[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

KR20080069894A - Photo-curable composition having inherently excellent releasing property and pattern transfer property, method for transfering pattern using the same and light recordimg medium having polymer pattern layer produced using the same - Google Patents

Photo-curable composition having inherently excellent releasing property and pattern transfer property, method for transfering pattern using the same and light recordimg medium having polymer pattern layer produced using the same Download PDF

Info

Publication number
KR20080069894A
KR20080069894A KR1020070085569A KR20070085569A KR20080069894A KR 20080069894 A KR20080069894 A KR 20080069894A KR 1020070085569 A KR1020070085569 A KR 1020070085569A KR 20070085569 A KR20070085569 A KR 20070085569A KR 20080069894 A KR20080069894 A KR 20080069894A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
weight
pattern
group
polydimethylsiloxane
photocurable composition
Prior art date
Application number
KR1020070085569A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
노명도
김현기
홍순영
Original Assignee
삼성전자주식회사
홍순영
소부영
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사, 홍순영, 소부영 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to US12/017,540 priority Critical patent/US20080176049A1/en
Priority to PCT/KR2008/000433 priority patent/WO2008091114A1/en
Publication of KR20080069894A publication Critical patent/KR20080069894A/en
Priority to US13/043,696 priority patent/US20110163482A1/en

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23HWORKING OF METAL BY THE ACTION OF A HIGH CONCENTRATION OF ELECTRIC CURRENT ON A WORKPIECE USING AN ELECTRODE WHICH TAKES THE PLACE OF A TOOL; SUCH WORKING COMBINED WITH OTHER FORMS OF WORKING OF METAL
    • B23H9/00Machining specially adapted for treating particular metal objects or for obtaining special effects or results on metal objects
    • B23H9/06Marking or engraving
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0042Photosensitive materials with inorganic or organometallic light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. inorganic resists
    • G03F7/0043Chalcogenides; Silicon, germanium, arsenic or derivatives thereof; Metals, oxides or alloys thereof
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0045Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/02Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
    • B29C59/022Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing characterised by the disposition or the configuration, e.g. dimensions, of the embossments or the shaping tools therefor
    • B29C2059/023Microembossing

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)

Abstract

A radiation curing composition, a method for transferring a pattern by using the composition, and an optical recording medium using the composition are provided to improve transfer property and releasing property. A radiation curing composition comprises 100 parts by weight of a urethane-polydimethylsiloxane copolymeric prepolymer prepared by the reaction of a polyol having at least two hydroxyl groups at a molecule, a reactive polydimethylsiloxane having at least one reactive group selected from the group consisting of an amino group, an epoxy group, a carboxyl group, a hydroxyl group, a halogen atom, a thiol group and a (meth)acrylate group at the side chain or terminal of polydimethylsiloxane, and an aliphatic or aromatic polyisocyanate compound; 10-80 parts by weight of a mono- to tetravalent (meth)acrylate monomer; and 0.1-10 parts by weight of a photoinitiator.

Description

내재적으로 우수한 이형성 및 패턴 전사성을 갖는 광경화성 조성물, 이를 이용한 패턴 전사방법 및 이를 이용하여 형성된 고분자 패턴층을 구비한 광기록매체{Photo-curable composition having inherently excellent releasing property and pattern transfer property, method for transfering pattern using the same and light recordimg medium having polymer pattern layer produced using the same}Photo-curable composition having inherently excellent release property and pattern transfer property, pattern transfer method using same, and optical recording medium having polymer pattern layer formed using same transfering pattern using the same and light recordimg medium having polymer pattern layer produced using the same}

본원 발명은 광경화성 조성물, 이를 이용한 패턴 전사방법 및 이를 이용하여 생성된 고분자 패턴층을 구비한 광기록매체에 관한 것으로서, 더 상세하게는 이형성 및 패턴 전사성이 내재적으로 우수한 광경화성 조성물, 이를 이용한 패턴 전사방법 및 이를 이용하여 형성된 고분자 패턴층을 구비한 광기록매체에 관한 것이다.The present invention relates to a photocurable composition, a pattern transfer method using the same, and an optical recording medium having a polymer pattern layer produced using the same, and more particularly, a photocurable composition having excellent releasability and pattern transfer property, using the same. A pattern transfer method and an optical recording medium having a polymer pattern layer formed using the same.

콤팩트 디스크, DVD(digital versatile disk) 또는 마그네틱 디스크와 같은 광기록매체 및 자기기록매체, 반도체 소자, 디스플레이 장치, 초미세 전기전자 소자 등의 제조공정에서는 기재상에 미세 패턴을 형성할 필요가 있다. 전통적으로, 미세 패턴은 포토마스크를 통한 광조사 공정, 현상 공정 및 식각 공정을 포함하는 포토리소그래피(photolithography) 방법에 의하여 형성된다. 즉, 감광성 고분자 물 질로 이루어진 포토레지스트를 기재 상에 도포하고 소정 패턴을 갖는 포토마스크를 통하여 포토레지스트를 소정 파장의 빛에 노광시켜 잠재적인 포토레지스트 패턴을 형성한다. 이 잠상 패턴을 현상하여 기재상에 포토레지스트 패턴을 형성하고, 이를 식각 마스크로 이용하여 기재를 식각함으로써 상기 포토마스크의 패턴을 기재상에 전사한다.In the manufacturing process of optical recording media such as compact disks, digital versatile disks (DVD) or magnetic disks and magnetic recording media, semiconductor devices, display devices, ultra-fine electrical and electronic devices, it is necessary to form fine patterns on the substrate. Traditionally, the fine pattern is formed by a photolithography method including a light irradiation process through a photomask, a developing process and an etching process. That is, a photoresist made of photosensitive polymer material is coated on a substrate, and the photoresist is exposed to light of a predetermined wavelength through a photomask having a predetermined pattern to form a potential photoresist pattern. The latent image pattern is developed to form a photoresist pattern on the substrate, and the substrate is etched using this as an etching mask to transfer the pattern of the photomask onto the substrate.

그런데, 포토리소그래피 방법에서 회로 선폭(패턴 선폭)은 노광 공정에서 사용되는 빛의 파장에 의해 지배된다. 현재의 기술수준을 고려할 때 포토리소그래피 공정을 이용해서 기재상에 초미세패턴, 예를 들면 선폭이 100nm 이하인 초미세 패턴을 형성하는 것은 매우 어렵다. 또한, 포토리소그래피 방법에서는 포토레지스트 도포, 노광, 현상, 식각, 세정 등 여러 단계의 공정을 거쳐야만 하기 때문에 공정이 복잡하고 많은 공정 시간이 많이 소요될 뿐만 아니라 여러 종류의 고가의 장비를 필요로 한다. 이러한 문제로 포토리소그래피 방법은 고비용 및 저생산성의 단점을 갖는다.By the way, in the photolithography method, the circuit line width (pattern line width) is governed by the wavelength of light used in the exposure process. In view of the current state of the art, it is very difficult to form an ultrafine pattern, for example, an ultrafine pattern having a line width of 100 nm or less, on a substrate using a photolithography process. In addition, in the photolithography method, since the photoresist coating, exposure, development, etching, cleaning, and the like have to go through several steps, the process is complicated, requires a lot of processing time, and requires various kinds of expensive equipment. Due to this problem, the photolithography method has disadvantages of high cost and low productivity.

상기한 포토리소그래피 방법이 갖는 한계를 극복하기 위한 기술로서 비전통적 방식에 의한 리소그래피 방법들이 제안되고 있다. 그 중의 하나가 나노 임프린트 리소그래피(nano-imprint lithography) 방법이다.Non-traditional lithographic methods have been proposed as techniques for overcoming the limitations of the photolithography method described above. One of them is the nano-imprint lithography method.

나노 임프린트 리소그래피 기술은 기존의 프레스 가공법을 나노 영역까지 확장한 기술이다. 이 기술에서는, 나노 스케일의 소정의 3차원 패턴을 구비하고 또한 규소(Si), 이산화규소, 또는 쿼츠 등의 단단한(hard) 재질로 형성된 몰드를 기재상에 프레스함으로써 기재상에 상기 3차원 패턴을 반복적으로 전사한다. 구체적으로, 몰드를 열가소성 고분자 재료가 코팅된 기재과 대향시킨 후 프레스하여 몰드의 3차원 나노 스케일의 패턴을 기재상의 열가소성 고분자 재료에 전사하는 기술이다. 이어서 전사된 열가소성 고분자 재료 패턴을 식각 마스크로 이용하여 하부의 기재를 식각하거나 상기 패턴상에 다른 물질을 증착함으로써 기재상에 상기 몰드의 패턴이 전사될 수 있다.Nanoimprint lithography is an extension of the conventional press process to the nano-area. In this technique, a three-dimensional pattern is formed on a substrate by pressing a mold having a predetermined three-dimensional pattern on a nano scale and formed of a hard material such as silicon (Si), silicon dioxide, or quartz on the substrate. Repeated transfers. Specifically, the mold is a technique in which a mold is opposed to a substrate coated with a thermoplastic polymer material and then pressed to transfer a three-dimensional nanoscale pattern of the mold to the thermoplastic polymer material on the substrate. The pattern of the mold may then be transferred onto the substrate by etching the underlying substrate or depositing another material on the pattern using the transferred thermoplastic polymer material pattern as an etch mask.

나노 임플란트 리소그래피 기술은 크게 열 나노 임프린트 법, 광 나노 임프린트 법, 및 미세 접촉 인쇄법(uCP: micro contact printing)으로 분류될 수 있다. 열 나노 임프린트 법은 기재위에 열가소성 고분자수지를 코팅하고 이 고분자의 유리 전이온도 이상으로 기재를 가열한 후 몰드를 고분자 코팅위에 프레스하여 몰드의 패턴을 전사하는 방법이다. 광 나노 임프린트 법은 광경화성 조성물을 기재위에 코팅하고 몰드를 코팅위에 프레스 한 후 자외선 등의 특정 파장의 빛을 조사하여 모노머를 경화시킴으로써 몰드의 패턴을 전사하는 방법이다. 이 방법에서는 몰드는 쿼츠, 유리 등 자외선 등의 빛이 투과할 수 있는 투명 재질로 이루어진다. 미세 접촉 인쇄법은 소프트 리소그래피 공정의 가장 대표적인 방법이다. 이 방법에서는, 폴리디메틸실록산(PDMS: polydimethylsiloxane)과 같은 표면장력이 작은 실리콘계 탄성 중합체로 이루어진 몰드의 미세패턴의 돌출부 표면에 잉크를 가한 후, 이 몰드를 기재상에 프레스하여 미세패턴을 기재상에 전사하는 방법이다.Nano implant lithography techniques can be broadly classified into thermal nano imprint method, photo nano imprint method, and micro contact printing (uCP). The thermal nanoimprint method is a method of transferring a pattern of a mold by coating a thermoplastic polymer resin on a substrate, heating the substrate above the glass transition temperature of the polymer, and pressing the mold onto the polymer coating. The photo nanoimprint method is a method of transferring a pattern of a mold by coating a photocurable composition on a substrate, pressing a mold on the coating, and irradiating light of a specific wavelength such as ultraviolet light to cure the monomer. In this method, the mold is made of a transparent material through which light such as ultraviolet rays such as quartz and glass can pass. Microcontact printing is the most representative method of the soft lithography process. In this method, ink is applied to the surface of the protrusion of the micropattern of a mold made of a silicone-based elastomer having a low surface tension such as polydimethylsiloxane (PDMS), and then the mold is pressed onto the substrate to press the micropattern onto the substrate. It's a way to transcribe.

나노 임플란트 리소그래피 기술은 다음과 같은 장점이 있다.Nano implant lithography has the following advantages:

1) 기본적으로는 프레스 기술이기 때문에 공정이 단순하고 매우 저렴한 장치로 이루어질 수 있다.1) Since it is basically a press technology, the process can be made simple and very inexpensive.

2) 규소, 이산화규소 등의 단단한 몰드를 사용하기 때문에 대면적위에 초미세패턴을 효율적으로 반복적으로 전사할 수 있다.2) Because of the use of rigid molds such as silicon and silicon dioxide, it is possible to efficiently and repeatedly transfer ultra fine patterns over large areas.

3) 전사패턴의 한계해상도는 몰드의 패턴 형상에 따라 결정되기 때문에 5㎚ 레벨의 3차원 미세패턴도 용이하게 일괄적으로 반복 전사할 수 있다.3) Since the limit resolution of the transfer pattern is determined according to the pattern shape of the mold, it is possible to easily and repeatedly transfer the three-dimensional fine patterns of 5 nm level in a batch.

그러나, 나노 임프린트 리소그래피 기술은 패턴 전사를 위한 프레스 후에 기재위에 형성된 고분자 패턴층의 손상없이 몰드를 기재으로부터 분리하는 것이 용이하지 않은 문제점을 갖는다. 즉, 몰드를 기재으로부터 분리할 때, 몰드와 고분자 패턴층 사이의 점착성 때문에 고분자 패턴층의 일부가 떼어져 나가 몰드에 부착되는 현상 등에 의하여 기재에 전사된 미세패턴이 손상되는 현상이 빈발할수 있다.However, the nanoimprint lithography technique has a problem that it is not easy to separate the mold from the substrate without damaging the polymer pattern layer formed on the substrate after the press for pattern transfer. That is, when the mold is separated from the substrate, a phenomenon in which the micropattern transferred to the substrate is damaged due to the adhesion between the mold and the polymer pattern layer is detached and attached to the mold.

이와 같이 몰드와 기재상의 고분자 패턴층 사이의 이형성이 불량하면, 상기한 점착현상 때문에 전사된 고분자 패턴층의 손상 뿐만 아니라 몰드가 오염되어 몰드를 반복해서 사용할 수 없다. 따라서, 몰드의 이형성을 향상시키는 것은 나노 임프린트 리소그래피 기술에서 해결해야 할 중요한 과제중의 하나이다.In this way, if the mold release property between the mold and the polymer pattern layer on the substrate is poor, not only the damage of the transferred polymer pattern layer due to the adhesion phenomenon, the mold is contaminated and the mold cannot be used repeatedly. Therefore, improving mold release properties is one of the important challenges to be solved in nanoimprint lithography techniques.

이와 같은 몰드와 고분자 패턴층 사이의 점착성 문제를 개선하기 위하여 선행기술에 개시된 나노 임프린트 리소그래피 기술로서는 다음과 같은 것이 있다.In order to improve the problem of adhesion between the mold and the polymer pattern layer, there are the following nanoimprint lithography techniques disclosed in the prior art.

