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KR20110054342A - Multi-stage amplifier for low power consumption - Google Patents

Multi-stage amplifier for low power consumption Download PDF

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Publication number
KR20110054342A
KR20110054342A KR1020090110952A KR20090110952A KR20110054342A KR 20110054342 A KR20110054342 A KR 20110054342A KR 1020090110952 A KR1020090110952 A KR 1020090110952A KR 20090110952 A KR20090110952 A KR 20090110952A KR 20110054342 A KR20110054342 A KR 20110054342A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
power amplifier
voltage
amplifier
signal
type transistor
Prior art date
Application number
KR1020090110952A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
원준구
김기중
최재혁
송영진
김윤석
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전기주식회사 filed Critical 삼성전기주식회사
Priority to KR1020090110952A priority Critical patent/KR20110054342A/en
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Abstract

PURPOSE: A multi-stage amplifier for low power consumption is provided to prevent unnecessary power consumption by allowing the application of input voltage of a final terminal as much as necessity. CONSTITUTION: A first power amplifier(10) amplifies an inputted RF signal, and a voltage adjustment unit(30) is connected to the first power amplifier. The voltage adjustment unit cuts off the DC current component of an RF signal outputted to the first power amplifier. The voltage adjustment unit applies bias voltage. A second power amplifier(20) is connected to the voltage adjustment unit, and amplifies the signal outputted from the first power amplifier by receiving the voltage applied through the voltage adjustment unit.

Description

저전력소비 다단증폭기{Multi-stage amplifier for low power consumption}Multi-stage amplifier for low power consumption

본 발명은 저전력소비 다단증폭기에 관한 것이다.The present invention relates to a low power consumption multistage amplifier.

최근 정보통신기술의 발전에 따라 초고속 인터넷, 무선 인터넷, 휴대 인터넷, 지상파 DMB(Digital Multimedia Broadcasting), 위성 DMB 등 다양한 형태의 통신 인프라를 바탕으로 동영상, 이미지, 음악 콘텐츠, e-Book 등 다양한 콘텐츠의 이용이 활발하게 이루어지고 있다. With the recent development of information and communication technology, various contents such as video, image, music contents, e-book, etc. are based on various forms of communication infrastructure such as high speed internet, wireless internet, portable internet, terrestrial digital multimedia broadcasting (DMB), satellite DMB. The use is active.

현재의 기술 발전 추세를 감안하면 미래의 휴대 단말은 종래의 음성 위주의 서비스에서 탈피하여 음성, 인터넷, 동영상 및 전자서명/계측/제어 등과 같은 다양한 서비스를 제공할 수 있어야 할 것이다.Considering the current trend of technology development, the portable terminal of the future should be able to provide various services such as voice, internet, video, and electronic signature / measurement / control by moving away from the conventional voice-oriented service.

이를 구현하기 위해서는 복합적인 기능의 수행과 높은 전송속도가 요구되고, 이에 수반하여 전력소모가 가장 핵심적인 문제로 대두됨에 따라, 무선 송신장치의 최종 출력단에 이용되는 전력증폭기는 저소비 전력화를 위하여 고효율 특성이 요구된다. In order to implement this, complex functions and high transmission speeds are required, and as power consumption becomes a key problem, power amplifiers used in the final output stage of the wireless transmitter have high efficiency characteristics for low power consumption. Is required.

이러한 전력증폭기는 일반적으로 이득(Gain)을 높이기 위해 전력증폭기를 다단으로 연결한다.Such a power amplifier generally connects the power amplifier in multiple stages to increase the gain.

도 1은 종래 다단 증폭기의 개념도이다. 1 is a conceptual diagram of a conventional multi-stage amplifier.

도 1을 참조하면, 종래 다단 증폭기는 제1 전력 증폭부(3)의 출력단과 제2 전력 증폭부(4)의 입력단이 연결되어(a 지점), 상기 제1 전력 증폭부(3)의 입력 단자(1)를 통해 RF 신호가 입력되면 이를 증폭하여 상기 제2 전력 증폭부(4)의 입력 단자(미도시)로 바로 입력된다.Referring to FIG. 1, in the conventional multi-stage amplifier, an output terminal of the first power amplifier 3 and an input terminal of the second power amplifier 4 are connected (point a) to input the first power amplifier 3. When an RF signal is input through the terminal 1, the RF signal is amplified and directly input to an input terminal (not shown) of the second power amplifier 4.

