KR20110047131A - Laser processing method, method of dividing the workpiece and laser processing device - Google Patents
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Abstract
(과제) 가공 흔적에 있어서의 광흡수가 저감되는 레이저 가공을 행할 수 있는 레이저 가공 방법을 제공한다.
(해결 수단) 광원으로부터의 펄스 레이저광의 조사 상태를 변조시킴으로써 피(被)가공물의 표면에 있어서의 조사 범위를 변조시킴으로써, 제1 방향으로 연속하는 부분을 갖지만, 제1 방향에 수직인 단면의 상태가 제1 방향에 있어서 변화하는 피가공 영역을 형성한다. 구체적으로는, 펄스 레이저광의 단위 펄스마다의 빔 스폿이 제1 방향을 따라서 이산하는 조사 조건으로 펄스 레이저광을 주사하거나, 펄스 레이저광의 조사 에너지를 변조시키면서 펄스 레이저광을 제1 방향으로 주사하거나, 각각 제1 방향에 대하여 소정의 각도를 갖는 제2 방향과 제3 방향으로의 펄스 레이저광의 주사를 교대로 반복함으로써, 피가공물에 있어서의 펄스 레이저광의 주사 궤적을 제1 방향을 따른 분할 예정선과 반복하여 교대로 교차시키는 것의 어느 하나로 실현된다.(Problem) Provides a laser processing method capable of performing laser processing in which light absorption in a processing trace is reduced.
(Measures) The state of the cross section perpendicular | vertical to a 1st direction, although it has a part which continues in a 1st direction by modulating the irradiation range in the surface of a to-be-processed object by modulating the irradiation state of the pulse laser beam from a light source. The workpiece | work area which changes in a 1st direction is formed. Specifically, the pulse laser beam is scanned under irradiation conditions in which beam spots for each unit pulse of the pulse laser beam are discrete along the first direction, or the pulse laser beam is scanned in the first direction while modulating the irradiation energy of the pulse laser light, By alternately repeating scanning of the pulsed laser light in the second direction and the third direction having a predetermined angle with respect to the first direction, respectively, the scanning trajectory of the pulsed laser light in the workpiece is repeated with the division schedule line along the first direction. This is realized by one of alternating crossing.
Description
본 발명은, 레이저광을 조사하여 피(被)가공물을 가공하는 레이저 가공 방법에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD This invention relates to the laser processing method which processes a to-be-processed object by irradiating a laser beam.
펄스 레이저광을 조사하여 피가공물을 가공하는 기술(이하, 단순히 레이저 가공 또는 레이저 가공 기술이라고도 함)로서 다양한 것이 이미 공지되어 있다(예를 들면, 특허문헌 1 내지 특허문헌 4 참조).Various techniques are already known as a technique for processing a workpiece by irradiating pulsed laser light (hereinafter, also referred to simply as laser processing or laser processing technology) (see, for example,
특허문헌 1에 개시되어 있는 것은, 피가공물인 다이를 분할할 때에, 레이저 어블레이션(laser ablation)에 의해 분할 예정선을 따라서 단면 V자형의 홈(브레이크 홈)을 형성하고, 이 홈을 기점으로 하여 다이를 분할하는 수법이다. 한편, 특허문헌 2에 개시되어 있는 것은, 디포커스 상태의 레이저광을 피가공물(피분할체)의 분할 예정선을 따라서 조사함으로써 피조사 영역에 주위보다도 결정 상태가 나쁜 단면 대략 V자형의 융해 개질 영역(변질 영역)을 발생시키고, 이 융해 개질 영역의 최하점을 기점으로 하여 피가공물을 분할하는 수법이다.
특허문헌 1 및 특허문헌 2에 개시된 기술을 이용하여 분할 기점을 형성하는 경우는 모두, 그 후의 분할이 양호하게 행해지기 위해, 레이저광의 주사(走査) 방향인 분할 예정선 방향을 따라서 균일한 형상의 V자형 단면(홈 단면 또는 변질 영역 단면)을 형성하는 것이 중요하다. 그것을 위한 대응으로서, 예를 들면, 1 펄스마다의 레이저광의 피조사 영역(빔 스폿)이 전후로 중복되도록 레이저광의 조사가 제어된다.In the case of forming the starting point of division using the techniques disclosed in
예를 들면, 레이저 가공의 가장 기본적인 파라미터인, 반복 주파수(단위 kHz)를 R로 하고, 주사 속도(단위 mm/sec)를 V로 할 때, 양자의 비(V/R)가 빔 스폿의 중심 간격이 되지만, 특허문헌 1 및 특허문헌 2에 개시된 기술에 있어서는, 빔 스폿끼리 중복이 발생하도록, V/R이 1㎛ 이하가 되는 조건으로, 레이저광의 조사 및 주사가 행해진다.For example, when the repetition frequency (unit kHz), which is the most basic parameter of laser processing, is set to R, and the scanning speed (unit mm / sec) is set to V, the ratio (V / R) of both is the center of the beam spot. In the technique disclosed in
또한, 특허문헌 3에는, 표면에 적층부를 갖는 기판의 내부에 집광점을 맞춰 레이저광을 조사함으로써 기판 내부에 개질 영역을 형성하고, 이 개질 영역을 절단의 기점으로 하는 실시 형태가 개시되어 있다.In addition, Patent Literature 3 discloses an embodiment in which a modified region is formed inside a substrate by irradiating a laser beam with a light concentrating point inside a substrate having a laminated portion on its surface, and the modified region is a starting point for cutting.
또한, 특허문헌 4에는, 1개의 분리선에 대하여 복수회의 레이저광 주사를 반복하여, 분리선 방향으로 연속하는 홈부 및 개질부와, 분리선 방향으로 연속하지 않는 내부 개질부를 깊이 방향의 상하로 형성하는 실시 형태가 개시되어 있다.Further, Patent Document 4 repeats a plurality of laser beam scans for one separation line, and forms grooves and reforming portions that are continuous in the separation line direction, and internally modified portions that are not continuous in the separation line direction, in the vertical direction up and down. Is disclosed.
레이저광에 의해 분할 기점을 형성하고, 그 후, 브레이커에 의해 분할을 행한다는 수법은, 종래부터 행해지고 있는 기계적 절단법인 다이아몬드 스크라이빙과 비교하여, 자동성·고속성·안정성·고정밀도성에 있어서 유리하다.The method of forming a division origin by a laser beam and then performing a division | segmentation with a breaker is advantageous in automaticity, high speed, stability, and high precision compared with the diamond scribing which is the conventional mechanical cutting method. Do.
그러나, 사파이어 등의 경취성(硬脆性) 그리고 광학적으로 투명한 재료로 이루어지는 기판 위에, LED 구조 등의 발광 소자 구조를 형성한 피가공물을 칩(chip;분할 소편(素片)) 단위로 분할하는 경우, 레이저 가공의 결과 생기는 가공 흔적이, 발광 소자 내부에서 발생한 빛을 흡수해 버려, 소자로부터의 빛의 취출 효율을 저하시켜 버린다는 문제가 있다. 특히, 굴절률이 높은 사파이어 기판을 이용한 발광 소자 구조인 경우에 이러한 문제가 현저하다.However, when a workpiece formed of a light emitting element structure, such as an LED structure, is divided into chip units on a substrate made of a hard brittle and optically transparent material such as sapphire. The processing trace resulting from laser processing absorbs the light generated inside the light emitting element, and causes a problem that the extraction efficiency of the light from the element is reduced. In particular, this problem is remarkable in the case of a light emitting device structure using a sapphire substrate having a high refractive index.
본 발명의 발명자들은, 예의 검토를 거듭한 결과, 피가공물의 레이저광 조사 위치(피가공 위치)에, 수㎛ 정도의 피치의 미세한 요철을 형성하여 당해 위치에서의 전(全)반사율을 저하시키는 것이, 전술한 문제점을 해결하는 데에 있어 유효하다는 인식을 얻었다.As a result of intensive studies, the inventors of the present invention form fine irregularities with a pitch of several 占 퐉 at a laser beam irradiation position (working position) of a workpiece to lower the total reflectance at the position. It has been recognized that this is effective in solving the above-mentioned problems.
특허문헌 1 내지 특허문헌 3에 있어서는, 이러한 문제점에 대한 인식이 있다고는 인정되지 않고, 당연히 이것을 해결하는 수단에 대한 개시도 시사도 이루어져 있지 않다.In
예를 들면, 특허문헌 1 및 특허문헌 2에 개시되어 있는 것은, 분할 예정선 방향을 따라서 균일한 형상의 V자형 단면을 형성하는 기술로서, 전술과 같은 요철을 형성하는 실시 형태와는 상반되는 것이다.For example, what is disclosed by
한편, 특허문헌 4에 있어서는, 레이저광으로 분리면을 완전하게 용단(溶斷)하는 경우에 빛의 취출 효율이 악화되는 취지를 지적한 다음, 전술한 바와 같이 1개의 분리 예정선에 대하여 상하로 복수회 가공을 행하는 실시 형태를 개시하고 있지만, 이러한 형태는 공정이 복잡하고, 그리고 택트 타임(tact time)을 필요로 한다는 문제가 있다.On the other hand, in Patent Document 4, it is pointed out that the extraction efficiency of light deteriorates when the separation surface is completely melted with a laser beam. Although the embodiment which performs ash processing is disclosed, this form has a problem that a process is complicated and requires a tact time.
본 발명은 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 가공 흔적에 있어서의 광흡수가 저감되는 레이저 가공을 행할 수 있는 레이저 가공 방법 및 이것을 실현하는 레이저 가공 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.This invention is made | formed in view of the said subject, and an object of this invention is to provide the laser processing method which can perform laser processing by which light absorption in a process trace is reduced, and the laser processing apparatus which implements this.
상기 과제를 해결하기 위해, 청구항 1의 발명은, 소정의 광원으로부터 출사된 펄스 레이저광을 주사하면서 조사함으로써, 피가공물에 피가공 영역을 형성하는 방법으로서, 상기 광원으로부터의 상기 펄스 레이저광의 조사 상태를 변조시킴으로써 상기 피가공물의 표면에 있어서의 조사 범위를 변조시키면서 상기 펄스 레이저광을 조사함으로써, 제1 방향으로 연속하는 부분을 갖지만, 상기 제1 방향에 수직인 단면의 상태가 상기 제1 방향에 있어서 변화하는 상기 피가공 영역을 형성하는 것을 특징으로 한다.In order to solve the said subject, invention of
청구항 2의 발명은, 소정의 광원으로부터 출사된 펄스 레이저광을 주사하면서 조사함으로써, 피가공물에 피가공 영역을 형성하는 방법으로서, 상기 광원으로부터의 상기 펄스 레이저광의 조사 상태를 변조시킴으로써 상기 피가공물의 표면에 있어서의 조사 범위를 변조시키면서 상기 펄스 레이저광을 조사함으로써, 상기 피가공물의 표면에 있어서 제1 방향으로 연속하는 제1 영역과, 상기 제1 영역에 연접(連接)하지만 상기 제1 방향에 있어서 불연속 부분을 갖는 제2 영역을 갖는 상기 피가공 영역을 형성하는 것을 특징으로 한다.The invention of
청구항 3의 발명은, 소정의 광원으로부터 출사된 펄스 레이저광을 주사하면서 조사함으로써, 피가공물에 피가공 영역을 형성하는 방법으로서, 상기 광원으로부터의 상기 펄스 레이저광의 조사 상태를 변조시킴으로써 상기 피가공물의 표면에 있어서의 조사 범위를 변조시키면서 상기 펄스 레이저광을 조사함으로써, 대략 타원추 형상 또는 대략 쐐기 형상의 단위 피가공 영역이 제1 방향으로 다수 연접하여 이루어지는 상기 피가공 영역을 형성하는 것을 특징으로 한다.The invention of claim 3 is a method of forming a workpiece region on a workpiece by irradiating the pulsed laser light emitted from a predetermined light source, wherein the workpiece is modulated by modulating the irradiation state of the pulsed laser beam from the light source. By irradiating the said pulsed laser beam, modulating the irradiation range on a surface, the said to-be-processed area | region formed by making many substantially elliptical-shaped or substantially wedge-shaped unit processed areas connect in a 1st direction is characterized by the above-mentioned. .
청구항 4의 발명은, 청구항 2에 기재된 레이저 가공 방법으로서, 상기 제 2 영역이 상기 제1 방향을 따라서 요철을 갖는 것을 특징으로 한다.Invention of Claim 4 is a laser processing method of
청구항 5의 발명은, 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 기재된 레이저 가공 방법으로서, 상기 펄스 레이저광의 단위 펄스마다의 빔 스폿이 상기 제1 방향을 따라서 이산(離散)하는 조사 조건으로 상기 펄스 레이저광을 주사함으로써, 상기 피가공물의 표면에 있어서의 조사 범위를 변조시키는 것을 특징으로 한다.The invention of claim 5 is the laser processing method according to any one of
청구항 6의 발명은, 청구항 5에 기재된 레이저 가공 방법으로서, 상기 펄스 레이저광의 반복 주파수를 R(kHz)로 하고, 상기 펄스 레이저광의 상기 피가공물에 대한 상대적인 이동 속도를 V(mm/sec)로 하고, 상기 피가공물의 상기 표면에 있어서의 상기 피가공 영역의 상기 제1 방향에 직교하는 방향의 예정 형성폭을 W(㎛)로 할 때, 10(kHz)≤R≤200(kHz) 그리고 30(mm/sec)≤V≤1000(mm/sec)이고, 상기 펄스 레이저광의 빔 스폿의 중심 간격을 나타내는 V/R이, V/R≥1(㎛) 그리고 W/4(㎛)≤V/R≤W/2(㎛)이라는 관계를 충족시키는 조사 조건하에서 상기 펄스 레이저광을 상기 제1 방향을 따라서 주사함으로써, 상기 피가공물의 표면에 있어서의 조사 범위를 변조시키는 것을 특징으로 한다.According to a sixth aspect of the present invention, in the laser processing method of claim 5, the repetition frequency of the pulsed laser beam is set to R (kHz), and the relative moving speed of the pulsed laser beam with respect to the workpiece is set to V (mm / sec). 10 (kHz) ≤ R ≤ 200 (kHz) and 30 (when a predetermined forming width in a direction orthogonal to the first direction of the workpiece on the surface of the workpiece is set to W (μm). mm / sec)? V? 1000 (mm / sec), and V / R representing the center interval of the beam spot of the pulsed laser light is V / R? 1 (µm) and W / 4 (µm)? V / R The irradiation range on the surface of the workpiece is modulated by scanning the pulsed laser light along the first direction under irradiation conditions satisfying a relationship of ≤ W / 2 (µm).
