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KR20100039512A - Vacuum vapor deposition device - Google Patents

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KR20100039512A
KR20100039512A KR1020080098496A KR20080098496A KR20100039512A KR 20100039512 A KR20100039512 A KR 20100039512A KR 1020080098496 A KR1020080098496 A KR 1020080098496A KR 20080098496 A KR20080098496 A KR 20080098496A KR 20100039512 A KR20100039512 A KR 20100039512A
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South Korea
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vacuum
plasma electrode
door
target
deposition apparatus
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KR1020080098496A
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Korean (ko)
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Inventor
이인우
홍성준
서상일
신배근
Original Assignee
한국진공주식회사
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Publication date
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Abstract

PURPOSE: A vacuum deposition apparatus is provided to perform a deposition process through evaporation and sputtering of one apparatus, to perform plasma pretreatment using RF power, AC power, and an ion beam. CONSTITUTION: A vacuum deposition apparatus comprises a vacuum container(10), a door(20), a rotating jig(30), an electronic heater(40), a target(50), and a gas supply pipe. A product to be coated is mounted on the rotating jig. The electronic heater is arranged on the central of the rotating jig. The target is installed on both sides of the inner circumference of the vacuum container. The gas supply pipe is installed around the target of the vacuum container.

Description

진공 증착 장치{vacuum vapor deposition device}Vacuum vapor deposition device

본 발명은 진공 증착 장치에 관한 것으로, 특히 하나의 장치를 이용하여 다양한 방식으로 박막(코팅막)을 형성할 수 있도록 된 진공 증착 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a vacuum deposition apparatus, and more particularly, to a vacuum deposition apparatus which enables to form a thin film (coating film) in various ways using one apparatus.

전기도금(전착)이나 유기도료 경화코팅과 같은 습식 박막 형성 방법은 작업환경이 나쁘고 폐수의 처리 등 환경 오염 측면에서 불리하므로 기상의 입자를 제품의 표면에 흡착시켜 박막을 형성하는 기상증착법(Vapor Deposition)의 적용이 증가하고 있다.Wet thin film formation methods such as electroplating (electrodeposition) and organic paint curing coatings are bad in terms of environmental pollution such as treatment of wastewater and the treatment of waste water. ), The application is increasing.

상기 기상증착법에는 물리기상증착법(Physical Vapor Deposition)과 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition)이 있으며, 상기 물리기상증착법의 대표적인 예로서 증발(evaporation)과 스퍼터링(sputtering)을 들 수 있다.The vapor deposition method includes physical vapor deposition (Physical Vapor Deposition) and chemical vapor deposition (Chemical Vapor Deposition), a representative example of the physical vapor deposition method may be evaporation (evaporation) and sputtering (sputtering).

상기 증발은 증착 재료에 직접 열을 가하여 기상 입자를 생성하고 이를 기판(제품)에 흡착시켜 막을 형성하는 것이고, 스퍼터링은 증착 재료에 이온 충격을 가하여 증착 재료의 표면 입자를 방출시켜서 제품에 흡착시켜 막을 형성하는 것이다. The evaporation is the direct heating of the deposition material to form gaseous particles and adsorbs it onto the substrate (product) to form a film, and sputtering applies ion bombardment to the deposition material to release the surface particles of the deposition material to adsorb the product to the film. To form.

증발열은 저항, 전자빔, 레이저빔, 아크방전 등을 통해 얻을 수 있고, 이온충격은 불활성가스에 글로우방전을 일으키고 타겟에 바이어스 전위를 걸어주거나 이온건(ion gun)으로 이온빔을 직접 조사하는 방식으로 발생시킬 수 있다.Evaporation heat can be obtained through resistance, electron beam, laser beam, arc discharge, etc., and ion bombardment is generated by causing glow discharge on inert gas, applying bias potential to target, or irradiating ion beam directly with ion gun. You can.

한편, 상기 증착법들은 외부 오염물질로부터의 차단, 플라즈마 발생의 용이성, 사용가스 공급량 제어를 통한 공정 제어의 정확성 등을 이유로 외부와 차단된 진공용기 내에서 실시되는 것이 일반적이며, 따라서 각각의 공법을 시행하는 장치들은 진공분위기를 형성하는 진공용기와, 그 진공용기 내에 진공을 형성하기 위한 진공펌프, 밸브, 사용가스의 공급 및 배출을 위한 관로, 플라즈마 형성을 위한 전원공급장치 등 많은 동일한 부분을 포함하여 구성된다.On the other hand, the deposition methods are generally carried out in a vacuum vessel that is blocked from the outside due to the blocking from external contaminants, the ease of plasma generation, the accuracy of the process control through the control of the amount of gas supplied, and therefore, each method is implemented. The apparatus includes a vacuum container for forming a vacuum atmosphere, a vacuum pump for forming a vacuum in the vacuum container, a valve, a pipeline for supplying and discharging a used gas, a power supply for forming a plasma, and the like. It is composed.

그러나, 종래의 장치들은 각각 하나의 공정만을 실시하는 전용의 장비로 이루어져 있어서, 증착 업체에서 다양한 방식의 증착을 실시하기 위해서는 각 장비를 모두 구비해야만 하므로 비용이 크게 증가될 뿐만 아니라 공장 내의 면적도 많이 차지하게 되는 문제점이 있었다.However, since the conventional apparatuses are composed of dedicated equipment each carrying out only one process, in order to perform various types of deposition in a deposition company, each equipment must be provided, so that the cost is greatly increased and the area of the factory is also large. There was a problem to be occupied.

이에 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 하나의 장치내에서 다양한 방식의 표면 전처리 및 증착 공정을 모두 수행할 수 있게 됨으로써 설비 투자 비용을 절감할 수 있고, 공장의 레이아웃 설정이 용이해지며 불필요한 공간의 소모를 방지할 수 있도록 된 진공 증착 장치를 제공함에 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above problems, it is possible to perform all the surface pretreatment and deposition processes of various methods in a single device to reduce the investment cost of the equipment, the layout of the factory It is an object of the present invention to provide a vacuum deposition apparatus that is easy and can prevent unnecessary waste of space.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은,The present invention for achieving the above object,

진공용기와;A vacuum container;

상기 진공용기의 전면 개구부에 설치되어 개폐되는 도어와;A door installed at a front opening of the vacuum container and opened and closed;

상기 도어에 설치되어 코팅할 제품이 장착되는 회전지그와;A rotary jig installed on the door and mounted with a product to be coated;

상기 도어에 장착되어 상기 회전지그의 중앙 공간에 배치된 전열히터와;An electric heater mounted on the door and disposed in a central space of the rotary jig;

상기 진공용기의 내주면 양쪽의 상호 마주보는 위치에 설치된 타겟 및;A target installed at a position facing each other on both inner circumferential surfaces of the vacuum vessel;

상기 진공용기의 상기 타겟 주변 부분에 설치된 가스공급관을 포함한다.It includes a gas supply pipe installed in the peripheral portion of the target of the vacuum vessel.

또한, 상기 진공용기의 내주면 중앙에 RF전원에 연결된 플라즈마전극이 설치되고, 그 플라즈마전극 주변에 가스공급관이 설치될 수 있다.In addition, a plasma electrode connected to an RF power source may be installed at the center of the inner circumferential surface of the vacuum vessel, and a gas supply pipe may be installed around the plasma electrode.

또한, 상기 진공용기의 내주면 중앙에 이온건이 설치될 수 있다.In addition, an ion gun may be installed at the center of the inner circumferential surface of the vacuum vessel.

상기 플라즈마전극 또는 이온건과 상기 타겟의 사이에 AC전원에 연결된 플라즈마전극이 설치되고, 그 플라즈마전극 주변에 가스공급관이 설치된다.A plasma electrode connected to an AC power source is installed between the plasma electrode or ion gun and the target, and a gas supply pipe is installed around the plasma electrode.

상기 RF전원에 연결되는 플라즈마전극이 상기 도어에 더 설치될 수 있다.A plasma electrode connected to the RF power source may be further installed in the door.

상기 이온건이 상기 도어에 더 설치될 수 있다.The ion gun may be further installed on the door.

상기 전열히터는 상단이 도어의 상부판에 고정되고 전원에 연결된 한 쌍의 수직로드와, 상기 각 수직로드에 수평으로 장착된 연결단자와, 상기 양쪽 수직로드의 연결단자를 연결하는 필라멘트로 이루어지며, 상기 필라멘트에 증착물질이 구비된 것을 특징으로 한다.The electric heater is composed of a pair of vertical rods fixed to the top plate of the door and connected to a power supply, a connecting terminal mounted horizontally on each vertical rod, and a filament connecting the connecting terminals of both vertical rods. , The filament is characterized in that the deposition material is provided.

이상 설명한 바와 같은 본 발명에 따르면, 하나의 장치에서 증발 및 스퍼터링에 의한 증착 공정을 모두 수행할 수 있게 된다.According to the present invention as described above, it is possible to perform both the deposition process by evaporation and sputtering in one device.

또한, 플라즈마 스퍼터링 및 이온빔 스퍼터링을 모두 실시할 수 있고, 반응성 스퍼터링도 실시할 수 있다.In addition, both plasma sputtering and ion beam sputtering can be performed, and reactive sputtering can also be performed.

더불어 RF전원에 의한 플라즈마 전처리와 AC전원에 의한 플라즈마 전처리 및 이온빔에 의한 전처리도 실시할 수 있다.In addition, plasma pretreatment by RF power supply, plasma pretreatment by AC power supply, and pretreatment by ion beam can be performed.

상기와 같이 다양한 전처리 및 박막 성형 공정을 하나의 장치를 통해 수행할 수 있게 되므로 개별 장치를 각각 구비할 때에 비하여 설비 비용이 크게 절감되는 효과가 있다.As described above, various pretreatment and thin film forming processes may be performed through a single device, thereby greatly reducing the installation cost compared to when each individual device is provided.

또한, 공장내 레이아웃 설정이 용이해지고, 여유공간을 창출할 수 있게 되는 효과가 있다.In addition, the layout setting in the factory is easy, there is an effect that can create a free space.

이하, 본 발명을 첨부된 예시도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, the present invention will be described in detail.

도 1은 본 발명의 제1실시예로서, 진공 증착 장치의 평단면도 및 정단면도이다.1 is a plan sectional view and a front sectional view of a vacuum deposition apparatus as a first embodiment of the present invention.

진공용기(10)는 전방이 개구된 원통형으로서 개구부에는 도어(20)가 구비되어 개폐된다.The vacuum container 10 has a cylindrical shape with a front opening, and a door 20 is provided at the opening to open and close the vacuum container 10.

상기 도어(20)에는 회전지그(30)가 설치된다. 상기 회전지그(30)는 진공용기(10)의 외부에 구비된 모터(도시하지 않음)에 연결되어 구동된다.The rotary jig 30 is installed in the door 20. The rotary jig 30 is connected to and driven by a motor (not shown) provided outside of the vacuum container 10.

한편, 상기 회전지그(30)의 내부 공간에는 전열히터(40)가 구비된다.On the other hand, the heat transfer heater 40 is provided in the inner space of the rotary jig 30.

상기 전열히터(40)는 한 쌍의 수직로드(41)와, 상기 수직로드(41)에 장착된 연결단자(42)와, 상기 양쪽 수직로드(41)의 연결단자(42)를 연결하는 필라멘트(43)로 이루어진다.The heat transfer heater 40 is a filament for connecting a pair of vertical rod 41, the connection terminal 42 mounted on the vertical rod 41, and the connection terminal 42 of both vertical rods 41 It consists of 43.

상기 한 쌍의 수직로드(41)의 상단은 도어(20)의 상부판(21)에 장착되며, 진공용기(10) 외부에 구비된 전력공급장치에 연결된다.The upper ends of the pair of vertical rods 41 are mounted on the top plate 21 of the door 20 and are connected to a power supply device provided outside the vacuum vessel 10.

상기 수직로드(41)들에는 상기 연결단자(42)가 일정 간격마다 수평 상태로 장착되며, 동일한 높이에 장착된 양쪽 연결단자(42)의 사이에 상기 필라멘트(43)가 연결된다. 상기 필라멘트(43)는 보통 높은 용융점과 증발물질을 오염시키지 않을 정도의 낮은 (포화)증기압을 갖는 내화금속으로 제작되는데 주로 텅스텐(W)이나 탄탈륨(Ta) 사용되며, 상기 필라멘트(43)에 증착 재료가 되는 증착물질이 장착된다.The connecting terminal 42 is mounted in the horizontal state at regular intervals on the vertical rods 41, and the filament 43 is connected between both connecting terminals 42 mounted at the same height. The filament 43 is usually made of a refractory metal having a high melting point and a low (saturated) vapor pressure that does not contaminate evaporation material, and is mainly used tungsten (W) or tantalum (Ta), and is deposited on the filament 43. The deposition material used as the material is mounted.

한편, 상기 진공용기(10)의 내주면 좌우측에는 상호 마주보는 위치에 직사각형 플레이트 형상으로 이루어진 타겟(target;50)이 설치되고, 상기 타겟(50)은 캐소드(cathode)에 연결된다. 이에 대해 상기 회전지그(30)는 어노드(anode)에 연결 된다.On the other hand, on the left and right sides of the inner circumferential surface of the vacuum vessel 10, a target 50 having a rectangular plate shape is installed at a position facing each other, and the target 50 is connected to a cathode. On the other hand, the rotary jig 30 is connected to an anode.

또한, 상기 타겟(50) 양측부의 진공용기(10) 내주면에는 플라즈마 형성과 화학반응을 위한 아르곤(Ar), 아산화질소(N2O), 산소(O2) 및 HMDSO (hexamethyldisiloxane) 등의 사용 가스가 공급되는 가스공급관(60)이 설치된다.In addition, the inner circumferential surface of the vacuum container 10 at both sides of the target 50 may use gas such as argon (Ar), nitrous oxide (N 2 O), oxygen (O 2 ), and HMDSO (hexamethyldisiloxane) for plasma formation and chemical reaction. Gas supply pipe 60 is supplied is installed.

따라서, 상기 히터(40)에 전원을 공급하여 필라멘트(43)에서 발열이 이루어지면 그 열에 의해 증착물질이 용융 후 증발하여 상기 회전지그(30)에 장착된 제품에 증착된다.Therefore, when heat is generated in the filament 43 by supplying power to the heater 40, the deposition material is melted and evaporated by the heat and deposited on the product mounted on the rotary jig 30.

또한, 상기 가스공급관(60)을 통해 필요한 가스를 정량 공급하고 상기 회전지그(30)와 타겟(50)의 사이에 전원을 공급하면 플라즈마의 양이온 충격에 의해 타겟(50)의 표면입자가 방출되어 회전지그(30)에 장착된 제품에 증착된다.In addition, when the required gas is supplied quantitatively through the gas supply pipe 60 and power is supplied between the rotary jig 30 and the target 50, surface particles of the target 50 are released by the cationic impact of plasma. It is deposited on the product mounted on the rotary jig (30).

이와 같이, 상기 실시예에 따르면 하나의 장치를 이용하여 증발 증착과 스퍼터링 증착을 모두 행할 수 있게 된다.As described above, according to the embodiment, it is possible to perform both evaporation deposition and sputter deposition using one apparatus.

한편, 도 2에 도시된 바와 같이 본 발명은, 진공용기(10)의 외주면 내측 중앙에 직사각판재 형상의 RF플라즈마전극(70)이 더 설치될 수 있다.On the other hand, the present invention, as shown in Figure 2, the RF plasma electrode 70 of the rectangular plate shape may be further installed in the inner center of the outer peripheral surface of the vacuum vessel (10).

상기 RF플라즈마전극(70)에는 RF(Radio Frequency, 일반적으로 13.56MHz가 사용된다.)전원이 연결되며, RF플라즈마전극(70)의 주변에도 필요 가스 공급을 위한 가스공급관(61)이 설치된다.The RF plasma electrode 70 is connected to a RF (Radio Frequency, generally 13.56 MHz) power source. A gas supply pipe 61 for supplying a required gas is also installed in the vicinity of the RF plasma electrode 70.

상기 RF플라즈마전극(70)은 상기 도어(20)의 내주면에도 설치될 수 있으며, 그 주변에도 가스공급관(62)이 설치된다.The RF plasma electrode 70 may be installed on the inner circumferential surface of the door 20, and a gas supply pipe 62 is installed around the RF plasma electrode 70.

또한, 상기 RF플라즈마전극(70) 대신에 동일한 설치위치에 반응성가스 이온빔소스 즉, 반응성가스 이온을 조사하는 이온건(80)이 장착될 수 있다. 상기 이온건(80)도 직사각판형 타입이다.In addition, instead of the RF plasma electrode 70, an ion gun 80 for irradiating a reactive gas ion beam source, that is, reactive gas ions, may be mounted at the same installation position. The ion gun 80 is also a rectangular plate type.

따라서, 상기 증발 증착 또는 스퍼터링 증착 공정을 행하기 전에 상기 RF플라즈마전극(70)에 RF전원을 연결하고, Ar, N2O, O2, HMDSO 등을 가스공급관(61,62)을 통해 공급하여 플라즈마를 발생시켜서 제품의 표면을 개질(전처리)하여 이후 증착 공정에서의 코팅물질 증착이 원활히 이루어질 수 있도록 할 수 있다.Therefore, before performing the evaporation deposition or sputtering deposition process, RF power is connected to the RF plasma electrode 70 and Ar, N 2 O, O 2 , HMDSO, etc. are supplied through the gas supply pipes 61 and 62. Plasma may be generated to modify (pretreat) the surface of the product so that the coating material may be smoothly deposited in a subsequent deposition process.

또한, 상기 이온건(80)이 장착된 경우에도 이온건(80)으로부터 방출되는 이온입자를 상기 제품의 표면에 조사하여 전처리 공정을 행할 수도 있다.In addition, even when the ion gun 80 is mounted, the pretreatment step may be performed by irradiating the surface of the product with the ion particles emitted from the ion gun 80.

한편, 본 발명은 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 진공용기(10)의 내주면에 AC플라즈마전극(90)이 더 설치될 수 있다.Meanwhile, in the present invention, as shown in FIG. 3, an AC plasma electrode 90 may be further installed on the inner circumferential surface of the vacuum container 10.

상기 AC플라즈마전극(90)은 AC전원에 연결되며, 전극은 도시된 바와 같이 원형의 바(bar) 형태이거나 또는 전술한 RF플라즈마전극(70)과 동일하게 직사각판형일 수 있다.The AC plasma electrode 90 is connected to an AC power source, and the electrode may have a circular bar shape as shown, or may have a rectangular plate shape similar to the RF plasma electrode 70 described above.

상기 AC플라즈마전극(90)의 양측부에도 가스공급관(63)이 설치된다.Gas supply pipes 63 are also provided at both sides of the AC plasma electrode 90.

