[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

KR20080000205A - Gate driving circuit and display apparatus having the same - Google Patents

Gate driving circuit and display apparatus having the same Download PDF

Info

Publication number
KR20080000205A
KR20080000205A KR1020060057802A KR20060057802A KR20080000205A KR 20080000205 A KR20080000205 A KR 20080000205A KR 1020060057802 A KR1020060057802 A KR 1020060057802A KR 20060057802 A KR20060057802 A KR 20060057802A KR 20080000205 A KR20080000205 A KR 20080000205A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gate
signal
transistor
electrode
voltage
Prior art date
Application number
KR1020060057802A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
안순일
김동규
이원희
권호균
나병선
기동현
권지현
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020060057802A priority Critical patent/KR20080000205A/en
Publication of KR20080000205A publication Critical patent/KR20080000205A/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136213Storage capacitors associated with the pixel electrode
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • G09G3/3611Control of matrices with row and column drivers
    • G09G3/3674Details of drivers for scan electrodes
    • G09G3/3677Details of drivers for scan electrodes suitable for active matrices only
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C19/00Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
    • G11C19/28Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using semiconductor elements
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/01Modifications for accelerating switching
    • H03K19/017Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits
    • H03K19/01728Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits in synchronous circuits, i.e. by using clock signals
    • H03K19/01735Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits in synchronous circuits, i.e. by using clock signals by bootstrapping, i.e. by positive feed-back
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/01Modifications for accelerating switching
    • H03K19/017Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits
    • H03K19/01728Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits in synchronous circuits, i.e. by using clock signals
    • H03K19/01742Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits in synchronous circuits, i.e. by using clock signals by means of a pull-up or down element
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0404Matrix technologies
    • G09G2300/0413Details of dummy pixels or dummy lines in flat panels
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0876Supplementary capacities in pixels having special driving circuits and electrodes instead of being connected to common electrode or ground; Use of additional capacitively coupled compensation electrodes
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00Command of the display device
    • G09G2310/02Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0264Details of driving circuits
    • G09G2310/0286Details of a shift registers arranged for use in a driving circuit

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)

Abstract

A gate driving circuit and a display device having the same are provided to reduce ripples in a control electrode of a pull-up unit by enlarging the capacitance of a charge capacitor ten times more than the parasite capacitance of a pull-up transistor. A gate driving circuit includes shift registers cascaded plural stages. An m-stage(SRCm) includes pull-up and pull-down parts(210,220), and a charger(212). The pull-up part includes a first transistor, which receives a first clock signal through a drain electrode thereof and outputs the first clock signal as a gate signal in response to the signal of a first node controlled by a first input signal inputted to a gate electrode. The pull-down part includes a second transistor for discharging the gate signal in response to a second input signal, which is inputted to gate electrode. The charger includes a charge capacitor between gate and source electrodes of the first transistor. The capacitance of the charge capacitor is ten times more than the parasite capacitance between drain and gate electrodes of a pull-up transistor.

Description

게이트 구동회로 및 이를 포함하는 표시 장치{GATE DRIVING CIRCUIT AND DISPLAY APPARATUS HAVING THE SAME}GATE DRIVING CIRCUIT AND DISPLAY APPARATUS HAVING THE SAME}

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치를 도시한 평면도이다.1 is a plan view illustrating a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2는 도 1에 도시된 게이트 구동회로의 제1 실시예에 따른 상세 블록도이다.FIG. 2 is a detailed block diagram of a first embodiment of the gate driving circuit shown in FIG. 1.

도 3은 도 2에 도시된 스테이지의 상세 회로도이다.3 is a detailed circuit diagram of the stage shown in FIG.

도 4는 도 3에 도시된 스테이지의 신호 파형도이다.4 is a signal waveform diagram of the stage shown in FIG.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

IN1: 제1 입력 단자 IN2: 제2 입력 단자IN1: first input terminal IN2: second input terminal

CK1: 제1 클럭 단자 CK2: 제2 클럭 단자CK1: first clock terminal CK2: second clock terminal

V: 전압 단자 RE: 전압 단자V: voltage terminal RE: voltage terminal

CR: 캐리 단자 OUT: 출력 단자CR: carry terminal OUT: output terminal

Cgd: 기생 커패시터 Cgs: 충전 커패시터Cgd: Parasitic Capacitor Cgs: Charge Capacitor

210: 풀업부 212: 충전부210: pull-up part 212: charging part

220: 풀다운부 230: 버퍼부220: pull-down unit 230: buffer unit

240: 방전부 250: 제1 홀딩부240: discharge portion 250: first holding portion

260: 제2 홀딩부 270: 스위칭부260: second holding unit 270: switching unit

280: 리셋부 290: 캐리부280: reset unit 290: carry unit

T1 ~ T14: 제1 ~ 제14트랜지스터 C1, C2: 제1, 제2 커패시터T1 to T14: first to fourteenth transistors C1 and C2: first and second capacitors

본 발명은 게이트 구동회로 및 이를 포함하는 표시 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 구동 불량을 개선하기 위한 게이트 구동회로 및 이를 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a gate driving circuit and a display device including the same, and more particularly, to a gate driving circuit for improving a driving failure and a display device including the same.

일반적으로 액정표시장치는 어레이 기판 및 대향 기판 사이에 주입되어 있는 이방성 유전율을 갖는 액정에 전계를 인가하고, 전계의 세기에 따른 광투과율을 조절함으로써, 원하는 화상 신호를 얻는 표시 장치이다.BACKGROUND ART In general, a liquid crystal display device is a display device that obtains a desired image signal by applying an electric field to a liquid crystal having an anisotropic dielectric constant injected between an array substrate and an opposing substrate, and adjusting the light transmittance according to the intensity of the electric field.

액정표시장치는 게이트 배선들 및 게이트 배선들과 교차하는 데이터 배선들에 의해 복수의 화소부가 형성된 표시 패널, 게이트 배선들을 구동하는 게이트 구동부 및 데이터 배선들을 구동하는 데이터 구동부를 포함한다. 이러한 게이트 구동부 및 데이터 구동부는 칩(chip) 형태로 표시 패널에 실장되는 것이 일반적이다.The liquid crystal display device includes a display panel in which a plurality of pixel portions are formed by gate lines and data lines crossing the gate lines, a gate driver driving the gate lines, and a data driver driving the data lines. Such a gate driver and a data driver are generally mounted on a display panel in a chip form.

최근에는 전체적인 사이즈를 감소시키면서 생산성을 증대시키기 위하여 게이트 구동부를 표시 기판상에 집적회로 형태로 집적하는 방식이 주목받고 있다. 이런 경우 구동 마진 향상을 위해 저저항 메탈의 사용을 필요로 한다.Recently, in order to increase productivity while reducing the overall size, a method of integrating the gate driver on the display substrate in the form of an integrated circuit has been attracting attention. This requires the use of low-resistance metals to improve drive margins.

하지만, 이럴 경우 박막트랜지스터의 I-V(전류-전압) 특성이 향상되어 저온 구동 마진은 향상되나, 고온에서는 게이트 오프 신호 구간에 비정상적인 게이트 온 신호가 나타나는 노이즈(Noise) 불량이 발생된다. However, in this case, the I-V (current-voltage) characteristics of the thin film transistor are improved to improve the low temperature driving margin. However, at a high temperature, a noise defect occurs in which an abnormal gate on signal appears in the gate off signal section.

구체적으로 풀업 소자의 기생 용량(Cgd)에 의한 클럭 신호와의 커플링이 게이트 전극의 오프 전압을 증가시키고, 동시에 고온으로 가면서 누설전류량이 상승되어 풀업 소자를 턴-온 시킨다. 이로 인해서 게이트 오프 신호 구간에 간헐적으로 게이트 온 신호가 발생함으로써 화질 불량이 발생하는 문제점이 있다.Specifically, the coupling with the clock signal by the parasitic capacitance Cgd of the pull-up device increases the off voltage of the gate electrode, and at the same time, the leakage current increases as the temperature increases to turn on the pull-up device. As a result, the gate-on signal is intermittently generated in the gate-off signal section, thereby causing a problem of poor image quality.

이에 본 발명의 기술적 과제는 이러한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 표시 장치의 구동 불량을 개선하기 위한 게이트 구동회로 및 이를 포함하는 표시 장치를 제공하는 것이다.Accordingly, the technical problem of the present invention is to solve such a conventional problem, and an object of the present invention is to provide a gate driving circuit and a display device including the same to improve the driving failure of the display device.

상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 실시예에 따른 게이트 구동회로는 복수의 스테이지들이 종속적으로 연결된 쉬프트 레지스터로 이루어지며, 제m 스테이지는 풀업부, 풀다운부 및 충전부를 포함한다. 상기 풀업부는 드레인 전극으로 제1 클럭 신호를 입력받고, 게이트 전극으로 입력되는 제1 입력 신호에 의해 하이 레벨로 전환되는 제1 노드의 신호에 응답하여 상기 제1 클럭 신호를 게이트 신호로 출력하는 제1 트랜지스터를 포함한다. 상기 풀다운부는 게이트 전극으로 입력되는 제2 입력 신호에 응답하여 상기 게이트 신호를 오프 전압으로 방전시키는 제2 트랜지스터를 포함한다. 상기 충전부는 상기 제1 트랜지스터의 게이트 전극과 소스 전극 사이에 형성된 충전 커패시터를 포함하며, 상기 충전 커패시터의 용량은 상기 제1 트랜지스터의 드레인 전극과 게이트 전극 사이의 기생 커패시터 용량의 10배 이상인 것을 특징으로 한다.The gate driving circuit according to the embodiment for realizing the object of the present invention is composed of a shift register coupled to a plurality of stages, the m-th stage includes a pull-up unit, a pull-down unit and a charging unit. The pull-up unit receives a first clock signal to a drain electrode and outputs the first clock signal as a gate signal in response to a signal of a first node that is switched to a high level by a first input signal input to a gate electrode. One transistor is included. The pull-down part includes a second transistor configured to discharge the gate signal to an off voltage in response to a second input signal input to the gate electrode. The charging unit includes a charging capacitor formed between the gate electrode and the source electrode of the first transistor, wherein the capacitance of the charging capacitor is at least 10 times the capacitance of the parasitic capacitor between the drain electrode and the gate electrode of the first transistor. do.

