[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

KR20100073417A - Organic light emitting diode device - Google Patents

Organic light emitting diode device Download PDF

Info

Publication number
KR20100073417A
KR20100073417A KR1020080132084A KR20080132084A KR20100073417A KR 20100073417 A KR20100073417 A KR 20100073417A KR 1020080132084 A KR1020080132084 A KR 1020080132084A KR 20080132084 A KR20080132084 A KR 20080132084A KR 20100073417 A KR20100073417 A KR 20100073417A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
layer
emitting layer
stack
organic light
Prior art date
Application number
KR1020080132084A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
성창제
피성훈
김명섭
서정대
김상균
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020080132084A priority Critical patent/KR20100073417A/en
Publication of KR20100073417A publication Critical patent/KR20100073417A/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/32Stacked devices having two or more layers, each emitting at different wavelengths
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/12OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising dopants
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14Carrier transporting layers
    • H10K50/15Hole transporting layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14Carrier transporting layers
    • H10K50/16Electron transporting layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17Carrier injection layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17Carrier injection layers
    • H10K50/171Electron injection layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/90Multiple hosts in the emissive layer

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

PURPOSE: An organic electric field emitting device is provided to improve a color stability of a blue by only including a blue emitting layer to a first stack. CONSTITUTION: A first stack is located on an anode electrode(120). The first stack(130) has a first emitting layer. The first emitting layer includes a fluorescence blue dopant. A charge generating layer(140) is located on the first stack. A second stack(150) is located on the charge generating layer. The second stack has a second emitting layer and a third emitting layer. The second emitting layer and the third emitting layer include a fluorescent green and a red dopant. A cathode electrode(160) is located on the second stack.

Description

유기전계발광소자{Organic Light Emitting Diode Device}Organic Light Emitting Diode Device

본 발명은 유기전계발광소자에 관한 것으로, 보다 자세하게는 색안정성을 높이고 고효율을 구현할 수 있는 유기전계발광소자에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display device, and more particularly, to an organic light emitting display device capable of improving color stability and high efficiency.

최근, 평판표시장치(FPD: Flat Panel Display)는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 증대되고 있다. 이에 부응하여 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display: LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel: PDP), 전계방출표시장치(Field Emission Display: FED), 유기전계발광소자(Organic Light Emitting Device) 등과 같은 여러 가지의 평면형 디스플레이가 실용화되고 있다.Recently, the importance of flat panel displays (FPDs) has increased with the development of multimedia. In response to this, a variety of liquid crystal displays (LCDs), plasma display panels (PDPs), field emission displays (FEDs), organic light emitting devices (Organic Light Emitting Devices), etc. Flat panel displays have been put into practical use.

특히, 유기전계발광소자는 응답속도가 1ms 이하로서 고속의 응답속도를 가지며, 소비 전력이 낮고 자체 발광이다. 또한, 시야각에 문제가 없어서 장치의 크기에 상관없이 동화상 표시 매체로서 장점이 있다. 또한, 저온 제작이 가능하고, 기존의 반도체 공정 기술을 바탕으로 제조 공정이 간단하므로 향후 차세대 평판 표시 장치로 주목받고 있다.In particular, the organic light emitting device has a high response time with a response speed of 1 ms or less, low power consumption, and self-luminous light. In addition, there is no problem in viewing angle, which is advantageous as a moving image display medium regardless of the size of the device. In addition, low-temperature manufacturing is possible, and the manufacturing process is simple based on the existing semiconductor process technology has attracted attention as a next-generation flat panel display device in the future.

유기전계발광소자는 애노드전극과 캐소드전극사이에 발광층을 포함하고 있어 애노드전극으로부터 공급받는 정공과 캐소드전극으로부터 받은 전자가 발광층 내에서 결합하여 정공-전자쌍인 여기자(exciton)를 형성하고 다시 여기자가 바닥상태로 돌아오면서 발생하는 에너지에 의해 발광하게 된다.The organic light emitting device includes a light emitting layer between the anode electrode and the cathode electrode, so that holes supplied from the anode electrode and electrons received from the cathode electrode combine in the light emitting layer to form an exciton, a hole-electron pair, and then the exciton is bottomed. The light emitted by the energy generated when returning to the state.

이와 같은 유기전계발광소자는 다양한 구조로 개발되고 있는 그 중 화이트 유기전계발광소자는 일반적으로 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층이 적층된 구조로 개발되고 있다. Such organic light emitting diodes are being developed in various structures, among which white organic light emitting diodes are generally developed in a structure in which a red light emitting layer, a green light emitting layer, and a blue light emitting layer are stacked.

그러나, 적층 구조의 화이트 유기전계발광소자는 청색 발광층의 낮은 수명과 이로 인한 낮은 색안정성, 상대적으로 높은 구동 전압 등의 문제가 있고 또한, 이러한 문제를 개선하기 위하여 층수가 추가되고 구조가 복잡해져 양산성이 떨어지는 문제가 있다. However, the white organic light emitting diode having a laminated structure has problems such as low lifespan of the blue light emitting layer, low color stability, and relatively high driving voltage. There is a problem with this falling.

따라서, 본 발명은 색안정성을 향상시키고 고효율을 구현할 수 있는 유기전계발광소자를 제공한다.Accordingly, the present invention provides an organic light emitting device capable of improving color stability and realizing high efficiency.

상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자는 애노드 전극, 상기 애노드 전극 상에 위치하며, 형광 청색 도펀트를 포함하는 제 1 발광층을 구비하는 제 1 스택, 상기 제 1 스택 상에 위치하는 전하생성층, 상기 전하생성층 상에 위치하며, 하나의 호스트에 녹색 및 적색 도펀트를 포함하는 제 2 발광층과, 다른 하나의 호스트에 녹색 및 적색 도펀트를 포함하는 제 3 발광층을 구비하는 제 2 스택 및 상기 제 2 스택 상에 위치하는 캐소드 전극을 포함할 수 있다. In order to achieve the above object, an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention is an anode electrode, a first stack having a first light emitting layer located on the anode, the fluorescent blue dopant, the first stack A charge generating layer on one stack, a second light emitting layer on the charge generating layer, the second light emitting layer including green and red dopants in one host, and a third light emitting layer including green and red dopants in another host It may include a second stack having a and a cathode electrode located on the second stack.

상기 제 1 스택은, 상기 애노드 전극과 상기 제 1 발광층 사이에 형성된 제 1 정공주입층 및 제 1 정공수송층 및 상기 제 1 발광층과 상기 전하생성층 사이에 형성된 제 1 전자수송층 및 제 1 전자주입층을 더 포함할 수 있다.The first stack may include a first hole injection layer and a first hole transport layer formed between the anode electrode and the first emission layer, and a first electron transport layer and a first electron injection layer formed between the first emission layer and the charge generation layer. It may further include.

상기 제 2 스택은, 상기 전하생성층과 상기 제 2 발광층 사이에 형성된 제 2 정공주입층 및 제 2 정공수송층 및 상기 제 3 발광층과 상기 캐소드 전극 사이에 형성된 제 2 전자수송층 및 제 2 전자주입층을 더 포함할 수 있다.The second stack may include a second hole injection layer and a second hole transport layer formed between the charge generation layer and the second emission layer, and a second electron transport layer and a second electron injection layer formed between the third emission layer and the cathode electrode. It may further include.

상기 제 2 발광층은 상기 제 3 발광층과 접하여 적층될 수 있다.The second light emitting layer may be stacked in contact with the third light emitting layer.

