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KR20080063902A - Method for booting of multi-port semiconductor memory device - Google Patents

Method for booting of multi-port semiconductor memory device Download PDF

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Publication number
KR20080063902A
KR20080063902A KR1020070000469A KR20070000469A KR20080063902A KR 20080063902 A KR20080063902 A KR 20080063902A KR 1020070000469 A KR1020070000469 A KR 1020070000469A KR 20070000469 A KR20070000469 A KR 20070000469A KR 20080063902 A KR20080063902 A KR 20080063902A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
port
booting
memory
dram
processor
Prior art date
Application number
KR1020070000469A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
박종욱
김진국
이동혁
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020070000469A priority Critical patent/KR20080063902A/en
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    • G06F9/00Arrangements for program control, e.g. control units
    • G06F9/06Arrangements for program control, e.g. control units using stored programs, i.e. using an internal store of processing equipment to receive or retain programs
    • G06F9/44Arrangements for executing specific programs
    • G06F9/4401Bootstrapping

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Abstract

A method for booting a multi-port semiconductor memory device is provided to control booting of one port through another port by using an EMRS(Extended Mode Register Set) mode even if individual operation is performed through each port in the multi-port semiconductor memory device. A first booting code related to a first port and stored in a flash memory connected to a first port among a plurality of ports is stored, and booting related to the first port is performed based on the first booting code(S112). The booting related to a second port is performed by reading the booting code stored in the flash memory connected to the first code through an EMRS mode(S118). A semiconductor memory device is a dual port semiconductor memory device, and includes a shared memory area accessible through first and second ports.

Description

멀티 포트 반도체 메모리 장치의 부팅방법{Method for booting of multi-port semiconductor memory device}Method for booting of multi-port semiconductor memory device

도 1은 휴대용 통신 디바이스에 채용된 통상적인 멀티 프로세서 시스템의 블록도이고,1 is a block diagram of a typical multiprocessor system employed in a portable communication device,

도 2는 본 발명에 적용되는 메모리를 채용한 멀티 프로세서 시스템의 블록도이고,2 is a block diagram of a multiprocessor system employing a memory according to the present invention;

도 3은 종래기술에 따른 멀티 프로세서 시스템의 메모리 어레이 포션을 보여주는 블록도이고,3 is a block diagram illustrating a memory array portion of a multiprocessor system according to the prior art;

도 4는 일반적인 멀티패스 액세서블 디램을 갖는 멀티 프로세서 시스템의 블록도이고,4 is a block diagram of a multiprocessor system with a general multipath accessible DRAM,

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 멀티패스 액세서블 디램을 갖는 멀티 프로세서 시스템의 블록도이고,5 is a block diagram of a multiprocessor system having a multipath accessible DRAM according to an embodiment of the present invention;

도 6은 도 5의 부팅동작 순서도이다.6 is a flowchart illustrating a boot operation of FIG. 5.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

10 : 제1프로세서 12 ; 제2프로세서10: first processor 12; 2nd processor

17 : 디램 102 : 플래시 메모리17: DRAM 102: flash memory

본 발명은 반도체 메모리 장치의 부팅방법에 관한 것으로, 더욱 구체적으로는 멀티 프로세서 시스템에서의 멀티패스 액세서블 디램의 부팅방법에 관한 것이다.The present invention relates to a booting method of a semiconductor memory device, and more particularly, to a booting method of a multipath accessible DRAM in a multiprocessor system.

일반적으로, 복수의 억세스 포트를 가지는 반도체 메모리 소자는 멀티포트 메모리로 불려지고 특히 2개의 억세스 포트를 갖는 메모리 소자는 듀얼포트 메모리로 칭해지고 있다. 전형적인 듀얼포트 메모리는 본 분야에 널리 공지된 것으로서, 랜덤 시퀀스로 억세스 가능한 RAM포트와 시리얼 시퀀스만으로 억세스 가능한 SAM 포트를 가지는 이미지 프로세싱용 비디오 메모리이다. In general, a semiconductor memory device having a plurality of access ports is called a multiport memory, and in particular, a memory device having two access ports is called a dual port memory. A typical dual port memory is well known in the art and is a video memory for image processing having a RAM port accessible in a random sequence and a SAM port accessible only in a serial sequence.

한편, 후술될 본 발명의 설명에서 보다 명확하게 구별될 것이지만, 그러한 비디오 메모리의 구성과는 달리, SAM 포트를 가지지 않으며 디램 셀로 구성된 메모리 셀 어레이 중 공유 메모리 영역을 복수의 억세스 포트를 통하여 리드 또는 라이트 하기 위한 다이나믹 랜덤 억세스 메모리를 우리는 상기 멀티포트 메모리와 철저히 구별하기 위하여 본 발명에서 멀티패스 액세서블 반도체 메모리 장치라고 칭하기로 한다. On the other hand, although it will be more clearly distinguished from the description of the present invention to be described later, unlike the configuration of such a video memory, a shared memory region of a memory cell array having no SAM port and consisting of DRAM cells is read or written through a plurality of access ports. In order to thoroughly distinguish the dynamic random access memory from the multiport memory, the present invention will be referred to as a multipath accessible semiconductor memory device in the present invention.

