KR20090039646A - Laser processing device and laser processing method - Google Patents
Laser processing device and laser processing method Download PDFInfo
- Publication number
- KR20090039646A KR20090039646A KR1020080101975A KR20080101975A KR20090039646A KR 20090039646 A KR20090039646 A KR 20090039646A KR 1020080101975 A KR1020080101975 A KR 1020080101975A KR 20080101975 A KR20080101975 A KR 20080101975A KR 20090039646 A KR20090039646 A KR 20090039646A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- laser
- area
- irradiation
- workpiece
- optical system
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/03—Observing, e.g. monitoring, the workpiece
- B23K26/032—Observing, e.g. monitoring, the workpiece using optical means
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
- B23K26/083—Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
- B23K26/0869—Devices involving movement of the laser head in at least one axial direction
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
Abstract
Description
본 발명은, 디지털 마이크로 미러 디바이스로 대표되는 미소(微小) 미러 어레이 등의 공간 변조 소자를 사용한 레이저 가공 장치에 관한 것이며, 특히 액정 표시 장치 등의 기판을 제조하는 과정에서, 기판 상의 결함 영역을 촬상에 의해 추출하고, 그 결함 영역의 형상에 맞추어 수정을 행하는 레이저 리페어(laser repair) 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser processing apparatus using a spatial modulation element such as a micro mirror array typified by a digital micro mirror device. In particular, in the process of manufacturing a substrate such as a liquid crystal display device, a defect region on the substrate is imaged. The present invention relates to a laser repair device which extracts by means of a laser beam and corrects it in accordance with the shape of the defect area.
종래, 레이저 가공 장치에 있어서, 피가공물에 조사(照射)하는 레이저빔을 복수개의 미소 미러에 의해 스위칭하여, 레이저빔이 조사되는 범위, 패턴을 가변하여 가공을 행하도록 한 장치가 알려져 있다.Background Art Conventionally, in a laser processing apparatus, a device is known in which a laser beam irradiated to a workpiece is switched by a plurality of micromirrors so that processing is performed by varying the range and pattern to which the laser beam is irradiated.
이와 같은 레이저 가공 장치에서는, 미소 면적을 가지는 미소 미러면에 고출력의 레이저빔이 조사되므로, 미소 미러가 시간 경과에 의해 열화되기 쉽고, 한번 미소 미러가 열화되면, 예를 들면, 미소 미러의 미러면의 경사가 문제가 되어 레이저빔의 조사 위치가 어긋나, 가공 영역에서의 가공 불량을 일으키거나 가공이 불필요한 영역이나 가공이 종료된 영역을 파괴하거나 하는 문제가 있었다.In such a laser processing apparatus, since a high-power laser beam is irradiated to the micromirror surface which has a micro area, when a micromirror tends to deteriorate over time and once a micromirror deteriorates, for example, the mirror surface of a micromirror Inclination of the laser beam causes a problem that the irradiation position of the laser beam is shifted, resulting in a machining failure in the machining area, or a destruction of an area in which machining is unnecessary or an area where machining is finished.
이와 같은 문제점을 해결하기 위해, 복수개의 미소 미러로 구성되는 미소 미러 어레이의 하나인 디지털 마이크로 미러 디바이스(Digital Micromirror Device : 이하, DMD라고 함)가 열화된 경우에, DMD 또는 레이저빔의 입사측에 설치된 마스크를 이동시킴으로써, 열화되어 있지 않은 DMD 상에 레이저빔 조사 영역을 이동할 수 있도록 한 노광 장치가 개시되어 있다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조). 그리고, 그 열화 상태를 측정하는 수단의 예로서, 레이저빔 출사 시간 누적 카운터에 의해 열화 상태를 추정하는 것, 피묘화 매체에 상당하는 위치에서 광파워를 측정하여 광파워의 저하로부터 열화 상태를 검출하는 것, 묘화 영역마다 설치한 광검출기로 산란광을 측정하여, 그 증대의 변화에 따라 열화 상태를 검출하는 것이 개시되어 있다.In order to solve this problem, when a digital micromirror device (hereinafter referred to as DMD), which is one of the micromirror arrays composed of a plurality of micromirrors, is deteriorated, The exposure apparatus which moved the laser beam irradiation area | region on DMD which is not deteriorated by moving the installed mask is disclosed (for example, refer patent document 1). As an example of the means for measuring the deterioration state, the deterioration state is estimated by a laser beam emission time accumulation counter, the optical power is measured at a position corresponding to the imaging medium, and the deterioration state is detected from the lowering of the optical power. It is disclosed that the scattered light is measured by a photodetector provided for each drawing region, and the deterioration state is detected in accordance with the change of the increase.
또한, 레이저빔 조사에 사용하는 범위보다 큰 DMD를 채용하여, 미소 미러의 반사광 중 피가공물로부터 이격되는 방향으로 편향된 레이저빔을 촬상함으로써 미소 미러의 열화 소자를 검출하고, 검출한 열화 소자를 사용하지 않도록 DMD 전체를 슬라이드시킴으로써 열화 소자를 피하도록 조사 영역을 변경하여, 가공 신뢰성을 향상시키는 것이 개시되어 있다(예를 들면, 특허 문헌 2 참조).In addition, by employing a DMD larger than the range used for laser beam irradiation, the deterioration element of the micromirror is detected by imaging the laser beam deflected in a direction away from the workpiece among the reflected light of the micromirror, and the detected deterioration element is not used. It is disclosed to change the irradiation area so as to avoid the deterioration element by sliding the whole DMD so as to improve processing reliability (see Patent Document 2, for example).
[특허 문헌 1] 일본국 특허 공개 공보 2004-191660호(제4 내지 8면, 도 7, 도 10, 도 13)[Patent Document 1] Japanese Unexamined Patent Publication No. 2004-191660 (4 th to 8 th, FIGS. 7, 10 and 13)
[특허 문헌 2] 일본국 특허 공개 공보 2006-227198호[Patent Document 2] Japanese Patent Laid-Open No. 2006-227198
그러나, 상기와 같은 종래의 미소 미러 어레이를 사용한 레이저 가공 장치에서는, 열화 소자가 증가하여 DMD의 전체면에 걸쳐 열화 소자가 발생하면, 미소 미러 어레이를 슬라이드한 경우라도, 열화 소자를 피할 수 없는 상태로 되면 가공이 불가능하게 되는 경우가 있고, 그 시점에서 레이저 가공 장치를 정지하여, 다음에 미소 미러 어레이를 교환할 때까지는 레이저 가공 장치를 사용할 수 없게 되기 때문에, 예를 들면, 피가공물의 제조 라인 내에서 레이저 가공 장치를 사용하고 있는 경우에는 제조 라인을 정지시키지 않으면 안되는 문제점이 있었다.However, in the laser processing apparatus using the conventional micro mirror array as described above, if the deterioration element increases and a deterioration element is generated over the entire surface of the DMD, the deterioration element cannot be avoided even if the micro mirror array is slid. In this case, the machining may not be possible, and at that point, the laser processing apparatus is stopped and the laser processing apparatus cannot be used until the next time the micromirror array is replaced. When using a laser processing apparatus in the inside, there was a problem that the production line had to be stopped.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 이루어진 것이며, 동작 불량으로 된 미소 미러를 피해 피가공물의 가공을 행할 수 없게 된 상태로 된 경우라도, 소정의 조사 영역을 확보하여, 계속적으로 사용할 수 있는 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and even when the workpiece is prevented from being processed while avoiding the micro-mirror that has become poor in operation, a predetermined irradiation area can be secured and used continuously. It is an object to provide a laser processing apparatus and a laser processing method.
본 발명은, 상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위해, 다음과 같은 구성을 채용하였다. 즉, 본 발명의 일태양에 의하면, 본 발명의 레이저 가공 장치는, 레이저 광원으로부터 출사된 레이저빔을 원하는 형상으로 피가공물에 조사하기 위해 복수개의 미소 가동 소자가 배열되어 구성된 공간 변조 소자와, 상기 공간 변조 소자와 상기 피가공물이 공역인 위치로 되도록 배치된 투사 광학계와, 조사의 사전에 설정된 조사 영역에 따라 상기 공간 변조 소자의 동작을 제어하는 조사 영역 제어 수단과, 상기 공간 변조 소자를 구성하는 미소 가동 소자 중 동작 불량인 미소 가동 소자를 검출하는 동작 불량 소자 검출 수단과, 상기 동작 불량 소자 검출 수단에 의해 동작 불량인 것이 검출된 미소 가동 소자의 위치가 상기 조사 영역과 중첩되는 경우, 상기 동작 불량인 것이 검출되지 않은 영역을 사용하여, 상기 피가공물에 대하여 복수회로 나누어 조사를 행하도록 제어하는 제어 수단을 구비한 것을 특징으로 한다.In order to solve the problems as described above, the present invention adopts the following configuration. That is, according to one aspect of the present invention, the laser processing apparatus of the present invention comprises: a spatial modulation element in which a plurality of micro movable elements are arranged so as to irradiate a workpiece with a desired shape in a laser beam emitted from a laser light source; A projection optical system arranged so that the spatial modulation element and the workpiece are in a conjugate position, irradiation area control means for controlling the operation of the spatial modulation element in accordance with a preset irradiation area of the irradiation, and the space modulation element The operation | movement when the position of the micro-movement element detection means which detects the micro-movement element which is a malfunction | operation among the micro-movement elements, and the position of the micro-movement element detected as operation failure by the said operation | movement element detection means overlap with the said irradiation area, The work piece is divided into a plurality of times by using a region where no defect is detected. Characterized in that a control means for controlling to perform four.
본 발명에 의하면, 동작 불량인 것이 검출된 미소 미러의 위치가 조사 영역과 중첩되는 경우, 동작 불량인 것이 검출되지 않은 미소 미러만을 포함하는 정상 영역을 사용하여, 피가공물에 대하여 복수회로 나누어 조사를 행할 수 있으므로, 동작 불량으로 된 미소 미러를 피해 피가공물의 가공을 행할 수 없게 된 상태로 된 경우라도, 소정의 조사 영역을 확보하여, 계속적으로 레이저 가공 장치를 사용하는 것이 가능해진다.According to the present invention, when the position of the micromirror detected as defective in operation overlaps with the irradiation area, irradiation is performed by dividing the workpiece into a plurality of times using a normal area including only the micromirror not detected as defective in operation. Since it can be performed, even when it becomes a state which cannot process the to-be-processed workpiece avoiding the micromirror which became a malfunction, it becomes possible to secure a predetermined | prescribed irradiation area and to use a laser processing apparatus continuously.
이하, 본 발명의 실시예에 대하여 도면을 참조하면서 설명한다. 모든 도면에 있어서, 실시예가 상이한 경우라도, 동일 또는 상당하는 부재에는 동일한 부호를 부여하고, 공통되는 설명은 생략한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described, referring drawings. In all the drawings, even when the embodiments are different, the same or corresponding members are given the same reference numerals, and common descriptions are omitted.
[제1 실시예][First Embodiment]
본 발명의 제1 실시예에 관한 레이저 가공 장치에 대하여 설명한다. A laser processing apparatus in accordance with a first embodiment of the present invention will be described.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 관한 레이저 가공 장치의 개략 구성에 대하 여 설명하기 위한 모식적인 구성 설명도이다. 도 2는 본 발명의 제1 실시예에 관한 레이저 가공 장치의 슬릿의 구성에 대하여 설명하기 위한 설명도이다. 도 3은 본 발명의 제1 실시예에 관한 레이저 가공 장치의 미소 미러 어레이의 단면 방향의 구성 및 동작에 대하여 설명하기 위한 단면 설명도이다. 도 4는 본 발명의 제1 실시예에 관한 레이저 가공 장치의 미소 미러 어레이를 반사면 측으로부터 본 상태를 나타낸 모식적인 평면 설명도 및 그 동작을 설명하기 위한 피가공물 상의 화상의 일례를 나타낸 평면 설명도이다. 도 5는 본 발명의 제1 실시예에 관한 레이저 가공 장치의 촬상 소자에 의해 얻어지는 화상의 일례에 대하여 설명하기 위한 모식 설명도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a schematic block diagram for demonstrating the schematic structure of the laser processing apparatus concerning a 1st Example of this invention. It is explanatory drawing for demonstrating the structure of the slit of the laser processing apparatus which concerns on the 1st Example of this invention. 3 is a cross-sectional explanatory diagram for explaining the configuration and operation of the cross-sectional direction of the micromirror array of the laser processing apparatus according to the first embodiment of the present invention. 4 is a schematic plan explanatory diagram showing a state in which the micromirror array of the laser processing apparatus according to the first embodiment of the present invention is seen from the reflection surface side, and a planar explanation showing an example of an image on the workpiece for explaining the operation thereof. It is also. It is a schematic explanatory drawing for demonstrating an example of the image obtained by the imaging element of the laser processing apparatus which concerns on the 1st Example of this invention.
도 1에 있어서, 레이저 가공 장치(50)는, 레이저 광원(1)(광원부), 조명 광학계(3), 디지털 마이크로 미러 디바이스(DMD)(4)(미소 미러 어레이), 집광 렌즈(5), 파장 선택 미러(6), 대물 렌즈(7), 릴레이 광학계(10), 감쇠 필터(11), 제2 촬상 소자(12)(촬상 소자), 제2 화상 처리부(13)(편향 동작 검출 수단), 컨트롤러(14)(발광 제어 수단), 액츄에이터 드라이버(15), 2축 변위 액츄에이터(16)(이동 수단), 촬상 광학계(17), 제1 촬상 소자(18), 제1 화상 처리부(19), 슬릿(25), 영역 컨트롤러(26) 및 경고 수단(27)을 구비하고 있다. 그리고, 레이저 가공 장치(50)는, 시료(9)(피가공물) 상에 소정 패턴을 형성한 소정의 광출력과 파장을 가지는 레이저빔(2A)을 투영하고, 그 광 에너지에 의해 시료(9)의 표면을 가공한다. 광 에너지에 의한 가공은, 예를 들면, 가열, 용융, 기화, 절단, 노광 기록 등을 들 수 있다.In FIG. 1, the
레이저 광원(1)은, 시료(9)를 가공하기 위한 레이저빔(2)을 발생하는 것이다. 레이저빔(2)의 광출력 및 파장은, 시료(9)의 가공 부분의 재질의 광흡수의 파장 특성에 따라 가공 효율이 양호해지는 광출력, 발진 파장으로 설정된다. 레이저빔(2)의 점등, 소등, 변조 등의 발광 제어는, 후술하는 컨트롤러(14)가 생성하는 제어 신호(101)에 의해 행해지도록 되어 있다.The laser light source 1 generates the laser beam 2 for processing the
예를 들면, 액정 기판 등 유리 기판 상에 마스크된 포토레지스트막의 가공의 경우, 레이저 광원(1)으로서 YAG 레이저(기본 파장 λ1= 1.064㎛(마이크로 미터)를 사용하고, 제2, 제3, 제4 고조파(각각 파장 λ2= 532nm, λ3= 355nm, λ4= 266nm)를 펄스폭이 수nsec 정도, 피크 출력이 수MW정도의 펄스 발진시키는 것을 바람직하게 채용할 수 있다.For example, in the case of processing a photoresist film masked on a glass substrate, such as a liquid crystal substrate, YAG laser (basic wavelength (lambda) 1 = 1.064 micrometer (micrometer)) is used as the laser light source 1, and 2nd, 3rd, 3rd It is possible to preferably employ four harmonics (wavelength λ2 = 532nm, λ3 = 355nm, λ4 = 266nm) for pulse oscillation with a pulse width of several nsec and a peak output of several MW.
조명 광학계(3)는, 레이저 광원(1)에 의해 형성된 레이저빔(2)을 단면 강도 분포가 균일화된 대략 평행 광속으로 하는 광학계로 이루어지고, 레이저빔(2)의 광로 상에 배치된다. 이와 같은 조명 광학계(3)의 구성으로서는, 예를 들면, 플라이아이 렌즈, 회절 소자, 비구면 렌즈나, 칼레이도형 로드를 사용한 것 등 각종의 구성이 알려져 있으므로, 필요에 따라 어느 구성을 채용해도 된다.The illumination optical system 3 consists of the optical system which makes the laser beam 2 formed by the laser light source 1 into the substantially parallel luminous flux with which the cross-sectional intensity distribution was uniform, and is arrange | positioned on the optical path of the laser beam 2. As the structure of such an illumination optical system 3, since various structures, such as a fly-eye lens, a diffraction element, an aspherical lens, and the Kaleido rod, are known, you may employ | adopt any structure as needed.
슬릿(25)은, 레이저 광원(1)으로부터 DMD(4)의 사이에 배치되어 있고, 슬릿(25)의 개구부를 통과한 레이저빔(2)만이 DMD(4)에 입사되도록 광학적인 설계가 되어 있다.The
슬릿(25)은, 도 2에 나타낸 바와 같이 슬릿 부품(25A) 및 (25B)의 2개의 부품으로 구성되어 있다. 이들은 도시하지 않은 XY 스테이지 기구에 장착되고, 각각 개별적으로 XY 축방향으로 모터로 제어할 수 있을 뿐아니라, 동시에 X0Y0 방향으로 제어할 수도 있다. 이들 XY 스테이지 기구에 의해, DMD(4)의 개구부의 크기를 바꾸거나 개구부의 중심 위치를 슬라이드하거나 하는 제어를 실현한다. 그리고, 이 때의 구동 분해능(分解能)은 적어도 DMD(4)를 구성하는 미소 미러의 화소 사이즈와 같으며, XY 방향의 이동 범위는, 한 번의 레이저 조사로 사용 가능한 DMD(4)의 영역 내의 어느 미소 미러라도 단독으로 조사 가능한 범위이다.The
개구부의 형상은 특히 한정되지 않지만, 레이저빔(2)의 조사 영역의 면적과 미소 미러 사용 영역의 면적과의 차이를 보다 작게 하기 위해서는, 가능한 한 미소 미러의 배치 형상에 맞추는 것이 바람직하다. 즉, 직사각형으로 미소 미러가 배치되어 있는 것이면 개구부도 직사각형, 방사형으로 미소 미러가 배치되어 있는 것이며 개구부도 방사형인 것이 바람직하다.Although the shape of an opening part is not specifically limited, In order to make the difference between the area of the irradiation area of the laser beam 2 and the area of a micromirror use area smaller, it is preferable to match with the arrangement shape of a micromirror as much as possible. That is, as long as the micromirrors are arranged in a rectangle, the openings are also rectangular and the micromirrors are arranged radially, and the openings are preferably radial.
제어 데이터를 입력하면, 그에 맞추어 슬릿(25)의 개구부를 확대 축소 및 슬라이드하고, 입력한 영역에만 레이저빔(2)이 조사되도록 한 제어를 행한다.When the control data is input, the opening and closing of the
공간 변조 소자인 DMD(4)는, 가동 미러 배열면(4b) 상에, 각각의 경사각이 독립적으로 전환 가능하게 된 복수개의 가동 미러면(4a)(도 3 참조)이 거의 간극없이 2차원적으로 배열된 미소 미러 어레이이다.In the DMD 4, which is a spatial modulation element, a plurality of
각 가동 미러면(4a)의 경사각의 전환은, 후술하는 영역 컨트롤러(26)에 의해 생성되는 제어 신호(106)에 의해 행해진다. 제어 신호(106)에 의해 온 상태가 선택되면, 가동 미러면(4a)은, 가동 미러 배열면(4b)에 대하여 경사각 ØA 만큼 경사 진 온 상태 미러(4A)로 된다. 또 제어 신호(106)에 의해 오프 상태가 선택되면, 동일하게 경사각이 ØB만큼 경사진 오프 상태 미러(4B)로 된다.The inclination angle of each
그리고, 온 상태 미러(4A)에서는 레이저빔(2)이 시료(9)를 향한 제1 방향으로 레이저빔(2A)으로서 편향되고, 오프 상태 미러(4B)에서는 레이저빔(2)이 시료(9)로부터 이격되는 제2 방향으로 레이저빔(2B)으로서 편향되도록 되어 있다.In the on-
본 제1 실시예에서는, 도 3에 나타낸 바와 같이, 제1 방향이 가동 미러 배열면(4b)의 법선 방향으로 되어 있고, 제2 방향이 가동 미러 배열면(4b)의 법선에 대하여 각도 ØB만큼 경사진 방향으로 되어 있는 경우의 예로 설명한다.In the first embodiment, as shown in Fig. 3, the first direction is a normal direction of the movable
여기서, 레이저빔(2)의 입사 방향은, 제1 방향과는 상이한 방향인 것으로 한다. 또 경사각 ØA, ØB는, 가동 미러 배열면(4b)을 협지하여 각각 반대 방향으로 경사지는 경사각이다. 따라서 하기의 식(1) 및 식(2)이 성립된다.Here, the incidence direction of the laser beam 2 is assumed to be a direction different from the first direction. Incidentally, the inclination angles Ø A and Ø B are the inclination angles which sandwich the movable
θi= 2×ØA … 식(1)θ i = 2 × Ø A. Formula (1)
θO= θi + 2×ØB … 식(2)θ O = θ i + 2 × Ø B. Formula (2)
여기서, 각도 θi은, 가동 미러 배열면(4b)에 대한 레이저빔(2)의 입사각이며, O°이외의 각도로 한다.Here, angle (theta) i is the incidence angle of the laser beam 2 with respect to the movable
가동 미러 배열면(4b)의 크기는 조명 광학계(3)에 의해 단면 강도 분포가 균일화된 레이저빔(2)의 광속 직경보다 충분히 크고, 또 각 가동 미러면(4a)은 레이저빔(2)의 광속 직경보다 충분히 작게 구성된다.The size of the movable
DMD(4)는, 예를 들면, 프로젝터 등에 사용되고 있는 것과 동일한 구성을 채용할 수 있다. 즉, MEMS(Micro Electrc Mechanical Systems) 기술에 의해, 크기가 10 마이크로 미터(㎛)각 정도이며 표면에 금속막이 증착되는 등하여 고효율의 반사면으로 된 가동 미러면(4a)이, 예를 들면 800×600개 정도 어레이형으로 배열되고, 각각이 가동 미러 배열면(4b)에 대하여 +12°정도의 경사각(ØA=ØB=12°)로 경사 가능하게 된 것 등을 채용할 수 있다.The DMD 4 can adopt the same structure as that used for a projector etc., for example. That is, according to the MEMS (Micro Electrc Mechanical Systems) technology, the
레이저빔(2)의 광속(光束) 단면의 크기, 형상, 및 가동 미러 배열면(4b)의 크기는, 가공 종류나 피가공물 등에 따라 적당한 형상, 크기로 할 수 있지만, 일례로서, 레이저빔(2)이 광속경(光束徑) Ø3mm의 원형 단면을 가지고, 가동 미러 배열면(4b)의 크기가 8mm×6mm 정도의 구성을 채용할 수 있다.The size, shape of the cross section of the light beam of the laser beam 2, and the size of the movable
집광 렌즈(5)와 대물 렌즈(7)는, DMD(4)에 조사된 레이저빔(2) 중, 레이저빔(2A)을, 시료(9) 상에 투사하기 위한 투사 광학계를 구성하는 것이며, 가동 미러 배열면(4b)과 시료(9)의 가공면이 공역의 관계로 되도록 설치된다. 또한, 가동 미러 배열면(4b)과 시료(9)의 가공면이 광축에 대하여 대략 수직이라도 된다. 가공면은 광축에 대하여 경사져 있어도 가공된 부분이 허용되는 범위이면 되고, 가동 미러 배열면(4b)도 1개의 미러면의 사이즈와 투사 광학계의 NA로 정해지는 초점 심도 내로 되는 경사이면 허용된다.The condenser lens 5 and the objective lens 7 constitute a projection optical system for projecting the
이와 같은 투사 광학계를 구성하는데는, 예를 들면, 대물 렌즈(7)로서 상측(像側)이 무한원(無限遠) 설계로 된 광학계를 채용하여 물체측 초점 위치가 시 료(9) 상으로 되는 위치에 배치하고, 집광 렌즈(5)로서, 대물 렌즈(7)와 마찬가지로 무한원 설계된 렌즈를 물체측 초점 위치가 가동 미러면(4a) 상으로 되는 위치에 배치하면 된다.In order to form such a projection optical system, for example, the objective lens 7 employs an optical system whose image side is infinitely circular, and the object-side focus position is on the
즉, 이 투사 광학계에 의해, 온 상태 미러(4A)에서 반사된 레이저빔(2A)이 시료(9) 상에 투사되어 온 상태 미러(4A)의 배치에 대응하는 적정 배율의 화상 패턴이 시료(9) 상에 형성되도록 되어 있다.That is, by this projection optical system, an image pattern of an appropriate magnification corresponding to the arrangement of the
한편, 시료(9)의 근방에는, 시료(9) 상을 가시광선에 의해 조명하기 위한 가시광선 조명부(8)가 설치되어 있다. 가시광선 조명부(8)로서는, 예를 들면, 가시광선의 비교적 장파장역으로부터 적외역에 파장이 분포하는 할로겐 램프 등을 채용할 수 있다.On the other hand, in the vicinity of the
또한, 집광 렌즈(5)와 대물 렌즈(7)의 중간부의 광로 상에는, 레이저빔(2A)의 파장광을 거의 100% 투과하고, 가시광선 조명부(8)의 가시 파장역의 광을 거의 100% 반사하는 파장 선택 미러(6)가 배치되어 있다.In addition, on the optical path between the condenser lens 5 and the objective lens 7, almost 100% of the wavelength light of the
그러므로, 가시광선 조명부(8)에 의해 조사된 조명광이 시료(9)에서 산란 반사되어 조명 반사광(20)이 형성되면, 조명 반사광(20)이 대물 렌즈(7)에 의해 집광되고, 투사 광학계의 광로를 역진하여 파장 선택 미러(6)에 도달하고, 파장 선택 미러(6)에 의해 반사되어 투사 광학계로부터 분기(分岐)되도록 되어 있다.Therefore, when the illumination light irradiated by the visible
파장 선택 미러(6)에 의해 분기된 조명 반사광(20)의 광로 상에는, 광로에 따르는 순서로, 촬상 광학계(17), 제1 촬상 소자(18)가 배치되어 있다.On the optical path of the illumination reflection light 20 branched by the wavelength selective mirror 6, the imaging
촬상 광학계(17)는, 입사광의 상을 소정의 결상면에 결상하기 위한 광학계이 며, 예를 들면, 무한원에 물체면이 설정된 광학계가 채용된다. 본 제1 실시예의 경우, 조명 반사광(20)이 입사광으로 되므로, 시료(9)의 화상이 결상면에 결상되도록 되어 있다.The imaging
제1 촬상 소자(18)는, 촬상 광학계(17)의 결상면에 촬상면이 배치된, 예를 들면, CCD 등으로 이루어지는 촬상 소자이다. 그리고, 제1 화상처리부(19)와 전기적으로 접속되고, 촬상 광학계(17)에 의해 투영된 상을 광전 변환하고, 화상 데이터(105)로서 제1 화상 처리부(19)에 송출 가능하도록 되어 있다.The
제1 화상 처리부(19)는, 영역 컨트롤러(26)와 전기적으로 접속되고, DMD(4)의 각 가동 미러면(4a)의 온오프 상태를 나타내는 데이터(102)를 영역 컨트롤러(26)에 송출 가능하도록 되어 있다.The first
영역 컨트롤러(26)(조사 영역 제어 수단)는, 제1 화상 처리부(19)를 통하여 제1 촬상 소자(18)로부터 송출된 화상 데이터(105)에 따라, 시료(9) 상의 가공이 필요한 부위의 위치를 산출하고, 그 부위에 대응하는 가동 미러면(4a)을 어레이 배열중에서 선택하여 온 상태 미러(4A)로 하고, 그 이외의 부위에 대응하는 가동 미러면(4a)을 오프 상태 미러(4B)로 하기 위한 제어 신호(106)를 생성하기 위한 것이다. 또한, 제1 화상 처리부(19)로부터 받은 데이터(102)의 매트릭스의 사이즈를 결정하여, 제어 신호(106)를 DMD(4)에 전송하여 제어한다.The area controller 26 (irradiation area control means) is configured to determine a portion of the portion that needs to be processed on the
여기서 매트릭스란, 예를 들면, 시료(9) 상의 조사해야 할 영역을, 광학적으로 공역인 위치에 있는 DMD(4)의 투영했을 때 미소 미러를 기준으로 하여 정해지는 영역을 말하는 것으로 한다.Here, the matrix refers to, for example, a region determined on the basis of a micromirror when the area of the
또한, 영역 컨트롤러(26)는, 제1 화상 처리부(19)와 후술하는 제2 화상 처리부(13)로부터의 정보를 기초로, DMD(4)를 구성하는 각 미소 미러의 열화 정도를 관리하고, 그 정도에 따라 DMD(4)의 사용 모드의 전환을 행한다. 사용 모드에는 통상 모드와 열화 대응 모드가 있다.In addition, the
DMD(4)가 열화되고 있지 않는 동안은 통상 모드이며, 매트릭스의 사이즈는 그대로 데이터(102)를 DMD(4)에 전송한다. 그러나, 컨트롤러(14)로부터 영역 분할 지령(109)을 받으면 열화 대응 모드로 이행하고, 이 경우에는 데이터(102)의 매트릭스를 분할한다. 즉, 시료(9) 상의 결함 영역을 분할한다. 그리고, 매트릭스의 사이즈를 분할에 의해 작게 하여 전송하는 동시에, 경고 수단(27)에 대하여 경고 지령(110)을 보낸다.While the DMD 4 is not deteriorated, the normal mode is used, and the data 102 is transmitted to the DMD 4 as it is in the size of the matrix. However, upon receiving the
영역 컨트롤러(26)의 화상 처리는, 시료(9)의 화상으로부터 가공이 필요한 부위를 산출할 수 있으면 어떠한 화상 처리를 이용해도 된다. 예를 들면, 가공된 부위와 가공 불량이나 미가공의 부위와의 휘도차에 대응하는 임계값을 설정하여, 시료(9) 상의 화상을 2치화하고, 미리 설정된 가공해야 할 부위의 형상과 비교함으로써, 가공이 필요한 가공 불량이나 미가공 부위의 위치를 산출하는 화상 처리를 채용할 수 있다.As long as the image processing of the
예를 들면, 2치화 후의 화상이, 도 4 (b)에 나타낸 바와 같이 사선으로 나타내는 범위에 분포하고, 패턴(22a, 22b)을 얻을 수 있는 것으로 한다. 여기서, 보기 쉽게 하기 위해 레이저빔(2)의 조사 범위를 정사각형으로서 도시하고 있다. 실제의 조사 범위의 형상은, 예를 들면, 원형이나 직사각형 등 다른 형상이라도 된 다.For example, it is assumed that the image after binarization is distributed in the range shown by the diagonal lines as shown in Fig. 4B, so that the
한편, 이 화상 위의 임의의 영역은, 가동 미러면(4a)의 어레이형의 배열에 대응하여, 온 상태 미러(4A)에 의해 레이저빔(2A)이 각각 도달하는 바둑판 눈금형의 투영 영역(21)으로 분할되어 있다. 예를 들면, 각 영역의 중심 좌표와 각 투영 영역(21)에 레이저빔(2A)을 안내하는 가동 미러면(4a)의 면번호가 각각 대응한 배열 데이터로서 기억되어 있다.On the other hand, the arbitrary area on this image corresponds to the checkerboard-shaped projection area | region where the
한편, 가공해야 할 부위의 정보도 또한, 투영 영역(21)마다 주어지고, 예를 들면, 화상이 없는 영역(23a, 23b)이 가공해야 할 영역인지 여부의 정보로서 영역 컨트롤러(26)에 기억되어 있다.On the other hand, the information of the part to be processed is also given for each
따라서, 각 투영 영역(21)에 대한 화상 분포와 가공해야 할 부위인지 여부의 정보를 비교 판정함으로써, 가공 불량이나 미가공의 부위가 판정된다. 영역(23a, 23b)이 가공해야 할 부위임에도 불구하고 미가공의 영역인 것으로 판정되면, 영역(23a, 23b)에 대응하는 가동 미러면(4a, 4a)의 경사각을 전환하여, 온 상태 미러(4A, 4A)로 하는 것과 같은 제어 신호(106)가 생성된다.Therefore, by comparing and judging the image distribution for each
이 예에서는, 영역(23a, 23b)에 대응하는 가동 미러면(4a)은, 도 4 (a)에 있어서 각각 가동 미러면(4C, 4D)으로 되어 있다.In this example, the movable mirror surfaces 4a corresponding to the
릴레이 광학계(10)는, 레이저빔(2B)을, 제2 촬상 소자(12)의 감도에 맞추어 적당한 광량으로 감쇠시키는 감쇠 필터(11)를 통하여 제2 촬상 소자(12) 상에 투영하기 위한 광학계이며, 가동 미러면(4a)과 제2 촬상 소자(12)의 촬상면이 공역의 관계로 되도록 설치된다.The relay
감쇠 필터(11)는, 예를 들면, 알루미늄 등의 금속막을 유리에 증착한 반사형 감쇠 필터나, 유전체를 적층 증착한 유전체 다층막을 사용한 감쇠 필터 등을 바람직하게 채용할 수 있다.As the
릴레이 광학계(10)와 감쇠 필터(11)는, 본 제1 실시예의 검출 광학계를 구성하고 있다.The relay
제2 촬상 소자(12)는, 릴레이 광학계(10)의 상면에 촬상면이 배치된, 예를 들면, CCD 등으로 이루어지는 촬상 소자이다. 그리고, 제2 화상 처리부(13)와 전기적으로 접속되고, 릴레이 광학계(10)에 의해 투영된 상을 광전 변환하고, 화상 데이터(103)로서 제2 화상 처리부(13)에 송출 가능하도록 되어 있다.The
제2 화상 처리부(13)는, 제2 촬상 소자(12)로부터 송출된 화상 데이터(103)에 따라 각 가동 미러면(4a) 중 오프 상태 미러(4B)로 되어 있는 것을 특정하여, 데이터(104)를 생성하고, 전기적으로 접속된 컨트롤러(14)에 송출하는 것이다.The second
오프 상태 미러(4B)를 특정하기 위한 화상 처리는, 예를 들면, 오프 상태 미러(4B)에 의해 반사되어 릴레이 광학계(10), 감쇠 필터(11)를 투과한 레이저빔(2B)의 휘도보다 약간 낮은 임계값을 설정하여, 제2 촬상 소자(12)에 의해 촬상된 화상을 2치화하고, 임계값 이상의 영역을 DMD(4) 상의 가동 미러면(4a)의 배열 위치와 관계 짓는 화상 처리를 채용할 수 있다.Image processing for specifying the
예를 들면, 도 4 (b)의 패턴(22a, 22b)에 대응하는 가공이 행해지고 있는 경우에는, 정상적인 가공 시에는, 그 이외의 영역에서 가동 미러면(4a)이 오프 상태 미러(4B)로 되어 있기 때문에, 제2 촬상 소자(12)에서는 패턴(22a, 22b)을 반전한 패턴(44)(도 5 (a) 참조)이 얻어진다. 역으로 패턴(44)이 얻어지면, 패턴(44)에 대응하는 위치의 가동 미러면(4a)이 오프 상태 미러(4B)인 것으로 판정된다.For example, when the processing corresponding to the
컨트롤러(14)는, 레이저 가공 장치(50)의 전체 제어를 행하기 위한 제어부이며, 영역 컨트롤러(26), 제2 화상 처리부(13), 레이저 광원(1), 액츄에이터 드라이버(15)에 각각 전기적으로 접속되어 있다.The
컨트롤러(14)의 주요한 제어는, 발광 제어, 편향 동작 검출 제어, 및 조사 영역 이동 제어로 이루어진다.The main control of the
발광 제어는, 시료(9)를 가공하기 위해 필요한 레이저 파워(광출력)로 점등되는 가공 모드와, 시료(9)에 레이저빔(2)이 도달해도 시료(9)에 변화를 일으키지 않을 정도의 저출력으로 발광하는 사전 발광 모드가 전환되도록 되어 있다. 그리고, 레이저 광원(1)에 의한 사전 발광 모드 대신에, 레이저 광원(1)과 조명 광학계(3) 사이에 하프 미러 등의 반사 광학 소자를 설치하고, LED 등의 레이저에 대하여 충분히 출력이 낮은 광원을 레이저 광원(1)에 의한 DMD(4)에의 조사와 마찬가지로 조사되도록 설치하여 발광시켜도 된다.The light emission control is performed in a processing mode that is turned on with a laser power (light output) required for processing the
가공 모드에서는, 예를 들면, 피크 출력이 P2이며 발진 주기가 수nsec 정도의 펄스 발진을 행하도록 발광 제어된다. 또한, 사전 발광 모드에서는, 예를 들면, 피크 출력이 P1과 마찬가지의 펄스 발진을 행하도록 발광 제어된다.In the processing mode, for example, light emission is controlled so as to perform pulse oscillation with a peak output of P 2 and an oscillation period of several nsec. Further, in the pre-light emission mode, for example, the light emission is controlled so that the peak output performs pulse oscillation similar to P 1 .
편향 동작 검출 제어는, 본 제1 실시예에서는, 영역 컨트롤러(26)를 통하여 수취한 데이터(102)와 제2 화상 처리부(13)로부터의 데이터(104)를 비교하여, DMD(4)의 편향 동작 상태를 판정하고, 편향 동작 불량을 검출한 경우에 조사 영역 이동 제어를 행하는 제어이다. 그러므로 본 제1 실시예의 컨트롤러(14)는, 편향 동작 검출 수단을 겸하고 있다.In the first embodiment, the deflection motion detection control compares the data 102 received through the
조사 영역 이동 제어는, 액츄에이터 드라이버(15)를 통하여 2축 변위 액츄에이터(16)를 구동하고, DMD(4)를 가동 미러 배열면(4b)의 면 내에 따라 2차원 이동시키는 제어이다.Irradiation area movement control is control which drives the 2-
그리고, 검출 광학계, 제2 촬상 소자(12), 제2 화상 처리부(13), 컨트롤러(14)로, 동작 불량 소자 검출 수단을 구성하고 있다.And the detection optical system, the
2축 변위 액츄에이터(16)(공간 변조 소자 슬라이드 기구)는, DMD(4)를 가동 미러 배열면(4b)에 따르는 평면 내에서, 가동 미러면(4a)의 경사각을 레이저빔(2)에 대하여 변화되지 않도록 이동시키기 위한 이동 수단이며, 액츄에이터 드라이버(15)로부터 이동 제어 신호(114)를 수신하는 것에 의해 2축 방향으로 구동되는 것이다. 이동 방향의 최소 이동량은, 적어도 가동 미러면(4a)의 1개 분의 단위를 정확하게 이동할 수 있도록 설정된다. The biaxial displacement actuator 16 (spatial modulation element slide mechanism) has the inclination angle of the
또한, 2축 변위 액츄에이터(16)는, 피가공면에 있어서 DMD(4)의 좌측 상단의 미소 미러에 의한 것과 같은 조사 위치를, 우측 하단의 미소 미러에 의해서도 조사 가능하도록 슬라이드 범위를 설정한다.In addition, the
액츄에이터의 종류는 적당한 것을 채용할 수 있다. 예를 들면, 볼 나사 이송 기구나 리니어 모터 등에 의해 1축 방향으로 구동되는 액츄에이터를 조합한 기구를 채용할 수 있다.The kind of actuator can employ | adopt an appropriate thing. For example, the mechanism which combined the actuator driven by a axial direction by a ball screw feed mechanism, a linear motor, etc. can be employ | adopted.
액츄에이터 드라이버(15)는, 컨트롤러(14)로부터의 제어 신호(100)에 따라 2축 변위 액츄에이터(16)를 구동시키기 위한 이동 제어 신호(114)를 생성하는 드라이버이다.The
경고 수단(27)은, 영역 컨트롤러(26)로부터의 경고 지령(110)을 받아, 다이얼로그, 시그널 타워 등을 사용하여, 레이저 가공 장치(50)의 사용자에 대하여 DMD(4)가 열화되어 있는 취지를 통지한다. 한번 받은 경고 지령(110)의 정보는, DMD(4)를 교환할 때까지 유지하고, 그 동안은 계속 경고한다. DMD(4)를 교환한 후에는, 경고 지령(110)의 정보는 리셋된다.The warning means 27 receives the
다음에, 본 제1 실시예의 레이저 가공 장치(50)의 동작에 대하여 설명한다.Next, the operation of the
먼저, 통상 모드에 의한 레이저 가공 공정에 대하여 설명을 행한다.First, the laser processing process by a normal mode is demonstrated.
레이저 가공 장치(50)에 의해 가공을 행하는데는, 도시하지 않은 전원 스위치를 투입하여 적당한 초기화를 행하고, 시료(9)를 세팅한다.In order to process by the
DMD(4)는, 초기화되면 각 가동 미러면(4a)의 경사각이 도 3에 나타낸 ØB에 세트되어, 오프 상태 미러(4B)로 설정된다.When the DMD 4 is initialized, the inclination angle of each
가시광선 조명부(8)가 점등되면, 도 1에 나타낸 바와 같이, 조명광이 시료(9)에 의해 반사되고, 가시광선으로 이루어지는 조명 반사광(20)이 대물 렌즈(7)에 의해 집광된다. 그리고, 파장 선택 미러(6)에서 거의 100% 반사되어, 촬상 광학계(17)에 입사되고, 제1 촬상 소자(18)의 촬상면에 시료(9)의 상이 결상된다.When the visible
제1 촬상 소자(18)로부터 화상 데이터(105)가 제1 화상 처리부(19)에 송출되 고, 시료(9)의 화상으로부터, 가공해야 할 부위의 정보를 얻을 수 있다.The
도 4 (b)에 나타낸 패턴(22a, 22b)의 화상이 얻어지고, 영역 컨트롤러(26)에 기억되어 있는 정보로부터, 영역(23a, 23b)이 가공 불량부인 것으로 판정된 것으로 한다.It is assumed that the images of the
예를 들면, 가공 불량부는, 회로 패턴의 숏부나 비어져 나온 불필요한 패턴이며, 가열 및 승화(昇華)하는 등의 가공을 행하여, 패턴(22a, 22b)의 숏부나 불필요한 패턴을 소멸시킬 필요가 있다.For example, the defective processing portion is a short portion of the circuit pattern or an unnecessary pattern protruding from it, and it is necessary to perform processing such as heating and sublimation to eliminate the short portions and unnecessary patterns of the
그래서, 영역 컨트롤러(26)는, 영역(23a, 23b)에 레이저빔(2A)을 조사하기 위해, 이들 영역에 대응하는 가동 미러면(4a)을 온 상태 미러(4A)로 하도록 한 제어 신호(106)를 DMD(4)에 송출한다. 또한, 제1 화상 처리부(19)로부터는, 온 상태 미러(4A)의 설정 정보가 데이터(102)로서 영역 컨트롤러(26)에 송출된다.Therefore, in order to irradiate the
이하, 온 상태 미러(4A)로 되는 가동 미러면(4a)은, 도 4 (a)에 있어서의 가동 미러면(4C, 4D)인 것으로 하여 설명한다.Hereinafter, the
DMD(4)는, 제어 신호(106)를 받으면 가동 미러면(4C, 4D)을 경사각 ØA로 세트하고, 온 상태 미러(4A)로 한다. 여기서 가동 미러면(4C)이 수명을 다하여, 동작 불량을 일으켜 정확한 경사각으로 제어되지 않는 것으로 한다.When the DMD 4 receives the
한편, 레이저 광원(1)은, 컨트롤러(14)에 의해 레이저빔(2)을 점등하고, 조명 광학계(3)에 의해 단면 강도가 균일해지도록 정형(整形)되어 DMD(4)에 사전 발광 모드로 조사한다. 예를 들면, 도 4 (a)에 나타낸 조사 영역(24A)에 조사된다. 그리고, 각 가동 미러면(4a)의 경사각에 따라 레이저빔(2A, 2B)으로 분할된다. 본 제1 실시예에서는, 가동 미러면(4C)은 동작 불량을 일으켜, 오프 상태 미러(4B)로 되어 있다.On the other hand, the laser light source 1 is shaped so that the laser beam 2 is turned on by the
가동 미러면(4D)은, 정상적으로 동작하므로, 온 상태 미러(4A)로 세트되어 있다.Since the
따라서, 가동 미러면(4D)에 의해 편향된 레이저빔(2A)은, 집광 렌즈(5)에 의해 집광되고, 파장 선택 미러(6)를 거의 100% 투과하여, 대물 렌즈(7)에 의해 집광되고, 시료(9) 상에 도달하여, 도 4 (b)의 영역(23b)에 조사된다.Therefore, the
한편, 오프 상태 미러(4B)에 의해 반사된 레이저빔(2B)은, 릴레이 광학계(10), 감쇠 필터(11)를 투과하여 제2 촬상 소자(12) 상에 투영되고, 예를 들면, 도 5 (b)에 나타낸 패턴(45)과 같은 상이 촬상되어, 화상 데이터(103)로서 제2 화상 처리부(13)에 송출된다.On the other hand, the
제2 화상 처리부(13)는, 이 화상을 화상 처리하여, 오프 상태 미러(4B)로 되어 있는 가동 미러면(4a)을 특정하고, 데이터(104)로서 컨트롤러(14)에 송출한다.The second
컨트롤러(14)에서는, 영역 컨트롤러(26)를 통하여 수취한 데이터(102)와 제2 화상 처리부(13)로부터의 데이터(104)를 비교함으로써, 온 상태 미러(4A)로 되어 있어야 할 영역(46)에 상당하는 가동 미러면(4C)이 동작 불량을 일으키고 있는 것으로 판정된다(편향 동작 검출 제어).The
이와 같은 판정의 결과, 컨트롤러(14)는, 조사 영역 이동 제어를 행한다. 이동 방향, 이동량은, 검출된 동작 불량 부분이 제외되면 어떻게 설정해도 된다. 그리고, 상기한 공정을 반복하여, 오프 상태 미러(4B)의 상태가 정상으로 되면, 사전 발광 동작을 종료하고, 컨트롤러(14)는, 레이저 광원(1)에 제어 신호(101)를 송출하고, 가공 공정을 개시한다.As a result of this determination, the
가공 공정에서는, 도 4 (b)의 영역(23a, 23b)이 가열 및 승화되어, 패턴(22a, 22b)이 정상적으로 수복된다.In the processing step, the
이상이, 통상 모드에 의한 레이저 가공 공정이다. 그러나, 또한 열화가 진행됨으로써, 사전 발광 모드에 의해 얻은 제2 화상 처리부(13)로부터의 데이터(104)와 제1 화상 처리부(19)로부터의 데이터(102)를 기초로 어떻게 이동시켜도, 조사에 사용하려는 영역에 열화된 미소 미러가 들어오는 것을 컨트롤러(14)가 검지한 경우에는, 열화 대응 모드로 전환할 수 있다.The above is the laser processing process by a normal mode. However, as the deterioration progresses, no matter how the data is moved from the second
이하, 열화 모드에 대하여 도 6 및 도 7을 참조하여 설명한다.Hereinafter, the deterioration mode will be described with reference to FIGS. 6 and 7.
여기서 도 6 (a)는, DMD(4)의 미소 미러 영역(매트릭스의 최외측 프레임) 내에 있는 직사각형상의 조사할 영역(결함 등)에 대응한 미소 미러의 사용할 영역을 나타낸 모식도이며, 도 6 (b)는, DMD(4)의 중앙 부분에 1개의 열화가 발생한 DMD(4)의 상태를 나타낸 모식도이다. 또한, 도 7은 조사하려는 영역을 상하로 열화가 없는 직사각형상의 영역으로 2분할했을 때의 DMD(4) 측에 대응시킨 모식도이다.6 (a) is a schematic diagram showing the area to be used for the micromirror corresponding to the rectangular irradiated area (defects, etc.) in the micromirror area (the outermost frame of the matrix) of the DMD 4, and FIG. b) is a schematic diagram showing a state of the DMD 4 in which one deterioration has occurred in the center portion of the DMD 4. 7 is a schematic diagram corresponding to the DMD 4 side when the area to be irradiated is divided into two rectangular areas without deterioration up and down.
여기서, 조사하려는 영역과 그에 대응하는 DMD(4)는, 광학적으로 공역인 위치 관계에 있으므로, 도면을 DMD(4) 측의 매트릭스로서 표현하고 있다.Here, the area to be irradiated and the DMD 4 corresponding thereto are in an optically conjugate position relationship, and therefore, the drawings are expressed as a matrix on the DMD 4 side.
컨트롤러(14)는, 데이터(102)를 영역 컨트롤러(26)를 통하여 받으면, 분할 판정을 행한다. 최초는 통상 모드이므로 분할 판정은 NO로 되고, 영역 사이즈는 그대로 컨트롤러(14) 및 슬릿(25)에 대해 각각 제어 신호(107, 108)를 전송한다.When the
다음에, 컨트롤러(14)는 편향 동작 검출 제어를 행하고, 영역 컨트롤러(26)를 통하여 수취한 데이터(102)와 사전 발광 모드에 의해 DMD(4)에 레이저광을 조사 하여 제2 촬상 소자(12)로 촬상한 화상을 제2 화상 처리부(13)에서 화상 처리를 행하여 열화된 미소 미러를 특정한 데이터(104)와의 비교에 의해, 열화된 미소 미러를 사용하지 않는 DMD(4)의 위치, 즉 최적 사용 위치를 서치한다. 그러나, 이 때 도 6 (b)와 같이 열화된 미소 미러가 분포되어 있는 것으로 하면, 어떻게 DMD(4)를 슬라이드시켜도 열화된 미소 미러를 피할 수 없어 최적 사용 위치를 볼 수 없는 결과로 된다. 이 경우, 통상 모드로부터 열화 대응 모드로 이행하는 것으로 판단한다.Next, the
컨트롤러(14)는, 열화 대응 모드에서는 영역 컨트롤러(26)에 대하여 식별 번호와 함께 영역 분할 지령(109)을 통지한다. 그 영역 분할 지령(109)을 받은 영역 컨트롤러(26)는, 지지하고 있던 데이터(102)의 매트릭스를 예를 들면, 도 7과 같이 제1 매트릭스와 제2 매트릭스로 2분할한다. 이 때, 분할 방법은, 사용할 영역을 예를 들면, 상하로 직사각형상으로 분할한다. DMD(4) 측으로 투영하여 본 경우의 종횡(縱橫)이 미소 미러의 17개×8개의 2개의 영역으로 분할할 수 있다. 그래서, DMD 측의 17개×8개의 미소 미러 영역을 기준으로 하여, 이 영역에 대응한 시료의 영역을 분할하는 처리를 행한다.The
여기서, 분할 방법은, 가능한 한 면적이 2분할되도록 하는 방법이 바람직하 다. 예를 들면, 면의 중심 위치를 구하고, 그 중심을 상하, 좌우, 경사 등으로 분할하는 방법 등을 생각할 수 있다. 그리고, 각각에 또 고유의 식별 번호를 부여하여 유지한다.Here, the division method is preferably a method in which the area is divided into two parts as much as possible. For example, the method of obtaining the center position of a surface, and dividing the center into upper and lower sides, right and left, and inclination etc. can be considered. Each unique identification number is assigned and retained.
그리고, 동시에 경고 수단(27)에 대하여도 경고 지령(110)을 통지한다. 경고 지령(110)을 받은 경고 수단(27)은, 레이저 가공 장치(50)의 오퍼레이터에 대하여 모니터 상 또는 시그널 타워 등에서 DMD(4)가 열화되어 있는 취지를 경고한다. 여기서 경고의 타이밍은 상기에 나타낸 것에만 한정되지 않고, 예를 들면, 편향 동작 검출 제어 시에 DMD(4)를 슬라이드시킨 횟수를 카운트하여, 규정 횟수 이상 슬라이드한 경우에 경고하도록 해도 된다.At the same time, the
다음에, 영역 컨트롤러(26)는, 먼저 제어 데이터로서 제1 매트릭스를 컨트롤러(14)에 전송한다. 여기서 다시 편향 동작 검출 제어가 행해지는 것에 의해, DMD(4)의 사용 가능한 영역을 기초로 최적의 사용 위치를 찾아낸다. 이 경우는, 열화된 미러의 위쪽에 종횡으로 17개×8개의 사용 가능한 영역이 있으므로, 이 영역을 사용하여 조사가 가능하며, 컨트롤러(14)는, DMD(4)의 조사 영역 이동 제어를 행함으로써, 액츄에이터 드라이버(15)에 지시를 내려, 2축 변위 액츄에이터(16)를 제어함으로써, DMD(4)를 아래쪽으로 미소 미러 1개분 움직인다. 그리고는 전술한 흐름으로 가공 처리가 행해진다.Next, the
문제없이 레이저빔(2)의 조사가 종료되면, 컨트롤러(14)는 영역 컨트롤러(26)에 대하여 다음의 매트릭스의 데이터를 요구한다. 그 요구에 대하여 영역 컨트롤러(26)는 제2 매트릭스의 데이터를 컨트롤러(14)에 전송한다. 여기서 제1 매트릭스와 마찬가지로 편향 동작 검출 제어가 행해진다. 그리고, 문제가 없으면, 조사 영역 이동 제어가 행해진다. 그러나, 만약 여기서 사전 발광 모드의 레이저광 조사에 의해, 새로운 열화된 미러가 발생하거나, 결함 부분의 형상에 따라 최적 사용 위치를 또다시 볼 수 없게 된 경우에는, 상기 마찬가지의 스텝에서 제2 매트릭스의 영역을 재차 분할한다.When the irradiation of the laser beam 2 is completed without any problem, the
이상의 처리를, 데이터(102)의 모든 영역이 완료할 때까지 반복한다.The above process is repeated until all the areas of the data 102 are completed.
이상과 같이 하면, DMD(4)를 슬라이드해도 열화된 미소 미러를 피할 수 없는 상태로 되었을 경우에도, 레이저 가공 장치(50)를 계속하여 사용할 수 있다. 또한, DMD(4)의 열화를 경고하여 오퍼레이터에게 알림으로써, 오퍼레이터는 레이저 가공 장치(50)가 사용 불가능하게 되기 전에 유지보수의 준비가 가능해지므로, 레이저 가공 장치(50)의 다운 타임을 단축할 수 있다.In this way, even when the DMD 4 is slid, even when the deteriorated micromirror is inevitable, the
그리고, 상기한 제1 실시예에 있어서의 편향 동작 검출 제어에서는, 최적 사용 위치인지 여부의 판단을 미소 미러 1개 단위로 행하고 있다. 그러나, 1개의 미소 미러의 열화만으로는, 회절(回折) 현상에 의해, 실질적으로는 레이저 가공에 영향을 주지 않는 경우가 있다. 그래서, 동작 불량의 미소 미러의 수가 미리 설정된 단위 면적당 수를 넘었을 경우에, 그 복수개의 미소 미러로 구성되는 영역을 열화 영역으로서 판정하고, 열화 영역이 조사 영역에 포함되는 경우에 최적 사용 위치가 아닌 것으로 판단해도 된다.Incidentally, in the deflection motion detection control in the first embodiment described above, it is determined in units of one minute mirror whether or not it is an optimal use position. However, only the deterioration of one micromirror does not substantially affect laser processing by the diffraction phenomenon. Therefore, when the number of micromirrors with malfunctions exceeds a predetermined number per unit area, an area composed of the plurality of micromirrors is determined as the deterioration area, and the optimum use position is determined when the deterioration area is included in the irradiation area. You may judge that it is not.
비록 미소 미러가 유닛에 의해 고장났다고 해도 가공에는 영향을 주지 않는 경우를 생각할 수 있으므로, 이와 같이 함으로써 DMD(4)의 사용 기간을 보다 연장 시킬 수 있다.Even if the micromirror is broken by the unit, it is conceivable that the machining does not affect the machining. Therefore, the service period of the DMD 4 can be further extended by doing this.
또한, 본 실시예에 있어서의 열화 대응 모드로의 이행 판단은, 편향 동작 검출 제어로 최적 사용 위치가 발견되는지 여부로 행하고 있지만, 미리 기준으로 되는 열화된 미소 미러의 수를 설정해 두고, 열화된 미소 미러의 수를 관리하여 미리 설정된 임계값보다 많은 미소 미러의 열화가 발생할 때까지는 통상 모드로 하고, 열화된 미소 미러의 수가 임계값을 넘은 시점에서 열화 대응 모드로 이행 가능하게 하도록 해도 된다.Incidentally, the determination of the transition to the degradation-corresponding mode in the present embodiment is performed based on whether or not the optimum use position is found by the deflection motion detection control, but the number of deteriorated micromirrors set as a reference in advance is set. The number of mirrors may be managed so as to be in the normal mode until the deterioration of the micromirrors larger than the preset threshold occurs, and the transition to the deterioration corresponding mode may be made when the deteriorated micromirrors exceeds the threshold.
또한, 통상 모드시의 DMD(4)의 전체 또는 부분적 반사 휘도를 사전에 파악해 두고, 그 반사 휘도가 미리 설정된 임계값보다 저하된 시점에서 열화 대응 모드로 이행 가능하게 해도 된다.In addition, the total or partial reflection luminance of the DMD 4 in the normal mode may be grasped in advance, and it may be possible to switch to the degradation-corresponding mode when the reflection luminance falls below a preset threshold.
또한, DMD(4)에 대한 레이저 조사 시간 또는 레이저 조사 횟수를 관리하고, 미리 설정된 레이저 조사 시간 또는 레이저 조사 횟수를 넘은 시점에서 열화 대응 모드로 이행 가능하게 해도 된다.In addition, the laser irradiation time or the number of laser irradiation times for the DMD 4 may be managed, and the transition to the degradation-corresponding mode may be made at a time point exceeding the preset laser irradiation time or the laser irradiation number.
또한, 전술한 제1 실시예에서는, 통상 모드를 "영역 컨트롤러(26)에 의해 영역 분할하지 않고 사용 가능한 상태"라고 정의하고, 열화 대응 모드를 "영역을 분할하면 사용 가능한 상태"라고 정의하고 있지만, 통상 모드를 "DMD(4)를 슬라이드시키지 않고 사용 가능한 상태"라고 하고, 열화 대응 모드를 "DMD(4)를 슬라이드하면 사용 가능한 상태"라고 해도 된다.In addition, in the above-described first embodiment, the normal mode is defined as " state usable without region division by the
또한, 본 실시예에서는, 편향 동작 검출 제어에서의 조사 영역 이동 제어는, 2축 변위 액츄에이터(16)를 사용하여 DMD(4)의 이동 동작으로 하고 있지만, 대신에 시료(9)를 탑재하는 직교하는 2축으로 이동 가능한 2축 이동 스테이지를 설치하고, 이 2축 이동 스테이지를 제어하여 DMD(4)와 시료(9)를 상대적으로 이동시키거나, 이 레이저 가공 장치(50) 전체를 직교하는 2축 방향으로 이동 가능한 갠트리(gantry) 장치에 탑재함으로써 DMD(4)와 시료(9)를 상대적으로 이동시키거나 하여, 조사 영역 이동 제어를 행해도 된다. 즉, DMD(4)의 제어 대상인 미소 미러를 전환하는 제어이면 된다.In the present embodiment, the irradiation area movement control in the deflection motion detection control is a movement operation of the DMD 4 using the
그리고, 본 발명의 각 실시예는, 액정 표시 장치 등의 기판을 제조하는 과정에서, 기판 상의 결함 영역을 촬상에 의해 추출하고, 그 결함 영역의 형상에 맞추어 수정을 행하는 레이저 리페어 장치를 예로 들어 설명했으나, 본 발명은, 결함 추출을 위한 촬상계를 갖지 않는 레이저 가공 장치에도 적용할 수 있다. 즉, 촬상 광학계(17), 제1 촬상 소자(18), 제1 화상 처리부(19), 파장 선택 미러(6) 등을 생략하고, 대신에 영역 컨트롤러(26)에 가공 부위의 데이터가 입력된 가공 정보 기억부를 설치한다. 그리고, 그 가공 정보 기억부로부터 가공 부위의 데이터가 영역 컨트롤러(26)에 입력되도록 해도 된다.And each Example of this invention demonstrates the laser repair apparatus which extracts the defect area | region on a board | substrate by imaging, and corrects it according to the shape of the defect area | region in the process of manufacturing board | substrates, such as a liquid crystal display device, as an example. However, the present invention can also be applied to a laser processing apparatus that does not have an imaging system for defect extraction. That is, the imaging
이상, 본 발명의 각 실시예를, 도면을 참조하면서 설명했으나, 본 발명이 적용되는 레이저 가공 장치는, 그 기능이 실행되는 것이면, 전술한 각 실시예 등에 한정되지 않고, 단체(單體)의 장치라도, 복수개의 장치로 이루어지는 시스템 또는 통합 장치라도, LAN, WAN 등의 네트워크를 통하여 처리가 행해지는 시스템이라도 되는 것은 물론이다.As mentioned above, although each Example of this invention was described referring drawings, the laser processing apparatus to which this invention is applied is not limited to each above-mentioned Example etc. as long as the function is performed, It goes without saying that the device may be a system composed of a plurality of devices or an integrated device, or a system in which processing is performed through a network such as a LAN or a WAN.
즉, 본 발명은, 전술한 각 실시예 등에 한정되지 않고, 본 발명의 요지를 벗 어나지 않는 범위 내에서 각종의 구성 또는 형상을 취할 수 있다.That is, the present invention is not limited to the above-described embodiments and the like, and various configurations or shapes can be taken without departing from the gist of the present invention.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 관한 레이저 가공 장치의 개략 구성에 대하여 설명하기 위한 모식적인 구성 설명도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a schematic block diagram for demonstrating schematic structure of the laser processing apparatus which concerns on 1st Example of this invention.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 관한 레이저 가공 장치의 슬릿의 구성에 대하여 설명하기 위한 설명도이다.It is explanatory drawing for demonstrating the structure of the slit of the laser processing apparatus which concerns on the 1st Example of this invention.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 관한 레이저 가공 장치의 미소 미러 어레이의 단면 방향의 구성 및 동작에 대하여 설명하기 위한 단면 설명도이다.3 is a cross-sectional explanatory diagram for explaining the configuration and operation of the cross-sectional direction of the micromirror array of the laser processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 관한 레이저 가공 장치의 미소 미러 어레이를 반사면 측으로부터 본 상태를 나타낸 모식적인 평면 설명도 및 그 동작을 설명하기 위한 피가공물 상의 화상의 일례를 나타낸 평면 설명도이다.4 is a schematic plan explanatory diagram showing a state in which the micromirror array of the laser processing apparatus according to the first embodiment of the present invention is seen from the reflection surface side, and a planar explanation showing an example of an image on the workpiece for explaining the operation thereof. It is also.
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 관한 레이저 가공 장치의 촬상 소자에 의해 얻어지는 화상의 일례에 대하여 설명하기 위한 모식 설명도이다.It is a schematic explanatory drawing for demonstrating an example of the image obtained by the imaging element of the laser processing apparatus which concerns on the 1st Example of this invention.
도 6은 사용/미사용 및 열화된/정상적인 미소 미러의 예를 모식적으로 나타낸 도면이다.6 is a diagram schematically showing an example of used / unused and deteriorated / normal micromirrors.
도 7은 데이터의 매트릭스를 2분할한 예를 나타낸 도면이다.7 is a diagram illustrating an example in which a matrix of data is divided into two.
[도면의 주요부분에 대한 부호의 설명][Explanation of symbols on the main parts of the drawings]
(1) 레이저 광원(광원부)(1) laser light source (light source)
(2, 2A, 2B) 레이저빔(2, 2A, 2B) laser beam
(3) 조명 광학계 (3) illumination optical system
(4) DMD(미소 미러 어레이)(4) DMD (Micro Mirror Array)
(4a) 가동 미러면(가동 반사면)(4a) movable mirror surface (movable reflecting surface)
(4b) 가동 미러 배열면(4b) movable mirror array surface
(4A) 온 상태 미러(4A) on state mirror
(4B) 오프 상태 미러(4B) off-state mirror
(4C, 4D) 가동 미러면(4C, 4D) Movable Mirror Surface
(5) 집광 렌즈(투사 광학계)(5) condensing lens (projection optical system)
(6) 파장 선택 미러(6) wavelength selection mirror
(7) 대물 렌즈(투사 광학계)(7) objective lens (projection optical system)
(8) 가시광선 조명부 (8) visible light
(9) 시료(피가공물)(9) Sample (workpiece)
(10) 릴레이 광학계(검출 광학계)(10) relay optical system (detection optical system)
(11) 감쇠 필터(11) attenuation filter
(12) 제2 촬상 소자(촬상 소자)(12) Second imaging device (imaging device)
(13) 제2 화상 처리부(편향 동작 검출 수단)(13) second image processing unit (deflection operation detecting means)
(14) 컨트롤러(노광 제어 수단)(14) controller (exposure control means)
(15) 액츄에이터 드라이버(15) Actuator driver
(16) 2축 변위 액츄에이터(이동 수단)(16) 2-axis displacement actuator (moving means)
(17) 촬상 광학계(검출 광학계)(17) Imaging optical system (detection optical system)
(18) 제1 촬상 소자18. First imaging device
(19) 제1 화상 처리부(19) first image processing unit
(20) 조명 반사광20 lights reflected light
(21) 투영 영역21 projection area
(22a, 22b) 패턴22a, 22b pattern
(23a, 23b) 화상이 없는 영역(23a, 23b) areas without images
(24A, 24B, 24C, 24D) 조사 영역(24A, 24B, 24C, 24D) irradiation area
(25) 슬릿25 slits
(25A, 25B) 슬릿 부품(25A, 25B) Slit Parts
(26) 영역 컨트롤러(26) zone controller
(27) 경고 수단(27) warning means
(44, 45) 패턴44, 45 pattern
(46) 영역46 areas
(50) 레이저 가공 장치50 laser processing equipment
(100, 101) 제어 신호(100, 101) control signal
(102, 104) 데이터(102, 104) data
(105) 화상 데이터(105) image data
(106, 107, 108) 제어 신호 (106, 107, 108) control signal
(109) 영역 분할 지령(109) Zone division command
(110) 경고 지령(110) Warning instruction
(114) 이동 제어 신호114 movement control signal
(200) 실선200 solid lines
Claims (10)
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2007-271673 | 2007-10-18 | ||
JP2007271673A JP2009095876A (en) | 2007-10-18 | 2007-10-18 | Laser machining apparatus, laser machining method, and laser machining program |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20090039646A true KR20090039646A (en) | 2009-04-22 |
Family
ID=40593006
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080101975A KR20090039646A (en) | 2007-10-18 | 2008-10-17 | Laser processing device and laser processing method |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009095876A (en) |
KR (1) | KR20090039646A (en) |
CN (1) | CN101412151A (en) |
TW (1) | TW200918223A (en) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5554753B2 (en) * | 2011-06-29 | 2014-07-23 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Exposure method and apparatus |
CN102922133B (en) * | 2012-11-09 | 2015-09-16 | 武汉市楚源光电有限公司 | A kind of automatic optics inspection laser welding system |
JP6801312B2 (en) * | 2016-09-07 | 2020-12-16 | 村田機械株式会社 | Laser machining machine and laser machining method |
US10317032B2 (en) * | 2017-03-10 | 2019-06-11 | Texas Instruments Incorporated | Headlamp with digital micromirror device and static reflector |
CN111940423B (en) * | 2020-08-07 | 2021-07-13 | 武汉金顿激光科技有限公司 | In-situ laser cleaning method for non-conductive composite coating of airplane |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4770057B2 (en) * | 2001-05-14 | 2011-09-07 | 三菱電機株式会社 | Laser processing machine and laser processing method |
JP2004191660A (en) * | 2002-12-11 | 2004-07-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | Exposure apparatus |
CN1925945A (en) * | 2004-03-05 | 2007-03-07 | 奥林巴斯株式会社 | Laser processing apparatus |
JP2006227198A (en) * | 2005-02-16 | 2006-08-31 | Olympus Corp | Laser machining apparatus |
JP4947933B2 (en) * | 2005-07-26 | 2012-06-06 | オリンパス株式会社 | Laser repair device |
JP4804911B2 (en) * | 2005-12-22 | 2011-11-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | Laser processing equipment |
-
2007
- 2007-10-18 JP JP2007271673A patent/JP2009095876A/en not_active Withdrawn
-
2008
- 2008-09-25 TW TW097136865A patent/TW200918223A/en unknown
- 2008-10-17 CN CNA2008101672782A patent/CN101412151A/en active Pending
- 2008-10-17 KR KR1020080101975A patent/KR20090039646A/en not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009095876A (en) | 2009-05-07 |
TW200918223A (en) | 2009-05-01 |
CN101412151A (en) | 2009-04-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6791988B2 (en) | Light projector for vehicles | |
TW201245904A (en) | Lithographic apparatus, programmable patterning device and lithographic method | |
KR102405200B1 (en) | Calibration of a direct-imaging system | |
KR20090012106A (en) | Laser irradiation apparatus and laser processing system using same apparatus | |
KR20090039646A (en) | Laser processing device and laser processing method | |
JP2010115670A (en) | Laser repair apparatus | |
TWI567374B (en) | Defect observation device and laser processing apparatus including the same | |
WO2006137486A1 (en) | Image exposure device | |
JP2008221237A (en) | Laser beam machining apparatus | |
JP6985907B2 (en) | Lamp unit | |
JP5580434B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JP2020527738A (en) | Methods and equipment for laser beam alignment and diagnosis | |
KR102050765B1 (en) | Multi modal laser machining system | |
JP2013215804A (en) | Laser processing apparatus | |
JP2014514779A5 (en) | ||
JP5465120B2 (en) | Optical axis adjustment method and laser processing apparatus | |
JP2006227198A (en) | Laser machining apparatus | |
JP2007007660A (en) | Laser beam machining device | |
TWI501048B (en) | Lithographic apparatus, method for maintaining a lithographic apparatus and device manufacturing method | |
KR20140029908A (en) | Structure for regulation of processing position of laser using condensing lens | |
KR101595259B1 (en) | Semiconductor manufacturing apparatus | |
TWI834747B (en) | Laser processing equipment | |
JP5346690B2 (en) | Laser irradiation device | |
KR20220122165A (en) | LED Laser Repairing System | |
KR101048362B1 (en) | Laser processing apparatus and method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WITN | Withdrawal due to no request for examination |