KR20090068131A - 유기 발광 장치의 제조 방법 - Google Patents
유기 발광 장치의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20090068131A KR20090068131A KR1020080127127A KR20080127127A KR20090068131A KR 20090068131 A KR20090068131 A KR 20090068131A KR 1020080127127 A KR1020080127127 A KR 1020080127127A KR 20080127127 A KR20080127127 A KR 20080127127A KR 20090068131 A KR20090068131 A KR 20090068131A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- organic light
- light emitting
- region
- emitting device
- anode
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 36
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 26
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 9
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 29
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 abstract description 41
- 239000010408 film Substances 0.000 description 47
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 28
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 12
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 2
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 2
- 230000003679 aging effect Effects 0.000 description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000035876 healing Effects 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017073 AlLi Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940117975 chromium trioxide Drugs 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N chromium trioxide Inorganic materials O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GAMDZJFZMJECOS-UHFFFAOYSA-N chromium(6+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Cr+6] GAMDZJFZMJECOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N indium zinc Chemical compound [Zn].[In] NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N orlistat Chemical compound CCCCCCCCCCC[C@H](OC(=O)[C@H](CC(C)C)NC=O)C[C@@H]1OC(=O)[C@H]1CCCCCC AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007847 structural defect Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
- H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80524—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/841—Applying alternating current [AC] during manufacturing or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/861—Repairing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
본 발명은 대화면 표시 장치에 적용될 수 있는 유기 발광 장치의 제조 방법을 제공한다. 유기 발광 장치의 제조 방법은, 구동 기판에, 구동 트랜지스터, 및 양극, 유기층 및 음극을 이 순서로 적층한 유기 발광 소자를 포함하는 소자 영역을 형성하는 소자 영역 형성 공정; 및 상기 소자 영역을 형성한 후, 적어도 상기 소자 영역을 산소 농도 0.1% 이상 1% 미만, 노점(dew point) -50도 이하의 분위기로 하여, 상기 양극 및 상기 음극의 사이에 전압을 인가하는 수복 공정을 포함한다.
Description
본 발명은, 유기 발광 소자(유기 EL(Electroluminescence) 소자)를 구비한 유기 발광 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
최근, 차세대의 표시 장치가 활발히 개발되어 있고, 공간절약, 고휘도, 저소비 전력 등이 요구되고 있다. 이와 같은 표시 장치로서 유기 발광 소자를 사용한 유기 발광 장치가 주목되고 있다. 유기 발광 장치는, 자발광형이므로 시야각이 넓고, 백라이트를 필요로 하지 않기 때문에 전력 절약이 기대될 수 있고, 응답성이 높으며, 장치의 두께를 얇게 할 수 있는 특징을 가지고 있다. 그러므로 텔레비전 등의 대화면 표시 장치로의 응용이 강하게 요구되고 있다.
유기 발광 소자는, 양극 및 음극의 사이에, 발광층을 포함하는 유기층을 구비하고 있다. 이 유기 발광 소자의 구동 방식에는, 매트릭스 상에 배열된 화소의 점등 및 소등을, 선택선과 신호선과의 교점 부분에 인가되는 전압으로 제어하는 단순 매트릭스 구동 방식과, 매트릭스형으로 배열된 화소의 점등 및 소등을, 각 화소에 대응하는 스위칭 소자로 제어하는 액티브 매트릭스 구동 방식이 있다.
액티브 매트릭스 구동 방식의 경우에는, 양극은, 스위칭 소자로서의 TFT(박막 트랜지스터)의 한쪽의 신호 단자에 접속되어 있다.
이와 같은 유기 발광 장치의 제조 공정에서는, 미소한 파티클 등에 의해, 얇은 유기층에 핀홀 등이 형성되어 버리는 경우가 있다. 핀홀 등은, 유기층을 협지하는 양극 및 음극 사이의 전기적인 단락 영역으로 되고, 유기층에 흘러야 할 전류의 전부 또는 일부가 이 단락 영역에 흘러 버린다. 그 결과, 유기 발광 소자가 발광하지 않는 또는 어두워지는 현상이 발생한다. 이 현상이 발생한 화소는 표시 결함으로 인식되어 버리므로, 이것을 방지하기 위한 다양한 방법이 제안되어 있다.
종래에는, 예를 들면, 유기 발광 소자를 형성한 후, 보호막 또는 밀봉 층을 형성하기 전에 에이징(aging)을 행하고, 셀프 힐링 현상(self healing phenomenon)을 이용하여 단락 영역을 수복하는 방법이 있다(예를 들면, 일본 특허출원 공개번호 제2003-173873호 공보(특허 문헌 1) 및 일본 특허 제3,575,468호(특허 문헌 2 참조)).
그런데 유기 발광 장치를 대화면 표시 장치에 응용하는 경우, 표시 결함이 한 화면 중에 존재할 확률이 매우 커지므로, 양호한 수율로 생산하기 위해서는 단락 대책이 거의 필수로 된다. 또한, 표시 결함은, 표시 장치를 점등, 구동시키면, 구동에 의한 부하 또는 구동 시간에 의존하여, 제조 완료 후에도 발생하는 경우가 있다.
그러나 특허 문헌 1 또는 특허 문헌 2에 기재된 종래의 수복 방법은, 대화면 표시 장치에 응용한 경우에 다음과 같은 문제가 생긴다.
구체적으로, 화면의 크기를 크게 하기 위해, 비용 또는 생산성의 관점으로부터, 현재 액정 표시 장치로 주류로 되어 있는 비정질 실리콘 TFT를 사용하는 것이 바람직하지만, 비정질 실리콘 TFT에서는, 일반적으로 I-V 특성의 온도 의존성이 알려져 있다. 그러므로 수복을 위한 전압 인가 중에, 유기 발광 소자의 발열에 의해, TFT 특성의 온도 의존성에 의한 전류 상승이 생긴다. 이 전류 상승은, 유기 발광 소자 자체의 발열에 의한 온도 상승과의 상승 효과(synergetic effect)에 의해 멈추지 않고, 표시 장치 그 자체를 파괴해 버릴 때까지로 도달하는 것을 본원 발명자는 확인하였다.
이 현상은, 화면의 크기를 크게 할 때 표시 장치의 총 전류량이 증대하면, 더 현저하게 나타나므로, 유기 발광 장치를 대화면 표시 장치에 응용하는데 있어서는 매우 큰 문제로 되어 있다.
또한, 특허 문헌 2에서는, 충분한 에이징 효과를 얻기 위해 전계를 인가하는 동시에 가열 처리를 가하여, 발광 시간은 12 내지 100시간, 분위기는 진공으로 하고 있다. 그러나 대화면 표시 장치에 응용하는 경우, 전계를 인가하고 있는 상태에서는, 전술한 바와 같은 전류 상승 및 온도 상승이 발생하다. 결과적으로, 가열 처리를 수행하는 것이 어렵다.