상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 실시예에 따른 표시 장치는 게이트 배선들 및 상기 게이트 배선들과 교차하는 데이터 배선들에 의해 복수의 화소부가 형성되어 영상을 디스플레이 하는 표시 영역과, 상기 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역을 포함하는 표시 패널, 상기 데이터 배선들에 데이터 신호를 출력하는 데이터 구동부; 및 종속적으로 연결된 복수의 스테이지들로 이루어져 상기 주변 영역에 직접회로 형태로 형성되고, 상기 각 스테이지들은 상기 게이트 배선들에 게이트 신호들을 출력하는 게이트 구동회로를 포함한다. 여기서, 제m 스테이지는 풀업부, 풀다운부 및 충전부를 포함한다. 상기 풀업부는 드레인 전극으로 제1 클럭 신호를 입력받고, 게이트 전극으로 입력되는 제1 입력 신호에 의해 하이 레벨로 전환되는 제1 노드의 신호에 응답하여 상기 제1 클럭 신호를 게이트 신호로 출력하는 제1 트랜지스터를 포함한다. 상기 풀다운부는 게이트 전극으로 입력되는 제2 입력 신호에 응답하여 상기 게이트 신호를 오프 전압으로 방전시키는 제2 트랜지스터를 포함한다. 상기 충전부는 상기 제1 트랜지스터의 게이트 전극과 소스 전극 사이에 형성된 충전 커패시터를 포함하는 충전부를 포함하고, 상기 충전 커패시터의 용량은 상기 제1 트랜지스터의 드레인 전극과 게이트 전극 사이의 기생 커패시터 용량의 10배 이상인 것을 특징으로 한다.According to an exemplary embodiment of the present invention, a display area includes a display area in which a plurality of pixel parts are formed by gate lines and data lines crossing the gate lines, to display an image, and the display area. A display panel including a peripheral area surrounding the data line, the data driver outputting a data signal to the data lines; And a plurality of stages connected in a cascade form, in the form of an integrated circuit in the peripheral area, wherein each stage includes a gate driving circuit configured to output gate signals to the gate lines. Here, the m-th stage includes a pull-up part, a pull-down part and a charging part. The pull-up unit receives a first clock signal to a drain electrode and outputs the first clock signal as a gate signal in response to a signal of a first node that is switched to a high level by a first input signal input to a gate electrode. One transistor is included. The pull-down part includes a second transistor configured to discharge the gate signal to an off voltage in response to a second input signal input to the gate electrode. The charging unit includes a charging unit including a charging capacitor formed between the gate electrode and the source electrode of the first transistor, and the capacitance of the charging capacitor is 10 times the capacitance of the parasitic capacitor between the drain electrode and the gate electrode of the first transistor. It is characterized by the above.

이러한 게이트 구동회로 및 이를 포함하는 표시 장치에 의하면, 클럭 신호와의 리플을 감소시켜 게이트 오프 신호 구간에 비정상적인 게이트 온 신호의 발생을 방지함으로써, 표시 장치의 구동 불량을 개선할 수 있다.According to the gate driving circuit and the display device including the same, the driving failure of the display device can be improved by reducing the ripple with the clock signal to prevent the occurrence of an abnormal gate on signal in the gate off signal section.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명을 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, it will be described in detail the present invention.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치를 도시한 평면도이다.1 is a plan view illustrating a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치는 표시 패널(100)과 표시 패널(100)을 구동하기 위한 게이트 구동부(200, 이하 게이트 구동회로라 함) 및 데이터 구동부(130)를 포함한다.Referring to FIG. 1, a display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes a display panel 100, a gate driver 200 (hereinafter referred to as a gate driving circuit) and a data driver 130 for driving the display panel 100. do.

표시 패널(100)은 어레이 기판(110)과, 어레이 기판(110)과 소정간격 이격하여 대향 결합되는 대향 기판(120, 예컨대 컬러필터 기판) 및 어레이 기판(110)과 대향 기판(120) 사이에 개재된 액정층(미도시)을 포함하며, 표시 영역(DA)과 표시 영역(DA)을 둘러싸는 주변 영역(PA)으로 구분된다.The display panel 100 is disposed between the array substrate 110 and the opposite substrate 120 (for example, the color filter substrate) that are opposed to the array substrate 110 at a predetermined interval and between the array substrate 110 and the opposite substrate 120. The display panel includes an intervening liquid crystal layer (not shown) and is divided into a display area DA and a peripheral area PA surrounding the display area DA.

표시 영역(DA)에는 일방향으로 형성된 게이트 배선(GL)들 및 게이트 배선(GL)들과 교차하는 방향으로 형성된 데이터 배선(DL)들에 의해 복수의 화소부가 형성되어 영상을 디스플레이 한다. 각 화소부에는 스위칭 소자인 박막트랜지스터(TFT)와, 박막트랜지스터(TFT) 와 전기적으로 연결된 액정 커패시터(CLC) 및 스토리지 커패시터(CST)가 형성된다. 구체적으로 박막트랜지스터(TFT)의 게이트 전극 및 소스 전극은 각각 게이트 배선(GL) 및 데이터 배선(DL)과 전기적으로 연결되고, 드레인 전극에는 액정 커패시터(CLC) 및 스토리지 커패시터(CST)가 전기적으로 연결된다.In the display area DA, a plurality of pixel parts are formed by the gate lines GL formed in one direction and the data lines DL formed in a direction crossing the gate lines GL to display an image. Each pixel unit includes a thin film transistor TFT as a switching element, a liquid crystal capacitor CLC, and a storage capacitor CST electrically connected to the thin film transistor TFT. In detail, the gate electrode and the source electrode of the thin film transistor TFT are electrically connected to the gate line GL and the data line DL, respectively, and the liquid crystal capacitor CLC and the storage capacitor CST are electrically connected to the drain electrode. do.

한편, 주변 영역(PA)은 데이터 배선(DL)들의 일단부에 위치하는 제1 주변 영역(PA1)과 게이트 배선(GL)들의 일단부에 위치하는 제2 주변 영역(PA2)을 포함한 다.The peripheral area PA includes a first peripheral area PA1 positioned at one end of the data lines DL and a second peripheral area PA2 positioned at one end of the gate lines GL.

데이터 구동부(130)는 게이트 배선(GL)으로 인가되는 게이트 신호에 동기하여 데이터 배선(DL)들에 데이터 신호를 출력하며, 적어도 하나 이상의 데이터 구동칩(132)으로 이루어진다. 데이터 구동칩(132)은 일단부가 표시 패널(100)의 제1 주변 영역(PA1)에 연결되고, 타단부가 인쇄회로기판(140)에 연결된 연성회로기판(134) 상에 실장되며, 연성회로기판(134)을 통해 인쇄회로기판(134) 및 표시 패널(100)과 전기적으로 연결된다.The data driver 130 outputs a data signal to the data lines DL in synchronization with the gate signal applied to the gate line GL, and includes at least one data driving chip 132. The data driving chip 132 is mounted on the flexible circuit board 134 having one end connected to the first peripheral area PA1 of the display panel 100 and the other end connected to the printed circuit board 140. The substrate 134 is electrically connected to the printed circuit board 134 and the display panel 100.

게이트 구동회로(200)는 복수의 스테이지들이 종속적으로 연결된 쉬프트 레지스터를 포함하며, 게이트 배선(GL)들에 순차적으로 게이트 신호를 출력한다. 이러한 게이트 구동회로(200)는 표시 패널(100)의 제2 주변 영역(PA2)에 집적되는 집적회로 형태로 형성된다.The gate driving circuit 200 includes a shift register in which a plurality of stages are cascaded, and sequentially outputs gate signals to the gate lines GL. The gate driving circuit 200 is formed in the form of an integrated circuit integrated in the second peripheral area PA2 of the display panel 100.

도 2는 도 1에 도시된 게이트 구동회로의 제1 실시예에 따른 상세 블록도이다.FIG. 2 is a detailed block diagram of a first embodiment of the gate driving circuit shown in FIG. 1.

도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 게이트 구동회로(200)는 서로 종속적으로 연결된 제1 내지 제n+1 스테이지(SRC1~SRCn+1)로 이루어져 게이트 신호(GOUT)를 순차적으로 출력하는 회로부(CS)와, 회로부(CS)에 각종 제어신호를 제공하는 배선부(LS)를 포함한다.Referring to FIG. 2, the gate driving circuit 200 according to an exemplary embodiment of the present invention may include first to n + 1 stages SRC1 to SRCn + 1 connected to each other to sequentially output a gate signal GOUT. The circuit part CS and the wiring part LS which provide various control signals to the circuit part CS are included.

제1 내지 제n+1 스테이지(SRC1~SRCn+1)는 n 개의 구동 스테이지(SRC1~SRCn)와 하나의 더미(dummy) 스테이지(SRCn+1)로 이루어진다.The first to nth + 1th stages SRC1 to SRCn + 1 are composed of n driving stages SRC1 to SRCn and one dummy stage SRCn + 1.

각 스테이지(SRC)는 제1 클럭 단자(CK1), 제2 클럭 단자(CK2), 제1 입력 단 자(IN1), 제2 입력 단자(IN2), 전압 단자(V), 리셋 단자(RE), 캐리 단자(CR) 및 출력 단자(OUT)를 포함한다.Each stage SRC includes a first clock terminal CK1, a second clock terminal CK2, a first input terminal IN1, a second input terminal IN2, a voltage terminal V, and a reset terminal RE. , A carry terminal CR and an output terminal OUT.