오늘날 인간생활의 유비쿼터스 지향추세에 따라, 인간이 취급하게 되는 전자 시스템도 그에 부응하여 눈부시게 발전되어 지고 있다. 최근에 휴대용 전자 시스템 예를 들어 휴대용 멀티미디어 플레이어나 핸드 헬드 폰, 또는 PDA 등의 전자기기에 서는 기능이나 동작 수행의 고속화 및 원활화를 도모하기 위하여 제조 메이커는 도 1에서 보여지는 바와 같이 복수의 프로세서를 채용한 멀티 프로세서 시스템을 구현해왔다. In line with the ubiquitous orientation of human life today, the electronic systems that humans deal with are developing remarkably. Recently, in order to speed up and facilitate performance of functions or operations in a portable electronic system such as a portable multimedia player, a handheld phone, or an electronic device such as a PDA, a manufacturer may use a plurality of processors as shown in FIG. We have implemented a multiprocessor system.

도 1을 참조하면, 제1 프로세서(10)와 제2 프로세서(12)는 접속라인(L10)을 통해 서로 연결되어 있고, NOR 메모리(14)와 디램(16)은 설정된 버스들(B1-B3)을 통해 상기 제1 프로세서(10)에 버싱되고, 디램(18)과 NAND 메모리(20)는 설정된 버스들(B4-B6)을 통해 상기 제2 프로세서(12)에 버싱되어 있다. 여기서, 상기 제1 프로세서(10)는 통신신호의 변조 및 복조를 수행하는 모뎀기능을 가질 수 있고, 상기 제2 프로세서(12)는 통신 데이터의 처리나 게임, 오락 등의 수행을 위한 어플리케이션 기능을 가질 수 있다. 셀 어레이의 구성이 NOR 구조를 갖게 되는 NOR 메모리(14)와 셀 어레이의 구성이 NAND 구성을 갖게 되는 NAND 메모리(20) 모두는 플로팅 게이트를 갖는 트랜지스터 메모리 셀을 갖는 불휘발성 메모리로서, 전원이 오프되더라도 지워져서는 아니되는 데이터 예컨대 휴대용 기기의 고유 코드 및 보존 데이터의 저장을 위해 탑재되며, 디램들(16,18)은 프로세서의 데이터 처리를 위한 메인 메모리로서 기능한다. Referring to FIG. 1, the first processor 10 and the second processor 12 are connected to each other through a connection line L10, and the NOR memory 14 and the DRAM 16 are configured buses B1-B3. ) And the DRAM 18 and the NAND memory 20 are busted to the second processor 12 through the buses B4-B6. Here, the first processor 10 may have a modem function for performing modulation and demodulation of a communication signal, and the second processor 12 may have an application function for processing communication data, performing games, entertainment, and the like. Can have The NOR memory 14 having the NOR structure of the cell array and the NAND memory 20 having the NAND configuration of the cell array are both nonvolatile memories having transistor memory cells having floating gates, and the power supply is turned off. It is mounted for the storage of data which should not be erased even if it is unique, for example, the unique code of the portable device and the preservation data. The DRAMs 16 and 18 function as main memory for data processing of the processor.

그러나, 도 1과 같은 멀티 프로세서 시스템에서는 각 프로세서마다 디램이 각기 대응적으로 할당되고 상대적으로 저속의 UART,SPI,SRAM 인터페이스가 사용되기 때문에, 데이터 전송속도가 충분히 확보되기 어렵고 사이즈의 복잡성이 초래되며 메모리 구성 비용도 부담스럽다. 따라서, 점유 사이즈를 줄임은 물론 데이터 전송속도를 높이고 디램 메모리의 채용 개수를 줄이기 위한 스킴이 도 2에 도시되어 있다.However, in the multi-processor system as shown in FIG. 1, since each DRAM is allocated to each processor correspondingly and relatively low speed UART, SPI, and SRAM interfaces are used, data transfer rate is difficult to be secured sufficiently, resulting in size complexity. Memory configuration costs are also burdensome. Accordingly, a scheme for reducing the occupancy size, increasing the data transfer rate, and reducing the number of DRAM memories employed is illustrated in FIG. 2.

도 2를 참조하면, 도 1의 시스템에 비해 하나의 디램(17)이 제1 및 제2 프로세서(12)에 버스들(B1,B2)을 통해 연결되어있는 것이 특이하게 보여진다. 도 2의 멀티 프로세서 시스템의 구조와 같이 2개의 패스를 통하여 하나의 디램(17)을 각각의 프로세서가 억세스 하는 것이 가능하게 되려면, 2개의 포트가 상기 버스들(B1,B2)에 대응적으로 연결될 것이 요구된다. 그렇지만, 통상의 디램 은 잘 알려진 바와 같이 단일 포트(port)를 갖는 메모리이다. Referring to FIG. 2, it is unusual to see that one DRAM 17 is connected to the first and second processors 12 via buses B1 and B2 as compared to the system of FIG. 1. In order to enable each processor to access one DRAM 17 through two paths as in the structure of the multiprocessor system of FIG. 2, two ports may be connected to the buses B1 and B2. Is required. However, conventional DRAM is, as is well known, a memory having a single port.

