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KR20110066235A - Adhesive composition and the circuit connection material using the same, the connection method of a circuit member, and a circuit connection body - Google Patents

Adhesive composition and the circuit connection material using the same, the connection method of a circuit member, and a circuit connection body Download PDF

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KR20110066235A
KR20110066235A KR1020117012448A KR20117012448A KR20110066235A KR 20110066235 A KR20110066235 A KR 20110066235A KR 1020117012448 A KR1020117012448 A KR 1020117012448A KR 20117012448 A KR20117012448 A KR 20117012448A KR 20110066235 A KR20110066235 A KR 20110066235A
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KR
South Korea
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circuit
adhesive composition
adhesive
connection
degreec
Prior art date
Application number
KR1020117012448A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101376002B1 (en
Inventor
마사루 다나까
Original Assignee
히다치 가세고교 가부시끼가이샤
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Publication date
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Abstract

본 발명의 접착제 조성물은 회로 부재끼리를 접착함과 동시에 각각의 회로 부재가 갖는 회로 전극끼리를 전기적으로 접속하기 위해서 이용되는 것으로서, 에폭시 수지, 에폭시 수지 경화제, 및 가교 구조를 갖고, 중량 평균 분자량이 30000 내지 80000인 아크릴계 공중합체를 포함하는 접착제 성분을 함유한다. Adhesive composition of this invention is used in order to adhere | attach circuit members and to electrically connect the circuit electrodes which each circuit member has, and has an epoxy resin, an epoxy resin hardening | curing agent, and a crosslinked structure, and a weight average molecular weight It contains the adhesive component containing the acrylic copolymer which is 30000-80000.

Description

접착제 조성물 및 이것을 이용한 회로 접속 재료, 및 회로 부재의 접속 방법 및 회로 접속체{ADHESIVE COMPOSITION, CIRCUIT CONNECTING MATERIAL USING THE SAME, METHOD FOR CONNECTING CIRCUIT MEMBERS, AND CIRCUIT CONNECTION STRUCTURE}Adhesive composition, the circuit connection material using this, the connection method of a circuit member, and a circuit connection body TECHNICAL FIELD [ADHESIVE COMPOSITION, CIRCUIT CONNECTING MATERIAL USING THE SAME, METHOD FOR CONNECTING CIRCUIT MEMBERS, AND CIRCUIT CONNECTION STRUCTURE}

본 발명은 접착제 조성물 및 이것을 이용한 회로 접속 재료, 및 회로 부재의 접속 방법 및 이것에 의해서 얻어지는 회로 접속체에 관한 것이다.  This invention relates to an adhesive composition, the circuit connection material using the same, the connection method of a circuit member, and the circuit connection body obtained by this.

액정 표시 디스플레이용의 유리 패널에 액정 구동용 IC를 실장하는 방법으로서, 칩-온-글래스(CHIP-ON-GLASS) 실장(이하, 「COG 실장」이라고 함)이 널리 이용되고 있다.  COG 실장은 액정 구동용 IC를 직접 유리 패널 상에 접합하는 방법이다.  As a method of mounting a liquid crystal drive IC on a glass panel for liquid crystal display displays, chip-on-glass (CHIP-ON-GLASS) mounting (hereinafter referred to as "COG mounting") is widely used. COG mounting is a method of bonding a liquid crystal drive IC directly onto a glass panel.

상기 COG 실장에 있어서는, 일반적으로 회로 접속 재료로서 이방 도전성을 갖는 접착제 조성물이 이용된다.  이 접착제 조성물은 접착제 성분과, 필요에 따라서 배합되는 도전 입자를 함유한다.  이러한 접착제 조성물로 이루어지는 회로 접속 재료를 유리 패널 상의 전극이 형성된 부분에 배치하고, 그 위에 IC, LSI 등의 반도체 소자나 패키지 등을 압착함으로써, 마주 대하는 전극끼리의 도통 상태를 유지하고, 인접하는 전극끼리의 절연을 유지하도록 전기적 접속과 기계적 고착을 행한다.  In the said COG mounting, the adhesive composition which has anisotropic conductivity is generally used as a circuit connection material. This adhesive composition contains an adhesive component and the electrically-conductive particle mix | blended as needed. The circuit connection material which consists of such an adhesive composition is arrange | positioned in the part in which the electrode on a glass panel was formed, and crimping | bonding a semiconductor element, a package, etc., such as IC and LSI, on it, hold | maintain the conduction state of the facing electrodes, and adjoining electrodes Electrical connections and mechanical fastenings are made to maintain the insulation between them.

그런데, 접착제 조성물의 접착제 성분으로서, 이전부터 에폭시 수지 및 이미다졸계 경화제의 조합이 이용되고 있다.  이들 성분이 배합된 접착제 조성물에 있어서는, 통상, 온도 200℃를 5초 정도 유지함으로써 에폭시 수지를 경화시켜 IC칩의 COG 실장을 행한다.  By the way, the combination of an epoxy resin and an imidazole series hardening | curing agent is used previously as an adhesive component of an adhesive composition. In the adhesive composition which these components were mix | blended, an epoxy resin is hardened | cured normally by maintaining temperature 200 degreeC about 5 second, and COG mounting of IC chip is performed.

그러나, 최근 들어, 액정 패널의 대형화 및 박두께화가 진전함에 수반하여, 종래의 접착제 조성물을 이용하여 상기 온도 조건으로 COG 실장을 행하면, 가열 시의 온도차에 의한 열팽창 및 수축차에 의해서 내부 응력이 생겨, IC칩이나 유리 패널에 휘어짐이 발생한다는 문제가 있다.  However, in recent years, as the liquid crystal panel has been enlarged and thinned, COG mounting under the above-described temperature conditions using conventional adhesive compositions results in internal stress due to thermal expansion and shrinkage due to temperature differences during heating. There is a problem that warpage occurs in the IC chip or the glass panel.

회로 부재에 생기는 휘어짐을 감소시키는 수단으로서, 특허 문헌 1에는 에폭시 수지의 경화제로서 술포늄염으로 이루어지는 잠재성 경화제를 함유하는 회로 접속용 접착 필름이 기재되어 있다.  이 접착 필름을 사용함으로써 실장 시의 가열 온도를 160℃ 이하까지 저온화할 수 있어, 회로 부재의 회로 접속체에 생기는 내부 응력을 감소시킬 수 있는 취지가 기재되어 있다(특허 문헌 1의 단락[0019]을  참조). As a means of reducing the warpage which arises in a circuit member, patent document 1 describes the adhesive film for circuit connections containing the latent hardening agent which consists of a sulfonium salt as a hardening | curing agent of an epoxy resin. By using this adhesive film, the heating temperature at the time of mounting can be lowered to 160 degrees C or less, and the effect which can reduce the internal stress which arises in the circuit connection body of a circuit member is described (paragraph of patent document 1). ).

특허 문헌 1: 일본 특허 공개 제2004-221312호 공보Patent Document 1: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-221312

그러나, 특허 문헌 1에 기재된 접착 필름은 가열 온도의 저온화 면에서는 우수한 효과를 발휘하지만, 특수한 잠재성 경화제를 사용하고 있기 때문에 가용 시간이 비교적 짧다는 과제가 있었다.  그 때문에, 이 접착 필름은 종래의 이미다졸계 경화제가 배합된 것과 비교하여 그 용도가 한정되어 있는 것이 현실이다.  However, although the adhesive film of patent document 1 exhibits the outstanding effect in the low temperature of heating temperature, since the special latent hardening | curing agent is used, there existed a subject that the pot life was comparatively short. Therefore, the use of this adhesive film is limited compared with the conventional imidazole series curing agent blended.

본 발명은 이러한 실정을 감안하여 이루어진 것으로서, 200℃ 정도의 고온 조건에서 회로 부재끼리의 접속을 행한 경우에도 회로 부재의 휘어짐을 충분히 억제할 수 있는 접착제 조성물 및 이것을 이용한 회로 접속 재료를 제공하는 것을 목적으로 한다.  This invention is made | formed in view of such a situation, and it aims at providing the adhesive composition which can fully suppress the curvature of a circuit member, and the circuit connection material using the same, even when the circuit members are connected in the high temperature conditions of about 200 degreeC. It is done.

또한, 본 발명은 낮은 접속 저항으로 회로 부재가 접속된 회로 접속체, 및 이것을 얻기 위한 회로 부재의 접속 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.  Moreover, an object of this invention is to provide the circuit connection body with which the circuit member was connected by low connection resistance, and the connection method of the circuit member for obtaining this.

본 발명의 접착제 조성물은 회로 부재끼리를 접착함과 동시에 각각의 회로 부재가 갖는 회로 전극끼리를 전기적으로 접속하기 위해서 이용되는 것으로서, 에폭시 수지와, 에폭시 수지 경화제와, 가교 구조를 갖고, 중량 평균 분자량이 30000 내지 80000인 아크릴계 공중합체를 함유한다.  여기서, 아크릴계 공중합체의 중량 평균 분자량은 겔 투과 크로마토그래피법에 의해 측정되고, 표준 폴리스티렌을 이용하여 제조한 검량선에 기초하여 환산하여 얻어지는 값으로 한다.  The adhesive composition of this invention is used in order to adhere | attach circuit members and to electrically connect the circuit electrodes which each circuit member has, and has an epoxy resin, an epoxy resin hardener, and a crosslinked structure, and has a weight average molecular weight The acrylic copolymer containing this 30000-80000 is contained. Here, the weight average molecular weight of an acryl-type copolymer is measured by the gel permeation chromatography method, and sets it as the value obtained by conversion based on the analytical curve manufactured using standard polystyrene.

본 발명의 접착제 조성물에 있어서는, 상기 아크릴계 공중합체가 응력 완화제의 역할을 한다.  그 때문에 에폭시 수지의 경화제로서 마이크로 캡슐형이나 아닥트형 잠재성 경화제 등의 이미다졸계 경화제를 사용하여, 200℃ 정도에서 경화 처리를 행한 경우에도 내부 응력을 효과적으로 완화할 수가 있어, 회로 부재의 휘어짐을 충분히 억제할 수 있다.  In the adhesive composition of the present invention, the acrylic copolymer serves as a stress relaxer. Therefore, even when hardening treatment is carried out at about 200 degreeC using imidazole series hardening | curing agents, such as a microcapsule type and an adduct type latent hardening | curing agent, as a hardening | curing agent of an epoxy resin, internal stress can be effectively alleviated and the circuit member bends, Can be sufficiently suppressed.

본 발명의 접착제 조성물은 도전 입자를 더 함유하는 것이 바람직하다.  접착제 성분 중에 도전 입자가 분산된 접착제 조성물에 의하면, 우수한 접속 신뢰성을 갖는 회로 접속체를 제조할 수 있다.  It is preferable that the adhesive composition of this invention contains a conductive particle further. According to the adhesive composition in which electroconductive particle was disperse | distributed in the adhesive component, the circuit connection body which has the outstanding connection reliability can be manufactured.

상기 아크릴계 공중합체의 유리 전이 온도는 -40 내지 40℃인 것이 바람직하다.  아크릴계 공중합체의 유리 전이 온도가 상기 범위 내이면 적절한 태크성을 갖는 접착제 조성물이 얻어진다.  또한, 접착제 조성물의 경화물의 유리 전이 온도는 접속부의 접속 신뢰성 측면에서 100 내지 150℃인 것이 바람직하다.  It is preferable that the glass transition temperature of the said acryl-type copolymer is -40-40 degreeC. If the glass transition temperature of an acryl-type copolymer is in the said range, the adhesive composition which has appropriate tagability will be obtained. Moreover, it is preferable that the glass transition temperature of the hardened | cured material of an adhesive composition is 100-150 degreeC from a connection reliability point of a connection part.

또한, 상기 아크릴계 공중합체는 원료에 포함되는 단량체 성분을 공중합시킴으로써 얻어진 것이며, 해당 원료에 포함되는 단량체 성분 100 질량부에 대한 글리시딜아크릴레이트 및 글리시딜메타크릴레이트의 합계량이 1 내지 7 질량부인 것이 바람직하다.  상기 범위에서 글리시딜아크릴레이트 및/또는 글리시딜메타크릴레이트를 함유하는 원료로 제조한 아크릴계 공중합체를 접착제 조성물에 배합함으로써 우수한 응력 완화성을 달성할 수 있어 회로 부재의 휘어짐을 보다 충분히 억제할 수 있다.In addition, the said acryl-type copolymer is obtained by copolymerizing the monomer component contained in a raw material, and the total amount of glycidyl acrylate and glycidyl methacrylate with respect to 100 mass parts of monomer components contained in this raw material is 1-7 mass. It is desirable to disclaim. By blending an acrylic copolymer made of a raw material containing glycidyl acrylate and / or glycidyl methacrylate in the above-mentioned range into the adhesive composition, excellent stress relaxation can be achieved, thereby further suppressing warpage of the circuit member. can do.

본 발명에 따른 접착제 조성물에 있어서는, 온도 200℃에서 1시간 가열하여 얻어지는 경화물은 -50℃에서의 저장 탄성률이 2.0 내지 3.0 GPa이고, 100℃에서의 저장 탄성률이 1.0 내지 2.0 GPa임과 동시에, -50 내지 100℃의 범위에서의 저장 탄성률의 최대값과 최소값의 차가 2.0 GPa 이하인 것이 바람직하다.  이러한 조건을 만족시키는 접착제 조성물의 경화물에 따르면, 폭넓은 온도 범위에서 저장 탄성률의 저하를 억제할 수 있고, 이 접착제 조성물을 회로 부재끼리의 접속에 이용하면 우수한 접속 신뢰성을 갖는 회로 접속체를 제조할 수 있다.  In the adhesive composition according to the present invention, the cured product obtained by heating at a temperature of 200 ° C for 1 hour has a storage modulus at -50 ° C of 2.0 to 3.0 GPa, and a storage modulus at 100 ° C of 1.0 to 2.0 GPa, It is preferable that the difference between the maximum value and the minimum value of the storage modulus in the range of -50 to 100 ° C is 2.0 GPa or less. According to the hardened | cured material of the adhesive composition which satisfy | fills these conditions, the fall of storage elastic modulus can be suppressed in a wide temperature range, and when this adhesive composition is used for connection of circuit members, the circuit connection body which has the outstanding connection reliability is manufactured. can do.