즉, 상기 제1 전력 증폭부(3)의 출력 전압이 상기 제2 전력 증폭부(4)의 입력 전압이 된다.That is, the output voltage of the first power amplifier 3 becomes the input voltage of the second power amplifier 4.

이때, 상기 제1 전력 증폭부(3)의 직류(DC) 성분의 전압이 함께 입력되며, 상기 제1 전력 증폭부(3)의 직류(DC) 성분의 전압은 상기 제2 전력 증폭부(4)를 동작시키기 위한 동작 전압보다 높은 전압이 인가될 수 있다.At this time, the voltage of the DC component of the first power amplifier 3 is input together, and the voltage of the DC component of the first power amplifier 3 is the second power amplifier 4. A voltage higher than the operating voltage for operating) may be applied.

도 2는 종래 다단 증폭기의 제2 전력 증폭부(4)의 시간에 따른 입력 전압을 나타내는 도면이다. 2 is a view showing an input voltage according to time of the second power amplifier 4 of the conventional multi-stage amplifier.

예를 들어, 상기 제1 전력 증폭부(3)의 구동 전압이 약 3V이고, 이때의 상기 제1 전력 증폭부(3)의 출력 전압이 약 1.5V이며, 상기 제2 전력 증폭부(4)의 구동 전압이 약 0.7V라면, 상기 제1 전력 증폭부(3)의 출력 전압(즉, 상기 제2 전력 증폭부(4)의 입력 전압)이 상기 제2 전력 증폭부(4)의 구동 전압보다 높다.For example, the driving voltage of the first power amplifier 3 is about 3V, the output voltage of the first power amplifier 3 is about 1.5V, and the second power amplifier 4 If the driving voltage of is about 0.7V, the output voltage of the first power amplifier 3 (that is, the input voltage of the second power amplifier 4) is the drive voltage of the second power amplifier 4. Higher than

따라서, 도 2에 도시된 것처럼, 종래 다단 증폭기의 제2 전력 증폭부(4)는 턴 온(turn on)되는 구간이 늘어나 불필요한 전력 소모가 발생될 수 있다.Therefore, as shown in FIG. 2, the second power amplifier 4 of the conventional multi-stage amplifier may be turned on, and thus unnecessary power consumption may occur.

이처럼, 상기 제1 전력 증폭부(3)의 출력이 상기 제2 전력 증폭부(4)의 입력에 영향을 주어 효율이 떨어지는 문제점이 있었다.As such, the output of the first power amplifier 3 affects the input of the second power amplifier 4 and thus, the efficiency is lowered.

본 발명은 상기와 같은 문제를 해결하기 위한 것으로, 다단 증폭기에 있어서 최종단의 입력 전압을 필요한 전압만큼 조절하여 인가될 수 있게 함으로써 불필요한 전력 소비를 방지하는 저전력소비 다단증폭기를 제공하는 것을 목적으로 한다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a low power consumption multistage amplifier which prevents unnecessary power consumption by allowing the input voltage of the final stage to be applied as required voltage in a multistage amplifier. .

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 저전력소비 다단 증폭기는, 입력된 RF 신호를 증폭하여 출력하는 제1 전력 증폭부와, 상기 제1 전력 증폭부에 연결되며, 상기 제1 전력 증폭부로 출력된 RF 신호의 직류(DC) 성분을 차단하고 바이어스 전압을 인가하기 위한 전압 조절부와, 그리고 상기 전압 조절부에 연결되며, 상기 전압 조절부에 의해 인가된 전압이 입력되어 상기 제1 전력 증폭부로부터 출력된 신호를 증폭하여 출력하는 제2 전력 증폭부를 포함하여 구성된다.The low power consumption multi-stage amplifier of the present invention for achieving the above object, the first power amplifier for amplifying and outputting the input RF signal, and is connected to the first power amplifier, and outputs to the first power amplifier A voltage regulator for cutting off a DC component of the received RF signal and applying a bias voltage; and a voltage regulator connected to the voltage regulator, wherein the voltage applied by the voltage regulator is input to the first power amplifier. And a second power amplifier for amplifying and outputting the signal output from the controller.