청구항 7의 발명은, 청구항 6에 기재된 레이저 가공 방법으로서, V/R≥3(㎛)이라는 관계를 충족시키는 조사 조건하에서 상기 펄스 레이저광을 주사하는 것을 특징으로 한다.Invention of Claim 7 is the laser processing method of Claim 6, Comprising: It scans the said pulsed laser beam on irradiation conditions which satisfy | fill the relationship of V / R≥3 (micrometer).
청구항 8의 발명은, 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 기재된 레이저 가공 방법으로서, 상기 펄스 레이저광의 조사 에너지를 변조시키면서 상기 펄스 레이저광을 상기 제1 방향으로 주사함으로써 상기 피가공물의 표면에 있어서의 조사 범위를 변조시키는 것을 특징으로 한다.The invention of
청구항 9의 발명은, 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 기재된 레이저 가공 방법으로서, 각각에 상기 제1 방향에 대하여 소정의 각도를 갖는 제2 방향과 제3 방향으로의 상기 펄스 레이저광의 주사를 교대로 반복함으로써, 상기 피가공물에 있어서의 상기 펄스 레이저광의 주사 궤적을 상기 제1 방향을 따른 분할 예정선과 반복하여 교대로 교차시킴으로써, 상기 피가공물의 표면에 있어서의 조사 범위를 변조시키는 것을 특징으로 한다.Invention of
청구항 10의 발명은, 청구항 9에 기재된 레이저 가공 방법으로서, 상기 펄스 레이저광을 상기 피가공물의 이동 방향에 직교시키는 방향으로 왕복 주사시킴으로써, 상기 펄스 레이저광의 상기 주사 궤적을 상기 제1 방향에 따른 분할 예정선과 반복하여 교대로 교차시킴으로써, 상기 피가공물의 표면에 있어서의 조사 범위를 변조시키는 것을 특징으로 한다.According to a tenth aspect of the present invention, there is provided the laser processing method of
청구항 11의 발명은, 청구항 1 내지 청구항 10 중 어느 한 항에 기재된 레이저 가공 방법으로서, 상기 펄스 레이저광을 조사함으로써 피조사 부분의 재료를 제거함으로써 상기 피가공 영역을 형성하는 것을 특징으로 한다.Invention of Claim 11 is a laser processing method as described in any one of Claims 1-10, Comprising: The said process area | region is formed by removing the material of an irradiated part by irradiating the said pulsed laser beam, It is characterized by the above-mentioned.
청구항 12의 발명은, 청구항 1 내지 청구항 10의 어느 하나에 기재된 레이저 가공 방법으로서, 상기 펄스 레이저광을 조사함으로써 상기 피가공물에 융해 개질 영역을 발생시킴으로써 상기 피가공 영역을 형성하는 것을 특징으로 한다.The invention according to claim 12 is the laser processing method according to any one of
청구항 13의 발명은, 청구항 1 내지 청구항 12 중 어느 한 항에 기재된 레이저 가공 방법으로서, 상기 피가공물이 사파이어 기판, GaN 기판, 혹은 SiC 기판 중 어느 하나인 것을 특징으로 한다.13th invention is a laser processing method in any one of Claims 1-12, The said to-be-processed object is any one of a sapphire substrate, a GaN substrate, or a SiC substrate, It is characterized by the above-mentioned.
청구항 14의 발명은, 피가공물을 분할하는 방법으로서, 청구항 1 내지 청구항 13 중 어느 한 항에 기재된 레이저 가공 방법에 의해, 상기 가공물에, 소정의 분할 예정선을 따른 상기 피가공 영역을 형성하는 형성 공정과, 상기 피가공물을 상기 피가공 영역을 따라서 분할하는 분할 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다.The invention according to claim 14 is a method of dividing a workpiece, wherein the laser beam processing method according to any one of
청구항 15의 발명은, 펄스 레이저광을 발하는 광원과, 상기 광원에 대하여 상대적으로 이동 가능하게 형성된, 피가공물이 올려놓여지는 스테이지와, 상기 광원으로부터의 펄스 레이저광의 출사와 상기 스테이지의 이동을 제어하는 제어 수단을 구비하고, 상기 피가공물이 올려놓여진 상태에서, 상기 스테이지를 상기 광원에 대하여 상대적으로 이동시키면서 상기 광원으로부터 상기 펄스 레이저광을 출사시킴으로써, 상기 펄스 레이저광을 주사하면서 상기 피가공물에 피가공 영역을 형성하는 레이저 가공 장치로서, 상기 제어 수단이, 상기 펄스 레이저광을 주사시킬 때에 상기 광원으로부터의 상기 펄스 레이저광의 조사 상태가 변조되도록 상기 광원 및 상기 스테이지의 동작을 제어함으로써, 제1 방향으로 연속하는 부분을 갖지만, 상기 제1 방향에 수직인 단면 상태가 상기 제1 방향에 있어서 변화하는 상기 피가공 영역을 형성 가능한 것을 특징으로 한다.The invention of claim 15 further comprises a light source emitting pulsed laser light, a stage on which a work piece is formed, which is relatively movable with respect to the light source, and which emits pulsed laser light from the light source and controls the movement of the stage. The workpiece is provided on the workpiece while the pulse laser beam is scanned by emitting the pulsed laser light from the light source while having the control means and moving the stage relative to the light source while the workpiece is placed thereon. A laser processing apparatus for forming an area, wherein the control means controls the operation of the light source and the stage such that the irradiation state of the pulse laser light from the light source is modulated when scanning the pulse laser light, thereby, in the first direction. Has a continuous portion, but in the first direction And the process region stamped section status is changing in the first direction characterized in that the possible formation.
청구항 16의 발명은, 펄스 레이저광을 발하는 광원과, 상기 광원에 대하여 상대적으로 이동 가능하게 형성된, 피가공물이 올려놓여지는 스테이지와, 상기 광원으로부터의 펄스 레이저광의 출사와 상기 스테이지의 이동을 제어하는 제어 수단을 구비하고, 상기 피가공물이 올려놓여진 상태에서, 상기 스테이지를 상기 광원에 대하여 상대적으로 이동시키면서 상기 광원으로부터 상기 펄스 레이저광을 출사시킴으로써, 상기 펄스 레이저광을 주사하면서 상기 피가공물에 피가공 영역을 형성하는 레이저 가공 장치로서, 상기 제어 수단이, 상기 펄스 레이저광을 주사시킬 때에 상기 광원으로부터의 상기 펄스 레이저광의 조사 상태가 변조되도록 상기 광원 및 상기 스테이지의 동작을 제어함으로써, 상기 피가공물의 표면에 있어서 제1 방향으로 연속하는 제1 영역과, 상기 제1 영역에 연접하지만 상기 제1 방향에 있어서 불연속 부분을 갖는 제2 영역을 갖는 상기 피가공 영역을 형성 가능한 것을 특징으로 한다.The invention of
청구항 17의 발명은, 펄스 레이저광을 발하는 광원과, 상기 광원에 대하여 상대적으로 이동 가능하게 형성된, 피가공물이 올려놓여지는 스테이지와, 상기 광원으로부터의 펄스 레이저광의 출사와 상기 스테이지의 이동을 제어하는 제어 수단을 구비하고, 상기 피가공물이 올려놓여진 상태에서, 상기 스테이지를 상기 광원에 대하여 상대적으로 이동시키면서 상기 광원으로부터 상기 펄스 레이저광을 출사시킴으로써, 상기 펄스 레이저광을 주사하면서 상기 피가공물에 피가공 영역을 형성하는 레이저 가공 장치로서, 상기 제어 수단이, 상기 펄스 레이저광을 주사시킬 때에 상기 광원으로부터의 상기 펄스 레이저광의 조사 상태가 변조되도록 상기 광원 및 상기 스테이지의 동작을 제어함으로써, 대략 타원추 형상 혹은 대략 쐐기 형상의 단위 피가공 영역이 제1 방향으로 다수 연접하여 이루어지는 상기 피가공 영역을 형성 가능한 것을 특징으로 한다.According to the invention of claim 17, there is provided a light source emitting pulsed laser light, a stage on which a work piece is formed, which is relatively movable with respect to the light source, on which the workpiece is placed, the emission of pulsed laser light from the light source, and controlling the movement of the stage. The workpiece is provided on the workpiece while the pulse laser beam is scanned by emitting the pulsed laser light from the light source while having the control means and moving the stage relative to the light source while the workpiece is placed thereon. A laser processing apparatus for forming an area, wherein the control means controls an operation of the light source and the stage such that the irradiation state of the pulse laser light from the light source is modulated when scanning the pulse laser light, thereby substantially ellipsoid cone shape. Or roughly wedge-shaped unit workpiece The number concatenated with the first direction, characterized in that it is possible to form the region to be processed is made.
청구항 18의 발명은, 청구항 16에 기재된 레이저 가공 장치로서, 상기 제2 영역이 상기 제1 방향을 따라서 요철을 갖는 것을 특징으로 한다.18th invention is a laser processing apparatus of
청구항 19의 발명은, 청구항 15 내지 청구항 18 중 어느 한 항에 기재된 레이저 가공 장치로서, 상기 제어 수단이, 상기 펄스 레이저광을 주사시킬 때에 상기 펄스 레이저광의 단위 펄스마다의 빔 스폿이 상기 제1 방향을 따라서 이산하도록 상기 광원 및 상기 스테이지의 동작을 제어함으로써, 상기 피가공물의 표면에 있어서의 조사 범위를 변조시키는 것을 특징으로 한다.The invention according to
청구항 20의 발명은, 청구항 19에 기재된 레이저 가공 장치로서, 상기 펄스 레이저광의 반복 주파수를 R(kHz)로 하고, 상기 펄스 레이저광의 상기 피가공물에 대한 상대적인 이동 속도를 V(mm/sec)로 할 때, 10(kHz)≤R≤200(kHz) 그리고 30(mm/sec)≤V≤1000(mm/sec)이고, 상기 펄스 레이저광의 빔 스폿의 중심 간격을 나타내는 V/R이, V/R≥1(㎛) 그리고 W/4(㎛)≤V/R≤W/2(㎛)라는 관계를 충족시키도록, 상기 제어 수단이 상기 광원 및 상기 스테이지의 동작을 제어하는 것을 특징으로 한다.The invention according to claim 20 is the laser processing device according to
청구항 21의 발명은, 청구항 20에 기재된 레이저 가공 장치로서, 상기 제어 수단이, V/R≥3(㎛)이라는 관계를 충족시키도록 상기 광원 및 상기 스테이지의 동작을 제어하는 것을 특징으로 한다.In accordance with a twenty-first aspect of the present invention, there is provided the laser processing apparatus of claim 20, wherein the control means controls the operation of the light source and the stage so as to satisfy a relationship of V / R ≧ 3 (µm).
청구항 22의 발명은, 청구항 15 내지 청구항 18 중 어느 한 항에 기재된 레이저 가공 장치로서, 상기 제어 수단이, 상기 펄스 레이저광을 주사시킬 때에 상기 펄스 레이저광의 조사 에너지가 변조되도록 상기 광원 및 상기 스테이지의 동작을 제어함으로써, 상기 피가공물의 표면에 있어서의 조사 범위를 변조시키는 것을 특징으로 한다.The invention according to
청구항 23의 발명은, 청구항 15 내지 청구항 18의 어느 하나에 기재된 레이저 가공 장치로서, 상기 제어 수단이, 각각 상기 제1 방향에 대하여 소정의 각도를 갖는 제2의 방향과 제3의 방향으로의 상기 펄스 레이저광의 주사가 교대로 반복되도록 상기 광원 및 상기 스테이지의 동작을 제어함으로써, 상기 피가공물에 있어서의 상기 펄스 레이저광의 주사 궤적을 상기 제1 방향을 따른 분할 예정선과 반복하여 교대로 교차시킴으로써, 상기 피가공물의 표면에 있어서의 조사 범위를 변조시키는 것을 특징으로 한다.The invention according to
청구항 24의 발명은, 청구항 23에 기재된 레이저 가공 장치로서, 상기 제어 수단이, 상기 펄스 레이저광을 상기 스테이지의 이동 방향에 직교시키는 방향으로 왕복 주사시키도록 상기 광원 및 상기 스테이지의 동작을 제어함으로써, 상기 펄스 레이저광의 상기 주사 궤적을 상기 제1 방향을 따른 분할 예정선과 반복하여 교대로 교차시킴으로써, 상기 피가공물의 표면에 있어서의 조사 범위를 변조시키는 것을 특징으로 한다.In accordance with a twenty-fourth aspect of the present invention, there is provided the laser processing apparatus of
청구항 1 내지 청구항 24의 발명에 의하면, 피가공물을 분할할 때의 분할 기점이 되는 피가공 영역을, 표면측에서는 연속하지만 저부(底部)가 불연속인 형상으로 형성할 수 있다. 이에 따라, 발광 소자 구조를 분할하는 경우에, 가공 흔적에 있어서의 광흡수능이 억제된 분할 소편이 얻어진다.According to invention of Claims 1-24, the to-be-processed area | region used as the division origin at the time of dividing a to-be-processed object can be formed in the shape which is continuous on the surface side but discontinuous. Thereby, when dividing a light emitting element structure, the divided fragment which suppressed the light absorption ability in a process trace is obtained.
도 1은 본 발명의 실시 형태에 따른 레이저 가공 장치(50)의 구성을 개략적으로 나타내는 모식도(schematic diagram)이다.
도 2는 레이저 가공 장치(50)에 있어서의 레이저광(LB)의 반복 주파수와, 스테이지(7)의 주사 속도와, 빔 스폿 중심 간격과의 관계에 대해서 설명하는 도면이다.
도 3은 제1 변조 모드에 있어서의 레이저광(LB)의 조사 실시 형태와, 형성되는 피가공 영역(RE)과의 관계를 모식적으로(schematically) 나타내는 사시도이다.
도 4는 제1 변조 모드에 있어서의 레이저광(LB)의 조사 실시 형태와, 형성되는 피가공 영역(RE)과의 관계를 모식적으로 나타내는 상면도 및 단면도이다.
도 5는 제2 변조 모드에 있어서의 조사 에너지(E)와 빔 스폿(BS)의 사이즈 및 피가공 영역(RE)의 형상과의 관계를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 6은 제3 변조 모드에 있어서의 빔 스폿(BS)의 위치와 피가공물(10) 이동 방향과의 관계를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 7은 변형예에 따른 피가공 영역(RE)의 피가공물(10)의 표면에 있어서의 형상을 예시하는 도면이다.
도 8은 사파이어 기판을 피가공물(10)로 하여 제1 변조 모드에 의해 가공을 행한 후의, 피가공물(10)의 상면에 대한 광학 현미경상이다.
도 9은 도 8에 나타내는 사파이어 기판을 당해 피가공 영역(RE)을 분할 기점으로 하여 브레이크한 결과 얻어진 분할 소편(10a)의 측면의 광학 현미경상이다.
도 10은 사파이어 기판을 피가공물(10)로 하여 제2 변조 모드에 의해 가공을 행한 후의, 피가공물(10)의 상면에 대한 광학 현미경상이다.
도 11은 도 10에 나타내는 사파이어 기판을 당해 피가공 영역(RE)을 분할 기점으로 하여 브레이크한 결과 얻어진 분할 소편(10b)의 측면의 광학 현미경상이다.1 is a schematic diagram schematically showing a configuration of a
FIG. 2: is a figure explaining the relationship between the repetition frequency of the laser beam LB in the
FIG. 3: is a perspective view which shows typically the relationship between the irradiation embodiment of the laser beam LB in a 1st modulation mode, and the to-be-processed area | region RE formed.
FIG. 4: is a top view and sectional drawing which shows typically the relationship of the irradiation embodiment of the laser beam LB in the 1st modulation mode, and the to-be-processed area | region RE formed.
FIG. 5: is a figure which shows typically the relationship between the irradiation energy E in the 2nd modulation mode, the magnitude | size of the beam spot BS, and the shape of the to-be-processed area RE.
FIG. 6: is a figure which shows typically the relationship between the position of the beam spot BS and the moving direction of the to-
FIG. 7: is a figure which illustrates the shape in the surface of the to-
8 is an optical microscope image of the upper surface of the
FIG. 9 is an optical microscope image of the side surface of the divided
FIG. 10: is an optical microscope image of the upper surface of the to-
FIG. 11 is an optical microscope image of the side surface of the divided
(발명을 실시하기 위한 형태)(Form to carry out invention)
<레이저 가공 장치의 개요><Summary of laser processing apparatus>
도 1은, 본 발명의 실시 형태에 따른 레이저 가공 장치(50)의 구성을 개략적으로 나타내는 모식도이다. 레이저 가공 장치(50)는, 레이저광 조사부(50A)와, 관찰부(50B)와, 예를 들면 석영 등의 투명한 부재로 이루어지며, 피가공물(10)을 그 위에 올려놓는 스테이지(7)와, 레이저 가공 장치(50)의 여러 가지 동작(관찰 동작, 얼라인먼트(alignment) 동작, 가공 동작 등)을 행하는 컨트롤러(1)를 주로 구비한다. 레이저광 조사부(50A)는, 스테이지(7)에 올려놓여진 피가공물(10)에 레이저광을 조사하는 부위이며, 관찰부(50B)는, 당해 피가공물(10)을 레이저광이 조사되는 측(이것을 표면이라고 함)으로부터 직접 관측하는 표면 관찰과 스테이지(7)에 올려놓여진 측(이것을 이면이라고 함)으로부터 당해 스테이지(7)를 통하여 관찰하는 이면 관찰을 행하는 부위이다.FIG. 1: is a schematic diagram which shows roughly the structure of the
스테이지(7)는, 이동 기구(7m)에 의해 레이저광 조사부(50A)와 관찰부(50B)와의 사이에서 수평 방향으로 이동 가능하게 되어 이루어진다. 이동 기구(7m)는, 도시하지 않는 구동 수단의 작용에 의해 수평면 내에서 소정의 XY 2축 방향으로 스테이지(7)를 이동시킨다. 이에 따라, 레이저광 조사부(50A) 내에 있어서의 레이저광 조사 위치의 이동이나, 관찰부(50B) 내에 있어서의 관찰 위치의 이동이나, 레이저광 조사부(50A)와 관찰부(50B)와의 사이의 스테이지(7)의 이동 등이 실현되어 이루어진다. 또한, 이동 기구(7m)에 대해서는, 소정의 회전축을 중심으로 한, 수평면 내에 있어서의 회전(θ회전) 동작도, 수평 구동과 독립적으로 행할 수 있게 되어 있다.The stage 7 is made to be movable in the horizontal direction between the laser
또한, 레이저 가공 장치(50)에 있어서는, 표면 관찰과 이면 관찰을 적절히 전환 가능하게 행할 수 있게 되어 있다. 이에 따라, 피가공물(10)의 재질이나 상태에 따른 최적인 관찰을 유연하고도 신속하게 행할 수 있다.Moreover, in the
스테이지(7)는, 전술한 바와 같이, 석영 등 투명한 부재로 형성되어 있지만, 그 내부에는, 피가공물(10)을 흡착 고정하기 위한 흡기 통로가 되는 도시하지 않는 흡인용 배관이 형성되어 이루어진다. 흡인용 배관은, 예를 들면, 스테이지(7)의 소정 위치를 기계 가공에 의해 구멍을 깎음으로써 형성된다.As described above, the stage 7 is formed of a transparent member such as quartz, but a suction pipe not shown, which serves as an intake passage for adsorption-fixing the
피가공물(10)을 스테이지(7) 위에 올려놓은 상태에서, 예를 들면 흡인 펌프 등의 흡인 수단(11)에 의해 흡인용 배관에 대하여 흡인을 행하고, 흡인용 배관의 스테이지(7) 재치면측 선단에 형성된 흡인구멍에 대하여 부압을 부여함으로써, 피가공물(10)(및 투명 시트(4))이 스테이지(7)에 고정되게 되어 있다. 또한, 도 1에 있어서는, 가공 대상인 피가공물(10)이 투명 시트(4)에 접착되어 있는 경우를 예시하고 있지만, 투명 시트(4)의 접착은 필수는 아니다.In the state where the
레이저광 조사부(50A)는, 스테이지(7)에 올려놓여진 피가공물(10)에 대하여 레이저광을 조사함으로써 피가공물(10)을 가공할 수 있도록 구성되어 있다.50 A of laser beam irradiation parts are comprised so that the to-
보다 상세하게 말하면, 레이저광 조사부(50A)에 있어서는, 레이저 광원(SL)으로부터 레이저광(LB)을 발하여, 도시를 생략한 경통(lense barrel) 내에 구비되는 다이크로익 미러(dichroic mirror; 51)로 반사시킨 후, 당해 레이저광(LB)을, 레이저광 조사부(50A)에 스테이지(7)가 위치하는 상태로 스테이지(7)에 올려놓여진 피가공물(10)의 피가공 부위에서 초점(focus)을 맞추도록 집광 렌즈(52)로 집광하여, 피가공물(10)에 조사한다. 이러한 레이저광(LB)의 조사와, 스테이지(7)의 이동을 조합함으로써, 레이저광(LB)을 피가공물(10)에 대하여 상대적으로 주사시키면서 피가공물(10)의 가공을 행할 수 있게 되어 있다. 예를 들면, 피가공물(10)의 표면에 홈 가공(스크라이빙)을 시행하여, 피가공물(10)을 분할하는 가공을 행할 수 있다.More specifically, in the laser
또한, 레이저 가공 장치(50)에 있어서는, 가공 처리시, 필요에 따라서, 초점맞춤위치를 피가공물(10)의 표면으로부터 의도적으로 어긋나게 한 디포커스(defocus) 상태로, 레이저광(LB)을 조사하는 것도 가능해지고 있다.In the
<레이저 광원><Laser light source>
레이저 광원(SL)으로서는, Nd:YAG 레이저를 이용하는 것이 매우 적합한 실시 형태이다. 혹은, Nd:YVO4 레이저나 그 외의 고체 레이저를 이용하는 실시 형태라도 좋다. 나아가서는, 레이저 광원(SL)은, Q스위치가 수반된 것이 바람직하다.As the laser light source SL, it is a very suitable embodiment to use Nd: YAG laser. Alternatively, the embodiment may be an Nd: YVO 4 laser or other solid state laser. Furthermore, it is preferable that the laser light source SL is accompanied by a Q switch.
또한, 레이저 광원(SL)으로부터 발해지는 레이저광(LB)의 파장이나 출력, 펄스의 반복 주파수, 펄스폭의 조정 등은, 컨트롤러(1)의 조사 제어부(23)에 의해 실현된다. 가공 모드 설정 데이터(D2)에 따른 소정의 설정 신호가 가공 처리부(25)로부터 조사 제어부(23)에 대하여 발해지면, 조사 제어부(23)는, 당해 설정 신호에 따라서, 레이저광(LB)의 조사 조건을 설정한다.In addition, adjustment of the wavelength, the output of the laser light LB emitted from the laser light source SL, the repetition frequency of the pulse, the pulse width, and the like are realized by the
본 실시 형태에 있어서는, 레이저광(LB)의 파장은 150nm∼563nm의 파장 범위에 속하는 것이 바람직하고, 그중에서도 Nd:YAG 레이저를 레이저 광원(SL)으로 하는 경우는, 그 3배 고조파(파장 약 355nm)를 이용하는 것이 매우 적합한 실시 형태이다. 또한, 펄스의 반복 주파수는 10kHz∼200kHz인 것이 바람직하고, 펄스폭은, 50nsec 이상인 것이 매우 적합하다.In the present embodiment, the wavelength of the laser light LB is preferably in the wavelength range of 150 nm to 563 nm. Among them, when the Nd: YAG laser is used as the laser light source SL, the triplex harmonic (wavelength of about 355 nm). ) Is a very suitable embodiment. Moreover, it is preferable that the repetition frequency of a pulse is 10 kHz-200 kHz, and it is suitable that a pulse width is 50 nsec or more.
레이저광(LB)은, 집광 렌즈(18)에 의해 1㎛∼10㎛ 정도의 빔 지름으로 좁혀져 조사되는 것이 바람직하다. 이러한 경우, 레이저광(LB)의 조사에 있어서의 피크 파워 밀도는 대체로 1GW/㎠∼10GW/㎠가 된다.It is preferable that the laser beam LB is narrowed down to a beam diameter of about 1 µm to 10 µm by the condensing
또한, 레이저 광원(SL)으로부터 출사되는 레이저광(LB)의 편광 상태는, 원(圓)편광이라도 직선 편광이라도 좋다. 단, 직선 편광인 경우, 결정성 피가공 재료 중에서의 가공 단면의 곡선과 에너지 흡수율의 관점에서, 편광 방향이 주사 방향과 대략 평행이 되도록, 예를 들면 양자가 이루는 각이 ±1° 이내에 있도록 되는 것이 바람직하다. 또한, 출경사광이 직선 편광인 경우, 레이저 가공 장치(50)는 도시하지 않는 어테뉴에이터(attenuator, 감쇠기)를 구비하는 것이 바람직하다. 어테뉴에이터는 레이저광(LB)의 광로 상의 적절한 위치에 배치되어, 출사된 레이저광(LB)의 강도를 조정하는 역할을 담당한다.The polarization state of the laser light LB emitted from the laser light source SL may be circularly polarized light or linearly polarized light. However, in the case of linearly polarized light, from the viewpoint of the curve of the processed cross section in the crystalline workpiece and the energy absorption rate, the polarization direction is substantially parallel to the scanning direction, for example, such that the angle between them is within ± 1 °. It is preferable. In addition, when the outgoing light is linearly polarized light, the
<조명계 및 관찰계><Lighting system and observation system>
관찰부(50B)는, 스테이지(7)에 올려놓여진 피가공물(10)에 대하여 스테이지(7)의 상방으로부터 낙사(落射) 조명 광원(S1)으로부터의 낙사 조명광(L1)의 조사와 경사광 조명 광원(S2)로부터의 경사광 투과 조명광(L2)의 조사를 중첩적으로 행하면서, 스테이지(7)의 상방측으로부터의 표면 관찰 수단(6)에 의한 표면 관찰과 스테이지(7)의 하방측으로부터의 이면 관찰 수단(16)에 의한 이면 관찰을 행할 수 있도록 구성되어 있다.The
구체적으로는, 낙사 조명 광원(S1)으로부터 발해진 낙사 조명광(L1)이, 도시를 생략한 경통 내에 형성된 하프 미러(9)에서 반사되어, 피가공물(10)에 조사되게 되어 있다. 또한, 관찰부(50B)는, 하프 미러(9)의 상방(경통의 상방)에 형성된 CCD 카메라(6a)와 당해 CCD 카메라(6a)에 접속된 모니터(6b)를 포함하는 표면 관찰 수단(6)을 구비하고 있어, 낙사 조명광(L1)을 조사시킨 상태에서 리얼타임으로 피가공물(10)의 명료한 시야상의 관찰을 행할 수 있게 되어 있다.Specifically, the fall illumination light L1 emitted from the fall illumination light source S1 is reflected by the
또한, 관찰부(50B)에 있어서는, 스테이지(7)의 하방에, 보다 바람직하게는, 후술하는 하프 미러(19)의 하방(경통의 하방)에 형성된 CCD 카메라(16a)와 당해 CCD 카메라(16a)에 접속된 모니터(16b)를 포함하는 이면 관찰 수단(16)을 구비하고 있다. 또한, 모니터(16b)와 표면 관찰 수단(6)에 구비되는 모니터(6b)는 공통의 것이라도 좋다.In the
또한, 스테이지(7)의 하방에 구비되는 동축 조명 광원(S3)으로부터 발해진 동축 조명광(L3)이, 도시를 생략한 경통 내에 형성된 하프 미러(19)에서 반사되어, 집광 렌즈(18)에서 집광된 후에, 스테이지(7)를 통하여 피가공물(10)에 조사되게 되어 있어도 좋다. 더욱 바람직하게는, 스테이지(7)의 하방에 경사광 조명 광원(S4)을 구비하고 있어, 경사광 조명광(L4)을 스테이지(7)를 통하여 피가공물(10)에 대하여 조사할 수 있게 되어 있어도 좋다. 이러한 동축 조명 광원(S3)이나 경사광 조명 광원(S4)은, 예를 들면 피가공물(10)의 표면측에 불투명한 금속층 등이 있어 표면 측에서의 관찰이 당해 금속층으로부터의 반사가 발생하여 곤란한 경우 등, 피가공물(10)을 이면측으로부터 관찰할 때에 매우 적합하게 이용할 수 있다.Moreover, the coaxial illumination light L3 emitted from the coaxial illumination light source S3 provided below the stage 7 is reflected by the
<컨트롤러><Controller>
컨트롤러(1)는, 전술한 각부의 동작을 제어하여, 후술하는 여러 가지 실시 형태로의 피가공물(10)의 가공 처리를 실현시키는 제어부(2)와, 레이저 가공 장치(50)의 동작을 제어하는 프로그램(3p)이나 가공 처리시에 참조되는 여러 가지 데이터를 기억하는 기억부(3)를 추가로 구비한다.The
제어부(2)는, 예를 들면 퍼스널 컴퓨터나 마이크로 컴퓨터 등의 범용의 컴퓨터에 의해 실현되는 것으로, 기억부(3)에 기억되어 있는 프로그램(3p)이 당해 컴퓨터에 읽혀 실행됨으로써, 여러 가지 구성 요소가 제어부(2)의 기능적 구성 요소로서 실현된다.The
구체적으로는, 제어부(2)는, 이동 기구(7m)에 의한 스테이지(7)의 구동이나 집광 렌즈(18)의 초점맞춤 동작 등, 가공 처리에 관계되는 여러 가지 구동 부분의 동작을 제어하는 구동 제어부(21)와, CCD 카메라(6a 및 16a)에 의한 촬상을 제어하는 촬상 제어부(22)와, 레이저 광원(SL)으로부터의 레이저광(LB)의 조사를 제어하는 조사 제어부(23)와, 흡인 수단(11)에 의한 스테이지(7)로의 피가공물(10)의 흡착 고정 동작을 제어하는 흡착 제어부(24)와, 부여된 가공 위치 데이터(D1) 및 가공 모드 설정 데이터(D2)에 따라서 가공 대상 위치로의 가공 처리를 실행시키는 가공 처리부(25)를 주로 구비한다.Specifically, the
기억부(3)는, ROM이나 RAM 및 하드 디스크 등의 기억 매체에 의해 실현된다. 또한, 기억부(3)는, 제어부(2)를 실현하는 컴퓨터의 구성 요소에 의해 실현되는 실시 형태라도 좋고, 하드 디스크의 경우 등, 당해 컴퓨터와는 별개로 형성되는 실시 형태라도 좋다.The storage unit 3 is realized by a storage medium such as a ROM, a RAM, or a hard disk. In addition, the memory | storage part 3 may be embodiment implemented by the component of the computer which implement | achieves the
또한, 레이저 가공 장치(50)에 대하여 오퍼레이터가 부여하는 여러 가지 입력 지시는, 컨트롤러(1)에 있어서 실현되는 GUI를 이용하여 행해지는 것이 바람직하다. 예를 들면, 가공 처리부(25)의 작용에 의해 가공 처리용 메뉴가 GUI에서 제공된다.In addition, it is preferable that the various input instruction | commands which an operator gives with respect to the
<얼라인먼트 동작><Alignment movement>
레이저 가공 장치(50)에 있어서는, 가공 처리에 앞서, 관찰부(50B)에 있어서, 피가공물(10)의 배치 위치를 미세 조정하는 얼라인먼트 동작을 행할 수 있게 되어 있다. 얼라인먼트 동작은, 피가공물(10)에 정해져 있는 XY 좌표축을 스테이지(7)의 좌표축과 일치시키기 위해 행하는 처리이다. 얼라인먼트 동작은, 공지의 기술을 적용하여 실행하는 것이 가능하고, 가공 패턴에 따라서 적절한 실시 형태로 행해지면 좋다. 예를 들면, 1개의 모 기판(mother substrate)을 이용하여 제작된 다수개의 디바이스 칩을 잘라내는 경우 등, 피가공물(10)의 표면에 반복 패턴이 형성되어 있는 것과 같은 경우이면, 패턴 매칭 등의 수법을 이용함으로써 적절한 얼라인먼트 동작이 실현된다. 이 경우, 개략적으로 말하면, 피가공물(10)에 형성되어 있는 복수의 얼라인먼트용 마크의 촬상 화상을 CCD 카메라(6a 혹은 16a)가 취득하고, 그들 촬상 화상의 촬상 위치의 상대적 관계에 기초하여 가공 처리부(25)가 얼라인먼트량을 특정하고, 구동 제어부(21)가 당해 얼라인먼트량에 따라서 이동 기구(7m)에 의해 스테이지(7)를 이동시킴으로써, 얼라인먼트가 실현된다.In the
이러한 얼라인먼트 동작을 행함으로써, 가공 처리에 있어서의 가공 위치가 정확하게 특정된다. 또한, 얼라인먼트 동작 종료 후, 피가공물(10)을 올려놓은 스테이지(7)는 레이저광 조사부(50A)로 이동하고, 계속해서 레이저광(LB)을 조사하는 것에 의한 가공 처리가 행해지게 된다. 또한, 관찰부(50B)로부터 레이저광 조사부(50A)로의 스테이지(7)의 이동은, 얼라인먼트 동작시에 상정된 가공 예정 위치와 실제의 가공 위치가 어긋나지 않게 보증되어 있다.By performing such an alignment operation, the machining position in a machining process is correctly specified. In addition, after completion of the alignment operation, the stage 7 on which the
<가공 모드><Processing mode>
본 실시 형태에 따른 레이저 가공 장치(50)는, 레이저광(LB)을 (상대적으로) 주사하는 것에 의한 가공 처리(레이저 가공)를, 여러 가지 가공 모드로 행하도록 되어 있는 점에서 특징적이다. 이는, 레이저 광원(SL)으로부터의 레이저광(LB)의 조사 조건과 스테이지(7)를 이동시키는 것에 의한 피가공물(10)에 대한 레이저광(LB)의 주사 조건의 조합을 달리함으로써 실현된다.The
가공 모드는, 레이저광(LB)의 주사 방향의 임의의 위치에 있어서의 당해 주사 방향에 수직인 가공 단면이 대략 동일하게 되는 조사 조건으로 레이저광(LB)을 분할 예정 위치를 따라서 연속적으로 조사하는 연속 모드와, 피가공물의 표면에 있어서의 레이저광(LB)의 조사 범위가 변조되는 조사 조건으로 레이저광(LB)을 조사하는 변조 모드로 대별된다. 변조 모드에는, 레이저광의 조사 조건이나 주사 조건이 다른 여러 가지 실시 형태가 있어, 레이저 가공 장치(50)에 있어서는, 그 중의 적어도 1개가 실행 가능하게 되어 이루어진다.In the processing mode, the laser beam LB is continuously irradiated along the dividing scheduled position under irradiation conditions such that the processing cross section perpendicular to the scanning direction at any position in the scanning direction of the laser beam LB becomes substantially the same. The continuous mode and the irradiation mode of the irradiation range of the laser beam LB on the surface of the workpiece are classified into a modulation mode in which the laser beam LB is irradiated. There are various embodiments in which the irradiation conditions and scanning conditions of the laser light are different in the modulation mode, and in the
개략적으로 말하면, 연속 모드는, 분할 예정선(L)(도 3)을 따라서 균일한 피가공 영역(혹은 가공 흔적)을 형성하는 모드이며, 변조 모드는, 분할 예정선(L)을 따라서 요철 형상을 갖는 피가공 영역(혹은 가공 흔적)을 형성하는 모드를 말한다.Roughly speaking, the continuous mode is a mode which forms a uniform process area | region (or processing trace) along the division plan line L (FIG. 3), and a modulation mode is uneven | corrugated shape along the division plan line L. FIG. It refers to a mode for forming a processing region (or processing trace) having a.
또한, 제거 가공의 경우는 가공홈의 단면이 가공 단면에 해당하고, 융해 개질법인 경우는, 변질 영역의 단면이 가공 단면에 해당한다.In addition, in the case of removal processing, the cross section of the processing groove corresponds to the processing cross section, and in the case of the fusion reforming method, the cross section of the altered region corresponds to the processing cross section.
가공 모드는, 예를 들면, 가공 처리부(25)의 작용에 의해 컨트롤러(1)에 있어서 오퍼레이터에게 이용 가능하게 제공되는 가공 처리 메뉴에 따라 선택할 수 있는 것이 매우 적합하다. 컨트롤러(1)의 기억부(3)에는, 피가공물(10)에 대한 분할 예정선(L)의 위치를 기술한 가공 위치 데이터(D1)가 기억됨과 함께, 개개의 가공 모드에 있어서의 레이저 가공의 실시 형태에 따른, 레이저광의 개개의 파라미터에 대한 조건이나 스테이지(7)의 구동 조건(혹은 그러한 설정 가능 범위) 등이 기술된 가공 모드 설정 데이터(D2)가 기억되어 있다. 가공 처리부(25)는, 가공 위치 데이터(D1)를 취득함과 함께 선택된 가공 모드에 대응되는 조건을 가공 모드 설정 데이터(D2)로부터 취득하여, 당해 조건에 따른 동작이 실행되도록, 구동 제어부(21)나 조사 제어부(23) 그 외를 통하여 대응되는 각부의 동작을 제어한다.The processing mode is very suitable to be selected according to a processing processing menu provided to be available to an operator in the
연속 모드에서의 가공은, 특허문헌 1이나 특허문헌 2에 개시되어 있는 것과 같은 종래의 레이저 가공 장치에 있어서도 행해지는 공지의 가공 처리 실시 형태이기 때문에, 본 실시 형태에 있어서는 상세한 설명을 생략한다. 이하에 있어서는, 본 실시 형태에 따른 레이저 가공 장치(50)에 고유의, 변조 모드에서의 가공에 대해서 상세 설명한다.Since the process in a continuous mode is well-known process processing embodiment performed also in the conventional laser processing apparatus like
<제1 변조 모드: 빔 스폿이 이산하도록 레이저광 조사><First Modulation Mode: Laser Light Irradiation for Discrete Beam Spots>
도 2는, 레이저 가공 장치(50)에 있어서의 레이저광(LB)의 반복 주파수와, 스테이지(7)의 주사 속도와, 빔 스폿 중심 간격과의 관계에 대해서 설명하는 도면이다.FIG. 2: is a figure explaining the relationship between the repetition frequency of the laser beam LB in the
레이저광의 반복 주파수가 R(kHz)인 경우, 1/R(msec)마다 1개의 레이저 펄스가 레이저 광원(SL)으부터 발해지게 된다. 피가공물(10)이 올려놓여진 스테이지(7)가 속도 V(mm/sec)로 이동하는 경우, 어떤 펄스가 발해지고 나서 다음의 레이저 펄스가 발해지는 사이에, 피가공물(10)은 V×(1/R)=V/R(㎛)만큼 이동하게 되기 때문에, 어떤 레이저 펄스의 빔 중심 위치와 다음에 발해지는 레이저 펄스의 빔 중심 위치와의 간격, 결국은 빔 스폿 중심 간격(Δ(㎛))은 Δ=V/R로 정해진다.When the repetition frequency of the laser light is R (kHz), one laser pulse is emitted from the laser light source SL every 1 / R (msec). When the stage 7 on which the
이 점에서, 피가공물의 표면에 있어서의 빔 지름(D)이 Δ=V/R보다도 크면, 개개의 레이저 펄스는 겹치지만, 빔 지름(D)이 Δ=V/R보다도 작은 경우는, 개개의 레이저 펄스는 겹치지 않게 된다. 제1 변조 모드는 이 점을 이용하여 레이저 가공을 행하는 모드이다.In this respect, when the beam diameter D on the surface of the workpiece is larger than Δ = V / R, the individual laser pulses overlap, but when the beam diameter D is smaller than Δ = V / R, the individual Laser pulses do not overlap. The first modulation mode is a mode in which laser processing is performed using this point.
도 3 및 도 4는, 제1 변조 모드에 있어서의 레이저광(LB)의 조사 실시 형태와, 형성되는 피가공 영역(RE)과의 관계를 모식적으로 나타내는 도면이다. 도 3은 사시도이다. 도 3 및 도 4에는 편의상, 분할 예정선(L)의 방향을 x축 방향, 피가공물(10)의 표면에 있어서 x축과 직교하는 방향을 y축 방향, 피가공물(10)의 표면에 직교하는 방향을 z축 방향으로 하는 3차원 좌표를 부여하고 있다(이후의 도면에 있어서도 동일). 도 4는, 피가공 영역(RE)의 XY상면도(중앙의 도면), A-A’단면도(우측의 도면), B-B’, C-C’ 및, D-D’단면도(좌측의 도면)이다. A-A’단면도는, 분할 예정선(L)에 평행한 면에 있어서의 단면도이다. B-B’, C-C’ 및, D-D’단면도는, 분할 예정선(L) 상의 다른 위치에서의 분할 예정선(L)에 수직인 면에 있어서의 단면도이다.3 and 4 are diagrams schematically showing the relationship between the irradiation embodiment of the laser light LB in the first modulation mode and the formed region RE to be formed. 3 is a perspective view. 3 and 4, for convenience, the direction of the division scheduled line L is in the x-axis direction, and the direction orthogonal to the x-axis on the surface of the
제1 변조 모드에 있어서는, 레이저광(LB)의 단위 펄스마다의 빔 스폿(BS)이 분할 예정선(L)의 방향에 있어서 이산적으로 위치하는 조사 조건으로, 레이저광(LB)을 조사한다. 이것은, 빔 지름(D)과 빔 스폿 중심 간격(Δ=V/R)이, D<Δ이 되는 관계를 충족시킴으로써 실현된다. 구체적으로는, 10(kHz)≤R≤200(kHz), 30(mm/sec)≤V≤1000(mm/sec), D<V/R 그리고 W/4(㎛)≤V/R≤W/2(㎛)이 되는 범위에서 레이저광의 조사 조건 및 스테이지(7)의 구동 조건이 설정 가능하도록 가공 모드 설정 데이터(D2)에 기술(記述)이 이루어진다. 여기에서, W는 분할 예정선(L)에 수직인 방향에 있어서의 가공 예정폭이다.In the first modulation mode, the laser beam LB is irradiated under irradiation conditions in which the beam spot BS for each unit pulse of the laser beam LB is located discretely in the direction of the division schedule line L. FIG. . This is realized by satisfying the relationship where the beam diameter D and the beam spot center spacing (Δ = V / R) satisfy D <Δ. Specifically, 10 (kHz) ≤ R ≤ 200 (kHz), 30 (mm / sec) ≤ V ≤ 1000 (mm / sec), D <V / R and W / 4 (μm) ≤ V / R ≤ W Description is made in the processing mode setting data D2 so that the irradiation conditions of the laser beam and the driving conditions of the stage 7 can be set within a range of / 2 (µm). Here, W is a predetermined process width in the direction perpendicular to the division schedule line L. FIG.
또한, 레이저광(LB)을 분할 예정선(L)의 방향을 따라서 주사할 때에 빔 스폿(BS)이 이산적으로 위치되는 것은, 분할 예정선(L)의 방향에 있어서 레이저광(LB)이 조사되는 개소와 조사되지 않는 개소가 존재하는 것이기 때문에, 피가공물의 표면에 있어서의 조사 범위를 변조시켜 레이저광(LB)을 조사하는 실시 형태에 해당된다.In addition, when the laser beam LB is scanned along the direction of the split schedule line L, the beam spot BS is discretely located in the direction of the split schedule line L. Since the irradiated part and the unirradiated part exist, it corresponds to embodiment which irradiates the laser beam LB by modulating the irradiation range in the surface of a to-be-processed object.
이러한 조건하에서 레이저광을 주사하면, 도 3 및 도 4에 나타내는 바와 같은 형상의 피가공 영역(RE)이 형성된다. 개략적으로는, 피가공 영역(RE)은, 개개의 레이저 펄스의 빔 스폿은 이산되어 있음에도 불구하고, 개개의 레이저 펄스에 의해 형성되는 대략 타원추 형상(또는 대략 쐐기 형상)의 단위 피가공 영역(REu)이 분할 예정선(L)의 방향으로 다수 연접하여 이루어지는 형상을 갖는다.When the laser beam is scanned under such conditions, the workpiece region RE having a shape as shown in Figs. 3 and 4 is formed. In general, the workpiece region RE is a substantially elliptical (or approximately wedge-shaped) unit workpiece region formed by the individual laser pulses, although the beam spots of the individual laser pulses are discrete. REu) has a shape formed by connecting a large number in the direction of the split schedule line L. As shown in FIG.
보다 상세하게는, 피가공 영역(RE)은, 피가공물(10)의 표면에 있어서 연속하는 한편으로, 도 3 및 도 4의 B-B’, C-C’ 및, D-D’단면도에 나타내는 바와 같이, 분할 예정선(L)에 수직인 방향에 대한 폭 및 단면 형상이 분할 예정선(L) 방향(x축 방향)의 위치에 따라 다르다. 즉, 피가공 영역(RE)은, 분할 예정선(L)의 방향(x축 방향)으로 연속하는 부분을 갖지만, x축 방향에 수직인 단면(yz 단면) 상태가 x축 방향에 있어서 변화하는 형상을 갖고 있다고도 말할 수 있다. 또한, 도 4에 나타내는 경우에 있어서는, 피가공 영역(RE)은, 피가공물(10)의 표면 근방에 있어서의 y축 방향의 가공폭이, x축 방향을 따라서 w1∼w3의 사이에서 변화하도록 형성되어 이루어진다. 만일, C-C’ 단면에 있어서의 당해 가공폭(w2)이 가공 예정폭(W)과 동일하다고 하면, 제1 변조 모드에서의 가공은, 가공 예정폭(W)보다 큰 가공폭을 갖는 영역과 가공 예정폭(W)보다 작은 가공폭을 갖는 영역을 반복하여 교대로 형성해 나가는 실시 형태라고 파악할 수도 있다. 단, 실제의 가공에 있어서는, w1≒w2, w3≒w2가 되는 경우도 있다.In more detail, the to-be-processed area | region RE is continuous in the surface of the to-
또한, 다른 관점에서 보면, 도 4의 A-A’단면도에 나타내는 바와 같이, 피가공 영역(RE)은, 피가공물(10)의 표면 근방에 있어서 x축 방향으로 연속하는 연속 영역(RE1)과, y축 방향에 있어서 연속 영역(RE1)에 연접하지만, x축 방향으로는 불연속인 불연속 영역(RE2)으로 구성되어 있다고도 말할 수 있다.In addition, from another viewpoint, as shown in the AA 'cross section of FIG. 4, the to-be-processed area | region RE is continuous region RE1 continuous in the x-axis direction in the vicinity of the surface of the to-
어차피, 피가공 영역(RE)은, xy 단면 및 zx 단면에 있어서, 결국은 x축 방향을 따라서 요철을 갖는 것으로 되어 있다. 요철의 피치는, 레이저광(LB)의 조사 조건이나 스테이지(7)의 구동 조건에 따라서도 다르지만, 수㎛∼수십㎛ 정도이다.Anyway, the to-be-processed area | region RE has an unevenness | corrugation along an x-axis direction in an xy cross section and a zx cross section eventually. The pitch of the unevenness varies depending on the irradiation conditions of the laser beam LB and the driving conditions of the stage 7, but is about several micrometers to several tens of micrometers.
V나 R의 구체적인 값은 피가공물(10)의 재질이나 흡수율, 열전도율, 융점 등을 감안하여 적절히 정해져도 좋다. 또한, 펄스의 조사 에너지는 10μJ∼1000μJ의 범위 내에서 적절히 정해져도 좋다.Specific values of V and R may be appropriately determined in consideration of the material, the water absorption rate, the thermal conductivity, the melting point, and the like of the
또한, V/R<W/4(㎛)의 경우는, 단위 피가공 영역(REu)의 중복이 커져 가공 예정폭과 실제의 가공폭과의 차이가 작아져, 실질적으로 연속 모드에서의 가공과 차이가 없어져 버린다. 한편, V/R>W/2(㎛)가 되는 경우는, 서로 이웃하는 빔 스폿의 거리가 너무 커지기 때문에, 결과적으로 개개의 단위 피가공 영역(REu)이 연접하지 않게 되기 때문에 바람직하지 않다.In addition, in the case of V / R <W / 4 (µm), the overlap of the unit work area REu becomes large, and the difference between the processing width and the actual processing width becomes small, and the processing in the continuous mode is substantially The difference disappears. On the other hand, when V / R > W / 2 (µm), the distance between the beam spots adjacent to each other becomes too large, and as a result, the individual unit workpiece regions REu are not contiguous, which is not preferable.
<제2 변조 모드: 에너지 변조><Second modulation mode: energy modulation>
전술한 제1 변조 모드는, V/R>D가 되는 조건하에서 가공을 행하는 것을 특징으로 하는 모드였지만, 제2 변조 모드는, V/R≤D라는 조건하에서 가공을 행하는 모드이다. 즉, 인접하는 빔 스폿이 겹쳐지는 상태로 레이저광(LB)이 조사되는 조건하에서도 취할 수 있는 가공 모드이다.The first modulation mode described above was a mode characterized in that processing was performed under the condition of V / R > D, but the second modulation mode is a mode in which processing is performed under the condition of V / R ≦ D. That is, it is a processing mode which can be taken even under the conditions which the laser beam LB is irradiated in the state which the adjacent beam spot overlaps.
일반적으로, 조사되는 레이저 펄스의 조사 에너지(E)가 클수록, 피가공물(10)의 두께 방향의 보다 깊은 영역까지가 가공되어, 표면에 있어서의 가공 범위도 넓어진다. 제2 변조 모드에서는 이것을 이용하는 가공 모드이다.Generally, the larger the irradiation energy E of the laser pulse to be irradiated, the deeper the region in the thickness direction of the
도 5는, 제2 변조 모드에 있어서의 조사 에너지(E)와 빔 스폿(BS)의 사이즈 및 피가공 영역(RE)의 형상과의 관계를 모식적으로 나타내는 도면이다. 제2 변조 모드에 있어서는, 레이저광(LB)을 분할 예정선(L)을 따라서 주사시킬 때에, 레이저광(LB)의 조사 에너지가, 도 5에 나타내는 바와 같이 최소치(Emin)와 최대치(Emax)와의 사이에서 주기적으로 변화하도록 가공 처리부(25)가 각부의 동작을 제어한다. 요컨대, 레이저 가공 장치(50)는 조사 에너지를 변조시키면서 레이저광이 주사를 행하도록 제어된다. 그러면, 조사 에너지의 값에 따라서, 피가공물(10)의 표면에 있어서의 레이저광(LB)의 빔 스폿(BS)의 사이즈가 변화한다. 도 5에 있어서는, E=Emin일 때의 빔 스폿(BS(BS1))과, E=Emax일 때의 빔 스폿(BS(BS2))을 예시하고 있지만, 이들의 중간 사이즈도 취할 수 있다. 이에 따라, 결과적으로, 도 4와 동일한 형상의 피가공 영역(RE)이 형성된다.FIG. 5: is a figure which shows typically the relationship between the irradiation energy E in the 2nd modulation mode, the size of the beam spot BS, and the shape of the to-be-processed area RE. In the second modulation mode, when the laser beam LB is scanned along the division schedule line L, the irradiation energy of the laser beam LB is the minimum value Emin and the maximum value Emax as shown in FIG. 5. The
구체적으로는, 5(μJ)≤Emin≤100(μJ) 및, 20(μJ)≤Emax≤1000(μJ)을 충족시키도록 Emin과 Emax가 정해진다. 또한, 제2 모드에 있어서는, 50(kHz)≤R≤200(kHz), 50(mm/sec)≤V≤1000(mm/sec)라는 범위를 충족시키도록 R과 V의 값이 설정된다. 또한, 변조 주기는 2㎛∼20㎛ 정도로 하는 것이 매우 적합하다. 제2 변조 모드에 관해서는, 이들 설정 범위가 가공 모드 설정 데이터(D2)에 기술된다.Specifically, Emin and Emax are determined to satisfy 5 (μJ) ≤ Emin ≤ 100 (μJ) and 20 (μJ) ≤ Emax ≤ 1000 (μJ). In the second mode, the values of R and V are set to satisfy the ranges of 50 (kHz) ≤ R ≤ 200 (kHz) and 50 (mm / sec) ≤ V ≤ 1000 (mm / sec). Moreover, it is very suitable to set a modulation period about 2-20 micrometers. Regarding the second modulation mode, these setting ranges are described in the processing mode setting data D2.
도 5로부터 알 수 있는 바와 같이, 조사 에너지(E)를 변조시키는 것은 결국 가공에 유효한 실질의 빔 스폿 지름을 변조시키는 것이 되기 때문에, 제2 변조 모드도, 피가공물의 표면에 있어서의 조사 범위를 변조시켜 레이저광(LB)을 조사하는 실시 형태에 해당한다.As can be seen from FIG. 5, since modulating the irradiation energy E is to modulate the actual beam spot diameter effective for processing, the second modulation mode also determines the irradiation range on the surface of the workpiece. It corresponds to embodiment which modulates and irradiates the laser beam LB.
<제3 변조 모드: 레이저광을 분할 예정선과 직교하는 방향으로 주사><Third Modulation Mode: Scanning Laser Light in a Direction Orthogonal to Division Schedule Lines>
제3 변조 모드는, 분할 예정선과 직교하는 방향으로 레이저광(LB)을 주사시키면서, 단위 펄스마다의 빔 스폿(BS)이 이산적으로 위치하도록, 레이저광(LB)을 조사하는 가공 모드이다.The third modulation mode is a processing mode in which the laser beam LB is irradiated so that the beam spot BS for each unit pulse is located discretely while scanning the laser beam LB in a direction orthogonal to the division schedule line.
도 6은, 제3 변조 모드에 있어서의 빔 스폿(BS)의 위치와 피가공물(10)의 이동 방향과의 관계를 모식적으로 나타내는 도면이다. 제3 변조 모드에 있어서는, 피가공물(10)이 올려놓여진 스테이지(7)를 분할 예정선(L)이 x축 방향을 따르도록 이동시키는 한편으로, 도 6에 있어서 화살표(AR1)로 나타내는 바와 같이, 분할 예정선(L)에 수직인 방향(y축 방향)으로 레이저광(LB)을 왕복 주사시킨다. 이는, 레이저 가공 장치(50)가 레이저 광원(SL) 혹은 레이저광(LB)의 조사 경로의 도중에 갈바노 미러 등의 주사 기구를 구비함으로써 실현된다.FIG. 6: is a figure which shows typically the relationship of the position of the beam spot BS and the moving direction of the to-
어떤 레이저 펄스가 발해졌을 때의 빔 스폿 중심과, 다음의 레이저 펄스가 발해졌을 때의 빔 스폿 중심과의 거리를, 레이저광(LB)의 y축 방향으로의 주사폭(p(㎛))과 합치시킨다고 하면, 전술한 바와 같이, 1/R(msec)마다 1개의 레이저 펄스가 레이저 광원(SL)으부터 발해지는 점에서, y축 방향으로의 주사 속도가 p/(1/R)=pR인 경우, 도 6에 나타내는 바와 같이, 분할 예정선(L)을 사이에 두고 교대로 빔 스폿(BS)이 위치하도록, 레이저광(LB)이 조사되게 된다. The distance between the center of the beam spot when a certain laser pulse is emitted and the center of the beam spot when the next laser pulse is emitted is determined by the scanning width (p (μm)) in the y-axis direction of the laser beam LB. As described above, as described above, since one laser pulse is emitted from the laser light source SL every 1 / R (msec), the scanning speed in the y-axis direction is p / (1 / R) = pR In this case, as shown in FIG. 6, the laser beam LB is irradiated so that the beam spot BS is alternately positioned with the division schedule line L therebetween.
이때, 레이저광(LB)은 y축 방향으로 왕복 주사할 뿐이지만, 피가공물(10)은 x축 방향으로 이동하기 때문에, x축 방향에 대해서는, 제1 변조 모드와 동일하게, Δ=V/R을 충족시키도록 빔 스폿(BS)이 이산적으로 위치하게 된다.At this time, the laser beam LB only reciprocates in the y-axis direction, but since the
결과적으로, 피가공물(10)에 있어서는, 도 6에 나타내는 바와 같이, 레이저광(LB)의 주사 궤적(T)은, 분할 예정선(L)과 반복되어 교대로 교차되게 된다. 말하자면, 분할 예정선(L)을 축으로 하여 지그재그인 주사 궤적(T)을 따라 레이저광(LB)이 조사되게 된다.As a result, in the to-
이러한 제3 변조 모드의 경우, 분할 예정선(L)의 방향(x축 방향)을 따라서 보면, 레이저광(LB)의 y축 방향에 대한 조사 위치 및 조사 범위가 변화되어 있다(조사되지 않는 위치도 존재한다). 따라서, 이러한 경우도, 피가공물의 표면에 있어서의 조사 범위를 변조시켜 레이저광(LB)을 조사하는 실시 형태에 해당한다.In this third modulation mode, the irradiation position and the irradiation range of the laser beam LB in the y-axis direction are changed when viewed along the direction (x-axis direction) of the division schedule line L (position not irradiated). Also exists). Therefore, this case also corresponds to the embodiment in which the laser beam LB is irradiated by modulating the irradiation range on the surface of the workpiece.
제3 변조 모드에 의한 레이저광(LB)의 조사 결과, 도 6에 나타내는 바와 같은 표면 형상을 갖는 피가공 영역(RE)이 형성된다. 이 경우의 피가공 영역(RE)은, 개략적으로는, 개개의 레이저 펄스의 빔 스폿은 이산되어 있음에도 불구하고, 개개의 레이저 펄스에 의해 형성되는 대략 타원추 형상(또는 대략 쐐기 형상)의 단위 피가공 영역(REu)이 주사 궤적(T)을 따라서 다수 연접하여 이루어지는 형상을 갖는다.As a result of irradiation of the laser beam LB in the third modulation mode, the processing region RE having the surface shape as shown in FIG. 6 is formed. The workpiece region RE in this case is roughly an approximately elliptical (or approximately wedge-shaped) unit blood formed by the individual laser pulses even though the beam spots of the individual laser pulses are discrete. The processing region REu has a shape formed by connecting a plurality of portions along the scan trajectory T. As shown in FIG.
이 경우도, 피가공 영역(RE)은, 피가공물(10)의 표면에 있어서 연속하는 한편으로, 분할 예정선(L)에 수직인 방향에 대한 폭 및 단면 형상이 분할 예정선(L) 방향(x축 방향)의 위치에 따라 다르게 되어 있다. 즉, 피가공 영역(RE)은, 분할 예정선(L)의 방향(x축 방향)으로 연속하는 부분을 갖지만, x축 방향에 수직인 단면(yz 단면)의 상태가 x축 방향에 있어서 변화하는 형상을 갖고 있다고도 말할 수 있다.Also in this case, the workpiece region RE is continuous on the surface of the
또한, 도시는 생략하지만, 제3 변조 모드에서 얻어지는 피가공 영역(RE)도, 피가공물(10)의 표면 근방에 있어서 x축 방향으로 연속하는 연속 영역과, y축 방향에 있어서 연속 영역에 연접하지만, x축 방향으로는 불연속인 불연속 영역으로 구성된다.Although not shown, the workpiece region RE obtained in the third modulation mode is also connected to the continuous region continuous in the x-axis direction in the vicinity of the surface of the
즉, 제3 변조 모드에서 얻어지는 피가공 영역(RE)에 대해서도, xy 단면 및 zx 단면에 있어서, 결국은 x축 방향을 따라서, 요철을 갖는 것으로 되어 있다. 요철의 피치는, 레이저광(LB)의 조사 조건이나 스테이지(7)의 구동 조건에 따라서도 다르지만, 수㎛∼수십㎛ 정도이다.That is, the processed region RE obtained in the third modulation mode also has irregularities in the xy cross section and the zx cross section eventually along the x axis direction. The pitch of the unevenness varies depending on the irradiation conditions of the laser beam LB and the driving conditions of the stage 7, but is about several micrometers to several tens of micrometers.
제3 변조 모드에 있어서는, 단위 펄스마다의 빔 스폿(BS)이 이산적으로 위치하기 때문에, 빔 지름(D)과 빔 스폿 중심 간격(Δ=V/R)과 주사폭이, D<(Δ2+p2)1/2이 되는 관계가 충족되게 된다. 또한, 10(kHz)≤R≤200(kHz), 30(mm/sec)≤V≤1000(mm/sec)이 되는 범위에서 레이저광의 조사 조건 및 스테이지(7)의 구동 조건이 설정 가능하도록 가공 모드 설정 데이터(D2)에 기술이 이루어진다. 또한, 1(㎛)≤p≤3(㎛)이다. 예를 들면, p=1.5㎛ 정도로 설정하는 것이 매우 적합하다. V나 R의 구체적인 값은 피가공물(10)의 재질이나 흡수율, 열전도율, 융점 등을 감안하여 적절히 정해져도 좋다. 또한, 펄스의 조사 에너지는 10μJ∼1000μJ의 범위 내에서 적절히 정해져도 좋다.In the third modulation mode, since the beam spot BS for each unit pulse is located discretely, the beam diameter D, the beam spot center spacing (Δ = V / R), and the scan width are D <(Δ 2 + p 2 ) 1/2 is satisfied. Further, processing is possible so that the irradiation conditions of the laser light and the driving conditions of the stage 7 can be set within a range of 10 (kHz) ≤ R ≤ 200 (kHz) and 30 (mm / sec) ≤ V ≤ 1000 (mm / sec). The description is made in the mode setting data D2. Moreover, 1 (micrometer) <p <= 3 (micrometer). For example, it is very suitable to set about p = 1.5 micrometer. Specific values of V and R may be appropriately determined in consideration of the material, the water absorption rate, the thermal conductivity, the melting point, and the like of the
<제3 변조 모드의 변형예><Modification Example of Third Modulation Mode>
전술한 제3 변조 모드에서는, 단위 펄스마다의 빔 스폿(BS)이 이산적으로 위치하도록 하고 있지만, 분할 예정선(L)과 직교하는 방향으로 레이저광(LB)을 주사시키면서도, 인접하는 빔 스폿이 중복을 갖는 실시 형태로의 가공도 가능하다.In the above-described third modulation mode, the beam spot BS for each unit pulse is located discretely, but adjacent beam spots are scanned while scanning the laser beam LB in a direction orthogonal to the division schedule line L. FIG. Processing in the embodiment having this overlap is also possible.
도 7은, 이러한 경우에 형성되는 피가공 영역(RE)의, 피가공물(10)의 표면에 있어서의 형상을 예시하는 도면이다. 이 경우, 주사 궤적(T’)은 분할 예정선(L)과 반복하여 교대로 교차되게 된다. 그리고, 피가공 영역(RE)은 xy 단면에 있어서는 요철을 갖지만, zx 단면에 있어서는 대략 연속적으로 형성된다.FIG. 7: is a figure which illustrates the shape in the surface of the to-
<변조 모드에 의한 분할 기점의 형성><Formation of Division Origin by Modulation Mode>
전술한 바와 같은 제1 내지 제3 변조 모드에 의한 가공은, 사파이어, GaN, 혹은 SiC 등의 경취(硬脆)하고 그리고 광학적으로 투명한 재료로 이루어지는 기판 위에, LED 구조 등의 발광 소자 구조를 형성한 피가공물(10)을 칩(분할 소편) 단위로 분할하는 경우의, 분할 기점의 형성에 특히 매우 적합하다.The processing by the first to third modulation modes described above is performed by forming a light emitting element structure such as an LED structure on a substrate made of a hard and optically transparent material such as sapphire, GaN, or SiC. It is especially suitable for formation of a division origin in the case of dividing the to-
즉, 전술한 변조 모드를 이용하여, 수㎛ 정도의 피치의 미세한 요철 형상을 갖는 피가공 영역(RE)을 형성하고, 당해 피가공 영역을 분할 기점으로 하여 피가공물을 브레이크하여 칩을 얻도록 한다. 또한, 이러한 브레이크는 예를 들면, 피가공물(10)의 상면으로부터 피가공 영역(RE)을 사이에 두고서 상반되는 측에 각각, 피가공 영역(RE)을 축으로 하여 상반되는 방향의 힘을 작용시킴으로써 실현 가능하다. 이 경우, 피가공 영역(RE)의 최하 단부가 기점이 되어, 피가공물(10)의 하방으로 분할이 진행된다. 이에 따라, 피가공물(10)의 상하면과 대략 수직인 브레이크면이 형성된다.In other words, by using the above-described modulation mode, the workpiece region RE having a fine concavo-convex shape with a pitch of several micrometers is formed, and the workpiece is braked using the divided region as a starting point to obtain a chip. . In addition, such a brake exerts a force in a direction opposite to each other on the opposite side of the
피가공 영역(RE)을 형성한 부위는 가공 흔적으로서 남지만, 당해 부위는, 변조 모드에서 가공을 행한 결과 형성된 요철을 갖기 때문에, 전(全)반사 하기 어려운 형상이 되어 있다. 이에 따라, 당해 부위에 있어서의 광흡수는 억제되어, 당해 부위에 있어서도, 내부에서 발광한 빛이 효율적으로 외부로 투과된다.Although the site | part which formed the to-be-processed area | region RE remains as a process trace, since the said site | region has the unevenness | corrugation formed as a result of processing in a modulation mode, it is a shape which is difficult to fully reflect. Thereby, the light absorption in the said site | part is suppressed, and also the light emitted in the inside permeate | transmits efficiently to the outside also in this site | part.
이상, 설명한 바와 같이, 본 실시 형태에 의하면, 전술한 제1 내지 제3 변조 모드의 어느 하나를 이용함으로써, 피가공물을 분할할 때의 분할 기점이 되는 피가공 영역을, 표면측에서는 연속하지만 저부가 불연속인 형상으로 형성할 수 있다. 이에 따라, 발광 소자 구조를 피가공물로서 분할을 행하도록 하면, 가공 흔적에 있어서의 광흡수능이 억제된, 빛 취출 효율이 우수한 발광 소자 칩을 얻을 수 있다.As described above, according to the present embodiment, by using any one of the first to third modulation modes described above, the workpiece region serving as the division starting point when dividing the workpiece is continuous on the surface side but the bottom portion is discontinuous. It can form in a phosphorus shape. By dividing the light emitting element structure into the workpiece as a result, a light emitting element chip having excellent light extraction efficiency in which the light absorbing ability in the processing trace is suppressed can be obtained.
실시예Example
(실시예 1)(Example 1)
도 8은, 사파이어 기판을 피가공물(10)로서 제1 변조 모드에 의해 제거 가공을 행한 후의, 피가공물(10)의 상면에 대한 광학 현미경상이다. 도면에서 보이는 좌우 방향으로 일관되게 연재(extend)되어 있는 것이, 피가공 영역(RE)의 표면 부분(연속 영역(RE1)에 상당함)이다. 또한, 가공은, R66kHz, V200mm/sec, 조사 에너지 1.5W, 디포커스값 -12㎛라는 조건하에서 행해졌다.FIG. 8 is an optical microscope image of the upper surface of the
또한, 도 9는, 이러한 가공 후, 도 8에 나타내는 사파이어 기판을 당해 피가공 영역(RE)을 분할 기점으로 하여 브레이크한 결과 얻어진 분할 소편(10a)의 측면의 광학 현미경상이다.In addition, FIG. 9 is an optical microscope image of the side surface of the divided
도 9에 있어서는, 연속 영역(RE1)에 상당하는 가공 흔적(M1)과, 불연속 영역(RE2)에 상당하는 가공 흔적(M2)과, 평탄한 브레이크면(F)이 확인된다. 특히, 불연속 영역(RE2)에 있어서는, 대략 쐐기 형상의 미세 영역이 대략 등간격으로 이산적으로 존재하고 있다. 이것이 단위 피가공 영역(REu)에 상당하고, 브레이크시에는, 그들 미세 영역의 사이에서만 파단이 발생하고 있다. 즉, 도 9로부터는, 분할 소편(10a)에, 피가공 영역(RE)에서 유래하는 요철 형상이 형성되어 있는 것이 확인된다.In FIG. 9, the processing trace M1 corresponding to the continuous region RE1, the processing trace M2 corresponding to the discontinuous region RE2, and the flat brake surface F are confirmed. In particular, in the discontinuous region RE2, a substantially wedge-shaped fine region exists discretely at substantially equal intervals. This corresponds to the unit work area REu, and at break, breakage occurs only between those minute areas. That is, it is confirmed from FIG. 9 that the uneven shape originating in the to-be-processed area RE is formed in the divided
(실시예 2)(Example 2)
도 10은, 사파이어 기판을 피가공물(10)로 하여 제2 변조 모드에 의해 제거 가공을 행한 후의, 피가공물(10)의 상면에 대한 광학 현미경상이다. 실시예 1과 동일하게, 도면에서 보이는 좌우 방향으로 일관되게 연재되어 있는 것이, 피가공 영역(RE)의 표면 부분이다. 또한, 가공은, R=100kHz, V=100mm/sec, 디포커스값=-10㎛로 하고, 조사 에너지를 14μJ∼20μJ의 범위로 하여, 15㎛ 주기로 변조시키는 조건으로 행했다.FIG. 10: is an optical microscope image of the upper surface of the to-
또한, 도 11은, 이러한 가공 후, 도 10에 나타내는 사파이어 기판을 당해 피가공 영역(RE)을 분할 기점으로 하여 브레이크한 결과 얻어진 분할 소편(10a)의 측면의 광학 현미경상이다. 11 is an optical microscope image of the side surface of the divided
도 11에 있어서도, 대략 쐐기 형상의 미세 영역이 대략 등간격으로 이산적으로 존재하고 있는 불연속 영역(RE2)에 상당하는 가공 흔적(M3)이 확인된다. 즉, 도 11에서는, 분할 소편(10b)에 있어서도, 피가공 영역(RE)에서 유래하는 요철 형상이 형성되어 있는 것이 확인된다.Also in FIG. 11, the processing trace M3 corresponded to the discontinuous area | region RE2 in which the substantially fine wedge-shaped microregion exists discretely at substantially equal intervals. That is, in FIG. 11, also in the divided
4 : 투명 시트
7 : 스테이지
7m : 이동 기구
10 : 피가공물
10a, 10b : 분할 소편
18 : 집광 렌즈
50 : 레이저 가공 장치
BS : 빔 스폿
F : 브레이크면
L : 분할 예정선
LB : 레이저광
M1, M2, M3 : 가공 흔적
RE : 피가공 영역
RE1 : 연속 영역
RE2 : 불연속 영역
REu : 단위 피가공 영역
SL : 레이저 광원
T, T' : 주사 궤적
W : 가공 예정폭
p : 주사폭4: transparent sheet
7: stage
7m: moving mechanism
10: workpiece
10a, 10b: divided fragments
18 condensing lens
50: laser processing device
BS: Beam Spot
F: brake surface
L: dividing line
LB: Laser Light
M1, M2, M3: machining traces
RE: Machining area
RE1: continuous region
RE2: discontinuous region
REu: Unit machining area
SL: Laser Light Source
T, T ': scan trajectory
W: expected width
p: scan width
Claims (24)
상기 광원으로부터의 상기 펄스 레이저광의 조사 상태를 변조시킴으로써 상기 피가공물의 표면에 있어서의 조사 범위를 변조시키면서 상기 펄스 레이저광을 조사함으로써,
제1 방향으로 연속하는 부분을 갖지만, 상기 제1 방향에 수직인 단면의 상태가 상기 제1 방향에 있어서 변화하는 상기 피가공 영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법.As a method of forming a workpiece region on a workpiece by irradiating while scanning pulsed laser light emitted from a predetermined light source,
By modulating the irradiation state of the pulsed laser light from the light source and irradiating the pulsed laser light while modulating the irradiation range on the surface of the workpiece,
The laser processing method which has the part continuous in a 1st direction, but forms the said to-be-processed area | region in which the state of the cross section perpendicular | vertical to the said 1st direction changes in a said 1st direction.
상기 광원으로부터의 상기 펄스 레이저광의 조사 상태를 변조시킴으로써 상기 피가공물의 표면에 있어서의 조사 범위를 변조시키면서 상기 펄스 레이저광을 조사함으로써,
상기 피가공물의 표면에 있어서 제1 방향으로 연속하는 제1 영역과,
상기 제1 영역에 연접(連接)하지만 상기 제1 방향에 있어서 불연속 부분을 갖는 제2 영역을 갖는 상기 피가공 영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법.As a method of forming a workpiece region on a workpiece by irradiating while scanning pulsed laser light emitted from a predetermined light source,
By modulating the irradiation state of the pulsed laser light from the light source and irradiating the pulsed laser light while modulating the irradiation range on the surface of the workpiece,
A first region continuous in a first direction on the surface of the workpiece,
The said machining area | region is formed in the said 1st area | region, but the said to-be-processed area | region which has a 2nd area which has a discontinuous part in a said 1st direction.
상기 광원으로부터의 상기 펄스 레이저광의 조사 상태를 변조시킴으로써 상기 피가공물의 표면에 있어서의 조사 범위를 변조시키면서 상기 펄스 레이저광을 조사함으로써,
대략 타원추 형상 또는 대략 쐐기 형상의 단위 피가공 영역이 제1 방향으로 다수 연접하여 이루어지는 상기 피가공 영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법.As a method of forming a workpiece region on a workpiece by irradiating while scanning pulsed laser light emitted from a predetermined light source,
By modulating the irradiation state of the pulsed laser light from the light source and irradiating the pulsed laser light while modulating the irradiation range on the surface of the workpiece,
A laser machining method, comprising: forming the workpiece region formed by joining a plurality of unit workpiece regions each having a substantially elliptical cone shape or a substantially wedge shape in a first direction.
상기 제 2 영역이 상기 제1 방향을 따라서 요철을 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법.The method of claim 2,
And the second region has irregularities along the first direction.
상기 펄스 레이저광의 단위 펄스마다의 빔 스폿이 상기 제1 방향을 따라서 이산(離散)하는 조사 조건으로 상기 펄스 레이저광을 주사함으로써, 상기 피가공물의 표면에 있어서의 조사 범위를 변조시키는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법.The method according to any one of claims 1 to 4,
The irradiation range on the surface of the workpiece is modulated by scanning the pulsed laser beam under irradiation conditions in which beam spots for each unit pulse of the pulsed laser beam are dispersed along the first direction. Laser processing method.
상기 펄스 레이저광의 반복 주파수를 R(kHz)로 하고, 상기 펄스 레이저광의 상기 피가공물에 대한 상대적인 이동 속도를 V(mm/sec)로 하고, 상기 피가공물의 상기 표면에 있어서의 상기 피가공 영역의 상기 제1 방향에 직교하는 방향의 예정 형성폭을 W(㎛)로 할 때,
10(kHz)≤R≤200(kHz)
그리고
30(mm/sec)≤V≤1000(mm/sec)
이고, 상기 펄스 레이저광의 빔 스폿의 중심 간격을 나타내는 V/R이,
V/R≥1(㎛)
그리고
W/4(㎛)≤V/R≤W/2(㎛)
인 관계를 충족시키는 조사 조건하에서 상기 펄스 레이저광을 상기 제1 방향을 따라서 주사함으로써, 상기 피가공물의 표면에 있어서의 조사 범위를 변조시키는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법.The method of claim 5,
The repetition frequency of the pulsed laser light is set to R (kHz), the relative moving speed of the pulsed laser light with respect to the workpiece is set to V (mm / sec), and the area of the workpiece on the surface of the workpiece is set. When the predetermined formation width of the direction orthogonal to the said 1st direction is set to W (micrometer),
10 (kHz) ≤ R ≤ 200 (kHz)
And
30 (mm / sec) ≤V≤1000 (mm / sec)
V / R representing the center interval of the beam spot of the pulsed laser light,
V / R≥1 (μm)
And
W / 4 (μm) ≤ V / R ≤ W / 2 (μm)
And the irradiation range on the surface of the workpiece is modulated by scanning the pulsed laser light along the first direction under irradiation conditions satisfying a phosphorus relationship.
V/R≥3(㎛)이라는 관계를 충족시키는 조사 조건하에서 상기 펄스 레이저광을 주사하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법.The method of claim 6,
A laser processing method characterized by scanning the pulsed laser light under irradiation conditions satisfying a relationship of V / R ≧ 3 (µm).
상기 펄스 레이저광의 조사 에너지를 변조시키면서 상기 펄스 레이저광을 상기 제1 방향으로 주사함으로써 상기 피가공물의 표면에 있어서의 조사 범위를 변조시키는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법.The method according to any one of claims 1 to 4,
The laser processing method characterized by modulating the irradiation range on the surface of the workpiece by scanning the pulsed laser light in the first direction while modulating the irradiation energy of the pulsed laser light.
각각 상기 제1 방향에 대하여 소정의 각도를 갖는 제2의 방향과 제3의 방향으로의 상기 펄스 레이저광의 주사를 교대로 반복함으로써, 상기 피가공물에 있어서의 상기 펄스 레이저광의 주사 궤적을 상기 제1 방향을 따른 분할 예정선과 반복하여 교대로 교차시킴으로써, 상기 피가공물의 표면에 있어서의 조사 범위를 변조시키는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법.The method according to any one of claims 1 to 4,
By alternately repeating scanning of the pulsed laser light in a second direction and a third direction having a predetermined angle with respect to the first direction, respectively, the scanning trajectory of the pulsed laser light in the workpiece is determined by the first direction. A laser processing method characterized by modulating the irradiation range on the surface of the workpiece by alternately crossing the division scheduled line along the direction.
상기 펄스 레이저광을 상기 피가공물의 이동 방향에 직교시키는 방향으로 왕복 주사시킴으로써, 상기 펄스 레이저광의 상기 주사 궤적을 상기 제1 방향을 따른 분할 예정선과 반복하여 교대로 교차시킴으로써, 상기 피가공물의 표면에 있어서의 조사 범위를 변조시키는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법.10. The method of claim 9,
By reciprocatingly scanning the pulsed laser light in a direction orthogonal to the moving direction of the workpiece, the scanning trajectory of the pulsed laser beam is alternately intersected with the division schedule line along the first direction to alternately cross the surface of the workpiece. Laser processing method characterized by modulating the irradiation range in.
상기 펄스 레이저광을 조사함으로써 피조사 부분의 재료를 제거함으로써 상기 피가공 영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법.The method according to any one of claims 1 to 4,
And the processing region is formed by removing the material of the portion to be irradiated by irradiating the pulsed laser light.
상기 펄스 레이저광을 조사함으로써 상기 피가공물에 융해 개질 영역을 발생시킴으로써 상기 피가공 영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법.The method according to any one of claims 1 to 4,
And the processed region is formed by generating a fusion-modified region on the workpiece by irradiating the pulsed laser light.
상기 피가공물이 사파이어 기판, GaN 기판, 혹은 SiC 기판 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법.The method according to any one of claims 1 to 4,
The workpiece is any one of a sapphire substrate, a GaN substrate, or a SiC substrate.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 레이저 가공 방법에 의해, 상기 가공물에, 소정의 분할 예정선을 따른 상기 피가공 영역을 형성하는 형성 공정과,
상기 피가공물을 상기 피가공 영역을 따라서 분할하는 분할 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 피가공물의 분할 방법.As a method of dividing a workpiece,
The formation process of forming the said to-be-processed area | region along a predetermined dividing line in the said workpiece | work by the laser processing method in any one of Claims 1-4,
And a dividing step of dividing the work along the work area.
상기 광원에 대하여 상대적으로 이동 가능하게 형성된, 피가공물이 올려놓여지는 스테이지와
상기 광원으로부터의 펄스 레이저광의 출사와 상기 스테이지의 이동을 제어하는 제어 수단을 구비하고
상기 피가공물이 올려놓여진 상태에서, 상기 스테이지를 상기 광원에 대하여 상대적으로 이동시키면서 상기 광원으로부터 상기 펄스 레이저광을 출사시킴으로써, 상기 펄스 레이저광을 주사하면서 상기 피가공물에 피가공 영역을 형성하는 레이저 가공 장치로서,
상기 제어 수단이, 상기 펄스 레이저광을 주사시킬 때에 상기 광원으로부터의 상기 펄스 레이저광의 조사 상태가 변조되도록 상기 광원 및 상기 스테이지의 동작을 제어함으로써,
제1 방향으로 연속하는 부분을 갖지만, 상기 제1 방향에 수직인 단면의 상태가 상기 제1 방향에 있어서 변화하는 상기 피가공 영역을 형성 가능한 것을 특징으로 하는 레이저 가공 장치.A light source emitting pulsed laser light,
A stage on which the workpiece is placed, which is formed to be movable relative to the light source;
And control means for controlling the emission of the pulsed laser light from the light source and the movement of the stage;
Laser processing in which the workpiece is formed on the workpiece while scanning the pulsed laser light by emitting the pulsed laser light from the light source while moving the stage relative to the light source while the workpiece is placed thereon. As a device,
The control means controls the operation of the light source and the stage such that the irradiation state of the pulse laser light from the light source is modulated when scanning the pulsed laser light,
The laser processing apparatus which has the part which continues in a 1st direction, but can form the said to-be-processed area | region in which the state of the cross section perpendicular | vertical to the said 1st direction changes in a said 1st direction.
상기 광원에 대하여 상대적으로 이동 가능하게 형성된, 피가공물이 올려놓여지는 스테이지와,
상기 광원으로부터의 펄스 레이저광의 출사와 상기 스테이지의 이동을 제어하는 제어 수단을 구비하고,
상기 피가공물이 올려놓여진 상태에서, 상기 스테이지를 상기 광원에 대하여 상대적으로 이동시키면서 상기 광원으로부터 상기 펄스 레이저광을 출사시킴으로써, 상기 펄스 레이저광을 주사하면서 상기 피가공물에 피가공 영역을 형성하는 레이저 가공 장치로서,
상기 제어 수단이, 상기 펄스 레이저광을 주사시킬 때에 상기 광원으로부터의 상기 펄스 레이저광의 조사 상태가 변조되도록 상기 광원 및 상기 스테이지의 동작을 제어함으로써,
상기 피가공물의 표면에 있어서 제1 방향으로 연속하는 제1 영역과,
상기 제1 영역에 연접하지만 상기 제1 방향에 있어서 불연속 부분을 갖는 제2 영역을 갖는 상기 피가공 영역을 형성 가능한 것을 특징으로 하는 레이저 가공 장치.A light source emitting pulsed laser light,
A stage on which a workpiece is placed, which is formed to be movable relative to the light source,
And control means for controlling the emission of the pulsed laser light from the light source and the movement of the stage,
Laser processing in which the workpiece is formed on the workpiece while scanning the pulsed laser light by emitting the pulsed laser light from the light source while moving the stage relative to the light source while the workpiece is placed thereon. As a device,
The control means controls the operation of the light source and the stage such that the irradiation state of the pulse laser light from the light source is modulated when scanning the pulsed laser light,
A first region continuous in a first direction on the surface of the workpiece,
The said processing area | region which can contact the said 1st area but has a 2nd area which has a discontinuous part in a said 1st direction can be formed, The laser processing apparatus characterized by the above-mentioned.
상기 광원에 대하여 상대적으로 이동 가능하게 형성된, 피가공물이 올려놓여지는 스테이지와,
상기 광원으로부터의 펄스 레이저광의 출사와 상기 스테이지의 이동을 제어하는 제어 수단을 구비하고,
상기 피가공물이 올려놓여진 상태에서, 상기 스테이지를 상기 광원에 대하여 상대적으로 이동시키면서 상기 광원으로부터 상기 펄스 레이저광을 출사시킴으로써, 상기 펄스 레이저광을 주사하면서 상기 피가공물에 피가공 영역을 형성하는 레이저 가공 장치로서,
상기 제어 수단이, 상기 펄스 레이저광을 주사시킬 때에 상기 광원으로부터의 상기 펄스 레이저광의 조사 상태가 변조되도록 상기 광원 및 상기 스테이지의 동작을 제어함으로써,
대략 타원추 형상 또는 대략 쐐기 형상의 단위 피가공 영역이 제1 방향으로 다수 연접하여 이루어지는 상기 피가공 영역을 형성 가능한
것을 특징으로 하는 레이저 가공 장치.A light source emitting pulsed laser light,
A stage on which a workpiece is placed, which is formed to be movable relative to the light source,
And control means for controlling the emission of the pulsed laser light from the light source and the movement of the stage,
Laser processing in which the workpiece is formed on the workpiece while scanning the pulsed laser light by emitting the pulsed laser light from the light source while moving the stage relative to the light source while the workpiece is placed thereon. As a device,
The control means controls the operation of the light source and the stage such that the irradiation state of the pulse laser light from the light source is modulated when scanning the pulsed laser light,
Capable of forming the to-be-processed area | region formed by joining the several to-be-united area | region of a substantially elliptical cone shape or a substantially wedge shape in a 1st direction.
The laser processing apparatus characterized by the above-mentioned.
상기 제2 영역이 상기 제1 방향을 따라서 요철을 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 장치.The method of claim 16,
And the second region has irregularities along the first direction.
상기 제어 수단이, 상기 펄스 레이저광을 주사시킬 때에 상기 펄스 레이저광의 단위 펄스마다의 빔 스폿이 상기 제1 방향을 따라서 이산하도록 상기 광원 및 상기 스테이지의 동작을 제어함으로써, 상기 피가공물의 표면에 있어서의 조사 범위를 변조시키는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 장치.19. The method according to any one of claims 15 to 18,
The control means controls the operation of the light source and the stage such that the beam spot for each unit pulse of the pulse laser light is dispersed along the first direction when the control means scans the pulse laser light, thereby causing the surface of the workpiece. Laser processing apparatus characterized by modulating the irradiation range of the.
상기 펄스 레이저광의 반복 주파수를 R(kHz)로 하고, 상기 펄스 레이저광의 상기 피가공물에 대한 상대적인 이동 속도를 V(mm/sec)로 할 때,
10(kHz)≤R≤200(kHz)
그리고
30(mm/sec)≤V≤1000(mm/sec)
이고, 상기 펄스 레이저광의 빔 스폿의 중심 간격을 나타내는 V/R이,
V/R≥1(㎛)
그리고
W/4(㎛)≤V/R≤W/2(㎛)
라는 관계를 충족시키도록, 상기 제어 수단이 상기 광원 및 상기 스테이지의 동작을 제어하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 장치.The method of claim 19,
When the repetition frequency of the pulsed laser beam is set to R (kHz), and the relative moving speed of the pulsed laser beam relative to the workpiece is set to V (mm / sec),
10 (kHz) ≤ R ≤ 200 (kHz)
And
30 (mm / sec) ≤V≤1000 (mm / sec)
V / R representing the center interval of the beam spot of the pulsed laser light,
V / R≥1 (μm)
And
W / 4 (μm) ≤ V / R ≤ W / 2 (μm)
And the control means controls the operation of the light source and the stage so as to satisfy the relationship.
상기 제어 수단이, V/R≥3(㎛)라는 관계를 충족시키도록 상기 광원 및 상기 스테이지의 동작을 제어하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 장치.The method of claim 20,
And the control means controls the operation of the light source and the stage so as to satisfy a relationship of V / R? 3 (µm).
상기 제어 수단이, 상기 펄스 레이저광을 주사시킬 때에 상기 펄스 레이저광의 조사 에너지가 변조되도록 상기 광원 및 상기 스테이지의 동작을 제어함으로써, 상기 피가공물의 표면에 있어서의 조사 범위를 변조시키는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 장치.19. The method according to any one of claims 15 to 18,
The control means modulates the irradiation range on the surface of the workpiece by controlling the operation of the light source and the stage so that the irradiation energy of the pulse laser light is modulated when scanning the pulsed laser light. Laser processing device.
상기 제어 수단이, 각각 상기 제1 방향에 대하여 소정의 각도를 갖는 제2 방향과 제3 방향으로의 상기 펄스 레이저광의 주사가 교대로 반복되도록 상기 광원 및 상기 스테이지의 동작을 제어함으로써, 상기 피가공물에 있어서의 상기 펄스 레이저광의 주사 궤적을 상기 제1 방향을 따른 분할 예정선과 반복하여 교대로 교차시킴으로써, 상기 피가공물의 표면에 있어서의 조사 범위를 변조시키는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 장치.19. The method according to any one of claims 15 to 18,
The control means controls the operation of the light source and the stage such that the scanning of the pulsed laser light in the second direction and the third direction, each having a predetermined angle with respect to the first direction, is alternately repeated. Irradiation range on the surface of a to-be-processed object is modulated by repeating alternately | crossing the scan trace of the said pulse laser beam in the said 1st direction along with the division | segmentation schedule line in a said 1st direction.
상기 제어 수단이, 상기 펄스 레이저광을 상기 스테이지의 이동 방향에 직교시키는 방향으로 왕복 주사시키도록 상기 광원 및 상기 스테이지의 동작을 제어함으로써, 상기 펄스 레이저광의 상기 주사 궤적을 상기 제1 방향을 따른 분할 예정선과 반복하여 교대로 교차시킴으로써, 상기 피가공물의 표면에 있어서의 조사 범위를 변조시키는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 장치.
The method of claim 23, wherein
The control means controls the operation of the light source and the stage to reciprocally scan the pulse laser light in a direction orthogonal to the movement direction of the stage, thereby dividing the scanning trajectory of the pulse laser light along the first direction. The laser processing apparatus which modulates the irradiation range in the surface of the said to-be-processed object by repeating alternately with a predetermined line.
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101339556B1 (en) * | 2011-08-30 | 2013-12-10 | 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 | Method of processing a substrate comprising a led pattern |
WO2017204386A1 (en) * | 2016-05-25 | 2017-11-30 | 디앤에이 주식회사 | Method and device for cutting substrate by using laser tilting emission |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012030700A1 (en) | 2010-08-31 | 2012-03-08 | First Solar, Inc | System and method for laser modulation |
DE102011001474A1 (en) * | 2011-03-22 | 2012-09-27 | Carl Zeiss Microimaging Gmbh | Laser microdissection method and laser microdissection device |
JP2013118277A (en) * | 2011-12-02 | 2013-06-13 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | Method for processing substrate with led pattern |
JP5644745B2 (en) | 2011-12-05 | 2014-12-24 | 豊田合成株式会社 | Semiconductor light emitting element and light emitting device |
US8969220B2 (en) | 2012-01-13 | 2015-03-03 | Imra America, Inc. | Methods and systems for laser processing of coated substrates |
JP6245568B2 (en) * | 2012-06-01 | 2017-12-13 | 株式会社レーザーシステム | Laser processing method |
WO2014152380A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-25 | Electro Scientific Industries, Inc. | Laser systems and methods for aod rout processing |
US10369663B1 (en) * | 2014-05-30 | 2019-08-06 | Gentex Corporation | Laser process with controlled polarization |
KR101582161B1 (en) * | 2014-12-17 | 2016-01-05 | 에이피시스템 주식회사 | 3-D patterning method using Laser |
TWI623970B (en) * | 2016-06-22 | 2018-05-11 | Cutting method for brittle substrate | |
JP6980421B2 (en) * | 2017-06-16 | 2021-12-15 | 株式会社ディスコ | Wafer processing method |
JP7011557B2 (en) * | 2018-09-07 | 2022-01-26 | 川崎重工業株式会社 | Laser light scanning device and laser processing device |
KR102669514B1 (en) | 2018-12-24 | 2024-05-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | Method of manufacturing display apparatus |
TWI716126B (en) * | 2019-09-27 | 2021-01-11 | 財團法人工業技術研究院 | Laser half-cut processing method and device of the same |
JP7060810B2 (en) * | 2019-11-19 | 2022-04-27 | 日亜化学工業株式会社 | Light emitting device and manufacturing method of light emitting device |
CN111469284B (en) * | 2020-05-22 | 2024-07-23 | 沈阳航空航天大学 | Double-beam laser heating assisted drilling integrated device and method |
DE102020215554A1 (en) | 2020-12-09 | 2022-06-09 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Substrate wafer, method for producing a substrate wafer and method for producing a plurality of components |
WO2022203983A1 (en) * | 2021-03-24 | 2022-09-29 | Applied Materials, Inc. | Methods to dice optical devices with optimization of laser pulse spatial distribution |
Family Cites Families (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4015100A (en) * | 1974-01-07 | 1977-03-29 | Avco Everett Research Laboratory, Inc. | Surface modification |
US4537809A (en) * | 1979-04-09 | 1985-08-27 | Avery International Corporation | Van label having non-linear discontinuous score lines in the backing |
US4497692A (en) * | 1983-06-13 | 1985-02-05 | International Business Machines Corporation | Laser-enhanced jet-plating and jet-etching: high-speed maskless patterning method |
US5744776A (en) * | 1989-07-14 | 1998-04-28 | Tip Engineering Group, Inc. | Apparatus and for laser preweakening an automotive trim cover for an air bag deployment opening |
DE69415484T2 (en) * | 1993-06-04 | 1999-06-24 | Seiko Epson Corp | DEVICE AND METHOD FOR LASER PROCESSING |
US5759428A (en) * | 1996-03-15 | 1998-06-02 | International Business Machines Corporation | Method of laser cutting a metal line on an MR head |
JP3498895B2 (en) * | 1997-09-25 | 2004-02-23 | シャープ株式会社 | Substrate cutting method and display panel manufacturing method |
US6013895A (en) * | 1997-09-30 | 2000-01-11 | Eastman Machine Company | System and method for perforating sheet material |
US5932120A (en) * | 1997-12-18 | 1999-08-03 | General Electric Company | Laser shock peening using low energy laser |
US20040134894A1 (en) * | 1999-12-28 | 2004-07-15 | Bo Gu | Laser-based system for memory link processing with picosecond lasers |
US6676878B2 (en) * | 2001-01-31 | 2004-01-13 | Electro Scientific Industries, Inc. | Laser segmented cutting |
WO2003002289A1 (en) * | 2001-06-28 | 2003-01-09 | Electro Scientific Industries, Inc. | Multistep laser processing of wafers supporting surface device layers |
TWI326626B (en) * | 2002-03-12 | 2010-07-01 | Hamamatsu Photonics Kk | Laser processing method |
JP4527098B2 (en) * | 2002-03-12 | 2010-08-18 | 浜松ホトニクス株式会社 | Laser processing method |
US6580054B1 (en) | 2002-06-10 | 2003-06-17 | New Wave Research | Scribing sapphire substrates with a solid state UV laser |
JP2004179556A (en) * | 2002-11-28 | 2004-06-24 | Kyocera Corp | Ceramic substrate, method for forming groove, and laser machining apparatus |
US6949449B2 (en) * | 2003-07-11 | 2005-09-27 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method of forming a scribe line on a ceramic substrate |
TW200607772A (en) * | 2004-07-30 | 2006-03-01 | Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd | Vertical crack forming method and vertical crack forming device in substrate |
JP2006062017A (en) | 2004-08-26 | 2006-03-09 | Honda Motor Co Ltd | Vibration exciter |
US8093530B2 (en) * | 2004-11-19 | 2012-01-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Laser cutting apparatus and laser cutting method |
JP4776911B2 (en) * | 2004-11-19 | 2011-09-21 | キヤノン株式会社 | Laser processing apparatus and laser processing method |
WO2006062017A1 (en) * | 2004-12-08 | 2006-06-15 | Laser Solutions Co., Ltd. | Division starting poin forming method in body to be divided, dividing method for body to be divided, and method of processing work by pulse laser beam |
CN100481337C (en) * | 2004-12-08 | 2009-04-22 | 雷射先进科技株式会社 | Division starting point forming method in body to be divided, and dividing method for body to be divided |
JP2007021528A (en) * | 2005-07-15 | 2007-02-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Laser beam machining apparatus, and method for controlling the same |
GB2438600B (en) * | 2006-05-19 | 2008-07-09 | Exitech Ltd | Method for patterning thin films on moving substrates |
JP5232375B2 (en) | 2006-10-13 | 2013-07-10 | アイシン精機株式会社 | Method for separating semiconductor light emitting device |
US20070298529A1 (en) * | 2006-05-31 | 2007-12-27 | Toyoda Gosei, Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device and method for separating semiconductor light-emitting devices |
GB2444037A (en) * | 2006-11-27 | 2008-05-28 | Xsil Technology Ltd | Laser Machining |
US7727790B2 (en) * | 2007-01-30 | 2010-06-01 | Goldeneye, Inc. | Method for fabricating light emitting diodes |
KR100838344B1 (en) * | 2007-03-28 | 2008-06-17 | 연세대학교 산학협력단 | Nanoparticle patterning method using pulse laser |
KR101310243B1 (en) * | 2007-09-19 | 2013-09-24 | 지에스아이 그룹 코포레이션 | Link processing with high speed beam deflection |
JP4478184B2 (en) * | 2008-01-17 | 2010-06-09 | 株式会社レーザーシステム | Laser cleaving method and laser processing apparatus |
US8173038B2 (en) * | 2008-04-18 | 2012-05-08 | Corning Incorporated | Methods and systems for forming microstructures in glass substrates |
-
2009
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101339556B1 (en) * | 2011-08-30 | 2013-12-10 | 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 | Method of processing a substrate comprising a led pattern |
WO2017204386A1 (en) * | 2016-05-25 | 2017-11-30 | 디앤에이 주식회사 | Method and device for cutting substrate by using laser tilting emission |
Also Published As
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Legal Events
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PA0201 | Request for examination | ||
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Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20120607 Patent event code: PE09021S01D |
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AMND | Amendment | ||
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Patent event date: 20130208 Comment text: Decision to Grant Registration Patent event code: PX07013S01D Patent event date: 20130124 Comment text: Amendment to Specification, etc. Patent event code: PX07012R01I Patent event date: 20121226 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PX07011S01I Patent event date: 20120731 Comment text: Amendment to Specification, etc. Patent event code: PX07012R01I |
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Termination category: Default of registration fee Termination date: 20211216 |