그러므로 본 발명의 목적은, 대화면 표시 장치로의 응용을 가능하게 할 수 있는 유기 발광 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 의한 유기 발광 장치의 제조 방법은, 구동 기판에, 구동 트랜지스터와, 양극 및 음극의 사이에 유기층을 가지는 유기 발광 소자를 포함하는 소자 영역을 형성하는 소자 영역 형성 공정; 및 소자 영역을 형성한 후, 적어도 소자 영역을 산소 농도 0.1% 이상 1% 미만, 노점 -50도 이하의 분위기로 하여, 양극 및 음극의 사이에 전압을 인가하는 수복 공정을 포함한다. 구체적으로는, 수복 공정을, 소자 영역을 형성한 구동 기판을 챔버에 수용하여 행하는 동시에, 이 챔버 내로의 가스 도입을 행하는 것이 바람직하다. 또는, 수복 공정을, 소자 영역을 형성한 구동 기판을 통상 분위기 하에 두어 행하는 동시에, 구동 기판의 소자 영역을 일시적으로 밀폐하는 것이 바람직하다.
본 발명에 의한 유기 발광 장치의 제조 방법에서는, 수복 공정은, 적어도 소자 영역을 산소 농도 0.1% 이상 1% 미만, 노점 -50도 이하의 분위기로 하여 행해진다. 구체적으로는, 소자 영역을 형성한 구동 기판은, 챔버에 수용되는 동시에, 이 챔버 내로의 가스 도입이 행해진다. 또는, 소자 영역을 형성한 구동 기판은, 통상 분위기 하에 두어지는 동시에, 구동 기판의 소자 영역이 일시적으로 밀폐된다. 이로써, 전압의 인가에 의한 유기 발광 소자의 발열에 따른 온도 상승이 경감되어 소자 영역이 냉각 내지 방열된다. 따라서, 전류가 과도하게 상승하는 것이 억제되고, 전류가 충분히 안정된 상태에서 수복 공정이 행해진다.
본 발명의 유기 발광 장치의 제조 방법에 의하면, 수복 공정에서, 적어도 소자 영역을 산소 농도 0.1% 이상 1% 미만, 노점 -50도 이하의 분위기로 하도록 했으므로, 온도 상승 또는 전류 상승을 억제하면서, 표시 결함의 원인으로 되는 유기층의 핀홀(단락 영역)을 수복할 수 있다. 따라서, I-V 특성의 온도 의존성이 높은 비정질 실리콘 TFT를 사용한 대화면 표시 장치에 적용한 경우에 매우 적합하고, 높은 수복 효과를 얻을 수 있다.
본 발명의 다른 목적 및 추가의 목적, 특징 및 이점에 대해서는 이하의 상세한 설명으로부터 더 완전하게 분명히 될 것이다.
이하, 본 발명의 실시예에 대하여 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
(제1 실시예)
도 1은, 본 발명의 제1 실시예에 관한 유기 발광 장치의 제조 방법에 따라 제조되는 유기 발광 장치의 구성을 나타낸 것이다. 이 유기 발광 장치는, 유기 EL TV 등으로서 사용되며, 이하와 같이 형성된다. 예를 들면, 유리로 이루어지는 구 동 기판(11)의 상에, 후술하는 복수의 유기 발광 소자(10R, 10G, 10B)가 매트릭스형으로 배치되어 이루어지는 소자 영역(110)이 형성되는 동시에, 이 소자 영역(110)의 주변에, 영상 표시용의 드라이버인 신호선 구동 회로(120) 및 주사선 구동 회로(130)가 형성된다.
소자 영역(110) 내에는 화소 구동 회로(140)가 형성되어 있다. 도 2는 화소 구동 회로(140)의 일례를 나타낸 것이다. 이 화소 구동 회로(140)는, 후술하는 양극(13)의 하층에 형성되고, 구동 트랜지스터 Tr1 및 기록 트랜지스터 Tr2와, Tr1과 Tr2 사이의 커패시터(유지 용량) Cs와, 제1 전원 라인(Vcc) 및 제2 전원 라인(GND) 사이에서 구동 트랜지스터 Tr1에 직렬로 접속된 유기 발광 소자(10R)(또는 10G, 10B)를 가지는 액티브 형의 구동 회로이다. 구동 트랜지스터 Tr1 및 기록 트랜지스터 Tr2는, 대화면 TV의 경우에는 예를 들면, 역 스태거 구조(이른바 보텀 게이트형)의 비정질 실리콘 TFT에 의해 구성되어 것이 바람직하지만, 특히 이에 한정되는 것은 아니다.
화소 구동 회로(140)에 있어서, 열방향으로는 신호선(120A)이 복수 배치되고, 행방향으로는 주사선(130A)이 복수 배치되어 있다. 신호선(120A)과 주사선(130A)과의 각각의 교차점이, 유기 발광 소자(10R, 10G, 10B) 중 어느 하나(서브 픽셀)에 대응하고 있다. 각각의 신호선(120A)은, 신호선 구동 회로(120)에 접속되고, 이 신호선 구동 회로(120)로부터 신호선(120A)을 통하여 기록 트랜지스터 Tr2의 소스 전극에 화상 신호가 공급되도록 되어 있다. 각각의 주사선(130A)은 주사선 구동 회로(130)에 접속되고, 이 주사선 구동 회로(130)로부터 주사선(130A)을 통하여 기록 트랜지스터 Tr2의 게이트 전극에 주사 신호가 차례로 공급되도록 되어 있다.
도 3은 소자 영역(110)의 단면 구성을 나타낸 것이다. 소자 영역(110)에는, 적색의 광을 발생하는 유기 발광 소자(10R)와 녹색의 광을 발생하는 유기 발광 소자(10G)와 청색의 광을 발생하는 유기 발광 소자(10B)가, 차례로 전체적으로 매트릭스형으로 형성되어 있다. 그리고 각각의 유기 발광 소자(10R, 10G, 10B)는 단책형의 평면 형상(planar strip shape)을 가지고, 인접하는 유기 발광 소자(10R, 10G, 10B)의 조합이 1개의 화소를 구성하고 있다.
유기 발광 소자(10R, 10G, 10B)는, 각각, 구동 기판(11)의 측으로부터, 전술한 화소 구동 회로(140)의 구동 트랜지스터 Tr1, 평탄화 절연막(12), 양극(13), 전극 사이 절연막(14), 후술하는 발광층을 포함하는 유기층(15), 및 음극(16)이 이 순서로 적층된 구성을 가지고 있다.
이와 같은 유기 발광 소자(10R, 10G, 10B)는, 필요에 따라 보호막(17)에 의해 피복되어 있다. 보호막(17)은, 예를 들면, 두께가 0.1μm ~ 10μm 정도이며, 산화 규소(SiOx), 질화 규소(SiNx) 또는 산화 질화 규소(SiNxOy) 등의 무기 재료, 또는 폴리파라크실렌 또는 폴리이미드 등의 유기 재료에 의해 구성되어 있다.