또한, 상기 제1 전력 증폭부는, 상위에 배치된 제1 타입 트랜지스터와, 그리고 하위에 배치되며, 상기 제1 타입 트랜지스터와 연결된 제2 타입 트랜지스터를 포함하며, 상기 입력된 RF 신호가 하이 신호일 경우 상기 제1 타입 트랜지스터는 오프되고 상기 제2 타입 트랜지스터가 온되어 증폭된 하이 신호를 출력하고, 상기 입력된 RF 신호가 로우 신호일 경우 상기 제2 타입 트랜지스터는 오프되고 상기 제1 타입 트랜지스터가 온되어 증폭된 로우 신호를 출력하는 것을 특징으로 한다.The first power amplifier includes a first type transistor disposed above and a second type transistor disposed below and connected to the first type transistor, wherein the input RF signal is a high signal. The first type transistor is turned off and the second type transistor is turned on to output an amplified high signal. When the input RF signal is a low signal, the second type transistor is turned off and the first type transistor is turned on and amplified. A low signal is output.

또한, 상기 전압 조절부는, 상기 제1 전력 증폭부와 상기 제2 전력 증폭부 사이에 직렬로 연결된 캐피시터(C)와, 그리고 상기 캐패시터(C)와 병렬로 연결된 저항(R)을 포함하는 것을 특징으로 한다.The voltage regulator may include a capacitor C connected in series between the first power amplifier and the second power amplifier, and a resistor R connected in parallel with the capacitor C. FIG. It is done.

또한, 상기 캐패시터(C)는 상기 제1 전력 증폭부로부터 출력된 RF 신호의 직류(DC) 성분을 차단하고 교류(AC) 성분만을 인가시키기 위한 바이패스용 캐패시터인 것을 특징으로 한다.In addition, the capacitor (C) is characterized in that the bypass capacitor for blocking the direct current (DC) component of the RF signal output from the first power amplifier and apply only the AC component.

또한, 상기 저항(C)은 상기 제2 전력 증폭부의 입력 전압을 조절하여 인가하기 위한 바이어스용 저항인 것을 특징으로 한다.In addition, the resistor (C) is characterized in that the bias resistor for adjusting and applying the input voltage of the second power amplifier.

또한, 상기 제2 전력 증폭부는 제 2타입 트랜지스터인 것을 특징으로 한다.The second power amplifier may be a second type transistor.

또한, 상기 제1 타입 트랜지스터는 p채널 MOSFET이고, 상기 제2 타입 트랜지스터는 n채널 MOSFET인 것을 특징으로 한다.The first type transistor may be a p-channel MOSFET, and the second type transistor may be an n-channel MOSFET.

이에 앞서 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이고 사전적인 의미로 해석되어서는 아니 되며, 발명자가 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합되는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.Prior to this, the terms or words used in this specification and claims are not to be interpreted in a conventional and dictionary sense, and the inventors may appropriately define the concept of terms in order to best explain their invention in the best way possible. It should be interpreted as meaning and concept corresponding to the technical idea of the present invention based on the principle that the present invention.

본 발명에 따르면, 다단 증폭기에서 최종단의 입력 전압을 필요 전압만큼만 인가시키도록 조절함으로써 불필요한 전력 소모를 방지할 수 있다.According to the present invention, unnecessary power consumption can be prevented by adjusting the input voltage of the final stage to apply only the required voltage in the multi-stage amplifier.

본 발명의 목적, 특정한 장점들 및 신규한 특징들은 첨부된 도면들과 연관되어지는 이하의 상세한 설명과 바람직한 실시예들로부터 더욱 명백해질 것이다. 본 명세서에서 각 도면의 구성요소들에 참조번호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. The objects, specific advantages and novel features of the present invention will become more apparent from the following detailed description and the preferred embodiments associated with the accompanying drawings. In the present specification, in adding reference numerals to the components of each drawing, it should be noted that the same components as possible, even if displayed on different drawings have the same number as possible. In addition, in describing the present invention, if it is determined that the detailed description of the related known technology may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 저전력소비 다단증폭기를 나타내는 회로도이다.3 is a circuit diagram illustrating a low power consumption multistage amplifier according to a preferred embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 저전력소비 다단증폭기는 제1 전력 증폭부(10), 제2 전력 증폭부(20) 및 전압 조절부(30)로 구성되어 있다.Referring to FIG. 3, a low power consumption multistage amplifier according to a preferred embodiment of the present invention includes a first power amplifier 10, a second power amplifier 20, and a voltage controller 30.

