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KR20090107529A - 실리콘 수지, 실리콘 조성물, 피복된 기판 및 강화 실리콘 수지 필름 - Google Patents

실리콘 수지, 실리콘 조성물, 피복된 기판 및 강화 실리콘 수지 필름 Download PDF

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KR20090107529A
KR20090107529A KR1020097016487A KR20097016487A KR20090107529A KR 20090107529 A KR20090107529 A KR 20090107529A KR 1020097016487 A KR1020097016487 A KR 1020097016487A KR 20097016487 A KR20097016487 A KR 20097016487A KR 20090107529 A KR20090107529 A KR 20090107529A
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KR
South Korea
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silicone resin
silicone
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다우 코닝 코포레이션
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Publication date
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Abstract

본 발명은 디실릴옥산 단위 및 입자 형태의 실록산 단위를 함유하는 실리콘 수지, 실리콘 수지를 함유하는 실리콘 조성물, 실리콘 수지의 경화된 생성물 또는 산화된 생성물을 포함하는 피복된 기판 및 강화 실리콘 수지 필름에 관한 것이다.
실리콘 수지, 디실릴옥산, 강화 실리콘 수지 필름

Description

실리콘 수지, 실리콘 조성물, 피복된 기판 및 강화 실리콘 수지 필름{Silicone resin, silicone composition, coated substrate, and reinforced silicone resin film}
관련 출원에 대한 교차 참조
없음
본 발명은 실리콘 수지, 보다 특히 디실릴옥산 단위 및 입자 형태의 실록산 단위를 함유하는 실리콘 수지에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 실리콘 수지를 함유하는 실리콘 조성물, 실리콘 수지의 경화된 생성물 또는 산화된 생성물을 포함하는 피복된 기판, 및 강화 실리콘 수지 필름에 관한 것이다.
실리콘 수지는 높은 열 안정성, 우수한 내습성, 탁월한 가요성, 높은 내산소성, 낮은 유전율 및 높은 투명도를 포함하는, 이의 독특한 조합의 특성 때문에 다양한 분야에서 유용하다. 예를 들면, 실리콘 수지는 자동차, 전자, 건설, 전기 제품 및 항공 우주 산업에서 보호 또는 유전체 피복물로서 넓리 사용된다.
실리콘 수지 피복물은 다양한 기판을 보호하거나 절연하거나 결합시키는데 사용될 수 있음에도, 실리콘 수지 필름 자체는 낮은 인열 강도, 높은 취성, 낮은 유리 전이 온도 및 높은 열팽창 계수로 인해 제한되게 사용된다. 따라서, 개선된 기계적 및 열적 특성을 가진 독립된(free standing) 실리콘 수지 필름이 요구된다.
발명의 요약
본 발명은 화학식 I의 디실릴옥산 단위 및 입자 형태의 실록산 단위를 포함하는 실리콘 수지에 관한 것이다.
O(3-a)/2R1 aSi-SiR1 bO(3-b)/2
위의 화학식 I에서,
각각의 R1은 독립적으로 -H, 하이드로카빌, 또는 치환된 하이드로카빌이고,
a는 0, 1 또는 2이고,
b는 0, 1, 2 또는 3이다
또한, 본 발명은 상기 언급된 실리콘 수지 및 유기 용매를 포함하는 실리콘 조성물에 관한 것이다.
추가로, 본 발명은 기판 및 기판 상의 피복물을 포함하는 피복된 기판에 관한 것이고, 여기서 상기 피복물은 상기 언급된 실리콘 수지의 경화된 생성물 또는 산화된 생성물이다.
또한 추가로, 본 발명은 상기 언급된 실리콘 수지의 경화된 생성물 및 경화된 생성물에 삽입된 섬유 보강재를 포함하는 강화 실리콘 수지 필름에 관한 것이다.
본 발명의 실리콘 수지는 다양한 유기 용매 중에 용해될 수 있고, 실질적으로 겔을 함유하지 않는다. 게다가, 실리콘 수지는 경화되어 다양한 기판에 우수한 접착력을 나타내는 피복물을 제조할 수 있다.
본 발명의 실리콘 조성물은 우수한 저장 안정성을 갖는 원-파트(one-part) 조성물로서 용이하게 제형화될 수 있다. 게다가, 조성물은 스핀 코팅, 인쇄, 분무, 그라비어 코팅(graveur coating) 및 슬롯 다이 코팅(slot die coating)과 같은 통상적인 고속 방법으로 기판에 도포할 수 있다.
피복된 기판의 피복물은 매우 낮은 표면 조도, 열적으로 유도된 균열에 대한 높은 내성 및 낮은 인장 강도를 나타낸다.
본 발명의 강화 실리콘 수지 필름은 동일한 실리콘 조성물로부터 제조된 비강화 실리콘 수지 필름에 비해 낮은 열 확장 계수, 높은 인장 강도 및 높은 모듈러스를 갖는다. 또한, 강화 실리콘 수지 필름과 비강화 실리콘 수지 필름의 유리 전이 온도가 유사함에도 불구하고, 강화 필름은 유리 전이에 상응하는 온도 범위 내에서 모듈러스의 매우 작은 변화를 나타낸다.
본 발명의 강화 실리콘 수지 필름은 높은 열 안정성, 가요성, 기계적 강도 및 투명도를 갖는 필름을 필요로 하는 분야에서 유용하다. 예를 들면, 당해 실리콘 수지 필름은 가요성 디스플레이, 태양 전지, 가요성 전자 보드, 터치 스크린, 내화성 벽지 및 내충격성 창문의 필수적인 성분으로서 사용될 수 있다. 또한, 당해 필름은 투명 또는 불투명 전극에 적합한 기판이다.
본원에서 사용된 용어 "디실릴옥산 단위"는 화학식 I의 유기규소 단위이다.
화학식 I
O(3-a)/2R1 aSi-SiR1 bO(3-b)/2
위의 화학식 I에서,
R1, a 및 b는 하기 정의된 바와 같다.
또한, 용어 "디실릴옥산 단위의 mol%"는 수지 중의 실록산 단위 및 디실릴옥산 단위의 몰수의 합에 대한 실리콘 수지 중의 화학식 I의 디실릴옥산 단위의 몰수의 비율에, 100을 곱한 값으로 정의된다. 추가로, 용어 "입자 형태의 실록산 단위의 mol%"는 수지 중의 실록산 단위 및 디실릴옥산 단위의 몰수의 합에 대한 수지 중의 입자 형태의 실록산 단위의 몰수 비율에, 100을 곱한 값으로 정의된다.
본 발명에 따른 실리콘 수지는 화학식 I의 디실릴옥산 단위 및 입자 형태의 실록산 단위를 포함한다.
화학식 I
O(3-a)/2R1 aSi-SiR1 bO(3-b)/2
위의 화학식 I에서,
각각의 R1은 독립적으로 -H, 하이드로카빌, 또는 치환된 하이드로카빌이고,
a는 0, 1 또는 2이고,
b는 0, 1, 2 또는 3이다
R1의 하이드로카빌 그룹은 전형적으로 1 내지 10개의 탄소 원자, 대안적으로 1 내지 6개의 탄소 원자, 대안적으로 1 내지 4개의 탄소 원자를 갖는다. 3개 이하의 탄소 원자를 함유하는 비환식 하이드로카빌 그룹은 측쇄 또는 비측쇄 구조를 가질 수 있다. 하이드로카빌 그룹의 예는, 이로써 제한되지는 않지만, 알킬, 예를 들면, 메틸, 에틸, 프로필, 1-메틸에틸, 부틸, 1-메틸프로필, 2-메틸프로필, 1,1-디메틸에틸, 펜틸, 1-메틸부틸, 1-에틸프로필, 2-메틸부틸, 3-메틸부틸, 1,2-디메틸프로필, 2,2-디메틸프로필, 헥실, 헵틸, 옥틸, 노닐 및 데실; 사이클로알킬, 예를 들면, 사이클로펜틸, 사이클로헥실 및 메틸사이클로헥실; 아릴, 예를 들면, 페닐 및 나프틸; 알크아릴, 예를 들면, 톨릴 및 크실릴; 아르알킬, 예를 들면, 벤질 및 펜에틸; 알케닐, 예를 들면, 비닐, 아릴 및 프로페닐; 아르알케닐, 예를 들면, 스티릴 및 신나밀; 및 알키닐, 예를 들면, 에티닐 및 프로피닐을 포함한다.
R1의 치환된 하이드로카빌 그룹은, 치환체가 알코올분해 생성물, 가수분해물 또는 실리콘 수지의 형성을 방해하지 않는 한, 동일하거나 상이한 하나 이상의 치환체를 함유할 수 있다. 치환체의 예는, 이로써 제한되지는 않지만, -F, -Cl, -Br, -I, -OH, -OR2, -OCH2CH2OR3, -CO2R3, -OC(=O)R2 및 -C(=O)NR3 2을 포함하고, 여기서 R2는 C1 내지 C8 하이드로카빌이고, R3은 R2 또는 -H이다.
R2의 하이드로카빌 그룹은 전형적으로 1 내지 8개의 탄소 원자, 대안적으로 3 내지 6개의 탄소 원자를 갖는다. 3개 이하의 탄소 원자를 함유하는 비환식 하이드로카빌 그룹은 측쇄 또는 비측쇄 구조를 가질 수 있다. 하이드로카빌 그룹의 예는, 이로써 제한되지는 않지만, 비측쇄 및 측쇄 알킬, 예를 들면, 메틸, 에틸, 프로필, 1-메틸에틸, 부틸, 1-메틸프로필, 2-메틸프로필, 1,1-디메틸에틸, 펜틸, 1-메틸부틸, 1-에틸프로필, 2-메틸부틸, 3-메틸부틸, 1,2-디메틸프로필, 2,2-디메틸프로필, 헥실, 헵틸 및 옥틸; 사이클로알킬, 예를 들면, 사이클로펜틸, 사이클로헥실 및 메틸사이클로헥실; 페닐; 알크아릴, 예를 들면, 톨릴 및 크실릴; 아르알킬, 예를 들면, 벤질 및 펜에틸; 알케닐, 예를 들면, 비닐, 알릴 및 프로페닐; 아릴알케닐, 예를 들면, 스티릴; 및 알키닐, 예를 들면, 에티닐 및 프로피닐을 포함한다.
실리콘 수지는 화학식 I의 디실릴옥산 단위 및 입자 형태의 실록산 단위를 모두 포함한다. 실리콘 수지는 전형적으로 화학식 I의 디실릴옥산 단위 1mol% 이상을 포함한다. 예를 들면, 실리콘 수지는 전형적으로 화학식 I의 디실릴옥산 단위 1 내지 99mol%, 대안적으로 10 내지 70mol%, 대안적으로 20 내지 50mol%를 포함한다.
화학식 I의 디실릴옥산 단위 이외에, 실리콘 수지는 전형적으로 입자 형태의 실록산 단위 99mol% 이하를 포함한다. 예를 들면, 실리콘 수지는 전형적으로 입자 형태의 실록산 단위 0.0001 내지 99mol%, 대안적으로 1 내지 80mol%, 대안적으로 10 내지 50mol%를 함유한다. 조성물 및 입자의 특성은 하기 실리콘 수지의 제조 방법에 기재한다.
화학식 I의 단위 및 입자 형태의 실록산 단위 이외에, 실리콘 수지는 기타 실록산 단위(즉, 입자 형태가 아닌 실록산 단위) 98.9mol% 이하, 대안적으로 90mol% 이하, 대안적으로 60mol% 이하를 함유할 수 있다. 기타 실록산 단위의 예는, 이로써 제한되지는 않지만, 화학식 R1 3SiO1/2, R1 2SiO2/2, R1SiO3/2 및 SiO4/2로부터 선택된 화학식의 단위를 포함하고, 여기서 R1은 상기 기재되고 예시된 바와 같다.
실리콘 수지는 전형적으로 수평균 분자량이 200 내지 500,000, 대안적으로 500 내지 150,000, 대안적으로 1,000 내지 75,000, 대안적으로 2,000 내지 12,000이고, 여기서 분자량은 굴절률 검출기 및 폴리스티렌 표준을 사용하는 겔 투과 크로마토그래피로 측정한다.