본 발명의 회로 접속 재료는 필름상의 기재와, 본 발명에 따른 상기 접착제 조성물로 이루어지며, 기재의 한쪽면 상에 설치된 접착제층을 갖는다.  이러한 구성의 회로 접속 재료에 따르면, 회로 부재 상에 접착제층을 용이하게 배치할 수 있어, 작업 효율을 향상할 수 있다.  또한, 회로 접속 재료를 사용하는 경우에는, 필름상의 기재는 적절하게 박리된다.  The circuit connection material of this invention consists of a film-form base material and the said adhesive composition which concerns on this invention, and has an adhesive bond layer provided on one side of a base material. According to the circuit connection material of such a structure, an adhesive bond layer can be arrange | positioned easily on a circuit member, and work efficiency can be improved. In addition, when using a circuit connection material, a film-form base material peels suitably.

본 발명의 회로 접속체는 대향 배치된 한쌍의 회로 부재와, 본 발명에 따른 상기 접착제 조성물의 경화물로 이루어지며, 한쌍의 회로 부재의 사이에 개재되어 각각의 회로 부재가 갖는 회로 전극끼리가 전기적으로 접속되도록 해당 회로 부재끼리를 접착하는 접속부를 구비한다.  The circuit connection body of this invention consists of a pair of circuit member arrange | positioned opposingly, and the hardened | cured material of the said adhesive composition concerning this invention, the circuit electrodes which each circuit member has between the pair of circuit members, and are electrically connected The connection part which adhere | attaches the said circuit member so that it may be connected to is provided.

본 발명의 회로 접속체에 있어서는, 한쌍의 회로 부재 중의 적어도 한쪽이 IC칩일 수도 있다.  또한, 상기 회로 접속체에 있어서는, 한쌍의 회로 부재가 각각 갖는 회로 전극의 적어도 한쪽의 표면이 금, 은, 주석, 루테늄, 로듐, 팔라듐, 오스뮴, 이리듐, 백금 및 인듐주석 산화물로부터 선택되는 적어도 1종으로 구성되어 있을 수도 있다.  In the circuit connecting body of the present invention, at least one of the pair of circuit members may be an IC chip. In the circuit connecting body, at least one surface of each of the circuit electrodes of the pair of circuit members is at least one selected from gold, silver, tin, ruthenium, rhodium, palladium, osmium, iridium, platinum, and indium tin oxide. It may also consist of species.

또한, 본 발명의 회로 접속체에 있어서는, 접속부에 접촉하고 있는 한쌍의 회로 부재의 접촉면의 적어도 한쪽이 질화규소, 실리콘 화합물 및 폴리이미드 수지로부터 선택되는 적어도 1종 이상의 소재에 의해서 구성되는 부분을 가질 수도 있다. In the circuit connecting body of the present invention, at least one of the contact surfaces of the pair of circuit members in contact with the connecting portion may have a portion formed of at least one or more kinds of materials selected from silicon nitride, a silicon compound, and a polyimide resin. have.

본 발명의 회로 부재의 접속 방법은 대향 배치된 한쌍의 회로 부재의 사이에 본 발명에 따른 상기 접착제 조성물을 개재시키고, 전체를 가열 및 가압하여, 접착제 조성물의 경화물로 이루어지며, 한쌍의 회로 부재의 사이에 개재되어 각각의 회로 부재가 갖는 회로 전극끼리가 전기적으로 접속되도록 회로 부재끼리를 접착하는 접속부를 형성함으로써 한쌍의 회로 부재 및 접속부를 구비하는 회로 접속체를 얻는 것이다.The connection method of the circuit member of this invention consists of the hardened | cured material of an adhesive composition by interposing the said adhesive composition concerning this invention between the pair of circuit members arrange | positioned opposingly, heating and pressurizing, and a pair of circuit members The circuit connection body provided with a pair of circuit member and a connection part is formed by forming the connection part which adhere | attaches circuit members so that the circuit electrodes which each circuit member has between may be electrically connected between them.

본 발명에 따르면, 200℃ 정도의 고온 조건에서 회로 부재끼리의 접속을 행한 경우에도 회로 부재의 휘어짐을 충분히 억제할 수 있다.  According to the present invention, even when the circuit members are connected to each other under high temperature conditions of about 200 ° C, the warpage of the circuit members can be sufficiently suppressed.

도 1은 본 발명에 따른 회로 접속 재료의 일 실시 형태를 도시하는 단면도이다. 
도 2는 본 발명에 따른 회로 접속 재료가 회로 전극 사이에서 사용되어, 회로 전극끼리가 접속된 상태를 도시하는 단면도이다. 
도 3은 본 발명에 따른 회로 부재의 접속 방법의 일 실시 형태를 개략단면도에 의해 도시하는 공정도이다.
도 4는 도전 입자의 다른 형태를 도시하는 단면도이다. 
도 5는 본 발명에 따른 회로 접속 재료의 다른 실시 형태를 도시하는 단면도이다. 
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is sectional drawing which shows one Embodiment of the circuit connection material which concerns on this invention.
2 is a cross-sectional view showing a state in which a circuit connection material according to the present invention is used between circuit electrodes and the circuit electrodes are connected to each other.
FIG. 3 is a process diagram showing, in a schematic cross-sectional view, one embodiment of a method for connecting a circuit member according to the present invention. FIG.
It is sectional drawing which shows the other form of electroconductive particle.
5 is a cross-sectional view showing another embodiment of the circuit connection material according to the present invention.

이하, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시 형태를 상세히 설명한다.  또한, 도면의 설명에 있어서 동일한 요소에는 동일한 부호를 붙이고, 중복하는 설명은 생략한다.  또한, 도면의 편의상, 도면의 치수 비율은 설명한 것과 반드시 일치하는 것은 아니다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, preferred embodiment of this invention is described in detail, referring an accompanying drawing. In addition, in description of drawing, the same code | symbol is attached | subjected to the same element, and the overlapping description is abbreviate | omitted. In addition, for the convenience of drawing, the dimension ratio of drawing does not necessarily correspond with what was described.

본 명세서에 있어서의 「(메트)아크릴레이트」란 「아크릴레이트」 및 그것에 대응하는 「메타크릴레이트」를 의미하며, 「(메트)아크릴산」이란 「아크릴산」 및 그것에 대응하는 「메타크릴산」을 의미한다.  "(Meth) acrylate" in this specification means "acrylate" and the "methacrylate" corresponding to it, and "(meth) acrylic acid" means "acrylic acid" and "methacrylic acid" corresponding thereto. it means.

<회로 접속 재료><Circuit connection material>

우선, 본 실시 형태에 따른 회로 접속 재료에 대해서 설명한다.  도 1은 본 실시 형태에 따른 회로 접속 재료 (5)를 도시하는 단면도이다.  회로 접속 재료 (5)는 필름상의 기재 (6)과, 기재 (6)의 한쪽면 상에 설치된 접착제층 (8)을 구비한다.  접착제층 (8)은 (a) 에폭시 수지, (b) 에폭시 수지 경화제, 및 (c) 아크릴계 공중합체를 포함하는 접착제 성분 (9)와, 접착제 성분 (9) 중에 분산된 도전 입자 (10A)를 함유하는 접착제 조성물을 포함한다.First, the circuit connection material which concerns on this embodiment is demonstrated. 1 is a cross-sectional view showing the circuit connection material 5 according to the present embodiment. The circuit connection material 5 is equipped with the film-form base material 6 and the adhesive bond layer 8 provided on one side of the base material 6. The adhesive layer 8 comprises an adhesive component (9) containing (a) an epoxy resin, (b) an epoxy resin curing agent, and (c) an acrylic copolymer, and conductive particles 10A dispersed in the adhesive component (9). It contains the adhesive composition containing.

회로 접속 재료 (5)는 필름상의 기재 (6) 상에 도공 장치를 이용하여 접착제 조성물의 용액을 도포하고, 소정 시간 열풍 건조하여 접착제층 (8)을 형성함으로써 제조된다.  접착제 조성물로 이루어지는 접착제층 (8)을 형성함으로써, 예를 들면 접착제 조성물을 페이스트상인 채로 사용하는 경우와 비교하여, IC칩 등의 COG 실장 또는 COF 실장(칩-온-플렉스(CHIP-ON-FLEX) 실장)에 사용하는 경우에 작업 효율이 향상된다는 이점이 있다.  The circuit connection material 5 is manufactured by apply | coating the solution of an adhesive composition on a film-form base material 6 using a coating apparatus, hot-air drying for predetermined time, and forming the adhesive bond layer 8. By forming the adhesive layer 8 which consists of an adhesive composition, for example, compared with the case where an adhesive composition is used in paste form, COG mounting or COF mounting (chip-on-flex) of IC chips etc. In the case of use in a) implementation, the work efficiency is improved.

기재 (6)으로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에틸렌이소프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리올레핀, 폴리아세테이트, 폴리카르보네이트, 폴리페닐렌술피드, 폴리아미드, 에틸렌·아세트산비닐 공중합체, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 합성 고무계, 액정 중합체 등을 포함하는 각종 테이프를 사용하는 것이 가능하다.  무엇보다, 기재 (6)을 구성하는 재질은 이것에 한정되는 것은 아니다.  또한, 기재 (6)으로서, 접착제층 (8)과의 접촉면 등에 코로나 방전 처리, 앵커 코팅 처리, 대전 방지 처리 등이 실시된 것을 사용할 수도 있다.  As the base material 6, polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate, polyethylene isophthalate, polybutylene terephthalate, polyolefin, polyacetate, polycarbonate, polyphenylene sulfide, polyamide, ethylene vinyl acetate airborne It is possible to use various tapes including copolymer, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, synthetic rubber system, liquid crystal polymer and the like. Above all, the material constituting the base material 6 is not limited to this. In addition, as the base material 6, a surface having a corona discharge treatment, an anchor coating treatment, an antistatic treatment, or the like, on a contact surface with the adhesive layer 8 can be used.

또한, 회로 접속 재료 (5)를 사용할 때에, 접착제층 (8)로부터 기재 (6)을 용이하게 박리할 수 있도록, 기재 (6)의 표면에 박리 처리제를 코팅하여 사용할 수도 있다.  박리 처리제로서 실리콘 수지, 실리콘과 유기계 수지와의 공중합체, 알키드 수지, 아미노알키드 수지, 장쇄 알킬기를 갖는 수지, 플루오로알킬기를 갖는 수지, 세락 수지 등의 각종 박리 처리제를 사용할 수 있다.  In addition, when using the circuit connection material 5, you may coat and use a peeling treatment agent on the surface of the base material 6 so that the base material 6 may be easily peeled from the adhesive bond layer 8. As the peeling treatment agent, various peeling treatment agents such as a copolymer of a silicone resin, a silicone and an organic resin, an alkyd resin, an aminoalkyd resin, a resin having a long chain alkyl group, a resin having a fluoroalkyl group, and a cerac resin can be used.

기재 (6)의 두께는 특별히 제한되는 것은 아니지만, 회로 접속 재료 (5)의 보관, 사용 시의 편리성 등을 고려하여, 4 내지 200 μm로 하는 것이 바람직하고, 또한 재료 비용이나 생산성을 고려하여, 15 내지 75 μm로 하는 것이 보다 바람직하다.  Although the thickness of the base material 6 is not specifically limited, It is preferable to set it as 4-200 micrometers in consideration of the storage of the circuit connection material 5, the convenience at the time of use, etc., and also in consideration of material cost and productivity. It is more preferable to set it as 15-75 micrometers.

접착제층 (8)의 두께는 접속하는 회로 부재의 형상 등에 따라서 적절하게 조정하면 되지만, 5 내지 50 μm인 것이 바람직하다.  접착제층 (8)의 두께가 5 μm 미만이면 회로 부재 사이에 충전되는 접착제 조성물의 양이 불충분해지는 경향이 있다.  다른 한편, 50 μm를 초과하면, 접속하여야 할 회로 전극 사이의 도통의 확보가 곤란해지는 경향이 있다.Although the thickness of the adhesive bond layer 8 may be adjusted suitably according to the shape of the circuit member to connect, etc., it is preferable that it is 5-50 micrometers. If the thickness of the adhesive layer 8 is less than 5 μm, the amount of the adhesive composition filled between the circuit members tends to be insufficient. On the other hand, when it exceeds 50 micrometers, it exists in the tendency which becomes difficult to ensure the conduction between the circuit electrodes to connect.

접착제층 (8)을 형성하는 접착제 조성물은 온도 200℃에서 1시간 가열하면 이하의 조건을 만족시키는 경화물이 되는 것이 바람직하다.  즉, 접착제 조성물의 경화물은 접속 신뢰성 측면에서 동적 점탄성 측정 장치로 측정되는 -50℃에서의 저장 탄성률이 2.0 내지 3.0 GPa이고, 100℃에서의 저장 탄성률이 1.0 내지 2.0 GPa인 것이 바람직하다.  또한, 해당 경화물의 -50 내지 100℃의 범위에서의 저장 탄성률의 최대값과 최소값의 차가 2.0 GPa 이하인 것이 바람직하다.  It is preferable that the adhesive composition which forms the adhesive bond layer 8 turns into hardened | cured material which satisfy | fills the following conditions, when it heats at the temperature of 200 degreeC for 1 hour. That is, it is preferable that the hardened | cured material of an adhesive composition is 2.0-3.0 GPa storage elastic modulus in -50 degreeC measured by the dynamic-viscoelasticity measuring apparatus from a viewpoint of connection reliability, and 1.0-2.0 GPa storage elastic modulus in 100 degreeC. Moreover, it is preferable that the difference of the maximum value and minimum value of the storage elastic modulus in the range of -50-100 degreeC of the said hardened | cured material is 2.0 GPa or less.

경화물의 저장 탄성률이 소정의 온도 조건에서 현저히 저하되는 접착제 조성물을 회로 접속 재료로서 이용한 경우, 회로 부재의 접속 신뢰성이 악화한다는 문제가 있지만, 상기한 바와 같이, -50 내지 100℃라는 폭넓은 온도 범위에서 저장 탄성률의 저하를 억제함으로써 우수한 접속 신뢰성을 갖는 회로 접속체를 제조할 수 있다.  또한, 접착제 조성물의 경화물의 유리 전이 온도는 접속부의 접속 신뢰성 측면에서 100 내지 150℃인 것이 바람직하고, 110 내지 140℃인 것이 보다 바람직하고, 110 내지 130℃인 것이 더욱 바람직하다.  When the adhesive composition whose storage elastic modulus of hardened | cured material falls significantly in predetermined | prescribed temperature conditions is used as a circuit connection material, there exists a problem that the connection reliability of a circuit member deteriorates, but as mentioned above, the wide temperature range of -50-100 degreeC By suppressing the fall of storage elastic modulus in the circuit, the circuit connection body which has the outstanding connection reliability can be manufactured. In addition, the glass transition temperature of the cured product of the adhesive composition is preferably 100 to 150 ° C, more preferably 110 to 140 ° C, and even more preferably 110 to 130 ° C from the viewpoint of connection reliability of the connecting portion.