대한민국 등록특허 제0568581호는 (1) 활성에너지선 경화형 우레탄계 올리고머; (2) 상기 우레탄계 올리고머와 반응성을 가진 (메타)아크릴레이트계, 비닐에테르 또는 아릴에테르계 단량체, 또는 이들의 혼합물; (3) 실리콘기 또는 불소기, 또는 이들 모두를 가진 반응성 혹은 비반응성 화합물; 및 (4) 광개시제를 포함하는, 미세패턴 형성 몰드용 조성물을 개시한다. 그러나 본 발명자의 시험에 의하면, 이 등록특허에 따라 조제한 광경화성 수지조성물은 이형성이 불충분해서 100nm 이하의 패턴 깊이를 갖는 몰드를 사용하는 나노 임프린트 리소그래피 작업에 사용할 수 없었다. 구체적으로, 상기 광경화성 수지조성물을 이용하여 상기한 미세 크기의 몰드를 이용하여 나노 임프린트 리소그래피 작업을 하면 광경화후 몰드를 분리하였을 때, 몰드 표면이 고분자 파편으로 오염되고 전사된 패턴도 군데 군데 붕괴되었다.Republic of Korea Patent No. 0568581 (1) active energy ray-curable urethane oligomers; (2) a (meth) acrylate-based, vinylether or arylether-based monomer having a reactivity with the urethane-based oligomer, or a mixture thereof; (3) reactive or non-reactive compounds having a silicone group or a fluorine group, or both; And (4) discloses a composition for a micropattern forming mold comprising a photoinitiator. However, according to the tests of the inventors, the photocurable resin composition prepared according to this patent is insufficient in releasability and cannot be used for nanoimprint lithography operation using a mold having a pattern depth of 100 nm or less. Specifically, when nanoimprint lithography is performed using the above-described mold of the photocurable resin composition, when the mold is separated after photocuring, the surface of the mold is contaminated with polymer debris and the transferred pattern is also collapsed in several places. .

또한, 나노 임프린트 리소그래피 기술에서 몰드 표면의 표면장력을 작게 하여 접착력을 감소시킴으로써 몰드의 이형성을 향상시키기 위하여 몰드 표면에 불소계 오일 또는 실리콘계 오일을 코팅하는 기술은 당업자들 사이에 알려져 있다.In addition, in the nanoimprint lithography technique, a technique of coating a fluorine-based or silicone-based oil on the surface of the mold in order to improve the mold release property by reducing the surface tension of the mold surface to reduce the adhesive force is known to those skilled in the art.

예를 들면, 대한민국 공개특허공보 2005-0071230호는 계면활성제와 유기용매가 혼합된 이형제를 이용하여 미세구조 성형용 몰드의 표면에 자기집합 단층막(self-assembled monolayer; SAM)을 이형성 코팅막으로 형성함으로써 이형성이 향상된 미세구조물 성형용 몰드를 개시한다.For example, Korean Patent Laid-Open Publication No. 2005-0071230 forms a self-assembled monolayer (SAM) as a release coating film on the surface of a mold for forming a microstructure by using a release agent mixed with a surfactant and an organic solvent. Disclosed is a mold for molding a microstructure having improved release property.

이러한 이형제 코팅을 이용하는 방법에서는, 나노사이즈의 패턴 형상에 영향을 주지 않아야 하기 때문에 이형제층이 수 나노미터 이하의 두께를 가져야 한다. 그러나, 고분자층을 형성하기 전에 이러한 조건을 만족하도록 별도의 이형제층을 형성하는 것은 생산성을 감소시키고 제조코스트를 상승시키는 문제점이 있다. 또한, 이에 사용되는 이형제의 물리화학적 특성이 불안정하면 몰드 및/또는 기재의 오염원으로서 작용할 수 있다. 또한, 상기 고분자 패턴층을 형성하기 위하여 사용되는 선행기술의 광경화성 조성물은 나노 임프린트 리소그래피에 이용되는 경우 몰드 및/또는 기재과의 점착성 및 이형성의 측면에서 신뢰성과 지속성이 충분하지 않 은 문제점이 있다.In the method using such a release agent coating, the release agent layer should have a thickness of several nanometers or less because it should not affect the pattern shape of the nanosize. However, forming a separate release agent layer to satisfy these conditions before forming the polymer layer has a problem of reducing productivity and raising the manufacturing cost. In addition, if the physicochemical properties of the release agent used therein are unstable, it may act as a source of contamination of the mold and / or substrate. In addition, the photocurable composition of the prior art used to form the polymer pattern layer has a problem that the reliability and persistence in terms of adhesion and mold release property with the mold and / or substrate when the nanoimprint lithography is used.

따라서 본원 발명의 목적은 상기한 선행기술의 광경화성 조성물의 문제점을 해결하기 위하여 몰드 및/또는 기재으로부터의 이형성 및 패턴 전사성이 우수한 광경화성 조성물을 제공하는 것이다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a photocurable composition having excellent releasability from molds and / or substrates and pattern transfer properties in order to solve the above problems of the photocurable compositions of the prior art.

본원 발명의 다른 목적은 상기 광경화성 조성물을 이용한 패턴 전사방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention to provide a pattern transfer method using the photocurable composition.

본원 발명의 또 다른 목적은 상기 광경화성 조성물을 이용하여 제조된 광기록매체를 제공하는 것이다.Still another object of the present invention is to provide an optical recording medium manufactured using the photocurable composition.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본원 발명의 일 태양은,In order to achieve the above object, one aspect of the present invention,

(a) i) 한 분자당 2개 이상의 히드록시기를 갖는 폴리올; ii) 폴리디메틸실록산의 측쇄 또는 말단에 아미노기, 에폭시기, 카르복실기, 히드록시기, 할로겐 원자, 티올기, 및 (메트)아크릴레이트기로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 반응성기를 포함하는 반응성 폴리디메틸실록산; 및 iii) 지방족 또는 방향족 폴리이소시아네이트 화합물의 반응에 의하여 형성된 우레탄-폴리디메틸실록산공중합 프리폴리머 100 중량부;(a) i) a polyol having at least two hydroxyl groups per molecule; ii) a reactive polydimethylsiloxane comprising at least one reactive group selected from the group consisting of an amino group, an epoxy group, a carboxyl group, a hydroxy group, a halogen atom, a thiol group, and a (meth) acrylate group at the side chain or the terminal of the polydimethylsiloxane; And iii) 100 parts by weight of urethane-polydimethylsiloxane copolymerized prepolymer formed by the reaction of an aliphatic or aromatic polyisocyanate compound;

상기 우레탄-폴리디메틸실록산공중합 프리폴리머 100 중량부를 기준으로,Based on 100 parts by weight of the urethane-polydimethylsiloxane copolymerized prepolymer,

(b) 4 관능성 이하의 (메트)아크릴레이트계 모노머 10~80 중량부; 및(b) 10 to 80 parts by weight of a tetrafunctional (meth) acrylate monomer; And

(c) 광개시제 0.1 ~ 10 중량부를 포함하는 광경화성 조성물을 제공한다.(c) provides a photocurable composition comprising 0.1 to 10 parts by weight of the photoinitiator.

상기 다른 목적을 달성하기 위하여 본원 발명의 다른 태양은,Another aspect of the present invention to achieve the above another object,

기재 위에 광경화성 조성물 코팅층을 형성하는 단계;Forming a photocurable composition coating layer on the substrate;

소정 패턴을 갖는 스탬퍼를 이용하여 상기 광경화성 조성물 코팅층을 임프린트하는 단계; Imprinting the photocurable composition coating layer using a stamper having a predetermined pattern;

상기 광경화성 조성물 코팅층에 상기 스탬퍼가 매몰되어 있는 상태에서 상기 조성물을 광경화시킬 수 있는 빛을 조사하여 상기 조성물을 경화시키는 단계; 및Curing the composition by irradiating light capable of photocuring the composition while the stamper is buried in the photocurable composition coating layer; And

상기 스탬퍼를 상기 기재상의 광경화성 조성물 코팅층으로부터 분리함으로써 상기 기재상에 상기 스탬퍼의 패턴이 전사된 고분자 패턴층을 형성하는 단계를 포함하는 패턴 전사방법으로서,A pattern transfer method comprising the step of separating the stamper from the photocurable composition coating layer on the substrate to form a polymer pattern layer on which the pattern of the stamper is transferred on the substrate.

상기 광경화성 조성물은,The photocurable composition,

a) i) 한 분자당 2개 이상의 히드록시기를 갖는 폴리올; ii) 폴리디메틸실록산의 측쇄 또는 말단에 아미노기, 에폭시기, 카르복실기, 히드록시기, 할로겐 원자, 티올기, 및 (메트)아크릴레이트기로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 반응성기를 포함하는 반응성 폴리디메틸실록산; 및 iii) 지방족 또는 방향족 폴리이소시아네이트 화합물의 반응에 의하여 형성된 우레탄-폴리디메틸실록산 공중합 프리폴리머 100 중량부;a) i) a polyol having at least two hydroxyl groups per molecule; ii) a reactive polydimethylsiloxane comprising at least one reactive group selected from the group consisting of an amino group, an epoxy group, a carboxyl group, a hydroxy group, a halogen atom, a thiol group, and a (meth) acrylate group at the side chain or the terminal of the polydimethylsiloxane; And iii) 100 parts by weight of urethane-polydimethylsiloxane copolymer prepolymer formed by the reaction of an aliphatic or aromatic polyisocyanate compound;

상기 우레탄-폴리디메틸실록산 공중합 프리폴리머 100 중량부를 기준으로,Based on 100 parts by weight of the urethane-polydimethylsiloxane copolymer prepolymer,

b) 4 관능성 이하의 (메트)아크릴레이트계 모노머 10~80 중량부; 및b) 10 to 80 parts by weight of a tetrafunctional (meth) acrylate monomer; And

c) 광개시제 0.1 ~ 10 중량부를 포함하는 광경화성 조성물인 것을 특징으로 하는 패턴 전사방법을 제공한다.c) It provides a pattern transfer method, characterized in that the photocurable composition comprising 0.1 to 10 parts by weight of the photoinitiator.

상기 또 다른 목적을 달성하기 위하여, 본원 발명의 일 태양은,In order to achieve the above another object, an aspect of the present invention,

기재; 및 상기 기재 위에 형성된 기록층을 포함하는 광기록매체로서,materials; And a recording layer formed on the substrate, the optical recording medium comprising:

상기 기록층은 나노사이즈의 피트 깊이를 갖는 복수 개의 피트로 이루어진 소정 패턴의 기록마크를 구비하는 고분자 패턴층이며,The recording layer is a polymer pattern layer having a recording mark of a predetermined pattern consisting of a plurality of pits having a nano-size pit depth,

상기 고분자 패턴층은 상기한 본 발명에 따른 광경화성 조성물이 경화되어 형성된 것을 특징으로 하는 광기록매체를 제공한다.The polymer pattern layer provides an optical recording medium, which is formed by curing the photocurable composition according to the present invention.

본 발명에 따른 광경화성 조성물은 상기 우레탄-폴리디메틸실록산 공중합 프리폴리머 100 중량부를 기준으로 탄소수 1 내지 30의 일관능성 지방족 티올 화합물, 탄소수 1 내지 30의 일관능성 지방족 알콜 화합물, 또는 이들의 혼합물을 0.1 ~ 10 중량부 더 포함할 수 있다.The photocurable composition according to the present invention comprises a monofunctional aliphatic thiol compound having 1 to 30 carbon atoms, a monofunctional aliphatic alcohol compound having 1 to 30 carbon atoms, or a mixture thereof, based on 100 parts by weight of the urethane-polydimethylsiloxane copolymer prepolymer. 10 parts by weight may be further included.

본 발명의 광경화성 조성물은 이형성 및 패턴 전사성이 이형성 및 패턴전사성이 내재적으로(inherently) 우수하기 때문에 이형성 및 패턴 전사성의 신뢰성과 지속성이 우수하다. 따라서 본 발명의 광경화성 조성물을 이용하면 나노 사이즈 또는 마이크론 사이즈의 패턴을 반복적으로 전사하는 작업의 생산성을 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명의 광경화성 조성물은 이를 도포하기 이전에 별도로 저분자 이형제층 코팅 등의 추가 공정을 필요로 하지 않기 때문에, 이형제층 코팅의 불균일 또는 이형제의 물리화학적 불안정에 따른 문제점을 제거할 수 있다. 따라서 본 발명의 광경화성 조성물을 이용하면, 소정 패턴을 갖는 스탬퍼를 이용하여 기재 위에 패턴을 효율적으로 복수 회 반복적으로 전사할 수 있다.The photocurable composition of the present invention is excellent in the releasability and pattern transferability because of its excellent releasability and pattern transferability inherently and excellent in reliability and durability. Therefore, by using the photocurable composition of the present invention, it is possible to improve the productivity of the work of repeatedly transferring the pattern of nano size or micron size. In addition, since the photocurable composition of the present invention does not require an additional process such as low-molecular release agent layer coating separately before applying the same, it is possible to eliminate the problems caused by unevenness of the release agent layer coating or physicochemical instability of the release agent. Therefore, by using the photocurable composition of the present invention, the pattern can be repeatedly repeatedly transferred efficiently onto the substrate using a stamper having a predetermined pattern.

이하, 본 발명에서 "이형성"이라 함은 몰드로서 사용되는 스탬퍼의 오염 및 전사된 패턴의 손상이 없이 몰드로서 사용되는 스탬퍼가 광경화성 조성물의 경화에 의하여 형성된 전사된 고분자 패턴으로부터 용이하게 분리되는 것을 의미한다.Hereinafter, in the present invention, "release" means that the stamper used as a mold is easily separated from the transferred polymer pattern formed by curing of the photocurable composition without contamination of the stamper used as the mold and damage to the transferred pattern. it means.

이하, 본 발명에 따른 광경화성 조성물에 대하여 먼저 상세하게 설명한다.Hereinafter, the photocurable composition which concerns on this invention is demonstrated in detail first.

본 발명의 광경화성 조성물은 (a) i) 한 분자당 2개 이상의 히드록시기를 갖는 폴리올; ii) 폴리디메틸실록산의 측쇄 또는 말단에 아미노기, 에폭시기, 카르복실기, 히드록시기, 할로겐 원자, 티올기, 및 (메트)아크릴레이트기로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 반응성기를 포함하는 반응성 폴리디메틸실록산; 및 iii) 지방족 또는 방향족 폴리이소시아네이트 화합물의 반응에 의하여 형성된 우레탄-폴리디메틸실록산공중합 프리폴리머 100 중량부; 상기 우레탄-폴리디메틸실록산공중합 프리폴리머 100 중량부를 기준으로, (b) 4 관능성 이하의 (메트)아크릴레이트계 모노머 10~80 중량부; 및 (c) 광개시제 0.1 ~ 10 중량부를 포함한다.The photocurable compositions of the invention comprise (a) i) a polyol having at least two hydroxy groups per molecule; ii) a reactive polydimethylsiloxane comprising at least one reactive group selected from the group consisting of an amino group, an epoxy group, a carboxyl group, a hydroxy group, a halogen atom, a thiol group, and a (meth) acrylate group at the side chain or the terminal of the polydimethylsiloxane; And iii) 100 parts by weight of urethane-polydimethylsiloxane copolymerized prepolymer formed by the reaction of an aliphatic or aromatic polyisocyanate compound; Based on 100 parts by weight of the urethane-polydimethylsiloxane copolymerized prepolymer, (b) 10 to 80 parts by weight of a (meth) acrylate monomer having four or less functional groups; And (c) 0.1 to 10 parts by weight of the photoinitiator.