보호막(17) 상에는, 대향 기판(21)이, 열경화형 수지 또는 자외선 경화형 수지 등의 접착층(30)을 사이로 하여 보호막(17)에 부착되어 있다. 대향 기판(21)과 보호막(17)에 의해 유기 발광 소자(10R, 10G, 10B)가 밀봉되어 있다. 대향 기판(21)은, 유리 또는 방습 필름(moisture proof film) 등으로 구성되며, 필요에 따 라, 컬러 필터(22), 및 색변환 층 또는 블랙 매트릭스로서의 광 차폐 막(도시하지 않음)이 설치되어 있어도 된다.
구동 트랜지스터 Tr1은, 평탄화 절연막(12)에 설치된 접속 구멍(12A)을 통하여 양극(13)에 전기적으로 접속되어 있다.
평탄화 절연막(12)은, 화소 구동 회로(140)가 형성된 구동 기판(11)의 표면을 평탄화하기 위한 것이며, 미세한 접속 구멍(12A)이 형성되므로 패턴 정밀도가 양호한 재료에 의해 구성되는 것이 바람직하다. 평탄화 절연막(12)의 구성 재료로서는, 예를 들면, 폴리이미드 등의 유기 재료, 또는 산화 실리콘(SiO2) 등의 무기 재료를 들 수 있다.
양극(13)은, 유기 발광 소자(10R, 10G, 10B)의 각각에 대응하여 형성되어 있다. 또한, 양극(13)은, 발광층에서 발생된 광을 반사시키는 반사 전극으로서의 기능을 가지고 있고, 가능한 한 높은 반사율을 가지도록 하는 것이 발광 효율을 높이는 데 있어서 바람직하다. 제1 전극(13)은, 예를 들면, 두께가 100nm 이상 1000nm 이하이며, 은(Ag), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 티탄(Ti), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 동(Cu), 탄탈(Ta), 텅스텐(W), 백금(Pt) 또는 금(Au) 등의 금속 원소 단일체 또는 합금에 의해 구성되어 있다.
전극 사이 절연막(14)은, 양극(13)과 음극(16)과의 절연성을 확보하는 동시에 발광 영역을 정확하게 원하는 형상으로 하기 위한 것이며, 예를 들면, 폴리이미드 등의 유기 재료, 또는 산화 실리콘(SiO2) 등의 무기 절연 재료에 의해 구성되어 있다. 전극 사이 절연막(14)은, 양극(13)의 발광 영역에 대응하는 개구부를 가지고 있다. 그리고 유기층(15) 및 음극(16)은, 발광 영역뿐 아니라 전극 사이 절연막(14)의 상에도 연속하여 설치되어 있어도 되지만, 발광이 생기는 것은 전극 사이 절연막(14)의 개구부뿐이다.
유기층(15)은, 예를 들면, 양극(13)의 측으로부터 차례로, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층(모두 도시하지 않음)을 적층한 구성을 가지지만, 이들 중 발광층 이외의 층은 필요에 따라 설치하면 된다. 또한, 유기층(15)은, 유기 발광 소자(10R, 10G, 10B)의 발광색에 의해 각각 구성이 상이해도 된다. 정공 주입층은, 정공 주입 효율을 높이기 위한 것인 동시에, 누설을 방지하기 위한 버퍼층이다. 정공 수송층은, 발광층으로의 정공 수송 효율을 높이기 위한 것이다. 발광층에 전계가 인가될 때, 전자와 정공과의 재결합이 일어나, 광을 발생한다. 전자 수송층은, 발광층으로의 전자 수송 효율을 높이기 위한 것이다. 그리고 유기층(15)의 구성 재료는, 일반적인 저분자 또는 고분자 유기 재료이면 되고, 특별히 한정되지 않는다.
음극(16)은, 예를 들면, 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 나트륨(Na) 등의 금속 원소의 유닛 또는 합금에 의해 구성되어 있다. 특히, 마그네슘과 은과의 합금(MgAg 합금), 또는 알루미늄(Al)과 리튬(Li)과의 합금(AlLi 합금)이 바람직하다. 또한, 음극(16)은, ITO(인듐 주석 복합 산화물) 또는 IZO(인듐 아연 복합 산화물)에 의해 구성되어 있어도 된다. 음극(16)의 두께는, 예를 들면, 5nm 이상 50nm 이하인 것이 바람직하다. 이 범위 내이면, 발광층에서 발생된 광을 음극(16) 측으로부터 인출할 때의 광인출 효율을 충분히 높게 할 수 있는 동시에, 후술하는 수복 공정에 있어서, 양극(13)과 음극(16) 사이에 전압을 인가한 경우에, 셀프 힐링 현상에 의해 단락 영역의 음극(16)을 날려 버리거나, 또는 산화 및 절연화 시켜, 확실하게 수복할 수 있기 때문이다.
이 유기 발광 장치는, 예를 들면, 다음과 같이 하여 제조할 수 있다.
도 4는 이 유기 발광 장치의 제조 방법의 흐름을 나타낸 것이다. 이 제조 방법은, 소자 영역 형성 공정, 수복 공정, 보호막 형성 공정 및 밀봉 공정을 포함하고 있다.
소자 영역 형성 공정(단계 S101)
먼저, 전술한 재료로 이루어지는 구동 기판(11) 상에 구동 트랜지스터 Tr1을 포함하는 화소 구동 회로(140)를 형성한다. 이어서, 전체면에 감광성 수지를 도포함으로써 평탄화 절연막(12)을 형성하고, 노광 및 현상에 의해 평탄화 절연막(12)을 소정의 형상으로 패터닝하는 동시에 접속 구멍(12A)을 형성한 후, 소성한다.
이어서, 예를 들면, 스퍼터법에 의해, 전술한 재료로 이루어지는 양극(13)을 형성하고, 에칭에 의해 양극(13)을 선택적으로 제거하여 각각의 유기 발광 소자(10R, 10G, 10B)마다 분리한다. 그후, 구동 기판(11)의 전체면에 걸쳐 감광성 수지를 도포하고, 예를 들면, 포토리소그래피법에 의해 발광 영역에 대응하여 개구부를 설치하고, 소성함으로써, 전극 사이 절연막(14)을 형성한다. 전극간 절연막(14)을 형성한 후, 예를 들면, 증착법에 의해, 전술한 두께 및 재료로 이루어지는 유기층(15) 및 음극(16)을 형성하고, 도 3에 나타낸 바와 같은 유기 발광 소 자(10R, 10G, 10B)를 형성한다. 이로써, 구동 기판(11)에, 구동 트랜지스터 Tr1을 포함하는 화소 구동 회로(140)와 유기 발광 소자(10R, 10G, 10B)를 포함하는 소자 영역(110)이 형성된다.