본 실시 형태에 따른 접착제 조성물의 경화물이 저장 탄성률에 관한 우수한 특성을 달성할 수 있는 주요 요인은 접착제 성분 (9)가 (c) 아크릴 공중합체를 함유하고, 이 아크릴 공중합체가 응력 완화제로서 기능하기 때문이라고 추찰된다.  The main factor by which the cured product of the adhesive composition according to the present embodiment can achieve excellent properties regarding storage modulus is that the adhesive component (9) contains (c) an acrylic copolymer, and this acrylic copolymer functions as a stress relaxation agent. It is inferred that this is because

(접착제 성분)(Adhesive ingredient)

다음으로, 접착제 성분 (9)에 포함되는 (a) 에폭시 수지, (b) 에폭시 수지 경화제 및 (c) 아크릴계 공중합체에 대해서 설명한다.  Next, (a) epoxy resin, (b) epoxy resin hardening | curing agent, and (c) acrylic copolymer which are contained in adhesive agent component (9) are demonstrated.

(a) 에폭시 수지로서는, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀 A 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀 F 노볼락형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 히단토인형 에폭시 수지, 이소시아누레이트형 에폭시 수지, 지방족 쇄상 에폭시 수지 등을 들 수 있다.  이들 에폭시 수지는 할로겐화되어 있을 수도 있고, 수소 첨가되어 있을 수도 있다.  이들 에폭시 수지는 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.  (a) As an epoxy resin, bisphenol-A epoxy resin, bisphenol F-type epoxy resin, bisphenol S-type epoxy resin, phenol novolak-type epoxy resin, cresol novolak-type epoxy resin, bisphenol A novolak-type epoxy resin, bisphenol F furnace A ballac type epoxy resin, an alicyclic epoxy resin, a glycidyl ester type epoxy resin, a glycidyl amine type epoxy resin, a hydantoin type epoxy resin, an isocyanurate type epoxy resin, an aliphatic chain epoxy resin, etc. are mentioned. These epoxy resins may be halogenated or may be hydrogenated. These epoxy resins can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

(b) 에폭시 수지 경화제로서는, 아민계, 페놀계, 산 무수물계, 이미다졸계, 히드라지드계, 디시안디아미드, 3불화 붕소-아민 착체, 술포늄염, 요오도늄염, 아민이미드 등을 들 수 있다.  이들 중에서도, 경화성 및 가용 시간 측면에서, 이미다졸계 경화제를 사용하는 것이 바람직하다.  이미다졸계 경화제로서는, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸 등을 들 수 있다.  이들은 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수가 있고, 분해 촉진제, 억제제 등을 혼합하여 이용할 수도 있다.  또한, 긴 가용 시간 및 속경화성의 양쪽을 고수준으로 달성하기 위해서는, 잠재성 경화 촉진제를 사용하는 것이 바람직하고, 구체적으로는 이미다졸과 에폭시 수지의 부가 화합물(마이크로 캡슐형이나 아닥트형 잠재성 경화제 등)을 사용하는 것이 바람직하다.  (b) As an epoxy resin hardener, an amine type, a phenol type, an acid anhydride type, an imidazole type, a hydrazide type, a dicyandiamide, a boron trifluoride-amine complex, a sulfonium salt, an iodonium salt, an amine imide, etc. are mentioned. Can be. Among these, it is preferable to use an imidazole series hardening | curing agent from a sclerosis | hardenability and a usable time viewpoint. 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole etc. are mentioned as an imidazole series hardening | curing agent. These can be used individually or in mixture of 2 or more types, and can also mix and use a decomposition accelerator, an inhibitor, etc. In addition, in order to achieve both a long usable time and a fast curing property at high level, it is preferable to use a latent hardening accelerator, and specifically, the addition compound (microcapsule or advent type latent hardening | curing agent) of imidazole and an epoxy resin Etc.) is preferable.

(c) 아크릴계 공중합체는 가교 구조를 갖고, 중량 평균 분자량이 30000 내지 80000이다.  중량 평균 분자량 30000 미만의 아크릴계 공중합체를 포함하는 접착제 조성물은 필름 형성성이 불충분해짐과 동시에, 응력 완화 효과가 불충분해진다.  다른 한편, 중량 평균 분자량 80000을 초과하는 아크릴계 공중합체를 포함하는 접착제 조성물은 유동성이 불충분해져서, 회로 충전성이 불충분해짐과 동시에, 에폭시 수지와의 상용성이 저하되는 경향이 있다.  아크릴계 공중합체의 중량 평균 분자량은 40000 내지 70000인 것이 바람직하고, 40000 내지 60000인 것이 보다 바람직하다.  (c) The acrylic copolymer has a crosslinked structure and has a weight average molecular weight of 30000 to 80000. The adhesive composition containing the acrylic copolymer with a weight average molecular weight of less than 30000 has insufficient film formability and insufficient stress relaxation effect. On the other hand, an adhesive composition containing an acrylic copolymer having a weight average molecular weight of more than 80000 tends to have insufficient fluidity, insufficient circuit filling, and a decrease in compatibility with an epoxy resin. It is preferable that it is 40000-70000, and, as for the weight average molecular weight of an acryl-type copolymer, it is more preferable that it is 40000-60000.

(c) 아크릴계 공중합체는 가교 반응성기를 갖는 단량체와 다른 단량체와의 공중합에 의해서 얻을 수 있다.  가교 반응성기를 갖는 단량체로서는 글리시딜(메트)아크릴레이트, 아크릴아미드, 히드록시부틸아크릴레이트, 히드록시에틸메타크릴레이트 등을 들 수 있다.  (c) An acrylic copolymer can be obtained by copolymerization of the monomer which has a crosslinking reactive group, and another monomer. Examples of the monomer having a crosslinking reactive group include glycidyl (meth) acrylate, acrylamide, hydroxybutyl acrylate, hydroxyethyl methacrylate, and the like.

(c) 아크릴계 공중합체의 바람직한 구체예로서는 단량체 성분 100 질량부에 대한 글리시딜아크릴레이트 및 글리시딜메타크릴레이트의 합계량이 1 내지 7 질량부(보다 바람직하게는 2 내지 6 질량부)의 원료를 공중합 반응에 제공함으로써 제조된 것을 들 수 있다.  글리시딜(메트)아크릴레이트의 합계량이 1 질량부 미만인 단량체 성분의 공중합에 의해서 얻어진 아크릴계 공중합체는 가교 구조가 충분히 발달하지 않고, 이러한 아크릴계 공중합체를 함유하는 접착제 조성물은 응력 완화성이 불충분해지는 경향이 있다.  다른 한편, 글리시딜(메트)아크릴레이트의 합계량이 7 질량부를 초과하는 단량체 성분의 공중합에 의해서 얻어진 아크릴계 공중합체를 함유하는 접착제 조성물은 저장 탄성률이 높아지기 쉬워 응력 완화성이 불충분해지는 경향이 있다.  (c) As a preferable specific example of an acryl-type copolymer, the total amount of glycidyl acrylate and glycidyl methacrylate with respect to 100 mass parts of monomer components is a raw material of 1-7 mass parts (more preferably, 2-6 mass parts). The thing manufactured by providing a to a copolymerization reaction is mentioned. The acrylic copolymer obtained by copolymerization of the monomer component whose total amount of glycidyl (meth) acrylate is less than 1 part by mass does not sufficiently develop a crosslinked structure, and the adhesive composition containing such an acrylic copolymer has insufficient stress relaxation property. There is a tendency. On the other hand, the adhesive composition containing the acrylic copolymer obtained by copolymerization of the monomer component in which the total amount of glycidyl (meth) acrylate exceeds 7 mass parts tends to become high in storage elastic modulus, and there exists a tendency for stress relaxation property to become inadequate.

(c) 아크릴계 공중합체의 유리 전이 온도(Tg)는 -40 내지 40℃인 것이 바람직하다.  유리 전이 온도가 -40℃ 미만인 아크릴계 공중합체를 함유하는 접착제 조성물은 태크성(접착성)이 과도하게 커지는 경향이 있다.  다른 한편, 유리 전이 온도가 40℃를 초과하는 아크릴계 공중합체를 함유하는 접착제 조성물은 태크성이 불충분해지는 경향이 있다.  (c) 아크릴계 공중합체의 유리 전이 온도는 -20 내지 20℃인 것이 보다 바람직하다.(c) It is preferable that the glass transition temperature (Tg) of an acryl-type copolymer is -40-40 degreeC. The adhesive composition containing the acrylic copolymer whose glass transition temperature is less than -40 degreeC tends to become excessively tack (adhesive). On the other hand, the adhesive composition containing the acrylic copolymer whose glass transition temperature exceeds 40 degreeC tends to have inferior taggability. (c) It is more preferable that the glass transition temperature of an acryl-type copolymer is -20-20 degreeC.

(c) 아크릴계 공중합체를 제조할 때에, 글리시딜(메트)아크릴레이트와 공중합시키는 다른 단량체로서는 부틸아크릴레이트, 아크릴로니트릴, 히드록시메틸아크릴레이트, 스티렌, 부틸메타크릴레이트, 아크릴아미드 등을 들 수 있다.  이들 단량체 중, 부틸아크릴레이트 및/또는 아크릴로니트릴의 배합량을 조정함으로써, 얻어지는 아크릴계 공중합체의 유리 전이 온도를 바람직한 것으로 할 수 있다.  보다 구체적으로는, 원료에 포함되는 단량체 성분 100 질량부에 대하여, 부틸아크릴레이트 및 아크릴로니트릴의 합계량을 80 질량부 이상으로 하는 것이 바람직하다.(c) When preparing an acrylic copolymer, other monomers copolymerized with glycidyl (meth) acrylate include butyl acrylate, acrylonitrile, hydroxymethyl acrylate, styrene, butyl methacrylate, acrylamide and the like. Can be mentioned. The glass transition temperature of the acryl-type copolymer obtained can be made preferable by adjusting the compounding quantity of butylacrylate and / or acrylonitrile among these monomers. More specifically, it is preferable that the total amount of butyl acrylate and acrylonitrile shall be 80 mass parts or more with respect to 100 mass parts of monomer components contained in a raw material.

(a) 에폭시 수지의 함유량은 접착제 성분 (9)의 전체 질량을 기준으로 하여 3 내지 50 질량%이면 바람직하고, 10 내지 30 질량%이면 보다 바람직하다.  (a) 에폭시 수지의 함유량이 3 질량% 미만이면 경화 반응의 진행이 불충분해져서, 양호한 접착 강도나 접속 저항값을 얻는 것이 곤란해지는 경향이 있다.  다른 한편, 50 질량%를 초과하면, 접착제 성분 (9)의 유동성이 저하되거나, 가용 시간이 짧아지기도 하는 경향이 있다.  또한, 회로 접속체의 접속부의 접속 저항값이 높아지는 경향이 있다.  Content of (a) epoxy resin is preferable in it being 3-50 mass% on the basis of the total mass of adhesive component (9), and more preferable in it being 10-30 mass%. When content of (a) epoxy resin is less than 3 mass%, advancing of hardening reaction will become inadequate and it will become difficult to obtain favorable adhesive strength and connection resistance value. On the other hand, when it exceeds 50 mass%, there exists a tendency for the fluidity | liquidity of the adhesive agent component 9 to fall, or a pot life becomes short. Moreover, there exists a tendency for the connection resistance value of the connection part of a circuit connection body to become high.

(b) 에폭시 수지 경화제의 함유량은 접착제 성분 (9)의 전체 질량을 기준으로 하여 5 내지 60 질량%이면 바람직하고, 10 내지 40 질량%이면 보다 바람직하다.  (b) 에폭시 수지 경화제의 함유량이 5 질량% 미만이면 경화 반응의 진행이 불충분해져서, 양호한 접착 강도나 접속 저항값을 얻는 것이 곤란해지는 경향이 있다.  다른 한편, 60 질량%를 초과하면 접착제 성분 (9)의 유동성이 저하되거나, 가용 시간이 짧아지기도 하는 경향이 있다.  또한, 회로 접속체의 접속부의 접속 저항값이 높아지는 경향이 있다.  (b) Content of an epoxy resin hardening | curing agent is preferable in it being 5-60 mass% on the basis of the total mass of the adhesive component (9), and more preferable in it being 10-40 mass%. (b) When content of an epoxy resin hardening | curing agent is less than 5 mass%, advancing of hardening reaction will become inadequate and it will become difficult to obtain favorable adhesive strength and connection resistance value. On the other hand, when it exceeds 60 mass%, there exists a tendency for the fluidity | liquidity of the adhesive agent component 9 to fall, or a pot life becomes short. Moreover, there exists a tendency for the connection resistance value of the connection part of a circuit connection body to become high.

(c) 아크릴계 공중합체의 함유량은 접착제 성분 (9)의 전체 질량을 기준으로 하여 3 내지 30 질량%이면 바람직하고, 8 내지 25 질량%인 것이 보다 바람직하다.  (c) 아크릴계 공중합체의 함유량이 3 질량% 미만이면, 응력 완화 효과가 불충분해지는 경향이 있다.  다른 한편, 25 질량%를 초과하면, 접착제 성분 (9)의 유동성이 저하되거나, 가용 시간이 짧아지는 경향이 있다.  또한, 회로 접속체의 접속부의 접속 저항값이 높아지는 경향이 있다.  The content of the (c) acrylic copolymer is preferably 3 to 30 mass%, more preferably 8 to 25 mass%, based on the total mass of the adhesive component (9). When content of (c) acrylic copolymer is less than 3 mass%, there exists a tendency for a stress relaxation effect to become inadequate. On the other hand, when it exceeds 25 mass%, there exists a tendency for the fluidity | liquidity of the adhesive agent component 9 to fall, or a pot life becomes short. Moreover, there exists a tendency for the connection resistance value of the connection part of a circuit connection body to become high.