제1 클럭 단자(CK1) 및 제2 클럭 단자(CK2)에는 서로 반대 위상의 클럭 신호가 제공된다. 구체적으로, 제1 내지 제n+1 스테이지(SRC1~SRCn+1) 중에서 홀수 번째 스테이지(SRC1, SRC3...)의 제1 클럭 단자(CK1)에는 제1 클럭 신호(CK)가 제공되고, 제2 클럭 단자(CK2)에는 제1 클럭 신호(CK)와 위상이 반대인 제2 클럭 신호(CKB)가 제공된다. 반면에 제1 내지 제n+1 스테이지(SRC1~SRCn+1) 중에서 짝수 번째 스테이지(SRC2, SRC4...)의 제1 클럭 단자(CK1)에는 제2 클럭 신호(CKB)가 제공되고, 제2 클럭 단자(CK2)에는 제2 클럭 신호(CKB)와 위상이 반대인 제1 클럭 신호(CK)가 제공된다.The clock signals of opposite phases are provided to the first clock terminal CK1 and the second clock terminal CK2. Specifically, the first clock signal CK is provided to the first clock terminal CK1 of the odd-numbered stages SRC1, SRC3... Among the first to n + 1th stages SRC1 to SRCn + 1. The second clock terminal CK2 is provided with a second clock signal CKB having a phase opposite to that of the first clock signal CK. On the other hand, the second clock signal CKB is provided to the first clock terminal CK1 of the even-numbered stages SRC2, SRC4 ... among the first to n + 1th stages SRC1 to SRCn + 1. The second clock terminal CK2 is provided with a first clock signal CK having a phase opposite to that of the second clock signal CKB.

다시 말해, 홀수 번째 스테이지(SRC1, SRC3...)의 제1 클럭 단자(CK1) 및 제2 클럭 단자(CK2)에는 반대 위상의 제1 클럭 신호(CK) 및 제2 클럭 신호(CKB)가 각각 제공되고, 이와 반대로 짝수 번째 스테이지(SRC2, SRC4...)의 제1 클럭 단자(CK1) 및 제2 클럭 단자(CK2)에는 각각 제2 클럭 신호(CKB) 및 제1 클럭 신호(CK)가 제공된다.In other words, the first clock signal CK1 and the second clock terminal CK2 of the odd-numbered stages SRC1, SRC3..., The first clock signal CK and the second clock signal CKB of opposite phases are provided. The second clock signal CKB and the first clock signal CK are respectively provided to the first clock terminal CK1 and the second clock terminal CK2 of the even-numbered stages SRC2 and SRC4 ..., respectively. Is provided.

제1 입력 단자(IN1)에는 수직 개시신호(STV) 또는 이전 스테이지의 캐리 신호가 제공된다. 즉, 첫 번째 스테이지인 제1 스테이지(SRC1)의 제1 입력 단자(IN1)에는 수직 개시신호(STV)가 제공되고, 제2 내지 제n+1 스테이지(SRC2~SRCn+1)의 제1 입력 단자(IN1)에는 이전 스테이지(SRC1~SRCn)의 캐리 신호가 제공된다.The first input terminal IN1 is provided with a vertical start signal STV or a carry signal of a previous stage. That is, the vertical start signal STV is provided to the first input terminal IN1 of the first stage SRC1, which is the first stage, and the first input of the second to n + 1 stages SRC2 to SRCn + 1. The terminal IN1 is provided with a carry signal of the previous stages SRC1 to SRCn.

제2 입력 단자(IN2)에는 다음 스테이지의 게이트 신호 또는 수직 개시신 호(STV)가 제공된다. 즉, 제1 내지 제n 스테이지(SRC1~SRCn)의 제2 입력 단자(IN2)에는 다음 스테이지(SRC2~SRCn+1)의 게이트 신호가 제공되고, 마지막 스테이지(SRCn+1)인 제n+1 스테이지(SRCn+1)의 제2 입력 단자(IN2)에는 수직 개시신호(STV)가 제공된다.The second input terminal IN2 is provided with a gate signal or a vertical start signal STV of the next stage. That is, the gate signals of the next stages SRC2 to SRCn + 1 are provided to the second input terminals IN2 of the first to nth stages SRC1 to SRCn, and the n + 1 which is the last stage SRCn + 1. The vertical start signal STV is provided to the second input terminal IN2 of the stage SRCn + 1.

전압 단자(V)에는 오프 전압(VOFF)이 제공되며, 일 예로 오프 전압(VOFF)은 -5 ~ -7V의 전압 레벨을 갖는다.The voltage terminal V is provided with an off voltage VOFF. For example, the off voltage VOFF has a voltage level of -5 to -7V.

리셋 단자(RE)에는 마지막 스테이지인 제n+1 스테이지(SRCn+1)의 캐리 신호가 공통으로 제공된다.The reset terminal RE is commonly provided with a carry signal of the last stage n + 1 stage SRCn + 1.

출력 단자(OUT)는 제1 클럭 단자(CK1)로 제공되는 클럭 신호의 하이 구간이 출력된다. 즉, 제1 내지 제n+1 스테이지(SRC1~SRCn+1) 중에서 홀수 번째 스테이지(SRC1, SRC3...)의 출력 단자(OUT)는 제1 클럭 신호(CK)의 하이 구간이 출력되고, 짝수 번째 스테이지(SRC2, SRC4...)의 출력 단자(OUT)는 제2 클럭 신호(CKB)의 하이 구간이 출력된다. 따라서, 제1 내지 제n+1 스테이지(SRC1~SRCn+1)는 순차적으로 게이트 신호(GOUT)를 출력할 수 있다.The output terminal OUT outputs a high section of the clock signal provided to the first clock terminal CK1. That is, a high period of the first clock signal CK is output to the output terminal OUT of the odd stages SRC1, SRC3..., Among the first to n + 1th stages SRC1 to SRCn + 1. The high terminal of the second clock signal CKB is output to the output terminal OUT of the even-numbered stages SRC2 and SRC4... Therefore, the first to n + 1th stages SRC1 to SRCn + 1 may sequentially output the gate signal GOUT.

한편, 게이트 구동회로(200)는 회로부(CS)의 일측에 형성되어 제1 내지 제n+1 스테이지(SRC1~SRCn+1)에 동기신호 및 구동전압을 제공하기 위한 복수의 배선들로 이루어진 배선부(LS)를 포함한다. On the other hand, the gate driving circuit 200 is formed on one side of the circuit unit CS and includes a plurality of wirings for providing a synchronization signal and a driving voltage to the first to n + 1th stages SRC1 to SRCn + 1. It includes a part LS.

배선부(LS)는 개시신호 배선(SL1), 제1 클럭 배선(SL2), 제2 클럭 배선(SL3), 전압 배선(SL4) 및 리셋 배선(SL5)을 포함한다.The wiring part LS includes a start signal wiring SL1, a first clock wiring SL2, a second clock wiring SL3, a voltage wiring SL4, and a reset wiring SL5.

개시신호 배선(SL1)은 외부로부터 수직 개시신호(STV)를 제공받으며, 제공받 은 수직 개시신호(STV)를 첫 번째 스테이지의 제1 입력 단자(IN1) 및 마지막 스테이지의 제2 입력 단자(IN2)에 제공한다. 즉, 수직 개시신호(STV)를 제1 스테이지(SRC1)의 제1 입력 단자(IN1) 및 제n+1 스테이지(SRCn+1)의 제2 입력 단자(IN2)에 제공한다.The start signal line SL1 receives the vertical start signal STV from the outside, and receives the received vertical start signal STV from the first input terminal IN1 of the first stage and the second input terminal IN2 of the last stage. To provide. That is, the vertical start signal STV is provided to the first input terminal IN1 of the first stage SRC1 and the second input terminal IN2 of the n + 1th stage SRCn + 1.

제1 클럭 배선(SL2)은 외부로부터 제1 클럭 신호(CK)를 제공받으며, 제공받은 제1 클럭 신호(CK)를 홀수 번째 스테이지(SRC1, SRC3...)의 제1 클럭 단자(CK1) 및 짝수 번째 스테이지(SRC2, SRC4...)의 제2 클럭 단자(CK2)에 제공한다.The first clock wire SL2 receives the first clock signal CK from the outside, and receives the first clock signal CK from the first clock terminal CK1 of the odd-numbered stages SRC1, SRC3... And the second clock terminal CK2 of the even-numbered stages SRC2, SRC4 ....

제2 클럭 배선(SL3)은 외부로부터 제1 클럭 신호(CK)와 위상이 반대인 제2 클럭 신호(CKB)를 제공받으며, 제공받은 제2 클럭 신호(CKB)를 홀수 번째 스테이지(SRC1, SRC3...)의 제2 클럭 단자(CK2) 및 짝수 번째 스테이지(SRC2, SRC4...)의 제1 클럭 단자(CK1)에 제공한다.The second clock wire SL3 receives a second clock signal CKB having a phase opposite to that of the first clock signal CK from the outside, and receives the second clock signal CKB from the odd-numbered stages SRC1 and SRC3. ... to the second clock terminal CK2 and the first clock terminal CK1 of the even-numbered stages SRC2, SRC4 ....

전압 배선(SL4)은 외부로부터 오프 전압(VOFF)을 제공받아 제1 내지 제n+1 스테이지(SRC1~SRCn+1)의 전압 단자(V)에 제공하며, 리셋 배선은(SL5)은 마지막 스테이지(SRCn+1)의 캐리 신호를 제공받아 제1 내지 제n+1 스테이지(SRC1~SRCn+1)의 리셋 단자(RE)에 제공한다.The voltage line SL4 receives the off voltage VOFF from the outside and provides the voltage to the voltage terminal V of the first to n + 1th stages SRC1 to SRCn + 1, and the reset line SL5 is the last stage. The carry signal of (SRCn + 1) is received and provided to the reset terminal RE of the first to n + 1th stages SRC1 to SRCn + 1.