상기 우레탄-폴리디메틸실록산 공중합 프리폴리머는 i) 한 분자당 2개 이상의 히드록시기를 갖는 폴리올; ii) 폴리디메틸실록산의 측쇄 또는 말단에 아미노기, 에폭시기, 카르복실기, 히드록시기, 할로겐 원자, 티올기, 및 (메트)아크릴레이트기로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 반응성기를 포함하는 반응성 폴리디메틸실록산; 및 iii) 지방족 또는 방향족 폴리이소시아네이트 화합물의 반응에 의하여 형성된 것이다.The urethane-polydimethylsiloxane copolymer prepolymer may comprise i) a polyol having two or more hydroxy groups per molecule; ii) a reactive polydimethylsiloxane comprising at least one reactive group selected from the group consisting of an amino group, an epoxy group, a carboxyl group, a hydroxy group, a halogen atom, a thiol group, and a (meth) acrylate group at the side chain or the terminal of the polydimethylsiloxane; And iii) an aliphatic or aromatic polyisocyanate compound.

본 발명에서, 상기 "우레탄-폴리디메틸실록산 공중합 프리폴리머"라는 용어 는 폴리올 성분 및 반응성 폴리디메틸실록산과 폴리이소시아네이트 화합물의 반응에 의하여 형성된 폴리우레탄-폴리디메틸실록산 공중합 프리폴리머, 폴리아미도이미드(polyamidoimides)-폴리디메틸실록산 공중합 프리폴리머 또는 폴리우레아-폴리디메틸실록산 공중합 프리폴리머 등의 적어도 어느 하나를 의미하는 것이다. 이 중의 폴리우레탄, 폴리아미도이미드, 폴리우레아 등의 성분은 본 발명의 광경화성 조성물의 접착성을 강하게 하며 고분자 패턴층의 피막 강도를 강인하게 한다. 또한, 반응성 폴리디메틸실록산 성분은 본 발명의 광경화성 조성물의 광경화에 의하여 형성되는 고분자 패턴층의 표면장력을 낮춤으로써 본 발명의 광경화성 조성물이 내재적으로 우수한 이형성을 갖도록 한다. 따라서, 본 발명의 광경화성 조성물을 이용하면, 이를 이용하여 고분자층을 형성하기 전에 별도로 이형제층을 형성하지 않아도 나노스케일의 패턴 전사 공정을 신뢰성있게 반복적으로 실시할 수 있다. 이에 의하여, 나노스케일의 패턴 전사 공정의 생산성을 향상시키고 제조 코스트를 낮출 수 있다. In the present invention, the term "urethane-polydimethylsiloxane copolymerized prepolymer" is a polyurethane-polydimethylsiloxane copolymerized prepolymer, polyamidoimide-poly, formed by the reaction of a polyol component and a reactive polydimethylsiloxane with a polyisocyanate compound It means at least one of a dimethylsiloxane copolymerized prepolymer or a polyurea-polydimethylsiloxane copolymerized prepolymer. Among these components, components such as polyurethane, polyamidoimide, and polyurea strengthen the adhesiveness of the photocurable composition of the present invention and the film strength of the polymer pattern layer. In addition, the reactive polydimethylsiloxane component lowers the surface tension of the polymer pattern layer formed by photocuring of the photocurable composition of the present invention so that the photocurable composition of the present invention has inherently excellent releasability. Therefore, when the photocurable composition of the present invention is used, the nanoscale pattern transfer process can be reliably and repeatedly performed without forming a release agent layer before forming the polymer layer using the photocurable composition. Thereby, productivity of a nanoscale pattern transfer process can be improved and manufacturing cost can be reduced.

상기 i) 폴리올성분, ii) 반응성 폴리디메틸실록산; 및 iii) 폴리이소시아네이트 화합물의 성분비는 30~70중량% : 15~65중량%; 5~20중량%인 것이 바람직하다. 폴리올 성분의 함량이 30중량% 미만이고 폴리이소시아네이트 화합물의 함량이 20중량를 초과하면, 고분자 패턴층의 탄성이 감소하는 경향이 있다. 폴리올 성분의 함량이 70중량%를 초과하고 폴리이소시아네이트 화합물의 함량이 5 중량% 미만이면, 고분자 패턴층의 강도가 저하하는 경향이 있다. 반응성 폴리디메틸실록산의 함량이 15중량% 미만이면 본원 발명에서 의도하는 이형성 및 패턴 전사성의 증대 효과가 불충분해지는 경향이 있다. 반응성 폴리디메틸실록산의 함량이 65중량%를 초과하면 조성물의 점도가 너무 높아지고 피복체와의 접착력이 너무 작아지는 등 물성 조절이 어려워 지는 문제점이 있다.I) a polyol component, ii) a reactive polydimethylsiloxane; And iii) the component ratio of the polyisocyanate compound is 30 to 70% by weight: 15 to 65% by weight; It is preferable that it is 5-20 weight%. When the content of the polyol component is less than 30% by weight and the content of the polyisocyanate compound is more than 20%, the elasticity of the polymer pattern layer tends to decrease. When the content of the polyol component exceeds 70% by weight and the content of the polyisocyanate compound is less than 5% by weight, the strength of the polymer pattern layer tends to decrease. If the content of the reactive polydimethylsiloxane is less than 15% by weight, the effect of increasing the releasability and pattern transferability intended in the present invention tends to be insufficient. When the content of the reactive polydimethylsiloxane exceeds 65% by weight, there is a problem that the physical properties are difficult to control, such as the viscosity of the composition is too high and the adhesion to the coating is too small.

상기 폴리에테르계 폴리올의 구체적인 예는 폴리에틸렌 글리콜, 폴리프로필렌 글리콜, 폴리테트라메틸렌 글리콜 등을 포함한다. 폴리에스테르계 폴리올은 폴리에틸렌 아디페이트, 폴리부틸렌 아디페이트, 폴리프로필렌 아디페이트, 폴리카프로락톤 등을 포함한다.Specific examples of the polyether polyol include polyethylene glycol, polypropylene glycol, polytetramethylene glycol, and the like. Polyester-based polyols include polyethylene adipate, polybutylene adipate, polypropylene adipate, polycaprolactone and the like.

상기 반응성 폴리디메틸실록산은 폴리디메틸실록산의 측쇄 또는 말단에 아미노기, 에폭시기, 카르복실기, 히드록시기, 할로겐 원자, 티올기, 및 (메트)아크릴레이트기로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 반응성기를 포함하는 것이다. 이 반응성 폴리디메틸실록산 1분자당의 반응성기의 수는 특별히 한정되지 않으며, 1개 이상, 바람직하게는 2개 이상 또는 3개 이상일 수 있다. 예를 들면, 상기 반응성 폴리디메틸실록산은 하기 화학식 (1) 내지 (4)로 표시되는 것 중 적어도 어느 1종일 수 있다.The reactive polydimethylsiloxane includes at least one reactive group selected from the group consisting of an amino group, an epoxy group, a carboxyl group, a hydroxyl group, a halogen atom, a thiol group, and a (meth) acrylate group at the side chain or the terminal of the polydimethylsiloxane. The number of reactive groups per molecule of this reactive polydimethylsiloxane is not particularly limited, and may be one or more, preferably two or more or three or more. For example, the reactive polydimethylsiloxane may be at least one of those represented by the following formulas (1) to (4).

Figure 112007061617732-PAT00001
Figure 112007061617732-PAT00001

여기서, m, n은, 각각 동일할 수도 다를 수도 있는데, 1 내지 20의 정수, 바람직하게는 1 내지 10의 정수를 나타내고; 및Here, m and n may be the same or different, respectively, and represent the integer of 1-20, Preferably the integer of 1-10; And

X1 내지 X6는, 각각 동일할 수도 다를 수도 있는데, 하기 화학식으로 표시되는 반응성기 중의 어느 하나를 나타내며,X 1 To X 6 may be the same or different, respectively, represent any one of the reactive groups represented by the following formula,

Figure 112007061617732-PAT00002
;
Figure 112007061617732-PAT00002
;

여기서, k, l, o, p, q, r, s, t 및 u는 각각 동일할 수도 다를 수도 있는데, 각각 0 내지 10의 정수, 바람직하게는 0 내지 5의 정수를 나타내며, 또한 R은 탄소수 1 내지 10의 알킬기 또는 알콕시기, 바람직하게는 탄소수 1 내지 5의 알킬기 또는 알콕시기, 더 바람직하게는 탄소수 1 내지 3의 알킬기 또는 알콕시기를 나타낸다.Here, k, l, o, p, q, r, s, t and u may be the same or different, respectively, each represents an integer of 0 to 10, preferably an integer of 0 to 5, and R is carbon number An alkyl group or an alkoxy group of 1 to 10, preferably an alkyl group or an alkoxy group of 1 to 5 carbon atoms, more preferably an alkyl group or an alkoxy group of 1 to 3 carbon atoms.

m, n, k, l, o, p, q, r, s, t 및 u는 상기 값을 초과하면 광경화성 조성물의 점도가 높아지는 경향이 있다.When m, n, k, l, o, p, q, r, s, t and u exceed the above values, the viscosity of the photocurable composition tends to increase.

상기 반응성 폴리디메틸실록산은 바람직하게는 입수가능성, 경제성 등이 관점에서 하기 화학식 (5) 내지 (7)로 표시되는 것 중 적어도 어느 1종일 수 있다.Preferably, the reactive polydimethylsiloxane may be at least one of those represented by the following general formulas (5) to (7) in view of availability and economical efficiency.

Figure 112007061617732-PAT00003
Figure 112007061617732-PAT00003

여기서, m, n, o, 및 r은 위에서 정의된 바와 같다.Where m, n, o, and r are as defined above.

폴리이소시아네이트 화합물은 이소포론 디이소시아네이트, 1,6-헥사메틸렌 디이소시아네이트  1,8-옥타메틸렌 디이소시아네이트, 1,6-헥사메틸렌 디이소시아네이트트리머, 4,4'-디사이클로헥실메탄 디이소시아네이트, 4,4'-디페닐메탄 디이 소시아네이트, 3,3'-디메틸-4,4'-비페닐렌 디이소시아네이트, 3,3'-디메틸디페닐메탄-4,4'-디이소시아네이트, 4-브로모-6-메틸-1,3-페닐렌 디이소시아네이트, 4-클로로-6-메틸-1,3-페닐렌 디이소시아네이트, 폴리(1,4-브탄디올)톨릴렌 2,4-디이소시아네이트, 폴리(1,4-브탄디올)이소포론 디이소시아네이트, 폴리(에틸렌아디페이트)톨릴렌-2,4-디이소시아네이트, 2,4-톨루엔 디이소시아네이트, 2,5-폴루엔 디이소시아네이트, 2,6-톨루엔 디이소시아네이트, 1,5-나프탈렌 디이소시아네이트 등을 포함한다.Polyisocyanate compounds include isophorone diisocyanate, 1,6-hexamethylene diisocyanate 1,8-octamethylene diisocyanate, 1,6-hexamethylene diisocyanate trimer, 4,4'-dicyclohexylmethane diisocyanate, 4, 4'-diphenylmethane diisocyanate, 3,3'-dimethyl-4,4'-biphenylene diisocyanate, 3,3'-dimethyldiphenylmethane-4,4'-diisocyanate, 4-bromo -6-methyl-1,3-phenylene diisocyanate, 4-chloro-6-methyl-1,3-phenylene diisocyanate, poly (1,4-butanediol) tolylene 2,4-diisocyanate, poly (1,4-Butanediol) isophorone diisocyanate, poly (ethylene adipate) tolylene-2,4-diisocyanate, 2,4-toluene diisocyanate, 2,5-polene diisocyanate, 2,6- Toluene diisocyanate, 1,5-naphthalene diisocyanate and the like.

4 관능성 이하의 (메트)아크릴레이트계 모노머는 광경화성 조성물의 점도를 조절하고 또한 조성물에 광경화성을 부여하기 위한 성분이다. 이 (메트)아크릴레이트계 모노머의 관능성이라 함은 이 모노머 1분자에 존재하는 (메트)아크릴레이트와 같은 이중결합의 숫자를 의미한다. 이 모노머의 관응성은 4 이하, 바람직하게는 2 내지 4, 더 바람직하게는 2 내지 3 이다. 관능성이 4를 초과하면, 광경화시 가교밀도가 너무 커져서 고분자 패턴층의 경도 및 취성(brittleness)이 너무 커지는 경향이 있다. 이 (메트)아크릴레이트계 모노머의 함량은 우레탄-폴리디메틸실록산 공중합 프리폴리머 100 중량부를 기준으로 10~80 중량부인 것이 바람직하다. 이의 함량이 10중량부 미만이면, 광경화성 조성물의 점도가 너무 높아서 취급이 용이하지 않으며 또한 광경화시의 가교밀도가 작아서 광경화에 요구되는 시간이 증가되는 경향이 있다. 이의 함량이 80중량부를 초과하면 광경화성 조성물의 점도가 너무 낮아서 취급이 용이하지 않으며 또한 광경화시 가교밀도가 너무 커져서 고분자 패턴층의 경도 및 취성이 너무 커지는 경향이 있다.A tetrafunctional or less (meth) acrylate type monomer is a component for adjusting the viscosity of a photocurable composition, and providing photocurability to a composition. The functionality of this (meth) acrylate monomer means the number of double bonds such as (meth) acrylate present in one molecule of this monomer. The reactivity of this monomer is 4 or less, Preferably it is 2-4, More preferably, it is 2-3. If the functionality exceeds 4, the crosslinking density at the time of photocuring becomes too large, and the hardness and brittleness of the polymer pattern layer tend to be too large. The content of the (meth) acrylate monomer is preferably 10 to 80 parts by weight based on 100 parts by weight of the urethane-polydimethylsiloxane copolymerized prepolymer. If the content thereof is less than 10 parts by weight, the viscosity of the photocurable composition is too high to facilitate handling, and the crosslinking density at the time of photocuring tends to be small, thereby increasing the time required for photocuring. When the content thereof exceeds 80 parts by weight, the viscosity of the photocurable composition is too low to facilitate handling, and the crosslinking density during photocuring becomes too large, so that the hardness and brittleness of the polymer pattern layer tend to be too large.

4 관능성 이하의 (메트)아크릴레이트계 모노머의 구체적인 예는 2-히드록시에틸 (메트)아크릴레이트, 히드록시프로필 (메트)아크릴레이트, 히드록시부틸 (메트)아크릴레이트, 히드록시펜틸 (메트)아크릴레이트, 히드록시헥실 (메트)아크릴레이트 등의 일관능성 단량체; 1,6-헥산디올 디(메트)아크릴레이트, 트리페닐 글리콜 디아크릴레이트, 부탄디올 디아크릴레이트, 1,3-부틸렌글리콜 디메타크릴레이트, 디오펜틸글리콜디아크릴레이트, 에틸렌 글리콜 디아크릴레이트, 디메틸 글리콜디(메트)아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜 디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜 디(메트)아크릴레이트, 디프로필렌글리콜 디아크릴레이트, 디프로필렌글리콜 알릴 에테르 메타크릴레이트, 메톡실레이티드 네오펜틸 글리콜 디아크릴레이트 등의 이관능성 단량체; 트리메틸올프로판 트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리스리톨 트리아크릴레이트, 에폭실레이티드 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트, 프로필레이티드 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트, 글리세릴 프로필레이티드 트리아크릴레이트, 트리스(2-히드록시메틸) 이소시아누레이트 트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨 테트라아크릴레이트 등의 삼관능성 또는 사관능성 단량체를 포함한다.Specific examples of the tetrafunctional (meth) acrylate monomers include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, hydroxypropyl (meth) acrylate, hydroxybutyl (meth) acrylate, and hydroxypentyl (meth Monofunctional monomers such as) acrylate and hydroxyhexyl (meth) acrylate; 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, triphenyl glycol diacrylate, butanediol diacrylate, 1,3-butylene glycol dimethacrylate, diopentyl glycol diacrylate, ethylene glycol diacrylate, Dimethyl glycol di (meth) acrylate, triethylene glycol diacrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate, dipropylene glycol diacrylate, dipropylene glycol allyl ether methacrylate, methoxylated neopentyl glycol diacryl Difunctional monomers such as rate; Trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol triacrylate, epoxylated trimethylolpropane triacrylate, propylated trimethylolpropane triacrylate, glyceryl propylated triacrylate, tris (2- Trifunctional or tetrafunctional monomers such as hydroxymethyl) isocyanurate triacrylate and pentaerythritol tetraacrylate.

광개시제는 통상적인 프리 라디칼 개시제 또는 양이온성 개시제 또는 이들의 혼합물일 수 있다. 반응공정의 편의상 프리 라디칼 개시제를 사용하는 것이 바람직하다. 프리 라디칼 개시제는 광조사에 의하여 라디칼을 생성함으로써 4 관능성 이하의 (메트)아크릴레이트계 모노머의 광중합 및 이 모노머와 다른 성분과의 반응을 개시하는 것이다. 광개시제의 함량은 우레탄-폴리디메틸실록산공중합 프리폴리머 100 중량부를 기준으로 0.1 내지 10 중량부인 것이 바람직하다. 이의 함량이 0.1 중량부 미만이면 광중합완료에 많은 시간이 소요되며, 이의 함량이 10중량부를 초과하면 중합열을 제어하는 것이 곤란하다.Photoinitiators may be conventional free radical initiators or cationic initiators or mixtures thereof. It is preferable to use a free radical initiator for the convenience of the reaction step. The free radical initiator initiates photopolymerization of the tetrafunctional (meth) acrylate monomer and the reaction of this monomer with other components by generating radicals by light irradiation. The content of the photoinitiator is preferably 0.1 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the urethane-polydimethylsiloxane copolymerized prepolymer. When the content thereof is less than 0.1 part by weight, it takes a long time to complete photopolymerization, and when the content thereof exceeds 10 parts by weight, it is difficult to control the heat of polymerization.

본 발명에 사용되는 광개시제의 구체적인 예는 벤질 케탈류, 벤조인 에테르류, 아세토페논 유도체, 케톡심 에테르류, 벤조페논, 벤조 또는 티옥산톤계 화합물로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 프리 라디칼 개시제를 포함한다. 이 이외에도 자외선에 의하여 라디칼을 생성할 수 있는 통상의 중합개시제이면 특별히 제한되지는 않는다. 이 프리 라디칼 광개시제는 자외선을 받아 프리 라디칼을 생성하며, 이 자유 라디칼은 4개 이하의 (메트)아크릴레이트 관능기를 가지는 상기 (메트)아크릴레이트 모노머의 이중결합을 공격하여 상기 모노머의 광중합 및 다른 성분과의 가교반응을 일으킨다. 이와 같은 광중합 및 가교반응에 의하여 광경화성 조성물은 분자량이 급격하게 증가하면서 유동성을 잃음으로써 기재의 미세패턴이 전사된 고분자 패턴층을 형성한다.Specific examples of photoinitiators used in the present invention include any free radical initiator selected from the group consisting of benzyl ketals, benzoin ethers, acetophenone derivatives, ketoxime ethers, benzophenones, benzo or thioxanthone compounds do. In addition, if it is a normal polymerization initiator which can generate | occur | produce a radical by ultraviolet-ray, it will not specifically limit. The free radical photoinitiator receives ultraviolet rays to generate free radicals, which attack the double bonds of the (meth) acrylate monomers having up to 4 (meth) acrylate functional groups to photopolymerize and other components of the monomer. Causes crosslinking reaction with. Due to such photopolymerization and crosslinking reaction, the photocurable composition loses fluidity while rapidly increasing its molecular weight to form a polymer pattern layer to which the micropattern of the substrate is transferred.

본 발명에 따른 광경화성 조성물은 탄소수 1 내지 30의 지방족 티올 화합물, 바람직하게는 탄소수 3 내지 20의 지방족 티올 화합물 및/또는 탄소수 1 내지 30의 지방족 알콜 화합물, 바람직하게는 탄소수 3 내지 20의 지방족 알콜 화합물을 0.1 ~ 10 중량부 더 포함할 수 있다. 이들의 함량은 우레탄-폴리디메틸실록산 공중합 프리폴리머 100 중량부를 기준으로 0.1 ~ 10 중량부, 바람직하게는 0.1 ~ 5중량부이다. 이들은 몰드로서 사용되는 스탬퍼의 표면에 자기집합 단층막(slf-assembled monolayer)을 형성하여 기재의 이형성을 증대시킬 수 있다. 이들의 바람직한 예는 프로필 머캅탄, 부틸 머캅탄, 라우릴 머캅탄, 스테아릴 머캅탄, 프로필 알코올, 부틸 알코올, 세틸 알코올, 라우릴 알코올, 스테아릴 알코올 등을 포함한다.The photocurable composition according to the invention is an aliphatic thiol compound having 1 to 30 carbon atoms, preferably an aliphatic thiol compound having 3 to 20 carbon atoms and / or an aliphatic alcohol compound having 1 to 30 carbon atoms, preferably an aliphatic alcohol having 3 to 20 carbon atoms The compound may further comprise 0.1 to 10 parts by weight. Their content is 0.1 to 10 parts by weight, preferably 0.1 to 5 parts by weight based on 100 parts by weight of the urethane-polydimethylsiloxane copolymerized prepolymer. These can form a self-assembled monolayer on the surface of the stamper used as a mold to increase the releasability of the substrate. Preferred examples thereof include propyl mercaptan, butyl mercaptan, lauryl mercaptan, stearyl mercaptan, propyl alcohol, butyl alcohol, cetyl alcohol, lauryl alcohol, stearyl alcohol and the like.

본 발명에서 사용되는 광경화성 조성물은 또한 필요에 따라 적당량의 공지의 안정제, 산화방지제, 열경화방지제, 계면활성제, 레벨링제 등의 첨가제를 포함할 수 있다.The photocurable composition used in the present invention may also contain an appropriate amount of additives such as known stabilizers, antioxidants, thermosetting agents, surfactants, leveling agents and the like as necessary.

이어서, 본 발명에 따른 광경화성 조성물의 조제방법에 대하여 설명한다.Next, the preparation method of the photocurable composition concerning this invention is demonstrated.

먼저, 상기 한 분자당 2개 이상의 히드록시기를 갖는 폴리올, 반응성 폴리디메틸실록산, 및 지방족 또는 방향족 폴리이소시아네이트 화합물을 혼합하고 교반하여 폴리우레탄 고분자 형성반응을 진행시킨다. 이 반응에서 폴리이소시아네이트 화합물은 폴리올 성분의 히드록시기 및 반응성 폴리디메틸실록산의 반응성기와 반응함으로써 본 발명에서 편의상 "우레탄-폴리디메틸실록산 공중합 프리폴리머"로 지칭하는 폴리우레탄-폴리디메틸실록산 공중합 프리폴리머, 폴리아미도이미드-폴리디메틸실록산 공중합 프리폴리머 또는 폴리우레아-폴리디메틸실록산 공중합 프리폴리머 등의 적어도 어느 하나를 형성한다.First, a polyol having two or more hydroxyl groups per molecule, a reactive polydimethylsiloxane, and an aliphatic or aromatic polyisocyanate compound are mixed and stirred to proceed with the polyurethane polymer formation reaction. In this reaction, the polyisocyanate compound reacts with the hydroxyl group of the polyol component and the reactive group of the reactive polydimethylsiloxane, thereby making the polyurethane-polydimethylsiloxane copolymerized prepolymer, polyamidoimide, referred to herein as "urethane-polydimethylsiloxane copolymerized prepolymer" for convenience. At least one of a polydimethylsiloxane copolymerized prepolymer or a polyurea-polydimethylsiloxane copolymerized prepolymer is formed.

이 반응은 통상적으로 용매를 사용하지 않고 벌크 상태로 진행된다. 반응온도는 실온 내지 70℃, 바람직하게는 30℃ 내지 60℃로 조절된다. 반응온도가 높을 수록 반응속도는 빨라진다. 반응시간은 통상적으로 1시간 내지 12시간, 바람직하게는 1시간 내지 6시간 정도이다. 반응시간이 너무 길거나 반응온도가 너무 높을 때에는 부반응이 일어날 수 있다.This reaction usually proceeds in bulk without the use of a solvent. The reaction temperature is controlled from room temperature to 70 ° C, preferably from 30 ° C to 60 ° C. The higher the reaction temperature, the faster the reaction rate. The reaction time is usually 1 hour to 12 hours, preferably 1 hour to 6 hours. Side reactions may occur when the reaction time is too long or when the reaction temperature is too high.

상기 폴리올성분 : 상기 반응성 폴리디메틸실록산 : 상기 폴리이소시아네이 트 화합물의 혼합비는 30~70중량% : 15~65중량% : 5~20중량%이 되도록 조절된다. 이에 의하여 얻어진 우레탄-폴리디메틸실록산 공중합 프리폴리머는 폴리우레탄, 폴리아미도이미드, 및/또는 폴리우레아 등의 성분의 우수한 도막강도 및 접착성과 폴리디메틸실록산 성분의 우수한 이형성을 겸비할 수 있다.The polyol component: the reactive polydimethylsiloxane: the mixing ratio of the polyisocyanate compound is adjusted to 30 to 70% by weight: 15 to 65% by weight: 5 to 20% by weight. The urethane-polydimethylsiloxane copolymerized prepolymer thus obtained can have excellent coating film strength and adhesiveness of components such as polyurethane, polyamidoimide, and / or polyurea and excellent release properties of the polydimethylsiloxane component.

계속해서, 이와 같이 하여 형성된 우레탄-폴리디메틸실록산 공중합 프리폴리머 100 중량부을 기준으로 상기 4 관능성 이하의 (메트)아크릴레이트계 모노머 10~80 중량부를 실온 내지 60℃, 바람직하게는 실온 내지 40℃에서 혼합하고 교반하여 균질화한다. 균질화를 위한 교반시간은 특별히 제한되지 않지만, 0.5시간 내지 2시간이면 충분하다.Subsequently, based on 100 parts by weight of the urethane-polydimethylsiloxane copolymerized prepolymer thus formed, 10 to 80 parts by weight of the (meth) acrylate monomer having 4 or less functional groups at room temperature to 60 ° C, preferably at room temperature to 40 ° C. Mix and stir to homogenize. The stirring time for homogenization is not particularly limited, but 0.5 hours to 2 hours is sufficient.

한편, 본 발명의 광경화성 조성물이 자기집합 단층막 형성을 위한 지방족 티올 화합물 및/또는 지방족 알코올 화합물을 포함하는 경우, (메트)아크릴레이트계 모노머의 혼합중 또는 혼합이 완료된 후 실온 내지 40℃, 바람직하게는 실온 내지 25℃에서 첨가하고 균질화한다. 이 티올 화합물 및/또는 지방족 알코올 화합물의 혼합량은 우레탄-폴리디메틸실록산 공중합 프리폴리머 100 중량부을 기준으로 0.1 ~ 10 중량부이다. 균질화를 위한 교반시간은 특별히 제한되지 않지만 0.5시간 내지 2시간이다.On the other hand, when the photocurable composition of the present invention contains an aliphatic thiol compound and / or an aliphatic alcohol compound for forming a self-assembled monolayer film, the room temperature to 40 ℃, after mixing or completion of the (meth) acrylate monomer, Preferably it is added at room temperature to 25 ° C. and homogenized. The amount of the thiol compound and / or the aliphatic alcohol compound is 0.1 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the urethane-polydimethylsiloxane copolymer prepolymer. The stirring time for homogenization is not particularly limited but is 0.5 hours to 2 hours.

마지막으로, 상기 결과물에 광개시제 0.1 ~ 10 중량부를 실온 내지 40℃, 바람직하게는 실온 내지 25℃에서 투입하고 균질한다. 균질화를 위한 교반시간은 특별히 제한되지 않지만 0.5시간 내지 2시간이다. 이와 같이 본 발명의 조성물의 모든 성분의 혼합이 완료되면, 이 조성물을 펌핑 등과 같은 통상의 방법에 의하여 조 성물내에 포함된 기포를 제거한다.Finally, 0.1-10 parts by weight of the photoinitiator is added to the resultant at room temperature to 40 ° C, preferably at room temperature to 25 ° C, and homogeneous. The stirring time for homogenization is not particularly limited but is 0.5 hours to 2 hours. As such, when the mixing of all the components of the composition of the present invention is completed, the air bubbles contained in the composition are removed by a conventional method such as pumping the composition.

이어서, 본 발명의 광경화성 조성물을 이용하는 패턴 전사방법을 설명한다.Next, the pattern transfer method using the photocurable composition of this invention is demonstrated.

도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 패턴 전사 방법 및 이에 의하여 형성된 광디스크의 구조를 설명하기 위한 모식적인 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view for explaining a pattern transfer method and a structure of an optical disc formed thereby according to an embodiment of the present invention.

먼저, 당업자가 통상적으로 "L0 기록층"으로 지칭하는 소정의 피트 패턴을 구비하는 기재(1) 위에 반사율을 증가시키기 위하여 금속층(4)을 스퍼터링과 같은 통상의 방법을 이용하여 형성한다. 기재(1)는 용도에 따라서 비정질 폴리올레핀 필름, 폴리에스테르 필름, 폴리카보네이트 필름, 폴리메틸메타크릴레이트 필름과 같은 아크릴 수지 필름, 에폭시 수지 필름 또는 유리기재 등으로부터 적절하게 선택될 수 있다. 바람직하게는, 기재(1)는 투명하기 때문에 조사되는 빛이 광경화성 조성물에 도달하는 것을 방해하지 않는다. 금속층(4)은 금, 은, 니켈, 구리 또는 은계 합금(Ag-based alloy)일 수 있다. 금속층(4)의 층두께는 통상적으로 200nm이하, 바람직하게는 100 nm 이하이다. 반사율 증대 및 접착력 등의 측면에서 은계 합금이 바람직할 수 있다. 은계 합금은 은-팔라듐-구리(APC) 합금인 것이 바람직하다. 특히, 은 함량이 90~99중량%, 팔라듐 함량이 0.5~5중량% 및 구리함량이 0.5~5중량%인 은-팔라듐-구리(APC) 합금이 바람직하게 사용될 수 있다.First, the metal layer 4 is formed using a conventional method such as sputtering to increase the reflectance on the substrate 1 having a predetermined pit pattern, commonly referred to as "L0 recording layer" by those skilled in the art. The substrate 1 may be appropriately selected from an acrylic resin film such as an amorphous polyolefin film, a polyester film, a polycarbonate film, a polymethyl methacrylate film, an epoxy resin film, a glass substrate, or the like depending on the use. Preferably, the substrate 1 is transparent and does not prevent the irradiated light from reaching the photocurable composition. The metal layer 4 may be gold, silver, nickel, copper or an silver-based alloy. The layer thickness of the metal layer 4 is usually 200 nm or less, preferably 100 nm or less. Silver-based alloys may be preferable in terms of increased reflectance and adhesion. The silver-based alloy is preferably a silver-palladium-copper (APC) alloy. In particular, a silver-palladium-copper (APC) alloy having a silver content of 90 to 99% by weight, a palladium content of 0.5 to 5% by weight and a copper content of 0.5 to 5% by weight may be preferably used.