수복 공정(단계 S102)
소자 영역(110)을 형성한 후, 구동 기판(11)을 증착 장치로부터 연속하여 관리된 진공 분위기 하에서 반송하고, 도 5에 나타낸 바와 같은 에이징 챔버(41)에 수용하고, 알루미늄(Al)으로 이루어지는 히트 싱크(방열 부재)(42) 상에 탑재한다. 이어서, 소자 영역(110)으로부터 인출된 배선 W에 프로브 P를 접촉시키고, 유기 발광 소자(10R, 10G, 10B)의 양극(13)과 음극(16) 사이에 전압을 인가한다. 이로써, 유기층(15)의 핀홀(단락 영역)에 전류가 흐른다. 그때 발생하는 주울 열(Joule heat)에 의해, 주변의 유기층(15)이 기화하고, 단락 영역의 음극(16)이 날려 버려지거나, 또는 산화 및 절연화되는 셀프 힐링 현상에 의해, 핀홀(단락 영역)이 수복된다.
이때, 에이징 챔버(41)의 가스 도입구(43)로부터 가스 도입을 행함으로써, 에이징 챔버(41) 내부를 산소 농도 0.1% 이상 1% 미만, 노점(dew point) -50도 이하의 분위기로 하여 수복 공정을 행한다. 산소 농도를 0.1% 이상 1% 미만으로 함으로써 전압 인가에 의한 유기 발광 소자(10R, 10G, 10B)의 발열에 따른 온도 상승을 억제하고, 소자 영역(110)을 냉각 내지 방열시킬 수 있다. 따라서, 전류가 과도하게 상승하는 것을 억제하고, 전류가 충분히 안정된 상태에서 수복 공정을 행할 수 있다. 또한, 전술한 특허 문헌 1에서는 산소 농도를 1% 이상 10% 이하로 하여 있지만, 산소 농도를 더욱 낮게 함으로써, 유기 발광 소자(10R, 10G, 10B) 중의 정상 영역이 산화에 의해 열화되어 버리는 것을 억제할 수 있다. 또한, 노점을 -50도 이하로 함으로써, 발광 영역이 축소하여 버리는(시링크) 등의 손상을 억제할 수 있다.
그리고 수복 공정에 있어서, 양극(13) 및 음극(16) 사이에 인가하는 전압은, 순방향 전위와 역방향 전위를 교대로 인가하는 교류적인 인가 방식으로 하는 동시에, 유기 발광 소자(10R, 10G, 10B)에 인가되는 순방향 전위와 역방향 전위와의 차를, 30V 이상으로 설정하고, 구동 트랜지스터 Tr1의 초기 내압 이하로 하는 것이 바람직하다. 30V 이상으로 함으로써, 전술한 재료 및 두께의 음극(16)에 대하여 확실하게 수복 효과를 얻을 수 있기 때문이다. 또한, 구동 트랜지스터 Tr1의 초기 내압 이하로 하는 것은, 구동 트랜지스터 Tr1을 파괴하지 않도록, 구동 트랜지스터 Tr1에 관한 부하는 그 구동 트랜지스터 Tr1의 초기 내압 이하로 할 필요가 있기 때문이다. 여기서, 유기 발광 소자(10R, 10G, 10B)에 인가되는 순방향 전위와 역방향 전위와의 차는, Vcc 전위의 순바이어스 시, 역바이어스 시의 전위차가 아니고, 유기 발광 소자(10R, 10G, 10B)에 실효적으로 걸려 있는 전위차이며, 30V는, 예를 들면, 순방향 10V, 역방향 20V이다. 그리고 펄스 파형, 순방향 전압, 역방향 전압, 인가 시간은 특별히 한정되지 않는다.
보호막 형성 공정(단계 S103)
수복 공정을 행한 후, 예를 들면, CVD법에 의해, 전술한 두께 및 재료로 이루어지는 보호막(17)을 형성하고, 유기 발광 소자(10R, 10G, 10B)를 보호막(17)으 로 덮는다.
밀봉 공정(단계 S104)
그후, 보호막(17)의 상에, 전술한 재료로 이루어지는 접착층(30)을 형성한다. 그후, 컬러 필터 등이 설치되고, 전술한 재료로 이루어지는 대향 기판(21)을 준비하고, 구동 기판(11)의 소자 영역(110)이 형성된 측에 대향 기판(21)을 배치하고, 구동 기판(11)과 밀봉용 기판(21)을 접착층(30)을 사이로 하여 접합시킨다. 그 결과, 도 3에 나타낸 유기 발광 장치가 완성된다.
그리고 이 제조 방법에 의해, 실제로 수복 공정을 행하고, 전압 인가 시간과 유기 발광 소자(10R, 10G, 10B)의 전류값과의 관계를 조사하였다. 그때, 음극(16)은, 두께 10nm으로 하고, MgAg 합금에 의해 구성하였다. 또한, 에이징 챔버(41) 내로의 가스 도입에 의해, 산소 농도 0.99%, 노점 -60도의 분위기로 하였다. 도 6에 나타낸 바와 같이, 본 실시예의 제조 방법에서는, 전류값은 극히 안정적이었다. 또한, 진공 중 수복을 행한 경우와 비교했는데, 극히 단시간 중에 전류값이 크게 상승하고, 측정이 불가능하였다. 이것은, TFT 특성의 온도 의존성에 의한 전류 상승과 유기 발광 소자의 발열에 의한 온도 상승과의 상승 효과에 의해 전류값의 상승이 멈추지 않게 되었기 때문인 것으로 생각된다.
또한, 이 제조 방법에 의해, 실제로 수복 공정을 행하고, 유기 발광 소자(10R, 10G, 10B)에 인가되는 순방향 전위와 역방향 전위와의 차를 20V, 30V, 40V, 50V로 변화시켜 단락 특성을 조사한 바, 도 7에 나타낸 바와 같이, 순방향 전위와 역방향 전위와의 차를 30V 이상으로 한 경우에는, 누설이 충분히 수복되어 단 락 특성이 현저하게 개선된 것에 대하여, 20V의 경우에는 단락 상태와 거의 변함없었다.
또한, 이 제조 방법에 의해, 실제로 수복 공정을 행한다. 산소 농도를 0.10%, 1%, 10%로 변화시켜, 전압 인가 시간을 5시간으로 하고, 초기 결함수를 100%로 설정했을 때 증가 결함수의 비율을 조사하였다. 도 8에 나타낸 바와 같이, 0.1%의 산소 농도에서는, 증가 결함수의 비율은, 종래와 같이 산소 농도를 1% 내지 10%로 설정한 경우와 같은 정도로 억제되어 있다. 이로써, 충분한 에이징 효과가 얻어진다. 그리고 수복 공정을 행하지 않는 경우에는, 초기 결함수에 대하여 약 9배의 결함이 나중에 발생하였다. 그러므로 본 실시예의 방법에서는, 초기 결함수에 대하여 9배 정도인 잠재적인 결함도 수복될 수 있다는 것을 알았다.