한편, 기술한 게이트 구동회로(200)는 제m 스테이지(SRCm)에서 제m-1 스테이지(SRCm-1)의 캐리 신호를 제1 입력 신호로 제공받고, 제m+1 스테이지(SRCm+1)의 게이트 신호를 제2 입력 신호로 제공받아 구동하는 경우를 설명하였다. 하지만, 게이트 신호(GOUT)의 특성(예컨대 신호 구간의 길이 등)에 따라서 제m-2, 제m-3, 제m-4… 스테이지 등의 캐리 신호를 제1 입력 신호로 제공받고, 제m+2, 제m+3, 제m+4 … 스테이지 등의 게이트 신호를 제2 입력 신호로 제공받아 구동할 수도 있다.In the meantime, the gate driving circuit 200 receives the carry signal of the m-th stage SRCm-1 as the first input signal in the m-th stage SRCm, and receives the m + 1th stage SRCm + 1. The case in which the gate signal of is supplied as the second input signal and driven is described. However, depending on the characteristics of the gate signal GOUT (for example, the length of the signal section, etc.), the m-2, m-3, m-4,... Receiving a carry signal such as a stage as a first input signal, and receiving m + 2, m + 3, m + 4,... It may be driven by receiving a gate signal such as a stage as a second input signal.

도 3은 도 2에 도시된 스테이지의 상세 회로도이고, 도 4는 도 3에 도시된 스테이지의 신호 파형도이다.3 is a detailed circuit diagram of the stage shown in FIG. 2, and FIG. 4 is a signal waveform diagram of the stage shown in FIG.

도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 게이트 구동회로(200)의 제m 스테이지(SRCm)는 제1 입력 단자의 신호(이하 제1 입력 신호)에 응답하여 제1 클럭 신호(CK)를 제m 게이트 신호(GOUTm)로 출력하여 제m 게이트 신호(GOUTm)를 풀-업(pull-up) 시키는 풀업부(210) 및 제2 입력 단자의 신호(이하 제2 입력 신호) 신호에 응답하여 제m 게이트 신호(GOUTm)를 오프 전압으로 방전시켜 풀-다운(pull-down)시키는 풀다운부(220)를 포함한다. 여기서, 제1 입력 신호는 수직 개시신호(STV) 또는 제m-1 스테이지(SRCm-1)의 캐리 신호이고, 제2 입력 신호는 제m+1 스테이지(SRCm+1)의 제m+1 게이트 신호(GOUTm+1) 또는 수직 개시신호(STV)이다.3 and 4, the m th stage SRCm of the gate driving circuit 200 according to the exemplary embodiment of the present invention may be configured to include a first clock signal in response to a signal of a first input terminal (hereinafter, referred to as a first input signal). A signal of the pull-up unit 210 and the second input terminal (hereinafter, referred to as a second input signal) that outputs CK as the m-th gate signal GOUTm to pull-up the m-th gate signal GOUTm. And a pull-down part 220 that discharges the m-th gate signal GOUTm to an off voltage and pulls down in response to the signal. Here, the first input signal is a carry signal of the vertical start signal STV or the m-1th stage SRCm-1, and the second input signal is the m + 1th gate of the m + 1th stage SRCm + 1. Signal GOUTm + 1 or vertical start signal STV.

풀업부(210)는 게이트 전극이 제1 노드(N1)에 연결되고, 드레인 전극은 제1 클럭 단자(CK1)에 연결되며, 소스 전극은 출력 단자(OUT)에 연결된 제1 트랜지스터(T1)로 이루어진다. 따라서, 제1 트랜지스터(T1)의 드레인 전극은 제1 클럭 단자(CK1)를 통해 제1 클럭 신호(CK)를 입력받는다.The pull-up unit 210 has a gate electrode connected to the first node N1, a drain electrode connected to the first clock terminal CK1, and a source electrode connected to the first transistor T1 connected to the output terminal OUT. Is done. Therefore, the drain electrode of the first transistor T1 receives the first clock signal CK through the first clock terminal CK1.

풀다운부(220)는 게이트 전극이 제2 입력 단자(IN2)에 연결되고, 드레인 전극이 출력 단자(OUT)에 연결되며, 소스 전극이 전압 단자(V)에 연결되어 오프 전압(VOFF)이 제공되는 제2 트랜지스터(T2)로 이루어진다.The pull-down unit 220 has a gate electrode connected to the second input terminal IN2, a drain electrode connected to the output terminal OUT, and a source electrode connected to the voltage terminal V to provide an off voltage VOFF. Consisting of a second transistor T2.

제m 스테이지(SRCm)는 제1 입력 신호에 응답하여 풀업부(210)를 턴-온 시키고, 제2 입력 신호에 응답하여 풀업부(210)를 턴-오프 시키는 풀업 구동부를 더 포 함한다. 풀업 구동부는 버퍼부(230), 방전부(240) 및 충전부(212)를 포함한다.The m-th stage SRCm further includes a pull-up driving unit which turns on the pull-up unit 210 in response to the first input signal and turns off the pull-up unit 210 in response to the second input signal. The pull-up driving unit includes a buffer unit 230, a discharge unit 240, and a charging unit 212.

버퍼부(230)는 게이트 전극 및 드레인 전극이 제1 입력 단자(IN1)에 공통으로 연결되고, 소스 전극이 제1 노드(N1)에 연결된 제3 트랜지스터(T3)로 이루어진다.The buffer unit 230 includes a third transistor T3 having a gate electrode and a drain electrode connected to the first input terminal IN1 in common, and a source electrode connected to the first node N1.

방전부(240)는 게이트 전극이 제2 입력 단자(IN2)에 연결되고, 드레인 전극이 제1 노드(N1)에 연결되며, 소스 전극은 전압 단자(V)에 연결되어 오프 전압(VOFF)이 제공되는 제4 트랜지스터(T4)로 이루어진다.The discharge unit 240 has a gate electrode connected to the second input terminal IN2, a drain electrode connected to the first node N1, and a source electrode connected to the voltage terminal V so that the off voltage VOFF is applied. The fourth transistor T4 is provided.

충전부(212)는 제1 트랜지스터의 게이트 전극과 소스 전극 사이에 형성되는 기생 커패시터로 정의되는 충전 커패시터(Cgs)로 이루어진다. 즉, 제1 전극이 제1 노드(N1)에 연결되고, 제2 전극이 출력 단자(OUT)에 연결되는 충전 커패시터(Cgs)로 이루어진다. 이러한 충전 커패시터(Cgs)는 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극과 드레인 전극 사이에 형성되는 기생 커패시터(Cgd)의 용량보다 10배 이상 큰 용량을 갖는다.The charging unit 212 includes a charging capacitor Cgs defined as a parasitic capacitor formed between the gate electrode and the source electrode of the first transistor. That is, the first electrode is connected to the first node N1 and the second electrode is formed of the charging capacitor Cgs connected to the output terminal OUT. The charging capacitor Cgs has a capacity 10 times larger than that of the parasitic capacitor Cgd formed between the gate electrode and the drain electrode of the first transistor T1.

이러한 풀업 구동부는 제1 입력 신호에 응답하여 제3 트랜지스터(T3)가 턴-온 되면, 제1 입력 신호가 제1 노드(N1)에 인가되어 제1 노드(N1)의 신호를 하이 레벨로 전환시키고, 동시에 충전 커패시터(Cgs)에 충전된다. 이 후, 제1 트랜지스터(T1)의 문턱전압 이상의 전하가 충전 커패시터(Cgs)에 충전되고 제1 클럭 신호(CK)가 하이 구간이 되면, 제1 트랜지스터(T1)가 부트스트랩(Bootstrap) 되어 제1 클럭 신호(CK)의 하이 구간을 출력 단자(OUT)로 출력한다. When the third transistor T3 is turned on in response to the first input signal, the pull-up driving unit applies the first input signal to the first node N1 to switch the signal of the first node N1 to a high level. And charging charge capacitor Cgs at the same time. Subsequently, when charge or more than the threshold voltage of the first transistor T1 is charged in the charging capacitor Cgs and the first clock signal CK becomes a high period, the first transistor T1 is bootstraped to form a first voltage. The high section of the one clock signal CK is output to the output terminal OUT.

즉, 제1 트랜지스터(T1)가 부트스트랩 되어 제1 클럭 신호(CK)의 하이 구간 을 제m 스테이지(SRCm)의 게이트 온 신호로 출력한다. 이 후, 제2 입력 신호에 응답하여 제4 트랜지스터(T4)가 턴-온 되면, 충전 커패시터(Cgs)에 충전된 전하는 전압 단자(V)의 오프 전압(VOFF)으로 방전되어 제1 트랜지스터(T1)는 턴-오프 된다.That is, the first transistor T1 is bootstraped and outputs the high period of the first clock signal CK as the gate-on signal of the m-th stage SRCm. Subsequently, when the fourth transistor T4 is turned on in response to the second input signal, the charge charged in the charging capacitor Cgs is discharged to the off voltage VOFF of the voltage terminal V, so that the first transistor T1 is turned on. ) Is turned off.

제m 스테이지(SRCm)는 게이트 오프 신호 구간에 제1 노드(N1)의 신호를 오프 전압(VOFF) 상태로 유지시키는 제1 홀딩부(250)와, 출력되는 제m 게이트 신호(GOUTm)를 오프 전압(VOFF) 상태로 유지시키는 제2 홀딩부(260) 및 제2 홀딩부(260)의 온/오프 동작을 제어하는 스위칭부(270)를 더 포함한다.The m-th stage SRCm turns off the first holding part 250 which maintains the signal of the first node N1 at the off voltage VOFF state in the gate-off signal period, and the outputting m-th gate signal GOUTm. The apparatus further includes a second holding part 260 for maintaining the voltage VOFF and a switching part 270 for controlling the on / off operation of the second holding part 260.