상기 AC플라즈마전극(90) 역시 제품의 표면 전처리용으로서, 전극에 AC전원을 인가하고 Ar 또는 O2를 공급하여 플라즈마를 형성하며, 이에 플라즈마 이온이 제품표면에 입사되어 제품 표면을 활성화시킴으로써 이후 증착 공정에서 모재(제품)와 막의 밀착성을 증대시킨다.The AC plasma electrode 90 is also used for pretreatment of the surface of the product, by applying AC power to the electrode and supplying Ar or O 2 to form a plasma, whereby plasma ions are incident on the surface of the product to activate the surface of the product, which is subsequently deposited. In the process, the adhesion between the base material (product) and the film is increased.

한편, 상기와 같은 전처리 공정 후에는 상기 타겟(50)을 플라즈마 스퍼터링 또는 이온빔 스퍼터링하여 방출된 타겟 입자를 제품 표면에 증착시킬 수 있다.Meanwhile, after the pretreatment process as described above, the target particles released by plasma sputtering or ion beam sputtering may be deposited on the surface of the product.

상기 타겟(50)의 재료로는 Ti, Si, Al, Cr, Sn, Zn, In, Ag 및 이들의 합금을 사용할 수 있다.As the material of the target 50, Ti, Si, Al, Cr, Sn, Zn, In, Ag, and alloys thereof may be used.

또한, 반응성 가스로서 O2, N2, N2O, CH4, C2H2, NH4 등을 공급하여 스퍼터링 아웃된 타겟 입자와 반응시키는 반응성 스퍼터링을 실시함으로써 제품의 표면에 산화막, 질화막, 탄화막 등을 형성할 수 있다. 이는 상기 이온건(80)을 통해 반응성 가스 이온을 직접 조사함으로써도 실시 가능하다.In addition, by supplying reactive gases such as O 2 , N 2 , N 2 O, CH 4 , C 2 H 2 , NH 4 , and the like to react with the sputtered out target particles, reactive sputtering is performed on the surface of the product to obtain an oxide film, a nitride film, A carbide film and the like can be formed. This can also be done by directly irradiating reactive gas ions through the ion gun 80.

또한, 상기 타겟과 반응성가스의 종류에 따라서 형성되는 박막의 고유 색상이 정해지게 되는데, 이를 이용하여 타겟과 반응성가스의 재질을 변경함으로써 원하는 색상의 칼라층을 형성할 수도 있다.In addition, the intrinsic color of the thin film to be formed is determined according to the type of the target and the reactive gas, it is also possible to form a color layer of a desired color by changing the material of the target and the reactive gas.

상기와 같이, 하나의 진공용기에 전열히터, 음극 타겟, 양극 회전지그, RF플라즈마전극, 이온건, AC플라즈마전극 등이 구비됨으로써 다양한 방식의 전처리가 가능함은 물론 증발 증착과 스퍼터링 증착을 모두 실시할 수 있고, 각각의 증착 공정을 시행함에 있어 플라즈마, 이온빔을 모두 이용할 수 있게 된다.As described above, a single vacuum vessel is provided with a heat transfer heater, a cathode target, an anode rotating jig, an RF plasma electrode, an ion gun, an AC plasma electrode, and the like, and various methods of pretreatment are possible, as well as both evaporation and sputtering deposition. In each deposition process, both plasma and ion beams can be used.

도 1은 본 발명에 따라 전열히터와 스퍼터링용 타겟을 갖춘 진공 증착 장치의 평단면도 및 정단면도,1 is a plan sectional view and a front sectional view of a vacuum deposition apparatus having a heat transfer heater and a sputtering target according to the present invention;

도 2는 도 1의 실시예에 RF플라즈마전극 또는 이온건이 더 설치된 상태의 평단면도 및 정단면도,2 is a plan sectional view and a front sectional view of the RF plasma electrode or ion gun further installed in the embodiment of FIG.

도 3은 도 2의 실시예에 AC플라즈마전극이 더 설치된 상태의 평단면도 및 정단면도이다.3 is a plan sectional view and a front sectional view of the AC plasma electrode is further installed in the embodiment of FIG.