더하여, 이 제조 방법에 의해, 실제로 수복 공정을 행하고, 산소 농도를 0.1% 미만, 0.10%로 변화시켜, 각각의 조건으로 표시 영역 내의 결함수(초기 결함수)를 조사하였다. 그 결과를 도 9에 나타낸다. 그리고 결함수는, 각 조건에 대하여 3개 이상의 유기 발광 장치를 제작하고, 이 장치들의 결함수의 평균으로 하였다. 도 9로부터 알 수 있는 바와 같이, 산소 농도를 0.10%로 한 경우에는, 0.1% 미만으로 한 경우에 비하여, 결함수가 현저하게 적었다. 이것은, 먼저 말한, 단락 영역이 발생한 음극(16)을 날려 버리거나, 또는 산화 및 절연화시키는 효과를 충분한 것으로 하기 위해서는, 0.1% 이상의 산소 농도를 필요로 하고 있기 때문인 것으로 생각된다. 그리고 도 9에서 조사한 것은 초기 결함수이지만, 본 발명자들은, 경험적으로, "초기 결함수"를 줄이는 효과가 충분하지 않을 때, 잠재적인 결함수를 줄이는 효과가 더 불충분하다는 것을 확인하였다. 산소 농도를 0.10% 이상으로 설정하면 초기 결함뿐 아니라 잠재적인 결함에 대해서도 충분한 수복 효과가 얻어지는 것으로 생각할 수 있다.
이와 같이 도 8 및 도 9의 결과로부터, 수복 공정에 있어서 산소 농도를 0.10% 이상 1% 미만으로 함으로써, 결함수를 억제하는 동시에, 후발적인 결함도 억제할 수 있는 것을 알았다.
이 유기 발광 장치에서는, 각 화소에 대하여 주사선 구동 회로(130)로부터 기록 트랜지스터 Tr2의 게이트 전극을 통하여 주사 신호가 공급되는 동시에, 신호선 구동 회로(120)로부터 화상 신호가 기록 트랜지스터 Tr2를 통하여 유지 용량 Cs에 유지된다. 즉, 이 유지 용량 Cs에 유지된 신호에 따라 구동 트랜지스터 Tr1이 온 오프 제어되고, 이로써, 각 유기 발광 소자(10R, 10G, 10B)에 구동 전류 Id가 주입되는 것에 의해, 정공과 전자가 재결합함으로써 발광이 일어난다. 이 광은, 음극(16), 보호막(17) 및 대향 기판(21)을 투과하여 꺼내진다. 여기서는, 수복 공정이, 소자 영역(110)을 형성한 구동 기판(11)을 에이징 챔버(41)에 수용하여 행해지는 동시에, 에이징 챔버(41) 내로의 가스 도입에 의해, 산소 농도 0.1% 이상 1% 미만, 노점 -50도 이하의 분위기에서 행해지고 있으므로, 표시 결함의 원인으로 되는 유기층(15)의 핀홀(단락 영역) 등이 충분히 수복되어 있다. 따라서, 초기 결함이 배제되는 동시에, 점등 또는 구동에 의한 부하, 또는 구동 시간에 의존하여 생기는 후발 결함이 현저하게 억제된다.
이와 같이 본 실시예에서는, 수복 공정을, 소자 영역(110)을 형성한 구동 기 판(11)을 에이징 챔버(41)에 수용하여 행하는 동시에, 에이징 챔버(41) 내로의 가스 도입에 의해, 산소 농도 0.1% 이상 1% 미만, 노점 -50도 이하의 분위기로 하도록 했으므로, 온도 상승 또는 전류 상승을 억제하면서, 표시 결함의 원인으로 되는 유기층의 핀홀(단락 영역)을 수복할 수 있다. 따라서, I-V 특성의 온도 의존성이 높은 비정질 실리콘 TFT를 사용한 대화면 표시 장치에 적용한 경우에 매우 적합하고, 높은 수복 효과를 얻을 수 있다.
변형예 1
도 10은 본 발명의 변형예 1에 관한 유기 발광 장치의 제조 방법의 흐름을 나타낸 것이다. 본 변형예 1은, 소자 영역 형성 공정을 행한 후, 수복 공정을 행하기 전에 보호막(17) 중 적어도 일부를 형성하도록 한 것을 제외하곤 제1 실시예와 동일하며, 동일한 작용, 효과를 얻을 수 있다. 따라서, 대응하는 구성 요건에는 동일한 부호를 부여하여 설명한다.
소자 영역 형성 공정(단계 S101)
먼저, 제1 실시예와 마찬가지로 하여, 구동 기판(11)에, 구동 트랜지스터 Tr1을 포함하는 화소 구동 회로(140)와, 유기 발광 소자(10R, 10G, 10B)를 포함하는 소자 영역(110)을 형성한다.
보호막 형성 공정(단계 S103)
이어서, 예를 들면, CVD법에 의해, 전술한 재료로 이루어지는 보호막(17)을 형성한다. 그때, 보호막(17)의 두께를, 유기 발광 소자(10R, 10G, 10B) 중의 수복을 필요로 하는 영역(수복 필요 영역)(50A)을 가리지 않는 정도의 두께, 구체적으 로는 예를 들면, 0.2μm 이하로 한다. 수복 필요 영역(50A)에는, 도 11에 나타낸 바와 같이, 이물질(foreign matter)(51) 등의 구조적 결함이 있다. 이물질(51)의 주위에는 유기층(15)이 형성되지 않는 부분이 있다. 이 부분은, 양극(13)과 음극(16)이 접촉하고, 단락이 발생하는 단락 영역 S로 되어 있다. 음극(16)의 상에, 보호막(17)을 이 정도의 두께로 매우 얇게 형성하면, 유기 발광 소자(10R, 10G, 10B) 중의 정상 영역(50B)은 보호막(17)으로 덮인다. 그렇지만, 보호막(17)이 이물질(51)을 덮어 버릴 가능성은 작다.
수복 공정(단계 S102)
이어서, 제1 실시예와 마찬가지로 하여, 구동 기판(11)을 에이징 챔버(41)에 수용하여, 히트 싱크(방열 부재)(42) 상에 탑재하고, 에이징 챔버(41) 내부를 산소 농도 0.1% 이상 1% 미만, 노점 -50도 이하의 분위기로 하여, 유기 발광 소자(10R, 10G, 10B)의 양극(13)과 음극(16) 사이에 제1 실시예와 마찬가지의 전압을 인가한다. 이때, 유기 발광 소자(10R, 10G, 10B) 상에는, 보호막(17)이 전술한 두께로 형성되어 있으므로, 유기 발광 소자(10R, 10G, 10B) 중의 정상 영역(50B)은 보호막(17)으로 보호되어 산소 분위기에 노출되지 않고, 열화 등의 우려를 없앨 수가 있다. 한편, 수복 필요 영역(50A)은 보호막(17)으로 덮여 있지 않으므로, 셀프 힐링 현상에 의해 수복될 수 있다.
그리고 수복 공정을 행한 후, 내습 성능(moisture-resistance performance)의 관점으로부터, 필요에 따라 추가의 보호막(17)을 형성해도 된다.
밀봉 공정(단계 S104)
그후, 제1 실시예와 마찬가지로 하여, 보호막(17) 상에 접착층(30)을 형성하고, 구동 기판(11)과 대향 기판(21)을 접착층(30)을 사이로 하여 접합시킨다. 이와 같은 방식으로, 도 3에 나타낸 유기 발광 장치가 완성된다.
