KR20090031338A - 샤워헤드를 구비한 반도체 소자 제조 장비 - Google Patents
샤워헤드를 구비한 반도체 소자 제조 장비 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20090031338A KR20090031338A KR1020080105914A KR20080105914A KR20090031338A KR 20090031338 A KR20090031338 A KR 20090031338A KR 1020080105914 A KR1020080105914 A KR 1020080105914A KR 20080105914 A KR20080105914 A KR 20080105914A KR 20090031338 A KR20090031338 A KR 20090031338A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- gas
- reaction gas
- module
- showerhead
- injection tube
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45565—Shower nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45572—Cooled nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
Claims (3)
- 챔버 벽체와 상기 챔버 벽체가 이루는 공정 공간에서 기판이 놓이는 스테이지와 상기 기판에 공정 기체를 공급하기 위해 하나 이상의 반응 기체 샤워헤드 모듈이 층으로 순서적으로 쌓여서 구성되는 샤워헤드를 가지는 반도체 소자 제조 장비에 있어서,상기 반응 기체 샤워헤드 모듈은 서로 상하에 위치하는 상부 모듈, 중간 모듈, 하부 모듈의 3개로 이루어지고,상기 중간 모듈에는 상기 상부 모듈의 반응 기체 분사 튜브가 통과하되 상기 중간 모듈의 기밀을 유지하도록 하는 중간 모듈 안내부가 구비되고,상기 하부 모듈에는 상기 상부 모듈의 반응 기체 분사 튜브 및 상기 중간 모듈의 반응 기체 분사 튜브가 통과하되 상기 하부 모듈의 기밀을 유지하도록 하는 하부 모듈 안내부가 구비되며,상기 반응 기체 분사 튜브는, 상기 하부 모듈의 바닥면에서 볼 때, 제1 반응 기체를 분사하는 반응 기체 분사 튜브 주위에 제2 반응 기체 및 제3 반응 기체를 분사하는 반응 기체 분사 튜브가 번갈아가면서 6각형의 꼭지점 위치에 놓이도록 배열되는 것을 특징으로 하는 샤워헤드를 구비한 반도체 소자 제조 장비.
- 챔버 벽체와 상기 챔버 벽체가 이루는 공정 공간에서 기판이 놓이는 스테이지와 상기 기판에 공정 기체를 공급하기 위해 하나 이상의 반응 기체 샤워헤드 모 듈이 층으로 순서적으로 쌓여서 구성되는 샤워헤드를 가지는 반도체 소자 제조 장비에 있어서,상기 반응 기체 샤워헤드 모듈은 서로 상하에 위치하는 상부 모듈, 하부 모듈의 2개로 이루어지고,상기 하부 모듈에는 상기 상부 모듈의 반응 기체 분사 튜브가 통과하되 상기 하부 모듈의 기밀을 유지하도록 하는 하부 모듈 안내부가 구비되며,상기 반응 기체 분사 튜브는, 상기 하부 모듈의 바닥면에서 볼 때, 제1 반응 기체를 분사하는 반응 기체 분사 튜브 주위에 제2 반응 기체를 분사하는 반응 기체 분사 튜브가 4각형의 꼭지점 위치에 놓이도록 배열되는 것을 특징으로 하는 샤워헤드를 구비한 반도체 소자 제조 장비.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 반응 기체 샤워헤드 모듈의 하부 모듈 하방에 설치되는 퍼지 기체 샤워헤드 모듈;상기 퍼지 기체 샤워헤드 모듈의 하방에 설치되는 냉각 자켓을 구비하며,상기 반응 기체 샤워헤드 모듈은 윗판, 위의 중간판, 아래의 중간판과 바닥판을 가지고, 상기 윗판과 상기 위의 중간판 사이의 공간으로 상기 공정 기체 중 반응 기체가 유입되고, 상기 위의 중간 판과 상기 아래의 중간 판 사이의 공간으로 분사 지원 기체가 유입되며, 상기 아래의 중간 판과 상기 바닥판 사이의 공간인 분배실 안에서 상기 반응 기체와 상기 분사지원 기체가 서로 혼합되어 혼합 기체를 형성하도록 이루어지며, 상기 혼합 기체를 기판 위로 분사하기 위해 상기 분배실에는 상기 바닥판 저면에서 하향 돌출되는 복수의 반응 기체 분사 튜브가 구비되고,상기 퍼지 기체 샤워헤드 모듈은 윗판, 중간판, 바닥판을 가지고, 퍼지 기체가 상기 윗판과 상기 중간판 사이의 공간으로 유입되어 확산되고, 다시 상기 중간판과 바닥판 사이의 공간에서 확산된 후 상기 바닥판에 뚫린 구멍을 통해 유출된 후에, 퍼지 기체는 상기 냉각 자켓을 관통하되 상기 냉각자켓의 기밀을 유지하도록 설치된 반응기체 분사 튜브 안내관과 퍼지기체 분사 안내관을 통해 기판쪽으로 분사되며, 또한 상기 퍼지 기체 샤워헤드 모듈에는 상기 반응 기체 분사 튜브가 통과하되 상기 퍼지 기체 샤워헤드 모듈의 기밀을 유지하도록 하는 퍼지측의 안내관이 형성되며,상기 냉각 자켓은 냉각재가 상기 반응실 외부로부터 밀폐된 유로를 따라 상기 냉각 자켓 내부로 유입되게 하기 위한 유입구와 유입된 냉각재가 밀폐된 유로를 따라 상기 반응실 외부로 빠져나가게 하기 위한 유출구를 구비하고,상기 퍼지기체 분사 안내관은 퍼지 기체만 통과시키고 상기 반응 기체분사튜브 안내관은 퍼지 기체와 반응 기체 분사 튜브를 동시에 통과시키게 되며, 상기 반응 기체 분사 튜브 안내관은 상기 반응 기체 분사 튜브가 상기 반응 기체 분사 튜브 안내관의 내벽과 틈새를 가져 상기 틈새로 상기 퍼지 기체가 통과하도록 보다 큰 직경으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 샤워헤드를 가지는 반도체 소자 제조 장비.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070096587 | 2007-09-21 | ||
KR20070096587 | 2007-09-21 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070111772A Division KR100923453B1 (ko) | 2007-09-21 | 2007-11-02 | 샤워헤드를 구비한 반도체 소자 제조 장비 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020100015324A Division KR100972802B1 (ko) | 2010-02-19 | 2010-02-19 | 샤워헤드를 구비한 반도체 소자 제조 장비 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20090031338A true KR20090031338A (ko) | 2009-03-25 |
KR100972801B1 KR100972801B1 (ko) | 2010-07-29 |
Family
ID=39090747
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070111772A KR100923453B1 (ko) | 2007-09-21 | 2007-11-02 | 샤워헤드를 구비한 반도체 소자 제조 장비 |
KR1020080105914A KR100972801B1 (ko) | 2007-09-21 | 2008-10-28 | 샤워헤드를 구비한 반도체 소자 제조 장비 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070111772A KR100923453B1 (ko) | 2007-09-21 | 2007-11-02 | 샤워헤드를 구비한 반도체 소자 제조 장비 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (2) | KR100923453B1 (ko) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101311268B1 (ko) * | 2011-12-20 | 2013-09-25 | 한국생산기술연구원 | 다원계 화합물 증착용 샤워헤드 |
KR20200064712A (ko) | 2018-11-29 | 2020-06-08 | (주) 디에스테크노 | 식각 특성이 향상된 SiC가 사용된 샤워 헤드가 구비된 반도체 제조 장비 |
FR3101196A1 (fr) * | 2019-09-20 | 2021-03-26 | Semco Smartech France | Dispositif d'homogeneisation |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101064210B1 (ko) * | 2009-06-01 | 2011-09-14 | 한국생산기술연구원 | 막증착 진공장비용 샤워헤드 |
KR101947519B1 (ko) * | 2011-05-27 | 2019-02-14 | 한국생산기술연구원 | 다층 샤워헤드 및 그 밀봉방법 |
US9388494B2 (en) | 2012-06-25 | 2016-07-12 | Novellus Systems, Inc. | Suppression of parasitic deposition in a substrate processing system by suppressing precursor flow and plasma outside of substrate region |
WO2014209017A1 (ko) * | 2013-06-26 | 2014-12-31 | 한국생산기술연구원 | 확산핀을 가지는 전자소자 제조용 샤워 헤드 및 샤워 헤드 조립체 |
KR101542599B1 (ko) | 2013-06-26 | 2015-08-06 | 한국생산기술연구원 | 확산핀을 가지는 전자소자 제조용 샤워 헤드 및 샤워 헤드 조립체 |
US9617638B2 (en) * | 2014-07-30 | 2017-04-11 | Lam Research Corporation | Methods and apparatuses for showerhead backside parasitic plasma suppression in a secondary purge enabled ALD system |
KR101707102B1 (ko) * | 2014-11-05 | 2017-02-27 | (주)에스아이 | 화학기상증착용 가스분사노즐 |
CN114402416A (zh) | 2019-07-17 | 2022-04-26 | 朗姆研究公司 | 用于衬底处理的氧化分布调节 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2929971B2 (ja) * | 1995-05-19 | 1999-08-03 | 日本電気株式会社 | 気相成長装置 |
JP2000290777A (ja) * | 1999-04-07 | 2000-10-17 | Tokyo Electron Ltd | ガス処理装置、バッフル部材、及びガス処理方法 |
KR100434487B1 (ko) * | 2001-01-17 | 2004-06-05 | 삼성전자주식회사 | 샤워 헤드 및 이를 포함하는 박막 형성 장비 |
KR100731164B1 (ko) * | 2005-05-19 | 2007-06-20 | 주식회사 피에조닉스 | 샤워헤드를 구비한 화학기상 증착 방법 및 장치 |
-
2007
- 2007-11-02 KR KR1020070111772A patent/KR100923453B1/ko active IP Right Grant
-
2008
- 2008-10-28 KR KR1020080105914A patent/KR100972801B1/ko active IP Right Grant
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101311268B1 (ko) * | 2011-12-20 | 2013-09-25 | 한국생산기술연구원 | 다원계 화합물 증착용 샤워헤드 |
KR20200064712A (ko) | 2018-11-29 | 2020-06-08 | (주) 디에스테크노 | 식각 특성이 향상된 SiC가 사용된 샤워 헤드가 구비된 반도체 제조 장비 |
FR3101196A1 (fr) * | 2019-09-20 | 2021-03-26 | Semco Smartech France | Dispositif d'homogeneisation |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20070112354A (ko) | 2007-11-23 |
KR100972801B1 (ko) | 2010-07-29 |
KR100923453B1 (ko) | 2009-10-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100972801B1 (ko) | 샤워헤드를 구비한 반도체 소자 제조 장비 | |
KR100849929B1 (ko) | 반응 기체의 분사 속도를 적극적으로 조절하는 샤워헤드를구비한 화학기상 증착 방법 및 장치 | |
JP4630226B2 (ja) | シャワーヘッドを用いた化学気相蒸着方法及びその装置 | |
TWI490366B (zh) | Cvd腔室之流體控制特徵結構 | |
US9315897B2 (en) | Showerhead for film depositing vacuum equipment | |
TWI759741B (zh) | 用於半導體處理的氣體分配噴頭 | |
US7674352B2 (en) | System and method for depositing a gaseous mixture onto a substrate surface using a showerhead apparatus | |
US7918938B2 (en) | High temperature ALD inlet manifold | |
JP4564656B2 (ja) | デュアルチャネル・ガス分配プレート | |
US6616766B2 (en) | Method and apparatus for providing uniform gas delivery to substrates in CVD and PECVD processes | |
US6730175B2 (en) | Ceramic substrate support | |
US7485339B2 (en) | Method for chemical vapor deposition capable of preventing contamination and enhancing film growth rate | |
EP1167571A2 (en) | Showerhead for semiconductor processing chamber | |
KR20060006219A (ko) | 반도체 소자 제조에 사용되는 기판 처리 장치 | |
WO2008032910A1 (en) | Apparatus of chemical vapor deposition with a showerhead regulating injection velocity of reactive gases positively and method thereof | |
KR100972802B1 (ko) | 샤워헤드를 구비한 반도체 소자 제조 장비 | |
TW202330988A (zh) | 具有加熱器的半導體處理裝置、及半導體處理方法 | |
KR20230080481A (ko) | 통합된 전환 (divert) 플로우 경로를 갖는 샤워헤드 | |
CN115478261A (zh) | 一种气体喷淋头及化学气相沉积设备 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A107 | Divisional application of patent | ||
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
A107 | Divisional application of patent | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130722 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140722 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150612 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160701 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170703 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180702 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190625 Year of fee payment: 10 |