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KR20080066750A - 조사 장치 - Google Patents

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Publication number
KR20080066750A
KR20080066750A KR1020087010528A KR20087010528A KR20080066750A KR 20080066750 A KR20080066750 A KR 20080066750A KR 1020087010528 A KR1020087010528 A KR 1020087010528A KR 20087010528 A KR20087010528 A KR 20087010528A KR 20080066750 A KR20080066750 A KR 20080066750A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
reflector layer
radiation
reflector
light source
layer
Prior art date
Application number
KR1020087010528A
Other languages
English (en)
Inventor
사이먼 브림멜
Original Assignee
오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 filed Critical 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
Publication of KR20080066750A publication Critical patent/KR20080066750A/ko

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    • G09F13/14Arrangements of reflectors therein
    • GPHYSICS
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    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
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Abstract

본 발명은 복사 광선 방출면(5), 제1 리플렉터 층(1) 및 제2 리플렉터 층(2)을 포함한 리플렉터 장치, 및 복사 광원(3, 4, 26, 27)을 가지는 조사 장치(10)에 관한 것으로서, 상기 제1 리플렉터 층은 상기 복사 광선 방출면과 상기 복사 광원 사이에 배치되어, 상기 복사 광원으로부터 발생된 복사 광선이 상기 제1 리플렉터 층을 부분적으로 조사하고, 상기 제2 리플렉터 층은 상기 제1 리플렉터 층의 상기 복사 광선 방출면의 맞은편 측에 배치된다.
Figure P1020087010528
복사 광선 방출면, 리플렉터 장치, 복사 광원, 출력면, 반사도

Description

조사 장치{ILUMINATION DEVICE}
본 발명은 복사 광원(radiation source) 및 복사 광선 방출면(radiation discharge surface) 을 포함한 조사 장치에 관한 것이다.
상기 방식의 조사 장치에 따르면, 복사 광원으로부터 발생하는 복사속이 복사 광선 방출면으로 측 방향으로(lateral) 균일하게 분배되도록 하는 것이 종종 요구되었다. 특히, 특정한 복사도(방출면의 ㎡ 당 입사되는 복사속 와트)는 복사 광선이 출력되는 측에서 가능한한 균일하게 분배되어야 한다. 조사될 면에 대한 조사 강도(입사면의 ㎡ 당 조사되어야 할 면으로 입사되는 복사속 와트)는 조사 장치를 이용하여 보다 용이하게 균일하게 분배될 수 있다.
복사 광원의 규모는 종종 공간의 제약을 받으므로, 큰 면적을 가진 복사 광선 방출면에는 복사속이 균일하게 분배되기가 어렵다. 여기서 상기 복사 광선 방출면은 복사 광원에 의해 측 방향으로 덮힌 면보다 크다. 특히, 복사 광선이 방출되는 측의 영역들은 복사 광원을 이용해 직접 조사되는 영역들로서 그에 인접하는 영역들보다 높은 복사속을 가지고, 소위 핫 스폿(hot spots)을 형성할 수 있다. 이는, 복사 광선이 방출되는 측에서 동일한 양의 복사속을 필요로 하는 경우에 그러하며, 일반적으로 추구되는 것은 아니다.
본 발명의 과제는, 면으로 형성된 조사 장치를 제공하는 것으로, 상세하게는 조사 장치의 복사 광선 방출면에서 복사속이 측 방향으로 균일하게 분배되는 것이 보다 용이하게 하는 장치를 제공한다. 또한, 콤팩트(compact)하게 형성될 수 있는 조사 장치를 제공해야 한다.
상기 과제는, 특허 청구 범위 1항의 특징을 가진 조사 장치를 통해 해결된다. 본 발명의 바람직한 실시예는 종속 청구항들에 기재된다.
본 발명에 따른 조사 장치는 복사 광선 방출면, 제1 리플렉터(reflector) 층과 제2 리플렉터 층을 가지는 리플렉터 장치, 및 복사 광원을 포함하고, 이 때 제1 리플렉터 층은 복사 광선 방출면과 복사 광원 사이에 배치되어, 복사 광원으로부터 발생한 복사 광선이 부분적으로 제1 리플렉터 층을 조사하며, 제2 리플렉터 층은 제1 리플렉터 층의 상기 복사 광선 출력면의 맞은편 측에 배치된다.
바람직하게는 리플렉터 장치는, 제1 리플렉터 층에 입사되는 복사 광선이 부분적으로 복사 광선 방출면과 이격되면서 반사되도록 형성된다.
제1 리플렉터 층의 표면 법선에 대해 소정의 각도로 경사져서 상기 층에 입사되는 복사 광선량은 그에 상응하는 각도에서 복사 광선 방출면과 이격되면서 반사된다. 제2 리플렉터 층에서의 재반사를 이용하면, 제1 리플렉터 층에 경사지게 반사되는 복사 광선량은 제1 리플렉터 층의 제1 반사의 반사 지점으로부터 측 방향으로(lateral) 이격된 지점에서 제1 리플렉터 층을 투과하여 지나거나, 지속적으로 반사될 수 있다. 리플렉터 장치, 즉 제1 및 제2 리플렉터 층에서 수행되는 반사 작용으로 인하여, 복사 광원으로부터 발생된 복사속은 제1 리플렉터 층에서 복사 광선 방출면의 순서로 측 방향에서 균일하게 분배된다. 제1 및 제2 리플렉터 층은 여기서 서로 이격되어 배치되는 것이 바람직하다. 또한 제1 리플렉터 층의 상기 복사 광원을 향하지 않은 측은 리플렉터 장치 및 조사 장치의 복사 광선 방출면을 형성한다.
바람직하게는, 제1 리플렉터 층의 다중 반사에 의해, 복사 광원으로부터 측 방향으로 크게 이격되어 있는 영역도 복사 광원을 이용하여 조사될 수 있다. 특히 바람직하게는, 복사 광원은 제1 리플렉터 층과 근접하여 배치될 수 있는데, 이 때 리플렉터 장치로 인하여 복사속이 측 방향으로 분배된다. 두께가 얇아서 장치의 내부 길이(installed depth)도 작고 콤팩트한 조사 장치는 측 방향으로 균일하게 조사되는 것을 저하시키지 않고도 용이하게 제조될 수 있다.
제1 리플렉터 층을 생략한 조사 장치와 비교하면, 복사 광선 방출측의 조사된 영역은 확대된다. 제1 리플렉터 층을 생략한다면, 조사되어야 할 면에서 복사 광원을 이용하여 조사된 영역은 복사 광원의 광선추(cone of radiation)를 통해 결정된다. 리플렉터 장치를 구비하면, 리플렉터 층들의 (다중-) 반사에 의해, 조사되는 영역이- 복사 광원으로부터 조사되어야 할 면까지의 거리가 동일한 경우- 확대될 수 있다. 제1 및 제2 리플렉터 층은 반사 작용으로 인하여 조사 장치의 복사 광선 방출면에 복사속이 분배되는 것이 실질적으로 균일하게 되도록 기여한다.
바람직하게는, 복사 광원은 별도의 복사 광원으로 실행된다. 특히, 리플렉터 장치는 별도의 장치로서, 복사 광원에 통합되어 실행되지 않는다. 이를 통해, 복사 광원의 크기와 상관없이 큰 면적을 가진 조사 장치가 구현될 수 있다.
또한, 본 발명의 틀에서 복사 광원은 활성 레이저 증폭기 매체(amplifier medium)일 수 있다.
상기 방식의 조사 장치는, 특히 액정 크리스탈 디스플레이(LCD: Liquid Crystal Display)와 같은 표시 장치의 직접적인 배면광에 적합하여 바람직하게는 이를 위해 구비된다. 간접적 배면광과 반대로, 직접적 배면광으로서, 복사 광원 및 조사되어야 할 면은 비교적 서로 마주보도록 배치되어, 복사 광원의 복사 광선을 발생시키는 부재의 주 방사 방향이 조사되어야 할 면의 방향으로 향하도록 한다. 따라서, 주 방사 방향으로부터 조사되어야 할 면의 방향으로 복사 광선의 방향을 선회시키는 고 비용의 장치가 생략될 수 있다. 그에 반해, 간접적 배면광을 사용하면, 일반적으로, 조사되어야 할 면에 대해 평행하게 방사되는 복사 광원에 의해 발생된 복사 광선을 주 방사 방향에서 조사되어야 할 면으로 방향을 선회시켜주는 것이 필요하다.
또한, 조사 장치, 특히 리플렉터 장치는 바람직하게는 복사 광선 방출면의 측 방향 조사를 위해 형성되고 및/또는 배치된다. 특히, 상기 조사 장치에 따르면, 측 방향으로 균일하게 진행하는 특정한 복사도는 복사 광선 방출면 측에 포함될 수 있다.
덧붙여 말하자면, 측 방향으로 조사되는 것이 절대적으로 복사 광선 방출면 전체에 조사되는 것을 의미하진 않는다. 특히, 복사 광선 방출면의 프레임 영역들은 완전히 조사되지 않아도 된다. 그러나, 제1 리플렉터 층 또는 리플렉터 장치를 생략한 조사 장치와 비교하면, 리플렉터 장치로 인해 복사 광선 방출면의 조사되는 부분 영역들이 더 간단한 방법으로 균일하게 조사될 수 있다.
바람직한 실시예에 따르면, 조사 장치는 특히 별도로 된 다수의 복사 광원을 포함한다. 바람직하게는, 제1 리플렉터 층은 복사 광원과 복사 광선 방출면 사이에 배치된다. 예컨대 조사 장치는 10 이상, 바람직하게는 50 이상, 특히 바람직하게는 100 이상의 복사 광원을 포함할 수 있다. 복사 광원의 개수는 복사 광선 방출면 측면에서, 개별적 적용에 적합하거나 필요한 복사속에 따라 결정된다. 복사 광선 방출면의 균일한 조사를 위해, 다수의 복사 광원이 필수적인 것은 아니므로, 복사 광선 방출면의 균일한 조사를 위해 장착될 복사 광원의 개수는 복사 광선 방출면의 크기와 실질적으로 상관이 없다.
조사 장치의 다양한 복사 광원 으로부터 발생한 복사 광선은 제1 및/또는 제2 리플렉터 층의 (다중-) 반사로 인하여 측 방향으로 균일하게 분배되어 혼합될 수 있다. 복사 광선 방출면 또는 제1 리플렉터 층의 상기 복사 광원을 향한 측의 영역들은 측 방향에서 인접한 영역들에 비해 증가되거나 감소된 복사속을 가지고 조사되는데, 리플렉터 장치로 인해 이러한 영역들의 발생이 가능한한 억제될 수 있다. 다수의 복사 광원을 가진 조사 장치에 있어서, 이러한 영역들은 측 방향에서 상기 복사 광원들 사이에 배치된 복사 광선 방출면의 영역에서 종종 발생한다. 예컨대 복사속이 증가된 영역은 두 개의 복사 광원의 광선추들이 겹쳐짐으로써 발생하는데, 반면 복사속이 감소된 영역은 직접적으로 조사되지 않은 영역에서 발생할 수 있다. 리플렉터 장치를 이용하면, 직접적으로 조사되지 않은 영역 뿐만아니라 두 개의 광선추가 겹쳐진 영역에서도 복사속이 제1 리플렉터 층 내지는 복사 광선 방출면에서 균일하게 분배될 수 있다.
