KR20090122688A - Clock delay circuit - Google Patents
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Abstract
본 발명은 클럭 지연 회로에 관한 것으로, 클럭신호가 제 1 레벨인 동안 입력신호를 반전하여 제 1 출력신호로서 출력하는 제 1 논리 조합부; 상기 제 1 출력신호가 제 2 레벨인 동안 상기 클럭신호를 반전하여 제 2 및 제 3 출력신호로서 출력하는 제 2 논리 조합부; 상기 클럭신호가 제 2 레벨인 동안 상기 제 2 출력신호를 반전하여 상기 제 1 논리 조합부에 입력되는 상기 입력신호 및 제 4 출력신호로서 출력하는 제 3 논리 조합부; 및 상기 제 3 및 제 4 출력신호를 논리 조합하여 상기 클럭신호보다 큰 주기를 갖는 지연클럭 신호를 출력하는 지연신호 출력부를 포함한다.The present invention relates to a clock delay circuit, comprising: a first logic combination section for inverting an input signal and outputting it as a first output signal while the clock signal is at a first level; A second logic combination unit for inverting the clock signal and outputting the second and third output signals while the first output signal is at a second level; A third logic combiner for inverting the second output signal while the clock signal is at a second level and outputting the input signal and the fourth output signal input to the first logic combiner; And a delay signal output unit configured to logically combine the third and fourth output signals to output a delay clock signal having a period greater than that of the clock signal.
Description
본 발명은 클럭 지연 회로에 관한 것으로, 회로를 구성하는 소자를 변경하여 작은 사이즈로 구현될 수 있는 클럭 지연 회로에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a clock delay circuit, and more particularly, to a clock delay circuit that can be implemented in a small size by changing elements constituting the circuit.
메모리 회로나 여러 가지 IC(Integrated Circuit)가 올바른 동작을 하기 위해서는 적절한 전압의 공급이 요구된다. 특히 이들 회로에 높은 전압이 요구될 때에는 클럭신호(CLK)에 응답하여 동작하는 펌프 회로가 사용된다. 클럭신호(CLK)는 생성하고자 하는 전압의 크기에 따라 클럭신호(CLK)의 주파수 및 폭이 조절된다. 클럭신호(CLK)의 주파수는 다수의 논리 게이트를 포함하는 클럭지연 회로를 통해 조절된다.Proper voltage supply is required for correct operation of memory circuits and various integrated circuits (ICs). In particular, when a high voltage is required for these circuits, a pump circuit that operates in response to the clock signal CLK is used. The frequency and width of the clock signal CLK are adjusted according to the magnitude of the voltage to be generated. The frequency of the clock signal CLK is adjusted through a clock delay circuit including a plurality of logic gates.
이러한 클럭지연 회로는 일반적으로 인버터와 플립플롭을 사용하여 구성된다. 특히 플립플롭 회로는 데이터의 일시적인 보존이나 지연에 사용되는 회로로서 주로 RS(Reset-Set) 래치를 사용함으로써 면적이 커진다.Such clock delay circuits are typically constructed using inverters and flip-flops. In particular, the flip-flop circuit is a circuit used for temporarily preserving or delaying data, and the area is large by using a reset-set (RS) latch.
클럭 지연 회로의 면적이 커지게 되면, 클럭 지연 회로가 필수적으로 필요한 메모리 회로나 IC의 전체 회로 면적이 커지는 것을 의미한다.As the area of the clock delay circuit increases, it means that the total circuit area of the memory circuit or the IC in which the clock delay circuit is necessary is increased.
도 1은 클럭지연 회로의 블록도이다.1 is a block diagram of a clock delay circuit.