상기 제1 전력 증폭부(10)는 서로 다른 타입의 두 개의 트랜지스터(M1, M2)가 상하로 배치된 인버터 회로로 구성된다.The first power amplifier 10 includes an inverter circuit in which two transistors M1 and M2 of different types are disposed up and down.

예를 들면, p채널 MOSFET(M1)과 제1 n채널 MOSFET(M2)가 상하로 배치되어 상기 p채널 MOSFET(M1)의 게이트 단은 상기 제1 n 채널 MOSFET(M2)의 게이트 단과, 상기 p채널 MOSFET(M1)의 드레인 단은 상기 제1 n 채널 MOSFET(M2)의 드레인 단과 각각 연결된다.For example, a p-channel MOSFET M1 and a first n-channel MOSFET M2 are disposed up and down so that a gate end of the p-channel MOSFET M1 is connected to a gate terminal of the first n-channel MOSFET M2 and the p-channel MOSFET M1. The drain terminal of the channel MOSFET M1 is connected to the drain terminal of the first n-channel MOSFET M2, respectively.

그리고, 상위에 배치된 상기 p채널 MOSFET(M1)의 소스 단은 제1 전력 증폭부(10)의 전원(DV_VDD)에 연결되고, 하위에 배치된 상기 제1 n 채널 MOSFET(M2)의 소스 단은 접지에 연결된다. The source terminal of the p-channel MOSFET M1 disposed above is connected to the power source DV_VDD of the first power amplifier 10 and the source terminal of the first n-channel MOSFET M2 disposed below. Is connected to ground.

이러한 제1 전력 증폭부(10)는 상기 p채널 MOSFET(M1)의 게이트 단과 상기 제1 n채널 MOSFET(M2)의 게이트 단이 연결된 지점(a)에 입력 단자(1)가 연결되며, 상기 p채널 MOSFET(M1)의 드레인 단과 상기 제1 n채널 MOSFET(M2)의 드레인 단이 연결된 지점(b)에 상기 제1 전력 증폭부(10)의 출력 단자(미도시)가 연결된다. In the first power amplifier 10, an input terminal 1 is connected to a point (a) where a gate terminal of the p-channel MOSFET M1 and a gate terminal of the first n-channel MOSFET M2 are connected. An output terminal (not shown) of the first power amplifier 10 is connected to a point (b) at which the drain terminal of the channel MOSFET M1 and the drain terminal of the first n-channel MOSFET M2 are connected.

이에 따라, 상기 입력 단자(1)를 통해 하이(high) 신호가 입력되면, 상기 p채널 MOSFET(M1)는 오프되고 상기 n채널 MOSFET(M2)가 동작하여 증폭된 하이 신호가 상기 제1 전력 증폭부(10)의 출력 단자를 통해 출력된다.Accordingly, when a high signal is input through the input terminal 1, the p-channel MOSFET M1 is turned off and the n-channel MOSFET M2 is operated to amplify the high signal that is amplified by the first power amplification. It is output through the output terminal of the unit 10.

반대로, 상기 입력 단자(1)를 통해 로우(low) 신호가 입력되면, 상기 n채널 MOSFET(M2)는 오프되고 상기 p채널 MOSFET(M1)가 동작하여 증폭된 로우 신호가 상기 제1 전력 증폭부(10)의 출력 단자를 통해 신호를 출력된다.On the contrary, when a low signal is input through the input terminal 1, the n-channel MOSFET M2 is turned off and the p-channel MOSFET M1 is operated to amplify the low signal. A signal is output through the output terminal of (10).

이때, 상기 제1 전력 증폭부(10)에 인가된 전원 전압(DV_VDD)에 따라 직류(DC) 전압 또한 상기 출력 단자를 통해 출력된다.In this case, a DC voltage is also output through the output terminal according to the power voltage DV_VDD applied to the first power amplifier 10.