제1 홀딩부(250)는 제5 트랜지스터(T5) 및 제6 트랜지스터(T6)로 이루어지며, 제5 트랜지스터(T5)는 게이트 전극이 제1 클럭 단자(CK1)에 연결되고, 드레인 전극이 제1 노드(N1)에 연결되며, 소스 전극이 출력 단자(OUT)에 연결된다. 제6 트랜지스터(T6)는 게이트 전극이 제2 클럭 단자(CK2)에 연결되고, 드레인 전극은 제1 입력 단자(IN1)에 연결되며, 소스 전극은 제1 노드(N1)에 연결된다.The first holding part 250 includes a fifth transistor T5 and a sixth transistor T6. In the fifth transistor T5, a gate electrode is connected to the first clock terminal CK1, and a drain electrode is formed of the fifth transistor T5. It is connected to one node N1, and a source electrode is connected to the output terminal OUT. In the sixth transistor T6, a gate electrode is connected to the second clock terminal CK2, a drain electrode is connected to the first input terminal IN1, and a source electrode is connected to the first node N1.

제1 홀딩부(250)는 제m 게이트 신호(GOUTm)가 풀다운부(220)에 의해 오프 전압(VOFF)으로 방전된 후에 제1 노드(N1)의 신호를 오프 전압(VOFF)으로 유지시킨다. 즉, 제1 클럭 신호(CK)에 응답하여 제5 트랜지스터(T5)가 턴-온 되면, 오프 전압(VOFF)으로 방전된 제m 게이트 신호(GOUTm)가 제1 노드(N1)에 인가되어 제1 노드(N1)의 신호를 오프 전압(VOFF)으로 유지시킨다. 또한, 제1 클럭 신호(CK)와 위상이 반대인 제2 클럭 신호(CKB)에 응답하여 제6 트랜지스터(T6)가 턴-온 되면, 오프 전압(VOFF) 상태의 제1 입력 신호를 제1 노드(N1)에 인가하여 제1 노드(N1)의 신호를 오프 전압(VOFF)으로 유지시킨다. The first holding part 250 maintains the signal of the first node N1 at the off voltage VOFF after the m-th gate signal GOUTm is discharged to the off voltage VOFF by the pull-down part 220. That is, when the fifth transistor T5 is turned on in response to the first clock signal CK, the m-th gate signal GOUTm discharged to the off voltage VOFF is applied to the first node N1 to generate the first node N1. The signal of one node N1 is kept at the off voltage VOFF. In addition, when the sixth transistor T6 is turned on in response to the second clock signal CKB having a phase opposite to that of the first clock signal CK, the first input signal having the off voltage VOFF state may be provided as the first input signal. It is applied to the node N1 to maintain the signal of the first node N1 at the off voltage VOFF.

이처럼, 제5 트랜지스터(T5) 및 제6 트랜지스터(T6)는 각각 제1 클럭 신호(CK) 및 제2 클럭 신호(CKB)에 응답하여 교대로 턴-온 구동하여 제1 노드(N1)의 신호를 오프 전압(VOFF)으로 유지시킨다.As such, the fifth transistor T5 and the sixth transistor T6 are alternately turned on in response to the first clock signal CK and the second clock signal CKB, respectively, so that the signal of the first node N1 is turned on. Is maintained at the off voltage (VOFF).

제2 홀딩부(260)는 제7 트랜지스터(T7) 및 제8 트랜지스터(T8)로 이루어지며, 제7 트랜지스터(T7)는 게이트 전극이 제2 클럭 단자(CK2)에 연결되고, 드레인 전극은 출력 단자(OUT)에 연결되며, 소스 전극은 전압 단자(V)에 연결되어 오프 전압(VOFF)을 제공받는다. 제8 트랜지스터(T8)는 게이트 전극이 스위칭부(270)의 제2 노드(N2)에 연결되고, 드레인 전극은 출력 단자(OUT)에 연결되며, 소스 전극은 전압 단자(V)에 연결되어 오프 전압(VOFF)을 제공받는다.The second holding part 260 is composed of a seventh transistor T7 and an eighth transistor T8. In the seventh transistor T7, a gate electrode is connected to the second clock terminal CK2, and the drain electrode is output. It is connected to the terminal OUT, the source electrode is connected to the voltage terminal (V) to receive an off voltage (VOFF). In the eighth transistor T8, the gate electrode is connected to the second node N2 of the switching unit 270, the drain electrode is connected to the output terminal OUT, and the source electrode is connected to the voltage terminal V to turn off. The voltage VOFF is provided.

스위칭부(270)는 제9 내지 제12 트랜지스터(T9, T10, T11, T12)와 제1 및 제2 커패시터(C1, C2)로 이루어진다.The switching unit 270 includes ninth through twelfth transistors T9, T10, T11, and T12 and first and second capacitors C1 and C2.

제9 트랜지스터(T9)의 게이트 전극과 드레인 전극은 공통으로 제1 클럭 단자(CK1)에 연결되어 제1 클럭 신호(CK)를 제공받고, 소스 전극은 제10 트랜지스터(T10)의 드레인 전극과 연결된다. 제10 트랜지스터(T10)의 게이트 전극은 출력 단자(OUT)에 연결되고, 소스 전극은 전압 단자(V)에 연결되어 오프 전압(VOFF)을 제공받는다. 제11 트랜지스터(T11)의 드레인 전극은 제1 클럭 단자(CK1)에 연결되고, 게이트 전극은 제1 커패시터(C1)를 통해 제1 클럭 단자(CK1)에 연결되며, 소스 전극은 제2 노드(N2)에 연결된다. 따라서 제11 트랜지스터(T11)의 드레인 전극 및 게이트 전극은 제1 클럭 신호(CK)를 제공받으며, 제11 트랜지스터(T11)의 게이트 전극과 소스 전극 사이에는 제2 커패시터(C2)가 연결된다. 제12 트랜지스터(T12)는 게이트 전극은 출력 단자(OUT)에 연결되고, 드레인 전극은 제2 노드(N2)에 연결되며, 소스 전극은 전압 단자(V)에 연결되어 오프 전압(VOFF)을 제공받는다.The gate electrode and the drain electrode of the ninth transistor T9 are commonly connected to the first clock terminal CK1 to receive the first clock signal CK, and the source electrode is connected to the drain electrode of the tenth transistor T10. do. The gate electrode of the tenth transistor T10 is connected to the output terminal OUT, and the source electrode is connected to the voltage terminal V to receive an off voltage VOFF. The drain electrode of the eleventh transistor T11 is connected to the first clock terminal CK1, the gate electrode is connected to the first clock terminal CK1 through the first capacitor C1, and the source electrode is connected to the second node ( N2). Accordingly, the drain electrode and the gate electrode of the eleventh transistor T11 are provided with the first clock signal CK, and the second capacitor C2 is connected between the gate electrode and the source electrode of the eleventh transistor T11. The twelfth transistor T12 has a gate electrode connected to an output terminal OUT, a drain electrode connected to a second node N2, and a source electrode connected to a voltage terminal V to provide an off voltage VOFF. Receive.

제1 클럭 신호(CK)에 의해서 제9 트랜지스터(T9) 및 제11 트랜지스터(T11)가 턴-온 된 상태에서 출력 단자(OUT)로 제1 클럭 신호(CK)가 출력되면, 출력 단자(OUT)의 전위는 하이 레벨로 전환된다. 출력 단자(OUT)가 하이 레벨로 전환됨에 따라서 제10 및 제12 트랜지스터(T10, T12)가 턴-온 되고, 제9 및 제11 트랜지스터(T9, T11)로부터 출력된 전압은 제10 및 제12 트랜지스터(T10, T12)를 통해 오프 전압(VOFF)으로 방전된다. 따라서 제2 노드(N2)의 신호는 로우 레벨로 유지되어 제8 트랜지스터(T8)는 턴-오프 된다.When the first clock signal CK is output to the output terminal OUT while the ninth transistor T9 and the eleventh transistor T11 are turned on by the first clock signal CK, the output terminal OUT ) Is switched to the high level. As the output terminal OUT is switched to the high level, the tenth and twelfth transistors T10 and T12 are turned on, and the voltages output from the ninth and eleventh transistors T9 and T11 are the tenth and twelfth. The transistors are discharged to the off voltage VOFF through the transistors T10 and T12. Therefore, the signal of the second node N2 is maintained at a low level, and the eighth transistor T8 is turned off.

이 후, 제m 게이트 신호(GOUTm)가 제2 입력 신호에 응답하여 오프 전압(VOFF)으로 방전되면, 출력 단자(OUT)의 전위는 로우 상태로 점차 하락한다. 따라서 제10 및 제12 트랜지스터(T10, T12)는 턴-오프 상태로 전환되고, 제9 및 제11 트랜지스터(T9, T11)로부터 출력된 전압에 의해 제2 노드(N2)의 전위는 하이 레벨로 전환된다. 제2 노드(N2)의 전위가 하이 레벨로 전환됨에 따라서 제8 트랜지스터(T8)가 턴-온 되고, 턴-온 된 제8 트랜지스터(T8)에 의해서 출력 단자(OUT)의 전위는 오프 전압(VOFF)으로 더욱 빠르게 방전된다.Thereafter, when the m-th gate signal GOUTm is discharged to the off voltage VOFF in response to the second input signal, the potential of the output terminal OUT gradually decreases to a low state. Accordingly, the tenth and twelfth transistors T10 and T12 are turned off, and the potential of the second node N2 is set to a high level by the voltage output from the ninth and eleventh transistors T9 and T11. Is switched. As the potential of the second node N2 is switched to the high level, the eighth transistor T8 is turned on and the potential of the output terminal OUT is turned off by the turned-on eighth transistor T8. VOFF) to discharge faster.

이 후, 제1 클럭 신호(CK)가 로우 레벨로 전환되면, 제2 노드(N2)의 전위도 로우 레벨로 전환되어 제8 트랜지스터(T8)는 턴-오프 된다. 반면에 제1 클럭 신호(CK)와 위상이 반대인 제2 클럭 신호(CKB)에 의해서 제7 트랜지스터(T7)가 턴-온 되어 출력 단자(OUT)의 전위를 오프 전압(VOFF)으로 방전시킨다.Thereafter, when the first clock signal CK is switched to the low level, the potential of the second node N2 is also switched to the low level, and the eighth transistor T8 is turned off. On the other hand, the seventh transistor T7 is turned on by the second clock signal CKB having a phase opposite to that of the first clock signal CK to discharge the potential of the output terminal OUT to the off voltage VOFF. .

이처럼, 제2 홀딩부(260)의 제7 트랜지스터(T7) 및 제8 트랜지스터(T9) 는 각각 제2 클럭 신호(CKB) 및 제2 노드(N2)의 신호에 응답하여 교대로 출력 단자(OUT)의 전위를 오프 전압(VOFF)으로 방전시킨다.As such, the seventh transistor T7 and the eighth transistor T9 of the second holding unit 260 alternately output the output terminal OUT in response to the signals of the second clock signal CKB and the second node N2, respectively. Is discharged to the off voltage (VOFF).

본 발명의 실시예에 따른 게이트 구동회로(200)의 제m 스테이지는 리셋부(280) 및 캐리부(290)를 더 포함한다.The m-th stage of the gate driving circuit 200 according to the embodiment of the present invention further includes a reset unit 280 and a carry unit 290.

리셋부(260)는 게이트 전극이 리셋 단자(RE)에 연결되고, 드레인 전극이 제1 노드(N1)에 연결되며, 소스 전극은 전압 단자(V)에 연결되어 오프 전압(VOFF)이 제공되는 제13 트랜지스터(T13)로 이루어진다. 리셋 단자(RE)로 마지막 스테이지인 제n+1 스테이지(SRCn+1)의 캐리 신호가 제공되면, 제13 트랜지스터(T13)가 턴-온 되어, 제1 노드(N1)의 전위는 오프 전압(VOFF)으로 방전된다. 따라서, 제m 게이트 신호(GOUTm)는 제n+1 스테이지(SRCn+1)의 캐리 신호에 의해서 오프 전압(VOFF)으로 방전된다.In the reset unit 260, a gate electrode is connected to the reset terminal RE, a drain electrode is connected to the first node N1, and a source electrode is connected to the voltage terminal V to provide an off voltage VOFF. The thirteenth transistor T13 is formed. When the carry signal of the last stage n + 1 stage SRCn + 1 is provided to the reset terminal RE, the thirteenth transistor T13 is turned on so that the potential of the first node N1 is turned off ( VOFF). Therefore, the m-th gate signal GOUTm is discharged to the off voltage VOFF by the carry signal of the n + 1th stage SRCn + 1.

캐리부(290)는 게이트 전극이 제1 노드(N1)에 연결되고, 드레인 전극은 제1 클럭 단자(CK1)에 연결되어 제1 클럭 신호(CK)를 제공받으며, 소스 전극은 캐리 단자(CR)에 연결되는 제14 트랜지스터(T14)로 이루어진다. 캐리부(290)는 제1 노드(N1)의 전위가 하이 레벨로 전환됨에 따라서, 캐리 단자(CR)로 제1 클럭 신호(CK)의 하이 구간을 출력한다.The carry unit 290 has a gate electrode connected to the first node N1, a drain electrode connected to the first clock terminal CK1 to receive a first clock signal CK, and the source electrode has a carry terminal CR. The fourteenth transistor T14 is connected to The carry unit 290 outputs a high section of the first clock signal CK to the carry terminal CR as the potential of the first node N1 is changed to a high level.

이와 같은, 제m 스테이지(SRCm)는 기술한 바와 같이 충전 커패시터(Cgs)의 용량이 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극과 드레인 전극 사이의 기생 커패시터(Cgd)의 용량보다 10배 이상 큰 값을 가지며, 이로 인해서 제1 트랜지스터(T1)의 제어전극과 연결된 제1 노드(N1)에 발생되는 리플(ripple)을 개선할 수 있다.As described above, the m-th stage SRCm has a value in which the capacitance of the charging capacitor Cgs is 10 times larger than the capacitance of the parasitic capacitor Cgd between the gate electrode and the drain electrode of the first transistor T1. As a result, ripple generated in the first node N1 connected to the control electrode of the first transistor T1 may be improved.

일반적으로 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극과 드레인 전극 사이의 기생 커패시터(Cgd)에 의해 제1 클럭 신호(CK)와의 커플링으로 제1 노드(N1)에 발생되는 리플은 아래의 수식Ⅰ을 사용하여 구할 수 있다.In general, the ripple generated at the first node N1 by the parasitic capacitor Cgd between the gate electrode and the drain electrode of the first transistor T1 by the coupling with the first clock signal CK is represented by Equation I below. Can be obtained using

Figure 112006045563485-PAT00001
Figure 112006045563485-PAT00001

여기서, Vr은 제1 노드(N1)에 발생되는 리플 전압이고, Cgd는 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극과 드레인 전극 사이의 기생 용량이고, Cgs는 충전 커패시터의 용량이고, ΔCKV는 제1 클럭 신호(CK)의 변동분(피크값)이다.Here, Vr is a ripple voltage generated at the first node N1, Cgd is a parasitic capacitance between the gate electrode and the drain electrode of the first transistor T1, Cgs is the capacitance of the charging capacitor, and ΔCKV is the first clock. This is the variation (peak value) of the signal CK.

상기한 수식으로 충전 커패시터(Cgs)의 용량이 커짐에 따라서 제1 클럭 신호(CK)에 의해 발생되는 제1 노드(N1)의 리플은 감소함을 확인할 수 있다. 즉, 충전 커패시터(Cgs)의 용량이 기생 커패시터(Cgd)의 용량보다 10배 이상 큰 값을 가짐으로 인해 제1 노드(N1)에 발생되는 리플은 고온 노이즈 현상이 발생하지 않는 수준으로 감소하게 되고, 이로 인해서 표시 장치의 구동 불량을 개선할 수 있다.As described above, as the capacitance of the charging capacitor Cgs increases, the ripple of the first node N1 generated by the first clock signal CK decreases. That is, since the capacitance of the charging capacitor Cgs has a value 10 times larger than the capacitance of the parasitic capacitor Cgd, the ripple generated in the first node N1 is reduced to a level where no high temperature noise occurs. As a result, poor driving of the display device can be improved.

한편, 충전 커패시터(Cgs)의 용량을 크게 형성하면 제1 노드(N1)의 리플이 감소하여 고온 노이즈 불량은 개선되는 반면에, 제1 노드(N1)에 연결된 제3, 제4, 제5, 및 제6 트랜지스터(T3, T4, T5, T6)의 저온 구동 마진이 감소하게 된다.On the other hand, if the capacitance of the charging capacitor Cgs is increased, the ripple of the first node N1 is reduced to improve the high temperature noise defect, while the third, fourth, fifth, and third connected to the first node N1 are improved. And a low temperature driving margin of the sixth transistors T3, T4, T5, and T6.

따라서, 고온 노이즈 불량을 개선하면서도 저온 구동 마진에 영향이 없도록 다음 제1 트랜지스터(T1)의 폭/길이 비(W/L)는 다음의 수식Ⅱ에 조건을 만족하도록 형성하는 것이 바람직하다. 즉, 제1 트랜지스터(T1)를 수식Ⅱ의 조건을 만족하도록 형성하여 제1 트랜지스터(T1)의 구동 전류 특성을 향상시켜 저온 구동 마진을 개선한다.Therefore, the width / length ratio W / L of the next first transistor T1 may be formed to satisfy the condition of the following Equation II so as to improve the high temperature noise defect and not affect the low temperature driving margin. That is, the first transistor T1 is formed to satisfy the condition of Equation II to improve driving current characteristics of the first transistor T1 to improve low temperature driving margin.

Figure 112006045563485-PAT00002
Figure 112006045563485-PAT00002

여기서, GLm_cap은 제m 게이트 배선(GLm)에 연결된 모든 캡들의 용량의 합으로 단위는 [㎊]이고, L은 게이트 배선의 수이고, Hz는 구동 주파수이다.Here, GLm_cap is the sum of the capacities of all the caps connected to the m-th gate line GLm, and the unit is [k], L is the number of gate lines, and Hz is a driving frequency.

이 때, 0.15보다 큰 값을 갖도록 제1 트랜지스터(T1)를 형성하게 되면 과도한 구동 전류 특성의 향상으로 오히려 고온 노이즈가 발생할 수 있으므로, 0.15보다 작은 값을 갖도록 제1 트랜지스터(T1)를 형성하는 것이 바람직하다.At this time, if the first transistor T1 is formed to have a value greater than 0.15, high-temperature noise may occur due to excessive improvement of driving current characteristics. Therefore, forming the first transistor T1 to have a value less than 0.15 is preferable. desirable.