또 다른 바람직한 실시예에 따르면, 제1 리플렉터 층은 측 방향에서 제2 리플렉터 층을 완전히 덮거나 및/또는 그 반대이다. 제1 및 제2 리플렉터 층 사이에서 측 방향의 방사 유도는 다중 반사를 이용하여 용이해질 수 있다.
또한, 제1 및 제2 리플렉터 층은 바람직하게는 서로 평행하게 형성된다. 리플렉터 층들을 평행하게 배치하는 경우, 제1 리플렉터 층과 제2 리플렉터 층 사이에서 각각의 리플렉터 층으로 반사되거나 재반사되는 그 반사각은 동일하며, 이를 통해 제1 리플렉터 층 및 그에 상응하는 복사 광선 방출면의 조사가 보다 용이하게 균일해진다.
또 다른 바람직한 실시예에 따르면, 제1 리플렉터 층은 복사 광원 내지는 복사 광원들을 측 방향에서 덮는다. 따라서, 복사 광원 내지는 복사 광원들로부터 발생하여, 리플렉터 층의 방향으로 직접 방사되는 복사 광선의 반사 작용이 보다 용이하게 소기의 목적에 맞추어 수행된다.
또 다른 바람직한 실시예에 따르면, 리플렉터 장치는 측면 리플렉터 층을 포함하는데, 바람직하게는, 이 층은 제1 리플렉터 층으로부터 제2 리플렉터 층으로 연장된다. 측면 리플렉터 층은 제1 리플렉터 층의 측 방향적 주 연장되는 방향에 대해 수직으로 연장된다. 바람직하게는 다수의 측면 리플렉터 층들이 구비된다.
제1 리플렉터 층, 제2 리플렉터 층 및 측면 리플렉터 층을 이용하여, 방사 공간이 형성되고, 특히 리플렉터 장치를 이용하여 복사 광원 내지는 복사 광원들로부터 발생되는 복사속이 상기 공간상에 집적된다. 바람직하게는 제1 및 제2 리플렉터 층이 상기 공간을 수직 방향에서 한정한다. 경우에 따라서, 다수의 측면 리플렉터 층들이 구비될 수 있다. 따라서 복사 광원(복사 광원들)로부터 발생된 복사속이 집적되는 방사 공간이 용이하게 형성될 수 있다. 특히 바람직하게는, 측면 리플렉터 층(들)은 측 방향에서 방사 공간을 한정한다.
제1 및 제2 리플렉터 층 사이에 경사져서 반사되거나 재반사되는 복사 광선은 측 방향으로 분배된다. 다중으로 반사되는 복사 광선량은 경우에 따라 측면적으로 리플렉터 장치로부터 벗어날(depart) 수 있다. 측면 리플렉터 층에서의 반사 작용을 이용하면, 상기의 복사 광선량은 제1 또는 제2 리플렉터 층의 반사 작용으로 이어져, 복사 광선 방출면의 측에서 조사 장치를 벗어나게 된다. 따라서 바람직하게는, 조사 작용에서 상기 복사 광선량의 손실이 없다.
바람직하게는 방사 공간은 실질적으로 복사 광선이 새나가지 않도록 형성된다. 방사 공간은 전면이 반사 부재, 예컨대 제1 리플렉터 층, 제2 리플렉터 층 및 측면 리플렉터층(들)으로 한정될 수 있다. 이를 통해, 복사 광선이 새나가지 않도록 방사 공간을 형성하는 것이 용이해진다. 방사 공간으로 복사 광선이 진입하기 위해, 단일 또는 다수의 반사 부재가 홈을 가질 수 있다. 홈을 형성하되, 이미 방사 공간으로 진입한 복사 광선이 상기 홈에 의해 상기 방사 공간으로부터 재 방출되는 복사 광선의 손실이 가능한한 적어야 한다. 이를 위해, 바람직하게는, 상기 홈은 예컨대 복사 광원의 측 방향 크기에 맞추어 측 방향에서 작은 크기를 가진다. 예컨대, 복사 광원은 상기 홈의 테두리에 인접할 수 있고 바람직하게는 그 크기만큼 상기 홈과 연합하여 형성된다.
또한 바람직하게는, 측면 리플렉터 층은 제1 리플렉터 층 및/또는 제2 리플렉터 층에 대해 실질적으로 수직으로 형성된다. 이러한 방식으로, 복사 광선 방출면이 측 방향으로 균일하게 조사되는 것이 용이하게 수행된다. 제1 및 제2 리플렉터 층이 서로 평행하게 배치된 경우, 제1 및 제2 리플렉터 층 사이에 위치한 측면 리플렉터 층에서 제1 및 제2 리플렉터 층으로 반사되거나 재반사되는 복사 광선의 반사각은 동일하게 유지될 수 있다.
또 다른 바람직한 실시예에 따르면, 측면 리플렉터 층은 제1 리플렉터 층 및/또는 제2 리플렉터 층과 결합하거나, 제1 및/또는 제2 리플렉터 층에 인접하여 배치된다. 따라서, 복사 광선이 새나가지 않는 방사 공간이 용이하게 형성될 수 있다.
또 다른 바람직한 실시예에 따르면, 제1 리플렉터 층, 제2 리플렉터 층 및/또는 측면 리플렉터 층은 90% 이상, 더 바람직하게는 95% 이상, 특히 바람직하게는 98% 이상의 반사도를 가진다. 따라서, 제1 리플렉터 층의 상기 복사 광선 방출면과 등지고 있는 측에서 복사속이 용이하게 집적될 수 있다. 상기의 반사도는 복사 광선 방출면에서 복사속이 균일하게 분배되도록 하는 데 있어서 적합하다. 복사 광선이 제1 리플렉터 층을 투과해 나갈 수 있으므로, 제1 리플렉터 층의 반사도는 100% 보다 작다. 제2 리플렉터 층 및/또는 측면 리플렉터 층은 99.9% 까지, 바람직하게는 100%의 반사도를 가질 수 있다.
또 다른 바람직한 실시예에 따르면, 제2 리플렉터 층 및/또는 측면 리플렉터 층의 반사도는 제1 리플렉터 층의 반사도보다 크다.
방사 공간으로부터의 복사 광선 방출이 제1 리플렉터 층 외부에서 수행되는 것은 간단히 억제될 수 있다. 실질적으로, 복사 광원 내지 복사 광원들로부터 발생하여 조사 장치로부터 나오는 전체의 복사속은 바람직하게는 제1 리플렉터 층을 투과하여 방사 공간으로부터 방출된다.
또 다른 바람직한 실시예에 따르면, 제2 리플렉터 층의 상기 제1 리플렉터 층의 맞은편 측에 추가적 리플렉터 층이 배치된다. 바람직하게는 제2 리플렉터 층에 대해 평행하게 배치된 추가적 리플렉터 층을 이용하여, 제2 리플렉터 층을 투과하여 나가는 복사 광선이 제2 리플렉터 층 방향으로 재반사될 수 있다. 따라서, 제2 리플렉터 층을 투과하여, 방사 공간으로부터 나가는 광선은 간단하게 다시 방사 공간으로 진입하고, 제1 리플렉터 층을 투과하여 반사된다. 상기와 같은 추가적 리플렉터 층은 경우에 따라서 측면 리플렉터 층(들)에도 적용할 수 있다. 다수의 리플렉터 층들을 구비한 리플렉터 층 구조의 형성으로 인하여, 각각의 리플렉터 층이 제1 리플렉터 층에 요구된 것보다 높은 반사도를 가지는 개별 층으로 형성되는 것을 생략할 수 있다. 이 때 리플렉터 층 구조는 바람직하게는 제1 리플렉터 층의 반사도에 비해 높은 총 반사도를 가진다.
또 다른 바람직한 실시예에 따르면, 제1 리플렉터 층, 제2 리플렉터 층 및/또는 측면 리플렉터 층은 금속을 포함하거나, 개개의 층들이 금속성으로, 예컨대 금속 배선 또는 금속 포일(foil)로서, 실행된다. 금속을 포함한 리플렉터 층은 가능한한 입사각에 대해 독립적으로 반사도를 가지는 것을 특징으로 하는데, 이는 측 방향에서 균일한 조사가 수행되도록 하는데 특히 바람직하다. 이를 위해, 경우에 따라서 합금으로 구성된 리플렉터 층이 적합하다.
각 리플렉터 층은 캐리어 몸체에 예컨대 금속 배선으로서 증착되거나, 리플렉터 포일 특히 금속 포일로서 라미네이팅 된다. 캐리어 몸체는 리플렉터 층을 기계적으로 안정화하고, 광 도체(light conductor) 또는 별도의 캐리어 부재로서 실행될 수 있다. 바람직하게는, 캐리어 몸체는 제1 및 제2 리플렉터 층 사이에 배치된다.
바람직하게는, 캐리어 몸체는 방사를 유도하는 것이 아니라, 실질적으로 리플렉터 장치를 간단히 제조하도록 기여한다. 이러한 점은, 리플렉터를 기계적으로 지지하는 캐리어 몸체와 함께 리플렉터 장치를 별도로 제조하는 것에 비해, 각각의 리플렉터 층이 캐리어 몸체에 적층되는 것이 용이하기 때문이다. 캐리어 몸체는 예컨대 각각의 리플렉터 층에서 상기 방사 공간과 등지고 있거나 방사 공간을 향한 측에 배치될 수 있다.
또 다른 바람직한 실시예에 따르면, 복사 광선 방출면, 제1 리플렉터 층, 제2 리플렉터 층 및/또는 측면 리플렉터 층은 평평하게, 특히 휘어짐 없이 형성된다. 상기 방식의 조사 장치는 복사 광선 방출면에 대해 평행하게 진행되는 평면에서 균일한 조사가 이루어지도록 하는 데 적합하다.
또 다른 바람직한 실시예에 따르면, 복사 광선 방출면의 특정한 복사도에 대한 제1 리플렉터 층의 조사 강도의 비율은 0.2 이하이고, 바람직하게는 0.1 이하이며, 더 바람직하게는 0.05 이하이다. 특히, 제1 리플렉터 층과 복사 광선 방출면의 서로 포개어지는 윗면에서 조사 강도와 특정한 복사도의 비율이 그와 같은 값을 가질 수 있다. 바람직하게는 조사 강도와 특정한 복사도의 비율은 실질적으로 복사 광선 방출면의 측 방향적 연장부 위에서 그와 상응한다. 복사 광원 내지는 복사 광원들로부터 발생된 복사속은 바람직하게는 제1 리플렉터 층의 상기 복사 광원 내지는 복사 광원들을 향한 측에 집적된다. 바람직하게는, 제1 리플렉터 층을 투과하여 나가는 복사속은 측 방향에서 균일하게 분배된다.
본 조사 장치는 제1 리플렉터 층을 투과하여 나가는 복사속이 각각의 적용에 충분하도록 형성된다. 제1 리플렉터 층의 반사도 또는 개수는 복사 광원들에 상응하여 맞춘다. 이 때 주의할 점은, 제1 리플렉터 층의 반사도는 복사 광선 방출면의 균일한 조사를 보장하기에 충분할 만큼 큰 값이어야 한다.
또 다른 바람직한 실시예에 따르면, 제1 리플렉터 층, 제2 리플렉터 층 및/또는 측면 리플렉터 층은 일체형으로 형성된다. 따라서, 각 리플렉터 층에 있어서 개별적 리플렉터 층 피스(piece)의 경계면에서 일어날 수 있는 위험 즉 방출 손실 또는 예기치 않은 방향으로의 반사 작용을 예방할 수 있다.
또 다른 바람직한 실시예에 따르면, 제1 리플렉터 층, 제2 리플렉터 층 및/또는 측면 리플렉터 층은 바람직하게는 도중에 중단되지 않고 연속적인 반사 작용을 하는 층으로 형성된다. 이를 통해, 각 리플렉터 층의 반사도가 소정의 중단점 영역에서 감소되는 일이 방지된다.
또 다른 바람직한 실시예에 따르면, 제1 리플렉터 층, 제2 리플렉터 층 및/또는 측면 리플렉터 층은 자체 길이의 위에 동일한 정도의, 바람직하게는 항수값을 가진 반사도를 포함한다. 실질적으로 각 층들의 모든 영역에 동일한 반사가 수행되는 것이 용이해진다.
또 다른 바람직한 실시예에 따르면, 제1 리플렉터 층 및/또는 제2 리플렉터 층의 측 방향 길이는 측면 리플렉터 층의 수직 길이보다 크고, 측면 리플렉터 층의 각 길이보다도 크다. 측면 리플렉터 층의 수직 길이가 비교적 작아서, 장치의 내부 길이는 작지만 복사 광선 방출면은 큰 면적으로 형성되는 조사 장치가 구형될 수 있다.
바람직하게는, 제1 리플렉터 층 및/또는 제1 리플렉터 층의 면적은 측면 리플렉터 층의 면적보다 크며, 측면 리플렉터 층들 중 하나의 면적보다 크거나 전체 측면 리플렉터 층들보다 크다. 따라서, 큰 면적의 복사 광선 방출면을 가진 조사 장치를 작고 콤팩트하게 제조하는 것이 용이해진다.
또 다른 바람직한 실시예에 따르면, 제2 리플렉터 층은 단일 또는 다수의 홈을 포함한다. 바람직하게는 상기 홈은 제2 리플렉터 층을 투과하는 복사 광선의 방출 개구부 도는 복사 광원이 진입하는 진입 개구부로 형성되거나 구비된다.
특히, 복사 광원의 복사 광선을 발생시키는 부재는 제2 리플렉터 층의 상기 제1 리플렉터 층을 향하지 않은 측에 간단히 배치될 수 있다. 이러한 부재에서 발생하는 복사 광선은 상기 홈에 의해 제2 리플렉터 층에서 반사되지 않고 제2 리플렉터 층의 영역을 투과하여 제1 리플렉터 층으로 입사된다.
또 다른 바람직한 실시예에 따르면, 다수의 복사 광원에 단일의 공통적 홈이 배치된다. 따라서 다수의 복사 광원으로부터 발생한 복사 광선은 단일의 공통 홈을 투과하여 제2 리플렉터 층의 영역을 투과해 나간다.
또 다른 바람직한 실시예에 따르면, 복사 광원에 각 고유한 홈이 이산되어(discrete) 배치된다. 상기 홈은 매우 간단하게 각 복사 광원에 일치하도록 형성될 수 있다.
이는 다수의 복사 광원을 위한 공통의 홈에 비하여, 출력 손실이 감소한다. 왜냐하면 이산된 다수 복사 광원들일 경우, 개개의 복사 광원이 종종 예컨대 조립 제한적으로 서로 이격되어 배치되어야 해서, 이 경우 홈의 면적은 복사 광선이 투과하여 나가기 위해 필요한 면적보다 확대되기 때문이다. 상기와 같이 복사 광선의 투과를 위해 필요하지 않은 홈의 면적으로 인해, 제1 리플렉터 층에서 반사된 후 제2 리플렉터 층을 투과하는 복사 광선 투과량이 증가된다. 이렇게 투과해 나간 복사 광선은 조사량에 있어서 상실된다. 그러나, 각각의 복사 광원을 위해 이산 배치된 홈에 비해 다수의 복사 광원들을 위한 단일의 홈이 경우에 따라 더 간단히 제조될 수 있다.
바람직하게는, 복사 광원 내지는 다수의 복사 광원들은 홈 내지는 홈들에 삽입된다. 이를 통해 작고 콤팩트한 조사 장치가 간단히 구현될 수 있다.
복사 광선이 상기 홈을 지나 제2 리플렉터 층의 상기 제1 리플렉터 층을 향하지 않은 측까지 방출되는 것으로 제한되는, 복사 광선의 방사 공간으로부터의 방출 작용은 홈이 그에 삽입되는 복사 광원과 서로 포개지며 일치하도록 형성됨으로써 감소될 수 있다. 예컨대 홈의 테두리는 마찰력에 의해 복사 광원으로 둘러싸인다.
또 다른 바람직한 실시예에 따르면, 복사 광원은 출력면을 포함하여, 복사 광원에서 발생한 복사 광선이 상기 출력면을 투과하여 나간다. 다수의 복사 광원들이 구비된 경우, 특히 복사 광원들은 출력면을 각각 구비하여, 복사 광원들로부터 발생한 복사 광선이 상기 출력면을 투과하여 나간다.
또 다른 바람직한 실시예에 따르면, 출력면 내지는 다수의 출력면은 제1 리플렉터 층과 제2 리플렉터 층 사이에 배치된다. 따라서, 복사 광선은 복사 광원으로부터 제1 및 제2 리플렉터 층 사이에서 출력될 수 있다.
예컨대 출력면은 제2 리플렉터 층의 내부에 있는 홈에 의해 제2 리플렉터 층으로 실행될 수 있다.
복사 광원의 복사 광선을 발생시키는 부재는 이 때 제1 리플렉터 층과 서로 마주보는 제2 리플렉터 층의 측에 배치될 수 있다. 출력면은 제2 리플렉터 층의 상기 제1 리플렉터 층을 향한 측에 배치될 수 있다. 바람직하게는, 출력면은 제2 리플렉터 층과 결합하거나 제2 리플렉터 층으로부터 이격되어 제1 및 제2 리플렉터 층 사이에 배치된다. 이러한 방식으로, 복사 광원으로부터 발생한 전체 복사 광선은 제2 리플렉터 층의 제1 리플렉터 층을 향한 측에서 실질적으로 출력된다.
대안적으로, 출력면은 제2 리플렉터 층의 제1 리플렉터 층과 등진 측에 배치될 수 있다. 이러한 경우, 발생된 복사 광선은 제2 리플렉터 층의 홈을 투과하여 제1 리플렉터 층에 반사될 수 있다. 상기와 같은 배치는 앞서 기재된 배치에 비해 경우에 따라 간단히 구현될 수 있다. 그러나, 앞서 기재된 배치와 달리, 조사 장치의 내부 길이가 커진다.
또 다른 바람직한 실시예에 따르면, 단일 또는 다수의 복사 광원은 제1 및 제2 리플렉터 층 사이에서 복사 광선을 발생시킨다. 따라서, 복사 광원의 복사 광선을 발생시키는 부재는 제1 및 제2 리플렉터 층 사이에 배치될 수 있다. 따라서, 작고 콤팩트한 조사 장치가 용이하게 형성될 수 있다. 경우에 따라, 제2 리플렉터 층이 복사 광원의 전기적 접촉에 기여할 수 있는데, 복사 광원이 제2 리플렉터 층에 배치된 경우가 그러하다. 이를 위해, 바람직하게는, 리플렉터 층은 복사 광원의 전기적 접촉을 위해 도전성을 가지도록 형성되거나 도전성을 가진 접촉 구조물을 구비한다.
또 다른 바람직한 실시예에 따르면, 단일 또는 다수의 출력면이 복사 광선 방출면 및/또는 제1 리플렉터 층과의 간격이 5mm 이하, 바람직하게는 2mm 이하, 더 바람직하게는 1 mm 이하이다. 출력면(들)과 제1 리플렉터 층이 상기와 같이 배치되는 것은 작고 콤팩트한 조사 장치가 용이하게 형성되도록 한다.
출력면이 제1 리플렉터 층 쪽으로 배치될 때 고려하는 점은, 제1 리플렉터 층의 표면 범선에 비스듬하게 입사되는 복사 광선량이 감소된다는 점이다. 상기와 같은 각도로 입사되는 복사 광선량이 감소한다는 것은 주어진 면적에 대해 측 방향으로 균일하게 조사되어야 하는 제1 및 제2 리플렉터 층에서의 반사 횟수가 증가한다는 것이다. 이러한 일들은 복사 광원(들)의 출력면(들)을 제1 리플렉터 층과 이격하여 배치함으로써 방지할 수 있다. 바람직하게는, 상기 간격은 0.7mm과 같거나 크다.
또 다른 바람직한 실시예에 따르면, 복사 광원은 가시 광선을 발생시키기 위해 구비된다.
또 다른 바람직한 실시예에 따르면, 단일 또는 다수의 복사 광원은 광선 방출 다이오드로 형성된다. 복사 광원으로의 광선 방출 다이오드는, 백열등 또는 형광체 파이프와 같은 종래의 복사 광원에 비해 공간 수요가 더 작고, 지속성이 오래가기 때문에, 콤팩트한 조사 장치에 특히 적합하다.
광선 방출 다이오드는, OLED(orgamosche licht emitting diode)와 같은 유기 발광 부재, 또는 비유기 발광 부재, 바람직하게는 예컨대 LED(licht emitting diode)와 같은 Ⅲ-Ⅴ-반도체 물질을 기반으로 한 반도체 칩을 포함할 수 있다. Ⅲ-Ⅴ-반도체 물질은 높은 내부 양자 효율로 인해 조사 장치의 반도체 칩을 위해 특히 적합하다.
바람직하게는, 광선 방출 다이오드는 특히 표면 실장 가능한 광전 소자로서 형성된다. 공간 효율(space-saving)이 좋은 표면 실장 기술(SMT: surface mounting technology)은 콤팩트한 조사 장치를 용이하게 형성하도록 한다.