10 : 진공용기 20 : 도어10: vacuum container 20: door

30 : 회전지그 40 : 전열히터30: rotary jig 40: electric heater

41 : 수직로드 42 : 연결단자41: vertical rod 42: connection terminal

43 : 필라멘트 50 : 타겟43: filament 50: target

60,61,62,63 : 가스공급관 70 : RF플라즈마전극60, 61, 62, 63: gas supply pipe 70: RF plasma electrode

80 : 이온건 90 : AC플라즈마전극80: ion gun 90: AC plasma electrode

Claims (7)

진공용기와;A vacuum container; 상기 진공용기의 전면 개구부에 설치되어 개폐되는 도어와;A door installed at a front opening of the vacuum container and opened and closed; 상기 도어에 설치되어 코팅할 제품이 장착되는 회전지그와;A rotary jig installed on the door and mounted with a product to be coated; 상기 도어에 장착되어 상기 회전지그의 중앙 공간에 배치된 전열히터와;An electric heater mounted on the door and disposed in a central space of the rotary jig; 상기 진공용기의 내주면 양쪽의 상호 마주보는 위치에 설치된 타겟 및;A target installed at a position facing each other on both inner circumferential surfaces of the vacuum vessel; 상기 진공용기의 상기 타겟 주변 부분에 설치된 가스공급관을 포함하는 진공 증착 장치.And a gas supply pipe installed around the target peripheral portion of the vacuum container. 청구항 1에 있어서, 상기 진공용기의 내주면 중앙에 RF전원에 연결된 플라즈마전극이 설치되고, 그 플라즈마전극 주변에 가스공급관이 설치된 것을 특징으로 하는 진공 증착 장치.The vacuum deposition apparatus according to claim 1, wherein a plasma electrode connected to an RF power source is installed at the center of the inner circumferential surface of the vacuum vessel, and a gas supply pipe is installed around the plasma electrode. 청구항 1에 있어서, 상기 진공용기의 내주면 중앙에 이온건이 설치된 것을 특징으로 하는 진공 증착 장치.The vacuum vapor deposition apparatus according to claim 1, wherein an ion gun is installed at the center of the inner circumferential surface of the vacuum vessel. 청구항 2 또는 3중 어느 한 항에 있어서, 상기 플라즈마전극 또는 상기 이온건과 상기 타겟의 사이에 AC전원에 연결된 플라즈마전극이 설치되고, 그 플라즈마전극 주변에 가스공급관이 설치된 것을 특징으로 하는 진공 증착 장치.The vacuum deposition apparatus according to claim 2 or 3, wherein a plasma electrode connected to an AC power source is provided between the plasma electrode or the ion gun and the target, and a gas supply pipe is installed around the plasma electrode. . 청구항 2에 있어서, 상기 RF전원에 연결되는 플라즈마전극이 상기 도어에 더 설치된 것을 특징으로 하는 진공 증착 장치.The vacuum deposition apparatus according to claim 2, wherein a plasma electrode connected to the RF power source is further installed in the door. 청구항 3에 있어서, 상기 이온건이 상기 도어에 더 설치된 것을 특징으로 하는 진공 증착 장치.The vacuum deposition apparatus according to claim 3, wherein the ion gun is further installed on the door. 청구항 1에 있어서, 상기 전열히터는 상단이 도어의 상부판에 고정되고 전원에 연결된 한 쌍의 수직로드와, 상기 각 수직로드에 수평으로 장착된 연결단자와, 상기 양쪽 수직로드의 연결단자를 연결하는 필라멘트로 이루어지며, 상기 필라멘트에 증착물질이 구비된 것을 특징으로 하는 진공 증착 장치.The method of claim 1, wherein the electric heater is connected to a pair of vertical rods of which the upper end is fixed to the top plate of the door and connected to the power, horizontally mounted on each of the vertical rods, and connecting the connection terminals of both vertical rods It is made of a filament, the vacuum deposition apparatus characterized in that the deposition material is provided on the filament.
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