실리콘 수지는 전형적으로, 29Si NMR로 측정한 결과, 수지의 총 중량을 기준으로 하여, 규소-결합된 하이드록시 그룹 1 내지 50%(w/w), 대안적으로 5 내지 50%(w/w), 대안적으로 5 내지 35%(w/w), 대안적으로 10% 내지 35%(w/w), 대안적으로 10 내지 20%(w/w)를 함유한다.
실리콘 수지의 예는, 이로써 제한되지는 않지만, 화학식 (O2/2MeSiSiO3/2)0.1(PhSiO3/2)0.9, (O2/2MeSiSiMeO2/2)O.2(Me2SiO2/2)0.1(PhSi03/2)0.7, (O2/2MeSiSiO3/2)0.1(O2/2MeSiSiMe02/2)0.15(Me2SiO2/2)0.1(MeSiO3/2)0.65, (O1/2Me2SiSiO3/2)0.25(SiO4/2)0.5(MePhSiO2/2)0.25, (O2/2EtSiSiEt2O1/2)0.1(O2/2MeSiSiO3/2)0.15(Me3SiO1/2)0.05(PhSiO3/2)0.5(SiO4/2)0.2, (O2/2MeSiSiO3/2)0.3(PhSiO3/2)0.7, (O2/2MeSiSiO3/2)0.4(MeSiO3/2)0.6, (O3/2SiSiMeO2/2)0.5(Me2SiO2/2)0.5, (O3/2SiSiMeO2/2)0.6(Me2SiO2/2)0.4, (O3/2SiSiMeO2/2)0.7(Me2SiO2/2)0.3, (O3/2SiSiMe2O1/2)0.75(PhSiO3/2)0.25, (O3/2SiSiMeO2/2)0.75(SiO4/2)0.25, (O2/2MeSiSiMe2O1/2)0.5(O2/2MeSiSiO3/2)0.3(PhSiO3/2)0.2, (O2/2EtSiSiMeO2/2)0.8(MeSiO3/2)0.05(SiO4/2)0.15, (O2/2MeSiSiO3/2)O.8(Me3SiO1/2)0.05(Me2SiO2/2)0.1(SiO4/2)0.5, (O2/2MeSiSiEtO2/2)0.25(O3/2SiSiMeO2/2)0.6(MeSiO3/2)0.1(SiO4/2)0.05, (O1/2Me2SiSiMeO2/2)0.75(O2/2MeSiSiMeO2/2)0.25, (O1/2Et2SiSiEtO2/2)0.5(O2/2EtSiSiEtO2/2)0.5, (O1/2Et2SiSiEtO2/2)0.2(O2/2MeSiSiMeO2/2)0.8 및 (O1/2Me2SiSiMeO2/2)0.6(O2/2EtSiSiEtO2/2)0.4의 수지를 포함하고, 여기서 Me는 메틸이고, Et는 에틸이고, Ph는 페닐이고, 수지는 입자 형태의 실록산 단위를 함유하며, 괄호 밖의 수 아래첨자는 몰 분획을 나타낸다. 또한, 상기 화학식에서, 단위의 순서는 한정되지 않는다.
실리콘 수지는
(i) 하나 이상의 화학식 Z3-aR1 aSi-SiR1 bZ3-b의 할로디실란 및, 임의로, 하나 이상의 화학식 R1 bSiZ4-b의 할로실란을 유기 용매의 존재하에 하나 이상의 화학식 R4OH의 알코올과 반응시켜 알코올분해 생성물을 수득하는 단계(여기서, R1은 독립적으로 -H, 하이드로카빌, 또는 치환된 하이드로카빌이고, R4는 알킬 또는 사이클로알킬이고, Z는 할로이고, a는 0, 1 또는 2이고, b는 0, 1, 2 또는 3이다);
(ii) 알코올분해 생성물을 실록산 입자의 존재하에 0 내지 40℃에서 물과 반응시켜 가수분해물을 수득하는 단계 및
(iii) 가수분해물을 가열하여 수지를 수득하는 단계에 의해, 제조될 수 있다.
실리콘 수지의 제조 방법의 단계(i)에서, 하나 이상의 화학식 Z3-aR1 aSi-SiR1 bZ3-b의 할로디실란 및, 임의로, 하나 이상의 화학식 R1 bSiZ4-b의 할로실란을 유기 용매의 존재하에 하나 이상의 화학식 R4OH의 알코올과 반응시켜 알코올분해 생성물을 수득하고, 여기서 R1은 독립적으로 -H, 하이드로카빌, 또는 치환된 하이드로카빌이고, R4는 알킬 또는 사이클로알킬이고, Z는 할로이고, a는 0, 1 또는 2이고, b는 0, 1, 2 또는 3이다. 본원에서 사용되는 용어 "알코올분해 생성물"은 할로디실란 및, 존재하는 경우, 할로실란의 규소-결합된 할로겐 원자(들)가 그룹 -OR4으로 교체됨으로써 형성된 생성물을 의미하고, 여기서 R4는 하기 기재되고 예시된 바와 같다.
할로디실란은 화학식 Z3-aR1 aSi-SiR1 bZ3-b의 하나 이상의 할로디실란이고, 여기서 R1, a 및 b는 상기 실리콘 수지에 대해 기재되고 예시된 바와 같으며, Z는 할로이다. Z의 할로 원자의 예는 -F, -Cl, -Br 및 -I를 포함한다.
할로디실란의 예는, 이로써 제한되지는 않지만, 화학식 Cl2MeSiSiMeCl2, Cl2MeSiSiMe2Cl, Cl3SiSiMeCl2, Cl2EtSiSiEtCl2, Cl2EtSiSiEt2Cl, Cl3SiSiEtCl2, Cl3SiSiCl3, Br2MeSiSiMeBr2, Br2MeSiSiMe2Br, Br3SiSiMeBr2, Br2EtSiSiEtBr2, Br2EtSiSiEt2Br, Br3SiSiEtBr2, Br3SiSiBr3, I2MeSiSiMeI2, I2MeSiSiMe2I, I3SiSiMeI2, I2EtSiSiEtI2, I2EtSiSiEt2I, I3SiSiEtI2 및 I3SiSiI3의 디실란을 포함하고, 여기서 Me는 메틸이고, Et는 에틸이다.
할로디실란은 단독 할로디실란 또는 2종 이상의 상이한 할로디실란을 포함하는 혼합물일 수 있고, 각각은 화학식 Z3-aR1 aSi-SiR1 bZ3-b을 갖고, 여기서 R1, Z, a 및 b는 상기 기재되고 예시된 바와 같다.
할로디실란의 제조 방법은 당해 분야에 잘 알려져 있고, 이들 화합물 중 다수는 시중에서 구입할 수 있다. 또한, 국제공개공보 제WO 03/099828호에 기재된 바와 같이, 메틸클로로실란의 직접 제조 공정으로 70℃ 이상의 비점을 갖는 잔기로부터 할로디실란을 수득할 수 있다. 직접 공정 잔기의 분획 증류로 클로로디실란의 혼합물을 함유하는 메틸클로로디실란 스트림을 수득한다.
임의의 할로실란은 하나 이상의 화학식 R1 bSiZ4-b의 할로실란이고, 여기서 각각의 R1은 독립적으로 -H, 하이드로카빌, 또는 치환된 하이드로카빌이고, Z는 할로이고, b는 0, 1, 2 또는 3이다.
할로실란의 예는, 이로써 제한되지는 않지만, 화학식 SiCl4, SiBr4, HSiCl3, HSiBr3, MeSiCl3, EtSiCl3, MeSiBr3, EtSiBr3, Me2SiCl2, Et2SiCl2, Me2SiBr2, Et2SiBr2, Me3SiCl, Et3SiCl, Me3SiBr 및 Et3SiBr의 실란이고, 여기서 Me는 메틸이고, Et는 에틸이다.
할로실란은 단독 할로실란 또는 2종 이상의 상이한 할로실란을 포함하는 혼합물일 수 있고, 각각은 화학식 R1 bSiZ4-b을 갖고, 여기서 R1, Z 및 b는 상기 기재되고 예시된 바와 같다. 추가로, 할로실란의 제조 방법은 당해 분야에 잘 알려져 있고, 이들 화합물 중 다수는 시중에서 구입할 수 있다.
알코올은 하나 이상의 화학식 R4OH의 알코올이고, 여기서 R4는 알킬 또는 사이클로알킬이다. 알코올의 구조는 직쇄 또는 측쇄일 수 있다. 또한, 알코올의 하이드록시 그룹은 1급, 2급 또는 3급 탄소 원자에 결합될 수 있다.
R4의 알킬 그룹은 전형적으로 1 내지 8개의 탄소 원자, 대안적으로 1 내지 6개의 탄소 원자, 대안적으로 1 내지 4개의 탄소 원자를 갖는다. 3개 이상의 탄소 원자를 함유하는 알킬 그룹은 측쇄 또는 비측쇄 구조를 가질 수 있다. 알킬 그룹의 예는, 이로써 제한되지는 않지만, 메틸, 에틸, 프로필, 1-메틸에틸, 부틸, 1-메틸프로필, 2-메틸프로필, 1,1-디메틸에틸, 펜틸, 1-메틸부틸, 1-에틸프로필, 2-메틸부틸, 3-메틸부틸, 1,2-디메틸프로필, 2,2-디메틸프로필, 헥실, 헵틸 및 옥틸을 포함한다.
R2의 사이클로알킬 그룹은 전형적으로 3 내지 12개의 탄소 원자, 대안적으로 4 내지 10개의 탄소 원자, 대안적으로 5 내지 8개의 탄소 원자를 갖는다. 사이클로알킬 그룹의 예는, 이로써 제한되지는 않지만, 사이클로펜틸, 사이클로헥실 및 메틸사이클로헥실을 포함한다.
알코올의 예는, 이로써 제한되지는 않지만, 메탄올, 에탄올, 1-프로판올, 2-프로판올, 1-부탄올, 2-부탄올, 2-메틸-1-부탄올, 1,1-디메틸-1-에탄올, 펜탄올, 헥산올, 사이클로헥산올, 헵탄올 및 옥탄올을 포함한다. 알코올은 단일 알코올 또는 2종 이상의 상이한 알코올을 포함하는 혼합물일 수 있고, 각각은 상기 기재되고 예시된 바와 같다.
유기 용매는 본 발명의 방법의 조건하에 할로디실란, 할로실란 또는 실리콘 수지 생성물과 반응하지 않고 할로디실란, 할로실란 및 실리콘 수지와 혼화성인 임의의 비양자성 또는 양극성 비양자성 유기 용매일 수 있다. 유기 용매는 물과 비혼화성이거나 혼화성일 수 있다. 본원에서 사용된 용어 "비혼화성"은 25℃에서 용매 중의 물의 용해도가 약 0.1g/용매 100g 미만임을 의미한다. 또한, 유기 용매는 할로디실란 및, 임의로, 할로실란과 반응하는 화학식 R4OH의 알코올일 수 있고, 여기서 R4는 상기 기재되고 예시된 바와 같다.
유기 용매의 예는, 이로써 제한되지는 않지만, 포화 지방족 탄화수소, 예를 들면, n-펜탄, 헥산, n-헵탄, 이소옥탄 및 도데칸; 사이클로지방족 탄화수소, 예를 들면, 사이클로펜탄 및 사이클로헥산; 방향족 탄화수소, 예를 들면, 벤젠, 톨루엔, 크실렌 및 메시틸렌; 환식 에테르, 예를 들면, 테트라하이드로푸란(THF) 및 디옥산; 케톤, 예를 들면, 메틸 이소부틸 케톤(MIBK); 할로겐화된 알칸, 예를 들면, 트리클로로에탄; 할로겐화된 방향족 탄화수소, 예를 들면, 브로모벤젠 및 클로로벤젠; 및 알코올, 예를 들면, 메탄올, 에탄올, 1-프로판올, 2-프로판올, 1-부탄올, 2-부탄올, 2-메틸-1-부탄올, 1,1-디메틸-1-에탄올, 펜탄올, 헥산올, 사이클로헥산올, 헵탄올 및 옥탄올을 포함한다.
유기 용매는 단일 유기 용매 또는 2종 이상의 상이한 유기 용매의 혼합물일 수 있고, 각각은 상기 기재되고 예시된 바와 같다.