이처럼, 본 발명에 따른 게이트 구동회로(200)의 제m 스테이지(SRCm)는 충전 커패시터(Cgs)의 용량이 제1 트랜지스터(t1)의 게이트 전극과 드레인 전극간 기생 커패시터(Cgd) 용량의 10배 이상의 값을 갖고, 상기한 수식Ⅱ의 결과값이 0.09 ~ 0.15의 값이 되도록 제1 트랜지스터(T1)가 형성된 것을 특징으로 하며, 이로 인해 고온 노이즈 불량을 개선할 수 있다.As such, in the m-th stage SRCm of the gate driving circuit 200 according to the present invention, the capacitance of the charging capacitor Cgs is 10 times the capacitance of the parasitic capacitor Cgd between the gate electrode and the drain electrode of the first transistor t1. The first transistor T1 is formed to have the above value and the resultant value of Equation II is 0.09 to 0.15, thereby improving the high temperature noise defect.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 충전부를 이루는 충전 커패시터의 용량을 풀업부 트랜지스터의 게이트 전극과 드레인 전극 사이의 기생 커패시터 용량의 10배 이상의 값을 갖도록 함으로써, 풀업부 제어 전극에 발생되는 리플 이 감소된다. 이로 인해서, 게이트 오프 신호 구간에 비정상적으로 발생되는 게이트 온 신호가 방지되어 표시 장치의 구동 불량을 개선할 수 있다.As described above, according to the present invention, the capacitance of the charging capacitor constituting the charging unit has a value of 10 times or more of the capacitance of the parasitic capacitor between the gate electrode and the drain electrode of the pull-up transistor. Is reduced. As a result, the gate-on signal that is abnormally generated in the gate-off signal period can be prevented, thereby improving the driving failure of the display device.

이상에서는 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described above with reference to the embodiments, those skilled in the art can be variously modified and changed within the scope of the invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below. I can understand.

Claims (9)

복수의 스테이지들이 종속적으로 연결된 쉬프트 레지스터로 이루어지며,A plurality of stages are composed of shift registers that are cascaded 제m 스테이지는The m stage 드레인 전극으로 제1 클럭 신호를 입력받고, 게이트 전극으로 입력되는 제1 입력 신호에 의해 하이 레벨로 전환되는 제1 노드의 신호에 응답하여 상기 제1 클럭 신호를 게이트 신호로 출력하는 제1 트랜지스터를 포함하는 풀업부;A first transistor receiving a first clock signal through a drain electrode and outputting the first clock signal as a gate signal in response to a signal of a first node that is switched to a high level by a first input signal input to a gate electrode; Pull-up unit comprising; 게이트 전극으로 입력되는 제2 입력 신호에 응답하여 상기 게이트 신호를 오프 전압으로 방전시키는 제2 트랜지스터를 포함하는 풀다운부;A pull-down unit including a second transistor configured to discharge the gate signal to an off voltage in response to a second input signal input to a gate electrode; 상기 제1 트랜지스터의 게이트 전극과 소스 전극 사이에 형성된 충전 커패시터를 포함하는 충전부를 포함하며,A charging unit including a charging capacitor formed between the gate electrode and the source electrode of the first transistor, 상기 충전 커패시터의 용량은 상기 제1 트랜지스터의 드레인 전극과 게이트 전극 사이의 기생 커패시터 용량의 10배 이상인 것을 특징으로 하는 게이트 구동회로.And the capacitance of the charging capacitor is more than 10 times the capacitance of the parasitic capacitor between the drain electrode and the gate electrode of the first transistor. 제1항에 있어서, 상기 제1 트랜지스터의 폭/길이 비(W/L)는 다음의 식으로 정의되는 것을 특징으로 하는 게이트 구동회로:The gate driving circuit according to claim 1, wherein the width / length ratio (W / L) of the first transistor is defined by the following equation:
Figure 112006045563485-PAT00003
Figure 112006045563485-PAT00003
여기서, GLm_cap은 제m 게이트 배선에 연결된 캡들의 용량의 합이고, L은 게 이트 배선의 수이고, Hz는 구동 주파수이다. Here, GLm_cap is the sum of the capacities of the caps connected to the m-th gate wiring, L is the number of gate wirings, and Hz is a driving frequency.
제2항에 있어서, 상기 제1 입력 신호에 응답하여 상기 제1 노드를 하이 레벨로 전환시키는 제3 트랜지스터를 포함하는 버퍼부;3. The display device of claim 2, further comprising: a buffer unit including a third transistor configured to switch the first node to a high level in response to the first input signal; 상기 제2 입력 신호에 응답하여 상기 제1 노드를 오프 전압으로 방전시키는 제4 트랜지스터를 포함하는 방전부;A discharge unit including a fourth transistor configured to discharge the first node to an off voltage in response to the second input signal; 제2 클럭 신호에 응답하여 상기 제1 노드의 신호를 오프 전압으로 유지시키는 제5 트랜지스터와, 상기 제1 클럭 신호에 응답하여 상기 제1 노드의 신호를 오프 전압으로 유지시키는 제6 트랜지스터를 포함하는 제1 홀딩부;A fifth transistor that maintains the signal of the first node at an off voltage in response to a second clock signal, and a sixth transistor that maintains the signal of the first node at an off voltage in response to the first clock signal; A first holding part; 상기 제2 클럭 신호에 응답하여 상기 게이트 신호를 오프 전압으로 유지시키는 제7 트랜지스터와, 상기 제7 트랜지스터와 교대로 상기 게이트 신호를 오프 전압으로 유지시키는 제8 트랜지스터를 포함하는 제2 홀딩부; 및A second holding part including a seventh transistor configured to maintain the gate signal at an off voltage in response to the second clock signal, and an eighth transistor configured to alternately maintain the gate signal at an off voltage with the seventh transistor; And 상기 제8 트랜지스터의 온/오프를 스위칭하는 스위칭부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 게이트 구동회로.And a switching unit for switching on / off of the eighth transistor. 제3항에 있어서, 상기 스위칭부는The method of claim 3, wherein the switching unit 드레인 전극과 게이트 전극이 공통으로 상기 제1 클럭 신호를 제공받는 제9 트랜지스터;A ninth transistor in which a drain electrode and a gate electrode are provided with the first clock signal in common; 드레인 전극은 상기 제9 트랜지스터의 소스 전극과 연결되고, 게이트 전극에는 상기 게이트 신호가 제공되며, 소스 전극에는 오프 전압이 제공되는 제10 트랜 지스터;A drain electrode connected to the source electrode of the ninth transistor, the gate electrode provided with the gate signal, and the source electrode provided with an off voltage; 드레인 전극은 제1 클럭 신호를 제공받고, 게이트 전극은 상기 제9 트랜지스터의 소스 전극과 연결되는 제11 트랜지스터;A drain electrode receives a first clock signal, and a gate electrode includes an eleventh transistor connected to a source electrode of the ninth transistor; 드레인 전극은 상기 제11 트랜지스터의 소스 전극과 연결되어 제2 노드를 이루고, 게이트 전극에는 상기 제10 트랜지스터의 게이트 전극과 공통으로 상기 게이트 신호가 제공되며, 소스 전극에는 오프 전압이 제공되는 제12 트랜지스터;The drain electrode is connected to the source electrode of the eleventh transistor to form a second node, the gate electrode is provided with the gate signal in common with the gate electrode of the tenth transistor, and the twelfth transistor is provided with an off voltage to the source electrode. ; 상기 제11 트랜지스터의 드레인 전극과 게이트 전극 사이를 연결하는 제1 커패시터; 및A first capacitor connected between the drain electrode and the gate electrode of the eleventh transistor; And 상기 제3 트랜지스터의 게이트 전극과 소스 전극 사이를 연결하는 제2 커패시터를 포함하며,A second capacitor connected between the gate electrode and the source electrode of the third transistor, 상기 제2 노드의 신호에 의해 상기 제8 트랜지스터가 온/오프 되는 것을 특징으로 하는 게이트 구동회로.And the eighth transistor is turned on / off by a signal of the second node. 제4항에 있어서, 상기 제1 입력 신호는 수직 개시신호 또는 제m-1 스테이지의 캐리 신호이며,The method of claim 4, wherein the first input signal is a vertical start signal or a carry signal of an m-th stage. 상기 제2 입력 신호는 제m+1 스테이지의 게이트 신호 또는 수직 개시신호인 것을 특징으로 하는 게이트 구동회로.And the second input signal is a gate signal or a vertical start signal of an m + 1th stage. 제4항에 있어서, 상기 제1 클럭 신호와 제2 클럭 신호는 서로 위상이 반대인 것을 특징으로 하는 게이트 구동회로.5. The gate driving circuit according to claim 4, wherein the first clock signal and the second clock signal are out of phase with each other. 게이트 배선들 및 상기 게이트 배선들과 교차하는 데이터 배선들에 의해 복수의 화소부가 형성되어 영상을 디스플레이 하는 표시 영역과, 상기 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역을 포함하는 표시 패널;A display panel including a display area in which a plurality of pixel parts are formed by gate wires and data wires crossing the gate wires to display an image, and a peripheral area surrounding the display area; 상기 데이터 배선들에 데이터 신호를 출력하는 데이터 구동부; 및A data driver which outputs a data signal to the data lines; And 종속적으로 연결된 복수의 스테이지들로 이루어져 상기 주변 영역에 직접회로 형태로 형성되고, 상기 각 스테이지들은 상기 게이트 배선들에 게이트 신호들을 출력하는 게이트 구동회로를 포함하며,Comprising a plurality of stages are connected in a cascade form in the peripheral region, each stage includes a gate driving circuit for outputting the gate signals to the gate wirings, 제m 스테이지는The m stage 드레인 전극으로 제1 클럭 신호를 입력받고, 게이트 전극으로 입력되는 제1 입력 신호에 의해 하이 레벨로 전환되는 제1 노드의 신호에 응답하여 상기 제1 클럭 신호를 게이트 신호로 출력하는 제1 트랜지스터를 포함하는 풀업부;A first transistor receiving a first clock signal through a drain electrode and outputting the first clock signal as a gate signal in response to a signal of a first node that is switched to a high level by a first input signal input to a gate electrode; Pull-up unit comprising; 게이트 전극으로 입력되는 제2 입력 신호에 응답하여 상기 게이트 신호를 오프 전압으로 방전시키는 제2 트랜지스터를 포함하는 풀다운부;A pull-down unit including a second transistor configured to discharge the gate signal to an off voltage in response to a second input signal input to a gate electrode; 상기 제1 트랜지스터의 게이트 전극과 소스 전극 사이에 형성된 충전 커패시터를 포함하는 충전부를 포함하고, 상기 충전 커패시터의 용량은 상기 제1 트랜지스터의 드레인 전극과 게이트 전극 사이의 기생 커패시터 용량의 10배 이상인 것을 특징으로 하는 표시 장치.And a charging unit including a charging capacitor formed between the gate electrode and the source electrode of the first transistor, wherein the capacitance of the charging capacitor is equal to or more than 10 times the capacitance of the parasitic capacitor between the drain electrode and the gate electrode of the first transistor. Display device. 제7항에 있어서, 상기 제1 트랜지스터의 폭/길이 비(W/L)는 다음의 식으로 정의되는 것을 특징으로 하는 게이트 구동회로:8. The gate driving circuit of claim 7, wherein the width / length ratio (W / L) of the first transistor is defined by the following equation:
Figure 112006045563485-PAT00004
Figure 112006045563485-PAT00004
여기서, GLm_cap은 제m 게이트 배선에 연결된 캡들의 용량의 합이고, L은 게이트 배선의 수이고, Hz는 구동 주파수이다.Here, GLm_cap is the sum of the capacities of the caps connected to the mth gate line, L is the number of gate lines, and Hz is a driving frequency.
제8항에 있어서, 상기 제1 입력 신호는 수직 개시신호 또는 제m-1 스테이지의 캐리 신호이며,The method of claim 8, wherein the first input signal is a vertical start signal or a carry signal of an m-th stage. 상기 제2 입력 신호는 제m+1 스테이지의 게이트 신호 또는 수직 개시신호인 것을 특징으로 하는 표시 장치.And the second input signal is a gate signal or a vertical start signal of an m + 1th stage.
KR1020060057802A 2006-06-27 2006-06-27 Gate driving circuit and display apparatus having the same KR20080000205A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060057802A KR20080000205A (en) 2006-06-27 2006-06-27 Gate driving circuit and display apparatus having the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060057802A KR20080000205A (en) 2006-06-27 2006-06-27 Gate driving circuit and display apparatus having the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20080000205A true KR20080000205A (en) 2008-01-02

Family

ID=39212552

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060057802A KR20080000205A (en) 2006-06-27 2006-06-27 Gate driving circuit and display apparatus having the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20080000205A (en)

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100073294A (en) * 2008-12-23 2010-07-01 삼성전자주식회사 Gate driving circuit and method of driving the same
US8243058B2 (en) 2009-02-19 2012-08-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Gate driving circuit and display device having the gate driving circuit
CN102651188A (en) * 2011-12-20 2012-08-29 北京京东方光电科技有限公司 Shift register, gate driving circuit and display device
CN103996370A (en) * 2014-05-30 2014-08-20 京东方科技集团股份有限公司 Shifting register unit, grid drive circuit, display device and drive method
US8947409B2 (en) 2009-12-14 2015-02-03 Samsung Display Co., Ltd. Display panel
KR101511126B1 (en) * 2008-10-30 2015-04-13 삼성디스플레이 주식회사 Gate driving circuit and display device having the gate driving circuit
CN104851383A (en) * 2015-06-01 2015-08-19 京东方科技集团股份有限公司 Shift register, gate drive circuit and display apparatus
KR20150107937A (en) * 2014-03-13 2015-09-24 삼성디스플레이 주식회사 Gate driver and display device including the same
CN105118414A (en) * 2015-09-17 2015-12-02 京东方科技集团股份有限公司 Shift register, driving method thereof, gate driving circuit, and display device
US9343028B2 (en) 2008-11-28 2016-05-17 Samsung Display Co., Ltd. Method of driving a gate line, gate drive circuit and display apparatus having the gate drive circuit
US9437148B2 (en) 2014-01-07 2016-09-06 Samsung Display Co., Ltd. Display device having integral capacitors and reduced size
US9548025B2 (en) 2013-06-12 2017-01-17 Samsung Display Co., Ltd. Capacitor, driving circuit comprising the capacitor, and display device comprising the driving circuit
WO2017049658A1 (en) * 2015-09-24 2017-03-30 深圳市华星光电技术有限公司 Gate driving circuit
WO2019062293A1 (en) * 2017-09-28 2019-04-04 惠科股份有限公司 Drive device and drive method for display device
CN110111720A (en) * 2019-05-20 2019-08-09 京东方科技集团股份有限公司 Shift register, gate driving circuit, display panel and display device
CN110910853A (en) * 2019-12-19 2020-03-24 京东方科技集团股份有限公司 Shifting register, driving method thereof and grid driving circuit
CN115294915A (en) * 2022-08-29 2022-11-04 惠科股份有限公司 Gate drive circuit and display device

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101511126B1 (en) * 2008-10-30 2015-04-13 삼성디스플레이 주식회사 Gate driving circuit and display device having the gate driving circuit
US9343028B2 (en) 2008-11-28 2016-05-17 Samsung Display Co., Ltd. Method of driving a gate line, gate drive circuit and display apparatus having the gate drive circuit
KR20100073294A (en) * 2008-12-23 2010-07-01 삼성전자주식회사 Gate driving circuit and method of driving the same
US8243058B2 (en) 2009-02-19 2012-08-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Gate driving circuit and display device having the gate driving circuit
US8947409B2 (en) 2009-12-14 2015-02-03 Samsung Display Co., Ltd. Display panel
CN102651188A (en) * 2011-12-20 2012-08-29 北京京东方光电科技有限公司 Shift register, gate driving circuit and display device
US9548025B2 (en) 2013-06-12 2017-01-17 Samsung Display Co., Ltd. Capacitor, driving circuit comprising the capacitor, and display device comprising the driving circuit
US9437148B2 (en) 2014-01-07 2016-09-06 Samsung Display Co., Ltd. Display device having integral capacitors and reduced size
KR20150107937A (en) * 2014-03-13 2015-09-24 삼성디스플레이 주식회사 Gate driver and display device including the same
US9459730B2 (en) 2014-05-30 2016-10-04 Boe Technology Group Co., Ltd. Shift register unit, display device and driving method
CN103996370A (en) * 2014-05-30 2014-08-20 京东方科技集团股份有限公司 Shifting register unit, grid drive circuit, display device and drive method
US9805658B2 (en) 2015-06-01 2017-10-31 Boe Technology Group Co., Ltd. Shift register, gate driving circuit and display device
CN104851383A (en) * 2015-06-01 2015-08-19 京东方科技集团股份有限公司 Shift register, gate drive circuit and display apparatus
CN104851383B (en) * 2015-06-01 2017-08-11 京东方科技集团股份有限公司 Shift register, gate driving circuit and display device
WO2017045351A1 (en) * 2015-09-17 2017-03-23 京东方科技集团股份有限公司 Shift register and driving method therefor, gate driving circuit, and display device
CN105118414B (en) * 2015-09-17 2017-07-28 京东方科技集团股份有限公司 Shift register and its driving method, gate driving circuit, display device
CN105118414A (en) * 2015-09-17 2015-12-02 京东方科技集团股份有限公司 Shift register, driving method thereof, gate driving circuit, and display device
US9953611B2 (en) 2015-09-17 2018-04-24 Boe Technology Group Co., Ltd. Shift register and driving method thereof, gate driving circuit and display device
WO2017049658A1 (en) * 2015-09-24 2017-03-30 深圳市华星光电技术有限公司 Gate driving circuit
WO2019062293A1 (en) * 2017-09-28 2019-04-04 惠科股份有限公司 Drive device and drive method for display device
CN110111720A (en) * 2019-05-20 2019-08-09 京东方科技集团股份有限公司 Shift register, gate driving circuit, display panel and display device
CN110910853A (en) * 2019-12-19 2020-03-24 京东方科技集团股份有限公司 Shifting register, driving method thereof and grid driving circuit
CN115294915A (en) * 2022-08-29 2022-11-04 惠科股份有限公司 Gate drive circuit and display device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101217177B1 (en) Gate driving circuit and display apparatus having the same
KR101300038B1 (en) Gate driving circuit and display apparatus having the same
KR20080000205A (en) Gate driving circuit and display apparatus having the same
KR101573460B1 (en) Gate driving circuit
KR101281498B1 (en) Gate driving circuit and display apparatus having the same
KR101182770B1 (en) Gate driving circuit and display device having the same
US8957882B2 (en) Gate drive circuit and display apparatus having the same
KR101277152B1 (en) Gate driving circuit and display device having the same
KR101448910B1 (en) Gate deiver circuit and display apparatus having the same
JP5005440B2 (en) Gate drive circuit
US8174478B2 (en) Gate driving circuit and display apparatus having the same
US8456409B2 (en) Gate drive circuit and display apparatus having the same
US9203395B2 (en) Gate driver and a display device including the same
KR101511126B1 (en) Gate driving circuit and display device having the gate driving circuit
US7880503B2 (en) Method of driving gate lines, gate line drive circuit for performing the method and display device having the gate line drive circuit
EP2549483A1 (en) Shift register
KR100970269B1 (en) Shift register, and scan drive circuit and display device having the same
KR20100073294A (en) Gate driving circuit and method of driving the same
US20100156474A1 (en) Gate drive circuit and display apparatus having the same
KR20090083199A (en) Gate driving circuit and display device having the same
KR20070017600A (en) Shift Register And Display Device Having The Same
KR20050121357A (en) Shift register, and scan drive circuit and display device having the same
KR20070095585A (en) Gate driving circuit and display apparatus having the same
KR101512338B1 (en) Gate driving circuit and display device having the same
KR102012742B1 (en) Gate driving circuit and display apparatus having the same

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination