose the data line DL formed on the TFT array substrate TFTA at the cutting surface. In addition, in the etching process, a passivation layer PASSI, a source / drain metal, a gate insulating layer GI, and the like are exposed in the gate line region exposed at the cutting surface to expose the gate line GL formed on the TFT array substrate TFTA at the cutting surface. Wet / dry etch.

도 8은 접합면(30)에서 패널들(100A~100F) 간의 신호배선 연결을 보여 주는 사시도이다. 8 is a perspective view illustrating a signal wiring connection between the panels 100A to 100F in the bonding surface 30.

도 8을 참조하면, 본 발명의 패널 접합 공정은 제1 패널(100A)의 TFT 어레이 기판(TFTA)에 노출된 신호배선들(DL, GL) 상에 이방성 도전 필름(ACF)을 정렬한다. Referring to FIG. 8, the panel bonding process of the present invention aligns the anisotropic conductive film ACF on the signal lines DL and GL exposed to the TFT array substrate TFTA of the first panel 100A.

이어서, 본 발명의 패널 접합 공정은 제1 패널(100A)의 TFT 어레이 기판(TFTA)의 접합면(30)에서 노출된 신호배선들(DL, GL)과, 제2 패널(100B)의 TFT 어레이 기판(TFTA)의 접합면(30)에서 노출된 신호배선들(DL, GL)이 서로 마주 보도록 제2 패널(100B)을 뒤집어 제2 패널(100B)의 접합면(30)을 제1 패널(100A)의 접합면(30)과 정렬시킨다. 이 접합 공정에서 이웃하는 패널들(100A~100F)은 접합과 동시에 신호배선들(DL, GL)이 전기적으로 연결된다. Subsequently, in the panel bonding process of the present invention, the signal wirings DL and GL exposed on the bonding surface 30 of the TFT array substrate TFTA of the first panel 100A and the TFT array of the second panel 100B are exposed. The second panel 100B is turned upside down so that the signal lines DL and GL exposed at the bonding surface 30 of the substrate TFTA face each other, and the bonding surface 30 of the second panel 100B is turned over to the first panel. It is aligned with the joining surface 30 of 100A. In this bonding process, the neighboring panels 100A to 100F are electrically connected to signal wires DL and GL at the same time as the bonding.

이어서, 본 발명의 패널 접합 공정은 TAB 본딩 장비를 이용하여 패널들(100A, 100B) 간의 접합면에 적당한 방법으로 열과 압력을 가함과 동시에 접합면에서 대향하는 기판들을 접합한다. 이 때, 유리기판의 낮은 열 전달 특성을 개선하기 위하여, 할로겐 램프(Halogen Lamp)나 근적외선 램프 등의 적외선 광원을 접합면에 조사할 수 있다. Subsequently, the panel bonding process of the present invention uses TAB bonding equipment to bond the substrates facing each other at the same time while applying heat and pressure to the bonding surfaces between the panels 100A and 100B in a suitable manner. In this case, in order to improve low heat transfer characteristics of the glass substrate, an infrared light source such as a halogen lamp or a near infrared lamp may be irradiated to the bonding surface.

이방성 도전 필름(ACF) 대신에, 도전볼을 사용하여 패널들의 신호배선을 전기적으로 연결할 수도 있다. 이 경우에, 식각 공정은 접합면 전체에 걸쳐 절연막을 식각하지 않고 신호 배선들을 부분적으로 노출시키는 식각을 진행하고 식각된 부분에 도전볼을 정렬한다.Instead of an anisotropic conductive film (ACF), conductive balls may be used to electrically connect the signal wiring of the panels. In this case, the etching process performs etching to partially expose the signal wires without etching the insulating film over the entire bonding surface and aligns the conductive balls with the etched portions.

신호 전달 특성을 개선하기 위하여, 패널들 각각에 부찰되었던 IC들(10, 20)과는 별도로 IC들(10, 20)을 추가로 패널에 접합하여 도 1과 같이 대화면 표시장치의 양측에 IC들(10, 20)이 연결될 수 있다. In order to improve the signal transfer characteristics, the ICs 10 and 20 are further bonded to the panel separately from the ICs 10 and 20 that have been projected on each of the panels, thereby providing ICs on both sides of the large-screen display as shown in FIG. 10 and 20 may be connected.

한편, 편광판은 패널의 절단 전에 필요 크기만 남기고 절단 하여 후속 공정을 진행 할 수도 있고, 커팅 공정 전에 편광판을 제거한 후에 강화유리(40)에 편광판을 부착할 수도 있다.
On the other hand, the polarizing plate may be cut to leave only the required size before cutting the panel to proceed to the subsequent process, and may be attached to the tempered glass 40 after removing the polarizing plate before the cutting process.

10, 20 : IC 30 : 접합면
40 : 강화유리 100A~100B : 표시장치의 패널
10, 20: IC 30: junction surface
40: tempered glass 100A ~ 100B: panel of display device

Claims (6)

각각 신호배선들을 포함한 TFT 어레이 기판과, 컬러필터를 포함한 컬러필터 어레이 기판을 포함하고 단차진 접합면을 통해 서로 접합된 다수의 패널들;
상기 패널들에 연결되어 상기 신호배선들을 구동하는 다수의 IC들; 및
상기 접합된 패널들의 화소 구성에 맞도록 입력 영상신호를 분배하는 신호 재분배 회로를 구비하고,
상기 패널들의 접합면 각각은 상기 TFT 어레이 기판이 상기 컬러필터 어레이 기판 보다 돌출되도록 단턱면으로 형성되며,
이웃하는 상기 패널들의 TFT 어레이 기판과 컬러필터 어레이 기판은 동일 평면 상에서 교차 배열되는 것을 특징으로 하는 타일링 기술을 이용한 대화면 표시장치.
A plurality of panels each including a TFT array substrate including signal wiring lines and a color filter array substrate including color filters and bonded to each other through a stepped bonding surface;
A plurality of ICs connected to the panels to drive the signal wires; And
A signal redistribution circuit for distributing an input video signal to match the pixel configuration of the laminated panels;
Each of the bonding surfaces of the panels is formed as a step surface such that the TFT array substrate protrudes from the color filter array substrate.
And a TFT array substrate and a color filter array substrate of neighboring panels are alternately arranged on the same plane.
제 1 항에 있어서,
상기 패널들은,
LCD와 OLED 중 어느 하나의 표시패널을 포함하는 것을 특징으로 하는 타일링 기술을 이용한 대화면 표시장치.
The method of claim 1,
The panels,
A large screen display using tiling technology, characterized in that it comprises a display panel of any one of LCD and OLED.
제 1 항에 있어서,
상기 패널들은,
제1 TFT 어레이 기판과 제1 컬러필터 어레이 기판을 포함하는 제1 패널; 및
제2 TFT 어레이 기판과 제2 컬러필터 어레이 기판을 포함하는 제2 패널을 구비하며,
상기 제1 TFT 어레이 기판과 상기 제2 컬러필터 어레이 기판은 동일 평면 상에서 배열되고, 상기 제1 컬러필터 어레이 기판과 상기 제2 TFT 어레이 기판은 동일 평면 상에서 배열되며,
상기 접합면에서 상기 제1 TFT 어레이 기판의 신호배선들은 이방성 도전 필름과 도전볼 중 어느 하나를 통해 뒤집어진 상기 제2 TFT 어레이 기판의 신호배선들과 일치시켜 접합시킴으로써 전기적으로 연결되고,
상기 접합면의 폭은 0.5mm ~ 10mm 사이인 것을 특징으로 하는 타일링 기술을 이용한 대화면 표시장치.
The method of claim 1,
The panels,
A first panel including a first TFT array substrate and a first color filter array substrate; And
A second panel including a second TFT array substrate and a second color filter array substrate;
The first TFT array substrate and the second color filter array substrate are arranged on the same plane, the first color filter array substrate and the second TFT array substrate are arranged on the same plane,
Signal wirings of the first TFT array substrate at the bonding surface are electrically connected to each other by joining the signal wirings of the second TFT array substrate inverted through one of the anisotropic conductive film and the conductive ball, and bonding the same.
The width of the bonding surface is a large screen display device using a tiling technology, characterized in that between 0.5mm ~ 10mm.
제 1 항에 있어서,
상기 패널들의 기계적인 강도를 보강하기 위하여 상기 패널들에 접합되는 강화 유리; 및
상기 패널들에 빛을 조사하는 다수의 백라이트 유닛을 더 구비하고,
상기 강화 유리는 강화유리 단독으로 사용되거나 거울을 포함하는 강화 유리가 사용되는 것을 특징으로 하는 타일링 기술을 이용한 대화면 표시장치.
The method of claim 1,
Tempered glass bonded to the panels to reinforce the mechanical strength of the panels; And
Further comprising a plurality of backlight unit for irradiating light to the panels,
The tempered glass is a large display device using a tiling technology, characterized in that the tempered glass is used alone or a tempered glass including a mirror is used.
각각 신호배선들을 포함한 TFT 어레이 기판, 컬러필터를 포함한 컬러필터 어레이 기판, 및 상기 신호배선들을 구동하는 다수의 IC들을 포함하는 다수의 패널들을 커팅하여 상기 패널들의 측면에 단차진 절단면을 형성하는 단계; 및
상기 패널들의 단차진 절단면들이 마주보도록 접합하여 이웃하는 상기 패널들을 접합함과 동시에 상기 이웃하는 패널들의 신호배선들을 전기적으로 연결하는 단계를 포함하고,
상기 패널들의 접합면 각각은 상기 TFT 어레이 기판이 상기 컬러필터 어레이 기판 보다 돌출되도록 단턱면으로 형성되며,
상기 이웃하는 패널들의 상기 TFT 어레이 기판과 상기 컬러필터 어레이 기판은 동일 평면 상에서 교차 배열되는 것을 특징으로 하는 타일링 기술을 이용한 대화면 표시장치의 제조 방법.
Cutting a plurality of panels each including a TFT array substrate including signal wirings, a color filter array substrate including color filters, and a plurality of ICs driving the signal wirings to form stepped cut surfaces on the sides of the panels; And
Bonding the stepped cut surfaces of the panels to face each other to bond neighboring panels and to electrically connect signal wirings of the neighboring panels;
Each of the bonding surfaces of the panels is formed as a step surface such that the TFT array substrate protrudes from the color filter array substrate.
And the TFT array substrate and the color filter array substrate of the neighboring panels are alternately arranged on the same plane.
제 1 항에 있어서,
상기 패널들은,
제1 TFT 어레이 기판과 제1 컬러필터 어레이 기판을 포함하는 제1 패널; 및
제2 TFT 어레이 기판과 제2 컬러필터 어레이 기판을 포함하는 제2 패널을 구비하며,
상기 제1 TFT 어레이 기판과 상기 제2 컬러필터 어레이 기판은 동일 평면 상에서 배열되고, 상기 제1 컬러필터 어레이 기판과 상기 제2 TFT 어레이 기판은 동일 평면 상에서 배열되며,
상기 접합면에서 상기 제1 TFT 어레이 기판의 신호배선들은 이방성 도전 필름과 도전볼 중 어느 하나를 통해 뒤집어진 상기 제2 TFT 어레이 기판의 신호배선들과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 타일링 기술을 이용한 대화면 표시장치의 제조 방법.
The method of claim 1,
The panels,
A first panel including a first TFT array substrate and a first color filter array substrate; And
A second panel including a second TFT array substrate and a second color filter array substrate;
The first TFT array substrate and the second color filter array substrate are arranged on the same plane, the first color filter array substrate and the second TFT array substrate are arranged on the same plane,
Signal wirings of the first TFT array substrate at the bonding surface are electrically connected to signal wires of the second TFT array substrate which are inverted through any one of an anisotropic conductive film and a conductive ball. Method of manufacturing a large screen display device.
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