상기 제 2 발광층의 호스트와 상기 제 3 발광층의 호스트의 HOMO 또는 LUMO 레벨 차이가 0.4eV 이하일 수 있다. The HOMO or LUMO level difference between the host of the second light emitting layer and the host of the third light emitting layer may be 0.4 eV or less.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자는 애노드 전극, 상기 애노드 전극 상에 위치하며, 하나의 호스트에 녹색 및 적색 도펀트를 포함하는 제 1 발광층과, 다른 하나의 호스트에 녹색 및 적색 도펀트를 포함하는 제 2 발광층을 구비하는 제 1 스택, 상기 제 1 스택 상에 위치하는 전하생성층, 상기 전하생성층 상에 위치하며, 형광 청색 도펀트를 포함하는 제 3 발광층을 구비하는 제 2 스택 및 상기 제 2 스택 상에 위치하는 캐소드 전극을 포함할 수 있다.In addition, an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention is an anode electrode, a first light emitting layer which is located on the anode electrode, including a green and red dopant in one host, and green and red in another host A first stack having a second light emitting layer comprising a dopant, a charge generating layer located on the first stack, and a second stack having a third light emitting layer located on the charge generating layer and comprising a fluorescent blue dopant And a cathode electrode positioned on the second stack.

상기 제 1 스택은, 상기 애노드 전극과 상기 제 1 발광층 사이에 형성된 제 1 정공주입층 및 제 1 정공수송층 및 상기 제 2 발광층과 상기 전하생성층 사이에 형성된 제 1 전자수송층 및 제 1 전자주입층을 더 포함할 수 있다.The first stack may include a first hole injection layer and a first hole transport layer formed between the anode electrode and the first emission layer, and a first electron transport layer and a first electron injection layer formed between the second emission layer and the charge generation layer. It may further include.

상기 제 2 스택은, 상기 전하생성층과 상기 제 3 발광층 사이에 형성된 제 2 정공주입층 및 제 2 정공수송층 및 상기 제 3 발광층과 상기 캐소드 전극 사이에 형성된 제 2 전자수송층 및 제 2 전자주입층을 더 포함할 수 있다.The second stack may include a second hole injection layer and a second hole transport layer formed between the charge generation layer and the third emission layer, and a second electron transport layer and a second electron injection layer formed between the third emission layer and the cathode electrode. It may further include.

상기 제 1 발광층은 상기 제 2 발광층과 접하여 적층될 수 있다.The first light emitting layer may be stacked in contact with the second light emitting layer.

상기 제 1 발광층의 호스트와 상기 제 2 발광층의 호스트의 HOMO 또는 LUMO 레벨 차이가 0.4eV 이하일 수 있다.The HOMO or LUMO level difference between the host of the first light emitting layer and the host of the second light emitting layer may be 0.4 eV or less.

본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자는 색안정성을 높이고 고효율 을 구현할 수 있고 나아가 유기전계발광소자의 소비 전력을 감소시킬 수 있는 이점이 있다.The organic light emitting device according to an embodiment of the present invention has an advantage of improving color stability and high efficiency and further reducing power consumption of the organic light emitting device.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시 예들을 자세하게 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, various embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 유기전계발광소자를 나타낸 도면이다.1 is a view showing an organic light emitting display device according to a first embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 유기전계발광소자(100)는 적, 녹 및 청색 파장의 빛을 포함한 백색광의 화이트 유기전계발광소자일 수 있다.Referring to FIG. 1, the organic light emitting display device 100 according to the first exemplary embodiment of the present invention may be a white organic light emitting display device of white light including light of red, green, and blue wavelengths.

본 발명의 제 1 실시 예에 따른 유기전계발광소자(100)는 기판(110) 상에 애노드 전극(120), 상기 애노드 전극(120) 상에 위치하며, 형광 청색 도펀트를 포함하는 제 1 발광층(133)을 구비하는 제 1 스택(130), 상기 제 1 스택(130) 상에 위치하는 전하생성층(140), 상기 전하생성층(140) 상에 위치하며, 하나의 호스트에 녹색 및 적색 도펀트를 포함하는 제 2 발광층(153)과, 다른 하나의 호스트에 녹색 및 적색 도펀트를 포함하는 제 3 발광층(154)을 구비하는 제 2 스택(150) 및 상기 제 2 스택(150) 상에 위치하는 캐소드 전극(160)을 포함할 수 있다. The organic light emitting display device 100 according to the first embodiment of the present invention is disposed on the anode electrode 120 and the anode electrode 120 on the substrate 110 and includes a first light emitting layer including a fluorescent blue dopant ( 133, a first stack 130, a charge generation layer 140 located on the first stack 130, a charge generation layer 140 located on the charge generation layer 140, and a green and red dopant in one host. Located on the second stack 150 and the second stack 150 having a second light emitting layer 153 including; and a third light emitting layer 154 including green and red dopants in another host. The cathode electrode 160 may be included.

상기 기판(110)은 투명한 유리, 플라스틱 또는 도전성 물질로 이루어질 수 있다. The substrate 110 may be made of transparent glass, plastic, or a conductive material.

상기 애노드 전극(120)(Anode)은 투명 전극 또는 반사 전극일 수 있다. 상기 애노드 전극(120)이 투명 전극인 경우에 애노드 전극(120)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 또는 ZnO(Zinc Oxide) 중 어느 하나일 수 있다. 또한, 상기 애노드 전극(120)이 반사 전극일 경우에 상기 애노드 전극(120)은 ITO, IZO 또는 ZnO 중 어느 하나로 이루어진 층 하부에 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 니켈(Ni) 중 어느 하나로 이루어진 반사층을 더 포함할 수 있고, 이와 더불어, ITO, IZO 또는 ZnO 중 어느 하나로 이루어진 두 개의 층 사이에 상기 반사층을 포함할 수 있다.The anode 120 may be a transparent electrode or a reflective electrode. When the anode electrode 120 is a transparent electrode, the anode electrode 120 may be any one of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or zinc oxide (ZnO). In addition, when the anode electrode 120 is a reflective electrode, the anode electrode 120 is made of any one of aluminum (Al), silver (Ag), or nickel (Ni) under a layer made of any one of ITO, IZO, or ZnO. The reflective layer may further include a reflective layer, and in addition, the reflective layer may be included between two layers made of any one of ITO, IZO, or ZnO.

상기 제 1 스택(130)은 하나의 호스트에 형광 청색 도펀트를 포함하는 제 1 발광층(133)을 포함할 수 있다. 이러한 제 1 스택(130)에는 제 1 발광층(133)으로써 청색 발광층만을 포함하여 청색광만을 발광하기 때문에 청색의 색안정성을 높일 수 있다. The first stack 130 may include a first emission layer 133 including a fluorescent blue dopant in one host. Since the first stack 130 emits only blue light, including only the blue light emitting layer as the first light emitting layer 133, the color stability of blue can be improved.

제 1 발광층(133)은 청색을 발광하는 발광층으로, 밴드갭이 넓은 하나의 호스트에 형광 청색 도펀트가 혼합되어 있을 수 있다.The first light emitting layer 133 is a light emitting layer emitting blue light, and a fluorescent blue dopant may be mixed in one host having a wide band gap.

일 예로, 제 1 발광층(133)은 하기에 표시되는 바와 같이, AND(9,10-di(2-naphthyl)anthracene) 또는 DPVBi(4,4'-bis(2,2-diphenylethen-1-yl)-diphenyl) 등의 호스트 물질에 1,6-Bis(diphenylamine)pyrene, TBPe(tetrakis(t-butyl)perylene) 등의 형광 청색 도펀트가 혼합될 수 있다.For example, the first emission layer 133 may be formed of AND (9,10-di (2-naphthyl) anthracene) or DPVBi (4,4'-bis (2,2-diphenylethen-1-yl) as shown below. Fluorescent blue dopants such as 1,6-Bis (diphenylamine) pyrene and TBPe (tetrakis (t-butyl) perylene) may be mixed with a host material such as) -diphenyl).

Figure 112008088280615-PAT00001
Figure 112008088280615-PAT00001

상기 제 1 스택(130)은 상기 애노드 전극(120)과 상기 제 1 발광층(133) 사이에 형성된 제 1 정공주입층(131) 및 제 1 정공수송층(132) 및 상기 제 1 발광층(133)과 상기 전하생성층(140) 사이에 형성된 제 1 전자수송층(134) 및 제 1 전자주입층(135)을 더 포함할 수 있다.The first stack 130 may include a first hole injection layer 131 and a first hole transport layer 132 and the first light emitting layer 133 formed between the anode electrode 120 and the first light emitting layer 133. The electronic device may further include a first electron transport layer 134 and a first electron injection layer 135 formed between the charge generation layer 140.