알코올분해 생성물을 생성하는 할로디실란 및 임의의 할로실란과 알코올의 반응은, 예를 들면, 할로실란과 알코올의 접촉에 적합한 임의의 표준 반응기에서 수행될 수 있다. 적합한 반응기는 유리 및 테플론-라인 유리 반응기를 포함한다. 바람직하게는, 반응기는 아지테이팅 수단, 예를 들면, 교반 수단이 장착되어 있다.
할로디실란, 임의의 할로실란, 알코올 및 유기 용매는 임의의 순서로 배합할 수 있다. 전형적으로, 알코올을 할로디실란, 임의의 할로실란 및 유기 용매의 혼합물에 가함으로써, 할로디실란 및 임의의 할로실란을 유기 용매의 존재하에 알코올과 배합한다. 역 첨가, 즉, 실란(들)을 알코올에 첨가하는 것이 또한 가능하다. 반응의 부산물로서 생성된 할로겐화수소 기체(예: HCl)는 전형적으로 반응 용기로부터 산 중화 트랩으로 통과하도록 한다.
알코올의 할로디실란 및 임의의 할로실란으로의 첨가 속도는 전형적으로 효율적인 교반 수단이 장착된 1000㎖들이 반응 용기에서 5㎖/분 내지 50㎖/분이다. 첨가 속도가 너무 느릴 경우, 반응 시간이 불필요하게 연장된다. 첨가 속도가 너무 빠를 경우, 할로겐화수소 기체의 극심한 방출로 인해 위험할 수 있다.
할로디실란 및 임의의 할로실란과 알코올의 반응은 전형적으로 실온(약 23 ± 2℃)에서 수행된다. 그러나, 반응은 이 보다 낮거나 높은 온도에서 수행될 수 있다. 예를 들면, 반응은 10℃ 내지 60℃의 온도에서 수행될 수 있다.
반응 시간은 할로디실란 및 임의의 할로실란의 구조 및 온도를 포함한 몇몇의 인자에 따라 좌우된다. 반응은 전형적으로 할로디실란 및 임의의 할로실란의 알코올분해를 완료하는데 충분한 시간 동안 수행된다. 본원에서 사용된 용어 "알코올분해를 완료함"은 배합된 할로디실란 및 임의의 할로실란에 원래 존재하는 규소-결합된 할로겐 원자의 85mol% 이상이 그룹 -OR2로 교체됨을 의미한다. 예를 들면, 반응 시간은 10 내지 60℃의 온도에서 전형적으로 5 내지 180분, 대안적으로 10 내지 60분, 대안적으로 15 내지 25분이다. 최적 반응 시간은 하기 실시예 부분에 기재된 방법을 사용하여 반복적인 실험으로 측정할 수 있다.
반응 혼합물 중의 할로디실란의 농도는 전형적으로, 반응 혼합물의 총 중량을 기준으로 하여, 5 내지 95%(w/w), 대안적으로 20 내지 70%(w/w), 대안적으로 40 내지 60%(w/w)이다.
할로실란 대 할로디실란의 몰 비율은 전형적으로 0 내지 99, 대안적으로 0.5 내지 80, 대안적으로 0.5 내지 60, 대안적으로 0.5 내지 40, 대안적으로 0.5 내지 20, 대안적으로 0.5 내지 2이다.
알코올 대 배합된 할로디실란 및 할로실란 중의 규소-결합된 할로겐 원자의 몰 비율은 전형적으로 0.5 내지 10, 대안적으로 1 내지 5, 대안적으로 1 내지 2이다.
유기 용매의 농도는 전형적으로, 반응 혼합물의 총 중량을 기준으로 하여, 0.01 내지 95%(w/w), 대안적으로 5 내지 88%(w/w), 대안적으로 30 내지 50%(w/w)이다.
방법의 단계(ii)에서, 알코올분해 생성물을 실록산 입자의 존재하에 0 내지 40℃에서 물과 반응시켜 가수분해물을 수득한다.
본 발명의 실록산 입자는 실록산 단위를 포함하는 임의의 입자일 수 있다. 실록산 단위는 화학식 R1 2SiO1/2 단위(M 단위), R1 2SiO2/2 단위(D 단위), R1SiO3/2 단위(T 단위) 및 SiO4/2 단위(Q 단위)에 의해 나타낼 수 있으며, 여기서 R1은 상기 기재되고 예시된 바와 같다.
실록산 입자는 전형적으로 0.001 내지 500μm, 대안적으로 0.01 내지 100μm의 중간 입자 크기(median particle size)(중량 기준)를 갖는다.
실록산 입자의 형태가 제한되지 않음에도 불구하고, 일반적으로 구형 입자는 다른 형태의 입자보다 실리콘 조성물에 대해 보다 작은 점도 증가를 부여하기 때문에 구형 입자가 바람직하다.
실록산 입자의 예는, 이로써 제한되지는 않지만, SiO4/2 단위를 포함하는 실리카 입자, 예를 들면, 콜로이드성 실리카, 분산 발열성(발연) 실리카, 침강 실리카 및 코아세르베이트 실리카; R1SiO3/2 단위를 포함하는 실리콘 수지 입자, 예를 들면, MeSiO3/2 단위를 포함하는 입자, MeSiO3/2 단위 및 PhSiO3/2 단위를 포함하는 입자 및 MeSiO3/2 단위 및 Me2SiO2/2 단위를 포함하는 입자; 및 R1 2SiO2/2 단위를 포함하는 실리콘 엘라스토머 입자, 예를 들면, 폴리(디메틸실록산/메틸비닐실록산) 및 폴리(하이드로겐메틸실록산/디메틸실록산)의 가교결합된 생성물을 포함하는 입자를 포함하고, 여기서 R1은 상기 기재되고 예시된 바와 같다.
또한, 실록산 입자는 화학식 (M+aOa/2)x(SiO4/2)y의 금속 폴리실리케이트일 수 있고, 여기서 M은 전하 +a를 갖는 금속 양이온이고, a는 1 내지 7의 정수이고, x는 0 내지 0.01의 값을 갖고, y는 0.99 내지 1의 값을 갖고, x와 y의 합은 1이다. 금속의 예는, 이로써 제한되지는 않지만, 알칼리 금속, 예를 들면, 나트륨 및 칼륨; 알칼리 토금속, 예를 들면, 베릴륨, 마그네슘 및 칼슘; 전이 금속, 예를 들면, 철, 아연, 크롬 및 지르코늄; 및 알루미늄을 포함한다. 금속 폴리실리케이트의 예는 화학식 (Na2O)0.01(SiO2)0.99의 폴리실리케이트를 포함한다.
또한, 실록산 입자는 상기 언급된 입자의 표면을 유기규소 화합물로 처리함으로써 제조된 처리된 실록산 입자일 수 있다. 유기규소 화합물은 실리카 충전재를 처리하는데 전형적으로 사용되는 임의의 유기규소 화합물일 수 있다. 유기규소 화합물의 예는, 이로써 제한되지는 않지만, 오가노클로로실란, 예를 들면, 메틸트리클로로실란, 디메틸디클로로실란 및 트리메틸 모노클로로실란; 오가노실록산, 예를 들면, 하이드록시-말단 차단된 디메틸실록산 올리고머, 헥사메틸디실록산 및 테트라메틸디비닐디실록산; 오가노실라잔, 예를 들면, 헥사메틸디실라잔 및 헥사메틸사이클로트리실라잔; 및 오가노알콕시실란, 예를 들면, 메틸트리메톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란 및 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란을 포함한다.
본 발명의 방법의 실록산 입자는 단일 유형의 실록산 입자, 또는 조성, 표면적, 표면 처리, 입자 크기 및 입자 형태 중 하나 이상의 특성이 상이한 2종 이상의 상이한 유형의 실록산 입자를 포함할 수 있다.
실리콘 수지 입자 및 실리콘 엘라스토머 입자의 제조 방법은 당해 분야에 잘 알려져 있다. 예를 들면, 미국 특허 제5,801,262호 및 미국 특허 제6,376,078호에 예시된 바와 같이 수성 알칼리 매질 중에서 알콕시실란(들)의 가수분해-축합으로 실리콘 수지 입자를 제조할 수 있다. 실리콘 엘라스토머 입자는 일본 특허 출원 제59096122호에 기재된 바와 같은 경화성 오가노폴리실록산 조성물의 분무 건조 및 경화; 미국 특허 제4,761,454호에 기재된 바와 같은 경화성 오가노폴리실록산 조성물의 수성 에멀젼의 분무-건조; 미국 특허 제5,371,139호에 기재된 바와 같은 액체 실리콘 고무 마이크로현탁액의 에멀젼의 경화; 또는 가교결합된 실리콘 고무 엘라스토머의 분쇄에 의해 제조될 수 있다.
알코올분해 생성물은 알코올분해 생성물을 물과 실록산 입자의 혼합물에 가함으로써 전형적으로 물과 배합된다. 역 첨가, 즉, 물의 알코올분해 생성물에 대한 첨가가 또한 가능하다. 그러나, 역 첨가는 현저한 겔의 형성을 야기할 수 있다.
물과 실록산 입자의 혼합물에 대한 알코올분해 생성물의 첨가 속도는 전형적으로 효율적인 교반 수단이 장착된 1000㎖들이 반응 용기에서 2㎖/분 내지 100㎖/분이다. 첨가 속도가 너무 느릴 경우, 반응 시간이 불필요하게 연장된다. 첨가 속도가 너무 빠를 경우, 반응 혼합물이 겔을 형성할 수 있다.
단계(ii)의 반응은 전형적으로 0 내지 40℃, 대안적으로 0 내지 20℃, 대안적으로 0 내지 5℃의 온도에서 수행된다. 온도가 0℃보다 낮을 경우, 반응 속도가 전형적으로 매우 느리다. 온도가 40℃보다 높을 경우, 반응 혼합물이 겔을 형성할 수 있다.
반응 시간은 알코올분해 생성물 및 온도를 포함한 몇몇의 인자에 따라 좌우된다. 반응은 전형적으로 알코올분해 생성물의 가수분해를 완료하는데 충분한 시간 동안 수행된다. 본원에서 사용된 용어 "가수분해를 완료함"은 알코올분해 생성물에 원래 존재하는 규소-결합된 그룹 -OR4의 85mol% 이상이 하이드록시 그룹으로 교체됨을 의미한다. 예를 들면, 반응 시간은 0 내지 40℃의 온도에서 전형적으로 0.5분 내지 5시간, 대안적으로 1분 내지 3시간, 대안적으로 5분 내지 1시간이다. 최적 반응 시간은 하기 실시예 부분에 기재된 방법을 사용하여 반복적인 실험으로 측정할 수 있다.
반응 혼합물 중의 물의 농도는 전형적으로 알코올분해 생성물의 가수분해를 수행하기에 충분하다. 예를 들면, 물의 농도는 전형적으로 알코올분해 생성물 중의 규소-결합된 그룹 -OR4의 1mol 당 1mol 내지 50mol, 대안적으로 5mol 내지 20mol, 대안적으로 8mol 내지 15mol이다.
반응 혼합물 중의 실록산 입자의 농도는, 반응 혼합물의 총 중량을 기준으로 하여, 전형적으로 0.0001 내지 99%(w/w), 대안적으로 1 내지 80 %(w/w), 대안적으로 10 내지 50%(w/w)이다.
실리콘 수지의 제조 방법의 단계(iii)에서, 가수분해물을 가열하여 실리콘 수지를 생성한다. 가수분해물은 전형적으로 40 내지 100℃, 대안적으로 50 내지 85℃, 대안적으로 55 내지 70℃의 온도에서 가열한다. 가수분해물은 전형적으로 수평균 분자량이 200 내지 500,000인 실리콘 수지를 형성하기에 충분한 시간 동안 가열한다. 예를 들면, 가수분해물은 전형적으로 55 내지 70℃의 온도에서 1시간 내지 2시간 동안 가열한다.