접착제 성분 (9)는 필름 형성성 고분자를 더 함유할 수도 있다.  접착제 성분 (9)의 전체 질량을 기준으로 하여 필름 형성성 고분자의 함유량은 2 내지 80 질량%인 것이 바람직하고, 5 내지 70 질량%인 것이 보다 바람직하고, 10 내지 60 질량%인 것이 더욱 바람직하다.  필름 형성성 고분자로서는, 폴리스티렌, 폴리에틸렌, 폴리비닐부티랄, 폴리비닐포르말, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리에스테르, 폴리염화비닐, 폴리페닐렌옥시드, 요소 수지, 멜라민 수지, 페놀 수지, 크실렌 수지, 폴리이소시아네이트 수지, 페녹시 수지, 폴리이미드 수지, 폴리에스테르우레탄 수지 등이 이용된다.The adhesive component 9 may further contain a film forming polymer. It is preferable that content of a film formation polymer is 2-80 mass% on the basis of the total mass of the adhesive component 9, It is more preferable that it is 5-70 mass%, It is further more preferable that it is 10-60 mass%. . Examples of the film-forming polymer include polystyrene, polyethylene, polyvinyl butyral, polyvinyl formal, polyimide, polyamide, polyester, polyvinyl chloride, polyphenylene oxide, urea resin, melamine resin, phenol resin, xylene resin, Polyisocyanate resin, phenoxy resin, polyimide resin, polyester urethane resin and the like are used.

(도전 입자) (Conductive particles)

도전 입자 (10A)는 접착제 성분 (9) 중에 분산되어 있다.  도전 입자 (10A)로서는, 예를 들면 Au, Ag, Pt, Ni, Cu, W, Sb, Sn, 땜납 등의 금속이나 카본의 입자를 들 수 있다.  도전 입자 (10A)의 평균 입경은 분산성, 도전성 측면에서 1 내지 18 μm인 것이 바람직하다.  The conductive particles 10A are dispersed in the adhesive component 9. Examples of the conductive particles 10A include particles of metals and carbon such as Au, Ag, Pt, Ni, Cu, W, Sb, Sn, and solder. It is preferable that the average particle diameter of 10 A of electroconductive particle is 1-18 micrometers from a dispersibility and electroconductivity viewpoint.

도전 입자 (10A)의 배합 비율은 접착제층 (8)에 포함되는 접착제 성분 100 부피부에 대하여 0.1 내지 30 부피부인 것이 바람직하고, 0.1 내지 10 부피부인 것이 보다 바람직하다.  이 배합 비율이 0.1 부피부 미만이면 대향하는 전극 사이의 접속 저항이 높아지는 경향이 있고, 30 부피부를 초과하면 인접하는 전극 사이의 단락이 생기기 쉬워지는 경향이 있다.  It is preferable that it is 0.1-30 volume parts with respect to 100 volume parts of adhesive components contained in the adhesive bond layer 8, and, as for the compounding ratio of 10 A of conductive particles, it is more preferable that it is 0.1-10 volume parts. When this compounding ratio is less than 0.1 volume part, there exists a tendency for the connection resistance between opposing electrodes to become high, and when it exceeds 30 volume parts, there exists a tendency for the short circuit between adjacent electrodes to occur easily.

또한, 접착제층 (8)을 형성하는 접착제 조성물은 충전재, 연화제, 촉진제, 노화 방지제, 착색제, 난연화제, 틱소트로픽제, 커플링제, 멜라민 수지, 이소시아네이트류 등을 함유할 수도 있다.  충전재를 함유한 경우, 접속 신뢰성 등의 향상이 얻어지기 때문에 바람직하다.  충전재로서는 그 최대 직경이 도전 입자의 입경 미만인 것이 바람직하다.  또한, 충전재의 함유량은 접착제 조성물의 전체 부피 기준으로 5 내지 60 부피%의 범위인 것이 바람직하다.  60 부피%를 초과하면 접속 신뢰성과 밀착성의 저하가 발생하는 경향이 있다.  또한, 커플링제로서는, 비닐기, 아크릴기, 아미노기, 에폭시기 및 이소시아네이트기로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 기를 함유하는 화합물이 접착성의 향상면에서 바람직하다.  Moreover, the adhesive composition which forms the adhesive bond layer 8 may contain a filler, a softener, an accelerator, an antiaging agent, a coloring agent, a flame retardant, a thixotropic agent, a coupling agent, a melamine resin, isocyanates, etc. When it contains a filler, since improvement, such as connection reliability, is obtained, it is preferable. As a filler, it is preferable that the largest diameter is less than the particle size of electroconductive particle. In addition, the content of the filler is preferably in the range of 5 to 60% by volume based on the total volume of the adhesive composition. When it exceeds 60 volume%, there exists a tendency for the fall of connection reliability and adhesiveness to arise. Moreover, as a coupling agent, the compound containing 1 or more types chosen from the group which consists of a vinyl group, an acryl group, an amino group, an epoxy group, and an isocyanate group is preferable at the point of an adhesive improvement.

<회로 접속체><Circuit connection body>

다음으로, 회로 접속 재료 (5)를 이용하여 제조된 회로 접속체에 대해서 설명한다.  도 2는 회로 전극끼리가 접속된 회로 접속체를 도시하는 개략단면도이다.  도 2에 도시하는 회로 접속체 (100)은 서로 대향하는 제1 회로 부재 (30) 및 제2 회로 부재 (40)을 구비하고, 제1 회로 부재 (30)과 제2 회로 부재 (40)의 사이에는 이들을 접속하는 접속부 (50a)가 설치된다.  Next, the circuit connection body manufactured using the circuit connection material 5 is demonstrated. 2 is a schematic cross-sectional view showing a circuit connecting body to which circuit electrodes are connected. The circuit connection body 100 shown in FIG. 2 is provided with the 1st circuit member 30 and the 2nd circuit member 40 which mutually oppose, and the 1st circuit member 30 and the 2nd circuit member 40 The connection part 50a which connects these is provided in between.

제1 회로 부재 (30)은 회로 기판 (31)과, 회로 기판 (31)의 주면 (31a) 상에 형성된 회로 전극 (32)를 구비하고 있다.  제2 회로 부재 (40)은 회로 기판 (41)과, 회로 기판 (41)의 주면 (41a) 상에 형성된 회로 전극 (42)를 구비하고 있다.  The first circuit member 30 includes a circuit board 31 and a circuit electrode 32 formed on the main surface 31a of the circuit board 31. The second circuit member 40 includes a circuit board 41 and a circuit electrode 42 formed on the main surface 41a of the circuit board 41.

회로 부재의 구체예로서는 반도체칩(IC칩), 저항체칩, 콘덴서칩 등의 칩 부품 등을 들 수 있다.  이들 회로 부재는 회로 전극을 구비하고, 다수의 회로 전극을 구비하고 있는 것이 일반적이다.  상기 회로 부재가 접속되는, 다른 한편의 회로 부재의 구체예로서는 금속 배선을 갖는 연성 테이프, 연성 인쇄 배선판, 인듐주석 산화물(ITO)이 증착된 유리 기판 등의 배선 기판을 들 수 있다.As a specific example of a circuit member, chip components, such as a semiconductor chip (IC chip), a resistor chip, and a capacitor chip, etc. are mentioned. These circuit members are provided with a circuit electrode, and are provided with many circuit electrodes. Specific examples of the other circuit member to which the circuit member is connected include a wiring board such as a flexible tape having metal wiring, a flexible printed wiring board, and a glass substrate on which indium tin oxide (ITO) is deposited.

주면 (31a) 및/또는 주면 (41a)는 질화규소, 실리콘 화합물 및 실리콘 수지, 및 감광성 또는 비감광성의 폴리이미드 수지 등의 유기 절연 물질로 코팅되어 있을 수도 있다.  또한, 주면 (31a) 및/또는 주면 (41a)가 상기 재질로 이루어지는 영역을 부분적으로 갖는 것일 수도 있다.  또한, 회로 기판 (31) 및/또는 회로 기판 (41) 자체가 상기 재질로 이루어지는 것일 수도 있다.  주면 (31a), (41a)는 상기 재질 1종으로 구성되어 있을 수도 있고, 2종 이상으로 구성되어 있을 수도 있다.  접착제 성분 (9)의 조성을 적절하게 선택함으로써 상기한 재질로 이루어지는 부분을 갖는 회로 기판끼리도 바람직하게 접속할 수 있다.  The main surface 31a and / or the main surface 41a may be coated with an organic insulating material such as silicon nitride, a silicon compound and a silicone resin, and a photosensitive or non-photosensitive polyimide resin. In addition, the main surface 31a and / or the main surface 41a may have a part which consists of the said material. The circuit board 31 and / or the circuit board 41 itself may be made of the above materials. The main surfaces 31a and 41a may be comprised by the said material 1 type, and may be comprised by 2 or more types. By selecting the composition of the adhesive agent component 9 suitably, the circuit boards which have the part which consists of said material can also be connected preferably.

각 회로 전극 (32), (42)의 표면은 금, 은, 주석, 루테늄, 로듐, 팔라듐, 오스뮴, 이리듐, 백금 및 인듐주석 산화물(ITO)로부터 선택되는 1종으로 구성될 수도 있고, 2종 이상으로 구성되어 있을 수도 있다.  또한, 회로 전극 (32), (42)의 표면의 재질은 모든 회로 전극에 있어서 동일할 수도 있고, 상이할 수도 있다.  The surface of each of the circuit electrodes 32 and 42 may be composed of one selected from gold, silver, tin, ruthenium, rhodium, palladium, osmium, iridium, platinum and indium tin oxide (ITO), and two kinds thereof. It may be comprised as mentioned above. In addition, the material of the surface of the circuit electrodes 32 and 42 may be the same in all the circuit electrodes, and may differ.

접속부 (50a)는 접착제층 (8)에 포함되는 접착제 성분 (9)의 경화물 (9A)와, 이것에 분산되어 있는 도전 입자 (10A)를 구비하고 있다.  그리고, 회로 접속체 (100)에 있어서는, 대향하는 회로 전극 (32)와 회로 전극 (42)가 도전 입자 (10A)를 통해 전기적으로 접속되어 있다.  즉, 도전 입자 (10A)가 회로 전극 (32), (42)의 쌍방에 직접 접촉하고 있다.  이 때문에, 회로 전극 (32), (42) 사이의 접속 저항이 충분히 감소되어, 회로 전극 (32), (42) 사이의 양호한 전기적 접속이 가능해진다.  다른 한편, 경화물 (9A)는 전기 절연성을 갖는 것이고, 인접하는 회로 전극끼리는 절연성이 확보된다.  따라서, 회로 전극 (32), (42) 사이의 전류의 흐름을 원활하게 할 수 있어, 회로가 갖는 기능을 충분히 발휘할 수 있다.  The connection part 50a is equipped with 9A of hardened | cured material of the adhesive component 9 contained in the adhesive bond layer 8, and 10A of electroconductive particle dispersed in this. And in the circuit connection body 100, the opposing circuit electrode 32 and the circuit electrode 42 are electrically connected through 10 A of electroconductive particle. In other words, the conductive particles 10A are in direct contact with both the circuit electrodes 32 and 42. For this reason, the connection resistance between the circuit electrodes 32 and 42 is fully reduced, and the favorable electrical connection between the circuit electrodes 32 and 42 is attained. On the other hand, hardened | cured material 9A has electrical insulation, and adjacent circuit electrodes ensure insulation. Therefore, the flow of electric current between the circuit electrodes 32 and 42 can be made smooth, and the function which a circuit has can fully be exhibited.

<회로 접속체의 제조 방법><Method for Manufacturing Circuit Connector>

다음으로, 회로 접속체 (100)의 제조 방법에 대해서 설명한다.  도 3은 본 발명에 따른 회로 접속체의 제조 방법의 일 실시 형태를 개략단면도에 의해 도시하는 공정도이다.  본 실시 형태에서는, 회로 접속 재료 (5)의 접착제층 (8)을 열경화시켜서, 최종적으로 회로 접속체 (100)을 제조한다.  Next, the manufacturing method of the circuit connection body 100 is demonstrated. Fig. 3 is a process diagram showing, in a schematic cross-sectional view, one embodiment of a method for manufacturing a circuit connecting body according to the present invention. In this embodiment, the adhesive bond layer 8 of the circuit connection material 5 is thermosetted, and finally, the circuit connection body 100 is manufactured.

우선, 회로 접속 재료 (5)를 소정의 길이로 절단함과 함께, 접착제층 (8)이 아래쪽으로 향하도록 하여 제1 회로 부재 (30)의 회로 전극 (32)가 형성되어 있는 면 상에 싣는다(도 3의 (a)). 이 때, 접착제층 (8)로부터 기재 (6)을 박리한다.  First, while cutting the circuit connection material 5 to a predetermined length, it is mounted on the surface on which the circuit electrode 32 of the first circuit member 30 is formed with the adhesive layer 8 facing downward. (FIG. 3A). At this time, the base material 6 is peeled off from the adhesive bond layer 8.

다음으로, 도 3의 (b)의 화살표 A 및 B 방향으로 가압하여 접착제층 (8)을 제1 회로 부재 (30)에 가접속한다(도 3의 (c)). 이 때의 압력은 회로 부재에 손상을 제공하지 않는 범위이면 특별히 제한되지 않지만, 일반적으로는 0.1 내지 3.0 MPa로 하는 것이 바람직하다.  또한, 가열하면서 가압할 수도 있고, 가열 온도는 접착제층 (8)이 실질적으로 경화하지 않는 온도로 한다.  가열 온도는 일반적으로는 50 내지 100℃에서 하는 것이 바람직하다.  이들 가열 및 가압은 0.1 내지 10초간의 범위에서 행하는 것이 바람직하다.Next, the adhesive layer 8 is temporarily connected to the first circuit member 30 by pressing in the directions of arrows A and B of FIG. 3B (FIG. 3C). Although the pressure in this case will not be restrict | limited in particular if it is a range which does not provide damage to a circuit member, Generally, it is preferable to set it as 0.1-3.0 MPa. Moreover, you may pressurize while heating, and heating temperature shall be temperature which the adhesive bond layer 8 does not harden substantially. It is preferable to carry out heating temperature at 50-100 degreeC generally. It is preferable to perform these heating and pressurization in the range for 0.1 to 10 second.

이어서, 도 3의 (d)에 도시된 바와 같이, 제2 회로 부재 (40)을, 제2 회로 전극 (42)를 제1 회로 부재 (30)의 측으로 향하도록 하여 접착제층 (8) 상에 싣는다.  그리고, 접착제층 (8)을 가열하면서, 도 3의 (d)의 화살표 A 및 B 방향으로 전체를 가압한다.  이 때의 가열 온도는 접착제층 (8)의 접착제 성분 (9)가 경화 가능한 온도로 한다.  가열 온도는 150 내지 230℃가 바람직하고, 170 내지 210℃가 보다 바람직하고, 180 내지 200℃가 더욱 바람직하다.  가열 온도가 150℃ 미만이면 경화 속도가 늦어지는 경향이 있고, 230℃를 초과하면 요구하지 않는 부반응이 진행하기 쉬운 경향이 있다.  가열 시간은 0.1 내지 30초가 바람직하고, 1 내지 25초가 보다 바람직하고, 2 내지 20초가 더욱 바람직하다.  Subsequently, as shown in FIG. 3D, the second circuit member 40 is directed on the adhesive layer 8 with the second circuit electrode 42 facing the side of the first circuit member 30. Load. And the whole is pressed in the arrow A and B direction of FIG.3 (d), heating the adhesive bond layer 8. FIG. The heating temperature at this time is made into the temperature at which the adhesive component 9 of the adhesive bond layer 8 can harden | cure. 150-230 degreeC is preferable, 170-210 degreeC is more preferable, and 180-200 degreeC of a heating temperature is more preferable. When heating temperature is less than 150 degreeC, hardening rate tends to become slow, and when it exceeds 230 degreeC, there exists a tendency for the unwanted side reaction to advance easily. 0.1-30 second is preferable, as for heating time, 1-25 second is more preferable, and its 2-20 second is more preferable.

접착제 성분 (9)의 경화에 의해 접속부 (50a)가 형성되어, 도 2에 도시한 바와 같은 회로 접속체 (100)이 얻어진다.  접속의 조건은 사용하는 용도, 접착제 조성물, 회로 부재에 의해서 적절하게 선택된다.  또한, 접착제층 (8)의 접착제 성분으로서, 광에 의해서 경화하는 것을 배합한 경우에는, 접착제층 (8)에 대하여 활성 광선이나 에너지선을 적절하게 조사할 수도 있다. 활성 광선으로서는 자외선, 가시광, 적외선 등을 들 수 있다.  에너지선으로서는, 전자선, X선, γ선, 마이크로파 등을 들 수 있다.  The connection part 50a is formed by hardening of the adhesive component 9, and the circuit connection body 100 as shown in FIG. 2 is obtained. The conditions of connection are suitably selected by the use to use, adhesive composition, and a circuit member. Moreover, when mix | blending what hardens with light as an adhesive component of the adhesive bond layer 8, actinic light and an energy ray can also be suitably irradiated with respect to the adhesive bond layer 8. Examples of the active light include ultraviolet rays, visible light, infrared light, and the like. Examples of the energy rays include electron beams, X rays, γ rays, microwaves, and the like.

이상, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대해서 설명했지만, 본 발명은 상기 실시 형태에 한정되는 것은 아니다.  본 발명은 그 요지를 일탈하지 않은 범위에서 다양한 변형이 가능하다.  As mentioned above, although preferred embodiment of this invention was described, this invention is not limited to the said embodiment. The present invention can be modified in various ways without departing from the spirit of the invention.

예를 들면, 상기 실시 형태에 있어서는, 도전 입자 (10A)를 함유하는 접착제 조성물을 예시했지만, 실장하는 회로 부재의 형상 등에 따라서는, 접착제 조성물은 도전 입자 (10A)를 함유하지 않는 것일 수도 있다.  또한, 도전 입자 (10A) 대신에 도전성을 갖는 핵 입자와, 이 핵 입자의 표면 상에 설치된 복수의 절연성 입자에 의해서 구성된 도전 입자를 이용할 수도 있다.  For example, in the said embodiment, although the adhesive composition containing 10 A of electroconductive particles was illustrated, depending on the shape of the circuit member to mount, etc., an adhesive composition may not contain the electroconductive particle 10A. In addition, instead of the conductive particles 10A, conductive particles composed of conductive nuclear particles and a plurality of insulating particles provided on the surface of the nuclear particles may be used.

도 4에 도시하는 도전 입자 (10B)는 도전성을 갖는 핵 입자 (1) 및 이 핵 입자 (1)의 표면 상에 설치된 복수의 절연성 입자 (2)를 구비한다.  그리고, 핵 입자 (1)은 중심 부분을 구성하는 기재 입자 (1a) 및 이 기재 입자 (1a)의 표면 상에 설치된 도전층 (1b)에 의해서 구성되어 있다.  이하, 도전 입자 (10B)에 대해서 설명한다.  The electroconductive particle 10B shown in FIG. 4 is equipped with the electroconductive nuclear particle 1 and the some insulating particle 2 provided on the surface of this nuclear particle 1. And the nuclear particle 1 is comprised by the substrate particle 1a which comprises a center part, and the conductive layer 1b provided on the surface of this substrate particle 1a. Hereinafter, the electroconductive particle 10B is demonstrated.

기재 입자 (1a)의 재질로서는 유리, 세라믹, 유기 고분자 화합물 등을 들 수 있다.  이들 재질 중, 가열 및/또는 가압에 의해서 변형하는 것(예를 들면, 유리, 유기 고분자 화합물)이 바람직하다.  기재 입자 (1a)가 변형하는 것이면 도전 입자 (10B)가 회로 전극 (32), (42)에 의해서 가압된 경우, 회로 전극과의 접촉 면적이 증가한다.  또한, 회로 전극 (32), (42)의 표면의 요철을 흡수할 수 있다.  따라서, 회로 전극 사이의 접속 신뢰성이 향상된다.  As a material of the substrate particle 1a, glass, a ceramic, an organic high molecular compound, etc. are mentioned. Among these materials, deformation by heating and / or pressure (for example, glass or organic high molecular compound) is preferable. If the substrate particles 1a deform, when the conductive particles 10B are pressed by the circuit electrodes 32 and 42, the contact area with the circuit electrodes increases. In addition, irregularities on the surfaces of the circuit electrodes 32 and 42 can be absorbed. Therefore, the connection reliability between circuit electrodes is improved.

상기한 바와 같은 관점에서, 기재 입자 (1a)를 구성하는 재질로서 바람직한 것은 예를 들면 아크릴 수지, 스티렌 수지, 벤조구아나민 수지, 실리콘 수지, 폴리부타디엔 수지 또는 이들의 공중합체, 및 이들을 가교한 것이다.  기재 입자 (1a)는 입자 사이에서 동일 또는 서로 다른 종류의 재질일 수도 있고, 동일 입자에 1종의 재질을 단독으로 또는 2종 이상의 재질을 혼합하여 이용할 수도 있다.  In view of the foregoing, preferred materials for forming the substrate particles 1a are, for example, acrylic resins, styrene resins, benzoguanamine resins, silicone resins, polybutadiene resins or copolymers thereof, and crosslinked thereof. . The substrate particles 1a may be the same or different kinds of materials between the particles, or may be used alone or in combination of two or more materials.

기재 입자 (1a)의 평균 입경은 용도 등에 따라서 적절하게 설계 가능하지만, 0.5 내지 20 μm인 것이 바람직하고, 1 내지 10 μm인 것이 보다 바람직하고, 2 내지 5 μm인 것이 더욱 바람직하다.  평균 입경이 0.5 μm 미만인 기재 입자를 이용하여 도전 입자를 제조하면 입자의 이차 응집이 생겨, 인접하는 회로 전극 사이의 절연성이 불충분해지는 경향이 있고, 20 μm를 넘는 기재 입자를 이용하여 도전 입자를 제조하면, 그 크기에 기인하여 인접하는 회로 전극 사이의 절연성이 불충분해지는 경향이 있다.  Although the average particle diameter of the substrate particle 1a can be suitably designed according to a use etc., it is preferable that it is 0.5-20 micrometers, It is more preferable that it is 1-10 micrometers, It is further more preferable that it is 2-5 micrometers. If conductive particles are prepared using substrate particles having an average particle diameter of less than 0.5 μm, secondary aggregation of the particles may occur, resulting in insufficient insulation between adjacent circuit electrodes, and conductive particles are produced using substrate particles larger than 20 μm. There is a tendency for the insulation between adjacent circuit electrodes to be insufficient due to the size.

도전층 (1b)는 기재 입자 (1a)의 표면을 덮도록 설치된 도전성을 갖는 재질로 이루어지는 층이다.  도전성을 충분 확보하는 관점에서, 도전층 (1b)는 기재 입자 (1a)의 전체 표면을 피복하고 있는 것이 바람직하다.  The conductive layer 1b is a layer made of a conductive material provided to cover the surface of the substrate particle 1a. From the viewpoint of sufficiently securing the conductivity, the conductive layer 1b preferably covers the entire surface of the substrate particle 1a.

도전층 (1b)의 재질로서는, 예를 들면 금, 은, 백금, 니켈, 구리 및 이들의 합금, 주석을 함유하는 땜납 등의 합금, 및 카본 등의 도전성을 갖는 비금속을 들 수 있다.  기재 입자 (1a)에 대하여, 무전해 도금에 의한 피복이 가능하기 때문에 도전층 (1b)의 재질은 금속인 것이 바람직하다.  또한, 충분한 가용 시간을 얻기 위해서는, 금, 은, 백금 또는 이들의 합금이 보다 바람직하고, 금이 더욱 바람직하다.  또한, 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.  Examples of the material of the conductive layer 1b include gold, silver, platinum, nickel, copper and alloys thereof, alloys such as solder containing tin, and nonmetals having conductivity such as carbon. Since the coating | covering by electroless plating is possible with respect to the substrate particle 1a, it is preferable that the material of the conductive layer 1b is a metal. Moreover, in order to acquire sufficient pot life, gold, silver, platinum, or these alloys are more preferable, and gold is still more preferable. In addition, these can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type.

도전층 (1b)의 두께는 이것에 사용하는 재질이나 용도 등에 따라서 적절하게 설계 가능하지만, 50 내지 200 nm인 것이 바람직하고, 80 내지 150 nm인 것이 보다 바람직하다.  두께가 50 nm 미만이면, 접속부의 충분히 낮은 저항값이 얻어지지 않게 되는 경향이 있다.  다른 한편, 200 nm를 넘는 두께의 도전층 (1b)는 제조 효율이 저하되는 경향이 있다.Although the thickness of the conductive layer 1b can be suitably designed according to the material, application, etc. used for this, it is preferable that it is 50-200 nm, and it is more preferable that it is 80-150 nm. If the thickness is less than 50 nm, a sufficiently low resistance value of the connecting portion tends not to be obtained. On the other hand, the conductive layer 1b having a thickness of more than 200 nm tends to decrease manufacturing efficiency.

도전층 (1b)는 일층 또는 이층 이상으로 구성할 수 있다.  어느 쪽의 경우에 있어서도, 이것을 이용하여 제조되는 접착제 조성물의 보존성 측면에서, 핵 입자 (1)의 표면층은 금, 은, 백금 또는 이들의 합금으로 구성하는 것이 바람직하고, 금으로 구성하는 것이 보다 바람직하다.  도전층 (1b)가 금, 은, 백금 또는 이들의 합금(이하, 「금 등의 금속」이라고 함)으로 이루어지는 일층으로 구성되는 경우, 접속 부분의 충분히 낮은 저항값을 얻기 위해서는, 그 두께는 10 내지 200 nm인 것이 바람직하다.  The conductive layer 1b can be comprised by one layer or two or more layers. In either case, the surface layer of the nucleus particles 1 is preferably composed of gold, silver, platinum, or an alloy thereof, and more preferably composed of gold, from the viewpoint of the preservation of the adhesive composition produced using the same. Do. When the conductive layer 1b is composed of one layer made of gold, silver, platinum or an alloy thereof (hereinafter referred to as "metal such as gold"), in order to obtain a sufficiently low resistance value of the connecting portion, the thickness is 10 It is preferable that it is to 200 nm.

다른 한편, 도전층 (1b)가 2층 이상으로 구성되는 경우, 도전층 (1b)의 최외층은 금 등의 금속으로 구성하는 것이 바람직한데, 최외층과 기재 입자 (1a)와 사이의 층은, 예를 들면 니켈, 구리, 주석 또는 이들의 합금을 함유하는 금속층으로 구성할 수도 있다.  이 경우, 도전층 (1b)의 최외층을 구성하는 금 등의 금속으로 이루어지는 금속층의 두께는 접착제 조성물의 보존성 측면에서 30 내지 200 nm인 것이 바람직하다.  니켈, 구리, 주석 또는 이들의 합금은 산화환원 작용으로 유리 라디칼을 발생하는 경우가 있다.  이 때문에, 금 등의 금속으로 이루어지는 최외층의 두께가 30 nm 미만이면, 라디칼 중합성을 갖는 접착제 성분과 병용한 경우, 유리 라디칼의 영향을 충분히 방지하는 것이 곤란해지는 경향이 있다.  On the other hand, when the conductive layer 1b is composed of two or more layers, the outermost layer of the conductive layer 1b is preferably made of a metal such as gold, but the layer between the outermost layer and the substrate particles 1a is For example, you may comprise with the metal layer containing nickel, copper, tin, or these alloys. In this case, it is preferable that the thickness of the metal layer which consists of metals, such as gold which comprises the outermost layer of the conductive layer 1b, is 30-200 nm from the viewpoint of the storage property of an adhesive composition. Nickel, copper, tin, or their alloys sometimes generate free radicals by redox action. For this reason, when the thickness of the outermost layer which consists of metals, such as gold, is less than 30 nm, when using together with the adhesive component which has radical polymerizability, it exists in the tendency to fully prevent the influence of free radicals.

도전층 (1b)를 기재 입자 (1a) 표면 상에 형성하는 방법으로서는, 무전해 도금 처리나 물리적인 코팅 처리를 들 수 있다.  도전층 (1b)의 형성의 용이성 측면에서, 금속으로 이루어지는 도전층 (1b)를 무전해 도금 처리에 의해서 기재 입자 (1a)의 표면 상에 형성하는 것이 바람직하다.  Examples of the method for forming the conductive layer 1b on the surface of the substrate particle 1a include an electroless plating treatment and a physical coating treatment. In view of the ease of formation of the conductive layer 1b, it is preferable to form the conductive layer 1b made of metal on the surface of the substrate particle 1a by electroless plating.

절연성 입자 (2)는 유기 고분자 화합물에 의해서 구성되어 있다.  유기 고분자 화합물로서는 열연화성을 갖는 것이 바람직하다.  절연성 입자의 바람직한 소재는, 예를 들면 폴리에틸렌, 에틸렌-아세트산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산에스테르 공중합체, 폴리에스테르, 폴리아미드, 폴리우레탄, 폴리스티렌, 스티렌-디비닐벤젠 공중합체, 스티렌-이소부틸렌 공중합체, 스티렌-부타디엔 공중합체, 스티렌-(메트)아크릴 공중합체, 에틸렌-프로필렌 공중합체, (메트)아크릴산에스테르계 고무, 스티렌-에틸렌-부틸렌 공중합체, 페녹시 수지, 고형 에폭시 수지 등이다.  이들은 1종을 단독으로 이용할 수도 있고, 2종 이상을 조합하여 이용할 수도 있다.  또한, 입도 분포의 분산도, 내용제성 및 내열성 측면에서 스티렌-(메트)아크릴 공중합체가 특히 바람직하다.  절연성 입자 (2)의 제조 방법으로서는 시드 중합법 등을 들 수 있다.The insulating particle 2 is comprised by the organic high molecular compound. As an organic high molecular compound, what has thermosoftening property is preferable. Preferred materials for the insulating particles include polyethylene, ethylene-acetic acid copolymer, ethylene- (meth) acrylic copolymer, ethylene- (meth) acrylic acid copolymer, ethylene- (meth) acrylic acid ester copolymer, polyester, poly Amide, polyurethane, polystyrene, styrene-divinylbenzene copolymer, styrene-isobutylene copolymer, styrene-butadiene copolymer, styrene- (meth) acryl copolymer, ethylene-propylene copolymer, (meth) acrylic acid ester Rubber, styrene-ethylene-butylene copolymer, phenoxy resin, solid epoxy resin and the like. These may be used individually by 1 type and may be used in combination of 2 or more type. In addition, styrene- (meth) acrylic copolymers are particularly preferred in view of dispersion, solvent resistance and heat resistance of the particle size distribution. As a manufacturing method of the insulating particle 2, a seed polymerization method etc. are mentioned.

절연성 입자 (2)를 구성하는 유기 고분자 화합물의 연화점은 회로 부재끼리의 접속 시의 가열 온도 이상인 것이 바람직하다.  연화점이 접속 시의 가열 온도 미만이면 접속 시에 절연성 입자 (2)가 과도하게 변형하는 것에 기인하여 양호한 전기적 접속이 얻어지지 않게 되는 경향이 있다.  It is preferable that the softening point of the organic high molecular compound which comprises the insulating particle 2 is more than the heating temperature at the time of the connection of circuit members. If the softening point is less than the heating temperature at the time of connection, there exists a tendency for favorable electrical connection not to be obtained due to excessive deformation of the insulating particle 2 at the time of connection.

절연성 입자 (2)의 평균 입경은 용도 등에 따라서 적절하게 설계 가능하지만, 50 내지 500 nm인 것이 바람직하고, 50 내지 400 nm인 것이 보다 바람직하고, 100 내지 300 nm인 것이 더욱 바람직하다.  평균 입경이 50 nm 미만이면 인접하는 회로 사이의 절연성이 불충분해지는 경향이 있고, 다른 한편, 500 nm를 초과하면 접속 부분의 충분히 낮은 초기 저항값 및 저항값의 경시적인 상승의 억제의 양쪽을 달성하는 것이 곤란해지는 경향이 있다.  Although the average particle diameter of the insulating particle 2 can be suitably designed according to a use etc., it is preferable that it is 50-500 nm, It is more preferable that it is 50-400 nm, It is further more preferable that it is 100-300 nm. If the average particle diameter is less than 50 nm, insulation between adjacent circuits tends to be insufficient, whereas if it exceeds 500 nm, both of the sufficiently low initial resistance values of the connection portions and suppression of the increase in resistance over time are achieved. It tends to be difficult.

또한, 본 발명에 따른 회로 접속 재료는 상기 실시 형태에 있어서의 회로 접속 재료 (5)와 같이, 기재 (6) 상에 단층의 접착제층 (8)이 형성된 단층 구조에 한정되지 않고, 기재 (6) 상에 복수의 접착제층이 적층된 다층 구조일 수도 있다.  다층 구조의 회로 접속 재료는 접착제 성분 및 도전 입자의 종류 또는 이들의 함유량이 서로 다른 층을 복수 적층함으로써 제조할 수 있다.  예를 들면, 회로 접속 재료는 도전 입자를 함유하는 도전 입자 함유층과, 이 도전 입자 함유층의 적어도 한쪽면 상에 설치된, 도전 입자를 함유하지 않은 도전 입자 비함유층을 구비하는 것일 수도 있다.  In addition, the circuit connection material which concerns on this invention is not limited to the single layer structure in which the single-layer adhesive bond layer 8 was formed on the base material 6 like the circuit connection material 5 in the said embodiment, The base material 6 It may be a multilayer structure in which a plurality of adhesive layers are laminated on the laminate). The circuit connection material of a multilayered structure can be manufactured by laminating | stacking multiple layers from which the kind of adhesive agent component and electroconductive particle, or these content differ from each other. For example, a circuit connection material may be equipped with the electrically-conductive particle containing layer containing electroconductive particle, and the nonconductive particle-containing layer which does not contain the electroconductive particle provided on at least one surface of this electroconductive particle containing layer.

도 5에 도시하는 회로 접속 재료 (15)는 2층 구조의 접착제층 (7)과, 이 접착제층 (7)의 양최외면을 각각 덮는 기재 (6a), (6b)를 구비한다.  회로 접속 재료 (15)의 접착제층 (7)은 도전 입자를 함유하는 도전 입자 함유층 (7a) 및 도전 입자를 함유하지 않은 도전 입자 비함유층 (7b)로 구성되어 있다.  회로 접속 재료 (15)는 기재 (6a)의 표면 상에 도전 입자 함유층 (7a)를 형성하고, 다른 한편, 기재 (6b)의 표면 상에 도전 입자 비함유층 (7b)를 형성하고, 이들 층을 종래 공지된 라미네이터 등을 사용하여 접합시킴으로써 제조할 수 있다.  회로 접속 재료 (15)를 사용할 때에는 적절하게 기재 (6a), (6b)는 박리된다.  The circuit connection material 15 shown in FIG. 5 is equipped with the adhesive bond layer 7 of a two-layered structure, and the base materials 6a and 6b which respectively cover the outermost surface of this adhesive bond layer 7. The adhesive bond layer 7 of the circuit connection material 15 is comprised from the electrically-conductive particle containing layer 7a containing electroconductive particle, and the nonconductive particle-containing layer 7b which does not contain electroconductive particle. The circuit connection material 15 forms the conductive particle content layer 7a on the surface of the base material 6a, and on the other hand, forms the conductive particle non-containing layer 7b on the surface of the base material 6b, It can manufacture by bonding using a conventionally well-known laminator etc. When using the circuit connection material 15, base materials 6a and 6b are peeled suitably.

회로 접속 재료 (15)에 따르면, 회로 부재끼리의 접합 시에, 접착제 성분의 유동에 기인하는 회로 전극 상에서의 도전 입자의 개수의 감소를 충분히 억제할 수 있다.  이 때문에, 예를 들면 IC칩을 COG 실장 또는 COF 실장에 의해서 기판 상에 접속하는 경우, IC칩의 금속 범프 상의 도전 입자의 개수를 충분히 확보할 수 있다.  이 경우, IC칩의 금속 범프를 구비하는 면과 도전 입자 비함유층 (7b)가, 다른 한편, IC칩을 실장하여야 할 기판과 도전 입자 함유층 (7a)가 각각 접촉하도록 접착제층 (7)을 배치하는 것이 바람직하다.  According to the circuit connection material 15, the reduction of the number of the electrically-conductive particle on the circuit electrode resulting from the flow of an adhesive agent at the time of joining of circuit members can fully be suppressed. For this reason, when connecting an IC chip on a board | substrate by COG mounting or COF mounting, for example, the number of electroconductive particles on the metal bump of an IC chip can be ensured enough. In this case, the adhesive layer 7 is arranged so that the surface having the metal bumps of the IC chip and the conductive particle free layer 7b are in contact with each other, and the substrate on which the IC chip is to be mounted and the conductive particle containing layer 7a are in contact with each other. It is desirable to.

[실시예] EXAMPLES

(실시예 1) (Example 1)

도전성을 갖는 핵 입자를 이하와 같이 하여 제조하였다.  즉, 기재 입자로서 가교 폴리스티렌 입자(소껭 가가꾸 제조, 상품명: SX시리즈, 평균 입경: 4 μm)를 준비하고, 이 입자의 표면 상에 무전해 도금 처리에 의해서 Ni층(두께 0.08 μm)을 설치하였다.  또한, 이 Ni층의 외측에 무전해 도금 처리에 의해서 Au층(두께 0.03 μm)을 설치하고, Ni층 및 Au층으로 이루어지는 도전층을 갖는 핵 입자를 얻었다.The nuclear particle which has electroconductivity was manufactured as follows. That is, cross-linked polystyrene particles (manufactured by Soku Chemical Co., Ltd., SX series, average particle diameter: 4 µm) were prepared as substrate particles, and a Ni layer (thickness 0.08 µm) was provided on the surface of the particles by electroless plating. It was. Further, an Au layer (thickness 0.03 µm) was provided outside the Ni layer by electroless plating to obtain a nucleus particle having a conductive layer made of a Ni layer and an Au layer.

핵 입자의 표면을 피복하기 위한 유기 고분자 화합물(절연 피복)로서, 가교 아크릴 수지(소껭 가가꾸 제조, 상품명: MP 시리즈)를 준비하였다.  이 가교 아크릴 수지 4 g과 핵 입자 20 g을 하이브리다이저(가부시끼가이샤 나라 기까이 세이사꾸쇼 제조, 상품명: NHS 시리즈)에 도입하여 도전 입자를 제조하였다.  또한, 하이브리다이저에 있어서의 처리 조건은 회전 속도 16000/분, 반응조 온도 60℃로 하였다.As an organic high molecular compound (insulation coating) for covering the surface of a nuclear particle, the crosslinked acrylic resin (The Soka Chemical Co., Ltd. make, brand name: MP series) was prepared. 4 g of this crosslinked acrylic resin and 20 g of nuclear particles were introduced into a hybridizer (manufactured by Naraki Seisakusho Co., Ltd., product name: NHS series) to prepare conductive particles. In addition, the processing conditions in the hybridizer were rotation speed 16000 / min, and reaction tank temperature 60 degreeC.

이어서, 비스페놀 A형 에폭시 수지와 9,9'-비스(4-히드록시페닐)플루오렌을 이용하여 유리 전이 온도가 80℃인 페녹시 수지를 합성하였다.  이 페녹시 수지 50 g을 용제에 용해하여 고형분 40 질량%의 용액을 제조하였다.  또한, 용제로서는 톨루엔과 아세트산에틸의 혼합 용제(양자의 혼합 질량비=1:1)를 사용하였다.Subsequently, a phenoxy resin having a glass transition temperature of 80 ° C. was synthesized using a bisphenol A type epoxy resin and 9,9′-bis (4-hydroxyphenyl) fluorene. 50 g of this phenoxy resin was dissolved in a solvent to prepare a solution having a solid content of 40% by mass. As a solvent, a mixed solvent of toluene and ethyl acetate (mixed mass ratio of quantum of 1: 1) was used.

다른 한편, 표 1에 나타내는 조성의 단량체 원료를 공중합시킴으로써 가교 구조를 갖는 아크릴계 공중합체를 제조하였다.  본 실시예에 있어서 제조한 아크릴계 공중합체의 평균 분자량은 40000(폴리스티렌 환산)이고, 유리 전이 온도 Tg는 -10℃였다.  이 아크릴계 공중합체를 아세트산에틸에 용해하여 고형분 40 질량%의 용액을 제조하였다.  On the other hand, the acrylic copolymer which has a crosslinked structure was manufactured by copolymerizing the monomer raw material of the composition shown in Table 1. The average molecular weight of the acrylic copolymer produced in the present Example was 40000 (polystyrene conversion), and glass transition temperature Tg was -10 degreeC. This acryl-type copolymer was melt | dissolved in ethyl acetate, and the solution of 40 mass% of solid content was prepared.

페녹시 수지 45 질량부(고형분)와, 아크릴계 공중합체 15 질량부(고형분)와, 마이크로 캡슐형 잠재성 경화제(이미다졸계 경화제)를 함유하는 액상 에폭시 수지40 질량부(고형분)를 혼합하여 접착제 성분의 용액을 얻었다.  접착제 성분 100 부피부에 대하여 상기 도전 입자 5 부피부를 배합하고, 온도 23℃에서 교반함으로써 접착제 조성물의 용액을 얻었다.  45 mass parts (solid content) of phenoxy resin, 15 mass parts (solid content) of an acryl-type copolymer, and 40 mass parts (solid content) of the liquid epoxy resin containing a microcapsule-type latent hardener (imidazole type hardening | curing agent) are mixed, and it is an adhesive agent. A solution of the components was obtained. The solution of the adhesive composition was obtained by mix | blending 5 volume parts of said electroconductive particles with respect to 100 volume parts of adhesive components, and stirring at the temperature of 23 degreeC.

박리 처리제(실리콘 수지)에 의한 표면 처리가 실시된 PET 필름(데이진 듀퐁 필름 가부시끼가이샤 제조, 상품명: 퓨렉스, 두께: 50 μm)의 면 상에 접착제 조성물의 용액을 도공하여 도포하였다.  그 후, 이것을 열풍 건조(80℃에서 5분간)함으로써 PET 필름에 지지된 두께 10 μm의 도전 입자 함유층을 얻었다.  The solution of the adhesive composition was applied and coated on the surface of the PET film (Tejin DuPont Film Co., Ltd. make, brand name: PUREX, thickness: 50 micrometers) to which the surface treatment by the peeling agent (silicone resin) was given. Thereafter, this was subjected to hot air drying (for 5 minutes at 80 ° C.) to obtain a conductive particle-containing layer having a thickness of 10 μm supported by the PET film.