또 다른 바람직한 실시예에 따르면, 복사 광원에서 발생한 복사 광선은, 특히 제1 리플렉터 층에 제1 입사되기 전에 예컨대 렌즈와 같은 광학 부재를 투과해나간다. 바람직하게는, 광학 부재는 복사 광원의 복사 광선을 발생시키는 부재와 제1 리플렉터 층 사이에 배치된다.
광학 부재를 이용하면, 복사 광원에서 발생한 복사 광선은 광학 부재의 복사 광선을 방출하는 측에서 방사 특징에 맞추어 형성될 수 있다. 특히, 광학 부재는 복사 광원을 이용해 조사된 면, 특히 제1 리플렉터 층의 면이 측 방향으로 균일하게 진행되는 조사 강도로 조사될 수 있도록 형성된다. 바람직하게는, 광학 부재를 구비하지 않은 복사 광원의 방사 특성에 비해, 광학 부재를 이용하면 복사 광원의 방사 특성이 빔 형성으로 인하여 증가된다. 따라서, 제1 리플렉터 층에서 복사 광원을 이용해 직접 조사되는 면이 확대된다.
효율적인 빔 형성을 위해, 개개의 복사 광원에 각각 배치된 임의의 광학 부재가 적합하다.
또 다른 바람직한 실시예에 따르면, 광학 부재의 표면은 광선을 방출하는 측에서, 특히 제1 리플렉터 층을 향한 측에서 오목하게 휘어진 부분 영역과 상기 오목하게 휘어진 부분 영역을 둘러싸며 볼록하게 휘어진 부분 영역을 포함한다. 복사 광원의 복사 광선을 발생시키는 부재를 투과하며 진행할 수 있는 광학 축은 바람직하게는 오목하게 휘어진 부분 영역을 관통하여 형성된다. 바람직하게는, 볼록하게 휘어진 부분 영역은 상기 광학 축과 이격되어 있다. 또한, 바람직하게는, 광학 부재, 그 중에서도 그것의 광학적 기능면은 광학 축에 대해 회전 대칭적으로 형성된다.
상기와 같은 형성은, 방사 특징의 대칭적인 확대를 간단히 달성할 수 있다. 이 때, 조사되어야 하고 특히 평면인 면에 대한 조사 강도는 측 방향으로 균일하게 분배되어 수행된다. 따라서, 제1 리플렉터 층의 직접 조사되는 면에서 복사속 분배가 비균일하게 수행되는 것은 방지될 수 있다. 이를 위해 회전 대칭적인 형성이 바람직한 것이다.
복사 광원의 출력면과 제1 리플렉터 층과의 간격은, 광학 부재를 이용하여 복사 광원의 방사 특징이 확대됨에 따라 제1 리플렉터 층의 조사가 지속적으로 균일하게 조사되도록 하기 위해 바람직하게는 작게 유지될 수 있다.
또 다른 바람직한 실시예에 따르면, 광학 부재는 별도의 광학 부재로서 복사 광원에 고정된다. 이 때 복사 광원의 출력면은 광학 부재의 복사 광선 방출면으로 형성될 수 있다. 광학 부재를 이용한 빔 형성은 복사 광원의 복사 광선을 발생시키는 부재에 인접하여 수행된다.
예컨대, 광학 부재는 복사 광원에 접착되거나, 바람직하게는 광학 부재에 인접하여 구비된 다수의 직선핀들(straight pins)을 이용하여 복사 광원에 삽입될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징들, 장점들 및 목적성은 도면들과 함께 기재된 실시예를 통해 제공된다.
도 1은 본 발명에 따른 조사 장치의 제1 실시예에 따른 단면도를 개략적으로 도시한다.
도 2는 본 발명에 따른 조사 장치의 제2 실시예에 따른 단면도를 개략적으로 도시한다.
도 3은 조사 장치에 특히 적합한 복사 광원의 배치를 도시한다.
도 4는 본 발명에 따른 조사 장치의 제3 실시예에 따른 단면도를 개략적으로 도시한다.
도 5는 본 발명에 따른 조사 장치의 제4 실시예에 다른 단면도를 개략적으로 도시한다.
도면에서 동일하거나 동일하게 작용하는 부재들은 동일한 참조번호로 표시한다.
도 1은 본 발명에 따른 조사 장치(10)의 제1 실시예에 따른 단면도를 개략적으로 도시한다.
조사 장치(10)는 제1 리플렉터(1)와 제2 리플렉터(2) 및 다수의 복사 광원을 포함한다. 도 1의 실시예에는 조사 장치의 제1 복사 광원(3) 및 제2 복사 광원(4)이 도시된다. 또한 이와는 구별되는 더 많은 복사 광원이 구비될 수도 있다. 조사 장치에 장착되는 복사 광원의 개수는 각 적용에 필요한 복사속양에 따르거나, 인간의 눈이 감지할 수 있는 광학적 크기로 구현되었을 때 그에 필요한 광 전류에 따라 결정된다.
또한 조사 장치(10)는 복사 광선 방출면(5)를 포함한다. 제1 리플렉터 층(1)은 복사 광선 방출면(5)과 복사 광원들(3, 4) 사이에 배치된다. 복사 광선 방출면(5)은 예컨대 제1 리플렉터 층의 상기 복사 광원을 향하지 않은 윗면으로 제공될 수 있다. 대안적으로, 경우에 따라서, 조사 장치의 제1 리플렉터 층의 상기 복사 광원을 등진 측에 배치된 부재의 윗면이 복사 광선 방출면을 형성할 수 있다.
제2 리플렉터 층(2)은 제1 리플렉터(1)의 상기 복사 광선 방출면(5)의 맞은편 측에 배치된다.
도 1은 조사 장치의 복사 광원으로부터 발생한 광선의 진행을 예컨대 제1 복 사 광원(3)으로부터 발생한 복사 광선량(81, 82, 83)의 방사 진행에 의거하여 도시한다.
복사 광선은 각 복사 광원의 출력면(6) 상부에서 복사 광원(3, 4)을 떠난다. 복사 광원의 광선추는 점선으로 도시된 라인(7)으로 제한된다. 제1 복사 광원(3) 및 제2 복사 광원(4)의 광선추는 제1 리플렉터 층 위에서 겹쳐진다.
제1 리플렉터 층에 겹쳐짐에도 불구하고, 제1 및 제2 리플렉터 층에서 복사 광선이 반사되는 것을 이용하여, 복사 광선을 방출하는 측에서 균일한 복사속 분배가 달성될 수 있다. 이는 서로 겹쳐지지 않고 이격된 광선추에 대해서도 동일하다.
출력면(6)위에서 제1 복사 광원(3)을 떠나는 복사 광선량(81)은 제1 리플렉터 층(1)에 특히 직선으로 및/또는 비스듬하게 입사되어 상기 리플렉터 층을 투과하여 나간다.
제1 복사 광원(3)으로부터 발생된 또 다른 복사 광선량(82)은 제1 리플렉터 층(1)에 비스듬하게 입사된 후 그 자리에서 반사된다. 이에 이어서, 상기 복사 광선량(82)은 제2 리플렉터 층에 입사되고, 그 자리에서 다시 제1 리플렉터 층 방향으로 반사되어 제1 리플렉터 층에 입사된 후, 상기 제1 리플렉터 층(1)을 통과해 나간다. 복사 광선량(82)이 제1 리플렉터 층에 첫번째 입사되는 지점(9)은 상기 복사 광선이 두번째로 입사되는 지점(99)와 측 방향으로 이격하고 있다. 제2 입사 지점(99)은 제1 입사 지점에 비해 복사 광원(3)으로부터 측 방향으로 더 넓게 이격된다.
복사 광원으로부터 발생된 복사 광선은 제1 리플렉터 층을 조사하고, 경우에 따라서는 제1 및 제2 리플렉터 층에서 일어나는 다중 반사에 맞추어 부분적으로 조사한다. 이 때, 일부의 복사 광선은 제1 리플렉터 층(1)을 이용하여 복사 광선 방출면(5)으로부터 이격되는 방향으로 반사된다.
제1 복사 광원 으로부터 발생된 복사 광선이 제1 리플렉터 층(1) 및/또는 제2 리플렉터 층(2)에서 반사되면서, 제1 리플렉터 층(1)의 복사 광원을 향한 측에서 조사 강도의 측 방향적 균일한 분배가 수행될 수 있다. 여기서 조사 강도는 복사 광원으로부터 발생되어 제1 리플렉터 층에 입사되는 광 전류에 대해 제1 리플렉터 층의 입사면의 평방 미터당 루멘값으로 측정된다. 특히, 복사 광원(3)을 이용해 직접 조사되지 않는 제1 리플렉터 층의 영역들은 제1 및/또는 제2 리플렉터 층에서 일어나는 반사 작용, 경우에 따라 다수의 반사 작용에 의해 조사될 수 있다. 이는 제2 복사 광원(4) 으로부터 발생된 복사 광선도 해당한다. 특히, 복사 광원으로부터 발생된 일부의 복사 광선은 제1 리플렉터 층(1)을 이용하여 복사 광선 방출면(5)으로부터 이격된 방향으로 반사된다. 이 때 바람직하게는, 기존의 복사 광선량은 제1 리플렉터 층을 통과해 나간다. 상기와 같은 기존의 복사 광선은 모든 조사 장치에 적용된다.
제1 리플렉터 층을 통과해 나가는 복사속은 복사 광선 방출면(5)에 균일하게 분배된다. 따라서, 조사 장치는 측 방향으로 균일하게 분배되는 특정한 빛의 복사도를 특징으로 한다. 상기 복사도는 조사 장치로부터 나오는 광 전류에 대해 방출면의 평방 미터당 루멘값으로 측정한다. 특히, 복사 광선 방출면(5) 상에서 소정의 지점(hot-spots)으로부터 증가된 복사속이 방출되는 것은 리플렉터 장치를 이용하 여 간단하게 방지될 수 있다.
또한, 조사 장치를 이용하여 조사될 면에 실질적으로 측 방향에서 항수값을 가진 조사 강도로 조사되는 것은 간단하게 달성될 수 있다.
제1 리플렉터 층(1) 및 제2 리플렉터 층(2)은 측 방향에서 서로 완전히 덮는다. 제1 리플렉터 층(1)은 또한 측 방향에서 복사 광원을 덮는다. 제1 및 제2 리플렉터 층은 바람직하게는 서로 평행하게 형성된다.
제1 리플렉터 층(1)과 제2 리플렉터 층(2) 사이에, 방사 공간(11)이 형성되고 바람직하게는 수직 방향에서 한정된다. 측 방향, 즉 제1 리플렉터 층의 주 연장 방향에서, 방사 공간(11)은 단일 또는 다수의 측면 리플렉터 층(12)을 통해 한정된다. 복사 광원으로부터 발생된 복사속은, 제1 및 제2 리플렉터 층과 측면 리플렉터 층들을 이용하여 방사 공간에만 집적될 수 있다. 방사 공간은 바람직하게는 복사 광선이 새나가지 않도록 형성되는데, 즉 복사 광원으로부터 발생된 복사 광선은 실질적으로 본 실시예에서 제1 리플렉터 층(1)으로 제공된 면 위에서만 방사 공간을 벗어난다. 측면 리플렉터 층들(12)로 인해 방사 공간(11)으로부터 복사 광선이 측 방향으로 출력되는 것을 예방된다.
이는 제1 리플렉터 층(1)으로부터 반사된 후 측면 리플렉터 층(12)에 입사되고, 상기 측면 리플렉터 층으로부터 다시 제2 리플렉터 층(2) 방향으로 반사되는 복사 광선량(83)에 의해 명확해진다. 측면 리플렉터 층(12)을 생략하면, 상기 복사 광선량(83)은 방사 공간(11)을 벗어나게 된다. 이는 방사 공간 내부에서 복사속이 감소하고, 그에 상응하여 복사 광선 방출면(5) 위로 방출되는 복사속이 예기치 않 게 감소되는 것을 의미한다. 제2 리플렉터 층(2)은 제1 리플렉터 층(1) 방향으로 다시 복사 광선량(83)을 반사한다.
복사 광선량(83)은 제2 리플렉터 층에서 계속 반사되거나, 제1 리플렉터 층(1)을 투과하여 나갈 수 있다.
측면 리플렉터 층(12)은 바람직하게는 제1 리플렉터 층(1) 으로부터 제2 리플렉터 층(2) 까지 수직 방향으로 연장된다. 특히 바람직하게는, 측면 리플렉터 층은 제1 및 제2 리플렉터 층에 대해 수직으로 형성된다. 측면 리플렉터 층(12)은 또한 제1 및/또는 제2 리플렉터 층에 직접 배치되거나 고정된다. 따라서, 복사 광선이 새나가지 않는 방사 공간(11)을 형서하기가 용이하다. 예컨대 개개의 리플렉터 층들은 접착 결합을 이용하여 결합될 수 있다.
제1 리플렉터 층(1), 제2 리플렉터 층(2) 및 측면 리플렉터 층들(12)은 바람직하게는 90% 이상, 더 바람직하게는 95% 이상, 혹은 98% 이상의 반사도를 포함한다. 이를 위해, 바람직하게는, 상기 리플렉터 층들은 금속으로 형성되거나 금속을 함유하여 형성된다. 따라서, 주요 복사 광선량이 제1 리플렉터 층 상부에서 방출된다면, 제2 리플렉터 층 및 측면 리플렉터 층들은 제1 리플렉터 층보다 큰 반사도를 포함하는데, 예컨대 100%까지 이를 수 있다. 리플렉터 층(들)이 금속을 함유하도록 형성되는 것, 예컨대 합금을 기반으로 하거나 금속 배선 또는 금속 미러 포일(mirror foil) 로서 형성되는 것은 조사 장치(10)에 특히 적합하다.
제1 리플렉터 층(1) 및 측면 리플렉터 층(들)은 바람직하게는 도중에 중단되지 않고 연속하여 반사되도록 형성된다. 바람직하게는, 리플렉터 층들은 자체의 상 부에서 실질적으로 반사도가 항수값을 가지는데, 따라서 제1 리플렉터 층에 입사되는 광선의 입사 지점으로부터 동일한 양의 광선이 반사되고, 제1 리플렉터 층을 통과하는 복사속의 양도 동일하게 할 수 있다.
바람직하게는, 제1 리플렉터 층은 제1 캐리어 부재(13) 상에, 제2 리플렉터 층은 제2 캐리어 부재(14) 상에, 및/또는 측면 리플렉터 층(들)은 제3 캐리어 부재(15) 상에 배치되거나 고정된다. 바람직하게는, 각 측면 리플렉터 층(12)은 서로 이산된(discreate) 캐리어 부재(15)에 배치된다. 캐리어 부재들(13, 14, 15)은 예컨대 조사 장치의 하우징의 일부를 형성할 수 있다. 개개의 리플렉터 층들은 개개의 캐리어 부재에 배치되고, 접착되어, 라미네이팅 되거나 증착될 수 있다.
바람직하게는, 제1 리플렉터 층(1)의 제1 캐리어 부재(13)는 제1 리플렉터 층의 상기 복사 광원들(3, 4)과 등지고 있는 측에 배치된다. 제1 캐리어 부재(13)는 복사 광원으로부터 발생한 복사 광선에 대해 투과성을 가지도록 형성된다. 경우에 따라서, 제1 캐리어 부재는 캐리어 부재를 통과해 나가는 복사 광선의 복사속 분배를 지속적으로 균일화 하기 위해 확산 부재, 예컨대 플렉시 유리(plexiglass)로 구성된 확산 플레이트(diffuser plate) 로서 형성될 수 있다. 제2 또는 제3 캐리어 부재는 흡수성을 가지도록 형성될 수 있는데, 이는 이들이 실질적으로 복사 광선 방출을 위해 기능하지 않고 각 리플렉터 층은 고 반사성을 가지기 때문이다.
제1 리플렉터 층(1)의 복사 광원을 향한 측에서의 조사 강도와 복사 광선 방출면에서 특정한 광 복사도와의 비율은 0.2 이하, 바람직하게는 0.1 이하, 더 바람직하게는 0.05 이하의 값을 가진다. 이는 위에 기재된 바와 같이 특히 98% 이상의 높은 반사도로 인해 달성될 수 있다.
놀라운 것은, 방사 공간(11)에서 복사속의 높은 집적도에도 불구하고 조사 장치로부터 나오는 복사속이 복사 광선 방출측에서 균일하게 분배되고, LCD와 같은 표시 장치의 배면광을 위해 적합하다는 것이다. 이 때 조사 장치는, 리플렉터 장치를 이용하여 복사속이 측 방향에서 분배됨에 따라 특히 콤팩트하게 형성될 수 있다.
바람직하게는, 조사 장치는 직방체형으로 형성된다.
바람직하게는 일체형으로 형성된 제2 리플렉터 층(2)은 다수의 홈(16)을 포함하는데, 상기 홈에 복사 광원들(3, 4)이 삽입된다. 복사 광원은 상기 홈에 삽입되어, 복사 광원의 출력면(6)은 제2 리플렉터 층의 제1 리플렉터 층을 향한 표면으로 연장된다. 이를 통해, 실질적으로 복사 광원을 떠나는 전체 광선량은 제1 및 제2 리플렉터 층 사이에서 복사 광원으로부터 출력될 수 있다. 홈(16)의 개수는 복사 광원의 개수와 동일하게 함으로써, 복사 광원이 구비되지 않은 홈을 투과해 나가는 복사 광선의 반사 손실이 방지될 수 있다. 홈(16)은 바람직하게는 제2 리플렉터 층을 지지하는 제2 리플렉터 층(14)을 관통하며 연장된다. 바람직하게는, 각 복사 광원에 고유한 홈이 이산 배치된다. 또한, 홈은 복사 광원에 맞추어지는데, 따라서 복사 광원은 개개의 홈과 함께 측 방향에서 마찰력에 의해 결합된다.
측면 리플렉터 층들(12) 및/또는 제2 리플렉터 층(2)을 투과해 나가는 복사 광선이 새나가지 않도록 방사 공간(11)을 형성하려면, 경우에 따라 측면 리플렉터 층들 또는 제2 리플렉터 층의 상기 방사 공간을 등진 측에 추가 리플렉터 층이 배 치될 수 있다. 상기와 같은 추가적 리플렉터 층은 도 1에 명확하게 도시되진 않지만, 도시된 리플렉터 층들 및 개개의 캐리어 부재 사이에 배치될 수 있다.
제1 리플렉터 층과 각 리플렉터 층- 측면 리플렉터 층(들) 또는 제2 리플렉터 층- 및 그에 상응하는 추가적 리플렉터 층을 포함하는 리플렉터 층 구조는 동일한 형태의 개별 리플렉터 층들로 간단히 구비될 수 있다. 이 때 제1 리플렉터 층에는 추가적 리플렉터 층을 생략할 수 있는데, 그래서 제1 리플렉터 층 상부에서 복사 광선 방출이 용이해진다.
바람직하게는, 복사 광원(3, 4)의 출력면(6) 으로부터 제1 리플렉터 층(5)까지의 간격은 5 mm 이하, 바람직하게는 2 mm 이하, 1 mm 이하값을 가진다. 따라서 작고 콤팩트한 조사 장치가 용이하게 형성된다. 상기 간격값은 0.7 mm 보다 큰 것이 바람직하다.
조사 장치(10)의 복사 광원(3, 4)은 광선 방출 다이오드로서 형성된다. 특히 바람직하게는, 광선 방출 다이오드는 가시 광선을 발생하기 위한 발광 다이오드로서 형성된다. 여기서, 광선 방출 다이오드들은, 광선을 발생시키기 위해 구비된 반도체 칩(17)을 포함한다. 반도체 칩은 광선 방출 다이오드 소자(20)의 하우징 몸체(19)의 캐비티(18)에 배치될 수 있다. 상기 하우징 몸체는 예컨대 플라스틱을 포함한다. 또한 바람직하게는, 반도체 칩은 예컨대 수지 또는 실리콘을 포함한 커버(21)로 덮이는데, 상기 커버는 반도체 칩을 외부의 영향들로부터 손상받지 않도록 보호한다. 표면 실장 가능한 광선 방출 다이오드 소자는 작고 콤팩트한 조사 장치를 위해 특히 적합하다. 도 1은 보다 명료함을 위해, 광선 방출 다이오드의 전기 적 연결을 도시하지 않는다.
또한, 복사 광원은 복사 광원 캐리어(22)에 배치될 수 있는데, 상기 캐리어는 복사 광원을 기계적으로 안정화한다. 복사 광원 캐리어는 조사 장치의 하우징의 후측벽을 형성한다. 광선 방출 다이오드 소자의 경우, 복사 광원 캐리어는 바람직하게는 도체판으로 형성되는데, 상기 도체판은 소자의 전기적 접촉을 위해 기능할 수 있다. 도시된 바와는 다르게, 복사 광원 캐리어(22)는 제2 캐리어 부재(14)에 직접 배치되거나, 경우에 따라서 상기 캐리어 부재에 고정될 수 있다. 표면 실장 가능한 광선 방출 다이오드 소자(SMD: surface mountable device)은 콤팩트한 조사 장치를 위해 특히 적합하다.
반도체 칩은 제1 리플렉터 층의 조사를 위해 경우에 따라 제2 리플렉터 층에 실장되고, 제2 리플렉터 층을 이용하여 전기적으로 접속될 수 있다. 여기서 제2 리플렉터 층은 바람직하게는 도전성을 가지고 바람직하게는 칩 캐리어로서 형성된다. 이러한 경우, 제1 및 제2 리플렉터 층 사이에서 광선이 발생된다. 복사 광원은 실질적으로 반도체 칩으로 형성될 수 있다.
복사 광원(3, 4)에서 발생된 복사 광선은 리플렉터 장치의 제1 리플렉터 층에 직접 또는 1회 입사되기 전에 광학 부재(23)를 통과해나간다.
복사 광원으로 광선 방출 다이오드를 장착한다면, 광학 부재(23)는 예컨대 복사 광원(3)에 도시된 바와 같이 커버(21)의 적합한 형태로 인해 다이오드에 통합되어 형성될 수 있다. 또는, 광학 부재는 복사 광원(4)에 예시적으로 도시된 바와 같이 별도의 광학 부재로서 광선 방출 다이오드 소자 상에 배치되고 및/또는 고정 될 수 있다.
광학 부재는 예컨대 광선 방출 다이오드에 삽입되거나 접착될 수 있다. 이를 위해, 바람직하게는 하우징 몸체 내부 및/또는 광학 부재에 인접하여 그에 상응하는 고정 장치가 형성된다. 고정 장치들은 명료함을 위해 정확하게 도시되진 않는다.
조사 장치를 위해 특히 적합하고, 광선 방출 다이오드에 고정될 수 있는 광학 부재를 구비한 복사 광원은 독일 특허 출원 DE 10 2005 020 908.4에 구체적으로 기재되며, 이의 개시 내용은 본 출원에서 상세하게 기재된다. 여기서 상기 광학 부재는 광선 방출 다이오드의 방사 특성의 확대 및 균일한 조사를 위해 특히 적합하다.
반도체 칩의 접촉을 위한 두 개의 연결부 외에, 광선 방출 다이오드는 별도의 열적 연결부를 포함하는데, 열적 연결부는 전기적 연결부와 분리되어 예컨대 열 싱크에 연결될 수 있다. 고 기능성-광선 방출 다이오드는 조사 장치를 위한 광선 방출 다이오드로 적합하다.
광선 방출 다이오드 또는 조사 장치를 위한 복사 광원으로서, 오스람 광전 반도체 회사(Osram Optp Semiconductor GmbH)의 이하의 모델명을 가진 소자가 적합하다: LB A670, LB W5SG.
예컨대, 마지막에 언급한 소자는 국제 특허 출원 WO 02/084749에 구체적으로 기재되며, 이의 개시 내용은 본 출원에서 참고 사항으로 기재된다. 이러한 소자는 많은 복사속이 발생시키기 위해 적합하다. 또한 이러한 소자의 하우징 몸체에 인접 하여 광학 부재가 고정된다. 예컨대 광학 부재에 인접하여 구비된 직선 핀들일 이용하여 삽입될 수 있다. 여기서 상기 소자는, 조사 장치에 광학 부재가 용이하게 구비되도록 크고 자유롭게 연결 가능한 표면을 가진다.
광학 부재(23)의 표면은 예컨대 렌즈로 형성되는데 바람직하게는 복사 광선을 방출하는 측에서 오목하게 휘어진 부분 영역(230)을 포함하고, 상기 오목한 영역을 투과하여 광학 축(231)이 형성된다. 광학 축(231)은 바람직하게는 복사 광원 특히 반도체 칩(17)을 통과하며 형성된다.
광학 부재(23), 특히 상기 부재의 복사 광선 방출면은 오목하게 휘어진 부분 영역을 포함하고, 특히 소정의 간격을 가지고 광학 축(231)을 측 방향으로 둘러싸며 볼록하게 휘어진 부분 영역(232)을 포함한다. 광학 부재의 복사 광선 방출면은 복사 광원의 출력면(6)을 형성하는 것이 바람직하다.
광학 부재(23)의 상기와 같은 형태는, 즉 반도체 칩의 광선을 발생시키는 부재의 방사 특성을 변형하지 않은 것에 비해, 복사 광원으로 하여금 확대된 방사 특성을 가지도록 할 수 있다. 복사 광선 출력면의 휘어진 형태 때문에, 복사 광선 출력측에서 광선은 광학 축으로부터 이격되면서 굴절된다. 이를 통해, 광학 부재의 복사 광선 방출면과 제1 리플렉터 층과의 간격이 주어졌을 때, 복사 광원을 이용해 직접 조사되는 제1 리플렉터 층의 영역은 확대된다. 이와 반대로, 광학 부재로 인해 방사 특성이 확대되는 것에 기인하여, 제1 리플렉터 층의 영역 중 조사되어야 할 부분 영역을 위해 복사 광원이 제1 리플렉터 층에 근접하여 배치될 수 있다. 따라서 복사 광선은 제1 리플렉터 층의 표면 범선에 대해 큰 각도로 더 많이 입사된 다. 따라서, 제1 리플렉터 층에서 비교적 큰 각도로 반사되는 것이 증가되고, 이를 통해 측 방향으로 균일한 조사가 간단하게 달성될 수 있다.
바람직하게는, 광학 부재(23)는 복사 광원을 이용해 조사되는 제1 리플렉터 층(1)의 평평한 부분 영역에 대한 조사 강도가 측 방향으로 균일하게 분배되도록 형성된다. 이를 위해, 특히 바람직하게는, 광학 부재(23)는 광학 축(231)에 대해 회전 대칭적으로 형성된다. 또한, 광학 축(231)은 바람직하게는 제1 리플렉터 층의 표면범선에 대해 평행하게 형성된다. 따라서, 제1 리플렉터 층(1)에 균일한 직접 조사가 용이하게 달성된다.
종합적으로, 광학 부재(23) 및 리플렉터 장치의 방사 공간(11)에서 일어나는 (다중) 반사에 의해 복사 광원의 방사특성이 미리 결정됨으로써, 조사 장치의 특정한 복사도가 복사 광선 방출면에서 균일하게 달성되며, 조사 장치는 작고 콤팩트하게 구현될 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 조사 장치는 복사 광선 방출면의 측에 위치한 조사되어야 할 면에 대해 균일한 조사를 용이하게 수행한다. 상기와 같은 장치는 예컨대 57'' 까지 이르는 대각선 평면(diagonal plane)을 가진 표시 장치를 위해 장착될 수 있다. 복사 광선 방출면에 있어서, 대각선 평면값이 더 큰 표시 장치는 조사 장치를 이용해 간단하게 제조되고 콤팩트하게 구현될 수 있다.
복사 광선 방출면 측에서 및/또는 제1 캐리어 부재(13)를 투과하여 나가는 복사 광선이 복사 광선 방출면(5)의 표면 범선에 대해 평행하게 진행하도록 하기 위해, 제1 리플렉터 층에서 복사 광원을 향하지 않은 측에 층 구조(24)가 배치될 수 있다. 상기와 같은 층 스택은 광도 증진 필름(BEF: brightness enhancement film) 으로 명명되는데, 이 때 표면 범선의 주변부에서 관찰자에 의해 인지되는 광도는 층 스택을 이용해 증가된다. 명암비(contrast)는 강화될 수 있다. D-BEF(double-BEF)는 광도 증진 필름으로서 특히 적합하다.
바람직하게는, 층 구조(24)는 다수의 개별층들을 포함하는데, 명료함의 이유로 개별층은 도시되지 않는다. 복사 광원으로부터 발생하여, 제1 리플렉터 층을 투과하여 나가는 복사 광선은 바람직하게는 제1 캐리어 부재 및/또는 층 구조(24)를 투과한 이후, 예컨대 LCD와 같이 배면광을 하는 표시 장치(25)에 입사되는데, 상기 표시 장치는 층 구조와 함께 제1 리플렉터 층에 배치된 층 결합물에 통합되어 바람직하게는 층 결합물을 종결짓는다.
도 2는 본 발명에 따른 조사 장치의 제2 실시예에 따른 단면도를 개략적으로 도시한다.
도 2에 따른 실시예는 도1에 도시된 실시예와 실질적으로 상응한다. 차이가 있다면, 복사 광원 캐리어(22)는 제1 캐리어 부재(14)에 직접 인접하여 배치되고 바람직하게는 고정된다.
또한, 도 2에 따른 조사 장치는 다수의 방사 유닛(30)을 포함하고, 상기 유닛은 특히 다수의 복사 광원을 포함한다. 이를 위해, 방사 유닛(30)은 제1 복사 광원(3), 제2 복사 광원(4) 및 제3 복사 광원(26)을 포함한다. 방사 유닛의 복사 광원은 바람직하게는 다양한 색의 광선을 쌍으로 생성한다. 예컨대, 제1 복사 광원(3)은 적색 스펙트럼 영역에서 복사 광선을 발생시키고, 제2 복사 광원(4)은 녹 색 스펨트럼 영역에서 복사 광원을 발생시키며, 제3 복사 광원(26)은 청색 스펙트럼 영역에서 복사 광선을 발생시킨다. 방사 유닛(30)을 이용하면, 다양한 색을 가진 복사 광선이 발생될 수 있다. 특히 다수의 복사 광원들이 동일한 시간을 가지고 구동할 때, 방사 유닛은 혼합된 색의 광선 예컨대 백색 광을 발생시킨다. 도 2는 방사 진행을 도시하지 않는다. 방사 유닛의 복사 광원은 바람직하게는 측 방향으로 나란히 그룹을 지어 배치된다.
제1 리플렉터 층(1)과 복사 광원의 출력면(6)의 간격은 예컨대 3.5 mm이다. 예컨대 제1 캐리어 부재(13)는 플렉시 유리로 된 3 mm 두께의 확산기로서 형성될 수 있다. 제1 리플렉터 층(1)과 제2 리플렉터 층(2)의 간격은 예컨대 5 mm이다. 또한 제3 캐리어 부재(15)는 제1 리플렉터 층과 제2 리플렉터 층 사이의 간격을 결정하고, 간격을 유지하는 것으로서 형성되는데, 높이는 5 mm이다. 예컨대 리플렉터 층들은 98%의 반사도를 가질 수 있다. 상기와 같은 조사 장치(10)의 총 두께는 10 mm이하값을 가질 수 있다. 상기와 같은 조사 장치를 이용하면, 복사 광선 방출면 측에서 배면광을 위한 종래의 표시 장치를 위해 필요한 휘도를 달성할 수 있다.
도 1 또는 도 2에 따르면, 직방체로 형성된 테스트-조사 장치는 평면도로 보았을 때 100 mm * 120 mm의 규격을 가진 직사각형 방출면을 가지고, 직방체의 저면에 대한 대각선 상에 70 mm 간격을 두고 배치된 두 개의 광선 방출 다이오드를 포함하는데, 상기 테스트-조사 장치는 복사 광선 방출 측에서 매우 균일한 복사속 분배가 달성되도록 한다. 개별 광원은 방출면 측에서 서로 상이하지 않게 된다.
도 3은 조사 장치에 있어서 특히 바람직한 방사 유닛의 복사 광원 배치를 개 략적으로 도시한다.
방사 유닛(30)은 제1 복사 광원(3), 제2 복사 광원(4), 제3 복사 광원(26) 및 제4 복사 광원(27)을 포함한다. 복사 광원들은 바람직하게는 광선 방출 다이오드로서 형성된다. 특히, 광전 반도체 칩을 이용하여 복사 광원들에서 복사 광선이 생성된다. 제2 복사 광원(4)은 적색 스펙트럼 영역에서 광선을 발생시키고, 제1 복사 광원 및 제3 복사 광원(26)은 녹색 스펙트럼 영역에서 광선을 발생시키며, 제4 복사 광원(27)은 청색 스펙트럼 영역에서 광선을 발생시키기 위해 형성된다. 따라서, 방사 유닛의 두 개의 복사 광원은 동일한 색의 광선, 특히 동일한 피크 파장의 광선, 예컨대 녹색 광선을 발생시키기 위해 형성될 수 있다.
조사 장치, 특히 평면의 조사 장치를 위한 것으로는 방사 유닛의 네 개의 복사 광원이 마름모꼴로 배치되는 것이 특히 적합하다. 바람직하게는, 제1 및 제3 복사 광원(3, 26)을 제외하고, 인접한 복사 광원들은 동일한 간격 a 를 가진다. 이러한 배치는, 방사 유닛을 이용하여 제1 리플렉터 층을 조사하기 위해 균일한 혼합색의 광을 발생시키는 데 있어서 매우 적합하다. 간격 a는 약 10 mm 가 바람직하다.
또한, 조사 장치는 다수의 방사 유닛을 포함하고, 이 때 개개의 방사 유닛은 두 개의 서로 다른 크기를 가진 육각형 모양의 격자 위에 배치된다. 바람직하게는, 개개의 복사 광원은 각각의 격자점을 중심으로 해서 그룹을 지어 배치된다.
도 4는 본 발명에 따른 조사 장치의 제3 실시예의 단면도를 개략적으로 도시한다.
도 4에 따른 실시예는 실질적으로 도1 및 도 2에 도시된 실시예에 상응하며, 여기서도 역시 방사 유닛(30)이 장착된다(도 2 및 도 3 참조). 방사 유닛의 복사 광원은 다양한 색의 광선을 발생시킬 수 있다. 이전의 도면들과 달리, 도 4에 따른 실시예에 따르면, 캐리어 부재(13, 14, 15)는 생략된다.
앞서 기재된 실시예와 달리, 도 4의 실시예에 따르면, 제1 리플렉터 층(1)과 제2 리플렉터 층(2) 사이에 광 도체(28)가 배치된다. 특히, 방사 공간(11)은 실질적으로 상기 광 도체(28)로 형성될 수 있다.
제1 리플렉터 층(1), 제2 리플렉터 층(2) 및/또는 측면 리플렉터 층들(12)은 광 도체의 윗면 상에 배치되거나 형성된다. 바람직하게는, 광 도체(28) 상에 배치된 모든 리플렉터 층들은 예컨대 증착 또는 라미네이팅된다. 예컨대, 금속 배선은 증착을 이용하여 광 도체(28) 상에 형성될 수 있고, 미러 포일은 상기 광 도체 상에 라미네이팅 될 수 있다. 바람직하게는, 리플렉터 층들을 위한 추가적인 캐리어 부재는 생략될 수 있다.
제1 리플렉터 층에서 복사 광원들(3, 4, 26)을 향하지 않은 측에는 확산 부재(29)가 배치된다. 도 1 또는 도 2에 따른 캐리어 부재(13)와 달리, 확산 부재는 제1 리플렉터 층을 기계적으로 지지하는 기능을 갖지 않는다. 오히려, 제1 및 제2 리플렉터 층 사이에 배치된 광 도체가 제1 리플렉터 층 및 또 다른 리플렉터 층들을 지지한다.
광 도체 내부에서, 복사 광원(3)의 측에 리세스(31)가 형성될 수 있고, 각 복사 광원의 출력면(6)이 상기 리세스에 삽입될 수 있다. 바람직하게는, 각 복사 광원마다 그러한 리세스(31)가 형성된다. 리세스들은 예컨대 광 도체를 제조할 때, 사출 성형 방법으로 광 도체 몸체내에 미리 성형될 수 있다.
출력면(6)과 광 도체(28) 사이에, 특히 리세스의 남은 공간에는, 예컨대 실리콘 젤과 같은 굴절 조절 물질이 배치될 수 있다. 따라서, 복사 광선이 상기 리세스로부터 광도체로 지나갈 때 광 도체에서 일어날 수 있는 굴절의 손실이 방지될 수 있다. 굴절 조절 물질은 바람직하게는 예컨대 공기와 같은 리세스 내부의 물질과 광 도체 내지는 광학 부재의 물질 사이의 굴절 균열을 감소시킨다. 바람직하게는, 굴절 조절 물질의 굴절률은 출력면의 측에 인접한 물질과 광 도체의 물질 사이에서 측정된다. 또한, 굴절 조절 물질은 바람직하게는 출력면과 광 도체에 인접한다. 리세스의 남은 공간은 실질적으로 상기 굴절 조절 물질로 충진될 수 있다.
캐리어 물질을 생략하고 경우에 따라 리플렉터 층(1, 2, 12)을 광 도체(28) 상에 배치하는 것도 생략함으로써, 작고 콤팩트한 조사 장치가 용이하게 형성된다.
도 5는 본 발명에 따른 조사 장치의 제4 실시예의 단면도를 개략적으로 도시한다. 도 5의 실시예는 실질적으로 도 4에 도시된 실시예와 상응한다.
차이가 있다면, 리세스(31)에서 출력면(6)의 맞은 편에 놓인 측에 리플렉터 부재(32)가 개별적으로 배치되고 및/또는 형성된다. 바람직하게는, 리플렉터 부재(32)의 단면이 광 도체로부터 출력면의 방향으로 뾰족해진다. 특히 바람직하게는, 리플렉터 부재는 광학 부재(23)의 광학 축(231)에 대해 대칭으로 배치된다. 예컨대 리플렉터 부재(32)는 금속과 같이 반사 가능을 높여주는 물질로 코팅될 수 있다. 바람직하게는 리플렉터 부재(32)는 실질적으로 삼각형 단면을 가진다.
리플렉터 부재를 이용하면, 출력면(6) 상부에서 복사 광원을 떠나는 복사 광 선은 경우에 따라 빔 형성에 대해 추가적으로 광학 부재(23) 내에서 측 방향으로 분배될 수 있다. 이러한 점은 복사 광선량(84)으로 명확히 알 수 있는데, 광학 축(231)에 대한 상기 복사 광선량의 각도는 리플렉터 부재에서 일어나는 반사 작용에 의해 확대된다. 따라서, 복사 광선이 제1 리플렉터 층에 입사되는 입사면적이 커진다. 결국, 제1 리플렉터 층에서 복사속이 큰 면적으로 분배되는 것이 간단하게 수행될 수 있다.
또한 리플렉터 부재는 출력면(6)으로부터 이격해있다. 광학 축에 대해 충분히 큰 각도를 가지는 복사 광선량은 리플렉터 부재에서의 반사 작용 없이 제1 리플렉터 층에 입사된다.
본 특허 출원은 2005년 9월 30일 날짜의 독일 특허 출원 DE 10 2005 047 154.4 및 2005년 12월 21일 날짜의 DE 10 2005 061 208.3의 우선권을 주장하고, 이의 개시내용은 본 특허 출원에서 반복적으로 기재된다.
본 발명은 실시예들에 의거한 기재 내용에만 제한되는 것은 아니다. 오히려 본 발명은 새로운 특징 및 각 특징들의 조합을 포괄하며, 특히 특징들의 조합은 특허 청구 범위에 포함된다. 비록 이러한 특징들 또는 그 조합이 그 자체로 특허 청구 범위 또는 실시예들에 명확하게 제공되지 않더라도 말이다.

Claims (29)

  1. 복사 광선 방출면(5);
    제1 리플렉터 층(1)과 제2 리플렉터 층(2)을 포함한 리플렉터 장치; 및
    복사 광원(3, 4, 26, 27)을 포함하는 조사 장치(10)에 있어서,
    상기 제1 리플렉터 층은 상기 복사 광선 방출면과 상기 복사 광원 사이에 배치되고, 상기 복사 광원으로부터 발생된 복사 광선은 상기 제1 리플렉터 층을 부분적으로 조사하며, 상기 제2 리플렉터 층은 상기 제1 리플렉터 층의 상기 복사 광선 방출면의 맞은편 측에 배치되는 것을 특징으로 하는 조사 장치(10).
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 조사 장치(10)는 상기 복사 광선 방출면(5)의 측 방향(lateral) 조사를 위해 형성되는 것을 특징으로 하는 조사 장치.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 조사 장치는 다수의 복사 광원들(3, 4, 26, 27)을 포함하는 것을 특징으로 하는 조사 장치.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 제1 리플렉터 층(1)은 상기 복사 광선 방출면(5)과 다수의 복사 광원 들(3, 4, 26, 27) 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 조사 장치.
  5. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 리플렉터(1) 층은 상기 단일 또는 다수의 복사 광원(3, 4, 26, 27)으로부터 발생된 복사 광선의 일부를 상기 복사 광선 방출면으로부터 이격된 방향으로 반사하는 것을 특징으로 하는 조사 장치.
  6. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 리플렉터 층(1)은 상기 제2 리플렉터 층(2)을 측 방향에서 완전히 덮거나 및/또는 그 반대로 형성되는 것을 특징으로 하는 조사 장치.
  7. 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 리플렉터 층(1) 및/또는 상기 제2 리플렉터 층(2)은 90% 이상, 바람직하게는 95% 이상, 더 바람직하게는 98% 이상의 반사도를 가지는 것을 특징으로 하는 조사 장치.
  8. 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 리플렉터 층(1) 및/또는 상기 제2 리플렉터 층(2)은 금속을 포함하거나, 금속성을 가지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 조사 장치.
  9. 청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 리플렉터 층(2)의 반사도는 상기 제1 리플렉터 층(1)의 반사도보다 큰 것을 특징으로 하는 조사 장치.
  10. 청구항 1 내지 청구항 9 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 리플렉터 층(2)의 상기 제1 리플렉터 층(1)에 대해 맞은편에 위치한 측에 추가적 리플렉터 층이 배치되는 것을 특징으로 하는 조사 장치.
  11. 청구항 1 내지 청구항 10 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 리플렉터 층(1) 및/또는 상기 제2 리플렉터 층(2)은 일체형으로, 특히 도중에 중단되지 않고 연속적인 반사 작용을 하는 층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 조사 장치.
  12. 청구항 1 내지 청구항 11 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 리플렉터 층(2)은 단일 또는 다수의 홈(16)을 구비하는 것을 특징으로 하는 조사 장치.
  13. 청구항 12에 있어서,
    상기 단일 또는 다수의 복사 광원(3, 4, 26, 27)은 상기 단일 또는 다수의 홈(16)에 삽입되는 것을 특징으로 하는 조사 장치.
  14. 청구항 12 또는 청구항 13에 있어서,
    상기 홈(16)은 상기 복사 광원(3, 4, 26, 27)에 각각 이산(discrete) 배치되는 것을 특징으로 하는 조사 장치.
  15. 청구항 1 내지 청구항 14 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 단일 또는 다수의 복사 광원(3, 4, 26, 27)은 각각 출력면(6)을 포함하여, 상기 복사 광원으로부터 발생된 복사 광선은 상기 출력면을 투과하면서 상기 복사 광원을 떠나는 것을 특징으로 하는 조사 장치.
  16. 청구항 15에 있어서,
    상기 단일 또는 다수의 출력면(6)이 복사 광선 방출면(5) 및/또는 상기 제1 리플렉터 층(1)에 이르는 간격은 5 ㎜ 이하, 바람직하게는 2 ㎜ 이하, 더 바람직하게는 1 ㎜ 이하의 값을 가지는 것을 특징으로 하는 조사 장치.
  17. 청구항 15 또는 청구항 16에 있어서,
    상기 단일 또는 다수의 출력면(6)은 상기 제1 리플렉터 층(1)과 상기 제2 리플렉터 층(2) 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 조사 장치.
  18. 청구항 1 내지 청구항 17 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 단일 또는 다수의 복사 광원(3, 4, 26, 27)은 광선 방출 다이오드(20)로서 형성되는 것을 특징으로 하는 조사 장치.
  19. 청구항 1 내지 청구항 18 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 단일 또는 다수의 복사 광원(3, 4, 26, 27)에서 발생된 복사 광선은 상기 제1 리플렉터 층(1)에 입사되기 전에 광학 부재(23)를 투과하는 것을 특징으로 하는 조사 장치.
  20. 청구항 19에 있어서,
    상기 복사 광원(3, 4, 26, 27)에 광학 부재(23)가 각각 배치되는 것을 특징으로 하는 조사 장치.
  21. 청구항 19 또는 청구항 20에 있어서,
    상기 광학 부재의 윗면은 복사 광선 방출 측에서 오목하게 휘어진 부분 영역(230)과 상기 오목하게 휘어진 부분 영역을 둘러싸면서 볼록하게 휘어진 부분 영역(232)을 포함하는 것을 특징으로 하는 조사 장치.
  22. 청구항 1 내지 청구항 21 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 리플렉터 장치는 측면 리플렉터 층(12)을 포함하고, 상기 측면 리플렉터 층은 상기 제1 리플렉터 층(1)으로부터 상기 제2 리플렉터 층(2)으로 연장되는 것을 특징으로 하는 조사 장치.
  23. 청구항 22에 있어서,
    상기 제1 리플렉터 층(1), 상기 제2 리플렉터 층(2) 및 상기 측면 리플렉터 층(12)을 이용하여 방사 공간을 형성하고, 상기 단일 또는 다수의 복사 광원 으로부터 발생된 복사속이 상기 방사 공간에 집적되는 것을 특징으로 하는 조사 장치.
  24. 청구항 22 또는 청구항 23에 있어서,
    상기 측면 리플렉터 층(12)은 상기 제1 리플렉터 층(1) 및/또는 상기 제2 리플렉터 층(2)에 인접하여 배치되는 것을 특징으로 하는 조사 장치.
  25. 청구항 22 내지 청구항 24 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 측면 리플렉터 층(12)은 90% 이상, 바람직하게는 95% 이상, 더 바람직하게는 98% 이상의 반사도를 가지는 것을 특징으로 하는 조사 장치.
  26. 청구항 22 내지 청구항 25 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 측면 리플렉터 층(12)의 반사도는 상기 제1 리플렉터 층(1)의 반사도보다 큰 것을 특징으로 하는 조사 장치.
  27. 청구항 22 내지 청구항 26 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 측면 리플렉터 층(12)은 금속을 포함하거나, 금속성으로 형성되는 것을 특징으로 하는 조사 장치.
  28. 청구항 22 내지 청구항 27 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 측면 리플렉터 층(12)은 일체형으로, 특히 도중에 중단되지 않고 연속적으로 반사 작용을 하는 층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 조사 장치.
  29. 청구항 1 내지 청구항 28 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 조사 장치(10)는 표시 장치의 배면광을 위해 구비되는 것을 특징으로 하는 조사 장치.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011025244A2 (ko) * 2009-08-25 2011-03-03 ㈜알텍테크놀로지스 조명 모듈
WO2012165721A1 (ko) * 2011-05-31 2012-12-06 엘지전자 주식회사 미세 셔터 표시장치

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI340010B (en) * 2006-08-04 2011-04-01 Everlight Electronics Co Ltd Circuit board with cooling functionality
DE102006056150A1 (de) * 2006-11-28 2008-05-29 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Vorrichtung zur Abstrahlung elektromagnetischer Strahlung und Anzeigevorrichtung
US7832896B2 (en) * 2008-04-18 2010-11-16 Lumination Llc LED light engine
DE202008008977U1 (de) * 2008-07-04 2009-11-19 Pasedag, Roland Beleuchtungskörper, insbesondere in der Form einer Rettungszeichenleuchte
US9070900B2 (en) * 2008-11-13 2015-06-30 Joled Inc Method of manufacturing display, and display
US20100302789A1 (en) * 2009-05-28 2010-12-02 Qing Li LED Light Source Module and Method for Producing the Same
JPWO2010146892A1 (ja) * 2009-06-15 2012-12-06 シャープ株式会社 照明装置、表示装置、及びテレビジョン受像器
JP5198662B2 (ja) * 2009-06-15 2013-05-15 シャープ株式会社 照明装置、表示装置、及びテレビジョン受像器
EP2426747A1 (en) * 2009-06-15 2012-03-07 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting module, illuminating device, display device, and television receiver
US8353615B2 (en) * 2009-09-02 2013-01-15 Dell Products L.P. Optically coupled light guide
US9303861B2 (en) 2009-09-14 2016-04-05 Us Vaopto, Inc. Light emitting diode light source modules
DE102009060607B4 (de) 2009-12-23 2015-10-29 Rp-Technik Gmbh Rettungszeichenleuchte mit erhöhter Lichtausbeute
DE102009061739B3 (de) * 2009-12-23 2019-11-14 Rp-Technik Gmbh Rettungszeichenleuchte mit erhöhter Lichtausbeute
DE102010014614B4 (de) 2010-04-10 2012-02-09 Ropag High-Tech Scheibenleuchte
JPWO2012004975A1 (ja) 2010-07-07 2013-09-02 パナソニック株式会社 配光制御装置およびそれを用いた発光装置並びに配光制御装置の製造方法
JP2014502029A (ja) * 2010-12-21 2014-01-23 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 照明システム及び製造方法
WO2012133889A1 (ja) 2011-03-31 2012-10-04 シャープ株式会社 照明装置、表示装置、及びテレビ受信装置
CN103597270B (zh) * 2011-04-04 2016-01-20 Lg伊诺特有限公司 照明装置
FR2987160B1 (fr) * 2012-02-22 2016-11-04 Derelec Dispositif de retro-eclairage et un ensemble de presentation comprenant un tel dispositif
JP5538479B2 (ja) * 2012-06-19 2014-07-02 三菱電機株式会社 Led光源及びそれを用いた発光体
JP6003382B2 (ja) * 2012-08-13 2016-10-05 市光工業株式会社 車両用灯具の半導体型光源、車両用灯具の半導体型光源ユニット、車両用灯具
CN103727415A (zh) * 2012-10-10 2014-04-16 欧司朗股份有限公司 照明装置
DE102012020985A1 (de) * 2012-10-25 2014-04-30 Bartenbach Holding Gmbh Beleuchtungsvorrichtung
JP6430719B2 (ja) * 2013-09-02 2018-11-28 株式会社小糸製作所 車両用灯具
US10663710B2 (en) * 2015-03-12 2020-05-26 Koninklijke Philips N.V. Illumination unit for digital pathology scanning
DE102016118030A1 (de) * 2016-09-23 2018-03-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes halbleiterbauteil
DE202017100470U1 (de) * 2017-01-30 2018-05-03 Zumtobel Lighting Gmbh Leuchte und (Vor-)Optik für Leuchte
US11561434B1 (en) * 2021-11-02 2023-01-24 Innolux Corporation Light-emitting module and electronic device

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB653927A (en) * 1948-06-23 1951-05-30 Leslie Peter Clarence Jack Dud Improvements in or relating to means for displaying steroscopic pictures
JP3187280B2 (ja) * 1995-05-23 2001-07-11 シャープ株式会社 面照明装置
US6007209A (en) * 1997-03-19 1999-12-28 Teledyne Industries, Inc. Light source for backlighting
DE10117889A1 (de) * 2001-04-10 2002-10-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leiterrahmen und Gehäuse für ein strahlungsemittierendes Bauelement, strahlungsemittierendes Bauelement sowie Verfahren zu dessen Herstellung
US6674096B2 (en) * 2001-06-08 2004-01-06 Gelcore Llc Light-emitting diode (LED) package and packaging method for shaping the external light intensity distribution
AU2002362166A1 (en) * 2001-11-27 2003-06-30 Yong Eun Ryu Decorative illumination, diffraction plate and signboard using diffraction phenomenon
WO2003071185A1 (en) * 2002-02-21 2003-08-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. Luminaire for emitting light having a variable color
US7025487B2 (en) * 2002-06-29 2006-04-11 Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft Lighting device
US6974229B2 (en) * 2003-05-21 2005-12-13 Lumileds Lighting U.S., Llc Devices for creating brightness profiles
JP2005142132A (ja) * 2003-10-14 2005-06-02 Honda Motor Co Ltd 車両用灯光装置
US7223005B2 (en) * 2003-12-23 2007-05-29 Lamb David J Hybrid lightguide backlight
US7152988B2 (en) * 2004-03-30 2006-12-26 Chi Mei Optoelectronics Corp. Direct point-light type backlight module and liquid crystal display using the same
WO2005106323A1 (en) * 2004-04-30 2005-11-10 Martin Professional A/S Variable colour lighting
DE102005020908A1 (de) 2005-02-28 2006-08-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beleuchtungsvorrichtung

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011025244A2 (ko) * 2009-08-25 2011-03-03 ㈜알텍테크놀로지스 조명 모듈
WO2011025244A3 (ko) * 2009-08-25 2011-07-07 ㈜알텍테크놀로지스 조명 모듈
KR101065003B1 (ko) * 2009-08-25 2011-09-16 (주)알텍테크놀로지스 조명 모듈
WO2012165721A1 (ko) * 2011-05-31 2012-12-06 엘지전자 주식회사 미세 셔터 표시장치
US8947473B2 (en) 2011-05-31 2015-02-03 Lg Electronics Inc. Micro-shutter display device

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