따라서, 도 2와 같은 멀티 프로세서 시스템에는 메모리 뱅크의 구조나 포트의 구조에 기인하여 통상의 디램에는 적용이 어렵게 된다. Therefore, due to the structure of the memory bank and the structure of the port in the multi-processor system as shown in FIG. 2, it is difficult to apply to a conventional DRAM.

도 2와 같은 멀티 프로세서 시스템에 적합한 메모리를 기본적으로 구현하려는 본 발명자들의 의도와 유사하게, 공유 메모리 영역이 복수의 프로세서에 의해 억세스될 수 있는 도 3의 구성을 갖는 선행기술이 에우지니 피.매터(Matter)외 다수에 의해 발명되어 2003년 5월 15일자로 미합중국에서 특허공개된 공개번호 US2003/0093628호에 개시되어 있다. Similar to the intention of the inventors to basically implement a memory suitable for a multiprocessor system such as that of FIG. 2, the prior art with the configuration of FIG. 3 in which the shared memory region can be accessed by multiple processors is incorporated. No. US2003 / 0093628, invented by Matter et al. And published in the United States on May 15, 2003.

도 3을 참조하면, 메모리 어레이(35)는 제1,2,3 포션으로 이루어져 있고, 상기 메모리 어레이(35)의 제1 포션(33)은 포트(37)를 통해 제1 프로세서(70)에 의해서만 억세스되고 상기 제2 포션(31)은 포트(38)를 통해 제2 프로세서(80)에 의해서만 억세스되며, 제3 포션(32)은 상기 제1,2 프로세서(70,80)모두에 의해 억세스 되는 멀티 프로세서 시스템(50)이 보여진다. 여기서, 상기 메모리 어레이(35)의 제1,2 포션(33,31)의 사이즈는 상기 제1,2 프로세서(70,80)의 동작 부하에 의존하여 유동적으로 변경될 수 있으며, 메모리 어레이(35)의 타입은 메모리 타입 또는 디스크 저장타입으로 구현되어지는 것이 나타나 있다. Referring to FIG. 3, the memory array 35 includes first, second, and third portions, and the first portion 33 of the memory array 35 is connected to the first processor 70 through the port 37. Are accessed only by the second processor 31 through port 38 and the third portion 32 is accessed by both the first and second processors 70 and 80. The multiprocessor system 50 is shown. In this case, the sizes of the first and second portions 33 and 31 of the memory array 35 may be changed depending on the operating load of the first and second processors 70 and 80, and the memory array 35 may be changed. ) Is implemented as a memory type or a disk storage type.

디램 구조에서 제1,2 프로세서(70,80)에 의해 공유(shared)되는 제3 포션(32)을 메모리 어레이(35)내에 구현하기 위해서는 몇 가지의 과제들이 해결되어져야 한다. 그러한 해결 과제들 중의 하나로서, 메모리 어레이(35)내의 메모리 영역들 및 입출력 센스앰프의 배치와 각 포트에 대한 적절한 리드/라이트 패스(경로)제어 테크닉은 매우 중요한 과제이다. In order to implement the third portion 32 in the memory array 35 shared by the first and second processors 70 and 80 in the DRAM structure, some problems must be solved. As one of such challenges, the placement of memory regions and input / output sense amplifiers in the memory array 35 and proper read / write path control techniques for each port are of great importance.

또한, 종래의 프로세서들 예를 들어 모뎀과 애플리케이션 프로세서(혹은 멀티미디어 코프로세서)간의 통신을 위해서는 UART,SPI,혹은 SRAM 인터페이스가 사용되어 왔는데, 그러한 인터페이스는 속도의 제한, 핀 개수의 증가 등의 문제점이 수반된다. 특히, 3차원 게임이나 화상통신, HDPDA, 와이브로(wibro)등의 원활한 구현을 제공하기 위해서는 모뎀과 프로세서 간의 데이터 트래픽이 크게 늘어나야 하기 때문에, 프로세서들 간의 고속의 인터페이스의 필요성이 증가되는 실정이다. In addition, UART, SPI, or SRAM interfaces have been used for communication between conventional processors, for example, a modem and an application processor (or a multimedia coprocessor). Such an interface has problems such as speed limitation and an increase in pin count. Entails. In particular, in order to provide a smooth implementation of 3D games, video communication, HDPDA, WiBro, etc., data traffic between a modem and a processor must be greatly increased, and thus, a need for a high speed interface between processors is increased.

따라서, 따라서 둘 이상의 프로세서들을 가지는 멀티 프로세서 시스템에서 디램 메모리 셀 어레이 내에 할당된 공유 메모리 영역을 공유하면서, 메모리 외부의 저속 인터페이싱에 따른 문제까지도 제거할 수 있는 보다 적절한 해결책이 요망된다. 이러한 문제점을 해결하기 위해 본 출원인에 의해 2006년 07월 28일자로 출원된 국내 특허출원 제2006-0071455호에 디램 인터페이싱에 대한 발명이 기재되어 있다. Accordingly, there is a need for a more suitable solution that can share the shared memory area allocated within the DRAM memory cell array in a multiprocessor system with two or more processors, while eliminating the problem of low speed interfacing outside the memory. In order to solve this problem, the invention for DRAM interfacing is described in Korean Patent Application No. 2006-0071455 filed on July 28, 2006 by the applicant.