예를 들어, 상기 제1 전력 증폭부(10)에 인가된 전원 전압(DV_VDD)이 3V라면, RF 입력 신호에 따라 상기 제1 전력 증폭부(10)는 두 개의 트랜지스터 중 하나만 동작하므로, 상기 출력 단자를 통해 출력된 DC 전압은 약 1.5V가 될 것이다.For example, if the power supply voltage DV_VDD applied to the first power amplifier 10 is 3V, the first power amplifier 10 operates only one of two transistors according to an RF input signal. The DC voltage output through the terminal will be about 1.5V.

만약, 도 1에 도시된 종래 다단 증폭기와 같이 상기 제1 전력 증폭부(10)의 출력 단자가 제2 전력 증폭부(20)의 입력 단자(미도시)와 바로 연결되어 있을 경우, 상기 제2 전력 증폭부(20)의 입력 단자에는 1.5V의 DC 전압이 입력된다. If the output terminal of the first power amplifier 10 is directly connected to an input terminal (not shown) of the second power amplifier 20, as shown in the conventional multi-stage amplifier shown in FIG. A DC voltage of 1.5V is input to the input terminal of the power amplifier 20.

이는 상기 제2 증폭부(20)의 제2 n채널 MOSFET(M3)의 게이트 단자로 입력되어 상기 제2 n채널 MOSFET(M3)를 동작시킨다.This is input to the gate terminal of the second n-channel MOSFET M3 of the second amplifier 20 to operate the second n-channel MOSFET M3.

그러나, 상기 제2 전력 증폭부(20)의 제2 n채널 MOSFET(M3)의 동작 전압은 0.7V이므로 1.5V가 인가될 경우 상기 제2 n채널 MOSFET(M3)의 턴 온(turn on) 구간을 증가시켜 불필요한 전력 소모가 발생된다.However, since the operating voltage of the second n-channel MOSFET M3 of the second power amplifier 20 is 0.7V, when 1.5V is applied, the turn-on period of the second n-channel MOSFET M3 is turned on. By increasing the power consumption is unnecessary.

따라서, 상기 제2 전력 증폭부(20)의 입력 전압을 상기 제2 전력 증폭부(20)를 동작시키기 위한 동작 전압(이를 테면, 0.7V)으로 낮춰준다면 불필요한 전력 소모를 방지할 수 있다.Therefore, if the input voltage of the second power amplifier 20 is lowered to an operating voltage (for example, 0.7V) for operating the second power amplifier 20, unnecessary power consumption may be prevented.

이를 위해, 상기 제1 전력 증폭부(10)의 출력단자와 상기 제2 전력 증폭부(20)의 입력 단자 사이에 상기 제2 전력 증폭부(20)의 입력 전압, 즉, 상기 제2 n채널 MOSFET(M3)의 게이트 전압을 조절할 수 있는 전압 조절부(30)가 삽입된다.To this end, an input voltage of the second power amplifier 20, that is, the second n-channel is between the output terminal of the first power amplifier 10 and the input terminal of the second power amplifier 20. A voltage regulator 30 capable of adjusting the gate voltage of the MOSFET M3 is inserted.

상기 전압 조절부(30)는 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 제1 전력 증폭부(10)의 출력 단자와 상기 제2 전력 증폭부(20)의 입력 단자(상기 n채널 MOSFET(M3)의 게이트 단자) 사이에 연결된 캐패시터(C)와, 상기 캐패시터(C)와 병렬로 연결된 저항(R)으로 구성된다.As illustrated in FIG. 3, the voltage adjusting unit 30 includes an output terminal of the first power amplifier 10 and an input terminal of the second power amplifier 20 (of the n-channel MOSFET M3). A capacitor (C) connected between the gate terminals) and a resistor (R) connected in parallel with the capacitor (C).

상기 캐패시터(C)는 상기 제1 전력 증폭부(10)로부터 출력된 교류(AC) 성분의 RF 신호만을 인가시키는 바이패스용 캐패시터이다.The capacitor C is a bypass capacitor that applies only an RF signal of an AC component output from the first power amplifier 10.

따라서, 상기 캐패시터(C)에 의해 상기 제1 전력 증폭부(10)로부터 출력된 직류(DC) 전압이 차단될 수 있다.Therefore, the DC voltage output from the first power amplifier 10 may be blocked by the capacitor C. FIG.

상기 저항(R)은 상기 제2 전력 증폭부(2)를 동작시키기 위한 바이어스 전압을 인가하기 위한 바이어스 저항이다.The resistor R is a bias resistor for applying a bias voltage for operating the second power amplifier 2.

상기 저항(R)에 의해 상기 제2 전력 증폭부(2)의 입력 전압, 즉 상기 제2 n채널 MOSFET(M3)의 게이트 전압(Vgate)이 결정된다.The input voltage of the second power amplifier 2, that is, the gate voltage V gate of the second n-channel MOSFET M3 is determined by the resistor R.

따라서, 상기 저항(R) 값을 조절하여 상기 제2 전력 증폭부(20)를 동작시키기 위한 동작 전압만큼의 전원을 인가할 수 있다.Therefore, the power of the operating voltage for operating the second power amplifier 20 may be applied by adjusting the value of the resistor R. FIG.

이로써, RF 신호를 증폭하기 위한 다단 증폭기에서 최종단(이를 테면, 제2 전력 증폭부(20))의 입력 전압을 조절함으로써 불필요한 전력 소모를 막을 수 있게 된다.Thus, unnecessary power consumption can be prevented by adjusting the input voltage of the final stage (eg, the second power amplifier 20) in the multi-stage amplifier for amplifying the RF signal.

도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 다단 증폭기의 제2 전력 증폭부(20)의 시간에 따른 입력 전압(상기 제2 n채널 MOSFET(M3)의 게이트 전압(Vgate))을 나타내는 도면이다.4 is a diagram illustrating an input voltage (gate voltage V gate of the second n-channel MOSFET M3) of the second power amplifier 20 of the multi-stage amplifier according to the preferred embodiment of the present invention. .

도 4를 참조하면, 상기 제2 전력 증폭부(20)의 RF 입력 신호의 교류(AC) 전압의 스윙 폭이 -0.8V 내지 2.2V임을 알 수 있다. 이는 종래 다단 증폭기에 비해(도 2 참조) 0.7V 낮아진 것임을 알 수 있다.Referring to FIG. 4, it can be seen that the swing width of the AC voltage of the RF input signal of the second power amplifier 20 is -0.8V to 2.2V. This can be seen that 0.7V lower than the conventional multi-stage amplifier (see Figure 2).

따라서, 상기 제2 전력 증폭부(20)를 동작 시키기 위한 동작 전압으로 상기 전압 조절부(30)의 저항(R) 값을 조절하여 직류(DC) 전압을 0.7V로 인가해주면 상 기 제2 전력 증폭부(20)의 턴 온 구간과 턴 오프 구간이 동일해져 종래에 비해(도 2 참조) 불필요한 전력 소모가 줄어들 수 있다.Therefore, when the DC voltage is adjusted to 0.7V by adjusting the resistance R value of the voltage adjusting unit 30 to an operating voltage for operating the second power amplifier 20, the second power is increased. Since the turn-on period and the turn-off period of the amplifier 20 are the same, unnecessary power consumption may be reduced as compared with the related art (see FIG. 2).

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 도시하고 설명하였지만 본 발명은 상술한 특정의 실시 예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어서는 안 될 것이다. Although the above has been illustrated and described with respect to the preferred embodiments of the present invention, the present invention is not limited to the above-described specific embodiments, it is common in the technical field to which the invention belongs without departing from the spirit of the invention claimed in the claims. Various modifications can be made by those skilled in the art, and these modifications should not be individually understood from the technical spirit or the prospect of the present invention.

도 1은 종래 다단 증폭기의 개념도이다. 1 is a conceptual diagram of a conventional multi-stage amplifier.

도 2는 종래 다단 증폭기의 제2 증폭부의 시간에 따른 입력 전압을 나타내는 도면이다.2 is a diagram illustrating an input voltage according to time of a second amplifier of a conventional multi-stage amplifier.

도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 저전력소비 다단증폭기를 나타내는 회로도이다.3 is a circuit diagram illustrating a low power consumption multistage amplifier according to a preferred embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 다단 증폭기의 제2 전력 증폭부의 시간에 따른 입력 전압을 나타내는 도면이다.4 is a view showing an input voltage over time of a second power amplifier of a multi-stage amplifier according to a preferred embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

1: 입력 단자 2: 출력 단자1: input terminal 2: output terminal

3, 10: 제1 전력 증폭부 4, 20: 제2 저력 증폭부3 and 10: first power amplifier 4, 20: second low power amplifier

30: 전압 조절부30: voltage regulator

Claims (7)

입력된 RF 신호를 증폭하여 출력하는 제1 전력 증폭부;A first power amplifier configured to amplify and output the input RF signal; 상기 제1 전력 증폭부에 연결되며, 상기 제1 전력 증폭부로 출력된 RF 신호의 직류(DC) 성분을 차단하고 바이어스 전압을 인가하기 위한 전압 조절부; 및A voltage regulator connected to the first power amplifier, for blocking a direct current (DC) component of the RF signal output to the first power amplifier and applying a bias voltage; And 상기 전압 조절부에 연결되며, 상기 전압 조절부에 의해 인가된 전압이 입력되어 상기 제1 전력 증폭부로부터 출력된 신호를 증폭하여 출력하는 제2 전력 증폭부를 포함하는 저전력소비 다단 증폭기.And a second power amplifier connected to the voltage controller and configured to amplify and output a signal output from the first power amplifier by inputting a voltage applied by the voltage controller. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 전력 증폭부는,The method according to claim 1, wherein the first power amplifier, 상위에 배치된 제1 타입 트랜지스터; 및A first type transistor disposed above; And 하위에 배치되며, 상기 제1 타입 트랜지스터와 연결된 제2 타입 트랜지스터를 포함하며,A second type transistor disposed below and connected to the first type transistor, 상기 입력된 RF 신호가 하이 신호일 경우 상기 제1 타입 트랜지스터는 오프되고 상기 제2 타입 트랜지스터가 온되어 증폭된 하이 신호를 출력하고,When the input RF signal is a high signal, the first type transistor is turned off and the second type transistor is turned on to output the amplified high signal, 상기 입력된 RF 신호가 로우 신호일 경우 상기 제2 타입 트랜지스터는 오프되고 상기 제1 타입 트랜지스터가 온되어 증폭된 로우 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 저전력소비 다단 증폭기.And when the input RF signal is a low signal, the second type transistor is turned off and the first type transistor is turned on to output the amplified low signal. 청구항 1에 있어서, 상기 전압 조절부는,The method according to claim 1, wherein the voltage adjusting unit, 상기 제1 전력 증폭부와 상기 제2 전력 증폭부 사이에 직렬로 연결된 캐피시터(C); 및A capacitor (C) connected in series between the first power amplifier and the second power amplifier; And 상기 캐패시터(C)와 병렬로 연결된 저항(R)을 포함하는 것을 특징으로 하는 저전력소비 다단 증폭기.Low power consumption multistage amplifier, characterized in that it comprises a resistor (R) connected in parallel with the capacitor (C). 청구항 3에 있어서, 상기 캐패시터(C)는 상기 제1 전력 증폭부로부터 출력된 RF 신호의 직류(DC) 성분을 차단하고 교류(AC) 성분만을 인가시키기 위한 바이패스용 캐패시터인 것을 특징으로 하는 저전력소비 다단 증폭기.4. The low power according to claim 3, wherein the capacitor C is a bypass capacitor for blocking a direct current (DC) component of the RF signal output from the first power amplifier and applying only an alternating current (AC) component. 5. Consumption multistage amplifier. 청구항 3에 있어서, 상기 저항(C)은 상기 제2 전력 증폭부의 입력 전압을 조절하여 인가하기 위한 바이어스용 저항인 것을 특징으로 하는 저전력소비 다단 증폭기.The low power consumption multistage amplifier of claim 3, wherein the resistor (C) is a bias resistor for controlling and applying an input voltage of the second power amplifier. 청구항 1에 있어서, 상기 제2 전력 증폭부는 제 2타입 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 저전력소비 다단 증폭기.The low power consumption multistage amplifier according to claim 1, wherein the second power amplifier is a second type transistor. 청구항 2 또는 6에 있어서, 상기 제1 타입 트랜지스터는 p채널 MOSFET이고, 상기 제2 타입 트랜지스터는 n채널 MOSFET인 것을 특징으로 하는 저전력소비 다단 증폭기.7. The low power consumption multistage amplifier of claim 2 or 6, wherein the first type transistor is a p-channel MOSFET and the second type transistor is an n-channel MOSFET.
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