당해 방법은 추가로 실리콘 수지의 회수를 포함할 수 있다. 단계(iii)의 혼합물이 수-비혼화성 유기 용매, 예를 들면, 테트라하이드로푸란을 함유하는 경우, 실리콘 수지는 수성 상으로부터 수지를 함유하는 유기 상을 분리함으로써 반응 혼합물로부터 회수될 수 있다. 분리는 혼합물을 불연속적으로 아지테이팅하고, 혼합물을 두 층으로 분리하고, 수성 또는 유기 상을 제거함으로써 수행될 수 있다. 유기 상을 전형적으로 물로 세척한다. 물은 중성 무기 염, 예를 들면, 염화나트륨을 포함하여 세척 중 물과 유기 상 사이의 에멀젼 형성을 최소화할 수 있다. 물 중의 중성 무기 염의 농도는 포화 이하일 수 있다. 유기 상을 물과 혼합하고, 혼합물을 두 층을 분리하고, 수성 층을 제거함으로써 세척할 수 있다. 유기 상을 전형적으로 물의 분리된 분획으로 1 내지 5회 세척한다. 세척 당 물의 용적은 전형적으로 유기 상 용적의 0.5 내지 2배이다. 혼합은 통상적인 방법, 예를 들면, 교반 또는 진탕으로 수행할 수 있다. 실리콘 수지는 추가의 단리 또는 정제없이 사용할 수 있거나, 통상적인 증발 방법으로 수지를 용매 대부분으로부터 분리할 수 있다.
단계(iii)의 혼합물의 수혼화성 유기 용매(예: 메탄올)를 함유하는 경우, 실리콘 수지를 수성 용액으로부터 수지를 분리함으로써 반응 혼합물로부터 회수할 수 있다. 예를 들면, 분리는 혼합물을 대기압 또는 대기압 이하의 압력하에 증류시킴으로써 수행할 수 있다. 증류는 전형적으로 40 내지 60℃, 대안적으로 60 내지 80℃의 온도에서 0.5 kPa의 압력하에 수행된다.
대안적으로, 실리콘 수지는 수지를 함유하는 혼합물을 수-비혼화성 유기 용매, 예를 들면, 메틸 이소부틸 케톤으로 추출함으로써 수성 용액으로부터 분리할 수 있다. 실리콘 수지는 추가의 단리 또는 정제없이 사용하거나, 통상적인 증발 방법으로 용매의 대부분으로부터 수지를 분리할 수 있다.
본 발명에 따른 실리콘 조성물은
화학식 I의 디실릴옥산 단위, 입자 형태의 실록산 단위를 포함하는 하나 이상의 실리콘 수지(A) 및
유기 용매(B)를 포함한다.
화학식 I
O(3-a)/2R1 aSi-SiR1 bO(3-b)/2
위의 화학식 I에서,
각각의 R1은 독립적으로 -H, 하이드로카빌, 또는 치환된 하이드로카빌이고,
a는 0, 1 또는 2이고,
b는 0, 1, 2 또는 3이다
성분(A)는 상기 기재되고 예시된 본 발명의 실리콘 수지이다. 성분(A)는 단일 실리콘 수지 또는 2종 이상의 상이한 실리콘 수지일 수 있고, 각각은 상기 기재된 바와 같다.
실리콘 조성물의 성분(B)는 하나 이상의 유기 용매이다. 유기 용매는 실리콘 수지 또는 임의의 추가 성분(예: 가교결합제)와 반응하지 않고 실리콘 수지와 혼화성인, 임의의 양자성, 비양자성 또는 양극성 비양자성 유기 용매일 수 있다.
유기 용매의 예는, 이로써 제한되지는 않지만, 알코올, 예를 들면, 메탄올, 에탄올, 1-프로판올, 2-프로판올, 1-부탄올, 2-부탄올, 2-메틸-1-부탄올, 1-펜탄올 및 사이클로헥산올; 포화 지방족 탄화수소, 예를 들면, n-펜탄, 헥산, n-헵탄, 이소옥탄 및 도데칸; 사이클로지방족 탄화수소, 예를 들면, 사이클로펜탄 및 사이클로헥산; 방향족 탄화수소, 예를 들면, 벤젠, 톨루엔, 크실렌 및 메시틸렌; 환식 에테르, 예를 들면, 테트라하이드로푸란(THF) 및 디옥산; 케톤, 예를 들면, 메틸 이소부틸 케톤(MIBK); 할로겐화된 알칸, 예를 들면, 트리클로로에탄; 및 할로겐화된 방향족 탄화수소, 예를 들면, 브로모벤젠 및 클로로벤젠을 포함한다. 유기 용매는 단일 유기 용매 또는 2종 이상의 상이한 유기 용매일 수 있고, 각각은 상기 기재된 바와 같다.
유기 용매의 농도는 전형적으로, 실리콘 조성물의 총 중량을 기준으로 하여, 0.01 내지 99.5중량%, 대안적으로 40 내지 95중량%, 대안적으로 60 내지 90중량%이다.
실리콘 조성물은 상기 기재된 바와 같이 실리콘 수지가 경화된 생성물 또는 산화된 생성물을 형성하는 것을 방해하지 않는 한, 추가의 성분을 포함할 수 있다. 추가의 성분의 예는, 이로써 제한되지는 않지만, 접착 촉진제, 염료, 안료, 항산화제, 열안정화제, UV 안정화제, 내연제, 유동 조절 첨가제, 가교결합제 및 축합 촉매를 포함한다.
실리콘 조성물은 가교결합제 및/또는 축합 촉매를 추가로 포함할 수 있다. 가교결합제는 화학식 R3 qSiX4-q를 가질 수 있고, 여기서 R3은 C1 내지 C8 하이드로카빌이고, X는 가수분해성 그룹이고, q는 0 또는 1이다. R3의 하이드로카빌 그룹은 상기 기재되고 예시된 바와 같다.
본원에서 사용되는 용어 "가수분해성 그룹"은 촉매의 부재하에 실온(약 23 ± 2℃) 내지 100℃의 온도에서 수 분, 예를 들면, 30분 동안 물과 반응하여 실란올(Si-OH) 그룹을 형성하는 규소-결합된 그룹을 의미한다. X의 가수분해성 그룹의 예는, 이로써 제한되지는 않지만, -Cl, -Br, -OR3, -OCH2CH2OR4, CH3C(=O)O-, Et(Me)C=N-O-, CH3C(=O)N(CH3)- 및 -ONH2를 포함하고, 여기서 R3 및 R4는 상기 기재되고 예시된 바와 같다.
가교결합제의 예는, 이로써 제한되지는 않지만, 알콕시 실란, 예를 들면, MeSi(OCH3)3, CH3Si(OCH2CH3)3, CH3Si(OCH2CH2CH3)3, CH3Si[O(CH2)3CH3]3, CH3CH2Si(OCH2CH3)3, C6H5Si(OCH3)3, C6H5CH2Si(OCH3)3, C6H5Si(OCH2CH3)3, CH2=CHSi(OCH3)3, CH2=CHCH2Si(OCH3)3, CF3CH2CH2Si(OCH3)3, CH3Si(OCH2CH2OCH3)3, CF3CH2CH2Si(OCH2CH2OCH3)3, CH2=CHSi(OCH2CH2OCH3)3, CH2=CHCH2Si(OCH2CH2OCH3)3, C6H5Si(OCH2CH2OCH3)3, Si(OCH3)4, Si(OC2H5)4 및 Si(OC3H7)4; 오가노아세톡시실란, 예를 들면, CH3Si(OCOCH3)3, CH3CH2Si(OCOCH3)3 및 CH2=CHSi(OCOCH3)3; 오가노이미노옥시실란, 예를 들면, CH3Si[O-N=C(CH3)CH2CH3]3, Si[O-N=C(CH3)CH2CH3]4 및 CH2=CHSi[O-N=C(CH3)CH2CH3]3; 오가노아세트아미도실란, 예를 들면, CH3Si[NHC(=O)CH3]3 및 C6H5Si[NHC(=O)CH3]3; 아미노 실란, 예를 들면, CH3Si[NH(s-C4H9)]3 및 CH3Si(NHC6H11)3; 및 오가노아미노옥시실란을 포함한다.
가교결합제는 단일 실란 또는 2종 이상의 상이한 실란의 혼합물일 수 있고, 각각은 상기 기재된 바와 같다. 또한, 트리- 및 테트라-관능성 실란의 제조 방법은 당해 분야에 잘 알려져 있고, 이들 실란 중 다수는 시중에서 구입할 수 있다.
존재하는 경우, 실리콘 조성물 중의 가교결합제의 농도는 실리콘 수지를 경화(가교결합)하기에 충분하다. 가교결합제의 정확한 양은 목적하는 경화 정도에 따라 좌우되며, 이는 일반적으로 가교결합제 중의 규소-결합된 가수분해성 그룹의 몰수 대 실리콘 수지 중의 규소-결합된 하이드록시 그룹의 몰수의 비율이 증가함에 따라 증가한다. 전형적으로, 가교결합제의 농도는 실리콘 수지 중의 규소-결합된 하이드록시 그룹의 1몰 당 규소-결합된 가수분해성 그룹 0.2 내지 4몰을 제공하기에 충분하다. 가교결합제의 최적의 양은 반복적인 실험으로 용이하게 측정할 수 있다.
상기 기재된 바와 같이, 실리콘 조성물은 하나 이상의 축합 촉매를 추가로 포함할 수 있다. 축합 촉매는 전형적으로 규소-결합된 하이드록시(실란올) 그룹의 축합을 촉진하여 Si-O-Si 결합을 형성하는데 사용되는 임의의 축합 촉매이다. 축합 촉매의 예는, 이로써 제한되지는 않지만, 아민; 및 납, 주석, 아연 및 철과 카복실산의 착물을 포함한다. 특히, 축합 촉매는 주석(II) 및 주석(IV) 화합물, 예를 들면, 주석 디라우레이트, 주석 디옥토에이트 및 테트라부틸 주석; 및 티탄 화합물, 예를 들면, 티탄 테트라부톡사이드로부터 선택될 수 있다.
축합 촉매의 농도는 전형적으로, 실리콘 수지의 총 중량을 기준으로 하여, 0.1 내지 10%(w/w), 대안적으로 0.5 내지 5%(w/w), 대안적으로 1 내지 3%(w/w)이다.
상기 기재된 실리콘 조성물이 축합 촉매를 함유하는 경우, 조성물은 전형적으로 실리콘 수지와 축합 촉매가 분리된 부분으로 존재하는 2-부분 조성물이다.
본 발명에 따른 피복된 기판은 기판 및 기판 위의 피복물을 포함하고, 여기서 피복물은 화학식 I의 디실릴옥산 단위 및 입자 형태의 실록산 단위를 포함하는 실리콘 수지의 경화된 생성물 또는 산화된 생성물이다.
화학식 I
O(3-a)/2R1 aSi-SiR1 bO(3-b)/2
위의 화학식 I에서,
각각의 R1은 독립적으로 -H, 하이드로카빌, 또는 치환된 하이드로카빌이고,
a는 0, 1 또는 2이고,
b는 0, 1, 2 또는 3이다
기판은 평면, 복합 또는 불규칙한 윤곽을 갖는 임의의 단단한 물질 또는 가요성 물질일 수 있다. 기판은 전자기 스펙트럼의 가시 영역(약 400 내지 약 700nm)에서 빛을 투과하거나 투과하지 않을 수 있다. 또한, 기판은 전기 전도체, 반도체 또는 부도체일 수 있다. 기판의 예는, 이로써 제한되지는 않지만, 반도체, 예를 들면, 규소, 이산화규소의 표면 층을 갖는 규소, 탄화규소, 인듐 인화물 및 비화갈륨; 석영; 용융 석영; 산화알루미늄; 도자기; 유리; 금속 호일; 폴리올레핀, 예를 들면, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 및 폴리에틸렌 나프탈레이트; 플루오로카본 중합체, 예를 들면, 폴리테트라플루오로에틸렌 및 폴리비닐플루오라이드; 폴리아미드, 예를 들면, 나일론; 폴리이미드; 폴리에스테르, 예를 들면, 폴리(메틸 메타크릴레이트); 에폭시 수지; 폴리에테르; 폴리카보네이트; 폴리설폰; 및 폴리에테르 설폰을 포함한다.
피복된 기판의 피복물은 전형적으로 두께가 0.010㎛ 내지 20㎛, 대안적으로 0.050㎛ 내지 10㎛, 대안적으로 0.100㎛ 내지 5㎛이다. 피복물은 다양한 기판의 불규칙한 표면을 고르게 하고, 탁월한 열적 균열 내성 뿐만 아니라 유전성 및 접착성을 갖는다.
피복물이 실리콘 수지의 경화된 생성물인 피복된 기판은 각각 상기 기재된 바와 같은 실리콘 수지 또는 실리콘 조성물을 기판 위에 도포하여 필름을 형성시키고 필름의 실리콘 수지를 경화시킴으로써 제조할 수 있다. 실리콘 수지 또는 실리콘 조성물은 통상적인 방법, 예를 들면, 스핀 코팅, 딥 코팅, 분무 코팅, 플로우 코팅, 스크린 인쇄 및 롤 코팅을 사용하여 기판에 도포할 수 있다. 용매가 존재하는 경우, 전형적으로 필름을 가열하기 전에 이를 피복된 기판으로부터 증발시킨다. 임의의 적합한 증발 수단, 예를 들면, 단순한 공기 건조, 진공 적용 또는 가열(50℃ 이하)을 사용할 수 있다.
실리콘 수지는 필름을 가열함으로써 경화(가교결합)할 수 있다. 예를 들면, 전형적으로 50 내지 260℃, 대안적으로 50 내지 250℃, 대안적으로 100 내지 200℃의 온도에서 필름을 가열함으로써 실리콘 수지를 경화한다. 실리콘 조성물이 축합 촉매를 포함하는 경우, 실리콘 수지는 전형적으로 보다 낮은 온도, 예를 들면, 실온(약 23 ± 2℃) 내지 200℃의 온도에서 경화할 수 있다. 실리콘 수지의 구조에 따라 좌우되는 가열 시간은 전형적으로 1 내지 50시간, 대안적으로 1 내지 10시간, 대안적으로 1 내지 5시간이다. 필름은 통상적인 방법, 예를 들면, 석영 튜브 노(furnace), 컨벡션 오븐 또는 복사 또는 마이크로파 에너지를 사용하여 가열할 수 있다.
피복물이 실리콘 수지의 산화된 생성물인 피복된 기판은 각각이 상기 기재된 바와 같은 실리콘 수지 또는 실리콘 조성물을 기판 상에 도포하여 필름을 형성하고 필름의 실리콘 수지를 산화시킴으로써 제조할 수 있다.
실리콘 수지 또는 실리콘 조성물을 상기 기재된 바와 같이 기판 상에 도포할 수 있다. 필름을 가열하거나 필름을 산화제의 존재하에 UV 방사선에 노출시킴으로써 실리콘 수지를 산화시킬 수 있다. 예를 들면, 필름을 공기 중에 300 내지 600℃의 온도에서 가열함으로써 실리콘 수지를 산화시킬 수 있다. 필름은 전형적으로 산화된 피복물의 중량이 필름의 실리콘 수지를 경화함으로써 제조된 피복물의 중량 보다 1 내지 3%(w/w) 이상이 되도록 하는 시간 기간 동안 가열한다. 예를 들면, 필름은 전형적으로 0.01 내지 1시간, 대안적으로 0.01 내지 0.2시간의 기간 동안 가열한다. 대안적으로, 실리콘 수지는 상기 기재된 바와 같은 필름의 실리콘 수지를 경화시킨 다음, 경화된 실리콘 수지를 300 내지 600℃의 온도에서 가열함으로써 산화될 수 있다.
본 발명에 따른 강화 실리콘 수지 필름은
화학식 I의 디실릴옥산 단위 및 입자 형태의 실록산 단위를 포함하는 하나 이상의 실리콘 수지의 경화된 생성물 및
경화된 생성물 내에 삽입된 섬유 보강재를 포함한다.
화학식 I
O(3-a)/2R1 aSi-SiR1 bO(3-b)/2
위의 화학식 I에서,
각각의 R1은 독립적으로 -H, 하이드로카빌, 또는 치환된 하이드로카빌이고,
a는 0, 1 또는 2이고,
b는 0, 1, 2 또는 3이다
강화 실리콘 수지 필름은 하나 이상의 실리콘 수지의 경화된 생성물을 포함하고, 여기서 실리콘 수지는 상기 기재되고 예시된 바와 같다. 본원에서 사용된 용어 "실리콘 수지의 경화된 생성물"은 3차원 망상 구조를 가진 가교결합된 실리콘 수지를 의미한다.
실리콘 수지의 경화된 생성물은 하기 본 발명의 강화 실리콘 수지 필름의 제조 방법에 기재된 바와 같이 제조할 수 있다.
또한, 강화 실리콘 수지 필름은 실리콘 수지의 경화된 생성물 내에 삽입된 섬유 보강재를 포함한다. 섬유 보강재는 섬유를 포함하는 임의의 보강재일 수 있고, 단 보강재는 높은 모듈러스 및 높은 인장 강도를 가진다. 섬유 보강재는 전형적으로 25℃에서 영 모듈러스(Young's Modulus)가 3GPa 이상이다. 예를 들면, 보강재는 전형적으로 25℃에서 영 모듈러스가 3 내지 1,000GPa, 대안적으로 3 내지 200GPa, 대안적으로 10 내지 100GPa이다. 게다가, 보강재는 전형적으로 25℃에서 인장 강도가 50MPa 이상이다. 예를 들면, 보강재는 전형적으로 25℃에서 인장 강도가 50 내지 10,000MPa, 대안적으로 50 내지 1,000MPa, 대안적으로 50 내지 500MPa이다.
섬유 보강재는 직조 직물, 예를 들면, 천; 부직 직물, 예를 들면, 매트 또는 조방사; 또는 루스(개별) 섬유(loose(individual) fiber)일 수 있다. 보강재 내의 섬유는 전형적으로 모양이 원통형이고 직경이 1 내지 100㎛, 대안적으로 1 내지 20㎛, 대안적으로 1 내지 10㎛이다. 루스 섬유는 일반적으로 연속적일 수 있고, 이는 섬유가 파열되지 않는 방식으로 강화 실리콘 수지 필름 전체에 확장되거나 절단되는 것을 의미한다.
섬유 보강재는 전형적으로 사용하기 전에 열처리하여 유기 오염물을 제거한다. 예를 들면, 섬유 보강재는 전형적으로 공기 중에 승온에서, 예를 들면, 575℃에서 적합한 시간 기간 동안, 예를 들면, 2시간 동안 가열된다.
섬유 보강재의 예는, 이로써 제한되지는 않지만, 유리 섬유; 석영 섬유; 흑연 섬유; 나일론 섬유; 폴리에스테르 섬유; 아라미드 섬유, 예를 들면, 켈블라(Kevlar®) 및 노멕스(Nomex®); 폴리에틸렌 섬유; 폴리프로필렌 섬유 및 탄화규소 섬유를 포함하는 보강재를 포함한다.
본 발명의 강화 실리콘 수지 필름은 전형적으로 경화된 실리콘 수지 10 내지 99%(w/w), 대안적으로 30 내지 95%(w/w), 대안적으로 60 내지 95%(w/w), 대안적으로 80 내지 95%(w/w)를 포함한다. 또한, 강화 실리콘 수지 필름은 전형적으로 두께가 10 내지 3,000㎛, 대안적으로 15 내지 500㎛, 대안적으로 15 내지 300㎛, 대안적으로 20 내지 150㎛, 대안적으로 30 내지 125㎛이다.
강화 실리콘 수지 필름이 전형적으로 가요성을 갖기 때문에 필름은 직경이 3.2mm 이하인 원통형 스틸 축 상에서 균열 없이 구부러질 수 있고, 여기서 가요성은 ASTM 표준 D522-93a, 방법 B에 기재된 바와 같이 측정된다.
강화 실리콘 수지 필름은 낮은 선형 열팽창(CTE) 계수, 높은 인장 강도 및 높은 모듈러스를 갖는다. 예를 들면, 필름은 전형적으로 CTE가 실온(약 23 ± 2℃) 내지 200℃의 온도에서 0 내지 80㎛/m℃, 대안적으로 0 내지 20㎛/m℃, 대안적으로 2 내지 10㎛/m℃이다. 또한, 필름은 전형적으로 인장 강도가 25℃에서 50 내지 200MPa, 대안적으로 80 내지 200MPa, 대안적으로 100 내지 200MPa이다. 추가로, 강화 실리콘 수지 필름은 전형적으로 영 모듈러스가 25℃에서 2 내지 10GPa, 대안적으로 2 내지 6GPa, 대안적으로 3 내지 5GPa이다.
강화 실리콘 수지 필름의 투명도는 다수의 인자, 예를 들면, 경화된 실리콘 수지의 조성물, 필름의 두께 및 섬유 보강재의 굴절률에 따라 좌우된다. 강화 실리콘 수지 필름은 전형적으로 전자기 스펙트럼의 가시 영역에서 투명도(투과율(%))가 10% 이상, 대안적으로 60% 이상, 대안적으로 75% 이상, 대안적으로 85% 이상이다.
본 발명에 따른 강화 실리콘 수지 필름의 제조 방법은
화학식 I의 디실릴옥산 단위 및 입자 형태의 실록산 단위를 포함하는 실리콘 수지(A) 및 유기 용매(B)를 포함하는 실리콘 조성물 중에 섬유 보강재를 함침시키는 단계 및
함침된 섬유 보강재의 실리콘 수지를 경화시키는 단계를 포함한다.
화학식 I
O(3-a)/2R1 aSi-SiR1 bO(3-b)/2
위의 화학식 I에서,
각각의 R1은 독립적으로 -H, 하이드로카빌, 또는 치환된 하이드로카빌이고,
a는 0, 1 또는 2이고,
b는 0, 1, 2 또는 3이다
강화 실리콘 수지 필름의 제조 방법의 제1 단계에서, 화학식 I의 디실릴옥산 단위 및 입자 형태의 실록산 단위를 포함하는 실리콘 수지(A) 및 유기 용매(B)를 포함하는 실리콘 조성물 중에 섬유 보강재를 함침시킨다.
화학식 I
O(3-a)/2R1 aSi-SiR1 bO(3-b)/2
위의 화학식 I에서,
각각의 R1은 독립적으로 -H, 하이드로카빌, 또는 치환된 하이드로카빌이고,
a는 0, 1 또는 2이고,
b는 0, 1, 2 또는 3이다
강화 실리콘 수지 필름의 제조 방법에서 실리콘 조성물 및 섬유 보강재는 각각 상기 기재되고 예시된 바와 같다.
섬유 보강재는 다양한 방법을 사용하여 실리콘 조성물 중에 함침시킨다. 예를 들면, 제1 방법에 따라, (i) 상기 기재된 실리콘 조성물을 이형 라이너(liner)에 도포하여 실리콘 필름을 형성하는 단계; (ii) 섬유 보강재를 필름 내로 삽입하는 단계; (iii) 삽입된 섬유 보강재를 탈기시키는 단계; (iv) 실리콘 조성물을 탈기된 삽입된 섬유 보강재에 도포하여 함침된 섬유 보강재를 형성하는 단계에 의해, 섬유 보강재를 함침시킬 수 있다.
단계(i)에서, 상기 기재된 실리콘 조성물을 이형 라이너에 도포하여 실리콘 필름을 형성한다. 이형 라이너는 표면을 갖는 임의의 단단한 물질 또는 가요성 물질일 수 있고, 이로부터 강화 실리콘 수지 필름은 하기 기재된 바와 같이 실리콘 수지가 경화된 후 탈아민화에 의해 손상 없이 제거될 수 있다. 이형 라이너의 예는, 이로써 제한되지는 않지만, 나일론, 폴리에틸렌테레프탈레이트 및 폴리이미드를 포함한다.
실리콘 조성물을 통상적인 피복 기술, 예를 들면, 스핀 코팅, 딥핑, 분무, 브러싱 또는 스크린 인쇄를 사용하여 이형 라이너에 도포할 수 있다. 실리콘 조성물은 하기와 같이 단계(ii)에서 섬유 보강재를 삽입하기에 충분한 양으로 도포된다.
단계(ii)에서, 섬유 보강재를 실리콘 필름에 삽입한다. 단순하게 보강재를 필름 위에 놓고 필름의 실리콘 조성물이 보강재를 적시도록 함으로써, 섬유 보강재를 실리콘 필름에 삽입할 수 있다.