한편 이러한 멀티 프로세서(포트) 시스템에서 각각의 프로세서(포트)를 통한 상기 디램의 부팅이 문제된다. 즉 서로 개별적인 동작을 수행하는 각각의 프로세서(포트)들이 개별적으로 부팅을 수행할 수 없는 경우에 이에 대한 부팅방법이 문제된다.Meanwhile, booting of the DRAM through each processor (port) in the multi-processor (port) system is problematic. That is, when each processor (port) that performs separate operations with each other cannot boot individually, a booting method for this is problematic.

따라서, 본 발명의 목적은 상기한 종래의 문제점을 극복할 수 있는 반도체 메모리 장치의 부팅방법을 제공하는 데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a booting method of a semiconductor memory device that can overcome the above-described conventional problems.

본 발명의 다른 목적은 복수의 포트를 통한 개별적인 동작을 수행하더라도 어느 하나의 포트를 통한 부팅을 또 다른 포트를 통하여 제어할 수 있도록 할 수 있는 반도체 메모리 장치 부팅방법을 제공하는 데 있다. Another object of the present invention is to provide a method of booting a semiconductor memory device capable of controlling booting through one port through another port even when performing individual operations through a plurality of ports.

상기한 기술적 과제들의 일부를 달성하기 위한 본 발명의 구체화에 따라, 본 발명에 따른 복수개의 포트를 통하여 액세스되는 메모리 영역들을 메모리 셀 어레이 내에 가지는 반도체 메모리 장치(DRAM)의 부팅 방법은, 복수의 포트들 중 어느 하나인 제1포트에 연결되는 플래시 메모리에 저장된 상기 제1포트 관련 제1부팅코드를 저장하고, 상기 제1부팅코드를 통한 상기 제1포트 관련 부팅을 수행하는 단계와; 복수의 포트들 중 다른 하나인 제2포트관련 부팅을 상기 제1포트에 연결된 플래시 메모리에 저장된 부팅코드를 미리 설정된 EMRS 모드를 통하여 읽어 들여 수행하는 단계를 구비한다.According to an embodiment of the present invention for achieving some of the technical problems described above, a booting method of a semiconductor memory device (DRAM) having memory regions in a memory cell array accessed through a plurality of ports according to the present invention, Storing the first boot code related to the first port stored in a flash memory connected to the first port, which is one of the first ports, and performing booting related to the first port through the first boot code; And booting a boot code stored in a flash memory connected to the first port through another EMRS mode, which is one of a plurality of ports.

상기 반도체 메모리 장치는 듀얼포트 반도체 메모리 장치일 수 있으며, 상기 반도체 메모리 장치는 상기 제1포트 및 상기 제2포트 모두를 통하여 액세스가 가능한 공유 메모리 영역을 구비할 수 있다.The semiconductor memory device may be a dual port semiconductor memory device, and the semiconductor memory device may include a shared memory region accessible through both the first port and the second port.

상기한 기술적 과제들의 일부를 달성하기 위한 본 발명의 다른 구체화에 따라, 본 발명에 따른 두개의 프로세서들과, 상기 두개의 프로세서들 모두에 의해서 억세스되는 공유 메모리 영역을 적어도 구비하는 디램(DRAM)과, 상기 두개의 프로세서 중 어느 하나의 프로세서와 연결되는 플래시 메모리를 구비하는 멀티 프로세서 시스템의 부팅방법은, 상기 플래시 메모리에 상기 두개의 프로세서들의 부팅코드들을 저장하는 단계와; 상기 플래시 메모리에 연결된 하나의 프로세서에 대응되는 부팅 코드를 상기 디램에 저장하고, 이를 통한 부팅을 수행하는 단계와; 미리 설정된 EMRS 모드를 통하여 부팅되지 않는 나머지 프로세서에 대응되는 부팅코드를 상기 디램에 저장하고 상기 나머지 프로세서를 부팅하는 단계를 구비한다.According to another embodiment of the present invention for achieving some of the above technical problems, there is provided a DRAM (DRAM) having at least two processors according to the present invention, a shared memory area accessed by both processors and A booting method of a multi-processor system having a flash memory connected to one of the two processors, the method comprising: storing boot codes of the two processors in the flash memory; Storing a boot code corresponding to one processor connected to the flash memory in the DRAM and performing booting through the DRAM; And storing a boot code corresponding to a remaining processor that does not boot through a preset EMRS mode in the DRAM and booting the remaining processor.

상기한 구성에 따르면, 복수의 포트를 통한 개별적인 동작을 수행하더라도 어느 하나의 포트를 통한 부팅을 또 다른 포트를 통하여 제어할 수 있다. According to the above configuration, even if performing individual operations through a plurality of ports it is possible to control booting through any one port through another port.