도 1을 참조하면, 클럭 지연 회로는 제 1 및 제 2 인버터(IN1, IN2)와 클럭 지연부(100)를 포함한다.Referring to FIG. 1, a clock delay circuit includes first and second inverters IN1 and IN2 and a
제 1 인버터(IN1)는 입력되는 클럭(CLK)을 반전한다. 제 1 인버터(IN1)의 출력신호는 클럭지연부(100)의 제 1 입력단(CP)으로 입력된다. 그리고 내부적으로 제 1 입력단(CP)으로 입력되는 신호를 일정시간 지연시켜 출력단(Q)으로 출력한다.The first inverter IN1 inverts the input clock CLK. The output signal of the first inverter IN1 is input to the first input terminal CP of the
제 2 인버터(IN2)는 클럭지연부(100)의 출력단(Q)에서 출력되는 신호를 반전하여 출력한다. 제 2 인버터(IN2)는 지연클럭신호(CLK_D)이다.The second inverter IN2 inverts and outputs the signal output from the output terminal Q of the
상기의 지연클럭부(100)는 제 1 입력단(CP)으로 입력되는 신호를 일정시간 지연시켜 출력하기 위해서 RS(Reset-Set) 플립플롭 회로가 포함된다. 이러한 플립플롭 회로는 전체 클럭지연 회로의 면적이 커지게 한다.The
따라서 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 플립플롭이나 인버터에 비해서 작은 면적을 차지하는 트랜지스터를 이용하여 면적을 줄일 수 있는 클럭 지연 회로를 제공하는데 있다.Accordingly, an aspect of the present invention is to provide a clock delay circuit that can reduce an area by using a transistor that occupies a smaller area than a flip-flop or an inverter.
본 발명의 특징에 따른 클럭 지연 회로는,A clock delay circuit according to a feature of the invention,
클럭신호가 제 1 레벨인 동안 입력신호를 반전하여 제 1 출력신호로서 출력하는 제 1 논리 조합부; 상기 제 1 출력신호가 제 2 레벨인 동안 상기 클럭신호를 반전하여 제 2 및 제 3 출력신호로서 출력하는 제 2 논리 조합부; 상기 클럭신호가 제 2 레벨인 동안 상기 제 2 출력신호를 반전하여 상기 제 1 논리 조합부에 입력되는 상기 입력신호 및 제 4 출력신호로서 출력하는 제 3 논리 조합부; 및 상기 제 3 및 제 4 출력신호를 논리 조합하여 상기 클럭신호보다 큰 주기를 갖는 지연클럭 신호를 출력하는 지연신호 출력부를 포함한다.A first logic combination unit for inverting the input signal and outputting the first output signal as the first output signal while the clock signal is at the first level; A second logic combination unit for inverting the clock signal and outputting the second and third output signals while the first output signal is at a second level; A third logic combiner for inverting the second output signal while the clock signal is at a second level and outputting the input signal and the fourth output signal input to the first logic combiner; And a delay signal output unit configured to logically combine the third and fourth output signals to output a delay clock signal having a period greater than that of the clock signal.
상기 제 2 논리 조합부에서, 상기 제 2 출력신호는, 상기 제 1 출력신호가 제 1 레벨인 동안에는 상기 클럭신호에 따라 풀업 되거나 풀업된 상태를 홀드 하여 출력되고, 상기 제 1 출력신호가 제 2 레벨인 동안에는 상기 클럭신호의 반전된 신호를 출력하고, 상기 제 3 출력신호는, 상기 제 1 출력신호가 제 1 레벨인 동안에는 클럭신호에 따라서 풀다운 되거나 풀다운된 상태를 홀드 하여 출력되고, 상기 제 1 출력신호가 제 2 레벨인 동안에는 상기 클럭신호의 반전된 신호를 출력하는 것을 특징으로 한다.In the second logic combination unit, the second output signal is output by holding a pulled up or pulled up state according to the clock signal while the first output signal is at a first level, and the first output signal is output to the second output signal. The inverted signal of the clock signal is output while the level is low, and the third output signal is output by holding a pulled down or pulled down state according to a clock signal while the first output signal is in the first level. The inverted signal of the clock signal is output while the output signal is at the second level.
상기 제 3 논리 조합부에서, 상기 입력신호는, 상기 제 2 출력신호가 제 1 레벨인 동안에는 상기 클럭신호에 따라서 출력상태가 유지되거나 풀다운 하거나, 풀다운 상태를 유지하고, 상기 제 2 출력신호가 제 2 레벨인 동안에는 상기 클럭신호에 따라서 풀업 하여 출력되며, 상기 제 4 출력신호는, 상기 제 2 출력신호의 반전된 신호와 같은 것을 특징으로 한다.In the third logic combination unit, the input signal is maintained in an output state or pulled down or maintains a pull-down state in accordance with the clock signal while the second output signal is at a first level. During the second level, the output signal is pulled up according to the clock signal, and the fourth output signal is the same as the inverted signal of the second output signal.