상기 제 1 정공주입층(Hole Injection Layer ; HIL)(131)은 상기 애노드 전극(120)으로부터 제 1 발광층(133)으로 정공의 주입을 원활하게 하는 역할을 할 수 있으며, CuPc(cupper phthalocyanine), PEDOT(poly(3,4)-ethylenedioxythiophene), PANI(polyaniline) 및 NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다. The first hole injection layer (HIL) 131 may play a role of smoothly injecting holes from the anode 120 to the first emission layer 133, and may include cupper phthalocyanine (CuPc), PEDOT (poly (3,4) -ethylenedioxythiophene), PANI (polyaniline) and NPD (N, N-dinaphthyl-N, N'-diphenyl benzidine) may be made of any one or more selected from the group consisting of, but not limited to.

상기 제 1 정공주입층(131)은 증발법 또는 스핀코팅법으로 형성될 수 있으며, 5 내지 150nm의 두께로 이루어질 수 있다. The first hole injection layer 131 may be formed by an evaporation method or a spin coating method, and may have a thickness of 5 to 150 nm.

상기 제 1 정공수송층(Hole Transport Layer ; HTL)(132)은 정공의 수송을 원활하게 하는 역할을 하며, NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine), TPD(N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine), s-TAD 및 MTDATA(4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The first hole transport layer (HTL) 132 serves to facilitate the transport of holes, NPD (N, N-dinaphthyl-N, N'-diphenyl benzidine), TPD (N, N ' -bis- (3-methylphenyl) -N, N'-bis- (phenyl) -benzidine), s-TAD and MTDATA (4,4 ', 4 "-Tris (N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino ) -triphenylamine) may be composed of any one or more selected from the group consisting of, but is not limited thereto.

상기 제 1 정공수송층(132)은 증발법 또는 스핀코팅법으로 형성될 수 있으며, 5 내지 150nm의 두께로 이루어질 수 있다.The first hole transport layer 132 may be formed by evaporation or spin coating, and may have a thickness of 5 to 150 nm.

상기 제 1 전자수송층(Electron Transport Layer ; ETL)(134)은 전자의 수송을 원활하게 하는 역할을 하며, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq 및 SAlq로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다. The first electron transport layer (ETL) 134 serves to facilitate the transport of electrons, and includes Alq3 (tris (8-hydroxyquinolino) aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq and SAlq. It may be made of one or more selected from the group consisting of, but is not limited thereto.

상기 제 1 전자수송층(134)은 증발법 또는 스핀코팅법으로 형성될 수 있으며, 1 내지 50nm의 두께로 이루어질 수 있다. The first electron transport layer 134 may be formed by an evaporation method or a spin coating method, and may have a thickness of 1 to 50 nm.

상기 제 1 전자주입층(Electron Injection Layer ; EIL)(135)은 전자의 주입을 원활하게 하는 역할을 하며, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq 또는 SAlq를 사용할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The first electron injection layer (EIL) 135 serves to facilitate the injection of electrons, Alq3 (tris (8-hydroxyquinolino) aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq or SAlq May be used, but is not limited thereto.

상기 제 1 전자주입층(135)은 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속을 포함하는 금속 화합물을 더 포함할 수 있다. The first electron injection layer 135 may further include a metal compound including an alkali metal or an alkaline earth metal.

또한, 상기 제 1 전자주입층(135)은 증발법 또는 스핀코팅법으로 형성될 수 있으며, 1 내지 50nm의 두께로 이루어질 수 있다.In addition, the first electron injection layer 135 may be formed by evaporation or spin coating, and may have a thickness of 1 to 50 nm.

상기 전하생성층(Charge Generation Layer ; CGL)(140)은 단일층 또는 이중층으로 이루어질 수 있다. 먼저, 단일층으로 이루어지는 경우에는 금속 산화물을 사용할 수 있으며, 예를 들어, V2O5 또는 WO3 을 사용할 수 있다. 또한, 상기 전하생성층(140)이 이중층으로 이루어지는 경우에는 금속 산화물/금속이 순차적으로 적층된 구조를 사용할 수 있다. 이때, 금속 산화물로는 V2O5 또는 WO3 을 사용할 수 있으며, 금속으로는 모든 금속을 사용할 수 있지만 바람직하게는 Al 또는 Ag 을 사용할 수 있다. The charge generation layer (CGL) 140 may be formed of a single layer or a double layer. First, in the case of a single layer, a metal oxide may be used, for example, V 2 O 5 or WO 3 may be used. In addition, when the charge generation layer 140 is formed of a double layer, a structure in which metal oxides / metals are sequentially stacked may be used. In this case, V 2 O 5 or WO 3 may be used as the metal oxide, and all metals may be used as the metal, but Al or Ag may be preferably used.

상기 전하생성층(140)은 스핀 코팅, 딥코팅, 진공증착 및 잉크젯 프린팅법으로 이루어진 군에서 선택된 하나의 방법으로 형성될 수 있으며, 30 내지 50Å의 두께로 이루어질 수 있다. The charge generation layer 140 may be formed by one method selected from the group consisting of spin coating, dip coating, vacuum deposition, and inkjet printing, and may have a thickness of 30 to 50 μs.

여기서, 상기 전하생성층(140)은 애노드 전극(120) 및 캐소드 전극(160)에 전원이 걸린 경우, 상기 전원에 의해 전하생성층(140) 내부에서 전하 즉, 전자 및 정공을 생성시켜, 상기 전자 및 정공을 인접한 제 1 발광층(133), 제 2 발광층(153), 제 3 발광층(154)에 각각 제공하는 역할을 한다. 따라서 전하의 분포가 각 발광층 내에 균일하게 이루어져 한가지 색상에 치우쳐 발광하는 단점을 방지할 수 있다.In this case, when the power is applied to the anode electrode 120 and the cathode electrode 160, the charge generation layer 140 generates charges, ie, electrons and holes, in the charge generation layer 140 by the power source. It serves to provide electrons and holes to the adjacent first light emitting layer 133, the second light emitting layer 153, and the third light emitting layer 154, respectively. Therefore, the distribution of the charge is uniformly made in each light emitting layer to prevent the disadvantage of emitting light in one color.

상기 제 2 스택(150)은 하나의 호스트에 녹색 및 적색 도펀트를 포함하는 제 2 발광층(153)과, 다른 하나의 호스트에 녹색 및 적색 도펀트를 포함하는 제 3 발광층(154)을 포함할 수 있다. The second stack 150 may include a second light emitting layer 153 including green and red dopants in one host and a third light emitting layer 154 including green and red dopants in another host. .

일 예로, 제 2 발광층(153)은 하기에 표시되는 바와 같이, CBP(4,4'-N,N'-dicarbazolebiphenyl) 또는 Balq(Bis(2-methyl-8-quinlinolato-N1,O8)-(1,1'-Biphenyl-4-olato)aluminium) 중 선택된 어느 하나의 호스트에 Ir(ppy)3의 인광 녹색 도펀트와 Ir(Mnpy)3, Btp2Ir(acac)(bis(2O-benzo[4,5-a]thienyl)pyridinato-N,C3O)iridium(zcetylactonate) 또는 Btp2Ir(acac)(iridium(III)bis(1-phenylisoquinolyl)-N,C2')acetylacetonate 중 선택된 어느 하나의 인광 적색 도펀트가 혼합될 수 있다. For example, as shown below, the second emission layer 153 may include CBP (4,4'-N, N'-dicarbazolebiphenyl) or Balq (Bis (2-methyl-8-quinlinolato-N1, O8)-( Phosphorescent green dopant of Ir (ppy) 3 and Ir (Mnpy) 3 , Btp2Ir (acac) (bis (2O-benzo [4,5) in any one of 1,1'-Biphenyl-4-olato) aluminium) A phosphorescent red dopant selected from -a] thienyl) pyridinato-N, C3O) iridium (zcetylactonate) or Btp2Ir (acac) (iridium (III) bis (1-phenylisoquinolyl) -N, C2 ') acetylacetonate may be mixed. have.