이하에서는 본 발명의 바람직한 실시예가, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 철저한 이해를 제공할 의도 외에는 다른 의도 없이, 첨부한 도면들을 참조로 하여 상세히 설명될 것이다. DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, without any other intention than to provide a thorough understanding of the present invention to those skilled in the art.

도 4는 일반적인 멀티패스 액세서블 디램을 갖는 멀티 프로세서 시스템의 블록도이다. 본 발명의 이해를 위하여 일반적인 경우를 설명하고 이후에 본발명의 실시예를 설명하기로 한다. 4 is a block diagram of a multiprocessor system with a general multipath accessible DRAM. For the understanding of the present invention, a general case will be described, and then embodiments of the present invention will be described.

도면을 참조하면, 휴대용 통신 시스템은, 제1 동작을 수행하는 제1 프로세서(10)와, 제2동작을 수행하는 제2 프로세서(12)와, 상기 제1,2 프로세서들(10,20)에 의해 억세스되는 메모리 영역들을 메모리 셀 어레이 내에 가지는 디램(17)을 구비한다. 또한, 상기 휴대용 통신 시스템은 각각의 버스를 통해 제1,2 프로세서(10,12)와 연결되는 플래시 메모리들(101,102)을 포함한다. Referring to the drawings, a portable communication system includes a first processor 10 performing a first operation, a second processor 12 performing a second operation, and the first and second processors 10 and 20. And a DRAM 17 having memory areas accessed by the memory cell array. The portable communication system also includes flash memories 101, 102 connected to the first and second processors 10, 12 via respective buses.

한정되는 것은 아니지만, 도 4에 도시된 상기 디램(17)은 서로 독립적인 2개의 포트를 갖는다. 편의상 신호(INTa)가 출력되는 포트(A)를 제1 포트라고 하면 이는 범용입출력(GIPO)라인을 통하여 상기 제1 프로세서(10)와 연결된다. 신호(INTb)가 출력되는 포트(B)를 제2 포트라고 하면 이는 범용입출력(GIPO)라인을 통하여 상기 제2 프로세서(12)와 연결된다. 여기서, 상기 제1 프로세서(10)는 통신신호의 변조 및 복조를 수행하는 모뎀기능이나 베이스 밴드 처리 기능을 프로세싱 기능으로써 가질 수 있고, 상기 제2 프로세서(12)는 통신 데이터의 처리나 게임, 동영상, 오락 등의 수행을 위한 애플리케이션 기능을 프로세싱 기능으로써 가질 수 있다. 필요한 경우에 상기 제2 프로세서(12)는 멀티미디어 코프로세서 일 수 있다. Although not limited, the DRAM 17 shown in FIG. 4 has two ports independent of each other. For convenience, if the port A to which the signal INTa is output is a first port, it is connected to the first processor 10 through a general-purpose input / output (GIPO) line. When the port B, from which the signal INTb is output, is referred to as a second port, it is connected to the second processor 12 through a general purpose input / output (GIPO) line. Here, the first processor 10 may have a modem function or a baseband processing function for processing modulation and demodulation of a communication signal as a processing function, and the second processor 12 may process communication data, a game, or a moving picture. Application functions for performing entertainment, entertainment, and the like. If necessary, the second processor 12 may be a multimedia coprocessor.

또한, 상기 플래시 메모리들(101,102)은 메모리 셀 어레이의 셀 연결구성이 NOR 구조 또는 NAND 구조로 되어 있고 메모리 셀이 플로팅 게이트를 갖는 모오스 트랜지스터로 되어 있는 불휘발성 메모리이다. 상기 플래시 메모리들(101,102)은 전원이 오프되더라도 지워져서는 아니되는 데이터 예컨대 휴대용 기기의 고유 코드 및 보존 데이터의 저장을 위한 메모리로서 탑재된다. In addition, the flash memories 101 and 102 are nonvolatile memories in which a cell connection configuration of a memory cell array has a NOR structure or a NAND structure, and a memory transistor has a MOS transistor having a floating gate. The flash memories 101 and 102 are mounted as a memory for storing data, which is not to be erased even when the power is turned off, such as unique codes of the portable device and preserved data.

도 4에 도시된 바와 같이, 듀얼 포트를 갖는 상기 디램(17)은, 프로세서 들(10,12)에 실행되어질 수 있는 명령들과 데이터를 저장하기 위해 사용될 수 있다. 또한, 상기 디램(17)은 상기 제1,2 프로세서들(10,12)간의 인터페이싱 기능을 담당한다. 프로세서들(10,12) 간의 통신 시 외부 인터페이스 대신에 디램 인터페이스가 사용된다. 세맵퍼 영역과 메일박스 영역들을 갖는 디램 내의 인터페이스 부를 활용함에 의해 상기 프로세서들(10,12)은 공통으로 억세스 가능한 공유 메모리 영역을 통해 데이터 통신을 수행한다. 프로세서들 간 호스트 인터페이싱이 메모리 내부를 통해 제공될 경우에 할당된 공유 메모리 영역을 복수의 프로세서들이 고속으로 억세스할 수 있게 되어, 데이터 전송 및 처리속도가 개선되고 시스템 사이즈가 콤팩트하게 된다. As shown in FIG. 4, the DRAM 17 having dual ports may be used to store instructions and data that may be executed on the processors 10 and 12. In addition, the DRAM 17 is responsible for an interfacing function between the first and second processors 10 and 12. The DRAM interface is used instead of the external interface in the communication between the processors 10 and 12. By utilizing an interface unit in the DRAM having a semaphorer area and a mailbox area, the processors 10 and 12 perform data communication through a common accessible memory area. When host interfacing between processors is provided through memory, a plurality of processors can access the allocated shared memory area at high speed, thereby improving data transfer and processing speed and making the system size compact.

상기 도 4의 시스템은 이동통신 디바이스(예 셀룰러 폰), 양방향 라디오 통신 시스템, 단방향 페이저, 양방향 페이저, 개인용 통신 시스템, 또는 휴대용 컴퓨터, 등과 같은 휴대용 컴퓨팅 디바이스 또는 휴대용 통신 디바이스가 될 수 있다. 본 발명의 스코프와 응용이 이들에 한정되는 것이 아님은 이해되어야 한다. The system of FIG. 4 may be a portable computing device or portable communication device, such as a mobile communication device (eg, cellular phone), a two-way radio communication system, a one-way pager, a two-way pager, a personal communication system, or a portable computer. It should be understood that the scope and application of the present invention is not limited thereto.

상기 도 4의 시스템에서 프로세서들의 개수는 3개 이상으로 확장될 수 있다. 상기 시스템의 프로세서는 마이크로프로세서, CPU, 디지털 신호 프로세서, 마이크로 콘트롤러, 리듀스드 명령 세트 컴퓨터, 콤플렉스 명령세트 컴퓨터, 또는 그와 유사한 것이 될 수 있다. 그러나 시스템 내의 프로세서들의 개수에 의해 본 발명의 범위가 제한되지 않음은 이해되어져야 한다. 부가하면, 본 발명의 범위는 프로세서들이 동일 또는 다르게 되는 경우에 프로세서들의 어느 특별한 조합에 한정되지 않는다. In the system of FIG. 4, the number of processors may be extended to three or more. The processor of the system may be a microprocessor, a CPU, a digital signal processor, a microcontroller, a reduced instruction set computer, a complex instruction set computer, or the like. However, it should be understood that the scope of the present invention is not limited by the number of processors in the system. In addition, the scope of the present invention is not limited to any particular combination of processors when the processors become identical or different.

상술한 바와같은 시스템에서 상기 디램의 부팅시에는 각각의 포트에 연결된 제1프로세서(10) 또는 제2프로세서(12) 각각에 의해 개별적으로 부팅이 이루어진다. 예를 들어 상기 제1프로세서(10)를 통하여는 상기 제1프로세서(10)에 연결된 상기 플래시 메모리(101)에 저장된 부팅코드를 통하여 부팅이 이루어지고, 상기 제2프로세서(12)를 통하여는 상기 제2프로세서(10)에 연결된 상기 플래시 메모리(102)에 저장된 부팅코드를 통하여 부팅이 이루어진다.In the system described above, when the DRAM is booted, booting is performed separately by each of the first processor 10 or the second processor 12 connected to each port. For example, booting is performed through a boot code stored in the flash memory 101 connected to the first processor 10 through the first processor 10, and through the second processor 12. Booting is performed through a boot code stored in the flash memory 102 connected to the second processor 10.

이때 상기 제1프로세서(10) 또는 제2프로세서(12)에 각각 연결되는 플래시 메모리들(101,102) 중 어느 하나의 메모리가 구비되지 않는 경우에는, 예를 들어 상기 제1프로세서(10)에 연결되는 플래시 메모리(101)가 구비되지 않는 경우에는 상기 제1프로세서(10)를 통한 부팅은 수행될 수 없는 문제점이 발생될 수 있다.In this case, when any one of the flash memories 101 and 102 connected to the first processor 10 or the second processor 12 is not provided, for example, the first processor 10 is connected to the first processor 10. When the flash memory 101 is not provided, a problem may occur in that booting through the first processor 10 cannot be performed.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 멀티패스 액세서블 디램을 갖는 멀티 프로세서 시스템의 블록도이다.5 is a block diagram of a multiprocessor system having a multipath accessible DRAM according to an embodiment of the present invention.

도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 멀티패스 액세서블 디램을 갖는 멀티 프로세서 시스템은, 제1 동작을 수행하는 제1 프로세서(10)와, 제2동작을 수행하는 제2 프로세서(12)와, 상기 제1,2 프로세서들(10,20)에 의해 액세스되는 메모리 영역들을 메모리 셀 어레이 내에 가지는 디램(17)을 구비한다. 또한, 상기 멀티프로세서 시스템은 제1,2 프로세서(10,12) 중 어느 하나(예를 들어 제2프로세서)와 연결되는 하나의 플래시 메모리(102)를 포함한다. As shown in FIG. 5, a multiprocessor system having a multipath accessible DRAM according to an embodiment of the present invention may include a first processor 10 performing a first operation and a second operation performing a second operation. And a DRAM 17 having memory regions in the memory cell array accessed by the first and second processors 10 and 20. The multiprocessor system also includes one flash memory 102 that is coupled to either one of the first and second processors 10 and 12 (eg, the second processor).

한정되는 것은 아니지만, 도 4에 도시된 상기 디램(17)은 서로 독립적인 2개의 포트를 갖는다. 편의상 신호(INTa)가 출력되는 포트(A)를 제1 포트라고 하면 이 는 범용입출력(GIPO)라인을 통하여 상기 제1 프로세서(10)와 연결된다. 신호(INTb)가 출력되는 포트(B)를 제2 포트라고 하면 이는 범용입출력(GIPO)라인을 통하여 상기 제2 프로세서(12)와 연결된다. 여기서, 상기 제1 프로세서(10)는 통신신호의 변조 및 복조를 수행하는 모뎀기능이나 베이스 밴드 처리 기능을 프로세싱 기능으로써 가질 수 있고, 상기 제2 프로세서(12)는 통신 데이터의 처리나 게임, 동영상, 오락 등의 수행을 위한 애플리케이션 기능을 프로세싱 기능으로써 가질 수 있다. 필요한 경우에 상기 제2 프로세서(12)는 멀티미디어 코프로세서 일 수 있다. Although not limited, the DRAM 17 shown in FIG. 4 has two ports independent of each other. For convenience, if the port A from which the signal INTa is output is a first port, the port A is connected to the first processor 10 through a general-purpose input / output (GIPO) line. When the port B, from which the signal INTb is output, is referred to as a second port, it is connected to the second processor 12 through a general purpose input / output (GIPO) line. Here, the first processor 10 may have a modem function or a baseband processing function for processing modulation and demodulation of a communication signal as a processing function, and the second processor 12 may process communication data, a game, or a moving picture. Application functions for performing entertainment, entertainment, and the like. If necessary, the second processor 12 may be a multimedia coprocessor.

또한, 상기 플래시 메모리(102)는 메모리 셀 어레이의 셀 연결구성이 NAND 구조로 되어 있고 메모리 셀이 플로팅 게이트를 갖는 모오스 트랜지스터로 되어 있는 불휘발성 메모리일 수 있다. 상기 플래시 메모리(102)는 전원이 오프되더라도 지워져서는 아니되는 데이터 예컨대 휴대용 기기의 고유 코드 및 보존 데이터의 저장을 위한 메모리로서 탑재된다. 예를 들면 부팅코드를 저장한다.In addition, the flash memory 102 may be a nonvolatile memory in which a cell connection structure of a memory cell array has a NAND structure and the memory cell is a MOS transistor having a floating gate. The flash memory 102 is mounted as a memory for storing data, which is not to be erased even when the power is turned off, such as a unique code of the portable device and storage data. For example, save the boot code.

상술한 바와 같은 구조를 가지는 시스템에서의 부팅동작은 EMRS 모드를 통하여 수행될 수 있다. 상기 EMRS(Extended Mode Register Set)는 메모리 장치의 동작 모드, 즉 카스 레이턴시 (Column Address Strobe latency)나 버스트 길이(Burst length) 등의 일반적인 동작 모드 이외의, 추가적인 동작 모드를 설정하기 위한 것으로써, 드라이버 구동능력(Driver strength), TCSR(Temperature Compensated Self Refresh), PASR(Partial Array Self Refresh)을 설정할 수 있다. 따라서, EMRS 모드로 다른 포트의 부팅동작을 제어할 수 있도록 설정한다.The booting operation in the system having the structure as described above may be performed through the EMRS mode. The extended mode register set (EMRS) is to set an operation mode of the memory device, that is, an additional operation mode other than a general operation mode such as column address strobe latency and burst length. Driver strength, Temperature Compensated Self Refresh (TCSR), and Partial Array Self Refresh (PASR) may be set. Therefore, it is set to control the boot operation of another port in EMRS mode.

도 5의 경우에 있어서, 부팅 동작은 도 6을 통하여 설명한다.In the case of FIG. 5, the booting operation will be described with reference to FIG. 6.

도 6에 도시된 바와 같이, 우선 상기 플래시 메모리(102)인 낸드플래시의 부팅코드를 상기 디램(17)에 저장한다(S110). 예를 들면 상기 디램(17)의 C, D 뱅크에 상기 부팅코드를 저장한다. 상기 부팅코드를 이용하여 상기 제2프로세서(AP;12)를 통한 부팅이 수행된다(S112). 이후 EMRS 모드가 시작된다(S114). 상기 EMRS 모드가 시작됨에 따라 설정된 동작에 따라 상기 플래시 메모리(102)에 저장된 상기 제1프로세서(10)를 위한 부팅코드를 읽어들여 상기 디램의 메모리 뱅크에 저장한다. 예를 들면 B 뱅크에 저장한다(S116). 상기 제1프로세서(10)를 위한 부팅코드를 통하여 모뎀인 제1프로세서(10)의 부팅이 수행된다(S118). As shown in FIG. 6, first, a boot code of the NAND flash, which is the flash memory 102, is stored in the DRAM 17 (S110). For example, the boot code is stored in the C and D banks of the DRAM 17. A boot through the second processor (AP) 12 is performed using the boot code (S112). After that, the EMRS mode is started (S114). The boot code for the first processor 10 stored in the flash memory 102 is read and stored in the memory bank of the DRAM according to the operation set as the EMRS mode starts. For example, the data is stored in the B bank (S116). The boot of the first processor 10, which is a modem, is performed through the boot code for the first processor 10 (S118).

상술한 바와 같이, 반도체 메모리 장치가 복수의 포트를 통한 개별적인 동작을 수행하더라도 어느 하나의 포트를 통한 부팅을 또 다른 포트를 통하여 제어할 수 있게 된다.As described above, even if the semiconductor memory device performs an individual operation through a plurality of ports, booting through any one port can be controlled through another port.

상기한 실시예의 설명은 본 발명의 더욱 철저한 이해를 위하여 도면을 참조로 예를 든 것에 불과하므로, 본 발명을 한정하는 의미로 해석되어서는 안될 것이다. 또한, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 본 발명의 기본적 원리를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화와 변경이 가능함은 명백하다 할 것이다. The description of the above embodiments is merely given by way of example with reference to the drawings for a more thorough understanding of the present invention, and should not be construed as limiting the present invention. In addition, it will be apparent to those skilled in the art that various changes and modifications can be made without departing from the basic principles of the present invention.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 멀티 포트를 구비하는 반도체 메모리 장치에서 각각의 포트별로 개별적인 동작을 수행하더라도, EMRS 모드를 통하 여 어느 하나의 포트를 통하여 다른 포트의 부팅을 제어할 수 있는 효과를 가진다.As described above, according to the present invention, even in the semiconductor memory device having a multi-port, even if the individual operation for each port, the effect of controlling the booting of the other port through any one port through the EMRS mode Has

Claims (5)

복수개의 포트를 통하여 액세스되는 메모리 영역들을 메모리 셀 어레이 내에 가지는 반도체 메모리 장치(DRAM)의 부팅 방법에 있어서:A booting method of a semiconductor memory device (DRAM) having memory areas accessed through a plurality of ports in a memory cell array, the method comprising: 복수의 포트들 중 어느 하나인 제1포트에 연결되는 플래시 메모리에 저장된 상기 제1포트 관련 제1부팅코드를 저장하고, 상기 제1부팅코드를 통한 상기 제1포트 관련 부팅을 수행하는 단계와;Storing the first port related first boot code stored in a flash memory connected to a first port, which is one of a plurality of ports, and performing booting related to the first port through the first boot code; 복수의 포트들 중 다른 하나인 제2포트관련 부팅을 상기 제1포트에 연결된 플래시 메모리에 저장된 부팅코드를 미리 설정된 EMRS 모드를 통하여 읽어 들여 수행하는 단계를 구비함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 부팅방법.Booting a second memory device, which is one of a plurality of ports, from a boot code stored in a flash memory connected to the first port through a preset EMRS mode; Way. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 반도체 메모리 장치는 듀얼포트 반도체 메모리 장치 임을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 부팅방법.The method of claim 1, wherein the semiconductor memory device is a dual port semiconductor memory device. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 반도체 메모리 장치는 상기 제1포트 및 상기 제2포트 모두를 통하여 액세스가 가능한 공유 메모리 영역을 구비함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 부팅방법.And the semiconductor memory device has a shared memory region accessible through both the first port and the second port. 두개의 프로세서들과, 상기 두개의 프로세서들 모두에 의해서 억세스되는 공유 메모리 영역을 적어도 구비하는 디램(DRAM)과, 상기 두개의 프로세서 중 어느 하나의 프로세서와 연결되는 플래시 메모리를 구비하는 멀티 프로세서 시스템의 부팅방법에 있어서:A DRAM having at least two processors, a DRAM having at least a shared memory area accessed by both processors, and a flash memory coupled to one of the two processors. In the boot method: 상기 플래시 메모리에 상기 두개의 프로세서들의 부팅코드들을 저장하는 단계와;Storing boot codes of the two processors in the flash memory; 상기 플래시 메모리에 연결된 하나의 프로세서에 대응되는 부팅 코드를 상기 디램에 저장하고, 이를 통한 부팅을 수행하는 단계와;Storing a boot code corresponding to one processor connected to the flash memory in the DRAM and performing booting through the DRAM; 미리 설정된 EMRS 모드를 통하여 부팅되지 않는 나머지 프로세서에 대응되는 부팅코드를 상기 디램에 저장하고 상기 나머지 프로세서를 부팅하는 단계를 구비함을 특징으로 하는 부팅방법. And storing booting codes corresponding to the remaining processors which are not booted through a preset EMRS mode in the DRAM and booting the remaining processors. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 플래시 메모리는 NAND 메모리 임을 특징으로 하는 부팅방법.And the flash memory is a NAND memory.
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