상기 지연 클럭신호는 상기 제 1 출력신호의 반전된 신호와 같은 것을 특징으로 한다.The delay clock signal is characterized in that the same as the inverted signal of the first output signal.
상기 지연신호 출력부는 노아(NOR) 게이트를 포함하는 것을 특징으로 한다.The delay signal output unit may include a NOR gate.
상기 제 1 레벨은 로우 레벨이고, 제 2 레벨은 하이 레벨인 것을 특징으로 한다.The first level is a low level, the second level is characterized in that the high level.
상기 제 1 논리 조합부는, 제 1타입의 제 1 및 제 2 트랜지스터와 상기 제 1타입의 트랜지스터와 반대 타입인 제 2 타입의 제 3 트랜지스터를 포함하고, 상기 제 1 내지 제 3 트랜지스터는 전원전압노드와 접지노드 사이에 직렬로 연결되는 것을 특징으로 한다.The first logic combiner includes first and second transistors of a first type and a third transistor of a second type opposite to the transistor of the first type, wherein the first to third transistors are power supply voltage nodes. And is connected in series between the ground node.
상기 제 1 및 제 3 트랜지스터의 게이트에는 상기 입력신호가 입력되고, 상기 제 2 트랜지스터의 게이트에는 클럭신호가 입력되고, 상기 제 2 및 제 3 트랜지스터의 접점으로부터 상기 제 1 출력신호가 출력되는 것을 특징으로 한다.The input signal is input to the gates of the first and third transistors, the clock signal is input to the gates of the second transistor, and the first output signal is output from the contacts of the second and third transistors. It is done.
상기 제 2 논리 조합부는, 상기 제 1 타입의 제 4 트랜지스터와, 상기 제 2 타입의 제 5 및 제 6 트랜지스터를 포함하고, 상기 제 4 내지 제 6 트랜지스터는 전원전압 노드와 접지노드 사이에 직렬로 연결되는 것을 특징으로 한다.The second logic combination portion includes a fourth transistor of the first type and fifth and sixth transistors of the second type, wherein the fourth to sixth transistors are connected in series between a power supply node and a ground node. It is characterized in that the connection.
상기 제 4 및 제 6 트랜지스터의 게이트에는 상기 클럭신호가 입력되고, 상기 제 5 트랜지스터에의 게이트에는 상기 제 1 출력신호가 입력되고, 상기 제 4 및 제 5 트랜지스터의 접점으로부터 상기 제 2 출력신호가 출력되고, 상기 제 5 및 제 6 트랜지스터의 접점으로부터 상기 제 3 출력신호가 출력되는 것을 특징으로 한다.The clock signal is input to the gates of the fourth and sixth transistors, the first output signal is input to the gate of the fifth transistor, and the second output signal is input from the contacts of the fourth and fifth transistors. And the third output signal is output from the contacts of the fifth and sixth transistors.
상기 제 3 논리 조합부는, 상기 제 1 타입의 제 7 트랜지스터와, 상기 제 2 타입의 제 8 및 제 9 트랜지스터를 포함하고, 상기 제 7 내지 제 9 트랜지스터는 전원전압 노드와 접지노드 사이에 직렬로 연결되는 것을 특징으로 한다.The third logic combiner includes a seventh transistor of the first type and eighth and ninth transistors of the second type, wherein the seventh to ninth transistors are connected in series between a power supply node and a ground node. It is characterized in that the connection.
상기 제 7 및 제 9 트랜지스터의 게이트에는 상기 제 2 출력신호가 입력되고, 상기 제 8 트랜지스터에의 게이트에는 상기 클럭신호가 입력되고, 상기 제 7 및 제 8 트랜지스터의 접점으로부터 상기 입력신호가 출력되고, 상기 제 8 및 제 9 트랜지스터의 접점으로부터 상기 제 4 출력신호가 출력되는 것을 특징으로 한다.The second output signal is input to the gates of the seventh and ninth transistors, the clock signal is input to the gate of the eighth transistor, and the input signal is output from the contacts of the seventh and eighth transistors. And the fourth output signal is output from the contacts of the eighth and ninth transistors.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 클럭 지연 회로는 플립플롭이나 인버터로 구성되어 큰 면적을 차지했던 회로의 구성을 트랜지스터를 이용해서 구현하여 전체 면적을 줄일 수 있다.As described above, the clock delay circuit according to the present invention can reduce the total area by using transistors to implement the circuit configuration, which includes a flip-flop or an inverter and occupies a large area.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도 록 하며 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but can be implemented in various forms, and only the present embodiments are intended to make the disclosure of the present invention complete and to those skilled in the art. It is provided for complete information.
도 2a는 본 발명의 실시 예에 따른 클럭 지연회로의 블록도이다.2A is a block diagram of a clock delay circuit according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 2a를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 클럭 지연 회로(200)는 제 1 내지 제 3 논리 조합부(210 내지 230) 및 지연신호 출력부(240)를 포함한다.Referring to FIG. 2A, the
제 1 내지 제 3 논리 조합부(210 내지 230)는 각각 클럭신호(CLK)에 따라서 입력되는 신호를 반전하여 출력한다. 그리고 지연신호 출력부(240)는 제 2 및 제 3 논리 조합부(220, 230)의 출력신호를 논리 조합하여 지연된 클럭신호(CLK_D)로 출력한다.The first to third
도 2b는 도 2a의 상세 회로도이다.FIG. 2B is a detailed circuit diagram of FIG. 2A.
도 2b를 참조하면, 제 1 논리 조합부(210)는 제 1 및 제 2 PMOS 트랜지스터(P1, P2)와 제 1 NMOS 트랜지스터(N1)를 포함하고, 제 2 논리 조합부(220)는 제 3 PMOS 트랜지스터(P3)와 제 2 및 제 3 NMOS 트랜지스터(N2, N3)를 포함한다.Referring to FIG. 2B, the first logic combiner 210 includes first and second PMOS transistors P1 and P2 and a first NMOS transistor N1, and the second logic combiner 220 includes a third transistor. PMOS transistor P3 and second and third NMOS transistors N2 and N3.
제 3 논리 조합부(230)는 제 4 PMOS 트랜지스터(P4)와 제 4 및 제 5 NMOS 트랜지스터(N4, N5)를 포함하고, 지연신호 출력부(240)는 노아 게이트(NOR)를 포함한다.The third logic combiner 230 includes a fourth PMOS transistor P4 and fourth and fifth NMOS transistors N4 and N5, and the delay
제 1 논리 조합부(210)에서 제 1 및 제 2 PMOS 트랜지스터(P1, P2)와 제 1 NMOS 트랜지스터(N1)는 전원전압 노드와 접지노드 사이에 직렬로 연결된다. 제 1 PMOS 트랜지스터(P1)와 제 1 NMOS 트랜지스터(N1)의 게이트에는 제 3 논리 조합부(230)에서 출력되는 제 3 신호(C)가 입력된다.In the first