그리고, 제 3 발광층(154)은 CBP(4,4'-N,N'-dicarbazolebiphenyl) 또는 Balq(Bis(2-methyl-8-quinlinolato-N1,O8)-(1,1'-Biphenyl-4-olato)aluminium) 중 제 2 발광층(153)에 사용된 호스트 물질을 제외한 나머지 어느 하나의 호스트에 Ir(ppy)3의 인광 녹색 도펀트와 Ir(Mnpy)3, Btp2Ir(acac)(bis(2O-benzo[4,5-a]thienyl)pyridinato-N,C3O)iridium(zcetylactonate) 또는 Btp2Ir(acac)(iridium(III)bis(1-phenylisoquinolyl)-N,C2')acetylacetonate 중 선택된 어느 하나의 인광 적색 도펀트가 혼합될 수 있다. In addition, the third emission layer 154 may include CBP (4,4'-N, N'-dicarbazolebiphenyl) or Balq (Bis (2-methyl-8-quinlinolato-N1, O8)-(1,1'-Biphenyl-4). phosphorescent green dopant of Ir (ppy) 3 and Ir (Mnpy) 3 , Btp2Ir (acac) (bis (2O-) in any one of the other hosts except for the host material used in the second light emitting layer 153. phosphorescent red of any one selected from benzo [4,5-a] thienyl) pyridinato-N, C3O) iridium (zcetylactonate) or Btp2Ir (acac) (iridium (III) bis (1-phenylisoquinolyl) -N, C2 ') acetylacetonate Dopants may be mixed.

Figure 112008088280615-PAT00002
Figure 112008088280615-PAT00002

Figure 112008088280615-PAT00003
Figure 112008088280615-PAT00003

Figure 112008088280615-PAT00004
Figure 112008088280615-PAT00004

Figure 112008088280615-PAT00005
Figure 112008088280615-PAT00005

상기 제 2 스택(150)은 상기 전하생성층(140)과 상기 제 2 발광층(153) 사이에 형성된 제 2 정공주입층(151) 및 제 2 정공수송층(152) 및 상기 제 3 발광층(154)과 상기 캐소드 전극(160) 사이에 형성된 제 2 전자수송층(155) 및 제 2 전자주입층(156)을 더 포함할 수 있다.The second stack 150 includes the second hole injection layer 151 and the second hole transport layer 152 and the third light emitting layer 154 formed between the charge generation layer 140 and the second light emitting layer 153. And a second electron transport layer 155 and a second electron injection layer 156 formed between the cathode electrode 160 and the cathode electrode 160.

상기 제 2 정공주입층(151), 제 2 정공수송층(152), 제 2 전자수송층(155) 및 제 2 전자주입층(156)은 전술한 제 1 정공주입층(131), 제 1 정공수송층(132), 제 1 전자수송층(134) 및 제 1 전자주입층(135)과 동일한 것으로 그 설명을 생략한다.The second hole injection layer 151, the second hole transport layer 152, the second electron transport layer 155, and the second electron injection layer 156 are the first hole injection layer 131 and the first hole transport layer described above. 132, the same as the first electron transport layer 134 and the first electron injection layer 135, the description thereof will be omitted.

도면에 도시하지 않았지만, 상기 제 2 정공수송층(152)과 상기 제 2 발광층(153) 사이에 엑시톤저지층을 더 포함할 수 있다.Although not shown, an exciton blocking layer may be further included between the second hole transport layer 152 and the second light emitting layer 153.

상기 엑시톤저지층(Exiton blocking layer ; EBL)은 유기전계발광소자의 구동 과정에 있어서 상기 제 2 발광층(153)에서 생성된 엑시톤이 제 2 정공수송층(152)으로 확산되는 것을 억제하는 기능을 하는 것으로, TCTA(4,4',4"-tris(N- carbazolyl)-triphenylamine), Balq, BCP, CF-X, TAZ 또는 spiro-TAZ 등으로 이루어질 수 있다.The exciton blocking layer (EBL) serves to suppress diffusion of the exciton generated in the second emission layer 153 into the second hole transport layer 152 during the driving of the organic light emitting diode. , TCTA (4,4 ', 4 "-tris (N-carbazolyl) -triphenylamine), Balq, BCP, CF-X, TAZ or spiro-TAZ and the like.

상기 캐소드 전극(Cathode)(160)은 일함수가 낮은 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 은(Ag) 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. 여기서, 캐소드 전극(160)은 전면 발광일 경우에는 빛이 투과할 정도로 얇게 형성할 수 있고, 배면 발광일 경우에는 빛이 반사되도록 두껍게 형성할 수 있다. The cathode electrode 160 may be made of aluminum (Al), magnesium (Mg), silver (Ag), or an alloy thereof having a low work function. Here, the cathode electrode 160 may be formed to be thin enough to transmit light in the case of top emission, and may be formed thick so that the light is reflected in case of the bottom emission.

본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자는 형광(Fluorescence)과 인광(phosphorescence)을 통한 발광을 이용한다. 인광은 유기분자의 삼중항 여기 상태(triplet excited state)로부터의 방출을 의미한다. 이에 비하여, 형광은 유기분자의 단일항 여기 상태(singlet excited state)로부터의 방출을 의미한다. 따라서, 유기전계발광소자의 발광(luminescence)은 형광성 방출을 나타내거나 인광성 방출을 나타낸다.An organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention uses light emission through fluorescence and phosphorescence. Phosphorescence refers to the emission of organic molecules from the triplet excited state. In contrast, fluorescence means emission from a singlet excited state of organic molecules. Thus, the luminescence of the organic light emitting device shows fluorescence emission or phosphorescence emission.

인광은 정공들과 전자들의 재조합에 의하여, 단일항 또는 삼중항 여기 상태 중 어느 하나로 형성된 모든 엑시톤들(Exitons)이 발광에 참여할 수 있다. 이는 유기분자의 가장 낮은 단일항 여기 상태가 가장 낮은 삼중항 여기 상태보다 약간 더 높은 에너지 상태에 있기 때문이다. 예를 들어, 인광성 유기금속 화합물들에서, 가장 낮은 단일항 여기 상태는 인광이 생성되는 가장 낮은 삼중항 여기 상태로Phosphorescence is due to the recombination of holes and electrons, so that all excitons formed in either a singlet or triplet excited state can participate in luminescence. This is because the lowest singlet excited state of the organic molecule is in a slightly higher energy state than the lowest triplet excited state. For example, in phosphorescent organometallic compounds, the lowest singlet excited state is the lowest triplet excited state where phosphorescence is produced.

빨리 붕괴될 수도 있다. It may collapse quickly.

이에 비하여, 형광 소자들에서 엑시톤들의 대략 25%만이 단일항 여기 상태로부터 얻어지는 형광성 발광을 생성할 수 있다. 형광성 소자에서, 가장 낮은 삼중항 여기 상태에서 생성되는 나머지 엑시톤들은, 형광이 생성되는 더 높은 에너지의 단일항 여기 상태들로 변환될 수 없다.In comparison, only about 25% of excitons in fluorescent elements can produce fluorescent luminescence resulting from a singlet excited state. In a fluorescent device, the remaining excitons produced in the lowest triplet excited state cannot be converted to the higher energy singlet excited states in which fluorescence is generated.

도 2는 유기전계발광소자의 제 2 발광층 및 제 3 발광층에서의 밴드 다이어 그램을 나타낸 도면이다.2 is a diagram illustrating band diagrams of a second light emitting layer and a third light emitting layer of an organic light emitting display device.