단계(iii)에서, 삽입된 섬유 보강재를 탈기시킨다. 삽입된 섬유 보강재를 진공하에 실온(약 23 ± 2℃) 내지 60℃의 온도에서 삽입된 보강재 내에 갇힌 공기를 제거하기에 충분한 시간 기간 동안 적용하여 탈기시킬 수 있다. 예를 들면, 삽입된 섬유 보강재를 전형적으로 1,000 내지 20,000Pa의 압력하에 5 내지 60분 동안 실온에서 적용하여 탈기시킬 수 있다.
단계(iv)에서, 실리콘 조성물을 탈기된 삽입된 섬유 보강재에 도포하여 함침된 섬유 보강재를 형성한다. 실리콘 조성물을 상기 단계(i)에 기재된 바와 같은 통상적인 방법을 사용하여 탈기된 삽입된 섬유 보강재에 도포할 수 있다.
제1 방법은 (v) 함침된 섬유 보강재를 탈기시키는 단계; (vi) 제2 이형 라이너를 탈기된 함침된 섬유 보강재에 도포하여 어셈블리를 형성하는 단계 및 (vii) 어셈블리를 압축하는 단계를 추가로 포함할 수 있다.
어셈블리를 압축하여 과량의 실리콘 조성물 및/또는 갇힌 공기를 제거하고, 함침된 섬유 보강재의 두께를 감소시킬 수 있다. 어셈블리를 통상적인 장치, 예를 들면, 스테인리스 스틸 롤러, 유압 프레스, 고무 롤러 또는 라미네이팅 롤 세트를 사용하여 압축할 수 있다. 어셈블리는 전형적으로 1,000Pa 내지 10MPa의 압력하에 실온(약 23 ± 2℃) 내지 50℃의 온도에서 압축한다.
대안적으로, 제2 방법에 따라, (i) 섬유 보강재를 이형 라이너 위에 놓는 단계; (ii) 섬유 보강재를 상기 기재된 실리콘 조성물에 삽입시키는 단계; (iii) 삽입된 섬유 보강재를 탈기시키는 단계 및 (iv) 실리콘 조성물을 탈기된 삽입된 섬유 보강재에 도포하여 함침된 섬유 보강재를 형성하는 단계에 의해 섬유 보강재를 실리콘 조성물에 함침시킬 수 있다. 제2 방법은 (v) 함침된 섬유 보강재를 탈기시키는 단계; (vi) 제2 이형 라이너를 탈기된 함침된 섬유 보강재에 도포하여 어셈플리는 형성하는 단계; 및 (vii) 어셈블리를 압축하는 단계를 추가로 포함할 수 있다. 제2 방법에서, 단계(iii) 내지 단계(vii)는 섬유 보강재를 실리콘 조성물에 함침시키는 상기 제1 방법에 기재된 바와 같다.
단계(ii)에서, 섬유 보강재를 상기 기재된 실리콘 조성물에 삽입한다. 단순하게 보강재를 조성물로 덮고 조성물이 보강재를 적시도록 함으로써, 보강재를 실리콘 조성물에 삽입할 수 있다.
더욱이, 섬유 보강재가 직조 또는 부직 직물인 경우, 이를 조성물에 통과시킴으로써, 보강재를 실리콘 조성물에 함침시킬 수 있다. 직물은 전형적으로 실리콘 조성물을 1 내지 1,000cm/s의 속도로 실온(약 23 ± 2℃)에서 통과한다.
강화 실리콘 수지 필름의 제조 방법의 제2 단계에서, 함침된 섬유 보강재의 실리콘 수지를 경화시킨다. 함침된 섬유 보강재를 50 내지 250℃에서 1 내지 50시간의 기간 동안 가열함으로써, 실리콘 수지를 경화할 수 있다. 실리콘 조성물이 축합 촉매를 포함하는 경우, 실리콘 수지는 전형적으로 보다 낮은 온도, 예를 들면, 실온(약 23 ± 2℃) 내지 200℃에서 경화될 수 있다.
섬유 보강재를 축합-경화성 실리콘 조성물에 함침시키는 단계를 사용하는 상기 기재된 방법에 따라, 함침된 섬유 보강재의 실리콘 수지를 대기압 또는 대기압 이하의 압력에서 경화할 수 있다. 예를 들면, 함침된 섬유 보강재가 제1 및 제2 이형 라이너 사이에 싸여지지 않는 경우, 실리콘 수지는 전형적으로 대기압 하에 공기 중에서 경화된다. 대안적으로, 함침된 섬유 보강재가 제1 및 제2 이형 라이너 사이에 싸여지는 경우, 실리콘 수지는 전형적으로 감압하에 경화된다. 예를 들면, 실리콘 수지는 1,000 내지 20,000Pa, 대안적으로 1,000 내지 5,000Pa의 압력하에 가열될 수 있다. 실리콘 수지는 통상적인 진공 배깅(bagging) 공정을 사용하여 감압하에 경화될 수 있다. 전형적으로 공정에서, 블리더(bleeder)(예: 폴리에스테르)를 함침된 섬유 보강재 상에 도포하고, 브리더(breather)(예: 나일론, 폴리에스테르)를 블리더 상에 도포하고, 진공 노즐이 장착된 진공 배깅 필름(예: 나일론)을 브리더 상에 도포하고, 어셈블리를 테이프로 밀봉하고, 진공(예: 1,000Pa)을 밀봉된 어셈블리에 적용하고, 필요한 경우, 비워진 어셈블리를 상기 기재된 바와 같이 가열한다.
강화 실리콘 수지 필름의 제조 방법은 경화된 실리콘 수지를 이형 라이너(들)로부터 분리하는 단계를 추가로 포함할 수 있다. 경화된 실리콘 수지는 필름을 이형 라이너로부터 기계적으로 벗겨냄으로써 이형 라이너로부터 분리될 수 있다.
본 발명의 실리콘 수지는 다양한 유기 용매에 용해될 수 있다. 예를 들면, 규소-결합된 하이드록시 그룹의 구조, 분자량 및 함량에 따라 좌우되는, 유기 용매 중의 실리콘 수지의 용해도는 전형적으로 실온(약 23 ± 2℃)에서 2g/㎖ 이상, 대안적으로 1g/㎖ 이상이다. 특히, 메틸 이소부틸 케톤 중의 실리콘 수지의 용해도는 전형적으로 실온(약 23 ± 2℃)에서 0.1 내지 2g/㎖, 대안적으로 0.2 내지 1g/㎖이다.
또한, 실리콘 수지는 가시광선 분광법으로 측정한 바, 겔을 실질적으로 함유하지 않는다. 예를 들면, 유기 용매 중의 제1 또는 제2 실리콘 수지를 16%(w/w)로 함유하는 용액은 경로 길이가 2.54cm인 셀을 사용하여 측정한 바, 전자기 스펙트럼의 가시 영역(약 400 내지 약 700nm)에서 빛에 대하여 퍼센트 투과율이 60% 이상, 대안적으로 80% 이상, 대안적으로 90% 이상이다.
본 발명의 실리콘 조성물은 우수한 저장 안정성을 갖는 원-파트 조성물로서 용이하게 제형화될 수 있다. 게다가, 조성물은 스핀 코팅, 인쇄 및 분무와 같은 통상적인 고속 방법으로 기판에 도포할 수 있다.
피복된 기판의 피복물은 매우 낮은 표면 조도, 열적으로 유도되는 균열에 대한 높은 내성 및 낮은 인장 강도를 나타낸다.
본 발명의 강화 실리콘 수지 필름은 동일한 실리콘 조성물로 제조된 비강화 실리콘 수지 필름에 비해 낮은 열팽창 계수, 높은 인장 강도 및 높은 모듈러스를 갖는다. 또한, 강화 실리콘 수지 필름과 비강화 실리콘 수지 필름의 유리 전이 온도가 유사함에도 불구하고, 강화 필름은 유리 전이에 상응하는 온도 범위 내에서 모듈러스의 매우 작은 변화를 나타낸다.
본 발명의 강화 실리콘 수지 필름은 높은 열 안정성, 가요성, 기계적 강도 및 투명도를 갖는 필름을 필요로 하는 분야에서 유용하다. 예를 들면, 당해 실리콘 수지 필름은 가요성 디스플레이, 태양 전지, 가요성 전자 보드, 터치 스크린, 내화성 벽지 및 내충격성 창문의 필수적인 성분으로서 사용될 수 있다. 또한, 당해 필름은 투명 또는 불투명 전극에 적합한 기판이다.
하기 실시예는 본 발명의 실리콘 수지, 실리콘 조성물 및 강화 실리콘 수지 필름을 보다 잘 설명하기 위해 나타내지만, 본 발명을 제한하는 것으로 간주되지 않으며, 본 발명은 첨부된 청구항에 기술된다. 달리 기재되지 않는 한, 실시예에 기록된 모든 부 및 퍼센트는 중량부와 중량%이다. 하기 방법 및 물질을 실시예에서 사용하였다.
기계적 특성의 측정
영 모듈러스, 인장 강도 및 파열시 인장 변형률을 100-N 로드 셀이 장착된 MTS 알리안스(Alliance) RT/5 시험 프레임을 사용하여 측정하였다. 실시예 2의 시험 표본에 대해 영 모듈러스, 인장 강도 및 인장 변형률을 실온(약 23 ± 2℃)에서 측정하였다.
시험 표본을 25mm 떨어져 있는 2개의 공압식 그립에 로딩하고, 1mm/분의 크로스헤드 속도로 밀어 넣었다. 하중 및 변위 데이타를 연속적으로 수집하였다. 하중-변위 곡선의 초기 부분에서 가파른 경사는 영 모듈러스로서 수득하였다. 영 모듈러스(GPa), 인장 강도(MPa) 및 인장 변형률(%)에 대해 기록된 값들은 각각 동 일한 실리콘 수지 필름으로부터 상이한 아령 모양의 시험 표본 상에 형성된 3개의 측정값의 평균을 나타낸다.
수학식 1에 따라, 하중-변위 곡선 상의 가장 높은 점을 사용하여 인장 강도를 계산하였다.
σ = F/(wb)
위의 수학식 1에서,
σ는 인장 강도(MPa)이고,
F는 가장 높은 힘(N)이고,
w는 시험 표본의 너비(mm)이고,
b는 시험 표본의 두께(mm)이다.
수학식 2에 따라, 시험 전후의 그립 간격의 상이함을 초기 간격으로 나누어 파열시 인장 변형률을 계산하였다.
ε = 100(l2-l1)/l1
위의 수학식 2에서,
ε은 파열시 인장 변형률(%)이고,
l2는 그립의 최종 간격(mm)이고,
l1은 그립의 초기 간격(mm)이다.
디실란 조성물(A)은 메틸클로로실란 제조의 직접 공정에서 제조된 잔여물의 분획 증류에 의해 수득된 클로로디실란 스트림이다. 조성물은, 총 중량을 기준으로 하여, C4H9SiMeCl2 7.1%, Me3Cl3Si2O 0.3%, Me4Cl2Si2 8.6%, Me2Cl4Si2O 1.9%, C10 탄화수소 1.9%, Me3Cl3Si2 25.8% 및 Me2Cl4Si2 52.8%를 함유한다.
디실란 조성물(B)은 메틸클로로실란 제조의 직접 공정에서 제조된 잔여물의 분획 증류에 의해 수득된 클로로디실란 스트림이다. 조성물은, 총 중량을 기준으로 하여, Me4Cl2Si2 0.1%, Me3Cl3Si2 30.9% 및 Me2Cl4Si2 66.2%를 함유한다.
니산 케미칼(Nisan Chemical(Houston, Texas))로부터 구입한 오가노실리카솔(ORGANOSILICASOL™) IPA-ST는 이소프로필 알코올 중의 콜로이드성 실리카의 분산액이고, 여기서 콜로이드성 실리카는 입자 크기가 10 내지 15nm이다. 분산액은 SiO2 30%(w/w)를 함유하고, pH가 2 내지 4이며, 비중이 0.96 내지 1.02이다.
JPS Glass(Slater, SC)로부터 구입할 수 있는 유리 섬유는 평직이고 두께가 37.5㎛인 비처리된 스타일 106 전기 유리 직물이다.
실시예 1
디실란 조성물(A)(30g)을 메틸 이소부틸 케톤(MIBK) 120g 및 무수 메탄올 38.4g과 혼합하였다. 반응으로부터 제조된 HCl은 플라스크의 개구로 빠져나가도록 하였다. 액체 혼합물을 밀봉된 병에 놓고, 빙수욕 내에서 차갑게 만든 다음, 교반기와 온도계가 장착된 3구 환저 플라스크의 꼭대기에 설치된 첨가 깔대기로 옮겼 다. 탈이온수 120g 오가노실리카솔 IPA-ST 51.8g을 함유하는 혼합물을 플라스크에 넣고, 외부 빙수욕으로 2 내지 4℃로 차갑게 만들었다. 첨가 깔대기 내의 혼합물을 10분의 기간 동안 탈이온수/콜로이드성 실리카의 차가운 혼합물에 계속 가하고, 당해 시간 동안 혼합물의 온도는 3 내지 5℃ 상승하였다. 첨가가 완료된 후, 혼합물을 1시간 동안 얼음욕에서 교반하였다. 그 다음, 플라스크를 수욕으로 50 내지 75℃로 가열하고, 당해 온도를 1시간 동안 유지하였다. 혼합물을 실온으로 냉각되도록 한 다음, 물 200㎖ 중의 NaCl 10g의 용액으로 4회 세척하였다. 각각의 세척 후, 수성 상을 제거하였다. 유기 상을 분리하고 60℃ 및 2.7kPa의 압력에서 농축하여 MIBK 중 실리콘 수지 22.4%(w/w)를 함유하는 용액을 제조하였다. 수지 중의 SiO4/2 단위 대 디실릴옥산 단위의 몰 비율은 29Si NMR로 측정한 바, 4.4이다.
실시예 2
실시예 1의 실리콘 조성물을 통해 약 5cm/s의 속도로 유리 직물(38.1cm x 8.9cm)을 통과시켜 유리 직물을 실시예 1의 실리콘 조성물로 함침시켰다. 그 다음, 함침된 직물을 공기 순환 오븐에서 수직으로 매달고, 함침된 직물을 5℃/분으로 실온에서 150℃로 가열한 다음, 온도를 10분 동안 150℃로 유지함으로써, 실리콘 수지를 경화시켰다. 오븐을 끄고, 강화 실리콘 수지 필름이 실온으로 냉각되도록 두었다. 함침, 경화 및 냉각 단계를 추가 2회 반복하고, 단, 함침된 직물을 실온에서 200℃로 5℃/분으로 가열하고 200℃의 온도에서 1시간 동안 유지함으로써 실리콘 수지를 경화시켰다. 강화 실리콘 수지 필름의 기계적 특성을 표 1에 나타내었다.
실시예 두께 (㎛) 인장 강도(MPa) 영 모듈러스(GPa) 파열시 변형률(%)
랩(Warp) 필(Fill) 랩 필 랩 필
2 40 49.4±19.7 117.5±14.9 3.30±0.46 4.12±0.49 2.0+0.6 4.7±2.0

Claims (17)

  1. 화학식 I의 디실릴옥산 단위 및 입자 형태의 실록산 단위를 포함하는 실리콘 수지.
    화학식 I
    O(3-a)/2R1 aSi-SiR1 bO(3-b)/2
    위의 화학식 I에서,
    각각의 R1은 독립적으로 -H, 하이드로카빌, 또는 치환된 하이드로카빌이고,
    a는 0, 1 또는 2이고,
    b는 0, 1, 2 또는 3이다
  2. 제1항에 있어서, 상기 수지가 화학식 I의 디실릴옥산 단위 10 내지 70mol%를 포함하는, 실리콘 수지.
  3. 제1항에 있어서, 상기 수지가 입자 형태의 실록산 단위 1 내지 80mol%를 포함하는, 실리콘 수지.
  4. 제1항에 있어서, 상기 입자의 중간 입자 크기(median particle size)가 0.001 내지 500㎛인, 실리콘 수지.
  5. 제1항에 있어서, 상기 입자가 실리카 입자, 실리콘 수지 입자, 실리콘 엘라스토머 입자 및 금속 폴리실리케이트 입자로부터 선택되는, 실리콘 수지.
  6. 제1항에 따른 하나 이상의 실리콘 수지(A) 및 유기 용매(B)를 포함하는 실리콘 조성물.
  7. 제6항에 있어서, 하나 이상의 가교결합제 및 축합 촉매를 추가로 포함하는, 실리콘 조성물
  8. 기판 및 기판 상의 피복물을 포함하는 피복된 기판으로서,
    상기 피복물이 화학식 I의 디실릴옥산 단위 및 입자 형태의 실록산 단위를 포함하는 실리콘 수지의 경화된 생성물 또는 산화된 생성물인, 피복된 기판.
    화학식 I
    O(3-a)/2R1 aSi-SiR1 bO(3-b)/2
    위의 화학식 I에서,
    각각의 R1은 독립적으로 -H, 하이드로카빌, 또는 치환된 하이드로카빌이고,
    a는 0, 1 또는 2이고,
    b는 0, 1, 2 또는 3이다
  9. 제8항에 있어서, 상기 피복물의 두께가 0.01 내지 20㎛인, 피복된 기판
  10. 화학식 I의 디실릴옥산 단위 및 입자 형태의 실록산 단위를 포함하는 하나 이상의 실리콘 수지의 경화된 생성물 및
    경화된 생성물 내에 삽입된 섬유 보강재를 포함하는 강화 실리콘 수지 필름.
    화학식 I
    O(3-a)/2R1 aSi-SiR1 bO(3-b)/2
    위의 화학식 I에서,
    각각의 R1은 독립적으로 -H, 하이드로카빌, 또는 치환된 하이드로카빌이고,
    a는 0, 1 또는 2이고,
    b는 0, 1, 2 또는 3이다
  11. 제10항에 있어서, 상기 필름의 두께가 10 내지 3000㎛인, 강화 실리콘 수지 필름.
  12. 제10항에 있어서, 상기 수지가 화학식 I의 디실릴옥산 단위 10 내지 70mol%를 포함하는, 강화 실리콘 수지 필름.
  13. 제10항에 있어서, 상기 수지가 입자 형태의 실록산 단위 1 내지 80mol%를 포함하는, 강화 실리콘 수지 필름.
  14. 제10항에 있어서, 상기 입자의 평균 입자 크기가 0.001 내지 500㎛인, 강화 실리콘 수지 필름.
  15. 제10항에 있어서, 상기 입자가 실리카 입자, 실리콘 수지 입자, 실리콘 엘라스토머 입자 및 금속 폴리실리케이트 입자로부터 선택되는, 강화 실리콘 수지 필름.
  16. 제10항에 있어서, 상기 섬유 보강재가 직조 직물, 부직 직물 및 루스 섬유(loose fiber)로부터 선택되는, 강화 실리콘 수지 필름.
  17. 제16항에 있어서, 상기 섬유 보강재가 유리 섬유를 포함하는, 강화 실리콘 수지 필름.
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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8092910B2 (en) * 2005-02-16 2012-01-10 Dow Corning Toray Co., Ltd. Reinforced silicone resin film and method of preparing same
KR101271662B1 (ko) * 2005-02-16 2013-06-05 다우 코닝 도레이 캄파니 리미티드 강화 실리콘 수지 필름 및 이의 제조방법
US8334022B2 (en) * 2005-08-04 2012-12-18 Dow Corning Corporation Reinforced silicone resin film and method of preparing same
CN101356237B (zh) * 2005-12-21 2011-06-29 陶氏康宁公司 有机硅树脂膜，其制备方法和纳米材料填充的有机硅组合物
ATE515528T1 (de) * 2006-01-19 2011-07-15 Dow Corning Silikonharzfilm, herstellungsverfahren dafür und mit nanomaterial gefüllte silikonzusammensetzung
KR20080094783A (ko) * 2006-02-02 2008-10-24 다우 코닝 코포레이션 실리콘 수지 필름, 이의 제조방법 및 나노 물질-충전된실리콘 조성물
WO2007097835A2 (en) * 2006-02-20 2007-08-30 Dow Corning Corporation Silicone resin film, method of preparing same, and nanomaterial-filled silicone composition
WO2008042056A1 (en) * 2006-10-05 2008-04-10 Dow Corning Corporation Silicone resin film and method of preparing same
EP2118203B1 (en) * 2007-02-22 2012-05-23 Dow Corning Corporation Reinforced silicone resin film and method of preparing same
JP5426402B2 (ja) * 2007-02-22 2014-02-26 ダウ コーニング コーポレーション 強化シリコーン樹脂フィルム
US8273448B2 (en) * 2007-02-22 2012-09-25 Dow Corning Corporation Reinforced silicone resin films
US8323797B2 (en) 2007-02-22 2012-12-04 Dow Corning Corporation Composite article having excellent fire and impact resistance and method of making the same
KR20100017503A (ko) * 2007-05-01 2010-02-16 다우 코닝 코포레이션 강화 실리콘 수지 필름
WO2009048694A1 (en) * 2007-10-12 2009-04-16 Dow Corning Corporation Reinforced silicone resin film and nanofiber-filled silicone composition
JP5471180B2 (ja) * 2008-09-11 2014-04-16 信越化学工業株式会社 シリコーン積層基板、その製造方法、シリコーン積層基板製造用シリコーン樹脂組成物及びｌｅｄ装置
AU2010292989B2 (en) * 2009-09-11 2013-10-24 Cte Pty Ltd Protective coating composition
KR102065943B1 (ko) * 2015-04-17 2020-01-14 삼성전자주식회사 팬-아웃 반도체 패키지 및 그 제조 방법
US9929100B2 (en) * 2015-04-17 2018-03-27 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Electronic component package and method of manufacturing the same
WO2019022878A1 (en) * 2017-07-28 2019-01-31 Dow Silicones Corporation METHOD FOR MANUFACTURING SILANE AND SILOXANE MIXTURE WITH FAR-BOILING POINT
TWI785070B (zh) 2017-07-31 2022-12-01 美商陶氏有機矽公司 聚矽氧樹脂、相關方法、以及由其形成的膜
JP6848910B2 (ja) * 2018-03-15 2021-03-24 カシオ計算機株式会社 熱膨張性シート、熱膨張性シートの製造方法及び造形物の製造方法

Family Cites Families (97)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US736971A (en) * 1902-07-26 1903-08-25 William R Jenkins Power-hammer.
US2702764A (en) * 1949-08-20 1955-02-22 Fabric Res Lab Inc High tear strength resin-coated nylon fabric and method of making the same
US3031417A (en) * 1958-04-21 1962-04-24 Du Pont Preparation of fibrous alumina monohydrate and aquasols thereof
NL129346C (ko) * 1966-06-23
US4087585A (en) * 1977-05-23 1978-05-02 Dow Corning Corporation Self-adhering silicone compositions and preparations thereof
JPS55120656A (en) * 1979-03-09 1980-09-17 Toray Silicone Co Ltd Curable liquid organopolysiloxane composition
US4260780A (en) * 1979-11-27 1981-04-07 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Phenylmethylpolysilane polymers and process for their preparation
US4332525A (en) * 1979-12-03 1982-06-01 United Technologies Corporation Matched stiffness rotor flexbeam and blade system
US4276424A (en) * 1979-12-03 1981-06-30 Petrarch Systems Methods for the production of organic polysilanes
JPS56157464A (en) * 1980-05-09 1981-12-04 Toshiba Silicone Co Ltd Coat formation
US4314956A (en) * 1980-07-23 1982-02-09 Dow Corning Corporation High yield silicon carbide pre-ceramic polymers
US4324901A (en) * 1981-04-29 1982-04-13 Wisconsin Alumni Research Foundation Soluble polysilastyrene and method for preparation
US4355135A (en) * 1981-11-04 1982-10-19 Dow Corning Corporation Tintable abrasion resistant coatings
JPS5945356A (ja) * 1982-09-08 1984-03-14 Toray Silicone Co Ltd 導電性シリコ−ンゴム組成物
US4530879A (en) * 1983-03-04 1985-07-23 Minnesota Mining And Manufacturing Company Radiation activated addition reaction
US4460638A (en) * 1983-04-06 1984-07-17 Dow Corning Corporation Fiber reinforced glass matrix composites
US4460639A (en) * 1983-04-06 1984-07-17 Dow Corning Corporation Fiber reinforced glass matrix composites
US4460640A (en) * 1983-04-06 1984-07-17 Dow Corning Corporation Fiber reinforced glass matrix composites
US4510094A (en) * 1983-12-06 1985-04-09 Minnesota Mining And Manufacturing Company Platinum complex
FR2564470B1 (fr) * 1984-05-18 1987-01-02 Rhone Poulenc Spec Chim Resine organosilicique a motifs disilaniques et a proprietes thermomecaniques ameliorees et en outre utilisables notamment pour l'hydrofugation du batiment
US4537829A (en) * 1984-09-20 1985-08-27 Dow Corning Corporation Curable silicone compositions comprising resins
US4568566A (en) * 1984-10-30 1986-02-04 General Electric Company Acrylic-functional silicone resin compositions
JPS62257939A (ja) * 1986-05-02 1987-11-10 Shin Etsu Chem Co Ltd シリコ−ンエラストマ−球状微粉末の製造方法
JPS63251464A (ja) * 1987-04-08 1988-10-18 Toray Silicone Co Ltd 導電性シリコ−ンゴム粒状物
US4766176A (en) * 1987-07-20 1988-08-23 Dow Corning Corporation Storage stable heat curable organosiloxane compositions containing microencapsulated platinum-containing catalysts
DE3811567A1 (de) * 1988-04-07 1989-10-19 Wacker Chemie Gmbh Verfahren zur herstellung von organopolysilanen
JPH0214244A (ja) * 1988-06-30 1990-01-18 Toray Dow Corning Silicone Co Ltd 加熱硬化性オルガノポリシロキサン組成物
US4916169A (en) * 1988-09-09 1990-04-10 Minnesota Mining And Manufacturing Company Visible radiation activated hydrosilation reaction
JP2631572B2 (ja) * 1990-04-27 1997-07-16 東芝シリコーン株式会社 導電性シリコーンゴム組成物
DE4033157A1 (de) * 1990-10-12 1992-04-16 Nuenchritz Chemie Gmbh Verfahren zur herstellung von loeslichen methylalkoxypoly(disilyl)-siloxanen
JP3029680B2 (ja) * 1991-01-29 2000-04-04 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 オルガノペンタシロキサンおよびその製造方法
US5213868A (en) * 1991-08-13 1993-05-25 Chomerics, Inc. Thermally conductive interface materials and methods of using the same
US5281455A (en) * 1991-08-22 1994-01-25 Dow Corning Corporation Laminate article comprising moisture-curable silicone pressure sensitive adhesive and release liner
US5278272A (en) * 1991-10-15 1994-01-11 The Dow Chemical Company Elastic substantialy linear olefin polymers
JP2511348B2 (ja) * 1991-10-17 1996-06-26 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 オルガノポリシロキサンおよびその製造方法
JP3161786B2 (ja) * 1991-11-20 2001-04-25 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 オルガノポリシロキサンおよびその製造方法
US5312946A (en) * 1992-04-13 1994-05-17 General Electric Company Siloxane fluid from methylchlorosilane residue waste
JP3367964B2 (ja) * 1992-04-21 2003-01-20 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 硬化性樹脂組成物
US5861467A (en) * 1993-05-18 1999-01-19 Dow Corning Corporation Radiation curable siloxane compositions containing vinyl ether functionality and methods for their preparation
JP3406646B2 (ja) * 1993-06-29 2003-05-12 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 オルガノポリシロキサンおよびその製造方法
JP3385728B2 (ja) * 1994-06-02 2003-03-10 信越化学工業株式会社 表面処理剤及び結合剤
DE4423195A1 (de) * 1994-07-01 1996-01-04 Wacker Chemie Gmbh Triazenoxid-Übergangsmetall-Komplexe als Hydrosilylierungskatalysatoren
US5738976A (en) * 1995-03-16 1998-04-14 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photo-curable organopolysiloxane composition and a method for producing a (meth) acryloyloxyl group-containing organopolysiloxane used therein
JP3158987B2 (ja) * 1995-08-14 2001-04-23 信越化学工業株式会社 ジシラニルオルガノポリシロキサンの製造方法
US5794649A (en) * 1996-10-01 1998-08-18 O. Ames Co. Portable hose cart assembly
DE19647368A1 (de) * 1996-11-15 1998-05-20 Inst Neue Mat Gemein Gmbh Verbundwerkstoffe
US5904796A (en) * 1996-12-05 1999-05-18 Power Devices, Inc. Adhesive thermal interface and method of making the same
EP0850998B1 (en) * 1996-12-31 2004-04-28 Dow Corning Corporation Method for making rubber-modified rigid silicone resins and composites produced therefrom
US5747608A (en) * 1996-12-31 1998-05-05 Dow Corning Corporation Rubber-modified rigid silicone resins and composites produced therefrom
US6884314B2 (en) * 1997-02-07 2005-04-26 Henkel Corporation Conducive, silicone-based compositions with improved initial adhesion reduced microvoiding
US5801262A (en) * 1997-06-30 1998-09-01 General Electric Company Process for preparing polysiloxane microspheres with a narrow size distribution
US6432497B2 (en) * 1997-07-28 2002-08-13 Parker-Hannifin Corporation Double-side thermally conductive adhesive tape for plastic-packaged electronic components
JP4086946B2 (ja) * 1998-01-05 2008-05-14 日東電工株式会社 熱伝導性感圧接着シ―ト類およびこれを用いた電子部品と放熱部材との固定方法
JP3641377B2 (ja) * 1998-12-17 2005-04-20 日本原子力研究所 繊維強化されたポリテトラフルオロエチレン複合成形体の製造方法
US7622159B2 (en) * 1999-01-28 2009-11-24 Loparex, Inc. Release liners and processes for making the same
JP3932155B2 (ja) * 1999-06-03 2007-06-20 信越化学工業株式会社 球状シリコーン樹脂微粒子
US6368535B1 (en) * 1999-08-06 2002-04-09 Dow Corning Corporation Condensation reaction curable silsesquioxane resin composition and methods for the synthesis and cure thereof
FR2801601B1 (fr) * 1999-11-26 2003-04-25 Rhodia Chimie Sa Complexe silicone reticulable thermiquement / adhesif dont l'interface possede une force de decollement modulable
JP3941327B2 (ja) * 2000-02-01 2007-07-04 Ｊｓｒ株式会社 シリカ系膜の製造方法、シリカ系膜、絶縁膜および半導体装置
AU2001265719A1 (en) * 2000-06-21 2002-01-02 Compagnie Royale Asturienne Des Mines S.A. Protective barrier
US6387487B1 (en) * 2000-08-11 2002-05-14 General Electric Company Dual cure, low-solvent silicone pressure sensitive adhesives
JP4759122B2 (ja) * 2000-09-12 2011-08-31 ポリマテック株式会社 熱伝導性シート及び熱伝導性グリス
US6407922B1 (en) * 2000-09-29 2002-06-18 Intel Corporation Heat spreader, electronic package including the heat spreader, and methods of manufacturing the heat spreader
JP4697829B2 (ja) * 2001-03-15 2011-06-08 ポリマテック株式会社 カーボンナノチューブ複合成形体及びその製造方法
JP4375968B2 (ja) * 2001-04-06 2009-12-02 ワールド プロパティーズ インク． 導電性シリコーンおよびその製造方法
DE60211339D1 (de) * 2001-06-22 2006-06-14 Argonide Corp Submikron filter
AU2002332422C1 (en) * 2001-07-27 2008-03-13 Eikos, Inc. Conformal coatings comprising carbon nanotubes
US6680016B2 (en) * 2001-08-17 2004-01-20 University Of Dayton Method of forming conductive polymeric nanocomposite materials
US7074481B2 (en) * 2001-09-17 2006-07-11 Dow Corning Corporation Adhesives for semiconductor applications efficient processes for producing such devices and the devices per se produced by the efficient processes
US7311967B2 (en) * 2001-10-18 2007-12-25 Intel Corporation Thermal interface material and electronic assembly having such a thermal interface material
US6689859B2 (en) * 2002-03-05 2004-02-10 Dow Corning Corporation High fracture toughness hydrosilyation cured silicone resin
EP1535965B1 (en) * 2002-06-05 2012-01-04 Dow Corning Asia Ltd. Polysiloxane film and process for producing the same
US6908682B2 (en) * 2002-09-12 2005-06-21 3M Innovative Properties Company Photocured silicone sealant having improved adhesion to plastic
US6783692B2 (en) * 2002-10-17 2004-08-31 Dow Corning Corporation Heat softening thermally conductive compositions and methods for their preparation
US6841213B2 (en) * 2002-12-27 2005-01-11 Scimed Life Systems, Inc Fiber pattern printing
US7037592B2 (en) * 2003-02-25 2006-05-02 Dow Coming Corporation Hybrid composite of silicone and organic resins
US7064343B2 (en) * 2003-12-22 2006-06-20 Eastman Kodak Company High speed counterbalanced translation device for use with radiographic media
WO2005068569A1 (en) * 2003-12-22 2005-07-28 Dow Corning Corporation Silicone compositions and their use in controlling the release or transfer of printed or molded patterns and transferring processes therefore
DE102004014216A1 (de) * 2004-03-23 2005-10-13 Wacker-Chemie Gmbh Vernetzbare Massen auf der Basis von Organosiliciumverbindungen
CN100383213C (zh) * 2004-04-02 2008-04-23 清华大学 一种热界面材料及其制造方法
US8541103B2 (en) * 2004-12-03 2013-09-24 Kaneka Corporation Silicone polymer particle and silicone composition containing same
KR101271662B1 (ko) * 2005-02-16 2013-06-05 다우 코닝 도레이 캄파니 리미티드 강화 실리콘 수지 필름 및 이의 제조방법
US8092910B2 (en) * 2005-02-16 2012-01-10 Dow Corning Toray Co., Ltd. Reinforced silicone resin film and method of preparing same
ATE452928T1 (de) * 2005-06-14 2010-01-15 Dow Corning Angereicherte silikonharzfolie und verfahren für ihre zubereitung
US8334022B2 (en) * 2005-08-04 2012-12-18 Dow Corning Corporation Reinforced silicone resin film and method of preparing same
JP4780323B2 (ja) * 2005-11-21 2011-09-28 信越化学工業株式会社 エッチングマスク用ケイ素含有膜形成用組成物、エッチングマスク用ケイ素含有膜、及び、これを用いた基板加工中間体及び被加工基板の加工方法
CN101356237B (zh) * 2005-12-21 2011-06-29 陶氏康宁公司 有机硅树脂膜，其制备方法和纳米材料填充的有机硅组合物
ATE515528T1 (de) * 2006-01-19 2011-07-15 Dow Corning Silikonharzfilm, herstellungsverfahren dafür und mit nanomaterial gefüllte silikonzusammensetzung
KR20080094783A (ko) * 2006-02-02 2008-10-24 다우 코닝 코포레이션 실리콘 수지 필름, 이의 제조방법 및 나노 물질-충전된실리콘 조성물
WO2007120905A2 (en) * 2006-04-18 2007-10-25 Dow Corning Corporation Cadmium telluride-based photovoltaic device and method of preparing the same
US8273448B2 (en) * 2007-02-22 2012-09-25 Dow Corning Corporation Reinforced silicone resin films
EP2118203B1 (en) * 2007-02-22 2012-05-23 Dow Corning Corporation Reinforced silicone resin film and method of preparing same
WO2008103227A1 (en) * 2007-02-22 2008-08-28 Dow Corning Corporation Reinforced silicone resin film and method of preparing same
JP5426402B2 (ja) * 2007-02-22 2014-02-26 ダウ コーニング コーポレーション 強化シリコーン樹脂フィルム
CN101675096B (zh) * 2007-05-01 2012-12-26 陶氏康宁公司 纳米材料填充的有机硅组合物和增强的有机硅树脂膜
KR20100017503A (ko) * 2007-05-01 2010-02-16 다우 코닝 코포레이션 강화 실리콘 수지 필름
WO2009048694A1 (en) * 2007-10-12 2009-04-16 Dow Corning Corporation Reinforced silicone resin film and nanofiber-filled silicone composition

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