이어서 금속층(4) 위에 본 발명에 따른 광경화성 조성물 코팅층(미도시)을 형성한다. 코팅방법은 특별히 제한되지 않지만, 통상적으로 스핀 코팅방법으로 이루어진다.Subsequently, a photocurable composition coating layer (not shown) according to the present invention is formed on the metal layer 4. The coating method is not particularly limited, but usually consists of a spin coating method.

소정 패턴을 갖는 스탬퍼(3)를 준비한다. 스탬퍼(3)는 임프린트법을 이용하 여 대량으로 패턴을 전사하기 위하여 사용된다. 포토리소그래프 등의 방법을 이용하여 소정 패턴을 구비한 스탬퍼의 제조방법은 당업계에 잘 알려져 있다. 스탬퍼(3)의 소정 패턴을 기재를 향하도록 하여 기재(1)와 스탬퍼(3)를 대향시킨후, 스탬퍼(3)를 몰드로서 이용하여 기재(1) 위의 광경화성 조성물 코팅층을 임프린트한다.A stamper 3 having a predetermined pattern is prepared. The stamper 3 is used to transfer the pattern in large quantities using the imprint method. Methods for producing a stamper having a predetermined pattern using a method such as photolithography are well known in the art. The substrate 1 and the stamper 3 are made to face each other with the predetermined pattern of the stamper 3 facing the substrate, and then the photocurable composition coating layer on the substrate 1 is imprinted using the stamper 3 as a mold.

이어서, 광경화성 조성물 코팅층에 스탬퍼(3)가 매몰되어 있는 상태에서 상기 조성물을 광경화시킬 수 있는 빛을 조사하여 상기 조성물을 경화시킨다. 기재(1) 및 스탬퍼(3) 모두가 투과성인 경우 이들 중의 적어도 어느 하나의 방향(A방향 또는 B 방향)으로부터 빛을 조사하여 광경화성 조성물을 경화시킬 수 있다. 조사광은 스탬퍼 및/또는 기재를 통과하여 광경화성 조성물에 도달하여 이 조성물의 광중합을 개시한다. 광경화성 조성물의 광경화에 사용되는 빛은 광중합성 모노머 또는 프리폴리머나 사용되는 광중합 개시제의 종류에 의존하지만, 자외선, 가시광선, 적외선, 및 전자선(electron beam) 등을 포함한다. 이 광중합에 의한 경화에 의하여 스탬퍼의 소정의 패턴이 광경화성 조성물 코팅층에 전사되어 고분자 패턴층(5)이 형성된다.Subsequently, in the state where the stamper 3 is buried in the photocurable composition coating layer, light capable of photocuring the composition is irradiated to cure the composition. When both the base material 1 and the stamper 3 are permeable, light can be irradiated from at least one of the directions (A direction or B direction) to cure the photocurable composition. Irradiation light passes through the stamper and / or substrate to reach the photocurable composition to initiate photopolymerization of the composition. The light used for photocuring the photocurable composition depends on the type of photopolymerizable monomer or prepolymer or photopolymerization initiator used, but includes ultraviolet rays, visible rays, infrared rays, electron beams, and the like. By the curing by photopolymerization, the predetermined pattern of the stamper is transferred to the photocurable composition coating layer to form the polymer pattern layer 5.

마지막으로, 스탬퍼(3)를 기재상의 광경화성 조성물 패턴층(5)으로부터 분리하면, 기재(1) 위에 스탬퍼의 패턴이 전사된 고분자 패턴층(5)의 형성이 완료된다. 이때, 스탬퍼의 돌출부는 고분자 패턴층에 함몰부(피트(pit))로 전사된다. 즉, 스탬퍼의 양각 이미지(positive image)는 기재 위에 음각 이미지(negative image)로 전사된다.Finally, when the stamper 3 is separated from the photocurable composition pattern layer 5 on the substrate, the formation of the polymer pattern layer 5 on which the stamper pattern is transferred on the substrate 1 is completed. At this time, the protrusion of the stamper is transferred to the recessed part (pit) in the polymer pattern layer. That is, the positive image of the stamper is transferred to the negative image on the substrate.

다층 광디스크와 같이 복수의 기록층을 갖는 고밀도 광기록매체를 제조하는 경우, 고분자 패턴층(5) 위에 반사율을 증가시키기 위하여 유전체층(미도시)을 형성한 후, 상기한 임프린트 방법에 의하여 고분자 패턴층을 형성하는 과정을 반복한다. 유전체층의 층두께는 재료의 종류에 따라 다르지만, 통상적으로 500nm이하, 바람직하게는 300 nm 이하, 더욱 바람직하게는 200nm이하, 더더욱 바람직하게는 150nm이하이다. When manufacturing a high density optical recording medium having a plurality of recording layers, such as a multilayer optical disk, a dielectric layer (not shown) is formed on the polymer pattern layer 5 to increase the reflectance, and then the polymer pattern layer is formed by the imprinting method described above. Repeat the process to form. The layer thickness of the dielectric layer varies depending on the type of material, but is usually 500 nm or less, preferably 300 nm or less, more preferably 200 nm or less, even more preferably 150 nm or less.

본 발명의 패턴 전사방법이 광기록매체 또는 자기기록매체의 기록층 형성에 사용되는 경우, 상기 스탬퍼 패턴은 20 nm ~ 100 nm의 높이, 바람직하게는 50nm ~ 100nm의 높이, 더 바람직하게는 50nm ~ 80nm의 높이를 갖는 복수의 돌출부에 의하여 이루어진 패턴일 수 있다. 이러한 스탬퍼를 사용하여 광경화성 조성물 코팅층을 임프린트함으로써 20 nm ~ 100 nm, 바람직하게는 50nm ~ 100nm, 더 바람직하게는 50nm ~ 80nm의 피트 깊이(pit depth)를 갖는 복수 개의 피트로 이루어진 소정 패턴의 정보 기록마크가 기재 위의 고분자 패턴층(5)에 형성된다.When the pattern transfer method of the present invention is used to form a recording layer of an optical recording medium or a magnetic recording medium, the stamper pattern has a height of 20 nm to 100 nm, preferably a height of 50 nm to 100 nm, more preferably 50 nm to The pattern may be formed by a plurality of protrusions having a height of 80 nm. By imprinting the photocurable composition coating layer using such a stamper, information of a predetermined pattern consisting of a plurality of pits having a pit depth of 20 nm to 100 nm, preferably 50 nm to 100 nm, more preferably 50 nm to 80 nm A recording mark is formed on the polymer pattern layer 5 on the substrate.

도 1의 하부에 도시된 본 발명에 의하여 얻어진 광기록매체는, 기재(1); 및 상기 기재 위에 형성된 기록층을 포함하는 광기록매체로서, 상기 기록층은 20 nm ~ 100 nm, 바람직하게는 50nm ~ 100nm의 피트 깊이를 갖는 복수 개의 피트로 이루어진 소정 패턴의 정보 기록마크를 구비하는 고분자 패턴층(5)이며, 고분자 패턴층(5)은 본 발명에 따른 광경화성 조성물이 경화되어 형성된 것이다.An optical recording medium obtained by the present invention shown in the lower part of FIG. 1 includes: a base material 1; And a recording layer formed on the substrate, the recording layer having a predetermined pattern of information recording marks consisting of a plurality of pits having a pit depth of 20 nm to 100 nm, preferably 50 nm to 100 nm. It is a polymer pattern layer 5, and the polymer pattern layer 5 is formed by curing the photocurable composition according to the present invention.

기재(1)의 표면에는 도 1에서 기재(1) 표면의 요철 패턴으로 도시된 L0 기록층 패턴이 미리 형성되어 있을 수 있다. 다층 광디스크와 같이 복수의 기록층을 갖 는 고밀도 광기록매체를 제조하는 경우, 고분자 패턴층(5, L1 기록층) 위에 스퍼터링과 같은 당업계에 공지된 방법에 의하여 유전체층(미도시)을 형성한 후, 다시 상기한 임프린트 방법에 따라 고분자 패턴층(미도시)을 형성하는 과정을 반복한다. 유전체층은 열적 및 기계적 보호층 역할을 하는 것으로, 산화물, 질화물, 탄화물, 불화물 중 적어도 하나의 물질로 이루어진다. 이의 구체적인 예는 산화규소(SiOx), 산화마그네슘(MgOx), 산화알루미늄(AlOx), 산화티타늄(TiOx), 산화바나듐(VOx), 산화크롬(CrOx), 산화니켈(NiOx), 산화질코늄(ZrOx), 산화게르마늄(GeOx), 산화아연(ZnOx), 질화규소(SiNX), 질화알루미늄(AlNx), 질화티타늄(TiNx), 질화질코늄(ZrNx), 질화게르마늄(GeNx), 탄화규소(SiC), 황화아연(ZnS), 황화아연-이산화규소 화합물(ZnS-SiO2), 및 불화마그네슘(MgF2)를 포함한다. 유전체층이 황화아연-이산화규소 화합물(ZnS-SiO2)로 이루어지는 경우, ZnS 대 SiO2 의 몰 비율은 8:2에서 가장 좋은 특성을 얻을 수 있다.On the surface of the substrate 1, the L0 recording layer pattern shown by the uneven pattern of the surface of the substrate 1 in FIG. When manufacturing a high density optical recording medium having a plurality of recording layers, such as a multilayer optical disk, a dielectric layer (not shown) is formed on the polymer pattern layer (5, L1 recording layer) by a method known in the art such as sputtering. After that, the process of forming the polymer pattern layer (not shown) is repeated according to the imprint method. The dielectric layer serves as a thermal and mechanical protective layer and is made of at least one of oxides, nitrides, carbides, and fluorides. Specific examples thereof include silicon oxide (SiOx), magnesium oxide (MgOx), aluminum oxide (AlOx), titanium oxide (TiOx), vanadium oxide (VOx), chromium oxide (CrOx), nickel oxide (NiOx), and cornium oxide ( ZrOx, Germanium Oxide (GeOx), Zinc Oxide (ZnOx), Silicon Nitride (SiNX), Aluminum Nitride (AlNx), Titanium Nitride (TiNx), Cornium Nitride (ZrNx), Germanium Nitride (GeNx), Silicon Carbide (SiC) Zinc sulfide (ZnS), zinc sulfide-silicon dioxide compounds (ZnS-SiO 2), and magnesium fluoride (MgF 2 ). When the dielectric layer is made of zinc sulfide-silicon dioxide compound (ZnS-SiO 2 ), the molar ratio of ZnS to SiO 2 can obtain the best properties at 8: 2.

이하의 실시예에서 상세하게 설명되지만, 이형성 및 패턴 전사성이 우수한 본 발명의 광경화성 수지 조성물을 이용하면, 동일한 스탬퍼를 이용하여 나노 사이즈의 패턴을 전사하는 경우라도 기재 위에 상기한 패턴 전사과정을 적어도 50회 이상 반복할 수 있다. 동일한 패턴을 갖는 스탬퍼를 이용하여 1회 임프린트하여 얻어진 고분자 패턴층과 50회째 임프린트하여 얻어진 고분자 패턴층의 기록재생특성이 거의 동일한 결과를 얻을 수 있다. 따라서 본 발명의 광경화성 수지 조성물을 이용한 패턴전사방법에 의하면, 기재 위에 복수 개의 정보기록층을 갖는 고밀도 광디스 크 또는 자기기록매체를 효율적으로 대량생산할 수 있다. 각 고분자 패턴은 동일한 패턴이거나 또는 다른 패턴일 수 있다.Although described in detail in the following Examples, using the photocurable resin composition of the present invention excellent in the releasability and pattern transfer properties, even if the transfer of the nano-size pattern using the same stamper, the pattern transfer process described above on the substrate It may be repeated at least 50 times. The recording and reproducing characteristics of the polymer pattern layer obtained by imprinting once using a stamper having the same pattern and the polymer pattern layer obtained by imprinting 50 times can be almost the same. Therefore, according to the pattern transfer method using the photocurable resin composition of the present invention, it is possible to efficiently mass-produce a high density optical disk or a magnetic recording medium having a plurality of information recording layers on a substrate. Each polymer pattern may be the same pattern or different patterns.

이하, 실시예를 통하여 본 발명을 더 상세하게 설명한다. 이는 본 발명을 예시하기 위한 것으로서 이에 의하여 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples. This is for the purpose of illustrating the invention is not intended to limit the scope of the invention thereby.

조제예Preparation 1~6 1-6

하기 표 1과 같은 조성과 함량으로 광경화성 조성물 A~F를 조제하였다. 먼저, 교반기를 장착되고, 워터 재킷으로 온도가 조절되는 반응조에 30℃ ~ 35℃에서 폴리프로필렌 글리콜(LAPROL 3000), 양말단이 히드록시기로 블로킹된 폴리디메틸실록산(X-22-160C), 1,6-헥사메틸렌 디이소시아네이트(HMDI) 및 1,6-헥사메틸렌 이소시아네이트 트리머(CORONATE HX)를 혼합하고 4시간 동안 잘 교반하여 우레탄-폴리디메틸실록산 공중합 프리폴리머를 얻었다. 상기 공중합 프리폴리머의 온도를 약 40℃ ~ 42℃로 유지하면서 1,6-헥산디올 디아크릴레이트(HDDA), 히드록시프로필 메타크릴레이트, 트리메톡시프로필 테트라아크릴레이트, 히드록시에틸 아크릴레이트, 2-히드록시에틸 메타크릴레이트(HEMA)를 첨가하고 약 2시간 동안 교반하여 잘 혼합하였다. 이 혼합물에 이차(secondary) 히드록시기를 갖는 폴리디메틸실록산(DC-1248)을 실온에서 투입하고 약 1시간 동안 교반하였다. 마지막으로, 이 결과물에 실온에서 광개시제(IRGACURE 907)를 투입하고 1시간 동안 더 교반한 후, 진공 펌프를 이용하여 탈포하여 광경화성 조성물 A~F를 조제하였다.The photocurable compositions A to F were prepared in the following compositions and contents. First, a polypropylene glycol (LAPROL 3000) and a polydimethylsiloxane (X-22-160C) in which the sock end was blocked with a hydroxy group at 30 ° C. to 35 ° C. in a reactor equipped with a stirrer and temperature controlled by a water jacket. 6-hexamethylene diisocyanate (HMDI) and 1,6-hexamethylene isocyanate trimer (CORONATE HX) were mixed and stirred well for 4 hours to obtain a urethane-polydimethylsiloxane copolymerized prepolymer. 1,6-hexanediol diacrylate (HDDA), hydroxypropyl methacrylate, trimethoxypropyl tetraacrylate, hydroxyethyl acrylate, 2 while maintaining the temperature of the copolymerized prepolymer at about 40 ℃ to 42 ℃ Hydroxyethyl methacrylate (HEMA) was added and stirred for about 2 hours to mix well. The mixture was charged with polydimethylsiloxane (DC-1248) having a secondary hydroxyl group at room temperature and stirred for about 1 hour. Finally, a photoinitiator (IRGACURE 907) was added to the resultant at room temperature, and further stirred for 1 hour, followed by degassing using a vacuum pump to prepare photocurable compositions A to F.

[표 1]TABLE 1

광경화성 조성물 A (중량부)Photocurable Composition A (parts by weight) 광경화성 조성물 B (중량부)Photocurable Composition B (parts by weight) 광경화성 조성물 C (중량부)Photocurable Composition C (parts by weight) 광경화성 조성물 D (중량부)Photocurable Composition D (parts by weight) 광경화성 조성물 E (중량부)Photocurable Composition E (parts by weight) 광경화성 조성물 F (중량부)Photocurable Composition F (parts by weight) 폴리프로필렌 글리콜 (LAPROL 3000)#1 Polypropylene Glycol (LAPROL 3000) # 1 3030 3333 27.227.2 20.420.4 2828 3535 이차 히드록시기를 갖는 디메틸실록산 (DC-1248)#2 Dimethylsiloxane with Secondary Hydroxy Group (DC-1248) # 2 22 66 40.840.8 25.725.7 88 22 말단이 히드록시기로 블로킹된 폴리디메틸실록산 (X-22-160C)#3 Polydimethylsiloxane (X-22-160C) # 3 Terminal Blocked with Hydroxy Group 1010 66 4.54.5 55 -- 1.51.5 1,6-헥사메틸렌 디이소시아네이트 (HMDI)1,6-hexamethylene diisocyanate (HMDI) 8.58.5 6.86.8 4.54.5 8.58.5 7.57.5 9.59.5 1,6-헥사메틸렌 디이소시아네이트 트리머 (CORONATE HX)#4 1,6-hexamethylene diisocyanate trimer (CORONATE HX) # 4 0.20.2 1One 0.20.2 0.20.2 22 1.81.8 1,6-헥산디올 디아크릴레이트 (HDDA)1,6-hexanediol diacrylate (HDDA) 20.520.5 1010 1313 10.510.5 1818 2020 히드록시프로필 메타크릴레이트Hydroxypropyl methacrylate 33 5.65.6 33 -- 5.55.5 4.84.8 트리메톡시프로필 테트라아크릴레이트Trimethoxypropyl tetraacrylate 2.62.6 1313 -- 99 88 7.57.5 히드록시에틸 아크릴레이트Hydroxyethyl acrylate 22 5.75.7 33 4.54.5 2.52.5 1.81.8 2-히드록시에틸 메타크릴레이트 (HEMA)2-hydroxyethyl methacrylate (HEMA) 6.76.7 6.76.7 -- 1111 22 8.18.1 광개시제 (IRGACURE 907)#5 Photoinitiator (IRGACURE 907) # 5 2.72.7 44 2.72.7 2.72.7 1.51.5 88

#1: 히타치 카세이에서 구입.# 1: Buy at Hitachi Kasei.

#2: 다우코닝사에서 구입.# 2: Buy from Dow Corning Corporation.

#3: 신에츠사에서 구입.# 3: Buy from Shin-Etsu Corporation.

#4: 데구사 AG에서 구입.# 4: Buy from Degusa AG.

#5: Ciba Specialty Chemicals에서 구입.# 5: Purchased from Ciba Specialty Chemicals.

실시예Example 1  One

본 실시예는 몰드로서 통상의 방법에 따라 미리 제작된 플라스틱 스탬퍼 및 광경화성 수지 조성물 A를 이용하여 기재 위에 다층 패턴전사를 함으로써 광디스크를 제조하는 원리를 설명하기 위한 것이다. 도 2a는 본 실시예에서 이용되는 플라스틱 스탬퍼의 원자현미경(AFM: atomic force microscope) 사진을 나타낸다. 이 사진에서 밝은 부분은 기재 위에 피트 패턴을 형성하기 위한 복수 개의 돌출부를 나타낸다. 도 2b는 도 2a의 사진상에 표시한 라인 A를 따라 스캐닝하여 측정한 돌출부 및 비돌출부 패턴의 피트 깊이(pit depth)의 프로파일을 나타낸다. 상기 스탬퍼에서 라인 A를 따라 스캐닝한 피트 평균 깊이는 73.2nm 이었다. 이 AFM 사진 및 피트 깊이 프로파일은 Park Scientific Instrument의 Autoprobe M5를 이용하여 얻은 것이다.This embodiment is for explaining the principle of manufacturing an optical disk by carrying out multi-layer pattern transfer on a substrate using a plastic stamper and a photocurable resin composition A prepared in advance according to a conventional method as a mold. Figure 2a shows an atomic force microscope (AFM) picture of the plastic stamper used in this embodiment. Bright portions in this photograph represent a plurality of protrusions for forming a pit pattern on the substrate. FIG. 2B shows the profile of the pit depth of the protrusion and non-projection patterns measured by scanning along the line A indicated on the picture of FIG. 2A. The pit average depth scanned along line A in the stamper was 73.2 nm. This AFM photo and pit depth profile were obtained using Park Scientific Instrument's Autoprobe M5.

두께 1.1mm, 직경 12cm의 원형 폴리카보네이트 투명 기재의 표면에 형성된 소정 패턴의 L0 기록층 위에 진공증착방법에 의하여 평균두께 30nm의 은-팔라듐-구리(APC) 합금층을 형성하였다. 이 APC 합금에서 은 함량은 98중량%, 팔라듐 함량은 1 중량% 및 구리함량은 1 중량%이었다. 이어서 이 합금층 위에 광경화성 조성물 A 1.2g을 가하고 스핀코팅하였다. 이때, 스핀코터의 회전속도를 약 4,000 rpm으로 조절하여 광경화성 조성물 A의 막두께를 약 20 ~ 30㎛으로 조절하였다.A silver-palladium-copper (APC) alloy layer having an average thickness of 30 nm was formed on the L0 recording layer of a predetermined pattern formed on the surface of a circular polycarbonate transparent substrate having a thickness of 1.1 mm and a diameter of 12 cm. In this APC alloy, the silver content was 98% by weight, the palladium content was 1% by weight and the copper content was 1% by weight. Subsequently, 1.2 g of photocurable composition A was added and spin-coated on this alloy layer. At this time, by adjusting the rotational speed of the spin coater to about 4,000 rpm to adjust the film thickness of the photocurable composition A to about 20 ~ 30㎛.

이어서, 상기 스탬퍼를 이용하여 기재 위의 광경화성 조성물 A층을 임프린트하였다. 계속해서 상기 투명 기재 측으로부터 파장 200 ~ 450nm의 자외선을 2,000 mJ/cm2의 에너지로 10초간 조사하여 광경화성 조성물 A를 경화시키고 기재로부터 스탬퍼를 분리하였다. 이로써 상기 기재 위에 고분자 패턴층을 형성하였다.Subsequently, the photocurable composition A layer on the substrate was imprinted using the stamper. Subsequently, ultraviolet rays having a wavelength of 200 to 450 nm were irradiated from the transparent substrate side for 10 seconds with an energy of 2,000 mJ / cm 2 to cure the photocurable composition A and to separate the stamper from the substrate. As a result, a polymer pattern layer was formed on the substrate.

도 3는 상기한 바와 같이 1회 임프린트하여 기재 위에 형성된 고분자 패턴층을 나타낸다. 도 3a는 기재 위에 형성된 고분자 패턴층의 원자현미경(AFM) 사진을 나타낸다. 이 사진에서 어두운 부분은 상기 스탬프의 돌출부에 의하여 임프린트되어 형성된 피트를 나타낸다. 도 3b는 도 3a의 사진상의 특정한 라인을 따라 스캐닝하여 측정한 피트 깊이(pit depth)의 프로파일을 나타낸다. 이 스탬퍼의 피트 평균 깊이는 73 nm 이었다. 또한 도 3a에 나타낸 전사 패턴에 대하여 Yokogawa Electric Corporation의 Time Interval Analyzer TA 720을 이용하여 지터(jitter)를 측정하였다. 측정 결과 지터는 8.1% 이었다.3 illustrates a polymer pattern layer formed on a substrate by imprinting once as described above. 3A shows an atomic force microscope (AFM) photograph of a polymer pattern layer formed on a substrate. The dark part in this photograph represents a pit imprinted by the protrusion of the stamp. FIG. 3B shows a profile of pit depth measured by scanning along a specific line on the picture of FIG. 3A. The pit average depth of this stamper was 73 nm. In addition, jitter was measured using the Time Interval Analyzer TA 720 of Yokogawa Electric Corporation for the transfer pattern shown in FIG. 3A. The jitter was 8.1%.

상기 스탬퍼를 교체하지 않고 계속 이용하여 광경화성 조성물 A에 대하여 상기한 바와 같은 나노패턴 전사시험을 50회 반복하였다. 도 4는 50회 임프린트하였을 때 기재 위에 형성된 고분자 패턴층을 나타낸다. 도 4a는 기재 위에 형성된 고분자 패턴층의 원자현미경(AFM) 사진을 나타낸다. 이 사진에서 어두운 부분은 상기 스탬프의 돌출부에 의하여 임프린트되어 형성된 피트를 나타낸다. 도 4b는 도 4a의 사진상의 특정한 라인을 따라 스캐닝하여 측정한 피트 깊이(pit depth)의 프로파일을 나타낸다. 이 스탬퍼의 피트 평균 깊이는 72.5 nm 이었다. 또한 도 4a에 나타낸 전사 패턴에 대하여 Yokogawa Electric Corporation의 Time Interval Analyzer TA720을 이용하여 지터(jitter)를 측정하였다. 측정결과 지터는 8.1% 이었다.The nanopattern transfer test as described above for the photocurable composition A was repeated 50 times using the stamper continuously without replacing the stamper. 4 illustrates a polymer pattern layer formed on a substrate when imprinted 50 times. 4A shows an AFM photograph of a polymer pattern layer formed on a substrate. The dark part in this photograph represents a pit imprinted by the protrusion of the stamp. 4B shows a profile of pit depth measured by scanning along a specific line on the picture of FIG. 4A. The pit average depth of this stamper was 72.5 nm. In addition, jitter was measured using the Time Interval Analyzer TA720 of Yokogawa Electric Corporation for the transfer pattern shown in FIG. 4A. The jitter was 8.1%.

상기한 1회째 및 50회째 나노패턴 전사 시험을 비교하면, 고분자 패턴층의 피트 깊이 및 지터값이 거의 일정한 것을 알 수 있었다. 또한, 1회째 및 50회째 전 사된 나노패턴의 피트 깊이가 스템퍼의 피트 깊이와 거의 동일한 것을 알 수 있다.Comparing the first and 50th nanopattern transfer tests described above, it was found that the pit depth and jitter value of the polymer pattern layer were almost constant. In addition, it can be seen that the pit depth of the nanopatterns transferred at the first and the 50th times is almost the same as the pit depth of the stamper.

50회 임프린트를 한 후에도 상기 스탬퍼에는 오염이 관찰되지 않았다. 또한 50회 임프린트 동안에 이형성 및 전사성이 불충분할 때 발생하는 고분자 패턴층의 붕괴는 관찰되지 않았다.No contamination was observed in the stamper after 50 imprints. In addition, no collapse of the polymer pattern layer that occurred when the releasability and transferability were insufficient during 50 imprints.

다음으로, 이와 같은 다층 기록에 의한 광디스크 제조에 있어서 광경화성 조성물 A를 임프린트 수지로서 이용하여 5층 기록을 할 때, 광경화시 발생하는 수지의 수축에 의하여 발생하는 틸트 특성(tilt characteristic)을 평가하였다. L0 기록층 위에는 상기한 APC 합금층을 형성하였으며, L1 내지 L5 기록층(고분자 패턴층)의 각 층 사이에는 평균두께 130nm의 황화아연-이산화규소 화합물(ZnS-SiO2) 유전체층을 형성하였다. 틸트 특성 평가는 본 발명자들이 제작한 장비를 이용하여 방사상 방향의 틸트(radial tilt) 및 접선방향 틸트(tangential tilt)를 측정함으로써 수행되었다. 표 2는 틸트 측정 결과를 나타낸다.Next, in five-layer recording using the photocurable composition A as the imprint resin in the manufacture of the optical disc by the multilayer recording, the tilt characteristic caused by the shrinkage of the resin generated during photocuring was evaluated. It was. The above-described APC alloy layer was formed on the L0 recording layer, and a zinc sulfide-silicon dioxide compound (ZnS-SiO2) dielectric layer having an average thickness of 130 nm was formed between each layer of the L1 to L5 recording layer (polymer pattern layer). Tilt characterization was performed by measuring radial tilt and tangential tilt using equipment manufactured by the present inventors. Table 2 shows the tilt measurement results.

[표 2]TABLE 2

측정 위치Measuring position L0 층 L0 layer L5 층 L5 layer Δ Δ 반지름 (mm)Radius (mm) 반지름방향 틸트(deg) (radial tilt)Radial tilt 접선방향 틸트(deg) (tangential tilt)Tangential tilt 반지름방향 틸트 (deg)Radial tilt (deg) 접선방향 틸트 (deg)Tangential Tilt (deg) 반지름방향 틸트 (deg)Radial tilt (deg) 접선방향 틸트 (deg)Tangential Tilt (deg) 2525 0.2330.233 0.0670.067 0.1670.167 0.0670.067 0.0670.067 00 3030 0.2670.267 0.0670.067 0.2330.233 0.0670.067 0.0330.033 00 3535 0.2670.267 0.0670.067 0.3000.300 0.0670.067 0.0330.033 00 4040 0.3000.300 0.0670.067 0.3330.333 0.0670.067 0.0330.033 00 4545 0.3000.300 0.0670.067 0.3670.367 0.0670.067 0.0670.067 00 5050 0.3330.333 0.0670.067 0.3670.367 0.0670.067 0.0330.033 00 5555 0.3670.367 0.0670.067 0.3670.367 0.0670.067 00 00

표 2에서 알 수 있듯이, L0 층 및 L5층에서의 틸트값을 비교하면, 양층에서의 틸트값의 차이는 0.1 deg(°) 이하로서 매우 우수한 것이 확인되었다.As can be seen from Table 2, when the tilt values in the L0 layer and the L5 layer were compared, it was confirmed that the difference in the tilt values in both layers was very excellent as 0.1 deg (°) or less.

실시예Example 2  2

본 실시예는 몰드로서 통상의 방법에 따라 미리 제작된 플라스틱 스탬퍼 및 광경화성 조성물 B를 이용하여 실시예 1과 동일한 방법에 따라 기재 위에 다층 패턴전사를 함으로써 광디스크를 제조하는 원리를 설명하기 위한 것이다.This embodiment is intended to explain the principle of manufacturing an optical disc by multi-layer pattern transfer on a substrate in the same manner as in Example 1 using a plastic stamper and a photocurable composition B prepared in advance according to a conventional method as a mold.

도 5a는 본 실시예에서 사용된 플라스틱 스탬퍼의 원자현미경(AFM: atomic force microscope) 사진을 나타낸다. 이 사진에서 밝은 부분은 기재 위에 피트 패턴을 형성하기 위한 돌출부를 나타낸다. 도 5b는 6a의 사진상에 표시한 라인 A를 따라 스캐닝하여 측정한 돌출부 및 비돌출부 패턴의 피트 깊이(pit depth)의 프로파일을 나타낸다. 상기 스탬퍼에서 상기 라인 A를 따라 스캐닝한 피트 평균 깊이는 73nm 이었다. 이 AFM 사진 및 피트 깊이 프로파일은 Park Scientific Instrument의 Autoprobe M5를 이용하여 얻은 것이다.FIG. 5A shows an atomic force microscope (AFM) photograph of the plastic stamper used in this example. The bright portions in this photograph represent protrusions for forming a pit pattern on the substrate. FIG. 5B shows the profile of the pit depth of the protrusion and non-projection patterns measured by scanning along the line A indicated on the picture of 6a. The pit average depth scanned along the line A in the stamper was 73 nm. This AFM photo and pit depth profile were obtained using Park Scientific Instrument's Autoprobe M5.

도 6은 상기 스탬퍼를 교체하지 않고 계속 이용하여 광경화성 조성물 B에 대하여 임프린트 시험을 50회 반복하였을 때, 기재 위에 형성된 고분자 패턴층을 나타낸다. 도 6a는 기재 위에 형성된 고분자 패턴층의 원자현미경(AFM) 사진을 나타낸다. 이 사진에서 어두운 부분은 상기 스탬프의 돌출부에 의하여 임프린트되어 형성된 피트를 나타낸다. 도 6b는 도 6a의 사진상의 라인 A를 따라 스캐닝하여 측정한 피트 깊이(pit depth)의 프로파일을 나타낸다. 라인 A를 따라 측정된 전사된 피트 평균 깊이는 72.5 nm 이었다. 50회 임프린트를 한 후에도 상기 스탬퍼에는 오염이 관찰되지 않았다. 또한 50회 임프린트 동안에 고분자 패턴층의 붕괴는 관찰되지 않았다.FIG. 6 shows the polymer pattern layer formed on the substrate when the imprint test was repeated 50 times for the photocurable composition B without using the stamper continuously. 6A shows an AFM photograph of a polymer pattern layer formed on a substrate. The dark part in this photograph represents a pit imprinted by the protrusion of the stamp. FIG. 6B shows the profile of the pit depth measured by scanning along line A on the picture of FIG. 6A. The transferred pit average depth measured along line A was 72.5 nm. No contamination was observed in the stamper after 50 imprints. In addition, no collapse of the polymer pattern layer was observed during 50 imprints.

실시예 1에서와 같이 장치를 이용하여 측정한 지터값은 1회째 임프린트후 및 50회 임프린트후 모두 8.2%였다. 5층 기록시의 틸트 특성 평가도 실시예 1에서와 비슷한 정도의 결과를 나타냈다.As in Example 1, the jitter value measured using the apparatus was 8.2% both after the first imprint and after 50 imprints. The tilt characteristic evaluation at the time of five-layer recording also showed similar results as in Example 1.

실시예Example 3  3

본 실시예는 몰드로서 실시예 1에서 사용된 플라스틱 스탬퍼 및 광경화성 조성물 C를 이용하여 실시예 1과 동일한 방법에 따라 기재 위에 다층 패턴전사를 함으로써 광디스크를 제조하는 원리를 설명하기 위한 것이다.This embodiment is for explaining the principle of manufacturing an optical disc by performing a multi-layer pattern transfer on a substrate in the same manner as in Example 1 using the plastic stamper and the photocurable composition C used in Example 1 as a mold.

50회 임프린트를 한 후에도 상기 스탬퍼에는 오염이 관찰되지 않았다. 또한 50회 임프린트 동안에 고분자 패턴층의 붕괴는 관찰되지 않았다.No contamination was observed in the stamper after 50 imprints. In addition, no collapse of the polymer pattern layer was observed during 50 imprints.

실시예 1에서와 같이 장치를 이용하여 측정한 지터값은 1회째 임프린트후 및 50회 임프린트후 모두 7.9%였다. 5층 기록시의 틸트 특성 평가도 실시예 1에서와 비슷한 정도의 결과를 나타냈다.As in Example 1, the jitter value measured using the apparatus was 7.9% both after the first imprint and after 50 imprints. The tilt characteristic evaluation at the time of five-layer recording also showed similar results as in Example 1.

실시예Example 4  4

본 실시예는 몰드로서 실시예 1에서 사용된 플라스틱 스탬퍼 및 광경화성 조성물 D를 이용하여 실시예 1과 동일한 방법에 따라 기재 위에 다층 패턴전사를 함으로써 광디스크를 제조하는 원리를 설명하기 위한 것이다.This embodiment is for explaining the principle of manufacturing an optical disc by performing a multi-layer pattern transfer on a substrate in the same manner as in Example 1 using the plastic stamper and the photocurable composition D used in Example 1 as a mold.

상기 스탬퍼는 50회 임프린트를 한 후에도 오염이 없었다. 또한 50회 임프린트 동안에 고분자 패턴층의 붕괴는 관찰되지 않았다.The stamper was free from contamination even after 50 imprints. In addition, no collapse of the polymer pattern layer was observed during 50 imprints.

실시예 1에서와 같이 장치를 이용하여 측정한 지터값은 1회째 임프린트후 및 50회 임프린트후 모두 8.2%였다. 5층 기록시의 틸트 특성 평가도 실시예 1에서와 비슷한 정도의 결과를 나타냈다.As in Example 1, the jitter value measured using the apparatus was 8.2% both after the first imprint and after 50 imprints. The tilt characteristic evaluation at the time of five-layer recording also showed similar results as in Example 1.

비교예Comparative example 1  One

광경화성 조성물 A 대신에 광경화성 조성물 E를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법에 따라 실시예 1에서 사용된 플라스틱 스탬퍼를 이용하여 상기 기재 위에 패턴전사를 하였다.The pattern transfer was performed on the substrate using the plastic stamper used in Example 1 according to the same method as Example 1, except that the photocurable composition E was used instead of the photocurable composition A.

그러나 스탬퍼의 이형성 및 패턴 전사성이 불량하였다. 즉 스탬퍼의 표면이 고분자 파편에 의하여 오염되었으며, 기재 위에 형성된 고분자 패턴층의 일부에서 붕괴가 관찰되었다.However, the release property of the stamper and the pattern transferability were poor. That is, the surface of the stamper was contaminated by polymer debris, and collapse was observed in a part of the polymer pattern layer formed on the substrate.

비교예Comparative example 2  2

광경화성 조성물 A 대신에 광경화성 조성물 F를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법에 따라 실시예 1에서 사용된 플라스틱 스탬퍼를 이용하여 상기 기재 위에 패턴전사를 하였다.A pattern transfer was performed on the substrate using the plastic stamper used in Example 1 according to the same method as Example 1, except that the photocurable composition F was used instead of the photocurable composition A.

그러나, 스탬퍼의 이형성 및 패턴 전사성이 불량하였다. 즉 스탬퍼의 표면이 고분자 파편에 의하여 오염되었으며, 기재 위에 형성된 고분자 패턴층의 일부에서 붕괴가 관찰되었다.However, the release property and pattern transfer property of the stamper were poor. That is, the surface of the stamper was contaminated by polymer debris, and collapse was observed in a part of the polymer pattern layer formed on the substrate.

상기한 실시예 1~4의 결과로부터, 본 발명에 따른 광경화성 수지조성물은 이형성 및 전사성이 우수하기 때문에 나노 사이즈 패턴과 같이 미세한 패턴일지라도 임프린트법에 의하여 효율적으로 반복 전사할 수 있는 것을 확인하였다. 따라서 본 발명의 광경화성 수지 조성물은 고밀도 광디스크 제조의 생산성을 대폭 향상시킬 수 있다. 그러나 비교예 1~2의 결과로부터 반응성 폴리디메틸 실록산이 사용되지 않거나 함량이 적은 광경화성 조성물을 사용하는 경우에는 나노사이즈 패턴 전사를 효율적으로 수행하기에는 전사성 및 이형성이 불량한 것을 확인할 수 있었다.From the results of the above Examples 1 to 4, it was confirmed that the photocurable resin composition according to the present invention can be repeatedly repeatedly transferred efficiently by the imprint method even with a fine pattern such as a nano size pattern because of excellent releasability and transferability. . Therefore, the photocurable resin composition of this invention can significantly improve the productivity of a high density optical disc manufacture. However, from the results of Comparative Examples 1 and 2, when the reactive polydimethyl siloxane was not used or the photocurable composition having a low content was used, it was confirmed that the transferability and the releasability were poor in order to efficiently perform the nanosize pattern transfer.

본 발명의 광경화성 조성물 및 이를 이용한 패턴 전사 방법은 광디스크와 같은 광기록매체 또는 자기기록매체, 반도체 소자, 디스플레이 장치, 초미세 전기전자 소자 등의 생산에 이용될 수 있다.The photocurable composition of the present invention and the pattern transfer method using the same can be used for the production of optical recording media such as optical disks or magnetic recording media, semiconductor devices, display devices, ultra-fine electrical and electronic devices, and the like.

도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 패턴 전사 방법 및 이에 의하여 형성된 광디스크의 구조를 설명하기 위한 모식적인 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view for explaining a pattern transfer method and a structure of an optical disc formed thereby according to an embodiment of the present invention.

도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 전사방법에서 사용된 플라스틱 스탬퍼의 원자현미경(AFM: atomic force microscope) 사진을 나타낸다. Figure 2a shows an atomic force microscope (AFM) picture of the plastic stamper used in the pattern transfer method according to an embodiment of the present invention.

도 2b는 도 2a의 사진상에 표시한 라인 A를 따라 스캐닝하여 측정한 돌출부 및 비돌출부 패턴의 피트 깊이(pit depth)의 프로파일을 나타낸다.FIG. 2B shows the profile of the pit depth of the protrusion and non-projection patterns measured by scanning along the line A indicated on the picture of FIG. 2A.

도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 전사방법에서 기재 위에 형성된 고분자 패턴층의 원자현미경(AFM) 사진을 나타낸다. Figure 3a shows an atomic force microscope (AFM) photograph of the polymer pattern layer formed on the substrate in the pattern transfer method according to an embodiment of the present invention.

도 3b는 도 3a의 사진상의 특정한 라인을 따라 스캐닝하여 측정한 피트 깊이(pit depth)의 프로파일을 나타낸다. FIG. 3B shows a profile of pit depth measured by scanning along a specific line on the picture of FIG. 3A.

도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 전사방법에서 임프린트 시험을 50회 반복하였을 때 기재 위에 형성된 고분자 패턴층의 원자현미경(AFM) 사진을 나타낸다.Figure 4a shows an atomic force microscope (AFM) picture of the polymer pattern layer formed on the substrate when the imprint test is repeated 50 times in the pattern transfer method according to an embodiment of the present invention.

도 4b는 도 4a의 사진상의 특정한 라인을 따라 스캐닝하여 측정한 피트 깊이(pit depth)의 프로파일을 나타낸다. 4B shows a profile of pit depth measured by scanning along a specific line on the picture of FIG. 4A.

도 5a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 패턴 전사방법에서 사용된 플라스틱 스탬퍼의 원자현미경(AFM) 사진을 나타낸다.5A shows an AFM image of a plastic stamper used in a pattern transfer method according to another embodiment of the present invention.

도 5b는 5a의 사진상에 표시한 라인 A를 따라 스캐닝하여 측정한 돌출부 및 비돌출부 패턴의 피트 깊이(pit depth)의 프로파일을 나타낸다.FIG. 5B shows the profile of the pit depth of the protrusion and non-projection patterns measured by scanning along the line A indicated on the photograph of 5a.

도 6a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 패턴 전사방법에서 임프린트 시험을 50회 반복하였을 때 기재 위에 형성된 고분자 패턴층의 원자현미경(AFM) 사진을 나타낸다.6A shows an AFM photograph of a polymer pattern layer formed on a substrate when an imprint test is repeated 50 times in a pattern transfer method according to another embodiment of the present invention.

도 6b는 도 6a의 사진상의 라인 A를 따라 스캐닝하여 측정한 피트 깊이(pit depth)의 프로파일을 나타낸다.FIG. 6B shows the profile of the pit depth measured by scanning along line A on the picture of FIG. 6A.

<도면의 주요부호에 대한 간단한 설명><Brief description of the major symbols in the drawings>

1: 기재 3 : 스탬퍼1: base material 3: stamper

5 : 고분자 패턴층5: polymer pattern layer

Claims (18)

(a) (i) 한 분자당 2개 이상의 히드록시기를 갖는 폴리올; (ii) 폴리디메틸실록산의 측쇄 또는 말단에 아미노기, 에폭시기, 카르복실기, 히드록시기, 할로겐 원자, 티올기, 및 (메트)아크릴레이트기로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 반응성기를 포함하는 반응성 폴리디메틸실록산; 및 (iii) 지방족 또는 방향족 폴리이소시아네이트 화합물의 반응에 의하여 형성된 우레탄-폴리디메틸실록산공중합 프리폴리머 100 중량부;(a) (i) a polyol having at least two hydroxyl groups per molecule; (ii) a reactive polydimethylsiloxane comprising at least one reactive group selected from the group consisting of an amino group, an epoxy group, a carboxyl group, a hydroxyl group, a halogen atom, a thiol group, and a (meth) acrylate group at the side chain or the terminal of the polydimethylsiloxane; And (iii) 100 parts by weight of urethane-polydimethylsiloxane copolymerized prepolymer formed by the reaction of an aliphatic or aromatic polyisocyanate compound; 상기 우레탄-폴리디메틸실록산공중합 프리폴리머 100 중량부를 기준으로,Based on 100 parts by weight of the urethane-polydimethylsiloxane copolymerized prepolymer, (b) 4 관능성 이하의 (메트)아크릴레이트계 모노머 10~80 중량부; 및(b) 10 to 80 parts by weight of a tetrafunctional (meth) acrylate monomer; And (c) 광개시제 0.1 ~ 10 중량부를 포함하는 광경화성 조성물.(c) Photocurable composition comprising 0.1 to 10 parts by weight of the photoinitiator. 제1항에 있어서, 상기 우레탄-폴리디메틸실록산공중합 프리폴리머 100 중량부를 기준으로 탄소수 1 내지 30의 일관능성 지방족 티올 화합물, 탄소수 1 내지 30의 일관능성 지방족 알콜 화합물, 또는 이들의 혼합물을 0.1 ~ 10 중량부 더 포함하는 광경화성 조성물.According to claim 1, 0.1 to 10 weight percent of a monofunctional aliphatic thiol compound having 1 to 30 carbon atoms, a monofunctional aliphatic alcohol compound having 1 to 30 carbon atoms, or a mixture thereof, based on 100 parts by weight of the urethane-polydimethylsiloxane copolymerized prepolymer. It further comprises a photocurable composition. 제1항에 있어서, 상기 폴리올성분 : 상기 반응성 폴리디메틸실록산 : 상기 폴리이소시아네이트 화합물의 성분비는 30~70중량% : 15~65중량% : 5~20중량%인 것을 특징으로 하는 광경화성 조성물.The photocurable composition according to claim 1, wherein the component ratio of the polyol component: the reactive polydimethylsiloxane: the polyisocyanate compound is 30 to 70% by weight: 15 to 65% by weight: 5 to 20% by weight. 제1항에 있어서, 상기 폴리올은 폴리에테르계 폴리올, 폴리에스테르계 폴리올 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 광경화성 조성물.The photocurable composition according to claim 1, wherein the polyol is a polyether polyol, a polyester polyol or a mixture thereof. 제1항에 있어서, 상기 반응성 폴리디메틸실록산은 하기 화학식 (1) 내지 (4)로 표시되는 것 중 적어도 어느 1종인 것을 특징으로 하는 광경화성 조성물:The photocurable composition according to claim 1, wherein the reactive polydimethylsiloxane is at least one of the following formulas (1) to (4):
Figure 112007061617732-PAT00004
Figure 112007061617732-PAT00004
여기서, m, n은, 각각 동일할 수도 다를 수도 있는데, 1 내지 20의 정수를 나타내고;Here, m and n may be the same or different, respectively, and represent the integer of 1-20; X1 내지 X6는, 동일할 수도 다를 수도 있는데, 하기 화학식으로 표시되는 반응성기 중의 적어도 어느 하나를 나타내며,X 1 To X 6 may be the same or different, represents at least one of the reactive groups represented by the following formula,
Figure 112007061617732-PAT00005
,
Figure 112007061617732-PAT00005
,
여기서, k, l, o, p, q, r, s, t 및 u는, 동일할 수도 다를 수도 있는데, 0 내지 10의 정수를 나타내며, 또한 R은 탄소수 1 내지 10의 알킬기 또는 알콕시기를 나타낸다.Here, k, l, o, p, q, r, s, t and u may be the same or different, and represent an integer of 0 to 10, and R represents an alkyl or alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms.
제1항에 있어서, 상기 광개시제는 자유 라디칼 개시제 또는 양이온성 개시제인 것을 특징으로 하는 광경화성 조성물.The photocurable composition of claim 1, wherein the photoinitiator is a free radical initiator or a cationic initiator. 기재 위에 광경화성 조성물 코팅층을 형성하는 단계;Forming a photocurable composition coating layer on the substrate; 소정 패턴을 갖는 스탬퍼를 이용하여 상기 광경화성 조성물 코팅층을 임프린트하는 단계;Imprinting the photocurable composition coating layer using a stamper having a predetermined pattern; 상기 광경화성 조성물 코팅층에 상기 스탬퍼가 매몰되어 있는 상태에서 상기 조성물을 광경화시킬 수 있는 빛을 조사하여 상기 조성물을 경화시키는 단계; 및Curing the composition by irradiating light capable of photocuring the composition while the stamper is buried in the photocurable composition coating layer; And 상기 스탬퍼를 상기 기재상의 광경화성 조성물 코팅층으로부터 분리함으로써 상기 기재상에 상기 스탬퍼의 패턴이 전사된 고분자 패턴층을 형성하는 단계를 포함하는 패턴 전사방법으로서,A pattern transfer method comprising the step of separating the stamper from the photocurable composition coating layer on the substrate to form a polymer pattern layer on which the pattern of the stamper is transferred on the substrate. 상기 광경화성 조성물은,The photocurable composition, a) i) 한 분자당 2개 이상의 히드록시기를 갖는 폴리올; ii) 폴리디메틸실록산의 측쇄 또는 말단에 아미노기, 에폭시기, 카르복실기, 히드록시기, 할로겐 원자, 티올기, 및 (메트)아크릴레이트기로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 반응성기를 포함하는 반응성 폴리디메틸실록산; 및 iii) 지방족 또는 방향족 폴리이소시아네이트 화합물의 반응에 의하여 형성된 우레탄-폴리디메틸실록산 공중합 프리폴리머 100 중량부;a) i) a polyol having at least two hydroxyl groups per molecule; ii) a reactive polydimethylsiloxane comprising at least one reactive group selected from the group consisting of an amino group, an epoxy group, a carboxyl group, a hydroxy group, a halogen atom, a thiol group, and a (meth) acrylate group at the side chain or the terminal of the polydimethylsiloxane; And iii) 100 parts by weight of urethane-polydimethylsiloxane copolymer prepolymer formed by the reaction of an aliphatic or aromatic polyisocyanate compound; 상기 우레탄-폴리디메틸실록산 공중합 프리폴리머 100 중량부를 기준으로,Based on 100 parts by weight of the urethane-polydimethylsiloxane copolymer prepolymer, b) 4 관능성 이하의 (메트)아크릴레이트계 모노머 10~80 중량부; 및b) 10 to 80 parts by weight of a tetrafunctional (meth) acrylate monomer; And c) 광개시제 0.1 ~ 10 중량부를 포함하는 광경화성 조성물인 것을 특징으로 하는 패턴 전사방법.c) Pattern transfer method, characterized in that the photocurable composition containing 0.1 to 10 parts by weight of the photoinitiator. 제7항에 있어서, 상기 우레탄-폴리디메틸실록산 공중합 프리폴리머 100 중량부를 기준으로 상기 광경화성 조성물은 탄소수 1 내지 30의 일관능성 지방족 티올 화합물, 탄소수 1 내지 30의 일관능성 지방족 알콜 화합물, 또는 이들의 혼합물을 0.1 ~ 10 중량부 더 포함하는 패턴 전사방법.According to claim 7, wherein the photocurable composition based on 100 parts by weight of the urethane-polydimethylsiloxane copolymer prepolymer is a monofunctional aliphatic thiol compound having 1 to 30 carbon atoms, a monofunctional aliphatic alcohol compound having 1 to 30 carbon atoms, or a mixture thereof Pattern transfer method comprising more than 0.1 to 10 parts by weight. 제7항에 있어서, 상기 폴리올성분 : 상기 반응성 폴리디메틸실록산 : 상기 폴리이소시아네이트 화합물의 성분비는 30~70중량% : 15~65중량% : 5~20중량%인 것을 특징으로 하는 패턴 전사방법.The method of claim 7, wherein the component ratio of the polyol component: the reactive polydimethylsiloxane: the polyisocyanate compound is 30 to 70% by weight: 15 to 65% by weight: 5 to 20% by weight. 제7항에 있어서, 상기 폴리올은 폴리에테르계 폴리올, 폴리에스테르계 폴리올 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 패턴 전사방법.The method of claim 7, wherein the polyol is a polyether polyol, a polyester polyol or a mixture thereof. 제7항에 있어서, 상기 반응성 폴리디메틸실록산은 하기 화학식 (1) 내지 (4)로 표시되는 것 중 적어도 어느 1종인 것을 특징으로 하는 패턴 전사방법:The pattern transfer method according to claim 7, wherein the reactive polydimethylsiloxane is at least one of those represented by the following general formulas (1) to (4):
Figure 112007061617732-PAT00006
Figure 112007061617732-PAT00006
여기서, m, n은, 동일할 수도 다를 수도 있는데, 1 내지 20의 정수를 나타내고;Here, m and n may be the same or different, and represent the integer of 1-20; X1 내지 X6는, 동일할 수도 다를 수도 있는데, 하기 화학식으로 표시되는 반응성기 중의 어느 하나를 나타내며,X 1 To X 6 may be the same or different, represents any one of the reactive groups represented by the following formula,
Figure 112007061617732-PAT00007
Figure 112007061617732-PAT00007
k, l, o, p, q, r, s, t 및 u는 각각 동일할 수도 다를 수도 있는데, 각각 0 내지 10의 정수를 나타내며, 또한 R은 탄소수 1 내지 10의 알킬기 또는 알콕시기를 나타낸다.k, l, o, p, q, r, s, t and u may be the same or different, respectively, and represent an integer of 0 to 10, respectively, and R represents an alkyl or alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms.
제7항에 있어서, 상기 광개시제는 자유 라디칼 개시제 또는 양이온성 개시제인 것을 특징으로 하는 패턴 전사방법.8. The method of claim 7, wherein the photoinitiator is a free radical initiator or a cationic initiator. 제7항에 있어서, 상기 스탬퍼 패턴은 20 nm ~ 100 nm의 높이를 갖는 복수의 돌출부에 의하여 이루어진 패턴인 것을 특징으로 하는 패턴 전사방법.The method of claim 7, wherein the stamper pattern is a pattern transfer method, characterized in that the pattern consisting of a plurality of protrusions having a height of 20 nm ~ 100 nm. 제7항에 있어서, 상기 고분자 패턴층에 전사된 패턴은 광기록매체의 기록마 크인 것을 특징으로 하는 패턴 전사방법.The method of claim 7, wherein the pattern transferred to the polymer pattern layer is a recording mark of an optical recording medium. 제7항에 있어서, 상기 기재는 폴리올레핀 필름, 폴리에스테르 필름, 폴리카보네이트 필름, 아크릴 수지 필름, 에폭시 수지 필름 또는 유리기재인 것을 특징으로 하는 패턴 전사방법.The method of claim 7, wherein the substrate is a polyolefin film, a polyester film, a polycarbonate film, an acrylic resin film, an epoxy resin film or a glass substrate. 기재; 및 상기 기재 위에 형성된 기록층을 포함하는 광기록매체로서,materials; And a recording layer formed on the substrate, the optical recording medium comprising: 상기 기록층은 20 nm ~ 100 nm의 피트 깊이를 갖는 복수 개의 피트로 이루어진 소정 패턴의 기록마크를 구비하는 고분자 패턴층이며,The recording layer is a polymer pattern layer having a recording mark of a predetermined pattern consisting of a plurality of pits having a pit depth of 20 nm to 100 nm, 상기 고분자 패턴층은 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 따른 광경화성 조성물이 경화되어 형성된 것을 특징으로 하는 광기록매체.The polymer pattern layer is an optical recording medium, characterized in that formed by curing the photocurable composition according to any one of claims 1 to 6. 제16항에 있어서, 상기 고분자 패턴층은 복수층 존재하는 것을 특징으로 하는 광기록매체.The optical recording medium according to claim 16, wherein the polymer pattern layer is present in plural layers. 제17항에 있어서, 상기 복수의 고분자 패턴층의 사이에는 유전체층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광기록매체.18. The optical recording medium according to claim 17, wherein a dielectric layer is formed between the plurality of polymer pattern layers.
KR1020070085569A 2007-01-24 2007-08-24 Photo-curable composition having inherently excellent releasing property and pattern transfer property, method for transfering pattern using the same and light recordimg medium having polymer pattern layer produced using the same KR20080069894A (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/017,540 US20080176049A1 (en) 2007-01-24 2008-01-22 PHOTO-CURABLE COMPOSITION HAVING INHERENTLY EXCELLENT RELEASING PROPERtY AND PATTERN TRANSFER PROPERTY, METHOD FOR TRANSFERRING PATTERN USING THE COMPOSITION AND LIGHT RECORDING MEDIUM HAVING POLYMER PATTERN LAYER PRODUCED USING THE COMPOSITION
PCT/KR2008/000433 WO2008091114A1 (en) 2007-01-24 2008-01-24 Photo-curable composition having inherently excellent releasing property and pattern transfer property, method for transferring pattern using the composition and light recording medium having polymer pattern layer produced using the composition
US13/043,696 US20110163482A1 (en) 2007-01-24 2011-03-09 Photo-curable composition having inherently excellent releasing property and pattern transfer property, method for transferring pattern usingthe composition and light recording medium having polymer pattern layer produced using the composition

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070007654 2007-01-24
KR20070007654 2007-01-24
KR20070014977 2007-02-13
KR1020070014977 2007-02-13

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20080069894A true KR20080069894A (en) 2008-07-29

Family

ID=39822881

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070085569A KR20080069894A (en) 2007-01-24 2007-08-24 Photo-curable composition having inherently excellent releasing property and pattern transfer property, method for transfering pattern using the same and light recordimg medium having polymer pattern layer produced using the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20080069894A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110006163A (en) * 2009-07-13 2011-01-20 주식회사 동진쎄미켐 Photocurable fluoro resin composition and method for preparing of mold using the same
KR20160092828A (en) * 2015-01-28 2016-08-05 (주)루벤틱스 에이디엠 Polysiloxane oligomers, polysiloxane copolymers and the preparation method thereof

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110006163A (en) * 2009-07-13 2011-01-20 주식회사 동진쎄미켐 Photocurable fluoro resin composition and method for preparing of mold using the same
KR20160092828A (en) * 2015-01-28 2016-08-05 (주)루벤틱스 에이디엠 Polysiloxane oligomers, polysiloxane copolymers and the preparation method thereof

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20110163482A1 (en) Photo-curable composition having inherently excellent releasing property and pattern transfer property, method for transferring pattern usingthe composition and light recording medium having polymer pattern layer produced using the composition
US7655307B2 (en) Resin composition for mold used in forming micropattern, and method for fabricating organic mold therefrom
EP0802455B1 (en) Use of a photocurable resin composition for the production of a stereolithographed object
EP2342243B1 (en) Composition for imprints, pattern and patterning method
JP4929722B2 (en) Photo-curable nanoprint resist material and pattern formation method
CN101479662B (en) Printing form precursor and process for preparing a stamp from the precursor
US8282872B2 (en) (Meth)acrylate compound, curable composition using the same, curable composition for photo-nanoimprints, cured product of curable composition and method for manufacturing cured product
JP5269449B2 (en) Curable resin composition for nanoimprint
KR100929381B1 (en) Mold sheet composition and mold sheet manufacturing method using the same
JP5448696B2 (en) Curable composition for photoimprint and method for producing cured product using the same
JP2008084984A (en) Photocuring composition for optical nano imprint lithography and pattern forming method employing it
EP2261007A1 (en) Process for production of nanostructures
KR20100121462A (en) Curable composition for nanoimprint and pattern-forming method
TW200846824A (en) Curing composition for photonano-imprinting lithography and pattern forming method by using the same
US20120029110A1 (en) Photopolymerizable resin composition for transferring microstructure
JP2009051017A (en) Photocurable composition for photo-nanoimprint lithography and manufacturing method of substrate with pattern
JP2010067621A (en) Curable composition for nanoimprint, cured article, and method for producing same
KR20120079094A (en) Curable composition for imprints, patterning method and pattern
JP5448589B2 (en) Pattern formation method
JP5065209B2 (en) Curable composition for nanoimprint, cured product and method for producing the same
JP2009073958A (en) Curable composition for photo-nanoimprint lithography, cured product producing method using it, and cured product
CN101959932A (en) Curable composition for nanoimprint, cured product using the same, method for producing the cured product, and member for liquid crystal display device
KR20090068490A (en) Composition for nano-pattern forming mold and polymer mold using the same
KR20080069894A (en) Photo-curable composition having inherently excellent releasing property and pattern transfer property, method for transfering pattern using the same and light recordimg medium having polymer pattern layer produced using the same
CN101711375A (en) Mold film composition for forming pattern and mold film manufactured by using the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E601 Decision to refuse application