또한, 페녹시 수지 40 질량부(고형분)와, 아크릴계 공중합체 15 질량부(고형분)와, 마이크로 캡슐형 잠재성 경화제(이미다졸계 경화제)를 함유하는 액상 에폭시 수지 45 질량부(고형분)를 혼합하여 도전 입자를 함유하지 않은 접착제 성분의 용액을 얻었다.  이 접착제 성분의 용액을 박리 처리제(실리콘 수지)에 의한 표면 처리가 실시된 PET 필름(데이진 듀퐁 필름 가부시끼가이샤 제조, 상품명: 퓨렉스, 두께: 50 μm)의 면 상에 도공하여 도포하였다.  그 후, 이것을 열풍 건조(80℃에서 5분간)함으로써 PET 필름에 지지된 두께 15 μm의 도전 입자 비함유층을 얻었다.Moreover, 40 mass parts (solid content) of phenoxy resin, 15 mass parts (solid content) of an acryl-type copolymer, and 45 mass parts (solid content) of the liquid epoxy resin containing a microcapsule type latent hardener (imidazole type hardening | curing agent) are mixed. To obtain a solution of an adhesive component containing no conductive particles. The solution of this adhesive component was apply | coated and apply | coated on the surface of the PET film (Tejin DuPont Film Co., Ltd. make, brand name: PUREX, thickness: 50 micrometers) to which surface treatment was performed by the peeling agent (silicone resin). Thereafter, this was subjected to hot air drying (for 5 minutes at 80 ° C.) to obtain a conductive particle-free layer having a thickness of 15 μm supported by the PET film.

이들 접착 필름끼리를 종래 공지된 라미네이터를 이용하여 접합시켰다.  이에 따라 도 5에 도시하는 2층 구성의 회로 접속 재료를 얻었다.  These adhesive films were bonded together using the conventionally well-known laminator. This obtained the circuit connection material of the 2-layered structure shown in FIG.

(회로 접속체의 제조) (Manufacture of circuit connection body)

상기한 바와 같이 하여 제조한 회로 접속 재료를 이용하여 ITO 기판(두께 0.7 mm, 표면 저항<20Ω/□)과 IC칩(두께 0.55 mm)을 접속하여 회로 접속체를 형성하였다.  IC칩은 범프 면적 2500 μm2(50 μm×50 μm), 피치 100 μm, 높이 20 μm의 금 범프를 구비하는 것을 사용하였다.  ITO 기판은 두께 1.1 mm의 유리판의 표면 상에 ITO를 증착에 의해 형성한 것을 사용하였다.  The circuit connection body was formed by connecting the ITO board | substrate (0.7 mm in thickness, surface resistance <20 ohms / square), and IC chip (thickness 0.55 mm) using the circuit connection material manufactured as mentioned above. The IC chip was used having a bump of 2500 μm 2 (50 μm × 50 μm), a pitch of 100 μm, and a gold bump of 20 μm in height. The ITO substrate used what formed ITO by vapor deposition on the surface of the glass plate of thickness 1.1mm.

IC칩과 ITO 기판 사이에 회로 접속 재료를 개재시키고, 압착 장치(도레이 엔지니어링 가부시끼가이샤 제조, 상품명: FC-1200)를 이용하여 접속을 행하였다.  구체적으로는, 우선 도전 입자 함유층측의 PET 필름을 박리하고, 도전 입자 함유층이 ITO 기판과 접촉하도록 회로 접속 재료를 ITO 기판 상에 배치하였다.  그리고, 압착 장치를 이용하여 가압착(온도 75℃, 압력 1.0 MPa에서 2초간)을 행하였다.  그리고, 도전 입자 비함유층측의 PET 필름을 박리한 후, 금 범프가 도전 입자 비함유층과 접촉하도록 IC칩을 장착하였다.  토대에 석영 유리를 사용하고, 온도 200℃, 압력 80 MPa에서 5초간 가열 가압함으로써 접속부를 구비하는 회로 접속체를 얻었다.  The circuit connection material was interposed between an IC chip and an ITO board | substrate, and it connected using the crimping apparatus (Toray Engineering Co., Ltd. make, brand name: FC-1200). Specifically, the PET film on the conductive particle-containing layer side was first peeled off, and the circuit connection material was disposed on the ITO substrate so that the conductive particle-containing layer was in contact with the ITO substrate. Then, pressing was carried out (for 2 seconds at a temperature of 75 ° C. and a pressure of 1.0 MPa) using a pressing device. After peeling off the PET film on the conductive particle-free layer side, the IC chip was mounted so that the gold bumps contacted with the conductive particle-free layer. The circuit connecting body provided with a connection part was obtained by using quartz glass for a base, and heating and pressurizing for 5 second at the temperature of 200 degreeC, and the pressure of 80 MPa.

(휘어짐량의 측정) (Measurement of warpage amount)

IC칩을 실장한 후의 ITO 기판의 휘어짐량에 대해서, 비접촉식 레이저형 3차원 형상 측정 장치(기엔스 제조, 상품명: LT-9000)를 이용하여 측정하였다.  IC칩측을 아래쪽으로 향하게 하고, ITO 기판의 이면을 상측으로 향하게 하여 회로 접속체를 평탄한 대의 위에 재치하였다. 그리고, ITO 기판의 이면의 중심부와, 이 ITO 기판의 이면에서의 IC칩의 양끝으로부터 5 mm 떨어진 개소와의 높이의 차를 측정하였다.  이 높이의 차를 유리 기판의 휘어짐량으로 하였다.  The amount of warpage of the ITO substrate after mounting the IC chip was measured using a non-contact laser type three-dimensional shape measuring apparatus (Genese, trade name: LT-9000). The circuit connecting body was placed on a flat stage with the IC chip side facing downward and the back surface of the ITO substrate facing upward. And the difference of the height of the center part of the back surface of an ITO board | substrate, and the location 5 mm from both ends of an IC chip in the back surface of this ITO board | substrate was measured. The difference of this height was made into the amount of curvature of a glass substrate.

(초기 접속 저항의 측정)(Measurement of initial connection resistance)

상기한 바와 같이 하여 제조한 회로 접속체의 접속부의 초기 저항을 저항 측정기(가부시끼가이샤 어드밴티스트 제조, 상품명:디지탈 멀티미터)를 이용하여 측정하였다.  또한, 측정은 전극 사이에 1 mA의 전류를 흘려 행하였다.  The initial resistance of the connection part of the circuit connection body manufactured as mentioned above was measured using the resistance measuring instrument (The product made by ADVANTIST, A brand name: digital multimeter). In addition, the measurement carried out the 1 mA electric current between electrodes.

(접속 신뢰성의 평가) (Evaluation of Connection Reliability)

회로 접속체의 접속부의 접속 신뢰성에 대해서 온도 사이클 시험을 행함으로써 평가하였다.  온도 사이클 시험은 회로 접속체를 온도 사이클조(ETAC 제조, 상품명: NT1020) 내에 수용하고, 실온으로부터 -40℃로의 강온, -40℃로부터 100℃로의 승온 및 100℃로부터 실온으로의 강온의 온도 사이클을 500회 반복함으로써 행하였다.  -40℃ 및 100℃에서의 유지 시간은 어느 것이나 30분으로 하였다.  온도 사이클 시험 후의 접속 부분의 저항의 측정은 초기 저항의 측정과 동일하게 행하였다.  The connection reliability of the connection part of a circuit connection body was evaluated by performing a temperature cycle test. Temperature cycle test accommodates a circuit connection in a temperature cycle tank (ETAC make, brand name: NT1020), The temperature cycle of temperature-fall from -40 degreeC to -100 degreeC, temperature rise from -40 degreeC to 100 degreeC, and temperature-fall from 100 degreeC to room temperature It was performed by repeating 500 times. The holding time at -40 degreeC and 100 degreeC was 30 minutes in all. The measurement of the resistance of the connection part after the temperature cycle test was performed similarly to the measurement of the initial resistance.

(인접 전극 사이의 절연성의 평가)(Evaluation of insulation between adjacent electrodes)

인접하는 전극 사이의 절연 저항을 저항 측정기(가부시끼가이샤 어드밴티스트 제조, 상품명: 디지탈 멀티미터)를 이용하여 이하의 절차로 측정하였다.  우선, 회로 접속체의 접속부에 직류(DC) 50 V의 전압을 1분간 인가하였다.  그리고, 절연 저항의 측정은 전압 인가 후의 접속부에 대하여 2 단자 측정법에 의해서 행하였다.  또한, 상기한 전압의 인가에는 전압계(가부시끼가이샤 어드밴티스트 제조, 상품명: ULTRA HIGH RESISTANCE METER)를 이용하였다.  Insulation resistance between adjacent electrodes was measured with the following procedure using the resistance measuring instrument (The product made by ADVANTIST, a brand name: digital multimeter). First, a voltage of 50 V DC was applied to the connecting portion of the circuit connecting body for 1 minute. And insulation resistance was measured by the 2-terminal measuring method with respect to the connection part after voltage application. In addition, a voltmeter (manufactured by Advanced Industries, Inc., trade name: ULTRA HIGH RESISTANCE METER) was used to apply the above voltage.

(저장 탄성률과 유리 전이 온도의 측정)(Measurement of Storage Modulus and Glass Transition Temperature)

본 실시예에서 제조한 2층 구성의 회로 접속 재료를 200℃에서 1시간 가열하여 경화시켰다.  회로 접속 재료의 경화물로부터 피측정 시료(폭 5 mm, 길이 20 mm, 막 두께 25 μm)를 잘라내고, 다음과 같이 하여 저장 탄성률 및 유리 전이 온도를 측정하였다.  즉, 피측정 시료의 동적 점탄성에 대해서, 동적 점탄성 측정 장치 RASII(TA 인스트루먼트 제조)를 이용하여, 승온 속도 5℃/분, 주파수 10 Hz, 진폭 3 μm, 인장 모드의 조건으로 측정하였다.  그리고, 얻어진 결과로부터, -50℃ 및 100℃에서의 저장 탄성률과, tanδ의 최대값(유리 전이 온도 Tg)을 구하였다.  The circuit connection material of the two-layered constitution manufactured in the present example was heated and cured at 200 ° C for 1 hour. The sample to be measured (width 5 mm, length 20 mm, film thickness 25 μm) was cut out from the cured product of the circuit connection material, and the storage elastic modulus and the glass transition temperature were measured as follows. That is, the dynamic viscoelasticity of the sample under test was measured under the conditions of a temperature increase rate of 5 ° C./min, a frequency of 10 Hz, an amplitude of 3 μm, and a tensile mode using a dynamic viscoelasticity measuring device RASII (manufactured by TA Instruments). And the storage elastic modulus in -50 degreeC and 100 degreeC and the maximum value of tan-delta (glass transition temperature Tg) were calculated | required from the obtained result.

표 3에 피측정 시료(회로 접속 재료의 경화물)의 -50℃ 및 100℃에서의 저장 탄성률, -50 내지 100℃의 범위에서의 피측정 시료의 저장 탄성률의 최대값 및 최소값, 및 유리 전이 온도를 나타내었다.  또한, 표 4에 ITO 기판의 휘어짐량, 접속 저항값, 절연 저항값의 측정 결과를 나타내었다.  Table 3 shows the storage modulus at −50 ° C. and 100 ° C. of the sample under test (cured product of the circuit connection material), the maximum and minimum values of the storage modulus of the sample under measurement in the range of −50 to 100 ° C., and the glass transition. The temperature is shown. Table 4 also shows the results of measurement of the amount of warpage, the connection resistance and the insulation resistance of the ITO substrate.

(실시예 2) (Example 2)

중량 평균 분자량 40×103의 아크릴계 공중합체 대신에, 표 1의 실시예 2의 란에 나타내는 단량체 원료로 제조한 중량 평균 분자량 50×103의 아크릴계 공중합체를 사용한 것 외에는 실시예 1과 동일하게 하여 2층 구성의 회로 접속 재료 및 회로 접속체를 제조하였다.  In place of the acrylic copolymer having a weight average molecular weight of 40 × 10 3, for using an acrylic copolymer having a weight average molecular weight of 50 × 10 3 made of the monomer raw materials shown in the column of Example 2 in Table 1, except the same manner as in Example 1, To produce a circuit connection material and a circuit connection body having a two-layer structure.

(실시예 3) (Example 3)

중량 평균 분자량 40×103, 유리 전이 온도 -10℃의 아크릴계 공중합체 대신에 표 1의 실시예 3의 란에 나타내는 단량체 원료로 제조한 중량 평균 분자량 70×103, 유리 전이 온도 -5℃의 아크릴계 공중합체를 사용한 것 외에는 실시예 1과 동일하게 하여 2층 구성의 회로 접속 재료 및 회로 접속체를 제조하였다.  A weight average molecular weight of 70 × 10 3 and a glass transition temperature of −5 ° C. prepared from the monomer raw materials shown in the column of Example 3 in Table 1 in place of the weight average molecular weight 40 × 10 3 and the acrylic copolymer having a glass transition temperature of −10 ° C. Except having used the acryl-type copolymer, it carried out similarly to Example 1, and manufactured the circuit connection material and circuit connector of a two-layered constitution.

(실시예 4) (Example 4)

중량 평균 분자량 40×103, 유리 전이 온도 -10℃의 아크릴계 공중합체 대신에, 표 1의 실시예 4의 란에 나타내는 단량체 원료로 제조한 중량 평균 분자량 60×103, 유리 전이 온도 0℃의 아크릴계 공중합체를 사용한 것 외에는 실시예 1과 동일하게 하여 2층 구성의 회로 접속 재료 및 회로 접속체를 제조하였다.  Instead of the weight average molecular weight 40 × 10 3 , the glass transition temperature of -10 ℃ acrylic copolymer, instead of the weight average molecular weight 60 × 10 3 , glass transition temperature of 0 ℃ produced by the monomer raw material shown in the column of Example 4 of Table 1 Except having used the acryl-type copolymer, it carried out similarly to Example 1, and manufactured the circuit connection material and circuit connector of a two-layered constitution.

(실시예 5) (Example 5)

중량 평균 분자량 40×103, 유리 전이 온도 -10℃의 아크릴계 공중합체 대신에, 표 1의 실시예 5의 란에 나타내는 단량체 원료로 제조한 중량 평균 분자량 70×103, 유리 전이 온도 10℃의 아크릴계 공중합체를 사용한 것 외에는 실시예 1과 동일하게 하여 2층 구성의 회로 접속 재료 및 회로 접속체를 제조하였다.  Instead of the weight average molecular weight 40x10 3 and the acryl-based copolymer having a glass transition temperature of -10 ° C, the weight average molecular weight of 70x10 3 and the glass transition temperature of 10 ° C produced from the monomer raw material shown in the column of Example 5 of Table 1 Except having used the acryl-type copolymer, it carried out similarly to Example 1, and manufactured the circuit connection material and circuit connector of a two-layered constitution.

(비교예 1)(Comparative Example 1)

2층 구성의 회로 접속 재료를 제조할 때에, 각 용액에 가교 구조를 갖는 아크릴계 공중합체를 배합하지 않고, 표 2에 나타내는 배합 비율로 도전 입자 함유층 및 도전 입자 비함유층을 형성한 것 외에는 실시예 1과 동일하게 하여 2층 구성의 회로 접속 재료 및 회로 접속 재료를 제조하였다.  When manufacturing the circuit connection material of a two-layered constitution, Example 1 except having provided the electrically-conductive particle content layer and the electrically-conductive particle-free layer in the compounding ratio shown in Table 2, without mix | blending the acryl-type copolymer which has a crosslinked structure in each solution. In the same manner as in the above, a circuit connection material and a circuit connection material having a two-layer structure were manufactured.

Figure pat00001
Figure pat00001

Figure pat00002
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Figure pat00003
Figure pat00003

Figure pat00004
Figure pat00004

본 발명에 따르면 200℃ 정도의 고온 조건에서 회로 부재끼리의 접속을 행한 경우에도 회로 부재의 휘어짐을 충분히 억제할 수 있다.According to the present invention, even when the circuit members are connected to each other under high temperature conditions of about 200 ° C, the warpage of the circuit members can be sufficiently suppressed.

5, 15: 회로 접속 재료, 6, 6a, 6b: 기재, 7a: 도전 입자 함유층, 7b: 도전 입자 비함유층, 8: 접착제층, 9: 접착제 성분, 10A, 10B: 도전 입자, 30: 제1 회로 부재, 40: 제2 회로 부재, 50a: 접속부, 100: 회로 접속체5, 15: circuit connection material, 6, 6a, 6b: base material, 7a: conductive particle-containing layer, 7b: conductive particle-free layer, 8: adhesive layer, 9: adhesive component, 10A, 10B: conductive particle, 30: first Circuit member, 40: 2nd circuit member, 50a: connection part, 100: circuit connection body

Claims (12)

회로 부재끼리를 접착함과 동시에 각각의 회로 부재가 갖는 회로 전극끼리를 전기적으로 접속하기 위해서 이용되는 접착제 조성물로서,
에폭시 수지와,
에폭시 수지 경화제와,
가교 구조를 갖고, 중량 평균 분자량이 30000 내지 80000인 아크릴계 공중합체
를 함유하는 접착제 조성물.
As an adhesive composition used in order to adhere | attach circuit members and to electrically connect the circuit electrodes which each circuit member has,
With epoxy resin,
Epoxy resin curing agent,
Acrylic copolymer having a crosslinked structure and having a weight average molecular weight of 30000 to 80000
Adhesive composition containing.
제1항에 있어서, 도전 입자를 더 함유하는 접착제 조성물. The adhesive composition according to claim 1, further comprising conductive particles. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 아크릴계 공중합체의 유리 전이 온도가 -40 내지 40℃인 접착제 조성물. The adhesive composition of Claim 1 or 2 whose glass transition temperature of the said acrylic copolymer is -40-40 degreeC. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 아크릴계 공중합체는 원료에 포함되는 단량체 성분을 공중합시킴으로써 얻어진 것이며, 해당 원료에 포함되는 단량체 성분 100 질량부에 대한 글리시딜아크릴레이트 및 글리시딜메타크릴레이트의 합계량이 1 내지 7 질량부인 접착제 조성물. The said acryl-type copolymer is obtained by copolymerizing the monomer component contained in a raw material, Glycidyl acrylate and glyce with respect to 100 mass parts of monomer components contained in the said raw material. Adhesive composition whose total amount of cyl methacrylate is 1-7 mass parts. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 온도 200℃에서 1시간 가열하여 얻어지는 경화물은 -50℃에서의 저장 탄성률이 2.0 내지 3.0 GPa이고, 100℃에서의 저장 탄성률이 1.0 내지 2.0 GPa임과 동시에, -50 내지 100℃의 범위에서의 저장 탄성률의 최대값과 최소값의 차가 2.0 GPa 이하인 접착제 조성물. The cured product obtained by heating at a temperature of 200 ° C for 1 hour has a storage modulus at -50 ° C of 2.0 to 3.0 GPa, and a storage modulus at 100 ° C of 1.0 to 2.0. The adhesive composition which is a GPa and the difference of the maximum value and minimum value of storage elastic modulus in the range of -50-100 degreeC is 2.0 GPa or less. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 온도 200℃에서 1시간 가열하여 얻어지는 경화물은 유리 전이 온도가 100 내지 150℃인 접착제 조성물. The adhesive composition of any one of Claims 1-5 whose hardened | cured material obtained by heating at 200 degreeC for 1 hour has a glass transition temperature of 100-150 degreeC. 필름상의 기재와,
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 접착제 조성물로 이루어지며, 상기 기재의 한쪽면 상에 설치된 접착제층
을 구비하는 회로 접속 재료.
With base material on film,
Adhesive layer which consists of adhesive composition of any one of Claims 1-6, and was provided on one side of the said base material.
Circuit connection material provided with.
대향 배치된 한쌍의 회로 부재와,
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 접착제 조성물의 경화물로 이루어지며, 상기 한쌍의 회로 부재의 사이에 개재되어 각각의 회로 부재가 갖는 회로 전극끼리가 전기적으로 접속되도록 해당 회로 부재끼리를 접착하는 접속부
를 구비하는 회로 접속체.
A pair of opposing circuit members,
Comprising the hardened | cured material of the adhesive composition of any one of Claims 1-6, Comprising the said circuit members so that the circuit electrodes which each circuit member has may be interposed between the said pair of circuit members, and are electrically connected. Joint to bond
The circuit connection body provided with.
제8항에 있어서, 상기 한쌍의 회로 부재 중의 적어도 한쪽이 IC칩인 회로 접속체. The circuit connecting body according to claim 8, wherein at least one of the pair of circuit members is an IC chip. 제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 한쌍의 회로 부재가 각각 갖는 회로 전극의 적어도 한쪽의 표면이 금, 은, 주석, 루테늄, 로듐, 팔라듐, 오스뮴, 이리듐, 백금 및 인듐주석 산화물로부터 선택되는 적어도 1종으로 구성되어 있는 회로 접속체. 10. The method of claim 8 or 9, wherein at least one surface of each of the circuit electrodes of the pair of circuit members is selected from gold, silver, tin, ruthenium, rhodium, palladium, osmium, iridium, platinum and indium tin oxide. Circuit connection body comprised of at least 1 type. 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 접속부에 접촉하고 있는 상기 한쌍의 회로 부재의 접촉면의 적어도 한쪽이 질화규소, 실리콘 화합물 및 감광성 또는 비감광성 폴리이미드 수지로부터 선택되는 적어도 1종 이상의 소재에 의해서 구성되는 부분을 갖는 것인 회로 접속체. At least one of the contact surfaces of the pair of circuit members in contact with the connecting portion is at least one selected from silicon nitride, a silicon compound, and a photosensitive or non-photosensitive polyimide resin according to any one of claims 8 to 10. The circuit connection body which has a part comprised by a raw material. 대향 배치된 한쌍의 회로 부재의 사이에 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 접착제 조성물을 개재시키고, 전체를 가열 및 가압하여, 상기 접착제 조성물의 경화물로 이루어지고, 상기 한쌍의 회로 부재의 사이에 개재되어 각각의 회로 부재가 갖는 회로 전극끼리가 전기적으로 접속되도록 해당 회로 부재끼리를 접착하는 접속부를 형성함으로써, 상기 한쌍의 회로 부재 및 상기 접속부를 구비하는 회로 접속체를 얻는 회로 부재의 접속 방법.Interposed between the pair of circuit members arranged oppositely, the adhesive composition in any one of Claims 1-6 is interposed, the whole is heated and pressed, and consists of hardened | cured material of the said adhesive composition, The said pair of circuits The circuit member which obtains the circuit connection body provided with the said pair of circuit member and the said connection part by forming the connection part which affixes the said circuit member so that the circuit electrodes which each circuit member has between the member may electrically connect. Connection method.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140065373A (en) * 2011-09-21 2014-05-29 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 Circuit connection material, connection method using same, and connection structure

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010260924A (en) * 2009-04-30 2010-11-18 Sumitomo Electric Ind Ltd Adhesive resin composition, laminate and flexible printed wiring board using the same
JP5728804B2 (en) * 2009-10-07 2015-06-03 デクセリアルズ株式会社 Thermosetting adhesive composition, thermosetting adhesive sheet, method for producing the same, and reinforced flexible printed wiring board
JP2011100927A (en) * 2009-11-09 2011-05-19 Sony Chemical & Information Device Corp Bonding agent composition
JP5619466B2 (en) * 2010-04-13 2014-11-05 デクセリアルズ株式会社 Curable resin composition, adhesive epoxy resin paste, die bond agent, non-conductive paste, adhesive epoxy resin film, non-conductive epoxy resin film, anisotropic conductive paste and anisotropic conductive film
KR101374365B1 (en) * 2010-12-27 2014-03-17 제일모직주식회사 Adhesive composition for semiconductor, adhesive film comprising the same
JP6100989B2 (en) * 2011-03-25 2017-03-22 藤森工業株式会社 Adhesive tape for ITO
KR101936448B1 (en) 2011-03-31 2019-01-08 가부시끼 가이샤 구보다 Speed change transmission device and driving transmission device
JP5838321B2 (en) * 2011-05-27 2016-01-06 パナソニックIpマネジメント株式会社 Manufacturing method of solar cell module
JP6328996B2 (en) * 2013-05-23 2018-05-23 積水化学工業株式会社 Conductive paste, connection structure, and manufacturing method of connection structure
JP6292808B2 (en) * 2013-09-13 2018-03-14 デクセリアルズ株式会社 Adhesive and light emitting device
JP6505423B2 (en) * 2013-12-16 2019-04-24 デクセリアルズ株式会社 Method of manufacturing mounting body, and anisotropic conductive film
US20170081565A1 (en) * 2014-03-05 2017-03-23 3M Innovative Properties Company Gentle to skin (meth)acrylate pressure-sensitive adhesive
CN104673111B (en) * 2014-06-30 2017-01-11 广东丹邦科技有限公司 Formula and preparation method of epoxy resin based anisotropic conductive adhesive film
JP5983694B2 (en) * 2014-09-10 2016-09-06 デクセリアルズ株式会社 Anisotropic conductive adhesive
CN104403610B (en) * 2014-11-24 2016-08-17 苏州斯迪克新材料科技股份有限公司 High flame retardant pressure-sensitive adhesive agent and manufacturing process thereof
JP6114883B1 (en) * 2015-05-20 2017-04-12 積水化学工業株式会社 Conductive adhesive and conductive adhesive with conductive substrate
US11660371B2 (en) 2015-08-31 2023-05-30 3M Innovative Properties Company Negative pressure wound therapy dressings comprising (meth)acrylate pressure-sensitive adhesive with enhanced adhesion to wet surfaces
EP3344720B1 (en) 2015-08-31 2020-10-14 3M Innovative Properties Company Articles comprising (meth)acrylate pressure-sensitive adhesive with enhanced adhesion to wet surfaces
JP2017110128A (en) * 2015-12-17 2017-06-22 Dic株式会社 Thermosetting adhesive sheet, article and method for producing article
FR3066385B1 (en) 2017-05-19 2020-01-17 Laboratoires M&L BIPHASIC COSMETIC COMPOSITION
SG11202103537PA (en) * 2018-11-09 2021-05-28 Showa Denko Materials Co Ltd Temporary protective film for producing semiconductor device, reel body, and method for producing semiconductor device
WO2020110785A1 (en) * 2018-11-29 2020-06-04 日立化成株式会社 Film-like adhesive agent for semiconductor, semiconductor device, and method for manufacturing same
CN109735276B (en) * 2019-01-11 2021-03-26 华玻视讯(珠海)科技有限公司 Micron copper sheet-polyphenyl ether-epoxy resin conductive adhesive and preparation method thereof

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0249087A (en) * 1988-08-11 1990-02-19 Toray Ind Inc Adhesive composition
AU6487996A (en) * 1995-07-10 1997-02-10 Minnesota Mining And Manufacturing Company Screen printable adhesive compositions
AU711287B2 (en) * 1996-05-16 1999-10-07 Minnesota Mining And Manufacturing Company Adhesive compositions and methods of use
JPH10178054A (en) * 1996-10-15 1998-06-30 Toray Ind Inc Board for semiconductor integrated circuit connection, component constituting the same, and semiconductor device
US6812065B1 (en) * 1999-04-01 2004-11-02 Mitsui Chemicals, Inc. Anisotropic conductive paste
JP3617417B2 (en) * 1999-06-18 2005-02-02 日立化成工業株式会社 Adhesive, adhesive member, wiring board for semiconductor mounting provided with adhesive member, and semiconductor device using the same
JP2001212525A (en) * 2000-02-01 2001-08-07 Kubota Corp Granular material inspection device
JP4747396B2 (en) * 2000-05-17 2011-08-17 日立化成工業株式会社 Adhesive composition, circuit terminal connection method using the same, and circuit terminal connection structure
JP2002212525A (en) 2001-01-22 2002-07-31 Hitachi Chem Co Ltd Adhesive film for semiconductor, substrate for mounting semiconductor chip and semiconductor device
JP4869517B2 (en) * 2001-08-21 2012-02-08 リンテック株式会社 Adhesive tape
JP2003238925A (en) * 2002-02-19 2003-08-27 Hitachi Chem Co Ltd Adhesive agent composition and adhesive film
JP4487473B2 (en) * 2002-07-08 2010-06-23 日立化成工業株式会社 Adhesive composition, adhesive film using the same, and semiconductor device using the adhesive film
JP4238124B2 (en) * 2003-01-07 2009-03-11 積水化学工業株式会社 Curable resin composition, adhesive epoxy resin paste, adhesive epoxy resin sheet, conductive connection paste, conductive connection sheet, and electronic component assembly
JP4123963B2 (en) * 2003-02-17 2008-07-23 日立化成工業株式会社 Adhesive sheet and semiconductor device using the same
WO2005004216A1 (en) * 2003-07-08 2005-01-13 Lintec Corporation Hardenable pressure sensitive adhesive sheet for dicing/die-bonding and method for manufacturing semiconductor device
JP4265397B2 (en) * 2003-12-22 2009-05-20 日立化成工業株式会社 Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device
JP2007112949A (en) * 2005-10-24 2007-05-10 Sumitomo Electric Ind Ltd Anisotropic conductive adhesive
JP4890063B2 (en) * 2006-03-20 2012-03-07 新日鐵化学株式会社 Resin composition, varnish obtained using this resin composition, film adhesive and copper foil with film adhesive

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140065373A (en) * 2011-09-21 2014-05-29 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 Circuit connection material, connection method using same, and connection structure

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