제2 실시예
도 12는 본 발명의 제2 실시예에 관한 유기 발광 장치의 제조 방법의 흐름을 나타낸 것이다. 제2 실시예는, 수복 공정을 제외하곤 제1 실시예와 동일하며, 본 실시예의 작용 및 효과도 제1 실시예와 같다. 따라서, 대응하는 구성 요건에는 동일한 부호를 부여하여 설명한다.
소자 영역 형성 공정(단계 S101)
먼저, 제1 실시예와 마찬가지로 하여, 구동 기판(11)에, 구동 트랜지스터 Tr1을 포함하는 화소 구동 회로(140)와, 유기 발광 소자(10R, 10G, 10B)를 포함하는 소자 영역(110)을 형성한다.
수복 공정(단계 S202)
이어서, 도 13에 나타낸 바와 같이, 밀봉 층(51) 및 차폐 기판(52)을 사용하여, 소자 영역(110)을 일시적으로 밀폐한다.
먼저, 구동 기판(11)의 주위 둘레부에, 접착성 수지 또는 점착성 수지를 도포함으로써, 또는 유기 절연막을 패턴 형성함으로써, 밀봉 층(51)을 형성한다. 밀봉 층(51)의 구성 재료는, 구동 기판(11) 및 후술하는 차폐 기판(52)과의 양호한 밀착성이 있고, 외부 분위기를 충분히 차단할 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않는다.
이어서, 동일하게 도 13에 나타낸 바와 같이, 산소 농도 0.1% 이상 1% 미만, 노점 -50도 이하의 분위기에서, 차폐 기판(52)과 소자 영역(110)을 덮도록 밀폐하고, 소자 영역(110)을 산소 농도 0.1% 이상 1% 미만, 노점 -50도 이하의 분위기로 한다. 차폐 기판(52)의 구성 재료는, 유리 또는 알루미늄(Al) 등, 밀봉 층(51)과의 양호한 밀착성이 있고, 외부 분위기를 충분히 차단할 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않는다.
또한, 도 13에 나타낸 바와 같이, 구동 기판(11)을, 스테인레스강 또는 알루미늄을 포함하는 합금 등으로 이루어지는 차폐 지지 기판(53)으로 지지하는 동시에, 차폐 기판 고정구(shield substrate fixture)(54)와 차폐 기판(52)을 고정시키도록 해도 된다.
이와 같이 소자 영역(110)을 일시적으로 밀폐하여 산소 농도 0.1% 이상 1% 미만, 노점 -50도 이하의 분위기로 한 후, 구동 기판(11)을 통상 분위기 하에 둔 상태에서, 소자 영역(110)으로부터의 인출된 배선 W에 프로브(probe) P를 접촉시키고, 유기 발광 소자(10R, 10G, 10B)의 양극(13)과 음극(16) 사이에 제1 실시예와 마찬가지의 전압을 인가한다. 이러한 구성으로서, 예를 들면, 통상 분위기 하에 둔 구동 기판(11)에 송풍기 등을 사용하여 송풍하는 간단한 방법에서도, 전압 인가에 의한 유기 발광 소자(10R, 10G, 10B)의 발열에 따른 온도 상승을 억제하고, 소자 영역(110)을 냉각 내지 방열시킬 수 있다. 그 결과, 전류가 과도하게 상승하는 것을 억제하고, 전류가 충분히 안정된 상태에서 수복 공정을 행할 수 있다. 따라서, 통상 분위기 하에서 수복 공정을 행할 수 있고, 설비를 대폭 간략화할 수 있 어.
또한, 구동 기판(11)을 펠티에 소자(55)에 의해 냉각시키는 것이 바람직하다. 더욱 높은 효과를 얻을 수 있기 때문이다.
보호막 형성 공정(단계 S103)
수복 공정을 행한 후, 차폐 기판(52)을 제거하고, 제1 실시예와 마찬가지로 하여, 보호막(17)을 형성하고, 유기 발광 소자(10R, 10G, 10B)를 보호막(17)으로 덮는다. 그리고 밀봉 층(51)은, 필요에 따라 제거해도 된다.
밀봉 공정(단계 S104)
그후, 제1 실시예와 마찬가지로 하여, 보호막(17) 상에 접착층(30)을 형성하고, 구동 기판(11)과 대향 기판(21)을 접착층(30)을 사이로 하여 접합시킨다. 이와 같은 방식으로, 도 3에 나타낸 유기 발광 장치가 완성된다.
모듈 및 적용예
이하, 상기 실시예에서 설명한 유기 발광 장치의 적용예에 대하여 설명한다. 상기 실시예의 유기 발광 장치는, 텔레비전 장치, 디지털 카메라, 노트북형 퍼스널 컴퓨터, 휴대 전화기 등의 휴대 단말기 장치 또는 비디오 카메라 등, 외부로부터 입력된 영상 신호 또는 내부에서 생성한 영상 신호를, 화상 또는 영상으로서 표시하는 모든 분야의 전자 기기의 표시 장치에 적용할 수 있다.
모듈
상기 실시예의 유기 발광 장치는, 예를 들면, 도 14에 나타낸 바와 같은 모듈로서, 후술하는 적용예 1~5 등의 각종의 전자 기기에 내장된다. 이 모듈은, 예 를 들면, 구동 기판(11)의 한 변에, 밀봉용 기판(50) 및 접착층(40)으로부터 노출된 영역(210)을 설치하고, 이 노출된 영역(210)에, 신호선 구동 회로(120) 및 주사선 구동 회로(130)의 배선을 연장하여 외부 접속 단자(도시하지 않음)를 형성한 것이다. 외부 접속 단자에는, 신호의 입출력을 위한 플렉시블 프린트 배선 기판(FPC;Flexible Printed Circuit)(220)이 설치되어 있어도 된다.
적용예 1
도 15는 상기 실시예의 유기 발광 장치가 적용되는 텔레비전 장치의 외관을 나타낸 것이다. 이 텔레비전 장치는, 예를 들면, 프론트 패널(310) 및 필터 유리(320)를 포함하는 영상 표시 화면부(300)를 가지고 있고, 이 영상 표시 화면부(300)는, 상기 각 실시예에 관한 유기 발광 장치에 의해 구성되어 있다.
적용예 2
도 16a 및 도 16b는 상기 실시예의 유기 발광 장치가 적용되는 디지털 카메라의 외관을 나타낸 것이다. 이 디지털 카메라는, 예를 들면, 플래시용의 발광부(410), 표시부(420), 메뉴 스위치(430) 및 셔터 버튼(440)을 가지고 있고, 그 표시부(420)는, 상기 각 실시예에 관한 유기 발광 장치에 의해 구성되어 있다.