제 2 PMOS 트랜지스터(P2)의 게이트에는 클럭신호(CLK)가 입력된다. 제 2 PMOS 트랜지스터(P2)와 제 1 NMOS 트랜지스터(N1)의 접점인 노드(K1)는 제 2 논리 조합부(220)로 입력된다.The clock signal CLK is input to the gate of the second PMOS transistor P2. The node K1, which is a contact point of the second PMOS transistor P2 and the first NMOS transistor N1, is input to the second
제 2 논리 조합부(220)에서 제 3 PMOS 트랜지스터(P3)와 제 2 및 제 3 NMOS 트랜지스터(N2, N3)는 전원전압 노드와 접지노드 사이에 직렬로 연결된다. 제 3 PMOS 트랜지스터(P3)와 제 3 NMOS 트랜지스터(N3)의 게이트에는 클럭신호(CLK)가 입력된다.In the second
제 2 NMOS 트랜지스터(N2)의 게이트에는 제 1 논리 조합부(210)의 노드(K1)가 연결된다. 제 3 PMOS 트랜지스터(P3)와 제 2 NMOS 트랜지스터(N2)의 접점인 노드(K2)는 제 3 논리 조합부(230)로 연결된다. 그리고 제 2 NMOS 트랜지스터(N2)와 제 3 NMOS 트랜지스터(N3)의 접점인 노드(K3)에서 제 1 신호(A)가 출력된다.The node K1 of the first
제 3 논리 조합부(230)의 제 4 PMOS 트랜지스터(P4)와 제 4 및 제 5 NMOS 트랜지스터(N4, N5)는 전원전압 노드와 접지노드 사이에 직렬로 연결된다. 제 4 PMOS 트랜지스터(P4)와 제 5 NMOS 트랜지스터(N5)의 게이트에는 제 2 논리 조합부(220)의 노드(K2)가 연결된다.The fourth PMOS transistor P4 and the fourth and fifth NMOS transistors N4 and N5 of the third
제 4 NMOS 트랜지스터(N4)의 게이트에 클럭신호(CLK)가 입력된다. 제 4 NMOS 트랜지스터(N4)와 제 5 NMOS 트랜지스터(N5)의 접점인 노드(K5)에서 제 2 신호(B)가 출력되고, 제 4 PMOS 트랜지스터(P4)와 제 4 NMOS 트랜지스터(N4)의 접점인 노드(K4)에서 제 3 신호(C)가 출력된다.The clock signal CLK is input to the gate of the fourth NMOS transistor N4. The second signal B is output from the node K5, which is a contact point of the fourth NMOS transistor N4 and the fifth NMOS transistor N5, and the contact point of the fourth PMOS transistor P4 and the fourth NMOS transistor N4. The third signal C is output from the in node K4.
상기 제 2 및 제 3 신호(B, C)는 각각 노아 게이트(NOR)로 입력된다. 노아 게이트(NOR)는 제 2 및 제 3 신호(B, C)를 노아 연산하여 지연클럭신호(CLK_D)로서 출력한다.The second and third signals B and C are respectively input to the NOR gate NOR. The NOR gate NOR performs a NOR operation on the second and third signals B and C and outputs the delayed clock signal CLK_D.
상기 클럭지연회로(200)의 동작을 다음의 타이밍 도를 이용해서 설명하면 다음과 같다.The operation of the
도 3은 도 2b의 동작 설명을 위한 타이밍도이다.3 is a timing diagram for describing an operation of FIG. 2B.
도 3을 참조하면, 클럭신호(CLK)가 변경되는 시간에 따라서 각각의 동작을 설명한다. 즉 제 1 내지 제 4 구간(T1 내지 T4)로 나누어 각각 설명하겠다.Referring to FIG. 3, each operation will be described according to the time when the clock signal CLK is changed. That is, each of the first to fourth sections T1 to T4 will be described.
이때, 초기에 파워 온 리셋 신호의 입력에 의해서 노드(K1)가 로우 레벨로 세팅되고, 제 1 신호(A)는 로우 레벨로 세팅되며, 제 3 제어신호(C)는 하이 레벨로 세팅된다. 노드(K1)가 로우 레벨이면 제 2 NMOS 트랜지스터(N2)는 턴 오프 된다. 그리고 제 3 신호(C)가 하이 레벨이면, 제 1 NMOS 트랜지스터(N1)가 턴 온 된다.At this time, the node K1 is initially set to the low level by the input of the power-on reset signal, the first signal A is set to the low level, and the third control signal C is set to the high level. When the node K1 is at the low level, the second NMOS transistor N2 is turned off. When the third signal C is at the high level, the first NMOS transistor N1 is turned on.
그리고 제 1 구간(T1)에서 클럭신호(CLK)가 로우 레벨로 입력되면, 제 2 및 제 3 PMOS 트랜지스터(P2, P3)는 턴 온 된다. 제 3 PMOS 트랜지스터(P3)가 턴온 되면 노드(K2)는 하이 레벨이 된다. 노드(K2)가 하이 레벨이 되면 제 5 NMOS 트랜지스터(N5)가 턴 온 된다. 따라서 제 2 신호(B)가 로우 레벨이 된다.When the clock signal CLK is input at the low level in the first period T1, the second and third PMOS transistors P2 and P3 are turned on. When the third PMOS transistor P3 is turned on, the node K2 is at a high level. When the node K2 is at the high level, the fifth NMOS transistor N5 is turned on. Therefore, the second signal B is at a low level.
제 1 구간(T1)에서 제 1 신호(A)는 로우 레벨이고, 제 2 신호(B)는 로우 레벨이다. 따라서 노아 게이트(NOR)가 출력하는 지연클럭 신호(CLK_D)는 하이 레벨이다.In the first period T1, the first signal A is at a low level, and the second signal B is at a low level. Therefore, the delay clock signal CLK_D output from the NOR gate NOR is at a high level.
다음으로 클럭신호(CLK)가 하이 레벨인 제 2 구간(T2)에서 제 2 PMOS 트랜지스터(P2)는 턴 오프 된다. 이때 제 1 구간(T1)에서 제 3 신호(C)가 하이 레벨인 상 태이므로 제 1 NMOS 트랜지스터(N1)는 턴 온 상태이다. 따라서 노드(K1)는 로우 레벨이 유지된다.Next, the second PMOS transistor P2 is turned off in the second period T2 at which the clock signal CLK is at a high level. In this case, since the third signal C is at the high level in the first period T1, the first NMOS transistor N1 is turned on. Therefore, the node K1 is maintained at a low level.
그리고 하이 레벨의 클럭신호(CLK)에 의해서 제 3 및 제 4 NMOS 트랜지스터(N3, N4)가 턴 온 된다. 제 3 NMOS 트랜지스터(N3)가 턴 온 되면, 노드(K3)가 접지노드에 연결되므로 제 1 신호(A)는 로우 레벨이 유지된다. 그리고 제 4 NMOS 트랜지스터(N4)가 턴온 되면, 제 3 신호(C)가 로우 레벨로 변경된다. The third and fourth NMOS transistors N3 and N4 are turned on by the high level clock signal CLK. When the third NMOS transistor N3 is turned on, since the node K3 is connected to the ground node, the first signal A is maintained at a low level. When the fourth NMOS transistor N4 is turned on, the third signal C is changed to the low level.
상기 제 2 구간(T2)에서 제 1 신호(A)와 제 2 신호(B)가 모두 로우 레벨이고, 노아 게이트(NOR)는 하이 레벨의 지연클럭신호(CLK_D)를 출력한다.In the second period T2, both the first signal A and the second signal B are at a low level, and the NOR gate NOR outputs a high level delay clock signal CLK_D.
제 3 구간(T3)에서 클럭신호(CLK)는 로우 레벨로 변경된다. 클럭신호(CLK)가 로우 레벨이 되면, 제 2 및 제 3 PMOS 트랜지스터(PP2, P3)가 턴온 된다. 이때 제 3 신호(C)가 제 2 구간(T2)에서 로우 레벨이었으므로, 제 1 PMOS 트랜지스터(P1)가 턴온 상태이다. 따라서 제 1 및 제 2 PMOS 트랜지스터(P1, P2)가 턴 온 되고, 노드(K1)는 하이 레벨이 된다.In the third section T3, the clock signal CLK is changed to the low level. When the clock signal CLK is at the low level, the second and third PMOS transistors PP2 and P3 are turned on. At this time, since the third signal C was at the low level in the second period T2, the first PMOS transistor P1 is turned on. Therefore, the first and second PMOS transistors P1 and P2 are turned on, and the node K1 is at a high level.
노드(K1)가 하이 레벨이 되면 제 2 NMOS 트랜지스터(N2)가 턴온 된다. 따라서 제 3 PMOS 트랜지스터(P3)와 제 2 NMOS 트랜지스터(N2)가 턴온 되어 노드(K2)와 제 1 신호(A)가 모두 하이 레벨이 된다.When the node K1 is at a high level, the second NMOS transistor N2 is turned on. Accordingly, the third PMOS transistor P3 and the second NMOS transistor N2 are turned on so that the node K2 and the first signal A are both at a high level.
노드(K2)가 하이 레벨인 상태에서 제 5 NMOS 트랜지스터(N5)는 턴온 상태이다. 그리고 클럭신호(CLK)에 의해서 제 4 NMOS 트랜지스터(N4)는 턴 상태이다. 따라서 제 3 신호(C)는 제 2 구간(C)에서의 로우 레벨 상태가 그대로 유지된다. The fifth NMOS transistor N5 is turned on while the node K2 is at a high level. The fourth NMOS transistor N4 is turned on by the clock signal CLK. Therefore, the low level state of the third signal C is maintained in the second period C.
상기 제 3 구간(T3)에서 제 1 신호(A)는 하이 레벨이고, 제 2 신호(B)는 로 우 레벨이다. 따라서 노아 게이트(NOR)는 로우 레벨의 지연클럭신호(CLK_D)를 출력한다.In the third section T3, the first signal A is at a high level and the second signal B is at a low level. Therefore, the NOR gate NOR outputs a low level delay clock signal CLK_D.
마지막으로 제 4 구간(T4)에서 클럭신호(CLK)는 하이 레벨로 다시 변경된다. 클럭신호(CLK)가 하이 레벨이 되면, 제 3 및 제 4 NMOS 트랜지스터(N3, N4)가 턴온 된다.Finally, in the fourth period T4, the clock signal CLK is changed back to the high level. When the clock signal CLK is at the high level, the third and fourth NMOS transistors N3 and N4 are turned on.
제 3 구간(T3)에서 제 3 신호(C)가 로우 레벨이므로 제 1 PMOS 트랜지스터(P1)가 턴온 상태이고, 제 1 NMOS 트랜지스터(N1)가 턴 오프 상태이다. 따라서 제 3 구간(T3)에서 하이 레벨이던 노드(K1)는 하이 레벨로 유지된다.Since the third signal C is at the low level in the third period T3, the first PMOS transistor P1 is turned on and the first NMOS transistor N1 is turned off. Therefore, the node K1, which was at the high level in the third section T3, is maintained at the high level.
노드(K1)가 하이 레벨이면, 제 2 NMOS 트랜지스터(N2)는 턴온 된다. 그리고 클럭신호(CLK)에 의해서 제 3 NMOS 트랜지스터(N3)가 턴온 되면, 노드(K2)와 제 1 신호(A)는 로우 레벨이 된다. When the node K1 is at a high level, the second NMOS transistor N2 is turned on. When the third NMOS transistor N3 is turned on by the clock signal CLK, the node K2 and the first signal A become a low level.
노드(K2)가 로우 레벨이 되면, 제 4 PMOS 트랜지스터(P4)가 턴온 된다. 그리고 클럭신호에 의해서 제 4 NMOS 트랜지스터(N4)가 턴 온 되면, 제 2 및 제 3 신호(B, C)는 하이 레벨이 된다.When the node K2 is at the low level, the fourth PMOS transistor P4 is turned on. When the fourth NMOS transistor N4 is turned on by the clock signal, the second and third signals B and C are at a high level.
제 4 구간(T4)에서 제 1 신호(A)는 로우 레벨이고, 제 2 신호(B)는 하이 레벨이다. 따라서 노아 게이트(NOR)는 로우 레벨의 신호를 지연클럭신호(CLK_D)를 출력한다.In the fourth period T4, the first signal A is at a low level and the second signal B is at a high level. Therefore, the NOR gate NOR outputs a low level signal to the delay clock signal CLK_D.
이상의 동작처럼, 제 1 논리 조합부(210)의 노드(K1)와 클럭신호(CLK)가 하이 레벨로 입력되는 동안 제 2 논리 조합부(220)의 노드(K2)를 로우 레벨로 만든다. 그리고 제 1 논리 조합부(210)의 노드(K1)와 제 2 논리 조합부(220)의 노 드(K2)의 신호를 논리곱한 신호가 제1 신호(A)로 출력된다.As described above, while the node K1 and the clock signal CLK of the
제 2 논리 조합부(220)의 노드(K2)의 신호를 반전시킨 신호가 상기 제 3 논리 조합부(230)의 제 2 신호(B)이고, 클럭신호가 하이 레벨인 구간에서 제 3 신호(C)의 출력과 동일한 레벨의 신호를 제 2 신호(B)로서 출력한다.A signal obtained by inverting the signal of the node K2 of the
상기 클럭신호(CLK)가 로우 레벨인 동안에 제 3 신호(C)는 레벨이 변경되지 않고 유지된다.While the clock signal CLK is at the low level, the third signal C is maintained without changing the level.
제 1 논리 조합부(210)의 노드(K1)는 클럭신호(CLK)의 하강에지에서 논리 레벨이 변경되고, 제 3 논리 조합부(230)의 제 3 신호(C)는 클럭신호(CLK)의 상승 에지에서 논리 레벨이 변한다. 그리고 지연 클럭신호(CLK_D)는 클럭신호(CLK)의 하강 에지에서 변경하면서 노드(K1)와 반전된 파형인 나타난다.The node K1 of the
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 실시 예에 따른 클럭지연 회로의 실제 시뮬레이션을 통해 얻은 파형도를 나타낸다.4A and 4B are waveform diagrams obtained through actual simulation of a clock delay circuit according to an embodiment of the present invention.
도 4a는 제 1 및 제 2 신호(A, B)의 파형이고, 도 4b는 클럭신호(CLK)와 지연클럭신호(CLK_D)를 나타낸다. 이와 같이 논리 게이트에 비해서 작은 면적을 갖는 트랜지스터를 이용해서 클럭 지연회로를 구성할 수 있다.4A shows waveforms of the first and second signals A and B, and FIG. 4B shows the clock signal CLK and the delay clock signal CLK_D. Thus, the clock delay circuit can be configured by using a transistor having a smaller area than the logic gate.
상기와 같이 논리 게이트는 노아 게이트(NOR) 하나만 구비하고, 나머지는 논리 게이트에 비해서 적은 면적을 차지하는 트랜지스터들을 이용해서 클럭지연 회로(200)를 구현하여 지연클럭신호(CLK_D)를 출력할 수 있다.As described above, the logic gate may include only one NOR gate NOR, and the rest may implement the
상기에서 설명한 본 발명의 기술적 사상은 바람직한 실시 예에서 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시 예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님 을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명은 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.Although the technical spirit of the present invention described above has been described in detail in a preferred embodiment, it should be noted that the above embodiment is for the purpose of description and not of limitation. In addition, the present invention will be understood by those skilled in the art that various embodiments are possible within the scope of the technical idea of the present invention.
도 1은 클럭지연 회로의 블록도이다.1 is a block diagram of a clock delay circuit.
도 2a는 본 발명의 실시 예에 따른 클럭 지연회로의 블록도이다.2A is a block diagram of a clock delay circuit according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 2b는 도 2a의 상세 회로도이다.FIG. 2B is a detailed circuit diagram of FIG. 2A.
도 3은 도 2b의 동작 설명을 위한 타이밍도이다.3 is a timing diagram for describing an operation of FIG. 2B.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 실시 예에 따른 클럭지연 회로의 실제 시뮬레이션을 통해 얻은 파형도를 나타낸다.4A and 4B are waveform diagrams obtained through actual simulation of a clock delay circuit according to an embodiment of the present invention.
*도면의 주요 부분의 간단한 설명** Brief description of the main parts of the drawings *
200 : 클럭지연회로200: clock delay circuit
210 내지 230 : 제 1 내지 제 3 논리조합부210 to 230: first to third logical combination portion
240 : 지연신호 출력부240: delay signal output unit
Claims (12)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080048626A KR20090122688A (en) | 2008-05-26 | 2008-05-26 | Clock delay circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1020080048626A KR20090122688A (en) | 2008-05-26 | 2008-05-26 | Clock delay circuit |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114548031A (en) * | 2022-02-25 | 2022-05-27 | 长鑫存储技术有限公司 | Signal detection method and device |
-
2008
- 2008-05-26 KR KR1020080048626A patent/KR20090122688A/en not_active Withdrawn
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PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20080526 |
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PG1501 | Laying open of application | ||
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