도 2를 참조하면, 제 2 발광층(153)과 제 3 발광층(154)의 계면에서 차지(Charge)가 축적되어 재결합이 많이 일어나게 된다. 따라서, 제 2 발광층(153)과 제 3 발광층(154)의 계면 즉, 도 2에서 Charge Accumulation Zone으로 표시된 영역에서 축적된 차지들이 재결합되어 발광하고, 생성된 엑시톤들이 정공수송층(HTL)으로 새어나가는 것을 방지할 수 있게 된다.Referring to FIG. 2, charges are accumulated at the interface between the second light emitting layer 153 and the third light emitting layer 154, thereby causing a lot of recombination. Accordingly, charges accumulated in the interface between the second light emitting layer 153 and the third light emitting layer 154, that is, the region indicated as Charge Accumulation Zone in FIG. 2 are recombined to emit light, and the generated excitons are leaked into the hole transport layer HTL. Can be prevented.

이때, 제 2 발광층(153)의 호스트와 제 3 발광층(154)의 호스트의 HOMO 또는 LUMO 레벨의 차이가 0.4eV 이하인 것이 바람직하다. 이는 제 2 발광층(153)과 제 3 발광층(154)의 계면의 Charge Accumulation Zone을 최대한 넓혀 그 안에 엑시톤들이 많이 존재하게 함으로써, 보다 향상된 발광효율을 제공할 수 있기 때문이다.At this time, it is preferable that the difference between the HOMO or LUMO level of the host of the second light emitting layer 153 and the host of the third light emitting layer 154 is 0.4 eV or less. This is because the charge accumulation zone at the interface between the second light emitting layer 153 and the third light emitting layer 154 is maximized to allow a large amount of excitons to exist therein, thereby providing improved light emission efficiency.

그러므로, 엑시톤들이 제 2 발광층(153)과 제 3 발광층(154)의 계면에서 새어나가지 않고 축적되어 그만큼의 발광효율이 향상될 수 있는 이점이 있다. Therefore, the excitons are accumulated without leaking at the interface between the second light emitting layer 153 and the third light emitting layer 154, so that the luminous efficiency can be improved.

따라서, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자는 백색의 화이트 유기전계발광소자를 구현할 수 있다.Therefore, the organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention can implement a white organic light emitting device of white color.

도 3은 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 유기전계발광소자(200)를 나타낸 도면이다.3 is a diagram illustrating an organic light emitting display device 200 according to a second embodiment of the present invention.

본 발명의 제 2 실시 예에 따른 유기전계발광소자(200)는 기판(210) 상에 애 노드 전극(220), 상기 애노드 전극(220) 상에 위치하며, 하나의 호스트에 녹색 및 적색 도펀트를 포함하는 제 1 발광층(233)과, 다른 하나의 호스트에 녹색 및 적색 도펀트를 포함하는 제 2 발광층(234)을 구비하는 제 1 스택(230), 상기 제 1 스택(230) 상에 위치하는 전하생성층(240), 상기 전하생성층(240) 상에 위치하며, 형광 청색 도펀트를 포함하는 제 3 발광층(253)을 구비하는 제 2 스택(250) 및 상기 제 2 스택(250) 상에 위치하는 캐소드 전극(260)을 포함할 수 있다.The organic light emitting device 200 according to the second embodiment of the present invention is positioned on the anode electrode 220 and the anode 220 on the substrate 210, and the green and red dopants are disposed on one host. A first stack 230 having a first light emitting layer 233 including the first light emitting layer 233 and a second light emitting layer 234 including green and red dopants in another host, and a charge located on the first stack 230 A second stack 250 and a second stack 250 having a third light emitting layer 253 including a fluorescent blue dopant, and located on the generation layer 240 and the charge generation layer 240. The cathode electrode 260 may be included.

본 발명의 제 2 실시 예에 따른 유기전계발광소자는 전술한 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 유기전계발광소자에서 제 1 발광층이 제 2 스택으로 위치가 바껴지고, 제 2 발광층 및 제 3 발광층이 제 1 스택으로 위치가 서로 바뀐 구조이다. 따라서, 제 1 실시 예와 중복되는 설명은 생략한다.In the organic light emitting diode according to the second exemplary embodiment of the present invention, in the organic light emitting diode according to the first exemplary embodiment of the present invention, the first light emitting layer is replaced with a second stack, and the second light emitting layer and the third light emitting layer The structure has changed positions with this first stack. Therefore, description overlapping with the first embodiment will be omitted.

상기 제 1 스택(230)은, 상기 애노드 전극(220)과 상기 제 1 발광층(233) 사이에 형성된 제 1 정공주입층(231) 및 제 1 정공수송층(232) 및 상기 제 2 발광층(234)과 상기 전하생성층(240) 사이에 형성된 제 1 전자수송층(235) 및 제 1 전자주입층(236)을 더 포함할 수 있다.The first stack 230 includes a first hole injection layer 231 and a first hole transport layer 232 formed between the anode electrode 220 and the first light emitting layer 233, and the second light emitting layer 234. And a first electron transport layer 235 and a first electron injection layer 236 formed between the charge generation layer 240.

도면에 도시하지 않았지만, 상기 제 1 정공수송층(232)과 상기 제 1 발광층(233) 사이에 엑시톤저지층을 더 포함할 수 있다.Although not illustrated, an exciton blocking layer may be further included between the first hole transport layer 232 and the first emission layer 233.

상기 엑시톤저지층(Exiton blocking layer ; EBL)은 유기전계발광소자의 구동 과정에 있어서 상기 제 1 발광층(233)에서 생성된 엑시톤이 제 1 정공수송층(232)으로 확산되는 것을 억제하는 기능을 하는 것으로, TCTA(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)-triphenylamine), Balq, BCP, CF-X, TAZ 또는 spiro-TAZ 등으로 이루 어질 수 있다.The exciton blocking layer (EBL) serves to suppress diffusion of the exciton generated in the first emission layer 233 into the first hole transport layer 232 during the driving of the organic light emitting diode. , TCTA (4,4 ', 4 "-tris (N-carbazolyl) -triphenylamine), Balq, BCP, CF-X, TAZ or spiro-TAZ.

상기 제 2 스택(250)은, 상기 전하생성층(240)과 상기 제 3 발광층(253) 사이에 형성된 제 2 정공주입층(251) 및 제 2 정공수송층(252) 및 상기 제 3 발광층(253)과 상기 캐소드 전극(260) 사이에 형성된 제 2 전자수송층(254) 및 제 2 전자주입층(255)을 더 포함할 수 있다.The second stack 250 includes a second hole injection layer 251 and a second hole transport layer 252 and the third light emitting layer 253 formed between the charge generation layer 240 and the third light emitting layer 253. ) May further include a second electron transport layer 254 and a second electron injection layer 255 formed between the cathode electrode 260 and the cathode electrode 260.

그리고, 상기 제 1 발광층(233)은 상기 제 2 발광층(234)과 접하여 적층될 수 있다. 또한, 상기 제 1 발광층(233)의 호스트와 상기 제 2 발광층(234)의 호스트의 HOMO 또는 LUMO 레벨 차이가 0.4eV 이하일 수 있다.The first light emitting layer 233 may be stacked in contact with the second light emitting layer 234. In addition, the HOMO or LUMO level difference between the host of the first emission layer 233 and the host of the second emission layer 234 may be 0.4 eV or less.

상기와 같이, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 유기전계발광소자는 제 1 발광층 및 제 2 발광층에서 적색과 녹색을 발광하고 제 3 발광층에서 청색을 발광함으로써, 백색의 화이트 유기전계발광소자를 구현할 수 있다.As described above, the organic light emitting diode according to the second exemplary embodiment of the present invention emits red and green light in the first light emitting layer and the second light emitting layer and emits blue light in the third light emitting layer, thereby implementing a white white organic light emitting diode. Can be.

도 4는 본 발명의 실시예들에 따른 바텀 에미션 구조의 유기전계발광소자를 나타낸다. 4 illustrates an organic light emitting display device having a bottom emission structure according to embodiments of the present invention.