적용예 3
도 17은 상기 실시예의 유기 발광 장치가 적용되는 노트북형 퍼스널 컴퓨터의 외관을 나타낸 것이다. 이 노트북형 퍼스널 컴퓨터는, 예를 들면, 본체(510), 문자 등의 입력 조작을 위한 키보드(520) 및 화상을 표시하는 표시부(530)를 가지고 있고, 그 표시부(530)는, 상기 각 실시예에 관한 유기 발광 장치에 의해 구성되 어 있다.
적용예 4
도 18은 상기 실시예의 유기 발광 장치가 적용되는 비디오 카메라의 외관을 나타낸 것이다. 이 비디오 카메라는, 예를 들면, 본체부(610), 이 본체부(610)의 전방 측면에 설치된 피사체 촬영용의 렌즈(620), 촬영 시의 스타트/스톱 스위치(630) 및 표시부(640)를 가지고 있고, 그 표시부(640)는, 상기 각 실시예에 관한 유기 발광 장치에 의해 구성되어 있다.
적용예 5
도 19a 및 도 19b는 상기 실시예의 유기 발광 장치가 적용되는 휴대 전화기의 외관을 나타낸 것이다. 이 휴대 전화기는, 예를 들면, 위쪽 하우징(710)과 아래쪽 하우징(720)을 연결부(경첩부)(730)로 연결한 것이며, 디스플레이(740), 서브 디스플레이(750), 픽처 라이트(760) 및 카메라(770)를 가지고 있다. 각각의 디스플레이(740) 및 서브 디스플레이(750)는, 상기 각 실시예에 관한 유기 발광 장치에 의해 구성되어 있다.
이상, 실시예를 들어 본 발명을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 여러 가지 변형이 가능하다. 예를 들면, 상기 실시예에서는, 수복 공정에 있어서 양극(13)과 음극(16) 사이에 전압을 인가하도록 했지만, 수복 중에 자외선(UV) 조사를 행하도록 해도 된다. 수복에는 산화가 기여하고 있으므로, 열 대신에 자외선 조사함으로써 수복을 촉진시킬 수 있기 때문이다.
또한, 상기 변형예 1을 제2 실시예에 적용할 수도 있다.
또한, 예를 들면, 상기 실시예에서 설명한 각 층의 재료 및 두께, 또는 성막 방법 및 성막 조건 등은 한정되지 않고, 다른 재료 및 두께이어도 되거나, 또는 다른 성막 방법 및 성막 조건이어도 된다.
더하여, 상기 실시예에서는, 유기 발광 소자(10R, 10G, 10B)의 구성을 구체적으로 들어 설명하였으나, 모든 층을 구비할 필요는 없고, 또한 다른 층을 추가로 구비하여도 된다. 예를 들면, 양극(13)과 유기층(15) 사이에, 삼산화 크로늄(chromium trioxide)(Cr2O3), ITO(Indium-Tin Oxide: 인듐(In) 및 주석(Sn)의 산화물 혼합막) 등으로 이루어지는 정공 주입용 박막층을 포함하고 있어도 된다. 또한, 예를 들면, 양극(13)은, 유전체 다층막으로 하는 것도 가능하다.
또한, 상기 실시예에서는, 액티브 매트릭스 구동 방식의 경우에 대하여 설명하였으나, 본 발명은 단순 매트릭스 구동 방식으로의 적용도 가능하다. 더하여, 액티브 매트릭스 구동을 위한 화소 구동 회로의 구성은, 상기 실시예에서 설명한 것에 한정되지 않고, 필요에 따라 용량 소자나 트랜지스터를 추가해도 된다. 이 경우, 화소 구동 회로의 변경에 따라, 전술한 신호선 구동 회로(120)나 주사선 구동 회로(130) 외에, 필요한 구동 회로를 추가해도 된다.
전술한 바와 관련해서 본 발명의 많은 변형 및 대안이 가능하다. 그러므로 첨부된 청구의 범위 내에서 구체적으로 설명한 방법 외에 본 발명을 다르게 실시할 수 있음은 물론이다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 관한 유기 발광 장치의 구성을 나타낸 도면이다.
도 2는 도 1에 나타낸 화소 구동 회로의 일례를 나타낸 도면이다.
도 3은 도 1에 나타낸 소자 영역의 구성을 나타낸 단면도이다.
도 4는 도 1에 나타낸 유기 발광 장치의 제조 방법의 흐름을 나타낸 도면이다.
도 5는 도 4에 나타낸 수복 공정(reparing process)을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 실시예의 실험 결과를 나타낸 도면이다.
도 7은 본 실시예의 실험 결과를 나타낸 도면이다.
도 8은 본 실시예의 실험 결과를 나타낸 도면이다.
도 9는 본 실시예의 실험 결과를 나타낸 도면이다.
도 10은 본 발명의 변형예 1로서의 유기 발광 장치의 제조 방법의 흐름을 나타낸 도면이다.
도 11은 도 10에 나타낸 보호막 형성 공정을 설명하기 위한 단면도이다.
도 12는 본 발명의 제2 실시예에 관한 유기 발광 장치의 제조 방법의 흐름을 나타낸 도면이다.
도 13은 도 12에 나타낸 수복 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 14는 상기 실시예의 유기 발광 장치를 포함하는 모듈의 개략 구성을 나타 낸 평면도이다.
도 15는 상기 실시예의 유기 발광 장치의 적용예 1의 외관을 나타낸 사시도이다.
도 16a는 적용예 2의 표면측으로부터 본 외관을 나타낸 사시도이며, 도 16b는 배면측으로부터 본 외관을 나타낸 사시도이다.
도 17은 적용예 3의 외관을 나타낸 사시도이다.
도 18은 적용예 4의 외관을 나타낸 사시도이다.
도 19a는 적용예 5의 개방한 상태의 정면도, 도 19b는 그 측면도, 도 19c는 닫은 상태의 정면도, 도 19d는 좌측면도, 도 19e는 우측면도, 도 19f는 상면도, 도 19g는 저면도이다.
Claims (6)
- 구동 기판에, 구동 트랜지스터, 및 양극, 유기층 및 음극을 이 순서로 적층한 유기 발광 소자를 포함하는 소자 영역을 형성하는 소자 영역 형성 공정; 및상기 소자 영역을 형성한 후, 적어도 상기 소자 영역을 산소 농도 0.1% 이상 1% 미만, 노점(dew point) -50도 이하의 분위기로 하여, 상기 양극 및 상기 음극의 사이에 전압을 인가하는 수복 공정을 포함하는 유기 발광 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,상기 수복 공정을, 상기 소자 영역을 형성한 구동 기판을 챔버에 수용하여 행하는 동시에, 상기 챔버 내로의 가스 도입을 행하는, 유기 발광 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,상기 수복 공정을, 상기 소자 영역을 형성한 구동 기판을 통상 분위기 하에 두어 행하는 동시에, 상기 구동 기판의 상기 소자 영역을 일시적으로 밀폐하는, 유기 발광 장치의 제조 방법.
- 제3항에 있어서,상기 수복 공정을, 상기 구동 기판을 펠티에 소자(Peltier element)에 의해 냉각시키면서 행하는, 유기 발광 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,상기 소자 영역 형성 공정을 행한 후, 상기 수복 공정을 행하기 전에, 단락 영역(short circuit area)을 가리지 않는 정도의 두께의 보호막을 형성하는 보호막 형성 공정을 포함하는, 유기 발광 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,상기 수복 공정에서, 상기 양극 및 상기 음극의 사이에 인가하는 전압은, 순방향 전위와 역방향 전위를 교대로 인가하는 교류적인 인가 방식으로 하는 동시에, 상기 유기 발광 소자에 인가되는 순방향 전위와 역방향 전위와의 차를, 30V 이상으로 설정하고, 상기 구동 트랜지스터의 초기 내압 이하로 설정하는, 유기 발광 장치의 제조 방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007329927A JP4626649B2 (ja) | 2007-12-21 | 2007-12-21 | 有機発光装置の製造方法 |
JPJP-P-2007-329927 | 2007-12-21 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20090068131A true KR20090068131A (ko) | 2009-06-25 |
KR101556987B1 KR101556987B1 (ko) | 2015-10-05 |
Family
ID=40789118
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080127127A KR101556987B1 (ko) | 2007-12-21 | 2008-12-15 | 유기 발광 장치의 제조 방법 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7935544B2 (ko) |
JP (1) | JP4626649B2 (ko) |
KR (1) | KR101556987B1 (ko) |
CN (1) | CN101465322B (ko) |
TW (1) | TW200934288A (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190062808A (ko) * | 2017-11-29 | 2019-06-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5446506B2 (ja) * | 2009-06-26 | 2014-03-19 | 日本精機株式会社 | 有機el素子の製造方法 |
TWI418236B (zh) * | 2010-05-19 | 2013-12-01 | Au Optronics Corp | 封裝方法 |
CN103187025B (zh) * | 2011-12-30 | 2016-08-03 | 昆山维信诺科技有限公司 | 用于oled器件的工作电路及相关器件、设备和方法 |
US9449809B2 (en) * | 2012-07-20 | 2016-09-20 | Applied Materials, Inc. | Interface adhesion improvement method |
JP5708602B2 (ja) * | 2012-09-20 | 2015-04-30 | 株式会社デンソー | 有機el表示装置及びその製造方法 |
CN104362258B (zh) * | 2014-11-07 | 2017-03-22 | 北京维信诺科技有限公司 | 具有长寿命的有机发光器件 |
KR101809885B1 (ko) | 2016-03-08 | 2017-12-20 | 주식회사 테스 | 발광소자의 보호막 증착방법 |
KR102587876B1 (ko) | 2016-10-31 | 2023-10-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 리페어 영역을 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
CN114464761B (zh) * | 2022-01-20 | 2023-12-01 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种有机发光装置的制造方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2701738B2 (ja) * | 1994-05-17 | 1998-01-21 | 日本電気株式会社 | 有機薄膜el素子 |
JP3353699B2 (ja) * | 1998-04-28 | 2002-12-03 | 株式会社豊田中央研究所 | 有機電界発光素子 |
JP2001085156A (ja) * | 1999-09-14 | 2001-03-30 | Sony Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法と表示装置 |
TW530427B (en) * | 2000-10-10 | 2003-05-01 | Semiconductor Energy Lab | Method of fabricating and/or repairing a light emitting device |
JP4067875B2 (ja) * | 2001-06-01 | 2008-03-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | アクティブマトリクス型発光装置の修理方法及び作製方法 |
JP2003173873A (ja) * | 2001-12-06 | 2003-06-20 | Denso Corp | 有機el素子の製造方法 |
JP3575468B2 (ja) | 2002-03-08 | 2004-10-13 | 富士電機ホールディングス株式会社 | 有機elディスプレイの製造方法 |
US7226332B2 (en) * | 2002-04-30 | 2007-06-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
TW575967B (en) * | 2002-06-03 | 2004-02-11 | Ritdisplay Corp | Method of repairing organic light emitting element pixels |
US20040099862A1 (en) * | 2002-11-27 | 2004-05-27 | Harumi Suzuki | Organic EL device and repair method thereof |
US7220603B2 (en) * | 2003-09-19 | 2007-05-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display device and manufacturing apparatus |
JP4826079B2 (ja) * | 2004-09-24 | 2011-11-30 | 日本精機株式会社 | 有機el素子の製造方法 |
US20060163490A1 (en) * | 2005-01-21 | 2006-07-27 | Advanced Ion Beam Technology Inc. | Ion implantation cooling system |
JP2006210213A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Sony Corp | 自発光装置のエージング方法、製造方法及びエージング装置 |
JP2007128663A (ja) * | 2005-11-01 | 2007-05-24 | Hitachi Ltd | 有機発光ディスプレイ及びその製造方法 |
-
2007
- 2007-12-21 JP JP2007329927A patent/JP4626649B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-12-15 KR KR1020080127127A patent/KR101556987B1/ko active IP Right Grant
- 2008-12-17 US US12/337,160 patent/US7935544B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-12-19 TW TW097149922A patent/TW200934288A/zh unknown
- 2008-12-19 CN CN2008101864640A patent/CN101465322B/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190062808A (ko) * | 2017-11-29 | 2019-06-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200934288A (en) | 2009-08-01 |
CN101465322A (zh) | 2009-06-24 |
JP2009152102A (ja) | 2009-07-09 |
JP4626649B2 (ja) | 2011-02-09 |
KR101556987B1 (ko) | 2015-10-05 |
CN101465322B (zh) | 2011-11-16 |
US20090162949A1 (en) | 2009-06-25 |
US7935544B2 (en) | 2011-05-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101556987B1 (ko) | 유기 발광 장치의 제조 방법 | |
JP6513778B2 (ja) | 発光装置 | |
US8518754B2 (en) | Organic EL display and method of manufacturing the same | |
US8604463B2 (en) | Organic light emitting diode display and method of manufacturing the same | |
TWI393262B (zh) | 薄膜電晶體及顯示器 | |
US8004178B2 (en) | Organic light emitting diode display with a power line in a non-pixel region | |
US6781320B2 (en) | Active matrix organic electroluminescence display device | |
US8643801B2 (en) | Display device and electronic apparatus including the same | |
US20060082284A1 (en) | Display and array substrate | |
KR20150050353A (ko) | 표시 장치 및 전자 기기 | |
US7863615B2 (en) | Display unit and method of manufacturing the same | |
TWI414203B (zh) | A manufacturing method and a display device of a display device | |
JP2001196190A (ja) | 有機薄膜発光ディスプレイ | |
JP2007101713A (ja) | 表示装置 | |
JP7312697B2 (ja) | 表示装置および電子機器 | |
JP2006235492A (ja) | 有機el装置及びその駆動方法並びに電子機器 | |
JP7499089B2 (ja) | 表示装置 | |
JP4883206B2 (ja) | 表示装置 | |
KR20080061547A (ko) | 평판표시패널 및 그 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
N231 | Notification of change of applicant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190916 Year of fee payment: 5 |