도 4를 참조하면, 투명기판(SUBS) 상에 박막 트랜지스터(TFT)가 위치하고, 그 박막 트랜지스터(TFT)에 화소 전극(PIX)이 접속된다. 화소 전극(PIX)은 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인 전극(D)에 접속되고 도 1에 도시된 유기전계발광소자(WOLED)의 애노드 전극에 접속된다. 도 4에서 도면부호 "GI"는 박막 트랜지스터(TFT)의 게이트 전극(G)과 그에 연결된 게이트라인을 포함한 게이트 금속패턴과, 박막 트랜지스터(TFT)의 소스 및 드레인 전극(S, D)과 데이터라인을 포함한 소스/ 드레인 금속패턴을 절연하기 위한 게이트 절연막이다. "PAS"는 박막 트랜지스터(TFT)를 보호하기 위한 페시베이션층으로써 이 페시베이션층에는 화소 전극(PIX)을 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인 전극(D)에 접촉시키기 위한 콘택홀이 형성된다. "BNK"는 적색 픽셀, 녹색 픽셀 및 청색 발광셀을 구획하기 위한 구조물이다. Referring to FIG. 4, the thin film transistor TFT is positioned on the transparent substrate SUBS, and the pixel electrode PIX is connected to the thin film transistor TFT. The pixel electrode PIX is connected to the drain electrode D of the thin film transistor TFT and is connected to the anode electrode of the organic light emitting diode WOLE shown in FIG. 1. In FIG. 4, reference numeral “GI” denotes a gate metal pattern including a gate electrode G of the thin film transistor TFT and a gate line connected thereto, and source and drain electrodes S and D of the thin film transistor TFT and a data line. A gate insulating film for insulating a source / drain metal pattern including a. "PAS" is a passivation layer for protecting the thin film transistor TFT. A contact hole for contacting the pixel electrode PIX with the drain electrode D of the thin film transistor TFT is formed in the passivation layer. "BNK" is a structure for partitioning a red pixel, a green pixel, and a blue light emitting cell.

"ENCAP"은 게터(Getter)를 포함하여 투명기판(SUBS)에 실런트로 합착되는 인캡슐레이션 부재이다. 유기전계발광소자(WOLED)는 도 1과 같은 2층 적층 구조를 가지며, 이러한 유기전계발광소자(WOLED)의 발광에 의해 방출되는 빛은 페시베이션층(PAS), 게이트 절연막(GI) , 애노드 전극(ANO) 및 투명기판(SUBS)을 투과한다. 투명기판(SUBS)과 유기전계발광소자(WOLED) 사이에는 컬러 구현을 위하여 적색 컬러필터, 녹색 컬러 필터, 및 청색 컬러필터가 형성될 수 있다. "ENCAP" is an encapsulation member that is adhered to the transparent substrate SUBS with a sealant including a getter. The organic light emitting diode (WOLED) has a two-layer stacked structure as shown in FIG. 1, and the light emitted by the light emission of the organic light emitting diode (WOLED) is a passivation layer (PAS), a gate insulating layer (GI), and an anode electrode. (ANO) and transparent substrate (SUBS). A red color filter, a green color filter, and a blue color filter may be formed between the transparent substrate SUBS and the organic light emitting diode WOLED to realize color.

이하, 본 발명의 일 실시 예에 따른 실험예를 개시한다. 다만, 하기에 개시되는 실험예는 본 발명의 일 실시예일뿐 본 발명이 하기의 실험예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, an experimental example according to an embodiment of the present invention is disclosed. However, the experimental examples disclosed below are only examples of the present invention, and the present invention is not limited to the following experimental examples.

<실험예>Experimental Example

ITO 글라스의 발광 면적이 2mm×2mm 크기가 되도록 패터닝한 후 세정하였다. 기판을 진공 챔버에 장착한 후 베이스 압력이 1×10-6torr가 되도록 한 후 애노드 전극인 ITO위에 제 1 정공주입층인 DNTPD를 600Å의 두께로 성막하고, 제 1 정공수 송층인 NPD를 400Å의 두께로 성막하였다. 그리고, 호스트인 ADN(9,10-di(2-naphthyl)anthracene)에 형광 청색 도펀트인 Ir(pFCNp)3을 공증착하여 300Å의 제 1 발광층을 성막하였다. 이때, 도펀트의 도핑농도는 형광 청색 도펀트가 5%였다. 이어, 제 1 전자수송층인 Alq3를 300Å의 두께로 성막하고, 제 1 전자주입층인 LiF를 5Å의 두께로 성막하고, 전하생성층인 WO3를 30Å으로 성막하였다. 다음, 제 2 정공주입층인 DNTPD를 600Å의 두께로 성막하고, 제 2 정공수송층인 NPD를 400Å의 두께로 성막하고, 호스트인 CBP에 인광 녹색 도펀트인 Ir(ppy)3와 인광 적색 도펀트인 Ir(mnapy)3를 공증착하여 300Å의 제 2 발광층을 성막하였다. 이때, 도펀트의 도핑농도로는 각각 2wt%였다. 다음, 호스트인 Balq에 인광 녹색 도펀트인 Ir(ppy)3와 인광 적색 도펀트인 Ir(mnapy)3를 공증착하여 300Å의 제 3 발광층을 성막하였다. 이때, 도펀트의 도핑농도로는 각각 2wt%였다. 이어, 제 2 전자수송층인 Alq3를 300Å의 두께로 성막하고, 제 2 전자주입층인 LiF를 5Å의 두께로 성막하고, 캐소드 전극인 Al을 1000Å의 두께로 성막하여 유기전계발광소자를 제작하였다. The light emitting area of the ITO glass was patterned to have a size of 2 mm x 2 mm and then washed. After mounting the substrate in the vacuum chamber, the base pressure was 1 × 10 −6 torr, and the DNTPD, the first hole injection layer, was formed to a thickness of 600 μs on the anode electrode ITO, and the NPD, the first hole transport layer, was 400 μs thick. It was formed into a thickness. Then, 300 제 of the first light emitting layer was formed by co-depositing Ir (pFCNp) 3 as a fluorescent blue dopant on ADN (9,10-di (2-naphthyl) anthracene) which is a host. At this time, the doping concentration of the dopant was 5% of the fluorescent blue dopant. Subsequently, Alq 3 , which is the first electron transport layer, was formed into a film having a thickness of 300 GPa, LiF which was the first electron injection layer was formed into a film having a thickness of 5 GPa, and WO 3 , which was a charge generation layer, was formed into a film of 30 GPa. Next, DNTPD, the second hole injection layer, is deposited to a thickness of 600 kPa, NPD, the second hole transport layer, is deposited to a thickness of 400 kPa, and the phosphorescent green dopant Ir (ppy) 3 and the phosphorescent red dopant Ir are formed on the host CBP. (mnapy) 3 was co-deposited to form a second 300 luminescent layer. At this time, the doping concentration of the dopant was 2wt%. Next, a third light emitting layer of 300 Å was formed by co-depositing Ir (ppy) 3 , which is a phosphorescent green dopant, and Ir (mnapy) 3 , which is a phosphorescent red dopant, on the host Balq. At this time, the doping concentration of the dopant was 2wt%. Subsequently, Alq 3 , which is the second electron transport layer, was formed to have a thickness of 300 kW, LiF, which was the second electron injection layer, was formed to have a thickness of 5 kW, and Al, which was a cathode electrode, was formed to have a thickness of 1000 kW, to fabricate an organic light emitting device. .

<비교예>Comparative Example

상기 실험예와 동일한 공정 조건 하에, 제 3 발광층을 형성하지 않은 유기전계발광소자를 제작하였다. Under the same process conditions as those of the above experimental example, an organic light emitting display device was not formed.

상기 실험예 및 비교예에 따라 제조된 유기전계발광소자의 구동전압, 발광효율, 양자효율, 휘도 및 색좌표를 하기 표 1에 나타내었고, 발광 스펙트럼을 도 5에 나타내었다. The driving voltage, luminous efficiency, quantum efficiency, luminance, and color coordinates of the organic light emitting diodes manufactured according to the Experimental Example and Comparative Example are shown in Table 1 below, and the emission spectrum is shown in FIG. 5.


구동전압
(V)
Driving voltage
(V)
발광효율Luminous efficiency 양자효율
(%)
Quantum efficiency
(%)
휘도
(Cd/㎡)
Luminance
(Cd / ㎡)
색좌표Color coordinates
Cd/ACd / A lm/Wlm / W CIE_xCIE_x CIE_yCIE_y 비교예Comparative example 7.07.0 47.847.8 21.421.4 24.524.5 47764776 0.3520.352 0.3750.375 실험예Experimental Example 7.17.1 52.352.3 23.123.1 26.626.6 52305230 0.3500.350 0.3910.391

상기 표 1 및 도 5를 참조하면, 제 2 스택에 제 2 발광층 및 제 3 발광층의 2개의 발광층을 구비한 실험예는 하나의 발광층을 구비한 비교예보다 구동전압이 0.1V정도 증가하지만, 발광효율, 양자효율, 휘도 및 색좌표 특성이 현저하게 우수한 것을 알 수 있다. Referring to Table 1 and FIG. 5, the experimental example in which the second stack includes two light emitting layers of the second light emitting layer and the third light emitting layer has a driving voltage of about 0.1V higher than that of the comparative example having one light emitting layer. It can be seen that the efficiency, quantum efficiency, luminance and color coordinate characteristics are remarkably excellent.

그리고, 상기 실험예에 따라 제조된 유기전계발광소자에 전류밀도를 각각 10, 25, 50 및 75mA/㎠로 달리한 후 그 발광 스펙트럼을 측정하여 도 6에 나타내었다.In addition, after varying the current density to 10, 25, 50 and 75 mA / cm 2 in the organic light emitting device manufactured according to the experimental example, the emission spectrum was measured and shown in FIG.

도 6을 참조하면, 본 발명의 실험예에 따라 제조된 유기전계발광소자는 높은 전류밀도에서도 색 좌표의 변화가 적어 좋은 색 안정성을 나타내는 것을 알 수 있다.Referring to FIG. 6, it can be seen that the organic electroluminescent device manufactured according to the experimental example of the present invention exhibits good color stability due to a small change in color coordinates even at a high current density.

상기와 같이, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자는 형광 청색 도펀트를 포함하는 제 1 발광층을 구비하는 제 1 스택, 인광 녹색 및 적색 도펀트가 혼합된 제 2 발광층 및 제 3 발광층을 구비하는 제 2 스택을 포함하는 백색 발광 유기전계발광소자를 형성함으로써, 구동전압, 발광효율, 양자효율 및 휘도 특성이 우수한 이점이 있다.As described above, the organic light emitting diode device according to the embodiment of the present invention includes a first stack including a first light emitting layer including a fluorescent blue dopant, a second light emitting layer and a third light emitting layer in which phosphorescent green and red dopants are mixed. By forming a white light emitting organic light emitting device including a second stack, there is an advantage in that driving voltage, light emission efficiency, quantum efficiency, and luminance characteristics are excellent.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It will be understood that the invention may be practiced. Therefore, the embodiments described above are to be understood as illustrative and not restrictive in all aspects. In addition, the scope of the present invention is shown by the claims below, rather than the above detailed description. Also, it is to be construed that all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts are included in the scope of the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광소자를 나타낸 도면.1 is a view showing an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 유기전계발광소자의 밴드 다이어그램을 나타낸 도면.2 is a band diagram of an organic light emitting display device according to the present invention;

도 3은 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 유기전계발광소자를 나타낸 도면.3 is a view showing an organic light emitting display device according to a second exemplary embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 실시예들에 따른 유기전계발광소자를 나타낸 도면.4 is a view showing an organic light emitting display device according to embodiments of the present invention.

도 5는 본 발명의 실험예 및 비교예에 따라 제조된 유기전계발광소자의 발광 스펙트럼을 나타낸 그래프.Figure 5 is a graph showing the emission spectrum of the organic light emitting device prepared according to the experimental example and the comparative example of the present invention.

도 6은 본 발명의 실험예에 따라 제조된 유기전계발광소자의 전류 밀도에 따른 발광 스펙트럼을 나타낸 그래프.Figure 6 is a graph showing the emission spectrum according to the current density of the organic light emitting device manufactured according to the experimental example of the present invention.

Claims (10)

애노드 전극;An anode electrode; 상기 애노드 전극 상에 위치하며, 형광 청색 도펀트를 포함하는 제 1 발광층을 구비하는 제 1 스택;A first stack disposed on the anode and having a first light emitting layer comprising a fluorescent blue dopant; 상기 제 1 스택 상에 위치하는 전하생성층; A charge generation layer located on the first stack; 상기 전하생성층 상에 위치하며, 하나의 호스트에 녹색 및 적색 도펀트를 포함하는 제 2 발광층과, 다른 하나의 호스트에 녹색 및 적색 도펀트를 포함하는 제 3 발광층을 구비하는 제 2 스택; 및 A second stack disposed on the charge generation layer, the second stack including a second light emitting layer including green and red dopants in one host and a third light emitting layer including green and red dopants in another host; And 상기 제 2 스택 상에 위치하는 캐소드 전극을 포함하는 유기전계발광소자.An organic light emitting device comprising a cathode electrode located on the second stack. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1 스택은,The first stack, 상기 애노드 전극과 상기 제 1 발광층 사이에 형성된 제 1 정공주입층 및 제 1 정공수송층; 및A first hole injection layer and a first hole transport layer formed between the anode electrode and the first light emitting layer; And 상기 제 1 발광층과 상기 전하생성층 사이에 형성된 제 1 전자수송층 및 제 1 전자주입층을 더 포함하는 유기전계발광소자.An organic electroluminescent device further comprising a first electron transport layer and a first electron injection layer formed between the first light emitting layer and the charge generation layer. 제 2항에 있어서,3. The method of claim 2, 상기 제 2 스택은, The second stack, 상기 전하생성층과 상기 제 2 발광층 사이에 형성된 제 2 정공주입층 및 제 2 정공수송층; 및A second hole injection layer and a second hole transport layer formed between the charge generation layer and the second light emitting layer; And 상기 제 3 발광층과 상기 캐소드 전극 사이에 형성된 제 2 전자수송층 및 제 2 전자주입층을 더 포함하는 유기전계발광소자.The organic light emitting device further comprises a second electron transport layer and a second electron injection layer formed between the third light emitting layer and the cathode electrode. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제 2 발광층은 상기 제 3 발광층과 접하여 적층된 유기전계발광소자.The second light emitting layer is an organic light emitting device stacked in contact with the third light emitting layer. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 2 발광층의 호스트와 상기 제 3 발광층의 호스트의 HOMO 또는 LUMO 레벨 차이가 0.4eV 이하인 유기전계발광소자. An organic light emitting display device having a difference in HOMO or LUMO level between a host of the second light emitting layer and a host of the third light emitting layer of 0.4 eV or less. 애노드 전극;An anode electrode; 상기 애노드 전극 상에 위치하며, 하나의 호스트에 녹색 및 적색 도펀트를 포함하는 제 1 발광층과, 다른 하나의 호스트에 녹색 및 적색 도펀트를 포함하는 제 2 발광층을 구비하는 제 1 스택;A first stack disposed on the anode and having a first light emitting layer including green and red dopants in one host and a second light emitting layer including green and red dopants in another host; 상기 제 1 스택 상에 위치하는 전하생성층; A charge generation layer located on the first stack; 상기 전하생성층 상에 위치하며, 형광 청색 도펀트를 포함하는 제 3 발광층을 구비하는 제 2 스택; 및 A second stack on the charge generation layer and having a third light emitting layer comprising a fluorescent blue dopant; And 상기 제 2 스택 상에 위치하는 캐소드 전극을 포함하는 유기전계발광소자.An organic light emitting device comprising a cathode electrode located on the second stack. 제 6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 제 1 스택은,The first stack, 상기 애노드 전극과 상기 제 1 발광층 사이에 형성된 제 1 정공주입층 및 제 1 정공수송층; 및A first hole injection layer and a first hole transport layer formed between the anode electrode and the first light emitting layer; And 상기 제 2 발광층과 상기 전하생성층 사이에 형성된 제 1 전자수송층 및 제 1 전자주입층을 더 포함하는 유기전계발광소자.An organic electroluminescent device further comprising a first electron transport layer and a first electron injection layer formed between the second light emitting layer and the charge generation layer. 제 7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 제 2 스택은, The second stack, 상기 전하생성층과 상기 제 3 발광층 사이에 형성된 제 2 정공주입층 및 제 2 정공수송층; 및A second hole injection layer and a second hole transport layer formed between the charge generation layer and the third light emitting layer; And 상기 제 3 발광층과 상기 캐소드 전극 사이에 형성된 제 2 전자수송층 및 제 2 전자주입층을 더 포함하는 유기전계발광소자.The organic light emitting device further comprises a second electron transport layer and a second electron injection layer formed between the third light emitting layer and the cathode electrode. 제 6항에 있어서, The method of claim 6, 상기 제 1 발광층은 상기 제 2 발광층과 접하여 적층된 유기전계발광소자.The first light emitting layer is an organic light emitting device stacked in contact with the second light emitting layer. 제 6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 제 1 발광층의 호스트와 상기 제 2 발광층의 호스트의 HOMO 또는 LUMO 레벨 차이가 0.4eV 이하인 유기전계발광소자. The organic light emitting device of claim 1, wherein the difference between the HOMO or LUMO level between the host of the first light emitting layer and the host of the second light emitting layer is 0.4 eV or less.
KR1020080132084A 2008-12-23 2008-12-23 Organic light emitting diode device KR20100073417A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080132084A KR20100073417A (en) 2008-12-23 2008-12-23 Organic light emitting diode device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080132084A KR20100073417A (en) 2008-12-23 2008-12-23 Organic light emitting diode device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20100073417A true KR20100073417A (en) 2010-07-01

Family

ID=42636385

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080132084A KR20100073417A (en) 2008-12-23 2008-12-23 Organic light emitting diode device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20100073417A (en)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2492855A (en) * 2011-07-11 2013-01-16 Lg Display Co Ltd Organic light emitting diode (OLED)
KR20140059713A (en) * 2012-11-08 2014-05-16 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting display
KR20140079273A (en) * 2012-12-18 2014-06-26 엘지디스플레이 주식회사 White organic light emitting device
KR101419249B1 (en) * 2011-10-12 2014-07-17 엘지디스플레이 주식회사 White Organic Light Emitting Device
GB2510690A (en) * 2012-12-18 2014-08-13 Lg Display Co Ltd White organic light emitting device
KR101429924B1 (en) * 2011-12-08 2014-08-14 엘지디스플레이 주식회사 Tandem White Organic Emitting Device
KR20150005575A (en) * 2012-04-06 2015-01-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
KR20150125159A (en) * 2014-04-29 2015-11-09 엘지디스플레이 주식회사 White organic light emitting device
CN107579097A (en) * 2014-04-25 2018-01-12 乐金显示有限公司 White organic light emitting device
KR102121154B1 (en) * 2019-12-24 2020-06-09 두산솔루스 주식회사 Organic electroluminescent device
KR20200085259A (en) * 2014-04-29 2020-07-14 엘지디스플레이 주식회사 White organic light emitting device
WO2021259123A1 (en) * 2020-06-22 2021-12-30 京东方科技集团股份有限公司 Display panel and display device

Cited By (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2492855A (en) * 2011-07-11 2013-01-16 Lg Display Co Ltd Organic light emitting diode (OLED)
US8735873B2 (en) 2011-07-11 2014-05-27 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting diode
KR101429537B1 (en) * 2011-07-11 2014-08-12 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting diodes
GB2492855B (en) * 2011-07-11 2014-11-19 Lg Display Co Ltd Organic Light Emitting Diode
KR101419249B1 (en) * 2011-10-12 2014-07-17 엘지디스플레이 주식회사 White Organic Light Emitting Device
KR101429924B1 (en) * 2011-12-08 2014-08-14 엘지디스플레이 주식회사 Tandem White Organic Emitting Device
KR20220044607A (en) * 2012-04-06 2022-04-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
KR20210003940A (en) * 2012-04-06 2021-01-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
KR20150005575A (en) * 2012-04-06 2015-01-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
KR20140059713A (en) * 2012-11-08 2014-05-16 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting display
US10741781B2 (en) 2012-12-18 2020-08-11 Lg Display Co., Ltd. White organic light emitting device
GB2510690A (en) * 2012-12-18 2014-08-13 Lg Display Co Ltd White organic light emitting device
KR20140079273A (en) * 2012-12-18 2014-06-26 엘지디스플레이 주식회사 White organic light emitting device
US10026915B2 (en) 2012-12-18 2018-07-17 Lg Display Co., Ltd. White organic light emitting device
US10418577B2 (en) 2012-12-18 2019-09-17 Lg Display Co., Ltd. White organic light emitting device
DE102013022617B3 (en) 2012-12-18 2021-11-18 Lg Display Co., Ltd. White organic light emitting device and organic light emitting device
KR20200083422A (en) * 2012-12-18 2020-07-08 엘지디스플레이 주식회사 White organic light emitting device
US9224967B2 (en) 2012-12-18 2015-12-29 Lg Display Co., Ltd. White organic light emitting device
DE102013112602B4 (en) * 2012-12-18 2020-11-12 Lg Display Co., Ltd. White organic light emitting device
CN107579097A (en) * 2014-04-25 2018-01-12 乐金显示有限公司 White organic light emitting device
KR20150125159A (en) * 2014-04-29 2015-11-09 엘지디스플레이 주식회사 White organic light emitting device
KR20200085259A (en) * 2014-04-29 2020-07-14 엘지디스플레이 주식회사 White organic light emitting device
WO2021132800A1 (en) * 2019-12-24 2021-07-01 솔루스첨단소재 주식회사 Organic electroluminescent device
KR102121154B1 (en) * 2019-12-24 2020-06-09 두산솔루스 주식회사 Organic electroluminescent device
US11706976B2 (en) 2019-12-24 2023-07-18 Solus Advanced Materials Co., Ltd. Organic electroluminescent device containing exciton confinement layer
WO2021259123A1 (en) * 2020-06-22 2021-12-30 京东方科技集团股份有限公司 Display panel and display device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101365824B1 (en) Organic Light Emitting Diode Device
KR102104978B1 (en) Organic light emitting display and method for fabricating the same
US10879481B2 (en) Organic light emitting display device
KR20100073417A (en) Organic light emitting diode device
KR102187252B1 (en) Anthracene composite and organic light emitting diode device comprising the same
KR102268119B1 (en) Pyrene compound and organic light emitting diode device comprising the same
US20120098012A1 (en) Organic light emitting diode device
JP4785386B2 (en) Organic electroluminescent device and organic electroluminescent display device
US9761823B2 (en) Organic light emitting display device
KR102291896B1 (en) Charge generating compound and organic light emitting diode device comprising the same
US6822257B2 (en) Organic light emitting diode device with organic hole transporting material and phosphorescent material
KR20100072644A (en) Organic light emitting diode device
KR102353804B1 (en) Organic light emitting device
KR20150113308A (en) Organic Light Emitting Device
EP3136465B1 (en) Organic light emitting device
KR20090095022A (en) White organic light emitting device
KR100933747B1 (en) Organic light emitting device
KR20090036504A (en) White organic light emitting device
KR101941084B1 (en) Organic Light Emitting Diode Device
KR20110027484A (en) Organic light emitting diode device
KR101965910B1 (en) Organic light emitting device
TWI249368B (en) White organic light emitting device using three emissive layer
KR101259532B1 (en) White organic light-emitting diode with two organic layers and method of manufacturing the same
KR102494249B1 (en) Organic light emitting device
KR102271666B1 (en) Organic light emitting diode

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid